DE2407110C3 - Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz - Google Patents

Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz

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Description

Die Erfindung betrifft einen Sensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Aus »J. Electrochem. Soc: Solid-State Science and Technology-«, Vol. 119, Oct. 1972, S. 1424 bis 25 ist ein Sensor aus Silizium mit einer natürlichen Oxydschicht und Drain- und Sourcekontakten ohne Gateelektrode bekannt, bei dem eine Änderung der *> Strom-Spannungs-Charakteristiken bei Eintauchen in organische Flüssigkeit infolge Abgabe von Ladungsträgern in das Kanalgebiet eintritt.
In »Soap Perfumery & Cosmetics«, 37,1964, S. 38 bis 41, wird ein Sensor beschrieben, bei dem zwei in Brückenschaltung angeordnete Thermistoren, von denen einer mit einer Schicht aus organischem Material umkleidet ist, bei Anwesenheit von Gasen und Geruchsstoffen eine Verstimmung der Brücke infolge der frei werdenden Adsorptionswärme bewirken.
is In »Biochem. Biophys. Acta«, 148, 1967, S. 328 bis 334, wird erwähnt, daß in biologischen olfaktorischen Systemen insbesondere j3-Carotin vorkommt.
Nachteile der beiden beschriebenen Sensorsysteme
sind unzureichende Selektivität und Reversibilität sowje Verringerung der Empfindlichkeit bei mehrfacher Benutzung.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen bei Zimmertemperatur mit Relaxationszeiten von 1 ... 10 min reversibel arbeitenden Sensor mit hoher Selektivität und Empfindlichkeit aufzufinden.
Diese Aufgabe wird bei dem oben angegeben Sensor erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Anspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst. Weitere Ausgestaltungen gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Die Erfindung nutzt die Erkenntnis, daß die Adsorptionsenergie im Zimmertemperaturbereich bei Adsorption der nachzuweisenden Substanzen an organischen Materialien im allgemeinen kleiner ist als bei Adsorption an anorganischen Materialien. Der Bedeckungsgrad der nachzuweisenden Substanzen bei konstanter Temperatur und Konzentration erreicht einen Gleichgewichtswert zwischen Adsorption und Desorption, wodurch an der Oberfläche der Adsorp-
tionsschicht eine für den Bedeckungsgrad einer speziellen Substanz charakteristische Potential änderung und damit eine Änderung der Schwellenspannung eines solchen Feldeffektsensors entsteht. Damit wird eine Steuerung des Drainstromes in Abhängigkeit vom Bedeckungsgrad bewirkt. Die Nachweisempfindlichkeit wird um so größer, je dünner die Adsorptionsschicht und je größer das Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge ist. Die Empfindlichkeit des erfindungsgemäßen Sensors für eine Molekülart wird durch Wahl eines besonderen Adsorptionsmaterials hierfür gegenüber anderen Molekülarten erhöht. Darüber hinaus wird Selektivität auch dadurch erreicht, daß bei vorgegebenem Adsorptionsmaterial für zwei unterschiedliche Molekülarten die Drainstromänderung größer oder kleiner Null sein kann.
Weiter Erläuterungen gehen aus der Beschreibung zu Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele hervor. Auf dem Substrat 30, welches vorzugsweise aus einem anorganischen Isolator, wie 7. B. AI-MG-Spinell, besteht, ist eine Halbleiterschicht 10 aus Silizium, Germanium, Galliumarsenid oder anderen III-V- oder II-VI-Verbindungen epitaktisch abgeschieden, auf die Drain-12 und Source-13 Kontaktstreifen aufgebracht sind, um anschließend die gesamte Struktur mit einem hochohmigen organischen Material, der Adsorptionsschicht 20, bedampfen zu können. Eine eventuell vorhandene Oxidationsschicht auf dem anorganischen Halbleiter sollte möglichst dünn sein. Be-
sitzt das anorganische Halbleitermaterial 10 einen anderen Leitungstyp als die Kontaktbereiche 12 und 13, so wird ein Kanal 11 vom Leitungstyp dieser Kontaktbereiche implantiert, um Betrieb mit leitendem Transistor bei fehlendei Gatespannung (»normally on«) zu ermöglichen. An die Kontaktbereiche sind an den Stellen 14 und 15 ca. 25 um dicke Golddrähte 16 und 17 angebondet, die durch die das Sensorelement umschließende Isolationsschicht 40 aus beispielsweise Polytetrafluoräthylen geführt werden. Die durch die Adsorption verursachte Potentialänderung erfolgt in dem Oberflächenbereich 21 der Adsorptionsschicht 20.
Dem Sensor kann ein Filter 41 vorgeschaltet sein, der nur für wenige oder eine einzige Molekülart 25 von beispielsweise zwei Arten 25 und 26 beidseitig, d. h. in beiden Richtungen, durchlässig ist und somit selektivitätserhöhend wirkt. Beim Nachweis flüssiger Substanzen wird hierfür eine entsprechende Membran eingesetzt. Die Dicke der Schicht 20 ist "deiner als 500 nm, vorzugsweise kleiner als 200 nm, damit die Empfindlichkeit besonders groß ist. Die Schicht muß aber noch zusammenhängend sein.
In Fig. 2 ist die Adsorptionsschicht 20 auf einem Feldeffekttransistor ohne Gateelektrode mit beispielsweise diffundierten Drain- 12 und Source- 13 Bereichen dargestellt, wobei mittels der Mäanderform ein hohes Verhältnis Kanalbreite: Kanallänge zur Steigerung der Empfindlichkeit angestrebt ist.
Darüber hinaus können mehrere Sensoren mit jeweils unterschiedlichen Adsorptionsschichten kombiniert sein, so daß für verschiedene nachzuweisende Substanzen charakteristische Drainstromänderungen der einzelnen Sensoren eintreten. Die Gesamtzahl der zu verwendenden Einzelsensoren braucht dabei nicht zu groß zu sein, da auch der menschliche Gerachssinn sich aus nur sieben Grundempfindungen zusammensetzt. Diese als künstliche Nase zu bezeichnende Zusammenschaltung kann sogar so ausgebildet sein, daß sie nicht nur die dem Menschen zugänglichen Geruchsspektren erfaßt, sondern auch diejenigen Substanzen nachweist, die das menschliche Geruchsempfinden nicht einschließt
Die Adsorptionsschichten bestehen bei den erfindungsgemäßen Sensoren insbesondere aus Carotenoiden, vorzugsweise /3-CarGtin, Proteinen, Phthalocyaninen, Polyvinylchloriden, Polypropylenen und Cellulose-Acetat.
Bevorzugte Anwendungen des erfindungsgemäßen Sensors sind Nachweise verschiedener Gase und Verunreinigungen beim L'mweltschutz, vorzugsweise SO2, CO, CO2, NxO, und NH3 sowie medizinische Diagnosen aus Atemluft und Ausdünstungen, ferner Kontroll- und Überwachungsprozesse in Industrie und Landwirtschaft.
Bei Versuchen mit Feldeffektsensoren gemäß Fig. 1, jedoch ohne zusätzliche Filter, ergaben sich folgende Drainstromänderungen
[(){p)](p)DD
mit /(O) = Stromfluß ohne Einwirkung der Substanz, I(p) = Stromfluß mit Einwirkung der Substanz, ID = Drainstrom für Beimischungen von Kohlenmonoxid bzw. Aceton zu Stickstoff:
Kohlenmonoxid pco ~ 10 PA AID/ID =6,6%o
Aceton pAcaon -2,5 · 104 PA A1D/ID - 5,6%
Dabei bestand die Sensorschicht aus aufgedampftem und anschließend oxydiertem jö-Carotin mit einer Schichtdicke 100 nm. Den anorganischen Halbleiterkörper bildete Silizium mit einer Löcherkonzentration ρ «4· 10I5cm"3.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (13)

24 07 ItO Patentansprüche:
1. Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit enthaltenen Substanz mit einem aus einem anorganischen Halbleitermaterial bestehenden Halbleiterkörper, der eine Source- und eine Drainelektrode sowie ein sich zwischen den Elektroden erstreckendes Kanalgebiet aufweist, welches einem zu einer Modulation des Drainstromes führenden Steuereinfluß durch die Substanz unterliegt, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Halbleiterkörper (10) im Bereich des Kanalgebietes eine Schicht (20) aus einem der Substanz ausgesetzten organischen Material vorgesehen ist, durch das Teilchen der Substanz unter Erzeugung eines sich nach Maßgabe der Substanzkonzentration ändernden Oberflächsnpotentials adsorbierbar sind.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) ein organischer Halbleiter vorgesehen ist.
3. Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) ein Carotenoid vorgesehen ist.
4. Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) oxidiertes β -Carotin vorgesehen ist.
5. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Material der Schicht (20) Cellulose-Acetat vorgesehen ist.
6. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20) Proteine vorgesehen sind.
7. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20) Phthalocyanine vorgesehen sind.
8. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20) Polyvinylchloride vorgesehen sind.
9. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Materialien der Schicht (20) Polypropylene vorgesehen sind.
10. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Schicht kleiner als 500 nm ist.
11. Sensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Schicht kleiner als 200 nm ist.
12. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Schicht (20) ein nur für eine oder mehrere ausgewählte gasförmige nachzuweisende Substanzen (25, 26) in beiden Richtungen durchlässiger Filter (41) vorgeschaltet ist.
13. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Schicht (20) eine nur für eine oder wenige flüssige nachzuweisende ausgewählte Substanzen in beiden Richtungen durchlässige Membran (41) vorgeschaltet ist.
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SE7501626A SE7501626L (de) 1974-02-14 1975-02-13
CA220,090A CA1028068A (en) 1974-02-14 1975-02-13 Semiconductor sensing device for odoriferous fluids
NL7501779A NL7501779A (nl) 1974-02-14 1975-02-14 Halfgeleidersensor voor gasvormige en/of vloeibare stoffen.
BE153393A BE825568A (fr) 1974-02-14 1975-02-14 Detecteur a semiconducteur pour substances gazeuses et/ou liquides
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2273275B1 (de) * 1974-05-27 1977-03-11 Radiotechnique Compelec
JPS5823585B2 (ja) * 1975-08-18 1983-05-16 松下電器産業株式会社 ブンシカンチソウチ
FR2341859A1 (fr) * 1976-02-18 1977-09-16 Radiotechnique Compelec Sonde pour la detection selective de vapeurs, notamment pour la detection de la vapeur d'eau
LU76937A1 (de) * 1977-03-11 1978-10-18
US4103227A (en) * 1977-03-25 1978-07-25 University Of Pennsylvania Ion-controlled diode
US4273636A (en) * 1977-05-26 1981-06-16 Kiyoo Shimada Selective chemical sensitive field effect transistor transducers
US4180771A (en) * 1977-12-02 1979-12-25 Airco, Inc. Chemical-sensitive field-effect transistor
US4644380A (en) * 1977-12-08 1987-02-17 University Of Pennsylvania Substance-sensitive electrical structures
US4198851A (en) * 1978-05-22 1980-04-22 University Of Utah Method and structure for detecting the concentration of oxygen in a substance
GB2077437A (en) * 1980-06-07 1981-12-16 Emi Ltd Ammonia gas sensors
US4334880A (en) * 1980-10-20 1982-06-15 Malmros Mark K Analytical device having semiconductive polyacetylene element associated with analyte-binding substance
US4444892A (en) * 1980-10-20 1984-04-24 Malmros Mark K Analytical device having semiconductive organic polymeric element associated with analyte-binding substance
DE3118936C2 (de) * 1981-05-13 1985-07-04 Drägerwerk AG, 2400 Lübeck Verwendung eines Meßverfahrens für gas- oder dampfförmige Medien und Vorrichtung hierzu
US4472356A (en) * 1982-01-27 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Gas contamination detection device
JPS59500833A (ja) * 1982-05-11 1984-05-10 ガイナ−．インコ−ポレ−テツド 気体の濃度を測定する方法、及びそのための気体センサー並びにその装置
US4571543A (en) * 1983-03-28 1986-02-18 Southwest Medical Products, Inc. Specific material detection and measuring device
FR2550344B1 (fr) * 1983-08-03 1985-10-11 Elf Aquitaine Jauge a oxygene dont l'electrode de travail comporte un compose macrocyclique pyrrolique
US4855243A (en) * 1983-09-26 1989-08-08 H.S.G. Venture (A Joint Venture Partnership) Neurological and biological molecular electro-optical devices and methods
JPS60253958A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Sharp Corp センサ
US4895705A (en) * 1984-11-23 1990-01-23 Massachusetts Institute Of Technology Molecule-based microelectronic devices
US4717673A (en) * 1984-11-23 1988-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Microelectrochemical devices
US4721601A (en) * 1984-11-23 1988-01-26 Massachusetts Institute Of Technology Molecule-based microelectronic devices
DE3519410A1 (de) * 1985-05-30 1986-12-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Betriebsverfahren und sensor fuer gasanalyse
GB8515511D0 (en) * 1985-06-19 1985-07-24 Atomic Energy Authority Uk Sensor
JPS63501446A (ja) * 1985-11-19 1988-06-02 ザ・ジョンズ・ホプキンス・ユニバ−シティ／アプライド・フィジクス・ラボラトリ− 化学分析および測定用容量センサ−
DE3634573C1 (de) * 1986-10-10 1987-10-22 Messerschmitt Boelkow Blohm Biosensor
US5114674A (en) * 1987-05-01 1992-05-19 Biotronic Systems Corporation Added array of molecular chains for interfering with electrical fields
DE3805734A1 (de) * 1988-02-24 1989-08-31 Bosch Gmbh Robert Verwendung von zeolithen als spezifische adsorbentien fuer no(pfeil abwaerts)x(pfeil abwaerts) und co
US5818636A (en) * 1990-02-26 1998-10-06 Molecular Displays, Inc. Complementary surface confined polmer electrochromic materials, systems, and methods of fabrication therefor
US5457564A (en) * 1990-02-26 1995-10-10 Molecular Displays, Inc. Complementary surface confined polymer electrochromic materials, systems, and methods of fabrication therefor
DE4018053A1 (de) * 1990-02-26 1991-09-05 Akad Wissenschaften Ddr Biologisches schichtsystem
US5028394A (en) * 1990-04-13 1991-07-02 Bend Research, Inc. Chemical sensors
US5079944A (en) * 1990-04-27 1992-01-14 Westinghouse Electric Corp. Hydrocarbon vapor sensor and system
US5150603A (en) * 1991-12-13 1992-09-29 Westinghouse Electric Corp. Hydrocarbon vapor sensor and system
JP3342590B2 (ja) * 1994-10-20 2002-11-11 株式会社サンギ 半導体集積回路
US5788833A (en) 1995-03-27 1998-08-04 California Institute Of Technology Sensors for detecting analytes in fluids
US6170318B1 (en) 1995-03-27 2001-01-09 California Institute Of Technology Methods of use for sensor based fluid detection devices
US5571401A (en) * 1995-03-27 1996-11-05 California Institute Of Technology Sensor arrays for detecting analytes in fluids
US5591896A (en) * 1995-11-02 1997-01-07 Lin; Gang Solid-state gas sensors
US5683569A (en) * 1996-02-28 1997-11-04 Motorola, Inc. Method of sensing a chemical and sensor therefor
US5879631A (en) * 1996-04-30 1999-03-09 Manning System, Inc. Gas detection system and method
US5923421A (en) * 1997-07-24 1999-07-13 Lockheed Martin Energy Research Corporation Chemical detection using calorimetric spectroscopy
US6027760A (en) 1997-12-08 2000-02-22 Gurer; Emir Photoresist coating process control with solvent vapor sensor
US20050019215A1 (en) * 1998-12-10 2005-01-27 Gerlinde Bischoff Measuring probe for detecting agents and the measurement of their concentrations
WO2001069245A2 (en) * 2000-03-14 2001-09-20 Trustees Of Tufts College Cross-reactive sensors
DE10061299A1 (de) * 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
EP1344219A2 (de) 2000-12-11 2003-09-17 Branimir Simic-Glavaski Molekulare elektrooptische schalter- oder speichervorrichtung und verfahren zu deren herstellung
US6575013B2 (en) * 2001-02-26 2003-06-10 Lucent Technologies Inc. Electronic odor sensor
US20020142478A1 (en) * 2001-03-28 2002-10-03 Hiroyuki Wado Gas sensor and method of fabricating a gas sensor
US6647783B2 (en) 2001-09-08 2003-11-18 Manning Systems, Inc. Vent plug for environmentally controlled housing for gas monitoring system
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340643B4 (de) * 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004040831A1 (de) 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
DE102004059465A1 (de) 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US7691329B2 (en) * 2006-11-16 2010-04-06 General Electric Company Methods for detecting contaminants in a liquid
US7749303B2 (en) * 2007-08-30 2010-07-06 The Boeing Company Service life indicator for chemical filters
DE102008001394A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Robert Bosch Gmbh Abgastaugliche Schutzschichten für Hochtemperatursensoren
FR2931701B1 (fr) * 2008-06-02 2010-06-11 Centre Nat Rech Scient Utilisation de nanomateriaux de carbone en tant que materiau de filtration impermeable a l'ozone
WO2010037085A1 (en) 2008-09-29 2010-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Dna sequencing and amplification systems using nanoscale field effect sensor arrays
EP2871152B1 (de) 2013-11-06 2017-05-24 Sensirion AG Sensorvorrichtung
CN112229756B (zh) * 2020-09-04 2023-10-03 中国人民解放军海军特色医学中心 一种测试活性炭饱和吸附程度的设备及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3045198A (en) * 1959-12-11 1962-07-17 James P Dolan Detection device
US3255324A (en) * 1962-05-28 1966-06-07 Energy Conversion Devices Inc Moisture responsive resistance device
US3428892A (en) * 1965-09-20 1969-02-18 James E Meinhard Electronic olfactory detector having organic semiconductor barrier layer structure
US3865550A (en) * 1970-08-26 1975-02-11 Nat Res Dev Semi-conducting gas sensitive devices
US3831432A (en) * 1972-09-05 1974-08-27 Texas Instruments Inc Environment monitoring device and system

Also Published As

Publication number Publication date
DE2407110B2 (de) 1980-08-07
CA1028068A (en) 1978-03-14
JPS50118795A (de) 1975-09-17
SE7501626L (de) 1975-08-15
DE2407110A1 (de) 1975-08-21
CH588075A5 (de) 1977-05-31
GB1463911A (en) 1977-02-09
NL7501779A (nl) 1975-08-18
FR2261524B1 (de) 1977-04-15
IT1031616B (it) 1979-05-10
BE825568A (fr) 1975-05-29
US3999122A (en) 1976-12-21
FR2261524A1 (de) 1975-09-12

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