JPH10154730A - Ｔａｂテープにブラインドビアホールを形成する方法、その方法によって形成されたｔａｂテープ、フィルム及びフレキシブル基板 - Google Patents
Ｔａｂテープにブラインドビアホールを形成する方法、その方法によって形成されたｔａｂテープ、フィルム及びフレキシブル基板Info
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- JPH10154730A JPH10154730A JP9191054A JP19105497A JPH10154730A JP H10154730 A JPH10154730 A JP H10154730A JP 9191054 A JP9191054 A JP 9191054A JP 19105497 A JP19105497 A JP 19105497A JP H10154730 A JPH10154730 A JP H10154730A
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- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】より信頼性の高いブラインドビアホールが得ら
れるよう改良したＴＡＢテープにブラインドビアホール
を形成する方法を提供する。 【解決手段】ＴＡＢテープにブラインドビアホールを形
成する方法は、２層ＣＣＬを構成する銅箔／ポリイミド
／銅箔構成の一方の銅箔１に、フォトレジストコーティ
ング後、ブラインドビアホールパターン９を形成する。
前記ポリイミド２を除去し、前記ブラインドビアホール
パターンに対応して、ブラインドビアホール４を形成す
る。前記ブラインドビアホール４の底部に堆積するポリ
イミド２を除去し、前記ブラインドビアホールの底部に
露出した他方の銅箔１面をエッチング除去する。更に前
記堆積する有機絶縁材の残量が無くなるまで、前記ポリ
イミド２を除去する工程と前記ブラインドビアホールの
底部に露出した他方の銅箔１面をエッチング除去する工
程とを繰り返す。
れるよう改良したＴＡＢテープにブラインドビアホール
を形成する方法を提供する。 【解決手段】ＴＡＢテープにブラインドビアホールを形
成する方法は、２層ＣＣＬを構成する銅箔／ポリイミド
／銅箔構成の一方の銅箔１に、フォトレジストコーティ
ング後、ブラインドビアホールパターン９を形成する。
前記ポリイミド２を除去し、前記ブラインドビアホール
パターンに対応して、ブラインドビアホール４を形成す
る。前記ブラインドビアホール４の底部に堆積するポリ
イミド２を除去し、前記ブラインドビアホールの底部に
露出した他方の銅箔１面をエッチング除去する。更に前
記堆積する有機絶縁材の残量が無くなるまで、前記ポリ
イミド２を除去する工程と前記ブラインドビアホールの
底部に露出した他方の銅箔１面をエッチング除去する工
程とを繰り返す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢテープにブ
ラインドビアホールを形成する方法、その方法によって
形成されたＴＡＢテープ、フィルム及びフレキシブル基
板に関する。
ラインドビアホールを形成する方法、その方法によって
形成されたＴＡＢテープ、フィルム及びフレキシブル基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、高度且つ高速な演算処理を必要と
する大型コンピュータ、或いはワークステーション等を
対象とした、例えばピン数が４００〜７００本で、動作
周波数が１５０ＭＨｚ以上の高速動作用のパッケージ用
テープとして、低価格化及び小形化の要望に答え、ＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）テープが用いられるよう
になった。
する大型コンピュータ、或いはワークステーション等を
対象とした、例えばピン数が４００〜７００本で、動作
周波数が１５０ＭＨｚ以上の高速動作用のパッケージ用
テープとして、低価格化及び小形化の要望に答え、ＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）テープが用いられるよう
になった。
【０００３】高速動作用のパッケージ用テープは、電気
ノイズの低減が重要な課題である。
ノイズの低減が重要な課題である。
【０００４】ＴＡＢテープには、デバイスホールに納め
られるＩＣチップの配線に対応したグランドライン、電
源ライン、及び信号ラインの３種類の配線が必要とされ
る。
られるＩＣチップの配線に対応したグランドライン、電
源ライン、及び信号ラインの３種類の配線が必要とされ
る。
【０００５】これら３配線は、互いに電気的に干渉し、
電気ノイズを発生しＩＣチップを誤動作させてしまうこ
とがある。
電気ノイズを発生しＩＣチップを誤動作させてしまうこ
とがある。
【０００６】電気ノイズの発生の原因は、各配線間の誘
電率が小さいこと及び配線間距離が小さいことにある。
多ピン化による狭ピッチ化が進むと電気ノイズの発生
は、増大する。
電率が小さいこと及び配線間距離が小さいことにある。
多ピン化による狭ピッチ化が進むと電気ノイズの発生
は、増大する。
【０００７】このため、グランドラインと信号ラインと
の間に絶縁フィルム、例えばポリイミドを介在させ、各
配線間の高誘電率化及び配線間距離の増加を図ったＴＡ
Ｂ−ＢＧＡ（Ball Grid Array)構成のＩＣ実装用のテー
プキャリアが普及してきている。
の間に絶縁フィルム、例えばポリイミドを介在させ、各
配線間の高誘電率化及び配線間距離の増加を図ったＴＡ
Ｂ−ＢＧＡ（Ball Grid Array)構成のＩＣ実装用のテー
プキャリアが普及してきている。
【０００８】このＴＡＢ−ＢＧＡ構成によれば、ＩＣチ
ップに接続されたインナーリードの内、グランドライン
は、ポリイミドに設けられたブラインドビアホールを介
して一旦テープの裏側に導かれ、グランドプレーンを引
き回された後、再び他のブラインドビアホールを介して
外部との接続用端子であるハンダボールへ接続される。
ップに接続されたインナーリードの内、グランドライン
は、ポリイミドに設けられたブラインドビアホールを介
して一旦テープの裏側に導かれ、グランドプレーンを引
き回された後、再び他のブラインドビアホールを介して
外部との接続用端子であるハンダボールへ接続される。
【０００９】このように各配線間の高誘電率化及び配線
間距離の増加を図り、電気ノイズを低減しようとする構
成におけるブラインドビアホール形成工程は、重要であ
る。
間距離の増加を図り、電気ノイズを低減しようとする構
成におけるブラインドビアホール形成工程は、重要であ
る。
【００１０】図２に従来の２層ＴＡＢテープの構造を断
面して示し、ブラインドビアホール及びその形成工程
を、接着剤を使用しない２層ＴＡＢテープを例に挙げて
図３を参照して説明する。
面して示し、ブラインドビアホール及びその形成工程
を、接着剤を使用しない２層ＴＡＢテープを例に挙げて
図３を参照して説明する。
【００１１】図２に示すように、２層ＴＡＢテープにお
いて、ブラインドビアホール４は、有機絶縁材料、例え
ばポリイミド２を介してその両面の銅箔１、１を銅メッ
キ層３によって電気的に接続する役目を果たしている。
いて、ブラインドビアホール４は、有機絶縁材料、例え
ばポリイミド２を介してその両面の銅箔１、１を銅メッ
キ層３によって電気的に接続する役目を果たしている。
【００１２】ブラインドビアホール４の形成工程は、図
３（Ａ）に示すように、ポリイミド２の一方の表面の銅
箔１の面にエッチング液、例えば塩化第２鉄溶液を用い
て所定の大きさ及び位置に真円形状のパターン９を形成
する。
３（Ａ）に示すように、ポリイミド２の一方の表面の銅
箔１の面にエッチング液、例えば塩化第２鉄溶液を用い
て所定の大きさ及び位置に真円形状のパターン９を形成
する。
【００１３】次に、図３（Ｂ）に示すように、パターン
９に対応する部分のポリイミド２を除去し、ブラインド
ビアホール４を形成する。ポリイミド２の除去には、炭
酸ガスレーザ或いはエキシマレーザによる除去、化学的
エッチングによる除去などが用いられる。
９に対応する部分のポリイミド２を除去し、ブラインド
ビアホール４を形成する。ポリイミド２の除去には、炭
酸ガスレーザ或いはエキシマレーザによる除去、化学的
エッチングによる除去などが用いられる。
【００１４】炭酸ガスレーザを用いた場合には、ホール
底部に残存するポリイミド膜を過マンガン酸等の酸化剤
の溶液にて溶解除去する。
底部に残存するポリイミド膜を過マンガン酸等の酸化剤
の溶液にて溶解除去する。
【００１５】エキシマレーザを用いた場合には、カーボ
ンが残存、或いは付着しているので、これも同様に除去
する、いわゆるデスミア工程を経る必要がある。
ンが残存、或いは付着しているので、これも同様に除去
する、いわゆるデスミア工程を経る必要がある。
【００１６】ブラインドビアホール４の形成後は、図３
（Ｃ）に示すように、一方の銅箔１上及びブラインドビ
アホール４の全面に導電化処理を施し、導電化被膜５を
形成する。
（Ｃ）に示すように、一方の銅箔１上及びブラインドビ
アホール４の全面に導電化処理を施し、導電化被膜５を
形成する。
【００１７】導電化処理には、カーボンを用いる処理、
錫−パラジウムコロイドを用いる処理、或いは導電性ポ
リマを用いる処理がある。
錫−パラジウムコロイドを用いる処理、或いは導電性ポ
リマを用いる処理がある。
【００１８】次いで、図３（Ｄ）に示すように、硫酸銅
めっき浴などの銅めっき浴に浸漬し、電流密度２〜５Ａ
／dm2 程度の電流を通電し、銅めっき層３をビアホール
全面に析出させる。
めっき浴などの銅めっき浴に浸漬し、電流密度２〜５Ａ
／dm2 程度の電流を通電し、銅めっき層３をビアホール
全面に析出させる。
【００１９】上述した従来のブラインドビアホール４の
形成工程において、通常ポリイミドとの密着性を向上さ
せること等を目的として、ポリイミドと接する銅箔裏面
には、粗化処理及びその上にニッケルやモリブデンによ
る裏面処理皮膜処理が施される。
形成工程において、通常ポリイミドとの密着性を向上さ
せること等を目的として、ポリイミドと接する銅箔裏面
には、粗化処理及びその上にニッケルやモリブデンによ
る裏面処理皮膜処理が施される。
【００２０】粗化処理部分は、図４に部分的に抽出して
拡大して示したように数μｍの凹凸部６があり、凹部分
に微量なポリイミドやカーボン７が堆積することがあ
る。
拡大して示したように数μｍの凹凸部６があり、凹部分
に微量なポリイミドやカーボン７が堆積することがあ
る。
【００２１】凹部分に微量なポリイミドやカーボン７が
残存していると、銅めっきとの密着性を確保できず、界
面剥離や、導通抵抗の低下の原因となってしまう。
残存していると、銅めっきとの密着性を確保できず、界
面剥離や、導通抵抗の低下の原因となってしまう。
【００２２】この凹部分に残存するポリイミドやカーボ
ン７を完全に取り除こうとするとデスミア工程での処理
時間を長く、或いは液温度を高くすることが必要であ
る。
ン７を完全に取り除こうとするとデスミア工程での処理
時間を長く、或いは液温度を高くすることが必要であ
る。
【００２３】しかしながら、デスミア工程に長い時間を
取ったり、酸化剤の溶液の液温度を高くしたりするとブ
ラインドビアホール壁面のポリイミド２を余分に溶解
し、極端には図５に示すようにエッチバックされた形状
８を呈する場合がある。
取ったり、酸化剤の溶液の液温度を高くしたりするとブ
ラインドビアホール壁面のポリイミド２を余分に溶解
し、極端には図５に示すようにエッチバックされた形状
８を呈する場合がある。
【００２４】裏面処理被膜についても同様であり、この
被膜を完全に除去しないと銅メッキ膜との密着不良によ
る界面剥離が発生しやすい。
被膜を完全に除去しないと銅メッキ膜との密着不良によ
る界面剥離が発生しやすい。
【００２５】しかしながら、裏面処理被膜を完全に除去
されたか否かの確認するために、従来、ＳＥＭ(Scannin
g Electron Microscopy)観察やオージェ（Auger)分析が
行われていたが、１パターンに数百個存在するブライン
ドビアホールの全てを観察することは時間的にも、価格
的にも非現実的であり、ＴＡＢテープに高い信頼性をも
ってブラインドビアホールを形成することができる方法
の実現が望まれていた。
されたか否かの確認するために、従来、ＳＥＭ(Scannin
g Electron Microscopy)観察やオージェ（Auger)分析が
行われていたが、１パターンに数百個存在するブライン
ドビアホールの全てを観察することは時間的にも、価格
的にも非現実的であり、ＴＡＢテープに高い信頼性をも
ってブラインドビアホールを形成することができる方法
の実現が望まれていた。
【００２６】このため発明者は、さきにデスミア工程と
銅箔面エッチング工程とを組み合わせ信頼性の高いブラ
インドビアホールを得るよう改良したＴＡＢテープにブ
ラインドビアホールを形成する方法及びその方法を用い
て形成されたＴＡＢテープを出願した（特願平８−２５
１５４８号）。
銅箔面エッチング工程とを組み合わせ信頼性の高いブラ
インドビアホールを得るよう改良したＴＡＢテープにブ
ラインドビアホールを形成する方法及びその方法を用い
て形成されたＴＡＢテープを出願した（特願平８−２５
１５４８号）。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、応用分
野の拡大に伴い、より信頼性の高いブラインドビアホー
ルが得られるよう望まれるようになった。
野の拡大に伴い、より信頼性の高いブラインドビアホー
ルが得られるよう望まれるようになった。
【００２８】この発明は、上記事情に鑑み、特別な手法
を用いてブラインドビアホールの底部を観察したり、分
析したりすることなく、より信頼性の高いブラインドビ
アホールが得られるよう改良したＴＡＢテープにブライ
ンドビアホールを形成する方法及びその方法を用いて形
成されたＴＡＢテープを提供することを目的とする。
を用いてブラインドビアホールの底部を観察したり、分
析したりすることなく、より信頼性の高いブラインドビ
アホールが得られるよう改良したＴＡＢテープにブライ
ンドビアホールを形成する方法及びその方法を用いて形
成されたＴＡＢテープを提供することを目的とする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明のＴＡＢテープに
ブラインドビアホールを形成する方法は、２層ＣＣＬ
（Copper Clad Laminate）テープを構成する、銅箔／有
機絶縁材／銅箔構成の一方の銅箔に、フォトレジストコ
ーティング後、ブラインドビアホールパターンを形成す
る工程と、レーザの走査により前記有機絶縁材を除去
し、前記ブラインドビアホールパターンに対応して、ブ
ラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインド
ビアホールの底部に堆積する有機絶縁材を除去する工程
と、前記有機絶縁材を除去後に前記ブラインドビアホー
ルの底部に露出した他方の銅箔面をエッチング除去する
工程と、更に前記ブラインドビアホールの底部に堆積す
る有機絶縁材の残量が無くなるまで、前記有機絶縁材を
除去する工程と前記ブラインドビアホールの底部に露出
した他方の銅箔面をエッチング除去する工程とを繰り返
す工程と、より構成される。
ブラインドビアホールを形成する方法は、２層ＣＣＬ
（Copper Clad Laminate）テープを構成する、銅箔／有
機絶縁材／銅箔構成の一方の銅箔に、フォトレジストコ
ーティング後、ブラインドビアホールパターンを形成す
る工程と、レーザの走査により前記有機絶縁材を除去
し、前記ブラインドビアホールパターンに対応して、ブ
ラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインド
ビアホールの底部に堆積する有機絶縁材を除去する工程
と、前記有機絶縁材を除去後に前記ブラインドビアホー
ルの底部に露出した他方の銅箔面をエッチング除去する
工程と、更に前記ブラインドビアホールの底部に堆積す
る有機絶縁材の残量が無くなるまで、前記有機絶縁材を
除去する工程と前記ブラインドビアホールの底部に露出
した他方の銅箔面をエッチング除去する工程とを繰り返
す工程と、より構成される。
【００３０】又、この発明のＴＡＢテープは、上述した
製造工程によって形成されたブラインドビアホールを有
するテープである。
製造工程によって形成されたブラインドビアホールを有
するテープである。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、この発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００３２】図１（Ａ）は、２層ＣＣＬ（Copper Clad
Laminate）テープとして新日鐵化学製テープを示し、材
料構成は、厚さ１８μｍの日本電解製ＳＬＰ箔である銅
箔１／厚さ５０μｍのポリイミド２／厚さ１８μｍの日
本電解製ＳＬＰ箔である銅箔１の構成である。
Laminate）テープとして新日鐵化学製テープを示し、材
料構成は、厚さ１８μｍの日本電解製ＳＬＰ箔である銅
箔１／厚さ５０μｍのポリイミド２／厚さ１８μｍの日
本電解製ＳＬＰ箔である銅箔１の構成である。
【００３３】ポリイミド２の一方の表面の銅箔１にフォ
トレジストコーティング、露光、現像、及び塩化第２鉄
溶液を用いて直径８０μｍの真円形状のパターン９を５
００個、形成した（以下１ピースと呼ぶ）。
トレジストコーティング、露光、現像、及び塩化第２鉄
溶液を用いて直径８０μｍの真円形状のパターン９を５
００個、形成した（以下１ピースと呼ぶ）。
【００３４】次に、炭酸ガスレーザをパターン９上に走
査させ、図１（Ｂ）に示すように、パターン９に対応す
る部分のポリイミド２を除去し、ブラインドビアホール
４を形成する。
査させ、図１（Ｂ）に示すように、パターン９に対応す
る部分のポリイミド２を除去し、ブラインドビアホール
４を形成する。
【００３５】次に、図１（Ｃ）に示すように、過マンガ
ン酸カリウムと水酸化ナトリウムを３対２の割合で蒸留
水中に溶解させ、約５０℃に加熱する。この混合液中に
前記テープを浸漬させ、ブラインドビアホール４の底部
に堆積しているポリイミド膜を除去する、いわゆるデス
ミア工程を行った。
ン酸カリウムと水酸化ナトリウムを３対２の割合で蒸留
水中に溶解させ、約５０℃に加熱する。この混合液中に
前記テープを浸漬させ、ブラインドビアホール４の底部
に堆積しているポリイミド膜を除去する、いわゆるデス
ミア工程を行った。
【００３６】次いで、このテープを過硫酸アンモニウム
溶液に浸漬させ、ブラインドビアホール４の底部の銅を
約３μｍのエッチング処理する。このエッチング処理に
際して、ポリイミド２と接する銅箔面に施される粗化処
理部分の凹凸に微量なポリイミドが残っていると、この
微量なポリイミドが、ブラインドビアホール４の底部の
表面に現れる。
溶液に浸漬させ、ブラインドビアホール４の底部の銅を
約３μｍのエッチング処理する。このエッチング処理に
際して、ポリイミド２と接する銅箔面に施される粗化処
理部分の凹凸に微量なポリイミドが残っていると、この
微量なポリイミドが、ブラインドビアホール４の底部の
表面に現れる。
【００３７】そこで再び、先の条件と同様にして、デス
ミア工程を行い残存している微量なポリイミドを除去で
きる。
ミア工程を行い残存している微量なポリイミドを除去で
きる。
【００３８】このようなデスミア工程とエッチング処理
とを複数回繰り返すことにより、ブラインドビアホール
４の底部に残存するポリイミドを完全に除去できた。
又、ニッケルやモリブデンによる裏面処理被膜までも完
全に除去できた。
とを複数回繰り返すことにより、ブラインドビアホール
４の底部に残存するポリイミドを完全に除去できた。
又、ニッケルやモリブデンによる裏面処理被膜までも完
全に除去できた。
【００３９】上述した工程を経てパターン数に対応する
５０ピース作製した。
５０ピース作製した。
【００４０】一方、上述したと同様なテープに対してデ
スミア工程を経ない、パターン数に対応する５０ピース
も作製した。
スミア工程を経ない、パターン数に対応する５０ピース
も作製した。
【００４１】これら各ピースに対し図１（Ｄ）に示すよ
うに、錫−パラジウム系の導電化処理を施し導電化被膜
５を形成する。
うに、錫−パラジウム系の導電化処理を施し導電化被膜
５を形成する。
【００４２】次いで、図１（Ｅ）に示すように、硫酸銅
めっき浴中にて温度約２５℃、電流密度約２Ａ／dm2 の
条件で約５０分間銅めっきを行い、銅めっき層３を形成
した。
めっき浴中にて温度約２５℃、電流密度約２Ａ／dm2 の
条件で約５０分間銅めっきを行い、銅めっき層３を形成
した。
【００４３】上述したような製造工程を経て得られた本
発明の各ピースと、本発明の製造工程を経ていない各ピ
ースとの信頼性の比較をするため、はんだ耐熱試験、高
温放置試験、温度サイクル試験を行い、外観観察、ビア
ホール部分の断面観察を行った。尚、外観観察は、全て
のビアホールについて行い、断面観察は、各ピースにつ
いて１００個抽出して行った。以下にその条件及びその
信頼性の評価結果を示す。
発明の各ピースと、本発明の製造工程を経ていない各ピ
ースとの信頼性の比較をするため、はんだ耐熱試験、高
温放置試験、温度サイクル試験を行い、外観観察、ビア
ホール部分の断面観察を行った。尚、外観観察は、全て
のビアホールについて行い、断面観察は、各ピースにつ
いて１００個抽出して行った。以下にその条件及びその
信頼性の評価結果を示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１における数値は分母の数値は、評価し
たビアホール数を示し、分子の数値は不具合のあったビ
アホール数を示す。
たビアホール数を示し、分子の数値は不具合のあったビ
アホール数を示す。
【００４６】表１から明らかなように、本発明を適用し
たピースについては、膨れ、銅箔と銅めっき間の界面剥
離という不具合は認められなかったが、本発明を適用し
なかったピースについては、膨れ、銅箔と銅めっき間の
界面剥離という不具合が認められた。
たピースについては、膨れ、銅箔と銅めっき間の界面剥
離という不具合は認められなかったが、本発明を適用し
なかったピースについては、膨れ、銅箔と銅めっき間の
界面剥離という不具合が認められた。
【００４７】上述した実施の形態はＴＡＢテープにブラ
インドビアホールを形成する例について説明したが、Ｔ
ＡＢテープに限らずその他のテープ、フィルム、フレキ
シブル基板などに必要に応じてブラインドビアホールを
形成する場合に、同様に適応できる。
インドビアホールを形成する例について説明したが、Ｔ
ＡＢテープに限らずその他のテープ、フィルム、フレキ
シブル基板などに必要に応じてブラインドビアホールを
形成する場合に、同様に適応できる。
【００４８】又、本発明の製造方法によって形成された
ブラインドビアホールを有するＴＡＢテープに限らず当
該ブラインドビアホールを有するその他のテープ、フィ
ルム、フレキシブル基板などにも権利が及ぶことは言う
までもない。
ブラインドビアホールを有するＴＡＢテープに限らず当
該ブラインドビアホールを有するその他のテープ、フィ
ルム、フレキシブル基板などにも権利が及ぶことは言う
までもない。
【００４９】上述した図１に示す製造工程を経て得られ
たブラインドビアホールの底部には堆積ポリイミドや堆
積カーボンはなく、銅めっき膜を形成する際の接着は、
良好であり、界面剥離や、導通抵抗の低下は生じない。
たブラインドビアホールの底部には堆積ポリイミドや堆
積カーボンはなく、銅めっき膜を形成する際の接着は、
良好であり、界面剥離や、導通抵抗の低下は生じない。
【００５０】従って、このようにして形成されたブライ
ンドビアホールを介してポリイミドの表面及び裏面に配
された各ライン間は、高誘電率化及び配線間距離の増加
を図ることができ、電気ノイズを低減しようとする要望
に応えることができる。
ンドビアホールを介してポリイミドの表面及び裏面に配
された各ライン間は、高誘電率化及び配線間距離の増加
を図ることができ、電気ノイズを低減しようとする要望
に応えることができる。
【００５１】
【発明の効果】本発明のＴＡＢテープにブラインドビア
ホールを形成する方法は、デスミア工程とエッチング処
理とを複数回繰り返すことにより、ブラインドビアホー
ル４の底部に残存するポリイミドを完全に除去できた。
従って、銅めっき膜を形成する際の接着は、良好であ
り、界面剥離や、導通抵抗の低下は生じない。従って、
製品の歩留まりも改善された。
ホールを形成する方法は、デスミア工程とエッチング処
理とを複数回繰り返すことにより、ブラインドビアホー
ル４の底部に残存するポリイミドを完全に除去できた。
従って、銅めっき膜を形成する際の接着は、良好であ
り、界面剥離や、導通抵抗の低下は生じない。従って、
製品の歩留まりも改善された。
【００５２】このようにして形成されたブラインドビア
ホールを介してポリイミドの表面及び裏面に配された各
ライン間は、高誘電率化及び配線間距離の増加を図るこ
とができ、電気ノイズを低減しようとする要望に応える
ことができるので、本発明の方法で形成されたブライン
ドビアホールを有するＴＡＢテープは、電気的特性に難
はない。
ホールを介してポリイミドの表面及び裏面に配された各
ライン間は、高誘電率化及び配線間距離の増加を図るこ
とができ、電気ノイズを低減しようとする要望に応える
ことができるので、本発明の方法で形成されたブライン
ドビアホールを有するＴＡＢテープは、電気的特性に難
はない。
【図１】本発明の一実施の形態を示すＴＡＢテープにブ
ラインドビアホールを形成する製造工程を示す図。
ラインドビアホールを形成する製造工程を示す図。
【図２】従来の２層ＴＡＢテープの構造を示す断面図。
【図３】従来の２層ＴＡＢテープのブラインドビアホー
ル及びその形成工程を示す図。
ル及びその形成工程を示す図。
【図４】従来の２層ＴＡＢテープのブラインドビアホー
ルの製造工程において、粗化処理によって、銅箔面に凹
凸部が生じることを示す図。
ルの製造工程において、粗化処理によって、銅箔面に凹
凸部が生じることを示す図。
【図５】従来の２層ＴＡＢテープのブラインドビアホー
ルの製造工程において、ブラインドビアホール壁面にエ
ッチバックされた形状を呈する場合があることを示す
図。
ルの製造工程において、ブラインドビアホール壁面にエ
ッチバックされた形状を呈する場合があることを示す
図。
１ 銅箔 ２ ポリイミド ３ 銅めっき層 ４ ブラインドビアホール ５ 導電化被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 軍一 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 多賀 勝俊 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】２層ＣＣＬ（Copper Clad Laminate）テー
プを構成する銅箔／有機絶縁材／銅箔構成の一方の銅箔
に、フォトレジストコーティング後、ブラインドビアホ
ールパターンを形成する工程と、レーザの走査により前
記有機絶縁材を除去し、前記ブラインドビアホールパタ
ーンに対応して、ブラインドビアホールを形成する工程
と、前記ブラインドビアホールの底部に堆積する有機絶
縁材を除去する工程と、前記有機絶縁材を除去後に前記
ブラインドビアホールの底部に露出した他方の銅箔面を
エッチング除去する工程と、更に前記ブラインドビアホ
ールの底部に堆積する有機絶縁材の残量が無くなるま
で、前記有機絶縁材を除去する工程と前記有機絶縁材を
除去後に前記ブラインドビアホールの底部に露出した他
方の銅箔面をエッチング除去する工程とを繰り返す工程
と、より成ることを特徴とするＴＡＢテープにブライン
ドビアホールを形成する方法。 - 【請求項２】前記有機絶縁材は、ポリイミドであり、前
記ブラインドビアホールの底部に堆積するポリイミドを
除去する工程は、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリ
ウム或いは、過マンガン酸ナトリウムと水酸化ナトリウ
ムの混合液中に前記テープを浸漬させて除去することを
特徴とする請求項１記載のＴＡＢテープにブラインドビ
アホールを形成する方法。 - 【請求項３】前記有機絶縁材を除去後に、更に前記ブラ
インドビアホールの底部に堆積する有機絶縁材の残量が
無くなるまで繰り返される前記ブラインドビアホールの
底部に露出した他方の銅箔面をエッチング除去する工程
は、過硫酸アンモニウム溶液、塩化第２鉄溶液、或いは
塩化第２銅溶液より成るエッチング液を用いることを特
徴とする請求項１または２に記載のＴＡＢテープにブラ
インドビアホールを形成する方法。 - 【請求項４】前記請求項１ないし３のいずれかに記載の
方法によって形成されたブラインドビアホールを有する
ＴＡＢテープ。 - 【請求項５】前記請求項１ないし４のいずれかに記載の
方法によって形成されたブラインドビアホールを有する
フィルム。 - 【請求項６】前記請求項１ないし５のいずれかに記載の
方法によって形成されたブラインドビアホールを有する
フレキシブル基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19105497A JP3275784B2 (ja) | 1996-09-24 | 1997-07-16 | Ｔａｂテープにブラインドビアホールを形成する方法、その方法によって形成されたｔａｂテープ、フィルム及びフレキシブル基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-251548 | 1996-09-24 | ||
| JP25154896 | 1996-09-24 | ||
| JP19105497A JP3275784B2 (ja) | 1996-09-24 | 1997-07-16 | Ｔａｂテープにブラインドビアホールを形成する方法、その方法によって形成されたｔａｂテープ、フィルム及びフレキシブル基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154730A true JPH10154730A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3275784B2 JP3275784B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=26506460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19105497A Expired - Fee Related JP3275784B2 (ja) | 1996-09-24 | 1997-07-16 | Ｔａｂテープにブラインドビアホールを形成する方法、その方法によって形成されたｔａｂテープ、フィルム及びフレキシブル基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3275784B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370314B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2003-01-30 | 주식회사 비아텍 | 빌드업 다층 인쇄회로판 제조방법 |
| WO2003092344A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Ube Industries, Ltd. | Production of via hole in flexible circuit printable board |
| CN103717014A (zh) * | 2012-10-08 | 2014-04-09 | 旭德科技股份有限公司 | 基板结构的制作方法 |
| CN110213910A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-09-06 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种5g高频混压阶梯电路板的制作方法 |
| WO2023151234A1 (zh) * | 2022-02-11 | 2023-08-17 | 清华大学 | 柔性电子器件的制备方法 |
-
1997
- 1997-07-16 JP JP19105497A patent/JP3275784B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370314B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2003-01-30 | 주식회사 비아텍 | 빌드업 다층 인쇄회로판 제조방법 |
| WO2003092344A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Ube Industries, Ltd. | Production of via hole in flexible circuit printable board |
| US7918021B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-04-05 | Ube Industries, Ltd. | Production of via hole in a flexible printed circuit board by applying a laser or punch |
| CN103717014A (zh) * | 2012-10-08 | 2014-04-09 | 旭德科技股份有限公司 | 基板结构的制作方法 |
| CN110213910A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-09-06 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种5g高频混压阶梯电路板的制作方法 |
| WO2023151234A1 (zh) * | 2022-02-11 | 2023-08-17 | 清华大学 | 柔性电子器件的制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3275784B2 (ja) | 2002-04-22 |
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