JPH11191579A - バンプ付きメンブレンリングの製造方法 - Google Patents
バンプ付きメンブレンリングの製造方法Info
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- JPH11191579A JPH11191579A JP36737497A JP36737497A JPH11191579A JP H11191579 A JPH11191579 A JP H11191579A JP 36737497 A JP36737497 A JP 36737497A JP 36737497 A JP36737497 A JP 36737497A JP H11191579 A JPH11191579 A JP H11191579A
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- bumps
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッドの寸法精度が高く、面内の寸法バラツ
キが少なく、パッドの機械的強度が大きいバンプ付きメ
ンブレンリングの製造方法を提供する。 【解決手段】 コンタクトボードにおけるコンタクト部
分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法に
おいて、銅箔２上にレジストを塗布し、パッドを形成す
る部分のレジストを露光、現像によって除去し、レジス
トパターン４を形成し（図２（ｄ））、バンプ３にメッ
キ用電極の一方を接続して電気メッキを行い、Ｃｕメッ
キ、Ａｕメッキを順次行い、Ａｕメッキ６されたパッド
５を形成する（図２（ｅ））。レジストを除去後、パッ
ド５の下部を除いた露出部分の銅箔２をエッチングによ
り除去する（図２（ｆ））。
キが少なく、パッドの機械的強度が大きいバンプ付きメ
ンブレンリングの製造方法を提供する。 【解決手段】 コンタクトボードにおけるコンタクト部
分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法に
おいて、銅箔２上にレジストを塗布し、パッドを形成す
る部分のレジストを露光、現像によって除去し、レジス
トパターン４を形成し（図２（ｄ））、バンプ３にメッ
キ用電極の一方を接続して電気メッキを行い、Ｃｕメッ
キ、Ａｕメッキを順次行い、Ａｕメッキ６されたパッド
５を形成する（図２（ｅ））。レジストを除去後、パッ
ド５の下部を除いた露出部分の銅箔２をエッチングによ
り除去する（図２（ｆ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンタクトボード
等におけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブ
レンリングの製造方法等に関する。
等におけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブ
レンリングの製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ディバイス等の素子の検査に使用
されるコンタクトボード等においては、被検査素子と直
接接触する部分としてコンタクト部分を受け持つバンプ
付きメンブレンが使用される。例えば、半導体チップの
電気的特性試験に用いられるプローブカードにおいて
は、半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成さ
れたパッドに対応して約６００〜１０００ピン程度のバ
ンプがメンブレン上に形成されている。また、ウエハ上
に多数形成された半導体ディバイスを一括して検査する
ために用いられるバーンインボード（コンタクトボー
ド）（特開平７−２３１０１９号公報）においては、プ
ローブカードのピン数にチップ数を乗じた数のバンプが
メンブレン上に形成されている。メンブレンは、通常、
ポリイミド等のフィルムをリングに展開した状態で接着
したもので、フィルムの一方の面にはバンプが他方の面
にはパッドが形成されている。メンブレン上のパッド
は、異方性導電ゴムシートを介して多層配線基盤のパッ
ドと接続される。
されるコンタクトボード等においては、被検査素子と直
接接触する部分としてコンタクト部分を受け持つバンプ
付きメンブレンが使用される。例えば、半導体チップの
電気的特性試験に用いられるプローブカードにおいて
は、半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成さ
れたパッドに対応して約６００〜１０００ピン程度のバ
ンプがメンブレン上に形成されている。また、ウエハ上
に多数形成された半導体ディバイスを一括して検査する
ために用いられるバーンインボード（コンタクトボー
ド）（特開平７−２３１０１９号公報）においては、プ
ローブカードのピン数にチップ数を乗じた数のバンプが
メンブレン上に形成されている。メンブレンは、通常、
ポリイミド等のフィルムをリングに展開した状態で接着
したもので、フィルムの一方の面にはバンプが他方の面
にはパッドが形成されている。メンブレン上のパッド
は、異方性導電ゴムシートを介して多層配線基盤のパッ
ドと接続される。
【０００３】バンプ付きメンブレンの製造方法を以下に
示す。図４はバンプ付きメンブレンの製造工程を示す断
面図である。まず、厚さ約１８μｍの銅箔２にポリイミ
ド前駆体を約２５μｍの厚みにキャスティングした後、
ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔
２とポリイミドフィルム１を貼り合わせた構造のフィル
ムを形成する（図４（ａ））。ポリイミドフィルム１の
所定位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μ
ｍφのバンプホール１ａを形成する（図４（ｂ））。次
いで、銅箔２の表面がメッキされないように保護した
後、銅箔２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気
メッキを行う。メッキはバンプホール１ａを埋めるよう
にして成長した後、ポリイミドフィルム１の表面に達す
ると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し硬質Ｎｉ合
金からなるバンプ３が形成される（図４（ｃ））。銅箔
２上にレジストを塗布し、露光、現像によりレジストパ
ターン４を形成する（図４（ｄ））。レジストパターン
４をマスクにして、銅箔２をエッチングして直径約１５
０μｍφのパッド５を形成する（図４（ｅ））。レジス
ト剥離後、コンタクト抵抗を安定させるため、パッド５
の表面に無電解メッキにより厚さ約５００オンク゛ストロームの
金メッキ６を行う（図４（ｆ））。
示す。図４はバンプ付きメンブレンの製造工程を示す断
面図である。まず、厚さ約１８μｍの銅箔２にポリイミ
ド前駆体を約２５μｍの厚みにキャスティングした後、
ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔
２とポリイミドフィルム１を貼り合わせた構造のフィル
ムを形成する（図４（ａ））。ポリイミドフィルム１の
所定位置に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μ
ｍφのバンプホール１ａを形成する（図４（ｂ））。次
いで、銅箔２の表面がメッキされないように保護した
後、銅箔２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気
メッキを行う。メッキはバンプホール１ａを埋めるよう
にして成長した後、ポリイミドフィルム１の表面に達す
ると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し硬質Ｎｉ合
金からなるバンプ３が形成される（図４（ｃ））。銅箔
２上にレジストを塗布し、露光、現像によりレジストパ
ターン４を形成する（図４（ｄ））。レジストパターン
４をマスクにして、銅箔２をエッチングして直径約１５
０μｍφのパッド５を形成する（図４（ｅ））。レジス
ト剥離後、コンタクト抵抗を安定させるため、パッド５
の表面に無電解メッキにより厚さ約５００オンク゛ストロームの
金メッキ６を行う（図４（ｆ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では、エッチングによってパッドを形成するため、サ
イドエッチングによってパッドの寸法精度が悪く、寸法
バラツキが大きいという問題がある。また、孤立パター
ンであるため、パッドの表面に無電解メッキにより金メ
ッキを行う以外に手段がなかった。無電解メッキによる
金メッキは、厚く形成することが困難で、付着力が弱
く、純金であるのでやわらかく、メッキに時間がかかる
という問題がある。
法では、エッチングによってパッドを形成するため、サ
イドエッチングによってパッドの寸法精度が悪く、寸法
バラツキが大きいという問題がある。また、孤立パター
ンであるため、パッドの表面に無電解メッキにより金メ
ッキを行う以外に手段がなかった。無電解メッキによる
金メッキは、厚く形成することが困難で、付着力が弱
く、純金であるのでやわらかく、メッキに時間がかかる
という問題がある。
【０００５】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、上述した問題を解消できるバンプ付きメンブレ
ンリングの製造方法等の提供を目的とする。
であり、上述した問題を解消できるバンプ付きメンブレ
ンリングの製造方法等の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下に示す構成としてある。
に本発明は、以下に示す構成としてある。
【０００７】（構成１）コンタクトボードにおけるコン
タクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製
造方法であって、フィルム又はシート上に導電性金属膜
を形成するか、あるいは、導電性金属箔上にコーティン
グ法によってフィルム又はシートを形成した後、前記フ
ィルム又はシートの所定位置にレーザーを用いてバンプ
ホールを形成し、導電性金属表面を保護した後、導電性
金属膜にメッキ用電極の一方を接続して電気メッキを行
いバンプを形成する工程と、導電性金属上にレジストを
塗布し、パッドを形成する部分のレジストを露光、現像
によって除去し、前記バンプにメッキ用電極の一方を接
続して電気メッキを行いパッドを形成する工程と、レジ
ストを除去後、パッドの下部以外の部分の導電性金属を
エッチングにより除去する工程とを有することを特徴と
するバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
タクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製
造方法であって、フィルム又はシート上に導電性金属膜
を形成するか、あるいは、導電性金属箔上にコーティン
グ法によってフィルム又はシートを形成した後、前記フ
ィルム又はシートの所定位置にレーザーを用いてバンプ
ホールを形成し、導電性金属表面を保護した後、導電性
金属膜にメッキ用電極の一方を接続して電気メッキを行
いバンプを形成する工程と、導電性金属上にレジストを
塗布し、パッドを形成する部分のレジストを露光、現像
によって除去し、前記バンプにメッキ用電極の一方を接
続して電気メッキを行いパッドを形成する工程と、レジ
ストを除去後、パッドの下部以外の部分の導電性金属を
エッチングにより除去する工程とを有することを特徴と
するバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【０００８】（構成２）パッドの表面に電気メッキによ
りメッキ層を形成する工程を有することを特徴とする構
成１記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
りメッキ層を形成する工程を有することを特徴とする構
成１記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
【０００９】（構成３）パッドの表面に形成するメッキ
層が、電気メッキによる金の厚メッキ、金コバルト合金
メッキ、ロジウムメッキ、パラジウムメッキ等であるこ
とを特徴とする構成１又は２記載のバンプ付きメンブレ
ンリングの製造方法。
層が、電気メッキによる金の厚メッキ、金コバルト合金
メッキ、ロジウムメッキ、パラジウムメッキ等であるこ
とを特徴とする構成１又は２記載のバンプ付きメンブレ
ンリングの製造方法。
【００１０】（構成４）構成１乃至３記載のバンプ付き
メンブレンリングと、多層配線基盤とを有することを特
徴とするコンタクトボード。
メンブレンリングと、多層配線基盤とを有することを特
徴とするコンタクトボード。
【００１１】（構成５）前記コンタクトボードが、ウエ
ハ上に多数形成された半導体ディバイスのバーンイン試
験を一括して行うために使用されるバーンインボードで
あることを特徴とする構成４記載のコンタクトボード。
ハ上に多数形成された半導体ディバイスのバーンイン試
験を一括して行うために使用されるバーンインボードで
あることを特徴とする構成４記載のコンタクトボード。
【００１２】
【作用】本発明のバンプ付きメンブレンの製造方法は、
パッドを形成する部分以外の部分にレジストパターンを
形成し、このレジストパターンの間に、電気メッキによ
りパッドを形成するので、パッドの寸法精度が高く、面
内の寸法バラツキが少ない。これは、パッドの寸法がレ
ジストパターンで規制されるためであり、レジストパタ
ーンはマスク寸法に忠実に高い寸法精度で形成できるか
らである。また、パターニング前であるので、パッドの
表面に電気メッキによる金の厚メッキや、金コバルト合
金メッキ、ロジウムメッキ等が可能になり、パッドの機
械的強度を増すことができる。
パッドを形成する部分以外の部分にレジストパターンを
形成し、このレジストパターンの間に、電気メッキによ
りパッドを形成するので、パッドの寸法精度が高く、面
内の寸法バラツキが少ない。これは、パッドの寸法がレ
ジストパターンで規制されるためであり、レジストパタ
ーンはマスク寸法に忠実に高い寸法精度で形成できるか
らである。また、パターニング前であるので、パッドの
表面に電気メッキによる金の厚メッキや、金コバルト合
金メッキ、ロジウムメッキ等が可能になり、パッドの機
械的強度を増すことができる。
【００１３】特に、ウエハ上に多数形成された半導体デ
ィバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用さ
れるバーンインボードにおいては、パッドの寸法精度や
位置精度（大型であるため）、パッドの機械的強度が要
求されるので、本発明によるバンプ付きメンブレンは、
バーンインボードに特に適する。
ィバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用さ
れるバーンインボードにおいては、パッドの寸法精度や
位置精度（大型であるため）、パッドの機械的強度が要
求されるので、本発明によるバンプ付きメンブレンは、
バーンインボードに特に適する。
【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明のバンプ付きメンブレンの製造方法
は、導電性金属膜上のパッドを形成する部分以外の部分
にレジストパターンを形成し、このレジストパターンの
間に、電気メッキによりパッドを形成することを特徴と
する。
は、導電性金属膜上のパッドを形成する部分以外の部分
にレジストパターンを形成し、このレジストパターンの
間に、電気メッキによりパッドを形成することを特徴と
する。
【００１６】ここで、導電性金属膜の材料、形成方法、
厚さ等は適宜選択できる。導電性が良く安価で形成が容
易であるという観点からは銅（Ｃｕ）が好ましい。形成
方法としては、スパッタ法や蒸着法などの成膜法や、無
電解メッキや電気メッキなどのメッキ法、銅箔を接着す
る方法などを利用できる。導電性金属膜の厚さは、レー
ザーによって穴のあかない程度の薄さ（１〜５μｍ程
度）があれば十分である。導電性金属膜は、電気メッキ
の電極となり、電気メッキ後はエッチングにより除去す
るので、それらに適した厚さとする。
厚さ等は適宜選択できる。導電性が良く安価で形成が容
易であるという観点からは銅（Ｃｕ）が好ましい。形成
方法としては、スパッタ法や蒸着法などの成膜法や、無
電解メッキや電気メッキなどのメッキ法、銅箔を接着す
る方法などを利用できる。導電性金属膜の厚さは、レー
ザーによって穴のあかない程度の薄さ（１〜５μｍ程
度）があれば十分である。導電性金属膜は、電気メッキ
の電極となり、電気メッキ後はエッチングにより除去す
るので、それらに適した厚さとする。
【００１７】パッドは電気メッキ法で形成する。パッド
の形成材料は特に制限されないが、導電性が良く安価で
形成が容易であるという観点からは銅（Ｃｕ）が好まし
い。パッドの厚さは、強度及びコンタクト性の観点か
ら、２０μｍ程度以上が好ましい。
の形成材料は特に制限されないが、導電性が良く安価で
形成が容易であるという観点からは銅（Ｃｕ）が好まし
い。パッドの厚さは、強度及びコンタクト性の観点か
ら、２０μｍ程度以上が好ましい。
【００１８】パッドの表面には、電気メッキによる金の
厚メッキ、金コバルト合金メッキ、ロジウムメッキ、パ
ラジウムメッキ等を施すことがパッドの機械的強度の面
で好ましい。
厚メッキ、金コバルト合金メッキ、ロジウムメッキ、パ
ラジウムメッキ等を施すことがパッドの機械的強度の面
で好ましい。
【００１９】本発明では、フィルム又はシートの材料、
形成方法、厚さ等は適宜選択できる。例えば、厚さ２５
μｍ（１２〜５０μｍ）程度のポリイミドフィルムや、
厚さ０．３ｍｍ（０．１〜０．５ｍｍ）程度のシリコン
ゴムシートを使用できる。形成方法もコーティング法で
形成したり、市販のフィルム又はシートを利用したりで
きる。
形成方法、厚さ等は適宜選択できる。例えば、厚さ２５
μｍ（１２〜５０μｍ）程度のポリイミドフィルムや、
厚さ０．３ｍｍ（０．１〜０．５ｍｍ）程度のシリコン
ゴムシートを使用できる。形成方法もコーティング法で
形成したり、市販のフィルム又はシートを利用したりで
きる。
【００２０】バンプは電気メッキ法で形成する。バンプ
の形成材料は特に制限されないが、導電性が良く安価で
形成が容易であるという観点からはニッケル（Ｎｉ）が
好ましい。バンプ表面には、Ａｕメッキ、ロジウムメッ
キ、パラジウムメッキ等を施すことがコンタクト抵抗を
安定させるために好ましい。
の形成材料は特に制限されないが、導電性が良く安価で
形成が容易であるという観点からはニッケル（Ｎｉ）が
好ましい。バンプ表面には、Ａｕメッキ、ロジウムメッ
キ、パラジウムメッキ等を施すことがコンタクト抵抗を
安定させるために好ましい。
【００２１】本発明のバンプ付きメンブレンリングの用
途は特に制限されないが、バーンインボード以外に、例
えば、プローブカードや、その他の配線基盤におけるコ
ンタクト部分として使用できる。
途は特に制限されないが、バーンインボード以外に、例
えば、プローブカードや、その他の配線基盤におけるコ
ンタクト部分として使用できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２３】実施例１ メンブレンリングの作製 まず、図１（ａ）に示すように、平坦度の高いアルミニ
ウム板１３上に厚さ５ｍｍの均一の厚さのシリコンゴム
シート１４を置く。また、例えば、厚さ約１８μｍの銅
箔にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚みにキャスティ
ングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化
させて、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合わせた構造
のフィルム７を形成する。次いで、上記シリコンゴムシ
ート１４上に、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合わせ
た構造のフィルム７を銅箔側を下にして均一に展開した
状態で吸着させる。この際、シリコンゴムシート１４に
フィルム７が吸着する性質を利用し、皺や撓みが生じな
いように、空気層を追い出しつつ吸着させることで、均
一に展開した状態で吸着させる。
ウム板１３上に厚さ５ｍｍの均一の厚さのシリコンゴム
シート１４を置く。また、例えば、厚さ約１８μｍの銅
箔にポリイミド前駆体を約２５μｍの厚みにキャスティ
ングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化
させて、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合わせた構造
のフィルム７を形成する。次いで、上記シリコンゴムシ
ート１４上に、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合わせ
た構造のフィルム７を銅箔側を下にして均一に展開した
状態で吸着させる。この際、シリコンゴムシート１４に
フィルム７が吸着する性質を利用し、皺や撓みが生じな
いように、空気層を追い出しつつ吸着させることで、均
一に展開した状態で吸着させる。
【００２４】次に、直径約８インチ、厚さ約２ｍｍの円
形のＳｉＣリング１１の接着面に熱硬化性接着剤１２を
薄く均一に（５０〜１００μｍ）塗布し、フィルム７上
に置く。ここで、熱硬化性接着剤１２としては、バーン
イン試験の設定温度（８０〜１５０℃）よりも０〜３０
℃高い温度で硬化するものを使用する。本実施例では、
ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化剤＝４：
１）（コニシ（株）社製）を使用した。さらに、平坦性
の高いアルミニウム板（重さ約２．５ｋｇ）を重石とし
てリング１１上に載せる（図示せず）。
形のＳｉＣリング１１の接着面に熱硬化性接着剤１２を
薄く均一に（５０〜１００μｍ）塗布し、フィルム７上
に置く。ここで、熱硬化性接着剤１２としては、バーン
イン試験の設定温度（８０〜１５０℃）よりも０〜３０
℃高い温度で硬化するものを使用する。本実施例では、
ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化剤＝４：
１）（コニシ（株）社製）を使用した。さらに、平坦性
の高いアルミニウム板（重さ約２．５ｋｇ）を重石とし
てリング１１上に載せる（図示せず）。
【００２５】上記準備工程を終えたものをバーンイン試
験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度（２００
℃、２．５時間）で加熱して前記フィルム７と前記リン
グ１１を接着する（図１（ｂ））。この際、シリコンゴ
ムシート１４の熱膨張率はフィルム７の熱膨張率よりも
大きいので、シリコンゴムシート１４に吸着したフイル
ム７はシリコンゴムシート１４と同じだけ熱膨張する。
すなわち、フイルム７を単にバーンイン試験の設定温度
（８０〜１５０℃）以上の温度で加熱した場合に比べ、
より熱膨張する。このテンションの大きい状態で、熱硬
化性接着剤１２が硬化し、フィルム７とリング１１が接
着される。また、シリコンゴムシート１４上のフィルム
７は、皺や撓み、弛みなく均一に展開した状態で吸着さ
れているので、フィルム７に皺や撓み、弛みなく、リン
グ１１にフィルム７を接着することができる。さらに、
シリコンゴムシート１４は平坦性が高く、弾力性を有す
るので、リング１１の接着面に、均一にむらなくフイル
ム７を接着ができる。なお、熱硬化性接着剤を使用しな
い場合、フィルムが収縮し、張力が弱まる他に、接着剤
の硬化時期が場所によってばらつくため、リングの接着
面に均一にむらなく接着ができない。
験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度（２００
℃、２．５時間）で加熱して前記フィルム７と前記リン
グ１１を接着する（図１（ｂ））。この際、シリコンゴ
ムシート１４の熱膨張率はフィルム７の熱膨張率よりも
大きいので、シリコンゴムシート１４に吸着したフイル
ム７はシリコンゴムシート１４と同じだけ熱膨張する。
すなわち、フイルム７を単にバーンイン試験の設定温度
（８０〜１５０℃）以上の温度で加熱した場合に比べ、
より熱膨張する。このテンションの大きい状態で、熱硬
化性接着剤１２が硬化し、フィルム７とリング１１が接
着される。また、シリコンゴムシート１４上のフィルム
７は、皺や撓み、弛みなく均一に展開した状態で吸着さ
れているので、フィルム７に皺や撓み、弛みなく、リン
グ１１にフィルム７を接着することができる。さらに、
シリコンゴムシート１４は平坦性が高く、弾力性を有す
るので、リング１１の接着面に、均一にむらなくフイル
ム７を接着ができる。なお、熱硬化性接着剤を使用しな
い場合、フィルムが収縮し、張力が弱まる他に、接着剤
の硬化時期が場所によってばらつくため、リングの接着
面に均一にむらなく接着ができない。
【００２６】上記加熱接着工程を終えたものを常温まで
冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。カッターでリン
グ１１の外周に沿ってリング１１の外側のフィルム７を
切断除去する（図１（ｃ））。
冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。カッターでリン
グ１１の外周に沿ってリング１１の外側のフィルム７を
切断除去する（図１（ｃ））。
【００２７】バンプ形成工程 図２に示すように、ポリイミドフィルム１の所定位置
に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍφのバ
ンプホール１ａを形成する（図２（ａ）、（ｂ））。次
いで、銅箔２の表面がメッキされないように保護した
後、銅箔２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気
メッキを行う。メッキはバンプホール１ａを埋めるよう
にして成長した後、ポリイミドフィルム１の表面に達す
ると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し硬質Ｎｉ合
金からなるバンプ３が形成される（図２（ｃ））。この
場合、バンプ３の高さが約２０〜３０μｍになるまでメ
ッキを行う。コンタクト抵抗を安定させるため、バンプ
３の表面にＡｕからなる電気メッキ層（厚さ１〜２μ
ｍ）を形成する（図示せず）。銅箔２上にレジストを塗
布し、パッドを形成する部分のレジストを露光、現像に
よって除去し、レジストパターン４を形成する（図２
（ｄ））。バンプ３にメッキ用電極の一方を接続して電
気メッキを行い、Ｃｕメッキ（厚さ２０μｍ）、Ａｕメ
ッキ（厚さ２μｍ）を順次行い、Ａｕメッキ６されたパ
ッド５を形成する（図２（ｅ））。レジストを除去後、
パッド５の下部を除いた露出部分の銅箔２をエッチング
により除去する（図２（ｆ））。なお、銅箔２は薄いの
で、速やかにエッチング除去され、パッド等がエッチン
グにより浸食されることはない。以上の工程を経て、バ
ンプ付きメンブレンリングが製造される。
に、エキシマレーザーを用いて、直径約３０μｍφのバ
ンプホール１ａを形成する（図２（ａ）、（ｂ））。次
いで、銅箔２の表面がメッキされないように保護した
後、銅箔２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気
メッキを行う。メッキはバンプホール１ａを埋めるよう
にして成長した後、ポリイミドフィルム１の表面に達す
ると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し硬質Ｎｉ合
金からなるバンプ３が形成される（図２（ｃ））。この
場合、バンプ３の高さが約２０〜３０μｍになるまでメ
ッキを行う。コンタクト抵抗を安定させるため、バンプ
３の表面にＡｕからなる電気メッキ層（厚さ１〜２μ
ｍ）を形成する（図示せず）。銅箔２上にレジストを塗
布し、パッドを形成する部分のレジストを露光、現像に
よって除去し、レジストパターン４を形成する（図２
（ｄ））。バンプ３にメッキ用電極の一方を接続して電
気メッキを行い、Ｃｕメッキ（厚さ２０μｍ）、Ａｕメ
ッキ（厚さ２μｍ）を順次行い、Ａｕメッキ６されたパ
ッド５を形成する（図２（ｅ））。レジストを除去後、
パッド５の下部を除いた露出部分の銅箔２をエッチング
により除去する（図２（ｆ））。なお、銅箔２は薄いの
で、速やかにエッチング除去され、パッド等がエッチン
グにより浸食されることはない。以上の工程を経て、バ
ンプ付きメンブレンリングが製造される。
【００２８】ガラス多層配線基盤の作製 ガラス多層配線基盤は、低膨張無アルカリガラス（例え
ば、ＮＡ４０：ＨＯＹＡ社製）等の基板上に、Ｃｒ（約
２００オンク゛ストローム）／Ｃｕ（約２．５μｍ）／Ｎｉ（約
０．２μｍ）層をスパッタ法で順次形成しこれを周知の
リソグラフィー法でパターンニングして１層目の配線層
を形成し、その上に、ポリイミド樹脂をコートしこれを
周知のリソグラフィー法でパターンニングし１層目の絶
縁層を形成する。これを繰り返し配線層及び絶縁層を積
層して、４層構造の多層配線基盤を作製した。なお、最
上層のＣｕ層は機械的強度を考慮し１０μｍ以上の厚さ
とした。
ば、ＮＡ４０：ＨＯＹＡ社製）等の基板上に、Ｃｒ（約
２００オンク゛ストローム）／Ｃｕ（約２．５μｍ）／Ｎｉ（約
０．２μｍ）層をスパッタ法で順次形成しこれを周知の
リソグラフィー法でパターンニングして１層目の配線層
を形成し、その上に、ポリイミド樹脂をコートしこれを
周知のリソグラフィー法でパターンニングし１層目の絶
縁層を形成する。これを繰り返し配線層及び絶縁層を積
層して、４層構造の多層配線基盤を作製した。なお、最
上層のＣｕ層は機械的強度を考慮し１０μｍ以上の厚さ
とした。
【００２９】バーンイン試験 バーンイン試験は、図３に示すように、バキュームチャ
ック（図示せず）上に載せたＳｉウエハ３０上に、バン
プを有するフィルムをリングで固定した構造のメンブレ
ンリング１０、異方性導電ゴムシート４０、ガラス多層
配線基盤２０の順に載せ、全体を吸着固定してウエハ３
０上の各ディバイスをガラス多層基盤２０にプリントボ
ードを介して接続したテスターにて評価していく。その
結果、メンブレンリングにおけるパッドの寸法精度が高
く、面内の寸法バラツキが少なく、パッドの機械的強度
が大きいので、精度面、機械的強度面で優れており、十
分に実用性があることが確認された。
ック（図示せず）上に載せたＳｉウエハ３０上に、バン
プを有するフィルムをリングで固定した構造のメンブレ
ンリング１０、異方性導電ゴムシート４０、ガラス多層
配線基盤２０の順に載せ、全体を吸着固定してウエハ３
０上の各ディバイスをガラス多層基盤２０にプリントボ
ードを介して接続したテスターにて評価していく。その
結果、メンブレンリングにおけるパッドの寸法精度が高
く、面内の寸法バラツキが少なく、パッドの機械的強度
が大きいので、精度面、機械的強度面で優れており、十
分に実用性があることが確認された。
【００３０】実施例２〜３ Ａｕメッキ６の代わりにパッド５表面に電気メッキによ
る金コバルト合金メッキ（厚さ２μｍ）（実施例２）、
又はロジウムメッキ（厚さ１μｍ）（実施例３）を施し
たこと以外は実施例１と同様にして実施した。その結
果、実施例１と同様のことが確認された。
る金コバルト合金メッキ（厚さ２μｍ）（実施例２）、
又はロジウムメッキ（厚さ１μｍ）（実施例３）を施し
たこと以外は実施例１と同様にして実施した。その結
果、実施例１と同様のことが確認された。
【００３１】本発明は、上記実施例に限定されず、本発
明の範囲内で適宜変形実施できる。
明の範囲内で適宜変形実施できる。
【００３２】例えば、バンプホール形成工程やバンプ成
長工程及びそのメッキ工程は、パッドの形成工程やその
メッキ工程の後に行っても良い。
長工程及びそのメッキ工程は、パッドの形成工程やその
メッキ工程の後に行っても良い。
【００３３】また、ＳｉＣリングの代わりに、ＳｉＮ
や、その他のＳｉに近い熱膨張率を有し強度の高いセラ
ミクス、低膨張ガラス、金属、その他の材料からなるリ
ングを用いてもよい。さらに、リングは円形に限られ
ず、メンブレンを展開した状態で支持できる支持枠であ
ればよい。さらに、ガラス多層配線基盤において、Ｓｉ
と膨張率が同じか又はＳｉと膨張率が近いガラス基板を
用いてもよい。これらのガラス基板は、セラミクス基板
に比べ、安価で、高精度研磨によってフラットネス等が
良く、透明であるのでアライメントしやすく、無アルカ
リガラスであればアルカリの表面溶出等による悪影響が
ない。
や、その他のＳｉに近い熱膨張率を有し強度の高いセラ
ミクス、低膨張ガラス、金属、その他の材料からなるリ
ングを用いてもよい。さらに、リングは円形に限られ
ず、メンブレンを展開した状態で支持できる支持枠であ
ればよい。さらに、ガラス多層配線基盤において、Ｓｉ
と膨張率が同じか又はＳｉと膨張率が近いガラス基板を
用いてもよい。これらのガラス基板は、セラミクス基板
に比べ、安価で、高精度研磨によってフラットネス等が
良く、透明であるのでアライメントしやすく、無アルカ
リガラスであればアルカリの表面溶出等による悪影響が
ない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のバンプ付
きメンブレンの製造方法によれば、電気メッキによりパ
ッドを形成するので、パッドの寸法精度が高く、面内の
寸法バラツキが少ない。また、下地にパターニング前の
（いわゆるベタの）導電性金属膜が形成してあるので、
パッドの表面に電気メッキによる厚メッキや、金コバル
ト合金メッキ、ロジウムメッキ等が可能になり、パッド
の機械的強度を増すことができる。
きメンブレンの製造方法によれば、電気メッキによりパ
ッドを形成するので、パッドの寸法精度が高く、面内の
寸法バラツキが少ない。また、下地にパターニング前の
（いわゆるベタの）導電性金属膜が形成してあるので、
パッドの表面に電気メッキによる厚メッキや、金コバル
ト合金メッキ、ロジウムメッキ等が可能になり、パッド
の機械的強度を増すことができる。
【図１】本発明の一実施例に係るメンブレンリングの形
成工程の一部を説明するための断面図である。
成工程の一部を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るバンプ付きメンブレン
の形成工程を説明するための断面図である。
の形成工程を説明するための断面図である。
【図３】本発明のバーンインボードを用いたバーンイン
試験の様子を模式的に示す図である。
試験の様子を模式的に示す図である。
【図４】従来のバンプ付きメンブレンの形成工程の一部
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
１ ポリイミドフィルム １ａ バンプホール ２ 銅箔 ３ バンプ ４ レジストパターン ５ パッド ６ Ａｕメッキ ７ フィルム １０ メンブレンリング １１ リング １２ 熱硬化性接着剤 １３ アルミニウム板 １４ シリコンゴムシート ２０ ガラス多層配線基盤 ３０ シリコンウエハ ４０ 異方性導電ゴムシート
Claims (5)
- 【請求項１】 コンタクトボードにおけるコンタクト部
分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法で
あって、 フィルム又はシート上に導電性金属膜を形成するか、あ
るいは、導電性金属箔上にコーティング法によってフィ
ルム又はシートを形成した後、前記フィルム又はシート
の所定位置にレーザーを用いてバンプホールを形成し、
導電性金属表面を保護した後、導電性金属膜にメッキ用
電極の一方を接続して電気メッキを行いバンプを形成す
る工程と、 導電性金属上にレジストを塗布し、パッドを形成する部
分のレジストを露光、現像によって除去し、前記バンプ
にメッキ用電極の一方を接続して電気メッキを行いパッ
ドを形成する工程と、 レジストを除去後、パッドの下部以外の部分の導電性金
属をエッチングにより除去する工程とを有することを特
徴とするバンプ付きメンブレンリングの製造方法。 - 【請求項２】 パッドの表面に電気メッキによりメッキ
層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１記
載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。 - 【請求項３】 パッドの表面に形成するメッキ層が、電
気メッキによる金の厚メッキ、金コバルト合金メッキ又
はロジウムメッキであることを特徴とする請求項１又は
２記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３記載のバンプ付きメンブ
レンリングと、多層配線基盤とを有することを特徴とす
るコンタクトボード。 - 【請求項５】 前記コンタクトボードが、ウエハ上に多
数形成された半導体ディバイスのバーンイン試験を一括
して行うために使用されるバーンインボードであること
を特徴とする請求項４記載のコンタクトボード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36737497A JPH11191579A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | バンプ付きメンブレンリングの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36737497A JPH11191579A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | バンプ付きメンブレンリングの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191579A true JPH11191579A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18489154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36737497A Pending JPH11191579A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | バンプ付きメンブレンリングの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005103733A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Jsr Corporation | シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP36737497A patent/JPH11191579A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005103733A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Jsr Corporation | シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用 |
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