JP2005338070A - シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用 - Google Patents

Abstract

【課題】微小で微細ピッチな電極を有する回路装置で安定な接続状態が達成され、電極構造体が絶縁膜から脱落せず高い耐久性が得られ、大面積のウエハや検査電極のピッチが小さい回路装置に対し、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが防止され、良好な接続状態が維持されるシート状プローブおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のシート状プローブは、厚み方向に伸びる複数の電極構造体を有する絶縁層とこれを支持する金属フレーム板とを備え、電極構造体は、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、表面電極部の基端から連続して絶縁層の厚み方向に伸び、裏面電極部に連結された短絡部と、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外側に伸びる保持部とよりなり、本発明の製造方法は表面電極部と短絡部は個別に金属を充填する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、回路に対する電気的接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状プローブおよびその製造方法並びにその応用に関する。

例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子等の電子部品などの回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。

かかる検査用プローブとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。
然るに、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合において、ウエハを検査するための検査用プローブを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、検査用プローブは極めて高価なものとなり、また、被検査電極のピッチが小さい場合には、検査用プローブを作製すること自体が困難となる。

更に、ウエハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）毎に異なるため、ウエハにおける多数の被検査電極に対して、検査用プローブの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。

以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するための検査用プローブとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブとを備えてなるものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
図４９は、検査用回路基板８５、異方導電性シート８０およびシート状プローブ９０を備えてなる従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。

このプローブカードにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された多数の検査電極８６を有する検査用回路基板８５が設けられ、この検査用回路基板８５の一面上に、異方導電性シート８０を介してシート状プローブ９０が配置されている。

異方導電性シート８０は、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、かかる異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献２等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示されている。

また、特許文献３等には、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示され、更に、特許文献４等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。

シート状プローブ９０は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁性シート９１を有し、この絶縁性シート９１に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体９５が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。

この電極構造体９５の各々は、絶縁性シート９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁性シート９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁性シート９１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部９８を介して一体に連結されて構成されている。

このようなシート状プローブ９０は、一般に、以下のようにして製造される。
先ず、図５０（ａ）に示すように、絶縁性シート９１の一面に金属層９２が形成されてなる積層体９０Ａを用意し、図５０（ｂ）に示すように、絶縁性シート９１にその厚み方向に貫通する貫通孔９８Ｈを形成する。

次いで、図５０（ｃ）に示すように、絶縁性シート９１の金属層９２上にレジスト膜９３を形成したうえで、金属層９２を共通電極として電解メッキ処理を施すことにより、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの内部に金属の堆積体が充填されて金属層９２に一体に連結された短絡部９８が形成されると共に、絶縁性シート９１の表面に、短絡部９８に一体に連結された突起状の表面電極部９６が形成される。

その後、金属層９２からレジスト膜９３を除去し、更に、図５０（ｄ）に示すように、表面電極部９６を含む絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９４Ａを形成すると共に、金属層９２上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜９４Ｂを形成し、金属層９２に対してエッチング処理を施すことにより、図５０（ｅ）に示すように、金属層９２における露出する部分が除去されて裏面電極部９７が形成され、以て電極構造体９５が形成される。

そして、絶縁性シート９１および表面電極部９６上に形成されたレジスト膜９４Ａを除去すると共に、裏面電極部９７上に形成されたレジスト膜９３を除去することにより、シート状プローブ９０が得られる。

上記の検査用プローブにおいては、被検査回路装置に、例えばウエハの表面に、シート状プローブ９０における電極構造体９５の表面電極部９６がウエハの被検査電極上に位置するよう配置される。

そして、この状態で、ウエハが検査用プローブによって押圧されることにより、異方導電性シート８０が、シート状プローブ９０における電極構造体９５の裏面電極部９７によって押圧される。

これにより、異方導電性シート８０には、裏面電極部９７と検査用回路基板８５の検査電極８６との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハの被検査電極と検査用回路基板８５の検査電極８６との電気的接続が達成される。

そして、この状態で、ウエハについて所要の電気的検査が実行される。
そして、このような検査用プローブによれば、ウエハが検査用プローブによって押圧されたときに、ウエハの反りの大きさに応じて異方導電性シート８０が変形するため、ウエハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。

しかしながら、上記の検査用プローブにおいては、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブ９０の製造方法における短絡部９８および表面電極部９６を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長するため、図５１に示すように、得られる表面電極部９６においては、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗは、表面電極部９６の突出高さｈと同等の大きさとなる。

従って、得られる表面電極部９６の径Ｒは、突出高さｈの２倍を超えて相当に大きいものとなる。
そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さいピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体９５間の離間距離を十分に確保することができず、その結果、得られるシート状プローブ９０においては、絶縁性シート９１による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。

また、電解メッキ処理において、金属層９２の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈ毎にメッキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部９６の突出高さｈや、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗすなわち径Ｒに大きなバラツキが生じる。

そして、表面電極部９６の突出高さｈに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部９６の径に大きなバラツキがある場合には、隣接する表面電極部９６同士が短絡する恐れがある。

以上において、表面電極部９６の突出高さｈを小さくする手段があり、この得られる表面電極部９６の径を小さくする手段としては、短絡部９８の径（断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示す。）ｒを小さくする、すなわち絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの径を小さくする手段が考えられるが、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となる。

一方、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部９８および表面電極部９６を形成すること自体が困難となる。
このような問題を解決するため、特許文献５および特許文献６において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。

特許文献５に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図５２（ａ）に示すように、絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９３Ａおよび表面側金属層９２Ａがこの順で形成され、絶縁性シート９１の裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｂを用意する。

そして、図５２（ｂ）に示すように、この積層体９０Ｂにおける裏面側金属層９２Ｂ、絶縁性シート９１およびレジスト膜９３Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成する。

これによって、積層体９０Ｂの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
次いで、図５２（ｃ）に示すように、この積層体９０Ｂにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。

そして、この積層体における裏面側金属層９２Ｂにエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図５２（ｄ）に示すように、裏面電極部９７を形成し、以てシート状プローブ９０が得られる。

また、特許文献６に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図５３（ａ）に示すように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁性シートより大きい厚みを有する絶縁性シート材９１Ａの表面に表面側金属層９２Ａが形成され、絶縁性シート材９１Ａの裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｃを用意する。

そして、図５３（ｂ）に示すように、この積層体９０Ｃにおける裏面側金属層９２Ｂおよび絶縁性シート材９１Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。

次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図５３（ｃ）に示すように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。

その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去すると共に、絶縁性シート材９１Ａをエッチング処理して絶縁性シートの表面側部分を除去することにより、図５３（ｄ）に示すように、所要の厚みの絶縁性シート材９１を形成すると共に、表面電極部９６を露出させる。

そして、裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理することにより、裏面電極部９７を形成し、図５３（ｅ）に示したようにシート状プローブ９０が得られる。
このようなシート状プローブ９０によれば、表面電極部９６がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部９６を、隣接する電極構造体の表面電極部９６との離間距離が十分に確保された状態で形成することができると共に、電極構造体９５の各々の表面電極部９６は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所９０Ｋをキャビティとして成形されるため、表面電極部９６の突出高さのバラツキが小さい電極構造体９５が得られる。

このプローブカードのシート状プローブは、図５４に示したように、ポリイミドなどの樹脂からなる柔軟な円形の絶縁シート材９１を有し、この絶縁シート材９１には、その厚み方向に延びる複数の電極構造体９５が、被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置されている。

また、絶縁シート材９１の周縁部には、絶縁シート材９１の熱膨張を制御する等の目的で、例えば、セラミックスからなるリング状の支持部材９９が設けられている。
各電極構造体９５は、絶縁シート材９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁シート材９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁シート材９１をその厚み方向に貫通して延びる短絡部９８を介して、一体に連結された構造になっている。また、絶縁シート材９１の周縁部には、セラミックス等からなるリング状の支持部材９９が設けられている。この支持部材９９は、絶縁シート材９１の面方向の熱膨張を制御し、バーンイン試験において温度変化による電極構造体９５と被検査電極との位置ずれを防止するためのものである。
特開平７−２３１０１９号公報 特開昭５１−９３３９３号公報 特開昭５３−１４７７７２号公報 特開昭６１−２５０９０６号公報 特開平１１−３２６３７８号公報 特開２００２−１９６０１８号公報 特許第２８２８４１０号公報 特開２００２−７６０７４号公報 特願２００４−１３１７６４号 特開２００４−１７２５８９号公報

しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものであるため、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落してしまい、シート状プローブを実際上使用することは困難である。

この問題点を解決するために、例えば、特許文献１０に示される電極構造体における表面電極部側に保持部を有し、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落することを防止したシート状プローブが提案されている。

特許文献１０に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図５６（ａ）に示すように、表面側金属層１２２、絶縁性シート１２４、第１の裏面側金属層１２６、絶縁層１２８、第２の裏面側金属層１３０からなる５層の積層材料１３２を用意する。

図５６（ｂ）に示すように、この積層体１３２における第２の裏面側金属層１３０に開口部１３４を設け、この開口部１３４より絶縁層１２８にエッチングを行い絶縁層１２８に貫通孔１３６を設ける。

次に絶縁層１２８の貫通孔の底部に露出した第１の裏面側金属層１２６にエッチングを行って絶縁性シート１２４をその貫通孔１３６の底部に露出させる。
そして第１の裏面側金属層１２６の貫通孔１３６を通じて絶縁性シート１２４にエッチングを行い貫通孔１３６の底部に表面側金属層１２２を露出させる。

このように金属層と樹脂層（絶縁層１２８、絶縁性シート１２４）を交互にエッチングを行うとによって、第２の裏面側金属層１３０、絶縁層１２８、第１の裏面側金属層１２６、絶縁性シート１２４の各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔１３８を形成し、積層体１３２の裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。

次いで、この積層体１３２における表面側金属層１２２を電極としてメッキ処理することにより、図５６（ｃ）に示すように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。

その後、この積層体１３２における表面側金属層１２２を除去すると共に、絶縁性シート１２４をエッチング処理して絶縁性シート１２４を除去して第１の裏面側金属層１２６を露出させる（図５６（ｄ））。
そして、第１の裏面側金属層１２６をエッチング処理して保持部を形成するとともに、第１の裏面側金属層１２６をエッチング処理してその一部を除去することにより、裏面電極部９７および支持部を形成し、図５６（ｅ）に示したようにシート状プローブ９０が得られる。

更に上記のようなシート状プローブにおいては、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成するので、電極構造体形成用凹所の先端径９２Ｔは積層体９０Ｃの裏面に形成した開口部９２Ｈの径より小さなものとなる。

従って、絶縁性シートの厚みが増せば同一の先端径９２Ｔを得るためには裏面側に形成する開口部９２Ｈの径も大きなものとする必要があった。
そのため、微細ピッチで高密度な電極構造体を有するシート状プローブを製造する場合、図５３（ｅ）に示したように、絶縁性シートの厚みが大きくなると積層体９０Ｃの裏面側の隣接する開口部９２Ｈ間に絶縁部９２Ｎを確保する必要性から開口部９２Ｈの径を大きくできないので、そのため絶縁性シートの厚みが大きくなると、電極構造体形成用凹所９０Ｋの先端径９２Ｔが小さくなり、表面側金属層９２Ａに接しない電極構造体形成用凹所９０Ｋが形成されてしまう場合があった。

このように電極構造体形成用凹所９０Ｋが表面側金属層９２Ａに十分に接しない場合、メッキにより金属を充填することができず電極構造体数が不足し使用が困難なシート状プローブが生産されてしまうことがあった。

また、電極構造体の先端部の径が小さくなると、繰り返し使用において先端部が摩耗、欠損して電極構造体の高さバラツキが大きくなる傾向があり、電極構造体強度の面から先端部の先端径や基端の径が小さくし過ぎないことも必要である。

さらに、その電極構造体の材質により先端部の径を調整することも必要である。
しかしながら、上記のシート状プローブの製造方法においては、先端部の径の調整が裏面側の開口部径により調整することになるが、積層体の厚みにより裏面側の開口部径の調節が制限され、とくに微小、微細ピッチで高密度のシート状プローブの製造において所望する先端部径の電極構造体を構成することが困難になる場合があった。

そして、このようなシート状プローブでは、以下のような問題がある。
例えば、直径が８インチ以上のウエハでは、５０００個または１００００個以上の被検査電極が形成されており、これらの被検査電極のピッチは１６０μｍ以下である。このようなウエハの検査を行うためのシート状プローブとしては、ウエハに対応した大面積を有し、５０００個または１００００個以上の電極構造体が、１６０μｍ以下のピッチで配置されたものが必要となる。

しかし、ウエハを構成する材料、例えば、シリコンの線熱膨張係数は、３．３×１０^-6／Ｋ程度であり、一方、シート状プローブの絶縁シートを構成する材料、例えば、ポリイミドの線熱膨張係数は４．５×１０^-5／Ｋ程度である。

従って、例えば、２５℃において、それぞれ直径が３０ｃｍのウエハ、シート状プローブの各々を、２０℃から１２０℃まで加熱した場合には、理論上、ウエハの直径の変化は、９９μｍにすぎないが、シート状プローブの絶縁シートの直径の変化は、１３５０μｍに達し、両者の熱膨張の差は１２５１μｍとなる。

このように、ウエハとシート状プローブの絶縁シートとの間で、面方向の熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、絶縁シートの周縁部を、ウエハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有する支持部材によって固定しても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。

また、検査対象が小型の回路装置であっても、その被検査電極のピッチが、１６０μｍ以下である場合には、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することが困難となる。

このような問題点に対して、特許文献７（特許第２８２８４１０号公報）には、絶縁シートに張力を作用させた状態で、リング状の支持部材に固定することにより、当該絶縁シートの熱膨張を緩和する方法が提案されている。

しかし、この方法では、絶縁シートに対して、その面方向の全ての方向について、均一に張力を作用させることは極めて困難であり、また、電極構造体を形成することによって、絶縁シートに作用する張力のバランスが変化し、その結果、絶縁シートは、熱膨張について異方性を有するようになる。このため、面方向の一方向の熱膨張を抑制することが可能であっても、この一方向と交差する他の方向の熱膨張を抑制することができず、結局、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを防止することができない。

また、絶縁シートをこれに張力を作用させた状態で支持部材に固定するためには、加熱下において絶縁シートを支持部材に接着する、という煩雑な工程が必要となるため、製造コストの増大を招く、という問題がある。

このため、特許文献８（特開２００２−７６０７４号公報）においては、絶縁性フィルムと導電層とを積層した構造の積層フィルムを、所定の温度でセラミックリング上に張力を持たせて張り付け、この積層フィルムにバンプホールを形成して、電気メッキを行って、バンプホール内にメッキを成長させ表面電極部を形成するとともに、導電層を選択的にエッチングして、裏面電極部を形成して電極構造体を形成している。そして、絶絶縁性フィルムを選択的にエッチングして、電極構造体の部分を避けて、リング状に残しパターンを形成している。

これにより、セラミックリングの元に戻ろうとする復元力に比べ、絶縁性フィルムの張力が非常に弱いことが、電極構造体を形成することによって、絶縁シートに作用する張力のバランスが変化し、その結果、絶縁シートは、熱膨張について異方性を有する原因であるので、絶縁性フィルム上に残しパターンを形成しておき、この残しパターンによって、セラミックリングの復元力に対抗させている。

また、本出願人は、特許文献９（特願２００４−１３１７６４号）において、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカードおよびその製造方法を既に提案した。

すなわち、この特許文献９では、図５５（ａ）に示したように、フレーム板形成用金属板１０２と、このフレーム板形成用金属板１０２上に一体的に積層された絶縁膜形成用樹脂シート１０４とを有する積層体１０６を用意し、この積層体の絶縁膜形成用樹脂シート１０４に、貫通孔１０８を形成し、積層体１０６に対してメッキ処理を施すことにより、絶縁膜形成用樹脂シート１０４の貫通孔１０８内に、フレーム板形成用金属板１０２に連結された短絡部１１０と、短絡部１１０に連結された表面電極部１１２を形成している（図５５（ｂ）参照）。

そして、フレーム板形成用金属板１０２をエッチング処理することにより、貫通孔１１４が形成された金属フレーム板１１６を形成するとともに、フレーム板形成用金属板１０２の一部によって、短絡部１１０に連結された裏面電極部１１８を形成している。

これにより、図５５（ｃ）に示したように、表面に露出する表面電極部１１２と、裏面に露出する裏面電極部１１８を有する電極構造体１２０が、柔軟な樹脂よりなる絶縁膜１２２に保持されてなる接点膜１２４と、この接点膜１２４を支持する金属フレーム板１１６とから構成されるシート状プローブ１００が得られるものである。

このような特許文献９のシート状プローブ１００では、絶縁膜１２２の面方向の熱膨張が金属フレーム板１１６によって確実に規制されるので、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態が安定に維持されるものである。

しかしながら、特許文献８および特許文献９のいずれの場合であっても、金属フレーム板１１６と裏面電極部１１８とが、同一の金属部材であるフレーム板形成用金属板１０２から、エッチング処理によって選択的にエッチングすることによって構成されている。

この場合、エッチング処理においては、例えば、ポリイミドフィルムなどからなる絶縁膜形成用樹脂シート１０４が、エッチングされないか、または、エッチングの程度の小さいエッチング液、例えば、塩化第二鉄系エッチング液などを使用する必要がある。

このため、金属フレーム板１１６と裏面電極部１１８とを構成する金属部材であるフレーム板形成用金属板１０２を、このようなエッチング液にて容易にエッチングすることができる金属種、例えば、銅、鉄、ステンレス、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼から選択する必要があるとともに、エッチング性を考慮すれば、厚みなどに制約があり、例えば、曲げに対する弾性、機械的強度、入手性などからも問題がある。

さらに、裏面電極部１１８として、電気的特性に優れた金属である、例えば、銅、ニッケルなどは、線膨張係数が大きく、、このような金属を、フレーム板形成用金属板１０２の構成金属として用いることができない
しかしながら、特許文献８および特許文献９のいずれの場合であっても、絶縁膜１２２と、金属フレーム板１１６と、リング状の支持部材（図示せず）との間の熱膨張率について何ら考慮されていないものである。

従って、これらの絶縁膜１２２と、金属フレーム板１１６と、リング状の支持部材の形成材料が、例えば、
（１） 絶縁膜１２２が、ポリイミド系樹脂、液晶ポリマーなどの柔軟性を有する樹脂から構成され、
（２） 金属フレーム板１１６が、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼から構成され、
（３）リング状の支持部材が、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料から構成され、
ている場合には、これらの異なる材料の間の熱膨張率を、適切な範囲に選択しない場合には、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することが困難となり、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、
本発明の目的は、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、１６０μｍ以下、特に、１２０μｍ以下の小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層
から脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することにある。

本発明の目的は、絶縁層の厚みが大きく、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を備えた、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、高い耐久性を有するシート状プローブを提供することにある。

本発明の目的は、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができ、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することのなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを製造することができる方法を提供することにある。

また、本発明は、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが１００μｍ以下の極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブおよびその製造方法を提供することを目的としている。

また、本発明は、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなく、例えば、線膨張係数、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成でき、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなく、好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができるシート状プローブおよびその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の目的は、厚みの大きい絶縁層よりなるシート状プローブにおいて表面電極部の先端径や基端径を所望の径に調整できるシート状プローブの製造方法を提供することにある。

本発明の目的は、上記のシート状プローブを備えたプローブカードを提供することにある。
本発明の目的は、上記のプローブカードを備えた回路装置の検査装置を提供することにある。

本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、当該絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を有するシート状プローブであって、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、当該絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなり、
前記シート状プローブが、前記絶縁層を支持する金属フレーム板を有し、
前記金属フレーム板が、貫通穴が形成された金属フレーム板と、
前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部に支持された接点膜とを備え、
前記接点膜には、前記複数の電極構造体が、柔軟な樹脂からなる絶縁層に貫通支持されており、
前記金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されていることを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板に、複数の貫通穴が形成され、これらの各貫通穴に、前記接点膜が支持されていることを特徴とする。
本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の周縁部に、前記絶縁膜とは離間して接着固定されたリング状の支持板とを備えることを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の周縁部を支持するリング状の支持部材と、
前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部に支持された接点膜とを備え、
前記接点膜には、前記複数の電極構造体が、柔軟な樹脂からなる絶縁層に貫通支持された回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブであって、
前記絶縁膜の熱線膨張係数をＨ１とし、
前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２とし、
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０^-5〜８×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足することを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２と、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝−１×１０^-5〜１×１０^-5／Ｋ
を満足することを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋを満足することを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０^-7〜２×１０^-5／Ｋ
を満足することを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記電極構造体のピッチが、４０〜１６０μｍであり、電極構造体の総数が、５０００個以上であることを特徴とする。
本発明のシート状プローブは、前記リング状の支持部材が、検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁膜に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする。

本発明のシート状プローブは、前記シート状プローブが、ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、
少なくとも絶縁性シートと、
この絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
前記絶縁性シートの裏面に形成された第１の裏面側金属層とを有する積層体を用意し、
この積層体における第１の裏面側金属層と絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、当該積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成し、
この積層体に対し、
その表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成した後に該積層体の裏面側に絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された第２の裏面側金属層を形成し、
この積層体における第２の裏面側金属層および絶縁層の各々に互いに連通し、底面に表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成し、
この積層体に対し、
その表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、表面電極部の基端から連続して絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成した後、
第２の裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成し、
前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第１の裏面側金属層を露出させ、
その後、当該第１の裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を形成する工程を有することを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、第２の裏面側金属層にエッチング処理を施し、
裏面電極部および金属フレーム板部に分割除去することを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、
表面電極部形成用凹所における絶縁性シートの貫通孔が、
当該絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、
積層体としてその絶縁性シートがエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、
表面電極部形成用凹所における絶縁性シートの貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、
短絡部形成用凹所における絶縁層の貫通孔が、当該絶縁層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、
積層体としてその絶縁層がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、
短絡部形成用凹所における絶縁層の貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする。

本発明のシート状プローブの製造方法は、
前記シート状プローブの製造方法が、
前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成した後に、
貫通穴が形成された金属フレーム板を重ね合わせ、
前記金属フレーム板の上から絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された第２の裏面側金属層を形成することを特徴とする。

本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置された上記のシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする。

本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
異方導電性コネクターは、
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。

本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置された上記の方法にて製造されたシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とする。

本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
異方導電性コネクターは、
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートとを有してなることを特徴とする。

本発明の回路装置の検査装置は、
上記のプローブカードを備えてなることを特徴とする。
本発明のウエハの検査方法は、
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、
上記のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、
前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とする。

本発明のシート状プローブによれば、電極構造体には、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部が形成されているため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。

また、小さい径の表面電極部を形成することが可能であることにより、隣接する表面電極部の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁層による柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。

本発明に係るシート状プローブによれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができ、従って、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

本発明のシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通穴に接点膜を支持しているので、貫通穴に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通穴を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通穴に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。

このような面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。従って、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

また、金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されているので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなく、例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成できる。

さらに、裏面電極部を、金属フレーム板と異なる金属部材から構成されているので、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなく、好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができる。

また、絶縁膜の熱線膨張係数Ｈ１と、金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、これらの部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。

本発明に係るシート状プローブの製造方法によれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って、良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。

本発明のシート状プローブの製造方法によれば、絶縁性シートを有する積層体に予め表面電極部形成用凹所を形成し、表面電極部形成用凹所をキャビティとして表面電極部を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部が得られる。

そして表面電極部を形成した後に絶縁層を設け、該絶縁層に短絡部形成用凹所を形成し、短絡部形成用凹所をキャビティとして短絡部を形成するため、短絡部の先端の径を先端
部の基端の径より小さくして電極構造体を構成することができる。

従って、先端部と短絡部を形成するための凹所を１回で絶縁層に形成する方法に比べて、厚みの厚い絶縁層の場合でも裏面側電極部を小さく形成できる。
その結果、微細ピッチで高密度の電極構造体を有するシート状プローブを容易に製造することができる。

そして、絶縁層への先端部形成用凹所の形成と短絡部形成用凹所の形成を別途に行うので、先端部形成用凹所の形状と短絡部形成用凹所の形状が任意に設定できる。
これにより、短絡部の径を大きくしないで、短絡部の基端の径を大きくすることも可能であり、表面電極部の基端の径が大きく先端の径が小さく、かつ裏面電極部の径が小さな電極構造体を有する絶縁シートの厚みの大きいシート状プローブを製造することができる。

また、絶縁層の表面に形成された第１の裏面側金属層をエッチング処理することにより、表面電極部の基端部分から連続して絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部を確実に形成することができる。

また、本発明に係るシート状プローブの製造方法によれば、予め貫通穴を形成した金属フレーム板を用いて、この金属フレーム板に対して、絶縁膜を被覆した後に、絶縁膜に電極構造体を貫通形成しているので、金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されていることになるので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなく、例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成できる。

さらに、裏面電極部を、金属フレーム板と異なる金属部材から構成されているので、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなく、好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができる。

このため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性を有する。
さらに、金属フレーム板により絶縁層が支持されているため、検査対象が直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが１００μｍ以下の極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、従って良好な電気的接続状態が安定に維持されるシート状プローブを製造することができる。

本発明のプローブカードによれば、上記のシート状プローブを具えてなるため、１２０μｍ以下の小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブにおける電極構造体が脱落することがなく、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが１００μｍ以下の極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるので、高い耐久性が得られる。

本発明の回路装置の検査装置によれば、上記のプローブカードを備えてなるため、１２０μｍ以下の小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、多数の回路装置の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜シート状プローブ＞
図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図、図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図、図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。

本実施形態のシート状プローブ１０は、複数の集積回路が形成された８インチ等のウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、図１（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された金属フレーム板２５を有し、この貫通孔内には接点膜９が配置されている。

接点膜９は、金属フレーム板２５の貫通孔周辺の支持部２２で、金属フレーム板２５に支持されている。
図１（ｂ）に示したように、この支持部２２は、金属フレーム板２５の上に、絶縁膜からなる接点膜９が形成され、この金属フレーム板２５によって接点膜９が支持されている。

接点膜９は、図２に示したように、柔軟な絶縁層１８Ｂに電極構造体１５が貫通形成された構造になっている。
即ち、絶縁層１８Ｂの厚み方向に延びる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されている。

また、図３に示したように、電極構造体１５の各々は、絶縁層１８Ｂの表面に露出し、絶縁層１８Ｂの表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁層１８Ｂの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して前記絶縁層１８Ｂをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８と、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる円形リング板状の保持部１９とにより構成されている。

この例の電極構造体１５においては、表面電極部１６が、短絡部１８に連続して基端から先端に向かうに従って小径となるテーパ状とされて全体が円錐台状に形成され、表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状とされている。

また、図４に示したように、表面電極部１６の基端の径Ｒ１が基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ３より大きくなっている。
絶縁層１８Ｂとしては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができるが、短絡部１８を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。

また、絶縁層１８Ｂの厚みｄは、絶縁層１８Ｂが柔軟なものであれば特に限定されないが、５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。
金属フレーム板２５は絶縁層１８Ｂと一体的に設けられるもので、絶縁層１８Ｂと積層された状態で絶縁層１８Ｂの表面に設けられてもよく、絶縁層１８Ｂに中間層として含ま
れてもよい。

そして、金属フレーム板２５は、電極構造体１５とは離間して配置され、電極構造体１５と金属フレーム板２５は絶縁層１８Ｂにより連結されるので、電極構造体１５と金属フレーム板２５は電気的には絶縁されている。

また、後述するシート状プローブ１０の製造方法によれば、金属フレーム板２５は第２の裏面側金属層１７Ａの一部を除去することにより形成されるものである。
金属フレーム板２５となる第２の裏面側金属層１７Ａを構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタンまたはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができるが、後述する製造方法においては、エッチング処理によって容易に第２の裏面側金属層１７Ａを金属フレーム板２５と裏面電極部１７に分離分割できる点で、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼や銅、ニッケルおよびこれらの合金が好ましい。

また、金属フレーム板２５としては、その線熱膨張係数が３×１０^-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋ、特に好ましくは−１×１０^-6〜８×１０^-6／Ｋである。

このような金属フレーム板２５を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼が挙げられる。

金属フレーム板２５の厚みは、３〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍである。
この厚みが過小である場合には、シート状プローブを支持する金属フレーム板として必要な強度が得られないことがある。一方、この厚みが過大である場合には、後述する製造方法において、エッチング処理によって第２の裏面側金属層１７Ａより金属フレーム板２５と裏面電極部１７に分離分割することが困難となることがある。

また、絶縁性シートをエッチング等により、図１０（ａ）、（ｂ）示したように、多数の接点膜９に分離して金属フレーム板２５に支持させてもよい。
この場合、金属フレーム板２５の各々の開口部２６に電極構造体１５を保持する柔軟な接点膜９が互いに独立した状態（図１０（ａ））、部分的に独立した状態（図１０（ｂ））で配置される。

接点膜９の各々は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、柔軟な絶縁層１８Ｂを有し、この絶縁層１８Ｂには、当絶縁層１８Ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されており、接点膜９は、金属フレーム板２５の開口部内に位置するよう配置されている。

電極構造体１５を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体１５としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりなるものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであってもよく、表面電極部１６と短絡部１８が異なる金属により構成されてもよい。

また、電極構造体１５における表面電極部１６および裏面電極部１７の表面には、電極部の酸化を防止すると共に、接触抵抗の小さい電極部を得るために、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていてもよい。

電極構造体１５において、表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する先端における径Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．１１〜０．９であることが好ましく、より好ましくは０．１５〜０．６である。

電極構造体１５の配置ピッチは、接続すべき回路装置の被検査電極のピッチと同一のものとされるが、４０〜１６０μｍピッチであることが好ましく、４０〜１２０μｍであることがより好ましく、特に、４０〜１００μｍであることが好ましい。

このような条件を満足することにより接続すべき回路装置が、ピッチが１２０μｍ以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが１００μｍ以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。

また、表面電極部１６の基端の径Ｒ１は、電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは３５〜６０％である。
また、表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する突出高さｈの比ｈ／Ｒ１は、０．２〜０．８であることが好ましく、より好ましくは０．２５〜０．６である。

このような条件を満足することにより、接続すべき回路装置がピッチが１２０μｍ以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが１００μｍ以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、電極のパターンに対応するパターンの電極構造体１５を容易に形成することができ、回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。

表面電極部１６の基端の径Ｒ１は、上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば３０〜８０μｍであり、好ましくは３０〜６０μｍである。
表面電極部１６の突出高さｈの高さは、接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、１２〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍである。

また、裏面電極部１７の外径Ｒ５は、裏面電極部１７に連結された短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４より大きく、かつ、電極構造体１５のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。

また、裏面電極部１７の厚みｄ２は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、１０〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは１２〜６０μｍである。

また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４に対する絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３の比Ｒ３／Ｒ４は、０．２〜１であることが好ましく、より好ましくは０．３〜０．９である。

また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３は、電極構造体１５のピッチの１０〜５０％であることが好ましく、より好ましくは１５〜４５％である。
また、保持部１９の径Ｒ６は、電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは４０〜６０％である。

また、保持部１９の厚みｄ１は、３〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは４〜４０μｍである。
また、本発明のシート状プローブ１０では、金属フレーム板２５と裏面電極部１７とが、異なる金属部材から構成してもよい。

すなわち、後述するように、金属フレーム板２５は、複数個の貫通孔１２が、例えば、パンチング、レーザ加工などによって形成されている金属材料から構成されるものである。

一方、後述するように、裏面電極部１７は、図２１（ｃ）、図２２（ａ）に示したように、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填することにより、裏面電極部１７として形成された金属材料から構成されるものである。

このように、金属フレーム板２４と裏面電極部１７とが、異なる金属部材から構成されているので、金属フレーム板２４の構成金属種、厚み等に制約がなく、例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板２４を形成できる。

さらに、裏面電極部１７が、金属フレーム板２４と異なる金属部材から構成されているので、裏面電極部１７として、金属フレーム板２４としての金属に制約されることがなく、好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極部１７の構成金属として用いることができる。

この場合、金属フレーム板２４を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部１７を構成する金属部材の構成金属が、異なる金属種の構成金属から構成されていてもよい。
また、金属フレーム板２４を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部１７を構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属から構成されていてもよい。

シート状プローブ１０の周縁部には、剛性を有する平板リング状の支持部材２が設けられている。このような支持部材２の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、４２アロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。

また、支持部材２の厚さとしては、好ましくは、２ｍｍ以上であるのが望ましい。
このような範囲に、リング状の支持部材２の厚さを設定することによって、金属フレーム板２５と、リング状の支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。

このような支持部材２により、その剛性でシート状プローブ１０を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えば、支持部材２に形成した孔と、プローブカードに設けられたガイドピンとを係合させることにより、あるいは支持部材２と、プローブカード周縁部に設けられた周状の段差部とを嵌め合わせることにより、シート状プローブ１０の接点膜９に設けられた電極構造体１５を、被検査物の被検査電極や異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができ、さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付き、電極構造体１５の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。

また、本発明のシート状プローブ１０においては、図５（ｂ）に示したように、金属フレーム板２５によって絶縁層１８Ｂを支持する構造の他、図５（ａ）に示したように、絶縁層１８Ｂ中に金属フレーム板２４を有する構造も可能であり、この構造は、図６から図８に示した通りである。

なお、図６から図８に示した本発明のシート状プローブ１０の製造方法については、後
で詳しく説明するが、金属フレーム板による絶縁層１８Ｂを支持する形態の違い以外は、基本的に同じ構成である。

このシート状プローブ１０は、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に形成された貫通孔が形成された金属フレーム板２４を有し、この貫通孔内には接点膜９が配置されている。

接点膜９は、金属フレーム板２４の貫通孔周辺部の支持部２２で、金属フレーム板２４に支持されている。
なお、金属フレーム板２４を用いた場合には、図５（ａ）、図６（ｂ）に示したように、支持部２２は、金属フレーム板２４が樹脂製の絶縁層１８Ｂによって挟み込まれた状態で支持される。

このようなシート状プローブ１０は、接点膜の各々の開口部に電極構造体１５を保持する柔軟な接点膜９が互いに独立した状態（図１１（ａ））、部分的に独立した状態（図１１（ｂ））で配置されても良い。

このようなシート状プローブ１０は、接着剤８を介して金属フレーム板２４が、支持部材２に接着固定されている。
このリング状の支持部材２の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、４２アロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。

このような支持部材２により、その剛性でシート状プローブ１０を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えばフレーム板に形成した孔と、プローブカードに設けられたガイドピンとを係合させることにより、あるいは支持部材２と、プローブカード周縁部に設けられた周状の段差部とを互いに嵌め合わせることにより、シート状プローブ１０の接点膜９に設けられた電極構造体１５を、被検査物の被検査電極や異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができる。

さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付き、電極構造体１５の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。
また、金属フレーム板２４として金属からなるメッシュを用いてもよく、メッシュを形成する金属としては、例えばステンレス、アルミニウムが挙げられる。

このような絶縁層１８Ｂ中に金属フレーム板２４を有する構成のシート状プローブ１０によれば、図７のように、接点膜９の支持部が、金属フレーム板２４が絶縁層１８Ｂにより挟まれた構造となっているので固定強度が高く、このシート状プローブを用いた検査装置による電気検査において高い繰り返し耐久性が得られる。

ところで、本発明のシート状プローブ１０では、これらの絶縁層１８Ｂと、金属フレーム板２５（後述する金属フレーム板２４を含む）と、リング状の支持部材２の熱線膨張係数を、下記のような条件に制御することによって、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えるようになっている。

すなわち、本発明のシート状プローブ１０では、図９に示したように、
絶縁層１８Ｂの熱線膨張係数をＨ１とし、
金属フレーム板２５の熱線膨張係数をＨ２とし、
リング状の支持部材２の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０^-5〜８×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足するように設定している。

さらに、条件（２）：Ｈ２／Ｈ１については、０．５未満であることが好ましく、特に好ましくは０．３未満であることが好ましい。
また、条件（３）：Ｈ３／Ｈ１については、０．５未満であることが好ましく、特に好ましくは、０．３未満であることが好ましい。

さらに、本発明のシート状プローブは、金属フレーム板２５の熱線膨張係数をＨ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝−１×１０^-5〜１×１０^-5／Ｋ
を満足するように設定している。

さらに、条件（４）：Ｈ２−Ｈ３については、Ｈ２−Ｈ３＝−５×１０^-6〜５×１０^-6／Ｋであることがより好ましい。
このような条件を満足するように、絶縁層１８Ｂと、金属フレーム板２５と、リング状の支持部材２の材料の組み合わせを適切に選択することによって、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。また、絶縁膜９と金属フレーム板２５の支持部分２２の剥離や、支持部材２と金属フレーム２５の接着面の剥離を抑制することができる。

なお、このような絶縁層１８Ｂと、金属フレーム板２５と、リング状の支持部材２の材料の組み合わせは、上記の条件（１）〜（４）を満足するものであれば良く、特に限定されるものではない。

このような組み合わせとしては、例えば、以下の熱線膨張係数を有する材料、すなわち、
（ａ） 絶縁膜 Ｈ１：
ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
（ｂ） フレーム板 Ｈ２：
４２アロイ＝約５×１０^-6／Ｋ
インバー合金＝１．２×１０^-6／Ｋ
エリンバー合金＝８×１０^-6／Ｋ
コバール合金＝５×１０^-5／Ｋ
ステンレス不変鋼＝±０．１×１０^-6／Ｋ
（ｃ） 支持板 Ｈ３：
窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
炭化ケイ素＝４×１０^-6／Ｋ
インバー合金＝１．２×１０^-6／Ｋ
ステンレス不変鋼＝±０．１×１０^-6／Ｋ
から選択することができる。

このようにして、絶縁層１８Ｂの熱線膨張係数Ｈ１と、金属フレーム板２５の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材２の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、これらの部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。また、絶縁膜９と金属フレーム板２５の支持部分２２の剥離や、支持部材２と金属フレーム２５の接着面の剥離を抑制することができる。

また、本発明のシート状プローブ１０では、金属フレーム板２５の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０^-7〜２×１０^-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。

また、条件（５）は、Ｈ２＝−１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋとすることがより好ましい。
このように、金属フレーム板２５の熱線膨張係数Ｈ２を、上記のような条件（５）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁層１８Ｂと、金属フレーム板２５と、リング状の支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。また、絶縁膜９と金属フレーム板２５の支持部分２２の剥離や、支持部材２と金属フレーム２５の接着面の剥離をさらに抑制することができる。

また、本発明のシート状プローブ１０では、リング状の支持部材２の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０^-7〜２×１０^-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。

また、条件（６）は、Ｈ３＝−１×１０^-7〜５×１０^-6／Ｋとすることがより好ましい。
このように、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３を、上記のような条件（６）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁層１８Ｂと、金属フレーム板２５と、リング状の支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。また、絶縁膜９と金属フレーム板２５の支持部分２２の剥離や、支持部材２と金属フレーム２５の接着面の剥離をさらに抑制することができる。

このため、絶縁層１８Ｂの支持方法については、製造コストなどを勘案して、適宜選択すると良い。
また、これらのシート状プローブ１０は、ウエハの検査の際に、絶縁層１８Ｂを支持する金属フレーム板２５や、金属フレーム板２４の外縁部分にリング状の支持部材２を備え、ウエハ検査を、良好に行うことができる。

なお、本発明の絶縁層１８Ｂとしては、柔軟性を有する樹脂が用いられる。
絶縁層１８Ｂの形成材料としては、電気的絶縁性を有する樹脂材料であれば特に限定されないが、例えばポリイミド系樹脂、液晶ポリマー、およびこれらの複合材料が挙げられる。

また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、
（１）感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニス、
（２）熱可塑性ポリイミド、
（３）ポリイミドフィルム（例えば、東レ・デュポン（株）商品名「カプトン」）
等を用いることができる。

このうち、上記（１）の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミ
ド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスは、粘性が低いため溶液塗布することができ、塗布後に硬化（重合）するので溶媒の蒸発、重合により体積収縮を伴うものである。

このような上記（１）の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを用いる場合には、これらを積層体１０Ａに塗布して硬化することにより、絶縁層１８Ｂを形成することが好ましい。

また、上記（２）の熱可塑性ポリイミドにおいては、
溶媒に溶解させてポリイミド溶液として積層体１０Ａに塗布した後、溶媒を蒸発させて絶縁層１８Ｂとする方法、または、
熱可塑性ポリイミドのフィルムを積層体１０Ａに積層し加熱プレスすることによって、積層体１０Ａに一体化させて、絶縁層１８Ｂと方法、
を採用することができる。

さらに、上記（３）のポリイミドフィルムは、熱にも溶媒にも溶けず安定なため、このようなポリイミドフィルムを用いる場合には、
上記（３）のポリイミドフィルムを、熱可塑性ポリイミドフィルムを介して、積層体１０Ａに積層して加熱プレスして一体化する方法、
上記（３）のポリイミドフィルムの表面に、上記（１）の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスによって、半硬化状態のポリイミド層を形成した後に、積層体１０Ａに積層して硬化して、一体化する方法、
等により絶縁層１８Ｂを形成することができる。

このようなシート状プローブ１０によれば、電極構造体１５には、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に伸びる保持部１９が形成されているため、表面電極部１６の径が小さいものであっても、保持部１９が絶縁層１８Ｂの表面に支持されている状態であるので、電極構造体１５が絶縁層１８Ｂの裏面から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。

また、径の小さい表面電極部１６を有することにより、隣接する表面電極部１６の間の離間距離が十分に確保されるため、絶縁層１８Ｂによる柔軟性が十分に発揮され、その結果、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができる。
＜シート状プローブの製造方法＞
以下、シート状プローブ１０の製造方法について説明する。

まず、絶縁層１８Ｂを金属フレーム板２５にて支持する構造のシート状プローブ１０の製造方法であるが、図１２（ａ）に示すように、絶縁性シート１１と、この絶縁性シート１１の表面に形成された表面側金属層１６Ａと、絶縁性シート１１の裏面に形成された第１の裏面側金属層１９Ａとよりなる積層体１０Ａを用意する。

絶縁性シート１１は、絶縁性シート１１の厚みと第１の裏面側金属層１９Ａの厚みとの合計の厚みが、形成すべき電極構造体１５における表面電極部１６の突出高さと同等となるものとされる。

また、絶縁性シート１１を構成する材料としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フ
ッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができるが、表面電極部１６を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。

また、絶縁性シート１１の厚みは、絶縁性シート１１が柔軟なものであれば特に限定されないが、１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜２５μｍである。

このような積層体１０Ａは、例えば一般に市販されている両面に例えば銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用いることができる。
このような積層体１０Ａに対し、図１２（ｂ）に示すように、その表面側金属層１６Ａの表面全体に保護フィルム４０Ａを積層すると共に、第１の裏面側金属層１９Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔１２Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜１２Ａを形成する。

ここで、レジスト膜１２Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第１の裏面側金属層１９Ａに対し、レジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図１２（ｃ）に示すように、第１の裏面側金属層１９Ａに、それぞれレジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する複数のパターン孔１９Ｈが形成される。

その後、絶縁性シート１１に対し、レジスト膜１２Ａの各パターン孔１２Ｈおよび第１の裏面側金属層１９Ａの各パターン孔１９Ｈを介して露出した部分に、エッチング処理を施して、部分を除去することにより、図１３（ａ）に示すように、絶縁性シート１１に、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔１１Ｈが形成される。

これにより、積層体１０Ａの裏面に、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈ、絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成される。

以上において、第１の裏面側金属層１９Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば銅よりなるものである場合には、塩化第二鉄水溶液を用いることができる。

また、絶縁性シート１１をエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液等を用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁性シート１１に、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔１１Ｈを形成することができる。

このようにして表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成された積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、その後、図１３（ｂ）に示すように、積層体１０Ａに、第１の裏面側金属層１９Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５における保持部１９のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔１３Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜１３Ａを形成する。

ここで、レジスト膜１３Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるが感光性ドライフィルムレジストが好ま
しい。

次いで、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋおよびレジスト膜１３Ａの各パターン孔１３Ｈ内に金属を充填することにより、図１３（ｃ）に示すように、複数の表面電極部１６、表面電極部１６の各々の基端に連続して絶縁性シート１１の裏面に沿って外側に伸びる保持部１９が形成される。ここで、保持部１９の各々は、第１の裏面側金属層１９Ａを介して互いに連結された状態である。

そして、レジスト膜１３Ａを剥離する。
このようにして表面電極部１６、保持部１９が形成された積層体１０Ａに、図１４（ａ）に示すように第１の裏面側金属層１９Ａと保持部１９を覆うように絶縁層１８Ｂを形成し、この絶縁層１８Ｂの表面に第２の裏面側金属層１７Ａを形成し積層体１０Ｂとする。

また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。

ポリイミドとしては、
（１）感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニス、
（２）熱可塑性ポリイミド、
（３）ポリイミドフィルム（例えば、東レ・デュポン（株）商品名「カプトン」）
等を用いることができる。

このうち、上記（１）の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスは、粘性が低いため溶液塗布することができ、塗布後に硬化（重合）するので溶媒の蒸発、重合により体積収縮を伴うものである。

このような上記（１）の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを用いる場合には、これらを積層体１０Ａに塗布して硬化することにより、絶縁層１８Ｂを形成することが好ましい。

また、上記（２）の熱可塑性ポリイミドにおいては、
溶媒に溶解させてポリイミド溶液として積層体１０Ａに塗布した後、溶媒を蒸発させて絶縁層１８Ｂとする方法、または、
熱可塑性ポリイミドのフィルムを積層体１０Ａに積層し加熱プレスすることによって、積層体１０Ａに一体化させて、絶縁層１８Ｂと方法、
を採用することができる。

さらに、上記（３）のポリイミドフィルムは、熱にも溶媒にも溶けず安定なため、このようなポリイミドフィルムを用いる場合には、
上記（３）のポリイミドフィルムを、熱可塑性ポリイミドフィルムを介して、積層体１０Ａに積層して加熱プレスして一体化する方法、
上記（３）のポリイミドフィルムの表面に、上記（１）の感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスによって、半硬化状態のポリイミド層を形成した後に、積層体１０
Ａに積層して硬化して、一体化する方法、
等により絶縁層１８Ｂを形成することができる。

また、片面に例えば４２アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを接着層を介して積層体１０Ａに積層することにより絶縁層１８Ｂと第２の裏面側金属層１７Ａを形成することもできる。
第２の裏面側金属層１７Ａは、形成すべき金属フレーム板２５の厚みと同等の厚みを有するものとされる。

その後、図１４（ｂ）に示すように積層体１０Ｂに対し、第２の裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。

ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第２の裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図１４（ｃ）に示すように、第２の裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。

その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび第２の裏面側金属層１７Ａの各貫通孔１７Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図１５（ａ）に示すように、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。

これにより、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。

以上において、第２の裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択される。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、前述の絶縁性シート１１のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。

このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去し、その後、図１５（ｂ）に示すように、積層体１０Ｂに、第２の裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。

ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填することにより、図１５（ｃ）に示すように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の絶縁層１８Ｂの裏面側に連結された裏面電極部１７が形成される。

ここで、裏面電極部１７の各々は、第２の裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
このようにして表面電極部１６、保持部１９、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去し、その後に図１６（ａ）に示すように裏面電極部１７と金属フレーム板２５とする第２の裏面側金属層１７Ａの部分を覆い、除去すべき第２の裏面側金属層１７Ａの部分に対応するパターンに従ってパターン孔２９Ｋを有するパターニングされたエッチング用レジスト膜２９Ｂを形成する。

ここで、レジスト膜２９Ｂを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面側金属層１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ａを除去し、表面側金属層１６Ａおよび第２の裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施すことにより、図１６（ｂ）に示すように、表面側金属層１６Ａを除去すると共に、第２の裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去して開口部２６を形成し、これにより、互いに分離した複数の裏面電極部１７および金属フレーム板２５が形成される。

更に、図１６（ｃ）に示すように、裏面側のエッチング用のレジスト膜２９Ｂを除去した後、裏面電極部１７、金属フレーム板２５、開口部２６を覆うように、レジスト膜１７Ｅを形成する。

ここで、レジスト膜１７Ｅを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
そしてレジスト膜１７Ｅの表面全体に保護フィルム４０Ｂを積層する。

次いで、絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、図１７（ａ）に示すように、表面電極部１６、第１の裏面側金属層１９Ａを露出した積層体１０Ｃを得た。その後、図１７（ｂ）に示すように、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜１４Ａを形成する。

その後、第１の裏面側金属層１９Ａにエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図１７（ｃ）に示すように、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる保持部１９が形成され、以って電極構造体１５が形成される。

次いで、図１７（ｄ）に示すように、レジスト膜１４Ａを除去し、金属フレーム板２５の一部を露出させるようレジスト膜１７Ｆを積層体１０Ｃの上面に形成する。この状態で、絶縁層１８Ｂをエッチング処理することにより、図１７（ｅ）に示したように、金属フレーム板２５の一部が露出される。

そして、絶縁層１８Ｂの表面よりレジスト膜１７Ｆを除去し、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７から、保護フィルム４０Ｂおよびレジスト膜１７Ｅを除去することにより、図１８に示すシート状プローブ１０が得られる。

また、金属フレーム板２４と裏面電極部１７とが、異なる金属部材から構成したシート状プローブ１０の製造方法を説明する。
このようなシート状プローブ１０は、図１２（ａ）から図１３（ｃ）までの工程は、前述した絶縁層１８Ｂを金属フレーム板２５にて支持する構造のシート状プローブ１０の製造方法と同様に行い、積層体１０Ａを獲た。

次に、図１９（ａ）に示したように、レジスト膜１３Ａを除去し、図１９（ｂ）に示したように、第１の裏面側電極層１９Ａ上に保持部１９を覆うように絶縁層１８Ｂを形成した。

一方、図４８（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の貫通孔１２が、例えば、パンチング、レーザ加工、エッチング加工などによって形成された金属フレーム板２４を用意する。

また、図１９（ｃ）に示したように、第１の裏面側電極層１９Ａ上に保持部１９を覆うよう形成された絶縁層１８Ｂ上に、金属フレーム板２４を積層した。
さらに、図２０（ａ）に示したように、金属フレーム板２４の上から再度、絶縁層１８Ｂを形成することによって、絶縁層１８Ｂ内に金属フレーム板２４を形成した積層体１０Ｂを得た。

また、図２０（ｂ）に示したように、このような絶縁層１８Ｂの上から、第２の裏面側金属層１７Ａを形成し、その後、図２０（ｃ）に示したように、積層体１０Ａに対し、第２の裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。

ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第２の裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図２１（ａ）に示したように、第２の裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。

その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび第２の裏面側金属層１７Ａの各貫通孔１７Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図２１（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。

これにより、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。

以上において、第２の裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択することができる。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、前述の絶縁性シート１１のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。

このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去し、その後、図２１（ｃ）に示すように、積層体１０Ｂに、第２の裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。

ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして
使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填することにより、図２２（ａ）に示すように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の絶縁層１８Ｂの裏面側に連結された裏面電極部１７が形成された。

ここで、裏面電極部１７の各々は、第２の裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
また、図２２（ｂ）に示したように、表面電極部１６、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去し、その後に、図２２（ｃ）に示したように、裏面電極部１７の上にパターニングされたエッチング用レジスト膜２９Ｂを形成した。

ここで、レジスト膜２９Ｂを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
さらに図２３（ａ）に示したように、第２の裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施すことにより、互いに分離した複数の裏面電極部１７が形成された。

その後、図２３（ｂ）に示したように、レジスト膜２９Ｂを除去し、裏面電極部１７Ａと絶縁層１８Ｂを覆うようにレジスト層２９Ｃを形成し、レジスト層２９Ｃの表面全体に保護フィルム４０Ｂを形成した。その後に、表面側金属層１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ａを除去し、表面側金属層１６Ａにエッチング処理を施し、図２３（ｃ）に示したように、絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、積層体１０Ｃを得た。

更に、図２４（ａ）に示したように、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜１４Ａを形成する。

その後、第１の裏面側金属層１９Ａにエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図２４（ｂ）に示したように、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して当該絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる保持部１９が形成され、以って電極構造体１５が形成される。

さらに、図２４（ｃ）に示したように、保護フィルム４０Ｂとレジスト層２９Ｃを除去し、金属フレーム板２４の一部を露出させるよう、レジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを積層体１０Ａの上下面に形成し、エッチング処理することにより、図２５（ａ）に示したように金属フレーム板２４の一部が露出される。

さらに、図２５（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを除去することにより、シート状プローブ１０が得られる。
そして、図６（ｂ）に示したように、必要に応じて、シート状プローブ１０の周縁部、すなわち、金属フレーム板２４の外周縁に、絶縁層１８Ｂとは離間して、例えば、接着剤を介して、剛性を有する平板リング状の支持部材２を設けることができる。

このように、本発明のシート状プローブ１０では、金属フレーム板２４と裏面電極部１７とが、異なる金属部材から構成されている。
すなわち、金属フレーム板２４は、複数個の貫通孔１２が、例えば、パンチング、レーザ加工などによって形成されている金属材料から構成されるものである。

一方、裏面電極部１７は、図２１（ｃ）、図２２（ａ）に示したように、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填することにより、裏面電極部１７として形成された金属材料から構成されるものである。

このように、金属フレーム板２４と裏面電極部１７とが、異なる金属部材から構成されているので、金属フレーム板２４の構成金属種、厚み等に制約がなく、例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板２４を形成できる。

さらに、裏面電極部１７が、金属フレーム板２４と異なる金属部材から構成されているので、裏面電極部１７として、金属フレーム板２４としての金属に制約されることがなく、好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極部１７の構成金属として用いることができる。

この場合、金属フレーム板２４を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部１７を構成する金属部材の構成金属が、異なる金属種の構成金属から構成されていてもよい。
また、金属フレーム板２４を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部１７を構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属から構成されていてもよい。

なお、図１の実施例では、図４８（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の貫通孔１２が形成された金属フレーム板２４を用いて、これらの貫通孔１２にそれぞれ、各絶縁層１８Ｂを互いに隔離するように形成している。

しかしながら、図２６のように（図２６（ａ）は平面図、図２６（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁層１８Ｂを一体化し、連続した１つの支持部としてもよく、図２７のように（図２７（ａ）は平面図、図２７（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁層１８Ｂを複数の接点膜９を含むように分割し（同図では４分割）、複数の接点膜９について連続した支持部を形成するようにしてもよい。

さらに、図４８（ｂ）に示したように、中央に一つの大径の貫通孔１２を形成したリング形状の金属フレーム板２４を用いて、図２８に示したように（図２８（ａ）は平面図、図２８（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、この貫通孔１２に絶縁層１８Ｂを一体化し、連続した１つの支持部として、この絶縁層１８Ｂに、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の電極構造体１７を形成するようにすることも可能である。

また、図１の実施例では、金属フレーム板２４の貫通孔１２の周縁部に、絶縁層１８Ｂによって貫通孔１２の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜９が支持されている。

しかしながら、図５（ｂ）に示したように、金属フレーム板２４の貫通孔１２の周縁部上に、絶縁層１８Ｂによって接点膜９が支持されるように構成することも可能である。
この場合には、図２９〜図３６に示したように、以下の方法によって製造することができる。なお、図１２〜図１９（ｂ）までは、前述した方法と同様であるのでその詳細な説明は省略する。

先ず、金属フレーム板２４を用意し、図２９（ａ）（ｂ）に示したように、貫通孔１２
と、貫通孔１２の周辺部に、複数の連結用の貫通孔１２ａを、エッチングなどにより、金属フレーム板２４に形成する。

また、図３０（ａ）（ｂ）は、それぞれ図１９（ａ）（ｂ）と同様であり、この状態で、図３０（ｃ）に示したように、第１の裏面側電極層１９Ａ上に保持部１９を覆うよう形成された絶縁層１８Ｂ上に、金属フレーム板２４を積層した。

さらに、図３１（ａ）に示したように、金属フレーム板２４の上から再度、絶縁層１８Ｂを形成することによって、連結用の貫通孔１２ａ内に絶縁層１８Ｃが充填され、これにより、絶縁層１８Ｂ内に金属フレーム板２４を形成した積層体１０Ｂを得た。

また、図３１（ｂ）に示したように、このような絶縁層１８Ｂの上から、第２の裏面側金属層１７Ａを形成し、その後、図３１（ｃ）に示したように、積層体１０Ａに対し、第２の裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。

ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第２の裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図３２（ａ）に示したように、第２の裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。

その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび第２の裏面側金属層１７Ａの各貫通孔１７Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図３２（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。

これにより、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。

以上において、第２の裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択することができる。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、前述の絶縁性シート１１のエッチングに用いたエッチング液を用いることができる。

このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去し、その後、図３２（ｃ）に示すように、積層体１０Ｂに、第２の裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。

ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を
充填することにより、図３３（ａ）に示すように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の絶縁層１８Ｂの裏面側に連結された裏面電極部１７が形成された。

ここで、裏面電極部１７の各々は、第２の裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
また、図３３（ｂ）に示したように、表面電極部１６、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去し、その後に、図３３（ｃ）に示したように、裏面電極部１７の上にパターニングされたエッチング用レジスト膜２９Ｂを形成した。

ここで、レジスト膜２９Ｂを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
さらに図３４（ａ）に示したように、第２の裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施すことにより、互いに分離した複数の裏面電極部１７が形成された。

その後、図３４（ｂ）に示したように、レジスト膜２９Ｂを除去し、裏面電極部１７Ａと絶縁層１８Ｂを覆うようにレジスト層２９Ｃを形成し、レジスト層２９Ｃの表面全体に保護フィルム４０Ｂを形成した。その後に、表面側金属層１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ａを除去し、表面側金属層１６Ａにエッチング処理を施し、図３４（ｃ）に示したように、絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、積層体１０Ｃを得た。

更に、図３５（ａ）に示したように、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたエッチング用のレジスト膜１４Ａを形成する。

その後、第１の裏面側金属層１９Ａにエッチング処理を施して露出した部分を除去することにより、図３５（ｂ）に示したように、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して当該絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる保持部１９が形成され、以って電極構造体１５が形成される。

さらに、図３５（ｃ）に示したように、保護フィルム４０Ｂとレジスト層２９Ｃを除去し、金属フレーム板２４の一部を露出させるよう、レジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを積層体１０Ｃの上下面に形成する。この際、レジスト膜１７Ｅは、連結用の貫通孔１２ａの部分を覆うように被覆する。そして、この状態で、エッチング処理することにより、図３６（ａ）に示したように金属フレーム板２４の一部が露出される。

さらに、図３６（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７からレジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを除去することにより、金属フレーム板２４の貫通孔１２の周縁部上に、連結用の貫通孔１２ａを介して、絶縁層１８Ｂ、１８Ｃにより、リベット状に固定された絶縁層１８Ｂによって接点膜９が支持されたシート状プローブ１０が得られる。

そして、図６（ｂ）に示したように、必要に応じて、シート状プローブ１０の周縁部、すなわち、金属フレーム板２４の外周縁に、絶縁層１８Ｂとは離間して、例えば、接着剤を介して、剛性を有する平板リング状の支持部材２を設けることができる。

以上のような方法によれば、絶縁性シート１１を有する積層体１０Ｃに予め表面電極部形成用凹所１０Ｋを形成し、表面電極部形成用凹所１０Ｋをキャビティとして表面電極部
１６を形成するため、径が小さくて突出高さのバラツキが小さい表面電極部１６が得られる。

また、絶縁性シート１１の表面に形成された第１の裏面側金属層１９Ａをエッチング処理することにより、表面電極部１６の基端部分から連続して絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部１９を確実に形成することができるため、表面電極部１６の径が小さいものであっても、電極構造体１５が絶縁層１８Ｂの裏面から脱落することがなくて高い耐久性を有するシート状プローブ１０を製造することができる。

また、本発明のシート状プローブ１０の製造方法によれば、表面電極部１６を形成した絶縁性シート１１に一体的に積層された絶縁層１８Ｂを有する積層体１０Ｂに短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。

さらに、短絡部形成用凹所１８Ｋをキャビティとして短絡部１８を形成するため、表面電極部形成用凹所１０Ｋと短絡部形成用凹所１８Ｋを個別に形成するので、厚みの大きい絶縁層１８Ｂに対しても確実に表面電極部１６に連通する短絡部形成用凹所１８Ｋが形成でき、短絡部１８の厚みの大きい電極構造体１５を形成できる。

そのため、厚みの大きな絶縁層１８Ｂよりなるシート状プローブ１０を確実に製造することができる。
そして、積層体１０Ｂを構成する第２の裏面側金属層１７Ａをエッチング処理して、開口部を形成することにより第２の裏面側金属層１７Ａを分割分離して裏面電極部１７と金属フレーム板２５を形成するので、絶縁層１８Ｂに一体化され、電極構造体１５とは電気的に絶縁した金属よりなる金属フレーム板２５を確実に製造することができる。

また、上述した以外の方法でもシート状プローブ１０を得ることができ、例えば、電極構造体１５が配置される貫通孔を絶縁層１８Ｂに形成した後、貫通孔の内面から絶縁層１８Ｂの表面に渡り無電解メッキを施し、絶縁層１８Ｂの片面もしくは両面に、貫通孔の位置にその径と同等もしくはこれよりも大きい径の開口パターンが形成されたレジスト膜を設けた状態で、スルーホールメッキを施して電極構造体１５を形成することができる。

この場合、表面電極部１６もしくは裏面電極部１７の突出高さはレジスト膜の高さ等で規定される。
＜プローブカードおよび回路装置の検査装置＞
図３７は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのものである。

この回路装置の検査装置は、被検査回路装置であるウエハ６の被検査電極７の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード１（絶縁層１８Ｂを金属フレーム板２５で支持するシート状プローブ）を有する。

このプローブカード１においては、図４０にも拡大して示すように、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極２１が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板２０を有している。

さらに、この検査用回路基板２０の表面には、異方導電性コネクター３０が配置され、この異方導電性コネクター３０の表面（図において下面）には、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体１５が配置された、図１に示す構成のシート状プローブ１０が配置されている。

そして、シート状プローブ１０はガイドピン５０により異方導電性コネクター３０と、電極構造体１５と導電部３６が一致するように固定された状態で保持されている。
また、プローブカード１における検査用回路基板２０の裏面（図において上面）には、プローブカード１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード１の下方には、ウエハ６が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。

また、このような回路装置の検査装置は、図３８に示したように、シート状プローブ１０は、適宜必要に応じて、金属フレーム板２５（金属フレーム板２４を含む）の外縁部に支持部材２が固定された状態で使用される。

さらに、このような回路装置の検査装置は、分解すると図３９（ａ）、図３９（ｂ）に示したような構成であり、異方導電性コネクター３０のフレーム板３１に形成された貫通孔と、ガイドピン５０とが嵌合することによって、位置決めを行っている。

また、シート状プローブ１０は、金属フレーム板２５（金属フレーム板２４を含む）の外縁部に接着した支持部材２と、加圧板３の凹部とが嵌合することによって、位置決めを行うことができるようになっている。

さらに、検査用回路基板２０を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス材料などが挙げられる。

また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が３×１０^-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０^-6〜６×１０^-6／Ｋである。

このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。
異方導電性コネクター３０は、図４２に示すように、被検査回路装置であるウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７が配置された電極領域に対応して複数の開口３２が形成されたフレーム板３１と、このフレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート３５とにより構成されている。

フレーム板３１を構成する材料としては、フレーム板３１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板３１を例えば金属材料により構成する場合には、フレーム板３１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。

フレーム板３１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

フレーム板３１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験を行うためのものである場合には、フレーム板３１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０^-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０^-7〜１×１０^-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０^-6〜８×１０^-6／Ｋである。

このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。

フレーム板３１の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート３５を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。

異方導電性シート３５の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ６に形成された一の電極領域の被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部３６と、これらの導電部３６の各々を相互に絶縁する絶縁部３７とにより構成されている。

また、図示の例では、異方導電性シート３５の両面には、導電部３６およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部３８が形成されている。
異方導電性シート３５における導電部３６の各々には、磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部３７は、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。

異方導電性シート３５の全厚（図示の例では導電部３６における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。

この厚みが５０μｍ以上であれば、異方導電性シート３５には十分な強度が得られる。
一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部３６が確実に得られる。

突出部３８の突出高さは、その合計が突出部３８における厚みの１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、小さい加圧力で導電部３６が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。

また、突出部３８の突出高さは、突出部３８の最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、突出部３８が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。

異方導電性シート３５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。
かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。

導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。

上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い導電部３６が得られやすい。
一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な導電部３６を容易に形成することができ、また、得られる導電部３６は、安定な導電性を有するものとなりやすい。

磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ²以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ²以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ²以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルト
またはそれらの合金などが挙げられる。

磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。

導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクター３０を高温環境下に繰り返し使用したとき、導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。

また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる異方導電性シート３５は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部３６において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。

また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。

導電部３６における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。
この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部３６が得られないことがある。

一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電部３６は脆弱なものとなりやすく、導電部３６として必要な弾性が得られないことがある。
以上のような異方導電性コネクター３０は、例えば特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法によって製造することができる。

上記の検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード１が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ１０の電極構造体１５における表面電極部１６の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、更に、表面電極部１６の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。

この状態においては、異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５における導電部３６の各々は、検査用回路基板２０の検査電極２１とシート状プローブ１０の電極構造体１５の裏面電極部１７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されている。

このため、導電部３６にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板２０の検査電極２１との電気的接続が達成される。
その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

上記のプローブカード１によれば、図１に示すシート状プローブ１０を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ１０における電極構造体１５が脱落することがなく、絶縁層１８Ｂの厚みが大きいため高い耐久性が得られる。

そして、上記の検査装置によれば、図１に示すシート状プローブ１０を有するプローブカード１を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、プローブカード１が高い耐久性を有するため、多数のウエハ６の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。

本発明の回路装置の検査装置は、上記の例に限定されず、以下のように、種々の変更を加えることが可能である。
（１）図３７および図３８に示すプローブカード１は、ウエハ６に形成された全ての集積回路の被検査電極７に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に電気的に接続されるものであってもよい。

選択される集積回路の数は、ウエハ６のサイズ、ウエハ６に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極７の数などを考慮して適宜選択され、例えば１６個、３２個、６４個、１２８個である。

このようなプローブカード１を有する検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。

そして、このような検査装置によれば、直径が８インチまたは１２インチのウエハ６に高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板２０の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。
（２）本発明の検査装置の検査対象である回路装置は、多数の集積回路が形成されたウエハ６に限定されるものではなく、半導体チップや、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＣＭＣなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。
（３）シート状プローブ１０は円筒形のセラミック等の保持体により保持された状態にて、異方導電性シート３５や検査用回路基板２０と、例えばガイドピン５０等にて固定一体化することもできる。
（４）本発明のシート状プローブ１０の製造方法において第２の裏面側金属層１７Ａは必須のものでなく、これを省略し短絡部形成用凹所１８Ｋとパターン孔１７Ｈに金属を充填することにより短絡部１８と一体化した裏面電極部１７を形成してもよい。

この場合、金属フレーム板２５が必要な場合は別途用意した金属フレーム板２５と製造したシート状プローブ１０に接着剤等を用いて積層して一体化すればよい。
（５）本発明のシート状プローブ１０においては、例えば図１０（ａ）に示すような電極構造体１５を有する絶縁層１８Ｂよりなる複数の接点膜９が、金属フレーム板２５の開口部２６の各々に配置し金属フレーム板２５により支持された状態のシート状プローブ１０であってもよく、更に図１０（ｂ）に示すように一つの接点膜９が金属フレーム板２５の複数の開口部２６を覆うように配置されたものであってもよい。

このように独立する複数の接点膜９によりシート状プローブ１０を構成することにより、例えば直径８インチ以上のウエハ検査用のシート状プローブ１０を構成した場合、温度変化による接点膜９の伸縮が小さくなり電極構造体１５の位置ずれが小さくなり好ましい。

このようなシート状プローブ１０は本発明のシート状プローブ１０の製造方法における図１７（ｄ）または図２４（ｃ）の状態で絶縁層１８Ｂにレジストによるパターニングと、エッチングにより絶縁層１８Ｂを任意の形状の接点膜９に分割することにより得られる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜試験用ウエハの作製＞
図４３に示すように、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０^-6／Ｋ）製のウエハ６上に、それぞれ寸法が６．８５ｍｍ×６．８５ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で４８３個形成した。

ウエハ６に形成された集積回路Ｌの各々は、図４４に示すように、その中央に被検査電極領域Ａを２５００μｍの間隔で２列に有し、この被検査電極領域Ａには、図４５に示すように、それぞれ縦方向（図４５において上下方向）の寸法が９０μｍで横方向（図４５において左右方向）の寸法が９０μｍの矩形の２６個の被検査電極７が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。

このウエハ６全体の被検査電極７の総数は２６１１６個であり、全ての被検査電極７は互いに電気的に絶縁されている。以下、このウエハ６を「試験用ウエハＷ１」という。
また、全ての被検査電極７を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Ｌにおける２６個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極７から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成の４８３個の集積回路Ｌをウエハ６上に形成した。

以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。
（実施例１）
直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが４μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体１０Ａ」という。）を用意した（図１２（ａ）参照）。
積層体１０Ａは、厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁性シート１１の一面に厚みが４μｍの銅よりなる第１の裏面側金属層１９Ａを有し、他面に厚みが４μｍの銅
よりなる表面側金属層１６Ａを有するものである。

上記の積層体１０Ａに対し厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成すると共に、第１の裏面側金属層１９Ａの裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って直径が５５μｍの円形の２６１１６個のパターン孔１２Ｈが形成されたレジスト膜１２Ａを形成した（図１２（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜１２Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、第１の裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１９Ｈを形成した（図１２（ｃ）参照）。

その後、絶縁性シート１１に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１に、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する２６１１６個の貫通孔１１Ｈを形成した（図１３（ａ）参照）。

この貫通孔１１Ｈの各々は、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が５５μｍ、表面側の開口径が２０μｍ（平均値）のものであった。

次いで、積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、その後、積層体１０Ａに対し、厚みが１０μｍのドライフィルムレジスト（日立化成：フォテック ＲＹ−３２１０）によって、第１の裏面側金属層１９Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜１３Ａを形成すると共に、レジスト膜１３Ａに絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈに連通する横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍの２６１１６個の矩形のパターン孔１３Ｈを形成した（図１３（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜１３Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

このようにして、絶縁性シート１１の裏面に、それぞれ絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈ、第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈおよびレジスト膜１３Ａのパターン孔１３Ｈが連通されてなる２６１１６個の表面電極部形成用凹所１０Ｋを形成した。

次いで、積層体１０Ａをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａによって互いに連結された保持部１９を形成した（図１３（ｃ）参照）。

次いで、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１３Ａを除去した。
そして、積層体１０Ａの第１の裏面側金属層１９Ａおよび保持部１９の表面に厚さ１２
μｍの液状ポリイミド層を形成した。

次に、形成した液状ポリイミド層の上に、直径が２０．４ｃｍで厚みが１２．５μｍのポリイミドシートを積層し、このポリイミドシートの上に厚さ１２μｍの液状ポリイミド層を形成した。

次いで、積層体１０Ａの液状ポリイミド層の表面に、直径が２２ｃｍで厚みが１０μｍの４２アロイよりなる金属シートを積層した。
そして金属シートの周縁部分の液状ポリイミド層と接する側の面に、
内径が２０．４ｃｍで外径が２２ｃｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを配置し、この状態で熱圧着処理することにより、図１４（ａ）に示す積層体１０Ｂを作製した。

積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが３６μｍのポリイミドシートよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、該絶縁層１８Ｂの表面に４２アロイよりなる第２の裏面側金属層１７Ａを有するものである（図１４（ａ）参照）。
次いで、積層体１０Ｂに対し第２の裏面側金属層１７Ａの表面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２６１１６個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図１４（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、第２の裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第２の裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１７Ｈを形成した（図１４（ｃ）参照）。

その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通した２６１１６個の貫通孔１８Ｈを形成した（図１５（ａ）参照）。

この貫通孔１８Ｈの各々は、絶縁層１８Ｂの表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に裏面電極部１７が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が２５μｍのものであった。

次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去し、その後、積層体１０Ｂに対し、厚みが１０μｍのドライフィルムレジストによって、第２の裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成すると共に、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が２００μｍ×６０μｍの矩形の２６１１６個のパターン孔２９Ｈを形成した（図１５（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２６１１６個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。

次いで、積層体１０Ｂをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および第２の裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成した（図１５（ｃ）参照）。

次いで、積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去した。その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２の裏面側金属層１７Ａにおける金属フレーム板２５となる部分および裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされてパターン孔２９Ｋを有するエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成した（図１６（ａ）参照）。

ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、積層体１０Ｂから保護フィルム４０Ａを除去し、その後、表面側金属層１６Ａおよび第２の裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層１６Ａの全部を除去すると共に、第２の裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去し、これにより、裏面電極部１７の各々を互いに分離させると共に、試験用ウエハＷ１に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部２６を有する金属フレーム板２５を形成した（図１６（ｂ）参照）。

金属フレーム板２５に設けられた開口部２６の各々は、横方向３６００μｍ×縦方向１０００μｍである。
次いで、積層体１０Ｂを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、金属フレーム板２５の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜２９Ｂを除去した。

その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、金属フレーム板２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１７Ｅを形成し、このレジスト膜１７Ｅを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｂによって覆った（図１６（ｃ）参照）。

その後、積層体１０Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１を除去した（図１７（ａ）参照）。

次いで、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜１４Ａを形成した（図１７（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜１４Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

その後、第１の裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に伸びる横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍの矩形の保持部１９を形成し、以て電極構造体１５を形成した（図１７（ｃ）参照）。

その後、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ａを除去した。
そして、積層体１０Ｂの表面電極部１６および絶縁層１８Ｂを覆うように厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜９となるべき部分を覆うように、パターニングされたレジスト膜１７Ｆを形成した（図１７（ｄ））。

レジスト膜１７Ｆの各々は横方向４６００μｍで縦方向２０００μｍである。
この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板の各々の貫通孔に電極構造体１５が形成された接点膜９を備えた積層体１０Ｃを得た（図１７（ｅ））。

そして、積層体１０Ｃから保護フィルム４０Ｂを除去し、次に４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、レジスト膜１７Ｅおよびレジスト膜１７Ｆを除去した（図１８）。

その後、金属フレーム板２５における周縁部分よりポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを除去し、金属フレーム板２５における周縁部分の表面に接着剤（セメダイン（株）：２液型アクリル接着剤 Ｙ−６２０）を塗布して接着剤層を形成し、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる保持部材４０を配置した後、保持部材４０と金属フレーム板２５とを５０ｋｇの荷重で加圧し、２５℃で８時間保持することにより、保持部材４０を金属フレーム板２５に接合することにより、本発明に係るシート状プローブ１０を製造した。

以上においてドライフィルムレジストとしては、とくに記載しなかった部分においては日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
得られたシート状プローブ１０は、一枚の接点膜９は一枚の絶縁層１８Ｂにより構成されているものである。接点膜９における絶縁層１８Ｂの厚みｄが３６μｍ、電極構造体１５の表面電極部１６の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ１が５５μｍ、その先端の径Ｒ２が２０μｍ、その突出高さｈが２５μｍ、短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が２５μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みｄ２が２０μｍ、保持部１９の形状が矩形で、その横幅（Ｒ６）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、その厚みｄ１が１４μｍのものである。

このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＭ１」〜「シート状プローブＭ４」とする。
シート状プローブＭは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：４２アロイ＝約５×１０^-6／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（５×１０^-6）−（３．５×１０^-6）＝１．５×１０^-6
（実施例２）
直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが４μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体１０Ａ」という。）を用意した（図１２（ａ）参照）。
積層体１０Ａは、厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁性シート１１の一面に厚みが４μｍの銅よりなる第１の裏面側金属層１９Ａを有し、他面に厚みが４μｍの銅よりなる表面側金属層１６Ａを有するものである。

上記の積層体１０Ａに対し厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成すると共に、第１の裏面側金属層１９Ａの裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って直径が５５μｍの円形の２６１１６個のパターン孔１２Ｈが形成されたレジスト膜１２Ａを形成した（図１２（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜１２Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、第１の裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１９Ｈを形成した（図１２（ｃ）参照）。

その後、絶縁性シート１１に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１に、それぞれ第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する２６１１６個の貫通孔１１Ｈを形成した（図１３（ａ）参照）。

この貫通孔１１Ｈの各々は、絶縁性シート１１の裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が５５μｍ、表面側の開口径が２０μｍのものであった。

次いで、積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去し、その後、積層体１０Ａに対し、厚みが１０μｍのドライフィルムレジスト（日立化成：フォテック ＲＹ−３２１０）によって、第１の裏面側金属層１９Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜１３Ａを形成すると共に、レジスト膜１３Ａに絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈに連通する横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍの２６１１６個の矩形のパターン孔１３Ｈを形成した（図１３（ｂ）参照）。

ここで、レジスト膜１３Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

このようにして、絶縁性シート１１の裏面に、それぞれ絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈ、第１の裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈおよびレジスト膜１３Ａのパターン孔１３Ｈが連通されてなる２６１１６個の表面電極部形成用凹所１０Ｋを形成した。

次いで、積層体１０Ａをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ａに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各表面電極部形成用凹所１０Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａによって互いに連結された保持部１９を形成した（図１３（ｃ）参照）。

次いで、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去した（図１９（ａ）参照）。

そして、積層体１０Ａの第１の裏面側金属層１９Ａの表面に、厚さ１２μｍの液状ポリイミド層１８Ｂを形成した（図１９（ｂ）参照）。
一方、直径が２２ｃｍで厚みが１０μｍの４２アロイよりなり、試験用ウエハＷ１の集積回路Ｌの各々の被検査領域Ａに対応する位置に、横方向３６００μｍ×縦方向１０００μｍの貫通孔９６６個がエッチングにより穿孔され、その周縁部の両面に、内径が２０．４ｃｍで外径が２２ｃｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを備えた金属フレーム板２４を用意した。

次いで、積層体１０Ａの液状ポリイミド層１８Ｂの表面に、貫通孔を形成したこの金属フレーム板２４を、その金属フレーム板２４の貫通孔内に積層体１０Ａに形成された表面電極部１６が位置するように位置合わせを行って重ね合わせた（図１９（ｃ）参照）。

そして、金属フレーム板２４の表面から液状ポリイミドを塗布して、厚さ１２μｍの液状ポリイミド層を形成した（図２０（ａ）参照）。
次いで、積層体１０Ａの液状ポリイミド層１８Ｂの表面に、片面に厚さ４μｍの銅よりなる金属箔層を有する厚さ１２．５μｍのポリイミドフィルムをそのポリイミドフィルム側面を積層体１０Ａの液状ポリイミド層に接するように積層し、加圧しつつ加熱し硬化させてせることにより、図２０（ｂ）に示す積層体１０Ｂを作製した。

積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが３６μｍのポリイミドよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、該絶縁層１８Ｂの表面に厚さ４μｍの銅よりなる第２の裏面側金属層１７Ａを有するものである（図２０（ｂ）参照）。
次いで、積層体１０Ｂに対し、第２の裏面側金属層１７Ａの表面全面に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２６１１６個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図２０（ｃ）参照）。

ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、第２の裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第２の裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１７Ｈを形成した（図２１（ａ）参照）。

その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通した２６１１６個の貫通孔１８Ｈを形成した（図２１（ｂ）参照）。

この貫通孔１８Ｈの各々は、絶縁層１８Ｂの表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に裏面電極部１７が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が２５μｍのものであった。

次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜２８Ａを除去し、その後、積層体１０Ａに対し、厚みが１０μｍのドライフィルムレジストによって、第２の裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成すると共に、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が２００μｍ×６０μｍの矩形の２６１１６個のパターン孔２９Ｈを形成した（図２１（ｃ）参照）。

ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、第２の裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２６１１６個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。

次いで、積層体１０Ｂをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および第２の裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成した（図２２（ａ）参照）。

次いで、積層体１０Ａを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜２９Ａを除去した（図２２（ｂ）参照）。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２の裏面側金属層１７Ａにおける裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされたレジスト膜２９Ｂを形成した（図２２（ｃ）参照）。
ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

次いで、積層体１０Ｂから保護フィルム４０Ａを除去し、その後、表面側金属層１６Ａおよび第２の裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面側金属層１６Ａの全部と第２の裏面側金属１７Ａの一部を除去した（図２３（ａ）参照）。

そして、レジスト膜２９Ｂを除去した後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、積層体１０Ｂの絶縁層１８Ｂおよび裏面電極部１７の表面全面にレジスト膜２９Ｃを形成し、レジスト膜２９Ｃの全面に厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールにより保護フィルム４０Ｂを形成した（図２３（ｂ）参照）。

その後、積層体１０Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１を除去した（図２３（ｃ）参照）。

次いで、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、表面電極部１６および第１の裏面側金属層１９Ａにおける保持部１９となるべき部分を覆うよう、パターニングさ
れたレジスト膜１４Ａを形成した（図２４（ａ）参照）。

ここで、レジスト膜１４Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。

その後、第１の裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極部１６の基端部分の周面から連続して絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に放射状に伸びる円板リング状の保持部１９を形成し、以て電極構造体１５を形成した。その後、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、表面電極部１６および保持部１９からレジスト膜１４Ａを除去した。そして、保護フィルム４０Ｂを除去し、絶縁層１８Ｂおよび裏面電極部１７の表面よりレジスト膜２９Ｃを除去した（図２４（ｂ）参照）。

その後、積層体１０Ｂの両面に厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、接点膜９となるべき部分を覆うよう、パターニングされたレジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを形成した。レジスト膜１４Ｂ、１７Ｅの各々は横方向４６００μｍ×縦方向２０００μｍである。

この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板の各々の貫通孔に電極構造体１５が形成された接点膜９を備えた積層体１０Ｃを得た（図２５（ａ））。

そして、４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、接点膜９の両面からレジスト膜１４Ｂ、１７Ｅを除去した（図２５（ｂ））。
その後、金属フレーム板２４の周縁部より保護テープを除去し、金属フレーム板２４における周縁部分の表面に接着剤（セメダイン（株）：２液型アクリル接着剤 Ｙ−６２０）を塗布して接着剤層を形成し、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持部材２を配置した後、支持部材２と金属フレーム板２４とを５０ｋｇの荷重で加圧し、２５℃で８時間保持することにより、接着剤により接着し、本発明に係るシート状プローブ１０を製造した。

以上においてドライフィルムレジストとしては、日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
得られたシート状プローブ１０は、横方向４６００μｍ×縦方向２０００μｍの接点膜９を９６６個有し、接点膜９における絶縁層１８Ｂの厚みｄが３６μｍ、電極構造体１５の表面電極部１６の形状が円錐台状で、その基端の径Ｒ１が５５μｍ、その先端の径Ｒ２が２０μｍ、その突出高さｈが２５μｍ、短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が２５μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みｄ２が２０μｍ、保持部１９の形状が矩形で、その横幅（Ｒ６）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、その厚みｄ１が１４μｍのものである。

このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＮ１」〜「シート状プローブＮ４」とする。

シート状プローブＮは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：４２アロイ＝約５×１０^-6／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（５×１０^-6）−（３．５×１０^-6）＝１．５×１０^-6
（実施例３）
実施例２において、厚み１０μｍの４２アロイよりなる金属フレーム板２４の代わりに、同形状で厚みが１０μｍのインバー（熱線膨張係数＝１．２×１０^-6／Ｋ）よりなる金属フレーム板２４を用いた以外は、実施例２と同様にして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブＬ１」〜「シート状プローブＬ４」とする。
シート状プローブＬは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：インバー＝１．２×１０^-6／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（１．２×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０２４
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（１．２×１０^-6）−（３．５×１０^-6）＝−２．３×１０^-6
（比較例１）
実施例２において、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持部材２の代わりに、同形状で厚みが２ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）（熱線膨張係数＝１．７３×１０^-5／Ｋ）よりなる支持部材２を用いた以外は、実施例２と同様にして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブＰ１」〜「シート状プローブＰ４」とする。
シート状プローブＰは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：４２アロイ＝約５×１０^-6／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：ステンレス（ＳＵＳ３０４）＝１．７３×１０^-5／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（１．７３×１０^-5）／（５×１０^-5）＝０．３５
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（５×１０^-6）−（１．７３×１０^-5）＝−１．２３×１０^-5
（比較例２）
実施例２において、厚み１０μｍの４２アロイよりなる金属フレーム板２４の代わりに、同形状で厚みが１０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）（熱線膨張係数＝１．７３×１０^-5）よりなる金属フレーム板２４を用いた以外は、実施例２と同様にして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブＱ１」〜「シート状プローブＱ４」と
する。
シート状プローブＱは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：ステンレス（ＳＵＳ３０４）＝１．７３×１０^-5／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（１．７３×１０^-5）／（５×１０^-5）＝０．３５
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（１．７３×１０^-5）−（３．５×１０^-6）＝１．３８×１０^-5
（比較例３）
実施例２において、厚み１０μｍの４２アロイよりなる金属フレーム板２４の代わりに、同形状で厚みが１０μｍの銅（熱線膨張係数＝１．７×１０^-5）よりなる金属フレーム板２４を用いた以外は、実施例２と同様にして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブＲ１」〜「シート状プローブＲ４」とする。
シート状プローブＲは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：銅＝１．６８×１０^-5／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（１．６８×１０^-5）／（５×１０^-5）＝０．３４
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（１．６８×１０^-5）−（３．５×１０^-6）＝１．３３×１０^-5
（比較例４）
実施例２において、厚み１０μｍの４２アロイよりなる金属フレーム板２４の代わりに、同形状で厚みが１０μｍのアルミニウム（線膨張係数＝２．５×１０^-5）よりなる金属フレーム板２４を用いた以外は、実施例２と同様にして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブＳ１」〜「シート状プローブＳ４」とする。
シート状プローブＳは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：アルミニウム＝２．５×１０^-5／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０^-6／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（２．５×１０^-5）／（５×１０^-5）＝０．５
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０^-6）／（５×１０^-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（３．５×１０^-6）−（２．５×１０^-5）＝２．１５×１０^-5
（比較例５）
実施例２において、厚み１０μｍの４２アロイよりなる金属フレーム板２４の代わりに、同形状で厚みが１０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）（熱線膨張係数＝１．７３×１
０^-5）よりなる金属フレーム板２４を用い、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持部材２の代わりに、同形状で厚みが２ｍｍのアルミニウム（熱線膨張係数＝２．５×１０^-5）よりなる支持部材２を用いた以外は、実施例２と同様にして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブＴ１」〜「シート状プローブＴ４」とする。
シート状プローブＴは
絶縁層１８Ｂ Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０^-5／Ｋ
金属フレーム板２４ Ｈ２：ステンレス（ＳＵＳ３０４）＝１．７３×１０^-5／Ｋ
支持部材２ Ｈ３：アルミニウム＝２．５×１０^-5／Ｋ
各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０^-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（１．７３×１０^-5）／（５×１０^-5）＝０．３５
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（２．５×１０^-5）／（５×１０^-5）＝０．５
条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝（１．７３×１０^-5）−（２．５×１０^-5）＝−７．７×１０^-6
（比較例６）
図５６の（ａ）に示すような表面側金属層１２２、第２の裏面側金属層１３０、第１の裏面側金属層１２６を有し、絶縁性シートが２層（絶縁性シート１２４、絶縁層１２８）積層体１３２を用意した。

積層体１３２は、表面側金属層１２２が厚さ４μｍの銅よりなり、絶縁性シート１２４が厚さ２５μｍのポリイミドよりなり、第１の裏面側金属層１２６が厚さ４μｍの銅よりなり、絶縁層１２８が厚さ３６μｍのポリイミドよりなり、第２の裏面側金属層１３０が厚さ１０μｍの４２アロイよりなるものである。

この積層体１３２に対して、特開２００４−１７２５８９号に記載された方法に従い、第２の裏面側金属層１３０に直径９０μｍのパターン孔を形成し、順次に絶縁性シート１２４、第１の裏面側金属層１２６、絶縁層１２８に連続する貫通孔１３６を形成し、貫通孔１３６の底面に表面側金属層１２２を露出させ、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所９０Ｋを作成した（図５６（ｂ）参照）。
次いで、積層体１３２をスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１３２に対し、表面側金属層１２２を電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所９０Ｋ内に金属を充填した（図５６（ｃ）参照）。
次いで、絶縁性シート１２４をエッチングにより除去した（図５６（ｄ）参照）。
次いで、第１の裏面側金属層１２６にエッチングを行い保持部を形成し、第２の裏面側金属層１３０にエッチングを行いその一部を除去することにより裏面電極部と支持部９２Ｅを形成し、絶縁層１２８にエッチングを行い絶縁層を各々の接点膜に分割した（図５６（ｅ）参照）。
その後、実施例１と同様に外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持部材２に接着剤により接着した。

得られたシート状プローブは、絶縁層の厚みｄが３６μｍ、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が４８μｍ、その先端の径が１３μｍ（平均値）、その突出高さが２５μｍ、保持部は横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍでで厚みが４μｍ、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が４８μｍ、裏面側の他端の径が９０μｍ、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が９０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みが２０μｍのものである。

このようにして、合計で５枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＵ１」〜「シート状プローブＵ４」とする。
〈異方導電性コネクターの作製〉
（１）磁性芯粒子の調製：
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製、「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。

日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ³／ｍｉｎ、ロータ
ー回転数が２２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が６０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が１５μｍ以下のニッケル粒子０．８ｋｇを捕集し、更に、このニッケル粒子０．８ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ³／ｍｉｎ、ローター
回転数が２９３０ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が３０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。

得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０³ｍ²／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ²であった。
このニッケル粒子を磁性芯粒子Ｑとする。
（２）導電性粒子の調製：
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子Ｑ１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子Ｑを含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、磁性芯粒子Ｑの酸処理を行い、その後、１分間静置して磁性芯粒子Ｑを沈殿させ、上澄み液を除去した。

次いで、酸処理が施された磁性芯粒子Ｑに純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して磁性芯粒子Ｑを沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返すことにより、磁性芯粒子Ｑの洗浄処理を行った。

そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子Ｑに、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子Ｑに対して金の置換メッキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子Ｐを調製した。

このようにして得られた導電性粒子に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子を回収した。そして、この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。

得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０³ｍ²／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．３であった。

この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
（３）フレーム板の作製：
図４６および図４７に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１における各被検査電極領域に対応して形成された９６６個の開口３２を有する直径が８インチのフレーム板３１を作製した。

このフレーム板３１の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０^-6／Ｋ）で、その厚みは、６０μｍである。
開口３２の各々は、その横方向（図４６および図４７において左右方向）の寸法が３６００μｍで縦方向（図４６および図４７において上下方向）の寸法が９００μｍである。

フレーム板３１の開口３２は、図４７に示すように試験用ウエハに形成された集積回路Ｌの１個に対して２個が形成されており、同一集積回路Ｌに対して設けられているフレーム板３１の開口３２は中心間距離（図４７において上下方向）で２０００μｍピッチで配置されている。

縦方向に隣接する開口３２の間の中央位置には、円形の空気流入孔３３が形成されており、その直径は１０００μｍである。
（４）異方導電性シート用成形材料の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、導電性粒子３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。

以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液およびＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。

ここで、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
（ｉ）付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により、２３±２℃における値を測定した。
（ｉｉ）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。

二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（ｉｉｉ）シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。

上記（ｉｉ）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。
このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（ｉｖ）デュロメーターＡ硬度は、上記（ｉｉｉ）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。
（５）異方導電性コネクターの作製：
上記（３）で作製したフレーム板３１および上記（４）で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された、図４２に示す構成の９６６個の異方導電性シート３５を形成することにより、異方導電性コネクター３０を製造した。

ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート３５について具体的に説明すると、異方導電性シート３５の各々は、横方向の寸法が６０００μｍ、縦方向の寸法が２０００μｍであり、２６個の導電部３６が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部３６の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍ、突出部３８の突出高さが２５μｍ、絶縁部３７の厚みが１００μｍである。

また、横方向において最も外側に位置する導電部３６とフレーム板３１の開口縁との間には、非接続用の導電部３６が配置されている。
非接続用の導電部３６の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍである。

また、各異方導電性シート３５における導電部３６中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部３６について体積分率で約２５％であった。
このようにして、合計で３６枚の異方導電性コネクターを製造した。
これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ３６」とする。
〈検査用回路基板の作製〉
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０^-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極２１が形成された検査用回路基板２０を作製した。

この検査用回路基板２０は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。
〈シート状プローブの評価〉
（１）試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）：
シート状プローブＭ１、Ｍ２、シート状プローブＮ１、Ｎ２、シート状プローブＯ１、Ｏ２、シート状プローブＰ１、Ｐ２、シート状プローブＱ１、Ｑ２、シート状プローブＲ１、Ｒ２、シート状プローブＳ１、Ｓ２、シート状プローブＴ１、Ｔ２、シート状プローブＵ１、Ｕ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。

室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置し、この試験用ウエハＷ１の表面上に、シート状プローブをその表面電極部１６の各々が試験用ウエハＷ１の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブの裏面電極部１７上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に１３０ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約５ｇ）で加圧した。

ここで、異方導電性コネクター３０としては下記表１に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２６１１６個の検査電極２１の各々に順次電圧を印加すると共に、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体１５間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。

ここで、絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記表１に示す。

（２）試験２（電極構造体の接続安定性）：
シート状プローブＭ３、Ｍ４、シート状プローブＮ３、Ｎ４、シート状プローブＯ３、Ｏ４、シート状プローブＰ３、Ｐ４、シート状プローブＱ３、Ｑ４、シート状プローブＲ３、Ｒ４、シート状プローブＳ３、Ｓ４、シート状プローブＴ３、Ｔ４、シート状プローブＵ３、Ｕ４の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体１５の接続安定性の評価を行った。

室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部１６の各々が試験用ウエハＷ２の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブの裏面電極部１７上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に１３０
ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約５ｇ）で加圧した。

ここで、異方導電性コネクター３０としては下記表２に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２６１１６個の検査電極７について、シート状プローブ、異方導電性コネクター３０および試験用ウエハＷ２を介して互いに電気的に接続された２個の検査電極２１の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の２分の１の値を、検査用回路基板Ｔ１の検査電極２１と試験用ウエハＷ２の被検査電極７との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。
（２）試験２（電極構造体の接続安定性）：
この操作を「操作（１）」とする。

次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１２５℃に昇温してその温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に１３０ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約５ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作（２）」とする。

次いで、試験台を室温（２５℃）まで冷却し、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除した。この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして合計で２００サイクル連続して行った。

ここで、導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記表２に示す。

比較例１に係るシート状プローブでは、シート状プローブＰ３ではサイクル１０回にて、そしてシート状プローブＰ４ではサイクル１回（１２５℃）にて、金属フレーム板２４とリング状の支持部材２との接着面において剥離が生じたため評価を中止した。

比較例４に係るシート状プローブＳ３，Ｓ４ではサイクル１０回にて、接点膜９と金属フレーム板２４の支持部において剥がれを生じているものが見出されたので評価を中止した。

また、試験２が終了した後、シート状プローブを観察したところ、実施例１、実施例２、実施例３についてのシート状プローブ、および比較例２、比較例３、比較例５、比較例６に係るいずれのシート状プローブも電極構造体１５が接点膜９から脱落していなかった。

そして、実施例１、実施例２、実施例３についてのシート状プローブ、および、比較例２、比較例３、比較例５、比較例６に係るシート状コネクターについては、接点膜９と金属フレーム板の支持部における剥離、金属フレーム板２４と支持部材２との接着面との剥離は認められなかった。

図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。 図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である。 図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。 図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。 図５（ａ）は、本発明のシート状プローブにおける接点膜の支持部の断面図、図５（ｂ）は、金属フレーム板として板状金属フレーム板を用いて絶縁層をその表面で支持した場合を示した断面図である。 図６は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。 図７は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。 図８は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。 図９は、図１のシート状プローブの部分拡大断面図である。 図１０は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した断面図である。 図１１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した断面図である。 図１２は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１３は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１４は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１５は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１６は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１７は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１８は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。 図１９は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２０は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２１は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２２は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２３は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２４は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２５は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図２６は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図２６（ａ）は平面図、図２６（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。 図２７は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図２７（ａ）は平面図、図２７（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。 図２８は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図２８（ａ）は平面図、図２８（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。 図２９（ａ）は、本発明の実施例のシート状プローブの製造方法に用いる金属フレーム板２４を説明する上面図、図２９（ｂ）は、実施例のシート状プローブの製造方法に用いる金属フレーム板２４の断面図である。 図３０は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３１は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３２は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３３は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３４は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３５は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３６は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の他の構成を示す説明用断面図である。 図３７は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施形態を示した断面図である。 図３８は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの他の実施形態を示した断面図である。 図３９は、図３８のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。 図４０は、図３８に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。 図４１は、図３９に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。 図４２は、図４０、図３８に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。 図４３は、実施例で作製した試験用ウエハを示す平面図である。 図４４は、図４３に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。 図４５は、図４４に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。 図４６は、実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。 図４７は、図４６に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。 図４８は、本発明のシート状プローブの金属フレーム板の形状を説明する平面図である。 図４９は、従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。 図５０は、従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。 図５１は、図５０に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。 図５２は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。 図５３は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。 図５４は、リング状の支持板を用いた従来のシート状プローブの断面図である。 図５５は、従来のシート状プローブの製造方法の概略を示す断面図である。 図５６は、比較例１のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

符号の説明

１ プローブカード
２ 支持部材
３ 加圧板
４ ウエハ載置台
５ 加熱器
６ ウエハ
７ 被検査電極
９ 接点膜
１０ シート状プローブ
１０Ａ 積層体
１０Ｂ 積層体
１０Ｃ 積層体
１０Ｋ 各表面電極部形成用凹所
１１ 絶縁性シート
１１Ｈ 貫通孔
１２Ａ、１２Ｂ レジスト膜
１２Ｈ パターン孔
１２ 貫通孔
１２ａ 貫通孔
１４Ａ レジスト膜
１４Ｂ レジスト膜
１５ 電極構造体
１６ 表面電極部
１６Ａ 表面側金属層
１７ 裏面電極部
１７Ａ 第２の裏面側金属層
１７Ｅ レジスト膜
１７Ｈ パターン孔
１８ 短絡部
１８Ｂ 絶縁層
１８Ｈ 貫通孔
１８Ｋ 短絡部形成用凹所
１９ 保持部
１９Ａ 第１の裏面側金属層
１９Ｈ パターン孔
２０ 検査用回路基板
２１ 検査電極
２２ 支持部
２４ 金属フレーム板
２５ 金属フレーム板
２６ 開口部
２８Ａ レジスト膜
２８Ｈ パターン孔
２９Ａ レジスト膜
２９Ｂ エッチング用レジスト膜
２９Ｃ レジスト膜
２９Ｈ パターン孔
２９Ｋ パターン孔
３０ 異方導電性コネクター
３１ フレーム板
３２ 開口
３３ 空気流入孔
３５ 異方導電性シート
３６ 導電部
３７ 絶縁部
３８ 突出部
４０ 保持部材
４０Ａ 保護フィルム
４０Ｂ 保護フィルム
５０ ガイドピン
８０ 異方導電性シート
８５ 検査用回路基板
８６ 検査電極
９０ シート状プローブ
９０Ａ 積層体
９０Ｂ 積層体
９０Ｃ 積層体
９０Ｋ 電極構造体形成用凹所
９１ 絶縁性シート材
９１Ａ 絶縁性シート材
９２ 金属層
９２Ｔ 先端径
９２Ｎ 絶縁部
９２Ａ 表面側金属層
９２Ｂ 裏面側金属層
９２Ｈ 開口部
９３ レジスト膜
９３Ａ レジスト膜
９４Ａ レジスト膜
９４Ｂ レジスト膜
９５ 電極構造体
９６ 表面電極部
９７ 裏面電極部
９８ 短絡部
９８Ｈ 貫通孔
９９ 支持部材
１００ シート状プローブ
１０２ フレーム板形成用金属板
１０４ 絶縁膜形成用樹脂シート
１０６ 積層体
１０８ 貫通孔
１１０ 短絡部
１１２ 表面電極部
１１４ 貫通孔
１１６ 金属フレーム板
１１８ 裏面電極部
１２０ 電極構造体
１２２ 絶縁膜
１２４ 接点膜

Claims (24)

1. 絶縁層と、
   この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、当該絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであって、
   前記電極構造体の各々は、
   前記絶縁層の表面に露出し、当該絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
   前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
   前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部と、
   前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁層の表面に沿って外方に伸びる保持部とよりなり、
   前記シート状プローブは、前記接点膜が貫通穴が形成された金属フレーム板の貫通孔の周縁部に支持され、
   前記金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されていることを特徴とするシート状プローブ。
2. 前記金属フレーム板に、複数の貫通穴が形成され、これらの各貫通穴に、前記接点膜が支持されていることを特徴とする請求項１に記載のシート状プローブ。
3. 前記金属フレーム板の周縁部に、前記絶縁膜とは離間して接着固定されたリング状の支持板とを備えることを特徴とする請求項１から２のいずれかに記載のシート状プローブ。
4. 前記金属フレーム板の周縁部を支持するリング状の支持部材と、
   前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部に支持された接点膜とを備え、
   前記接点膜には、前記複数の電極構造体が、柔軟な樹脂からなる絶縁層に貫通支持された回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブであって、
   前記絶縁膜の熱線膨張係数をＨ１とし、
   前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２とし、
   前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
   条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０^-5〜８×１０^-5／Ｋ
   条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
   条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
   を満足することを特徴とする請求項３に記載のシート状プローブ。
5. 前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２と、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
   条件（４）：Ｈ２−Ｈ３＝−１×１０^-5〜１×１０^-5／Ｋ
   を満足することを特徴とする請求項４に記載のシート状プローブ。
6. 前記金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
   条件（５）：Ｈ２＝−１×１０^-7〜２×１０^-5／Ｋを満足することを特徴とする請求項４から５のいずれかに記載のシート状プローブ。
7. 前記リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
   条件（６）：Ｈ３＝−１×１０^-7〜２×１０^-5／Ｋ
   を満足することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載のシート状プローブ。
8. 前記電極構造体のピッチが、４０〜１６０μｍであり、電極構造体の総数が、５０００
   個以上であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のシート状プローブ。
9. 前記リング状の支持部材が、検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁膜に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする請求項３から８のいずれかに記載のシート状プローブ。
10. 前記シート状プローブが、ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のシート状プローブ。
11. シート状プローブを製造する方法であって、
    少なくとも絶縁性シートと、
    この絶縁性シートの表面に形成された表面側金属層と、
    前記絶縁性シートの裏面に形成された第１の裏面側金属層とを有する積層体を用意し、
    この積層体における第１の裏面側金属層と絶縁性シートに互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、当該積層体の裏面に表面電極部形成用凹所を形成し、
    この積層体に対し、
    その表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成した後に該積層体の裏面側に絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された第２の裏面側金属層を形成し、
    この積層体における第２の裏面側金属層および絶縁層の各々に互いに連通し、底面に表面電極部を露出させた短絡部形成用凹所を形成し、
    この積層体に対し、
    その表面側金属層を電極としてメッキ処理を施して短絡部形成用凹所に金属を充填することにより、表面電極部の基端から連続して絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部を形成した後、
    第２の裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより裏面電極部を形成し、
    前記表面側金属層および前記絶縁性シートを除去することにより、前記表面電極部および前記第１の裏面側金属層を露出させ、
    その後、当該第１の裏面側金属層にエッチング処理を施すことにより、前記表面電極部の基端部分から連続して前記絶縁性シートの表面に沿って外方に伸びる保持部を形成する工程を有することを特徴とするシート状プローブの製造方法。
12. 第２の裏面側金属層にエッチング処理を施し、
    裏面電極部および金属フレーム板部に分割除去することを特徴とする請求項１１に記載のシート状プローブの製造方法。
13. 表面電極部形成用凹所における絶縁性シートの貫通孔が、当該絶縁性シートの裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項１２に記載のシート状プローブの製造方法。
14. 積層体としてその絶縁性シートがエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、
    表面電極部形成用凹所における絶縁性シートの貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１３に記載のシート状プローブの製造方法。
15. 短絡部形成用凹所における絶縁層の貫通孔が、当該絶縁層の裏面から表面に向かうに従って小径となる形状に形成されることを特徴とする請求項１４に記載のシート状プローブの製造方法。
16. 積層体としてその絶縁層がエッチング可能な高分子材料よりなるものを用い、
    短絡部形成用凹所における絶縁層の貫通孔がエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１５に記載のシート状プローブの製造方法。
17. 前記シート状プローブの製造方法が、
    前記表面電極部形成用凹所に金属を充填することにより絶縁層の表面から突出する表面電極部を形成した後に、
    貫通穴が形成された金属フレーム板を重ね合わせ、
    前記金属フレーム板の上から絶縁層と、この絶縁層の表面に形成された第２の裏面側金属層を形成することを特徴とする請求項１１に記載のシート状プローブの製造方法。
18. 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
    検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
    この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
    この異方導電性コネクター上に配置された請求項１から１０のいずれかに記載のシート状プローブと、
    を備えてなることを特徴とするプローブカード。
19. 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
    異方導電性コネクターは、
    検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
    このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
    を有してなることを特徴とする請求項１８に記載のプローブカード。
20. 請求項１８または請求項１９に記載されたプローブカードを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
21. 検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
    検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
    この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
    この異方導電性コネクター上に配置された請求項１１から１７のいずれかの方法にて製造されたシート状プローブと、
    を備えてなることを特徴とするプローブカード。
22. 検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
    異方導電性コネクターは、
    検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
    このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートとを有してなることを特徴とする請求項２１に記載のプローブカード。
23. 請求項２１または請求項２２に記載されたプローブカードを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
24. 複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、
    請求項１８、１９、２１、２２のいずれかに記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、
    前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウエハの検査方法。
    
    

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