TWI457634B - 可活化的光學層 - Google Patents

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Description

可活化的光學層
本發明關於一種具一光學作用的層系統的多層體。
舉例而言，光學作用的層系統用於裝飾或資訊目的，或將防偽文件設以光學防偽特徵，它們一方面使得用彩色影印機及其他複製系偽造變困難，另方面連外行人也能容易而清楚地辨認。
為此目的，習知技術有在有價文件中設入防偽線作為防偽元件，其中的設置使線局部地在表面留空，因此加工到線中的光學防偽特徵(例如全像圖)或部分地除去金屬膜的部位可由觀看者檢查。
此外，在歐洲專利EP 1 34 694 A1提到在一紙張或一紙條上印上由有機半導體材料構成的電子電路，它經由一導電路(Leiterbahn，英：lead)與一鈔票的金屬條帶連接。在此，該電子電路並非基於由一般半導體材料構成的電子構件，而係基於聚合物半導體技術的有機場效電晶體，在此，金屬條帶為作天線用，經由此天線可在半導體電路與相關分析電路之間作通訊(Kommsnikation)。因此該電子電路可用於辨認真偽，此外可將該文件作覓位(Ortung，英：locating)。
本發明的目的在提供一種具較佳光學現象的多層體。
本發明此目的係利用一種具一光學作用的第一層系統的多層體達成，其中該第一層系統係一種光學變化元件(OVD)，且第一層系統的光學作用可利用一可用控制的第二層系統影響。
這種多層體可設計成厚度很小的且具可撓性，由此，就其應用及製造而言特別有利。舉例而言，該多層體可在一種捲製進出(Rolle－zu－Rolle)程序廉價地製成成膜體形式，且因此適合量產。
本發明的多層體可用於當作有價文件、防偽文件用的新式防偽元件，以及作商品防偽，以及作裝飾目的或產品廣告。此外，該多層體可用於顯示器，RFID標籤中以及當作電器中的狀態顯示器。
儘管該多層體厚度可以很小，但它可設計成大面積的膜體形式，例如施在包裝，窗子或建築物面上。
其他有利的設計見於申請專利範圍附屬項。
該第二層系統宜設在第一層系統上。
此外，該第二層系統的光學厚度，特別是其光學密度及/或光散射性及/或其顏色可控制。
在一有利設計中，該第二層系統有上電極層及一下電極層，這些層的光學性質宜能藉著在電極層之間施加一電壓而改變。
上電極層及/或下電極層可由聚乙烯二氧．．(Polyethylendioxythiopen)(PEDOT)/PSS或PANT構成。
此外，該上電極層及/或下電極層可為一ITO(銦錫氧化物)層。這些層係為透明導電層。
上電極可由很薄的透明金屬層構成，金屬層厚度可為0.5奈米~30奈米，典型厚度為5奈米，且由金、銀、鉻、銅或鋁構成。
在另一特點中，該第二層系統有一設在上下電極層之間的層，它具有多數液晶小泡(Flssigkristall－Blschen，英：Liquid crystal bubble)，其直徑0.1 μ m~40 μ m，該液晶小泡結合在聚合物母質中。舉例而言，聚合物母質可由單體構成。厚度5 μ m~40 μ m，舉例而言，該單體利用紫外線照射聚合，舉例而言，它可為Nematel公司的產品PN393，液晶小泡具有不規則的排列之機遇性朝向的液晶，因此，它們將入射光散射，因此設在此層下方的層感不到或不能線保清楚地成像，如果電極層與一電源的極連接，則該液晶在一電場中對準，此電場在上下電極層之間形成。
電壓源可為直流電壓源及交流電壓源，因此可使用電化學電壓源、電振盪回路(它位於一電路場中，其信號用一電子電路處理到一適當信號頻率，例如100赫)或太陽能當作電壓源以供應本發明的多層體。
在另一有利的特點中，該第二層系統有一個設在上下電極層之間的液晶層及至少一極化器層。舉例而言，可設二個極化器層，其極化平面呈90°。這點使得極化的光可穿過下極化層。因此第二極化層呈透明，並使視線能到達第一層系統。如果在二電極層之間形成一電場，則第二層系統呈黑暗，並阻擋視線使之不能看到其下所設的第一層系統。
此外，第二層系統具有一個設在上下電極層之間的電解質層，且該上電極層為一電色(elektrochrom)層，例如由一種導電有機材料，如PEDOT/PS或聚苯胺(PAN)構成，一種可利用電解層中的電流方向控制的氧化還原反應，可將由PEDOT/PSS構成的電色層的顏色從淡藍成深藍。電解質層也可含金屬離子，其中電解質層中的電流方向決定是否金屬離子從電解質層傳送入電色電極層中或由電色電極層遠離。舉例而言，如果該金屬離子為鎢離子，則該電色電極層可從深藍變無色。
還有其他電色系統，例如，對pH值的改變反應者。它們同樣可使用。
如果第一層系統有一上導電層，例如一金屬反射層，則該導電層可構成第二層系統的下電極層。
在另一有利的特點中，第二層系統有一熱色(thermochrom)層及一電阻層。
此外，該第一層系統的至少一層可構成第二層系統的電阻層。
此第二層系統可設計成使它具有一些區域可將影像式及/或字母數字的資訊再生。舉例而言，此區域可呈字母的形狀，該字母構成一詞藻，該詞藻可藉第二層系統之電控制而突顯出來。它在可為條紋碼(Barcode)，它只在多層體在一讀取裝受一電場時，才會浮現出來。這種特徵肤統複製方法不能偽造。舉例而言，在這種使用情形中，第二層系統設計成不具電極層，如此在該設有本發明多層體的物件，正常使用時，第二層系統係很有利地看不見者，此外，第二層系統的光學作用可用可逆的方式控制。
在另一有利的特點中，第二層系統之利電壓浮現的光學變化在電壓關掉可以得到。為此，該液晶可設計成鐵電式(ferroelektrisch)液晶形式。鐵電式液晶可使用場儲存以作長時作用，例如超過數星期，且可利用一電脈衝回復，因此，舉例而言，可使用具有鐵電式液晶的多層體當作資料儲存器以儲存衰變資料(Verfallsdatum)。由於鐵電式液晶會回復到其起始位置，且第二構造層再變透明，因此該衰變資料在一衰變期後就變可見。一種有利的做法係將這種多層體設計成不具電極，因此要將鐵電式液晶對準方向所需的電場只要在為其所設的裝置中形成。
此外「可用電控制的層系統」一詞係指該層系統的光學用的至少一參數可藉施加一電壓而改變。此處係為一種材料性質改變，該性質由一電的值決定。
第一層系統有一複製層(Replizierschicht)及一光學隔離層或一反射層，且有一繞射式浮雕(Relief)構造形成到該複製層中，該浮雕構造特別形成一繞射格(Beugungsgitter)及/或一全像圖式動態圖(Kinegram)或信用印章(Trustseal)或相當的系統。
此外該第一層系統可為一薄膜層系統，以利用干涉產生隨觀看角度而異的色移放電。產生變色效果的層的厚度d＝λ/4或d＝λ/2，其中λ為射光的波長。
此外也可將薄膜層系統由一系列的高折射與低折射的層構成，這些層也稱HRI層(HRI＝High Refraction Index，高折射指數)或LRI層(LRI＝Low Refraction Index，低折射指數)，層的數目選設得越多，則顏色變化效果的波長可調整成強烈。在此，特別有利的做法，係將這種薄膜層系統由2、4、6、8或10個層成(偶數變更例)或3、5、7或9個層(奇數實施例)構成。
該第一層系統也可為具有一膽固型液晶層及一吸收層的層系統。這種層系統的與觀看角度有關的色移效果和薄膜層系統相似。
也可考慮用另一些系統，它們只需要一個電極平面。舉例而言，它可為一種熱色層用的加熱元件或具有膽固型液晶的上述層系統，它可在此平面中控制，設在液晶下方的層可具有互相關隔的隆起部，其寬度約20 μ m，高度20 μ m~100 μ m，它們隔小於100 μ m的間隔設置。在隆起部之間可形成一上述的OVD，由於隆起部尺寸很小，因此該OVD看起來成一片整體，在隆起部上形成的電極構成條帶狀的區域，它們可交替地與一電壓源的極切換連接，因此在這些區域之間形成的電場在液晶層中延伸，且不垂直於液晶層。
也可將隆起部段設計成豎管架式，或將第一及/或第二層系統對應地構造化以及將連接線路設計成矩陣形式，如此各電極區域可成行及成列方式控制。
也可將位在一上電極層及一豎管架式構造化的下電極層之間的液晶呈點狀控制。因此可將在下電極層之受控制區域所設的液晶在電場中對準方向，並使下電極之未受控制區域設的液晶維持不規則排列的朝向，該受控制或不受控制的區域可用此方式顯示一點案，例如一影像、一圖樣(Logo)或一個或數個字母數字符號。互相電絕緣的區域可交替地控制，如此該部分區域可先後相隨地變換其光學現象。
在另一特點中，該多層體有一控制電子電路，它宜為一有機控制電子電路。
該多層體也可有一個或數個感測器及/或RFID電路及/或顯示器及/或開關及/或電壓緣。
利用上述的二種設計，本發明的多層體可涵蓋很大的應用領域，其中其他的應用並不侷限於此。
此外，該多可體可設計成可撓性，且/或有一可撓性透明載體膜，一可撓性多層體也可有利地施到彎曲的面上，它對於折彎應用(例如在薄的載體基質上，如包裝層、鈔票、文件上常發生的應力)有特佳的抵抗性。
特別可撓的多層體可廉價地呈量產產品方式在一些用於捲裝進出程序用的設備上製造。在此，可直接將附加的構造組如RFID標籤、太陽能電池、電池、記憶體、積體電路、膜開關、及感測器整合到該多層體中。
本發明在以下利用數個實施例配合附圖為例說明。
圖1a及1b的示意剖面圖顯示一多層體(1)，它具有一光學變化層系統(10)及一可控制的層系統(20)。
該層系統(10)係一種光學變化元件(OVD)，具有一構造層(12)，有一繞射格(12b)形成到該構造層(12)中。該構造層(12)舉例而言，可由一熱塑性複製漆構成，其層厚度為數μ m，利用一加熱之複製滾子將繞射格(12b)鐫印到該複製漆中，構造層(120覆有一金屬反射層(14)，舉例而言，由鋁、銀’、鉻、銅或金構成。
該可控制的層系統(20)有一載體層(22)，該載體層(22)設在金屬層(l4)上。該載體層(22)為一聚合物質，有多數液晶小泡(22f)埋設到該母質中。液晶小泡直徑0.1 μ m~15 μ m。聚合物質由PN393構成，其施覆層厚度為5 μ m~40 μ m，且宜10 μ m。
在載體層(22)上設有一透明護層(26)，其下側有一電極層(24)，在此實施例中，層(26)與(24)係為Agfa公司的透明之具導電鍍層的Orgakon膜T M ，其中該電極層(24)為一種透明導電聚合物，它係PEDOT/PSS，其層厚弁50奈米~500奈米。層厚度宜為200奈米，此電極層(24)也可設計成透明金屬層的方式。
在電極層(24)與金屬反射層(14)之間可施一電壓而形成一電場，液晶小泡(22f)中所含的液晶可在該電場中對準。在圖1a及1b中液晶用粗線條表示。因此，在此實施例中，金屬反射層(14)同時為該可電控制的層系統(20)的一電極，此它係具有多重功能的層。
用於控制該層系統(20)所用的電壓係由一電壓源(30)提供，該電壓源(30)利用連接線路(34)(34’)及一開關(32)將層(14)(24)連接成導電的方式。圖1a及1b中示意圖示的連接線路(34)(34’)可為導電路。它們係由導電層(14)(24)延伸構成，但它們也可為與層(14)(24)作電接觸的導電路，舉例而言，為蒸鍍者。
圖1a顯示開關(32)開路時的多層體(1)，設在液晶小泡(22f)中的液晶佔了一個無規則排列的機遇性位置。因此入射到多層體(1)上的光被散反射，如此第一層系統(10)看不見或看不清楚或不能形成光學效果。
圖1b顯示在開關(32)閉路時的多層體(1)。此處在層(14)與(24)之間形成一電場，其場線垂直於層(14)(24)的表面朝向，因此在液晶小泡(22f)中所設的液晶此時佔一規則排列的位置，對電場線呈平行朝向。此時由於其直徑很小只有數奈米，故入射到多層體(1)上的光近乎完全照到該覆有反射層(14)的構造層(12)表面，因此第一層系統(10)呈OVD的光學作用。
在電場線上的液晶的朝向的作用原理(根據圖1a及圖1b所示實施例)，電壓源(30)的極性沒有意義。因此電壓源(30)可為直流電壓源或交流電壓源。對於形成該適於將液晶對準朝向的電場，該由電壓源放出的電壓致上具有意義，在圖1a及1b所示的實施例中設有20V的電壓。
在圖1a及1b所示的實施例中，電壓源(30)用開關(32)啟開或切斷，但也可省卻開關(32)並將電壓源(30)設計成振盪回路，其中利用一外加電磁場感應一股交流電壓，該交流電壓如有必要還要用一整流器轉換成直流電壓。此直流電壓可利用一適當電子電路例如一環形振盪器再轉換成特別適當頻域100Hz的交流電壓。還可另外設以一電容器，它在用直流電壓控制時，即時在電磁場斷路後，仍可提供直流電壓為時一段有限時間，舉例而言，如果多層體形成一種所謂的RFID標籤，亦即用於將物品用射頻(無線電頻率)作識別的電路裝置，則上述元件可為一此種RFID標籤的構件，該RFID標籤宜設計成有機膜回路形式。
圖2a與2b顯示一多層體系統，它不設有一第二電極層[見圖1a及圖1b的電極層(24)]，該結構層(12)在此處反而設有一浮雕構造，它具有隆起部，寬度約20 μ m~100 μm，間隔<100 μ m。在隆起部之間將繞射格(12b)形成到構造層中，繞射格(12b)也示於1a及1b。此處金屬反射層(14)構成設在隆起部上的條帶狀區域，它們交替地與連接線路(34)與(34’)配線，因此反射層(14)的條帶狀區域在開關(32)閉路時(見圖2b)交替地與電壓源(30)的正極或負極連接。因此，在該區域之間形成的電場在載體層(22)中延伸，且不像圖1a及1b中所示第一實施例那樣垂直於載體層(22)。但當開關(32)閉路時(如圖2b所示)，在液晶小泡(22f)中的液晶與圖1b相似在電場中對準朝向。
也可將隆起部在構造層(12)中設成豎管架狀，並將連接導線設計成矩陣形式，因此反射層(14)的各區域可呈列及/或成行控制。此外，一圖未示的實施例可設有一電極層(24)，如圖1a及1b所示，因此利用該呈豎管架方式構造化的反射層(14)，可將該反射層(14)之受控制區域中所設的液晶在電場中對準方向，且該設在反射層之未控制區域的液晶則維持不規則的朝向，這些受控制或不受控制的區域可用此方式形成一圖案，例如顯示一圖樣(Logo)或一個或數個數字字母的符號。
圖3a與3b顯示一多層體，它與圖1a與1b所示之多層體(1)不同處只在該可控制的層系統的設計。一種可控制的層系統(40)有一液晶層(42)，液晶(42f)埋入其中，該液晶可將極化光的極化平面旋轉。
液晶層(42)的上側用一上極化器層(46o)蓋位，液晶層下側用一下極化器層(46u)蓋位。極化器層(46o)與(46u)的極化方向互相呈90°交叉。因此入射光在進入液晶層之前被極化，此時液晶將極化光的極化平面旋轉90°，結果使極化光能穿過下極化器層(46u)過去，而層系統(10)的反射層(14)上反射，該反射的光此時再被該疊成設置的液晶層(42)旋轉，並由上極化層(46o)出來。因此該層系統(40)呈透明，且視線可看到設計成OVD形式的層系統(10)。
在該上極化層(46o)上設有透明護層(26)，其下側具電極層(24)，如上述，該層(26)及(24)舉例而言為一透明之導電鍍層Orgakon膜T M 。電極層(24)經連接線路(34’)與開關(32)與電壓源(30)連接。電壓源(30)另一極利用連接線路(34)與金屬層(14)連接。用此方式，可將開關(32)閉路而在層(14)(24)之間形成一電場，如此該液晶(42f)變得使得被上極化層(46o)極化的光不再能通過下極化層。在圖2b中顯示此多層體(2)的這種狀態，其中由系統(10)形成的光學效果不再能看到，也可將上極化層(46o)及下極化層(46u)設以相同的極化方向，如此該可用控制的層系統在電壓切斷時呈不透明而在電壓啟開時呈透明。
此外，對液晶體(42f)可設鐵電式(ferroelektrisch)液晶。鐵電式液晶具有儲杂電場的性質，因此設有鐵電式液晶的液晶層的切換狀態，即使在電壓切斷，仍可保持較長時間。此液晶層可利用一切換脈波回復。
圖4a與4b顯示一多層體(3)，其中在該可光學變化的層系統上(10)設一可用電控制的電系統(50)，它由一電解質層(52)形成，電解質層與二個電極層接觸，一如在上述實施例，下電極層由層系統(10)反射層(14)構成。上電極層(54)由一電色材料(例如由PEDOT/PSS)構成。上電極層(54)被護層(26)蓋住。二電極層(14)(54)用連接線路(34)(34’)[它們通往一開關(32u)]與電壓源(30)連接。在圖3a及3b所示的第三實施例，該電壓源(30)為一直流電源，其極性決定電色電極層(54)的光學狀態，在此一股電流流過電解質層(52)，其流向由開關(32u)的位置決定，且它在圖式之實施例中將金屬離子從電解質層(52)進入電色式電極層(54)或由該電極層拿掉，舉例而言，如它為鎢離子，則電色式電極層(54)從深藍控制成無色。如上文所示，也可有其他實施方式，它們係根據該利用電流方向決定的環原氧化反應，或根據電解質層的pH值的變化。
開關(32u)係一種二極切換開關，藉之可將流經電解質層(52)的電流反向，用此方式，該電色式電極層(54)可從一第一有色不透明狀態變成無色透明狀態。
圖5a及5b顯示一多層體(4)，其中在可光學變化的層系統(10)上設一可用電控制的層系統(60)，它有一熱色層(62)，在此實施例中熱色層(62)由一Coates Screen公司的TCXB－31構成，層厚度約20 μ m，此層厚度可在0.5 μ m~100 μ m，此熱色層(62)被護層(26)蓋住。
層系統(10)的金屬反射層(14)利用電連接線路(34)(34’)及開關(32)與電壓源(30)連接，同時構成一電阻層，以將熱電層(62)加熱。它比一如在上述實施例，該反射層(14)為一個功能上與該多層體的二個層系統相關的層，但也可設一特別的電阻層。特別是當反射層(14)不能充分地受電施負載時尤然。在這種情形，該電阻層設計成透明，例如由ITQ(銦錫氧化物)或其他導電材料構成者，用於作透明電阻層者，也可用例如PEDOT/PSS或PANT者。電阻層也可設在構造層(12)下方，且在此情形下不須設計成透明。
如圖5a如示，如果開關(32)閉路，則該熱色式層(62)係不透明者。如果此時開關(32)閉路，如圖5b所示，則反射層(14)被電流加熱，因此設在反射層(14)上的熱色層(62)也受熱，且用此方式變透明，此時該由可光學變化的層的系統(10)形成的光學效果可看見。
圖6a~7b顯示本發明多層體的一應用例。
圖6a的示意剖面圖顯示一多層體(5)，它一如圖1a及1b所示之多層體(1)設計。在此將圖1a及1b的一些層組合。
具有結合在一聚合物母質中的液晶小泡的層(52)設有一上電極層(52)，且設在一OVD層系統(56)上，該系統如圖1a及1b所示，由一複製層及一金屬反射層構成。該朝向OVD層系統的反射層同時構成層(52)用的下電極層。
圖6b的示意上示圖顯示該多層體(5)，其電極層利用連接線路(581)及一開關(58s)與一電壓源(58)連接。該OVD層系統(56)有一詞藻(Schriftzusg)(56s)，由於該質(52)在無電壓狀狀態呈不透明，故該詞藻看不清楚或甚至看不見。
圖7a及7b顯示多層體(5)，其電極層與電壓源(58)連接，因為開關(58s)係閉路者，層(52)因此形成清澈的層，因而此時設在OVD層系統(56)上的詞藻(56s)可清楚讀出。此外可看到光學效果，舉例而言，它係一種在多層體傾斜時顏色變化者。也可使該詞藻(56s)顯示一種隨角度而改變的光學效果，例如藉位改變而可看見。
本發明的多層體可有其他的層，例如一粘著劑，施在光學變化層系統的背側，或者為構成功能元件(如電壓源、感測器或電子電路)的層。這些層宜由聚合物構成，特別也用於形成電子切換回路，但「有機」切換回路也可指那些除了有機層外還會有機層或只含有機層的切換回路或電路裝置。
本發明的多層體的另一特色為，它們可設計成很小的厚度及可撓性者，如此在其應用及製造上特別有利。舉例而言，此多層體可用一捲裝程序廉價製造，且因而適合量產。
本發明的多層體也可有一不可撓的載體材料，例如由玻璃或陶瓷構成者，而不偏離本發明的範疇。
此外，本發明的多層體也可設計成使光學性質不可逆地改變，例如，該改變係由短期的過電壓造成者。則該多層體就永遠將此發生的過電壓信號化，這種效果舉例而言可在電色層利用一道不可逆的化學程序在電解質層中造成。
(1)．．．多層體
(5)．．．多層體
(10)．．．光學變化層系統
(12)．．．構造層
(12b)．．．繞射格
(14)．．．金屬反射層
(20)．．．可控制的層系統
(22)．．．載體層
(22f)．．．液晶小泡
(24)．．．電極層
(25)．．．液晶
(26)．．．透明護層
(30)．．．電壓源
(32)．．．開關
(34)(34’)．．．連接線路
(46o)．．．上極化器層
(46u)．．．下極化器層
(50)．．．層系統
(52)．．．電極層
(54)．．．上電極層
(56)．．．層系統
(56s)．．．詞藻
(581)．．．連接線路
(58)．．．電壓源
(58s)．．．開關
(60)．．．層系統
(62)．．．熱色層
圖1a及1b係本發明的一多層體的第一實施例的示意剖面圖；圖2a與2b係本發明的一多層體的第二實施例的示意剖面圖；圖3a與3b係一本發明的多層體的第三實施例的示意剖面圖；圖4a與4b係一本發明的多層體的第四實施例的示意剖面圖；圖5a與5b係一本發明之多層體的第五實施例的示意剖面圖；圖6a~7b係本發明的多層體的應用例。

Claims (28)

  1. 一種多層體(1)，具有一光學作用之第一層系統(10)及一第二可電控制的層系統，該第一層系統(10)係一種光學變化元件(OVD)，其特徵在：該第一層系統(10)係一光學變化元件(OVD)，而該第一層系統(10)的光學作用可受該可電控制的第二層系統(20)影響，該第二層系統(20)(40)(50)(60)設在該第一層系統(10)上方，且該第一層系統(10)有一金屬反射層(14)，該金屬反射層(14)形成該第二層系統(20)(40)(50)(60)的下電極層。
  2. 如申請專利範圍第1或第2項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50(60)的光學性質可用電控制。
  3. 如申請專利範圍第1或第2項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有至少一上電極層(24)(54)及至少一下電極層(14)。
  4. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中：該上電極層(24)(54)及/或下電極層(14)由聚3,4-乙烯二氧基硫茂(PEDOT)/聚磺酸苯乙烯酯(PSS)或聚苯胺(PANI)構成。
  5. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中：該上電極層(24)(54)及/或下電極層(14)為一ITO(銦錫氧化物)層。
  6. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中： 該上電極層(24)(54)及/或下電極層(14)為一金屬層，層厚度<10奈米。
  7. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有一層(22)，該層具有多數液晶泡(22f)，該液晶泡結合在一聚合物母質中，該聚合物母質設在上電極層(24)與下電極層(14)之間。
  8. 如申請專利範圍第4項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有一個層(22)，該層有多數液晶泡(22f)，該液晶泡結合在一聚合物母質中，該聚合物母質設在上電極層(24)與下電極層(14)之間。
  9. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有一個設在上電極層(24)與下電極層(14)之間的液晶層(42)及至少一極化層(46o)(46u)。
  10. 如申請專利範圍第4項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有一個設在上電極層(24)與下電極層(14)之間的液晶層(42)及至少一極化層(46o)(46u)。
  11. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有一設在上電極層(54)與下電極層(54)之間的電解質層(52)，且該上電極層(54)為一電色層，或者該電解質層為一電色層。
  12. 如申請專利範圍第4項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)有一設在上電極層(64)與下電極層(14)之間的電解質層(52)，且該上電極層(54)為一電色層，或該電解質層為一電色層。
  13. 如申請專利範圍第3項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)設計成不具電極層。
  14. 如申請專利範圍第4項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)設計成不具電極層。
  15. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第二層系統有一熱色層及一個設在該熱色層上方或下方的電阻層。
  16. 如申請專利範圍第15項之多層體，其中：該第一層系統(10)的至少一層構成第二層系統(60)的電阻層。
  17. 如申請專利範圍第15項之多層體，其中：該電阻層設在第一層系統(10)下方。
  18. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)只有一電極層，設計成部分電極層形式。
  19. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第一層系統(19)具有一些將影像或及/或字母數字式資訊再生的區域。
  20. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)的光學作用可用可逆的方式控制。
  21. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)的光學作用可用不可逆的方式控制。
  22. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第二層系統(20)(40)(50)的光學作用可用雙穩定的方式動作。
  23. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第一層系統(10)有一複製層(12)及一光學分離層或一反射層(14)，且有一繞射浮雕構造(12b)形成到該複製層中。
  24. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第一層系統(10)為一薄膜層系統，以利用干涉產生顏色效果。
  25. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該第一層系統(10)有一膽固形液晶層及一吸收層。
  26. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該多層體(2)(3)(4)(5)有一有機或無機控制電子電路。
  27. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該多層體(1)(2)有一個或數個感測器及/或射頻識別(RFID)電路及/或顯示器及/或開關及/或電壓源。
  28. 如申請專利範圍第1項或2項之多層體，其中：該多層體(2)(3)(4)(5)設計成具可撓性者及/或形成在一可撓性載體膜上。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007009213A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Giesecke & Devrient Gmbh Tragbarer Datenträger
EP1988514A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-05 Acreo AB Security document circuit
DE102007043407A1 (de) * 2007-09-12 2009-03-19 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger flexibler Folienkörper
DE102007048102A1 (de) * 2007-10-06 2009-04-09 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Sicherheitselement zur Kennzeichnung eines Sicherheitsdokuments und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102008020770B3 (de) * 2008-04-21 2009-10-29 Bundesdruckerei Gmbh Sicherheitselement mit einem elektrisch stimulierbaren polarisationsabhängigen Volumenhologramm und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008026216B4 (de) * 2008-05-30 2010-07-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung
TWI401501B (zh) * 2008-07-28 2013-07-11 Pixel Qi Corp 繞射型液晶顯示器
US20100112336A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Gm Global Technology Operations, Inc. Rfid for material identification with applications in manufacturing
DE102008044174A1 (de) 2008-11-28 2010-06-02 Deere & Company, Moline Bediensystem für ein Kraftfahrzeug
US8736942B2 (en) 2010-03-12 2014-05-27 Battelle Memorial Institute Electrochromic device capable of controlling visible and infrared radiations
JP5405391B2 (ja) 2010-05-21 2014-02-05 日本メクトロン株式会社 透明フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
EP2576234B1 (en) * 2010-06-04 2015-08-26 Polyvalor, Limited Partnership Metameric security devices using an active material
FR2964596B1 (fr) * 2010-09-10 2013-08-30 Commissariat Energie Atomique Objet authentifiable contenant un cache masquant un motif authentifiant
CN102436109B (zh) * 2010-09-29 2014-05-07 财团法人工业技术研究院 反射式显示装置
US8830426B2 (en) 2010-11-17 2014-09-09 Pixel Qi Corporation Color shift reduction in transflective liquid crystal displays
DE102010054053A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-14 Giesecke & Devrient Gmbh Datenträger, Sicherheitselement und Verfahren zum Beeinflussen des Farbwechsels thermochromer Farbschichten
DE102010054054B4 (de) * 2010-12-10 2024-10-17 Giesecke+Devrient ePayments GmbH Datenträger mit Thermochromschicht zur Eingabebestätigung
CN102786925B (zh) * 2011-05-18 2014-06-04 南京理工大学 金属光栅结构耦合的热致变色薄膜材料
US9648751B2 (en) 2012-01-13 2017-05-09 Arjo Wiggins Fine Papers Limited Method for producing a sheet
JP2015509615A (ja) * 2012-02-28 2015-03-30 ヘレウス プレシャス メタルズ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー 偏光フィルター用帯電防止保護シールドとしての導電性ポリマー層
CN102662268A (zh) * 2012-04-26 2012-09-12 华映光电股份有限公司 胆固醇液晶显示器及其驱动方法
KR20130140960A (ko) * 2012-05-22 2013-12-26 엘지디스플레이 주식회사 액티브 리타더 역할을 하는 패널과 이의 제조 방법 및 이를 구비한 입체 영상 구현 시스템
WO2014034483A1 (ja) * 2012-08-28 2014-03-06 シャープ株式会社 光偏向装置および光偏向素子の駆動方法
DE102013112253A1 (de) * 2013-11-07 2015-05-07 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
US9059188B1 (en) 2014-05-01 2015-06-16 International Business Machines Corporation Graphene resistor based tamper resistant identifier with contactless reading
DE102014117877A1 (de) * 2014-12-04 2016-06-23 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Sicherheitselement
US10310298B2 (en) * 2016-10-25 2019-06-04 GM Global Technology Operations LLC Smart sensor-cover apparatus and methods and computer products for implementing same
GB2603803A (en) * 2021-02-15 2022-08-17 Koenig & Bauer Banknote Solutions Sa Security document

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4472627A (en) * 1982-09-30 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury Authenticating and anti-counterfeiting device for currency
US5202677A (en) * 1991-01-31 1993-04-13 Crystal Images, Inc. Display apparatus using thermochromic material
US6259506B1 (en) * 1997-02-18 2001-07-10 Spectra Science Corporation Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials
CN1355745A (zh) * 1999-06-15 2002-06-26 Whd电子检验技术有限公司 光学可变防伪标志
US20040092196A1 (en) * 2000-06-06 2004-05-13 Peter Van De Witte Liquid crystal display device
TW200504712A (en) * 2003-02-27 2005-02-01 Koninkl Philips Electronics Nv Multi-stack information carrier with electrochromic materials

Family Cites Families (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
DE2102735B2 (de) 1971-01-21 1979-05-10 Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
AU488652B2 (en) 1973-09-26 1976-04-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Improvements in or relating to security tokens
JPS543594B2 (zh) 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
JPS5641938U (zh) 1979-09-10 1981-04-17
US4340057A (en) 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
JPS585059U (ja) * 1981-06-30 1983-01-13 大日本印刷株式会社 画像表示体
EP0108650A3 (en) 1982-11-09 1986-02-12 Zytrex Corporation Programmable mos transistor
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
JPS6265472A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Toshiba Corp Ｍｉｓ型半導体素子
US4726659A (en) * 1986-02-24 1988-02-23 Rca Corporation Display device having different alignment layers
US4926052A (en) 1986-03-03 1990-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
JPH03500033A (ja) 1988-06-21 1991-01-10 ダブリュー　アンド　ティー　エイヴァリー　リミテッド ポータブル電子トークンの製造法
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
FR2644920B1 (fr) 1989-03-21 1993-09-24 France Etat Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DE69018348T2 (de) 1989-07-25 1995-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren.
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
DE3942663A1 (de) * 1989-12-22 1991-06-27 Gao Ges Automation Org Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
DE4103675C2 (de) 1991-02-07 1993-10-21 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (en) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Video game computer provided with an optical disc drive
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5332315A (en) 1991-04-27 1994-07-26 Gec Avery Limited Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
WO1993009469A1 (de) 1991-10-30 1993-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JPH0611712A (ja) * 1992-04-10 1994-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置
FR2696043B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Commissariat Energie Atomique Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication.
EP0603939B1 (en) 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
EP0615256B1 (en) 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
DE4312766C2 (de) 1993-04-20 1997-02-27 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
AU7563294A (en) 1993-08-24 1995-03-21 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
US6028649A (en) 1994-04-21 2000-02-22 Reveo, Inc. Image display systems having direct and projection viewing modes
KR100350817B1 (ko) 1994-05-16 2003-01-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기반도체물질로형성된반도체장치
IL110318A (en) 1994-05-23 1998-12-27 Al Coat Ltd Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5528222A (en) 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
DE19506907A1 (de) 1995-02-28 1996-09-05 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH08303150A (ja) * 1995-05-09 1996-11-19 Affinity Kk 分割パネルおよびそれを使用した窓
JPH08328031A (ja) 1995-06-02 1996-12-13 Sharp Corp フルカラー液晶表示装置およびその製造方法
JPH0933645A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd トランスポンダの電源回路
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
JP3298607B2 (ja) * 1995-09-29 2002-07-02 ソニー株式会社 液晶素子及びその製造方法
US5707894A (en) 1995-10-27 1998-01-13 United Microelectronics Corporation Bonding pad structure and method thereof
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
EP1798592A3 (en) * 1996-01-17 2007-09-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical device and three-dimensional display device
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19610284A1 (de) 1996-03-15 1997-08-07 Siemens Ag Antennenspule
EP0958617A1 (en) 1996-06-12 1999-11-24 The Trustees Of Princeton University Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
DE19648937A1 (de) * 1996-11-26 1997-05-15 Meonic Sys Eng Gmbh Elektronisches Etikett
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5841325A (en) 1997-05-12 1998-11-24 Hewlett-Packard Company Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JP4509228B2 (ja) 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
ATE280963T1 (de) * 1997-08-28 2004-11-15 E Ink Corp Neue adressierungsschaltungen für elektrophoretische anzeigevorrichtungen
EP1296280A1 (en) 1997-09-11 2003-03-26 Precision Dynamics Corporation Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials
BR9811636A (pt) 1997-09-11 2000-08-08 Precision Dynamics Corp Etiqueta de identificação de rádio freqâência em substrato flexìvel
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
EP0958663A1 (en) 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
JP3380482B2 (ja) * 1997-12-26 2003-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
JP2002515641A (ja) 1998-01-28 2002-05-28 シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
JPH11249128A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Seiko Epson Corp 反射型液晶装置及び電子機器
JPH11249494A (ja) 1998-03-03 1999-09-17 Canon Inc ドラムフランジ、円筒部材、プロセスカートリッジ、電子写真画像形成装置
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
US6369793B1 (en) * 1998-03-30 2002-04-09 David C. Zimman Printed display and battery
EP1105772B1 (en) 1998-04-10 2004-06-23 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6107920A (en) 1998-06-09 2000-08-22 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having an article integrated antenna
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
KR100393324B1 (ko) 1998-06-19 2003-07-31 띤 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 집적 무기/유기 보상 박막 트랜지스터 회로 및 그 제조방법
JP2000090229A (ja) * 1998-07-13 2000-03-31 Minolta Co Ltd 情報記録表示カ―ド及びそれを用いた情報記録表示システム
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
CA2340005C (en) 1998-08-26 2014-05-06 Sensors For Medicine And Science, Inc. Optical-based sensing devices
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE69831243T2 (de) 1998-10-13 2006-08-10 Sony Deutschland Gmbh Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
WO2000041893A1 (en) 1999-01-15 2000-07-20 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6300141B1 (en) 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
TW508975B (en) 1999-03-29 2002-11-01 Seiko Epson Corp Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor
KR100412743B1 (ko) 1999-03-30 2003-12-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 트랜지스터의 제조 방법
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6387736B1 (en) 1999-04-26 2002-05-14 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for bonding layers in a semiconductor device
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19919448A1 (de) 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
US6736985B1 (en) 1999-05-05 2004-05-18 Agere Systems Inc. High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
JP4136185B2 (ja) 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69913745T2 (de) 1999-05-17 2004-10-07 Goodyear Tire & Rubber Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
ATE344535T1 (de) 1999-07-06 2006-11-15 Elmos Semiconductor Ag Cmos kompatibler soi-prozess
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP4595143B2 (ja) 1999-09-06 2010-12-08 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌデバイスとその製造方法
EP1085320A1 (en) 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
WO2001023131A1 (fr) 1999-09-28 2001-04-05 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Procede et dispositif de perçage par laser
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (en) 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrated circuit
JP2002090725A (ja) * 1999-10-29 2002-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルと液晶表示装置
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
AU779878B2 (en) 1999-12-21 2005-02-17 Flexenable Limited Forming interconnects
EP1243032B1 (en) 1999-12-21 2019-11-20 Flexenable Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
US7002451B2 (en) 2000-01-11 2006-02-21 Freeman Jeffrey R Package location system
JP2002162652A (ja) * 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したｉｃカード及びそれを搭載した電子機器
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
KR100767204B1 (ko) 2000-03-28 2007-10-17 다이어베티스 다이어그노스틱스, 인크. 일회용 전기화학적 센서의 연속 제조 방법
EP1295169B1 (en) * 2000-05-24 2008-06-25 Schott North America, Inc. Electrode for electrochromic devices
US6535057B2 (en) 2000-05-29 2003-03-18 Stmicroelectronics Ltd. Programmable glitch filter
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10032260B4 (de) 2000-07-03 2004-04-29 Texas Instruments Deutschland Gmbh Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6483473B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Marconi Communications Inc. Wireless communication device and method
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
JP2004507096A (ja) 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機電界効果トランジスタ（ｏｆｅｔ），該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US6699728B2 (en) 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
DE10044842A1 (de) 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
US6924688B1 (en) 2000-11-28 2005-08-02 Precision Dynamics Corporation Rectifying charge storage device with antenna
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061299A1 (de) 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10162037A1 (de) 2000-12-18 2002-09-12 Cubit Electronics Gmbh Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bausteine und kontaktloser Transponder
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US6767807B2 (en) 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
JP2002289355A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
EP1381910A1 (en) * 2001-04-24 2004-01-21 MERCK PATENT GmbH Liquid crystal device exhibiting optical properties which are changeable after assembly
DE10120686A1 (de) 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung
AU2002340793A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
CN1292496C (zh) 2001-05-23 2006-12-27 造型逻辑有限公司 器件的图案形成
DE10126859A1 (de) 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003017248A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Sony Corp 電界発光素子
DE20111825U1 (de) 2001-07-20 2002-01-17 Lammering, Thomas, Dipl.-Ing., 33335 Gütersloh Printmedium
DE10141440A1 (de) 2001-08-23 2003-03-13 Daimler Chrysler Ag Tripodegelenk
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6679036B2 (en) 2001-10-15 2004-01-20 Shunchi Crankshaft Co., Ltd. Drive gear shaft structure of a self-moving type mower
DE10151036A1 (de) 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE10153656A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht
DE10160732A1 (de) 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
DE10163267A1 (de) 2001-12-21 2003-07-03 Giesecke & Devrient Gmbh Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts
DE10209400A1 (de) 2002-03-04 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung
US6596569B1 (en) 2002-03-15 2003-07-22 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US7204425B2 (en) 2002-03-18 2007-04-17 Precision Dynamics Corporation Enhanced identification appliance
DE10212640B4 (de) 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
DE10229168A1 (de) 2002-06-28 2004-01-29 Infineon Technologies Ag Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht
EP1383179A2 (en) 2002-07-17 2004-01-21 Pioneer Corporation Organic semiconductor device
CN100338791C (zh) 2002-08-23 2007-09-19 波尔伊克两合公司 用于过电压保护的有机元件及相关电路
US6753994B1 (en) * 2002-10-08 2004-06-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Spatially conformable tunable filter
AT502890B1 (de) 2002-10-15 2011-04-15 Atomic Austria Gmbh Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
US20060118778A1 (en) 2002-11-05 2006-06-08 Wolfgang Clemens Organic electronic component with high-resolution structuring and method for the production thereof
DE10253154A1 (de) 2002-11-14 2004-05-27 Siemens Ag Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe
EP1563553B1 (de) 2002-11-19 2007-02-14 PolyIC GmbH & Co. KG Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
ATE540436T1 (de) 2002-11-19 2012-01-15 Polyic Gmbh & Co Kg Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
US7088145B2 (en) 2002-12-23 2006-08-08 3M Innovative Properties Company AC powered logic circuitry
EP1434281A3 (en) 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
DE10302149A1 (de) 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
US8665247B2 (en) 2003-05-30 2014-03-04 Global Oled Technology Llc Flexible display
US6950157B2 (en) * 2003-06-05 2005-09-27 Eastman Kodak Company Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer
DE10330063A1 (de) 2003-07-03 2005-02-03 Siemens Ag Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz
DE10330064B3 (de) 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
CN101817269B (zh) * 2003-07-14 2012-01-18 Jds尤尼费斯公司 光学可变装置
DE10335336B4 (de) 2003-08-01 2011-06-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene
DE10338277A1 (de) 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
US20060262235A1 (en) * 2003-08-23 2006-11-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of producing a colour display device and colour display device
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340643B4 (de) 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
DE10340644B4 (de) 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340641A1 (de) 2003-09-03 2005-04-07 Siemens Ag Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren
JP4400327B2 (ja) 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
US7122828B2 (en) 2003-09-24 2006-10-17 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same
US7358530B2 (en) 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry
US7057697B2 (en) * 2003-12-12 2006-06-06 M-Display Optronics Corp. In-plane switching liquid crystal display having nanometer scale roughness
US20050232530A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-20 Jason Kekas Electronically controlled volume phase grating devices, systems and fabrication methods
DE102004059464A1 (de) 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009820A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4472627A (en) * 1982-09-30 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury Authenticating and anti-counterfeiting device for currency
US5202677A (en) * 1991-01-31 1993-04-13 Crystal Images, Inc. Display apparatus using thermochromic material
US6259506B1 (en) * 1997-02-18 2001-07-10 Spectra Science Corporation Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials
CN1355745A (zh) * 1999-06-15 2002-06-26 Whd电子检验技术有限公司 光学可变防伪标志
US20040092196A1 (en) * 2000-06-06 2004-05-13 Peter Van De Witte Liquid crystal display device
TW200504712A (en) * 2003-02-27 2005-02-01 Koninkl Philips Electronics Nv Multi-stack information carrier with electrochromic materials

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008545172A (ja) 2008-12-11
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AU2006265350A1 (en) 2007-01-11
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TW200720729A (en) 2007-06-01
CN101258516A (zh) 2008-09-03
US7940340B2 (en) 2011-05-10
WO2007003405A1 (de) 2007-01-11
EP1899901B1 (de) 2015-10-28
US20080198278A1 (en) 2008-08-21

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