200540430 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於例如於積體電路等電路電性檢查中，可 適合作爲進行對於電路電性連接的探針裝置之薄片狀探針 及該製造方法及其應用。 【先前技術】 • 例如’於形成多數積體電路之晶圓，或半導體元件等 的電子構件等的電路裝置的電氣檢查中，使用具有根據對 應被檢查電路裝置的被檢查電極圖案之圖案，加以配置之 檢查電極之檢查用探針。 作爲相關之檢查用探針，就以往而言，使用配列針脚 或編織層所成檢查電極而成者。 因此，於被檢查電路裝置形成多數積體電路之晶圓時 ’製作爲檢查晶圓之檢查探針時，需配列非常多數的檢查 • 電極之故，檢查用探針會變得非常高價，又，被檢查電極 的間隔爲變小之時，製作檢查用探針本身會變的困難。 更且，晶圓一般而言會產生彎曲，該彎曲狀態會由於 每一製品（晶圓）而不同，對於晶圓之多數被檢查電極而言 ，安定且確實接觸各個檢查用探針的檢查電極在實際上是 困難的。 由以上的理由，近年以來，作爲爲檢查形成於晶圓積 體電路之檢查用探針’提案有於一面，根據對應被檢查電 極圖案之圖案，具備形成複數檢查電極之檢查用電路基板 -5- 200540430 (2) ，和配置於此檢查用電路基板之一面上之向異導電 ，和配置於此向異導電性薄片，於柔軟的絕緣性薄 列貫通該厚度方向延伸之複數電極構造所成薄片狀 (例如，參照專利文獻1)。 第39圖係顯示具備檢查用電路基板85，向異 薄片80及薄片狀探針90所成以往探針卡片一例之 明用剖面圖。 • 於此探針卡片中，設置於一面，具有根據對應 電路裝置的被檢查電極的圖案之圖案，所形成之多 電極86之檢查用電路基板85，於此檢查用電路基t 一面上，藉著向異導電性薄片80，配置薄片狀探針 向異導電性薄片80係具有僅於厚度方向顯示 ，或加至厚度方向時，僅於厚度方向，顯示導電性 導電性導電部，作爲相關之向異導電性薄片，有種 造者，例如於專利文獻2等，揭示有將金屬粒子均 • 於彈性體中，獲得向異導電性薄片者（將此稱爲分 異導電性薄片）。 又，於專利文獻3等，揭示有將導電性磁性體 由不均勻分布於彈性體中，形成延伸於厚度方向之 電部，和將相互絕緣之此絕緣部而成向異導電性穿 下，將此等稱爲「偏在型向異導電性薄片」）。更 專利文獻4等’揭示於導電部表面和絕緣部間，形 之偏在型向異導電性薄片。 薄片狀探針90係例如具有經由樹脂所成柔軟 性薄片 片，配 探針。 導電性 構成說 被檢查 數檢查 乏85的 90 〇 導電性 之加壓 種的構 一分散 散型向 粒子經 多數導 挈片（以 且，於 成階差 的絕緣 -6 - 200540430 (3) 性薄片9 1，於此絕緣性薄片9 1，延伸於該厚度方向之複 數電極構造體95，則根據對應被檢查電路裝置的被檢查電 極圖案之圖案加以配置而構成。 各電極構造體95乃露出於絕緣性薄片9 1的表面之突 出狀表面電極部96，和露出於絕緣性薄片9 1背面之板狀 背面電極97，則將絕緣性薄片9 1，藉由貫穿於該厚度方 向，而延伸短路部98，連結呈一體而構成。 P 如此的薄片狀探針90係一般而言如以下加以製造。 首先，如第52(a)圖所示，於絕緣性薄片91的一面， 準備形成金屬層92所成層積體90A，如第52(b)圖所示， 於絕緣性薄片9 1，形成貫穿於該厚度方向之貫通孔98H。 其次，如第52(c)圖所示，於絕緣性薄片91的金屬層 92上，形成光阻膜93之後，將金屬層92做爲共通電極， 經由施以電解電鍍處理，形成於絕緣性薄片91的貫穿孔 98H的內部，塡充金屬的堆積體，一體連結於金屬層92 • 之短路部98之同時，於絕緣性薄片9 1的表面，形成一體 連結於短路部98之突出狀的表面電極部96。 之後，由金屬層92除去光阻劑93，更且，如第52(d) 圖所示，於包含表面電極部96之絕緣性薄片9 1的表面， 形成光阻膜94A之同時，於金屬層92上，根據對應欲形 成背面電極部圖案之圖案，形成光阻膜94B，對於金屬層 92，經由施以鈾刻處理，如第52(e)圖所示，除去金屬層 92之露出部份，而形成背面電極部97，形成電極構造體 95 ° 200540430 (4) 然後’除去形成於絕緣性薄片9〗及表面電極部9 6上 之光阻膜94A之同時，經由除去形成於背面電極部97上 之光阻膜93，獲得薄片狀探針90。 於上述檢查用探針中，於被檢查電路裝置，例如於晶 圓的表面，薄片狀探針90之電極構造體95的表面電極部 96則位於晶圓被檢查電極上地加以配置。 然後’於此狀態，晶圓經由檢查用探針之加壓，向異 # 導電性薄片80則經由薄片狀探針90之電極構造體95的 背面電極部9 7加以加壓。 由此，向異導電性薄片80中，於背面電極部97和檢 查用電路基板85的檢查電極86間，於該厚度方向，形成 導電路，結果， 達成電氣連接晶圓被檢查電極和檢查用電路基板8 5 的檢查電極8 6。 然後，於此狀態，對於晶圓實行所需的電性檢查。 φ 然後，根據如此檢查用探針，晶圓經由檢查用探針加 壓時，對應晶圓彎曲的大小，爲變形向異導電性薄片80 之故，對於各個晶圓多數的被檢查電極，可確實達成良好 電性連接。 但是，於上述檢查用探針，有以下的問題。 於形成上述薄片狀探針90的製造方法之短路部98及 表面電極部96之工程中’電解電鍍所成鍍層則等方地成 長之故，如第41圖所示’於所得表面電極部96中，由表 面電極部96的周緣至短路部98的周緣距離W，係與表面 200540430 (5) 電極部96的突出高度h爲同等高度。 因此，所得表面電極部9 6的口徑R係超出突出高度 h的2倍，爲呈相當大者。 爲此’被檢查電路裝置之被檢查電極以微小，極小之 間隔配置時，不能充分確保鄰接電極構造體9 5間的間隔 距離的話’結果，於所得薄片狀探針9 0中，絕緣性薄片 9 1所成之柔軟性會失去，難以達成對於被檢查電路裝置， # 安定的電性連接。 又，於電解電鍍處理中，對於金屬層92的全面，供 給均勻電流密度分布電流，實際上爲困難的，經由此電流 密度分布不均勻性，於每一絕緣性薄片91的貫穿孔9 8 Η ，電鍍層的成長速度不同之故，形成表面電極部96的突 出高度h，或由表面電極部96的周緣至短路部98的周緣 的距離W即在於口徑R，會產生很大的不均。 然後，表面電極部96的突出高度h，有很大的不均時 • ，難以達對於被檢查電路裝置之電性連接，另一方面，於 表面電極部96的口徑爲很大不均時，鄰接表面電極部96 間恐有短路之虞。 對於以上而言，有使表面電極部96的突出高度h變 小之手段，作爲縮小此所得表面電極部96的口徑手段’ 將短路部9 8的口徑（截面形狀爲非圓形時，顯示最短的長 度）r變小，即，可爲縮小絕緣性薄片91的貫穿孔98H的 口徑之手段，經由前者的手段，於所得薄片狀探針中，對 於被檢查電極，有難以確實達成安定的電性連接。 -9 - 200540430 (6) 另一方面，於後者手段中，經由電解電鍍處理 短路部98及表面電極部96，本身則有困難。 爲解決如此的問題，於專利文獻5及專利文獻 提案有由各自基端朝向前端，配置具有成爲小口徑 狀表面電極部之多數電極構造體所成薄片狀探針。 記載於專利文獻5之薄片狀探針中，則如以下 造。 • 如第54(a)圖所示，於絕緣性薄片91的表’面， 膜93A及表面側金屬層92A之順序形成，於絕緣 91的背面，準備層積背面側金屬層92B所成層積體 然後，如第54(b)圖所示，形成此層積體90B 側金屬側金屬層92B，向各絕緣性薄片9 1及光阻 相互連通厚度方向延伸之貫通孔。 由此，於層積體90B的背面，於欲形成電極構 短路部及表面電極部形成具有適合之推拔狀形態之 # 造體形成用凹部處90K。 接著，如第54(c)圖所示，將此層積體90B之 金屬層92A作爲電極，經由電鍍處理，於電極構造
用凹處90K，塡充金屬，形成表面電極部96及短S 〇 然後’於此層積體之背面側金屬層92B，施以 理，經由除去該一部份，如第54(d)圖所示，形成 極部97，得薄片狀探針90。 又’記載於專利文獻6之薄片狀探針，係如以 ，形成 6中， 之推拔 加以製 依光阻 性薄片 90B。 之背面 膜93A 造體的 電極構 表面側 體形成 !各部98 蝕刻處 背面電 下加以 -10- 200540430 (7) 製造。 如第5 5 (a)圖所示，經由欲形成薄片狀探針之絕緣性 薄片，於具有大厚度之絕緣性薄片材9 1 A的表面，形成表 面側金屬層92A，於絕緣性薄片材9 1 A的背面，準備層積 背面側金屬層92B所成層積體90C。 然後，如第55(b)圖所示，形成向此層積體90C之背 面側金屬層92B及絕緣性薄片材9 1 A相互連通之厚度方向 φ 延伸之貫通孔，於層積體90C的背面，於欲形成電極構造 體的短路部及表面電極部，形成具有適合推拔狀形態之電 極構造體形成用凹部處90K。 接著，將此層積體90C之表面側金屬層92A作爲電極 ，經由電鍍處理，如第55(c)圖所示，於電極構造體形成 用凹處90K，塡充金屬，形成表面電極部96及短路部98 〇 然後，除去此層積體90C之表面側金屬層92A之同時 # ，經由蝕刻處理絕緣性薄片材9 1 A，除去絕緣性薄片的表 面側部份，如第5 5 (d)圖所示，形成需要厚度的絕緣性薄 片材91之同時，露出表面電極部96。 然後，經由蝕刻處理背面側金屬層92B，形成背面電 極部97，得如第55(e)圖所示薄片狀探針90。 根據如此薄片狀探針90，表面電極部96爲推拔狀者 ，將口徑小突出高度爲高之表面電極部96，可於充分確保 與鄰接電極構造體的表面電極部96的間隔距離狀態下加 以形成之同時，各電極構造體95的表面電極部96，係將 -11 - 200540430 (8) 形成於層積體電極構造體形成用凹處90K作爲模孔加以形 成之故，可得表面電極部9 6突出高度之不均爲小之電極 構造體95。 此探針卡之薄片狀探針乃如圖56所示，具有聚醯亞 胺等樹脂所成柔軟之圓形之絕緣薄片9 1，於此絕緣薄片 9 1，向該厚度方向延伸之複數之電極構造體95則根據被 檢查電路裝置之被檢查電極之圖案而配置。 # 又，於絕緣薄片9 1之周緣部，在控制絕緣薄片9 1之 熱膨漲等之目的下，例如設置陶瓷所成環狀之支持構件99 〇 各電極構造體95乃露出於絕緣薄片91之表面的突起 狀之表面電極部96，和露出於絕緣薄片9 1之背面之板狀 的背面電極部9 7則藉由令絕緣薄片9 1貫通於該示度方向 延伸之短路部9 8，呈一體連結之構造。 又，絕緣薄片9 1之周緣部中，設置陶瓷所成環狀之 • 支持構件99。此支持構件99乃控制絕緣薄片9 1之面方向 之熱膨漲，於預熱試驗中，爲防止溫度變化所造成之電極 構造體95和被檢查電極之位置偏移者。 【專利文獻1】日本特開平7-231019號公報 【專利文獻2】日本特開昭51_93 3 93號公報 【專利文獻3】日本特開昭53-147772號公報 【專利文獻4】日本特開昭61-250906號公報 【專利文獻5】日本特許第2〇〇4-172589號公報 -12- 200540430 (9) 【發明內容】 【發明欲解決之課題】 但是，於此等薄片狀探針中，電極構造體之表面電極 部之口徑與短路部之口徑’即與形成於絕緣性薄片之貫通 孔的口徑相同或較小之故’電極構造體則會從絕緣性薄片 之背面脫落，實際難以使用薄片狀探針。 爲解決此問題點，例如，提案有揭示於專利文獻5之 # 電極構造體之表面電極部側，具有保持部，電極構造體有 防止由絕緣性薄片的背面脫落之薄片狀探針。 記載於專利文獻5之薄片狀探針，係如以下加以製造 〇 如第48 (a)圖所示，準備由表面側金屬層122，絕緣性 薄片124，第1背面側金屬層126，絕緣層128，第2背面 側金屬層130所成5層層積材料132。 如第48(b)圖所示，於此層積體132之第2背面側金 # 屬層130，設置開口部134，經由此開口部134，於絕緣層 128進行蝕刻於絕緣層128，設置貫通孔136。 接著，在露出於絕緣層128的貫通孔底部之第1背面 側金屬層1 26，進行蝕刻，將絕緣性薄片1 24露出於該貫 通孔1 3 6的底部。 然後，通過第1背面側金屬層126的貫通孔136，於 絕緣性薄片1 24進行蝕刻，於貫通孔丨3 6的底部露出表面 側金屬層122。 如此將金屬層和樹脂層（絕緣層1 2 8，絕緣性薄片1 24) -13- 200540430 (10) 交互進行蝕刻，將向各第2背面側金屬層1 3 0，絕緣層 1 2 8，第1背面側金屬層1 2 6，絕緣性薄片1 2 4彼此相互連 通之厚度方向延伸之貫通孔138，於層積體132的背面， 於欲形成電極構造體的短路部及表面電極部形成具有適合 推拔狀的形態之電極構造體形成用凹處90Κ。 接著，將此層積體1 3 2之表面側金屬層1 2 2作爲電極 ，經由電鍍處理，如第48(c)圖所示，於電極構造體形成 φ 用凹處90Κ，塡充金屬，形成表面電極部96及短路部98 〇 然後，除去此層積體132之表面側金屬層122之同時 ，蝕刻處理絕緣性薄片1 24，除去絕緣性薄片1 24，露出 第1背面側金屬層126 (第4 8(d)圖）。 然後，蝕刻處理第1背面側金屬層1 26，形成保持部 之同時，蝕刻處理第1背面側金屬層1 26，經由除去該一 部份，形成背面電極部97及支持部，得如第4 8(e)圖所示 • 薄片狀探針90。 更且，如上述薄片狀探針中，於層積體90C的背面， 因於欲形成電極構造體的短路部及表面電極部，形成具有 適合之推拔狀形態的電極構造體形成用凹處90Κ之故，電 極構造體形成用凹所的前端口徑92Τ係較形成於層積體 90C的背面之開口部92Η的口徑爲小。 因此，增加絕緣性薄片的厚度，爲獲得同一前端口徑 92 Τ時，需較形成背面側開口部92Η的口徑爲大。 爲此，製造具有微細的間隔且高密度電極構造體之薄 -14- 200540430 (11) 片狀探針時，如第5 5 (e)圖所示，絕緣性薄片厚度變大時 ，於層積體90C的背面側鄰接開口部92H間，由於確保絕 緣部92N之必要性，無法使開口部92H 口徑變大之故， 因此加大該絕緣性薄片的厚度時，電極構造體形成用凹處 90K的前端口徑92T則變小，有形成無法連接於表面側金 屬層92A之電極構造體形成用凹處90K之情形。 如此，電極構造體形成用凹處90K無法充分連接於表 # 面側金屬層92A時，無法經由電鍍塡充金屬，電極構造數 則不足，會生產使用困難的薄片狀探針。 又，電極構造體的前端部口徑變小時，於返覆使用， 前端部則摩耗、損耗，電極構造體高度有不均的傾向，亦 需由電極構造體強度面，使前端部的前端口徑或基端口徑 不能變得太小。 更且，亦需經由該電極構造體的材質，調整前端部的 口徑。 • 但是，於上述薄片狀探針的製造方法中，前端部的口 徑調整，經由背面側的開口部口徑加以調整，但經由層積 體的厚度，背面側的開口部口徑的調節則被限制，尤其在 微小，極微細的間隔，且高密度的薄片狀探針製造中，有 難以構成期望之前端部口徑的電極構造體情形。 但是，此薄片狀探針之製作工程中，對於聚醯亞胺等 之絕緣層，需形成爲形成電極構造體之貫通孔。此貫通孔 乃如圖5&所示，於第2之背面側金屬層130之單面，於 形成貫通孔之部分，形成具有開口部140a之光阻膜140 -15- 200540430 (12) 之圖案，經由將薄片整體浸漬於蝕刻液而得。於此方法中 ，形成層積於聚醯亞胺膜8 1之金屬膜82露出於底面之貫 通孔8 1 a，令此金屬膜8 2，做爲共通電極，經由進行電解 電鍍之工程，形成電極構造體。 但是，對於聚醯亞胺經由蝕刻形成貫通孔時，如圖5 7 所示，貫通孔8 1 a乃呈推拔狀，愈向深處進行，該口徑則 漸漸變小。爲此，使用膜厚爲厚之聚醯亞胺膜時，到達金 φ 屬膜82之前，孔會被封閉，無法形成貫通孔142a。 即，如以往，將爲形成電極構造體之貫通孔，於聚醯 亞胺之絕緣膜，經由蝕刻加工形成時，如圖5 8所示，藉 由光阻膜101，被覆表面之絕緣層1〇〇之膜厚tl變厚時， 於到達金屬膜82之中間，會有不能形成貫通孔的問題。 即，蝕刻處理之蝕刻處理角度Θ乃經由加工條件而不 同，一般而言爲45度〜55度。爲此，由單側，於絕緣層 1 〇〇，進行蝕刻處理時，可形成貫通孔之絕緣層1 00之厚 • 度乃非開口徑之1 /2程度以下時，只能確實將貫通孔開孔 至中途。即，蝕刻寬度t2乃開口徑0 1之一半寬度之故 ，絕緣層100不爲開口徑0 1之一半以下時，荃以確實 形成貫通孔。 伴隨被檢查對象之晶圓之電極間隔之狹窄化，薄片狀 探針之電極構造體之配置間隔爲短，現階段中，通常爲 100〜120 μιη，將來則需例如不足1〇〇 μπι，更且需短至80 μιη以下。 另一方面，爲確保鄰接之電極構造體間之絕緣性，做 -16 - 200540430 (13) 爲此等間之絕緣部之寬度（電極構造體之配置間隔和開口 徑公1之差），例如需40〜50 μηι。爲確保聚醯亞胺膜之強 度，使用厚度爲大者之時，經由蝕刻，爲形成貫通孔，如 上所述，需使開口徑0 1變大，無法確保鄰接之電極構造 體間之絕緣性。 爲此，使電極構造體之配置間隔變小時，限制聚醯亞 胺膜之厚度，例如將電極構造體之配置間隔呈1 20 μηι， • 令貫通孔之開口徑0 1呈70 μιη時，使用之聚醯亞胺膜之 厚度t需要3 5 μηι以下，爲使底面側之開口徑0 2呈某程 度以上，需更將厚度t變小。 又，假使爲提升絕緣層128之強度，使用50 μηι厚度 之絕緣層128時，需將貫通孔之開口徑0 1呈1〇〇 μπι以 上，難以進行被製造之電極構造體之鄰接之絕緣層間之絕 緣性之確立之故，包含絕緣層1 28之厚度，亦可不可能使 開口徑變大。 # 於如圖5 7之推拔狀之貫通孔8 1 a，形成電極構造體時 ，蝕刻方向深側之開口徑0 2爲小時，電阻値增加之故， 此小口徑部分之開口徑0 2乃儘可能爲大則爲佳。 更且，此開口徑0 2爲小時，此小口徑部分會影響電 阻値之故，亦必需注意到設於薄片狀探針之各電極構造體 間之電阻値的不均會隨之變大。 本發明係根據以上情事所成者。本發明的目的係提供 可形成具有小口徑表面電極部之電極構造體，對於以小間 隔形成電極之電路裝置而言，可確實達成安定的電氣連接 -17- 200540430 (14) 狀態，而且，電極構造體不會由絕緣層脫落’可得高耐久 性之薄片狀探針者° 本發明的目的係可提供對於具有絕緣層的厚度爲大’ 口徑之小表面電極部之電極構造體’以小間隔形成電極之 電路裝置，亦可確實達到安定的電氣連接狀態’具有高耐 久性之薄片狀探針° 本發明的目的，係提供形成具有突出高度之不均爲小 • 之小表面電極部之電極構造體’對於以小間隔形成電極之 電路裝置而言，可確實達成安定的電氣連接狀態’而且’ 電極構造體不會由絕緣層脫落’可製造得高耐久性之薄片 狀探針方法。 本發明之目的乃例如對於形成微細間隔之被檢查電極 之大型晶圓之電路裝置，進行電性檢查而使用，連接於電 路裝置之被檢查電極的電極構造體貫通於絕緣層之接點膜 ，支持於支持體的薄片狀探針中，即使電極構造體之配置 • 間隔爲短，可確保鄰接之電極構造體間之絕緣性，而確保 絕緣層之強度。 又，本發明乃於上述薄片狀探針中，即使可提供電極 構造體之配置間隔爲短，確保鄰接之電極構造體間之絕緣 性，可確保絕緣層之強度，更且電極構造體之電阻値爲小 ，該參差小的薄片狀探針爲目的。 更且，本發明乃可提供即使絕緣層爲開口徑之1 /2以 上厚度時，無需展開開口徑，更且於無法展開開口徑之時 ，直立設置於電極構造體之背面電極形成用金屬薄片構件 -18- 200540430 (15) 上地，形成短路部，將此高度經由設定於絕緣層之開口徑 之1 /2以上之高度，使需蝕刻處理之厚度，經由呈絕緣層 之1 /2以下厚度，可安定維持良好之電性連接狀態的薄片 狀探針爲目的。 本發明之目的乃提供於厚度爲大之絕緣膜所成薄片狀 探針中，令表面電極部之前端口徑或基端口徑，調整至期 望之口徑的薄片狀探針之製造方法。 # 本發明之目的乃提供具備上述薄片狀探針之探針卡。 本發明之目的乃提供具備上述探針卡之電路裝置之檢 查裝置。 【爲解決課題之手段】 本發明之薄片狀探針，其特徵爲具備形成貫通孔之金 屬框板，和支持於前述金屬框板之貫通孔之周緣部的接點 膜；於構成背面電極部之背面電極形成用金屬薄片構件上 • ，具備該貫通孔則適合於短路部地加以層積之支持體，和 塗佈形成於前述背面電極形成用金屬薄片構件上之絕緣層 ;前述電極構造體乃具備直立設於前述背面電極形成用金 屬薄片構件上而形成之短路部，和形成在對應於前述絕緣 層之前述短路部的位置的開口部中，塡充形成於連通前述 短路部上部之開口部，從前述絕緣層表面突出之表面電極 部，和令前述背面電極形成用金屬薄片構件，殘留對應於 前述短路部之位置的部分而形成之背面電極部。 經由成如此之構成，即使絕緣層爲開口徑之1 /2以上 -19- 200540430 (16) 厚度時，無需展開開口徑，更且於無法展開開口徑之時’ 直立設置於電極構造體之背面電極形成用金屬薄片構件上 地，形成短路部，將此高度經由設定於絕緣層之開口徑之 1 /2以上之高度，使需蝕刻處理之厚度，經由呈絕緣層之 1 /2以下厚度，可安定維持良好之電性連接狀態。 更且，薄片狀探針乃可使絕緣層變厚之故，可使具有 強度的同時，薄片狀探針本身不會纏撓地，可安定維持良 • 好之電性連接狀態。 又，預先對於絕緣層之厚度，經由站立設置短路部之 高度，可調整蝕刻處理之必要高度，尤其在無法改變貫通 孔徑時或貫通孔徑爲小之時爲有效的。 又，本發明之薄片狀探針，其特徵爲具備形成貫通孔 之金屬框板，和支持於前述金屬框板之貫通孔之周緣部的 接點膜；於前述電極構造體乃具備從絕緣層之背面突出之 背面電極部，和從該背面電極部向絕緣層之貫通孔內直立 # 設置之柱狀部，和經由包含該柱狀部地，從絕緣層之貫通 孔內渡過表面加以電鍍，突出形成於絕緣層之表面的表面 電極部，貫通前述電極構造體之前述絕緣層峙貫通孔乃經 由從該絕緣層之兩面側之蝕刻而形成者。 根據如此薄片狀探針時，於支持體之貫通孔，支持接 點膜之故，可使配置於貫通孔之接點膜之面積變小。例如 ，對應於形成檢查對象之電路裝置之被檢查電極的電極範 圍，使用形成複數之貫通孔之支持體時，配置於此等之各 貫通孔，可使在該周緣部支持之各接點膜之面積大幅的變 -20- 200540430 (17) 小。 如此面積小之接點膜乃由於該絕緣層之面方向之熱膨 漲之絕對量爲小之故，可令絕緣層之熱膨漲經由支持體可 確實地加以限制。因此，檢查對象例如直徑爲8英吋以上 之大面積之晶圓或被檢查電極之間隔極小之電路裝置中， 在於預燒試驗中，可確實防止溫度變化所成電極構造體和 被檢查電極的位置偏移之故，可安定維持良好之連接狀態 •。 然後，上述薄片狀探針乃被覆支持體之貫通孔地，從 一體化絕緣層之薄片之兩面側，經由蝕刻，形成爲形成電 極構造體之貫通孔，使用此薄片加以製造。 經由蝕刻液形成貫通孔時，如前所述，貫通孔乃由開 口向深處，口徑沖漸漸變小地而形成推拔狀之故，對於特 定開口徑而言，絕緣層變厚時，孔會阻塞而不能貫通，但 從絕緣層之兩面側經由蝕刻，該形狀乃從兩面側之開口向 ® 貫通方向中央部附近，成爲口徑漸爲狹窄之形狀，孔之小 口徑部分成爲孔之中央部附近之故，對於特定之開口徑， 孔被阻塞之絕緣層之厚度乃較僅從絕緣層之單面側進行蝕 刻之時，單純計算爲呈2倍。 如此，經由從絕緣層之兩面側蝕刻形成貫通孔，爲形 成特定之開口徑之貫通孔之故，可使用之絕緣層之厚度範 圍會變大之故，爲使電極構造體之配置間隔變短，在確保 鄰接之電極構造體間之絕緣性的程度下使貫通孔之開口徑 變小時，亦可使用確保期望之強度的厚絕緣層。 -21 - 200540430 (18) 更且，從絕緣層之兩面側進行鈾刻之時，較僅從絕緣 層之單面側進行蝕刻之時，可令使用同厚度之絕緣層，以 開口徑形成貫通孔時之小口徑部分之口徑變大之故，可使 電極構造體之電阻値變小，更且使各電極構造體間之電阻 値之不均變小。因此，以良好且安定之電性連接狀態，進 行電路裝置之電性檢查。 本發明薄片狀探針之製造方法，乃具有準備至少具有 φ 絕緣性薄片，和形成於前述絕緣性薄片之表面的表面側金 屬層，和形成於前述絕緣性薄片之背面的第1之背面側金 屬層的層積體；經由形成向相互連通於此層積體之第1之 背面側金屬層和絕緣性薄片的厚度方向延伸之貫通孔，於 該層積體之背面，形成表面電極部形成用凹處’對於此層 積體而言，將此表面側金屬層做爲電極，施以電鍍處理， 於表面電極部形成用凹處’經由塡充金屬，形成從絕緣層 之表面突出之表面電極部後，於該層積體之背面側，形成 # 絕緣層，和形成於此絕緣層之表面的第2之背面側金屬層 ，相互連通於各個此層積體之第2之背面側金屬層及絕緣 層，於底面形成露出表面電極部之短路部形成用凹處’對 於此層積體而言，將此表面側金屬層做爲電極，施以電鍍 處理，於短路部形成用凹處，經由塡充金屬，形成從表面 電極部之基端連續地，將絕緣層貫通於該厚度方向延伸之 短路部後，於第2之背面側金屬層，經由施以蝕刻處理’ 形成背面電極部，經由除去前述表面側金屬層及前述絕緣 性薄片，露出前述表面電極及前述第1之背面側金屬層’ -22- 200540430 (19) 之後，於該第1之背面側金屬層，經由施以蝕刻處理 成從前述表面電極部之基端部分連續地，沿前述絕緣 片之表面，向外側延伸之保持部之工程爲特徵。 本發明之薄片狀探針之製造方法，其中，於第2 面側金屬層，施以蝕刻處理，在背面電極部及支持體 割除去者爲特徵。 又，本發明之薄片狀探針之製造方法，屬於使用 φ 路裝置之電性檢查的薄片狀探針之製造方法，其特徵 備準備形成貫通孔之金屬框板的工程，和適合於前述 框板之貫通孔部地，準備站立設置短路部之背面電極 用金屬薄片構件的工程，和於直立設置前述短路部之 電極形成用金屬薄狡構件上，將形成貫通孔之金屬框 於該貫通孔部，適合短路部地，加以層積配置之工程 從前述層積配置之金屬框板之上面，塗佈形成絕緣層 程，和經由前述塗佈形成之絕緣層之上面，除去對應 φ 短路部之位置的部分，形成開口部，露出短路部之頂 工程，和於露出前述短路部之頂部之部分，塡充形成 述絕緣層表面突出之表面電極部的工程，和將前述背 極形成用金屬薄片構件，僅殘留對應於前述短路部之 的部分，形成背面電極部的工程爲特徵。 如此，將預先形成貫通孔之金屬框板，和配合於 框板之貫通孔部地，直立設置短路部之背面電極形成 屬薄片構件，經由層積配置之金屬框板之上面，塗佈 絕緣層而配合，經由塗佈成之絕緣體上面，除去對應 ，形 性薄 之背 部分 於電 乃具 金屬 形成 背面 板， ，和 之工 於該 面的 由前 面電 位置 金屬 用金 形成 於該 -23- 200540430 (20) 短路部之位置的部分，經由露出短路部之頂面’形成開口 部，於該部分，塡充形成由絕緣層表面突出之表面電極部 ，最後，令背面電極形成用金屬薄片構件，僅殘留對應於 短路部之位置的部分，形成背面電極部，而形成電極構造
IMS 體。 因此，可使絕緣層變厚之故，可使具有強度的同時， 薄片狀探針本身不會纏撓地，可安定維持良好之電性連接 • 狀態。 又，預先對於絕緣層之厚度，經由直立設置短路部之 高度，可調整蝕刻處理之必要高度之故，尤其在無法改變 貫通孔徑時或貫通孔徑爲小之時爲有效的。 本發明乃薄片狀探針之製造方法，屬於連接於檢查對 象之電路裝置之被檢查電極的複數之電極構造體則貫通由 柔軟之樹脂所成之絕緣層，而形成之薄片狀探針之製造方 法，包含於形成金屬薄片之表面之前述電極構造體的各位 # 置，直立設置金屬所成柱狀部，依需要在前述金屬薄片之 背面，準備層積絕緣薄片的第1之薄片的工程，和於形成 至少一個貫通孔之薄片狀之金屬框板，被覆該貫通孔地’ 一體化絕緣層，於形成前述貫通孔之內部的電極構造體的 各位置，準備形成貫通絕緣層之貫通孔的第2之薄片的工 程，和第1之薄片之柱狀部，插入至貫通第2之薄片之絕 緣層之貫通孔地，重合第1之薄片和第2之薄片的工程’ 和從前述第2之薄片之絕緣層的貫通孔內，渡過表面進行 電鍍，由此，形成從前述電極構造體之前述絕緣層之表面 -24- 200540430 (21) 突出的表面電極部的工程，和將前述第1之薄片之前述金 屬薄片’殘留對應於前述電極構造體之背面電極部之部分 地，經由蝕刻，形成從前述絕緣層之背面突出的背M電極 部的工程爲特徵。 於準備前述第2之薄片之工程中’於前述金屬框板’ 對於前述絕緣層被一體化之薄片’將開口形成貫通孔之位 置的光阻圖案，形成於該薄片之兩面後’經由鈾刻液’從 Φ 絕緣層之兩面側，進行蝕刻，而形成前述貫通孔者爲佳。 根據上述製造方法時，於支持體之貫通孔’可得支持 接點膜之薄片狀探針，如前所述’可使配置於貫通孔之接 點膜之面積變小，可使該絕緣層之面方向之熱膨漲之絕對 量則變小之故，可使絕緣層之熱膨漲經由金屬框板可確實 地加以限制。因此，檢查對象例如直徑爲8英吋以上之大 面積之晶圓或被檢査電極之間隔極小之電路裝置中，在於 預燒試驗中，亦可確實防止溫度變化所成電極構造體和被 • 檢查電極的位置偏移之故，可安定維持良好之連接狀態。 然後，被覆支持體之貫通孔地，經由從一體化絕緣層 之薄片兩面側蝕刻，形成爲形成電極構造體之貫通孔，如 前所述，爲形成特定之開口徑之貫通孔，可使用之絕緣層 之厚度範圍會變大之故，使電極構造體之配置間隔變短， 在確保鄰接之電極構造體間之絕緣性的程度下，即使貫通 孔之開口徑變小時，亦可使用確保期望之強度的厚絕緣層 〇 更且，從絕緣層之兩面側進行蝕刻之時，較僅從絕緣 -25- 200540430 (22) 層之單面側進行餓刻之時，可令使用同厚度之絕緣層，以 開口徑形成貫通孔時之小口徑部分之口徑變大之故’可使 電極構造體之電阻値變小，更且使各電極構造體間之電阻 値之不均變小。因此，以上述製造方法所得之薄片狀探針 乃可以良好且安定之電性連接狀態，進行電路裝置之電性 檢查。 本發明之探針卡，屬於爲進行檢查對象之電路裝置和 φ 測試器之電性連接的探針卡，其特徵乃具備對應於檢查對 象之電路裝置之被檢查裝置，形成複數之檢查電極的檢查 用電路基板，和配置於此檢查用電路基板上之向異導電性 連接器，和配置於此向異導電性連接器上之前述之薄片狀 探針。 本發明之探針卡，其中，檢查對象之電路裝置爲形成 多數之積體電路的晶圓，向異導電性連接器乃具有對應於 配置形成於檢查對象之晶圓的所有積體電路或一部之積體 φ 電路之被檢查電極的電極範圍，形成複數之開口的框板， 和阻塞此框板之各開口地加以配置之向異導電性薄片爲特 徵者。 本發明之探針卡，屬於爲進行檢查對象之電路裝置和 測試器之電性連接的探針卡，其特徵乃具備對應於檢查對 象之電路裝置之被檢查裝置，形成複數之檢查電極的檢查 用電路基板’和配置於此檢查用電路基板上之向異導電性 連接器’和配置於此向異導電性連接器上之上述之方法所 製造之薄片狀探針。 -26- 200540430 (23) 本發明之探針卡，其中，檢查對象之電路裝置爲形成 多數之積體電路的晶圓，向異導電性連接器乃具有對應於 配置形成於檢查對象之晶圓的所有積體電路或一部之積體 電路之被檢查電極的電極範圍，形成複數之開口的框板， 和阻塞此框板之各開口地加以配置之向異導電性薄片爲特 徵者。 本發明之電路裝置之檢查裝置，其特徵乃具備上述之 φ 探針卡。 本發明之晶圓之檢查方法，其特徵乃將形成複數之積 體電路之晶圓的各積體電路，藉由上述之探針卡，電性連 接於測試器，進行前述各積體電路之電性檢查者。 【發明之效果】 根據本發明之薄片狀探針時，於電極構造體中，爲形 成從表面電極部之基端部連續沿絕緣層之表面向外側延伸 # 之保持部之故，表面電極部之口徑即使爲小，電極構造體 不會由絕緣層之背面脫落，而得高耐久性。 又，經由可形成小口徑之表面電極部，鄰接之表面電 極部間之隔離距離被充分確保之故，絕緣層所呈現之柔軟 性則充分被發揮，結果，對於小間隔所形成之電極的電路 裝置，亦可確實達安定之電性連接狀態。 根據本發明之薄片狀探針時，檢查對象爲直徑8英吋 以上之大面積之晶圓或被檢查電極之間隔爲極小的電路裝 置時，在於預燒試驗中，可確實防止溫度變化所成電極構 -27- 200540430 (24) 造體和被檢查電極的位置偏移之故，可安定維持良好之連 接狀態。 又’根據本發明時，即使絕緣層爲開口徑之1 /2以上 厚度時’無需展開開口徑，更且於無法展開開口徑之時， 直立設置於電極構造體之背面電極形成用金屬薄片構件上 地’形成短路部，將此高度經由設定於絕緣層之開口徑之 1 /2以上之高度，使需飩刻處理之厚度，經由呈絕緣層之 • 1 /2以下厚度，可提供安定維持良好之電性連接狀態之薄 片狀探針。 更且’根據本發明時，即使薄片狀探針之電極構造體 之配置間隔爲短，可確保鄰接之電極構造體間之絕緣性下 ，而確保絕緣層之強度。 根據本發明之薄片狀探針之製造方法時，檢查對象即 使爲直徑爲8英吋以上之大面積之晶圓或被檢查電極之間 隔極小之電路裝置，在於預燒試驗中，可確實防止溫度變 ® 化所成電極構造體和被檢查電極的位置偏移，因此，可製 造安定維持良好之連接狀態的薄片狀探針之製造方法。 根據本發明之薄片狀探針之製造方法時，於具有絕緣 性薄片之層積體，預先形成表面電極部形成用凹處，令表 面電極部形成用凹處做爲模槽，形成表面電極部之故，可 得口徑爲小，突出高度之不均爲小的表面電極部。 然後，於形成表面電極部之後，設置絕緣層，於設絕 緣層，形成短路部形成用凹處，令短路部形成用凹處做爲 做爲模槽，形成短路部之故，可使短路部之前端口徑較前 -28- 200540430 (25) 端部之基端口徑爲小，而構成電極構造體。 因此，相較於使爲形成前端部和短路部之凹處，以1 次之絕緣層形成之方法，於，厚度爲厚之絕緣層時，可使 背面側電極部變小地加以形成。 結果，可容易製造微細間隔，具有高密度之電極構造 體的薄片狀探針。 然後，絕緣層之前端部形成用凹處之形成和短路部形 • 成用凹處之形成乃另外進行之故，前端部形成用凹處之形 成和短路部形成用凹處則可任意加以設定。 由此，可無需短路部之口徑變大，而使短路部之基端 之口徑變大之故，可製造具有表面電極部之基端之口徑爲 大，前端口徑爲小，且背面電極部之口徑爲小的電極構造 體之絕緣薄片之厚度爲大的薄片狀探針。 又，令形成於絕緣層之表面的第1之背面側金屬層， 經由蝕刻處理，可確實形成從表面電極部之基端部分連續 # 地沿絕緣層之表面向外側延伸之保持部。 爲此，即使表面電極部之口徑爲小，電極構造體可不 由絕緣層脫落，而具有高耐久性。 更且，經由支持體支持絕緣層之故，檢查對象即使爲 直徑爲8英吋以上之大面積之晶圓或被檢查電極之間隔極 小之電路裝置，在於預燒試驗中，可確實防止溫度變化所 成電極構造體和被檢查電極的位置偏移，因此，可製造安 定維持良好之連接狀態的薄片狀探針。 根據本發明之探針卡時，具有上述薄片狀探針之故， -29- 200540430 (26) 對於小間隔形成電極之電路裝置而言，可確實達成安定之 電性連接狀態。而且，無薄片狀探針之電極構造體的脫落 ，檢查對象即使爲直徑爲8英吋以上之大面積之晶圓或被 檢查電極之間隔極小之電路裝置，在於預燒試驗中，可得 安定維持良好之連接狀態，因此可得高耐久性。 根據本發明之電路裝置之檢查裝置時，具備上述探針 卡之故，對於小間隔形成電極之電路裝置而言，可確實達 φ 成安定之電性連接狀態，而且，進行多數之電路裝置之檢 查時，於長時間下，可執行可靠性高之檢查。 【實施方式】 【爲實施發明之最佳形態】 以下，對於本發明之實施形態，詳細加以說明 <薄片狀探針> 圖1乃顯示本發明之薄片狀探針之其他之實施形態圖 ’圖1(a)乃平面圖、圖1(b)乃X-X線所成剖面圖，圖2乃 顯示擴大圖1之薄片狀探針之接點膜的平面圖，圖3乃顯 示關於本發明之薄片狀探針之構造的說明用剖面圖，圖4 乃擴大關於本發明之薄片狀探針之電極構造體的說明用剖 面圖。 本實施形態之薄片狀探針1 〇乃對於形成複數之積體 電路的8英吋等晶圓，將各積體電路之電性檢查，以晶圓 狀態進行而使用。 -30- 200540430 (27) 此薄片狀探針10乃如圖Ua)所示，在於對應於被檢 查對象之晶圓上之各積體電路的各位置，具有形成貫通孔 之支持體2 5，於此貫通孔內，配置接點膜9。 接點膜9乃以支持體25之貫通孔周邊之支持部22， 支持於支持體25。 如圖1(b)所示，此支持部22乃於支持體25上，形成 絕緣膜所成之接點膜9，經由此支持體2 5，支持接點膜9 •。 接點膜9乃如圖2所示成爲於柔軟之絕緣層1 8B貫通 形成電極構造體1 5的構造。 即，向絕緣層18B之厚度方向延伸之複數之電極構造 體1 5則根據對應於檢查對象之晶圓之被檢查電極的圖案 ，向絕緣層1 8 B之面方向相互隔離配置。 又，如圖3所示，各電極構造體15乃由露出於前述 絕緣層18B之表面，從絕緣層18B之表面突出的表面電極 φ 部1 6，和露出於絕緣層1 8 B之背面之矩形之平板狀之背 面電極部1 7，和從表面電極部1 6之基端連續地，將前述 絕緣層1 8B向該厚度方向貫通延伸，連結於背面電極部 1 7之短路部1 8，和從前述表面電極部1 6之基端部分之周 面連續地，沿絕緣層1 8 B之表面，向外側延伸呈放射狀之 圓形環狀之保持部1 9所構成。 於此例之電極構造體1 5中，表面電極部1 6則連續於 短路部1 8 ’從基端各前端，漸成小口徑之推拔狀’整體乃 形成呈圓錐梯形狀，連接於表面電極部1 6之基端的短路 -31 - 200540430 (28) 部1 8則從絕緣層1 8 B之背面，朝向表面地，漸成小口徑 之推拔狀。 又，如圖4所示，表面電極部16之基端口徑r 1則較 連接於基端之短路部1 8之一端的口徑R3爲大。 做爲絕緣層1 8 B，非特別限定於具有絕緣性之柔軟者 ，例如可使用聚醯亞胺樹脂、液晶聚合物、聚酯、氟系樹 脂等所成樹脂薄片、於編織纖維之編織物，含浸上述樹脂 Φ 之薄片等，在將爲形成短路部1 8之貫通孔，可經由蝕刻 容易形成的觀點上，以可蝕刻之材料爲佳，尤以聚醯亞胺 爲佳。 又，絕緣層18B之厚度d乃絕緣層18B爲柔軟者即可 ’無特別之限定，但以5〜100 μιη爲佳，，更佳爲10〜50 μιη 〇 支持體25乃與絕緣層18Β —體設置者，在與絕緣層 18Β層積之狀態下，設於絕緣層18Β之表面亦可，於絕緣 # 層1 SB做爲中間層而含有亦可。 然後，支持體25乃與電極構造體15隔離而配置，電 極構造體1 5和支持體25乃經由絕緣層1 8B加以連結，電 極構造體1 5和支持體2 5乃電氣性絕緣。 又，根據後述之薄片狀探針1 〇之製造方法時，支持 體25乃經由除去第2之背面側金屬層17A之一部分而形 成。 做爲成爲支持體25之構成第2之背面側金屬層17A 的金屬，可使用鐵、銅、錬、欽或此等合金或合金鋼，於 -32- 200540430 (29) 後述之製造方法中，經由鈾刻處理，由可容易地將第2之 背面側金屬層1 7 A分離分割成支持體2 5和·背面電極部1 7 之部分視之，以4 2合金、因瓦合金、科瓦鎳鐵鈷合金等 鐵鎳合金鋼或銅、鎳及此等合金爲佳。 又，做爲支持體2 5乃使用該線熱膨漲係數爲3 X 1(Γ5/Κ以下者爲佳，較佳爲1- X 1 (Γ7/Κ〜1 X 1 〇·5/Κ，尤以-1 xl(T6〜8χ1(Γ6/Κ 爲更佳。 φ 做爲構成如此之支持體2 5之材料的具體例，可列舉 因瓦等之因瓦合金、鎳鉻恆彈性合金等之鎳鉻恆彈性型合 金’超級因瓦合金、科瓦鐵錬銘合金、4 2合金等之磁性金 屬之合金或合金鋼等。 支持體25之厚度乃3〜100 μπι爲佳’更佳爲5〜5 0 μ m ο 此厚度過小之時，做爲支持薄片狀探針之金屬框板， 無法得必要之強度。另一方面，此厚度過大之時，於後述 • 製造方法中，有難以經由蝕刻處理，經由第2之背面側金 屬層17Α，分離分割支持體25和背面電極部17之問題。 又，做爲支持體25使用金屬框板時，乃使用金屬框 板之線熱膨漲係數爲3 X 1 0 _ 5 / Κ以下者爲佳，較佳爲1 _ χ 1〇-7/Κ〜1χ10_5/Κ，尤以-1χ10_6〜8χ10_6/κ 爲更佳。 做爲構成如此之支持體2 5之材料的具體例，可列舉 因瓦等之因瓦合金、鎳鉻恆彈性合金等之鎳鉻恆彈性型合 金’超級因瓦合金、科瓦鐵錬銘合金、4 2合金等之磁性金 屬之合金或合金鋼等。 -33- 200540430 (30) 又，本發明之薄片狀探針1 〇中，支持體2 5和背面電 極部1 7乃由不同之金屬構件所構成。 即，如後述，支持體2 5乃由使複數之貫通孔1 2，經 由例如穿孔、雷射加工等加以形成之金屬材料所構成。 另一方面，如後所述，背面電極部1 7乃於樹脂薄片 16a，使用層積金屬膜20c之層積薄片，將此金屬膜20c 經由施以蝕刻處理，從做爲背面電極部1 7形成之金屬材 φ 料加以構成。 如此，支持體2 5和背面電極部1 7乃由不同之金屬構 件所構成之故，在支持體25之構成金屬種類、厚度等無 所限制，例如考量對於彎曲之彈性，取得性等下，可以任 意之金屬且任意之厚度，形成支持體25。 例如，做爲支持體25，形成背面電極部1 7之通常蝕 刻液中，可使用不可蝕刻，或蝕刻速度非常慢之金屬。又 ，使用與電極構造體1 5之背面電極部1 7同一之材料，經 φ 由蝕刻，形成貫通孔12時，可將具有過大之厚度之金屬 板，做爲支持體25加以使用。 更且，背面電極部17乃由與支持體25不同之金屬構 件所構成之故，做爲背面電極部1 7，不限制做爲支持體 25之金屬，做爲較佳之金屬，例如可將電性特性優異之銅 等，做爲背面電極部1 7之構成金屬加以使用。 此時，構成支持體25之金屬構件之構成金屬，和構 成背面電極部17之金屬構件之構成金屬乃可由不同之金 屬種類之構成金屬加以構成亦可。 34- 200540430 (31) 又，構成支持體2 5之金屬構件的構成金屬，和構成 背面電極部17之金屬構件之構成金屬乃可由相同之金屬 種類之構成金屬加以構成亦可。 又，將絕緣性薄片經由蝕刻等，如圖10(a)、（b)所示 ，分離呈多數之接點膜9，支持於金屬框板25亦可。 此時，於金屬框板25之各開口部26，保持電極構造 體15之柔軟接點膜9，則以相互獨立之狀態（圖10(a))、 Φ 部分獨立之狀態（圖10(b))加以配置。 各接點膜9乃如圖10(a)、（b)所示，具有柔軟之絕緣 層1 8 B，於此絕緣層1 8 B，向該絕緣層1 8 B之厚度方向延 伸之金屬所成複數之電極構造體1 5則根據對應於檢查對 象之晶圓之電極範圍之被檢查電極圖案的圖案，在絕緣層 18B之面方向，相互隔離配置，接點膜9乃位於金屬框板 25之開口部內地加以配置。 做爲構成電極構造體15之金屬，可使用鎳、銅、金 • 、銀、鈀、鐵等，做爲電極構造體15乃可爲整體爲單一 金屬所成者，或2種以上金屬之合金所成或層積2種以上 金屬者，表面電極部16和短路部18爲不同金屬所構成亦 可。 又，於電極構造體15之表面電極部16及背面電極部 1 7之表面，防止電極部之氧化的同時，爲得接觸阻抗爲小 之電極部，形成金、銀、鈀等化學上安定具有高導電性之 金屬被膜亦可。 於電極構造體15中，對於表面電極部16之基端之口 -35- 200540430 (32) 徑R1的前端之口徑R2比（R2/R1)乃0.1 1〜0.9爲佳，更佳 爲 0· 1 5〜0.6。 經由滿足如此之條件，欲連接之電路裝置即使具有間 隔爲小之微小電極，對於電路裝置而言，亦可確實得安定 之電性連接狀態。 表面電極部16之基端之口徑R1乃電極構造體15之 間隔之30〜70%爲佳，更佳爲35〜60%。 # 又，對於表面電極部16之基端之口徑R1的突出高度 h之h/Rl乃0.2〜0.8爲佳，更佳爲0.25〜0.6。 經由滿足如此之條件，欲連接之電路裝置即使具有間 隔爲小之微小電極，可容易形成對應於電極圖案之圖案的 電極構造體15，對於電路裝置而言，可更深一層確實得安 定之電性連接狀態。 表面電極部16之基端之口徑R1乃考量上述條件或欲 連接之電極的直徑等加以設定，例如爲30〜80 μιη，較佳 爲 30〜60 μιη。 表面電極部16之的突出高度h之高度乃對於欲連接 之電極，可達成安定之電性連接之部分，12〜5 0 μπι爲佳 ，更佳爲15〜30 μηι。 又，背面電極部1 7之外徑R5乃較連結於背面電極部 17之短路部18的絕緣層18Β之背面側的口徑R4爲大， 且較電極構造體1 5之間隔爲小者即可，但以儘可能爲大 者爲佳。由此，例如對於向異導電性薄膜，亦可確實達成 安定電性連接。 -36- 200540430 (33) 又，背面電極部1 7之厚度d2乃在強度充分爲高，得 優異之重覆耐久性的部分上，爲10〜80 μπι爲佳，更佳爲 1 2〜6 0 μηι 〇 又，對於短路部1 8之絕緣層1 8 Β之背面側之口徑R4 的絕緣層1 8Β之表面側之口徑R3比（R3/R4)乃0.2〜1爲佳 ，更佳爲0.3〜0.9。 又，短路部18之絕緣層18Β之表面側之口徑R3乃電 # 極構造體15之間隔之10〜50%爲佳，更佳爲15〜45 %。 又，保持部19之口徑R6乃電極構造體1 5之間隔之 3 0 %〜7 0 %爲佳，更佳爲4 0〜6 0 %。 又，保持部19之厚度dl乃3〜50 μιη爲佳，更佳爲 4〜4 0 μηι 〇 又，於本發明之薄片狀探針10中，除如圖5(b)所示 ，經由支持體2 5，支持絕緣層1 8 Β之構造外，亦可如圖 5 (a)所示，於絕緣層18Β中，可具有金屬框板24，此構造 9 乃如圖6至圖8所示。 此薄片狀探針1 〇乃具有形成於對應於被檢查對象之 晶圓上之各積體電路之各位置的貫通孔被形成之金屬框板 24，於此貫通孔內，配置接點膜9。 接點膜9乃以金屬框板24之貫通孔周邊部之支持部 22，支持於金屬框板24。 即，於支持體25之貫通孔1 2之周緣部上，經由絕緣 層1 8 B，支持接點膜9之故，固定強度爲高，於使用此薄 片狀探針之桃查裝置所成電性檢查中，可得高重覆耐久性 -37- 200540430 (34) 使用金屬框板24之時，金屬框板24則以經由樹脂製 之絕緣層1 8 B挾持之狀態加以支持。 但是，金屬框板24乃絕緣層18B被覆金屬框板之表 背兩面而構成時，金屬框板和絕緣層乃沒有問題可被困定 之故，於使用薄片狀探針之檢查裝置所成電性檢查中，可 得高重覆耐久性。 # 如此薄片狀探針1 〇乃於接點膜之各開口部，保持電 極構造體1 5之柔軟之接點膜9則以相互獨立之狀態（圖 11(a))、部分獨立之狀態（圖11(b))加以配置亦可。 更且，使用於重覆檢查之時，可確實防止被檢查物之 貼附，從電極構造體1 5之特定位置之位置偏移。 爲此，對於絕緣層1 8B之支持方法，考量製造成本等 ，可適切加以選擇。 又，此等薄片狀探針1 0乃於晶圓檢查時，於支持絕 • 緣層18B之支持體25，或於金屬框板24之外緣部分，具 備環狀之支持構件2，可良好進行晶圓之檢查。 做爲此環狀之支持構件2之材料，可列舉因瓦合金、 超級因瓦合金等因瓦型合金、鎳鉻恆彈性合金等之鎳鉻恆 彈性型合金，科瓦鐵鎳鈷合金、42合金等之低熱膨漲金屬 金屬材料，氧化鋁、碳化矽、氮化矽等陶瓷材料。 經由如此支持構件2，以該剛性支持薄片狀探針1 0， 於後述之探針卡，例如經由嵌合形成於框板之孔，和設於 探針卡之導引柱，或經由相互嵌合支持構件2，和設於探 -38- 200540430 (35) 針卡周緣部之周狀之階差部，可將設於薄片狀探針〗〇之 接點膜9的電極構造體1 5，與被檢查物之被檢查電極或向 異導電性連接器之導電部容易位置配置。 然而’做爲本發明之絕緣層1 8 B，使用具有柔軟性之 樹脂。 做爲絕緣層1 8 B之形成材料，雖未特別限定具有電性 絕緣性之樹脂材料’例如可列舉聚醯亞胺樹脂、液晶聚合 ¥物、及此等之複合材料。 又，做爲絕緣層1 8 B之形成材料，使用可蝕刻之高分 材料爲佳，更佳爲聚醯亞胺。 做爲聚醯亞胺，可使用 (1) 感光性聚醯亞胺之溶液、聚醯亞胺前驅體之溶液、 將聚醯亞胺前驅體或低分子之聚醯亞胺以溶媒稀釋之液狀 聚醯亞胺或淸漆、 (2) 熱塑性聚醯亞胺、 I (3)聚醯亞胺薄膜。 其中，感光性聚醯亞胺之溶液、聚醯亞胺前驅體之溶 液、將聚醯亞胺前驅體或低分子之聚醯亞胺以溶媒稀釋之 液狀聚醯亞胺或淸漆乃粘性爲低之故，可進行溶液塗佈， 於塗佈後會硬化（聚合）之故，會經由溶媒之蒸發、聚合， 而伴隨體積收縮。 又，於熱可塑性聚醯亞胺中，呈粉末狀、薄片狀，可 溶於溶媒之故，可成爲溶液加以塗佈。 然而，使用感光性聚醯亞胺之溶液、聚醯亞胺前驅體 -39- 200540430 (36) 之溶液、將聚醯亞胺前驅體或低分子之聚醯亞胺以溶 釋之液狀聚醯亞胺或淸漆，熱可塑性聚醯亞胺時，經 此等塗佈於層積體而硬化，形成絕緣層1 8B者爲佳。 又，聚醯亞胺薄膜乃不溶解於熱，溶媒而呈穴定 ，使用如此聚醯亞胺薄膜時，可將聚醯亞胺以黏著劑 層積於層積體而形成。 根據如此薄片狀探針1 0時，於電極構造體1 5， • 從表面電極部16之基端部分連續沿絕緣層18B之表 外側延伸之保持部1 9之故，表面電極部1 6之口徑即 小，保持部19呈支持於絕緣層18B之狀態之故，電 造體1 5不會由絕緣層1 8B之背面脫落，而得高耐久性 又，經由具有口徑小之表面電極部1 6，充分確保 之表面電極部16之間的隔離距離之故，絕緣層18B 軟性可被充分發揮，結果，對於以小間隔形成電極之 裝置，可確實達成安定之電性連接狀態。 • 又，如圖9(a)所示，於預先成爲電極構造體之背 極部的金屬膜20c，將具有從絕緣層18B之寬度，減 成於光阻膜之開口徑0 2 —半之寬度的高度以上之高 短路部1 8，經由金屬電鑛形成時，絕緣層1 8B之寬 使爲開口徑0 2 —半以上時，需鈾刻處理之蝕刻寬β 乃僅需開口徑0 2 —半以下即可之故，經由之後形成 極構造體1 5，可安定維持良好之電性連接狀態。 更且，如圖9(b)所示，形成短路部18之絕緣層 之貫通孔3 0 Α乃呈從兩側之開口，向貫通方向中央部 媒稀 由將 之故 等， 形成 面向 使爲 極構 〇 鄰接 之柔 電路 面電 去形 度的 度即 I t3 之電 1 8B ，使 •40- 200540430 (37) 該口徑漸漸變小之形狀。此貫通孔3 0 A乃將於形成貫通孔 3 0 A位置，形成開口之光阻圖案，配置於絕緣層1 8 B之兩 面側，經由鈾刻液，將絕緣層從兩面側溶解，於厚度方向 之中央部附近，使孔貫通而形成者。 貫通孔30A之內面之傾斜角度Θ乃做爲絕緣層18B ’ 使用聚醯亞胺時，雖由於加工條件而有所不同，但例如呈 45度〜55度貫通中央部之最小口徑的部分之孔徑0 2儘可 Φ 能爲大者爲佳。孔徑0 2過小時，經由電解電鍍，電鍍貫 通孔3 0 A內時，電鍍液無法循環至深度，而會產生氣泡。 又，電極構造體15之電阻會增加，各電極構造體15之電 阻値之不均會變大。此小口徑之孔徑0 2乃關連於貫通孔 30A之開口徑0 1及絕緣層18B之厚度tl。 於背面電極部1 7中，金屬所成柱狀部1 7d，則各絕緣 層18B之貫通孔30A內部直立設置。此柱狀部I7d乃如後 述，於薄片狀探針之製造工程中，於形成背面電極部17 ® 之金屬薄片上，令直立設置此柱狀部17d之薄片（第1之 薄片），和經由從兩面側之蝕刻形成之貫通孔3 0 A的絕緣 層18B，與金屬框板24 —體化之薄片（第2之薄片），使柱 狀部17d向貫通孔30A插入重疊，將此等，以特定之關係 ，層積固定者。 此柱狀部17d之口徑乃較絕緣層i8B之貫通孔3〇a之 中央部之小口徑部分之孔徑0 2爲小，於此小口徑部分和 柱狀部17 d間，形成間隙，經由電解電鍍，電鍍貫通孔 3 0 A內時，電解電鍍液乃通過此間隙，循環到貫通孔3 〇 a -41 - 200540430 (38) 之深處。而此間隙過小時，電解電鍍液無法循環到深處， 而產生氣泡。 又’以下，對於本發明之薄片狀探針1 0之其他之製 造方法加以說明。 首先’如圖12(a)所示，於爲形成絕緣層18B之樹脂 薄片16a ’準備層積金屬膜20c之薄片。例如，可使用於 聚醯亞胺貼上銅箔之市售貼銅層積板。 # 於此層積薄片之金屬膜20c上面，如圖i2(b)所示， 形成感光性乾式薄片等之光阻膜，在形成於金屬膜20c上 之光阻膜22，根據欲形成之電極構造體之圖案，形成複數 之開口 23。（圖 12(c))。 更且’於開口 23，令金屬膜20c，做爲共通電極，經 由施以電鍍處理，如圖12(d)所示，根據欲形成於金屬膜 20c上之電極構造體之圖案，塡充金屬電鍍29，如圖 13 (a)所示，經由剝離光阻膜22，於金屬膜20c上直立設 • 置柱狀之金屬電鍍29。 於此層積薄片之呈柱狀直立設置金屬電鍍29之金屬 膜20c表面，例如在旋塗等之方法下，均勻塗佈黏著劑或 黏著用之高分子物質形成用液狀物（熱硬化性之聚醯亞胺 ，將聚醯亞胺前驅體稀釋於溶媒的聚醯亞胺淸漆等），如 圖13(b)準備支持體1 1，如圖13(c)所示重疊。於此支持體 1 1中，預先於特定之位置，形成配置接點膜之貫通孔。 此時，做爲支持體1 1，除了金屬框板之外，可使用多 孔膜，做爲多孔膜’可使用具有柔軟性之多孔膜’例如有 -42- 200540430 (39) 機纖維所成網篩或不織布。 做爲網篩或形成不織布之有機纖維，例如可列舉芳香 族聚醯胺纖維、聚乙烯纖維、聚芳酯纖維、耐綸纖維、聚 四氟乙烯纖維等之氟樹脂纖維，聚酯纖維。 合成纖維所成網篩中，例如使用纖維徑15〜100 μηι， 網篩開口徑爲20〜200 μηι者。 又，可使用聚四氟乙烯所成開口徑爲1〜5 μηι程度之 • 膜濾器。 又，做爲多孔膜，可使用金屬所成網篩即可，做爲形 成網篩之金屬，例如可列舉不鏽鋼、鋁。 又，使用多孔膜之薄片狀探針1 〇乃接點膜9之支持 部22中，金屬框板24和絕緣層18Β呈一體化構造之故， 固定強度爲高，於使用此薄片狀探針1 〇之檢查裝置所成 電性檢查中，可得高的重覆耐久性。 又，此時之黏著劑之厚度乃較直立設置呈柱狀之金屬 • 電鍍29爲小之故，直立設置之金屬電鍍29之頂部乃由黏 著劑層露出。 接著，如圖14(a)所示，於支持體11之表面，塗佈高 分子物質形成用液狀物1 6b。高分子物質形成用液狀物 1 6b乃例如含絕緣層1 8 B之形成樹脂之預聚合物的液狀物 ，較佳爲可使用感光性聚醯亞胺溶液，或熱硬化/性聚醯 亞胺之前驅體溶液。此時，於樹脂薄片1 6a使用聚醯亞胺 薄片爲佳。 塗佈高分子物質形成用液狀物16b之後，進行硬化處 -43- 200540430 (40) 理，得一體化高分子物質形成用液狀物1 6b之硬化樹脂， 和支持體1 1，和呈柱狀直立設置金屬電鍍29之金屬膜 2 0c的絕緣層1 8B (圖1 4(b))。如此之方法中，經由形成絕 緣層1 8B，於支持體1 1之微細孔內，置入絕緣層1 8B之 狀態下，此等則固定呈一體。然後，如圖14(c)所示，於 所得層積體之絕緣層18B上，形成光阻膜22A。 接著，如圖15(a)所示，於形成於絕緣層18B上之光 φ 阻膜22A，再度根據欲形成電極構造體之圖案，形成複數 之開口 23a，更且如圖15(b)所示，雖蝕刻絕緣層18B，此 時於欲形成電極構造體1 5之部分，預先直立設置經由圖 13(a)之工程所作成之柱狀之金屬電鍍29，直至柱狀之金 屬電鍍29之頂面露出爲止進行蝕刻即可。 如此，根據欲形成電極構造體1 5之圖案，於絕緣層 形成複數之開口 2 3 b。 然而，開口 23b乃對於絕緣層18B，進行濕蝕刻而形 鲁成。 接著，如圖15(c)所示，將光阻膜22A經由絕緣層 18B剝離，更且如圖16(a)所示，於根據絕緣層18B之上 面之欲形成電極構造體15之圖案的開口 23b，，再度施以 金屬電鍍，形成金屬電鍍塡充部29a。 然後，如此，於開口 2 3 b內，於形成金屬電鍍塡充部 29a之層積體之絕緣層18B上，如圖16(b)所示，更且形 成另外之光阻膜22B。對於此光阻膜22B，再度根據欲形 成之電極構造體15之圖案，形成複數之開口 23c。 -44 - 200540430 (41) 此時，如後所述，經由塡充於開口 2 3 c內之金屬電鍍 ’形成從表面電極部1 6之基端部分之周面連續沿絕緣層 1 8 B之表面，向外側呈放射狀延伸之圓形環狀板之保持部 19，如圖16(b)所示，開口 23c之直徑乃設定呈較開口 23b 爲大之直徑。 然後，於如此形成之開口 23c，再度施以金屬電鍍， 形成保持部1 9。 φ 另一方面，如圖17(a)所示，於聚醯亞胺等之樹脂所 成樹脂薄膜20b之表面，形成光阻膜21a，於此光阻膜 2 1 a，根據電極構造體1 5之圖案，形成開口 2 1 c。 圖17(b)所示，於此樹脂薄片20b之背面，形成保護 膜22a，經由蝕刻處理，於樹脂薄片20b之表面，形成推 拔形狀之開口 24a。 然後，如圖17(c)所示，經由鈾刻光阻膜21a和保護 膜22a而除去，製作形成推拔形狀之開口 24a之樹脂薄片 Φ 20b。 接著，如圖18(a)所示，將形成此推拔形狀之開口 24a 之樹脂薄片20b，於形成保持部19之樹脂薄片16a之光阻 膜22B之上，推拔形狀之開口 24a之大口徑側，則配合於 塡充於開口 23 c之保持部1 9，加以層積，藉由黏著劑加以 貼著。 然後，如圖18(b)所示，於此狀態，經由再度施以金 屬電鍍，於推拔形狀之開口 24a內，形成表面電極部1 6。 接著，如圖18(b)所示，經由蝕刻處理，溶解除去樹 •45- 200540430 (42) 脂薄片20b、光阻膜22B。 由此，從連續於短路部1 8之基端伴隨向前端，成小 口徑之推拔狀，形成整體形成呈圓錐梯形狀之表面電極部 1 6 〇 接著，如圖19(a)所示，藉由施於絕緣層之開口 23b 的表面電極部16之上面，形成光阻膜22C，如圖19(b)所 示，於樹脂薄片16a，層積金屬膜20c之層積薄片中，經 • 由蝕刻樹脂薄片1 6a部分加以除去。 更且，如圖20(a)所示，除去層積薄片之樹脂薄片16a 部分，於呈剝離之金屬膜20c，形成光阻膜22D，又，如 圖20(b)所示，殘留根據電極構造體之圖案之處，更且進 行蝕刻處理。（圖20(c))。 然後，蝕刻金屬膜20c，經由除去該一部分，如圖 20(d)所示，形成背面電極部17。 接著，爲露出支持體11之一部分，於各接點膜分離 # 之工程，但如圖21(a)所示，殘留相當於層積體中之支持 體11之外緣部的部分，於表背面，形成光阻膜22E，更 且藉由支持體11，殘留相互獨立之接點膜之範圍地，圖案 化光阻膜22E。 然後，如圖2 1 (c)所示，餽刻絕緣層1 8 B，除去該一 部分，最後經由除去形成於層積體之表背面之光阻膜22E ，如圖21(d)所示，得相互獨立之各絕緣層18B，和與支 持體1 1之支持部，指示接點膜9之薄片狀探針1 0。 如此，圖1 2(a)至圖1 4(c)所示工程中，可改爲圖 -46- 200540430 (43) 22(a)至圖24(d)之工程，對於此工程加以說明。 首先，如圖22(a)所示，於爲形成絕緣層18B之樹脂 薄片16a，準備層積金屬膜20c之薄片。例如，可使用於 聚醯亞胺貼上銅箔之市售貼銅層積板。 於此層積薄片之金屬膜20c上面，如圖22(b)所示， 更由其上形成感光性乾式薄膜等之光阻膜22F(圖22(c))， 在形成於金屬膜20c上之光阻膜22F，根據欲形成之電極 # 構造體之圖案，形成複數之開口 23a。（圖22(d))。 更且，如圖23(a)所示，藉由開口 23a，於絕緣層18B 施以蝕刻處理，形成連接至金屬膜20c之開口 23a。 又，於開口 2a，令金屬膜20c，做爲共通電極，經由 施以電鍍處理，如圖23(b)所示，根據欲形成於金屬膜20c 上之電極構造體之圖案，塡充金屬電鍍29，如圖29(c)所 示，經由剝離光阻膜22，於金屬膜20c上直立設置柱狀之 金屬電鍍29。 # 於此層積薄片之呈柱狀直立設置金屬電鍍29之金屬 膜20c表面，如圖23(d)準備支持體1 1，如圖24(a)所示重 疊。於此支持體1 1中，預先於特定之位置，形成配置接 點膜之貫通孔1 2。 接著，如圖24(b)所示，於支持體11之表面，塗佈高 分子物質形成用液狀物1 6b。含浸至支持體1 1之微細孔內 部。高分子物質形成用液狀物1 6b乃例如含絕緣層1 8B之 形成樹脂之預聚合物的液狀物，較佳爲可使用感光性聚醯 亞胺溶液，或熱硬化/性聚醯亞胺之前驅體溶液。此時， -47- 200540430 (44) 於樹脂薄片1 6a使用聚醯亞胺薄片爲佳。 塗佈高分子物質形成用液狀物1 6b之後’進行硬化處 理，得一體化高分子物質形成用液狀物1 6b之硬化樹脂’ 和支持體1 1，和呈柱狀直立設置金屬電鍍29之金屬膜 20c的絕緣層18B(圖24(c))。如此之方法中，經由形成絕 緣層1 8B，於支持體1 1之微細孔內，置入絕緣層1 8B之 狀態下，此等則固定呈一體，如圖24(d)所示’於所得層 • 積體之絕緣層18B上，形成光阻膜22G。 以上，改變圖12(a)至圖14(c)所示工程加以說明。根 據圖22(a)至圖24(d)之工程時，圖22(b)所示工程中，形 成新絕緣層18 B之故，支持體1 1則直接，不與金屬膜 2〇c重疊，新重疊於絕緣層18B上（圖24(a)，因此，可令 支持體11呈由絕緣層18B之背表面挾持的構造，支持體 11爲金屬框體亦可強固地被固定。 以下，對於本發明之薄片狀探針之更爲其他之製造方 •法加以說明。 首先，如圖25 (a)所示，準備層積由樹脂等所成之聚 醯亞胺薄片20a之金屬膜21b。例如市售有硬化將聚醯亞 胺所成清漆等之液狀物，塗佈於銅箔上，經由硬化處理， 於銅箔上，層積聚醯亞胺薄膜的層積薄片、於聚醯亞胺薄 膜貼上銅箔之層積薄片、於聚醯亞胺薄膜上電鍍電解銅之 層積薄片。金屬膜2 1 b乃經由之後蝕刻處理，成爲電極構 造體之背面電極之故，該厚度乃呈欲得之背面電極之厚度 -48- 200540430 (45) 對於此層積薄片，於金屬膜2 1 b側，形成光阻膜 2 2 Η(圖22(b))，經由曝光及顯像，於爲形成電極構造體之 特定位置，得形成開口 23之圖案（圖25(c))。
接著，將金屬膜2 1 b做爲共通電極’進行電解電鍍等 之電鍍，於各開口 23，塡充金屬（圖26(a))。由此，可從 形成金屬膜21b上之電極構造體之各位置，得直立設置之 柱狀部17d，形成柱狀部17d之後，經由除去光阻膜22H • ，得第1之薄片24A。（圖26(b))。 另一方面，如圖2 7 (a)所示，經由穿孔、飩刻等之任 意方法，於形成接點膜之位置，準備預先穿孔貫通孔12 之支持體11。又，圖27(b)所示，於金屬膜26a上，準備 層積樹脂薄片1 6a之薄片。於此樹脂薄片1 6a側，塗佈熱 硬化性黏著劑16d(圖27(c))，於其上，重合支持體11(圖 28(a)) 〇 接著，從所得層積薄片之金屬框板24側，塗佈高分 • 子物質形成用液狀物16c，與支持體11 一體化（圖28(b)) 。高分子物質形成用液狀物1 6c乃例如含絕緣層1 8B之形 成樹脂之預聚合物的液狀物，較佳乃使用感光性聚醯亞胺 溶液或熱硬化性聚醯亞胺之前驅體溶液。此時，做爲樹脂 薄片1 6a，使用聚醯亞胺薄片的同時，做爲熱硬化性黏著 劑’使用經由硬化，成爲聚醯亞胺者爲佳。 塗佈高分子物質形成用液狀物1 6c後，進行硬化處理 ’得一體化高分子物質形成用液狀物1 6c之硬化樹脂，和 熱硬化性黏著劑1 6d之硬化樹脂，和樹脂薄片1 6a之絕緣 -49- 200540430 (46) 層18B(圖28(c))。於此方法，經由形成絕緣層18B，一體 化支持體1 1和絕緣層1 8 B。 接著，如圖29(a)所示，於與金屬膜26a相反側之面 ，形成光阻膜2 7，之後，經由鈾刻金屬膜2 6 a而除去，表 現出絕緣層18B (圖29(b))。於表現出此絕緣層18B之面， 形成光阻膜28(圖29(c))，經由曝光及顯像，對於兩面側 之光阻膜27、28，於爲形成電極構造體之特定位置，得形 # 成開口 29C的圖案。 將此薄片，浸漬於溶解絕緣層1 8B之蝕刻液，經由進 行鈾刻處理，從兩面側之開口 29C、29c，對於絕緣層i8B 而言，接觸鈾刻液，向厚度方向自兩側進行溶解，於中央 部附近，孔被貫通（圖30(b))。 如此，將形成之貫通孔之形狀示於圖59。如圖59所 示，經由蝕刻所形成之貫通孔3 0 A之內面乃僅傾斜角度0 (絕緣層18B爲聚醯亞胺時，例如45度〜60度），兩側開口 Φ 之口徑0 1則爲最大，厚度方向中央部之口徑0 2則呈最 小之緊縮形狀。 形成貫通孔3 0 A後，經由除去兩面側之光阻膜27、 28，得第2之薄片31A。 如此，製作圖26之第1之薄片24A，和圖30之第2 之薄片3 1A後，將此等重合。即，如圖3 1(a)所示，第1 之薄片24A之柱狀部17d則插入至貫通第2之薄片31A 之絕緣層18B之貫通孔30A地，重合第1之薄片24A和 第2之薄片31A(圖31(b))。 -50- 200540430 (47)
如此，令第1之薄片之柱狀部1 7d，插入至第2之薄 片之貫通孔3 0A之故，第1之薄片24 A與第2之薄片31A 乃相互以特定之位置關係固定，直接進行後續之電鍍工程 〇 但是，依情形而言，於第2之薄片3 1A，塗佈熱硬化 性黏著劑、例如經由硬化塗佈聚醯亞胺所成黏著劑後，經 由此等重合，黏著固定此等亦可。 • 此時，雖需於貫通孔30A之底面之金屬膜21b及柱狀 部17d之表面，除去殘留之黏著劑樹脂，可依需要，於第 1之薄片24A側，配置保護薄片之同時，於第2之薄片 3 1 A側，於貫通孔3 0 A之位置，形成開口被形成之光阻圖 案，將黏著劑樹脂經由蝕刻除去。 又，將黏著劑樹脂，對於第1之薄片24A，避開柱狀 部1 7d之部分，塗佈於金屬膜2 1 b之表面的一部分，重合 塗佈此黏著劑樹脂之第1之薄片24A和第2之薄片亦可。 # 此時，於貫通孔3 0A底面之金屬膜21b及柱狀部17d之表 面，黏著劑樹脂之殘留爲少，容易或是不需要進行黏著劑 樹脂之除去。 又，經由進行旋塗等，令液狀之黏著劑樹脂之薄層均 勻設置於第1之薄片24A之金屬膜21b之表面亦可。此時 ，令黏著劑樹脂之層之厚度，經由呈現較柱狀部1 7d之高 度爲小，柱狀部1 7d之表面的殘留黏著劑樹脂會變少，容 易或是不需要進行黏著劑樹脂之除去。 接著，如圖3 1(c)所厚，以令金屬膜21b做爲共通電 -51 - 200540430 (48) 極進行電解電鍍之方法，進行電鍍，將貫通孔3 0 A內以金 屬塡充，形成金屬電鍍塡充部29a。 然後，形成金屬電鍍塡充部29a之層積體之絕緣層 18B上，如圖32(a)所示，更且另外形成光阻膜221。對於 此光阻膜221，再根據欲形成電極構造體1 5之圖案，形成 複數之開口 23c。 此時，如後述，經由塡充於開口 2 3 c內之金屬電鍍， φ 形成從表面電極部1 6之基端部分之周面連續沿絕緣層 1 8B之表面各外側呈放射狀延伸之圓形環板狀之保持部1 9 ，如圖32(b)所示，開口 23c之直徑乃呈較開口 23b大之 直徑地加以設定。 然後，如圖33(a)所示，令形成此推拔形狀之開口 24a 的樹脂薄片20b，於形成保持部19之樹脂薄片16a之光阻 膜221之上，推拔形狀之開口 24a之大口徑側，適合於塡 充於開口 23c之保持部1 9，加以層積，藉由黏著劑貼附。 • 然後，如圖33(b)所示，經由飩刻處理，溶解除去樹 脂薄片20b、光阻膜221。 由此，呈現從連續於短路部1 8之基端，伴隨向前端 漸成小口徑之推拔形狀，形成整體形成於圓錐梯形狀之表 面電極部1 6。 之後，於此表面電極部16側之薄片面整體，形成空 氣流入孔33後（圖34(a)，經由飩刻聚醯亞胺薄片20a加 以除去，表現出金屬膜21b。（圖34(b))。於此金屬膜21b 之表面，形成光阻膜34(圖35(a))，接著，經由蝕刻金屬 -52- 200540430 (49) 膜2 1b ’除去以光阻膜34被覆之部分以外之金屬膜21b， 表現出絕緣層18B(圖35(b))。
如此’形成具備表面電極部1 6和背面電極部1 7之電 極構造體15。接著，除去背面電極部17上之光阻膜34( 圖3 5(c))，於此面之整體，形成光阻膜35A(圖36(a))。將 此光阻膜35A，於背面電極部17之表面，配置開口 36A ’加以圖案化（圖36(b))，將高導電性金屬等之被覆膜18A # ，電鍍於背面電極部1 7之上。 接著，除去光阻膜35A(圖37(a))，於此面整體，形成 光阻膜37A(圖37(b))，將殘留絕緣層18B之部分掩罩， 而圖案化光阻膜33、3 7A(圖37(c))。將此薄片，經由浸漬 於溶解絕緣層18B之蝕刻液，於光阻膜33、37，除去掩 膜部分以外之絕緣層 18B，表現出支持體 11(圖3 8(a))， 接著，經由除去光阻膜3 3、3 7 A，於支持體1 1之貫通孔 1 2，得形成接點膜9之薄片狀探針。 • 以上，雖對於薄片狀探針1 〇之製造方法做了說明， 除了上述以外之方法即可得薄片狀探針。例如金屬框板24 、絕緣層18B —體固定之第2之薄片31A乃除了上述製法 之外，可經由代替如圖27(b)之樹脂薄片16a和金屬膜26a 之層積薄片，使用聚醯亞胺薄片等之樹脂薄片之方法，或 於銅箔等之金屬膜上，重疊金屬框板24之狀態下，或將 此等以熱硬化性黏著劑黏著固定之狀態下，自金屬框板24 之表面，塗佈高分子物質形成用液狀物，接著可經由硬化 處理之方法等獲得。又，與形成貫通孔1 2之金屬框板24 -53- 200540430 (50) 同時’經由插入成形，得一體化金屬框板24和絕緣層 18B之薄片。 做爲接點膜之支持體1 1，使用金屬框板24之時，於 預先配置接點膜9之位置，準備形成貫通孔1 2之金屬框 板24，之後根據上述製造工程，得薄片狀探針。 第1之薄片24A之聚醯亞胺薄片20a乃在後面之工程 中，並一定需要於將保護薄片，形成於金屬膜2 1 b上之情 • 形。 <探針卡及電路裝置之檢查裝置> 圖36乃顯示關於本發明之電路裝置之檢查裝置之一 例構成的說明用剖面圖，此電路裝置之檢查裝置乃對於各 形成在晶圓之複數之積體電路，將積體電路之電性檢查， 以晶圓之狀態加以進行者。 此電路裝置之檢查裝置乃具有各被檢查裝置之晶圓6 • 之被檢查裝置7，和進行與測試器之電性連接的探針卡i ( 將絕緣層1 8 B以支持體2 5加以支持的絕緣性薄片）。 於此探針卡1中，圖42亦擴大顯示，根據對應於形 成在晶圓6之所有積體電路之被檢查電極7之圖案的圖案 ，複數之檢查電極21則具有形成於表面（圖中下面）的檢查 用電路基板2 0。 更且，於此檢查用電路基板20之表面，配置有向異 導電性連接器30，於此向異導電性連接器3〇之表面（圖中 爲下面），根據對應於形成在晶圓6之所有積體電路之被 -54- 200540430 (51) 檢查電極7之圖案的圖案，配置複數之電極構造體1 5，配 置圖1所示構成之薄片狀探針10。 然後，薄片狀探針1 〇乃經由導引針腳5 0，使向異導 電性連接器3 0、和電極構造體1 5和導電部3 6 —致地加以 固定狀態下，進行保持。 又，於探針卡1之檢查用電路基板20之背面（圖中爲 上面），設置將探針卡1加壓至下方之加壓板3，於探針卡 φ 1之下方，設置載置晶圓6之晶圓載置台4，於各加壓板3 及晶圓載置台4，連接加熱器5。 又，如此電路裝置之檢查裝置乃如圖40所示，薄片 狀探針10乃對應於適切需要，於支持體25 (包含金屬框板 2 4)之外緣部，以固定支持構件2之狀態加以使用。 更且，如此電路裝置之檢查裝置被分解時，則顯示圖 41(a)、圖41(b)地加以構成，經由嵌合形成於向異導電性 連接器3 0之框板3 1的貫通孔，和導引針腳5 0，進行定位 ❿ 又，薄片狀探針10乃經由嵌合黏著於支持體25 (包含 金屬框板24)之外緣部的支持構件2，和加壓板3之凹部 ，而可進行定位。 更且，做爲構成檢查用電路基板20之基板材料，可 使用以往公知之種種基板材料，做爲該具體例，可列舉玻 璃纖維補強型環氧樹脂、玻璃纖維補強型酚樹脂、玻璃纖 維補強型聚醯亞胺樹脂、玻璃纖維補強型雙馬來酸酐縮亞 胺三嗪樹脂之複合樹脂材料、玻璃、二氧化矽、氧化鋁等 -55- 200540430 (52) 之陶瓷材料等。 又’構成爲進行WLBI試驗之檢查裝置時， 膨漲係數乃3 X 1(Γ5/Κ以下者爲佳，較佳者乃1 ) χ10_5/Κ，尤佳者爲 ιχΐ{Γ6/Κ〜6χ1〇-6/κ：。 做爲如此基板材料之具體例，可列舉派勒斯 英玻璃、氧化鋁、氧化鈹耐火材料、碳化矽、氮 化硼等。 φ 向異導電性連接器3 0乃如圖4 4所示，經由 置形成於被檢查電路裝置之晶圓6的所有積體電 查電極7的電極範圍，和於此框板3 1，阻塞各 3 2地加以配置，固定於框板3 1之開口緣部所支 之向異導電性薄片3 5所構成。 做爲構成框板3 1之材料，具有框板3 1不會 ，可安定維持該形狀程度的剛性時，則無特別之 如可使用金屬材料、陶瓷材料、樹脂材料等之種 Φ 令框板3 1例如經由金屬材料構成之時，於框板： ，形成絕緣性被膜亦可。 做爲構成框板31之金屬材料的具體例，可 銅、鎳、鈦、鋁等之金屬或將此等2組以上組合 合金鋼等。 做爲構成框板31之樹脂材料之具體例，可 聚合物、聚醯亞胺樹脂等。
又，此檢查裝置爲進行WLBI試驗之檢查裝 爲構成框板3 1之材料，使用線熱膨漲係數乃3 X 使用線熱 :1 (Γ7/Κ 〜1 玻璃、石 化鋁、氮 對應於配 路之被檢 一之開口 持的複數 容易變形 限定，例 種材料， ί 1之表面 列舉鐵、 的合金或 列舉液晶 置時，做 1 (Γ5/Κ 以 -56- 200540430 (53) 下者爲佳，較佳者乃1Χ1〇·7/Κ〜1χ1〇·5/Κ，尤佳者爲ιχ 10·6/Κ 〜8χ1(Γ6/Κ。 做爲如此材料之具體例，可列舉因瓦等之因瓦合金、 鎳絡恆彈性合金等之鎳鉻恆彈性型合金，超級因瓦合金、 科瓦鐵鎳鈷合金、42合金等之磁性金屬之合金或合金鋼等 〇 框板3 1之厚度乃維持該形狀的同時，可支持向異導 φ 電性薄片3 5的話，則不特別加以限定，具體之厚度會因 材質而有所不同，例如25〜600 μπι爲佳，更佳爲40〜400 μιη 〇 各向異導電性薄片3 5乃經由彈性高分子物質所形成 ，根據對應於形成於被檢查電路裝置之晶圓6 —個之電極 範圍之被檢查電極7圖案的圖案而形成，經由各向厚度方 向延伸之複數之導電部3 6，和各相互絕緣此等之導電部 3 6之絕緣部3 7加以構成。 # 又，圖示之例中，於向異導電性薄片35之兩面，在 導電部3 6及位於該周邊部分之處，形成從此以外之表面 突出的突出部3 8。 於各向異導電性薄片3 5之導電部3 6中，顯示磁性之 導電性粒子Ρ則並排於厚度方向所配向之狀態下，緻密地 被含有。相較之下，絕緣部37乃完全或幾乎不含有導電 性粒子Ρ。 向異導電性薄片35之全厚度（圖示例示中爲導電部36 之厚度），乃50〜2000 μπι爲佳，較佳爲70〜1000 μπι，尤以 -57- 200540430 (54) 80〜5 00 μιη爲更佳。 此厚度爲5 0 μιη以上時’於向異導電性薄片3 5可得 充分之強度。 另一方面，此厚度爲2000 μιη以下時，可確實得具有 所需之導電性特性的導電部36。 突出部38之突出高度乃該合計爲38之厚度的10%以 上爲佳，更佳爲15%以上。 經由形成具有如此突出高度的突出部3 8，以小的加壓 力，充分可壓縮導電部36之故，可確實得良好之導電性 〇 又，突出部38之突出高度乃突出部38之最短寬度或 直徑之100%以下爲佳，更佳爲70%以下者。 經由形成具有如此突出高度之突出部3 8，於突出部 38被加壓時，不會由於縱向力而向橫向變形之故，可確實 得所期望之導電性。 做爲形成向異導電性薄片3 5之彈性高分子物質，具 有交聯構造之耐熱性高分子物質爲佳。 爲得相關交聯高分子物質，做爲可使用之硬化性之高 分物質形成材料，可使用種種形式者，但以液狀聚矽氧烷 橡膠爲佳。 爲得導電性粒子Ρ之磁性芯粒子，該數平均粒子徑爲 3〜40 μιη者爲佳。 在此，磁性芯粒子之數平均粒子徑乃經由雷射繞射散 亂法加以測定者。 -58- 200540430 (55) 上述數平均粒子徑爲3 μηι以上時，容易加壓變形，阻 抗値亦低，易得連接可靠性高的導電部3 6。 另一方面，上述該數平均粒子徑爲40 μηι以下時，容 易形成微細之導電部3 6，又所得導電部3 6乃易成具有安 定之導電性者。 做爲構成磁性芯粒子之材料，可使用鐵、鎳、鈷、將 此等金屬經由銅、樹脂加以塗佈者等，該飽和磁化爲 φ 〇.lWb/m2以上者可被較佳地使用，較佳者爲〇.3Wb/m2以 上，更佳者爲0.5 Wb/m2以上者，具體而言可列舉鐵、鎳 、鈷或此等合金等。 做爲被覆於磁性芯粒子之表面之高導電性金屬，可使 用金、銀、鍺、白金、鉻等，此等之中，使用化學性安定 且高導電率的金爲佳。 導電性粒子P乃對於芯粒子之高導電性金屬之比例（ 高導電性金屬之質量/芯粒子之質量）xl〇〇)爲15質量％以 # 上，較佳爲25〜35質量％。 高導電性金屬之比例不足1 5質量％時，將所得向異 導電性連接器3 0於高溫環境下使用時，導電性粒子P之 導電性會明顯下降，結果無法維持所需導電性。 又，導電性粒子P之磁性芯粒子徑乃3〜40 μηι爲佳， 更佳爲6〜25 μιη。 經由使用如此導電性粒子Ρ所得之向異導電性薄片 3 5乃容易加壓變形，又，於導電部3 6中，於導電性粒子 Ρ間，可得充分之電性接觸。 -59- 200540430 (56) 又，導電性粒子P之形狀雖未特別加以限定，在於高 分子物質形成材料中，可容易進行分散的理由，以球狀、 星形狀或此等凝聚之2次粒子所成塊狀者爲佳。 又，於磁性芯粒子之表面，被覆高導電性金屬時，經 由凝聚粒子，會產生粒子徑大之導電性粒子P之故，依需 要，進行導電性粒子P之分級處理爲佳，由此，可確實得 具有期望之粒子徑之導電性粒子P。 φ 做爲爲進行導電性粒子P之分級處理的分級裝置，可 列舉做爲使用爲調製前述磁性芯粒子之分級處理之分級裝 置而例示者。 導電部3 6之導電性粒子P的含有比率乃體積分率 10〜60%，較佳爲15〜50%之比率加以使用爲佳。 此比率未滿1 0%之時，有無法得電阻値充分爲小的導 電部36之情形。 另一方面，此比率超過60 %之時，所得導電部36會 # 容易變得脆弱，做爲導電部3 6無法得必要之彈性。 如以上之向異導電性連接器3 0乃可經由記載例如曰 本特開2002-324600號公報的方法加以製造。 於上述之檢查裝置中，於晶圓載置台4上載置檢查對 象之晶圓6，接著，經由加壓板3，探針卡1向下方加壓 ，該各薄片狀探針10之電極構造體15的表面電極部16， 接觸至晶圓6之被檢查電極7，更且經由各表面電極部16 ，加壓各晶圓6之被檢查電極7。 對於此狀態，各舍向異導電性連接器30之向異導電 -60- 200540430 (57) 性薄片3 5的導電部3 6，乃經由檢查用電路基板20之檢查 電極2 1和薄片狀探針1 〇之電極構造體1 5之背面電極部 17被挾壓，各厚度方向壓縮。 爲此，於導電部3 6於該厚度方向形成導電路，結果 ，達成晶圓6之被檢查電極7和檢查用電路基板20之檢 查電極2 1的電性連接。 之後，經由加熱器5，藉由晶圓載置台4及加壓板3 • ，晶圓6被加熱至特定之溫度，於此狀態，對於晶圓6之 複數之積體電路，執行需要之電性檢查。 根據上述探針卡1時，具備圖1所厚薄片狀探針1 〇 所成之故，對於以小間隔形成被檢查電極7之晶圓6而言 ，可確實達成安定之電性連接狀態，而且，無薄片狀探針 10之電極構造體15的脫落，絕緣層18B之厚度爲大之故 ，可得高耐久性。 然後，根據上述檢查裝置時，具備具有圖1所示薄片 • 狀探針1 〇之探針卡1所成之故，對於以小間隔形成被檢 查電極7之晶圓6而言，可確實達成安定之電性連接狀態 ，而且探針卡1具有高耐久性之故，進行多數之晶圓6之 檢查時，於長時間，可進行可靠性高的檢查。 本發明之電路裝置之檢查裝置乃不限定於上述例子， 如以下，可加上種種之變更。 (1)圖39及圖40所示探針卡1乃對於形成在晶圓6之 所有積體電路之被檢查電極7而言，整體達成電性連接者 ，但亦可爲對於從形成於晶圓6之所有積體電路中所選擇 -61 - 200540430 (58) 之複數之積體電路之被檢查電極7，電性連接者。 被選擇之積體電路數乃考量晶圓6之尺寸，形成 圓6之積體電路數，各積體電路之被檢查電極7之數 適切選擇，例如1 6個、3 2個、64個、1 2 8個。 具有如此探針卡1之檢查裝置中，於形成在晶圓 所有積體電路電路中所選擇之複數之積體電路的被檢 極7，電性連接探針卡1，而進行檢查，之後，經由 φ 在於從其他之積體電路中所選擇之複數之積體電路之 查電極7，電性連接探針卡1，進行檢查之工程，可 形成於晶圓6之所有之積體電路之電性檢查。 然後，根據如此檢查裝置，對於在直徑爲8英吋 英吋之晶圓6，高集積度形成之積體電路，進行電性 之時，對於所有之積體電路，與進行一齊檢查之方法 ，可使所使用之檢查用電路基板20之檢查電極數或 數變少，由此，可達檢查裝置之製造成本之減低。 φ (2)於向異導電性連接器30之向異導電性薄片35 除了根據對應於被檢查電極7圖案的圖案所形成之導 3 6之外，於被檢查電極7可形成未電性連接之非連接 導電部3 6， (3)本發明之檢查裝置之檢查對象的電路裝置中， 定於形成多數之積體電路之晶圓6，可做爲形成於半 晶片，或BGA、CSP等之封裝之LSI、CMC等之半導 體電路等的電路之檢查裝置加以構成。 (3)薄片狀探針10乃於經由圓筒形之陶瓷等之保 於晶 等而 6之 查電 重覆 被檢 進行 或12 檢查 比較 配線 中， 電部 用之 非限 導體 體積 持體 -62- 200540430 (59) 所保持之狀態，在向異性導電性薄片3 5或檢查用電路基 板20，和例如導引針腳50等，可固定一體化。 (4) 於本發明之薄片狀探針10之製造方法，，第2之 背面側金屬層1 7 A非爲必需，省略此等，於短路部形成用 凹處1 8K和圖案孔1 7H，經由塡充金屬，形成與短路部 1 8 —體化之背面電極部1 7亦可。 此時，需要支持體25之時，於另外準備之支持體25 Φ 製造之薄片狀探針1 0，使用黏著劑加以層積一體化即可。 (5) 於本發明之薄片狀探針1〇中，例如如圖i〇(a)所示 ，經由具有電極構造體15之絕緣層18B所成複數之接點 膜9乃爲經由配置於各支持體25之開口部26之支持體25 所支持之狀態的薄片狀探針10亦可，更且如圖10(b)所示 ，一個接點膜9乃被覆支持體25之由複數之開口部26地 加以配置亦可。 經由如此獨立之複數之接點膜9，構成薄片狀探針1 〇 • 地，例如構成直徑8英吋以上之晶圓檢查用之薄片狀探針 1 0時，溫度變化所成接點膜9之伸縮會變小，電極構造體 1 5之位置偏移會變小，因此爲佳。 如此薄片狀探針1 0乃經由於絕緣層1 8B光阻劑所成 圖案化，和經由蝕刻將絕緣層1 8B分割成任意形狀之接點 膜9而獲得。 【實施例】 以下，對於本發明之具體之實施例加以說明，但本發 -63- 200540430 (60) 明非限定於此等之實施例。 <試驗用晶圓之製作> 如圖45所示，於直徑爲8英吋之矽（線膨漲係數3.3 X 1 (Γ6/Κ)製之晶圓6上，形成合計483個各個尺寸爲 6.8 5mmx6.8 5mm之正方形之積體電路L。 各形成於晶圓6之積體電路L乃如圖46所示，於該 # 中央，將被檢查電極範圍A，以2500 μιη之間隔，具有2 列，於此被檢查電極範圍A，如圖47所示，各縱方向（圖 47之上下方向）之尺寸爲90 μιη，橫方向（圖47之左右方 向）之尺寸爲90 μιη之矩形之26個被檢查電極7，以120 μιη間隔，於橫方向列加以排列。 此晶圓6整體之被檢查電極7之總數乃26 1 1 6個，所 有被檢查電極7乃相互電性絕緣。以下，令此晶圓6稱爲 「S式驗用晶圓W1」。 • 又，代替令所有被檢查電極7相互電性絕緣，使從積 體電路L之26個被檢查電極中最外側之被檢查電極7數 來間隔1個地，2個相互電性連接之外，將與上述試驗用 晶圓W1同樣之構成之4 83個積體電路L，形成於晶圓6 上。 以下，將此晶圓，稱爲「試驗用晶圓W2」。 (實施例1 ) 於直徑爲20cm，厚度25 μιη之聚醯亞胺薄片16Α之 -64- 200540430 (61) 單面，準備各層積直徑爲20cm，厚度爲12 μιη之銅所成 金屬層之金屬膜20c之層積聚醯亞胺薄片（參照圖12(a)) 〇 於此層積聚醯亞胺薄片之金屬層之表面，經由厚度25 μηι之乾薄膜光阻劑，形成光阻膜22 (參照圖12(b))。 接著，根據對應於形成在試驗用晶圓W 1之被檢查電 極7之圖案的圖案，形成直徑4〇 μιη之圓形之26116個 # 開口 23(參照圖12(c))。 接著，將層積聚醯亞胺薄片浸漬於含胺基磺酸鎳之電 鍍浴中，將金屬膜20c做爲共通電極，施以電解電鍍，於 各開口 23內，經由塡充金屬，形成直徑40 μιη厚度 25 μηι之圓錐台之金屬電鍍29。（參照圖12(d))。 然後，除去光阻膜22，金屬電鍍29則直立設置於特 定之位置，得金屬膜20c。（圖13(a))。 然後，於直徑24cm由芳酯系纖維所成網篩（NBC股份 • 有限公司製：V SCREEN型號V3 80厚=43 μιη、線徑=23 μιη、網篩數=150/cm、開口率43%)，在對應於試驗用晶圓 W1之積體電路L之各被檢查範圍A的位置，經由打穿加 工橫方向3600 μιηχ縱方向1000 μηι之貫通孔966個而穿 孔，於該周緣部之兩面，準備具備內徑爲20.4 cm，外徑爲 24cm之聚對苯二甲酸乙二醇酯所成保護帶之支持體11。 接著，於直立設置金屬電鍍29之金屬膜2 0c之表面 ，將形成貫通孔之此支持體1 1，於該支持體1 1之貫通孔 內，定位直立設置金屬膜20c之金屬電鍍29地，進行定 -65- 200540430 (62) 位重合（圖13(c))。 然後，從支持體之表面塗佈液狀聚醯亞胺1 6 b，形成 硬化之厚50 μηι之聚醯亞胺所成絕緣層18B(參照圖14(b)) 〇 接著，於絕緣層1 8 B之表面，經由2 5 μιη之乾式薄膜 光阻劑，形成光阻膜22Α。（參照圖14(b))。 接著，於光阻膜22Α，對應於形成於試驗用晶圓W1 φ 峙被檢查電極7圖案之圖案，形成直徑60 μιη圓形之 261 16 個之開口 23a(圖 15(a))。 然後，藉由光阻膜22A之開口 23a，使用胺系聚醯亞 胺蝕刻液（TORAY ENGINEERING 公司製、「TPE-3 000」 ，於80 °C、1 〇分間之條件下，經由施以蝕刻處理，於絕 緣層18B，進行蝕刻，形成開口 23b，於該底部，露出金 屬電鍍29(參照圖15(b))。 接著，將此層積體浸漬於含胺基磺酸鎳之電鍍浴中， • 將金屬膜20c做爲共通電極，施以電解電鍍，於各開口 2 3b內，經由塡充金屬，形成金屬電鍍塡充部29a。（參照 圖 16(c))。 接著，於形成金屬電鍍塡充部29a之絕緣層18B之表 面，經由厚10 μηι之乾式薄膜光阻劑，形成光阻膜22B， 根據形成於試驗用晶圓W 1之被檢查電極7圖案的圖案， 形成直徑70 μηι之圓形之26116個開口 23c (參照圖 16(b))。 然後，將此層積體浸漬於含胺基磺酸鎳之電鍍浴中， -66- 200540430 (63) 將金屬膜2 0 c做爲共通電極，施以電解電鍍，於各開口 23b內，經由塡充金屬，形成保持部19。（參照圖16(c))。 另一方面，於厚25 μιη之聚醯亞胺薄片（20b)之表面 ，經由25 μπι之乾式薄膜光阻劑，形成光阻膜21a，根據 形成於試驗用晶圓W 1之被檢查電極7圖案的圖案，形成 直徑45 μιη之個開口 21c (參照圖17(a))。 接著，於聚醯亞胺薄片20b之背面，經由25 μιη之乾 φ 式薄膜光阻劑，形成保護膜22a後，藉由光阻膜2 1 a之開 口 21c，使用胺系聚醯亞胺蝕刻液（TORAY ENGINEERING 公司製、「TPE-3 000」，於 80°C、10分間之條件下，經 由施以蝕刻處理，形成貫通20b之開口 24a。 形成於聚醯亞胺薄片20b之開口 24a乃一面之直徑爲 55 μπι，另一面之直徑爲25 μιη。（參照圖17(b))。 然後，經由聚醯亞胺薄片20b，除去光阻膜21a和保 護膜22a。（參照圖17(c))。 • 接著，如圖18(a)所示，使形成此推拔形狀之開口 24a 的樹脂薄片20b，於形成保持部19之樹脂薄片16a之光阻 膜22B上，推拔形狀之開口 24a之大口徑側乃適合於塡充 開口 23c之保持部19，而加以層積，藉由黏著劑加以貼附 〇 然後，如圖18(b)所示，於此狀態，將層積體浸漬於 含胺基磺酸鎳之電鍍浴中，將金屬膜20c做爲共通電極， 施以電解電鍍，於聚醯亞胺薄片20b之各開口 24b內部， 經由塡充金屬，形成表面電極部1 6。 -67- 200540430 (64) 接著，使用胺系聚醯亞胺蝕刻液（TORAY ENGINEERING 公司製、「TPE-3 000」，於 8 0 °C、1〇 分間 之條件下，經由施以蝕刻處理，除去聚醯亞胺薄片20b， 接著除去光阻膜22B。（參照圖18(c))。 由此，呈根據連續於短路部1 8從基端向前端漸呈小 口徑之推拔狀，形成整體形成呈圓錐梯形狀之表面電極部 1 6 〇 • 接著，如圖19(a)所示，在施以絕緣層之開口 23b之 表面電極部16上面，2次層積厚25 μηι之乾式薄膜光阻 ，形成厚50 μιη之光阻膜22C。 接著，如圖19(b)所示，使用胺系聚醯亞胺蝕刻液 (TORAY ENGINEERING 公司製、「TPE-3 000」，於 80°C 、1 0分間之條件下，經由施以蝕刻處理，由層積體除去聚 醯亞胺薄片16a。 然後，於層積體之金屬膜20c之表面，經由層積厚25 # μιη之乾式薄膜光阻劑，形成光阻膜22D。（參照圖20(a)) 〇 接著，於光阻膜22D，在對應於短路部18之位置， 形成200 μπιχ8 0 μιη之光阻圖案（參照圖20(b))。 然後，對於金屬膜20c，使用氯化鐵系蝕刻液，於50 °C、3 0秒間之條件下，經由施以蝕刻處理，經由除去金屬 膜2 0c之露出部分，形成背面電極部17，進而形成表面電 極部1 6、保持部1 9、短路部1 8、背面電極部1 7所成電極 構造體15(參照圖20(c))。 -68- 200540430 (65) 接著，於形成電極構造體1 5之層積體’於表面側經 由2次層積厚25 μιη之乾式薄膜光阻，形成厚50 μηι之光 阻膜22，於背面側層積厚25 μηι之乾式薄膜光阻，形成 厚25 μηι之光阻膜22Ε。 然後，於光阻膜進行曝光、顯像，於絕緣層1 8Β之表 面及背面，在成爲接點膜9之部分，形成4600 μιηχ 2 0 00 μηι之圖案化之光阻膜22Ε。
φ 然後，使用胺系聚醯亞胺蝕刻液（TORAY ENGINEERING 公司製、「TPE-3000」，於 80 °C、10 分間 之條件下，施以蝕刻處理，除去絕緣層1 8B之露出部分， 於支持體1 1之貫通孔內，形成具備電極構造體1 5之接點 膜9。 然後，於45 °C之氫氧化鈉溶液，經由浸漬2分，於接 點膜9之兩面，除去光阻膜22E。 之後，經由支持體25之周緣部，除去保護帶，於外 # 徑22 cm、內徑20.5 cm、厚度2mm之環狀氮化矽所成支持 構件2上，將層積體1 〇B，接觸該支持體之周緣部地加以 定位之配置之後，將支持體向外周方向拉伸，由多孔膜所 成支持體上，於支持構件2之上，滴下氰基丙烯酸酯系黏 著劑（東亞合成股份有限公司製：品名ARON ALPHA品號 :#2 0 0)，形成黏著層，於此層積形成接點膜之層積體，經 由25°C、30分鐘之保持，進行硬化製造關於本發明之薄 片狀探針。 於以上中’做爲乾式薄膜光阻劑，於使用日立化成製 -69- 200540430 (66) 之 H-K350 。 所得薄片狀探針10乃具有966個橫方向4600 μιη X 縱方向2000 μηι之接點膜9 ’接點膜9之絕緣層18Β之厚 度d爲5 0 μιη、電極構造體1 5之表面電極部1 6之形狀爲 圓錐梯形狀，該基端之口徑R1爲55 μιη，該前端口徑R2 爲25 μηι，該突出高度h爲25 μηι。 又，短路部18乃該表面側一端之口徑R3爲60 μηι， φ 背面側之另一端口徑R4爲40 μιη，背面電極部1 7之形狀 爲矩形之平板狀，該橫寬（口徑R5)爲80 μιη，縱寬爲200 μιη，厚度d2爲12 μιη，保持部19之形狀爲圓形，直徑70 μιη，該厚度dl爲ΙΟμηι。 如此，製造合計4枚之薄片狀探針。 將此等薄片狀探針，稱爲「薄片狀探針Μ 1」〜「薄片 狀探針Μ4」 •(比較例1 ) 如圖48(a)所示，具有表面側金屬層122、第2之背面 側金屬層130、第1之背面側金屬層126，準備絕緣性薄 片124、絕緣層128所成層積體132。 層積體乃由呈厚4 μιη之銅所成表面側金屬層122, 呈厚12.5 μιη之聚醯亞胺所成之絕緣層128，和厚10 μιη 之42合金所成第2之背面側金屬層130C所構成。 對於此層積體132，根據記載於日本特開2004-1 725 89號之方法，於第2之背面側金屬層13〇形成直徑 -70- 200540430 (67) 9 0 μιη之圖案孔，順序地形成連續於絕緣層128、第1之 背面側金屬層1 26、絕緣性薄片1 24的貫通孔，於貫通孔 之底面，露出表面側金屬層122。 由此，作成將短路部和表面電極部一齊形成之電極構 造體形成用凹處90Κ。（參照48(b))。 接著，將層積體1 32浸漬於含胺基磺酸鎳之電鍍浴中 ，對於層積體1 3 2，將表面側金屬層1 22做爲電極，施以 φ 電解電鍍，於各短路部形成用凹處90Κ塡充金屬。（參照 4 8(c))。 接著，將絕緣性薄片124經由蝕刻加以除去。（參照 48(d))。 接著，於第1之背面側金屬層1 26進行蝕刻形成保持 部，於第2之背面側金屬層進行鈾刻，除去該一部分，而 形成背面電極部和支持部140，於絕緣層128進行蝕刻， 將絕緣層分割至各接點膜。（參照48(e))。 • 之後，於外徑22cm、內徑20.5cm，厚度2mm之環狀 之氮化矽所成支持構件2之表面，滴下氰基丙烯酸酯系黏 著劑（東亞合成股份有限公司製：品名 ARONALPHA品號 :#20 0)，形成黏著層，於此層積形成接點膜之層積體，經 由25 °C、30分鐘之保持，硬化黏著層，製造薄片狀探針 〇 所得薄片狀探針乃絕緣層之厚度爲3 7.5 μιη、電極構 造體之表面電極部之形狀爲圓錐梯形狀’該基端之口徑爲 37 μιη，該前端口徑爲13 μιη(平均値），該突出高度爲12.5 -71 - 200540430 (68) μ m，保持部爲检寬6 0 μ m ’縱寬2 0 0 μ m，厚4 μ m，短路 部之形狀爲Η錐梯形狀’該表面側一^端之口徑爲3 7 μ m， 該背面側之另一端口徑爲9 0 μιη，背面電極部之形狀爲矩 形之平扳狀，該橫寬爲90 μπι，縱寬爲200 μιη，厚度爲 2 0 μηι 者。 如此，製造合計4枚之薄片狀探針。 將此等薄片狀探針，稱爲「薄片狀探針〇 1」〜「薄片 φ 狀探針04」。 (比較例2) 於比較例1中，令層積體132乃變更由厚4 μιη之銅 所成表面側金屬層122，和厚17.5 μιη之聚醯亞胺所成之 絕緣層124，和厚4 μιη之銅所成第1之背面側金屬層126 ’和厚48 μιη之聚醯亞胺所成絕緣層128，和厚10 μιη之 42合金所成第2之背面側金屬層1 3 0所構成。 ® 更且與比較側1同樣，形成電極構造體形成用凹處 90Κ’將層積體132浸漬於含胺基磺酸鎳之電鍍浴中，對 於層積體132，將表面側金屬層122做爲電極，施以電解 電鍍’嘗試於各短路部形成用凹處9 0Κ塡充金屬。 但是，於電極構造體形成用凹處90Κ幾乎俘法進行金 屬之塡充。 又’觀察層積體132之電極構造體形成用凹處90Κ的 結果’於該底面幾乎未露出表面側金屬層122。 -72- 200540430 (69) (向異導電性連接器之製作） (1) 磁性芯粒子之調製 使用市售之鎳粒子（Westaim公司製、「FC 1 000」， 如以下調製磁性芯粒子。 日淸ENGINEERING股份有限公司製之空氣分級機「 TURBO CRASSIFIER TC-15N」，將 2kg 鎳粒子，於比重 8.9、風量2.5m1/min、轉子旋轉數爲2250rpm’分級點爲 φ 15 μιη，鎳粒子之供給速度爲60g/min之條件下，進行分 級處理，捕捉搜集鎳粒子徑15 μηι以下之0.8kg鎳粒子。 更且將此〇.8kg鎳粒子，於比重8.9、風量2.5m1/min 、轉子旋轉數爲2930rpm，分級點爲10 μιη，鎳粒子之供 給速度爲3 0 g / m i η之條件下’進行分級處理’捕捉搜集 〇.5kg鎳粒子。 所得鎳粒子乃數平均粒子徑爲7·4 μιη、粒子徑之變動 係數爲27%、BET比表面積爲0.46xl01m2/kg、飽和磁化 φ 爲 〇.6Wb/m2。 令此鎳粒子爲磁性芯粒子Q。 -73- 1 於粉末電鍍裝置之處理槽內，投入磁性芯粒子Ql〇〇g ，更且加上0.3 2N之鹽酸水溶液2L加以攪伴，得含磁性 芯粒子Q之泥漿。 將此泥漿於常溫攪拌3 0分，進行磁性芯粒子Q之氧 處理，之後靜置1分鐘，沈澱磁性芯粒子Q，除去上澄淸 2 導電性粒子之調製 200540430 (70) 液。 接著，於施以氧處理的磁性芯粒子Q，加上純水2L， 以常溫攪拌2分鐘，之後，靜置1分鐘，沈澱磁性芯粒子 Q，除去上澄淸液。將此操作更重覆進行2次，進行磁性 芯粒子Q之洗淨處理。 然後，於施以氧處理及洗淨處理的磁性芯粒子Q，除 了金之含量比較爲20g控制光L之金電鍍液2L，經由將 Φ 處理層內之溫度昇溫至90°C加以攪拌，調製泥漿。 於此狀態下，攪拌泥漿，對於磁性芯粒子Q進行金之 置換電鍍。之後，放置冷卻泥漿，靜置沈澱粒子，經由除 去上澄淸液，調製導電性粒子P。 於如此所得導電粒子，加上純水2L，於常溫下進行2 分鐘攪拌，之後靜置1分鐘，沈澱導電性粒子，除去上澄 淸液。 將此操作再重覆進行2次，之後，加上加熱至90 °C之 • 純水2L加以攪拌，將所得泥漿經由濾紙過濾，回收導電 性粒子。 然後，將此導電性粒子，經由設定於90°C之乾燥機， 進行乾燥處理， 所得導電性粒子乃數平均粒子徑爲7· 3 μπι、BET比 表面積爲〇·38χ 1 03m2/kg，（形成被覆層之金之質量）/ (磁 性芯粒子[A ]之質量）之値爲0 · 3。 令此導電性粒子爲「導電性粒子（a)」 -74- 200540430 (71) (3) 框板之製作 根據圖4 9及圖5 0所示構成’經由下述條件’製作具 有對應於上述試驗用晶圓w 1之各被檢查電極範圍所形成 之9 66個之開口 32之直徑爲8英吋的框板31。 此框板3 1之材質乃科瓦鎳鐵銘合金（線熱膨漲係數5 χ10·6/Κ)，該厚度爲 60 μιη。 各開口 32乃該橫方向（於圖49及圖50爲左右方向）之 φ 尺寸爲3600 μπι，縱方向（於圖49及圖50爲上下方向）之 尺寸爲900 μπι。 框板3 1之開口 3 2乃如圖5 0所示，對於形成在試驗 用晶圓之積體電路L之1個，形成2個，對於同一積體電 路L設置之框板31之開口 32乃在中心間距離（圖50爲上 下方向），以2000 μιη間隔配置。 鄰接於縱方向之開口 32之間之中央位置，形成圓形 之空氣流入孔32Α，該直徑爲1 000 μπι。 參 (4) 向異導電性薄片用成形材料之調製 於附加型液狀聚矽氧烷橡膠1 〇 〇重量份，添加導電 性粒子3 0重量份而混合，之後，施以減壓所成脫泡處理 ，調製向異導電性薄片用成形材料。 於以上，使用附加型液狀聚矽氧烷橡膠乃該粘度爲 2 5 OPa · s之Α液及Β液所成二液型者，該硬化物之壓縮 永久扭曲爲5%，硬度計a硬度爲32，扯裂強度爲2 5 kN/m -75- 200540430 (72) 在此，附加型液狀聚矽氧烷橡膠及該硬化物之特性乃 如以下加以測定。 (i) 附加型液狀聚矽氧烷橡膠之粘度乃經由B型粘度計 ，測定23±2°C之値。 (ii) 聚矽氧烷橡膠硬化物之壓縮永久彎曲乃如以下測 定。 令二液型之附加型液狀聚矽氧烷橡膠之A液及B液， • 以等量之比例，攪拌混合。接者，將此混合物流入模具， 對於混合物，進行減壓所成脫泡處理後，以120 °C、30分 鐘之條件，進行硬化處理，製作厚度12.7mm、直徑29mm 之聚矽氧烷橡膠硬化物所成圓柱體。對於此圓柱體，以 2 00 °C、4小時之條件，進行後固化。將如此所得之圓柱體 ，做爲試驗片加以使用，根據JIS K 6249，測定150±2°C 之壓縮永久彎曲。 (iii) 聚矽氧烷橡膠硬化物之扯裂強度乃如以下加以測 鲁定。 以與上述（ii)同樣之條件，經由附加型液狀聚矽氧烷 橡膠之硬化處理及後固化，製作厚度2.5mm之薄片。 經由此薄片之打穿，製作彎月形之試驗片，根據JIS K 6 249，測定23：t2°C之扯裂強度。 (iv) 硬度計A硬度乃將上述（iii)同樣製作之薄片，重 合5枚，將所得積重體做爲試驗片加以使用，根據JIS K 6249，測定23±2°C之値。 -76- 200540430 (73) (5)向異導電性連接器之製作 使用以上述（3)製作之框板31及上述（4)所調製之成形 材料，根據記載於日本特開2002-324600號公報之方法， 於框板3 1，阻塞各一之開口 3 2地加以配置，固定於框板 31之開口緣部加以支持，經由形成圖42所示構成之966 個之向異性導電性薄片3 5，製作向異導電性連接器3 0。 在此，成形材料層之硬化處理乃經由電磁鐵，向厚度 φ 方向，作用2T之磁場，以100°C、1小時條件進行。 對於所得向異性導電性薄片3 5，具體說明時，各向異 性導電性薄片35乃橫方向之尺寸爲6000 μιη，縱方向之 尺寸爲2000 μπι。26個之導電部36乃以120 μιη之間隔， 向橫方向列地加以排列，各導電部3 6乃橫方向之尺寸爲 60 μιη，縱方向之尺寸爲200 μιη，厚爲150 μιη，突出部 38之突出高度爲25 μιη，絕緣部37之厚度爲100 μιη。 又，於橫方向，於最接近於外側之位置的導電部3 6， • 和框板3 1之開口緣間，配置非連接用之導電部3 6。 各非連接用之導電部36乃橫方向之尺寸爲60 μπι， 縱方向之尺寸爲200 μιη，厚爲150 μπι。 又，調查各向異性導電性薄片3 5之開口部26中之導 電性粒子之含有比例，對於所有之導電部3 6，以體積比率 約 2 5%。 如此，製作合計8枚之向異導電性連接器。 將此等之向異方導電性連接器，成爲「向異方導電性 連接器C1」〜「向異方導電性連接器C8」。 -77- 200540430 (74) (檢查用電路基板之製作） 做爲基板材料，使用氧化鋁陶瓷（線熱膨漲係數 10_6/K)，根據對應於試驗用晶圓W1之被檢查電極圈 圖案，製作形成基材絕緣膜2 1之檢查用電路基板20 此檢查用電路基板20乃整體之尺寸爲30cmx30 矩形，該檢查電極乃橫方向之尺寸爲6 0 μ m，縱方[έ 寸爲20 0 μπι。將所得之檢查用電路基板稱爲「檢垄 # 路基板Τ1」。 (薄片狀探針之評估） (1)試驗1 (鄰接之電極構造體間之絕緣性） 對於各薄片狀探針Ml、M2、薄片狀探針Ν1、 薄片狀探針〇 1、02、進行如以下加以鄰接之電極榍 之絕緣性之評估。 於室溫（25 °C )下，將試驗用晶圓 W1配置於試験 # 於此試驗用晶圓W1之表面，使薄片狀探針，將各g 電極部1 6，位於試驗用晶圓W1之被檢查電極7上ft! 置配合而配置。 接著，於此薄片狀探針上，使向異導電性連接器 將各該導電部3 6，位於薄片狀探針之背面電極部1 7 ，位置配合而配置。 更且，於此向異導電性連接器30上，使檢查月 基板Τ 1，將各檢查電極2 1，位於向異導電性連接器 導電部36上地，位置配合而配置。 4.8 X 3案的 〇 cm之 ]之尺 i用電 N2、 造體 台， 表面 ，位 30， 上地 電路 30之 -78- 200540430 (75) 然後，更且，令檢查用電路基板T1向下方’以 13 0kg之荷重（每1個電極構造體加上之負荷平均爲約5g) 力口壓。 在此，做爲向異導電性連接器3 0乃使用下述表1所 示者。 然後，於各檢查用電路基板T1之26116個之基材絕 緣膜2 1，順序施加電極。 ® 更且，將施加電壓之檢查電極和其他之檢查電極間之 電性阻抗，做爲薄片狀探針之電極構造體1 5間之電性阻 抗（以下，稱「絕緣阻抗」）加以測定，求得全測定點之絕 緣阻抗爲1 0ΜΩ以下之測定點的比例（以下，稱「絕緣不 良比率」）。 在此，絕緣阻抗爲1 0ΜΩ以下之時，實際上，使用於 的 難 困 爲 查。 檢1 性表 電述 之下 路於 電示 體果 積結 之之 圓上 晶以 在將 成 形 1 11 表 薄片狀探針 向異導電性連接器 絕緣不良比例 實施例1 Ml C1 0% M2 C2 0% 比較例1 01 C3 0% 02 C4 0% -79- 200540430 (76) (2)試驗2(電極構造體之連接安定性） 對於各薄片狀探針M3、M4、薄片狀探針N3、N4、 薄片狀探針03、04進行如以下對於被檢查電極之電極構 造體1 5之連接安定性之評估。 於室溫（25 °C )下，將試驗用晶圓W2，配置於具有電 熱加熱器之試驗台，於此試驗用晶圓W2之表面上，使薄 片狀探針，將各該表面電極部1 6，位於試驗甩晶圓W 1之 φ 被檢查電極7上地，位置配合而配置。 更且，於此薄片狀探針上，使向異導電性連接器3 0， 將各該導電部3 6，位於薄片狀探針之背面電極部1 7上地 ，位置配合而配置，於此向異導電性連接器3 0上，使檢 查用電路基板T1，將各檢查電極2 1，位於向異導電性連 接器30之導電部36上地，位置配合而配置。 更且，令檢查用電路基板T1向下方，以130kg之荷 重（每1個電極構造體加上之負荷平均爲約5 g)加壓。 • 在此，做爲向異導電性連接器3 0乃使用下述表2所 示者。 然後，對於各檢查用電路基板T1之26116個之被檢 查電極7，順序測定藉由薄片狀探針、向異導電性連接器 3 〇及試驗用晶圓W2相互電性連接之2個之檢查電極2 1 間之電性阻抗。 更且，將測定之電性阻抗値之2分之一値，做爲檢查 用電路基板T1之檢查電極21和試驗用晶圓W21之被檢 查電極7間之電性阻抗（以下，稱「導通阻抗」）加以記錄 -80- 200540430 (77) ，求得全測定點之導通阻抗乃1 Ω以上之測定點之比例（以 下，稱「連接不良比率」）。 令此操作爲「操作（1)」。 接著，解除對於檢查用電路基板τ1之加壓，之後， 令試驗台昇溫至125 °C，放置該溫度至安定，之後，令檢 查用電路基板T1，於下方以13 0kg之荷重（每1個電極構 造體加上之負荷平均爲約5g)加壓，與上述操作同樣’求 φ 得連接不良比例。令此操作爲「操作2」。 接著，令試驗台冷卻至室溫（25 °C )，解除對於檢查用 電路基板Τ1之加壓。令此操作爲「操作3」。 然後’將上述操作（1)、操作（2)及操作（3)，爲1周期 ，伺計連續200周期進行。 在此，導通阻抗爲1 Ω以上之時，實際上’難於使用 在形成於晶圓之積體電路之電性檢查。 將以上之結果，示於下述表2。 -81 - 200540430 (78) 【表2】 接續不良比5 薄片狀探針 向異導電性連接器 \^期數 溫度 1次 10次 50次 100次 200次 實施例1 M3 C5 25〇C 0% 0% 0% 0% 0% 125〇C 0% 0% 0% 0% 0% M4 C6 25〇C 0% 0% 0% 0% 0% 125〇C 0% 0% 0% 0% 0% 比較例1 03 C7 25〇C 1% 2% 2% 5% 10% 125〇C 5% 6% 8% 15% 19% 04 C8 25〇C 0% 1% 1% 8% 11% 25〇C 5% 7% 10% 18% 22%
又，終止試驗2之後，觀察各薄片狀探針（實施例及 ® 比較例），任一之電極構造體1 5皆未有從絕緣層1 8B脫落 ，表面電極部之變形幾乎未被觀察，可確認具有高耐久性 【圖式簡單說明】 【圖1】圖1乃顯示本發明之薄片狀探針之第1之實 施例之構成的說明用剖面圖，圖1(a)乃平面圖、圖1(b)乃 X-X線所成剖面圖。 【圖2】圖2乃擴大顯示圖1之薄片狀探針之接點膜 -82- 200540430 (79) 的平面圖。 【圖3】圖3乃顯示關於本發明之薄片狀探針之構造 的說明用剖面圖。 【圖4】圖4乃擴大顯示關於本發明之薄片狀探針之 電極構造體之說明用剖面圖。 【圖5】圖5(a)乃本發明之薄片狀探針之接點膜之支 持部的剖面圖，圖5(b)乃顯示做爲金屬框板使用板狀金屬 φ 框，將絕緣層於該表面支持時的剖面圖。 【圖6】圖6乃顯示本發明之薄片狀探針之其他之實 施形態圖，圖6(a)乃平面圖、圖6(b)乃X-X線所成剖面圖 〇 【圖7】圖7乃顯示關於本發明之薄片狀探針之構造 的說明用剖面圖。 【圖8】圖8乃擴大顯示關於本發明之薄片狀探針之 電極構造體之說明用剖面圖。 φ 【圖9】圖9(a)乃電極構造體之擴大剖面圖、圖9(b) 乃說明本發明之薄片狀探針之製造方法的剖面圖。 【圖10】圖10乃顯示本發明之薄片狀探針之其他之 實施形態的剖面圖。 【圖11】圖11乃顯示本發明之薄片狀探針之其他之 實施形態的剖面圖。 【圖12】圖12乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖13】圖13乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 -83- 200540430 (80) 法的剖面圖。 【圖1 4】圖1 4乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖15】圖15乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖16】圖16乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 • 【圖17】圖17乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖18】圖18乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖19】圖19乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖20】圖20乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 # 【圖21】圖21乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖22】圖22乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖23】圖23乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖24】圖24乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖25】圖25乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 -84- 200540430 (81) 法的剖面圖。 【圖26】圖26乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖27】圖27乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖28】圖28乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖29】圖29乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖30】圖30乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖31】圖31乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖32】圖32乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖33】圖33乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖34】圖34乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖35】圖35乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖36】圖36乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖37】圖37乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 -85- 200540430 (82) 法的剖面圖。 【圖38】圖38乃說明本發明之薄片狀探針之製造方 法的剖面圖。 【圖39】圖39乃顯示本發明之電路裝置之檢查裝置 及使用於此之探針卡之實施形態剖面圖。 【圖40】圖40乃顯示本發明之電路裝置之檢查裝置 及使用於此之探針卡之其他實施形態剖面圖。 【圖41】圖41乃顯示圖40之探針卡組裝前後之各狀 態之剖面圖。 【圖42】圖42乃顯示擴大圖40所示檢查裝置之探針 卡的說明用剖面圖。 【圖43】圖43乃顯示擴大圖41所示檢查裝置之探針 卡的說明用剖面圖。 【圖44】圖44乃圖40、圖42所示之探針卡之向異 導電性連接器之平面圖。 【圖45】圖45乃顯示以實施例製作之試驗用晶圓之 平面圖。 【圖46】圖46乃顯示形成於圖45所示之試驗用晶圓 之積體電路之被檢查電極範圍之位置的說明圖。 【圖47】圖47乃顯示形成於圖46所示之試驗用晶圓 之積體電路之被檢查電極之配置圖案的說明圖。 【圖48】圖48乃說明比較例1之薄片狀探針之製造 方法之剖面圖。 【圖49】圖49乃顯示實施例所製作之向異導電性連 -86- 200540430 (83) 接器之框板的平面圖。 【圖50】圖50乃顯示擴大圖49所示之框板之一部分 凡的說明圖。 【圖5 1】圖51乃顯示以往之探針卡之一例之構成的 說明用剖面圖。 【圖52】圖52乃顯示以往之薄片狀探針之製造例的 說明用剖面圖。 【圖53】圖53乃顯示擴大圖52所示探針卡之薄片狀 探針的說明用剖面圖。 【圖54】圖54乃顯示以往之薄片狀探針之其他之製 造例的說明用剖面圖。 【圖55】圖55乃顯示以往之薄片狀探針之其他之製 造例的說明用剖面圖。 【圖56】圖56乃使用環狀之支持板之以往之薄片狀 探針之剖面圖。 【圖57】圖57乃顯示從絕緣膜之單面側，經由蝕刻 所形成之貫通孔之形狀的剖面圖。 【圖58】圖58乃顯示以往薄片狀探針之製造方法的 槪略剖面圖。 【圖59】圖59乃顯示從絕緣膜之兩面側，經由蝕刻 所形成之貫通孔之形狀的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 探針卡 -87- 200540430 (84) 2 支持構件 3 加壓板 4 晶圓載置台 5 加熱器 6 晶圓 7 被檢查電極 9 接點膜 φ 10 薄片狀探針 11 支持體 12 貫通孔 13 支持板 14 金屬框板 15 電極構造體 16 表面電極部 16a樹脂薄片 • 16b高分子物質形成用液狀物 16c高分子物質形成用液狀物16c 16d黏著劑 17 背面電極部 17A背面側金屬層 17H圖案孔 18 短路部 18A被覆膜 1 8 B絕緣層 -88- 200540430 (85) 1 8 K短路部形成用凹處 19 支持部 20 檢查用電路基板 20a聚醯亞胺薄片 20b樹脂薄片 2 0 c金屬膜 2 1 檢查電極 φ 2 1 a光阻膜 2 1 b金屬膜 2 1 c 開□ 22a保護膜 22 支持部 22A〜221光阻膜 23 開口 2 3 a 開口 φ 2 3 b 開□ 2 3 c 開口 24A薄片 24 金屬框板 24a 開口 25 支持體 2 6 a金屬膜 2 6 開口部 2 7、2 8 光阻膜 -89- 200540430 (86) 29a金屬電鍍塡充部 29C 開口 30 向異導電性連接器 30A貫通孔 3 1 框板 31A第2之薄片 32 開口 φ 32A空氣流入孔 3 3、3 7 光阻膜 34 光阻膜 35 向異性導電性薄片 35A光阻膜 36 導電部 36A 開口 37 絕緣部 # 37A光阻膜 3 8 突出部 50 導引針腳 80 向異導電性薄片 81 聚醯亞胺膜 8 1 a貫通孔 82 金屬膜 8 3 光阻膜 83a 開口 -90- 200540430 (87) 85 檢查用電路基板 8 6 檢查電極 90 薄片狀探針 90A層積體 90B層積體 90C層積體 90K短路部形成用凹處 φ 91 絕緣性薄片 9 1 A絕緣性薄片 92 金屬層 92E支持部 92A表面側金屬層 92B背面側金屬層 92H開口部 92N絕緣部 φ 93光阻膜 93A光阻膜 94B光阻膜 95 電極構造體 96 表面電極部 97 背面電極部 98 短路部 98H貫通孔 99 支持構件 -91 200540430 (88) 1 0 0絕緣層 1 0 1光阻膜 1 2 2表面側金屬層 124絕緣性薄片 1 2 6背面側金屬層 1 2 8絕緣層 1 3 0背面側金屬層 φ 132層積體 1 3 4開口部 1 3 6貫通孔 1 3 8貫通孔
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