-
Die
Erfindung betrifft ein chemisch sensitives Halbleitermaterial zum
Nachweis von gas- und dampfförmigen
Analyten in Gasen, das mindestens aus einem Vertreter aus der Gruppe
der Chalkogene oder Chalkogenide besteht. Der Nachweis der Analyte
beruht dabei auf einer, durch die Wechselwirkung mit dem Analyten
hervorgerufenen Änderung
der elektronischen, dielektrischen, mechanisch/akustischen oder
optischen Eigenschaften des chemisch sensitiven Halbleitermaterials,
oder allgemeiner ausgedrückt,
des chemisch sensitiven Nachweismediums.
-
Chemisch
sensitive Materialien und daraus aufgebaute chemisch sensitive Bauelemente,
genannt "chemische
Sensoren", sind
für den
Nachweis der verschiedensten Analyten in Gasen und Flüssigkeiten
seit langem bekannt. Sie werden typischerweise z.B. für die Kontrolle
von Emissionen in der Umweltanalytik und zur Prozesskontrolle in
der chemischen Verfahrenstechnik eingesetzt. Zum Verständnis Ihres
Wirkprinzipes kann man zwischen dem indirektem und dem direktem
Nachweis unterscheiden.
-
Bei
den indirekten Nachweisprinzipien beruht ihre Wirkung immer auf
einer physikalischchemischen Wechselwirkung des Analyten mit dem
chemisch sensitiven Nachweismedium. Je nach den energetischen Verhältnissen
reicht dabei das Spektrum dieser Wechselwirkung von einer schwach
bindenden Physisorption des Analyten, über eine stärker bindende Chemisorption,
Oberflächenreaktion,
katalytischen Reaktion, Korngrenzenreaktion bis hin zu einer Reaktion
des Analyten mit dem gesamten Substrat des chemisch sensitiven Nachweismediums. Voraussetzung
für eine
chemische Sensitivität
ist dabei, dass diese Wechselwirkung die physikalischen Eigenschaften
des Nachweismediums reversibel und proportional zum Analyten verändert. Von
der gesamten Menge des in seinem Umgebungsmedium vorhandenen und
nachzuweisenden Analyten wird dagegen naturgemäß immer nur ein Teil beteiligt sein.
-
Nur
bei den direkten Nachweisprinzipien, von denen hier aber nicht weiter
die Rede sein soll, werden die physikalischen Eigenschaften des
Analyten direkt, d.h. ohne Hilfe eines Nachweismediums, abgefragt.
Auch sie müssen
naturgemäß proportional
zu der Konzentration des Analyten in seinem Umgebungsmedium sein,
was bei den für
den Nachweis in Frage kommenden typischen physikalischen Eigenschaften,
wie der optischen Absorption, der Ionenbeweglichkeit, und dergl.
meist der Fall ist. Im Gegensatz dazu wird bei diesem direkten Nachweis der
Analyt im allgemeinen nur physikalisch gemessen, er nimmt dabei
aber nicht an einer chemischen Wechselwirkung teil, die ihn, wenn
auch nur zeitweise, reversibel bindet oder aber auch verbraucht.
-
Mit
den indirekten Nachweisprinzipien, d.h. mit einer Wechselwirkung
mit den chemisch sensitiven Nachweismedien kann man dagegen Konzentrationen
oder Aktivitäten
des nachzuweisenden Analyten sehr viel spezifischer detektieren
und damit auch eine genauere Aussage über die Art des Analyten erhalten.
Die darauf aufbauenden chemischen Sensoren können im Gegensatz zu physikalischen
Sensoren, die im allgemeinen nur eine einzige physikalische Größe, wie
z.B. die Temperatur oder die Geschwindigkeit, messen, typischerweise
zwei Größen, d.h.
sowohl die Konzentration (bzw. Aktivität), als auch die Art des Analyten
unabhängig
voneinander bestimmen. Diese besondere Eigenschaft wird hier mit
den Begriffen Sensitivität
und Selektivität
beschrieben.
-
Bei
den nachzuweisenden Analyten kann es sich um alle Arten von chemischen
Gasen oder Dämpfen
in ihrem gasförmigen
Umgebungsmedium handeln. In Frage kommen sowohl ungeladene, als auch
geladene, d.h. ionisierte Substanzen, d.h. Atome, Moleküle, Tröpfchen oder
Ionen.
-
Als
chemisch sensitives Nachweismedium sind sowohl anorganische und
als auch organische Halbleiter, Metalle, Festelektrolyte, Polymere
oder andere organische Verbindungen denkbar. Für ihre Herstellung sind zahlreiche
physikalische (Aufdampfen und dergl.), chemische (chemical vacuum
deposition und dergl.) und elektrochemische (elektrolytisches Abscheiden
und dergl.) Verfahren bekannt.
-
Als
anorganisch chemisch sensitives Nachweismedium werden hauptsächlich Metalloxide,
aber auch Edelmetalle (wie Platin oder Palladium) verwendet. Dabei
hat sich bei Metalloxiden zur Verbesserung der Empfindlichkeit ein
Dotieren mit anderen Metallen als sehr wirksam erwiesen. Gemäß Sberveglieri
G., Sens. Actuators B, 23 (1995) 103-109 sind die wichtigsten Dotieratome
dabei:
Fe, Co, Ni, Cu, Pd, Cd, Sb, W, Pt und Au.
-
Aber
auch ein Gemisch aus Metalloxiden kann die Empfindlichkeit erheblich
steigern.
-
Das
Synthetisieren der erforderlichen chemisch sensitiven Metalloxide
erfolgt typischerweise durch chemischen Reaktion der infrage kommenden Substanzen,
denen meist die erforderlichen Dotierionen gleich zu Beginn zugesetzt
werden. Daran schliessen sich je nach Ausführungsform thermische und mechanische
Prozessschritte (wie Sintern, Siebdruck und dergl.) an.
-
Die
Integration der so erhaltenen chemisch sensitiven Metalloxide in
das physikalischelektrische Transducerelement des Sensors erfolgt über weitere technologische
Prozessschritte (wie Aufdampfen oder Sputtern auf ein geeignetes
Substrat, chemisches oder elektrochemisches Abscheiden auf ein isolierendes
bzw. leitfähiges
Trägermaterial,
daran anschließend,
Kontaktieren und dergl.). Soweit dabei chemische Reaktionen beteiligt
sind, muss oft mit Hilfe einer aufwendigen Prozessführung die
gewünschte
Stöchiometrie
eingestellt werden.
-
Chemisch
sensitive Nachweismedien für Gase
und Dämpfe
aus organischen Halbleitern (wie Metallphthalocyanine), aus anorganischen
Halbleitern (wie Metalloxiden) oder aus anderen anorganischen Materialien
(wie Festelektrolyte oder Ionenleitern) benötigen für ihren optimalen Einsatz oft
hohe Temperaturen von 400 – 800 °C. In Ausnahmefällen können sogar
bis über
1000°C notwendig
sein. Diese hohen Arbeitstemperaturen stellen naturgemäß hohe thermische
Anforderungen an den mechanischen Aufbau der Gassensoren und an
die Art und Verarbeitung der verwendeten Materialien zur Herstellung der
Sensoren, was zu einer beträchtlichen
Verteuerung der Stückpreise
führt.
Auch ist der Energieverbrauch temperaturproportional und damit der
Betrieb bei höheren
Temperaturen auch mit höheren
Betriebskosten verbunden.
-
Ein
besonderer Vorteil der hohen Arbeitstemperaturen bei Metalloxidgassensoren
ist ihre kurze Ansprechzeit, die sich bis in den Millisekundenbereich
erstrecken kann. Dies setzt allerdings voraus, dass sie in Ihrem
optimalem Arbeitsbereich eingesetzt werden. Der Nachweisumfang dieser
Sensoren reicht dabei von Prozent- bis ppm-Konzentrationswerten.
-
Ein
typischer Nachteil von Sensoren mit einem Metalloxid als Nachweismedium
ist allerdings seine im allgemeinen hohe Querempfindlichkeit (d.h. seine
mangelnde Selektivität)
gegenüber
Sauerstoff, was ihren Einsatz bei schwankendem Sauerstoffgehalt
(wie es z.B. für
die Abgassensorik charakteristisch ist), grundsätzlich erheblich erschwert,
wenn nicht unmöglich
macht.
-
Die
Verwendung von chemischen Sensoren auf der Basis von glasartigen
Chalkogeniden ist in der Veröffentlichung
Y. G. Vlasov, E. A. Bychkov, A. V. Legin, Talanta, 41 (1994) 1059-63
bereits beschrieben. Die dabei verwendeten glasartigen Chalkogenide
werden als Membranen in ionenselektiven Elektroden eingesetzt. Deren
Arbeitsprinzip beruht hier ausschliesslich auf ihren semipermeablen
Eigenschaften für
Ionen. Dabei wird die Sensitivität
für Metallionen
in Flüssigkeit
dadurch erreicht, dass das nachzuweisende Ion immer auch ein Bestandteil
der semipermeablen Membran ist und daher ein Konzentrationsgefälle an der
als Membran verwendeten Chalkogenidmaterials auftritt. Die Einstellung
eines Austauschgleichgewichtes zwischen der Konzentration des Metallions
in der Lösung
und in dieser Membran führt
zu Änderung
des über
der Phasengrenze anliegenden Membranpotentials, das mit Hilfe einer Zweielektrodenmeßkette abgegriffen
wird. Bei der hier genannten Veröffentlichung
sind die Komponenten des nachzuweisenden Analyten nicht Bestandteil des
chemisch sensitiven Nachweismediums. Vielmehr liegt hier ein direkter
Nachweismechanismus vor, bei dem es allein auf den Konzentrationquotienten
auf beiden Seiten der Membran ankommt. Dieser Quotient führt auf
Grund des Konzentrationsgefälles der
Ionen unmittelbar zu der gemessenen Potentialdifferenz. Es gibt
keinen Wechselwirkungsmechanismus des Analyten mit der Membran.
-
In
der zweiten einschlägigen
Veröffentlichung
im J. Am. Ceram. Soc., 78 (1995) 2198-2202, beschreiben J.S. Sanghera
et al. ebenfalls die Verwendung von Chalkogenid zur Detektion von
toxischen Chemikalien. Der Nachweis erfolgt hier aber mittels der "Evanszent-Absorptions-Spektroskopie" an einer Chalkogenid-Glasfaser,
wobei das Material nur deswegen für diese Spektroskopie geeignet
ist, weil es gerade nicht mit den toxischen und gefährlichen
Dämpfen
reagiert. Die Detektion der Dämpfe
erfolgt vielmehr ausschliesslich als Folge der optischen Wechselwirkung
der Lichtwelle mit dem Medium, das den Analyten enthält. Da es
hier allein auf die optischen Eigenschaften des Analyten ankommt,
gibt es auch hier keine Wechselwirkung des Analyten mit der Chalkogenid-Glasfaser.
-
Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist, ein Sensormaterial mit höherer thermischer
Stabilität und
höherer
Sensitivität
gegenüber
bekannten Sensormaterialien vorzuschlagen.
-
Diese
Aufgabe wird durch ein chemisch sensitives Halbleitermaterial nach
Anspruch 1 und einem entsprechenden Sensor nach Anspruch 14 gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
-
Im
Gegensatz zu den vorstehend beschriebenen Metalloxiden zeichnen
sich die in, der vorliegenden Erfindung als Nachweismedium beanspruchten
Chalkogene und Chalkogenide durch die folgenden abweichende und
damit vorteilhafte Eigenschaften aus:
- 1. Die
optimale Arbeitstemperatur ist sehr viel niedriger und reicht bis
in den Raumtemperaturbereich hinein, was zu einem sehr viel geringeren Energiebedarf
und einer höheren
thermischen Stabilität
des gesamten Sensors führt.
- 2. Die Empfindlichkeit (Sensitivität) ist sehr viel höher und
reicht bis in den sub-ppm-Konzentrationsbereich
bei gleichzeitig sehr guter Reproduzierbarkeit.
- 3. Die Herstellung der für
das Nachweismedium erforderlichen Rohmaterialien und ihre Integration in
das physikalischem Sensorelement ist einfach und kann im allgemeinen
in einem einzigen technologischen Prozess bewerkstelligt werden.
Dies führt
zu einem sehr viel preiswerteren Sensor.
-
In Übereinstimmung
mit dem Gegenstand der Erfindung bestehen deshalb die gassensitiven Nachweismedien
(d.h. die gasensitiven Halbleitermaterialien) aus Chalkogenen und/oder
Chalkogeniden, einschließlich
Tellur und/oder dessen binären und
ternären
Legierungen und Verbindungen. Dieses chemisch sensitive Nachweismedium
kann dabei sowohl in kristallinen, als auch im glasartigen Zustand vorliegen.
Zur Verbesserung seiner Empfindlichkeit können diese Chalkogene und/oder
Chalkogenide zusätzlich
Verunreinigungen von Dotierionen (z.B. Metallen) enthalten, wobei
Konzentrationen bis 30 Atom-% denkbar sind.
-
Zu
einem chemischen Sensor wird das chemisch sensitive Nachweismedium,
wenn die Änderung
seiner physikalischen Eigenschaften aufgrund der Wechselwirkung
mit dem nachzuweisenden Analyten mit einem physikalischem Messelement
abgegriffen wird. Als Messgrösse
kann dabei vorzugsweise, aber nicht einschränkend, die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit,
der Kapazität,
der Austrittsarbeit, der Masse bzw. der akustischen Eigenschaften oder
aber auch der optischen Eigenschaften des chemisch sensitiven Nachweismediums
dienen.
-
Dabei
kann typischerweise
- 1. die elektrische Leitfähigkeit
und die Kapazität mit
Finger- oder "sandwich"-Strukturen,
- 2. die Austrittsarbeit mit der Kelvin-Sonde oder mit Halbleiterstrukturen,
wie der Schottky-Diode
oder Feld-Effekt Transistorstrukturen,
- 3. die Massenänderung
am zweckmässigsten
mit der Quarz-Mikrowaage oder einer Oberflächenwellen-(SAW)-Struktur undo
- 4. die Änderung
der optischen Eigenschaften mit Hilfe von Spektrometern aufgezeichnet
und in dem für
den Nachweis in Frage kommenden interessanten Wellenlängenbereich
abgefragt werden. Die erforderliche Schichtdicke des sensitiven Nachweismediums
sollte dabei im Interesse einer angemessenen Reaktionszeit vorzugsweise
0.05 – 20 μm betragen.
-
Die
beigefügten
Zeichnungen dienen zur näheren
Erläuterung
der Erfindung. In ihnen zeigen:
-
1a) und b) Ausführungsformen erfindungsgemäßer Sensoren
im Querschnitt;
-
2a) bis c) weitere Ausführungsformen erfindungsgemäßer Sensoren
im Querschnitt;
-
3a) bis c) weitere Ausführungsformen erfindungsgemäßer Sensoren
im Querschnitt;
-
4a) und b) weitere Ausführungsformen erfindungsgemäßer Sensoren
im Querschnitt;
-
5 ein
typisches zeitliches Ansprechverhalten eines erfindungsgemäßen Sensors;
und
-
6 eine
typische Sensitivitäts-Charakteristik
eines erfindungsgemäßen Sensors.
-
Die
Erfindung soll nachstehend durch die folgenden Anwendungsbeispiele
näher erläutert werden.
-
1 zeigt
einen Sensor im Querschnitt, der am sensitiven Nachweismedium die Änderung
seiner elektrischen Leitfähigkeit
abgreift. Dabei erfolgt die Messung bei
- a.
mit oben liegenden Elektroden und bei
- b. mit verdeckten Elektroden.
-
Bei
den dargestellten gassensitiven Bauelementen handelt es sich um
eine planare Chalkogen- bzw.
Chalkogenidstruktur als Messanordnung. Sie besteht aus
einem
isolierendem Substrat 1,
einem sensitiven Chalkogenidfilm 2,
Kontaktelektroden 3,
einer
Gleich- oder Wechselspannungsquelle 4 und
einem Anzeigegerät 5.
-
Der
nachzuweisende Analyt ist mit 6 bezeichnet.
-
Das
isolierende Substrat 1 kann aus Pyrex-Glas, Keramik, Al2O3, Siliziumeinkristall
mit einer vorher aufgebrachten SiO2-Deckisolierschicht
oder anderen Festkörperisolatoren
mit einem spezifischem Widerstand von mehr als 106 Ω m bestehen. Der
sensitive Chalkogen- bzw. Chalkogenidfilm 2 kann Tellur
und/oder dessen binäre
Legierungen, wie
Na-Te, K-Te, Rb-Te, Cs-Te,
Si-Te, Ge-Te,
Sn-Te,
As-Te, Sb-Te, Bi-Te,
S-Te, Se-Te, Te-Te,
oder
ternären
Legierungen:
Si-Ge-Te, Si-Sn-Te, Si-As-Te, Si-Sb-Te,
Ge-Sn-Te,
Ge-As-Te, Ge-Sb-Te, Ge-S-Te, Ge-Se-Te,
Sn-As-Te, Sn-Sb-Te,
As-Sb-Te,
As-S-Te
umfassen. Die Kontaktelektroden 3 sollten
zweckmässigerweise
aus Metallen, wie z.B. Aluminium, Platin, Nickel oder Chrom, bestehen,
die eine Kontaktierung mit Hilfe der Bondtechnologie erlauben.
-
Die
Struktur kann wie folgt hergestellt werden:
Ein Pyrex-Glassubstrat 1,
das in eine für
die Chipmontage geeignete Grösse
geschnitten wurde, wird mit Azeton gewaschen, mit deionisiertem
Wasser abgespült
und trocken geschleudert. Der gassensitive Film 2 wird
durch Verdampfen des Chalkogenidmaterials im Vakuum aufgebracht.
Der Aufdampfprozess erfolgt bei einem Druck unter 10–5 Torr.
Die Dicke des Filmes sollte zwischen 0.05 und 0.5 μm liegen.
Die Kontaktelektroden 3 werden mit Hilfe einer Durchdampfmaske
auf den gassensitiven Film im Vakuum aufgedampft. Der nachzuweisende
Analyt 6 (z.B. Gas) kann toxischer Natur sein, wie z.B.
Stickoxid (NO2), Propylamin (PrNH2) oder Kohlenstoffmonoxid (CO). Chemisorbiertes
Gas kann oxidieren oder reduzierend wirken, wobei sich die Leitfähigkeit
des Nachweissmediums entweder erhöht oder erniedrigt.
-
2 zeigt
einen Sensor im Querschnitt, der am sensitiven Nachweismedium die Änderung
seiner Kapazität
mit/oder ohne Leitfähigkeit
abgreift. Dabei erfolgt die Messung bei:
- a.
mit obenliegenden Elektroden,
- b. mit verdeckten Elektroden und
- c. mit abdeckenden Elektroden.
-
Bei
den dargestellten gassensitiven Bauelementen handelt es sich ebenfalls
um eine planare Chalkogen- bzw. Chalkogenidstruktur als Messanordnung.
Die Anordnung hat die selben Elemente, wie in 1.
Lediglich die Gleich- oder Wechselspannungsquelle ist durch 4 eine
Wechselspannungsquelle zu ersetzten.
-
Die
Messanordnung mit dem engen Elektrodenabstand ist für ein sehr
hochohmiges Nachweismedium, aber auch für die Messung der Kapazität und damit
der Dielektrizitätskonstante
geeignet, wenn als Spannungsquelle 4 eine Wechselspannung verwendet
wird. Der Aufbau von 2a und 2b ist ähnlich wie
der von 1, nur dass die Interdigitalkontakte im
Interesse eines geringen Abstandes wechselweise miteinander verbunden
sind. 2c zeigt eine "sandwich"-Struktur, bei der
der Analyt durch die Deckelektrode hindurchtreten muss.
-
3 zeigt
einen Sensor im Querschnitt, der am sensitiven Nachweismedium die Änderung
seiner Austrittsarbeit abgreift. Dabei erfolgt die Messung bei:
- a. mit der Kelvin-Sonde,
- b. mit einem Feldeffekt Transistor mit gelochtem Gate und
- c. mit einem Feldeffekt Transistor mit aufgehängtem Gate.
-
Bei
den dargestellten gassensitiven Bauelementen handelt es sich um
zwei unterschiedliche Messanordnungen zur Bestimmung der Änderung der
Austrittsarbeit von planaren Chalkogen- bzw. Chalkogenidstrukturen. Sie erfolgt
in 3a mit einer Kelvin-Sonde und in 3b und c mit einem Feldeffekt Transistor,
bei der der Analyt entweder durch eine Aussparung im Gate (3b) oder unter ein aufgehängtes (suspended)
Gate (3c) auf das Nachweismedium trifft.
Die Anordnungen bestehen zusätzlich
zu den für
die 1 bereits aufgelisteten Bestandteilen aus:
einer
schwingenden Kelvin-Sonde 7,
einem Gate 8 mit
einer Aussparung für
den Gasdurchtritt bzw. dem aufgehängten Gate,
einer Deckisolierschicht 9 (z.B.
aus SiO2) des Feldeffekt Transistors
Drain-
und Source-Bereichen 10 des Feldeffekt Transistors und
einem
Si-Halbleiter Substrat 11.
-
4 zeigt
einen Sensor im Querschnitt, der am sensitiven Nachweismedium die Änderung
seiner Masse als Folge einer akustischen Wechselwirkung abgreift.
Dabei erfolgt die Messung bei:
- a. mit einer
Mikrowaage und
- b. mit einem Oberflächenwellen
Bauelement
-
Bei
den dargestellten gassensitiven Bauelementen handelt es sich um
zwei unterschiedliche Messanordnungen zur Bestimmung der Massenänderung
von planaren Chalkogen- bzw. Chalkogenidstrukturen. Sie erfolgt
in 4a mit einer Quarz Mikrowaage und
in 4b mit einem Oberflächenwellen
Bauelement. Dabei führt
die Massenaufnahme des Analyten durch das Nachweismedium bei der
Mikrowägung
(4a) zu einer Änderung der Resonanzfrequenz
des Quarzes während
bei Ausführung 4b die
Laufzeit der Oberflächenwelle
ein Maß für die Massenaufnahme
ist. Die Quarz Mikrowaage besteht aus:
einem Schwingquarz 12
einem
Generator 13 zur Erzeugung der Resonanzschwingung des Quarzes
einem
Leiter 14 für
Oberflächenwellen,
ein mit einem piezo-elektrischem Material versehenes Substrat und
einem
Resonanzverstärker 15.
-
5 zeigt
das typische zeitliche Ansprechverhalten eines Sensors auf einen
Analyten. Dabei ist:
- a. (gestrichelt) das Konzentrationsprofil
des Analyten und
- b. (durchgezeichnet) die Signalantwort des Sensors.
-
Die
Abbildung zeigt die typische zeitliche Reaktion (Transient) eines
Sensors auf die Beaufschlagung mit einem Analyten bei Raumtemperatur,
der eine oxidierende Wirkung auf das p-leitende chemisch sensitive
Nachweismedium (z.B. NO2) hat. Die Konzentrationsschritte
entsprechen einer Konzentrationsänderung
eines NO2-Gases von 0 ppm (von reinem Trägergas)
auf 1 ppm und auf 2 ppm. Aufgetragen wurde hier die Austrittsarbeit,
die sich zu positiven Werten verändert.
Einen ähnlichen
zeitlichen Verlauf zeigt auch die elektrische Leitfähigkeit.
Interessant ist dabei, dass bei einem reduzierenden Gas oder Dampf
(z.B. Propylamin), eine entgegengesetzte Wirkung eintritt. Während NO2 zu einer Erhöhung der Leitfähigkeit/Austrittsarbeit
des Sensorsführt,
bewirkt Propylamin einen Abfall.
-
6 zeigt
schließlich
die typische Sensitivitäts-Charakteristik
eines Sensors, wenn bei konstanter Spannung und Raumtemperatur gemessen
wird. Danach gibt es bei geringen Konzentrationen eine Ansprechschwelle,
die bei den hier vorgeschlagenen Nachweismedien sehr niedrig im
Bereich von 10 bis 100 ppb liegt. Darauf folgt der proportionale,
d.h. der eigentliche Messbereich. Zu hohen Konzentrationen nimmt
die Sensitivität
ständig
ab, bis der Sensor im Bereich von einigen ppm ein Sättigungsverhalten aufweist.
-
Die
mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere in der
niedrigen Arbeitstemperatur, der hohen Sensitivität im ppm
und ppb Konzentrationsbereich, den für diese Konzentrationen immer noch
kleinen Ansprechzeiten, der preiswerte Herstellung und dem niedrigen
Energieverbrauch. Dadurch ist die Erfindung gerade für die Überwachung
umweltrelevanter Gase und Dämpfe
und zur Prozesskontrolle geeignet.