CN101258516A - 具有电可控的光学有源层系统的多层体 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有光学有源第一层系统(10)的多层体(1,1’,2,3,4,5),其中所述第一层系统(10)是具有结构层的光学可变装置(OVD),其内成形有衍射光栅,并且可以通过电可控的第二层系统(20,20’,40,50,60)影响所述第一层系统(10)的光学效果。
Description
技术领域
本发明涉及具有光学有源层系统的多层体。
背景技术
为了装饰或提供信息的目的,或者为了给安全文件提供光学安全特征,这种安全特征一方面使得难以利用现代化的彩色复印机和其他再现系统对其进行伪造,另一方面使外行人能够容易和清楚地识别,使用了光学有源层系统。
为此目的,已知在有价证券中包含安全线作为安全元件,并且所述设置被设计为使得所述线在表面的位置上露出,以便观察者可以检查包含在所述线内的光学安全特征,例如全息图或部分脱金属作用。
另外,EP1134694A1披露了一种由印刷在纸板或纸条上并通过导体轨迹连接到国库券的金属条上的有机半导体材料构成的电子电路。在这种情况下所述电子电路不是基于由传统半导体材料形成的电子元件,而是基于利用聚合物半导体技术的有机场效应晶体管。在这种情况下将金属条用作天线,通过它有可能在半导体电路和适当的评估电路之间进行通信。因此可以将所述电子电路用于识别伪造品,同时也允许对所述文件定位。
发明内容
现在本发明基于限定具有更好视觉外观的多层体的目的。
本发明的目的通过一种多层体来实现,所述多层体具有光学有源第一层系统,并且所述第一层系统为光学可变装置(OVD),并且在这种情况下通过电可控的第二层系统可以影响所述第一层系统的光学效果。
可以将此类的多层体设计为薄的并且是柔性的,由此导致对其使用及其生产特别的优点。例如,利用辊对辊方法可以以低成本生产将所述多层体生产为薄膜体,并因此而适合于大规模生产。
基于本发明的多层体不仅可以被用作新颖的有价证券、安全文件和物品保护的安全元件,而且还可以用作装饰目的或产品广告。另外,可以将所述多层体用于显示器内、RFID标签内以及作为电器设备内的状态标识。
尽管事实上所述多层体可以是薄的,但是其也可以是例如施加到包装、窗口或建筑物表面上的大面积膜体。
进一步有利的改进在从属权利要求中指明。
有利地,第二层系统设置在所述第一层系统上方。
另外,所述第二层系统的光学特征,特别是其光学密度和/或其光散射和/或其颜色可以是可控的。
在一个有利的改进中,所述第二层系统具有上、下电极层,在所述上、下电极层之间设置了一个或多个层。所述层优选是通过在所述电极层之间施加电压而能够改变其光学特性的层。
上电极层和/或下电极层可以由聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)/PSS或PANI构成。
也可能将所述上电极层和/或下电极层提供为ITO(铟锡氧化物)层。诸如以上的这些层是透明、导电的层。
所述上电极也可由非常薄的半透明金属层构成。所述金属层可以具有0.5至30纳米的厚度,通常为5纳米的厚度,并且可以由金、银、铬、铜或铝构成。
在另一改进中,所述第二层系统具有设置在上、下电极层之间的层,所述层具有结合在聚合物基质内的多个直径为0.1μm至40μm的液晶泡。作为实例,所述聚合物基质可以由具有5μm至40μm层厚度的、通过例如UV辐射发生聚合的单体构成。例如,这可以是来自Nematel公司的产品PN 393。所述液晶泡具有以无组织形式随机排列的液晶。因此其散射入射光,使得设置在所述层下方的层不能被感知或不能被锐利地成像。当电极层连接到电压源的极时,所述液晶在形成在上、下电极层之间的电场内排列。
所述电压源可以是DC电压源或AC电压源。基于本发明,也可能使用电化学电压源,位于电磁场内并且利用电子电路将其信号处理为合适的信号频率,例如100Hz,的电可调电路,或者使用太阳能电池作为多层体的电压源。
在另一个有利的改进中,所述第二层系统具有设置在上电极层和下电极层之间的液晶层以及至少一个偏振器层。例如,可以提供两层偏振器层,并且其偏振平面以90°相交。也可能是液晶层具有胆甾醇型液晶。所述液晶使光的偏振方向旋转90°。这导致偏振光能够穿过下偏振层。因此,所述第二层系统表现为透明的,并且提供对所述第一层系统的自由观察。当在两电极层之间形成电场时,所述第二层系统表现为黑的,并且阻碍看到设置在其下的第一层系统。
另外,可使第二层系统具有设置在上、下电极层之间的电解质层,并且使上电极层是电致变色层,例如由诸如PEDOT/PSS或聚苯胺(PANI)的导电有机材料构成。能够通过电解质层内的电流方向控制的氧化还原反应,使得能够使由PEDOT/PSS构成的电致变色层的颜色从淡蓝色变为深蓝色。如果所述电致变色层由PANI构成,那么所述颜色可以从带绿色的蓝色变为带蓝色的。电解质层也可以包含金属离子,并且电解质层内的电流方向决定了是否将金属离子从电解质层转移到电致变色电极层内,或者是否将其从中移出。例如,如果金属离子是钨离子,那么电致变色电极层可以从深蓝色变为无色。
存在其他电致变色系统,例如发生反应改变pH值的系统。它们同样也是可以使用的。
如果第一层系统具有上导电层,例如金属反射层,那么可使所述导电层形成所述第二层系统的下电极层。
在另一个有利的改进中,所述第二层系统具有热致变色层和电阻层。
也可以是第一层系统的至少一层形成所述第二层系统的电阻层。
可以将所述第二层系统设计为具有再现图像和/或字母数字的信息的区域。所述区域例如可以是形成铭文的字母形式,所述铭文可以通过所述第二层系统的电激励而被看见。其也可能是条形码,且仅当将多层体设置在读取器的电场内时才能被看见。诸如此类的特征不能通过常规的再现方法伪造。例如,在诸如此类的应用中,可能使第二层系统没有电极层。因此,有利的是在通常使用施加了基于本发明的所述多层体的物体时可以使所述第二层系统不被感知。
也可能的是,使所述第二层系统的光学效果是可逆可控的。
在另一个有利的改进中,由于电压而引起的第二层系统内的光学改变在断开电压之后保留下来。为此目的,所述液晶可以是铁电液晶。铁电液晶允许电场的作用存储相对长的时间,例如超过几星期,并且它们能够通过电脉冲被重置。例如,这使得将具有铁电液晶的多层体用作到期日的数据存储器成为可能。一旦通知期限过去,那么到期日就可见,因为铁电液晶回到其初始位置,并且所述第二结构层再次透明。有利的是诸如此类的多层体可能没有任何电极,使得用于排列铁电液晶所需的电场能够仅形成在用于此目的设备内。
在这种情况下,表述形式电可控层系统意味着其中光学效应的至少一个参数通过施加电压而改变的任何层系统。这是通过电变量来管理的材料特性的改变。
另外,所述第一层系统可以是薄膜层系统,以通过干涉产生依赖于视角的色彩偏移效果。
产生色彩改变的层具有d=λ/4或d=λ/2的厚度,其中λ是入射光的波长。
也可能由一系列高衍射率和低衍射率层形成薄膜层系统。诸如此类的层也分别称作HRI(高折射率)层和LRI(低折射率)层。所选择的层数越大,色彩改变效应的波长可以被设置得越锐利。在这种情况下,特别有利的是,诸如此类的薄膜层系统由二至十个层(偶数变量)或三至九个层(奇数变量)形成。
所述第一层系统也可以是具有胆甾醇型液晶层和吸收层的层系统。诸如此类的层系统以类似于薄膜层系统的方式具有依赖于视角的色彩偏移效果。
仅需要一个电极平面的系统也是可行的。例如,这可以是如上所述具有能够在所述平面内被激励的胆甾醇型液晶的热致变色层或层系统的加热元件。设置在所述液晶下方的所述层可具有凸起,所述凸起彼此相距一定距离,并且具有大约20μm的宽度和20μm至100μm的高度,并以小于100μm的距离设置。上述的OVD可以形成在所述凸起之间并且由于所述凸起的小尺寸而光学表现为实体。形成在所述凸起上的电极以条带形式形成区域,其交替和可开关地连接到电压源的极。因此,形成在所述区域之间的电场在液晶层内延伸,并且相对于液晶层不成直角。
也可使所述凸起像棋盘格那样设置和/或使第一和/或第二层系统为适当结构化,并且使连接线为阵列的形式,以便使每个电极区域能够按行和列激励。
也可激励位于上电极层和下电极层(其构成为类似于棋盘格)之间特定点处的液晶。因此可能使设置在下电极层的激励区域上方的液晶在电场内排列,并且设置在下电极层的未激励区域上方的液晶保持为无组织的排列。激励或未激励的区域可以以这种方式形成图案,例如表示图像、标识或一个或多个字母数字字符。彼此电绝缘的区域可以被交替激励,使得子区域依次改变其光学外观。
在另一个改进中,所述多层体具有驱动电子元件,所述驱动电子元件优选是有机驱动电子元件。
还可以使多层体具有一个或多个传感器和/或RFID电路和/或显示器和/或开关和/或电压源。
上面提到的两个实施例提供了基于本发明的多层体的应用领域的大体轮廓,但是这并不限制进一步的应用。
还可以将多层体设计为柔性的和/或具有柔性、透明的载体膜。可以有利地将柔性多层体施加到弯曲表面上。其具有特别优良的抗弯曲载荷性,所述弯曲载荷可能在例如包装、国库券或证券的薄的载体基底上发生。
特别是,在打算采用辊对辊方法的装置上,作为大规模生产项目,可以以低成本生产柔性多层体。在这种情况下,诸如RFID标签、太阳能电池、电池、存储装置、集成电路、膜开关和传感器的附加组件可以容易地集成在多层体内。
附图说明
在下面的文章中通过实例的方式利用大量示范性实施例并借助于附图来解释本发明,其中:
图1a和1b示出了示意性截面图案式的基于本发明的多层体的第一示范性实施例;
图2a和2b示出了示意性截面图案式的基于本发明的多层体的第二示范性实施例;
图3a和3b示出了示意性截面图案式的基于本发明的多层体的第三示范性实施例;
图4a和4b示出了示意性截面图案式的基于本发明的多层体的第四示范性实施例;
图5a和5b示出了示意性截面图案式的基于本发明的多层体的第五示范性实施例;以及
图6a至7b示出了基于本发明的多层体的一个应用实例。
具体实施方式
图1a和1b示出了具有光学可变层系统10和可控层系统20的多层体1的示意性截面图示。
层系统10是具有结构层12的光学可变装置(OVD),在结构层12中形成了衍射光栅12b。结构层12例如可以由具有几μm的层厚度的热塑性复制型漆形成,借助于加热的复制辊将衍射光栅12b压印在其内。结构层12覆盖有例如由铝、银、铬、铜或金构成的金属反射层14。
可控层系统20具有设置在金属层14上的载体层22。载体层22是聚合物基质,其中嵌有多个液晶泡22f。液晶泡具有0.1μm至15μm的直径。聚合物基质由PN393构成,其可以具有从5μm至40μm的层厚度。所述层厚度优选是10μm。
透明保护层26被设置在载体层22上并且在其下表面上具有电极层24。在本示范性实施例中,层26和24是来自Agfa的透明、导电性涂覆OrgakonTM膜,并且电极层24是透明导电聚合物。这是PEDOT/PSS,其可以具有从50纳米至500纳米的层厚度。层厚度优选为200纳米。电极层24也可以是透明金属层。
可以通过在电极层24和金属反射层14之间施加电压来形成电场,在所述电场中,可以排列包含在液晶泡22f中的液晶。在图1a和1b中,液晶用短线来表示。因此,在本示范性实施例中,金属反射层14同时是电可控层系统20的电极层。因此其为多功能层。
用于控制层系统20的电压通过电压源30产生,所述电压源30借助于连接线34和34′和开关32与层14和24导电连接。象征性描绘于图1a和1b中的连接线34和34′可以是通过延续导电层14和24的导体轨道。然而,也可以是与层14和24电接触并且例如被气相沉积的金属导体轨道。
图1a示出了开关32打开的多层体1。设置在液晶泡22f内的液晶呈现无组织的随机定位,使得入射到多层体1的光被漫反射,其结果是不能看见第一层系统10,或者仅能微弱地看到第一层系统10,并且不能产生光学作用。
现在图1b示出了开关32关闭的多层体1。现在在层14和24之间形成电场,并且其场线相对于层14和24的表面成直角排列,使得设置在液晶泡22f内的液晶呈现出有组织性的定位,平行于电场线排列。由于几纳米的小直径,现在入射到多层体1上的光基本上能够完全入射到覆盖有反射层14的结构层12的表面上,由此第一层系统10能够作为OVD发挥其光学作用。
电压源30的极性与液晶在电场线的作用下排列的操作原理相关,描绘于图1a和1b的示范性实施例就基于此。因此电压源30既可以是DC电压源,也可以是AC电压源。电压源30输出的电压对适用于液晶排列的电场的形成而言是十分重要的。在图1a和1b所描绘的示范性实施例中提供大约20V的电压。
在描绘于图1a和1b的示范性实施例中,电压源30可以通过开关32被开通和关断。也可以省却开关32,并且电压源30为可调电路的形式,其中外部电磁场引起AC电压,如果需要,AC电压通过整流器也被转换为DC电压。所述DC电压可以通过合适的电子元件,例如环形振荡器,被转换回到特别有利的频率范围在100Hz附近的AC电压。也可以提供电容器,当用DC电压驱动时,在电磁场关断之后其产生一定时间的DC电压。例如,如果多层体形成所谓的RFID标签,也就是说用于借助于声频的物体识别的电路设置,上述元件可以是诸如此类的RFID标签的元件。RFID标签可以有利地是有机膜电路。
现在图2a和2b示出了没有第二电极层(见图1a和1b的电极层24)的多层体1′。事实上,现在结构层12具有浮雕结构,所述浮雕结构具有宽度为大约20μm并且高度为20μm至100μm的凸起,其以小于100μm的距离设置。衍射光栅12b形成在凸起之间的结构层内,并且也描绘于图1a和1b中。现在金属反射层14形成设置在凸起上、为条带形式并且交替连接到连接线34和34′的区域,使得当开关32关闭时(见图2b),条带形式的反射层14的区域交替连接到电压源30的正极或负极。因此,形成在区域之间的电场在载体层22内延伸,并且不像在图1a和1b所示的第一示范性实施例的情况下那样相对于载体层22成直角。然而,当开关32关闭时,位于液晶泡22f内的液晶类似于图1b那样在电场中排列,如图2b所示。
也可能像棋盘格那样将凸起设置在结构层12内,并且连接线为阵列的形式,以便反射层14的每个区域能够按行和列激励。没有示出的进一步示范性实施例可以附加地提供电极层24,如图1a和1b所示,以便借助于像棋盘格那样构造的反射层14,使设置在反射层14的被激励区域上方的液晶在电场内排列,并且设置在反射层14的未被激励区域上方的液晶保持无组织的排列。以这种方式,被激励区域或未被激励区域可以形成例如表示标识或一个或多个字母数字字符的图案。
现在图3a和3b示出了多层体2,其与图1a和1b描绘的多层体1不同仅在于可控层系统的形成。可控层系统40具有液晶层42,液晶42f嵌入在液晶层42内并且使得能够使偏振光的偏振平面旋转。
液晶层42的上表面覆盖有上偏振层46o,并且液晶层的下表面覆盖有下偏振层46u。偏振层46o和46u的偏振方向以90°相交。因此,在进入液晶层之前入射光被偏振化。现在液晶使偏振光的偏振平面旋转90°。结果,偏振光可以通过下偏振层46u,并在层系统10的反射层14上被反射。现在一旦反射光被设置在叠层中的液晶42f再次旋转,则从上偏振层46o射出。因此层系统40表现出是透明的,并且能够提供对OVD形式的层系统的自由观察。
将透明保护层26设置在上偏振层46o上,并且使电极层24位于其下表面。如上面所述,层26和24例如由透明的导电性涂覆的OrgakonTM膜构成。通过连接线34′和开关32将电极层24连接到电压源30。电压源30的另一极通过连接线34连接到金属层14。这允许通过关闭开关32在层14和24之间形成电场,由此使液晶42f移动到这样的位置,所述位置使得已经被上偏振层46o偏振化的光不再能够通过下偏振层46u。多层体2的这一状态描绘于图2b中,其中不再可能观察到层系统10形成的光学效果。
还可以使上偏振层46o和下偏振层46u以相同的偏振方向设置,使得当将电压关断时,电可控层系统20表现为不透明,并且当将电压开通时表现为透明。
另外,可以为液晶层42f提供铁电液晶。铁电液晶具有存储电场的特性,使得在将电压关断之后,通过铁电液晶形成的液晶层的开关状态也可以保持相对长的时间。所述液晶层可通过开关脉冲进行重置。
现在图4a和4b示出了多层体3,其中电可控层系统50设置在光学可变层系统10上,所述系统50由电解质层52形成并且与两电极层接触。如在上述示范性实施例中那样,下电极层由层系统10内的反射层14形成。上电极层54由例如PEDOC/PSS的电致变色材料形成。上电极层54被保护层26覆盖。两电极层14和54通过连接到开关32u的连接线34和34′连接到电压源30。在描绘于图3a和3b的第三示范性实施例中,电压源30是DC电压源,其极性管理着电致变色电极层54的光学状态。在这种情况下,电流方向受到开关32u的位置控制的电流流过电解质层52,并且在所描绘的示范性实施例中,所述电流将金属离子从电解质层52转移到电致变色电极层54,或将它们从中移出。例如,如果它们是钨离子,那么电致变色电极层54可以从深蓝色变为无色。如上面进一步所描述的,基于通过电流方向来进行管理的氧化还原反应或者基于电解质层的pH值的改变的其他实施例是可能的。
开关32u是两极转换开关,通过它可以使流过电解质层52的电流的流动方向反转。这允许电致变色电极层54从第一、有色、不透明的状态改变到无色、透明的状态。
图5a和5b示出了多层体4,其中电可控层系统60设置在光学可变层系统10上并具有热致变色层62。在所描绘的示范性实施例中的热致变色层62由来自Coates Screen公司的TCX B-31构成,并且层厚度为大约20μm。层厚度可以在0.5和100μm之间。热致变色层62覆盖有保护层26。
层系统10的金属反射层14通过电连接线34、34′和开关32连接到电压源30,并且同时形成用于加热热致变色层62的电阻层。如在前面示范性实施例的情况下那样,因此反射层14是能够与多层体的两个层系统功能相关的层。然而,也可能提供分离的电阻层,特别是当反射层14不能充分承受电负荷时。在诸如此类的情况下,电阻层是透明的,并且例如由ITO(铟锡氧化物)或某些其他导电材料构成。通过实例的方式,也可以将PEDOT/PSS或PANI用作透明电阻层。电阻层也可以设置在结构层12下方,并且,在这种情况下,不需要是透明的。
如能够从图5a中所看到的那样,当开关32打开时,热致变色层62不是透明的。如果现在开关32关闭,如图5b所示,那么反射层14从电流开始流通时被加热,结果,设置在反射层14上的热致变色层62也被加热,并且以这种方式变为透明。现在可以看到通过光学可变层系统10形成的光学效应。
现在图6a至7b示出了基于本发明的多层体的一个示范性实施例。
图6a示出了以与描绘于图1a和1b的多层体1相同的方式设计的多层体5的示意性截面图。在这种情况下,在每种情况下结合来自图1a和1b的某些层。
其中具有结合在聚合物基质内的液晶泡的层52具有上电极层54,并被设置在OVD层系统56上,其描绘于图1a和1b中并由复制层和金属反射层形成。面对OVD层系统的反射层同时形成层52的下电极层。
现在图6b示出了多层体5的示意性平面图,其电极层通过连接线581和开关58s连接到电压源58。由于当不施加电压时不透明的层52,因此OVD层系统56具有不能明显看见或者完全不能看见的铭文56s。
图7a和7b示出了多层体5,因为开关58s关闭,其电极层现在连接到电压源58。因此层52是透明的层,使得设置在OVD层系统56上的铭文56s能够被清楚地读取。另外,现在能够看见光学效应,例如可以是当多层体5倾斜时导致的颜色改变。也可能使铭文56s表现出光学效应,这依赖于视角,例如明显地改变其位置。
基于本发明的多层体可以具有其他层,例如施加到光学可变层系统的后表面的粘合剂层,或形成诸如电压源、传感器或电子电路的功能元件的层。这些层可以优选由聚合物形成,特别是也形成电子电路。然而,表达方式“有机”电路应当也被清楚地理解为包括也具有无机层以及有机层、或者仅具有无机层的电路和电路设置。
基于本发明的多层体还不同在于其能够被形成为薄的并且是柔性的,由此得到其应用和生产方面特别的优点。例如,可以利用辊对辊方法以低成本将多层体生产为膜体,并因此而适合于大规模生产。
基于本发明的多层体也可以具有非柔性载体材料,例如由玻璃或陶瓷构成,并不脱离本发明的范围。
另外,基于本发明的多层体也可以设计为不可逆地改变其光学特性。例如,可由短暂过电压造成改变, 多层体可以持久地信号通知发生过载。诸如此类的作用例如可以在电致变色层的情况下通过在电解质层中的不可逆化学方法来引发。
Claims (26)
1.一种具有光学有源第一层系统的多层体,其特征在于,所述第一层系统(10)是光学可变装置(OVD),并且其中所述第一层系统(10)的光学效果可以受到电可控第二层系统(20)的影响。
2.如权利要求1所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50,60)被设置在所述第一层系统(10)的上方。
3.如权利要求1或2所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50,60)的所述光学特性,特别是光学密度和/或光散射和/或颜色,可以是电可控的。
4.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50)具有上电极层(24,54)和下电极层(14),在所述上电极层和所述下电极层之间设置了一个或多个层。
5.如权利要求4所述的多层体,其特征在于,所述上电极层(24,54)和/或所述下电极层(14)由聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)/PSS或PANI构成。
6.如权利要求4所述的多层体,其特征在于,所述上电极层(24,54)和/或所述下电极层(14)是ITO(铟锡氧化物)层。
7.如权利要求4所述的多层体,其特征在于,所述上电极层(24,54)和/或所述下电极层(14)是例如由金、银、铬或铜构成的并具有小于10纳米的层厚度的金属层。
8.如权利要求4至7之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50)具有包含结合在聚合物基质内的多个液晶泡(22f)的层(22),所述聚合物基质被设置在所述上电极层(24)和所述下电极层(14)之间。
9.如权利要求4至7之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50)具有设置在所述上电极层(24)和所述下电极层(14)之间的液晶层(42),以及至少一个偏振层(46o,46u)。
10.如权利要求4至7之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50)具有设置在所述上电极层(54)和所述下电极层(14)之间的电解质层(52),并且其中所述上电极层(54)是例如由诸如PEDOT/PSS的导电有机材料构成的电致变色层,或者其中所述电解质层是电致变色层。
11.如权利要求4至7之一所述的多层体,其特征在于,所述第一层系统(10)具有形成所述第二层系统(20,40,50)的下电极层的金属反射层(14)。
12.如权利要求4至11之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50)没有电极层。
13.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(60)具有热致变色层(62)和设置在所述热致变色层(62)的上方或下方的电阻层。
14.如权利要求13所述的多层体,其特征在于,所述第一层系统(10)的至少一个层形成所述第二层系统(60)的电阻层。
15.如权利要求13所述的多层体,其特征在于,所述电阻层被设置在所述第一层系统(10)下方。
16.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50)仅具有一个电极层,其为局部电极层的形式,例如具有设置为条带或阵列形式的电极区域。
17.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第一层系统(10)具有再现图像和/或字母数字信息的区域。
18.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50,60)的光学效果是能够可逆地控制的。
19.如权利要求1至16之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50,60)的光学效果是能够不可逆地控制的。
20.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第二层系统(20,40,50,60)的光学效果可以以双稳态的形式被控制。
22.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第一层系统(10)是用于通过干涉产生颜色效果的薄膜层系统。
23.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述第一层系统(10)具有胆甾醇型液晶层和吸收层。
24.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述多层体(1,2,3,4,5)具有有机和/或无机驱动电子元件。
25.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述多层体(1,2,3,4,5)具有一个或多个传感器和/或RFID电路和/或显示器和/或开关和/或电压源。
26.如前面权利要求之一所述的多层体,其特征在于,所述多层体(1,2,3,4,5)被设计为柔性的和/或具有柔性载体膜。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102436109A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 财团法人工业技术研究院 | 反射式显示装置 |
CN102662268A (zh) * | 2012-04-26 | 2012-09-12 | 华映光电股份有限公司 | 胆固醇液晶显示器及其驱动方法 |
CN102786925A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-11-21 | 南京理工大学 | 金属光栅结构耦合的热致变色薄膜材料 |
CN103424917A (zh) * | 2012-05-22 | 2013-12-04 | 乐金显示有限公司 | 用作主动偏光膜的面板及其制造方法和包括该面板的三维立体图像显示系统 |
CN107972603A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 智能传感器盖装置和方法及用于实施该方法的计算机产品 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007009213A1 (de) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Giesecke & Devrient Gmbh | Tragbarer Datenträger |
EP1988514A1 (en) * | 2007-05-04 | 2008-11-05 | Acreo AB | Security document circuit |
DE102007043407A1 (de) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger flexibler Folienkörper |
DE102007048102A1 (de) * | 2007-10-06 | 2009-04-09 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Sicherheitselement zur Kennzeichnung eines Sicherheitsdokuments und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102008020770B3 (de) * | 2008-04-21 | 2009-10-29 | Bundesdruckerei Gmbh | Sicherheitselement mit einem elektrisch stimulierbaren polarisationsabhängigen Volumenhologramm und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102008026216B4 (de) * | 2008-05-30 | 2010-07-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung |
TWI401501B (zh) * | 2008-07-28 | 2013-07-11 | Pixel Qi Corp | 繞射型液晶顯示器 |
US20100112336A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Rfid for material identification with applications in manufacturing |
DE102008044174A1 (de) | 2008-11-28 | 2010-06-02 | Deere & Company, Moline | Bediensystem für ein Kraftfahrzeug |
US8736942B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-05-27 | Battelle Memorial Institute | Electrochromic device capable of controlling visible and infrared radiations |
JP5405391B2 (ja) | 2010-05-21 | 2014-02-05 | 日本メクトロン株式会社 | 透明フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
EP2576234B1 (en) * | 2010-06-04 | 2015-08-26 | Polyvalor, Limited Partnership | Metameric security devices using an active material |
FR2964596B1 (fr) * | 2010-09-10 | 2013-08-30 | Commissariat Energie Atomique | Objet authentifiable contenant un cache masquant un motif authentifiant |
US8830426B2 (en) | 2010-11-17 | 2014-09-09 | Pixel Qi Corporation | Color shift reduction in transflective liquid crystal displays |
DE102010054053A1 (de) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Giesecke & Devrient Gmbh | Datenträger, Sicherheitselement und Verfahren zum Beeinflussen des Farbwechsels thermochromer Farbschichten |
DE102010054054B4 (de) * | 2010-12-10 | 2024-10-17 | Giesecke+Devrient ePayments GmbH | Datenträger mit Thermochromschicht zur Eingabebestätigung |
US9648751B2 (en) | 2012-01-13 | 2017-05-09 | Arjo Wiggins Fine Papers Limited | Method for producing a sheet |
JP2015509615A (ja) * | 2012-02-28 | 2015-03-30 | ヘレウス プレシャス メタルズ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 偏光フィルター用帯電防止保護シールドとしての導電性ポリマー層 |
WO2014034483A1 (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | シャープ株式会社 | 光偏向装置および光偏向素子の駆動方法 |
DE102013112253A1 (de) * | 2013-11-07 | 2015-05-07 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
US9059188B1 (en) | 2014-05-01 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Graphene resistor based tamper resistant identifier with contactless reading |
DE102014117877A1 (de) * | 2014-12-04 | 2016-06-23 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Sicherheitselement |
GB2603803A (en) * | 2021-02-15 | 2022-08-17 | Koenig & Bauer Banknote Solutions Sa | Security document |
Family Cites Families (271)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB723598A (en) | 1951-09-07 | 1955-02-09 | Philips Nv | Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics |
US3512052A (en) | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
DE2102735B2 (de) | 1971-01-21 | 1979-05-10 | Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart | Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern |
US3769096A (en) | 1971-03-12 | 1973-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Pyroelectric devices |
AU488652B2 (en) | 1973-09-26 | 1976-04-01 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Improvements in or relating to security tokens |
JPS543594B2 (zh) | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
DE2407110C3 (de) | 1974-02-14 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz |
JPS54101176A (en) | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
US4442019A (en) | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
US4246298A (en) | 1979-03-14 | 1981-01-20 | American Can Company | Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application |
JPS5641938U (zh) | 1979-09-10 | 1981-04-17 | ||
US4340057A (en) | 1980-12-24 | 1982-07-20 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Radiation induced graft polymerization |
JPS585059U (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示体 |
US4472627A (en) * | 1982-09-30 | 1984-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury | Authenticating and anti-counterfeiting device for currency |
EP0108650A3 (en) | 1982-11-09 | 1986-02-12 | Zytrex Corporation | Programmable mos transistor |
DE3321071A1 (de) | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Basf Ag | Druckschalter |
DE3338597A1 (de) | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
US4554229A (en) | 1984-04-06 | 1985-11-19 | At&T Technologies, Inc. | Multilayer hybrid integrated circuit |
JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Toshiba Corp | Mis型半導体素子 |
US4726659A (en) * | 1986-02-24 | 1988-02-23 | Rca Corporation | Display device having different alignment layers |
US4926052A (en) | 1986-03-03 | 1990-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detecting device |
EP0268370B1 (en) | 1986-10-13 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device |
GB2215307B (en) | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
JPH03500033A (ja) | 1988-06-21 | 1991-01-10 | ダブリュー アンド ティー エイヴァリー リミテッド | ポータブル電子トークンの製造法 |
US5364735A (en) | 1988-07-01 | 1994-11-15 | Sony Corporation | Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same |
US4937119A (en) | 1988-12-15 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Textured organic optical data storage media and methods of preparation |
US5892244A (en) | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
FR2644920B1 (fr) | 1989-03-21 | 1993-09-24 | France Etat | Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent |
US6331356B1 (en) | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
DE69018348T2 (de) | 1989-07-25 | 1995-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren. |
FI84862C (fi) | 1989-08-11 | 1992-01-27 | Vaisala Oy | Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
DE3942663A1 (de) * | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Gao Ges Automation Org | Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement |
US5206525A (en) | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
FI91573C (sv) | 1990-01-04 | 1994-07-11 | Neste Oy | Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar |
JP2969184B2 (ja) | 1990-04-09 | 1999-11-02 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタメモリ |
FR2664430B1 (fr) | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
US5202677A (en) | 1991-01-31 | 1993-04-13 | Crystal Images, Inc. | Display apparatus using thermochromic material |
DE4103675C2 (de) | 1991-02-07 | 1993-10-21 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen |
FR2673041A1 (fr) | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
EP0501456A3 (en) | 1991-02-26 | 1992-09-09 | Sony Corporation | Video game computer provided with an optical disc drive |
US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
US5332315A (en) | 1991-04-27 | 1994-07-26 | Gec Avery Limited | Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time |
JP3224829B2 (ja) | 1991-08-15 | 2001-11-05 | 株式会社東芝 | 有機電界効果型素子 |
JPH0580530A (ja) | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5173835A (en) | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
WO1993009469A1 (de) | 1991-10-30 | 1993-05-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Belichtungsvorrichtung |
JP2709223B2 (ja) | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
JPH0611712A (ja) * | 1992-04-10 | 1994-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置 |
FR2696043B1 (fr) | 1992-09-18 | 1994-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication. |
EP0603939B1 (en) | 1992-12-21 | 1999-06-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer |
DE4243832A1 (de) | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Daimler Benz Ag | Tastsensoranordnung |
JP3457348B2 (ja) | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
FR2701117B1 (fr) | 1993-02-04 | 1995-03-10 | Asulab Sa | Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose. |
EP0615256B1 (en) | 1993-03-09 | 1998-09-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern |
US5567550A (en) | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
DE4312766C2 (de) | 1993-04-20 | 1997-02-27 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung |
JPH0722669A (ja) | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 可塑性機能素子 |
AU7563294A (en) | 1993-08-24 | 1995-03-21 | Metrika Laboratories, Inc. | Novel disposable electronic assay device |
JP3460863B2 (ja) | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2710413B1 (fr) | 1993-09-21 | 1995-11-03 | Asulab Sa | Dispositif de mesure pour capteurs amovibles. |
US5556706A (en) | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
IL111151A (en) | 1994-10-03 | 1998-09-24 | News Datacom Ltd | Secure access systems |
US6028649A (en) | 1994-04-21 | 2000-02-22 | Reveo, Inc. | Image display systems having direct and projection viewing modes |
KR100350817B1 (ko) | 1994-05-16 | 2003-01-24 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 유기반도체물질로형성된반도체장치 |
IL110318A (en) | 1994-05-23 | 1998-12-27 | Al Coat Ltd | Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices |
US5684884A (en) | 1994-05-31 | 1997-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same |
JP3246189B2 (ja) | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5528222A (en) | 1994-09-09 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency circuit and memory in thin flexible package |
US5574291A (en) | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
US5630986A (en) | 1995-01-13 | 1997-05-20 | Bayer Corporation | Dispensing instrument for fluid monitoring sensors |
DE19506907A1 (de) | 1995-02-28 | 1996-09-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom |
JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH08303150A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-19 | Affinity Kk | 分割パネルおよびそれを使用した窓 |
JPH08328031A (ja) | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Sharp Corp | フルカラー液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH0933645A (ja) | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | トランスポンダの電源回路 |
US5652645A (en) | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
JP3298607B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 液晶素子及びその製造方法 |
US5707894A (en) | 1995-10-27 | 1998-01-13 | United Microelectronics Corporation | Bonding pad structure and method thereof |
US5625199A (en) | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
EP1798592A3 (en) * | 1996-01-17 | 2007-09-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical device and three-dimensional display device |
US6326640B1 (en) | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
GB2310493B (en) | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
JP3080579B2 (ja) | 1996-03-06 | 2000-08-28 | 富士機工電子株式会社 | エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法 |
DE19610284A1 (de) | 1996-03-15 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Antennenspule |
EP0958617A1 (en) | 1996-06-12 | 1999-11-24 | The Trustees Of Princeton University | Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays |
DE19629656A1 (de) | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Boehringer Mannheim Gmbh | Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
DE19648937A1 (de) * | 1996-11-26 | 1997-05-15 | Meonic Sys Eng Gmbh | Elektronisches Etikett |
US6259506B1 (en) * | 1997-02-18 | 2001-07-10 | Spectra Science Corporation | Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials |
US5946551A (en) | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
US6344662B1 (en) | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
US5841325A (en) | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Hewlett-Packard Company | Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator |
KR100248392B1 (ko) | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
JP4509228B2 (ja) | 1997-08-22 | 2010-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
ATE280963T1 (de) * | 1997-08-28 | 2004-11-15 | E Ink Corp | Neue adressierungsschaltungen für elektrophoretische anzeigevorrichtungen |
EP1296280A1 (en) | 1997-09-11 | 2003-03-26 | Precision Dynamics Corporation | Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials |
BR9811636A (pt) | 1997-09-11 | 2000-08-08 | Precision Dynamics Corp | Etiqueta de identificação de rádio freqâência em substrato flexìvel |
US6251513B1 (en) | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
JPH11142810A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
US5997817A (en) | 1997-12-05 | 1999-12-07 | Roche Diagnostics Corporation | Electrochemical biosensor test strip |
EP0958663A1 (en) | 1997-12-05 | 1999-11-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
US5998805A (en) | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
JP3380482B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-02-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US6083104A (en) | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
JP2002515641A (ja) | 1998-01-28 | 2002-05-28 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法 |
US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6045977A (en) | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
JPH11249128A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Seiko Epson Corp | 反射型液晶装置及び電子機器 |
JPH11249494A (ja) | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Canon Inc | ドラムフランジ、円筒部材、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置 |
DE19816860A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-11-18 | Deutsche Telekom Ag | Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte |
US6033202A (en) | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
US6369793B1 (en) * | 1998-03-30 | 2002-04-09 | David C. Zimman | Printed display and battery |
EP1105772B1 (en) | 1998-04-10 | 2004-06-23 | E-Ink Corporation | Electronic displays using organic-based field effect transistors |
GB9808061D0 (en) | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
US6107920A (en) | 1998-06-09 | 2000-08-22 | Motorola, Inc. | Radio frequency identification tag having an article integrated antenna |
US5967048A (en) | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
KR100282393B1 (ko) | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
KR100393324B1 (ko) | 1998-06-19 | 2003-07-31 | 띤 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 | 집적 무기/유기 보상 박막 트랜지스터 회로 및 그 제조방법 |
JP2000090229A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-03-31 | Minolta Co Ltd | 情報記録表示カ―ド及びそれを用いた情報記録表示システム |
DE19836174C2 (de) | 1998-08-10 | 2000-10-12 | Illig Maschinenbau Adolf | Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung |
US6215130B1 (en) | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
CA2340005C (en) | 1998-08-26 | 2014-05-06 | Sensors For Medicine And Science, Inc. | Optical-based sensing devices |
JP4493741B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE69831243T2 (de) | 1998-10-13 | 2006-08-10 | Sony Deutschland Gmbh | Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix |
DE19851703A1 (de) | 1998-10-30 | 2000-05-04 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen |
US6384804B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-05-07 | Lucent Techonologies Inc. | Display comprising organic smart pixels |
US6506438B2 (en) | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
US6321571B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
WO2000041893A1 (en) | 1999-01-15 | 2000-07-20 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices |
GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
US6300141B1 (en) | 1999-03-02 | 2001-10-09 | Helix Biopharma Corporation | Card-based biosensor device |
US6180956B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US6207472B1 (en) | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
TW508975B (en) | 1999-03-29 | 2002-11-01 | Seiko Epson Corp | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
KR100412743B1 (ko) | 1999-03-30 | 2003-12-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US6498114B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
US6072716A (en) | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
US6387736B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-05-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for bonding layers in a semiconductor device |
FR2793089B3 (fr) | 1999-04-28 | 2001-06-08 | Rene Liger | Transpondeur a antenne integree |
DE19919448A1 (de) | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Miele & Cie | Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation |
US6736985B1 (en) | 1999-05-05 | 2004-05-18 | Agere Systems Inc. | High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing |
DE19921024C2 (de) | 1999-05-06 | 2001-03-08 | Wolfgang Eichelmann | Videospielanlage |
US6383664B2 (en) | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
JP4136185B2 (ja) | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
EP1052594A1 (de) | 1999-05-14 | 2000-11-15 | Sokymat S.A. | Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE69913745T2 (de) | 1999-05-17 | 2004-10-07 | Goodyear Tire & Rubber | Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder |
DE19928060A1 (de) * | 1999-06-15 | 2000-12-21 | Whd Elektron Prueftech Gmbh | Optisch variables Sicherheitsmerkmal und Verfahren zu seiner Herstellung |
TW556357B (en) | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
ATE344535T1 (de) | 1999-07-06 | 2006-11-15 | Elmos Semiconductor Ag | Cmos kompatibler soi-prozess |
JP2001085272A (ja) | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
DE19933757A1 (de) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Giesecke & Devrient Gmbh | Chipkarte mit integrierter Batterie |
DE19935527A1 (de) | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Giesecke & Devrient Gmbh | Aktive Folie für Chipkarten mit Display |
DE19937262A1 (de) | 1999-08-06 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Anordnung mit Transistor-Funktion |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
JP4595143B2 (ja) | 1999-09-06 | 2010-12-08 | 双葉電子工業株式会社 | 有機elデバイスとその製造方法 |
EP1085320A1 (en) | 1999-09-13 | 2001-03-21 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials |
US6517995B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
WO2001023131A1 (fr) | 1999-09-28 | 2001-04-05 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Procede et dispositif de perçage par laser |
US6340822B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
EP1149420B1 (en) | 1999-10-11 | 2015-03-04 | Creator Technology B.V. | Integrated circuit |
JP2002090725A (ja) * | 1999-10-29 | 2002-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルと液晶表示装置 |
US6335539B1 (en) | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6284562B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
JP2001147659A (ja) | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置 |
EP1103916A1 (de) | 1999-11-24 | 2001-05-30 | Infineon Technologies AG | Chipkarte |
US6621098B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-09-16 | The Penn State Research Foundation | Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material |
US6136702A (en) | 1999-11-29 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US6197663B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors |
AU779878B2 (en) | 1999-12-21 | 2005-02-17 | Flexenable Limited | Forming interconnects |
EP1243032B1 (en) | 1999-12-21 | 2019-11-20 | Flexenable Limited | Inkjet-fabricated integrated circuits |
US7002451B2 (en) | 2000-01-11 | 2006-02-21 | Freeman Jeffrey R | Package location system |
JP2002162652A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-06-07 | Fujitsu Ltd | シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル |
US6706159B2 (en) | 2000-03-02 | 2004-03-16 | Diabetes Diagnostics | Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus |
TW497120B (en) | 2000-03-06 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP3614747B2 (ja) | 2000-03-07 | 2005-01-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 |
DE10012204A1 (de) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Siemens Ag | Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut |
EP1134694A1 (de) | 2000-03-16 | 2001-09-19 | Infineon Technologies AG | Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung |
JP2001267578A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
KR100767204B1 (ko) | 2000-03-28 | 2007-10-17 | 다이어베티스 다이어그노스틱스, 인크. | 일회용 전기화학적 센서의 연속 제조 방법 |
EP1295169B1 (en) * | 2000-05-24 | 2008-06-25 | Schott North America, Inc. | Electrode for electrochromic devices |
US6535057B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-03-18 | Stmicroelectronics Ltd. | Programmable glitch filter |
US6329226B1 (en) | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
KR20020026364A (ko) | 2000-06-06 | 2002-04-09 | 요트.게.아. 롤페즈 | 액정 디스플레이 디바이스와 이를 제조하는 방법 |
DE10032260B4 (de) | 2000-07-03 | 2004-04-29 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie |
DE10033112C2 (de) | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
US6483473B1 (en) | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Marconi Communications Inc. | Wireless communication device and method |
DE10120687A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
US7875975B2 (en) | 2000-08-18 | 2011-01-25 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag |
JP2004507096A (ja) | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電界効果トランジスタ(ofet),該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用 |
JP2002068324A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Nippon Sanso Corp | 断熱容器 |
DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
US6699728B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Patterning of electrodes in oled devices |
DE10044842A1 (de) | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters |
DE10045192A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers |
DE10047171A1 (de) | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu |
KR20020036916A (ko) | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
DE10058559A1 (de) | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Interactiva Biotechnologie Gmb | System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter |
US6924688B1 (en) | 2000-11-28 | 2005-08-02 | Precision Dynamics Corporation | Rectifying charge storage device with antenna |
KR100390522B1 (ko) | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
DE10061299A1 (de) | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu |
DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
DE10162037A1 (de) | 2000-12-18 | 2002-09-12 | Cubit Electronics Gmbh | Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bausteine und kontaktloser Transponder |
GB2371910A (en) | 2001-01-31 | 2002-08-07 | Seiko Epson Corp | Display devices |
DE10105914C1 (de) | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
US6767807B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-07-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for producing organic thin film device and transfer material used therein |
JP2002289355A (ja) | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置 |
DE10117663B4 (de) | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
EP1381910A1 (en) * | 2001-04-24 | 2004-01-21 | MERCK PATENT GmbH | Liquid crystal device exhibiting optical properties which are changeable after assembly |
DE10120686A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung |
AU2002340793A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-18 | Coatue Corporation | Molecular memory device |
US20020170897A1 (en) | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
CN1292496C (zh) | 2001-05-23 | 2006-12-27 | 造型逻辑有限公司 | 器件的图案形成 |
DE10126859A1 (de) | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
DE10126860C2 (de) | 2001-06-01 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen |
US6870180B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
JP2003017248A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子 |
DE20111825U1 (de) | 2001-07-20 | 2002-01-17 | Lammering, Thomas, Dipl.-Ing., 33335 Gütersloh | Printmedium |
DE10141440A1 (de) | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Daimler Chrysler Ag | Tripodegelenk |
JP2003089259A (ja) | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
US7351660B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
US6679036B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-01-20 | Shunchi Crankshaft Co., Ltd. | Drive gear shaft structure of a self-moving type mower |
DE10151036A1 (de) | 2001-10-16 | 2003-05-08 | Siemens Ag | Isolator für ein organisches Elektronikbauteil |
DE10151440C1 (de) | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
DE10153656A1 (de) | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht |
DE10160732A1 (de) | 2001-12-11 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu |
DE10163267A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts |
DE10209400A1 (de) | 2002-03-04 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung |
US6596569B1 (en) | 2002-03-15 | 2003-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US7204425B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-04-17 | Precision Dynamics Corporation | Enhanced identification appliance |
DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2004-02-05 | Siemens Ag | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
DE10219905B4 (de) | 2002-05-03 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements |
DE10226370B4 (de) | 2002-06-13 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) |
US6812509B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
DE10229168A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht |
EP1383179A2 (en) | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device |
CN100338791C (zh) | 2002-08-23 | 2007-09-19 | 波尔伊克两合公司 | 用于过电压保护的有机元件及相关电路 |
US6753994B1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-06-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Spatially conformable tunable filter |
AT502890B1 (de) | 2002-10-15 | 2011-04-15 | Atomic Austria Gmbh | Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination |
US6870183B2 (en) | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
US20060118778A1 (en) | 2002-11-05 | 2006-06-08 | Wolfgang Clemens | Organic electronic component with high-resolution structuring and method for the production thereof |
DE10253154A1 (de) | 2002-11-14 | 2004-05-27 | Siemens Ag | Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe |
EP1563553B1 (de) | 2002-11-19 | 2007-02-14 | PolyIC GmbH & Co. KG | Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu |
ATE540436T1 (de) | 2002-11-19 | 2012-01-15 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten |
US7088145B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | AC powered logic circuitry |
EP1434281A3 (en) | 2002-12-26 | 2007-10-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit |
DE10302149A1 (de) | 2003-01-21 | 2005-08-25 | Siemens Ag | Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik |
EP1599875B1 (en) * | 2003-02-27 | 2006-09-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-stack information carrier with electrochromic materials |
US8665247B2 (en) | 2003-05-30 | 2014-03-04 | Global Oled Technology Llc | Flexible display |
US6950157B2 (en) * | 2003-06-05 | 2005-09-27 | Eastman Kodak Company | Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer |
DE10330063A1 (de) | 2003-07-03 | 2005-02-03 | Siemens Ag | Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz |
DE10330064B3 (de) | 2003-07-03 | 2004-12-09 | Siemens Ag | Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen |
CN101817269B (zh) * | 2003-07-14 | 2012-01-18 | Jds尤尼费斯公司 | 光学可变装置 |
DE10335336B4 (de) | 2003-08-01 | 2011-06-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene |
DE10338277A1 (de) | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Siemens Ag | Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität |
US20060262235A1 (en) * | 2003-08-23 | 2006-11-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of producing a colour display device and colour display device |
DE10339036A1 (de) | 2003-08-25 | 2005-03-31 | Siemens Ag | Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu |
DE10340643B4 (de) | 2003-09-03 | 2009-04-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht |
DE10340644B4 (de) | 2003-09-03 | 2010-10-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik |
DE10340641A1 (de) | 2003-09-03 | 2005-04-07 | Siemens Ag | Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren |
JP4400327B2 (ja) | 2003-09-11 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | タイル状素子用配線形成方法 |
US7122828B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-10-17 | Lucent Technologies, Inc. | Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same |
US7358530B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Thin-film transistor array with ring geometry |
US7057697B2 (en) * | 2003-12-12 | 2006-06-06 | M-Display Optronics Corp. | In-plane switching liquid crystal display having nanometer scale roughness |
US20050232530A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Jason Kekas | Electronically controlled volume phase grating devices, systems and fabrication methods |
DE102004059464A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbauteil mit Modulator |
DE102004063435A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-27 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organischer Gleichrichter |
DE102005009820A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen |
DE102005017655B4 (de) | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
-
2005
- 2005-07-04 DE DE102005031448A patent/DE102005031448A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-07-04 EP EP06762366.0A patent/EP1899901B8/de active Active
- 2006-07-04 KR KR1020087002408A patent/KR101424820B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-04 US US11/994,571 patent/US7940340B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-04 JP JP2008519845A patent/JP5425466B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-04 AU AU2006265350A patent/AU2006265350B2/en not_active Ceased
- 2006-07-04 ES ES06762366.0T patent/ES2560861T3/es active Active
- 2006-07-04 TW TW095124285A patent/TWI457634B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-07-04 CN CN2006800284242A patent/CN101258516B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-04 WO PCT/EP2006/006472 patent/WO2007003405A1/de active Application Filing
- 2006-07-04 CA CA2614064A patent/CA2614064C/en active Active
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102436109A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 财团法人工业技术研究院 | 反射式显示装置 |
CN102436109B (zh) * | 2010-09-29 | 2014-05-07 | 财团法人工业技术研究院 | 反射式显示装置 |
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