WO2005103734A1

WO2005103734A1 - シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用

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Publication number: WO2005103734A1
Application number: PCT/JP2005/007939
Authority: WO
Inventors: Katsumi Sato; Kazuo Inoue; Hitoshi Fujiyama; Mutsuhiko Yoshioka; Hisao Igarashi
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2004-04-27
Filing date: 2005-04-26
Publication date: 2005-11-03
Also published as: TW200602642A; US7737707B2; TWI357499B; CN1957259A; TWI361894B; US7671609B2; WO2005103732A1; EP1744167B1; EP1744166A1; TW200602645A; KR101140505B1; CN1973207A; EP1744167A1; WO2005103730A1; US20070200574A1; TW200538742A; KR20070010068A; KR20070006926A; TW200604533A; EP1744167A4

Abstract

[課題]　微小で微細ピッチな電極を有する回路装置にも安定な接続状態が達成され、電極構造体が絶縁膜から脱落せず高い耐久性が得られ、大面積のウエハや被検査電極のピッチが小さい回路装置に対し、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、良好な接続状態が安定に維持されるシート状プローブおよびその製造方法を提供する。 [解決手段]　絶縁層と、この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであって、電極構造体の各々は、絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きく、短絡部の厚みが、前記絶縁層の厚みより大きいことを特徴とする。

Description

明細書

シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用

技術分野

[0001] 本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、回路に対する電気的接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状プローブおよびその製造方法並びにその応用に関する。

背景技術

[0002] 例えば、多数の集積回路が形成されたウェハや、半導体素子等の電子部品などの回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。

[0003] かかる検査用プローブとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。

然るに、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハである場合において、ウェハを検査するための検査用プローブを作製する場合には、非常に多数の検查電極を配列することが必要となるので、検査用プローブは極めて高価なものとなり、また、被検査電極のピッチが小さい場合には、検査用プローブを作製すること自体が困難となる。

[0004] 更に、ウェハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウェハ）毎に異なるため、ウェハにおける多数の被検査電極に対して、検査用プローブの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。

[0005] 以上のような理由から、近年、ウェハに形成された集積回路を検査するための検査用プローブとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブとを備えてなるものが提案されている。（例えば、特許文献 1参照）図 39は、検査用回路基板 85、異方導電性シート 80およびシート状プローブ 90を備えてなる従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。

[0006] このプローブカードにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された多数の検査電極 86を有する検査用回路基板 85が設けられ、この検査用回路基板 85の一面上に、異方導電性シート 80を介してシート状プローブ 90が配置されて!ヽる。

[0007] 異方導電性シート 80は、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、力かる異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献 2等には、金属粒子をエラストマ一中に均一に分散して得られる異方導電性シート (以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示されている。

[0008] また、特許文献 3等には、導電性磁性体粒子をエラストマ一中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート (以下、これを「偏在型異方導電性シート」 t ヽぅ。 )が開示され、更に、特許文献 4等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。

[0009] シート状プローブ 90は、例えば榭脂よりなる柔軟な絶縁性シート 91を有し、この絶縁性シート 91に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体 95が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。

[0010] この電極構造体 95の各々は、絶縁性シート 91の表面に露出する突起状の表面電極部 96と、絶縁性シート 91の裏面に露出する板状の裏面電極部 97とが、絶縁性シート 91をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部 98を介して一体に連結されて構成されている。

[0011] このようなシート状プローブ 90は、一般に、以下のようにして製造される。

先ず、図 40 (a)に示すように、絶縁性シート 91の一面に金属層 92が形成されてなる積層体 90Aを用意し、図 40 (b)に示すように、絶縁性シート 91にその厚み方向に貫通する貫通孔 98Hを形成する。

[0012] 次いで、図 40 (c)に示すように、絶縁性シート 91の金属層 92上にレジスト膜 93を形成したうえで、金属層 92を共通電極として電解メツキ処理を施すことにより、絶縁性シート 91の貫通孔 98Hの内部に金属の堆積体が充填されて金属層 92に一体に連結された短絡部 98が形成されると共に、絶縁性シート 91の表面に、短絡部 98に一体に連結された突起状の表面電極部 96が形成される。

[0013] その後、金属層 92からレジスト膜 93を除去し、更に、図 40 (d)に示すように、表面電極部 96を含む絶縁性シート 91の表面にレジスト膜 94Aを形成すると共に、金属層 92上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜 94Bを形成し、金属層 92に対してエッチング処理を施すことにより、図 40 (e)に示すように、金属層 92における露出する部分が除去されて裏面電極部 97が形成され、これにより、電極構造体 95が形成される。

[0014] そして、絶縁性シート 91および表面電極部 96上に形成されたレジスト膜 94Aを除去すると共に、裏面電極部 97上に形成されたレジスト膜 93を除去することにより、シート状プローブ 90が得られる。

[0015] 上記の検査用プローブにおいては、被検査回路装置に、例えばウェハの表面に、シート状プローブ 90における電極構造体 95の表面電極部 96がウェハの被検查電極上に位置するよう配置される。

[0016] そして、この状態で、ウェハが検査用プローブによって押圧されることにより、異方導電性シート 80が、シート状プローブ 90における電極構造体 95の裏面電極部 97によって押圧される。

[0017] これにより、異方導電性シート 80には、裏面電極部 97と検査用回路基板 85の検査電極 86との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハの被検査電極と検査用回路基板 85の検査電極 86との電気的接続が達成される。

[0018] そして、この状態で、ウェハについて所要の電気的検査が実行される。

そして、このような検査用プローブによれば、ウェハが検査用プローブによって押圧されたときに、ウェハの反りの大きさに応じて異方導電性シート 80が変形するため、ウェハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。

[0019] しかしながら、上記の検査用プローブにおいては、以下のような問題がある。上記のシート状プローブ 90の製造方法における短絡部 98および表面電極部 96を形成する工程においては、電解メツキによるメツキ層が等方的に成長するため、図 41 に示すように、得られる表面電極部 96においては、表面電極部 96の周縁から短絡部 98の周縁までの距離 Wは、表面電極部 96の突出高さ hと同等の大きさとなる。

[0020] 従って、得られる表面電極部 96の径 Rは、突出高さ hの 2倍を超えて相当に大きいものとなる。

そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さ!、ピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体 95間の離間距離を十分に確保することができず、その結果、得られるシート状プローブ 90においては、絶縁性シート 91による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。

[0021] また、電解メツキ処理において、金属層 92の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁性シート 91の貫通孔 98H毎にメツキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部 96の突出高さ hや、表面電極部 96の周縁から短絡部 98の周縁までの距離 W すなわち径 Rに大きなバラツキが生じる。

[0022] そして、表面電極部 96の突出高さ hに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部 96の径に大きなノラツキがある場合には、隣接する表面電極部 96同士が短絡する恐れがある。

[0023] 以上において、表面電極部 96の突出高さ hを小さくする手段があり、この得られる表面電極部 96の径を小さくする手段としては、短絡部 98の径（断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示す。）rを小さくする、すなわち絶縁性シート 91の貫通孔 98Hの径を小さくする手段が考えられるが、前者の手段によって得られるシート状プローブにお 1ヽては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となる。

[0024] 一方、後者の手段では、電解メツキ処理によって短絡部 98および表面電極部 96を形成すること自体が困難となる。

このような問題を解決するため、特許文献 5および特許文献 6において、それぞれ基端力先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。

[0025] 特許文献 5に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。

図 42 (a)に示すように、絶縁性シート 91の表面にレジスト膜 93Aおよび表面側金属層 92Aがこの順で形成され、絶縁性シート 91の裏面に裏面側金属層 92Bが積層されてなる積層体 90Bを用意する。

[0026] そして、図 42 (b)に示すように、この積層体 90Bにおける裏面側金属層 92B、絶縁性シート 91およびレジスト膜 93Aの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成する。

[0027] これによつて、積層体 90Bの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所 90Kを形成する次いで、図 42 (c)に示すように、この積層体 90Bにおける表面側金属層 92Aを電極としてメツキ処理することにより、電極構造体形成用凹所 90Kに金属を充填して表面電極部 96および短絡部 98を形成する。

[0028] そして、この積層体における裏面側金属層 92Bにエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図 42 (d)に示すように、裏面電極部 97を形成し、これにより

、シート状プローブ 90が得られる。

[0029] また、特許文献 6に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。

図 43 (a)に示すように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁性シートより大きい厚みを有する絶縁性シート材 91Aの表面に表面側金属層 92Aが形成され、絶縁性シート材 91Aの裏面に裏面側金属層 92Bが積層されてなる積層体 90Cを用意する。

[0030] そして、図 43 (b)に示すように、この積層体 90Cにおける裏面側金属層 92Bおよび絶縁性シート材 91Aの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、積層体 90Cの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所 90Kを形成する。

[0031] 次いで、この積層体 90Cにおける表面側金属層 92Aを電極としてメツキ処理することにより、図 43 (c)に示すように、電極構造体形成用凹所 90Kに金属を充填して表面電極部 96および短絡部 98を形成する。

[0032] その後、この積層体 90Cにおける表面側金属層 92Aを除去すると共に、絶縁性シート材 91Aをエッチング処理して絶縁性シートの表面側部分を除去することにより、図 43 (d)に示すように、所要の厚みの絶縁性シート材 91を形成すると共に、表面電極部 96を露出させる。

[0033] そして、裏面側金属層 92Bをエッチング処理することにより、裏面電極部 97を形成し、図 43 (e)に示したようにシート状プローブ 90が得られる。

このようなシート状プローブ 90によれば、表面電極部 96がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部 96を、隣接する電極構造体の表面電極部 96との離間距離が十分に確保された状態で形成することができると共に、電極構造体 95の各々の表面電極部 96は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所 90Kをキヤビティとして成形されるため、表面電極部 96の突出高さのバラツキが小さ Vヽ電極構造体 95が得られる。

[0034] しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものであるため、電極構造体が絶縁性シートの裏面力も脱落してしまい、シート状プローブを実際上使用することは困難である。

この問題点を解決するために、例えば、特許文献 7に示される径が小さいテーパ状の電極構造体における表面電極部側に保持部を有し、電極構造体が絶縁性シートの裏面力脱落することを防止したシート状プローブが提案されている。

[0035] 特許文献 7に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。

図 44 (a)に示すように、表面側金属層 122、絶縁性シート 124、第 1の裏面側金属層 126、絶縁層 128、第 2の裏面側金属層 130からなる 5層の積層材料 132を用意する。

図 44 (b)に示すように、この積層体 132における第 2の裏面側金属層 130に開口部 134を設け、この開口部 134より絶縁層 128にエッチングを行、絶縁層 128に貫通孔 136を設ける。 [0036] 次に、絶縁層 128の貫通孔の底部に露出した第 1の裏面側金属層 126にエツチングを行って絶縁性シート 124をその貫通孔 136の底部に露出させる。

そして、第 1の裏面側金属層 126の貫通孔 136を通じて絶縁性シート 124にエッチングを行!、貫通孔 136の底部に表面側金属層 122を露出させる。

[0037] このように金属層と榭脂層（絶縁層 128、絶縁性シート 124)を交互にエッチングを行うとによって、第 2の裏面側金属層 130、絶縁層 128、第 1の裏面側金属層 126、絶縁性シート 124の各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔 138を形成し、積層体 132の裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所 90Kを形成する。

[0038] 次いで、この積層体 132における表面側金属層 122を電極としてメツキ処理することにより、図 44 (c)に示すように、電極構造体形成用凹所 90Kに金属を充填して表面電極部 96および短絡部 98を形成する。

その後、この積層体 132における表面側金属層 122を除去すると共に、絶縁性シート 124をエッチング処理して絶縁性シート 124を除去して第 1の裏面側金属層 126 を露出させる（図 44 (d) )。

[0039] そして、第 1の裏面側金属層 126をエッチング処理して保持部を形成するとともに、第 1の裏面側金属層 126をエッチング処理してその一部を除去することにより、裏面電極部 97および支持部を形成し、図 44 (e)に示したようにシート状プローブ 90が得られる。

[0040] し力し、この製造方法により得られるシート状プローブにおいては、積層体 90Cの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所 90Kを形成するので、電極構造体形成用凹所の先端径 92Tは積層体 90Cの裏面に形成した開口部 92Hの径より小さなものとなる

[0041] そして、特許文献 7のシート状プローブの作製工程では、ポリイミド等の絶縁層に対して電極構造体を形成するための貫通孔を形成している。

この貫通孔は、図 45に示したように、第 2の裏面側金属層 130の片面に、貫通孔を形成する部分に開口 140aを有するフォトレジスト膜 140のパターンを形成し、シート全体をエッチング液に浸漬してエッチングを行うことにより、ポリイミドから構成される絶縁層 128、絶縁性シート 124に貫通孔を形成することにより得ることができる。

[0042] この方法では、絶縁性シート 124に積層された表面側金属層 122が底面に露出した貫通孔 142aが形成され、この表面側金属層 122を共通電極として電解メツキを行う工程を経て、電極構造体が形成される。

[0043] しかし、ポリイミドから構成される絶縁層 128、絶縁性シート 124に対してエッチングにより貫通孔を形成する場合、図 45に示したように貫通孔 142aはテーパ状となり、奥に行くほどその径が次第に小さくなる。

このため、膜厚の厚いポリイミド膜を用いると、表面側金属層 122まで到達する前に孔が閉じてしま!/、、貫通孔 142aが形成できな、。

[0044] すなわち、従来のように、電極構造体を形成するための貫通孔を、ポリイミドの絶縁層にエッチングカ卩ェにより形成しょうとすると、フォトレジスト膜 140により表面が覆われた絶縁層 128の膜厚 tlと絶縁層 128の膜厚 t2が厚くなると、表面側金属層 122までの間に貫通孔 142aが形成されないという問題があった。

[0045] すなわち、エッチング処理でのエッチング処理角度 Θは、加工条件により異なるとされている力一般的に 45° 〜55° と言われている。

このため絶縁性シート 124と絶縁層 128の膜厚 tlと t2の合計の膜厚は、開口径 φ

1の 1Z2程度以下でなければ、絶縁層に確実に貫通孔 142aを開けることができない。

[0046] そのため、確実に貫通孔 142aを形成するためには、絶縁性シート 124の膜厚 tl、または絶縁層 128の膜厚 t2を小さくする必要があり、そのため突起高さの大きい表面電極部を形成することが困難な場合があった。シート状プローブの電極構造体の厚みが小さくなると、例えば、被検査回路装置の被検査電極が周囲を厚みの大きい絶縁層により囲まれて、る場合等にぉ、て、電極構造体と被検査電極との接続が困難となることがある。

[0047] そして、この製造方法においては、電極構造体の厚みは、絶縁性シート 124および絶縁層 128の厚みの合計とほぼ等しくなり、短絡部の厚みは、絶縁層 128の厚みと同一となる。従って、電極構造体の厚み大きくするためには、絶縁層の厚みも大きくする必要がある。

[0048] 絶縁層の厚みの大きいシート状プローブは、繰り返し使用耐久性において高い耐久性を示すという効果がある力一方において、絶縁層の厚み方向の変形量が小さくなり、そのため電極構造体の厚さ方向の移動量が小さくなることがあった。

特に、電極構造体の平面方向における位置ずれを低減するために、金属支持体に絶縁膜を支持した形状のシート状プローブにおいては、電極構造体の厚さ方向の移動量がよりいつそう低下する傾向があった。

[0049] このシート状プローブの電極構造体の厚み方向の移動量の低下は、シート状プローブを用いたプローブカードの凹凸吸収能の低下を生じる。

すなわち、プローブカードにおいては、異方導電性コネクターの凹凸吸収能と、シート状プローブの凹凸吸収能の合計力プローブカードの凹凸吸収能となる。そのため、シート状プローブの凹凸吸収能の低下は、プローブカードの凹凸吸収能の低下を生じさせる。

[0050] 凹凸吸収能が低下したプローブカードにおいては、回路装置の被検査電極に高さノラツキがある場合には、すべての被検査電極にプローブカードが電気的に接続を達成するためには、大きな加圧圧力が必要となる。このため、異方導電性コネクターの導電部の圧縮変形量が増大するため、異方導電性コネクターが早期に導電部の永久変形が生じて電気的接続が困難となり、異方導電性コネクターの交換が必要となり、検査コストの増大を生じさせる。

[0051] さらには、回路装置の被検査電極が半田バンプ電極のように高さバラツキが大きいものに対しては、すべての被検査電極にプローブカードが電気的に接続を達成することが不可能となる場合もあった。

従って、シート状プローブとしては、電極構造体の厚み方向への移動量が大きいこと力凹凸吸収能の大きヽプローブカードを得るために望まれてヽた。

[0052] 凹凸吸収能を大きくする手段としては、例えば、特許文献 8に示すようなシート状コネクターが知られている。

このシート状コネクタ一は、絶縁性シートに形成されたテーパ状の貫通孔内に、この貫通孔に適合するテーパ状の可動導体が、絶縁性シートに対して厚み方向に移動可能に設けられた複合導電性シートと、この複合導電性シートの一面および他面の各々に配置された、 2つの異方導電性エラストマ一シートとよりなる異方導電性コネクターである。

[0053] このような複合導電性シートを有する異方導電性コネクターによれば、複合導電性シートにおける可動電極力厚み方向に移動可能とされているため、厚み方向にカロ圧されたときには、複合導電性シートの一面および他面の各々に配置された 2つの異方導電性エラストマ一シートが、互いに連動して圧縮変形するため、両者の有する凹凸吸収能の合計が、異方導電性コネクターの凹凸吸収能として発現され、従って、高い凹凸吸収能を得ることができる。

[0054] また、所要の凹凸吸収能を得るために必要な厚みは、 2つの異方導電性エラストマ一シートの合計の厚みによって確保すればよぐ個々の異方導電性エラストマーシートとしては、厚みが小さいものを用いることができるので、高い分解能を得ることができる。

[0055] し力しながら、上記の異方導電性コネクターにおいては、実用上、以下のような問題がある。

上記の異方導電性コネクターにおいて、複合導電性シートの可動導体は、絶縁性シートおよび異方導電性エラストマ一シートの両方に支持されており、複合導電性シ一トと異方導電性エラストマ一シートとを分離した場合には、可動導体が絶縁性シートから脱落するおそれがあるため、複合導電性シートを単独で取り扱うことは実際上極めて困難である。

[0056] 従って、異方導電性コネクターにおける複合導電性シートおよび異方導電性エラストマ一シートのいずれか一方に故障が生じたときには、複合導電性シートまたは異方導電性エラストマ一シートのみを新たなものに交換することができず、異方導電性コネクター全体を新たなものに交換しなければならな、。そして、上記のシート状コネクターにおいては、可動導体およびその突出部を形成するために、絶縁性シート材料と突出部形成用補助層が積層された積層材料に、絶縁性シート側面からレーザー加工を行！ヽテーパ状の貫通孔を形成して！/ヽる。

[0057] そのため、特許文献 7の電極構造体形成用凹所 90Kの形成において説明したような、厚みの大きい積層シートに加工を行う場合における、可動導体の先端部の径の微小化や、後述の被検査対象であるウェハの電極ピッチが狭小化された際における、隣接する可動導体間の絶縁性を確保という問題点を有するものであり、ウェハ検査用のシート状プローブとして使用するには懸念がある。

[0058] 被検査対象であるウェハの電極ピッチの狭小化に伴い、シート状プローブの電極構造体の配置ピッチも短くなり、現状では、通常 100〜120 /ζ πιである力将来的には、例えば、 100 m未満、さらには、 80 m以下まで短くする必要があると考えられる。

一方で、隣接する電極構造体間の絶縁性を確保するためには、これらの間の絶縁部の幅（電極構造体の配置ピッチと開口径 φ 1との差）として、例えば、 40-50 μ m が必要とされる。

[0059] ポリイミド膜の強度を確保するために厚さが大きいものを使用する場合、エッチングにより貫通孔を形成するためには、上記したように。開口径 φ 1を大きくする必要があるが、電極構造体の配置ピッチを一定として、開口径 φ 1を大きくしていくと、隣接する電極構造体間の絶縁性が確保できなくなる。

[0060] このため、電極構造体の配置ピッチを小さくすると、ポリイミド膜の厚さが制限され、例えば、電極構造体の配置ピッチを 120 μ m、貫通孔の開口径 φ 1を 70 μ mとする場合、使用するポリイミド膜の厚さ tを 35 m以下とする必要があり、底面側の開口径 φ 2をある程度以上とするためには、厚さ tをさらに小さくしなければならない。

[0061] また、仮に絶縁層 128の強度を上げるため 50 m厚の絶縁層 128を使用したいとすると、貫通孔の開口径 φ 1を 100 m以上にしなければならず、製造される電極構造体の隣接する絶縁層間の絶縁性の確立が困難となるため、絶縁層 128の厚みにあわせて、開口径を大きくすることは不可能である。

[0062] 図 45のようなテーパ状の貫通孔 142aに電極構造体を形成した場合、エッチング方向奥側の開口径 Φ 2が小さいと、電気抵抗値が増加するため、この小径部分の開口径 φ 2は、できるだけ大きいことが望ましい。

[0063] さらに、この開口径 φ 2が小さいと、この小径部分が電気抵抗値へ影響するため、シート状プローブに設けられた各電極構造体間での電気的抵抗値のバラツキが大きくなることち懸念される。

特許文献 1 :特開平 7— 231019号公報

特許文献 2：特開昭 51— 93393号公報

特許文献 3：特開昭 53— 147772号公報

特許文献 4：特開昭 61 - 250906号公報

特許文献 5：特開平 11― 326378号公報

特許文献 6 :特開 2002— 196018号公報

特許文献 7：特開 2004— 172589号公報

特許文献 8：特開 2001 - 351702号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0064] 本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、本発明の目的は、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、 160 m以下、更に 120 /z m以下、特に 100 m以下の小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しカゝも、電極構造体が絶縁層から脱落することがなぐ高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することにある。

[0065] 本発明の目的は、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても、安定な電気的接続状態を確実に達成でき高い耐久性を有する、絶縁層の厚みが小さぐ電極構造体の厚みが大きぐ凹凸吸収能が大きいシート状プローブを提供することにある。

本発明の目的は、絶縁層の厚み方向に移動可能な電極構造体を有し、電極構造体が絶縁層から脱落することがなぐ単独でも取り扱い易いシート状プローブを提供することにある。

[0066] 本発明の目的は、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができ、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても、安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することがなぐ絶縁層の厚みが小さくて高い耐久性が得られるシート状プローブを製造することができる方法を提供することにある。

[0067] 本発明の目的は、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができ、小さいピッチで電極が形成され、電極の高さバラツキの大きい回路装置に対しても、安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することのなぐ絶縁層の厚み方向に移動可能な電極構造体を有する、高い耐久性が得られるシート状プローブを製造することができる方法を提供することにある。

[0068] また、本発明は、検査対象が、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや、被検査電極のピッチが 100 μ m以下の極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブおよびその製造方法を提供することを目的として!/ヽる。

[0069] 本発明の目的は、上記のシート状プローブを備えたプローブカードを提供することにある。

本発明の目的は、上記のプローブカードを備えた回路装置の検査装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0070] 本発明のシート状プローブは、

絶縁層と、

この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであつて、

前記電極構造体の各々は、

前記絶縁層の表面に露出し、前記絶縁層の表面力突出し、その基端から先端に向力うに従って小径となる形状の表面電極部と、

前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、

前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、前記表面電極部の基端の径が、前記短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きぐ

前記短絡部の厚みが、前記絶縁層の厚みより大きい、

ことを特徴とする。

[0071] 本発明のシート状プローブは、

前記短絡部が、前記絶縁層に対して、その厚み方向に移動可能とされていることが好ましい。

[0072] 本発明のシート状プローブは、

絶縁層の厚み方向における電極構造体の移動可能距離力 5〜30 /z mであることが好ましい。

[0073] 本発明のシート状プローブの製造方法は、

少なくとも絶縁性シートと、

この絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、

前記絶縁性シートの裏面に形成された第 1の裏面側金属層とを有する積層体を用 ¾、し、

この積層体における第 1の裏面側金属層と絶縁性シートに互いに連通する、厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に、表面電極部形成用凹所を形成し、

この積層体に対し、

その表面側金属層を電極としてメツキ処理を施して、表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、絶縁層の表面力突出する表面電極部を形成し、

その後に、前記積層体の裏面側に、厚み方向に複数のエッチング速度の異なる榭脂層により構成された絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された第 2の裏面側金属層を形成し、

この積層体における第 2の裏面側金属層および絶縁層の各々に互いに連通し、底面に表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成し、

この積層体に対し、

その表面側金属層を電極としてメツキ処理を施して、短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、表面電極部の基端力連続して絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成した後、

第 2の裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、裏面電極部を形成し、前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第 1の裏面側金属層を露出させ、

その後、前記第 1の裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分力連続して、前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を形成し、

その後、絶縁層にエッチング処理を行い、絶縁層の表面側部分を除去して、絶縁層の厚みを小さくする工程、

を有することを特徴とする。

[0074] 本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記絶縁層を構成するエッチング速度の異なる榭脂層のうち、表面電極部と接する側の榭脂層のエッチング速度が速、ことが好ま、。

[0075] 本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記絶縁層を構成するエッチング速度の異なる複数の榭脂層のうち、少なくとも一層の榭脂層を除去することが好ましい。

[0076] 本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記絶縁層が、金属層を介して積層される複数の榭脂層より形成されており、金属層より表面電極部側の榭脂層をエッチングにより除去することが好ましい。

[0077] 本発明のプローブカードは

検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、

検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、

この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、

この異方導電性コネクター上に配置された上記のいずれかに記載のシート状プローブと、を備えてなることを特徴とする。

[0078] 本発明のプローブカードは

この異方導電性コネクター上に配置された上記のいずれかの方法にて製造されたシート状プローブと、

を備えてなることを特徴とする。

[0079] 本発明のプローブカードは

検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハであり、異方導電性コネクタ一は、

検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、

このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、

を有してなることが好まし、。

[0080] 本発明の回路装置の検査装置は、

上記のいずれかのプローブカードを備えてなることを特徴とする。

[0081] 本発明のウェハの検査方法は、

複数の集積回路が形成されたウェハの各集積回路を、

上記いずれかに記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とする。

発明の効果

[0082] 本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きい構造となっているため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。

[0083] 本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の厚みが大きいので、被検査電極が周囲を厚みの大き、絶縁層により囲まれてヽる被検査回路装置であっても、電極構造体と被検査電極との接続が容易である。

[0084] 本発明のシート状プローブによれば、検査対象が、直径が 8インチ以上の大面積のウェハで、被検査電極のピッチが、 120 m以下の小さい回路装置であっても、表面電極部の先端の径を適度な大きさで突出高さが大きぐ表面電極部の径が短絡部の径より大きくても、隣接する電極構造体間の絶縁性が確保され、電極構造体が絶縁層から脱落することがない。そして、絶縁層の厚みが小さいため、電極構造体の厚さ方向の移動が容易であり、シート状プローブの凹凸吸収能が大きくなる。

そのため、本発明のシート状プローブを用いたプローブカードの凹凸吸収能が向上し、被検査回路装置の被検査電極に高さバラツキがある場合おいても、容易にすベての被検査電極にプローブカードが電気的に接続を達成することができる。

[0085] 本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の短絡部が、絶縁層に対してその厚み方向に移動可能とされているので、シート状プローブの凹凸吸収能が大きくなる。

[0086] 本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の短絡部が絶縁層に対してその厚み方向に移動可能であって、電極構造体の表面電極部と裏面電極部が短絡部よりも大きいため、電極構造体が絶縁層より脱落することがないので、シート状プローブを単独でも容易に取り扱うことができる。そのため、このシート状プローブを用いたプローブカードおよび回路装置の検査装置は、異方導電性コネクターやシート状プローブの交換が容易であるため回路装置の検査効率が向上する。

[0087] 本発明のシート状プローブの製造方法によれば、

その表面側金属層を電極としてメツキ処理を施して、表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、絶縁層の表面力突出する表面電極部を形成し、その後に、厚み方向に複数のエッチング速度の異なる榭脂層により構成された絶縁層を積層し、この絶縁層に短絡部形成用凹所を形成して金属を充填することにより、短絡部を形成し、

その後に、絶縁層にエッチング処理を行い、絶縁層の表面側部分を除去して、絶縁層の厚みを小さくするので、

短絡部の厚み力絶縁層の厚みより大きいシート状プローブを有利に製造することができる。

[0088] 本発明のシート状プローブの製造方法によれば、

絶縁層がエッチング速度の異なる複数の榭脂層により構成され、表面電極部と接する側の榭脂層のエッチング速度が速、ため、容易に表面電極部と接する側の榭脂層を除去することができ、短絡部の厚みが絶縁層の厚みより大きいシート状プローブを有利に製造することができる。

[0089] 本発明のシート状プローブの製造方法によれば、

絶縁層が、金属層を介して積層される複数の榭脂層より形成されているので、容易に表面電極部と接する側の榭脂層を除去することができ、短絡部の厚みが絶縁層の厚みより大きいシート状プローブを有利に製造することができる。

図面の簡単な説明

[0090] [図 1]図 1は、本発明のシート状プローブの第 1の実施例における構成を示す説明用断面図、図 1 (a)は平面図、図 1 (b)は X— X線による断面図である。

[図 2]図 2は、図 1のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である

[図 3]図 3は、本発明に係る第 1の実施例のシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。

[図 4]図 4は、本発明に係る第 1の実施例のシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。

[図 5]図 5 (a)は、本発明のシート状プローブにおける接点膜の支持部の断面図、図 5

(b)は、本発明のシート状プローブにおける接点膜の支持部の断面図である。

[図 6]図 6は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図 6 (a) は平面図、図 6 (b)は X— X線による断面図である。

[図 7]図 7は、本発明に係る第 2の実施例のシート状プローブの説明用断面図である

[図 8]図 8は、本発明に係る第 2の実施例のシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。

[図 9]図 9は、本発明に係る第 1の実施例のシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。

[図 10]図 10は、本発明のシート状プローブの第 1の実施例の製造方法を示す部分拡大断面図である。

[図 11]図 11は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した断面図である。

[図 12]図 12は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した断面図である。

[図 13]図 13は、本発明のシート状プローブの第 1の実施例の製造方法を示す部分拡大断面図である。

[図 14]図 14は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 15]図 15は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 16]図 16は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 17]図 17は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 18]図 18は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 19]図 19は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 20]図 20は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。

[図 21]図 21は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。

[図 22]図 22は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。

[図 23]図 23は、本発明に係る第 2の実施例のシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。

[図 24]図 24は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。

[図 25]図 25は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。

[図 26]図 26は、本発明に係る第 2の実施例のシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。

[図 27]図 27は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブ力ードの実施形態を示した断面図である。

[図 28]図 28は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブ力ードの他の実施形態を示した断面図である。

[図 29]図 29は、図 28のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。

[図 30]図 30は、図 28に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。

[図 31]図 31は、図 29に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。

[図 32]図 32は、図 30、図 28に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。

[図 33]図 33は、実施例で作製した試験用ウェハを示す平面図である。

[図 34]図 34は、図 33に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。

[図 35]図 35は、図 34に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。 [図 36]図 36は、実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。

[図 37]図 37は、図 36に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。

[図 38]図 38は、本発明のシート状プローブの金属フレーム板の形状を説明する平面図である。

[図 39]図 39は、従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。

[図 40]図 40は、従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。

[図 41]図 41は、図 40に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。

[図 42]図 42は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。

[図 43]図 43は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。圆 44]図 44は、比較例 1のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 45]図 45は、従来のシート状プローブの、貫通孔を説明する概略図である。

符号の説明

1 プローブカード

2 支持部材

3 加圧板

4 ウェハ載置台

5 加熱器

6 ウエノヽ

7 被検査電極

8 接着剤

9 接点膜

10 シート状プローブ

10A 積層体

10B 積層体

10C 積層体 K 表面電極部形成用凹所絶縁性シート

H 貫通孔

貫通孔

A レジスト膜

H パターン孔

A レジスト膜

H パターン孔

A レジスト膜

電極構造体

表面電極部

A 表面側金属層裏面電極部

A 第 2の裏面側金属層E レジスト膜

F レジスト膜

H パターン孔（貫通孔）短絡部

B 絶縁層

C ポリイミド層

K 短絡部形成用凹所H 貫通孔

保持部

A 第 1の裏面側金属層H パターン孔

検査用回路基板

検査電極

支持部金属フレーム板

金属フレーム板

開口部

A レジスト膜

B レジスト膜

H パターン孔

K パターン孔

異方導電性コネクターフレーム板

開口

異方導電性シート導電部

絶縁部

突出部

A 保護フィルム

B 保護フィルムガイドピン

異方導電性シート検査用回路基板

検査電極

シート状プローブ

A 積層体

B 積層体

C 積層体

K 電極構造体形成用凹所絶縁性シート

A 絶縁性シート材金属層 92A 表面側金属層

92B 裏面側金属層

92H 開口部

93 レジスト膜

93A レジスト膜

94A レジスト膜

94B レジスト膜

95 電極構造体

96 表面電極部

97 裏面電極部

98 短絡部

98H 貫通孔

122 表面側金属層

124 絶縁性シート

126 第 1の裏面側金属層

128 絶縁層

130 第 2の裏面側金属層

132 積層体

132 積層材料

134 開口部

136 貫通孔

138 貫通孔

140 フォトレジスト膜

140a 開口

142a 貫通孔

218A ポリイミド層

218B ポリイミドフィルム

219 ^属^ 220 金属薄層

318 貫通孔

発明を実施するための最良の形態

[0092] 以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

<第 1の実施例のシート状プローブ >

図 1は、本発明のシート状プローブの第 1の実施例における構成を示す説明用断面図であり、図 1 (a)は平面図、図 1 (b)は X— X線による断面図、図 2は、図 1のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図 3は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図、図 4は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。

[0093] 本実施形態のシート状プローブ 10は、複数の集積回路が形成された 8インチ等のウェハについて、各集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために用いられる。このシート状プローブ 10は、図 1 (a)に示したように、被検査対象であるウェハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された金属フレーム板 25を有し、この貫通孔内には接点膜 9が配置されている。

[0094] 接点膜 9は、金属フレーム板 25の貫通孔周辺の支持部 22で、金属フレーム板 25 に支持されている。

図 1 (b)に示したように、この支持部 22は、金属フレーム板 25の上に、絶縁膜からなる接点膜 9が形成され、この金属フレーム板 25によって接点膜 9が支持されている

[0095] 接点膜 9は、図 2に示したように、柔軟な絶縁層 18Bに電極構造体 15が貫通形成された構造になっている。

即ち、絶縁層 18Bの厚み方向に延びる複数の電極構造体 15が、検査対象であるウェハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層 18Bの面方向に互いに離間して配置されている。

[0096] また、図 3に示したように、電極構造体 15の各々は、絶縁層 18Bの表面に露出し、絶縁層 18Bの表面力も突出する突起状の表面電極部 16を備えている。そして、電極構造体 15は、絶縁層 18Bの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部 17を備えている。

また、電極構造体 15は、表面電極部 16の基端カゝら連続して、絶縁層 18Bをその厚み方向に貫通して伸びて、裏面電極部 17に連結された短絡部 18を備えている。さらに、電極構造体 15は、表面電極部 16の基端部分の周面カゝら連続して絶縁層 18Bの表面に沿って外方に放射状に伸びる、円形リング板状の保持部 19を備えている。

[0097] この第 1の実施例の電極構造体 15においては、表面電極部 16が、短絡部 18に連続して基端力先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、表面電極部 16の基端に連続する短絡部 18が、絶縁層 18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされて、る。

[0098] また、図 4に示したように、保持部 19の径 R6が基端に連続する短絡部 18の一端の径 R3より大きくなつている。

そして、短絡部 18の厚み d3より絶縁層 18Bの厚み dは小さ!/、ものとなって!/、る。

[0099] 絶縁層 18Bとしては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなぐ例えばポリイミド榭脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系榭脂などよりなる榭脂シート、繊維を編んだクロスに上記の榭脂を含浸したシートなどを用いることができる力短絡部 18を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましぐ特にポリイミドが好ましい。

[0100] また、絶縁層 18Bの厚み dは、絶縁層 18Bが柔軟なものであれば特に限定されないが、 5〜50 mであることが好ましぐより好ましくは 10〜30 /ζ πιである。

金属フレーム板 25は絶縁層 18Bと一体的に設けられるもので、絶縁層 18Bと積層された状態で絶縁層 18Bの表面に設けられてもよぐ絶縁層 18Bに中間層として含まれてもよい。

[0101] そして、金属フレーム板 25は、電極構造体 15とは離間して配置され、電極構造体 1 5と金属フレーム板 25は絶縁層 18Bにより連結されるので、電極構造体 15と金属フレーム板 25は電気的には絶縁されている。

[0102] また、後述するシート状プローブ 10の製造方法によれば、金属フレーム板 25は第 2 の裏面側金属層 17Aの一部を除去することにより形成されるものである。

金属フレーム板 25となる第 2の裏面側金属層 17Aを構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタンまたはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができる力後述する製造方法にぉ、ては、エッチング処理によって容易に第 2の裏面側金属層 17A を金属フレーム板 25と裏面電極部 17に分離分割できる点で、 42合金、インバー、コバールなどの鉄ニッケル合金鋼や銅、ニッケルおよびこれらの合金が好まし！/、。

[0103] また、金属フレーム板 25としては、その線熱膨張係数が 3 X 10—⁵ΖΚ以下のものを用いることが好ましぐより好ましくは一 1 X 10— ⁷〜1 Χ 10— ⁵ΖΚ、特に好ましくは一 I X

10— ⁶〜8 X 10— 6/Κである。

[0104] このような金属フレーム板 25を構成する材料の具体例としては、インバーなどのィンバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーノ一インノ一、コノ一ノレ、 4

2合金などの合金または合金鋼が挙げられる。

[0105] 金属フレーム板 25の厚みは、 3〜： LOO μ mであることが好ましぐより好ましくは 5〜

50 μ mである。

この厚みが過小である場合には、シート状プローブを支持する金属フレーム板として必要な強度が得られないことがある。一方、この厚みが過大である場合には、後述する製造方法において、エッチング処理によって第 2の裏面側金属層 17Aより金属フレーム板 25と裏面電極部 17に分離分割することが困難となることがある。

[0106] また、絶縁性シートをエッチング等により、図 11 (a)、（b)示したように、多数の接点膜 9に分離して金属フレーム板 25に支持させてもよい。

この場合、金属フレーム板 25の各々の開口部 26に電極構造体 15を保持する柔軟な接点膜 9が互ヽに独立した状態（図 11 (a) ) ,部分的に独立した状態（図 11 (b) )で配置される。

[0107] 接点膜 9の各々は、図 11 (a)、（b)に示すように、柔軟な絶縁層 18Bを有し、この絶縁層 18Bには、当絶縁層 18Bの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体 1 5が、検査対象であるウェハの電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁層 18Bの面方向に互いに離間して配置されており、接点膜 9は、金属フレーム板 25の開口部内に位置するよう配置されている。

[0108] 電極構造体 15を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、ノラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体 15としては、全体が単一の金属よりなるものであつても、 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであってもよぐ表面電極部 16と短絡部 18が異なる金属により構成されてもよい。

[0109] また、電極構造体 15における表面電極部 16および裏面電極部 17の表面には、電極部の酸ィ匕を防止すると共に、接触抵抗の小さい電極部を得るために、金、銀、パラジゥムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていてもよい。

[0110] 電極構造体 15において、図 4に示したように、表面電極部 16の基端における径 R1 に対する先端における径 R2の比（R2ZR1)は、 0. 11-0. 9であることが好ましぐより好ましくは 0. 15〜0. 6である。

電極構造体 15の配置ピッチは、接続すべき回路装置の被検査電極のピッチと同一のものとされる力 40〜160 μ mピッチであることが好ましぐ 40〜120 μ mであることがより好ましぐ特に、 40〜 100 mであることが好ましい。

[0111] このような条件を満足することにより接続すべき回路装置が、ピッチが 120 m以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが 100 m以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。

[0112] また、表面電極部 16の基端の径 R1は、電極構造体 15のピッチの 30〜70%であることが好ましぐより好ましくは 35〜60%である。

また、図 4に示したように、表面電極部 16の基端における径 R1に対する突出高さ h 1の比 hlZRlは、 0. 2〜0. 8であることが好ましぐより好ましくは 0. 25〜0. 6である。

[0113] このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置がピッチが 120 m以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが 100 m以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、電極のパターンに対応するパターンの電極構造体 15 を容易に形成することができ、回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。

[0114] 表面電極部 16の基端の径 R1は、上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して設定される力例えば 30〜80 μ mであり、好ましくは 30〜60 μ mである。表面電極部 16の突出高さ hiの高さは、接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、 12〜50 /ζ πιであることが好ましぐより好ましくは 15 ~30 μ mである。

[0115] また、図 4に示したように、裏面電極部 17の外径 R5は、裏面電極部 17に連結された短絡部 18の絶縁層 18Bの裏面側の径 R4より大きぐかつ、電極構造体 15のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましぐこれにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。

[0116] また、裏面電極部 17の厚み d2は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、 10〜80 mであることが好ましぐより好ましくは 12〜60 mである。

[0117] また、短絡部 18の絶縁層 18Bの裏面側の径 R4に対する絶縁層 18Bの表面側の径 R3の比 R3ZR4は、 0. 2〜1であることが好ましぐより好ましくは 0. 3〜0. 9である。

[0118] また、短絡部 18の絶縁層 18Bの表面側の径 R3は、電極構造体 15のピッチの 10

〜50%であることが好ましぐより好ましくは 15〜45%である。

[0119] また、短絡部 18の厚み d3は、 10〜60 mであることが好ましぐより好ましくは 15

〜40 μ mである。

そして、短絡部 18の厚み d3と絶縁層 18Bの厚み dとの差 h2は、 5〜30 /ζ πι、好ましくは 10〜25 /ζ πιである。

[0120] また、保持部 19の径 R6は、電極構造体 15のピッチの 30〜70%であることが好ましく、より好ましくは 40〜60%である。

[0121] また、保持部 19の厚み dlは、 3〜50 μ mであることが好ましぐより好ましくは 4〜4

0 μ mである。

[0122] また、本発明のシート状プローブ 10では、金属フレーム板 25と裏面電極部 17とが、異なる金属部材カも構成してもよい。

すなわち、後述するように、金属フレーム板 25は、複数個の貫通孔 12が、例えば、パンチング、レーザー加工などによって形成されている金属材料力構成されるものである。

[0123] 一方、後述するように、裏面電極部 17は図 17 (b)、図 17 (c)に示したように、電解メツキ処理を施して各短絡部形成用凹所 18Kおよびレジスト膜 29Aの各パターン孔 2 9H内に金属を充填することにより、裏面電極部 17として形成された金属材料から構成されるちのである。

[0124] このように、金属フレーム板 24と裏面電極部 17とが、異なる金属部材から構成されているので、金属フレーム板 24の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板 24を形成できる。

[0125] さらに、裏面電極部 17が、金属フレーム板 24と異なる金属部材力構成されているので、裏面電極部 17として、金属フレーム板 24としての金属に制約されることがなく、好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極部 17の構成金属として用いることができる。

[0126] この場合、金属フレーム板 24を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部 17を構成する金属部材の構成金属が、異なる金属種の構成金属から構成されて!ヽてもよい。

また、金属フレーム板 24を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部 17を構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属から構成されて!、てもよヽ。

[0127] シート状プローブ 10の周縁部には、図 6に示したように、剛性を有する平板リング状の支持部材 2が設けられている。このような支持部材 2の材料としては、インバー、ス一パーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、 42ァロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。

[0128] また、支持部材 2の厚さとしては、好ましくは、 2mm以上であるのが望ましい。

このような範囲に、リング状の支持部材 2の厚さを設定することによって、金属フレーム板 25と、リング状の支持部材 2の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。

[0129] このような支持部材 2により、その剛性でシート状プローブ 10を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えば、支持部材 2に形成した孔と、プローブカードに設けられたガイドピンとを係合させることにより、あるいは支持部材 2と、プローブ力ード周縁部に設けられた周状の段差部とを嵌め合わせることにより、シート状プロ一ブ 10の接点膜 9に設けられた電極構造体 15を、被検査物の被検査電極や異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができる。さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付き、電極構造体 15の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。

[0130] また、本発明のシート状プローブ 10においては、図 5 (b)に示したように、金属フレーム板 25によって絶縁層 18Bを支持する構造の他、図 5 (a)、図 6 (b)に示したように

、絶縁層 18B中に金属フレーム板 24を有する (挟み込んだ)構造も可能である。

[0131] この図 5 (a)、図 6 (b)に示したシート状プローブ 10においても、接点膜の各々の開口部に電極構造体 15を保持する柔軟な接点膜 9が互いに独立した状態（図 12 (a) )

、部分的に独立した状態（図 12 (b) )で配置されても良、。

[0132] 以下については、図 5 (b)に示したように、金属フレーム板 25によって絶縁層 18B を支持する構造の本発明のシート状プローブ 10について、図 7から図 9に基づいて説明する。

なお、図 9および図 12に示した本発明のシート状プローブ 10の製造方法については、後で詳しく説明するが、金属フレーム板による絶縁層 18Bを支持する形態の違い以外は、基本的に同じ構成である。

[0133] このシート状プローブ 10は、被検査対象であるウェハ上の各集積回路に対応する各位置に形成された貫通孔が形成された金属フレーム板 25を有し、この貫通孔内には接点膜 9が配置されて、る。

[0134] 接点膜 9は、金属フレーム板 25の貫通孔周辺部の支持部 22で、金属フレーム板 2

5に支持されている。

なお、金属フレーム板 25による接点膜 9の支持方法としては、図 5 (b)に示すように接点膜 9の片面において金属フレーム板 25に接するように支持部 22を形成する構造の他に、前述したように、図 5 (a)、図 6 (b)に示すように金属フレーム板 24が榭脂製の絶縁層 18Bによって挟み込まれた状態で支持部 22を形成する構造としてもよい

[0135] このようなシート状プローブ 10は、接点膜の各々の開口部に電極構造体 15を保持する柔軟な接点膜 9が互いに独立した状態（図 11 (a) ) ,部分的に独立した状態（図 11 (b) )で配置されても良い。

[0136] このようなシート状プローブ 10は、図 6 (b)に示したように、接着剤 8を介して金属フレーム板 24力支持部材 2に接着固定されている。

このリング状の支持部材 2の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、 42ァロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。

[0137] このような支持部材 2により、その剛性でシート状プローブ 10を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えばフレーム板に形成した孔と、プローブカードに設けられたガイドピンとを係合させることにより、あるいは支持部材 2と、プローブカード周縁部に設けられた周状の段差部とを互いに嵌め合わせることにより、シート状プローブ 10の接点膜 9に設けられた電極構造体 15を、被検査物の被検査電極ゃ異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができる。

[0138] さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付き、電極構造体 15の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。

[0139] このようなシート状プローブ 10によれば、電極構造体 15には、表面電極部 16の基端部分力も連続して絶縁層 18Bの表面に沿って外方に伸びる保持部 19が形成されているため、表面電極部 16の径が小さいものであっても、保持部 19が絶縁層 18Bの表面に支持されている状態であるので、電極構造体 15が絶縁層 18Bの裏面力も脱落することがなくて高!、耐久性が得られる。

[0140] また、径の小さい表面電極部 16を有することにより、隣接する表面電極部 16の間の離間距離が十分に確保され、絶縁層 18Bの厚みが小さ、ため絶縁層による柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。

<第 1の実施例のシート状プローブの製造方法 >

以下、第 1の実施例におけるシート状プローブ 10の製造方法について説明する。

[0141] まず、絶縁層 18Bを金属フレーム板 25にて支持する構造のシート状プローブ 10の製造方法であるが、図 14 (a)に示すように、絶縁性シート 11と、この絶縁性シート 11 の表面に形成された表面側金属層 16Aと、絶縁性シート 11の裏面に形成された第 1 の裏面側金属層 19Aとよりなる積層体 10Aを用意する。

[0142] 絶縁性シート 11は、絶縁性シート 11の厚みと第 1の裏面側金属層 19Aの厚みとの合計の厚みが、形成すべき電極構造体 15における表面電極部 16の突出高さと同等となるものとされる。

[0143] また、絶縁性シート 11を構成する材料としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなぐ例えばポリイミド榭脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系榭脂などよりなる榭脂シート、繊維を編んだクロスに上記の榭脂を含浸したシートなどを用いることができる力表面電極部 16を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましぐ特にポリイミドが好ましい。

[0144] また、絶縁性シート 11の厚みは、絶縁性シート 11が柔軟なものであれば特に限定されないが、 10〜50 μ mであることが好ましぐより好ましくは 10〜25 μ mである。

[0145] このような積層体 10Aは、例えば一般に市販されている両面に例えば銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用いることができる。

このような積層体 10Aに対し、図 14 (b)に示すように、その表面側金属層 16Aの表面全体に保護フィルム 40Aを積層すると共に、第 1の裏面側金属層 19Aの表面に、形成すべき電極構造体 15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 12Hが形成されたエッチング用のレジスト膜 12Aを形成する。

[0146] ここで、レジスト膜 12Aを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されて、る種々のものを用いることができる。

次いで、第 1の裏面側金属層 19Aに対し、レジスト膜 12Aのパターン孔 12Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図 14 (c)に示すように、第 1の裏面側金属層 19Aに、それぞれレジスト膜 12Aのパターン孔 12Hに連通する複数のパターン孔 19Hが形成される。

[0147] その後、絶縁性シート 11に対し、レジスト膜 12Aの各パターン孔 12Hおよび第 1の裏面側金属層 19Aの各パターン孔 19Hを介して露出した部分に、エッチング処理を施して、露出した部分を除去することにより、図 15 (a)に示すように、絶縁性シート 11 に、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19Hに連通する、絶縁性シート 11の裏面力表面に向力うに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔 11Hが形成される。

[0148] これにより、積層体 10Aの裏面に、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19H、絶縁性シート 11の貫通孔 11Hが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所 10Kが形成される。

[0149] 以上において、第 1の裏面側金属層 19Aをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば銅よりなるものである場合には、塩ィ匕第二鉄水溶液を用いることができる。

[0150] また、絶縁性シート 11をエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸ィ匕カリウム水溶液等を用いることができ、ェツチング処理条件を選択することにより、絶縁性シート 11に、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔 11Hを形成することができる。

[0151] このようにして表面電極部形成用凹所 10Kが形成された積層体 10Aカゝらレジスト膜 12Aを除去し、その後、図 15 (b)に示すように、積層体 10Aに、第 1の裏面側金属層 19Aの表面に、形成すべき電極構造体 15における保持部 19のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 13Hが形成されたメツキ用のレジスト膜 13Aを形成する。

[0152] ここで、レジスト膜 13Aを形成する材料としては、メツキ用のフォトレジストとして使用されて!/、る種々のものを用いることができるが感光性ドライフィルムレジストが好まし!/、

[0153] 次いで、積層体 10Aに対し、表面側金属層 16 Aを電極として、電解メツキ処理を施して各表面電極部形成用凹所 10Kおよびレジスト膜 13Aの各パターン孔 13H内に金属を充填することにより、図 15 (c)に示すように、複数の表面電極部 16、表面電極部 16の各々の基端に連続して絶縁性シート 11の裏面に沿って外側に伸びる保持部 19が形成される。ここで、保持部 19の各々は、第 1の裏面側金属層 19 Aを介して互 V、に連結された状態である。

[0154] そして、レジスト膜 13Aを剥離する。このようにして表面電極部 16、保持部 19が形成された積層体 10Aに、図 16 (a)に示すように第 1の裏面側金属層 19 Aと保持部 19を覆うように絶縁層 18Bを形成し、この絶縁層 18Bの表面に第 2の裏面側金属層 17Aを形成し積層体 10Bとする。

[0155] ここで、絶縁層 18Bは、厚み方向に複数のエッチング速度の異なる榭脂層により構成される。

そして、絶縁層 18Bを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料が用いられ、好ましくはポリイミドである。

ポリイミドとしては、

(1)感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニス、

(2)熱可塑性ポリイミド、

(3)ポリイミドフィルム（例えば、東レ ·デュポン (株）商品名「カプトン」 )

等を用いることができる。

[0156] このうち、上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスは、粘性が低いため溶液塗布することができ、塗布後に硬化 (重合)するので溶媒の蒸発、重合により体積収縮を伴うものである。

このような上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを用いる場合には、これらを積層体 10Aに塗布して硬化することにより、絶縁層 18Bを形成することが好ましい。

[0157] また、上記（2)の熱可塑性ポリイミドにお、ては、

溶媒に溶解させてポリイミド溶液として積層体 10Aに塗布した後、溶媒を蒸発させて絶縁層 18Bとする方法、または、

熱可塑性ポリイミドのフィルムを積層体 10Aに積層し加熱プレスすることによって、積層体 10Aに一体ィ匕させて、絶縁層 18Bとする方法、

を採用することができる。

[0158] さらに、上記（3)のポリイミドフィルムは、熱にも溶媒にも溶けず安定なため、このようなポリイミドフィルムを用いる場合には、

上記（3)のポリイミドフィルムを、熱可塑性ポリイミドフィルムを介して、積層体 10Aに積層して加熱プレスして一体化する方法、

上記（3)のポリイミドフィルムの表面に、上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスによって、半硬化状態のポリイミド層を形成した後に、積層体 10Aに積層して硬化して、一体化する方法、

等により絶縁層 18Bを形成することができる。

[0159] そして、上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを硬化して形成したポリイミド層と、上記（2)の熱可塑性ポリイミドより形成したポリイミド層と、上記（3) のポリイミドフィルとは、各々のエッチング速度は異なるものである。通常において、ポリイミドフィルムのエッチング速度は、上記のポリイミドを硬化して形成したポリイミド層よりも遅いものである。

[0160] そして、例えば、図 10 (a)または図 10 (b)に示したように、ポリイミドフィルム 218Bを上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを硬化して形成したポリイミド層 218A、または、上記（2)の熱可塑性ポリイミドより形成したポリイミド層 218A を介して、積層体 10Aに積層して一体ィ匕することによって、絶縁層 18Bを構成する。これによつて、絶縁層 18Bは、厚み方向にエッチング速度の異なる榭脂層が積層された構造となる。

[0161] すなわち、図 10 (a)に示したように、第 1の裏面側金属層 19Aと保持部 19を覆うように、ポリイミド層 218Aを設けて、第 2の裏面側金属層 17A側にポリイミドフィルム 218 Bを形成して、ポリイミド層 218Aを介して、積層体 10Aに積層して一体ィ匕することによって、絶縁層 18Bを構成すればよい。

[0162] また、図 10 (b)に示したように、第 2の裏面側金属層 17A側にポリイミドフィルム 218 Bとポリイミド層 218Aとを形成して、ポリイミド層 218Aを介して、第 1の裏面側金属層 19Aと保持部 19を覆うように、積層体 10Aに積層して一体ィ匕することによって、絶縁層 18Bを構成すればよい。

[0163] ここで、積層体 10Aに塗布して硬化するポリイミドを、複数種類用いて、複数の異なる種類のポリイミド層 218 Aを形成した後、ポリイミドフィルム 218Bを積層すること〖こより、絶縁層 18Bは、厚み方向にエッチング速度の異なる複数の榭脂層が積層された構造となる（図 10 (a)参照)。

[0164] また、片面に、例えば、 42ァロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを

、ポリイミド層 218Aを介して積層体 10Aに積層することにより絶縁層 18Bと第 2の裏面側金属層 17Aを形成することができる（図 10 (b)参照)。

この場合、第 2の裏面側金属層 17Aは、形成すべき金属フレーム板 25の厚みと同等の厚みを有するものとされる。

[0165] その後、図 16 (b)に示すように、積層体 10Bに対し、第 2の裏面側金属層 17Aの表面に、形成すべき電極構造体 15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 28Hが形成されたエッチング用のレジスト膜 28Aを形成する。

[0166] ここで、レジスト膜 28Aを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されて、る種々のものを用いることができる。

次いで、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、レジスト膜 28Aのパターン孔 28Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して、露出した部分を除去することにより、図 1

6 (c)に示すように、第 2の裏面側金属層 17Aに、それぞれレジスト膜 28Aのパターン孔 28Hに連通する複数のパターン孔 17Hが形成される。

[0167] その後、絶縁層 18Bに対し、レジスト膜 28Aの各パターン孔 28Hおよび第 2の裏面側金属層 17Aの各貫通孔 17Hを介して露出した部分に、エッチング処理を施して、露出した部分を除去する。これにより、図 17 (a)に示すように、絶縁層 18Bに、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19Hに連通する、絶縁層 18Bの裏面から表面に向力うに従って小径となり、底面に表面電極部 16が露出したテーパ状の複数の貫通孔 18Hが形成される。

[0168] これにより、積層体 10Bの裏面に、それぞれ第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17H、絶縁層 18Bの貫通孔 18Hが連通されてなる、複数の短絡部形成用凹所 18 Kが形成される。

[0169] 以上において、第 2の裏面側金属層 17Aをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択される。

絶縁層 18Bをエッチング処理するためのエッチング液としては、前述の絶縁性シート 11のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。

[0170] このようにして短絡部形成用凹所 18Kが形成された積層体 10Bからレジスト膜 28Α を除去し、その後、図 17 (b)に示すように、積層体 10Bに、第 2の裏面側金属層 17A の表面に、形成すべき電極構造体 15における裏面電極部 17のパターンに対応するパターンに従って、複数のパターン孔 29Ηが形成されたメツキ用のレジスト膜 29Αを形成する。

[0171] ここで、レジスト膜 29Αを形成する材料としては、メツキ用のフォトレジストとして使用されて!/、る種々のものを用いることができる力ドライフィルムレジストが好まし、。次いで、積層体 10Bに対し、表面側金属層 16Aを電極として、電解メツキ処理を施して、各短絡部形成用凹所 18Kおよびレジスト膜 29Αの各パターン孔 29Η内に金属を充填する。

これにより、図 17 (c)に示すように、表面電極部 16の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部 18と、短絡部 18の各々の絶縁層 18Bの裏面側に連結された裏面電極部 17が形成される。

[0172] ここで、裏面電極部 17の各々は、第 2の裏面側金属層 17Aを介して互いに連結された状態である。

このようにして、表面電極部 16、保持部 19、短絡部 18および裏面電極部 17が形成された積層体 10B力もレジスト膜 29Αを除去する。その後に、図 18 (a)に示すように、裏面電極部 17と金属フレーム板 25とする第 2の裏面側金属層 17Aの部分を覆うとともに、除去すべき第 2の裏面側金属層 17Aの部分に対応するパターンに従って、パターン孔 29Κを有するパターユングされたエッチング用レジスト膜 29Βを形成する

[0173] ここで、レジスト膜 29Βを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されて、る種々のものを用いることができる。その後、表面側金属層 16 Aの上に設けられた保護フィルム 40Aを除去し、表面側金属層 16 Aおよび第 2の裏面側金属層 17Aにエッチング処理を施す。

これによつて、図 18 (b)に示すように、表面側金属層 16Aを除去すると共に、第 2の裏面側金属層 17Aにおけるパターン孔 29Kにより露出した部分を除去して、開口部 26を形成し、これにより、互いに分離した複数の裏面電極部 17および金属フレーム板 25が形成される。

[0174] 更に、図 18 (c)に示すように、裏面側のエッチング用のレジスト膜 29Bを除去した後、裏面電極部 17、金属フレーム板 25、開口部 26を覆うように、レジスト膜 17Eを形成する。

[0175] ここで、レジスト膜 17Eを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されて、る種々のものを用いることができる。

そしてレジスト膜 17Eの表面全体に保護フィルム 40Bを積層する。

[0176] 次いで、絶縁性シート 11に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、図 19

(a)に示すように、表面電極部 16、第 1の裏面側金属層 19Aを露出した積層体 10C を得た。その後、図 19 (b)に示すように、表面電極部 16および第 1の裏面側金属層 1 9Aにおける保持部 19となるべき部分を覆うよう、パターユングされたエッチング用のレジスト膜 14Aを形成する。

[0177] その後、第 1の裏面側金属層 19Aにエッチング処理を施して、露出した部分を除去することにより、図 19 (c)に示すように、表面電極部 16の基端部分の周面から連続して絶縁層 18Bの表面に沿つて外方に放射状に伸びる保持部 19が形成され、これにより、電極構造体 15が形成される。

[0178] 次いで、図 13 (a)に示すように、絶縁層 18Bに対してエッチング処理を施して、絶縁層 18Bの表面側部分を除去して絶縁層の厚みを小さくする。

この場合、絶縁層を形成する榭脂層のエッチング速度の違いを利用し、絶縁層 18 Bの表面側部分をエッチング処理することによって除去が行われる。

[0179] 例えば、絶縁層 18Bの表面側部分が、

上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを硬化して形成したポリイミド層 218A、または、

上記（2)の熱可塑性ポリイミドより形成したポリイミド層 218Aにより形成され、そして、絶縁層 18Bの裏面側部分が、上記（3)のポリイミドフィルム 218Bで構成することにより、

絶縁層 18Bの表面側部分のエッチング速度が、絶縁層 18Bの裏面側部分のポリィミドフィルムより速いので、容易にポリイミド層 218Aよりなる表面層部分を、絶縁層 18

B力もエッチングにより除去することができる。

[0180] なお、図 13 (a)の例では、電極構造体 15の保持部 19と絶縁層 18Bの間にポリイミド層 18Cを残している力この部分のポリイミド層 18Cを残すことは必須ではなぐ保持部 19と絶縁層 18Bの間のポリイミド層 18Cを除去してもよ、。

[0181] 次いで、図 13 (b)に示すように、レジスト膜 14Aを除去し、金属フレーム板 25の一部を露出させるように、レジスト膜 17Fを積層体 10Cの上面に形成する。この状態で

、絶縁層 18Bをエッチング処理することにより、図 13 (c)に示したように、金属フレーム板 25の一部が露出される。

[0182] そして、絶縁層 18Bの表面よりレジスト膜 17Fを除去し、絶縁層 18Bの裏面と裏面電極部 17から、保護フィルム 40Bとレジスト膜 17Eを除去することにより、図 3に示すシート状プローブ 10が得られる。

[0183] <第 2の実施例のシート状プローブ >

次に、本発明の第 2の実施例におけるシート状プローブ 10について説明する。図 7は、本発明の第 2の実施例に係るシート状プローブの構成を示す説明用断面図、図 8は、本発明の第 2の実施例に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。

[0184] 図 7に示したように、電極構造体 15の各々は、絶縁層 18Bの表面に露出し、絶縁層 18Bの表面力突出する突起状の表面電極部 16を備えている。そして、電極構造体 15は、絶縁層 18Bの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部 17を備えてヽる。

[0185] この第 2の実施例の電極構造体 15においては、表面電極部 16が、短絡部 18に連続して基端力先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、表面電極部 16の基端に連続する短絡部 18が、絶縁層 18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされて、る。

[0186] また、図 8に示したように、保持部 19の径 R6が、基端に連続する短絡部 18の一端の径 R3より大きくなつている。

そして、絶縁層 18Bの厚み dは、短絡部 18の厚み d3よりも小さいものとなっている。さらに、短絡部 18は、絶縁層 18Bに設けられた貫通孔 318内において、可動できる状態にて保持されている。

[0187] 絶縁層 18Bの貫通孔 318の径 R7は、電極構造体 15の保持部 19の径 R6および裏面電極部 17の外径 R5よりも小さいものとされ、短絡部 18の絶縁層 18Bの裏面側の径 R4よりも大き、ことが好まし、。

この条件を満たすことにより、電極構造体 15の短絡部 18が絶縁層 18Bより脱落しな、状態で、絶縁層 18Bにその厚み方向に移動可能な状態で保持される。

[0188] 絶縁層の厚み方向における電極構造体の移動可能距離は、短絡部 18の厚み d3と絶縁層 18Bの厚み dとの差 h2と実質的に等、ものとなる。

そして、電極構造体の絶縁層の厚み方向に対する移動可能距離は、 5〜30 /ζ πιであることが好ましぐより好ましくは、 10-25 μ mである。

[0189] 第 2の実施例に係るシート状プローブのその他の構成、好ましい寸法、材料等は、第 1の実施例に係るシート状プローブと同様である。

[0190] <第 2の実施例のシート状プローブの製造方法 >

以下、第 2の実施例におけるシート状プローブ 10の製造方法について説明する。

[0191] 第 1の実施例におけるシート状プローブの製造方法の図 14 (a)〜図 15 (c)の工程に従って、表面電極部 16と保持部 19が形成された積層体 10Aを得た。

[0192] そして、積層体 10Aよりレジスト膜 13Aを剥離する。

その後、図 20 (a)に示したように、積層体 10Aの第 1の裏面側金属層 19Aと保持部 19を覆うように、

上記（1)の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを塗布して硬化する力、上記（2)の熱可塑性ポリイミドの溶液を塗布して硬化するか、

上記（3)熱可塑性ポリイミドフィルムを積層して加熱プレスすることによって、ポリイミド層 218 Aを形成する。

[0193] そして、図 20 (a)に示したように、片面に、第 2の裏面側金属層 17Aを構成する、例えば、 42ァロイよりなる金属層を有し、他面に金属層 219が形成された積層ポリイミドシートを、金属層 219側の面を積層体 10Aのポリイミド層 218Aに接するように積層して、ポリイミド層 218Aを硬化させる。これによつて、図 21 (a)、図 20 (b)に示すように、絶縁層 18B内に金属層 219を有し、第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層体 10Bを得た。

[0194] そして、第 1の実施例におけるシート状プローブの製造方法の図 16 (b)〜図 17 (b) の工程に従って、図 21 (b)〜図 22 (b)に示したように、積層体 10Bの裏面に、それぞれ第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17Hを形成し、パターン孔 17Hを介して絶縁層 218Bをエッチング処理して露出した部分を除去して、金属層 219を露出させる。

そして、金属層 219をエッチング処理して除去し、次いで、絶縁層 218Aをエツチング処理して、第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17Hと絶縁層 18Bの貫通孔 18 Hが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所 18Kが形成される。これによつて、第 2 の裏面側金属層 17Aの表面に、形成すべき電極構造体 15における裏面電極部 17 のパターンに対応するパターンに従って、複数のパターン孔 29Hが形成されたメツキ用のレジスト膜 29Aを有する積層体 10Bを得た（図 22 (b)、図 23 (a)参照)。

[0195] この積層体 10Bの短絡部形成用凹所 18Kの内壁に、図 23 (a) (b)に示したように、金属薄層 220を形成する。

金属薄層 220は、エッチング速度が速い易エッチング性の金属により形成することが好ましぐ易エッチング性の金属材料としては、銅を用いることができる。

そして、短絡部形成用凹所 18Kの内壁に易エッチング性の金属材料により金属薄層 220を形成した後に、メツキにより短絡部形成用凹所 18Kに金属を充填して短絡部 18を形成する（図 22 (c)、図 23 (c)参照)。

[0196] このように、易エッチング性の金属材料により金属薄層 220を形成した後に、メツキによりエッチング速度の遅い金属を充填して、短絡部 18を形成することにより、電極構造体 15を形成した後に、エッチングにより容易に金属薄層 220のみを除去することがでさる。

これによつて、図 8に示したように、電極構造体 15の短絡部 18の絶縁層 18Bの裏面側の径 R4力絶縁層 18Bの貫通孔 318の径 R7よりも小さくなり、電極構造体 15が、その厚み方向に移動可能な状態で保持することができる。

[0197] 金属薄層 220を形成する方法としては、無電解メツキ法、電解メツキ法、スパッタ法、これらの方法を組み合わせて、複数回の処理を行って金属薄層 220を形成してもよい。

金属薄層 220の厚みは、 3 μ m以下が好ましぐより好ましくは、 1 μ m以下である。

[0198] そして、第 1の実施例におけるシート状プローブの製造方法の図 18 (a)〜図 19 (c) の工程に従って、図 24 (a)〜図 25 (c)に示したように、表面電極部 16の基端部分の周面から連続して絶縁層 18Bの表面に沿つて外方に放射状に伸びる保持部 19が形成された積層体 10Cを得た。

[0199] 次いで、図 26 (a)に示すように、絶縁層 18Bに対してエッチング処理を施して、絶縁層 18Bの表面側部分を除去して、絶縁層の厚みを小さくする。

この場合、金属層 219までをエッチングにより除去するので、榭脂層のエッチング速度の違、を利用して絶縁層 18Bの厚みを制御する方法に比較して、絶縁層 18Bの厚みの制御を容易に行うことができる。また、電極構造体 15の保持部 19と絶縁層 18

Bの間のポリイミド層 18Cの除去も容易であり、絶縁層 18Bの厚みを絶縁層 18Bの表面全体にお、て均一に制御しやす!/ヽと、う利点がある。

[0200] 次いで、図 26 (b)に示したように、絶縁層 18Bの表面側部分を除去して絶縁層の厚みを小さくした積層体 10Cに対し、エッチング処理を施すことによって、金属層 21

9と金属薄層 220を除去する。

この金属層 219と金属薄層 220をエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が、例えば、銅よりなるものである場合には、塩ィ匕第二鉄水溶液を用いることができる。

[0201] そして、エッチング処理を短時間とすることで、金属層 219と金属薄層 220を構成する金属のエッチング速度が速ぐ電極構造体 15を構成する金属のエッチング速度が遅いことより、金属層 219と金属薄層 220のみを除去し、電極構造体 15をほとんどエッチングせずに残存させることができる。

[0202] 金属層 219と金属薄層 220を構成する金属としては、銅が好ましぐ電極構造体 15 を構成する金属としては、ニッケルが好ましぐこの金属種の組み合わせにより、金属層 219と金属薄層 220のみを除去し、電極構造体 15をほとんどエッチングせずに残存させることが容易に達成できる。

[0203] 次!、で、図 26 (c)に示すように、レジスト膜 14Aを除去し、金属フレーム板 25の一部を露出させるように、レジスト膜 17Fを積層体 10Cの上面に形成する。この状態で、絶縁層 18Bをエッチング処理することにより、図 26 (d)に示したように、金属フレーム板 25の一部が露出される。

[0204] そして、絶縁層 18Bの表面よりレジスト膜 17Fを除去し、絶縁層 18Bの裏面と裏面電極部 17から、保護フィルム 40Bとレジスト膜 17Eを除去することにより、図 7に示すシート状プローブ 10が得られる。

[0205] なお、この第 2の実施例のシート状プローブの製造方法のように、上記の金属層 21 9を利用して、金属層 219までをエッチングにより除去することによって、絶縁層 18B の表面側部分を除去して絶縁層の厚みを小さくする方法は、図示しないが、上記の第 1の実施例のシート状プローブの製造方法に適用することも可能である。

[0206] <プローブカードおよび回路装置の検査装置 >

図 27は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図であり、この回路装置の検査装置は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うためのものである。

[0207] この回路装置の検査装置は、被検査回路装置であるウェハ 6の被検査電極 7の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード 1 (絶縁層 18Bを金属フレーム板 2 5で支持するシート状プローブ）を有する。 [0208] このプローブカード 1においては、図 30にも拡大して示すように、ウェハ 6に形成された全ての集積回路における被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極 21が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板 20を有している。

[0209] さらに、この検査用回路基板 20の表面には、異方導電性コネクター 30が配置され、この異方導電性コネクター 30の表面（図において下面）には、ウェハ 6に形成された全ての集積回路における被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体 15が配置された、図 1に示す構成のシート状プローブ 10が配置されている。

[0210] そして、シート状プローブ 10はガイドピン 50により異方導電性コネクター 30と、電極構造体 15と導電部 36がー致するように固定された状態で保持されている。

また、プローブカード 1における検査用回路基板 20の裏面（図において上面）には、プローブカード 1を下方に加圧する加圧板 3が設けられ、プローブカード 1の下方には、ウェハ 6が載置されるウェハ載置台 4が設けられており、加圧板 3およびウェハ載置台 4の各々には、加熱器 5が接続されている。

[0211] また、このような回路装置の検査装置は、図 28に示したように、シート状プローブ 10 は、適宜必要に応じて、金属フレーム板 25 (金属フレーム板 24を含む）の外縁部に支持部材 2が固定された状態で使用される。

[0212] さらに、このような回路装置の検査装置は、分解すると図 29 (a)、図 29 (b)に示したような構成であり、異方導電性コネクター 30のフレーム板 31に形成された貫通孔と、ガイドピン 50とが嵌合することによって、位置決めを行っている。

[0213] また、シート状プローブ 10は、金属フレーム板 25 (金属フレーム板 24を含む）の外縁部に接着した支持部材 2と、加圧板 3の凹部とが嵌合することによって、位置決めを行うことができるようになって!/、る。

さらに、検査用回路基板 20を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂、ガラス繊維補強型フエノール榭脂、ガラス繊維補強型ポリイミド榭脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン榭脂等の複合榭脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス材料などが挙げられる。

[0214] また、 WLBI試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が 3 X

10— ⁵ZK以下のものを用いることが好ましぐより好ましくは 1 X 10— ⁷〜1 X 10" ⁵/Κ, 特に好ましくは 1 X 10— ⁶〜6 X 10— ⁶Ζκである。

[0215] このような基板材料の具体例としては、パイレックス (登録商標)ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケィ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。異方導電性コネクター 30は、図 32に示すように、被検査回路装置であるウェハ 6に形成された全ての集積回路における被検査電極 7が配置された電極領域に対応して複数の開口 32が形成されたフレーム板 31と、このフレーム板 31に、それぞれ一の開口 32を塞ぐよう配置され、フレーム板 31の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート 35とにより構成されている。

[0216] フレーム板 31を構成する材料としては、フレーム板 31が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、榭脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板 31を例えば金属材料により構成する場合には、フレーム板 31の表面に絶縁性被膜が形成されて、てもよ、。

[0217] フレーム板 31を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、ァルミ-ゥムなどの金属またはこれらを 2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

[0218] フレーム板 31を構成する榭脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド榭脂などが挙げられる。

また、この検査装置が WLBI (Wafer Level Burn— in)試験を行うためのものである場合には、フレーム板 31を構成する材料としては、線熱膨張係数が 3 X 10— ⁵ZK 以下のものを用いることが好ましぐより好ましくは一 1 X ιο—⁷〜ι X IO K,特に好ましくは 1 X 10— ⁶〜8 X 10— ⁶Ζκである。

[0219] このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、 42ァロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。 [0220] フレーム板 31の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート 35を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなぐ具体的な厚みは材質によつて異なるが、例えば 25〜600 μ mであることが好ましぐより好ましくは 40〜400 μ mである。

[0221] 異方導電性シート 35の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウェハ 6に形成された一の電極領域の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部 36と、これらの導電部 36の各々を相互に絶縁する絶縁部 37とにより構成されて、る。

[0222] また、図示の例では、異方導電性シート 35の両面には、導電部 36およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面力も突出する突出部 38が形成されている。異方導電性シート 35における導電部 36の各々には、磁性を示す導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部 37 は、導電性粒子 Pが全く或、は殆ど含有されて、な、ものである。

[0223] 異方導電性シート 35の全厚（図示の例では導電部 36における厚み）は、 50-200 0 μ mであること力 S好ましく、より好ましくは 70〜： LOOO μ m、特に好ましくは 80〜500 μ mであ。

[0224] この厚みが 50 μ m以上であれば、異方導電性シート 35には十分な強度が得られる一方、この厚みが 2000 m以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部 36 が確実に得られる。

[0225] 突出部 38の突出高さは、その合計が突出部 38における厚みの 10%以上であること力 S好ましく、より好ましくは 15%以上である。

このような突出高さを有する突出部 38を形成することにより、小さい加圧力で導電部 36が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。

[0226] また、突出部 38の突出高さは、突出部 38の最短幅または直径の 100%以下であることが好ましぐより好ましくは 70%以下である。

このような突出高さを有する突出部 38を形成することにより、突出部 38が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。 [0227] 異方導電性シート 35を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好まし、。

力かる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができる力液状シリコーンゴムが好ましい。

[0228] 導電性粒子 Pを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が 3〜40 μ mのものであることが好ましい。

ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。

[0229] 上記数平均粒子径が 3 μ m以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高!ヽ導電部 36が得られやすヽ。

一方、上記数平均粒子径が 40 m以下であれば、微細な導電部 36を容易に形成することができ、また、得られる導電部 36は、安定な導電性を有するものとなりやすい

[0230] 磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、榭脂によってコーティングしたものなどを用いことができる力その飽和磁ィ匕が 0. 1W b/m²以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは 0. 3Wb/m²以上、特に好ましくは 0. 5WbZm²以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金などが挙げられる。

[0231] 磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ま、。

[0232] 導電性粒子 Pは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔 (高導電性金属の質量 Z 芯粒子の質量） X 100〕が 15質量％以上とされ、好ましくは 25〜35質量％とされる。高導電性金属の割合が 15質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクタ一 30を高温環境下に繰り返し使用したとき、導電性粒子 Pの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。

[0233] また、導電性粒子 Pの数平均粒子径は、 3〜40 μ mであることが好ましぐより好ましくは 6〜25 πιである。このような導電性粒子 Pを用いることにより、得られる異方導電性シート 35は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部 36において導電性粒子 P間に十分な電気的接触が得られる。

[0234] また、導電性粒子 Pの形状は、特に限定されるものではな、が、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した 2次粒子による塊状のものであることが好ましい。

[0235] 導電部 36における導電性粒子 Pの含有割合は、体積分率で 10〜60%、好ましくは 15〜50%となる割合で用いられることが好ましい。

[0236] この割合が 10%未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部 36が得られないことがある。

一方、この割合が 60%を超える場合には、得られる導電部 36は脆弱なものとなりやすぐ導電部 36として必要な弾性が得られないことがある。

[0237] 以上のような異方導電性コネクター 30は、例えば特開 2002— 324600号公報に記載された方法によって製造することができる。

上記の検査装置にお!、ては、ウェハ載置台 4上に検査対象であるウェハ 6が載置され、次いで、加圧板 3によってプローブカード 1が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ 10の電極構造体 15における表面電極部 16の各々力ウェハ 6の被検査電極 7の各々に接触し、更に、表面電極部 16の各々によって、ウェハ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。

[0238] この状態においては、異方導電性コネクター 30の異方導電性シート 35における導電部 36の各々は、検査用回路基板 20の検査電極 21とシート状プローブ 10の電極構造体 15の裏面電極部 17とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されている。

[0239] このため、導電部 36にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6 の被検査電極 7と検査用回路基板 20の検査電極 21との電気的接続が達成される。その後、力 tl熱器 5によって、ウェハ載置台 4および加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

[0240] 上記のプローブカード 1によれば、図 1に示すシート状プローブ 10を備えてなるため、小さヽピッチで被検査電極 7が形成されたウェハ 6に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ 10における電極構造体 15が脱落することがなぐ絶縁層 18Bの厚みが大き、ため高、耐久性が得られる。

[0241] そして、上記の検査装置によれば、図 1に示すシート状プローブ 10を有するプロ一ブカード 1を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極 7が形成されたウェハ 6に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、プローブカード 1 が高い耐久性を有するため、多数のウェハ 6の検査を行う場合でも、長期間にわたつて信頼性の高、検査を実行することができる。

[0242] 本発明の回路装置の検査装置は、上記の例に限定されず、以下のように、種々の変更をカ卩えることが可能である。

(1)図 27および図 28に示すプローブカード 1は、ウェハ 6に形成された全ての集積回路の被検査電極 7に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウェハ 6 に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 7 に電気的に接続されるものであってもよい。

[0243] 選択される集積回路の数は、ウェハ 6のサイズ、ウェハ 6に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極 7の数などを考慮して適宜選択され、例えば 16 個、 32個、 64個、 128個である。

[0244] このようなプローブカード 1を有する検査装置においては、ウェハ 6に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 7に、プローブカード 1を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 7に、プローブカード 1を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウェハ 6に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。

[0245] そして、このような検査装置によれば、直径が 8インチまたは 12インチのウェハ 6に高ヽ集積度で形成された集積回路につヽて電気的検査を行う場合にぉヽて、全ての集積回路につ!/、て一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板 20の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減ィ匕を図ることができる。 (2)本発明の検査装置の検査対象である回路装置は、多数の集積回路が形成されたウェハ 6に限定されるものではなぐ半導体チップや、 BGA、 CSPなどのパッケ一ジ LSI、 CMCなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。

(3)シート状プローブ 10は円筒形のセラミック等の保持体により保持された状態にて、異方導電性シート 35や検査用回路基板 20と、例えばガイドピン 50等にて固定一体ィ匕するちとちでさる。

(4)本発明のシート状プローブ 10の製造方法にお、て第 2の裏面側金属層 17Aは必須のものでなぐこれを省略し短絡部形成用凹所 18Kとパターン孔 17Hに金属を充填することにより短絡部 18と一体ィ匕した裏面電極部 17を形成してもよい。

[0246] この場合、金属フレーム板 25が必要な場合は別途用意した金属フレーム板 25と製造したシート状プローブ 10に接着剤等を用いて積層して一体ィ匕すればよい。

[0247] (5)本発明のシート状プローブ 10においては、例えば図 11 (a)に示すような電極構造体 15を有する絶縁層 18Bよりなる複数の接点膜 9が、金属フレーム板 25の開口部 26の各々に配置し金属フレーム板 25により支持された状態のシート状プローブ 10 であってもよぐ更に図 11 (b)に示すように一つの接点膜 9が金属フレーム板 25の複数の開口部 26を覆うように配置されたものであってもよ!、。

[0248] このように独立する複数の接点膜 9によりシート状プローブ 10を構成することにより、例えば直径 8インチ以上のウェハ検査用のシート状プローブ 10を構成した場合、温度変化による接点膜 9の伸縮が小さくなり電極構造体 15の位置ずれ力 S小さくなり好ましい。

[0249] このようなシート状プローブ 10は本発明のシート状プローブ 10の製造方法における図 13 (b)または図 26 (c)の状態で絶縁層 18Bにレジストによるパターユングと、ェツチングにより絶縁層 18Bを任意の形状の接点膜 9に分割することにより得られる。実施例

[0250] 以下、本発明の具体的な実施例について説明する力本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

<試験用ウェハの作製 > 図 33に示すように、直径が 8インチのシリコン (線熱膨張係数 3. 3 X 10— ⁶ZK)製のウエノ、 6上に、それぞれ寸法が 6. 85mm X 6. 85mmの正方形の集積回路 Lを合計で 483個形成した。

このウェハ 6の集積回路 Lを形成した側の表面に、感光性ポリイミドをスピンコートして、榭脂膜 B1を形成し、プリベータを行う。

次、で、被検査電極の上部以外の領域の感光性ポリイミドにより形成された榭脂膜 B1を露光およびベータして半硬化させた後、感光性ポリイミドにより形成された榭脂膜 B1の非露光 (未硬化)部分を現像して除去することにより、被検査電極の上部に開口 K1を形成した。

その後、高温ベータ処理を行なって、半硬化の感光性ポリイミドにより形成した榭脂膜 B1を完全硬化させて、被検査電極の上部に 90 m X 90 mの矩形の開口 K 1が形成された厚み約 10 μ mのポリイミドよりなる絶縁膜 Β2を形成した。

[0251] ウェハ 6に形成された集積回路 Lの各々は、図 34に示すように、その中央に被検査電極領域 Aを 2500 mの間隔で 2列に有し、この被検査電極領域 Aには、図 35 (a) に示すように、それぞれ縦方向図 35 (a)において上下方向）の寸法が 90 mで横方向（図 35 (a)において左右方向）の寸法が 90 μ mの矩形の 26個の被検査電極 7が 1 20 μ mのピッチで横方向に一列に配列されてヽる。

そして、図 35 (b)に示すように、被検査電極 7は厚さ約 10 mの絶縁膜によりその表面周囲を覆われている。

[0252] このウエノ、 6全体の被検査電極 7の総数は 26116個であり、全ての被検査電極 7は互いに電気的に絶縁されている。以下、このウェハ 6を「試験用ウェハ Wl」という。また、全ての被検査電極 7を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路 L〖こおける 26個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極 7から数えて 1個おきに 2個ずつを互ヽに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエノ、 W1と同様の構成の 483個の集積回路 Lをウェハ 6上に形成した。

[0253] 以下、このウェハを「試験用ウェハ W2」という。

(実施例 1)

直径が 20cmで厚みが 12. 5 μ mのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が 20cm で厚み力 S4 mの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体 10A」という。）を用意した（図 14 (a)参照)。

積層体 10Aは、厚みが 12. 5 /z mのポリイミドシートよりなる絶縁性シート 11の一面に厚み力 mの銅よりなる第 1の裏面側金属層 19Aを有し、他面に厚み力 mの銅よりなる表面側金属層 16Aを有するものである。

[0254] 上記の積層体 10Aに対し厚みが 25 μ mのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層 16 Aの表面全面に保護フィルム 40Aを形成すると共に、第 1の裏面側金属層 19Aの裏面全面に、試験用ウェハ W1に形成された被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って直径力 5 μ mの円形の 26116個のノターン孔 12Hが形成されたレジスト膜 12Aを形成した（図 14 (b)参照)。

[0255] ここで、レジスト膜 12Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0256] 次いで、第 1の裏面側金属層 19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜 12Aのパターン孔 1 2Hに連通する 26116個のパターン孔 19Hを形成した（図 14 (c)参照）。

[0257] その後、絶縁性シート 11に対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート 11に、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19Hに連通する 26116個の貫通孔 11Hを形成した（図 15 (a)参照）。

[0258] この貫通孔 11Hの各々は、絶縁性シート 11の裏面から表面に向力うに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が 45 μ m、表面側の開口径が 25 μ m (平均値）のものであった。

[0259] 次いで、積層体 10Aを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Aからレジスト膜 12Aを除去し、その後、積層体 10Aに対し、厚みが 10 μ mのドライフィルムレジスト（日立化成：フォテック RY— 3210)によって、第 1の裏面側金属層 19Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜 13Aを形成すると共に、レジスト膜 13Aに絶縁性シート 11の貫通孔 11Hに連通する直径 60 mの 26116個の矩形のノターン孔 13Hを形成した（図 15 (b)参照)。

[0260] ここで、レジスト膜 13Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1%水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

このようにして、絶縁性シート 11の裏面に、それぞれ絶縁性シート 11の貫通孔 11H 、第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19Hおよびレジスト膜 13Aのパターン孔 13 Hが連通されてなる 26116個の表面電極部形成用凹所 10Kを形成した。

[0261] 次、で、積層体 10Aをスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 10Aに対し、表面側金属層 16Aを電極として、電解メツキ処理を施して各表面電極部形成用凹所 10K内に金属を充填することにより、表面電極部 16および第 1の裏面側金属層 19 Aによって互、に連結された保持部 19を形成した（図 15 (c)参照)。

[0262] 次いで、表面電極部 16が形成された積層体 10Aを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Aからレジスト膜 13Aを除去した。

[0263] そして、積層体 10Aの第 1の裏面側金属層 19Aおよび保持部 19の表面にポリイミドワニス (宇部興産社製商品名「U-ワニス」）を塗布、乾燥を繰り返して、厚さ約 12 μ mのポリイミド層 218Αを形成した。

[0264] 次に、形成した液状ポリイミド層 218Aの上に、片面に厚み 10 μ mで直径が 22cm の 42ァロイよりなる金属シートが一体化して積層された、直径が 20. 4cmで、厚みが 25 μ mのポリイミドフィルム 218Βを、ポリイミドフィルム側をポリイミド層 218Aと接するように積層した。

そして、金属シートの周縁部分の液状ポリイミド層 218Aと接する側の面に、内径が 20. 4cmで、外径が 22cmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを配置し、この状態で熱圧着処理することにより、図 16 (a)に示す積層体 10Bを作製した。

[0265] 積層体 10Bは、表面電極部 16が形成された積層体 10Aの一面に厚みが 36 μ m のポリイミドシートよりなる絶縁層 18Bが積層され、該絶縁層 18Bの表面に 42ァロイよりなる第 2の裏面側金属層 17Aを有するものである（図 16 (a)参照)。

次いで、積層体 10Bに対し第 2の裏面側金属層 17Aの表面全面に、試験用ウェハ W1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が 60 μ m の円形の 261 16個のパターン孔 28Hが形成されたレジスト膜 28Aを形成した（図 16 (b)参照)。

[0266] ここで、レジスト膜 28Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0267] 次いで、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第 2の裏面側金属層 17Aに、それぞれレジスト膜 28Aのパターン孔 28Hに連通する 26116個のパターン孔 17H を形成した (図 16 (c)参照)。

[0268] その後、絶縁層 18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 15分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層 18Bに、それぞれ第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17H に連通した 26116個の貫通孔 18Hを形成した（図 17 (a)参照）。

[0269] この貫通孔 18Hの各々は、絶縁層 18Bの表面に向力に従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に裏面電極部 17が露出しており、裏面側の開口径が 8 0 μ m表面側の開口径が 35 μ mのものであった。

[0270] 次いで、貫通孔 18Hが形成された積層体 10Bを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 28Aを除去し、その後、積層体 10Bに対し、厚みが 25 /z mのドライフィルムレジストによって、第 2の裏面側金属層 17Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜 29Aを形成すると共に、レジスト膜 29Aに、絶縁層 18Bの貫通孔 18Hに連通する寸法が 200 m X 80 mの矩形の 26116個のノターン孔 29Hを形成した（図 17 (b)参照)。

[0271] ここで、レジスト膜 29Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

このようにして、積層体 10Bの裏面に、それぞれ絶縁層 18Bの貫通孔 18H、第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17Hおよびレジスト膜 29Aのパターン孔 29Hが連通されてなる 26116個の短絡部形成用凹所 18Kを形成した。 [0272] 次、で、積層体 10Bをスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 10Bに対し、表面側金属層 16Aを電極として、電解メツキ処理を施して各短絡部形成用凹所 18K内に金属を充填することにより、表面電極部 16に連結された、短絡部 18および第 2の裏面側金属層 17Aによって互、に連結された裏面電極部 17を形成した (図 17 (c)参照)。

[0273] 次いで、積層体 10Bを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 29Aを除去した。その後、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、第 2の裏面側金属層 17Aにおける金属フレーム板 25となる部分および裏面電極部 17を覆うよう、パターユングされてパターン孔 29Kを有するエツチング用のレジスト膜 29Bを形成した（図 18 (a)参照)。

[0274] ここで、レジスト膜 29Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80miの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1%水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0275] 次いで、積層体 10B力も保護フィルム 40Aを除去し、その後、表面側金属層 16A および第 2の裏面側金属層 17Aに対し、アンモニア系エッチング液を用い、 50°C、 3 0秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層 16Aの全部を除去すると共に、第 2の裏面側金属層 17Aにおけるパターン孔 29Kにより露出した部分を除去し、これにより、裏面電極部 17の各々を互いに分離させると共に、試験用ゥェハ W1に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従つて形成された複数の開口部 26を有する金属フレーム板 25を形成した（図 18 (b)参照)。

金属フレーム板 25に設けられた開口部 26の各々は、横方向 3600 m X縦方向 1 000 μ mである。

[0276] 次いで、積層体 10Bを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム水溶液に 2分間浸漬することにより、金属フレーム板 25の裏面および裏面電極部 17からレジスト膜 29Bを除去した。その後、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、金属フレーム板 25の裏面、絶縁層 18Bの裏面および裏面電極部 17を覆うよう、レジスト膜 17Eを形成し、このレジスト膜 17Eを厚みが 25 μ mのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム 40 Bによって覆った（図 18 (c)参照）。

その後、積層体 10Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート 11を除去して積層体 10Cを得た（図 19 (a)参照)。

[0277] 次いで、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、表面電極部 16および第 1 の裏面側金属層 19Aにおける保持部 19となるべき部分を覆うよう、ノターユングされたレジスト膜 14Aを形成した（図 19 (b)参照)。

[0278] ここで、レジスト膜 14Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0279] その後、第 1の裏面側金属層 19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部 16の基端部分の周面から連続して絶縁層 18Bの表面に沿つて外方に伸びる直径 60 mの円形の保持部 19を形成し、これによつて、電極構造体 15を形成した（図 19 (c)参照)。

[0280] この状態で、積層体 10Cにァミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 40°C、 3分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層 18Bの表面部分を除去した（図 13 (a)参照)。

[0281] その後、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム水溶液に 2分間浸漬することにより、表面電極部 16 および保持部 19からレジスト膜 14Aを除去した。

そして、積層体 10Cの表面電極部 16および絶縁層 18Bを覆うように厚みが 25 m のドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜 9となるべき部分を覆うように、パター-ングされたレジスト膜 17Fを形成した（図 13 (b) )。

レジスト膜 17Fの各々は横方向 4600 μ mで縦方向 2000 μ mである。

この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「T ΡΕ— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板の各々の貫通孔に電極構造体 15が形成された接点膜 9を備えた積層体 10Cを得た（図 13 (c) )。

そして、積層体 10C力も保護フィルム 40Bを除去し、次に 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム水溶液に 2分間浸漬することにより、レジスト膜 17Eおよびレジスト膜 17Fを除去した

[0282] その後、金属フレーム板 25における周縁部分から、ポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを除去し、金属フレーム板 25における周縁部分の表面に、接着剤（セメダイン (株）： 2液型アクリル接着剤 Y-620)を塗布して接着剤層を形成した。そして、外径が 22cm、内径が 20. 5cmで、厚みが 2mmのリング状の窒化シリコンよりなる保持部材 40を配置した後、保持部材 40と金属フレーム板 25とを 50kgの荷重で加圧し、 25°Cで 8時間保持することにより、保持部材 40を金属フレーム板 25に接合することにより、本発明に係るシート状プローブ 10を製造した。

[0283] 以上においてドライフィルムレジストとしては、とくに記載しな力つた部分においては日立化成製の H— K350を使用した。

得られたシート状プローブ 10は、絶縁層 18Bの厚み dが約 25 m、電極構造体 15 の表面電極部 16の形状が円錐台状で、その基端の径 R1が 45 /ζ πι、その先端の径 R2が 25 m、その突出高さ hが 12. であった。

また、短絡部 18の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径 R3が 35 m、厚み d3力 6 m、裏面側の他端の径 R4が 80 mであった。さらに、裏面電極部 17の形状が矩形の平板状で、その横幅（径 R5)が 80 μ m、縦幅が 200 μ m、厚み d2が 35 μ m、保持部 19の形状が円形でその直径が 60 μ m、その厚み dlが 14 μ mのものである。

[0284] このようにして、合計で 4枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ Ml」〜「シート状プローブ M4」とする。

[0285] (実施例 2)

実施例 1と同様にして、表面電極部 16および保持部 19が形成された積層体 10A を得た (図 15 (c)参照)。

[0286] 次いで、表面電極部 16が形成された積層体 10Aを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Aからレジスト膜 13Aを除去した。

[0287] そして、積層体 10Aの第 1の裏面側金属層 19Aおよび保持部 19の表面にポリイミドワニス (宇部興産社製商品名「U-ワニス」）を塗布、乾燥を繰り返して、厚さ約 12 μ mのポリイミド層 218 Aを形成した（図 20 (a)参照)。

[0288] 次に、形成した液状ポリイミド層 218Aの上に、一面に厚み 10 μ mで直径が 22cm の 42ァロイよりなる金属シートを有し、他面に直径 20. 4cmで厚み 4 mの銅層が積層された、直径が 20. 4cmで厚みが 25 μ mのポリイミドフィルム 218Bを、銅層側をポリイミド層 218Aと接するように積層した。そして、金属シートの周縁部分の液状ポリイミド層 218Aと接する側の面に、内径が 20. 4cmで、外径が 22cmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを配置し、この状態で熱圧着処理することにより、図 2 1 (a)に示す積層体 10Bを作製した。

[0289] 積層体 10Bは、表面電極部 16が形成された積層体 10Aの一面に、厚みが 40 μ m で、内部に厚み 4 mの銅よりなる金属層 219を有するポリイミドシートよりなる絶縁層 18Bが積層され、この絶縁層 18Bの表面に、 42ァロイよりなる第 2の裏面側金属層 1 7Aを有するものである（図 21 (a)参照)。

次いで、積層体 10Bに対し第 2の裏面側金属層 17Aの表面全面に、試験用ウェハ W1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が 60 μ m の円形の 261 16個のパターン孔 28Hが形成されたレジスト膜 28Aを形成した（図 21 (b)参照)。

[0290] ここで、レジスト膜 28Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0291] 次いで、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第 2の裏面側金属層 17Aに、それぞれレジスト膜 28Aのパターン孔 28Hに連通する 26116個のパターン孔 17H を形成した (図 21 (c)参照)。

[0292] その後、絶縁層 18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層 18Bに、それぞれ第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17H に連通した開口部を形成して、その底部に金属層 219を露出させた。 [0293] その後、絶縁層 18Bの開口部の底面に露出した金属層 219を、塩ィ匕第二鉄系エツチング液を用いて、 50°C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより除去した次いで、絶縁層 18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層 18Bに、それぞれ第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17H に連通した 26116個の貫通孔 18Hを形成した（図 22 (a)参照）。

[0294] この貫通孔 18Hの各々は、絶縁層 18Bの表面に向力に従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に裏面電極部 17が露出しており、裏面側の開口径が 8 0 m、表面側の開口径が約 35 μ mのものであった。

[0295] 次いで、貫通孔 18Hが形成された積層体 10Bを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 28Aを除去した（図 23 (a)参照)。

この状態において、積層体 10Bに対して無電解銅メツキ処理を施し、さらに、表面側金属層 16 Aを電極として、電解銅メツキ処理を施して、貫通孔 18Hの内壁に、厚み約 1 mの銅力もなる金属薄層 220を形成した。

その後、積層体 10Bに対し、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、第 2の裏面側金属層 17Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜 29Aを形成すると共に、レジスト膜 29Aに、絶縁層 18Bの貫通孔 18Hに連通する寸法が 200 mX 80 mの矩形の 26116個のパターン孔 29Hを形成した。

[0296] ここで、レジスト膜 29Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1%水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

このようにして、積層体 10Bの裏面に、それぞれ絶縁層 18Bの貫通孔 18H、第 2の裏面側金属層 17Aのパターン孔 17Hおよびレジスト膜 29Aのパターン孔 29Hが連通されてなる 26116個の短絡部形成用凹所 18Kを形成した（図 22 (b)、図 23 (b)参照)。

[0297] 次、で、積層体 10Bをスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 10Bに対し、表面側金属層 16Aを電極として、電解メツキ処理を施して各短絡部形成用凹所 18K内に金属を充填することにより、表面電極部 16に連結された、短絡部 18および第 2の裏面側金属層 17Aによって互、に連結された裏面電極部 17を形成した（図 22 (c)、図 23 (c)参照)。

[0298] 次いで、積層体 10Bを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 29Aを除去した。その後、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、第 2の裏面側金属層 17Aにおける金属フレーム板 25となる部分および裏面電極部 17を覆うよう、パターユングされてパターン孔 29Kを有するエツチング用のレジスト膜 29Bを形成した（図 24 (a)参照)。

[0299] ここで、レジスト膜 29Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80miの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1%水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0300] 次いで、積層体 10B力も保護フィルム 40Aを除去し、その後、表面側金属層 16A および第 2の裏面側金属層 17Aに対し、アンモニア系エッチング液を用い、 50°C、 3 0秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層 16Aの全部を除去すると共に、第 2の裏面側金属層 17Aにおけるパターン孔 29Kにより露出した部分を除去し、これにより、裏面電極部 17の各々を互いに分離させると共に、試験用ゥェハ W1に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従つて形成された複数の開口部 26を有する金属フレーム板 25を形成した（図 24 (b)参照)。

[0301] 次いで、積層体 10Bを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム水溶液に 2分間浸漬することにより、金属フレーム板 25の裏面および裏面電極部 17からレジスト膜 29Bを除去した。その後、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、金属フレーム板 25の裏面、絶縁層 18Bの裏面および裏面電極部 17を覆うよう、レジスト膜 17Eを形成し、このレジスト膜 17Eを厚みが 25 μ mのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム 40 Bによって覆った（図 24 (c)参照）。その後、積層体 10Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート 11を除去して積層体 10Cを得た（図 25 (a)参照)。

[0302] 次いで、厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによって、表面電極部 16および第 1 の裏面側金属層 19Aにおける保持部 19となるべき部分を覆うよう、ノターユングされたレジスト膜 14Aを形成した（図 25 (b)参照)。

[0303] ここで、レジスト膜 14Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0304] その後、第 1の裏面側金属層 19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部 16の基端部分の周面から連続して絶縁層 18Bの表面に沿つて外方に伸びる直径 60 mの円形の保持部 19を形成し、以て電極構造体 15を形成した（図 25 (c)参照)。

[0305] この状態で、積層体 10Cにァミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層 18Bの表面部分を除去した（図 26 (a)参照)。

[0306] 次、で、この絶縁層 18Bの表面部分を除去した積層体 10Cに対して、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50°C、 1分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属層 219および金属薄層 220を除去した。

[0307] その後、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム水溶液に 2分間浸漬することにより、表面電極部 16 および保持部 19からレジスト膜 14Aを除去した。

そして、積層体 10Cの表面電極部 16および絶縁層 18Bを覆うように厚みが 25 m のドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜 9となるべき部分を覆うように、パター-ングされたレジスト膜 17Fを形成した（図 26 (c) )。

この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「T ΡΕ— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板の各々の貫通孔に電極構造体 15が形成された接点膜 9を備えた積層体 IOCを得た（図 26 (d) )。

[0308] その後、金属フレーム板 25における周縁部分から、ポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを除去し、金属フレーム板 25における周縁部分の表面に接着剤（セメダイン (株）： 2液型アクリル接着剤 Y-620)を塗布して接着剤層を形成し、外径力 S22cm、内径が 20. 5cmで厚みが 2mmのリング状の窒化シリコンよりなる保持部材 40を配置した。その後、保持部材 40と金属フレーム板 25とを 50kgの荷重で加圧し、 25°Cで 8時間保持することにより、保持部材 40を金属フレーム板 25に接合することにより、本発明に係るシート状プローブ 10を製造した。

[0309] 以上においてドライフィルムレジストとしては、とくに記載しな力つた部分においては日立化成製の H— K350を使用した。

また、短絡部 18の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径 R3が約 35 m、裏面側の他端の径 R4が 80 μ m、厚み d3力 0 μ mであった。さらに、裏面電極部 17の形状が矩形の平板状で、その横幅（径 R5)が 80 μ m、縦幅が 200 μ m、厚み d2が 3 5 m、保持部 19の形状が円形で、その直径が 60 μ m、その厚み dlが 14 μ mのものである。

そして、電極構造体 15の移動距離、すなわち短絡部 18の厚み d3と絶縁層 18Bの厚み dとの差は約 15 μ mである。

[0310] このようにして、合計で 4枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ Nl」〜「シート状プローブ N4」とする

[0311] (比較例 1)

図 44 (a)に示すような表面側金属層 92A、第 2の裏面側金属層 92B、第 1の裏面側金属層 92Cを有し、絶縁性シート 11、絶縁層 18Bよりなる積層体 90Cを用意した積層体 90Cは、表面側金属層 92Aが厚さ 4 mの銅よりなり、絶縁層 18Bが厚さ 1 2. 5 /z mのポリイミドよりなり、第 1の裏面側金属層 92Cが厚さ 4 /z mの銅よりなり、絶縁性シート 91Bが厚さ 37. 5 /z mのポリイミドよりなり、第 2の裏面側金属層 92Bが厚さ 10 mの 42ァロイよりなるものである。

この積層体 90Cに対して、特開 2004— 172589号に記載された方法に従い、第 2 の裏面側金属層側 92Bに直径 90 mのパターン孔を形成し、順次に絶縁層 18B、第 1の裏面側金属層 92C、絶縁性シート 11に連続する貫通孔を形成し、貫通孔の底面に表面側金属層 92Aを露出させ、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所 90Kを作成した (図 41 (b)参照)。

次いで、積層体 90Cをスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 90Cに対し、表面側金属層 92Aを電極として、電解メツキ処理を施して各短絡部形成用凹所 90K内に金属を充填した（図 41 (c)参照)。

次いで、絶縁 ¾シート 11をエッチングにより除去した（図 41 (d)参照)。

次いで、第 1の裏面側金属層にエッチングを行い保持部を形成し、第 2の裏面側金属層にエッチングを行、その一部を除去することにより裏面電極部と支持部 92Eを形成し、絶縁層 18Bにエッチングを行い絶縁層を各々の接点膜に分割した（図 41 (e )参照)。

その後、外径が 22cm、内径が 20. 5cmで厚みが 2mmのリング状の窒化シリコンよりなる支持部材 2の表面に、シァノアクリレート系接着剤 (東亞合成 (株)製:品名ァロンアルファ品番： # 200)を滴下して接着層を形成し、これに接点膜を形成した積層体を積層し、 25°Cで 30分保持することにより、接着層を硬化させてシート状プロ一ブを製造した。

得られたシート状プローブは、絶縁層の厚み dが 37. 5 /ζ πι、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が 37 111、その先端の径が 13 /z m (平均値）であり、その突出高さが 12. 5 /z m、保持部は横幅が 60 μ m、縦幅が 200 μ mで厚みが 4 m、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が 37 m、裏面側の他端の径が 90 m、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が 90 μ m、縦幅が 200 μ m、厚みが 20 μ mのものである。

このようにして、合計で 4枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ 01」〜「シート状プローブ 04」とする

[0312] 〈異方導電性コネクターの作製〉

(1)磁性芯粒子の調製：

市販のニッケル粒子（Westaim社製、「FC1000」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。

[0313] 日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア TC— 15N 」によって、ニッケル粒子 2kgを、比重が 8. 9、風量が 2. 5m³Zmin、ローター回転数が 2250rpm、分級点が 15 μ m、ニッケル粒子の供給速度が 60gZminの条件で分級処理し、粒子径が 15 /z m以下のニッケル粒子 0. 8kgを捕集し、更に、この-ッケル粒子 0. 8kgを、比重が 8. 9、風量が 2. 5m³Zmin、ローター回転数が 2930rp m、分級点が 10 /ζ πι、ニッケル粒子の供給速度が 30gZminの条件で分級処理し、ニッケル粒子 0. 5kgを捕集した。

[0314] 得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が 7. 4 m、粒子径の変動係数が 27%、 BET比表面積が 0. 46 X 10³m²Zkg、飽和磁化が 0. 6Wb/m²であった。

このニッケル粒子を磁性芯粒子 Qとする。

(2)導電性粒子の調製：

粉末メツキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子 QlOOgを投入し、更に、 0. 32Nの塩酸水溶液 2Lを加えて攪拌し、磁性芯粒子 Qを含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で 30分間攪拌することにより、磁性芯粒子 Qの酸処理を行い、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 Qを沈殿させ、上澄み液を除去した。

[0315] 次いで、酸処理が施された磁性芯粒子 Qに純水 2Lを加え、常温で 2分間攪拌し、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 Qを沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、磁性芯粒子 Qの洗浄処理を行った。

[0316] そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子 Qに、金の含有割合が 20g ZLの金メッキ液 2Lをカ卩え、処理層内の温度を 90°Cに昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子 Qに対して金の置換メツキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子 Pを調製した。

[0317] このようにして得られた導電性粒子に純水 2Lをカ卩え、常温で 2分間攪拌し、その後、 1分間静置して導電性粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返し、その後、 90°Cに加熱した純水 2Lをカ卩えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子を回収した。そして、この導電性粒子を、 90°Cに設定された乾燥機によって乾燥処理した。

[0318] 得られた導電性粒子は、数平均粒子径が 7. 3 m、 BET比表面積が 0. 38 X 10³ mVkg, (被覆層を形成する金の質量) Z (磁性芯粒子 [A]の質量)の値が 0. 3であつた o

[0319] この導電性粒子を「導電性粒子 (a)」とする。

(3)フレーム板の作製：

図 36および図 37に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウェハ W1 における各被検査電極領域に対応して形成された 966個の開口 32を有する直径が 8インチのフレーム板 31を作製した。

[0320] このフレーム板 31の材質はコバール (線熱膨張係数 5 X 10— ⁶ZK)で、その厚みは、 60 μ mで teる。

開口 32の各々は、その横方向（図 36および図 37にお!/、て左右方向）の寸法が 36 00 μ mで縦方向（図 36および図 37において上下方向）の寸法が 900 μ mである。フレーム板 31の開口 32は、図 36に示すように試験用ウェハに形成された集積回路 Lの 1個に対して 2個が形成されており、同一集積回路 Lに対して設けられているフレーム板 31の開口 32は中心間距離（図 37において上下方向）で 2000 mピッチで配置されている。

[0321] 縦方向に隣接する開口 32の間の中央位置には、円形の空気流入孔 33が形成されており、その直径は 1000 μ mである。

(4)異方導電性シート用成形材料の調製：付加型液状シリコーンゴム 100重量部に、導電性粒子 30重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。

[0322] 以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が 250Pa' s である A液および B液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが 5%、デュロメーター A硬度が 32、引裂強度が 25kNZmのものである。

[0323] ここで、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。

(i)付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計により、 23± 2°Cにおける値を測し 7こ。

(ii)シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。

[0324] 二液型の付加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、 120°C、 30分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが 12. 7 mm、直径が 29mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、 200°C、 4時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、 JIS K 6249に準拠して 150± 2°Cにおける圧縮永久歪みを測定した。

(iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。

[0325] 上記 (ii)と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが 2. 5mmのシートを作製した。

このシートから打ち抜きによってタレセント形の試験片を作製し、 JIS K 6249に準拠して 23士 2°Cにおける弓 I裂強度を測定した。

(iv)デュロメーター A硬度は、上記 (iii)と同様にして作製されたシートを 5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、 JIS K 6249に準拠して 23 ± 2°Cにおける値を測定した。

(5)異方導電性コネクターの作製：

上記（3)で作製したフレーム板 31および上記 (4)で調製した成形材料を用い、特開 2002— 324600号公報に記載された方法に従って、フレーム板 31に、それぞれ一の開口 32を塞ぐよう配置され、フレーム板 31の開口縁部に固定されて支持された

、図 30に示す構成の 966個の異方導電性シート 35を形成することにより、異方導電性コネクター 30を製造した。

[0326] ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に 2Tの磁場を作用させながら、 100°C、 1時間の条件で行った。

得られた異方導電性シート 35について具体的に説明すると、異方導電性シート 35 の各々は、横方向の寸法が 6000 μ m、縦方向の寸法が 2000 μ mであり、 26個の導電部 36が 120 mのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部 36の各々は、横方向の寸法が 60 μ m、縦方向の寸法が 200 μ m、厚みが 150 μ m、突出部 3

8の突出高さが 25 μ m、絶縁部 37の厚みが 100 μ mである。

[0327] また、横方向において最も外側に位置する導電部 36とフレーム板 31の開口縁との間には、非接続用の導電部 36が配置されている。

非接続用の導電部 36の各々は、横方向の寸法が 60 m、縦方向の寸法が 200 m、厚みが 150 mである。

[0328] また、各異方導電性シート 35における導電部 36中の導電性粒子の含有割合を調ベたところ、全ての導電部 36について体積分率で約 25%であった。

このようにして、合計で 12枚の異方導電性コネクターを製造した。

これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター Cl」〜「異方導電性コネクタ一 C 12」とする。

〈検査用回路基板の作製〉

基板材料としてアルミナセラミックス (線熱膨張係数 4. 8 X 10—ソ K)を用い、試験用ウエノ、 W1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極

21が形成された検査用回路基板 20を作製した。

[0329] この検査用回路基板 20は、全体の寸法が 30cm X 30cmの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が 60 μ mで縦方向の寸法が 200 μ mである。得られた検査用回路基板を「検査用回路基板 T1」とする。

〈シート状フローブの評価〉 (1)試験 1 (隣接する電極構造体間の絶縁性）：

シート状プローブ Ml、 M2、シート状プローブ Nl、 N2、シート状プローブ 01、 02 の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った

[0330] 室温（25°C)下において、試験用ウェハ W1を試験台に配置し、この試験用ウェハ W1の表面上に、シート状プローブをその表面電極部 16の各々が試験用ウェハ W1 の被検査電極 7上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター 30をその導電部 36の各々がシート状プローブの裏面電極部 17上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター 30上に、検査用回路基板 T1をその検査電極 21の各々が異方導電性コネクター 30の導電部 36上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板 T1を下方に 200 kgの荷重 (電極構造体 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8g)で加圧した。

[0331] ここで、異方導電性コネクター 30としては下記表 1に示すものを使用した。

そして、検査用回路基板 T1における 26116個の検査電極 21の各々に順次電圧を印加すると共に、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体 15間の電気抵抗 (以下、「絶縁抵抗」という。 ) として測定し、全測定点における絶縁抵抗が 10Μ Ω以下である測定点の割合 (以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。

[0332] ここで、絶縁抵抗が 10Μ Ω以下である場合には、実際上、ウェハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。

以上の結果を下記表 1に示す。

[0333] [表 1]

(2)試験 2 (電極構造体の接続安定性）：

シート状プローブ M3、 M4、シート状プローブ N3、 N4、シート状プローブ 03、 04 の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体 15の接続安定性の評価を行った。

室温（25°C)下において、試験用ウェハ W2を、電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウェハ W2の表面上に、シート状プローブをその表面電極部 16の各々が試験用ウェハ W2の被検査電極 7上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター 30をその導電部 36の各々がシート状プローブの裏面電極部 17上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター 30上に、検査用回路基板 T1をその検査電極 21の各々が異方導電性コネクター 30の導電部 36上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板 T1を下方に 200kgの荷重 (電極構造体 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8g )で加圧した。

[0335] ここで、異方導電性コネクター 30としては下記表 2に示すものを使用した。

そして、検査用回路基板 T1における 26116個の検査電極 7について、シート状プローブ、異方導電性コネクター 30および試験用ウェハ W2を介して互ヽに電気的に接続された 2個の検査電極 21の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の 2分の 1の値を、検査用回路基板 T1の検査電極 21と試験用ウェハ W2の被検查電極 7との間の電気抵抗 (以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が 1 Ω以上である測定点の割合 (以下、「接続不良割合」という。）を求めた。

[0336] この操作を「操作（1)」とする。

次いで、検査用回路基板 T1に対する加圧を解除し、その後、試験台を 125°Cに昇温してその温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板 T1を下方に 200k gの荷重 (電極構造体 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8g)で加圧し、上記操作 ( 1 )と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作 (2)」とする。

[0337] 次、で、試験台を室温 (25°C)まで冷却し、検査用回路基板 T1に対する加圧を解除した。この操作を「操作 (3)」とする。

そして、上記の操作（1)、操作 (2)および操作 (3)を 1サイクルとして合計で 200サイタル連続して行った。

[0338] ここで、導通抵抗が 1 Ω以上である場合には、実際上、ウェハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。

以上の結果を下記表 2に示す。

[0339] [表 2]

また、試験 2が終了した後、各々のシート状プローブを観察したところ、いずれのシート状プローブも電極構造体丄5も絶縁層 18B力脱落していなかった。表 2の結果より、比較例に関わるシート状プローブ Oでは、表面電極部の突出高さが小さいぐ絶縁層 18Bの厚みが大きいため、絶縁膜にてその表面の周囲を覆われた被検査電極を有するウェハに対しては、その電気的接続を安定して継続できなヽことが明らかになった。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁層と、

前記電極構造体の各々は、

前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、

前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、

前記表面電極部の基端の径が、前記短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きぐ

前記短絡部の厚みが、前記絶縁層の厚みより大きい、

ことを特徴とするシート状プローブ。

[2] 前記短絡部が、前記絶縁層に対して、その厚み方向に移動可能にされて、ることを特徴とする請求項 1に記載のシート状プローブ。

[3] 前記絶縁層の厚み方向における電極構造体の移動可能距離が、 5〜30 /ζ πιであることを特徴とする請求項 2に記載のシート状プローブ。

[4] 少なくとも絶縁性シートと、

この絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、

この積層体に対し、

その表面側金属層を電極としてメツキ処理を施して、表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、絶縁層の表面力突出する表面電極部を形成し、その後に、前記積層体の裏面側に、厚み方向に複数のエッチング速度の異なる榭脂層により構成された絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された第 2の裏面側金属層を形成し、

この積層体に対し、

を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。

[5] 前記絶縁層を構成するエッチング速度の異なる榭脂層のうち、表面電極部と接する側の榭脂層のエッチング速度が速いことを特徴とする請求項 4に記載のシート状プローブの製造方法。

[6] 前記絶縁層を構成するエッチング速度の異なる複数の榭脂層のうち、少なくとも一層の榭脂層を除去することを特徴とする請求項 4から 5のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。

[7] 前記絶縁層が、金属層を介して積層される複数の榭脂層より形成されており、金属層より表面電極部側の榭脂層をエッチングにより除去すること請求項 4力 6のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。

[8] 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、

この異方導電性コネクター上に配置された請求項 1から 3のいずれかに記載のシート状プローブと、

を備えてなることを特徴とするプローブカード。

[9] 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハであり、

異方導電性コネクタ一は、

を有してなることを特徴とする請求項 8に記載のプローブカード。

[10] 請求項 8または請求項 9に記載されたプローブカードを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。

[11] 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、

この異方導電性コネクター上に配置された請求項 4から 7のいずれかの方法にて製造されたシート状プローブと、

を備えてなることを特徴とするプローブカード。

[12] 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハであり、

異方導電性コネクタ一は、

このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートとを有してなることを特徴とする請求項 11に記載のプローブカード。

[13] 請求項 11または請求項 12に記載されたプローブカードを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。

[14] 複数の集積回路が形成されたウェハの各集積回路を、

請求項 8、 9、 11、 12のいずれかに記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、

前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウェハの検査方法。