JPH11326378A - 検査治具 - Google Patents
検査治具Info
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- JPH11326378A JPH11326378A JP13883998A JP13883998A JPH11326378A JP H11326378 A JPH11326378 A JP H11326378A JP 13883998 A JP13883998 A JP 13883998A JP 13883998 A JP13883998 A JP 13883998A JP H11326378 A JPH11326378 A JP H11326378A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査電極が脱落しないで、配線層との電気的
接続信頼性の高い検査治具を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 絶縁基板１３の片面に検査電極１７が、
もう一方の面に配線層１８ａが形成されており、検査電
極１７と配線層１８ａは検査電極１７と同一の金属材料
で構成されており、絶縁基板１３上の配線層１８ａはク
ロム薄膜層１４を介して形成されている。
接続信頼性の高い検査治具を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 絶縁基板１３の片面に検査電極１７が、
もう一方の面に配線層１８ａが形成されており、検査電
極１７と配線層１８ａは検査電極１７と同一の金属材料
で構成されており、絶縁基板１３上の配線層１８ａはク
ロム薄膜層１４を介して形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や配線
回路基板等の導通検査に用いられる検査治具基板に関す
る。
回路基板等の導通検査に用いられる検査治具基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ポリイミドフィルム上への銅の
導体層の形成する際下地層としてスパッタリングで薄膜
導体層を形成する法が用いられている。無電解めっきで
は十分な密着が得られないからである。通常銅をスパッ
タして薄膜導体層を形成しておいてから、さらに膜厚確
保のために電解銅めっきなどを行って所定膜厚の導体層
を形成する。ここで、銅の薄膜導体層をスパッタリング
で形成する前に拡散防止層としてポリイミド上にスパッ
タリングによりクロム薄膜層を形成しておくことが密着
向上に効果があることが知られている。
導体層の形成する際下地層としてスパッタリングで薄膜
導体層を形成する法が用いられている。無電解めっきで
は十分な密着が得られないからである。通常銅をスパッ
タして薄膜導体層を形成しておいてから、さらに膜厚確
保のために電解銅めっきなどを行って所定膜厚の導体層
を形成する。ここで、銅の薄膜導体層をスパッタリング
で形成する前に拡散防止層としてポリイミド上にスパッ
タリングによりクロム薄膜層を形成しておくことが密着
向上に効果があることが知られている。
【０００３】ポリイミドフィルムからなる絶縁基板に検
査電極と配線層が形成された従来の検査治具は図３
（ａ）〜（ｇ）に示すように、絶縁基板２３の片面に検
査電極２５を、絶縁基板２３のもう一方の面の絶縁基板
２３と検査電極２５上にクロム薄膜層２６、薄膜導体層
２７及び所定厚の導体層２８を形成し、パターニング処
理して配線層２８ａを形成していた。この構成では、配
線層２８ａと検査電極２５の接続面にはクロム薄膜層２
６が残ることになる。
査電極と配線層が形成された従来の検査治具は図３
（ａ）〜（ｇ）に示すように、絶縁基板２３の片面に検
査電極２５を、絶縁基板２３のもう一方の面の絶縁基板
２３と検査電極２５上にクロム薄膜層２６、薄膜導体層
２７及び所定厚の導体層２８を形成し、パターニング処
理して配線層２８ａを形成していた。この構成では、配
線層２８ａと検査電極２５の接続面にはクロム薄膜層２
６が残ることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】クロム金属は一般に配
線層に使用されている銅よりも堅くてもろいため、検査
電極と配線層界面にクロム薄膜層が存在すると検査治具
として繰り返し使用した場合折り曲げ時の応力の集中に
よりクロム薄膜層に亀裂が生じ、検査電極が脱落すると
いう不具合が生じている。
線層に使用されている銅よりも堅くてもろいため、検査
電極と配線層界面にクロム薄膜層が存在すると検査治具
として繰り返し使用した場合折り曲げ時の応力の集中に
よりクロム薄膜層に亀裂が生じ、検査電極が脱落すると
いう不具合が生じている。
【０００５】また、電気抵抗については、銅が１．７２
４×１０-6Ω／ｃｍ（２０℃）であるのに対し、クロム
は１８．９×１０-6Ω／ｃｍ（０℃）と、銅と比較して
約１０倍も大きいために検査電極と配線層界面にクロム
薄膜層が存在するとノイズが発生し、電気的接続信頼性
の低下が懸念される。
４×１０-6Ω／ｃｍ（２０℃）であるのに対し、クロム
は１８．９×１０-6Ω／ｃｍ（０℃）と、銅と比較して
約１０倍も大きいために検査電極と配線層界面にクロム
薄膜層が存在するとノイズが発生し、電気的接続信頼性
の低下が懸念される。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、検査電極が脱落しないで、配線層との電気的接続
信頼性の高い検査治具を提供することを目的とする。
あり、検査電極が脱落しないで、配線層との電気的接続
信頼性の高い検査治具を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題を解決
するため、ポリイミド樹脂からなる絶縁基板の片面に検
査電極が、もう一方の面に配線層が形成されており、前
記検査電極と前記配線層は電気的に接続されてなる検査
治具において、前記絶縁基板と前記配線層との間にはク
ロム薄膜層が形成されているが、前記検査電極と前記配
線層との間にはクロム薄膜層を介在させないで、前記検
査電極と前記配線層が電気的に接続されていることを特
徴とする検査治具としたものである。
するため、ポリイミド樹脂からなる絶縁基板の片面に検
査電極が、もう一方の面に配線層が形成されており、前
記検査電極と前記配線層は電気的に接続されてなる検査
治具において、前記絶縁基板と前記配線層との間にはク
ロム薄膜層が形成されているが、前記検査電極と前記配
線層との間にはクロム薄膜層を介在させないで、前記検
査電極と前記配線層が電気的に接続されていることを特
徴とする検査治具としたものである。
【０００８】このような検査治具にすることにより、被
検査体に押圧して導通検査を繰り返し行った場合検査電
極と配線層界面での応力の集中点を分散することがで
き、結果的に長時問の使用においても検査電極の脱落の
ない優れた検査治具を提供することができる。
検査体に押圧して導通検査を繰り返し行った場合検査電
極と配線層界面での応力の集中点を分散することがで
き、結果的に長時問の使用においても検査電極の脱落の
ない優れた検査治具を提供することができる。
【０００９】また、検査電極と配線層との接続面にクロ
ム薄膜層を有する従来の検査治具に比べて飛躍的なノイ
ズの低減が図ることができる。
ム薄膜層を有する従来の検査治具に比べて飛躍的なノイ
ズの低減が図ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１（ａ）に本発明の検査治具の部分摸式斜視
図を、図１（ｂ）に検査治具の部分摸式斜視図をＡ−
Ａ’線で切断した摸式断面図を、図２（ａ）〜（ｆ）に
本発明の検査治具の製造工程を示す摸式断面図をそれぞ
れ示す。
明する。図１（ａ）に本発明の検査治具の部分摸式斜視
図を、図１（ｂ）に検査治具の部分摸式斜視図をＡ−
Ａ’線で切断した摸式断面図を、図２（ａ）〜（ｆ）に
本発明の検査治具の製造工程を示す摸式断面図をそれぞ
れ示す。
【００１１】本発明の検査治具は図１（ａ）及び（ｂ）
に示すように、絶縁基板１３の片面に検査電極１７が、
もう一方の面に配線層１８ａが形成されており、絶縁基
板１３と配線層１８ａとの間にはクロム薄膜層１４が形
成されているが、検査電極１７と配線層１８ａは検査電
極１７と同一の金属材料で構成されている。そのため、
検査電極１７と配線層１８ａの間にはクロム薄膜層１４
は介在しない。
に示すように、絶縁基板１３の片面に検査電極１７が、
もう一方の面に配線層１８ａが形成されており、絶縁基
板１３と配線層１８ａとの間にはクロム薄膜層１４が形
成されているが、検査電極１７と配線層１８ａは検査電
極１７と同一の金属材料で構成されている。そのため、
検査電極１７と配線層１８ａの間にはクロム薄膜層１４
は介在しない。
【００１２】以下、本発明の検査治具の形成法について
図２（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず、金属基板
１１上にレジスト層１２及び絶縁基板１３を形成する
（図２（ａ）参照）。ここで、金属基板１１は導電性を
有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プ
ロセス上ステンレス板が好ましい。レジスト層１２は検
査電極１７を電解めっきで形成するために使用されるも
ので、絶縁性を有する樹脂であれば使用可能であるが、
後工程で最終的に剥離・除去されるため、電解めっきプ
ロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な液
状の感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適
である。絶縁基板１３は絶縁性、耐熱性及び機械的強度
が求められ、ポリエステル、エポキシ、アクリル及びポ
リイミド樹脂等が使用可能であるが、ポリイミド樹脂が
好適である。
図２（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず、金属基板
１１上にレジスト層１２及び絶縁基板１３を形成する
（図２（ａ）参照）。ここで、金属基板１１は導電性を
有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プ
ロセス上ステンレス板が好ましい。レジスト層１２は検
査電極１７を電解めっきで形成するために使用されるも
ので、絶縁性を有する樹脂であれば使用可能であるが、
後工程で最終的に剥離・除去されるため、電解めっきプ
ロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な液
状の感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適
である。絶縁基板１３は絶縁性、耐熱性及び機械的強度
が求められ、ポリエステル、エポキシ、アクリル及びポ
リイミド樹脂等が使用可能であるが、ポリイミド樹脂が
好適である。
【００１３】次に、絶縁基板１３上にクロム薄膜層１４
及び薄膜導体層１５を形成する（図２（ｂ）参照）。こ
こで、クロム薄膜層１４は絶縁基板１３と薄膜導体層１
５との密着性を向上させるために形成するもので、通常
スパッタリングにて形成する。薄膜導体層１５は電解め
っきにて導体層１８を形成するための下地電極として作
用し、銅のスパッタリングにて形成する。
及び薄膜導体層１５を形成する（図２（ｂ）参照）。こ
こで、クロム薄膜層１４は絶縁基板１３と薄膜導体層１
５との密着性を向上させるために形成するもので、通常
スパッタリングにて形成する。薄膜導体層１５は電解め
っきにて導体層１８を形成するための下地電極として作
用し、銅のスパッタリングにて形成する。
【００１４】次に、レジスト層１２及び絶縁基板１３に
検査電極を形成するための円錐台状の開口部１６をエキ
シマレーザ加工にて形成する（図２（ｃ）参照）。
検査電極を形成するための円錐台状の開口部１６をエキ
シマレーザ加工にて形成する（図２（ｃ）参照）。
【００１５】次に、金属基板１１をめっき電極にして電
解めっきにて開口部１６に検査電極１７及び薄膜導体層
１５上に導体層１８を連続して形成する（図２（ｄ）参
照）。ここで、検査電極１７及び導体層１８は同一金属
材料で連続的に形成されるため、特に界面は存在しな
い。さらに、検査電極１７及び導体層１８の材料は電気
抵抗の小さい銅および銅合金が好ましい。
解めっきにて開口部１６に検査電極１７及び薄膜導体層
１５上に導体層１８を連続して形成する（図２（ｄ）参
照）。ここで、検査電極１７及び導体層１８は同一金属
材料で連続的に形成されるため、特に界面は存在しな
い。さらに、検査電極１７及び導体層１８の材料は電気
抵抗の小さい銅および銅合金が好ましい。
【００１６】次に、導体層１８、薄膜導体層１５及びク
ロム薄膜層１４をパターニング処理して配線層１８ａを
形成する（図２（ｅ）参照）。配線層１８ａの形成に
は、フォトエッチング法やセミアディティブ法が使用で
きる。
ロム薄膜層１４をパターニング処理して配線層１８ａを
形成する（図２（ｅ）参照）。配線層１８ａの形成に
は、フォトエッチング法やセミアディティブ法が使用で
きる。
【００１７】次に、検査電極１７、配線層１８ａが形成
された上記基板を専用の剥離液に浸漬し、金属基板１１
及びレジスト層１２を剥離・除去し、絶縁基板１３の片
面に検査電極１７、もう一方の面に配線層１８ａが形成
された本発明の検査治具を得ることができる（図２
（ｆ）参照）。
された上記基板を専用の剥離液に浸漬し、金属基板１１
及びレジスト層１２を剥離・除去し、絶縁基板１３の片
面に検査電極１７、もう一方の面に配線層１８ａが形成
された本発明の検査治具を得ることができる（図２
（ｆ）参照）。
【００１８】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、０．３ｍｍ厚のステンレス板からなる金属基板１
１上にドライフィルムレジスト（Ｈ−Ｎ２５０：日立化
成工業（株）製）をラミネートしてレジスト層１２を、
さらに、２０μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレッ
クス：宇部興産（株）製）を貼着し絶縁基板１３を形成
した。
まず、０．３ｍｍ厚のステンレス板からなる金属基板１
１上にドライフィルムレジスト（Ｈ−Ｎ２５０：日立化
成工業（株）製）をラミネートしてレジスト層１２を、
さらに、２０μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレッ
クス：宇部興産（株）製）を貼着し絶縁基板１３を形成
した。
【００１９】次に、絶縁基板１３上にスパッタリングに
て３００ｎｍ厚のクロム薄膜層１４を、さらに、銅をス
パッタリングして３００ｎｍ厚の薄膜導体層１５を形成
した。
て３００ｎｍ厚のクロム薄膜層１４を、さらに、銅をス
パッタリングして３００ｎｍ厚の薄膜導体層１５を形成
した。
【００２０】次に、エキシマレーザ加工機を用いて、薄
膜導体層１５、クロム薄膜層１４、絶縁基板１３及びレ
ジスト層１２に４０μｍφの円錐台状の開口部１６を形
成した。
膜導体層１５、クロム薄膜層１４、絶縁基板１３及びレ
ジスト層１２に４０μｍφの円錐台状の開口部１６を形
成した。
【００２１】次に、金属基板１１をカソードとし、定電
流めっき法によって硫酸銅浴で１．０Ｖ／ｄｍ2 で６０
分銅めっきを行って、検査電極１７及び１５〜２０μｍ
厚の導体層１８を連続して形成した。
流めっき法によって硫酸銅浴で１．０Ｖ／ｄｍ2 で６０
分銅めっきを行って、検査電極１７及び１５〜２０μｍ
厚の導体層１８を連続して形成した。
【００２２】次に、導体層１８、薄膜導体層１５及びク
ロム薄膜層１４をフォトエッチングプロセスにてパター
ニング処理して配線層１８ａを形成した。
ロム薄膜層１４をフォトエッチングプロセスにてパター
ニング処理して配線層１８ａを形成した。
【００２３】次に、検査電極１７及び配線層１８ａが形
成された基板を１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸せき
して、金属基板１１及びレジスト層１２を剥離・除去す
ることで、絶縁基板１３の片面に検査電極１７、もう一
方の面に配線層１８ａが形成された本発明の検査治具を
作製することができた。
成された基板を１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸せき
して、金属基板１１及びレジスト層１２を剥離・除去す
ることで、絶縁基板１３の片面に検査電極１７、もう一
方の面に配線層１８ａが形成された本発明の検査治具を
作製することができた。
【００２４】＜比較例＞まず、０．３ｍｍ厚のステンレ
ス板からなる金属基板２１上にドライフィルムレジスト
（Ｈ−Ｎ２５０：日立化成工業（株）製）をラミネート
してレジスト層２２を、さらに、２０μｍ厚のポリイミ
ドフィルム（ユーピレックス：宇部興産（株）製）を貼
着し絶縁基板２３を形成した。
ス板からなる金属基板２１上にドライフィルムレジスト
（Ｈ−Ｎ２５０：日立化成工業（株）製）をラミネート
してレジスト層２２を、さらに、２０μｍ厚のポリイミ
ドフィルム（ユーピレックス：宇部興産（株）製）を貼
着し絶縁基板２３を形成した。
【００２５】次に、エキシマレーザ加工機を用いて、絶
縁基板２３及びレジスト層２２に４０μｍφの円錐台状
の開口部２４を形成した。
縁基板２３及びレジスト層２２に４０μｍφの円錐台状
の開口部２４を形成した。
【００２６】次に、金属基板２１をカソードとし、定電
流めっき法によって硫酸銅浴で２Ａ／ｄｍ2 で６０分銅
めっきを行って、検査電極２５を形成した。
流めっき法によって硫酸銅浴で２Ａ／ｄｍ2 で６０分銅
めっきを行って、検査電極２５を形成した。
【００２７】次に、絶縁基板２３及び検査電極２５上に
スパッタリングにて３００ｎｍ厚のクロム薄膜層２６
を、さらに、銅をスパッタリングして３００ｎｍ厚の薄
膜導体層２７を形成した。
スパッタリングにて３００ｎｍ厚のクロム薄膜層２６
を、さらに、銅をスパッタリングして３００ｎｍ厚の薄
膜導体層２７を形成した。
【００２８】次に、電解銅めっきにて薄膜導体層２７上
に１０〜１５μｍ厚の銅の導体層２８を形成した。
に１０〜１５μｍ厚の銅の導体層２８を形成した。
【００２９】次に、導体層２８、薄膜導体層２７及びク
ロム薄膜層２６をフォトエッチングプロセスにてパター
ニング処理して配線層２８ａを形成した。
ロム薄膜層２６をフォトエッチングプロセスにてパター
ニング処理して配線層２８ａを形成した。
【００３０】次に、検査電極２５及び配線層２８ａが形
成された基板を１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸せき
して金属基板２１及びレジスト層２２を剥離・除去する
ことで、絶縁基板２３に検査電極２５及び配線層２８ａ
が形成され、且つ検査電極２５と配線層２８ａとの間に
クロム薄膜層２６を有する従来の検査治具を作製した。
成された基板を１０％水酸化ナトリウム水溶液に浸せき
して金属基板２１及びレジスト層２２を剥離・除去する
ことで、絶縁基板２３に検査電極２５及び配線層２８ａ
が形成され、且つ検査電極２５と配線層２８ａとの間に
クロム薄膜層２６を有する従来の検査治具を作製した。
【００３１】上記検査電極２５と配線層２８ａとの間に
クロム薄膜層２６を有する従来の検査治具を用いて被検
査体に押圧し繰り返し導通試験を行った結果検査電極の
脱落が確認された。これに対し、本発明の検査治具を使
って同様の条件で繰り返し導通試験を行なった結果検査
電極の脱落は確認されなかった。
クロム薄膜層２６を有する従来の検査治具を用いて被検
査体に押圧し繰り返し導通試験を行った結果検査電極の
脱落が確認された。これに対し、本発明の検査治具を使
って同様の条件で繰り返し導通試験を行なった結果検査
電極の脱落は確認されなかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の検査治具を用いて、被検査体に
押圧し繰り返し導通試験を行った結果検査電極の脱落は
ほとんどなくなり、配線層との電気的接続信頼性の高い
検査治具を提供することができる。また、検査治具本体
の費用のみならず検査治具交換の時問やメンテナンス時
問の短縮による検査コストの大幅な低減が図れる。さら
にまた、定電流めっき法を使って電極から配線層まで一
括してメッキを行うため、工程の短縮や設備費用削減に
よる製造コストの削減、収率向上が期待できる。
押圧し繰り返し導通試験を行った結果検査電極の脱落は
ほとんどなくなり、配線層との電気的接続信頼性の高い
検査治具を提供することができる。また、検査治具本体
の費用のみならず検査治具交換の時問やメンテナンス時
問の短縮による検査コストの大幅な低減が図れる。さら
にまた、定電流めっき法を使って電極から配線層まで一
括してメッキを行うため、工程の短縮や設備費用削減に
よる製造コストの削減、収率向上が期待できる。
【図１】（ａ）は、本発明の検査治具の一実施例を示す
部分模式斜視図である。（ｂ）は、本発明の検査治具の
部分模式斜視図をＡ−Ａ’線で切断した模式断面図を示
す。
部分模式斜視図である。（ｂ）は、本発明の検査治具の
部分模式斜視図をＡ−Ａ’線で切断した模式断面図を示
す。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の検査治具の一実施例
の製造工程を工程順に示す模式断面図である。
の製造工程を工程順に示す模式断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は従来の検査治具の製造工程を
工程順に示す模式断面図である。
工程順に示す模式断面図である。
１１、２１……金属基板 １２、２２……レジスト層 １３、２３……絶縁基板 １４、２６……クロム薄膜層 １５、２７……薄膜導体層 １６、２４……開口部 １７、２５……検査電極 １８、２８……導体層 １８ａ、２８ａ……配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関根 秀克 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】ポリイミド樹脂からなる絶縁基板の片面に
検査電極が、もう一方の面に配線層が形成されており、
前記検査電極と前記配線層は電気的に接続されてなる検
査治具において、前記絶縁基板と前記配線層との間には
クロム薄膜層が形成されいるが、前記検査電極と前記配
線層との間にはクロム薄膜層を介在させないで、前記検
査電極と前記配線層が電気的に接続されていることを特
徴とする検査治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13883998A JPH11326378A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 検査治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13883998A JPH11326378A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 検査治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326378A true JPH11326378A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15231416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13883998A Pending JPH11326378A (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 検査治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11326378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671609B2 (en) | 2004-04-27 | 2010-03-02 | Jsr Corporation | Sheet-like probe, method of producing the probe, and application of the probe |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP13883998A patent/JPH11326378A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671609B2 (en) | 2004-04-27 | 2010-03-02 | Jsr Corporation | Sheet-like probe, method of producing the probe, and application of the probe |
| US7737707B2 (en) | 2004-04-27 | 2010-06-15 | Jsr Corporation | Sheet-like probe, method of producing the probe, and application of the probe |
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