CN110929831B - 一种芯片防转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片防转移方法，涉及电子防伪技术领域，所述方法包括：在芯片上的电连接凸点附近设置表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点；将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述电连接凸点连接；在将所述芯片与标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间不导通。本发明利用芯片上表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点，实现芯片转移期间对芯片的物理破坏，进而有效防止芯片被成功转移。
Description
技术领域
本发明涉及电子防伪技术领域，特别涉及一种芯片防转移方法。
背景技术
在无源RFID防伪应用中，防止RFID标签转移并重复使用，是考量系统防伪能力的重要指标。常用防转移方案多是考虑天线防转移，如天线基材采用易碎纸、陶瓷片等易碎材质。当试图转移标签时天线损坏而使标签失效。但这种方法的弊端是芯片是完好的，造假者可以通过专用试剂把芯片完好地从标签上取下来，再倒封装到新的天线上，从而实现芯片重复使用。这种方案只破坏天线无法彻底实现标签防转移。
另一种芯片防转移方案在芯片内设置专用存储器和比较器，芯片初次上电工作时，测量外接天线的特征参数并记录在专用存储器中，在初始化以后的工作状态下，芯片测量外接天线的特征参数并与专用存储器中的值进行比较，若不一致则将自身标记为已转移状态。这种方案需要为防转移功能设计专门的功能逻辑，增加了芯片设计复杂度和设计成本。
发明内容
本发明提供了一种芯片防转移方法，在不增加芯片防转移功能逻辑的情况下，解决RFID标签芯片被转移重用的问题。
本发明提供的一种芯片防转移方法包括：
在芯片上的电连接凸点附近设置表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点；
将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述电连接凸点连接；
在将所述芯片与标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间不导通。
优选地，所述在芯片上的电连接凸点附近设置表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点包括：
在所述芯片上的至少一个电连接凸点附近均设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
优选地，在所述芯片上的至少一个电连接凸点附近均设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点包括：
在所述芯片上的一个电连接凸点附近设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
优选地，在所述芯片上的一个电连接凸点附近设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点包括：
在芯片加工过程中，在所述芯片上的一个电连接凸点附近加工一个与所述电连接凸点的形状和大小一致的凸点作为防转移凸点，并在所述防转移凸点顶面覆盖一层易腐蚀保护层，得到所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
优选地，所述易腐蚀保护层是由溶酸材料制成。
优选地，所述防转移凸点是由金材料或铜材料制成。
优选地，所述电连接凸点是由金材料或铜材料制成。
优选地，所述将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述电连接凸点连接包括：
在所述芯片内部将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与位于所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点附近的所述电连接凸点连接。
优选地，所述方法还包括：
在转移芯片期间，分离已封装在一起的所述芯片与所述标签天线；
将分离得到的芯片浸泡到导电胶专用清洗液，以清洗所述芯片上附着的导电胶；
在利用导电胶专用清洗液清洗所述芯片上附着的导电胶同时，所述易腐蚀保护层被所述导电胶专用清洗液腐蚀，得到已失去易腐蚀保护层的防转移凸点；
在将所述芯片与其它标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述已失去易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间导通，使所述芯片短路。
优选地，所述方法应用于基于RFID标签的身份芯片防转移场景、商品防伪芯片防转移场景、票证芯片防转移场景。
本发明通过芯片上的具有易腐蚀保护层的防转移凸点，实现芯片防转移，具体地说，在防转移凸点顶面覆盖一层易腐蚀的保护层，当将芯片从天线上取下时所述保护层将被腐蚀掉，从而在将该芯片绑定到新天线后，由于该失去保护层的防转移凸点与天线连接，导致芯片短路失效，达到芯片防转移的目的。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
图1是本发明实施例提供的一种芯片防转移方法的流程示意图；
图2a和图2b是本发明实施例提供的芯片及凸点的左视图和俯视图；
图3a和图3b是本发明实施例提供的芯片和标签天线的绑定位置关系的左视图和俯视图；
图4是本发明实施例提供的芯片防转移方法的实施过程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行详细说明，应当理解，以下所说明的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
图1是本发明实施例提供的一种芯片防转移方法的流程示意图，如图1所示，所述方法包括以下步骤：
步骤S101：在芯片上的电连接凸点附近设置表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
步骤S102：将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述电连接凸点连接。
步骤S103：在将所述芯片与标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间不导通。
本实施例中，所述防转移凸点与所述电连接凸点均具备电连接性，为避免将所述防转移凸点引入由所述电连接凸点和所述标签天线组成的回路而导致短路，本实施例在所述防转移凸点的表面涂覆保护层，例如涂覆易腐蚀保护层。
在一个实施方式中，上述步骤S101可以具体为，在所述芯片上的至少一个电连接凸点附近均设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点，例如在每个电连接凸点附近均设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点，或者在所述芯片上的一个电连接凸点附近设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
以在所述芯片上的一个电连接凸点附近设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点为例，在芯片加工过程中，例如在芯片加工的“长凸点”步骤中，在所述芯片上的一个电连接凸点附近加工一个与所述电连接凸点的形状和大小一致的凸点作为防转移凸点，并在所述防转移凸点顶面覆盖一层易腐蚀保护层，得到所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
此时，上述步骤S102可以具体为，在所述芯片内部将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与位于所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点附近的所述电连接凸点连接。
其中，上述易腐蚀保护层是由溶酸材料制成，上述防转移凸点是由金材料或铜材料制成，上述电连接凸点是由金材料或铜材料制成。
假设芯片上带有两个电连接凸点，其中一个电连接凸点附近设置防转移凸点，标签天线包括一组感应线圈(或称天线线圈)。所述芯片上带有的两个电连接凸点分别与天线线圈连接，从而通过两个电连接凸点将芯片上的电路与天线线圈导通，实现信号传输。而与电连接凸点一样具备电连接性的防转移凸点，由于防转移凸点表面涂覆有易腐蚀保护层，因而在该易腐蚀保护层的隔离下，防转移凸点与天线线圈之间无法导通，不会出现短路现象。
在上述实施例的基础上，所述方法还包括：
在转移芯片期间，分离已封装在一起的所述芯片与所述标签天线；
将分离得到的芯片浸泡到导电胶专用清洗液，以清洗所述芯片上附着的导电胶；
在利用导电胶专用清洗液清洗所述芯片上附着的导电胶同时，所述易腐蚀保护层被所述导电胶专用清洗液腐蚀，得到已失去易腐蚀保护层的防转移凸点；
在将所述芯片与其它标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述已失去易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间导通，使所述芯片短路。
在将所述芯片与其它标签天线绑定后，由于防转移凸点表面涂覆的易腐蚀保护层已被导电胶专用清洗液腐蚀掉，此时电连接凸点与防转移凸点电连接，电连接凸点与所述其它标签天线的天线线圈电连接，防转移凸点与所述其它标签天线的天线线圈电连接，导致电路短路，芯片失效，芯片转移重用失败。
需要说明的是，芯片上凸点的数量多、尺寸小且外观基本一致，易腐蚀保护层的绝对厚度相对于凸点的厚度是极小的，基本可以忽略，因而在所述易腐蚀保护层被所述导电胶专用清洗液腐蚀前后，表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点和已失去易腐蚀保护层的防转移凸点与芯片上的其它凸点在外观上基本没有差异，因而在实施转移时从芯片的多个凸点中辨别出本实施例的防转移凸点进而通过重新增加保护层来转移芯片是极其困难的。
本发明实施例的方法可以有效防止芯片转移重用，适用于基于RFID标签的身份芯片防转移场景、商品防伪芯片防转移场景、票证芯片防转移场景等芯片防转移场景。
本发明以破坏芯片为出发点，通过对芯片的物理破坏有效实现标签防转移。具体地说，本发明的芯片通过凸点和天线实现电连接，芯片上有防转移凸点，防转移凸点在芯片使用时不能和天线连接。本发明在防转移凸点表面覆盖一层易被导电胶清洗液清洗或腐蚀的保护层。当芯片被从天线上取下时会把这层保护层清洗或腐蚀掉，再次绑定时该防转移凸点会和天线连接导致芯片失效，实现防转移目的。本发明涉及无源RFID芯片加工和封装技术，可以应用于基于RFID标签的芯片防转移领域。为进一步说明本发明的技术原理和实施过程，以下结合图2a至图4进行详细说明。
图2a和图2b是本发明实施例提供的芯片及凸点的左视图和俯视图，如图2a和图2b所示，芯片9呈矩形，其四个角分别设有电连接凸点1和2，支撑凸点4和5，在电连接凸点2与支撑凸点5之间靠近电连接凸点2的位置设置防转移凸点3，在所述防转移凸点3的外表面(例如顶面)覆盖一层易腐蚀保护层3’，例如易被强酸腐蚀的保护层，形成表面涂覆易腐蚀保护层3’的防转移凸点3。
其中，所述电连接凸点1和2具备电连接性，可以与标签天线导通，形成回路；
其中，所述防转移凸点3具备电连接性，可以与标签天线导通，形成回路，但由于其表面具有易腐蚀保护层3’，使得所述防转移凸点3不能与标签天线导通，形成回路；
其中，支撑凸点4和5不具备电连接性，其在芯片9与标签天线封装在一起时支撑所述芯片9。
图3a和图3b是本发明实施例提供的芯片和标签天线的绑定位置关系的左视图和俯视图，如图3a和图3b所示，标签天线包括天线基材6(材料一般是PET、铜版纸、易碎纸等)和固定安置在天线基材6上的一组天线线圈8。
将带有电连接凸点1和2、支撑凸点4和5、表面涂覆易腐蚀保护层3’的防转移凸点3的芯片9倒封装在标签天线上，使电连接凸点1通过各向异性导电胶7与天线线圈8连接并导通，电连接凸点2通过异性导电胶7与天线线圈8连接并导通，防转移凸点3在其顶面涂覆的易腐蚀保护层3’的隔离下未与天线线圈8连接并导通。
图4是本发明实施例提供的芯片防转移方法的实施过程图，如图4所示，芯片防转移方法包括如下步骤：
第①步、芯片加工(或芯片凸点加工)。
通过芯片凸点加工，使芯片上带有电连接凸点1和2，防转移凸点3，以及支撑凸点(或机械支撑凸点)4和5。
其中，电连接凸点1和2通过导电胶使芯片和天线形成回路；支撑凸点4和5只起支撑作用，无电连接性。
其中，本发明在防转移凸点3上加一层易被酸腐蚀的保护层3’，防转移凸点3表面有保护层3’后，防转移凸点3无法和天线导通。
所述保护层3’可以由溶酸材料制成。
第②步、标签封装，采用普通倒封装方式。
倒封装指芯片凸点向下和标签天线连接的一种封装形式。具体过程为，先在天线连接处点上各向异性导电胶，然后把芯片凸点朝下压到导电胶上，再使用热压头(有一定温度和压力)压到芯片表面，使导电胶固化实现芯片和天线导通。
目前普通RFID标签全部是用倒封装工艺形式。根据需要，另有绕线工艺的线圈使用的芯片是模块形式，其封装形式是金线键合(Bonding)。
第③步、标签裁剪。
第④步、取芯片。
首先从标签上取下芯片，此时芯片上带有导电胶。
具体地说，由于各项异性导电胶的主要材质是环氧树脂，使用强酸溶液可以溶解导电胶，因此一般是把标签浸泡到强酸溶液里一段时间，导电胶溶解后使得芯片和天线分离，此时芯片和天线表面都可能会有残留导电胶。
然后清洗芯片。
具体地说，使用导电胶专用清洗液，清洗芯片，该过程会把防转移凸点表面的保护层洗掉而使防转移凸点裸露。
第⑤步、重新绑定，将芯片与其它标签天线绑定。
防转移凸点和电连接凸点都与其它标签天线连接，将导致芯片短路而失效。
本发明的防转移凸点和电连接凸点不能同时与天线连接。具体地说，在本发明之前，芯片不生长防转移凸点，即芯片上没有所述防转移凸点，这个位置是被芯片表面的保护层完全覆盖的。本发明通过在芯片上的电连接节点附近设置一个与电连接节点连接的表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点，保证芯片与天线绑定后可以正常工作，而在芯片转移期间破坏防转移凸点表面的保护层后，防转移凸点和电连接凸点同时与天线连接，导致芯片短路失效，保证芯片无法成功转移重用。
综上所述，本发明具有以下技术效果：
1、本发明在清洗导电胶的过程中，破坏防转移凸点表面的保护层，使得芯片在与其它标签天线绑定并工作时，由于防转移凸点和电连接凸点同时与标签天线连接并导通而导致芯片短路失效，达到有效防止RFID芯片的转移重用的目的。
2、本发明通过破坏芯片的物理结构，实现芯片防转移，无需为芯片专门设计防转移功能逻辑，避免增加芯片设计复杂度和设计成本。
尽管上文对本发明进行了详细说明，但是本发明不限于此，本技术领域技术人员可以根据本发明的原理进行各种修改。因此，凡按照本发明原理所作的修改，都应当理解为落入本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种芯片防转移方法，其特征在于，所述方法包括：
在芯片上的电连接凸点附近设置表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点；
将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述电连接凸点连接；
在将所述芯片与标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间不导通；
在转移芯片期间，分离已封装在一起的所述芯片与所述标签天线；
将分离得到的芯片浸泡到导电胶专用清洗液，以清洗所述芯片上附着的导电胶；
在利用导电胶专用清洗液清洗所述芯片上附着的导电胶同时，所述易腐蚀保护层被所述导电胶专用清洗液腐蚀，得到已失去易腐蚀保护层的防转移凸点；
在将所述芯片与其它标签天线封装在一起后，所述电连接凸点与所述标签天线导通，所述已失去易腐蚀保护层的防转移凸点与所述标签天线之间导通，使所述芯片短路。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在芯片上的电连接凸点附近设置表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点包括：
在所述芯片上的至少一个电连接凸点附近均设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述芯片上的至少一个电连接凸点附近均设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点包括：
在所述芯片上的一个电连接凸点附近设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述芯片上的一个电连接凸点附近设置一个表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点包括：
在芯片加工过程中，在所述芯片上的一个电连接凸点附近加工一个与所述电连接凸点的形状和大小一致的凸点作为防转移凸点，并在所述防转移凸点顶面覆盖一层易腐蚀保护层，得到所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述易腐蚀保护层是由溶酸材料制成。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述防转移凸点是由金材料或铜材料制成。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电连接凸点是由金材料或铜材料制成。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与所述电连接凸点连接包括：
在所述芯片内部将所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点与位于所述表面涂覆易腐蚀保护层的防转移凸点附近的所述电连接凸点连接。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于基于RFID标签的身份芯片防转移场景、商品防伪芯片防转移场景、票证芯片防转移场景。
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Address after: Floor 17, unit 2, building 6, 171 hele 2nd Street, Chengdu hi tech Zone, Chengdu pilot Free Trade Zone, Sichuan 610212 Applicant after: Huada Hengxin Technology Co.,Ltd. Address before: 610015 1-3 / F, block B, building 4, No. 200, Tianfu 5th Street, Chengdu hi tech Zone, Chengdu Free Trade Zone, Sichuan Province Applicant before: Sichuan Huada Hengxin Technology Co.,Ltd. |
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Denomination of invention: A Chip Transfer Prevention Method Granted publication date: 20230530 Pledgee: Chengdu SME financing Company Limited by Guarantee Pledgor: Huada Hengxin Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2024980008764 |
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