WO2006051878A1

WO2006051878A1 - シート状プローブおよびプローブカードならびにウエハの検査方法

Info

Publication number: WO2006051878A1
Application number: PCT/JP2005/020646
Authority: WO
Inventors: Mutsuhiko Yoshioka; Hitoshi Fujiyama; Hisao Igarashi
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2004-11-11
Filing date: 2005-11-10
Publication date: 2006-05-18
Also published as: TW200619635A

Abstract

　検査対象が、直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供する。　絶縁層と、絶縁層の面方向に互いに離間して配置され、絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、電極構造体の各々は、絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出する表面電極部と、絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、表面電極部の基端から連続して絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、裏面電極部に連結された短絡部とよりなるとともに、短絡部の上端部分と表面電極部の基端部分との径が異なるよう肩部が設けられ、接点膜は、貫通孔が形成された金属フレーム板の貫通孔の周縁部に支持されているシート状プローブであって、金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されている。

Description

明細書

シート状プローブおよびプローブカードならびにウェハの検査方法技術分野

[0001] 本発明は、回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブ、およびプローブ力ード、ならびにウェハの検査方法に関し、さらに詳しくは、例えばウェハに形成された複数の集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために用いられるシート状プロ一ブ、およびプローブカード、ならびにウェハの検査方法に関する。

背景技術

[0002] 例えば、多数の集積回路が形成されたウェハや、半導体素子などの電子部品などの回路装置の電気検査では、被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置された検査用電極を有するプローブ装置が用いられてヽる。

従来から、このような装置としてピンもしくはブレードからなる検査用電極 (検査プローブ）が配列されたプローブ装置が使用されて、る。

[0003] 被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウェハである場合、ウェハ検査用のプローブ装置を作製するためには、非常に多数の検査プローブを配列することが必要となるので、プローブ装置は高価になる。

また、被検査電極のピッチが小さい場合には、プローブ装置を作製すること自体が困難になる。

[0004] さらにウェハには一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエノ、）ごとに異なるため、各ウェハの多数の被検査電極に対して、プローブ装置の検査プローブのそれぞれを安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。

このような問題に対応するため、一面に被検査電極のパターンに従って複数の検查用電極が形成された検査用回路基板の一面上に異方導電性シートを配置し、この異方導電性シート上に、絶縁シートにその厚さ方向に貫通して延びる複数の電極構造体が配列されたシート状プローブを配置したプローブカードが、特許文献 1 (特開 2001— 15565号公報）および特許文献 2 (特開 2002— 184821号公報）に提案されている。 [0005] このプローブカードのシート状プローブ 100は、図 39に示したように、ポリイミドなどの榭脂カもなる柔軟な円形の絶縁シート 104を有し、この絶縁シート 104には、その厚さ方向に延びる複数の電極構造体 102が被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置されている。

また絶縁シート 104の周縁部には、絶縁シート 104の熱膨張を制御するなどの目的で、例えばセラミックス力もなるリング状の支持部材 106が設けられている。

[0006] この支持部材 106は、絶縁シート 104の面方向の熱膨張を制御し、バーンイン試験において温度変化による電極構造体 102と被検査電極との位置ずれを防止するためのものである。

さらに各電極構造体 102は、絶縁シート 104の表面に露出する突起状の表面電極部 108と、絶縁シート 104の裏面に露出する板状の裏面電極部 110とが、絶縁シート 104をその厚さ方向に貫通して延びる短絡部 112を介して一体に連結された構造になっている。

特許文献 1 :特開 2001— 15565号公報

特許文献 2 :特開 2002— 184821号公報

特許文献 3：特許第 2828410号公報

特許文献 4：特開 2002— 76074号公報

特許文献 5：特願 2004 - 131764号

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] し力しながら、このようなシート状プローブには以下のような問題がある。

例えば直径 8インチ以上のウェハでは、 5000個または 10000個以上の被検查電極が形成されており、これらの被検査電極のピッチは 300 m以下であり、微細な場合は 160 m以下である。

このようなウェハの検査を行うためのシート状プローブとしては、ウェハに対応した大面積を有し、 5000個または 10000個以上の電極構造体が 300 μ m以下のピッチで配置されたものが必要となる。

[0008] しカゝしウェハを構成する材料の例であるシリコンの線熱膨張係数は、 3. 3 X 10"V K程度であり、一方シート状プローブの絶縁シートを構成する材料の例であるポリイミドの線熱膨張係数は、 4. 5 X 10— ⁵ΖΚ程度である。

従って、例えば 25°Cにおいてそれぞれ直径が 8インチ（20cm)のウエノ、、シート状プローブの各々を 25°Cから 125°Cまで加熱した場合には、理論上ウェハの直径の変ィ匕は 66 μ mにすぎないことになる力シート状プローブの絶縁シートの直径の変化は 900 μ mに達し、両者の熱膨張の差は 834 μ mとなる。

[0009] このように、ウェハとシート状プローブの絶縁シートとの間で面方向の熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、絶縁シートの周縁部をウェハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有する支持部材によって固定しても、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することが困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。

[0010] また、検査対象が小型の回路装置であっても、隣接する被検査電極間の離間距離が 50 m以下である場合には、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができな、。

このような問題点に対して特許文献 3 (特許第 2828410号公報)では、図 40に示したように、絶縁シート 204に張力を作用させた状態でリング状の支持部材 206に固定することにより、絶縁シート 204の熱膨張を緩和する方法、すなわちリング状の支持部材 206の熱膨張率 Aと、絶縁シート 204の熱膨張率 Bを同一の熱膨張率に制御する方法が提案されている。

[0011] しかしながらこの方法では、絶縁シート 204の全ての面方向について張力を均一に作用させることは極めて困難である。

また電極構造体 202を形成することによって絶縁シート 204に作用する張力のバランスが変化し、その結果、絶縁シート 204は熱膨張について異方性を有するようになる。

[0012] このため、面方向の一方向の熱膨張を抑制することは可能であっても、この一方向と交差する他方向の熱膨張を抑制することはできず、結局、温度変化による電極構造体 202と被検査電極との位置ずれを防止することができない。また、絶縁シート 204に張力を作用させた状態で支持部材 206に固定するためには、加熱下において絶縁シート 204を支持部材 206に接着するという煩雑な工程が必要となるため、製造コストの増大を招くという問題がある。

[0013] このため特許文献 4 (特開 2002— 76074号公報）においては、絶縁性フィルムと導電層とを積層した構造の積層フィルムを、所定の温度でセラミックリング上に張力を持たせて張り付け、この積層フィルムにバンプホールを形成して電気メツキを行い、バンプホール内にメツキを成長させ表面電極部を形成するとともに導電層を選択的にエツチングして、裏面電極部を形成して電極構造体を形成してヽる。

[0014] そして、絶縁性フィルムを選択的にエッチングして、電極構造体の部分を避けてリング状に残しパターンを形成して!/ヽる。

なお絶縁性フィルムの張力は、セラミックリングの元に戻ろうとする復元力に比べ非常に弱いものである。

このため、電極構造体を形成することによって熱膨張について異方性を有する原因である絶縁シートに作用する張力バランスを変化させ、さらに絶縁性フィルム上に残しパターンを形成することによって、セラミックリングの復元力に対抗させて、る。

[0015] また本出願人は、特許文献 5 (特願 2004— 131764号）において、検査対象が直径 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカードおよびその製造方法を既に提案している。

すなわち特許文献 5では、図 41 (a)に示したように、フレーム板形成用金属板 302 と、このフレーム板形成用金属板 302上に一体的に積層された絶縁層形成用榭脂シート 304とを有する積層体 306を用意し、この積層体 306の絶縁層形成用榭脂シ一ト 304に貫通孔 308を形成して!/、る。

[0016] さらに図 41 (b)に示したように、積層体 306に対してメツキ処理を施すことにより絶縁層形成用榭脂シート 304の貫通孔 308内に、フレーム板形成用金属板 302に連結された短絡部 310と、短絡部 310に連結された表面電極部 312を形成している。そして、図 41 (c)に示したように、フレーム板形成用金属板 302をエッチング処理することにより、貫通孔 314が形成された金属フレーム板 316を形成し、フレーム板形成用金属板 302の一部によって、短絡部 310に連結された裏面電極部 318を形成している。

[0017] これにより、表面に露出する表面電極部 312と裏面に露出する裏面電極部 318を有する電極構造体 320とが、柔軟な榭脂よりなる絶縁層 322に保持されてなる接点膜 324と、この接点膜 324を支持する金属フレーム板 316とから構成されるシート状プローブ 300が得られるものである。

このような特許文献 5のシート状プローブ 300では、絶縁層 322の面方向の熱膨張が金属フレーム板 316によって確実に規制されるので、検査対象が例えば直径 8ィンチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であつても、バーンイン試験にお!ヽて温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、良好な電気的接続状態が安定に維持されるものである。

[0018] しカゝしながら、特許文献 4および特許文献 5の、ずれの場合であっても、金属フレーム板 316と裏面電極部 318とが、同一の金属部材であるフレーム板形成用金属板 302から、エッチング処理によって選択的にエッチングすることによって構成されている。

この場合、エッチング処理においては、例えば、ポリイミドフィルムなど力もなる絶縁膜形成用榭脂シート 304が、エッチングされないか、または、エッチングの程度の小さいエッチング液、例えば、塩ィ匕第二鉄系エッチング液などを使用する必要がある。

[0019] このため、金属フレーム板 316と裏面電極部 318とを構成する金属部材であるフレーム板形成用金属板 302を、このようなエッチング液にて容易にエッチングすることができる金属種、例えば、銅、鉄、ステンレス、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、 42合金などの合金または合金鋼力選択する必要があるとともに、エッチング性を考慮すれば、厚みなどに制約があり、例えば、曲げに対する弾性、機械的強度、入手性などからも問題がある

[0020] さらに、裏面電極部 318として、電気的特性に優れた金属である、例えば、銅などは、線膨張係数が大きぐ硬度が低いので、このような金属を、フレーム板形成用金属板 302の構成金属として用いることができな、。本発明は、このような現状に鑑み、検査対象が、直径が 8インチ以上の大面積のゥェハゃ被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブおよびその製造方法を提供することを目的として!/ヽる。

[0021] また、本発明は、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、線膨張係数、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成でき、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなぐ好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができるシート状プローブおよびその製造方法を提供することを目的としている。

[0022] また、本発明は、検査対象が、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカード、およびこれを備えた回路装置の検査装置ならびにウェハ検査方法を提供することを目的として！ヽる。

課題を解決するための手段

[0023] 本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明されたものであって、本発明のシート状プローブは、

絶縁層と、

前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置され、さらに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、

前記電極構造体の各々は、

前記絶縁層の表面に露出し、さらに前記絶縁層の表面力突出する表面電極部と前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、

前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなるとともに、

前記短絡部の上端部分と前記表面電極部の基端部分との径が異なるよう肩部が設けられ、

前記接点膜は、

貫通孔が形成された金属フレーム板の貫通孔の周縁部に支持されているシート状プローブであって、

前記金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されてヽることを特徴とする。

[0024] このようなシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通孔に接点膜を支持しているので、貫通孔に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。例えば、検查対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通孔を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通孔に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。

[0025] このような面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。従って、検査対象が、例えば、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

[0026] また、金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されて、るので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成できる。

例えば、裏面電極部を形成する金属に対してエッチング処理を施して、裏面電極部を形成する際に使用する通常のエッチング液に対して、エッチング不能であるか、または、エッチング速度が非常に遅い金属を、金属フレーム板として用いることができる。

[0027] また、電極構造体の裏面電極部と金属フレーム板とを同一の金属部材から、エッチング処理によって、貫通孔を形成して金属フレーム板部分と裏面電極部とを形成する場合には、金属フレーム板としての構造強度などの機能を維持するために、裏面電極部と金属フレーム板とを形成する同一金属部材の厚みを大きくする必要がある。しかしながら、このように裏面電極部と金属フレーム板とを形成する同一金属部材の厚みを大きくすれば、上記の貫通孔を形成することが困難となってしまう。

[0028] これに対して、本願発明のように、金属フレーム板と裏面電極部とを、異なる金属部材から構成することによって、裏面電極部を構成する金属部材を、裏面電極部を形成するための貫通孔をエッチング処理によって形成し易くするために薄くすることができる。一方、金属フレーム板としての機能を維持するために、金属フレーム板の厚みを、裏面電極部を構成する金属部材に比較して厚ヽ金属部材からなる金属フレーム板を用いることができる。

[0029] さらに、裏面電極部が、金属フレーム板と異なる金属部材力構成されているので、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなぐ好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができる。

また、肩部を設けることにより、電極構造体の表面電極部を小さくすることができるとともに、肩部より下方の短絡部部分を大径とすることによって、貫通孔と電極構造体との接触面積が増大し、貫通孔より電極構造体が抜け落ちることを防止することができる。

[0030] また、本発明のシート状プローブは、前記肩部に、前記絶縁層の面方向の外方に伸びる保持部が設けられていることを特徴とする。

このように肩部に保持部が設けられていれば、電極構造体が不意に抜落してしまうことを防止することができる。

また、本発明のシート状プローブは、前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に埋没状態となるように、前記電極構造体が設けられて!/ヽることを特徴とする

[0031] このように構成することによって、電極構造体と貫通孔との接触面積を確保することにより、電極構造体が貫通孔より脱落してしまうことを防止することができる。

また、本発明のシート状プローブは、

前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層の表面と略同一となるように、前記電極構造体が設けられて！/ヽることを特徴とする。

[0032] このように肩部に設けられた保持部が絶縁層の表面と略同一となるように電極構造体が設けられていても、肩部より下方の短絡部を大径とすれば、貫通孔と電極構造体との接触面積を十分確保することができ、電極構造体が貫通孔より脱落してしまうことを防止することができる。

また、本発明のシート状プローブは、

前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に一部埋没となるように構成されていることを特徴とする。

[0033] このように肩部に設けられた保持部が絶縁層に一部埋没となるように電極構造体が設けられていても、肩部より下方の短絡部を大径とすれば、貫通孔と電極構造体との接触面積を十分確保することができ、電極構造体が貫通孔より脱落してしまうことを防止することができる。

また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部を構成する金属部材の構成金属が、異なる金属種の構成金属から構成されて!、ることを特徴とする。

[0034] このように構成することによって、金属フレーム板を構成する金属部材の構成金属と

、裏面電極部を構成する金属部材の構成金属が、異なる金属種の構成金属から構成されているので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成できる。

[0035] 例えば、裏面電極部を形成する金属に対してエッチング処理を施して、裏面電極部を形成する際に使用する通常のエッチング液に対して、エッチング不能であるか、または、エッチング速度が非常に遅い金属を、金属フレーム板として用いることができる。

また、電極構造体の裏面電極部と金属フレーム板とを同一の金属部材から、エッチング処理によって、貫通孔を形成して金属フレーム板部分と裏面電極部とを形成する場合には、金属フレーム板としての構造強度などの機能を維持するために、裏面電極部と金属フレーム板とを形成する同一金属部材の厚みを大きくする必要がある。しかしながら、このように裏面電極部と金属フレーム板とを形成する同一金属部材の厚みを大きくすれば、上記の貫通孔を形成することが困難となってしまう。

[0036] これに対して、本願発明のように、金属フレーム板と裏面電極部とを、異なる金属部材から構成することによって、裏面電極部を構成する金属部材を、裏面電極部を形成するための貫通孔をエッチング処理によって形成し易くするために薄くすることができる。一方、金属フレーム板としての機能を維持するために、金属フレーム板の厚みを、裏面電極部を構成する金属部材に比較して厚ヽ金属部材からなる金属フレーム板を用いることができる。

[0037] さらに、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなぐ好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができる。

また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部を構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属力構成されて、ることを特徴とする。

[0038] このように金属フレーム板を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部を構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属を選択することも可能である。また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の貫通孔の周縁部に、絶縁膜によって貫通孔の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜が支持されていることを特徴とする。

[0039] このように構成することによって、接点膜の絶縁膜が金属フレームの貫通孔の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、金属フレームにより接点膜を固定支持しているので、固定強度が高ぐ繰り返し使用による接点膜の剥離等を防止できる。

また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の貫通孔の周縁部上に、絶縁膜によって接点膜が支持されていることを特徴とする。

[0040] このように構成することによつても、金属フレーム板の貫通孔の周縁部上に、絶縁膜によって接点膜が支持されているので、固定強度が高ぐ繰り返し使用による接点膜の剥離等を防止できる。

また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板カ^ング状であり、その貫通孔に単一の接点膜が支持されていることを特徴とする。

[0041] このように構成することによって、接点膜力その全面にわたってフレーム板に支持されるため、接点膜が大面積のものであっても、その絶縁膜の面方向の熱膨張が、金属フレーム板によって確実に規制される。

従って、検査対象が、例えば、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

[0042] また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板に、複数の貫通孔が形成され、これらの各貫通孔に、前記接点膜が支持されていることを特徴とする。

このように構成することによって、フレーム板には、検査対象である回路装置の被検查電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通孔が形成されており、これらの貫通孔の各々に配置される接点膜は面積の小さいものでよぐ面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張をフレーム板によって確実に規制することが可能となる。

[0043] 従って、検査対象が、例えば、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の周縁部に、前記絶縁膜とは離間して設けられたリング状の支持板とを備えることを特徴とする。

[0044] このように構成することによって、リング状の支持部材は、接点膜の面方向の熱膨張を制御することができ、これにより、位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

また、本発明のシート状プローブは、前記リング状の支持部材が、

検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁層に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されて、ることを特徴とする。 [0045] このように構成することにより、シート状プローブの検査装置本体への着脱が容易であり、し力もその位置を確実に固定することができ、位置ずれが確実に防止され、その結果良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

また、本発明のシート状プローブは、前記シート状プローブが、

ウェハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする。

[0046] このように本発明のシート状プローブは、ウェハに形成された複数の集積回路につ V、て、集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために好適に用いることができる。また、本発明のプローブカードは、検査対象である回路装置の被検査電極に対応する検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、

この検査用回路基板上に配置される異方導電性コネクターと、

この異方導電性コネクター上に配置される上記シート状プローブとを備えることを特徴とする。

[0047] また、本発明の回路装置の検査装置は、上記プローブカードを備えることを特徴とする。

また、本発明のウェハの検査方法は、複数の集積回路が形成されたウェハの各集積回路を、上記プローブカードを介してテスターに電気的に接続し、各集積回路の電気検査を行うことを特徴とする。

[0048] また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

絶縁性シートの表面に表面側金属層、裏面に第 1の裏面側金属層が形成された積層体を準備する工程と、

前記積層体に、前記表面側金属層に形成すべき電極構造体のパターンに対応するパターンに従って、第 1の裏面側金属層側から、表面電極部形成用凹所を形成する工程と、

前記積層体の前記表面電極部形成用凹所を、第 1の裏面側金属層側から覆うように、レジストパターンを形成する工程と、

前記積層体の前記第 1の裏面側金属層のレジストパターン以外の露出した部分をエッチング処理することにより、前記表面電極部形成用凹所の周縁部に、前記第 1の裏面側金属層が一部残存した状態とする工程と、

貫通穴が形成された金属フレーム板を、絶縁層中に埋設した状態とした絶縁層と第 2の裏面側金属層からなるシートを用意し、前記絶縁層側が、表面電極部形成用凹所側となるように配置することにより、前記表面電極部形成用凹所が前記絶縁層に塞がれて空洞状態とする工程と、

前記絶縁層に、前記表面電極部形成用凹所よりも大きな電極構造体形成用の開口部を形成する工程と、

前記電極構造体形成用の開口部に電気メツキを行って、電極構造体部分を形成する工程と、

前記第 2の裏面側金属層にエッチング処理を施して、裏面電極部を形成する工程と、

前記絶縁性シートにエッチング処理を施して、絶縁性シートの厚みを薄くすることにより、前記電極構造体の表面電極部部分を突出させるとともに、前記表面電極部形成用凹所の周縁部に一部残存した前記第 1の裏面側金属層を、前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程と、

前記金属フレーム板の周縁部を被覆する前記絶縁層をエッチングにより除去し、前記金属フレーム板の周縁部を露出させる工程と、

露出した金属フレーム板の外周縁に前記絶縁層とは離間してリング状の支持部材を設ける工程と、

を含むことを特徴とする。

また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記第 1の裏面側金属層を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程において、前記第 1の裏面側金属層力前記絶縁層の表面と略同一となるようにすることを特徴とする。

また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記第 1の裏面側金属層を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程において、前記第 1の裏面側金属層が、前記絶縁層内に一部埋没状態となるようにすることを特徴とする。 [0050] また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記絶縁層に、前記表面電極部形成用凹所よりも大きな電極構造体形成用の開口部を形成することにより、前記表面電極部形成用凹所と前記開口部との間に肩部を設ける工程と、

前記絶縁性シートにエッチング処理を施して、絶縁性シートの厚みを薄くすることにより、前記電極構造体の表面電極部部分を突出させるとともに、前記肩部を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程と、

を含むことを特徴とする。

[0051] また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記肩部を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程において、

前記肩部が、前記絶縁層の表面と略同一となるようにすることを特徴とする。また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記貫通穴が形成された金属フレーム板を、絶縁層中に埋設した状態とした絶縁層と第 2の裏面側金属層力なるシートを用意する工程が、

貫通穴が形成された金属フレーム板を用意する工程と、

前記金属フレーム板に対して、柔軟な榭脂からなる絶縁層を、前記貫通穴を覆うように金属フレーム板に被覆する工程と、

を含むことを特徴とする。

[0052] また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記被覆工程が、前記金属フレーム板に対して、柔軟な榭脂からなる絶縁層を、前記貫通穴を覆うように金属フレーム板の両面側力被覆する工程であることを特徴とする。

また、本発明のシート状プローブの製造方法は、

前記被覆工程が、前記金属フレーム板に対して、柔軟な榭脂からなる絶縁層を、前記貫通穴を覆うように金属フレーム板の上面に被覆する工程であることを特徴とする発明の効果

[0053] 本発明のシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通孔に接点膜を支持しているので、貫通孔に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。

例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通孔を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通孔に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。

[0054] このような面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる従って、検査対象が、例えば、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

[0055] また、金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されて、るので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成できる。

[0056] また、電極構造体の裏面電極部と金属フレーム板とを同一の金属部材から、エッチング処理によって、貫通孔を形成して金属フレーム板部分と裏面電極部とを形成する場合には、金属フレーム板としての構造強度などの機能を維持するために、裏面電極部と金属フレーム板とを形成する同一金属部材の厚みを大きくする必要がある。しかしながら、このように裏面電極部と金属フレーム板とを形成する同一金属部材の厚みを大きくすれば、上記の貫通孔を形成することが困難となってしまう。

[0057] これに対して、本願発明のように、金属フレーム板と裏面電極部とを、異なる金属部材から構成することによって、裏面電極部を構成する金属部材を、裏面電極部を形成するための貫通孔をエッチング処理によって形成し易くするために薄くすることができる。一方、金属フレーム板としての機能を維持するために、金属フレーム板の厚みを、裏面電極部を構成する金属部材に比較して厚ヽ金属部材からなる金属フレーム板を用いることができる。

[0058] さらに、裏面電極部を、金属フレーム板と異なる金属部材力構成されているので、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなぐ好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができる。

[0059] さらに、絶縁層に一部または全部が埋没した保持部を設けることにより、バーンイン試験等において、繰り返し試験を行った場合においても、保持部の変形が抑制され、保持部が絶縁層より剥離することが抑制される。

これにより、電極構造体の絶縁層からの脱落をさらに抑制でき、シート状プローブの耐久性がさらに高いものとなる。

[0060] また、本発明に係るシート状プローブの製造方法によれば、予め貫通孔を形成した金属フレーム板を用いて、この金属フレーム板に対して、絶縁層を被覆した後に、絶縁層に電極構造体を貫通形成しているので、金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材力構成されていることになるので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板を形成できる。

[0061] 例えば、金属フレーム板として、裏面電極を形成する通常のエッチング液では、ェツチング不能、あるいはエッチング速度が非常に遅い金属を用いることができる。また、電極構造体の裏面電極部と同一材を用いてエッチングにより貫通孔を形成するには過大な厚みを有する金属板を、金属フレーム板として用いることもできる。

さらに、裏面電極部を、金属フレーム板と異なる金属部材力構成されているので、裏面電極として、金属フレーム板としての金属に制約されることがなぐ好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極の構成金属として用いることができる。

[0062] 本発明のプローブカード、回路装置の検査装置およびウェハの検査方法によれば、検査対象が、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

図面の簡単な説明

[0063] [図 1]図 1は、本発明のシート状プローブの実施例を示した図であり、図 1 (a)は平面図、図 1 (b)は X—X線による断面図である。

[図 2]図 2は、図 1のシート状プローブの接点膜を拡大して示した平面図である。 [図 3]図 3は、図 2の X—X線による部分断面図である。

[図 4]図 4は、図 1のシート状プローブの接点膜の支持部の断面図である。

[図 5]図 5は、本発明のシート状プローブの金属フレーム板の形状を説明する平面図である。

[図 6]図 6は、シート状プローブの他の実施例を示した図であり、図 6 (a)は平面図、図 6 (b)は X—X線による断面図である。

[図 7]図 7は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 8]図 8は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 9]図 9は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 10]図 10は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 11]図 11は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 12]図 12は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 13]図 13は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 14]図 14は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 15]図 15は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 16]図 16は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 17]図 17は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 18]図 18は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 19]図 19は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 20]図 20は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 21]図 21は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 22]図 22は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である [図 23]図 23は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 24]図 24は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 25]図 25は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 26]図 26は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 27]図 27は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である

[図 28]図 28は、シート状プローブに金属フレーム板の取り付け方法を説明する断面図である。

[図 29]図 29は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図 29 (a )は平面図、図 29 (b)は X— X線による断面図である。

[図 30]図 30は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図 30 (a )は平面図、図 30 (b)は X— X線による断面図である。

[図 31]図 31は、本発明のシート状プローブの接点膜の支持部の別の実施例の断面図である。

[図 32]図 32は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 33]図 33は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 34]図 34は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

[図 35]図 35は、本発明のシート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である [図 36]図 36は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブ力ードの実施例を示した断面図である。

[図 37]図 37は、図 36のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。

[図 38]図 38は、図 37のプローブカードの要部構成を示した断面図である。

[図 39]図 39は、従来のシート状プローブの断面図である。

[図 40]図 40は、従来のシート状プローブの断面図である。

[図 41]図 41は、従来のシート状プローブの製造方法の概略を示した断面図である。

[図 42]図 42は、比較例におけるシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。

符号の説明

2 支持部材

3 加圧板

4 ウェハ載置台

5 加熱器

6 ウエノヽ

7 被検査電極

9 接点膜

10 シート状プローブ

10A積層体

10B積層体

10C積層シート

10D 積層シート

10K表面電極部形成用凹所

11A絶縁性シート

11H貫通孔

12 貫通孔

12a貫通孔

12b貫通孔 Aレジスト膜

Hパターン孔

H各パターン孔

レジストパターン電極構造体

a表面電極部

b裏面電極部

c短絡部

d肩部

e保持部

H開口部

a榭脂シート

b高分子物質形成用液状物c樹脂部分

d榭脂部分

e樹脂部分

A表面側金属層

Hパターン孔

A裏面側金属層

絶縁層

A 絶縁層

H貫通孔

支持部

A裏面側金属層

Hパターン孔

検査用回路基板検査電極

電極構造体部分金属フレーム板Aレジスト膜

Bレジスト膜

Hパターン孔

レジスト膜

Aレジスト膜

Hパターン孔

異方導電性コネクターフレーム板検査用電極

Aレジスト膜

異方導電性シート導電部

a導電性粒子

絶縁部

突出部

A保護フィルム

ガイドピン

0シート状プローブ0高分子物質形成材料2電極構造体

4絶縁シート

6支持部材

8表面電極部

0裏面電極部

2短絡部

1電極構造体

2電極構造体 204絶縁シート

206支持部材

300シート状プローブ

302フレーム板形成用金属板

304絶縁層形成用榭脂シート

306積層体

308貫通孔

310短絡部

312表面電極部

314貫通孔

316金属フレーム板

318裏面電極部

320電極構造体

322絶縁層

324接点膜

発明を実施するための最良の形態

[0065] 以下、本発明の実施の形態 (実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。

なお、添付した各図面は説明用のものであり、その各部の具体的なサイズ、形状等は、本明細書の記載、および、従来技術に基づいて当業者に理解されるところによる

1.シート状プローブについて：

図 1は、本発明のシート状プローブの実施例を示した図であり、図 1 (a)は平面図、図 1 (b)は X—X線による断面図である。図 2は、図 1のシート状プローブの接点膜を拡大して示した平面図、図 3は、図 2の X—X線による断面図である。

[0066] 本実施形態のシート状プローブは、複数の集積回路が形成された 8インチ等のゥェハについて、各集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために用いられる。このシート状プローブ 10は、被検査対象であるウェハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔 12が形成された金属フレーム板 25を有し、この貫通孔 12内には接点膜 9が配置されている。

[0067] 接点膜 9は、金属フレーム板 25の貫通孔 12の周辺の支持部 19で、金属フレーム板 25に支持されている。図 1 (b)および図 3に示したように、この支持部 19では、金属フレーム板 25が、榭脂製の絶縁層 18の内部に入り込んだ一体ィ匕構造が形成され

、この一体化された部分で接点膜 9が支持されてヽる。

すなわち、金属フレーム板 25の貫通孔 12の周縁部に、絶縁層 18によって貫通孔

12の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜 9が支持されている。

[0068] すなわち、絶縁層 18の厚さ方向に延びる複数の電極構造体 15が、検査対象であるウェハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層 18の面方向に互いに離間して配置されている。

このような電極構造体 15は、図 3に示したように、絶縁層 18の表面に露出する突起状の表面電極部 15aと、絶縁層 18の裏面に露出する板状の裏面電極部 15bと、絶縁層 18の厚さ方向に貫通して延びる短絡部 15cとが一体ィ匕した構造になって、る。

[0069] さらに短絡部 15cの上端部分と表面電極部 15aの基端部分との間には、短絡部 15 cの上端部分と表面電極部 15aの基端部分との径が異なるように肩部 15dが設けられている。

この肩部 15dには、絶縁層 18の面方向の外方に伸びる保持部 15eが設けられており、保持部 15eは絶縁層 18内に埋没状態となって！/、る。

[0070] なお、本実施例において肩部 15dには保持部 15eが形成されている力この保持部 15eは必須のものではなぐ後に説明する本発明の他の実施例のように保持部のな、状態でもよ、ものである。

さらに肩部 15dは、保持部 15eがな、状態にお、て絶縁層 18内に埋没状態であつても、また絶縁層 18の表面と略同一となるような状態であってもよぐ特に限定されないものである。

[0071] また、このようなシート状プローブ 10は、周縁部に剛性を有する平板リング状の支持部材 2が設けられている。

<金属フレーム板 >

金属フレーム板 25を構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシゥム、マンガン、モリブデン、インジウム、チタン、タングステン、またはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができるが、後述する製造方法において、エツチング処理によって容易に貫通孔 12を形成することができる点で、 42合金、インバー、コバールなどの鉄ニッケル合金鋼が好まし！/、。

[0072] また、金属フレーム板 25としては、その線熱膨張係数が 3 X 10—⁵ΖΚ以下のものを用いることが好ましぐより好ましくは 1 X 10— ⁷〜1 X 10" ⁵/Κ,特に好ましくは 1 X 10— ⁶

〜8 X 10— ⁶Ζκである。

このような金属フレーム板 25を構成する材料の具体例としては、インバーなどのィンバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーノ一インノ一、コノ一ノレ、 4

2合金などの合金または合金鋼が挙げられる。

[0073] また、金属フレーム板 25の厚みは、 3〜150 mであることが好ましぐより好ましくは 5〜： LOO /z mである。

この厚みが過小である場合には、接点膜 9を支持する金属フレーム板 25として必要な強度が得られな、ことがある。

<絶縁層 >

絶縁層 18としては、柔軟性を有する榭脂膜が用いられる。絶縁層 18の形成材料としては、電気的絶縁性を有する榭脂材料であれば特に限定されないが、例えば、ポリイミド系榭脂、液晶ポリマー、およびこれらの複合材料が挙げられる。中でも、金属フレーム板 25と一体ィ匕された支持部 19を容易に形成でき、エッチングも容易であるポリイミドが好ましい。

[0074] ポリイミドにより絶縁膜を形成する場合は、熱硬化性のポリイミド、熱可塑性のポリイミド、感光性のポリイミド、ポリイミド前駆体を溶媒に希釈したポリイミドのワニス、溶液等を用いて榭脂膜を形成することが好まし、。

絶縁層 18の厚みは、良好な柔軟性を得る点などから、 5〜： LOO /z mであることが好ましぐより好ましくは 7〜70 /ζ πι、さらに好ましくは 10〜50 /ζ πιである。

<電極構造体 >

電極構造体 15の材料としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、金、銀、ノラジウム、鉄、コバルト、タングステン、ロジウム、またはこれらの合金もしくは合金鋼等が挙げられる。電極構造体 15は、全体を単一の金属もしくは合金で形成してもよぐ 2種以上の金属もしくは合金を積層して形成してもよい。

[0075] 表面に酸化膜が形成された被検査電極について電気検査を行う場合には、シート状プローブの電極構造体 15と被検査電極を接触させ、電極構造体 15の表面電極部 15aにより被検査電極の表面の酸化膜を破壊して電極構造体 15と被検査電極との電気的接続を行うことが必要である。

このため、電極構造体 15の表面電極部 15aは、酸ィ匕膜を容易に破壊することができる程度の硬度を有して、ることが望ま、。このような表面電極部 15aを得るために、表面電極部 15aを形成する金属中に、硬度の高い粉末物質を含有させることができる。

[0076] このような粉末物質としては、例えば、ダイヤモンド粉末、窒化シリコン、炭化シリコン、セラミックス、ガラスを挙げることができ、これらの非導電性の粉末物質を適量含有させること〖こより、電極構造体 15の導電性を損なうことなぐ電極構造体 15の表面電極部 15aにより被検査電極の表面に形成された酸ィ匕膜を破壊することができる。また、被検査電極の表面の酸化膜を容易に破壊するために、電極構造体 15の表面電極部 15aの形状を鋭利な突起状とするとよぐまた表面電極部 15aの表面に微細な凹凸を形成してもよい。

[0077] このように、表面電極部 15aの形状は必要に応じて適宜の形状としてよいものである。

また 1つの接点膜 9には、ウェハ上の集積回路の被検査電極の数にもよる力例えば数十個以上の電極構造体 15が形成される。

この場合、表面電極部 15aは、先端の径 R1から基端部の径 R2に従って径が広くなる円錐台形状で、絶縁層 18Aの表面力も突出している。

[0078] また、短絡部 15cは、表面電極部 15aの基端部の径 R2より若干広い径で、先端の径 R3を有し、さらに、基端部の径 R4に従って径が広くなる円錐台形状である。また、短絡部 15cの基端部には、矩形で径 R5を有する裏面電極部 15bが設けられている。この裏面電極部 15bは、絶縁層 18Aから突出して形成されている。

さらに、表面電極部 15aの基端部と短絡部 15cの基端部との間には、径の大きさの差異により肩部 15dが形成されている。

[0079] この肩部 15dの上には、絶縁層 18Aの面方向の外方に伸びる矩形状の保持部 15 eが設けられている。

さらに、形状が矩形の保持部 15eが、肩部 15d上に形成されている。保持部 15eの径 R6は、短絡部 15cの先端の径 R3よりも広、径で設けられて、る。

なお、上記の説明において、裏面電極部 15bおよび保持部 15eは矩形であるため、縦横の寸法のうち短手方向の寸法を、それぞれ径 R5、 R6として説明している。

[0080] このように、表面電極部 15aから裏面電極部 15bに至る径 R1から R5は、表面電極部 15aの先端の径 R1から基端部の径 R2、さらに、短絡部 15cの先端の径 R3から基端部の径 R4、裏面電極部 15bの径 R5の順に大径となり、次の関係を満たしている。 RKR2<R3<R4<R5

また、保持部 15eの径 R6は、好ましくは、次の関係を満たしている。

R3<R6<R5

このような、電極構造体 15が、絶縁層 18Aの上下に貫通するとともに、一定の配置ピッチ Pで形成されている。

[0081] なお、上記の説明では、裏面電極部 15bを矩形状で説明したが、その他の形状、例えば、円形状、楕円形状などとすることも勿論可能である。

<支持部材>

シート状プローブ 10の周縁部には、剛性を有する平板リング状の支持部材 2を設けることができる。このような支持部材 2の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、 42ァロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。

[0082] また、支持部材 2の厚さとしては、好ましくは 2mm以上であるのが望まし、。

このような範隨こリング状の支持部材 2の厚さを設定することによって、金属フレーム板 25と支持部材 2の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体 15と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。

このような支持部材 2により、その剛性でシート状プローブ 10を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えば、支持板に形成した孔と、プローブカードに設けられたガイドピンとを係合させることにより、あるいは支持板と、プローブカード周縁部に設けられた周状の段差部とを嵌め合わせることにより、シート状プローブ 10の接点膜 9に設けられた電極構造体 15を、被検査物の被検査電極ゃ異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができる。

[0083] さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付きや電極構造体 15の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。

<被覆膜 >

電極構造体 15の裏面電極部 15bには必須ではないが被覆膜 (図示せず)が備えられても良い。

[0084] なお、被覆膜（図示せず）は、例えば、裏面電極部 15bの材料が化学的に安定して V、な、場合や導電性が不十分な場合に設けると良、。

材質としては化学的に安定な金、銀、ノラジウム、ロジウムなどの高導電性金属を用!/、ることができる。

また、電極構造体 15の表面電極部 15aにも金属被覆膜を形成することができ、例えば、被検査電極が半田材料より形成されている場合には、この半田材料が拡散することを防止する点から、銀、ノラジウム、ロジウムなどの耐拡散性金属で表面電極部 15aを被覆することが望ましい。

[0085] このようなシート状プローブ 10によれば、金属フレーム板 25の貫通孔 12に金属フレーム板 25が、榭脂製の絶縁層 18の内部に入り込んだ一体ィ匕構造が形成され、この一体化された部分である支持部 19で、接点膜 9が支持されている。

従って、貫通孔 12に配置される接点膜 9の面積を小さくすることができ、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通穴を形成した金属フレーム板 25を用いることができ、これらの各貫通孔 12に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜 9の面積を大幅に小さくすることができる。

[0086] このような面積の小さい接点膜 9は、その絶縁層 18の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁層 18の熱膨張を金属フレーム板 25によって確実に規制することが可能となる。従って、検査対象が、例えば、直径が 8インチ以上の大面積のウェハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。

[0087] また、本発明のシート状プローブ 10では、金属フレーム板 25と裏面電極部 15bとが、異なる金属部材力構成されている。

すなわち、後述するように、金属フレーム板 25は、複数個の貫通孔 12が、例えば、パンチング、レーザカ卩ェなどによって形成されている金属材料力構成されるものである。

[0088] 一方、後述するように、裏面電極部 15bは、図 12 (a)に示したように、表面側金属層 16Aを共通電極として、電極構造体形成用の開口部 15Hに電気メツキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22を形成することによつて、裏面電極部 15bとして形成された金属材料から構成されるものである。

このように、金属フレーム板 25と裏面電極部 15bとが、異なる金属部材カも構成されているので、金属フレーム板の構成金属種、厚み等に制約がなぐ例えば、曲げに対する弾性、入手性などを考慮して任意の金属種で、且つ任意の厚みで金属フレーム板 25を形成できる。

[0089] 例えば、金属フレーム板 25として、裏面電極部 15bを形成する際に、後述する第 2 の裏面側金属層 17Aをエッチングする通常のエッチング液では、エッチング不能、あるいはエッチング速度が非常に遅い金属を用いることができる。また、電極構造体 15 の裏面電極部 15bと同一材を用いてエッチングにより貫通孔 12を形成するには過大な厚みを有する金属板を、金属フレーム板 25として用いることもできる。

[0090] さらに、裏面電極部 15bが、金属フレーム板 25と異なる金属部材から構成されているので、裏面電極部 15bとして、金属フレーム板 25としての金属に制約されることがなぐ好ましい金属、例えば、電気的特性に優れた銅などを裏面電極部 15bの構成金属として用いることができる。

この場合、金属フレーム板 25を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部 15b を構成する金属部材の構成金属が、異なる金属種の構成金属から構成されて!ヽてもよい。 [0091] また、金属フレーム板 25を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部 15bを構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属から構成されて!、てもよヽ。また、本発明のシート状プローブ 10によれば、図 4 (a)に示したように、接点膜 9の支持部 19が、金属フレーム板 25と絶縁層 18とが一体ィ匕した構造となっている。すなわち、金属フレーム板 25の貫通孔 12の周縁部に、絶縁層 18によって貫通孔 12の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜 9が支持されて、るので固定強度が高く、このシート状プローブを用いた検査装置による電気検査にお!、て高!、繰り返し耐久性が得られる。

2.シート状プローブの製造方法について：

以下、シート状プローブ 10の製造方法につ、て説明する。

[0092] 以下、本実施例のシート状プローブ 10の第 1の実施例の製造方法について説明する。

図 8 (a)に示すように、絶縁性シート 11Aと、この絶縁性シート 11Aの表面に形成された表面側金属層 16Aと、絶縁性シート 11Aの裏面に形成された第 1の裏面側金属層 19Aとよりなる積層体 10Aを用意する。

絶縁性シート 11 Aは、絶縁性シート 11 Aの厚みと第 1の裏面側金属層 19Aの厚みとの合計の厚み力形成すべき電極構造体 15における表面電極部 15aの突出高さと同等となるちのとされる。

[0093] また、絶縁性シート 11 Aを構成する材料としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなぐ例えばポリイミド榭脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系榭脂などカゝらなる榭脂シート、繊維を編んだクロスに上記の榭脂を含浸したシートなどを用いることができる。

このうち、表面電極部 15aを形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましぐ特にポリイミドが好ましい。

[0094] また、絶縁性シート 11 Aの厚みは、絶縁性シート 11Aが柔軟なものであれば特に限定されるものではないが、好ましくは 10〜50 μ m、より好ましくは 10〜25 μ mである。このような積層体 10Aは、例えば、一般に市販されている両面に銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用いることができる。

[0095] このような積層体 10Aに対し、図 8 (b)に示したように、その表面側金属層 16Aの表面全体に保護フィルム 40Aを積層すると共に、第 1の裏面側金属層 19Aの表面に、形成すべき電極構造体 15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 12Hが形成されたエッチング用のレジスト膜 12Aを形成する。

ここで、レジスト膜 12Aを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されて、る種々のものを用いることができる。

[0096] 次いで、第 1の裏面側金属層 19Aに対し、レジスト膜 12Aのパターン孔 12Hを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、図 8 (c)に示すように、第 1の裏面側金属層 19Aに、それぞれレジスト膜 12Aのパターン孔 12H に連通する複数のパターン孔 19Hが形成される。

その後、絶縁性シート 11Aに対し、レジスト膜 12Aの各パターン孔 12Hおよび第 1 の裏面側金属層 19Aの各パターン孔 19Hを介して露出した部分に、エッチング処理を施して、その部分を除去することにより、図 9 (a)に示すように、絶縁性シート 11Aに、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19Hに連通する、絶縁性シート 11 Aの裏面力表面に向力うに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔 11Hが形成される。

[0097] これにより、積層体 10Aの裏面に、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19H、絶縁性シート 11Aの貫通孔 11Hが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所 10Kが形成される。

以上において、第 1の裏面側金属層 19Aをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば銅よりなるものである場合には、塩ィ匕第二鉄水溶液を用いることができる。

[0098] また、絶縁性シート 11Aをエッチング処理するためのエッチング液としては、ァミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸ィ匕カリウム水溶液等を用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁性シート 11Aに、裏面から表面に向力に従って小径となるテーパ状の貫通孔 11Hを形成することができる。さらにその後、図 9 (b)に示したように、表面電極部形成用凹所 10Kが形成された積層体 10Aからレジスト膜 12Aを除去する。

[0099] そして、図 9 (c)に示したように、積層体 10Aの第 1の裏面側金属層 19Aの上から、表面電極部形成用凹所 10Kを覆うようにレジストパターン 14を形成する。

さらに、図 10 (a)に示したように、この積層体 10Aの第 1の裏面側金属層 19Aのレジストパターン 14以外の露出した部分をエッチング処理することにより、大部分を除去する。

[0100] そして、図 9 (c)の工程時に使用したレジストパターン 14を除去することにより、図 1

0 (b)に示したように、積層体 10Aの第 1の裏面側金属層 19Aが貫通孔 11Hの周縁部に、一部残存した状態とする。

一方、図 5 (a)に示したように、被検査対象であるウェハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の貫通孔 12が、例えば、パンチング、レーザ加工、エッチングカロェなどによって形成された金属フレーム板 25を用意する。

[0101] そして、図 6 (a) (b)に示したように、貫通孔 12が形成された金属フレーム板 25に、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シート 10Cを一体化して成形する。

この場合、榭脂シート 16aを一体ィ匕する方法としては、

(a) 金属フレーム板 25を金型内に配置して榭脂を射出成形することによって、インサート成形によって一体化した後、片面に第 2の裏面側金属層 17Aを、蒸着、スパッタリング、無電解メツキによって形成する方法、

(b) 金属フレーム板 25の片面に、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを積層し、他面側からポリイミドのヮニスや、感光性ポリイミドを塗布して、一枚のポリイミドシートとする方法、

(c) 金属フレーム板 25の片面に、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを、榭脂シート 16a側面と金属フレーム板 25を接するように積層し、例えば、榭脂シート 16aを構成する榭脂のガラス転移温度または溶融温度以上の温度で加熱しながら、厚み方向に圧力を加えて一体ィ匕し、冷却して、金属フレーム板 25に、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを成形する方法、 (d)真空チャンバ内において、金属フレーム板 25の片面に、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを、榭脂シート 16a側面と金属フレーム板 25を接するように積層し、例えば、榭脂シート 16aを構成する榭脂のガラス転移温度または溶融温度以上の温度で加熱しながら、真空チヤンバ内を真空の状態として一体ィ匕した後、冷却し、大気圧に戻して、金属フレーム板 25に、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを成形する真空プレス法、

などが採用可能である。

[0102] 例えば、図 7 (a)〜（b)のようにして、金属フレーム板 25に、絶縁層 18を形成するための榭脂シ一ト 16aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを一体化して成形すればよい。なお、図 7では、説明の便宜上、金属フレーム板 25の一部の貫通孔 12の周囲を拡大して示している。

すなわち、先ず、図 7 (a)に示したように、絶縁層 18を形成するための榭脂シート 1 6aに第 2の裏面側金属層 17Aが積層されたシートを用意する。例えば、ポリイミドに銅箔が貼付された市販の銅張積層板を用いることができる。

[0103] この積層シートの榭脂シート 16a側表面に、図 7 (b)に示したように金属フレーム板 25を重ねる。この金属フレーム板 25には、予め所定の位置に、接点膜 9が配置される貫通孔 12が形成されている。

次に、図 7 (c)に示したように、金属フレーム板 25の表面に、高分子物質形成用液状物 16bを塗布する。高分子物質形成用液状物 16bは、例えば、絶縁層 18の形成榭脂のプレボリマーを含む液状物であり、好ましくは感光性ポリイミド溶液もしくは熱硬化性ポリイミドの前駆体溶液が用いられる。この場合、榭脂シート 16aにはポリイミドシートを用いることが望まし、。

[0104] 高分子物質形成用液状物 16bを塗布した後、硬化処理を行い、高分子物質形成用液状物 16bの硬化樹脂と樹脂シート 16aとが一体ィ匕した絶縁層 18Aを備えた積層シート 10Cが得られる（図 7 (d) )。

その後、図 10 (C)に示したように、積層体 10Aの絶縁性シート 11 Aの下面に、金属フレーム板 25と一体ィ匕した積層シート IOCの絶縁層 18A側力表面電極部形成用凹所 10K側となるように配置して、積層体 10Bを形成する。

[0105] この状態において、表面電極部形成用凹所 10Kは、絶縁層 18Aに塞がれており空洞状態となっている。

そして、図 11 (a)に示したように、この積層体 10Bの第 2の裏面側金属層 17Aの表面に、形成すべき電極構造体 15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 28Hが形成されたエッチング用のレジスト膜 28Aを形成する。

[0106] さらに、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、レジスト膜 28Aのパターン孔 28Hを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、図 11 (b) に示すように、第 2の裏面側金属層 17Aに、それぞれレジスト膜 28Aのパターン孔 2

8Hに連通する複数のパターン孔 17Hが形成される。

そして、図 11 (c)に示したように、絶縁層 18Aにエッチング処理を行うことにより貫通孔 18Hを形成する。これ〖こより、貫通孔 18Hと先に形成した貫通孔 11Hとが連通し、電極構造体形成用の開口部 15Hが形成される。

[0107] そして、第 2裏面側金属層 17Aからレジスト膜 28Aを除去し、図 12 (a)に示したように、新たに第 2裏面側金属層 17Aの表面に、それぞれ第 2裏面側金属層 17Aのバターン孔 17Hに連通するパターン孔を有するレジスト膜 28Bを形成した。

さらに、図 12 (b)に示したように、表面側金属層 16Aを共通電極として、電極構造体形成用の開口部 15Hに電気メツキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22を形成する。

[0108] そして、積層体 10Bよりレジスト膜 28Bを除去し、図 12 (c)に示したように、新たに第 2の裏面側金属層 17Aの上力もエッチング用のレジスト膜 29Aを形成する。

さらに、図 12 (d)に示したように、第 2の裏面側金属層 17Aのレジスト膜 29Aのパターン孔 29Hを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、残存した第 2の裏面側金属層 17Aにより、電極構造体の裏面電極部 15bを形成する。

[0109] そして、図 13 (a)に示したように、レジスト膜 29Aを除去し、積層体 10Bの裏面側に新たに保護用のレジスト膜 34Aを形成する。さらに、図 13 (b)に示したように、表面側金属層 16Aの表面全体に積層された保護フィルム 40Aを剥離し、表面側金属層 16Aをエッチング処理を施して除去する。そして、図 13 (c)に示したように、絶縁性シート 11 Aにエッチング処理を施してその厚みを薄くし、表面電極部 15aを突出させる。この際、絶縁性シート 11Aは薄肉化させるが、全てを除去せず一部を残した状態とする。

[0110] これにより、薄肉化して残存した絶縁性シート 11Aによって、一部残存した第 1裏面側金属層 19Aが絶縁性シート 11 Aおよび絶縁層 18A内に埋没した状態が維持される。

そのため、第 1の裏面側金属層 19Aの残部は、絶縁層 18Aの表面に露出してはいないものである。

[0111] さらに、図 14 (a)に示したように積層体 10Bの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜 34Aを除去する。

そして、図 14 (b)に示したように、絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aの一部を露出させるようレジスト膜 29を積層体 10Bの上下面に形成する。

さらに、図 14 (c)に示したように、この状態で絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aをエツチング処理をすることにより、金属フレーム板 25の一部が露出される。

[0112] そして、絶縁性シート 11Aの表面よりレジスト膜 29を除去することにより、図 15 (a) に示したように、保持部 15eが絶縁層 18Aに埋没状態となっているとともに、保持部 1

5eの表面が絶縁性シート 11Aで覆われたシート状プローブ 10が得られる。

そして、図 1 (b)に示したように、必要に応じて、シート状プローブ 10の周縁部、すなわち、金属フレーム板 25の外周縁に、絶縁層 18とは離間して、例えば、接着剤を介して、剛性を有する平板リング状の支持部材 2を設けることができる。

[0113] なお、図 1の実施例では、図 5 (a)に示したように、被検査対象であるウェハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の貫通孔 12が形成された金属フレーム板 25 を用いて、これらの貫通孔 12にそれぞれ、各絶縁層 18を互いに隔離するように形成している。

しかしながら、図 29のように（図 29 (a)は平面図、図 29 (b)は X— X線による断面図である）、絶縁層 18を一体ィ匕し、連続した 1つの支持部 19としてもよぐ図 30のように (図 30 (a)は平面図、図 30 (b)は X—X線による断面図である）、絶縁層 18を複数の接点膜 9を含むように分割し（同図では 4分割）、複数の接点膜 9について連続した支持部 19を形成するようにしてもょヽ。

[0114] さらに、図 5 (b)に示したように、中央に一つの大径の貫通孔 12を形成したリング形状の金属フレーム板 25を用いて、図 31に示したように（図 31 (a)は平面図、図 31 (b )は X—X線による断面図である）、この貫通孔 12に絶縁層 18を一体ィ匕し、連続した 1つの支持部 19として、この絶縁層 18に、被検査対象であるウェハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の電極構造体 15を形成するようにすることも可能である。

[0115] 次に、本発明の第 2の実施例のシート状プローブ 10の製造方法について説明する図 16 (a)から図 17 (c)に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プロ一ブの製造方法と同じである力相違点としては、図 15 (a)に示したように、保持部 15e が絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aの間に埋没した状態ではなぐ絶縁性シート 11A を全て除去することにより、絶縁層 18Aと保持部 15eとが面一の状態となっている点である。

[0116] この実施例では、図 8 (a)から図 13 (a)までの工程は、第 1の実施例と同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。

図 16 (a)に示したように、図 13 (a)と同様に、電極構造体形成用の開口部 15Hに電気メツキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22 を形成するとともに、第 2の裏面側金属層 17Aにより、電極構造体の裏面電極部 15b を形成し、積層体 10Bの裏面側に新たに保護用のレジスト膜 34Aを形成した状態にする。

[0117] さらに、図 16 (b)に示したように、表面側金属層 16Aの表面全体に積層された保護フィルム 40Aを剥離し、表面側金属層 16Aをエッチング処理を施して除去する。そして、図 16 (c)に示したように、絶縁性シート 11 Aにエッチング処理を施して絶縁性シート 11A全部を除去する。

これによつて、表面電極部 15aを突出させるとともに、絶縁層 18Aと保持部 15eとが面一の状態となる。

[0118] さらに、図 16 (d)に示したように積層体 10Bの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜 34Aを除去する。

そして、図 17 (a)に示したように、絶縁層 18Aの一部を露出させるようレジスト膜 29 を積層体 10Bの上下面に形成する。

さらに、図 17 (b)に示したように、この状態で絶縁層 18Aをエッチング処理をすることにより、金属フレーム板 25の一部が露出される。

[0119] そして、絶縁層 18Aの表面よりレジスト膜 29を除去することにより、図 17 (c)に示したように、絶縁層 18Aと保持部 15eとが面一の状態となったシート状プローブ 10が得られる。

次に、本発明の第 3の実施例のシート状プローブ 10の製造方法について説明する図 18 (a)から図 19 (c)に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プロ一ブの製造方法と同じである力相違点としては、図 15 (a)に示したように、保持部 15e が絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aの間に埋没した状態ではなぐ絶縁性シート 11A を全て除去するとともに、絶縁層 18Aの一部を除去することにより、保持部 15eが絶縁層 18A内に一部埋没状態となって!/ヽる点である。

[0120] この実施例では、図 8 (a)から図 13 (a)までの工程は、第 1の実施例と同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。

図 18 (a)に示したように、図 13 (a)と同様に、電極構造体形成用の開口部 15Hに電気メツキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22 を形成するとともに、第 2の裏面側金属層 17Aにより、電極構造体の裏面電極部 15b を形成し、積層体 10Bの裏面側に新たに保護用のレジスト膜 34Aを形成した状態にする。

[0121] さらに、図 18 (b)に示したように、表面側金属層 16Aの表面全体に積層された保護フィルム 40Aを剥離し、表面側金属層 16Aをエッチング処理を施して除去する。そして、図 18 (c)に示したように、絶縁性シート 11 Aにエッチング処理を施して絶縁性シート 11A全部を除去するとともに、絶縁層 18Aの一部をさらにエッチング処理を施して除去することにより、表面電極部 15aを突出させ、保持部 15eが絶縁層 18A内に一部埋没した状態となる。

[0122] さらに、図 18 (d)に示したように積層体 10Bの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜 34Aを除去する。

そして、図 19 (a)に示したように、絶縁層 18Aの一部を露出させるようレジスト膜 29 を積層体 10Bの上下面に形成する。

さらに、図 19 (b)に示したように、この状態で絶縁層 18Aをエッチング処理をすることにより、金属フレーム板 25の一部が露出される。

[0123] そして、絶縁層 18Aの表面よりレジスト膜 29を除去することにより、図 19 (c)に示したように、保持部 15eが絶縁層 18A内に一部埋没状態となったシート状プローブ 10 が得られる。

次に、本発明の第 4の実施例のシート状プローブ 10の製造方法について説明する図 20 (a)から図 25 (a)に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プロ一ブの製造方法と同じである力相違点としては、図 10 (a)に示したような部分的に残つて、る第 1の裏面側金属層 19Aがな、ことである。

[0124] この実施例では、図 8 (a)から図 9 (a)までの工程は、第 1の実施例と同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。

図 20 (a)に示したように、図 8 (a)から図 9 (a)までの工程を経た後、図 9 (b)と同様にして、表面電極部形成用凹所 10Kが形成された状態にする。

そして、図 20 (b)に示したように、第 1の裏面側金属層 19 Aをエッチング処理を施してその部分を除去する。

[0125] その後、図 20 (C)に示したように、積層体 10Aの絶縁性シート 11 Aの下面に、金属フレーム板 25と一体ィ匕した積層シート 10Cの絶縁層 18A側力表面電極部形成用凹所 10K側となるように配置して、積層体 10Bを形成する。

この状態において、貫通孔 11Hは、絶縁層 18に塞がれており空洞状態となっている。

[0126] そして、図 21 (a)に示したように、この積層体 10Bの第 2の裏面側金属層 17Aの表面に、形成すべき電極構造体 15のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔 28Hが形成されたエッチング用のレジスト膜 28Aを形成する。

さらに、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、レジスト膜 28Aのパターン孔 28Hを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、図 21 (b) に示したように、第 2の裏面側金属層 17Aに、それぞれレジスト膜 28Aのパターン孔

28Hに連通する複数のパターン孔 17Hが形成される。

[0127] そして、図 21 (c)に示したように、絶縁層 18にエッチング処理を行うことにより貫通孔 18Hを形成する。これにより、貫通孔 18Hと先に形成した貫通孔 11Hとが連通し、電極構造体形成用の開口部 15Hが形成される。

そして、第 2裏面側金属層 17Aからレジスト膜 28Aを除去し、図 22 (a)に示したように、新たに第 2裏面側金属層 17Aの表面に、それぞれ第 2裏面側金属層 17Aのバターン孔 17Hに連通するパターン孔を有するレジスト膜 28Bを形成した。

[0128] さらに、図 22 (b)に示したように、表面側金属層 16Aを共通電極として、電極構造体形成用の開口部 15Hに電気メツキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22を形成する。

そして、積層体 10Bよりレジスト膜 28Bを除去し、図 22 (c)に示したように、新たに第 2の裏面側金属層 17Aの上力もエッチング用のレジスト膜 29Aを形成する。

[0129] さらに、図 22 (d)に示したように、第 2の裏面側金属層 17Aのレジスト膜 29Aのパターン孔 29Hを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、第 2の裏面側金属層 17Aを電極構造体に分離して、裏面電極部 15bを形成する。

そして、図 23 (a)に示したように、レジスト膜 29Aを除去し、積層体 10Bの裏面側に新たに保護用のレジスト膜 34Aを形成する。

[0130] さらに、図 23 (b)に示したように、表面側金属層 16Aの表面全体に積層された保護フィルム 40Aを剥離し、表面側金属層 16 Aをエッチング処理を施してその部分を除去する。

そして、図 23 (c)に示したように、絶縁性シート 11 Aにエッチング処理を施してその厚みを薄くし、表面電極部 15aを突出させる。この際、絶縁性シート 11Aは薄肉化させるが、全てを除去せず一部を残した状態とする。

[0131] これにより、薄肉化して残存した絶縁性シート 11Aによって、短絡部 15cの上端部分が絶縁性シート 11 Aおよび絶縁層 18A内に埋没した状態が維持される。

さらに、図 24 (a)に示したように積層体 10Bの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜 34Aを除去する。

そして、図 24 (b)に示したように、絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aの一部を露出させるようレジスト膜 29を積層体 10Bの上下面に形成する。

[0132] さらに、図 24 (c)に示したように、この状態で絶縁性シート 11Aと絶縁層 18をエッチング処理することにより、金属フレーム板 25の一部が露出される。

そして、絶縁性シート 11Aの表面よりレジスト膜 29を除去することにより、図 25 (a) に示したように、肩部 15dが絶縁層 18Aに埋没状態となっているとともに、肩部 15d の表面が絶縁性シート 11 Aで覆われたシート状プローブ 10が得られる。

[0133] 次に、本発明の第 5の実施例のシート状プローブ 10の製造方法について説明する図 26 (a)から図 27 (c)に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プロ一ブの製造方法と同じである力相違点としては、図 14 (a)に示したエッチング処理を施して厚みを薄くした絶縁性シート 11Aを除去することにより、肩部と絶縁層との段差がない点である。

[0134] この実施例では、上記の第 4の実施例と、図 20 (a)から図 23 (a)までの工程は同様であるため、同様の工程については簡単に説明する。

上記の第 4の実施例と、図 20 (a)から図 23 (a)までの工程を経ることによって、電極構造体形成用の開口部 15Hに電気メツキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22を形成し、第 2の裏面側金属層 17Aを電極構造体に分離して、裏面電極部 15bを形成する。

[0135] その後、図 26 (a)に示したように、図 23 (b)と同様にして、表面側金属層 16Aの表面全体に積層された保護フィルム 40Aを剥離し、表面側金属層 16 Aをエッチング処理を施してその部分を除去する。

その後、図 26 (b)に示したように、絶縁性シート 11Aにエッチング処理を施して除去し、表面電極部 15aを突出させる。この際、絶縁層 18の表面と表面電極部 15aの端部が略同一となる所までエッチング処理を行う。

[0136] さらに、図 26 (c)に示したように積層体 10Bの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜 34Aを除去する。

そして、図 27 (a)に示したように、絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aの一部を露出させるようレジスト膜 29を積層体 10Bの上下面に形成する。

さらに、図 27 (b)に示したように、この状態で絶縁性シート 11Aと絶縁層 18をエッチング処理することにより、金属フレーム板 25の一部が露出される。

[0137] そして、絶縁性シート 11Aの表面よりレジスト膜 29を除去することにより、図 27 (c) に示したように、絶縁層 18Aと肩部 15dとが面一の状態となったシート状プローブ 10 が得られる。

なお、上記実施例では、図 4 (a)に示したように、接点膜 9の支持部 19が、金属フレーム板 25と絶縁層 18とが一体ィ匕した構造となっている。すなわち、金属フレーム板 2 5の貫通孔 12の周縁部に、絶縁層 18によって貫通孔 12の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜 9が支持した力図 4 (b)に示したように、金属フレーム板 25の貫通孔 12の周縁部上に、絶縁層 18によって接点膜 9が支持されるように構成することも可能である。

[0138] この場合には、図 32〜図 34に示したように、以下の方法によって製造することができる。

先ず、金属フレーム板 25を用意し、図 32 (a)、図 34 (a)に示したように、貫通孔 12 と、貫通孔 12の周辺部に、複数の連結用の貫通孔 12aを、エッチングなどにより、金属フレーム板 25に形成する。

[0139] 一方、榭脂シート 16aの片面に、第 2の裏面側金属層 17Aが積層された積層シートを用意する。

この積層シートの第 2の裏面側金属層 17Aに、図 32 (b)、図 34 (a)に示したように、フォトエッチング法によって、金属フレーム板 25の連結用の貫通孔 12aに対応したパターン形状の連結用の貫通孔 12bを形成する。

[0140] なお、図 32 (b)では、金属フレーム板 25の連結用の貫通孔 12a全体に対応したパターン形状、矩形リング状の連結用の単一の貫通孔 12bを形成したが、図示しない力任意の数の貫通孔 12aに対応するようなパターン形状の複数の貫通孔 12bを形成することも可能である。

そして、図 34 (b)に示したように、積層シートの第 2の裏面側金属層 17Aの表面に、金属フレーム板 25を積層する。

[0141] そして、図 34 (c)に示したように、高分子物質形成用液状物 16bを所定厚さに塗布し、熱風乾燥により加熱硬化し、絶縁層 18を形成する（図 34 (d)参照)。

この状態で、図 34 (d)に示したように、金属フレーム板 25は、第 2の裏面側金属層 17Aの連結用の貫通孔 12bに充填硬化された平板状の榭脂部分 16cと、金属フレーム板 25の連結用の貫通孔 12aに充填硬化された柱状の榭脂部分 16dと、金属フレーム板 25上に塗布硬化された榭脂部分 16eによって、リベット状に固定されて、積層シートに一体ィ匕されている。

[0142] なお、この実施例では、金属フレーム板 25を積層シートに一体ィ匕するために、金属フレーム板 25に、複数の連結用の貫通孔 12aを形成するとともに、第 2の裏面側金属層 17Aに連結用の貫通孔 12bを形成したが、金属フレーム板 25に、複数の連結用の貫通孔 12aを形成するだけでもよい。

この場合には、図 33 (a)〜（d)に示したように、金属フレーム板 25の連結用の貫通孔 12aに充填硬化された柱状の榭脂部分 16dと、金属フレーム板 25上に塗布硬化された榭脂部分 16eによって、積層シートに固定されて一体化された状態の積層シート 10Cとなる。

[0143] そして、上記の第 1〜第 5の実施例のシート状プローブ 10の製造方法において、積層シート 10Cの代わりに、この積層シート 10Dを用いることによって、それぞれ図 35 ( a)〜（d)に示したように、金属フレーム板 25の貫通孔 12の周縁部上に、絶縁層 18 によって接点膜 9が支持されシート状プローブ 10が得られる。

なお、これらの製造工程は、積層シート 10Cの代わりに、この積層シート 10Dを用いる以外は、上述した実施例と同様であるので、その詳細な説明は省略する。

3.プローブカードおよび回路装置の検査装置について：

図 36は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施形態を示した断面図であり、図 37は、プローブカードの組み立て前後の状態を示した断面図、図 38は、プローブカードの要部の構成を示した断面図である。

[0144] この検査装置は、複数の集積回路が形成されたウェハ 6についてそれぞれの集積回路の電気検査をウェハ 6の状態で行うために用いられる。この検査装置のプローブカード 1は、検査用回路基板 20と、この検査用回路基板 20の表面に配置された異方導電性コネクター 30と、この異方導電性コネクター 30の表面に配置されたシート状プローブ 10とを備えて!/、る。

[0145] 検査用回路基板 20の表面には、検査対象であるウェハ 6に形成された全ての集積回路の被検査電極のパターンに従って複数の検査用電極 32が形成されている。検査用回路基板 20の基板材料としては、例えば、ガラス繊維補強型エポキシ榭脂、ガラス繊維補強型フエノール榭脂、ガラス繊維補強型ポリイミド榭脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン榭脂などの複合榭脂基板材料、ガラス、二酸化珪素、ァルミナなどのセラミックス基板材料、金属板をコア材としてエポキシ榭脂、ポリイミド榭脂などの榭脂を積層した積層基板材料が挙げられる。

[0146] バーンイン試験に用いるためのプローブカード 1は基板材料として、線熱膨張係数力^ X 10— ⁵Ζκ以下、好ましくは 1 X 10— ⁷〜1 X 10" ⁵/Κ,より好ましくは 1 X 10— ⁶〜6

X 10 ⁶ Ζκであるものを用いることが望ましい。

異方導電性コネクター 30は、図 36に示したように、複数の貫通孔が形成された円板状のフレーム板 31を備えている。

[0147] このフレーム板 31の貫通孔は、例えば検査対象であるウェハ 6に形成された各集積回路に対応して形成されて!ヽる。

貫通孔の内部には、厚さ方向に導電性を有する異方導電性シート 35が、貫通孔の周辺部に支持された状態で隣接する異方導電性シート 35と互いに独立して配置される。

また、フレーム板 31には、シート状プローブ 10と検査用回路基板 20との位置決めを行うための位置決め孔（図示省略）が形成されて！ヽる。

[0148] フレーム板 31の厚さは材質によって異なる力 20-600 μ mであることが好ましぐより好ましくは 40〜400 μ mである。この厚さが 20 μ m未満である場合、異方導電性コネクター 30を使用する際に必要な強度が得られないことがあり、耐久性が低くなり易い。

一方、厚さが 600 mを超える場合、貫通孔に形成される異方導電性シート 35が過剰に厚くなり、接続用導電部の良好な導電性と、隣接する接続用導電部間における絶縁性が得られなくなることがある。

[0149] フレーム板 31の貫通孔の面方向の形状と寸法は、検査対象であるウェハ 6の被検查電極の寸法、ピッチとパターンに応じて設計される。

フレーム板 31の材料としては、フレーム板 31が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものが好ましぐ具体的には金属材料、セラミックス材料、榭脂材料が挙げられる。

[0150] 金属材料としては、具体的には鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを 2種以上組み合わせた合金もしくは合金鋼が挙げられる。フレーム板 31 を金属材料により形成する場合には、フレーム板 31の表面に絶縁性被膜が施されていてもよい。

バーンイン試験に用いるためのプローブカード 1では、フレーム板 31の材料として、線熱膨張係数が 3 X 10— ⁵Ζκ以下、好ましくは 1 X 10— ⁷〜1 X 10— ⁵Ζκ、より好ましくは 1 X 10一⁶〜 8 X 10 ⁶ ΖΚであるものを用いることが望ましい。

[0151] このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、 42合金などの磁性金属の合金もしくは合金鋼が挙げられる。

異方導電性シート 35は、図 38に示したように、厚さ方向に延びる複数の接続用の導電部 36と、それぞれの導電部 36を互いに絶縁する絶縁部 37とからなる。

[0152] 導電部 36には、磁性を示した導電性粒子 36aが厚さ方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。また導電部 36は、異方導電性シート 35の両面カゝら突出しており、両面に突出部 38が形成されている。

異方導電性シート 35の厚さ（導電部 36が表面力突出して、る場合には導電部 3 6の厚さ）は、 50〜3000 μ mであること力好ましく、より好ましくは 70〜2500 μ m、特に好ましくは 100〜2000 μ mである。この厚さが 50 μ m以上であれば、充分な強度を有する異方導電性シート 35が確実に得られる。

[0153] また、この厚さが 3000 μ m以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部 36 が確実に得られる。

突出部 38の突出高さは、突出部 38の最短幅もしくは直径の 100%以下であることが好ましぐより好ましくは 70%以下である。

このような突出高さを有する突出部 38を形成することにより、突出部 38が加圧された際に座屈することがなく導電性が確実に得られる。

[0154] 異方導電性シート 35のフレーム板 31に支持された二股部分の一方の厚さは 5〜6 00 μ mであること力子ましく、より好ましくは 10〜500 μ m、特に好ましくは 20〜400 μ mであ。

また、図示したように異方導電性シート 35をフレーム板 31の両面側で二股状に支持する場合の他、フレーム板 31の片面のみで支持するようにしてもょ、。

[0155] 異方導電性シート 35を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好まし、。

このような架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレンブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリルブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジェン系ゴムおよびこれらの水素添カ卩物、スチレンブタジエンージェンブロック共重合体ゴム、スチレンイソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添カ卩物、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ェピクロルヒドリンゴム、エチレン一プロピレン共重合体ゴム、エチレン一プロピレン一ジェン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムが挙げられる。中でも、成形加工性および電気特性の点力シリコーンゴムが好ましい。

[0156] シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。

液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度 10— ecで 10⁵ポアズ以下であることが好ましぐ縮合型、付加型、ビニル基ゃヒドロキシル基を有するものなどを使用できる。具体的には、例えば、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビ-ルシリコーン生ゴム、メチルフエ-ルビ-ルシリコーン生ゴムを挙げることができる。 [0157] また、高分子物質形成材料中には硬化触媒を含有させることができる。

このような硬化触媒のとしては、例えば過酸化べンゾィル、過酸化ビスジシクロベンゾィル、過酸化ジクミル、過酸ィ匕ジターシャリーブチルなどの有機過酸ィ匕物、脂肪酸ァゾィ匕合物、ヒドロシリルイ匕触媒が挙げられる。

硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常は高分子物質形成材料 100重量部に対して 3〜 15重量部である。

[0158] 異方導電性シート 35の導電部 36に含有される導電性粒子 36aとしては、磁性を示した粒子が好ましい。このような磁性を示した粒子としては、例えば鉄、ニッケル、コバルトなどの金属粒子もしくはこれらの合金粒子またはこれらの金属を含有する粒子が挙げられる。

またこれらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性が良好な金属をメツキした粒子、あるいは非磁性金属粒子、ガラスビーズなどの無機粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面にニッケル、コバルトなどの導電性磁性体をメツキした粒子、あるいは芯粒子に導電性磁性体および導電性が良好な金属の両方を被覆した粒子も使用できる。

[0159] 中でもニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性が良好な金属のメツキを施したものが好ましい。芯粒子の表面への導電性金属の被覆は、例えば無電解メツキにより行うことができる。

芯粒子の表面に導電性金属を被覆した導電性粒子は、良好な導電性を得る点から粒子表面の導電性金属の被覆率 (芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が 40%以上であることが好ましぐさらに好ましくは 45%以上、特に好ましくは 47〜95%である。

[0160] 導電性金属の被覆量は、芯粒子の 2. 5〜50重量％であることが好ましぐより好ましくは 3〜45重量％、さらに好ましくは 3. 5〜40重量％、特に好ましくは 5〜30重量 %である。

導電性粒子 36aの粒子径は、 1〜500 /ζ πιであることが好ましぐより好ましくは 2〜 400 m、さら〖こ好ましくは 5〜300 m、特〖こ好ましくは 10〜150 mである。 [0161] また、導電性粒子 36aの粒子径分布（DwZDn)は、 1〜10であることが好ましぐより好ましくは 1〜7、さらに好ましくは 1〜5、特に好ましくは 1〜4である。

このような条件を満足する導電性粒子 36aを用いることにより、異方導電性シート 35 の加圧変形が容易であるとともに、導電部 36において各導電性粒子 36a間に充分な電気的接触が得られる。

[0162] また導電性粒子 36aの形状は、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状、星形状、あるいは 1次粒子が凝集した 2次粒子による塊形状が好ましい。

また、導電性粒子 36aの表面をシランカップリング剤などのカップリング剤で処理してもよい。これにより、導電性粒子 36aと弾性高分子物質との接着性が高くなり、得られる弾性異方導電膜の繰り返し使用における耐久性が高くなる。

[0163] 導電部 36の導電性粒子 36aの含有割合は、体積分率で 10〜60%、好ましくは 15 〜50%が好ましい。この割合が 10%未満の場合、充分に電気抵抗値の小さい導電部 36が得られないことがある。

一方この割合が 60%を超える場合、得られる導電部 36が脆弱になり易ぐ必要な弾性が得られな、ことがある。

[0164] 高分子物質形成材料中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、ェァロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。このような無機充填材を含有させることにより、成形材料のチキソトロピー性が確保されその粘度が高くなる。さらに導電性粒子 36aの分散安定性が向上するとともに、硬化処理されて得られる異方導電性シート 35の強度が高くなる。

[0165] 異方導電性コネクター 30は、例えば、特開 2002— 334732号公報に記載されて V、る方法により製造することができる。

プローブカード 1の検査用回路基板 20の裏面には、図 36および図 37に示したように、プローブカード 1を下方に加圧する加圧板 3が設けられ、プローブカード 1の下方には、検査対象であるウェハ 6が載置されるウェハ載置台 4が設けられて、る。

[0166] 加圧板 3とウェハ載置台 4のそれぞれには、加熱器 5が接続されている。

シート状プローブ 10のリング状の支持部材 2は図 36に示したように、加圧板 3に設けられた周状の嵌合用段差部に嵌め込まれる。また異方導電性コネクター 30の位置決め孔には、ガイドピン 50が揷通される。

これにより、異方導電性コネクター 30は、異方導電性シート 35のそれぞれの導電部 36が検査用回路基板 20のそれぞれの検査電極 21に対接するように配置され、この異方導電性コネクター 30の表面に、シート状プローブ 10がそれぞれの電極構造体 15が異方導電性コネクター 30の異方導電性シート 35の各導電部 36に対接するよう配置され、この状態で三者が固定される。

[0167] ウェハ載置台 4には検査対象であるウェハ 6が載置され、加圧板 3によりプローブ力ード 1を下方に加圧することにより、シート状プローブ 10の電極構造体 15の各表面電極部 15aがウェハ 6の各被検査電極 7に加圧接触する。

この状態では、異方導電性コネクター 30の異方導電性シート 35の各導電部 36は、検査用回路基板 20の検査電極 21とシート状プローブ 10の電極構造体 15の裏面電極部 15aとにより挟圧されて厚さ方向に圧縮されている。

[0168] これにより、導電部 36にはその厚さ方向に導電路が形成され、ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路基板 20の検査電極 21とが電気的に接続される。その後、加熱器 5 によってウェハ載置台 4と加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、ウェハ 6に形成された複数の集積回路のそれぞれについて電気的検査が行われる。

このウェハ検査装置によれば、ウェハ 6が例えば直径 8インチ以上の大面積であり、かつ被検査電極 7のピッチが極めて小さい場合であっても、バーンイン試験においてウェハ 6に対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、ウェハ 6の複数の集積回路のそれぞれについて所要の電気検査を確実に実行することができる。

[0169] なお、本実施形態では、プローブカード 1の検査電極がウェハ 6に形成された全ての集積回路の被検査電極に対して接続され一括して電気検査が行われるが、ウェハ 6に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極 7 に対してプローブカード 1の検査電極を接続して、選択領域ごとに検査するようにしてもよい。

選択される集積回路の数は、ウェハ 6のサイズ、ウェハ 6に形成された集積回路の数、各集積回路の被検査電極 7の数などを考慮して適宜選択されるが、例えば 16個、 32個、 64個、 128個である。

[0170] また、異方導電性シート 35には、被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従つて形成された導電部 36の他に、被検査電極 7に電気的に接続されない非接続用の導電部 36が形成されて、てもよ、。

また、本発明のプローブカード 1および回路装置の検査装置は、ウェハ検査用の他、半導体チップ、 BGA、 CSPなどのパッケージ LSI、 MCMなどの半導体集積回路装置などに形成された回路を検査するための構成としてもよい。

実施例

[0171] 以下、本発明の具体的な実施例について説明する力本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

A.試験用ウェハの作製について：

直径 8インチのシリコン製のウェハ 6上に、それぞれの寸法が 8mm X 8mmである正方形の集積回路 Lを合計で 393個形成した。

[0172] ウェハ 6に形成された各集積回路 Lは、その中央に被検査電極領域を有し、この被検査電極領域には、それぞれ縦方向の寸法が 200 mで横方向の寸法が 70 m である矩形の 40個の被検査電極 7が 120 mのピッチで横方向に一列に配列されている。

また、このウエノ、 6全体の被検査電極 7の総数は 15720個であり、全ての被検查電極 7は互、に電気的に絶縁されて、る。

[0173] 以下、このウェハを「試験用ウェハ Wl」という。

また、全ての被検査電極 7を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路の 40個の被検査電極 7のうち、最も外側の被検査電極 7から数えて 1個おきに 2個ずつを互ヽに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエノ、 W1と同様の構成である 3 93個の集積回路 Lをウエノ、 6上に形成した。

[0174] 以下、このウェハを「試験用ウェハ W2」という。

B.シート状プローブの作製について：

(実施例 1) 直径が 20cmで厚みが 25 μ mのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が 20cmで厚みが 8 mの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体 1 OA」という。）を用意した（図 8 (a)参照)。

[0175] 積層体 10Aは、厚みが 25 μ mのポリイミドシートよりなる絶縁性シート 11Aの一面に厚み力 mの銅よりなる第 1の裏面側金属層 19Aを有し、他面に厚み力 mの銅よりなる表面側金属層 16Aを有するものである。

上記の積層体 10Aに対し、厚みが 25 μ mのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールによって表面側金属層 16 Aの表面全面に保護フィルム 40Aを形成すると共に、第 1の裏面側金属層 19Aの裏面全面に、試験用ウェハ W1に形成された被検查電極 7のパターンに対応するパターンに従って直径が 50 mの円形の 15720個のパターン孔 12Hが形成されたレジスト膜 12Aを形成した（図 8 (b)参照)。

[0176] ここで、レジスト膜 12Aの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80mJの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、 1 %水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

次いで、第 1の裏面側金属層 19Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜 12Aのパターン孔 1 2Hに連通する 15720個のパターン孔 19Hを形成した（図 8 (c)参照）。

[0177] その後、絶縁性シート 11Aに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート 11Aに、それぞれ第 1の裏面側金属層 19Aのパターン孔 19Hに連通する 15720個の貫通孔 11Hを形成した（図 9 (a)参照）。

[0178] この貫通孔 11Hの各々は、絶縁性シート 11Aの裏面から表面に向力うに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が 50 m、表面側の開口径が 2 0 m (平均値）のものであった。

次いで、積層体 10Aを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Aからレジスト膜 12Aを除去した (図 9 (b)参照)。

[0179] その後、積層体 10Aに対し、厚みが 10 mのドライフィルムレジスト（日立化成：フォテック RY— 3210)によって、第 1の裏面側金属層 19Aの貫通孔 11Hを覆うように寸法が 160 mX 70 mの矩形のレジストパターン 14を形成した（図 9 (c)参照）なお、レジストパターン 14の形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって 80m Jの紫外線を照射することにより行い、現像処理は 1%水酸ィ匕ナトリウム水溶液よりなる現像剤に 40秒間浸漬する操作を 2回繰り返すことによって行った。

[0180] さらに、その後、絶縁性シート 11Aに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエツチング処理を施すことにより、第 1の裏面側金属層 19Aの大部分を除去した（図 10 (a)参照)。

そして、積層体 10Aを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Aからレジストパターン 14を除去した（図 10 (b)参照)。

[0181] 一方、直径 22cmで厚みが 10 μ mの 42ァロイよりなる金属フレーム板 25を用意し、この金属フレーム板 25に、横方向の寸法が 5400 μ mで縦方向の寸法力 ½00 μ mである 393個の貫通孔 12をエッチングにより穿孔した。

そして、図 7 (a)に示したように、片面に厚み 8 mの銅力なる第 2の裏面側金属層 17Aが積層された直径が 20cmで厚みが 25 μ mの熱可塑性ポリイミドフィルム (新日鐡ィ匕学 (株）商品名「エスバネックス」）力もなるポリイミドシート 16aを用意した。

[0182] この積層シートの榭脂シート 16a側表面に、図 7 (b)に示したように金属フレーム板

25を積層し 165°C、 40kgfZcm²で 1時間の条件で加熱プレスを行って、ポリイミドシート 16aと金属フレーム板 25を一体化した。

そして、図 7 (c)に示したように、金属フレーム板 25の表面に、ポリイミドワニス 16b (宇部興産社製「U—ワニス」）を塗布した。

[0183] 次に、硬化処理を行い、ポリイミドワニス 16bの硬化樹脂と樹脂シート 16aとが一体化した絶縁層 18Aからなる積層シート 10Cを得た（図 7 (d) )。

その後、図 10 (C)に示したように、積層体 10Aの絶縁性シート 11 Aの下面に、金属フレーム板 25と一体ィ匕した積層シート 10Cの絶縁層 18A側力表面電極部形成用凹所 10K側となるように配置して、 165°C、 40kgfZcm²で 1時間の条件で加熱プレスを行って一体ィ匕し、積層体 10Bを形成した（図 10 (c)参照)。 [0184] この状態において、貫通孔 11Hは、絶縁層 18に塞がれており空洞状態となっている。

そして、この積層体 10Bの第 2の裏面側金属層 17Aの表面に、形成すべき電極構造体 15のパターンに対応するパターンに従って直径が 90 μ mの円形の 15720個のノターン孔 28Hが形成されたレジスト膜 28Aを形成した（図 11 (a)参照)。

[0185] 次いで、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜 28Aのパターン孔 2 8Hに連通する 15720個のパターン孔 17Hを形成した（図 11 (b)参照）。

その後、絶縁層 18に対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層 18に、それぞれ第 2裏面側金属層 17Aのパターン孔 17Hに連通する 15720個の貫通孔 18Hを形成した（図 11 (c)参照)。

[0186] そして、貫通孔 18Hが形成された積層体 10Bを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2 分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 28Aを除去した。

その後、新たに第 2裏面側金属層 17Aの表面に、それぞれ第 2裏面側金属層 17A のパターン孔 17Hに連通する、寸法が 80 m X 150 mのパターン孔を有するレジスト膜 28Bを形成した（図 12 (a)参照)。

[0187] これにより、貫通孔 18Hと先に形成した貫通孔 11Hとが連通し、電極構造体形成用の開口部 15Hが形成された。

次いで、積層体 10Bをスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 10Bに対し、表面側金属層 16Aを電極として、電解メツキ処理を施して電極構造体形成用の開口部 15H内に金属を充填することにより、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分 22を形成した（図 12 (b)参照)。

[0188] 次、で、電極構造体部分 22が形成された積層体 10Bを、 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 28Bを除去した。その後、新たに第 2の裏面側金属層 17Aの上力もエッチング用のレジスト膜 29Aを形成した (図 12 (c)参照)。

さらに、第 2の裏面側金属層 17Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50°C 、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第 2の裏面側金属層 17Aを除去して、残存した第 2の裏面側金属層 17Aにより、電極構造体の裏面電極部 15bを形成した (図 12 (d)参照)。

[0189] そして、レジスト膜 29Aを除去し、積層体 10Bの裏面側に新たに保護用のレジスト膜 34Aを形成する。

積層体 10Bを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 1 OBからレジスト膜 29Aを除去し、積層体 10Bの裏面側に新たに保護用のレジスト膜 3 4Aを形成した（図 13 (a)参照)。

[0190] さらに、表面側金属層 16Aの表面全体に積層された保護フィルム 40Aを剥離し、この積層体 10Bの表面側金属層 16Aに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、 50 。C、 30秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、その部分を除去した（図 13 (b )参照)。

その後、絶縁性シート 11Aに対し、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用い、 80°C、 6分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート 11 Aの表面部分を除去し、絶縁性シートの厚みを 25 mからとし、表面電極部 15aを突出させた（図 13 (c)参照)。

[0191] この際、絶縁性シート 11Aは薄肉化させるが、全てを除去せず一部を残した状態とした。

さらに、積層体 10Bを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム溶液に 2分間浸漬させることにより、積層体 10Bからレジスト膜 34Aを除去した（図 14 (a)参照)。

そして、積層体 10Bの表面電極部 15aおよび絶縁性シート 11 Aを覆うように厚みが 25 μ mのドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜となるべき部分を覆うように、パター-ングされたレジスト膜 29を形成した（図 14 (b)参照)。

[0192] レジスト膜 29の各々は、横方向 4600 μ mで縦方向 2000 μ mである。

この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「T ΡΕ— 3000」）を用い、 80°C、 10分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板 25の各々の貫通孔に電極構造体 15が形成された接点膜を備えた積層体 10Cを得た（図 14 (c)参照)。 [0193] そして、積層体 IOCを 45°Cの水酸ィ匕ナトリウム水溶液に 2分間浸漬することにより、レジスト膜 29を除去した（図 15 (a)参照)。

そして、シート状プローブ 10の周縁部、すなわち金属フレーム板 25の外周縁に絶縁層 18とは離間してシリコーン系熱硬化性接着剤 (信越化学製:品名 1300T)を塗布し、 150°Cに保持した状態でシリコーン系熱硬化性接着剤が塗布された部分に、外径が 220mm、内径が 205mmで厚さ 2mmの窒化シリコンよりなるリング状の支持部材 2を配置した。

[0194] さらに、金属フレーム板 25と支持部材 2とを加圧しながら 180°Cで 2時間保持することにより、本発明に係るシート状プローブ 10を製造した。

以上においてドライフィルムレジストとしては、特に記載しな力つた部分においては日立化成製の H— K350を使用した。

得られたシート状プローブ 10の仕様は以下の通りである。

[0195] 金属フレーム板 25は直径 22cm、厚さ 10 μ mの円板状で、材質が 42ァロイである金属フレーム板 25の貫通孔 12の数は 393個で、それぞれの横方向の寸法が 640 0 mで、縦方向の寸法が 320 mである。 393個の接点膜 9のそれぞれの絶縁層 1 8は、材質がポリイミドで、その寸法は横方向 7. 5mm、縦方向 7. 5mm、厚さ約 40 mである。

[0196] 金属フレーム板 25の貫通孔 12の数は 393個で、それぞれの横方向の寸法が 640 0 mで、縦方向の寸法が 320 mである。 393個の接点膜 9のそれぞれの絶縁層 1 8は、材質がポリイミドで、その寸法は横方向 7. 5mm、縦方向 7. 5mm、厚さ約 40 mである

接点膜 9のそれぞれの電極構造体 15は、その数が 40個 (合計 15720個）で、横方向に 120 mのピッチで一列に並ぶよう配置されている。

[0197] 得られたシート状プローブ 10は、絶縁層 18Aの厚み dが約 35 μ m、電極構造体 15 の表面電極部 15aの形状が円錐台状で、その先端の径 R1が 20 /ζ πι、その基端の径 R2が 50 μ m、その絶縁 ¾シート 11の表面からの突出高さ tlが 20 μ mである。

保持部 15eは形状が矩形で、寸法は横幅が 70 μ m、縦幅が 160 μ m、厚み t2が 8 μ mである。

[0198] 短絡部 15cは、形状が円錐台状で、その表面側の一端の径 R3が 60 m、裏面側の他端の径 R4が 90 μ mである。

裏面電極部 15bの形状が矩形で、その寸法は横幅が 90 m、縦幅が 150 m、厚み t3が 18 /z mである。

短絡部 15cの上端部分の外径が 60 mで、表面電極部 15aの基端部分の外径が 50 μ mで、径が 10 μ m異なって肩部 15dが設けられている。

[0199] 絶縁層 18の厚み Hは 30 mであり、保持部 15eの上部に 5 mの絶縁性シート 11 力なる絶縁層が存在する。

電極構造体 15の配置ピッチ Pは 120 μ mである。

このようにして、合計で 4枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ II」〜「シート状プローブ 14」とする。

[0200] (実施例 2)

実施例 1において、図 13 (c)に示した積層体 10Bの絶縁性シート 11Aに対してのエッチング処理条件を、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用いて 80°C、 8分間に変更し、絶縁性シート 11Aと絶縁層 18Aの界面までエッチングを進めて絶縁性シート 11 Aを除去したこと以外は実施例 1 と同様にてしてシート状プローブを得た。

[0201] 得られたシート状プローブ 10は、絶縁層 18Aの厚み dが約 35 μ m、電極構造体 15 の表面電極部 15aの形状が円錐台状で、その先端の径 R1が 20 /ζ πι、その基端の径 R2力 0 μ m、その絶縁層 18の表面からの突出高さ tlが 25 μ mである。

保持部 15eは形状が矩形で、寸法は横幅が 70 μ m、縦幅が 160 μ m、厚み t2が 8 μ mであ。

[0202] 短絡部 15cは、形状が円錐台状で、その表面側の一端の径 R3が 60 μ m、裏面側の他端の径 R4が 90 μ mである。

[0203] 絶縁層 18の厚み Hは約 35 mであり、保持部 15eの表面と絶縁層 18の表面が略同一面となっている。電極構造体 15の配置ピッチ Pは 120 μ mである。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ Jl」〜「シート状プローブ J4」とする。 (実施例 3)

実施例 1において、図 13 (c)に示した積層体 10Bの絶縁性シート 11Aに対してのエッチング処理条件を、アミン系ポリイミドエッチング液 (東レエンジニアリング株式会社製、「TPE— 3000」）を用いて 80°C、 10分間に変更し、絶縁性シート 11Aを除去して更にエッチングを進めて絶縁層 18の表面部分の一部を除去したこと以外は実施例 1と同様にてしてシート状プローブを得た。

[0204] 得られたシート状プローブ 10は、絶縁層 18Aの厚み dが約 30 μ m、電極構造体 15 の表面電極部 15aの形状が円錐台状で、その先端の径 R1が 20 /ζ πι、その基端の径 R2力 0 μ m、その絶縁層 18の表面からの突出高さ tlが約 30 μ mである。

[0205] 短絡部 15cは、形状が円錐台状で、その表面側の一端の径 R3が 60 μ m、裏面側の他端の径 R4が 90 μ mである。

裏面電極部 15bの形状が矩形で、その寸法は横幅が 90 m、縦幅が 150 /ζ πι、、厚み t3が 18 mである。

[0206] 絶縁層 18の厚み Hは約 30 /z mであり、保持部 15eはその全厚 t2 = 8 mのうち、厚み約 5 μ mが絶縁層 18より露出しており、厚み約 3 μ mが絶縁層に埋設された状態であった。電極構造体 15の配置ピッチ Pは 120 μ mである。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ Kl」〜「シート状プローブ Κ4」とする

(実施例 4)

実施例 1において、図 9 (b)に示した積層体 10Aよりレジスト膜 12Aを除去した後、レジストパターン 14を形成せずに、塩ィ匕第二鉄系エッチング液でエッチング処理を行い第 1裏面側金属層 19Aをすベて除去して保持部を形成しな力つたこと以外は実施例 1と同様にしてシート状プローブを得た。

[0207] 得られたシート状プローブは保持部が存在しないこと以外は実施例 1と同様のものである。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ Ll」〜「シート状プローブ L4」とするこれらのシート状プローブを「シート状プローブ Ll」〜「シート状プローブ L4」とする (比較例 1)

図 42 (a)に示すような表面側金属層 72、第 2裏面側金属層 74、第 1裏面側金属層

76を有し、絶縁性シート 78、絶縁層 80よりなる積層体 70を用意した。

[0208] 積層体 70は、厚さ 4 mの銅よりなる表面側金属層 72と、厚さ 12. 5 mのポリイミドよりなる絶縁層 80と、厚さ 4 mの銅よりなる第 1裏面側金属層 76と、厚さ 37. 5 μ mのポリイミドよりなる絶縁層 80と、厚さ 10 mの 42ァロイよりなる第 2裏面側金属層

74と、力構成されたものである。

この積層体 70に対して、特開 2004— 172589号に記載された方法に従い、第 2裏面側金属層 74側に直径 90 mのパターン孔を形成し、順次に絶縁層 80、第 1裏面側金属層 76、絶縁性シート 78に連続する貫通孔を形成し、貫通孔の底面に表面側金属層 72を露出させた。

[0209] これにより、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所 82を作成した (図 42 (b)参照)。

次いで、積層体 70をスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 70に対し、表面側金属層 72を電極として、電解メツキ処理を施して各電極構造体形成用凹所 82に金属を充填した (図 42 (c)参照)。

[0210] 次いで、表面側金属層 72を除去し、絶縁性シート 78をエッチングにより除去した（図 42 (d)参照)。

次いで、第 1裏面側金属層 76にエッチングを行い保持部 84を形成し、第 2裏面側金属層 74にエッチングを行、その一部を除去することにより裏面電極部 86と支持部 88を形成し、絶縁層 80にエッチングを行、絶縁層 80を各々の接点膜に分割した ( 図 42 (e)参照)。

[0211] その後、外径が 22cm、内径が 20. 5cmで厚みが 2mmのリング状の窒化シリコンよりなる支持板の表面に、シァノアクリレート系接着剤 (東亞合成 (株)製:品名ァロンアルファ (登録商標）品番： # 200)を滴下して接着層を形成し、これに接点膜を形成した積層体 70を積層し、 25°Cで 30分保持することにより、接着層を硬化させてシート状プローブを製造した。

[0212] 得られたシート状プローブは、絶縁層の厚み dが 37. 5 m、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が 37 111、その先端の径が 13 /z m (平均値）であり、その突出高さが 12. 5 m、保持部 84は横幅が 60 μ m、縦幅が 200 μ m で厚み力 S4 /z m、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が 37 m、裏面側の他端の径が 90 111、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が 9 0 m、縦幅力 200 μ m、厚みが 20 μ mのものである。

[0213] このようにして、合計で 4枚のシート状プローブを製造した。

これらのシート状プローブを「シート状プローブ Ml」〜「シート状プローブ M4」とする。

(比較例 2)

比較例 1において積層体 70を、厚さ 4 mの銅よりなる表面側金属層 72と、厚さ 25 μ mのポリイミドよりなる絶縁性シート 78と、厚さ 4 mの銅よりなる第 1裏面側金属層 76と、厚さ 37. 5 μ mのポリイミドよりなる絶縁層 80と、厚さ 10 μ mの 42ァロイよりなる第 2裏面側金属層 74とに変更した。

[0214] さらに、比較例 1と同様にして電極構造体形成用凹所 82を形成して、積層体 70をスルファミン酸ニッケルを含有するメツキ浴中に浸漬し、積層体 70に対し、表面側金属層 72を電極として、電解メツキ処理を施して各電極構造体形成用凹所 82内に金属の充填を試みた。

しかしながら、電極構造体形成用凹所 82内に金属の充填はほとんど行われな力つた [0215] また、積層体 70の電極構造体形成用凹所 82を観察したところ、その底部に表面側金属層 72がほとんど露出していな力つた。

C.異方導電性コネクターの作製について：

<磁性芯粒子の調製 >

市販のニッケル粒子（Westaim社製、「FC1000」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。

[0216] 日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア TC— 15N 」によって、ニッケル粒子 0. 5kgを捕集した。

得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が 7. 4 /z m、粒子径の変動係数が 27%、 BET比表面積が 0. 46 X 10³m²Zkg、飽和磁化が 0. 6Wb/m²であった。

このニッケル粒子を「磁性芯粒子 [A]」とする。

<導電性粒子の調製 >

粉末メツキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子 [A] 100gを投入し、さらに、 0. 32Nの塩酸水溶液 2Lを加えて攪拌し、磁性芯粒子 [A]を含有するスラリーを得て、これより導電性粒子を調製した。

[0217] この導電性粒子を、 90°Cに設定された乾燥機によって乾燥処理し、導電性粒子を得た。

得られた導電性粒子は、数平均粒子径が 7. 3 m、 BET比表面積が 0. 38 X 10³ mVkg, (被覆層を形成する金の質量) Z (磁性芯粒子 [A]の質量)の値が 0. 3であつた o

[0218] この導電性粒子を「導電性粒子 (a)」とする。

<フレーム板の作製 >

下記の条件により、上記の試験用ウェハ W1の各被検査電極領域に対応して形成された 393個の異方導電膜配置用の貫通孔を有する直径 8インチのフレーム板 31を作製した。

[0219] このフレーム板 31の材質はコバール (線熱膨張係数 5 X 10— ⁶ZK)で、その厚さは 6 0 μ mである。

各貫通孔は、その横方向の寸法が 5400 μ mで縦方向の寸法が 320 μ mである。縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔の間の中央位置には、円形の空気流入孔が形成されており、その直径は 1000 μ mである。

<成形材料の調製 >

付加型液状シリコーンゴム 100重量部に、導電性粒子 [a] 30重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、成形材料を調製した。

[0220] 以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が 250Pa' s である A液と B液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが 5%、デュロメーター A硬度が 32、引裂強度が 25kNZmのものである。

なお、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は以下のようにして測定されたものである。

(a)付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計により 23 ± 2°Cにおける値を測し 7こ。

(b)シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは次のようにして測定した。

[0221] 二液型の付加型液状シリコーンゴムの A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合した。

次いで、この混合物を金型に流し込み、この混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、 120°C、 30分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚さが 12. 7mm,直径が 29mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して 20 0°C、 4時間の条件でポストキュアを行った。

[0222] このようにして得られた円柱体を試験片として用い、 JIS K 6249に準拠して 150 士 2°Cにおける圧縮永久歪みを測定した。

(c)シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。

上記 (b)と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理とポストキュアを行うことにより、厚さが 2. 5mmのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってタレセント形の試験片を作製し、 JIS K 6249に準拠して 23± 2°Cにおける引裂強度を測定した。

(d)デュロメーター A硬度は、上記 (c)と同様にして作製されたシートを 5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、 JIS K 6249に準拠して 23± 2°Cにおける値を測定した。

<異方導電性コネクターの作製 >

上記で作製したフレーム板 31と、上記で調製した成形材料を用い、特開 2002— 3 24600号公報に記載された方法に従って、フレーム板 31にそれぞれの貫通孔内に配置され、その周辺部に固定されて支持された 393個の異方導電性シート 35を形成することにより異方導電性コネクター 30を製造した。

[0223] なお成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚さ方向に 2Tの磁場を作用させながら 100°C、 1時間の条件で行った。

得られた異方導電性シート 35について具体的に説明すると、異方導電性シート 35 の各々は横方向の寸法が 7000 μ m、縦方向の寸法が 1200 μ mであり、 40個の導電部 36が絶縁部 37によって互いに絶縁された状態で 120 mのピッチで横方向に一列に配列されている。

[0224] また導電部 36の各々は、横方向の寸法が 40 μ m、縦方向の寸法が 200 μ m、厚さ力 μ m、突出部 38の突出高さが 25 μ m、絶縁部 37の厚さが 100 μ mである。また、横方向において最も外側に位置する導電部 36とフレーム板 31との間には、非接続用の導電部が配置されている。

[0225] 非接続用の導電部の各々は、横方向の寸法が 60 m、縦方向の寸法が 200 m 、厚さ力 50 mである。

さらに、異方導電性シート 35の各々の被支持部の厚さ（二股部分の一方の厚さ）は 20 μ mである。

また、各異方導電性シート 35の導電部 36中の導電性粒子 36aの含有割合を調べたところ、全ての導電部 36について体積分率で約 25%であった。

[0226] このようにして、合計で 12枚の異方導電性コネクターを製造した。

これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター Cl」〜「異方導電性コネクター C20」とする。

D.検査用回路基板の作製について：

基板材料としてアルミナセラミックス (線熱膨張係数 4. 8 X 10—ソ K)を用い、試験用ウエノ、 W1の被検査電極のパターン従って、検査用電極 32が形成された検査用回路基板 20を作製した。

[0227] この検査用回路基板 20は、全体の寸法が 30cm X 30cmの矩形であり、その検査用電極は横方向の寸法が 60 μ mで縦方向の寸法が 200 μ mである。

得られた検査用回路基板を「検査用回路基板 T1」とする。

E.シート状プローブの評価について：

<試験 1 (隣接する電極構造体間の絶縁性） >

シート状プローブ II、 12、 Jl、 J2、 Kl、 K2、 Ll、 L2、 Ml、 M2の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。

[0228] 室温（25°C)下において、試験用ウェハ W1を試験台に配置しこの試験用ウェハ W

1の表面上に、図 37に示したようにシート状プローブ 10をその表面電極部 15aの各々が試験用ウェハ W1の被検査電極 7上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ 10上に異方導電性コネクター 30をその導電部 36の各々がシート状プローブ 10の裏面電極部 15b上に位置するよう位置合わせして配置した。

[0229] そして、この異方導電性コネクター 30上に、検査用回路基板 T1をその検査電極 2

1の各々力異方導電性コネクター 30の導電部 36上に位置するよう位置合わせして配置した。

さらに検査用回路基板 T1を、下方に 125kgの荷重 (電極構造体 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8gで加圧した。なお、異方導電性コネクター 30としては下記表 1 に示したものを使用した。

[0230] そして、検査用回路基板 T1の 15720個の検査電極 21の各々に、順次電圧を印加するとともに、電圧が印加された検査電極 21と他の検査電極 21との間の電気抵抗をシート状プローブ 10の電極構造体 15間の電気抵抗 (以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が 10Μ Ω以下である測定点の割合 (以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。

[0231] なお絶縁抵抗が 10Μ Ω以下である場合には、実際上、ウェハ 6に形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。

試験の結果を表 1に示した。

[0232] [表 1] 〔〕0233 <

うにして被検査電極に対する電極構造体の接続安定性の評価を行った。

室温（25°C)下において、試験用ウェハ W2を電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウェハ W2の表面に、シート状プローブ 10をその表面電極部 15aの各々が試験用ウェハ W2の被検査電極 7上に位置するように位置合わせして配置した。

[0234] また、このシート状プローブ 10上に、異方導電性コネクター 30をその導電部 36の各々がシート状プローブ 10の裏面電極部 15b上に位置するよう位置合わせして配置した。

そしてこの異方導電性コネクター 30上に、検査用回路基板 T1をその検査電極 21 の各々が異方導電性コネクター 30の導電部 36上に位置するよう位置合わせして配し 7こ。

[0235] さらに検査用回路基板 T1を下方に、 125kgの荷重 (電極構造体 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8g)で加圧した。なお、異方導電性コネクター 30としては下記の表 2に示したものを使用した。

そして、検査用回路基板 T1の 15720個の検査電極 21について、シート状プロ一ブ 10と、異方導電性コネクター 30と、試験用ウェハ W2を介して互いに電気的に接続された 2個の検査電極 21間の電気抵抗を順次測定した。

[0236] そして、測定された電気抵抗値の 2分の 1の値を検査用回路基板 T1の検査電極 2

1と試験用ウェハ W2の被検査電極 7との間の電気抵抗 (以下、「導通抵抗」という。 ) として記録し、全測定点における導通抵抗が 1 Ω以上である測定点の割合 (以下、「接続不良割合」という。）を求めた。

この操作を「操作 (1)」とする。

[0237] 次いで検査用回路基板 T1に対する加圧を解除し、その後、試験台を 125°Cに昇温した。さらに、その温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板 T1を下方に 125kgの荷重 (電極構造体 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8g)で加圧し、上記操作 (1)と同様にして接続不良割合を求めた。

この操作を「操作 (2)」とする。

[0238] 次いで、検査用回路基板 T1に対する加圧を解除し、その後、試験台を室温 (25°C

)まで冷却した。この操作を「操作 (3)」とする。

そして、上記の操作（1)、操作（2)および操作（3)を 1サイクルとして、合計で 100サイタル連続して行った。

[0239] また、 1サイクルに要する時間は約 1. 5時間であった。

なお導通抵抗が 1 Ω以上である場合には、実際上、ウェハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。

試験の結果を表 2に示した。

また、試験 2が終了した後、シート状プローブ 13、 14、 J3、 J4、 K3、 K4、 L3、 L4の各々の電極構造体および保持部の状態を、実体顕微鏡を用いて目視にて観察した

[0240] シート状プローブ 13、 14、 J3、 J4、 K3、 K4、 L3、 L4については、いずれの電極構造体も絶縁層から脱落しておらず、高、耐久性を有することが確認された。

保持部については、実施例 1に係るシート状プローブ 13、 14および実施例 2に係るシート状プローブ J3、 J4については、いずれの電極構造体の保持部も変形を生じておらず、保持部の密着性が極めて良好であった。

[0241] シート状プローブ K3、 Κ4の保持部については、実施例 3に係るシート状プローブ

Κ3、Κ4については約 10個の保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。

これに対し、シート状プローブ Μ3については、 15720個の電極構造体のうち、約 2 00個の電極構造体が絶縁膜から脱落しており、またシート状プローブ Μ4については、約 150個の電極構造体が絶縁膜から脱落していた。

[0242] 保持部については、シート状プローブ Μ3、 Μ4とも全体の 5%以上（1000個以上）の電極構造体にぉ、て、保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がって、た。

[0243] [表 2]

産業上の利用可能性

本発明は、回路装置の電気検査、例えば、ウェハに形成された複数の集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために用いられる。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁層と、

前記電極構造体の各々は、

前記接点膜は、

前記金属フレーム板と裏面電極部とが、異なる金属部材から構成されてヽることを特徴とするシート状プローブ。

[2] 前記肩部に、前記絶縁層の面方向の外方に伸びる保持部が設けられていることを特徴とする請求項 1に記載のシート状プローブ。

[3] 前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に埋没状態となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする請求項 2に記載のシート状プローブ

[4] 前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層の表面と略同一となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする請求項 2に記載のシート状プローブ

[5] 前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に一部埋没となるように構成されていることを特徴とする請求項 2に記載のシート状プローブ。

[6] 前記金属フレーム板を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部を構成する金属部材の構成金属が、

ヽることを特徴とする請求項 1から 5のいずれかに記載のシート状プローブ。

[7] 前記金属フレーム板を構成する金属部材の構成金属と、裏面電極部を構成する金属部材の構成金属が、同じ金属種の構成金属から構成されてヽることを特徴とする請求項 1から 5のいずれかに記載のシート状プローブ。

[8] 前記金属フレーム板の貫通孔の周縁部に、絶縁膜によって貫通孔の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜が支持されて、ることを特徴とする請求項 1から

7の!、ずれかに記載のシート状プローブ。

[9] 前記金属フレーム板の貫通孔の周縁部上に、絶縁膜によって接点膜が支持されて

V、ることを特徴とする請求項 1から 8の、ずれかに記載のシート状プローブ。

[10] 前記金属フレーム板が、リング状であり、その貫通孔に単一の接点膜が支持されて

[11] 前記金属フレーム板に、複数の貫通孔が形成され、これらの各貫通孔に、前記接点膜が支持されて、ることを特徴とする請求項 1から 8の、ずれかに記載のシート状プローブ。

[12] 前記金属フレーム板の周縁部に、前記絶縁膜とは離間して設けられたリング状の支持部材を備えることを特徴とする請求項 1から 11のいずれかに記載のシート状プローブ。

[13] 前記リング状の支持部材が、

検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁層に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする請求項 12に記載のシート状プローブ。

[14] 前記シート状プローブが、

ウェハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウェハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする請求項 1から 13のいずれかに記載のシート状プローブ。

[15] 検査対象である回路装置の被検査電極に対応する検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置される異方導電性コネクターと、

この異方導電性コネクター上に配置される請求項 1から 13のいずれかに記載のシート状プローブとを備えることを特徴とするプローブカード。

[16] 請求項 15に記載のプローブカードを備えることを特徴とする回路装置の検査装置

[17] 複数の集積回路が形成されたウェハの各集積回路を、請求項 15に記載のプロ一ブカードを介してテスターに電気的に接続し、各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウェハの検査方法。

[18] 絶縁性シートの表面に表面側金属層、裏面に第 1の裏面側金属層が形成された積層体を準備する工程と、

前記第 2の裏面側金属層にエッチング処理を施して、裏面電極部を形成する工程と、前記絶縁性シートにエッチング処理を施して、絶縁性シートの厚みを薄くすることにより、前記電極構造体の表面電極部部分を突出させるとともに、前記表面電極部形成用凹所の周縁部に一部残存した前記第 1の裏面側金属層を、前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程と、

を含むことを特徴とするシート状プローブの製造方法。

[19] 前記第 1の裏面側金属層を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程において、前記第 1の裏面側金属層力前記絶縁層の表面と略同一となるようにすることを特徴とする請求項 18に記載のシート状プローブの製造方法。

[20] 前記第 1の裏面側金属層を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程において、前記第 1の裏面側金属層が、前記絶縁層内に一部埋没状態となるようにすることを特徴とする請求項 18に記載のシート状プローブの製造方法。

[21] 絶縁性シートの表面に表面側金属層、裏面に第 1の裏面側金属層が形成された積層体を準備する工程と、

を含むことを特徴とするシート状プローブの製造方法。

[22] 前記肩部を前記絶縁性シート内に埋没状態とする工程において、

前記肩部が、前記絶縁層の表面と略同一となるようにすることを特徴とする請求項 1 8に記載のシート状プローブの製造方法。

[23] 前記貫通穴が形成された金属フレーム板を、絶縁層中に埋設した状態とした絶縁層と第 2の裏面側金属層力なるシートを用意する工程が、

貫通穴が形成された金属フレーム板を用意する工程と、

を含むことを特徴とする請求項 18から 22のいずれかに記載のシート状プローブの製造方法。

[24] 前記被覆工程が、前記金属フレーム板に対して、柔軟な榭脂からなる絶縁層を、前記貫通穴を覆うように金属フレーム板の両面側力被覆する工程であることを特徴とする請求項 23に記載のシート状プローブの製造方法。

[25] 前記被覆工程が、前記金属フレーム板に対して、柔軟な榭脂からなる絶縁層を、前記貫通穴を覆うように金属フレーム板の上面に被覆する工程であることを特徴とする請求項 23に記載のシート状プローブの製造方法。