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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Integration und
zur elektrischen integrierenden Verbindung von gleichen oder verschiedenen
organischen Bauelementen. Insbesondere betrifft die vorliegende
Erfindung ein Verfahren zur Strukturierung von organischen funktionellen
Schichten, vorzugsweise von organischen Isolatorschichten unter Schutz,
d.h. ohne die Gefahr des Angreifens oder Anlösens der organischen Schicht.
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Organische
integrierte Schaltkreise, d.h. Schaltungen die auf organischen Werkstoffen
bzw. polymeren elektrischen Werkstoffen basieren, eignen sich für eine wirtschaftliche
Herstellung von elektrischen und elektronischen Schaltungen in Massenanwendungen
und Wegwerf-Produkten, wie zum Beispiel kontaktlos auslesbare Identifikations-
und Produkt-(Kennzeichnungs-)
Transponder (radio frequency identification (RFID) Transponder bzw.
Tags) aber ebenso für
hochwertige Produkte wie zum Beispiel die Ansteuerung von organischen
Displays.
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Schaltungen
auf der Basis organischer Werkstoffe können hierzu die verschiedensten
organischen Bauteile umfassen, wie zum Beispiel Transistoren, Dioden,
Detektoren, Kondensatoren, Widerstände, um eine Auswahl an möglichen
organischen Bauteilen zu benennen. Die Integration mehrerer dieser
Bauteile zu einer organischen Schaltung bzw. einem organischen integrierten
Schaltkreis wirft allerdings prinzipielle Probleme auf, die bisher
nicht befriedigend gelöst
worden sind.
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So
ist bei der Integration von organischen Bauteilen zu berücksichtigen,
dass die organischen Bauteile jeweils unterschiedliche strukturelle
Anordnungen ihrer funktionellen Schichten aufweisen. Es existieren
zwar Ansätze
zur Vereinheitlichung der Schichtstrukturen von organischen Bauteilen,
jedoch ist eine Optimierung der organischen Bauteile in Hinblick
auf ihre schaltungstechnischen Eigenschaften nur möglich, wenn
die Schichtstrukturen individuell gezielt auf die gewünschten
Bauteileigenschaften (so zum Beispiel obere Grenzfrequenz) hin optimiert werden.
Zum Beispiel offenbart die WO 99/30432 eine organische Diode, die
durch eine spezielle Verschaltung eines organischen Transistors
erhalten werden kann. Diese Diode kann als Gleichrichter eingesetzt
werden, hat jedoch aufgrund des zugrunde liegenden Transistors eine
obere Grenzfrequenz im Bereich von ca. 100 KHz oder einigen 100
KHz. Bedenkt man, dass Gleichrichter zum Beispiel in den vorstehend
erwähnten
Transpondern zur Gleichrichtung eines Anregungssignals eingesetzt
werden, das typischerweise bei 13 MHz oder höher liegen kann, ist offensichtlich,
dass optimierte organische Bauteile unumgänglich sind.
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Die
Tatsache, dass verschiedene organische Bauteile unterschiedliche
strukturelle Anordnungen ihrer funktionellen Schichten aufweisen,
bedingt, dass es praktisch unmöglich
ist, eine Schaltung bzw. einen Schaltkreis aus organischen Bauteilen
mit einer gemeinsamen Schichtstruktur herzustellen. Hiermit stellt
sich zwingend das Problem, elektrische Verbindungen zwischen den
verschiedenen Bauelementen zu erzeugen, wozu Leiterbahnen in unterschiedlichen
Ebenen von bestimmten funktioneller Schichten der Bauelemente elektrisch
kontaktiert werden müssen.
Ersichtlich ist dieses Problem, wenn man zum Beispiel eine Kontaktierung
einer Gate-Elektrode eines ersten organischen Feldeffekt-Transistors (OFET)
mit der Source-Elektrode eines zweiten organischen Feldeffekt-Transistors (OFET)
in Betracht zieht. Um eine derartige elektrische Verbindung zu realisieren,
ist die Isolatorschicht zu strukturieren ohne dabei unterhalb befindliche
Schichten zu verändern
bzw. zu beschädigen.
Die Verwendung von herkömmlicher
Photolithographie, die zur Strukturierung von anorganischen Materialien
entwickelt wurde und eingesetzt wird, ist nur sehr eingeschränkt möglich. Die
für die
Photolithographie verwendeten Substanzen und Chemikalien greifen üblicherweise
die organischen Schichten an bzw. lösen die organischen Schichten,
so dass die Eigenschaften der Schichten nachteilig beeinflusst werden
oder gar zerstört
werden. Dies geschieht insbesondere beim Aufschleudern, Entwickeln
und Ablösen
des bei der Photolithographie verwendeten Photolacks.
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In
Applied Physics Letters 2000, Seite 1478 ff. (G.H. Gelinck et al.)
wird zur Lösung
dieses Problems beschrieben, niederohmige Durchkontaktierungen mittels
Photostrukturierung von Photoresistmaterial in die Feldeffekt-Transistorstruktur
einzubringen. Hierzu wird ein anderer Aufbau der organischen Feldeffekt-Transistoren,
die sogenannte "bottom-gate" Struktur als zwingend
gelehrt. Bei Erzeugen einer "top-gate" Struktur ist dieses
Verfahren nicht anwendbar, da Durchkontaktierungen inakzeptable
hohe Widerstände
im Bereich von einigen MΩ aufweisen
würden.
Ferner beschreiben G.H. Gelinck et al. eine komplexe hybride Schaltung,
d.h. eine Schaltung, die auf organische Feldeffekt-Transistoren
und anorganische (klassische) Dioden aufbaut. Zur Kontaktierung
wird gelehrt, die Isolatorschicht durch Einstechen von Nadeln zu
strukturieren, welche die elektrischen Verbindungen bilden. Sowohl die
hybride Struktur mit "bottom-gate" Transistoren als
auch die Verwendung von Nadeln sind für komplexe Schaltungen wirtschaftlich
nicht einsetzbar.
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Ein
für die
Herstellung komplexer organischer Schaltungen vorteilhaftes Verfahren
zur monolithischen Integration von einem oder mehreren verschiedenen
organischen Bauteilen ist bisher im Stand der Technik nicht bekannt.
Die wirtschaftliche Notwendigkeit eines solchen Verfahrens bedingt
sich jedoch ersichtlicherweise aus der unterschiedlichen strukturellen
Anordnungen der funktionellen Schichten der organischen Bauteile.
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Daher
ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen,
das es ermöglicht,
organische Schichten, insbesondere Isolatorschichten, zu strukturieren,
ohne dabei diese Schichten oder weitere Schichten zu schädigen.
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Eine
weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen,
das es ermöglicht, elektrische
Verbindungen, insbesondere vertikale elektrische Verbindungen, zwischen
verschiedenen organischen Bauteilen einer organischen Schaltung zu
erzeugen. Das Verfahren ermöglicht
insbesondere, elektrische Verbindungen zwischen organischen Transistoren
einer organischen Schaltung zu erzeugen.
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Eine
weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen,
das es ermöglicht,
verschiedene organische Bauteile in eine organische Schaltung monolithisch
zu integrieren.
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Die
Aufgaben werden durch den in dem unabhängigen Anspruch 1 definierten
Gegenstand der Erfindung gelöst.
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Ein
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist demnach ein Verfahren
zum Strukturieren von einer oder mehreren organischen Schichten
insbesondere einer teilweise strukturierten, organischen Schaltung.
Zunächst
wird eine strukturierten anorganischen Schicht auf die zumindest
eine unstrukturierte organische Schicht aufgebracht. Die anorganische Schicht
ist insbesondere eine metallische Schicht. Diese strukturierte anorganische
Schicht dient als Maske für
die nachfolgende Strukturierung der zumindest einen unstrukturierten
organischen Schicht. Die unstrukturierte organische Schicht wird
unter Verwendung der Maske derart strukturiert, dass die zumindest
eine resultierende strukturierte organische Schicht eine oder mehrere
Vertiefungen entsprechend der Struktur der Maske aufweist.
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Im
Detail weist die als Maske dienende strukturierte anorganische Schicht
Bereiche auf, in der die organische Schicht durch die anorganische
Schicht bedeckt ist und Bereiche auf, in denen die organische Schicht
nicht durch die anorganische Schicht bedeckt ist. In den nicht bedeckten
Bereichen werden die eine oder die mehreren Vertiefungen während der Strukturierung
gebildet.
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Vorteilhafte
Ausgestaltungen des Erfindungsgegenstands ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
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Vorteilhafterweise
wird die strukturierte anorganische Schicht gebildet, indem eine
unstrukturierte anorganische Schicht auf die zumindest eine unstrukturierte
organische Schicht aufgebracht wird und die unstrukturierte anorganische
Schicht anschließend
zu der strukturierten anorganischen Schicht strukturiert wird.
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Ferner
kann nachfolgend eine weitere anorganischen Schicht, insbesondere
eine metallische Schicht, auf die strukturierte organische Schicht
nach Strukturierung der organischen Schicht aufgebracht werden.
Diese erfolgt derart, dass die zumindest eine Vertiefung die in
der organischen Schicht gebildet ist, ebenfalls mit der Schicht-bildenden
Substanz der weiteren anorganischen Schicht befüllt wird.
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Vorteilhafterweise
wird zumindest die strukturierte anorganische Schicht nach Strukturierung der
organischen Schicht entfernt, so dass die strukturierte organische
Schicht durch keine Schicht mehr bedeckt ist. Die mindestens eine
Vertiefung ist bevorzugt im wesentlichen eine durchgängige Vertiefung, d.h.
die Vertiefung streckt sich zumindest bis zu einer Schicht, die
durch die strukturierte organische Schicht bedeckt ist. Ferner kann
sich die organische Schicht aus einer oder mehreren verschiedenen
organischen Schichten zusammensetzen.
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Vorteilshafterweise
erfolgt die Strukturierung mittels einem chemischen, einem optischen,
einem mechanischen und/oder einem thermischen Prozess umfassen.
Ferner kann das Aufbringen der anorganischen Schicht mittels Aufdampfen,
Sputtern, Abscheiden, Aufschleudern (spin-coating) und/oder Aufdrucken
erfolgen. Weiterhin kann das Entfernen erfindungsgemäß mittels
einem chemischen, einem optischen, einem mechanischen und/oder einem thermischen
Prozess geschehen.
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Ein
weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren
zur vertikalen Integration eines Bauelements, insbesondere eines
organischen Bauelements auf einer organischen Schaltung. Eine organische
Schicht, insbesondere eine organische Isolatorschicht, wird auf
die bestehende zumindest teilweise strukturierte Schaltung aufgebracht
und nachfolgend in Übereinstimmung
mit einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens
zur Strukturierung einer organischen Schicht strukturiert. Die resultierende
strukturierte organische Schicht dient einerseits als Trennschicht
und die mindestens eine in der strukturierten organischen Schicht
ausgebildete Vertiefung ist andererseits geeignet, um elektrische
Kontaktierungen für
vertikal zu integrierende Bauelemente, insbesondere organische Bauelemente,
zu ermöglichen.
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Ferner
ist noch ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein
Verfahren zur lateralen monolithischen Integration von Bauelementen,
insbesondere eines organischen Bauelements in organischen Schaltung.
Eine oder mehrere organische Schichten der bereitgestellten zumindest
teilweise strukturierten organischen Schaltung werden in Übereinstimmung
mit einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens
zur Strukturierung einer organischen Schicht strukturiert. Die zumindest
eine Vertiefung, die durch die Strukturierung der organischen Schicht
erhalten wird ist hierbei erfindungsgemäß derart ausgebildet, dass
in der zumindest einen Vertiefung funktionelle Schichten eines zu
bildenden Bauelements, insbesondere eines organischen Bauelements,
einge bracht werden können,
um diese zu bildenden Bauelements monolithisch und lateral in die
Schaltung zu integrieren.
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Unter
dem Begriff "organische
Materialien" sind
alle Arten von organischen, metallorganischen und/oder anorganischen
Kunststoffen unter Ausnahme der klassischen auf Germanium, Silizium
usw. basierenden Halbleiter zu verstehen. Ferner soll der Begriff "organisches Material" ebenfalls nicht
auf kohlenstoffhaltiges Material beschränkt sein, vielmehr sind ebenfalls
Materialien wie Silicone möglich.
Weiterhin sind neben polymeren und oligomeren Substanzen ebenso "small molecules" verwendbar. Es soll
ebenfalls im Rahmen dieser Erfindung verstanden werden, dass organische
Schichten aus diesen Schicht-bildenden Materialien bzw. Substanzen
erhalten werden. Weiterhin zeichnen sich organische Bauelemente,
die aus verschiedenen funktionellen Komponenten zusammengesetzt
sind, im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung durch zumindest
eine organische funktionelle Komponente, insbesondere eine organische
Schicht aus.
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Einzelheiten
und bevorzugte Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Gegenstands
ergeben sich aus den abhängigen
Ansprüchen
sowie den Zeichnungen, anhand deren im folgenden Ausführungsbeispiele
detailliert erläutert
werden, so dass der erfindungsgemäße Gegenstand klar ersichtlich wird.
In den Zeichnungen zeigen:
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1 einen ersten beispielhaften
Prozessschritt zur elektrischen Kontaktierung einer Gate-Elektrode
eines ersten OFETs mit einer Source-Elektrode eines zweiten OFETs
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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2 einen zweiten beispielhaften
Prozessschritt gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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3 einen dritten beispielhaften
Prozessschritt gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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4 einen vierten beispielhaften
Prozessschritt gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung; und
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5 einen fünften beispielhaften
Prozessschritt gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Die
in den 1 bis 5 dargestellten beispielhaften
Prozessschritte illustrieren einen Aspekt der vorliegenden Erfindung,
nämlich
die vertikale Kontaktierung von organischen Bauteilen, insbesondere organische
Transistoren, durch eine bevorzugt organische Isolatorschicht. Das
erfindungsgemäße Verfahren
ist jedoch nicht auf die Erzeugung von vertikalen Kontaktierungen
beschränkt.
Der Begriff "vertikal" soll im folgenden
als im wesentlichen senkrecht relativ zu der Substratoberfläche, bzw.
der auf der Substratoberfläche
angeordneten funktionellen Schichten verstanden werden.
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Gemäß 1 liegt eine noch nicht
abschließend
strukturierte integrierte organische Schaltung vor, die einen ersten
teilweise strukturierten organischen Transistor 8' und einen zweiten
teilweise strukturierten organischen Transistor 9' auf einem Substrat 1 aufweist.
Ziel der dargestellten beispielhaften Prozessschritte ist es, eine
Kontaktierung der Gate-Elektrode des ersten organischen Transistors 8' mit einer Source-/Drain-Elektrode
des zweiten organischen Transistors 9' zu erhalten.
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Das
Substrat, das als Träger
für die
organischen Transistoren bzw. die integrierte organische Schaltung
dient, ist bevorzugt aus flexiblem Material gebildet. Hierfür kommen
zum Beispiel dünne
Gläser als
auch Kunststofffolien in Betracht. Aus dem Bereich der Kunststofffolien
kommen ferner Polyethylenterephthalat-, Polyimidfolien und insbesondere vorteilhafterweise
Polyesterfolien zum Einsatz. Die Dicke des Substrats ist im wesentlichen
bestimmend für
die Gesamtdicke der Bauelemente bzw. der Schaltung, da die Schichtdicken
der auf das Substrat aufgebrachten funktionellen Schichten um Größenordungen
geringer sind. Eine typischerweise Substratdicke liegt im Bereich
von 0,05 bis 0,5 mm.
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Auf
das Substrat 1 werden organische, anorganische oder bevorzugt
metallische Source- bzw. Drain-Elektroden-Schichten 2 und
organische Halbleiterschichten 2' strukturiert aufgebracht. Diese
können
zum Beispiel mittels eines Druckprozesses, mittels eines lithographischen
oder photolithographischen Prozesses geschehen. Anschließend wird großflächig eine
unstrukturierte bevorzugt organische Isolatorschicht 3 auf
das Substrat 1 bzw. die Source-/Drain-Elektroden-Schichten 2 und
Halbleiterschichten 2' durch
Aufschleudern, Drucken oder Rakeln aufgebracht. Abschließend wird
die Isolatorschicht 3 großflächig mit einer unstrukturierten
anorganischen Schicht 4 versehen. In dem hier beschriebenen
Ausführungsbeispiel
ist die anorganische Schicht 4 eine metallische Schicht 4,
zum Beispiel insbesondere eine Goldschicht. Dies kann zum Beispiel
durch Sputtern oder Aufdampfen erfolgen. Das großflächige Aufbringen der unstrukturierten
Isolatorschicht 3 als auch der unstrukturierten anorganischen
Schicht 4 gewährleistet
eine hohe Homogenität
und insbesondere einen weitgehend konstanten Dickenparameter der
Schichten, so dass Schichten hoher Qualität erzeugt werden.
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Die
funktionellen Halbleiterschichten 2' können beispielsweise aus Polythiophenen,
Polyalkylthiophen, Poly-Di-Hexyl-Ter-Thiophen (PDHTT), Polythienylenvinylenen,
Polyfluoren-Derivaten
oder konjugierten Polymeren bestehen, um eine Auswahl an möglichen
Substanzen/Materialien zu benennen. Die Halbleiterschichten 2' können ebenso
aus Lösung durch
Aufschleudern (spin-coating), Rakeln oder Bedrucken verarbeitet.
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Gemäß 2 wird in die unstrukturierte
anorganische Schicht 4 mittels eines photolithographischen
Prozesses eine Öffnung 5 hergestellt,
so dass die Isolatorschicht 3 im Bereich der Öffnung 5 frei liegt,
während
der verbleibende Bereich der Isolatorschicht 3 weiterhin
von der anorganischen Schicht 4 geschützt ist. Die Öffnung 5 ist
hierbei oberhalb der Source-/Drain-Elektrode
des zweiten organischen Transistors 9' positioniert. Die nun strukturierte
anorganische Schicht 4 dient im folgenden als Masken-Schicht
für die
Strukturierung der organischen Schicht 3 bzw. mehrerer
organischen Schichten.
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Gemäß 3 wird die Öffnung 5 durch
Verwendung eines geeigneten Lösungsmittels
in die Tiefe erweitert, indem das Lösungsmittel den Teilbereich der
Isolatorschicht 3 löst,
der durch die Öffnung 5 freigelegt
ist. Der verbleibende Bereich der Isolatorschicht 3 ist
durch die strukturierte anorganische Schicht 4 geschützt, so
dass das Lösungsmittel
keine lösende
Wirkung auf die Isolatorschicht 3 erzielen kann. Nach Einwirken
des Lösungsmittels
erhält
man eine Öffnung 6,
die sich von der ursprünglichen Öffnung 5 in
der anorganischen Schicht 4 vertikal durch die gesamte
Isolatorschicht 3 bis zu der Source-/Drain-Elektrode des
zweiten organischen Transistors 9' erstreckt. Falls sich die Isolatorschicht 3 bis zu
dem Substrat 1 erstreckt ist es in analoger Weise ebenso
möglich,
eine vertikale Öffnung
herzustellen, die sich bis zum Substrat 1 erstreckt. Bei
entsprechender Wahl eines spezifischen Lösungsmittels stoppt der Lösungsprozess,
sobald die vertikale sich durch das Lösungsmittel bildende Öffnung 6 auf
eine nicht lösbare
Schicht, d.h. zum Beispiel eine Elektroden-Schicht 2 oder
das Substrat 1 trifft.
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Alternativ
zu vorstehend beschriebener Verwendung von Lösungsmittel zur Bildung der Öffnung 6 kann
ebenfalls ein anderes chemisches Verfahren wie zum Beispiel Ätzen eingesetzt
werden. Ferner sind auch optische Verfahren wie Abtragen durch einen
Laser, thermische Verfahren, insbesondere Erwärmen sowie mechanische Verfahren
zur Bildung der Öffnung 6 möglich. Die
anorganische Schicht 4 dient jeweils als Maske-Schicht, so dass
Bereiche, die durch die Masken-Schicht 4 geschützt werden, nicht
durch das gewählte
Verfahren von der strukturierenden Wirkung betroffen sind.
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Gemäß 4 wird anschließend an
die Bildung der Öffnung 6 eine
weitere anorganische Schicht 7 derart aufgebracht, dass
die gebildete Öffnung 6 ebenfalls
mit der anorganischen Sub stanz der Schicht 7 gefüllt wird.
In dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel
ist die anorganische Schicht 7 ebenfalls eine metallische
Schicht 7, zum Beispiel wiederum eine Goldschicht.
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Gemäß 5 wird die metallische Schicht 7 abschließend zu
Gate-Elektroden 7 strukturiert, so dass der erste Transistor 8 und
zweite Transistor 9 nun vollständig strukturiert vorliegen.
Die Strukturierung kann zum Beispiel mittels eines Druckprozesses,
mittels eines lithographischen oder photolithographischen Prozesses
erfolgen. Im Ergebnis bildet die mit der metallischen Substanz befüllte Öffnung 6 eine
elektrische Verbindung zwischen der Gate-Elektrode des ersten Transistors 8 und
der Source-/Drain-Elektrode des zweiten Transistors 9,
d.h. die Gate-Elektrode des ersten Transistors 8 ist mit der
Source-/Drain-Elektrode des zweiten Transistors 9 kontaktiert
wie im Bezug auf 1 als
Ziel gesetzt.
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Das
vorstehend beschriebene Verfahren verdeutlicht die Bildung einer
vertikalen Öffnung 6,
d.h. einer der Masken-Schicht 4 entsprechende Öffnung 6,
die sich durch eine oder mehrere funktionellen Schichten organischer
Bauteile erstrecken kann und die Flanken aufweist, die im wesentlichen
senkrecht zu den funktionellen Schichten ausgebildet sind. Das Verfahren
ermöglicht
in analoger Weise ebenfalls die Bildung mehrerer derartiger Öffnungen,
deren Tiefen durch die Struktur und Materialauswahl der funktionellen
Schichten bzw. die Wahl des Lösungsmittels bestimmt
sind und deren laterale Größen nur
durch die Größe von Öffnungen
in der anorganischen als Maske dienende Schicht 4 definiert
sind.
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In
einem weiteren Ausführungsbeispiel
gemäß der Erfindung
ermöglicht
das Verfahren zur Bildung vertikaler Öffnungen eine vertikale Integration von
Bauelementen. Die soll mit Bezug auf ein elektrochromes Display
beispielhaft erläutert
werden, dessen Displaypixel mit Hilfe von organischen Transistoren
angesteuert werden. Ausgangspunkt ist ein Substrat, das eine Vielzahl
an organischen Transistoren aufweist, die lediglich abschließend mit
den Displaypixel elektrisch zu verbinden sind. Auf die von dem Substrat
getragenen Transistoren wird eine Isolatorschicht aufgebracht, die
in vorstehend beschriebener Weise mittels einer anorganischen Masken-Schicht strukturiert
wird, um vertikale elektrische Verbindungen auszubilden. Nach Ausbilden
der durch die Masken-Schicht definierten vertikalen elektrischen
Verbindungen in der Isolatorschicht, wird die Masken-Schicht vorzugsweise
von der Isolatorschicht entfernt. Dies kann mittel eines chemischen,
optischen, thermischen oder mechanischen Abtragungs-Prozesses geschehen.
Abschließend
werden die Displaypixel derart auf die strukturierte Isolatorschicht
mit elektrischen Verbindungen aufgebracht, welche die Displaypixel
mit den jeweils zugeordneten Transistoren zu deren Steuerung kontaktieren.
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Ebenfalls
ermöglicht
das Verfahren zur Bildung vertikaler Öffnungen in einem weiteren
Ausführungsbeispiel
eine laterale monolithische Integration von einem oder mehreren
Bauelementen in eine schon bestehende Struktur. Zur lateralen Integration eines
vorzugsweise organischen Bauelements wird durch das vorstehend beschriebene
Verfahren eine Öffnung
in eine organische Schicht vorzugsweise eine Isolatorschicht bzw.
mehrere organische Schichten gebildet. Die Dimension wird hierfür derart dimensioniert,
dass funktionale Schichten eines Bauelemente, wie zum Beispiel eines
organischen Transistors oder einer organischen Diode, beispielsweise mittels
eines Druck-Prozesses in die hierfür gebildete Öffnung eingebracht
werden können.