JP3760950B2

JP3760950B2 - シート状プローブの製造方法

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Publication number: JP3760950B2
Application number: JP2005123347A
Authority: JP
Inventors: 克己佐藤; 和夫井上; 睦彦吉岡; 等藤山; 久夫五十嵐
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2004-04-27
Filing date: 2005-04-21
Publication date: 2006-03-29
Anticipated expiration: 2025-04-21
Also published as: JP2005338066A

Description

本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、当該回路に対する電気的接続を行うためのシート状プローブの製造方法に関する。

例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子等の電子部品などの回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された多数の検査電極を有するプローブカードが用いられている。かかるプローブカードとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。
然るに、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合において、当該ウエハを検査するためのプローブカードを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、当該プローブカードは極めて高価なものとなる。また、検査対象であるウエハが小さいピッチで配置された多数の被検査電極を有するものである場合には、プローブカードを作製すること自体が困難となる。更に、ウエハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）毎に異なるため、当該ウエハにおける多数の被検査電極に対して、プローブカードの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。

以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するためのプローブカードとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁膜にその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブとを具えてなるものが提案されている（例えば特許文献１参照。）。

図３９は、検査用回路基板、異方導電性シートおよびシート状プローブを具えてなる従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。このプローブカードにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された多数の検査電極８６を有する検査用回路基板８５が設けられ、この検査用回路基板８５の一面上に、異方導電性シート８０を介してシート状プローブ９０が配置されている。

異方導電性シート８０は、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、かかる異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献２等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示され、また、特許文献３等には、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示され、更に、特許文献４等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。

シート状プローブ９０は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁膜９１を有し、この絶縁膜９１に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体９５が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。この電極構造体９５の各々は、絶縁膜９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁膜９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁膜９１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部９８を介して一体に連結されて構成されている。

このようなシート状プローブ９０は、一般に、以下のようにして製造される。
先ず、図４０（ａ）に示すように、絶縁膜９１の一面に金属層９２が形成されてなる積層体９０Ａを用意し、図４０（ｂ）に示すように、絶縁膜９１にその厚み方向に貫通する貫通孔９８Ｈを形成する。
次いで、図４０（ｃ）に示すように、絶縁膜９１の金属層９２上にレジスト膜９３を形成したうえで、金属層９２を共通電極として電解メッキ処理を施すことにより、絶縁膜９１の貫通孔９８Ｈの内部に金属の堆積体が充填されて金属層９２に一体に連結された短絡部９８が形成されると共に、当該絶縁膜９１の表面に、短絡部９８に一体に連結された突起状の表面電極部９６が形成される。
その後、金属層９２からレジスト膜９３を除去し、更に、図４０（ｄ）に示すように、表面電極部９６を含む絶縁膜９１の表面にレジスト膜９４Ａを形成すると共に、金属層９２上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜９４Ｂを形成し、当該金属層９２に対してエッチング処理を施することにより、図４０（ｅ）に示すように、金属層９２における露出する部分が除去されて裏面電極部９７が形成され、以て電極構造体９５が形成される。
そして、絶縁膜９１および表面電極部９６上に形成されたレジスト膜９４Ａを除去すると共に、裏面電極部９７上に形成されたレジスト膜９４Ｂを除去することにより、シート状プローブ９０が得られる。

上記のプローブカードにおいては、被検査回路装置例えばウエハの表面に、シート状プローブ９０における電極構造体９５の表面電極部９６が当該ウエハの被検査電極上に位置するよう配置され、この状態で、ウエハがプローブカードによって押圧されることにより、異方導電性シート８０が、シート状プローブ９０における電極構造体９５の裏面電極部９７によって押圧され、これにより、当該異方導電性シート８０には、当該裏面電極部９７と検査用回路基板８５の検査電極８６との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハの被検査電極と検査用回路基板８５の検査電極８６との電気的接続が達成される。そして、この状態で、当該ウエハについて所要の電気的検査が実行される。
そして、このようなプローブカードによれば、ウエハがプローブカードによって押圧されたときに、当該ウエハの反りの大きさに応じて異方導電性シートが変形するため、ウエハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。

しかしながら、上記のプローブカードにおけるシート状プローブにおいては、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブの製造方法における短絡部９８および表面電極部９６を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長するため、図４１に示すように、得られる表面電極部９６においては、当該表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離ｗは、当該表面電極部９６の突出高さｈと同等の大きさとなる。従って、得られる表面電極部９６の径Ｒは、突出高さｈの２倍を超えて相当に大きいものとなる。そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さいピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体９５間の離間距離を十分に確保することができず、その結果、得られるシート状プローブにおいては、絶縁膜９１による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。
また、電解メッキ処理において、金属層９２の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁膜９１の貫通孔９８Ｈ毎にメッキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部９６の突出高さｈや、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離ｗすなわち径Ｒに大きなバラツキが生じる。そして、表面電極部９６の突出高さｈに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部９６の径に大きなバラツキがある場合には、隣接する表面電極部９６同士が短絡する恐れがある。

以上において、得られる表面電極部９６の径を小さくする手段としては、当該表面電極部９６の突出高さｈを小さくする手段、短絡部９８の径（断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示す。）ｒを小さくする、すなわち絶縁膜９１の貫通孔９８Ｈの径を小さくする手段が考えられるが、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となり、一方、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部９８および表面電極部９６を形成すること自体が困難となる。

このような問題を解決するため、特許文献５および特許文献６において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。

特許文献５に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図４２（ａ）に示すように、絶縁膜９１の表面にレジスト膜９３Ａおよび表面側金属層９２Ａがこの順で形成され、当該絶縁膜９１の裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｂを用意し、図４２（ｂ）に示すように、この積層体９０Ｂにおける裏面側金属層９２Ｂ、絶縁膜９１およびレジスト膜９３Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、当該積層体９０Ｂの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。次いで、図４２（ｃ）に示すように、この積層体９０Ｂにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。そして、この積層体における裏面側金属層にエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図４２（ｄ）に示すように、裏面電極部９７を形成し、以てシート状プローブが得られる。

また、特許文献６に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図４３（ａ）に示すように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁膜より大きい厚みを有する絶縁膜材９１Ａの表面に表面側金属層９２Ａが形成され、当該絶縁膜材９１Ａの裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｃを用意し、図４３（ｂ）に示すように、この積層体９０Ｃにおける裏面側金属層９２Ｂおよび絶縁膜材９１Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、当該積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図４３（ｃ）に示すように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去すると共に、絶縁膜材９１Ａをエッチング処理して当該絶縁膜の表面側部分を除去することにより、図４３（ｄ）に示すように、所要の厚みの絶縁膜９１を形成すると共に、表面電極部９６を露出させる。そして、裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理することにより、図４３（ｅ）に示すように、裏面電極部９７を形成し、以てシート状プローブが得られる。

このようなシート状プローブによれば、表面電極部がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部を、隣接する電極構造体の表面電極部との離間距離が十分に確保された状態で形成することができると共に、当該電極構造体の各々の表面電極部は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所をキャビティとして成形されるため、表面電極部の突出高さのバラツキが小さい電極構造体が得られる。
しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径すなわち絶縁膜に形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものであるため、電極構造体が絶縁膜の裏面から脱落してしまい、当該シート状プローブを実際上使用することは困難である。

更に、従来のプローブカードにおけるシート状プローブにおいては、以下のような問題がある。
例えば直径が８インチ以上のウエハにおいては、５０００個または１００００個以上の被検査電極が形成されており、当該被検査電極のピッチは１６０μｍ以下である。このようなウエハの検査を行うためのシート状プローブとしては、当該ウエハに対応した大面積のものであって、５０００個または１００００個以上の電極構造体が１６０μｍ以下のピッチで配置されてなるものを用いることが必要となる。
而して、ウエハを構成する材料例えばシリコンの線熱膨張係数は３．３×１０^-6／Ｋ程度であり、一方、シート状プローブにおける絶縁膜を構成する材料例えばポリイミドの線熱膨張係数は４．５×１０^-5／Ｋ程度である。従って、例えば２５℃において、それぞれ直径が３０ｃｍのウエハおよびシート状プローブの各々を、２０℃から１２０℃までに加熱した場合には、理論上、ウエハの直径の変化は９９μｍにすぎないが、シート状プローブにおける絶縁膜の直径の変化は１３５０μｍに達し、両者の熱膨張の差は、１２５１μｍとなる。
このように、ウエハとシート状プローブにおける絶縁膜との間で、面方向における熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、絶縁膜の周縁部をウエハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有する支持部材によって固定しても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
また、検査対象が小型の回路装置であっても、その被検査電極のピッチが５０μｍ以下のものである場合には、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。

このような問題点に対して、特許文献７には、絶縁膜に張力を作用させた状態で保持部材に固定することにより、当該絶縁膜の熱膨張を緩和する手段が提案されている。
然るに、このような手段においては、絶縁膜に対してその面方向における全ての方向について均一に張力を作用させることは極めて困難であり、また、電極構造体を形成することによって絶縁膜に作用する張力のバランスが変化し、その結果、当該絶縁膜は熱膨張について異方性を有するものとなるため、面方向における−方向の熱膨張を抑制することが可能であっても、当該一方向と交差する他の方向の熱膨張を抑制することができず、結局、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを防止することができない。

特開平７−２３１０１９号公報特開昭５１−９３３９３号公報特開昭５３−１４７７７２号公報特開昭６１−２５０９０６号公報特開平１１−３２６３７８号公報特開２００２−１９６０１８号公報特開２００１−１５５６５号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができ、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁膜から脱落することのなくて高い耐久性が得られ、更に、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、従って、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを製造することができる方法を提供することにある。

本発明のシート状プローブの製造方法は、柔軟な樹脂よりなる絶縁膜に、それぞれ接続すべき電極に対応するパターンに従って当該絶縁膜の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配置されてなる接点膜と、この接点膜を支持する金属よりなる支持膜とを具えてなり、前記電極構造体の各々は、前記絶縁膜の表面に露出し、当該絶縁膜の表面から突出する表面電極部と、前記絶縁膜の裏面に露出する裏面電極部と、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁膜をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁膜の表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなるシート状プローブを製造する方法であって、
金属よりなる支持膜形成用層と、この支持膜形成用層の表面に一体的に積層された絶縁膜と、この絶縁膜の表面に一体的に積層された金属よりなる保持部形成用層と、この保持部形成用層の表面に一体的に積層された絶縁性の電極部成形用層と、この電極部成形用層の表面に一体的に積層された金属よりなるメッキ電極用層とを有する積層体を用意し、
この積層体における支持膜形成用層、絶縁膜、保持部形成用層および電極部成形用層の各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、当該積層体の裏面に、形成すべき電極構造体のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体形成用凹所を形成し、
この積層体におけるメッキ電極用層を電極としてメッキ処理を施して電極構造体形成用凹所の各々に金属を充填することにより、絶縁膜の表面から突出する表面電極部、当該表面電極部の基端から連続して当該絶縁膜をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部、およびこの短絡部に連結された、当該絶縁膜の裏面に露出する裏面電極部を形成し、
この積層体における支持膜形成用層をエッチング処理することにより、開口が形成された支持膜を形成し、
この積層体から前記メッキ電極用層および前記電極部成形用層を除去することにより、前記表面電極部および前記保持部形成用層を露出させ、その後、当該保持部形成用層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁膜の表面に沿って外方に伸びる保持部を形成する工程を有することを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法においては、電極構造体形成用凹所における保持部成形用層の貫通孔が、当該保持部成形用層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることが好ましい。
また、積層体としてその保持部成形用層がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、電極構造体形成用凹所における保持部成形用層の貫通孔がエッチングにより形成されることが好ましい。
また、電極構造体形成用凹所における絶縁膜の貫通孔が、当該絶縁膜の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることが好ましい。
また、積層体としてその絶縁膜がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、電極構造体形成用凹所における絶縁膜の貫通孔がエッチングにより形成されることが好ましい。

本発明のシート状プローブの製造方法によれば、絶縁膜を有する積層体に予め電極構造体形成用凹所を形成し、当該電極構造体形成用凹所をキャビティとして表面電極部を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部が得られる。
また、絶縁膜の表面に形成された保持部形成用層をエッチング処理することにより、表面電極部の基端部分から連続して絶縁膜の表面に沿って外方に伸びる保持部を確実に形成することができるため、当該表面電極部の径が小さいものであっても、当該電極構造体が絶縁膜から脱落することがなくて高い耐久性を有するシート状プローブを製造することができる。

また、本発明に係るシート状プローブの製造方法によれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って、良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〔シート状プローブ〕
図１は、本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの第１の例を一部を破断して示す平面図であり、図２は、第１の例のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示す平面図、図３は、第１の例のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示す説明用断面図である。
この第１の例のシート状プローブ１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、複数の開口１１Ｈが形成された金属よりなる支持膜１１を有する。この支持膜１１の開口１１Ｈは、検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパターンに対応して形成されている。また、この例における支持膜１１には、後述するプローブカードにおける異方導電性コネクターおよび検査用回路基板との位置決めを行うための位置決め孔１１Ｋが形成されている。

支持膜１１を構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、またはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができるが、後述する製造方法において、エッチング処理によって容易に開口１１Ｈを形成することができる点で、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼が好ましい。
また、支持膜１１としては、その線熱膨張係数が３×１０^-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋ、特に好ましくは−１×１０^-6〜８×１０^-6／Ｋである。
このような支持膜１１を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼が挙げられる。

また、支持膜１１の厚みは、３〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜５０μｍである。
この厚みが３μｍ未満である場合には、接点膜１２を支持する支持膜として必要な強度が得られないことがある。一方、この厚みが１００μｍを超える場合には、後述する製造方法において、エッチング処理によって開口１１Ｈを容易に形成することが困難となることがある。

この支持膜１１の表面（図３において上面）上には、当該支持膜１１の径より小さい径の円形の単一の接点膜１２が当該支持膜１１に一体的に設けられて支持されている。
この接点膜１２は、柔軟な絶縁膜１３を有し、この絶縁膜１３には、当該絶縁膜１３の厚み方向に伸びる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁膜１３の面方向に互いに離間して配置されており、当該接点膜１２は、電極構造体１５の各々が、支持膜１１の各開口１１Ｈ内に位置するよう配置されている。
電極構造体１５の各々は、絶縁膜１３の表面に露出し、当該絶縁膜１３の表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁膜１３の裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して前記絶縁膜１３をその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８と、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁膜１３の表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リング板状の保持部１９とにより構成されている。この例の電極構造体１５においては、表面電極部１６が、短絡部１８に連続して基端から先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、当該表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁膜１３の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成されており、表面電極部１６の基端の径Ｒ₁が当該基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ₃と同一とされている。

絶縁膜１３としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができるが、短絡部１８を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
また、絶縁膜１３の厚みｄは、当該絶縁膜１３が柔軟なものであれば特に限定されないが、１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜２５μｍである。

電極構造体１５を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体１５としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりなるものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであってもよい。
また、電極構造体１５における表面電極部１６および裏面電極部１７の表面には、当該電極部の酸化を防止すると共に、接触抵抗の小さい電極部を得るために、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていてもよい。

電極構造体１５において、表面電極部１６の基端における径Ｒ₁に対する先端における径Ｒ₂の比（Ｒ₂／Ｒ₁）は、０．１１〜０．５５であることが好ましく、より好ましくは０．１５〜０．４である。このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置がピッチが小さくて微小な電極を有するものであっても、当該回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。
また、表面電極部１６の基端の径Ｒ₁は、当該電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは３５〜６０％である。
また、表面電極部１６の基端における径Ｒ₁に対する突出高さｈの比ｈ／Ｒ₁は、０．２〜３であることが好ましく、より好ましくは０．２５〜０．６である。このような条件を満足することにより、検査対象であるウエハがピッチが小さくて微小な被検査電極を有するものであっても、当該被検査電極のパターンに対応するパターンの電極構造体１５を容易に形成することができ、当該ウエハに対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。
表面電極部１６の基端の径Ｒ₁は、上記の条件や検査対象であるウエハの被検査電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば３０〜８０μｍであり、好ましくは３０〜５０μｍである。
表面電極部１６の突出高さｈの高さは、検査対象であるウエハの被検査電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、１５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍである。

また、裏面電極部１７の外径Ｒ₅は、当該裏面電極部１７に連結された短絡部１８の他端の径Ｒ₄より大きく、かつ、電極構造体１５のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。
また、裏面電極部１７の厚みＤ₂は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、１０〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３５μｍである。
また、短絡部１８の他端の径Ｒ₄に対する一端の径Ｒ₃の比Ｒ₃／Ｒ₄は、０．４５〜１であることが好ましく、より好ましくは０．７〜０．９である。
また、短絡部１８の一端の径Ｒ₃は、当該電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは３５〜６０％である。
また、保持部１９の径Ｒ₆は、当該電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは４０〜６０％である。
また、保持部１９の厚みＤ₁は、３〜１２μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜９μｍである。

このような第１の例のシート状プローブ１０によれば、接点膜１２における電極構造体１５には、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁膜１１の表面に沿って外方に伸びる保持部１９が形成されているため、当該表面電極部１６の径が小さいものであっても、当該電極構造体１６が絶縁膜１３の裏面から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
また、径の小さい表面電極部１６を有することにより、隣接する表面電極部１６の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁膜１３による柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで被検査電極が形成されたウエハに対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。

また、支持膜１１には、検査対象であるウエハの被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の開口１１Ｈが形成され、この支持膜１１上には、電極構造体１５の各々が支持膜１１の各開口１１Ｈ内に位置するよう接点膜１２が配置されることにより、この接点膜１２は、その全面にわたって支持膜１１に支持されるため、当該接点膜１２が大面積のものであっても、その絶縁膜１３の面方向における熱膨張を支持膜１１によって確実に規制することができる。従って、検査対象であるウエハが例えば直径が８インチ以上の大面積で被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、その結果、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

上記の第１の例のシート状プローブ１０は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、図４に示すように、金属よりなる円形の支持膜形成用層１１Ａと、この支持膜形成用層１１Ａの表面上に一体的に積層された、当該支持膜形成用層１１Ａの径より小さい径を有する円形の絶縁膜１３と、この絶縁膜１３の表面上に一体的に積層された金属よりなる保持部形成用層１９Ａと、この保持部形成用層１９Ａの表面上に一体的に積層された絶縁性の電極部成形用層１６Ｂと、この電極部成形用層１６Ｂの表面上に一体的に積層されたメッキ電極用層１６Ａとを有する積層体１０Ａを作製する。図示の例の積層体１０Ａにおいては、支持膜形成用層１１Ａの表面にその周縁部に沿って保護テープ１１Ｔが設けられている。
この積層体１０Ａにおいて、保持部形成用層１９Ａは、形成すべき電極構造体１５における保持部１９の厚みと同等の厚みを有するものとされている。また、電極部成形用層１６Ｂは、当該電極部成形用層１６Ｂの厚みと保持部形成用層１９Ａの厚みとの合計の厚みが、形成すべき電極構造体１５における表面電極部１６の突出高さと同等となるものとされている。また、支持膜形成用層１１Ａは、形成すべき支持膜１１の厚みと同等の厚みを有するものとされている。
絶縁膜１３を構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
また、電極部成形用層１６Ｂを構成する絶縁性の材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。

このような積層体１０Ａに対し、図５に示すように、そのメッキ電極用層１６Ａの表面全面にエッチング用のレジスト膜１４Ａを形成すると共に、支持膜形成用層１１Ａの裏面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔Ｋ１が形成されたエッチング用のレジスト膜１４Ｂを形成する。
ここで、レジスト膜１４Ａ，１４Ｂを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。

次いで、支持膜形成用層１１Ａに対し、レジスト膜１４Ｂのパターン孔Ｋ１を介して露出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、図６に示すように、支持膜形成用層１１Ａに、それぞれレジスト膜１４Ｂのパターン孔Ｋ１に連通する複数の貫通孔１７Ｈが形成される。その後、絶縁膜１３に対し、レジスト膜１４Ｂの各パターン孔Ｋ１および支持膜形成用層１１Ａの各貫通孔１７Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、図７に示すように、絶縁膜１３に、それぞれ支持膜形成用層１１Ａの貫通孔１７Ｈに連通する、当該絶縁膜１３の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔１３Ｈが形成される。その後、保持部形成用層１９Ａに対し、レジスト膜１４Ｂの各パターン孔Ｋ１、支持膜形成用層１１Ａの各貫通孔１７Ｈおよび絶縁膜１３の各貫通孔１３Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、図８に示すように、保持部形成用層１９Ａに、それぞれ絶縁膜１３の貫通孔１３Ｈに連通する複数の貫通孔１９Ｈが形成される。更に、電極部成形用層１６Ｂに対し、レジスト膜１４Ｂの各パターン孔Ｋ１、支持膜形成用層１１Ａの各貫通孔１７Ｈ、絶縁膜１３の各貫通孔１３Ｈおよび保持部形成用層１９Ａの各貫通孔１９Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して当該部分を除去することにより、図９に示すように、電極部成形用層１６Ｂに、それぞれ保持部形成用層１９Ａの貫通孔１９Ｈに連通する、電極部成形用層１６Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔１６Ｈが形成される。これにより、積層体１０Ａの裏面に、それぞれ支持膜形成用層１１Ａの貫通孔１７Ｈ、絶縁膜１３の貫通孔１３Ｈ、保持部形成用層１９Ａの貫通孔１９Ｈおよび電極部成形用層１６Ｂの貫通孔１６Ｈが連通されてなる複数の電極構造体形成用凹所１０Ｋが形成される。

以上において、支持膜形成用層１１Ａおよび保持部形成用層をエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば４２合金や銅よりなるものである場合には、塩化第二鉄水溶液などを用いることができる。
また、絶縁膜１３および電極部成形用層１６Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、ヒドラジン系水溶液、水酸化カリウム水溶液、アミン系エッチング液などを用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁膜１３および電極部成形用層１６Ｂに、それぞれ裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔１３Ｈ，１６Ｈを形成することができる。

このようにして電極構造体形成用凹所１０Ｋが形成された積層体１０Ａからレジスト膜１４Ａ，１４Ｂを除去し、その後、図１０に示すように、当該積層体１０Ａに、そのメッキ電極用層１６Ａの表面全面を覆うよう、メッキ用のレジスト膜１４Ｃを形成すると共に、支持膜形成用層１１Ａの裏面に、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔Ｋ２が形成されたメッキ用のレジスト膜１４Ｄを形成する。
ここで、レジスト膜１４Ｃ，１４Ｄを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。

次いで、積層体１０Ａに対し、メッキ電極用層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各電極構造体形成用凹所１０Ｋおよびレジスト膜１４Ｄの各パターン孔Ｋ２内に金属を充填することにより、図１１に示すように、絶縁膜１３の表面から突出する突起状の複数の表面電極部１６、当該表面電極部１６の各々の基端に連続して絶縁膜１３をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および当該短絡部１８の各々の他端に連結された裏面電極部１７が形成される。ここで、裏面電極部１７の各々は、支持膜形成用層１１Ａを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部１６、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ａからレジスト膜１４Ｄを除去することにより、図１２に示すように、支持膜形成用層１１Ａの裏面を露出させ、その後、図１３に示すように、裏面電極部１７および支持膜形成用層１１Ａにおける支持膜１１となる部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜１４Ｅを形成し、更に、積層体１０Ａからレジスト膜１４Ｃを除去することにより、図１４に示すように、メッキ電極用層１６Ａを露出させる。そして、メッキ電極用層１６Ａおよび支持膜形成用層１１Ａにおける露出した部分にエッチング処理を施すことにより、メッキ電極用層１６Ａの全部を除去すると共に、支持膜形成用層１１Ａにおける露出した部分を除去し、これにより、図１５に示すように、互いに分離した複数の裏面電極部１７が形成されると共に、検査対象であるウエハに形成された集積回路の電極領域に対応する複数の開口１１Ｈを有する支持膜１１が形成される。

次いで、裏面電極部１７および支持膜１１からレジスト膜１４Ｅを除去し、その後、図１６に示すように、支持膜１１の裏面、絶縁膜１３の裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１４Ｆを形成する。
そして、電極部成形用層１６Ｂに対してエッチング処理を施してその全部を除去することにより、図１７に示すように、表面電極部１６および保持部形成用層１９Ａを露出し、その後、図１８に示すように、表面電極部１６および保持部形成用層１７Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜１４Ｇを形成する。次いで、保持部形成用層１７Ａにエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図１９に示すように、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して当該絶縁膜１１の表面に沿って外方に放射状に伸びる保持部１９が形成され、以て電極構造体１５が形成される。
そして、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｇを除去すると共に、支持膜１１の裏面、絶縁膜１３の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１４Ｆを除去し、更に支持膜１１の表面から保護テープ１１Ｔ（図４参照）を除去することにより、図１〜図３に示す第１の例のシート状フローブ１０が得られる。

このような製造方法によれば、絶縁膜１３を有する積層体１０Ａに予め電極構造体形成用凹所１０Ｋを形成し、当該電極構造体形成用凹所１０Ｋをキャビティとして表面電極部１６を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部１６が得られる。
また、絶縁膜１３の表面に形成された保持部形成用層１９Ａをエッチング処理することにより、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁膜１３の表面に沿って外方に伸びる保持部１９を確実に形成することができるため、当該表面電極部１６の径が小さいものであっても、当該電極構造体１５が絶縁膜１３から脱落することがなくて高い耐久性を有するシート状プローブ１０を製造することができる。
また、積層体１０Ａには、絶縁膜１３が支持膜形成用層１１Ａに一体的に積層されており、当該絶縁膜１３に電極構造体１５を形成したうえで、支持膜形成用層１１をエッチング処理して開口１１Ｈを形成するため、支持膜１１上に接点膜１２を高い位置精度で一体的に形成することができる。

図２０は、本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの第２の例を示す平面図であり、図２１は、第２の例のシート状プローブにおける接点膜の要部を拡大して示す平面図、図２２は、第２の例のシート状プローブの要部を拡大して示す説明用断面図である。
この第２の例のシート状プローブ１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、第１の例のシート状プローブ１０と同様の構成の支持膜１１を有する。

この支持膜１１の表面（図２２において上面）上には、その表面に沿って並ぶよう互いに独立した状態で配置された複数（図示の例では９つ）の接点膜１２ａが、当該支持膜１１に一体的に設けられて支持されている。
この接点膜１２ａの各々は、柔軟な絶縁膜１３ａを有し、この絶縁膜１３ａには、当該絶縁膜１３ａの厚み方向に伸びる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハに形成された一部の集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁膜１３ａの面方向に互いに離間して配置されており、当該接点膜１２ａは、電極構造体１５の各々が、支持膜１１の各開口１１Ｈ内に位置するよう配置されている。
電極構造体１５の各々は、絶縁膜１３ａの表面に露出し、当該絶縁膜１３ａの表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁膜１３ａの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して前記絶縁膜１３ａをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８と、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁膜１３ａの表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リング板状の保持部１９とにより構成されている。この例の電極構造体１５においては、表面電極部１６が、短絡部１８に連続して基端から先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、当該表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁膜１３ａの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成されており、表面電極部１６の基端の径Ｒ₁が当該基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ₃と同一とされている。
この第２の例のシート状プローブ１０において、絶縁膜１３ａの材質、電極構造体１５の材質および寸法などは、第１の例のシート状プローブの絶縁膜１３および電極構造体１５と同様である。

この第２の例のシート状プローブ１０は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、前述の第１の例のシート状プローブ１０の製造方法と同様にして、図４に示す構成の積層体１０Ａから支持膜１１および電極構造体１５およびを形成する（図５乃至図１９参照。）。
次いで、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｇを除去した後、図２３に示すように、絶縁膜１３の表面、表面電極部１６および保持部１９に、形成すべき接点膜１２ａのパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜１４Ｈを形成し、絶縁膜１３に対してエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、絶縁膜１３が分割されて、図２４に示すように、互いに独立した複数の絶縁膜１３ａが形成され、これにより、それぞれ絶縁膜１３ａにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体１５が配置されてなる複数の接点膜１２ａが形成される。
そして、支持膜１１の裏面、絶縁膜１３ａの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１４Ｆを除去すると共に、絶縁膜１３ａの表面、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｈを除去し、更に支持膜１１の表面から保護テープを除去することにより、図２０〜図２２に示す第２の例のシート状フローブ１０が得られる。

このような第２の例のシート状プローブ１０によれば、接点膜１２ａの各々における電極構造体１５には、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁膜１１の表面に沿って外方に伸びる保持部１９が形成されているため、当該表面電極部１６の径が小さいものであっても、当該電極構造体１６が絶縁膜１３ａの裏面から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
また、径の小さい表面電極部１６を有することにより、隣接する表面電極部１６の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁膜１３ａによる柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで被検査電極が形成されたウエハに対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。

また、支持膜１１には，検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の開口１１Ｈが形成され、この支持膜１１の表面上には、互いに独立した複数の接点膜１２ａが、電極構造体１５の各々が支持膜１１の各開口１１Ｈ内に位置するよう配置されることにより、接点膜１２ａの各々は、その全面にわたって支持膜１１に支持されるため、当該接点膜１２ａが大面積のものであっても、その絶縁膜１３ａの面方向における熱膨張を支持膜１１によって確実に規制することができる。従って、検査対象であるウエハが例えば直径が８インチ以上の大面積で被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体１７と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、その結果、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

図２５は、本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの第３の例を示す平面図であり、図２６は、第３の例のシート状プローブにおける接点膜の要部を拡大して示す平面図、図２７は、第３の例のシート状プローブの要部を拡大して示す説明用断面図である。
この第３の例のシート状プローブ１０は、例えば複数の集積回路が形成されたウエハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるものであって、第１の例のシート状プローブ１０と同様の構成の支持膜１１を有する。

支持膜１１の表面上には、複数の接点膜１２ｂが、それぞれ支持膜１１の開口１１Ｈの各々を塞ぐよう当該開口縁部に支持された状態で、かつ、隣接する接点膜１２ｂと互いに独立した状態で配置されている。
接点膜１２ｂの各々は、柔軟な絶縁膜１３ｂを有し、当該絶縁膜１３ｂには、当該絶縁膜１３ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハに形成された一の集積回路の電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁膜１３ｂの面方向に互いに離間して配置されており、当該接点膜１２ｂは、電極構造体１５の各々が、支持膜１１の開口１１Ｈ内に位置するよう配置されている。
電極構造体１５の各々は、絶縁膜１３ｂの表面に露出し、当該絶縁膜１３ｂの表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁膜１３ｂの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して前記絶縁膜１３ｂをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８と、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁膜１３ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リング板状の保持部１９とにより構成されている。この例の電極構造体１５においては、表面電極部１６が、短絡部１８に連続して基端から先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、当該表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁膜１３ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成されており、表面電極部１６の基端の径Ｒ₁が当該基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ₃と同一とされている。
この第３の例のシート状プローブ１０において、絶縁膜１３ｂの材質、電極構造体１５の材質および寸法などは、第１の例のシート状プローブの絶縁膜１３および電極構造体１５と同様である。

この第３の例のシート状プローブ１０は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、前述の第１の例のシート状プローブ１０の製造方法と同様にして、図４に示す構成の積層体１０Ａから支持膜１１および電極構造体１５を形成する（図５乃至図１９参照。）。
次いで、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｇを除去した後、図２８に示すように、絶縁膜１３の表面、表面電極部１６および保持部１９に、形成すべき接点膜１２ｂのパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜１４Ｈを形成し、絶縁膜１３に対してエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図２９に示すように、互いに独立した複数の絶縁膜１３ｂが形成され、これにより、それぞれ絶縁膜１３ｂにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体１５が配置されてなる複数の接点膜１２ｂが形成される。
そして、支持膜１１の裏面、絶縁膜１３ｂの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１４Ｆを除去すると共に、絶縁膜１３ｂの表面、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ｈを除去し、更に支持膜１１から保護テープを除去することにより、図２５〜図２７に示す第３の例のシート状フローブ１０が得られる。

このような第３の例のシート状プローブ１０によれば、接点膜１２ｂの各々における電極構造体１５には、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁膜１１の表面に沿って外方に伸びる保持部１９が形成されているため、当該表面電極部１６の径が小さいものであっても、当該電極構造体１６が絶縁膜１３ｂの裏面から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
また、径の小さい表面電極部１６を有することにより、隣接する表面電極部１６の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁膜１３ｂによる柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで被検査電極が形成されたウエハに対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。

また、支持膜１１には，検査対象であるウエハにおける被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の開口１１Ｈが形成されており、これらの開口１１Ｈの各々に配置される接点膜１２ｂは面積の小さいものでよく、面積の小さい接点膜１２ｂは、その絶縁膜１３ｂの面方向における熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜１３ｂの熱膨張を支持膜１１によって確実に規制することが可能となる。従って、検査対象であるウエハが直径が８インチ以上の大面積で被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体１７と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、その結果、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

〔プローブカードおよび回路装置の検査装置〕
図３０は、本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブを具えた回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのウエハ検査装置である。
この検査装置は、被検査回路装置であるウエハ６の被検査電極７の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード１を有する。このプローブカード１の裏面（図において上面）には、当該プローブカード１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード１の下方には、ウエハ６が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。

プローブカード１は、図３１にも拡大して示すように、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極２１が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板２０と、この検査用回路基板２０の表面上に配置された異方導電性コネクター３０と、この異方導電性コネクター３０の表面（図において下面）上に配置された、図１に示す構成のシート状プローブ１０とにより構成されている。
シート状プローブ１０における電極構造体１５は、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体１５が配置された、図１に示す構成のシート状プローブ１０が配置されている。
異方導電性コネクター３０は、図３２に示すように、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７が配置された電極領域に対応して複数の開口３２が形成されたフレーム板３１と、このフレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、当該フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート３５とにより構成されている。異方導電性シート３５の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ６に形成された一の電極領域の被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部３６と、これらの導電部３６の各々を相互に絶縁する絶縁部３７とにより構成されている。また、図示の例では、異方導電性シート３５の両面には、導電部３６およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部３８が形成されている。異方導電性シート３５における導電部３６の各々には、磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部３７は、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。
そして、異方導電性コネクター３０は、検査用回路基板２０の表面上に、導電部３６の各々が検査電極２１上に位置するよう配置され、シート状プローブ１０は、異方導電性コネクター３０の表面上に、電極構造体１５の裏面電極部１７の各々が導電部３６上に位置するよう配置されている。図示の例では、シート状プローブ１０における支持膜１１に形成された位置決め孔（図示省略）並びに異方導電性コネクター３０におけるフレーム板３１に形成された位置決め孔（図示省略）の各々に、ガイドピン２が挿通され、この状態で、シート状プローブ１０および異方導電性コネクター３０が互いに固定されている。

検査用回路基板２０を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス材料などが挙げられる。
また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が３×１０^-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０^-6〜６×１０^-6／Ｋである。
このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。

異方導電性コネクター３０におけるフレーム板３１を構成する材料としては、当該フレーム板３１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板３１を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板３１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
フレーム板３１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板３１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がＷＬＢＩ（ＷａｆｅｒＬｅｂｅｌＢｕｒｎ−ｉｎ）試験を行うためのものである場合には、フレーム板３１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０^-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０^-6〜８×１０^-6／Ｋである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
フレーム板３１の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート３５を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。

異方導電性コネクター３０における異方導電性シート３５の全厚（図示の例では導電部３６における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、当該異方導電性シート３５には十分な強度が得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部３６が確実に得られる。
突出部３８の突出高さは、その合計が当該突出部３８における厚みの１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、小さい加圧力で導電部３６が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部３８の突出高さは、当該突出部３８の最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、当該突出部３８が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。

異方導電性シート３５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。
液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基とＳｉ−Ｈ結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびＳｉ−Ｈ結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のものと、ビニル基を含有するポリシロキサンおよびＳｉ−Ｈ結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。

異方導電性シート３５を液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）によって形成する場合において、当該シリコーンゴム硬化物は、その１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは６％以下である。この圧縮永久歪みが１０％を超える場合には、得られる異方導電性コネクターを多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、導電部３６に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電部３６における導電性粒子Ｐの連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、ＪＩＳＫ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。

また、シリコーンゴム硬化物は、その２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることが好ましく、さらに好ましくは１５〜５５、特に好ましくは２０〜５０のものである。
このデュロメーターＡ硬度が１０未満である場合には、加圧されたときに、導電部３６を相互に絶縁する絶縁部３７が過度に歪みやすく、導電部３６間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーターＡ硬度が６０を超える場合には、導電部３６に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、被検査回路装置であるウエハに大きな変形や破壊が生じやすくなる。
また、シリコーンゴム硬化物として、デュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクターを多数回にわたって繰り返し使用したときには、導電部３６に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電部３６における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、異方導電性シート３５を形成するシリコーンゴム硬化物は、その２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が２５〜４０のものであることが好ましい。
シリコーンゴム硬化物として、デュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、ＷＬＢＩ試験を繰り返し行ったときに、導電部３６に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電部３６における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーターＡ硬度は、ＪＩＳＫ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。

また、シリコーンゴム硬化物は、その２３℃における引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは１０ｋＮ／ｍ以上、より好ましくは１５ｋＮ／ｍ以上、特に好ましくは２０ｋＮ／ｍ以上のものである。この引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ未満である場合には、異方導電性シート３５に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしやすい。
ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、ＪＩＳＫ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。

本発明においては、付加型液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を用いることができる。このような硬化触媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、付加型液状シリコーンゴム１００重量部に対して３〜１５重量部である。
また、付加型液状シリコーンゴム中には、付加型液状シリコーンゴムのチクソトロピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する基材を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。

導電部３６に含有される導電性粒子Ｐとしては、磁性を示す芯粒子（以下、「磁性芯粒子」ともいう。）の表面に高導電性金属が被覆されてなるものを用いることが好ましい。ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０⁶Ω^-1ｍ^-1以上のものをいう。

導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い導電部３６が得られやすい。一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な導電部３６を容易に形成することができ、また、得られる導電部３６は、安定な導電性を有するものとなりやすい。
また、磁性芯粒子は、そのＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ²／ｋｇであることが好ましく、より好ましくは２０〜５００ｍ²／ｋｇ、特に好ましくは５０〜４００ｍ²／ｋｇである。
このＢＥＴ比表面積が１０ｍ²／ｋｇ以上であれば、当該磁性芯粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該磁性芯粒子に所要の量のメッキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい導電性粒子Ｐを得ることができると共に、当該導電性粒子Ｐ間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が５００ｍ²／ｋｇ以下であれば、当該磁性芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
また、磁性芯粒子は、その粒子径の変動係数が５０％以下のものであることが好ましく、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下のものである。
ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
上記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の均一性が大きいため、導電性のバラツキの小さい導電部３６を形成することかできる。
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ²以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ²以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ²以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金などが挙げられる。

磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。

導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクターを高温環境下に繰り返し使用したとき、当該導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。
また、導電性粒子Ｐは、そのＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ²／ｋｇであることが好ましい。
このＢＥＴ比表面積が１０ｍ²／ｋｇ以上であれば、被覆層の表面積が十分に大きいものであるため、高導電性金属の総重量が大きい被覆層を形成することができ、従って、導電性の大きいを粒子を得ることができると共に、当該導電性粒子Ｐ間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が５００ｍ²／ｋｇ以下であれば、当該導電性粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる異方導電性シート３５は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部３６において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。

導電性粒子Ｐの含水率は、５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。このような条件を満足することにより、異方導電性シート３５の形成において、硬化処理する際に気泡が生ずることが防止または抑制される。
また、導電性粒子Ｐは、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理されたものあってもよい。導電性粒子Ｐの表面がカップリング剤で処理されることにより、当該導電性粒子Ｐと弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結果、得られる異方導電性シート３５は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとなる。
カップリング剤の使用量は、導電性粒子Ｐの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子Ｐの表面におけるカップリング剤の被覆割合（導電性粒子の表面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さらに好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１００％となる量である。

このような導電性粒子Ｐは、例えば以下の方法によって得ることができる。
先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する磁性芯粒子を調製する。
ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
次いで、磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆することによって、導電性粒子が得られる。
ここで、磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。
高導電性金属を磁性芯粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メッキ法、置換メッキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではない。

無電解メッキ法または置換メッキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明すると、先ず、メッキ液中に、酸処理および洗浄処理された磁性芯粒子を添加してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該磁性芯粒子の無電解メッキまたは置換メッキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメッキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によって洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子が得られる。
また、磁性芯粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成してもよい。下地メッキ層およびその表面に形成されるメッキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メッキ法により、磁性芯粒子の表面に下地メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法により、下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成することが好ましい。
無電解メッキまたは置換メッキに用いられるメッキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。

また、磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性粒子が確実に得られる。
導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性芯粒子を調製するための分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。

導電部３６における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部３６が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電部３６は脆弱なものとなりやすく、導電部３６として必要な弾性が得られないことがある。

以上のような異方導電性コネクターは、例えば特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法によって製造することができる。

上記の検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード１が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ１０の電極構造体１５における表面電極部１６の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、更に、当該表面電極部１６の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５における導電部３６の各々は、検査用回路基板２０の検査電極２１とシート状プローブ１０の電極構造体１５の裏面電極部１７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該導電部３６にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板２０の検査電極２１との電気的接続が達成される。その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

上記のプローブカード１によれば、以下の効果が奏される。
（１）図１に示すシート状プローブ１０を具えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ１０における電極構造体１５が脱落することがないので、高い耐久性が得られる。
（２）シート状プローブ１０における接点膜１２全体が支持膜１１に支持されているため、温度変化による電極構造体１５と被検査電極７との位置ずれを確実に防止することができる。
また、異方導電性コネクター３０におけるフレーム板３１の開口３２の各々は、検査対象であるウエハ６における全ての集積回路の被検査電極７が形成された電極領域に対応して形成されており、当該開口３２の各々に配置される異方導電性シート３０は面積が小さいものでよく、面積の異方導電性シート３０は、その面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、異方導電性シート３０の面方向における熱膨張がフレーム板３１によって確実に規制される結果、温度変化による導電部３６と電極構造体１５および検査電極２１との位置ずれを確実に防止することができる。
従って、検査対象であるウエハ６が直径が８インチ以上の大面積で被検査電極のピッチが極めて小さいものであっても、バーンイン試験において、ウエハに対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

そして、このようなプローブカード１を有する検査装置によれば、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、プローブカード１が高い耐久性を有するため、多数のウエハの検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができ、更に、ウエハ６が、直径が８インチ以上の大面積で被検査電極７のピッチが極めて小さいものであっても、バーンイン試験において、ウエハ６に対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査を確実に実行することができる。

本発明の製造方法によって得られるシート状プローブを具えた回路装置の検査装置は、上記の例のウエハ検査装置に限定されず、以下のように、種々の変更を加えることが可能である。
（１）図３０および図３１に示すプローブカード１は、ウエハ６に形成された全ての集積回路の被検査電極７に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に電気的に接続されるものであってもよい。選択される集積回路の数は、ウエハ６のサイズ、ウエハ６に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極の数などを考慮して適宜選択され、例えば１６個、３２個、６４個、１２８個である。
このようなプローブカード１を有する検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。
そして、このような検査装置によれば、直径が８インチまたは１２インチのウエハに高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。

（２）シート状プローブ１０においては、図３３に示すように、支持膜１３の周縁部にリング状の保持部材４０が設けられていてもよい。
このような保持部材４０を構成する材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、４２アロイなどの低熱膨張金属材料、またはアルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料などを用いることができる。

（３）異方導電性コネクター３０における異方導電性シート３５には、被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された導電部３６の他に、被検査電極７に電気的に接続されない非接続用の導電部が形成されていてもよい。
（４）本発明の製造方法によって得られるシート状プローブを具えた検査装置は、ウエハ検査装置に限定されるものではなく、半導体チップや、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＣＭＣなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〔試験用ウエハの作製〕
図３４に示すように、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０^-6／Ｋ）製のウエハ６上に、それぞれ寸法が８ｍｍ×８ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で３９３個形成した。ウエハ６に形成された集積回路Ｌの各々は、図３５に示すように、その中央に被検査電極領域Ａを有し、この被検査電極領域Ａには、図３６に示すように、それぞれ縦方向（図３６において上下方向）の寸法が２００μｍで横方向（図３６において左右方向）の寸法が５０μｍの矩形の６０個の被検査電極７が１００μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。このウエハ６全体の被検査電極７の総数は２３５８０個であり、全ての被検査電極７は互いに電気的に絶縁されている。以下、このウエハを「試験用ウエハＷ１」という。
また、全ての被検査電極（７）を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路（Ｌ）における６０個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極（７）から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成の３９３個の集積回路（Ｌ）をウエハ（６）上に形成した。以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。

〈実施例１〉
直径が２０ｃｍで厚みが１７．５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが５μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層シートＡ」という。）と、直径が２２ｃｍで厚みが１０μｍの４２アロイよりなる金属層の一面に直径が２０．４ｃｍで厚みが１２．５μｍのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層シートＢ」という。）とを用意した。次いで、積層シートＢにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約１μｍの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し、この接着層上に積層シートＡを配置すると共に、積層シートＢの金属層における周縁部分の一面に、内径が２０．４ｃｍで外径が２２ｃｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを配置し、この状態で熱圧着処理することにより、図４に示す構成の積層体（１０Ａ）を作製した。
得られた積層体（１０Ａ）は、厚みが１０μｍの４２アロイよりなる支持膜形成用層（１１Ａ）の表面上に、厚みが１２．５μｍのポリイミドよりなる絶縁膜（１３）、厚みが５μｍの銅よりなる保持部形成用層（１９Ａ）、厚みが１７．５μｍのポリイミドよりなる電極部成形用層（１６Ｂ）および厚みが５μｍの銅よりなるメッキ電極用層（１６Ａ）がこの順で積層され、更に支持膜形成用層（１１Ａ）の表面における周縁領域に保護テープ（１１Ｔ）が積層されてなるものである。

上記の積層体（１０Ａ）に対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、メッキ電極用層（１６Ａ）の表面全面にレジスト膜（１４Ａ）を形成すると共に、支持膜形成用層（１１Ａ）の裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２３５８０個のパターン孔（Ｋ１）が形成されたレジスト膜（１４Ｂ）を形成した（図５参照）。ここで、レジスト膜（１４Ｂ）の形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、支持膜形成用層（１１Ａ）に対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層（１１Ａ）に、それぞれレジスト膜（１４Ｂ）のパターン孔（Ｋ１）に連通する２３５８０個の貫通孔（１７Ｈ）を形成した（図６参照）。その後、絶縁膜（１３）に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁膜（１３）に、それぞれ支持膜形成用層（１１Ａ）の貫通孔（１７Ｈ）に連通する２３５８０個の貫通孔（１３Ｈ）を形成した（図７参照）。この貫通孔（１３Ｈ）の各々は，絶縁膜（１３）の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が６０μｍ、表面側の開口径が４７μｍのものであった。
その後、保持部形成用層（１９Ａ）に対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、保持部形成用層（１９Ａ）に、それぞれ絶縁膜（１３）の貫通孔（１３Ｈ）に連通する２３５８０個の貫通孔（１９Ｈ）を形成した（図８参照）。更に、電極部成形用層（１６Ｂ）に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、電極部成形用層（１６Ｂ）に、それぞれ保持部形成用層（１９Ａ）の貫通孔（１９Ｈ）に連通する２３５８０個の貫通孔（１６Ｈ）を形成した（図９参照）。この貫通孔（１６Ｈ）の各々は，電極部成形用層（１６Ｂ）の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が４７μｍ、表面側の開口径が１８μｍのものであった。
このようにして、積層体（１０Ａ）の裏面に、それぞれ支持膜形成用層（１１Ａ）の貫通孔（１７Ｈ）、絶縁膜（１３）の貫通孔（１３Ｈ）、保持部形成用層（１９Ａ）の貫通孔（１９Ｈ）および電極部成形用層（１６Ｂ）の貫通孔（１６Ｈ）が連通されてなる２３５８０個の電極構造体形成用凹所（１０Ｋ）を形成した。

次いで、電極構造体形成用凹所（１０Ｋ）が形成された積層体（１０Ａ）を、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、当該積層体（１０Ａ）からレジスト膜（１４Ａ，１４Ｂ）を除去し、その後、積層体（１０Ａ）に対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、メッキ電極用層（１６Ａ）の表面全面を覆うよう、レジスト膜（１４Ｃ）を形成すると共に、支持膜形成用層（１１Ａ）の裏面に、当該支持膜形成用層（１１Ａ）の貫通孔（１７Ｈ）に連通する寸法が１５０μｍ×６０μｍの矩形の２３５８０個のパターン孔（Ｋ２）が形成されたレジスト膜（１４Ｄ）を形成した（図１０参照）。ここで、レジスト膜（１４Ｄ）の形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
次いで、積層体（１０Ａ）をスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、当該積層体（１０Ａ）に対し、メッキ電極用層（１６Ａ）を電極として、電解メッキ処理を施して各電極構造体形成用凹所（１０Ｋ）およびレジスト膜（１４Ｄ）の各パターン孔（Ｋ２）内に金属を充填することにより、表面電極部（１６）、短絡部（１８）および支持膜形成用層（１１Ａ）によって互いに連結された裏面電極部（１７）を形成した（図１１参照）。

次いで、積層体（１０Ａ）に形成されたレジスト膜（１４Ｃ）の表面全面を、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって覆い、当該積層体（１０Ａ）を、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、当該積層体（１０Ａ）からレジスト膜（１４Ｄ）を除去した（図１２参照）。その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持膜形成用層（１１Ａ）における支持膜となる部分および裏面電極部（１７）を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜（１４Ｅ）を形成した（図１３参照）。ここで、レジスト膜（１４Ｂ）の形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
次いで、積層体（１０Ａ）に形成されたレジスト膜（１４Ｃ）から保護シールを除去し、その後、レジスト膜（１４Ｅ）および支持膜形成用層（１１Ａ）における露出した部分を、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって覆い、当該積層体（１０Ａ）を４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、当該積層体（１０Ａ）からレジスト膜（１４Ｃ）を除去した（図１４参照）。
次いで、レジスト膜（１４Ｅ）および支持膜形成用層（１１Ａ）から保護シールを除去し、その後、メッキ電極用層（１６Ａ）および支持膜形成用層（１１Ａ）に対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、メッキ電極用層（１６Ａ）の全部を除去すると共に、支持膜形成用層（１１Ａ）における露出した部分を除去し、これにより、裏面電極部（１７）の各々を互いに分離させると共に、試験用ウエハＷ１に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ縦横の寸法が２ｍｍ×６．５ｍｍの複数の開口（１１Ｈ）を有する支持膜（１１）を形成した（図１５参照）。

次いで、積層体（１０Ａ）を４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、支持膜（１１）の裏面および裏面電極部（１７）からレジスト膜（１４Ｅ）を除去した。その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持膜（１１）の裏面、絶縁膜（１３）の裏面および裏面電極部（１７）を覆うよう、レジスト膜（１４Ｆ）を形成した（図１６参照）。このレジスト膜（１４Ｆ）を、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって覆い、その後、電極部成形用層（１６Ｂ）に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、電極部成形用層（１６Ｂ）を除去した（図１７参照）。
次いで、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、表面電極部（１６）および第１の表面側金属層（１７Ａ）における保持部（１９）となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜（１４Ｇ）を形成した（図１８参照）。ここで、レジスト膜（１４Ｇ）の形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。その後、保持部形成用層（１９Ａ）に対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部（１６）の基端部分の周面から連続して絶縁膜（１１）の表面に沿って外方に放射状に伸びる円板リング状の保持部（１９）を形成し、以て電極構造体（１５）を形成した（図１９参照）。
そして、レジスト膜（１４Ｆ）から保護シールを除去した後、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部（１６）および保持部（１９）からレジスト膜（１４Ｇ）を除去すると共に、支持膜（１１）の裏面、絶縁膜（１３）の裏面および裏面電極部（１７）からレジスト膜（１４Ｆ）を除去し、更に支持膜（１１）の表面から保護テープ（１１Ｔ）を除去した。その後、支持膜（１１）における周縁部分の表面に、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる保持部材（４０）を配置した後、保持部材（４０）と支持膜（１１）とを加圧し、１８０℃で２時間保持することにより、保持部材（４０）を支持膜（１１）に接合することにより、シート状プローブ（１０）を製造した（図３３参照）。

得られたシート状プローブ（１０）は、接点膜（１２）における絶縁膜（１３）の厚みｄが１２．５μｍ、電極構造体（１５）の表面電極部（１６）の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ₁が４７μｍ、その先端の径Ｒ₂が１８μｍ、その突出高さｈが２２μｍ、短絡部（１８）の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ₃が４７μｍ、裏面側の他端の径Ｒ₄が６０μｍ、裏面電極部（１７）の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ₅）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みＤ₂が３５μｍ、保持部（１９）の形状が円形リング板状で、その外径Ｒ₆が５０μｍ、その厚みＤ₁が５μｍ、支持膜（１１）の厚みが１０μｍ、支持膜（１１）の開口の縦横の寸法が２ｍｍ×６．５ｍｍのものである。
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。これらのシート状プローブを「シート状プローブＭ１」〜「シート状プローブＭ４」とする。

〈実施例２〉
実施例１と同様にして、積層体（１０Ａ）から支持膜（１１）および電極構造体（１５）を形成し（図４乃至図１９参照。）、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部（１６）および保持部（１９）からレジスト膜（１４Ｇ）を除去した。
次いで、絶縁膜（１３）の表面、表面電極部（１６）および保持部（１９）に、形成すべき接点膜のパターンに対応するパターンに従って、それぞれ縦横の寸法が４０００μｍ×７０００μｍのレジスト膜（１４Ｈ）を形成し、その後、絶縁膜（１３）に対してエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、互いに独立した複数の絶縁膜（１３ｂ）を形成し、これにより、それぞれ絶縁膜（１３ｂ）にその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体（１５）が配置されてなる複数の接点膜（１２ｂ）を形成した（図２８および図２９参照）。
そして、支持膜（１１）の裏面、絶縁膜（１３ｂ）の裏面および裏面電極部（１７）からレジスト膜（１４Ｆ）を除去すると共に、絶縁膜（１３ｂ）の表面、表面電極部（１６）および保持部（１９）からレジスト膜（１４Ｈ）を除去し、更に支持膜（１１）から保護テープを除去した。その後、支持膜（１１）における周縁部分の表面に、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる保持部材（４０）を配置した後、保持部材（４０）と支持膜（１１）とを加圧し、１８０℃で２時間保持することにより、保持部材（４０）を支持膜（１１）に接合することにより、シート状プローブ（１０）を製造した。

得られたシート状プローブ（１０）は、接点膜（１２ｂ）における絶縁膜（１３ｂ）の縦横の寸法が４０００μｍ×７０００μｍ、絶縁膜（１３ｂ）の厚みｄが１２．５μｍ、電極構造体（１５）の表面電極部（１６）の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ₁が４７μｍ、その先端の径Ｒ₂が１８μｍ、その突出高さｈが２２μｍ、短絡部（１８）の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ₃が４７μｍ、裏面側の他端の径Ｒ₄が６０μｍ、裏面電極部（１７）の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ₅）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みＤ₂が３５μｍ、保持部（１９）の形状が円形リング板状で、その外径Ｒ₆が５０μｍ、その厚みＤ₁が５μｍ、支持膜（１１）の厚みが１０μｍ、支持膜（１１）の開口の縦横の寸法が２ｍｍ×６．５ｍｍのものである。
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。これらのシート状プローブを「シート状プローブＬ１」〜「シート状プローブＬ４」とする。

〈比較例１〉
シート状プローブの作製において、支持膜形成用層の全部をエッチング処理によって除去して支持膜を形成しなかったこと、保持部形成用層の全部をエッチング処理によって除去して保持部を形成しなかったこと、および、保持部材を絶縁膜における周縁部分の表面に設けたこと以外は、実施例１と同様にしてシート状プローブを作製した。
得られたシート状プローブは、絶縁膜の厚みｄが１２．５μｍ、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が４７μｍ、その先端の径が１８μｍ、その突出高さが２５μｍ、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が４７μｍ、裏面側の他端の径が６０μｍ、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が６０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みが３０μｍのものである。
このようにして、合計で５枚のシート状プローブを製造した。これらのシート状プローブを「シート状プローブＮ１」〜「シート状プローブＮ４」とする。

〈異方導電性コネクターの作製〉
（１）磁性芯粒子の調製：
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製，「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイアＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ³／ｍｉｎ、ローター回転数が２，２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が６０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が１５μｍ以下のニッケル粒子０．８ｋｇを捕集し、更に、このニッケル粒子０．８ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ³／ｍｉｎ、ローター回転数が２，９３０ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が３０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０³ｍ²／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ²であった。
このニッケル粒子を「磁性芯粒子［Ａ］」とする。

（２）導電性粒子の調製：
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子［Ａ］１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子［Ａ］を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、磁性芯粒子［Ａ］の酸処理を行い、その後、１分間静置して磁性芯粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。
次いで、酸処理が施された磁性芯粒子［Ａ］に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して磁性芯粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返すことにより、磁性芯粒子［Ａ］の洗浄処理を行った。
そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子［Ａ］に、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子［Ａ］に対して金の置換メッキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子を調製した。
このようにして得られた導電性粒子に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子を回収した。そして、この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０³ｍ²／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．３であった。
この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。

（３）フレーム板の作製：
図３７および図３８に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１における各被検査電極領域に対応して形成された３９３個の開口（３２）を有する直径が８インチのフレーム板（３１）を作製した。
このフレーム板（３１）の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０^-6／Ｋ）で、その厚みは、６０μｍである。
開口（３２）の各々は、その横方向（図３７および図３８において左右方向）の寸法が６４００μｍで縦方向（図３７および図３８において上下方向）の寸法が３２０μｍである。
縦方向に隣接する開口（３２）の間の中央位置には、円形の空気流入孔（３３）が形成されており、その直径は１０００μｍである。

（４）異方導電性シート用成形材料の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、導電性粒子［ａ］３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。
以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液およびＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。
ここで、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
（ｉ）付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により、２３±２℃における値を測定した。
（ii）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳＫ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
上記（ii）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳＫ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（iv）デュロメーターＡ硬度は、上記（iii)と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳＫ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。

（５）異方導電性コネクターの作製：
上記（３）で作製したフレーム板（３１）および上記（４）で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板（３１）に、それぞれ一の開口（３２）を塞ぐよう配置され、当該フレーム板（３１）の開口縁部に固定されて支持された、図３１に示す構成の３９３個の異方導電性シート（３５）を形成することにより、異方導電性コネクターを製造した。ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート（３５）について具体的に説明すると、異方導電性シート（３５）の各々は、横方向の寸法が７０００μｍ、縦方向の寸法が１２００μｍであり、６０個の導電部（３６）が１００μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部（３６）の各々は、横方向の寸法が４０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍ、突出部（３８）の突出高さが２５μｍ、絶縁部（３７）の厚みが１００μｍである。また、横方向において最も外側に位置する導電部（３６）とフレーム板の開口縁との間には、非接続用の導電部が配置されている。非接続用の導電部の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍである。
また、各異方導電性シート（３５）における導電部（３６）中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部（３６）について体積分率で約２５％であった。
このようにして、合計で１２枚の異方導電性コネクターを製造した。これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ１２」とする。

〈検査用回路基板の作製〉
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０^-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極（２１）が形成された検査用回路基板（２０）を作製した。この検査用回路基板（２０）は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。

〈シート状フローブの評価〉
（１）試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）：
シート状プローブＭ１、シート状プローブＭ２、シート状プローブＬ１、シート状プローブＬ２、シート状プローブＮ１およびシート状プローブＮ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部の各々が当該試験用ウエハＷ１の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々が当該シート状プローブの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に１１８ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約５ｇ）で加圧した。ここで、異方導電性コネクターとしては下記表１に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２３５８０個の検査電極の各々に順次電圧を印加すると共に、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。
ここで、絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記結果を表１に示す。

（２）試験２（電極構造体の接続安定性）：
シート状プローブＭ３、シート状プローブＭ４、シート状プローブＬ３、シート状プローブＬ４、シート状プローブＮ３およびシート状プローブＮ４の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体の接続安定性の評価を行った。
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部の各々が当該試験用ウエハＷ２の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々が当該シート状プローブの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に１１８ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約５ｇ）で加圧した。ここで、異方導電性コネクターとしては下記表２に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２３５８０個の検査電極について、シート状プローブ、異方導電性コネクターおよび試験用ウエハＷ２を介して互いに電気的に接続された２個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の２分の１の値を、検査用回路基板Ｔ１の検査電極と試験用ウエハＷ２の被検査電極との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。この操作を「操作（１）」とする。
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１５０℃に昇温してその温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に１１８ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約５ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作（２）」とする。
次いで、試験台を室温（２５℃）まで冷却し、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除した。この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして合計で３００サイクル連続して行った。
ここで、導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記結果を表２に示す。

また、試験２が終了した後、シート状プローブＭ３、シート状プローブＭ４、シート状プローブＬ３およびシート状プローブＬ４の各々を観察したところ、いずれの電極構造体も絶縁膜から脱落しておらず、高い耐久性を有することが確認された。
これに対し、シート状プローブＮ３については、２３８５０個の電極構造体のうち４８個の電極構造体が絶縁膜から脱落しており、また、シート状プローブＮ４については、２３８５０個の電極構造体のうち２７個の電極構造体が絶縁膜から脱落していた。

本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの第１の例を示す平面図である。第１の例のシート状プローブにおける接点膜の一部を拡大して示す平面図である。第１の例のシート状プローブにおける接点膜の一部を拡大して示す説明用断面図である。第１の例のシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。図４に示す積層体の両面にエッチング用のレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。積層体における支持膜形成用層に貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図である。積層体における絶縁膜に貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図である。積層体における保持部形成用層に貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図である。積層体における電極部成形用層に貫通孔が形成されて電極構造体形成用凹所が形成された状態を示す説明用断面図である。電極構造体形成用凹所が形成された積層体の両面にメッキ用のレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。電極構造体形成用凹所に金属が充填されて表面電極部および短絡部が形成された状態を示す説明用断面図である。支持膜形成用層の裏面からレジスト膜が除去された状態を示す説明用断面図である。支持膜形成用層の裏面にエッチング用のレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。メッキ電極用層の表面からレジスト膜が除去された状態を示す説明用断面図である。支持膜形成層の一部が除去されて互いに分離した複数の裏面電極部が形成されると共に支持膜が形成された状態を示す説明用断面図である。支持膜の裏面、絶縁膜の裏面およひ裏面電極部を覆うよう、レジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。積層体から電極部成形用層が除去された状態を示す説明用断面図である。表面電極部および保持膜形成用層の一部を覆うよう、レジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。保持部形成用層がエッチング処理されて保持部が形成された状態を示す説明用断面図である。本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの第２の例を示す平面図である。第２の例のシート状プローブにおける接点膜の一部を拡大して示す平面図である。第２の例のシート状プローブにおける接点膜の一部を拡大して示す説明用断面図である。絶縁膜の一部、表面電極部および保持部を覆うようレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。絶縁膜の一部が除去されて分割された複数の絶縁膜が形成された状態を示す説明用断面図である。本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの第３の例を示す平面図である。第３の例のシート状プローブにおける接点膜の一部を拡大して示す平面図である。第３の例のシート状プローブにおける接点膜の一部を拡大して示す説明用断面図である。絶縁膜の一部、表面電極部および保持部を覆うようレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。絶縁膜の一部が除去されて分割された複数の絶縁膜が形成された状態を示す説明用断面図である。本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブを具えた回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図である。図３０に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。プローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。本発明に係る製造方法によって得られるシート状プローブの他の例を示す平面図である。実施例で作製した試験用ウエハを示す平面図である。図３４に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。図３４に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。図３７に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。図３９に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。従来のシート状プローブの更に他の製造例を示す説明用断面図である。

符号の説明

１プローブカード
２ガイドピン
３加圧板
４ウエハ載置台
５加熱器
６ウエハ
７被検査電極
１０シート状プローブ
１０Ａ積層体
１０Ｋ電極構造体形成用凹所
１１支持膜
１１Ａ支持膜形成用層
１１Ｈ開口
１１Ｋ位置決め孔
１１Ｔ保護テープ
１２，１２ａ，１２ｂ接点膜
１３，１３ａ，１３ｂ絶縁膜
１３Ｈ貫通孔
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅ，１４Ｆ，１４Ｇ，１４Ｈレジスト膜
１５電極構造体
１６表面電極部
１６Ｂ電極部成形用層
１６Ａメッキ電極用層
１６Ｈ貫通孔
１７裏面電極部
１７Ｈ貫通孔
１８短絡部
１９保持部
１９Ａ保持部形成用層
１９Ｈ貫通孔
２０検査用回路基板
２１検査電極
３０異方導電性コネクター
３１フレーム板
３２開口
３３空気流入孔
３５異方導電性シート
３６導電部
３７絶縁部
３８突出部
４０保持部材
８０異方導電性シート
８５検査用回路基板
８６検査電極
９０シート状プローブ
９０Ａ，９０Ｂ，９０Ｃ積層体
９０Ｋ電極構造体形成用凹所
９１絶縁膜
９１Ａ絶縁膜材
９２，９２Ａ，９２Ｂ金属層
９３，９３Ａレジスト膜
９４Ａ，９４Ｂレジスト膜
９５電極構造体
９６表面電極部
９７裏面電極部
９８短絡部
９８Ｈ貫通孔
Ｋ１，Ｋ２パターン孔
Ｌ集積回路
Ｐ導電性粒子

Claims

柔軟な樹脂よりなる絶縁膜に、それぞれ接続すべき電極に対応するパターンに従って当該絶縁膜の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配置されてなる接点膜と、この接点膜を支持する金属よりなる支持膜とを具えてなり、前記電極構造体の各々は、前記絶縁膜の表面に露出し、当該絶縁膜の表面から突出する表面電極部と、前記絶縁膜の裏面に露出する裏面電極部と、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁膜をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁膜の表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなるシート状プローブを製造する方法であって、
金属よりなる支持膜形成用層と、この支持膜形成用層の表面に一体的に積層された絶縁膜と、この絶縁膜の表面に一体的に積層された金属よりなる保持部形成用層と、この保持部形成用層の表面に一体的に積層された絶縁性の電極部成形用層と、この電極部成形用層の表面に一体的に積層された金属よりなるメッキ電極用層とを有する積層体を用意し、
この積層体における支持膜形成用層、絶縁膜、保持部形成用層および電極部成形用層の各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、当該積層体の裏面に、形成すべき電極構造体のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体形成用凹所を形成し、
この積層体におけるメッキ電極用層を電極としてメッキ処理を施して電極構造体形成用凹所の各々に金属を充填することにより、絶縁膜の表面から突出する表面電極部、当該表面電極部の基端から連続して当該絶縁膜をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部、およびこの短絡部に連結された、当該絶縁膜の裏面に露出する裏面電極部を形成し、
この積層体における支持膜形成用層をエッチング処理することにより、開口が形成された支持膜を形成し、
この積層体から前記メッキ電極用層および前記電極部成形用層を除去することにより、前記表面電極部および前記保持部形成用層を露出させ、その後、当該保持部形成用層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁膜の表面に沿って外方に伸びる保持部を形成する工程を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
電極構造体形成用凹所における保持部成形用層の貫通孔が、当該保持部成形用層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項１に記載のシート状プローブの製造方法。
積層体としてその保持部成形用層がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、電極構造体形成用凹所における保持部成形用層の貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする請求項２に記載のシート状プローブの製造方法。
電極構造体形成用凹所における絶縁膜の貫通孔が、当該絶縁膜の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のシート状プローブの製造方法。
積層体としてその絶縁膜がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、電極構造体形成用凹所における絶縁膜の貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする請求項４に記載のシート状プローブの製造方法。