JP2007121089A - シート状プローブおよびその製造方法ならびにその応用 - Google Patents

シート状プローブおよびその製造方法ならびにその応用 Download PDF

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睦彦 吉岡
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Abstract

【課題】微小で微細ピッチな電極を有する回路装置にも安定な接続状態が達成され、バーンイン試験において温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるシート状プローブおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シート状プローブ10は、絶縁層18Bの面方向に互いに離間して配置されるとともに、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体15を備えた接点膜を有し、前記電極構造体の各々は、前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部16と、前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部17と、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部18と、前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように形成されている保持部19とよりなる。
【選択図】図3

Description

本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、回路に対する電気的接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状プローブおよびその製造方法ならびにその応用に関する。
例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子など電子部品の回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。
このような検査用プローブとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。
また、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであって、ウエハを検査するための検査用プローブを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、検査用プローブは極めて高価なものとなる。
また、被検査電極のピッチが小さい場合には、検査用プローブを作製すること自体が困難となる。
さらに、ウエハには一般に反りが生じており、その反りの状態も製品(ウエハ)ごとに異なるため、ウエハにおける多数の被検査電極に対して、検査用プローブの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するための検査用プローブとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された柔軟な絶縁性シートに、その厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブと、を備えてなるものが提案されている(例えば特許文献1(特開平7−231019号公報)参照)。
図34は、検査用回路基板85と、異方導電性シート80と、シート状プローブ90と、を備えてなる従来の回路検査用プローブの一例における構成を示した説明用断面図である。
この回路検査用プローブにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された、多数の検査電極86を有する検査用回路基板85が設けられ、この検査用回路基板85の一面上に、異方導電性シート80を介してシート状プローブ90が配置されている。
異方導電性シート80は、厚み方向にのみ導電性を示したもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示した加圧導電性導電部を有するものであり、このような異方導電性シート80としては、種々の構造のものが知られている。
例えば特許文献2(特開昭51−93393号公報)には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート(以下、これを「分散型異方導電性シート」という。)が開示されている。
また特許文献3(特開昭53−147772号公報)には、導電性磁性体粒子をエラス
トマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート(以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。)が開示されている。
さらに特許文献4(特開昭61−250906号公報)には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された、偏在型異方導電性シートが開示されている。
シート状プローブ90は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁性シート91を有し、この絶縁性シート91に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体95が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。
この電極構造体95の各々は、絶縁性シート91の表面に露出する突起状の表面電極部96と、絶縁性シート91の裏面に露出する板状の裏面電極部97とが、絶縁性シート91をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部98を介して一体に連結されて構成されている。
このようなシート状プローブ90は、一般に、以下のようにして製造される。
図35(a)に示したように、まず絶縁性シート91の一面に金属層92が形成されてなる積層体90Aを用意する。
そして図35(b)に示したように、絶縁性シート91にその厚み方向に貫通する貫通孔98Hを形成する。
次いで、図35(c)に示したように、絶縁性シート91の金属層92上にレジスト膜93を形成したうえで、金属層92を共通電極として電解メッキ処理を施す。
これにより、絶縁性シート91の貫通孔98Hの内部に金属の堆積体が充填されて金属層92に一体に連結された短絡部98が形成されるとともに、絶縁性シート91の表面に、短絡部98に一体に連結された突起状の表面電極部96が形成される。
その後、金属層92からレジスト膜93を除去し、さらに図35(d)に示したように、表面電極部96を含む絶縁性シート91の表面にレジスト膜94Aを形成するとともに、金属層92上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜94Bを形成する。
さらに金属層92に対してエッチング処理を施すことにより、図35(e)に示したように、金属層92における露出する部分が除去されて裏面電極部97が形成され、電極構造体95が形成される。
そして、絶縁性シート91および表面電極部96上に形成されたレジスト膜94Aを除去するとともに、裏面電極部97上に形成されたレジスト膜94Bを除去することにより、図34に示したようなシート状プローブ90が得られる。
上記の検査用プローブにおいては、被検査回路装置例えばウエハの表面に、シート状プローブ90における電極構造体95の表面電極部96がウエハの被検査電極上に位置するよう配置され、この状態で、ウエハが検査用プローブによって押圧されることにより、異方導電性シート80が、シート状プローブ90における電極構造体95の裏面電極部97によって押圧される。
これにより、異方導電性シート80には、裏面電極部97と検査用回路基板85の検査電極86との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハの被検査電極と検査用回路基板85の検査電極86との電気的接続が達成される。そしてこの状態で、ウエ
ハの電気的検査が実行される。
このような検査用プローブによれば、ウエハが検査用プローブによって押圧されたときに、ウエハの反りの大きさに応じて異方導電性シートが変形するため、ウエハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。
しかしながら、上記の検査用プローブにおいては、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブの製造方法における短絡部98および表面電極部96を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長する。
このため、図36に示したように、得られる表面電極部96においては、表面電極部96の周縁から短絡部98の周縁までの距離Wは、表面電極部96の突出高さhと同等の大きさとなる。
従って、得られる表面電極部96の径Rは、突出高さhの2倍を超えて相当に大きいものとなる。
そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さいピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体95間の離間距離を十分に確保することができない。
その結果、得られるシート状プローブにおいては、絶縁性シート91による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。
また、図35(c)に示した電解メッキ処理において、金属層92の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁性シート91の貫通孔98Hごとにメッキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部96の突出高さhや、表面電極部96の周縁から短絡部98の周縁までの距離Wすなわち径Rに大きなバラツキが生じる。
そして、表面電極部96の突出高さhに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部96の径に大きなバラツキがある場合には、隣接する表面電極部96同士が短絡する恐れがある。
以上において、得られる表面電極部96の径を小さくする手段としては、表面電極部96の突出高さhを小さくする手段と、短絡部98の径(断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示した。)rを小さくする、すなわち絶縁性シート91の貫通孔98Hの径を小さくする手段と、が考えられる。
しかしながら、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となる。
また、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部98および表面電極部96を形成すること自体が困難となる。
このような問題を解決するため、特許文献5(特開平11−326378号公報)および特許文献6(特開2002−196018号公報)において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。
特許文献5(特開平11−326378号公報)に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図37(a)に示したように、絶縁性シート91の表面にレジスト膜93Aおよび表面
側金属層92Aがこの順で形成され、絶縁性シート91の裏面に裏面側金属層92Bが積層されてなる積層体90Bを用意する。
さらに図37(b)に示したように、この積層体90Bにおける裏面側金属層92B、絶縁性シート91およびレジスト膜93Aの各々に、互いに連通し厚み方向に伸びるとともに、積層体90Bの裏面に形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部96に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所90Kを形成する。
次いで図37(c)に示したように、表面側金属層92Aを電極としてメッキ処理することにより、電極構造体形成用凹所90Kに金属を充填して表面電極部96および短絡部98を形成する。
そして、裏面側金属層92Bにエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図37(d)に示したように、裏面電極部97を形成し、シート状プローブ90が得られる。
また、特許文献6(特開2002−196018号公報)に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図38(a)に示したように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁性シートより大きい厚みを有する絶縁性シート材91Aの表面に表面側金属層92Aが形成され、絶縁性シート材91Aの裏面に裏面側金属層92Bが積層されてなる積層体90Cを用意する。
さらに図38(b)に示したように、この積層体90Cにおける裏面側金属層92Bおよび絶縁性シート材91Aの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、積層体90Cの裏面に、形成すべき電極構造体95の短絡部98および表面電極部96に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所90Kを形成する。
次いで、この積層体90Cにおける表面側金属層92Aを電極としてメッキ処理することにより、図38(c)に示したように、電極構造体形成用凹所90Kに金属を充填して表面電極部96および短絡部98を形成する。
その後、この積層体90Cにおける表面側金属層92Aを除去するとともに、絶縁性シート材91Aをエッチング処理して絶縁性シートの表面側部分を除去する。
これにより図38(d)に示したように、所要の厚みの絶縁性シート91を形成するとともに、表面電極部96を露出させる。
そして、裏面側金属層92Bをエッチング処理することにより、裏面電極部97を形成し、シート状プローブが得られる。
このようなシート状プローブによれば、表面電極部がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部を、隣接する電極構造体の表面電極部との離間距離が十分に確保された状態で形成することができる。
さらに、電極構造体の各々の表面電極部は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所をキャビティとして成形されるため、表面電極部の突出高さのバラツキが小さい電極構造体が得られる。
しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径、すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものである。
このため、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落してしまい、シート状プローブを実際上使用することは困難である。
さらに上記のようなシート状プローブにおいては、積層体90Cの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所90Kを形成するので、電極構造体形成用凹所の先端径92Tは積層体90Cの裏面に形成した開口部92Hの径より小さなものとなる。
このため、絶縁性シートの厚みが増せば、同一の先端径92Tを得るためには裏面側に形成する開口部92Hの径も大きなものとする必要があった。
そのため、微細ピッチで高密度な電極構造体を有するシート状プローブを製造する場合、絶縁性シートの厚みが大きくなると積層体90Cの裏面側の隣接する開口部92H間に絶縁部92Nを確保する必要性から開口部92Hの径を大きくできない。
そのため絶縁性シートの厚みが大きくなると、電極構造体形成用凹所90Kの先端径92Tが小さくなり、表面側金属層92Aに接しない電極構造体形成用凹所90Kが形成されてしまう場合があった。
このように電極構造体形成用凹所90Kが表面側金属層92Aに十分に接しない場合、メッキにより金属を充填することができず電極構造体数が不足し、使用が困難なシート状プローブが生産されてしまうことがあった。
また、電極構造体の先端部の径が小さくなると、繰り返し使用において先端部が摩耗、欠損して電極構造体の高さバラツキが大きくなる傾向があり、電極構造体強度の面から先端部の先端径や基端の径が小さくし過ぎないことや、電極構造体の材質により先端部の径を調整することも必要である。
しかしながら、上記のシート状プローブの製造方法においては、先端部の径の調整が裏面側の開口部径により調整することになるため、積層体の厚みにより裏面側の開口部径の調節が制限され、特に微小、微細ピッチで高密度のシート状プローブの製造において所望する先端部径の電極構造体を構成することが困難になる場合があった。
特開平7−231019号公報 特開昭51−93393号公報 特開昭53−147772号公報 特開昭61−250906号公報 特開平11−326378号公報 特開2002−196018号公報
本発明は、このような現状に鑑み、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することを目的とする。
また、絶縁層の厚みが大きく、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を備えた、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、高い耐久性を有するシート状プローブを提供することを目的とする。
さらに、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが
でき、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することのなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを製造することができる方法を提供することを目的とする。
また、厚みの大きい絶縁層よりなるシート状プローブにおいて表面電極部の先端径や基端径を所望の径に調整できるシート状プローブの製造方法を提供することを目的とする。
さらに、上記のシート状プローブを備えた回路検査用プローブを提供することを目的とする。
また、上記の回路検査用プローブを備えた回路装置の検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、前述したような従来技術における課題および目的を達成するために発明されたものであって、
本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層内に完全に埋没状態となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏
面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層の表面と略同一となるように形成されている保持部と、
よりなることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブは、
前記シート状プローブが、
前記絶縁層を支持する支持体を有することを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第1裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第1裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記表面電極部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第2裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第2裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第1裏面側金属層を露出させる工程と、
その後、前記第1裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように保持部を形成する工程と、
前記絶縁性シートの一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第1裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第1裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記第1裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第2裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第2裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートの一部を除去することにより、前記絶縁層中に前記保持部が埋没状態となるようにする工程と、
前記絶縁性シートと前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
絶縁性シートと、
前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第1裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体における前記第1裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
前記第1裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第2裏面側金属層を形成する工程と、
前記積層体における前記第2裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
前記短絡部を形成した後に、前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートを除去することにより、前記保持部が前記絶縁層の表面と略同一となるようにする工程と、
前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
前記絶縁層の上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔が、
前記絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施し、裏面電極部および支持体部に分割除去する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記積層体における前記絶縁性シートはエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔が、
前記絶縁層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記積層体における前記絶縁層がエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする。
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
前記異方導電性コネクター上に配置された上記のシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする。
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
前記異方導電性コネクターは、
検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路、または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。
また、本発明の回路装置の検査装置は、
上記の回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする。
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
前記異方導電性コネクター上に配置された上記のシート状プローブの製造方法にて製造されたシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする。
また、本発明の回路検査用プローブは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
前記異方導電性コネクターは、
検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。
また、本発明の回路装置の検査装置は、
上記の回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする。
本発明のシート状プローブによれば、電極構造体には、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部が形成されているため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
更に電極構造体の保持部が絶縁層に一部または全部が埋没しているので、バーンイン試験等において繰り返し試験を行った場合においても、保持部の変形が抑制され、保持部が絶縁層より剥離することが抑制される。
これにより電極構造体の絶縁層からの脱落を更に抑制でき、シート状プローブの耐久性が更に高いものとなる。
また、小さい径の表面電極部を形成することが可能であることにより、隣接する表面電極部の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁層による柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
また、本発明のシート状プローブによれば、検査対象が、直径が8インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、従って、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
さらに、本発明のシート状プローブによれば、多孔膜とリング状の支持板とは、これらの間に実質的に接着剤層が介在しない状態で互いに固定されるので、シート状プローブの高さバラツキを低減することができる。
したがって、ウエハに形成された集積回路などの回路装置における被検査電極のそれぞれと、検査装置の検査電極との電気的導通を低い加圧力で確保でき、被検査電極やシート状プローブの電極構造体などの破損を防止できる。
また、本発明のシート状プローブの製造方法によれば、検査対象が、直径が8インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って、良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。
さらに、本発明のシート状プローブの製造方法によれば、絶縁性シートを有する積層体に予め表面電極部形成用凹所を形成し、表面電極部形成用凹所をキャビティとして表面電極部を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部が得られる。
そして表面電極部を形成した後に絶縁層を設け、絶縁層に短絡部形成用凹所を形成し、短絡部形成用凹所をキャビティとして短絡部を形成するため、短絡部の先端の径を先端部の基端の径より小さくして電極構造体を構成することができる。
従って、先端部と短絡部を形成するための凹所を1回で絶縁層に形成する方法に比べて、厚みの厚い絶縁層の場合でも裏面側電極部を小さく形成できる。
その結果、微細ピッチで高密度の電極構造体を有するシート状プローブを容易に製造することができる。
そして、絶縁層への先端部形成用凹所の形成と短絡部形成用凹所の形成を別途に行うので、先端部形成用凹所の形状と短絡部形成用凹所の形状が任意に設定できる。
これにより、短絡部の径を大きくしないで、短絡部の基端の径を大きくすることも可能であり、表面電極部の基端の径が大きく先端の径が小さく、かつ裏面電極部の径が小さな電極構造体を有する絶縁性シートの厚みの大きいシート状プローブを製造することができる。
また、絶縁層の表面に形成された第1裏面側金属層をエッチング処理することにより、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部を確実に形成することができる。
このため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性を有する。
さらに、支持体により絶縁層が支持されているため、検査対象が直径8インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。
また、本発明のプローブカードによれば、上記のシート状プローブを備えてなるため、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブにおける電極構造体が脱落することがなく、検査対象が、直径が8インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるので、高い耐久性が得られる。
さらに、本発明の回路装置の検査装置によれば、上記のプローブカードを備えてなるため、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、多数の回路装置の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
なお、貼付した各図面は説明用のものであって、その各部の具体的なサイズ、形状などは本明細書の記載、および従来技術に基づいて当業者に理解されるところによる。
<シート状プローブ>
図1は、本発明のシート状プローブの実施形態を示した図であり、図1(a)は平面図
、図1(b)は図1(a)のX−X線による断面図、図2は、図1に示したシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図3は、図2に示したシート状プローブのX−X線における説明用断面図、図4は、本発明のシート状プローブの電極構造体を拡大して示した説明用断面図である。
本発明のシート状プローブ10は、複数の集積回路が形成された8インチなどのウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ10は、図1(a)に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された支持体25を有し、この貫通孔内には接点膜9が配置されている。
接点膜9は、支持体25の貫通孔周辺の支持部22で、支持体25に支持されている。
図1(b)に示したように、この支持部22は、支持体25の上に絶縁膜からなる接点膜9が形成され、この支持体25によって接点膜9が支持されている。
接点膜9は、図2に示したように、柔軟な絶縁層18Bに電極構造体15が貫通形成された構造になっている。
すなわち、絶縁層18Bの厚み方向に延びる複数の電極構造体15が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層18Bの面方向に互いに離間して配置されている。
また、図3に示したように、電極構造体15の各々は、絶縁層18Bの表面に露出し、絶縁層18Bの表面から突出する突起状の表面電極部16と、絶縁層18Bの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部17と、表面電極部16の基端から連続して絶縁層18Bをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部17に連結された短絡部18と、表面電極部16の基端部分の周面から連続して絶縁層18Bの表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リング板状の保持部19とより構成されている。
この電極構造体15においては、表面電極部16が、短絡部18に連続して基端から先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、表面電極部16の基端に連続する短絡部18が、絶縁層18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされている。
また、図4に示したように、表面電極部16の基端の径R1が基端に連続する短絡部18の一端の径R3より大きくなっている。
絶縁層18Bとしては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。
また、短絡部18を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
また、絶縁層18Bの厚みdは、絶縁層18Bが柔軟なものであれば特に限定されないが、5〜100μmであることが好ましく、より好ましくは10〜50μmである。
支持体25は絶縁層18Bと一体的に設けられるもので、絶縁層18Bと積層された状態で絶縁層18Bの表面に設けられてもよく、絶縁層18Bに中間層として含まれてもよい。
そして支持体25は、電極構造体15と離間して配置され、電極構造体15と支持体2
5は絶縁層18Bにより連結されるので、電極構造体15と支持体25とは電気的に絶縁されている。
また、後述するシート状プローブ10の製造方法によれば、支持体25は第2裏面側金属層17Aの一部を除去することにより形成されるものである。
支持体25となる第2裏面側金属層17Aを構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタンまたはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができる。
また、エッチング処理によって容易に第2裏面側金属層17Aを支持体25と裏面電極部17に分離分割できる点で、42合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼や銅、ニッケルおよびこれらの合金が好ましい。
また、支持体25は、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−1×10-7〜1×10-5/K、特に好ましくは−1×10-6〜8×10-6/Kである。
このような支持体25を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、42合金などの合金または合金鋼、モリブデン、モリブデン合金または合金鋼が挙げられる。
支持体25の厚みは、3〜150μmであることが好ましく、より好ましくは5〜100μmである。
この厚みが過小である場合には、シート状プローブを支持する支持体25として必要な強度が得られないことがある。
一方、この厚みが過大である場合には、製造方法において、エッチング処理によって第2裏面側金属層17Aより支持体25と裏面電極部17に分離分割することが困難となることがある。
また、絶縁層をエッチングなどにより、図5(a)、図5(b)に示したように、多数の接点膜9に分離して支持体25に支持させてもよい。
この場合、支持体25の各々の開口部26に電極構造体15を保持する柔軟な接点膜9が互いに独立した状態(図5(a))、部分的に独立した状態(図5(b))で配置される。
接点膜9の各々は、図5(a)、図5(b)に示したように、柔軟な絶縁層18Bを有する。
この絶縁層18Bには、絶縁層18Bの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体15が、検査対象であるウエハの電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁層18Bの面方向に互いに離間して配置されており、接点膜9は、支持体25の開口部内に位置するよう配置されている。
電極構造体15を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができる。
また電極構造体15としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、2種以上の金属の合金よりなるものまたは2種以上の金属が積層されてなるものであってもよく、表面電極部16と短絡部18が異なる金属により構成されてもよい。
さらに、電極構造体15における表面電極部16および裏面電極部17の表面には、電極部の酸化を防止するとともに、接触抵抗の小さい電極部を得るために、金、銀、パラジ
ウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていてもよい。
電極構造体15において、表面電極部16の基端における径R1に対する先端における径R2の比(R2/R1)は、0.11〜0.9であることが好ましく、より好ましくは0.15〜0.6である。
このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置が、ピッチが小さくて微小な電極を有するものであっても、回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。
また、表面電極部16の基端の径R1は、電極構造体15のピッチの30〜70%であることが好ましく、より好ましくは35〜60%である。
また、表面電極部16の基端における径R1に対する突出高さhの比h/R1は、0.2〜0.8であることが好ましく、より好ましくは0.25〜0.6である。
このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置が、ピッチが小さくて微小な電極を有するものであっても、電極のパターンに対応するパターンの電極構造体15を容易に形成することができ、回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。
表面電極部16の基端の径R1は、上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば30〜80μmであり、好ましくは30〜60μmである。
表面電極部16の突出高さhの高さは、接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、12〜50μmであることが好ましく、より好ましくは15〜30μmである。
また、裏面電極部17の外径R5は、裏面電極部17に連結された短絡部18の絶縁層18Bの裏面側の径R4より大きく、かつ、電極構造体15のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましい。
これにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。
また、裏面電極部17の厚みd2は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、10〜80μmであることが好ましく、より好ましくは12〜60μmである。
また、短絡部18の絶縁層18Bの裏面側の径R4に対する絶縁層18Bの表面側の径R3の比R3/R4は、0.2〜1であることが好ましく、より好ましくは0.3〜0.9である。
また、短絡部18の絶縁層18Bの表面側の径R3は、電極構造体15のピッチの10〜50%であることが好ましく、より好ましくは15〜45%である。
また、保持部19の径R6は、電極構造体15のピッチの30〜70%であることが好ましく、より好ましくは40〜60%である。
また、保持部19の厚みd1は、3〜50μmであることが好ましく、より好ましくは4〜40μmである。
これらのシート状プローブにおける電極構造体15の作製方法などは、特開平11−204177号公報、特開2003−92317号公報に記載されている。
<シート状プローブの製造方法>
以下、シート状プローブ10の製造方法について説明する。
まず図6(a)に示したように、絶縁性シート11と、この絶縁性シート11の表面に形成された表面側金属層16Aと、絶縁性シート11の裏面に形成された第1裏面側金属層19Aとよりなる積層体10Aを用意する。
この積層体10Aにおいて、第1裏面側金属層19Aは、形成すべき電極構造体15における保持部19の厚みと同等の厚みを有するものである。
さらに絶縁性シート11は、絶縁性シート11の厚みと第1裏面側金属層19Aの厚みとの合計の厚みが、形成すべき電極構造体15における表面電極部16の突出高さと同等となるものである。
また、絶縁性シート11を構成する材料としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。
なお、表面電極部16を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
また、絶縁性シート11の厚みdは、絶縁性シート11が柔軟なものであれば特に限定されないが、10〜50μmであることが好ましく、より好ましくは10〜25μmである。
このような積層体10Aは、一般に市販されている両面に例えば銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用いることができる。
このような積層体10Aに対し、図6(b)に示したように、その表面側金属層16Aの表面全体に保護フィルム40Aを積層するとともに、第1裏面側金属層19Aの表面に、形成すべき電極構造体15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔12Hが形成されたエッチング用のレジスト膜12Aを形成する。
ここで、レジスト膜12Aを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第1裏面側金属層19Aに対し、レジスト膜12Aのパターン孔12Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図6(c)に示したように、第1裏面側金属層19Aに、それぞれレジスト膜12Aのパターン孔12Hに連通する複数のパターン孔19Hが形成される。
その後、絶縁性シート11に対し、レジスト膜12Aの各パターン孔12Hおよび第1裏面側金属層19Aの各パターン孔19Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図7(a)に示したように、絶縁性シート11に、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通する、絶縁性シート11の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔11Hが形成される。
これにより、積層体10Aの裏面に、第1裏面側金属層19Aのパターン孔19H、絶縁性シート11の貫通孔11Hが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所10Kが形成される。
以上において、第1裏面側金属層19Aをエッチング処理するためのエッチング剤とし
ては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば銅よりなる場合には、塩化第二鉄水溶液を用いることができる。
また、絶縁性シート11をエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液等を用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁性シート11に、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔11Hを形成することができる。
このようにして、表面電極部形成用凹所10Kが形成された積層体10Aからレジスト膜12Aを除去し、その後、図7(b)に示したように、積層体10Aの第1裏面側金属層19Aの表面に、形成すべき電極構造体15における保持部19のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔13Hが形成されたレジスト膜13Aを形成する。
ここで、レジスト膜13Aを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるが感光性ドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体10Aに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所10Kおよびレジスト膜13Aの各パターン孔13H内に金属を充填する。
これにより図7(c)に示したように、複数の表面電極部16、表面電極部16の各々の基端に連続して絶縁性シート11の裏面に沿って外側に伸びる保持部19が形成される。
ここで、保持部19の各々は、第1裏面側金属層19Aを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部16、保持部19が形成された積層体10Aよりレジスト膜13Aを除去し、図8(a)に示したように第1裏面側金属層19Aと保持部19を覆うように絶縁層18Bを形成し、さらに絶縁層18Bの表面に第2裏面側金属層17Aを形成し積層体10Bとする。
また、絶縁層18Bを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミド、ポリイミドフィルムなどを用いることができ、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを用いる場合には熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを積層体10Aに塗布して硬化することにより絶縁層18Bを形成することが好ましい。
また、ポリイミドフィルムを用いる場合には、ポリイミドフィルムを接着剤などで積層体10Aに積層することにより形成することができる。
さらに、ポリイミドフィルムを加熱圧着して積層体10Aに積層することにより形成することができる。
また、片面に例えば42アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを、接着層を介して積層体10Aに積層することにより絶縁層18Bと第2裏面側金属層17Aを形成することもできる。
さらに、片面に例えば42アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを加熱圧着して積層体10Aに一体化することもできる。
第2裏面側金属層17Aは、形成すべき電極構造体15における裏面電極部17の厚みより小さい厚みで、形成すべき支持体25の厚みと同等の厚みを有するものである。
その後、図8(b)に示したように積層体10Bに対し、第2裏面側金属層17Aの表面に、形成すべき電極構造体15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔28Hが形成されたエッチング用のレジスト膜28Aを形成する。
ここで、レジスト膜28Aを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第2裏面側金属層17Aに対し、レジスト膜28Aのパターン孔28Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図8(c)に示したように、第2裏面側金属層17Aに、それぞれレジスト膜28Aのパターン孔28Hに連通する複数のパターン孔17Hが形成される。
その後、絶縁層18Bに対し、レジスト膜28Aの各パターン孔28Hおよび第2裏面側金属層17Aの各パターン孔17Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去する。
これにより図9(a)に示したように、絶縁層18Bに第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通し、絶縁層18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となり、底面に表面電極部16が露出したテーパ状の複数の貫通孔18Hが形成される。
これにより、積層体10Bの裏面に、それぞれ第2裏面側金属層17Aのパターン孔17H、絶縁層18Bの貫通孔18Hが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所18Kが形成される。
以上において、第2裏面側金属層17Aをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択さる。
絶縁層18Bをエッチング処理するためのエッチング液としては、絶縁性シート11のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。
このようにして短絡部形成用凹所18Kが形成された積層体10Bからレジスト膜28Aを除去し、その後、図9(b)に示したように、積層体10Bに第2裏面側金属層17Aの表面に形成すべき裏面電極部17のパターンに対応する複数のパターン孔29Hが形成されたメッキ用のレジスト膜29Aを形成する。
ここで、レジスト膜29Aを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体10Bに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所18Kおよびレジスト膜29Aの各パターン孔29H内に金属を充填することにより、図9(c)に示したように、表面電極部16の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部18および短絡部18の各々の他端に連結された裏面電極部17が形成される。
ここで、裏面電極部17の各々は、第2裏面側金属層17Aを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部16、保持部19、短絡部18および裏面電極部17が形成された積層体10Cからレジスト膜29Aを除去し、その後に図10(a)に示したように裏面電極部17と支持体25とする第2裏面側金属層17A部分を覆い、除去すべき第2裏面側金属層17A部分に対応するパターンに従ってパターン孔29Kを有するパター
ニングされたエッチング用レジスト膜29Bを形成する。
ここで、レジスト膜29Bを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面側金属層16Aの上に設けられた保護フィルム40Aを除去し、表面側金属層16Aおよび第2裏面側金属層17Aにエッチング処理を施す。
これにより、図10(b)に示したように表面側金属層16Aを除去し、さらに第2裏面側金属層17Aにおけるパターン孔29Kにより露出した部分を除去して開口部26を形成し、互いに分離した複数の裏面電極部17および支持体25が形成される。
さらに、図10(c)に示したように、裏面側のエッチング用のレジスト膜29Bを除去した後、裏面電極部17、支持体25、開口部26を覆うように、レジスト膜17Eを形成する。
ここで、レジスト膜17Eを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
そしてレジスト膜17Eの表面全体に保護フィルム40Bを積層する。
次いで、絶縁性シート11に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、図11(a)に示したように、表面電極部16、第1裏面側金属層19Aを露出し、その後、表面電極部16および第1裏面側金属層19Aにおける保持部19となるべき部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜14Aを形成する。
その後、第1裏面側金属層19Aにエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図11(b)に示したように、表面電極部16の基端部分の周面から連続して絶縁層18Bの表面に沿って外方に放射状に伸びる保持部19が形成され、これにより電極構造体15が形成される。
そして、図11(c)に示したように、表面電極部16および保持部19からレジスト膜14Aを除去する。
さらに、図12(a)に示したように、支持体25の一部を露出させるよう、レジスト膜14Bを積層体10Cの上面に形成する。
その後、エッチング処理をすることにより、図12(b)に示したように、支持体25の一部が露出される。
さらに、図12(c)に示したように、レジスト膜17Eより保護フィルム40Bを剥離し、さらに絶縁層18Bの上下面に形成されたレジスト膜14B、17Eを除去する。
これにより、図13に示した図12(c)の拡大部Bの拡大図のように、第1裏面側金属層19Aの厚みに相当する厚み分、保持部19が絶縁層18Bの表面に露出しており、保持部19の絶縁層18Bに一部埋設される部分の厚みが、保持部19の全厚より第1裏面側金属層19Aの厚みを差し引いた厚みに相当するシート状プローブ10が得られる。
このような方法によれば、絶縁性シート11を有する積層体10Aに予め表面電極部形成用凹所10Kを形成し、表面電極部形成用凹所10Kをキャビティとして表面電極部16を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部16が得られる。
また、絶縁層18Bの表面に形成された第1裏面側金属層19Aをエッチング処理することにより、表面電極部16の基端部分から連続して絶縁性シート11の表面に沿って外
方に伸びる保持部19を確実に形成することができるため、表面電極部16の径が小さくても、電極構造体15が絶縁層18Bから脱落することがなく高い耐久性を有するシート状プローブ10を製造することができる。
そして、表面電極部16を形成した絶縁性シート11に一体的に積層された絶縁層18Bを有する積層体10Bに短絡部形成用凹所18Kを形成し、短絡部形成用凹所18Kをキャビティとして短絡部18を形成するため、表面電極部形成用凹所10Kと短絡部形成用凹所18Kを個別に形成するので、厚みの大きい絶縁層18Bに対しても確実に表面電極部16に連通する短絡部形成用凹所18Kが形成でき、短絡部18の厚みの大きい電極構造体15を形成できる。
そのため、厚みの大きな絶縁層18Bよりなるシート状プローブ10を確実に製造することができる。
そして、積層体10Cを構成する第2裏面側金属層17Aをエッチング処理して、開口部26を形成することにより第2裏面側金属層17Aを分割分離して裏面電極部17と支持体25を形成するので、絶縁層18Bに一体化し、電極構造体15とは電気的に絶縁した金属よりなる支持体25を確実に製造することができる。
次に、本発明の第2の実施例のシート状プローブ10の製造方法について説明する。
図14(a)から図19(b)に示した第2の実施例は、基本的には先に説明した第1の実施例におけるシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、保持部19の上面に絶縁性シート11を残存させることによって、保持部19が絶縁シート11と絶縁層18Bとの間に埋没した状態となっている点である。
この実施例では、図6(a)から図7(a)までの工程は、第1の実施例と同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
図14(a)に示したように図7(a)と同様に、絶縁性シート11に、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通する、絶縁性シート11の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔11Hが形成される。
これにより、積層体10Aの裏面に、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19H、絶縁性シート11の貫通孔11Hが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所10Kが形成される。
このようにして表面電極部形成用凹所10Kが形成された積層体10Aからレジスト膜12Aを除去し、その後、図14(b)に示したように、積層体10Aに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所10Kに金属を充填するとともに、絶縁性シート11の裏面に表面電極部16または保持部形成用金属層19Bを形成する。
さらに、図14(c)に示したように積層体10Aに対し、保持部形成用金属層19Bの表面に、形成すべき電極構造体15のパターンに対応するレジストパターン70Aを形成する。
次いで、第1裏面側金属層19Aと保持部形成用金属層19Bに対し、レジストパターン70A以外の部分より露出した部分にエッチング処理を施して、その部分を除去する。
これにより、図15(a)に示したように、第1裏面側金属層19Aに、レジストパターン70A以外の部分と連通する複数のパターン孔19Hが形成され、さらに複数の表面電極部16、表面電極部16の各々の基端に連続して絶縁性シート11の裏面に沿って外側に伸びる保持部19が形成される。
このようにして表面電極部16、保持部19が形成された積層体10Aよりレジストパターン70Aを除去し、図15(b)に示したように絶縁性シート11と保持部19を覆うように絶縁層18Bを形成し、さらに絶縁層18Bの表面に第2裏面側金属層17Aを形成し積層体10Bとする。
また、絶縁層18Bを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミド、ポリイミドフィルムなどを用いることができ、熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを用いる場合には熱可塑性ポリイミド、感光性ポリイミドを積層体10Aに塗布して硬化することにより絶縁層18Bを形成することが好ましい。
また、ポリイミドフィルムを用いる場合には、ポリイミドフィルムを接着剤などで積層体10Aに積層することにより形成することができる。
さらに片面に、42アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを、積層体10Aに接着剤を介して積層することにより、絶縁層18Bと第2裏面側金属層17Aを形成することもできる。
また、上記の接着剤を用いる方法の他にも、加熱加圧プレスを用いて、積層体10Aとポリイミドフィルムとを圧着させて積層することもできる。
第2裏面側金属層17Aは、形成すべき電極構造体15における裏面電極部17の厚みより小さい厚みで、形成すべき支持体25の厚みと同等の厚みを有するものとされる。
その後、図15(c)に示したように積層体10Bに対し、第2裏面側金属層17Aの表面に、形成すべき電極構造体15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔28Hが形成されたエッチング用のレジスト膜28Aを形成する。
ここで、レジスト膜28Aを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第2裏面側金属層17Aに対し、レジスト膜28Aのパターン孔28Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図16(a)に示したように、第2裏面側金属層17Aに、それぞれレジスト膜28Aのパターン孔28Hに連通する複数のパターン孔17Hが形成される。
その後、絶縁層18Bに対し、レジスト膜28Aの各パターン孔28Hおよび第2裏面側金属層17Aの各パターン孔17Hを介して露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、図16(b)に示したように、絶縁層18Bに、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通する、絶縁層18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となり底面に表面電極部16が露出したテーパ状の複数の貫通孔18Hが形成される。
これにより、積層体10Bの裏面に、それぞれ第2裏面側金属層17Aのパターン孔17H、絶縁層18Bの貫通孔18Hが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所18Kが形成される。
以上において、第2裏面側金属層17Aをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択さる。
絶縁層18Bをエッチング処理するためのエッチング液としては、絶縁性シート11のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。
このようにして短絡部形成用凹所18Kが形成された積層体10Bからレジスト膜28Aを除去する。
その後、図16(c)に示したように、積層体10Bに、第2裏面側金属層17Aの表面に、形成すべき電極構造体15における裏面電極部17のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔29Hが形成されたメッキ用のレジスト膜29Aを形成する。
ここで、レジスト膜29Aを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体10Bに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所18Kおよびレジスト膜29Aの各パターン孔29H内に金属を充填する。
これにより図17(a)に示したように、表面電極部16の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部18および短絡部18の各々の他端に連結された裏面電極部17が形成される。
ここで、裏面電極部17の各々は、第2裏面側金属層17Aを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部16、保持部19、短絡部18および裏面電極部17が形成された積層体10Cからレジスト膜29Aを除去する。
さらに図17(b)に示したように、裏面電極部17と支持体25とする第2裏面側金属層17A部分を覆い、除去すべき第2裏面側金属層17A部分に対応するパターンに従ってパターン孔29Kを有するパターニングされたエッチング用レジスト膜29Bを形成する。
ここで、レジスト膜29Bを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面側金属層16Aの上に設けられた保護フィルム40Aを除去し、表面側金属層16Aおよび第2裏面側金属層17Aにエッチング処理を施す。
これにより図17(c)に示したように、表面側金属層16Aを除去するとともに、第2裏面側金属層17Aにおけるパターン孔29Kにより露出した部分を除去して開口部26を形成し、互いに分離した複数の裏面電極部17および支持体25が形成される。
さらに、図18(a)に示したように、裏面側のエッチング用のレジスト膜29Bを除去した後、裏面電極部17、支持体25、開口部26を覆うように、レジスト膜17Eを形成する。
ここで、レジスト膜17Eを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
そして、レジスト膜17Eの表面全体に保護フィルム40Bを積層する。
次いで、絶縁性シート11に対してエッチング処理を施してその一部を除去し、図18(b)に示したように、表面電極部16を露出する。
この際、絶縁性シート11に対して行われるエッチング処理は、保持部19が埋没状態となるよう、絶縁性シート11の一部が残るように行う。
さらに、図18(c)に示したように、支持体25の一部を露出させるよう、レジスト膜14Bを積層体10Cの上面に形成する。
その後、絶縁性シート11および絶縁層18Bに対してエッチング処理をすることにより、図19(a)に示したように、支持体25の一部が露出される。
さらに、図19(b)に示したように、レジスト膜17Eより保護フィルム40Bを剥離し、さらに絶縁層18Bの下面に形成されたレジスト膜17Eと、絶縁性シート11の上面に形成されたレジスト膜14Bを除去する。
これにより、図20に示した図19(b)の拡大部Bの拡大図のように、保持部19の全厚が絶縁層18Bに埋没され、エッチングにより厚みが薄くなり、残存している絶縁性シート11の厚み分が保持部19の上面に残存し、保持部19全体がこれらに完全に埋没されたシート状プローブ10が得られる。
次に、本発明の第3の実施例のシート状プローブ10の製造方法について説明する。
図21(a)から図22(b)に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、図12(c)に示したように、保持部19が絶縁層18B内に一部埋没した状態ではなく、絶縁性シート11を全て除去することにより、絶縁層18Bと保持部19とが面一の状態となっている点である。
この実施例では、上記の第2の実施例と、図14(a)から図18(b)までの工程は同様であるため、同様の工程については簡単に説明する。
上記の第2の実施例と、図14(a)から図18(b)までの工程を経ることによって、図21(a)に示したように絶縁性シート11の一部が除去された積層体10Cが得られる。
さらに、図21(b)に示したように、絶縁性シート11にエッチング処理を施すことにより、保持部19が絶縁層18Bの表面と略同一と成るようにする。
なお、絶縁性シート11と絶縁層18Bのエッチング処理は、絶縁性シート11と絶縁層18Bとの界面で、確実にエッチングを停止できるよう、絶縁性シート11と絶縁層18Bの両ポリイミド材のエッチング速度が異なるものを使用すると良い。
この際、絶縁層18Bに用いられるポリイミド材を、絶縁性シート11に用いられるポリイミド材よりエッチング速度が遅いポリイミド材とすることにより、容易にこれらの界面でエッチングを停止することができる。
その後、図21(c)に示したように、支持体25の一部を露出させるよう、レジスト膜14Bを積層体10Cの上面に形成する。
その後、絶縁層18Bに対してエッチング処理をすることにより、図22(a)に示したように、支持体25の一部が露出される。
さらに、図22(b)に示したように、レジスト膜17Eより保護フィルム40Bを剥離し、さらに絶縁層18Bの下面に形成されたレジスト膜17Eと、上面に形成されたレジスト膜14Bを除去する。
これにより、図23に示した図22(b)の拡大部Bの拡大図のように、保持部19の全厚が絶縁層18Bに埋設され、保持部19の厚みが、第1裏面側金属層19Aの厚みに相当する厚みと、表面電極部16を形成する際にメッキにより形成された厚みの合計となっているシート状プローブ10が得られる。
<プローブカードおよび回路装置の検査装置>
図24は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示した説明用断面図である。
この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのものである。
この回路装置の検査装置は、被検査回路装置であるウエハ6の被検査電極7の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード1(絶縁層18Bを支持体25で支持するシート状プローブ)を有する。
このプローブカード1においては、図27にも拡大して示したように、ウエハ6に形成された全ての集積回路における被検査電極7のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極21が表面に形成された検査用回路基板20を有している。
さらに、この検査用回路基板20の表面には、異方導電性コネクター30が配置され、この異方導電性コネクター30の表面には、ウエハ6に形成された全ての集積回路における被検査電極7のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体15が配置された、図3に示した構成のシート状プローブ10が配置されている。
そしてシート状プローブ10は、ガイドピン50により異方導電性コネクター30と、電極構造体15と導電部36が一致するように固定された状態で保持されている。
また、プローブカード1における検査用回路基板20の裏面(図において上面)には、プローブカード1を下方に加圧する加圧板3が設けられ、プローブカード1の下方には、ウエハ6が載置されるウエハ載置台4が設けられており、加圧板3およびウエハ載置台4の各々には、加熱器5が接続されている。
また、このような回路装置の検査装置は、図25に示したように、シート状プローブ10が、支持体25の外縁部に支持板2が接着剤により接着された状態で使用されてもよい。
また、シート状プローブ10の周縁部には、剛性を有する平板リング状の支持板2が設けられている。
支持板2の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、42アロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。
このような回路装置の検査装置は、分解すると図26(a)、図26(b)に示したような構成であり、異方導電性コネクター30のフレーム板31に形成された貫通孔と、ガイドピン50とが嵌合することによって、位置決めを行っている。
また、シート状プローブ10は、支持体25の外縁部に接着した支持板2と、加圧板3の凹部とが嵌合することによって、位置決めを行うことができるようになっている。
さらに、検査用回路基板20を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができる。
その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などの複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナなどのセラミックス材料などが挙げられる。
また、WLBI試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは1×10-7〜1×10-5/K、特に好ましくは1×10-6〜6×10-6/Kである。
このような基板材料の具体例としては、パイレックス(登録商標)ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。
異方導電性コネクター30は、図28に示したように、被検査回路装置であるウエハ6に形成された全ての集積回路における被検査電極7が配置された電極領域に対応して複数の開口32が形成されたフレーム板31と、このフレーム板31に、それぞれ一の開口32を塞ぐよう配置され、フレーム板31の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート35とにより構成されている。
フレーム板31を構成する材料としては、フレーム板31が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板31を例えば金属材料により構成する場合には、フレーム板31の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
フレーム板31を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板31を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がWLBI(Wafer Lebel Burn−in)試験を行うためのものである場合には、フレーム板31を構成する材料としては、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−1×10-7〜1×10-5/K、特に好ましくは1×10-6〜8×10-6/Kである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、42アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
フレーム板31の厚みは、その形状が維持されるとともに、異方導電性シート35を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば25〜600μmであることが好ましく、より好ましくは40〜400μmである。
異方導電性シート35の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ6に形成された一の電極領域の被検査電極7のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部36と、これらの導電部36の各々を相互に絶縁する絶縁部37とにより構成されている。
また、図示の例では、異方導電性シート35の両面には、導電部36およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部38が形成されている。
異方導電性シート35における導電部36の各々には、磁性を示した導電性粒子Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。
これに対して、絶縁部37は、導電性粒子Pが全くあるいは殆ど含有されていないものである。
異方導電性シート35の全厚(図示の例では導電部36における厚み)は、50〜2000μmであることが好ましく、より好ましくは70〜1000μm、特に好ましくは80〜500μmである。
この厚みが50μm以上であれば、異方導電性シート35には十分な強度が得られる。
一方、この厚みが2000μm以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部36が確実に得られる。
突出部38の突出高さは、その合計が突出部38における厚みの10%以上であることが好ましく、より好ましくは15%以上である。
このような突出高さを有する突出部38を形成することにより、小さい加圧力で導電部36が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部38の突出高さは、突出部38の最短幅または直径の100%以下であることが好ましく、より好ましくは70%以下である。
このような突出高さを有する突出部38を形成することにより、突出部38が加圧されたときに座屈することがないため、導電性が確実に得られる。
異方導電性シート35を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。
かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。
導電性粒子Pを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が3〜40μmのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記数平均粒子径が3μm以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い導電部36が得られやすい。
一方、上記数平均粒子径が40μm以下であれば、微細な導電部36を容易に形成することができ、また得られる導電部36は、安定な導電性を有するものとなりやすい。
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が0.1Wb/m2以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは0.3Wb/m2以上、特に好ましくは0.5Wb/m2以上のものである。具体的には、鉄、ニッケル、コバルト
またはそれらの合金などが挙げられる。
磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
導電性粒子Pは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔(高導電性金属の質量/芯粒子の質量)×100〕が15質量%以上とされ、好ましくは25〜35質量%とされる。
高導電性金属の割合が15質量%未満である場合には、得られる異方導電性コネクター30を高温環境下で繰り返し使用したとき、導電性粒子Pの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。
また、導電性粒子Pの数平均粒子径は、3〜40μmであることが好ましく、より好ましくは6〜25μmである。
このような導電性粒子Pを用いることにより、得られる異方導電性シート35は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部36において導電性粒子P間に十分な電気的接触
が得られる。
また、導電性粒子Pの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状、星形状、またはこれらが凝集した2次粒子による塊状であることが好ましい。
導電部36における導電性粒子Pの含有割合は、体積分率で10〜60%、好ましくは15〜50%となる割合で用いられることが好ましい。
この割合が10%未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部36が得られないことがある。
一方、この割合が60%を超える場合には、得られる導電部36は脆弱なものとなりやすく、導電部36として必要な弾性が得られないことがある。
以上のような異方導電性コネクター30は、例えば特開2002−324600号公報に記載された方法によって製造することができる。
上記の検査装置においては、ウエハ載置台4上に検査対象であるウエハ6が載置され、次いで、加圧板3によってプローブカード1が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ10の電極構造体15における表面電極部16の各々が、ウエハ6の被検査電極7の各々に接触し、さらに表面電極部16の各々によって、ウエハ6の被検査電極7の各々が加圧される。
この状態においては、異方導電性コネクター30の異方導電性シート35における導電部36の各々は、検査用回路基板20の検査電極21とシート状プローブ10の電極構造体15の裏面電極部17とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されている。
このため、導電部36にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ6の被検査電極7と検査用回路基板20の検査電極21との電気的接続が達成される。
その後、加熱器5によって、ウエハ載置台4および加圧板3を介してウエハ6が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
上記のプローブカード1によれば、図3に示したシート状プローブ10を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極7が形成されたウエハ6に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ10における電極構造体15が脱落することがなく、絶縁層18Bの厚みが大きいため高い耐久性が得られる。
そして、上記の検査装置によれば、図3に示したシート状プローブ10を有するプローブカード1を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極7が形成されたウエハ6に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
またプローブカード1は、高い耐久性を有するため、多数のウエハ6の検査を行う場合でも長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
本発明の回路装置の検査装置は、上記の例に限定されず、以下のように種々の変更を加えることが可能である。
(1)図24および図25に示したプローブカード1は、ウエハ6に形成された全ての集積回路の被検査電極7に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウエハ6に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極7に電気的に接続されるものであってもよい。
選択される集積回路の数は、ウエハ6のサイズ、ウエハ6に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極7の数などを考慮して適宜選択され、例えば16個、32個、64個、128個である。
このようなプローブカード1を有する検査装置においては、ウエハ6に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極7に、プローブカード1を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極7に、プローブカード1を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ6に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。
そして、このような検査装置によれば、直径が8インチまたは12インチのウエハ6に高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板20の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。
(2)異方導電性コネクター30における異方導電性シート35には、被検査電極7のパターンに対応するパターンに従って形成された導電部36の他に、被検査電極7に電気的に接続されない非接続用の導電部36が形成されていてもよい。
(3)本発明の検査装置の検査対象である回路装置は、多数の集積回路が形成されたウエハ6に限定されるものではなく、半導体チップや、BGA、CSPなどのパッケージLSI、CMCなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。
(4)シート状プローブ10は、円筒形のセラミックなどの保持体により保持された状態にて、異方導電性シート35や検査用回路基板20と、例えばガイドピン50などにて固定一体化することもできる。
(5)本発明のシート状プローブ10の製造方法において、第2裏面側金属層17Aは必須のものでなく、これを省略し短絡部形成用凹所18Kとパターン孔17Hに金属を充填することにより短絡部18と一体化した裏面電極部17を形成してもよい。
この場合、支持体25は、別途用意した支持体25と製造したシート状プローブ10に接着剤などを用いて積層して、一体化してもよい。
(6)本発明のシート状プローブ10においては、例えば図5(a)に示したような電極構造体15を有する絶縁層18Bよりなる複数の接点膜9が、支持体25の開口部26の各々に配置し支持体25により支持された状態のシート状プローブ10であるとよい。
さらに図5(b)に示したように、一つの接点膜9が支持体25の複数の開口部26を覆うように配置されたものであってもよい。
このように独立する複数の接点膜9によりシート状プローブ10を構成することにより、例えば直径8インチ以上のウエハ検査用のシート状プローブ10を構成した場合、温度変化による接点膜9の伸縮が小さくなり電極構造体15の位置ずれが小さくなり好ましい。
このようなシート状プローブは、本発明のシート状プローブ10の製造方法における図12(b)の状態で、絶縁層18Bにレジストによるパターニングとエッチングにより絶縁層18Bを任意の形状の接点膜9に分割することにより得られる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔試験用ウエハの作製〕
図29に示したように、直径が8インチのシリコン(線熱膨張係数3.3×10-6/K)製のウエハ6上に、それぞれ寸法が6.5mm×6.5mmの正方形の集積回路Lを合計で393個形成した。
ウエハ6に形成された集積回路Lの各々は、図30に示したように、その中央に被検査電極領域Aを有し、この被検査電極領域Aには、図31に示したように、それぞれ縦方向(図31において上下方向)の寸法が200μmで横方向(図31において左右方向)の寸法が50μmの矩形の60個の被検査電極7が100μmのピッチで横方向に一列に配列されている。
このウエハ6全体の被検査電極7の総数は23580個であり、全ての被検査電極7は互いに電気的に絶縁されている。
以下、このウエハを「試験用ウエハW1」という。
また、全ての被検査電極7を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Lにおける60個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極7から数えて1個おきに2個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハW1と同様の構成の393個の集積回路(L)をウエハ6上に形成した。
以下、このウエハを「試験用ウエハW2」という。
〈実施例1〉
直径が20cmで厚みが17.5μmのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が20cmで厚みが5μmの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート(以下、「積層体A」という。)を用意した(図6(a)参照)。
積層体10Aは、厚みが17.5μmのポリイミドシートよりなる絶縁性シート11の一面に厚みが5μmの銅よりなる第1裏面側金属層19Aを有し、他面に厚みが5μmの銅よりなる表面側金属層16Aを有するものである。
上記の積層体10Aに対し、厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって、表面側金属層16Aの表面全面に保護フィルム40Aを形成するとともに、第1裏面側金属層19Aの裏面全面に、試験用ウエハW1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が50μmの円形の23580個のパターン孔12Hが形成されたレジスト膜12Aを形成した(図6(b)参照)。
ここで、レジスト膜12Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、第1裏面側金属層19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層11Aに、それぞれレジスト膜12Aのパターン孔12Hに連通する23580個のパターン孔19Hを形成した(図6(c)参照)。
その後、絶縁性シート11に対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート11に、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通する23580個の貫通孔11Hを形成した(図7(a)参照)。
この貫通孔13Hの各々は、絶縁性シート11の裏面から表面に向かうに従って小径と
なるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が50μm、表面側の開口径が30μmのものであった。
次いで、積層体10Aを45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Aからレジスト膜12Aを除去し、その後、積層体10Aに対し、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第1裏面側金属層19Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜13Aを形成するとともに、レジスト膜13Aに絶縁性シート11の貫通孔11Hに連通する直径60μmの23580個のパターン孔13Hを形成した(図7(b)参照)。
ここで、レジスト膜13Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
このようにして、絶縁性シート11の裏面に、それぞれ絶縁性シート11の貫通孔11H、第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hおよびレジスト膜13Aのパターン孔13Hが連通されてなる23580個の表面電極部形成用凹所10Kを形成した。
次いで積層体10Aを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体10Aに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所10K内に金属を充填することにより、表面電極部16および第1裏面側金属層19Aによって互いに連結された保持部19を形成した(図7(c)参照)。
次いで、表面電極部16が形成された積層体10Aを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Aからレジスト膜13Aを除去した。
そして、直径が22cmで厚みが25μmの42アロイよりなる金属層の一面に直径が20.4cmで厚みが37.5μmのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート(以下、「積層シートB」という。)とを用意した。
次いで、積層シートBにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約1μmの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し、この接着層上に積層体10Aの第1裏面側金属層19A側が接するように配置するとともに、この状態で熱圧着処理することにより、積層体10Bを作製した。
積層体10Bは、表面電極部16が形成された積層体10Aの一面に厚みが37.5μmのポリイミドシートよりなる絶縁層18Bが積層され、絶縁層18Bの表面に42アロイよりなる第2裏面側金属層17Aを有するものである(図8(a)参照)。
次いで、積層体10Bに対し、厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層16Aの表面全面に保護フィルム40Aを形成するとともに、第2裏面側金属層17Aの表面全面に、試験用ウエハW1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が60μmで円形の23580個のパターン孔28Hが形成されたレジスト膜28Aを形成した(図8(b)参照)。
ここで、レジスト膜28Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、第2裏面側金属層17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第2裏面側金属層17Aに、それぞ
れレジスト膜28Aのパターン孔28Hに連通する23580個のパターン孔17Hを形成した(図8(c)参照)。
その後、絶縁層18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、15分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層18Bに、それぞれ第2裏面側金属層17Aのパターン孔17H連通した23580個の貫通孔18Hを形成した(図9(a)参照)。
この貫通孔13Hの各々は、絶縁膜13の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に表面電極部16が露出しており、裏面側の開口径が60μm表面側の開口径が20μmのものであった。
次いで、貫通孔18Hが形成された積層体10Bを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Bからレジスト膜28Aを除去した。
その後、積層体10Bに対し、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第2裏面側金属層17Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜29Aを形成するとともに、レジスト膜29Aに、絶縁層18Bの貫通孔18Hに連通する寸法が150μm×60μmの矩形の23580個のパターン孔29Hを形成した(図9(b)参照)。
ここで、レジスト膜29Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
このようにして、積層体10Bの裏面に、それぞれ絶縁層18Bの貫通孔18H、第2裏面側金属層17Aのパターン孔17Hおよびレジスト膜29Aのパターン孔29Hが連通されてなる23580個の短絡部形成用凹所18Kを形成した。
次いで積層体10Bを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体10Bに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所18K内に金属を充填することにより、表面電極部16に連結された、短絡部18および第2裏面側金属層17Aによって互いに連結された裏面電極部17を形成し、これを積層体10Cとした(図9(c)参照)。
次いで、積層体10Cを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Bからレジスト膜29Aを除去した。
その後、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第2裏面側金属層17Aにおける支持膜となる部分および裏面電極部17を覆うよう、パターニングされてパターン孔29Kを有するエッチング用のレジスト膜29Bを形成した(図10(a)参照)。
ここで、レジスト膜29Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、積層体10Cから保護フィルム40Aを除去し、その後、表面側金属層16Aおよび第2裏面側金属層17Aに対し、アンモニア系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層16Aの全部を除去するとともに、第2裏面側金属層17Aにおけるパターン孔29Kにより露出した部分を除去した。
これにより、裏面電極部17の各々を互いに分離させるとともに、試験用ウエハW1に
形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部26を有する支持体25を形成した(図10(b)参照)。
次いで、積層体10Cを45℃の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬することにより、支持体25の裏面および裏面電極部17からレジスト膜29Bを除去した。
その後、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、支持体25の裏面、絶縁層18Bの裏面および裏面電極部17を覆うよう、レジスト膜17Eを形成し、このレジスト膜17Eを厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム40Bによって覆った(図10(c)参照)。
その後、積層体10Cに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート11を除去した。
次いで、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、表面電極部16および第1裏面側金属層19Aにおける保持部19となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜14Aを形成した(図11(a)参照)。
ここで、レジスト膜14Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
その後、第1裏面側金属層19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部16の基端部分の周面から連続して絶縁層18Bの表面に沿って外方に放射状に伸びる円板リング状の保持部19を形成し、電極構造体15を形成した(図11(b)参照)。
さらに、積層体10Cの支持体25の一部を露出させるため、表面電極部16を覆うとともに、絶縁層18Bの上面にレジスト膜14Bを形成した(図12(a)参照)。
ここで、レジスト膜14Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
その後、絶縁層18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、15分間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持体25の一部分を露出した(図12(b)参照)。
そして、レジスト膜17Eから保護シールを除去した後、45℃の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬することにより、表面電極部16および保持部19からレジスト膜14Bを除去するとともに、支持体25の裏面、絶縁層18Bの裏面および裏面電極部17からレジスト膜17Eを除去した(図12(c)参照)。
その後、支持体25における周縁部分の表面に、外径が22cm、内径が20.5cmで厚みが2mmのリング状の窒化シリコンよりなる支持板2を配置した後、支持板2と支持体25とを加圧し、180℃で2時間保持することにより、支持板2を支持体25に接合することにより、シート状プローブ10を製造した。
このシート状プローブ10は、図13に示した図12(c)の拡大部Bの拡大図のように、第1裏面側金属層19Aの厚みに相当する厚み分、保持部19が絶縁層18Bの表面に露出している。
なお、保持部19の絶縁層18Bに一部埋設される部分の厚みは、保持部19の全厚より第1裏面側金属層19Aの厚みを差し引いた厚みに相当する。
以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のH−K350を使用した。
得られたシート状プローブ10は、絶縁層18Bの厚みdが37.5μm、電極構造体15の表面電極部16の形状が円錐台状で、その基端の径R1が50μm、その先端の径R2が30μm、その突出高さhが12.5μm、短絡部18の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径R3が25μm、裏面側の他端の径R4が60μm、裏面電極部17の形状が矩形の平板状で、その横幅(径R5)が60μm、縦幅が150μm、厚みd2が50μm、保持部19の形状が円形リング板状で、その外径R6が60μm、その厚みd1が30μmのものである。
このようにして、合計で4枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブE1」〜「シート状プローブE4」とする。
〈実施例2〉
ポリイミドシート(東レ・デュポン(株)「カプトン」登録商標 ポリイミドフィルム
品種100EN 両面に厚み4μmの銅層を有する)を加工して、直径が20cmで厚みが25μmのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が20cmで厚みが4μmの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート(以下、「積層体A」という。)を用意した(図6(a)参照)。
積層体10Aは、厚みが25μmのポリイミドシートよりなる絶縁性シート11の一面に厚みが4μmの銅よりなる第1裏面側金属層19Aを有し、他面に厚みが4μmの銅よりなる表面側金属層16Aを有するものである。
上記の積層体10Aに対し、厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって、表面側金属層16Aの表面全面に保護フィルム40Aを形成するとともに、第1裏面側金属層19Aの裏面全面に、試験用ウエハW1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が60μmの円形の23580個のパターン孔12Hが形成されたレジスト膜12Aを形成した(図6(b)参照)。
ここで、レジスト膜12Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、第1裏面側金属層19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層11Aに、それぞれレジスト膜12Aのパターン孔12Hに連通する23580個のパターン孔19Hを形成した(図6(c)参照)。
その後、絶縁性シート11に対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート11に、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通する23580個の貫通孔11Hを形成した(図14(a)参照)。
この貫通孔13Hの各々は、絶縁性シート11の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が60μm、表面側の開口径が30μmの
ものであった。
次いで、積層体10Aを45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Aからレジスト膜12Aを除去した。
さらに積層体10Aを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体10Aに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施した。
これにより、各表面電極部形成用凹所10K内に金属を充填するとともに、第1裏面側金属層19Aの表面に厚み2μmのニッケルメッキよりなる保持部形成用金属層19Bを形成した。
これにより、のちに保持部19となる保持部形成用金属層19Bと第1裏面側金属層19A、さらに表面電極部16とが連結された(図14(b)参照)。
さらに積層体10Aに対し、保持部形成用金属層19Bの表面に、形成すべき電極構造体15のパターンに対応するパターンに従う、寸法が160μm×70μmの矩形のエッチング用のレジストパターン70Aを形成した(図14(c)参照)。
次いで、保持部形成用金属層19Bと第1裏面側金属層19Aに対し、レジストパターン70A以外の箇所より露出した部分にエッチング処理を施して除去することにより、第1裏面側金属層19Aに、それぞれレジストパターン70A以外の箇所と連通する複数のパターン孔19Hが形成される。
これにより、複数の表面電極部16、表面電極部16の各々の基端に連続して絶縁性シート11の裏面に沿って外側に伸びる寸法が160μm×70μmの矩形の保持部19が形成された(図15(a)参照)。
また表面電極部16、保持部19が形成された積層体10Aよりレジストパターン70Aを除去し、直径が22cmで厚みが25μmの42アロイよりなる金属層の一面に直径が20.4cmで厚みが25μmのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート(以下、「積層シートB」という。)を用意した。
ポリイミドシートとしては宇部興産社製の厚み25μmの熱可塑性のポリイミドフィルム(品名ユーピレックス−S)を使用した。
次いで、積層シートBにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約1μmの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し加熱乾燥の後、この接着層上に積層体10Aの第1裏面側金属層19A側が接するように配置するとともに、この状態で熱圧着処理することにより、積層体10Bを作製した。
積層体10Bは、表面電極部16が形成された積層体10Aの一面に厚みが25μmのポリイミドシートよりなる絶縁層18Bが積層され、絶縁層18Bの表面に42アロイよりなる第2裏面側金属層17Aを有するものである(図15(b)参照)。
次いで、積層体10Bに対し、厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層16Aの表面全面に保護フィルム40Aを形成するとともに、第2裏面側金属層17Aの表面全面に、試験用ウエハW1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が60μmで円形の23580個のパターン孔28Hが形成されたレジスト膜28Aを形成した(図15(c)参照)。
ここで、レジスト膜28Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる
現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、第2裏面側金属層17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第2裏面側金属層17Aに、それぞれレジスト膜28Aのパターン孔28Hに連通する23580個のパターン孔17Hを形成した(図16(a)参照)。
その後、絶縁層18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、15分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層18Bに、それぞれ第2裏面側金属層17Aのパターン孔17H連通した23580個の貫通孔18Hを形成した(図16(b)参照)。
この貫通孔18Hの各々は、絶縁層18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に表面電極部16が露出しており、裏面側の開口径が60μm表面側の開口径が40μmのものであった。
次いで、貫通孔18Hが形成された積層体10Bを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Bからレジスト膜28Aを除去した。
その後、積層体10Bに対し、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第2裏面側金属層17Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜29Aを形成するとともに、レジスト膜29Aに、絶縁層18Bの貫通孔18Hに連通する寸法が150μm×60μmの矩形の23580個のパターン孔29Hを形成した(図16(c)参照)。
ここで、レジスト膜29Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
このようにして、積層体10Bの裏面に、それぞれ絶縁層18Bの貫通孔18H、第2裏面側金属層17Aのパターン孔17Hおよびレジスト膜29Aのパターン孔29Hが連通されてなる23580個の短絡部形成用凹所18Kを形成した。
次いで積層体10Bを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体10Bに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所18K内に金属を充填することにより、表面電極部16に連結された、短絡部18および第2裏面側金属層17Aによって互いに連結された裏面電極部17を形成し、これを積層体10Cとした(図17(a)参照)。
次いで、積層体10Cを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Cからレジスト膜29Aを除去した。
その後、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第2裏面側金属層17Aにおける支持体25となる部分および裏面電極部17を覆うよう、パターニングされてパターン孔29Kを有するエッチング用のレジスト膜29Bを形成した(図17(b)参照)。
ここで、レジスト膜29Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、積層体10Cから保護フィルム40Aを除去し、その後、表面側金属層16Aおよび第2裏面側金属層17Aに対し、アンモニア系エッチング液を用い、50℃、30
秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層16Aの全部を除去するとともに、第2裏面側金属層17Aにおけるパターン孔29Kにより露出した部分を除去した。
これにより、裏面電極部17の各々を互いに分離させるとともに、試験用ウエハW1に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部26を有する支持体25を形成した(図17(c)参照)。
次いで、積層体10Cを45℃の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬することにより、支持体25の裏面および裏面電極部17からレジスト膜29Bを除去した。
その後、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、支持体25の裏面、絶縁層18Bの裏面および裏面電極部17を覆うよう、レジスト膜17Eを形成し、このレジスト膜17Eを厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム40Bによって覆った(図18(a)参照)。
その後、積層体10Cに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、6分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート11の表面部分を除去し、絶縁性シートの厚みを25μmから5μmとした(図18(b)参照)。
次いで、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、表面電極部16および第1裏面側金属層19Aにおける保持部19となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜14Bを形成した(図18(c)参照)。
ここで、レジスト膜14Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
その後、絶縁層18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、15分間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持体25の一部分を露出した(図19(a)参照)。
そして、レジスト膜17Eから保護フィルム40Bを除去した後、45℃の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬することにより、表面電極部16および保持部19からレジスト膜14Bを除去するとともに、支持体25の裏面、絶縁層18Bの裏面および裏面電極部17からレジスト膜17Eを除去した(図19(b)参照)。
その後、支持体25における周縁部分の表面に、外径が22cm、内径が20.5cmで厚みが2mmのリング状の窒化シリコンよりなる支持板2を配置した後、支持板2と支持体25とを加圧し、180℃で2時間保持することにより、支持板2を支持体25に接合することにより、シート状プローブ10を製造した。
このようなシート状プローブ10は、図20に示した図19(b)の拡大部Bの拡大図のように、保持部19の全厚が絶縁層18Bに埋没され、エッチングにより厚みが薄くなり、残存している絶縁性シート11の厚み分が保持部19の上面に残存し、保持部19全体が絶縁層18Bに完全に埋没されている。
以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のH−K350を使用した。
得られたシート状プローブ10は、絶縁層18Bの厚みdが25μm、電極構造体15
の表面電極部16の形状が円錐台状で、その基端の径R1が60μm、その先端の径R2が30μm、その絶縁性シート11の表面からの突出高さhが20μm、短絡部18の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径R3が40μm、裏面側の他端の径R4が60μm、裏面電極部17の形状が矩形の平板状で、その横幅(径R5)が60μm、縦幅が150μm、厚みd2が50μm、保持部19の形状が矩形で、その横幅が70μm、縦幅が160μm、その厚みd1が6μm(銅層4μm+ニッケル層2μm)のものである。保持部19の表側には厚み5μmの絶縁性シート11が積層されている。
このようにして、合計で4枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブF1」〜「シート状プローブF4」とする。
〈実施例3〉
ポリイミドシート(東レ・デュポン(株)「カプトン」登録商法 ポリイミドフィルム
品種100EN 両面に厚み4μmの銅層を有する)を加工して、直径が20cmで厚みが25μmのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が20cmで厚みが4μmの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート(以下、「積層体A」という。)を用意した(図6(a)参照)。
積層体10Aは、厚みが25μmのポリイミドシートよりなる絶縁性シート11の一面に厚みが4μmの銅よりなる第1裏面側金属層19Aを有し、他面に厚みが4μmの銅よりなる表面側金属層16Aを有するものである。
上記の積層体10Aに対し、厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって、表面側金属層16Aの表面全面に保護フィルム40Aを形成するとともに、第1裏面側金属層19Aの裏面全面に、試験用ウエハW1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が60μmの円形の23580個のパターン孔12Hが形成されたレジスト膜12Aを形成した(図6(b)参照)。
ここで、レジスト膜12Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、第1裏面側金属層19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、支持膜形成用層11Aに、それぞれレジスト膜12Aのパターン孔12Hに連通する23580個のパターン孔19Hを形成した(図6(c)参照)。
その後、絶縁性シート11に対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート11に、それぞれ第1裏面側金属層19Aのパターン孔19Hに連通する23580個の貫通孔11Hを形成した(図14(a)参照)。
この貫通孔13Hの各々は、絶縁性シート11の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が60μm、表面側の開口径が30μmのものであった。
次いで、積層体10Aを45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Aからレジスト膜12Aを除去し、次いで積層体10Aを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体10Aに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所10K内に金属を充填するこ
とにより、表面電極部16を形成し、第1裏面側金属層19Aの表面にニッケルメッキ層を形成した(図14(b)参照)。
さらに積層体10Aに対し、第1裏面側金属層19Aの表面に、形成すべき電極構造体15のパターンに対応するパターンに従う複数の寸法が160μm×70μmの矩形のエッチング用のレジストパターン70Aを形成した(図14(c)参照)。
次いで、第1裏面側金属層19Aに対し、レジストパターン70A以外の箇所より露出した部分にエッチング処理を施して除去した。
第1裏面側金属層19Aに、それぞれレジストパターン70A以外の箇所と連通する複数のパターン孔19Hが形成される。これにより、複数の表面電極部16、表面電極部16の各々の基端に連続して絶縁性シート11の裏面に沿って外側に伸びる保持部19が形成された(図15(a)参照)。
また表面電極部16、保持部19が形成された積層体10Aよりレジストパターン70Aを除去し、直径が22cmで厚みが25μmの42アロイよりなる金属層の一面に直径が20.4cmで厚みが25μmのポリイミドシートが積層された積層ポリイミドシート(以下、「積層シートB」という。)を用意した。
ポリイミドシートとしては宇部興産社製の厚み25μmの熱可塑性のポリイミドフィルム(品名ユーピレックス−S)を使用した。
次いで、積層シートBにおけるポリイミドシートの表面に、厚みが約1μmの熱可塑性ポリイミドからなる接着層を形成し加熱乾燥の後、この接着層上に積層体10Aの第1裏面側金属層19A側が接するように配置するとともに、この状態で熱圧着処理することにより、積層体10Bを作製した。
積層体10Bは、表面電極部16が形成された積層体10Aの一面に厚みが25μmのポリイミドシートよりなる絶縁層18Bが積層され、絶縁層18Bの表面に42アロイよりなる第2裏面側金属層17Aを有するものである(図15(b)参照)。
次いで、積層体10Bに対し、厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層16Aの表面全面に保護フィルム40Aを形成するとともに、第2裏面側金属層17Aの表面全面に、試験用ウエハW1に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が60μmで円形の23580個のパターン孔28Hが形成されたレジスト膜28Aを形成した(図15(c)参照)。
ここで、レジスト膜28Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、第2裏面側金属層17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第2裏面側金属層17Aに、それぞれレジスト膜28Aのパターン孔28Hに連通する23580個のパターン孔17Hを形成した(図16(a)参照)。
その後、絶縁層18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、15分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層18Bに、それぞれ第2裏面側金属層17Aのパターン孔17H連通した23580個の貫通孔18Hを形成した(図16(b)参照)。
この貫通孔18Hの各々は、絶縁層18Bの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に表面電極部16が露出しており、裏面側の開口径が60μm表面側の開口径が40μmのものであった。
次いで、貫通孔18Hが形成された積層体10Bを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Bからレジスト膜28Aを除去した。
その後、積層体10Bに対し、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第2裏面側金属層17Aの表面全面を覆うよう、レジスト膜29Aを形成するとともに、レジスト膜29Aに、絶縁層18Bの貫通孔18Hに連通する寸法が150μm×60μmの矩形の23580個のパターン孔29Hを形成した(図16(c)参照)。
ここで、レジスト膜29Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
このようにして、積層体10Bの裏面に、それぞれ絶縁層18Bの貫通孔18H、第2裏面側金属層17Aのパターン孔17Hおよびレジスト膜29Aのパターン孔29Hが連通されてなる23580個の短絡部形成用凹所18Kを形成した。
次いで積層体10Bを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体10Bに対し、表面側金属層16Aを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所18K内に金属を充填することにより、表面電極部16に連結された、短絡部18および第2裏面側金属層17Aによって互いに連結された裏面電極部17を形成し、これを積層体10Cとした(図17(a)参照)。
次いで、積層体10Cを、45℃の水酸化ナトリウム溶液に2分間浸漬させることにより、積層体10Cからレジスト膜29Aを除去した。
その後、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、第2裏面側金属層17Aにおける支持体25となる部分および裏面電極部17を覆うよう、パターニングされてパターン孔29Kを有するエッチング用のレジスト膜29Bを形成した(図17(b)参照)。
ここで、レジスト膜29Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
次いで、積層体10Cから保護フィルム40Aを除去し、その後、表面側金属層16Aおよび第2裏面側金属層17Aに対し、アンモニア系エッチング液を用い、50℃、30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層16Aの全部を除去するとともに、第2裏面側金属層17Aにおけるパターン孔29Kにより露出した部分を除去した。
これにより、裏面電極部17の各々を互いに分離させるとともに、試験用ウエハW1に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部26を有する支持体25を形成した(図17(c)参照)。
次いで、積層体10Cを45℃の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬することにより、支持体25の裏面および裏面電極部17からレジスト膜29Bを除去した。
その後、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、支持体25の裏面、絶縁層18Bの裏面および裏面電極部17を覆うよう、レジスト膜17Eを形成し、このレジ
スト膜17Eを厚みが25μmのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム40Bによって覆った(図18(a)参照)。
その後、積層体10Cに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、保持部19が絶縁層内に完全に埋没している位置まで絶縁性シート11を除去した(図21(a)参照)。
さらに、積層対10Cの絶縁性シート11に対してエッチング処理を施すことにより、保持部19が絶縁層18Bの表面と略同一となるようにした(図21(b)参照)。
次いで、厚みが25μmのドライフィルムレジストによって、表面電極部16および第1裏面側金属層19Aにおける保持部19となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜14Bを形成した(図21(c)参照)。
ここで、レジスト膜14Bの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、1%水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に40秒間浸漬する操作を2回繰り返すことによって行った。
その後、絶縁層18Bに対し、アミン系ポリイミドエッチング液(東レエンジニアリング株式会社製、「TPE−3000」)を用い、80℃、8分間の条件で絶縁性シート11にエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート11と絶縁層18Bの界面までエッチングを進めて絶縁層18Bを露出させた(図22(a)参照)。
そして、レジスト膜17Eから保護フィルム40Bを除去した後、45℃の水酸化ナトリウム水溶液に2分間浸漬することにより、表面電極部16および保持部19からレジスト膜14Bを除去するとともに、支持体25の裏面、絶縁層18Bの裏面および裏面電極部17からレジスト膜17Eを除去した(図22(b)参照)。
その後、支持体25における周縁部分の表面に、外径が22cm、内径が20.5cmで厚みが2mmのリング状の窒化シリコンよりなる支持板2を配置した後、支持板2と支持体25とを加圧し、180℃で2時間保持することにより、支持板2を支持体25に接合することにより、シート状プローブ10を製造した。
このようなシート状プローブ10は、図23に示した図22(b)の拡大部Bの拡大図のように、保持部19の全厚が絶縁層18Bに埋設されている。
なお、保持部19の厚みは、第1裏面側金属層19Aの厚みに相当する厚みと、表面電極部16を形成する際にメッキにより形成された厚みの合計である。
以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のH−K350を使用した。
得られたシート状プローブ10は、絶縁層18Bの厚みdが25μm、電極構造体15の表面電極部16の形状が円錐台状で、その基端の径R1が60μm、その先端の径R2が30μm、その絶縁層18bからの突出高さhが25μm、短絡部18の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径R3が40μm、裏面側の他端の径R4が60μm、裏面電極部17の形状が矩形の平板状で、その横幅(径R5)が60μm、縦幅が150μm、厚みd2が50μm、保持部19の形状が矩形で、その横幅が70μm、縦幅が160μm、その厚みd1が6μm(銅層4μm+ニッケル層2μm)のものである。
保持部における図において上部側の銅層の表面と絶縁層18Bの表面が略同一面となっているものである。
このようにして、合計で4枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブG1」〜「シート状プローブG4」とする。
〈比較例1〉
シート状プローブの作製において、積層体Aを形成した後、表面電極部を形成しないで絶縁層18Bと第2の裏面側電極層を積層し、積層体Bとした。
この積層体Bに対して、特願2003−358106号に記載された方法に従い、第2裏面側金属層側17Aから順次に表面側金属層16A貫通孔を形成し、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所を作成し、金属を充填すること以外は、実施例1と同様にしてシート状プローブを作成した。
得られたシート状プローブは、絶縁膜の厚みdが37.5μm、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が25μm、その先端の径が5μm、その突出高さが25μm、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が25μm、保持部の直径が60μmで厚みが5μm、裏面側の他端の径が60μm、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が60μm、縦幅が150μm、厚みが30μmのものである。
このようにして、合計で5枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブN1」〜「シート状プローブN4」とする。
〈異方導電性コネクターの作製〉
(1)磁性芯粒子の調製:
市販のニッケル粒子(Westaim社製、「FC1000」)を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア TC−15N」によって、ニッケル粒子0.5kgを捕集した。
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が7.4μm、粒子径の変動係数が27%、BET比表面積が0.46×1032/kg、飽和磁化が0.6Wb/m2であった。
このニッケル粒子を「磁性芯粒子[A]」とする。
(2)導電性粒子の調製:
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子[A]100gを投入し、さらに、0.32Nの塩酸水溶液2Lを加えて攪拌し、磁性芯粒子[A]を含有するスラリーを得て、これより導電性粒子を調製した。
この導電性粒子を、90℃に設定された乾燥機によって乾燥処理し、導電性粒子を得た。
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が7.3μm、BET比表面積が0.38×1032/kg、(被覆層を形成する金の質量)/(磁性芯粒子[A]の質量)の値が0.3であった。
この導電性粒子を「導電性粒子(a)」とする。
(3)フレーム板の作製:
図32および図33に示した構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハW1における各被検査電極領域に対応して形成された393個の開口32を有する直径が8インチのフレーム板31を作製した。
このフレーム板31の材質はコバール(線熱膨張係数5×10-6/K)で、その厚みは、60μmである。
開口32の各々は、その横方向(図32および図33において左右方向)の寸法が6400μmで縦方向(図32および図33において上下方向)の寸法が320μmである。
縦方向に隣接する開口32の間の中央位置には、円形の空気流入孔33が形成されており、その直径は1000μmである。
(4)異方導電性シート用成形材料の調製:
付加型液状シリコーンゴム100重量部に、導電性粒子[a]30重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。
以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が250Pa・sであるA液およびB液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが5%、デュロメーターA硬度が32、引裂強度が25kN/mのものである。
ここで、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
(i)付加型液状シリコーンゴムの粘度は、B型粘度計により、23±2℃における値を測定した。
(ii)シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるA液とB液とを等量となる割合で攪拌混合した。
次いで、この混合物を金型に流し込み、混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、120℃、30分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが12.7mm、直径が29mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、200℃、4時間の条件でポストキュアを行った。
このようにして得られた円柱体を試験片として用い、JIS K 6249に準拠して150±2℃における圧縮永久歪みを測定した。
(iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
上記(ii)と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが2.5mmのシートを作製した。
このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、JIS K 6249に準拠して23±2℃における引裂強度を測定した。
(iv)デュロメーターA硬度は、上記(iii)と同様にして作製されたシートを5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、JIS K 6249に準拠して23±2℃における値を測定した。
(5)異方導電性コネクターの作製:
上記(1)で作製したフレーム板31および上記(4)で調製した成形材料を用い、特開2002−324600号公報に記載された方法に従って、フレーム板31に、それぞれ一の開口32を塞ぐよう配置され、フレーム板31の開口縁部に固定されて支持された、図26に示した構成の393個の異方導電性シート35を形成することにより、異方導電性コネクターを製造した。
ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に2Tの磁場を作用させながら、100℃、1時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート35について具体的に説明すると、異方導電性シート35の
各々は、横方向の寸法が7000μm、縦方向の寸法が1200μmであり、60個の導電部36が100μmのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部36の各々は、横方向の寸法が40μm、縦方向の寸法が200μm、厚みが150μm、突出部38の突出高さが25μm、絶縁部37の厚みが100μmである。
また、横方向において最も外側に位置する導電部36とフレーム板の開口縁との間には、非接続用の導電部が配置されている。
非接続用の導電部の各々は、横方向の寸法が60μm、縦方向の寸法が200μm、厚みが150μmである。
また、各異方導電性シート35における導電部36中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部36について体積分率で約25%であった。
このようにして、合計で16枚の異方導電性コネクターを製造した。
これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC1」〜「異方導電性コネクターC16」とする。
〈検査用回路基板の作製〉
基板材料としてアルミナセラミックス(線熱膨張係数4.8×10-6/K)を用い、試験用ウエハW1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極21が形成された検査用回路基板20を作製した。
この検査用回路基板20は、全体の寸法が30cm×30cmの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が60μmで縦方向の寸法が200μmである。
得られた検査用回路基板を「検査用回路基板T1」とする。
〈シート状プローブの評価〉
(1)試験1(隣接する電極構造体間の絶縁性):
シート状プローブE1、E2、F1、F2、G1、G2およびシート状プローブN1、N2の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
室温(25℃)下において、試験用ウエハW1を試験台に配置し、この試験用ウエハW2の表面上に、シート状プローブをその表面電極部の各々が試験用ウエハW1の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置した。
このシート状プローブ上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々がシート状プローブの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板T1をその検査電極の各々が異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置した。
そして、検査用回路基板T1を下方に190kgの荷重(電極構造体1個当たりに加わる荷重が平均で約8g)で加圧した。
ここで、異方導電性コネクターとしては下記表1に示したものを使用した。
そして、検査用回路基板T1における23580個の検査電極の各々に順次電圧を印加するとともに、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体間の電気抵抗(以下、「絶縁抵抗」という。)として測定し、全測定点における絶縁抵抗が10MΩ以下である測定点の割合(以下、「絶縁不良割合」という。)を求めた。
ここで、絶縁抵抗が10MΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を表1に示した。
Figure 2007121089
(2)試験2(電極構造体の接続安定性):
シート状プローブE3、E4、F3、F4、G3、G4およびシート状プローブN3、N4の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体の接続安定性の評価を行った。
室温(25℃)下において、試験用ウエハW2を、電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウエハW2の表面上に、シート状プローブをその表面電極部の各々が試験用ウエハW2の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置した。
このシート状プローブ上に、異方導電性コネクターをその導電部の各々がシート状プローブの裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板T1をその検査電極の各々が異方導電性コネクターの導電部上に位置するよう位置合わせして配置した。
そして、検査用回路基板T1を下方に190kgの荷重(電極構造体1個当たりに加わる荷重が平均で約8g)で加圧した。
ここで、異方導電性コネクターとしては下記表2に示したものを使用した。
そして、検査用回路基板T1における23580個の検査電極について、シート状プローブ、異方導電性コネクターおよび試験用ウエハW2を介して互いに電気的に接続された2個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の2分の1の値を、検査用回路基板T1の検査電極と試験用ウエハW2の被検査電極との間の電気抵抗(以下、「導通抵抗」という。)として記録し、全測定点における導通抵抗が1Ω以上である測定点の割合(以下、「接続不良割合」という。)を求めた。
この操作を「操作(1)」とする。
次いで、検査用回路基板T1に対する加圧を解除し、その後、試験台を125℃に昇温して温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板T1を下方に190kgの荷重(電極構造体1個当たりに加わる荷重が平均で約8g)で加圧し、上記操作(1)と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作(2)」とする。
次いで、試験台を室温(25℃)まで冷却し、検査用回路基板T1に対する加圧を解除した。この操作を「操作(3)」とする。
そして、上記の操作(1)、操作(2)および操作(3)を1サイクルとして合計で200サイクルを連続して行った。
ここで、導通抵抗が1Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を表2に示した。
Figure 2007121089
また、試験2が終了した後、シート状プローブE3、E4、F3、F4、G3、G4、
N3、N4の各々の電極構造体および保持部の状態を、実体顕微鏡を用いて目視にて観察した。
シート状プローブE3、E4、F3、F4、G3、G4については、いずれの電極構造体も絶縁層から脱落しておらず、高い耐久性を有することが確認された。
保持部については、実施例2に係るシート状プローブF3、F4については、いずれの電極構造体の保持部も変形を生じておらず、保持部の密着性が極めて良好であった。
シート状プローブE3、E4、G3、G4の保持部については、実施例1に係るシート状プローブE3、E4については約50個の電極構造体の保持部が変形して絶縁膜より剥離し、まくれ上がっており、実施例3に係るシート状プローブG3、G4については約10個の保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。
これに対し、シート状プローブN3については、23850個の電極構造体のうち、134個の電極構造体が絶縁膜から脱落しており、またシート状プローブN4については、23850個の電極構造体のうち、78個の電極構造体が絶縁膜から脱落していた。
保持部については、全体の5%以上(1000個以上)の電極構造体において、保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。
図1は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図1(a)は平面図、図1(b)はX−X線による断面図である。 図2は、図1のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である。 図3は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。 図4は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。 図5は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した断面図である。 図6は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図7は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図8は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図9は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図10は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図11は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図12は、本発明の第1の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図13は、本発明の第1の実施例のおけるシート状プローブの部分拡大図である。 図14は、本発明の第2の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図15は、本発明の第2の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図16は、本発明の第2の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図17は、本発明の第2の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図18は、本発明の第2の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図19は、本発明の第2の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図20は、本発明の第2の実施例のおけるシート状プローブの部分拡大図である。 図21は、本発明の第3の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図22は、本発明の第3の実施例におけるシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図23は、本発明の第3の実施例のおけるシート状プローブの部分拡大図である。 図24は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施形態を示した断面図である。 図25は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの他の実施形態を示した断面図である。 図26は、図25のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。 図27は、図24および図25に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。 図28は、図24および図25に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。 図29は、実施例で作製した試験用ウエハを示す平面図である。 図30は、図29に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。 図31は、図30に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。 図32は、実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。 図33は、図32に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。 図34は、従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。 図35は、従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。 図36は、図35に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。 図37は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。 図38は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
符号の説明
1・・・プローブカード
2・・・支持板
3・・・加圧板
4・・・ウエハ載置台
5・・・加熱器
6・・・ウエハ
7・・・被検査電極
9・・・接点膜
10・・・シート状プローブ
10K・・表面電極部形成用凹所
10A・・積層体
10B・・積層体
10C・・積層体
11H・・貫通孔
11A・・支持膜形成用層
11・・・絶縁性シート
12A・・レジスト膜
12H・・パターン孔
13A・・レジスト膜
13H・・パターン孔
13H・・貫通孔
13・・・絶縁膜
14A・・レジスト膜
14B・・レジスト膜
15・・・電極構造体
16A・・表面側金属層
16・・・表面電極部
17H・・パターン孔
17E・・レジスト膜
17A・・裏面側金属層
17・・・第2裏面電極部
18H・・貫通孔
18B・・絶縁層
18・・・短絡部
18K・・短絡部形成用凹所
19B・・保持部形成用金属層
19H・・パターン孔
19・・・保持部
19A・・第1裏面側金属層
20・・・検査用回路基板
21・・・検査電極
22・・・支持部
25・・・支持体
26・・・開口部
28A・・レジスト膜
28H・・パターン孔
29B・・エッチング用レジスト膜
29K・・パターン孔
29A・・レジスト膜
29B・・レジスト膜
29H・・パターン孔
30・・・異方導電性コネクター
31・・・フレーム板
32・・・開口
33・・・空気流入孔
35・・・異方導電性シート
36・・・導電部
37・・・絶縁部
38・・・突出部
40A・・保護フィルム
40B・・保護フィルム
50・・・ガイドピン
70A・・レジストパターン
80・・・異方導電性シート
85・・・検査用回路基板
86・・・検査電極
90・・・シート状プローブ
90A・・積層体
90B・・積層体
90C・・積層体
90K・・電極構造体形成用凹所
91・・・絶縁性シート
91A・・絶縁性シート材
92H・・開口部
92・・・金属層
92N・・絶縁部
92T・・先端径
92A・・表面側金属層
92B・・裏面側金属層
93・・・レジスト膜
93A・・レジスト膜
94A・・レジスト膜
94B・・レジスト膜
95・・・電極構造体
96・・・表面電極部
97・・・裏面電極部
98H・・貫通孔
98・・・短絡部
P・・・導電性粒子
A・・・被検査電極領域
B・・・拡大部
L・・・集積回路
R1・・径
R2・・径
R3・・径
R4・・径
R5・・径
R6・・径
d・・・厚み
d1・・厚み
d2・・厚み
h・・・突出高さ
W・・・距離
110・・・シート状プローブ
111・・・シート状プローブ

Claims (18)

  1. 絶縁層と、
    前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
    前記電極構造体の各々は、
    前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
    前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
    前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
    前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半埋没状態となるように形成されている保持部と、
    よりなることを特徴とするシート状プローブ。
  2. 絶縁層と、
    前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
    前記電極構造体の各々は、
    前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
    前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
    前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
    前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層内に完全に埋没状態となるように形成されている保持部と、
    よりなることを特徴とするシート状プローブ。
  3. 絶縁層と、
    前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置されるとともに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
    前記電極構造体の各々は、
    前記絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
    前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
    前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
    前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層の表面と略同一となるように形成されている保持部と、
    よりなることを特徴とするシート状プローブ。
  4. 前記シート状プローブが、
    前記絶縁層を支持する支持体を有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のシート状プローブ。
  5. 絶縁性シートと、
    前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
    前記絶縁性シートの裏面に形成された第1裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
    前記積層体における前記第1裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
    前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部
    形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
    前記表面電極部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第2裏面側金属層を形成する工程と、
    前記積層体における前記第2裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
    前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
    前記短絡部を形成した後に、前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
    前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第1裏面側金属層を露出させる工程と、
    その後、前記第1裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びるとともに、前記絶縁層中に半分埋没状態となるように保持部を形成する工程と、
    前記絶縁性シートの一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
    前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
    を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
  6. 絶縁性シートと、
    前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
    前記絶縁性シートの裏面に形成された第1裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
    前記積層体における前記第1裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
    前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
    前記第1裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
    前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第2裏面側金属層を形成する工程と、
    前記積層体における前記第2裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
    前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
    前記短絡部を形成した後に、前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
    前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートの一部を除去することにより、前記絶縁層中に前記保持部が埋没状態となるようにする工程と、
    前記絶縁性シートと前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
    前記絶縁性シートの上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
    を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
  7. 絶縁性シートと、
    前記絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
    前記絶縁性シートの裏面に形成された第1裏面側金属層とを有する積層体を準備する工程と、
    前記積層体における前記第1裏面側金属層と、前記絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、前記積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成する工程と、
    前記積層体に対し前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより、前記絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成する工程と、
    前記第1裏面側金属層にレジスト膜を形成し、エッチング処理を施すことにより保持部を形成する工程と、
    前記保持部を形成した後に、前記積層体の裏面側に絶縁層を形成するとともに、前記絶縁層の裏面に第2裏面側金属層を形成する工程と、
    前記積層体における前記第2裏面側金属層および前記絶縁層の各々に互いに連通し、底面に前記表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成する工程と、
    前記積層体に対し、前記表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して、前記短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成する工程と、
    前記短絡部を形成した後に、前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成する工程と、
    前記表面側金属層を除去し、さらに前記絶縁性シートを除去することにより、前記保持部が前記絶縁層の表面と略同一となるようにする工程と、
    前記絶縁層の一部を除去することにより、支持体の一部を露出させる工程と、
    前記絶縁層の上面に形成された前記レジスト膜と、前記絶縁層の下面に形成されたレジスト膜を除去する工程と、
    を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
  8. 前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔が、
    前記絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
  9. 前記第2裏面側金属層にエッチング処理を施し、裏面電極部および支持体部に分割除去する工程と、
    を有することを特徴とする請求項5から8のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
  10. 前記積層体における前記絶縁性シートはエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
    前記表面電極部形成用凹所における前記絶縁性シートの前記貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
  11. 前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔が、
    前記絶縁層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。
  12. 前記積層体における前記絶縁層がエッチング可能な高分子材料よりなるものが用いられるとともに、
    前記短絡部形成用凹所における前記絶縁層の前記貫通孔がエッチングにより形成される
    ことを特徴とする請求項11に記載のシート状プローブの製造方法。
  13. 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
    前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
    前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
    前記異方導電性コネクター上に配置された請求項1から4のいずれかに記載のシート状プローブと、
    を備えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。
  14. 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
    前記異方導電性コネクターは、
    検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路、または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
    前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
    を有してなることを特徴とする請求項13に記載の回路検査用プローブ。
  15. 請求項13または14に記載された回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
  16. 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うための回路検査用プローブであって、
    前記検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
    前記検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
    前記異方導電性コネクター上に配置された請求項5から12のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法にて製造されたシート状プローブと、
    を備えてなることを特徴とする回路検査用プローブ。
  17. 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
    前記異方導電性コネクターは、
    検査対象である前記ウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
    前記フレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
    を有してなることを特徴とする請求項16に記載の回路検査用プローブ。
  18. 請求項16または17に記載された回路検査用プローブを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
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