TWI575088B - 有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Description

有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年7月10日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0075142號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
以下描述係有關於一種有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法以及使用該方法製造之有機發光顯示裝置，以及更特別的是，有關於一種適合用於大基板大量生產且致能有高畫質圖案化的有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法以及使用該方法製造之有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置相較於其他顯示裝置具有較廣之視角、較佳之對比特性、及較快之反應速度，故已受到注目被視為是下一代顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含安置在彼此相對面配置的第一電極與第二電極之間的中間層(含有發光層)。電極與中間層可使用各種方法形成，其中一種是獨立沉積方法。當有機發光顯示裝置使用沉積方法製造時，具有與有機層待形成之相同圖樣的精細金屬光罩（FMM）係安置接近接觸基板，有機層與其他相似物係形成基板上，而有機層材料係沉積在FMM上以形成具有所需圖樣的有機層。
然而，使用FMM的沉積方法在使用大的母體玻璃(large mother glass) 製造較大型有機發光顯示裝置時會出現困難。例如，當使用大型遮罩時，遮罩可能會由於重力下拉而彎曲，從而扭曲其圖樣。此缺點係不利於近來朝向高畫質圖樣的趨勢。
而且，對準基板與FMM以彼此精密接觸、在其上執行沉積、以及將FMM與基板分隔之製程係耗費時間，導致冗長的製造時間與低生產效率。
揭露於此背景之資訊係本發明之發明人於完成本發明前所已知或為於完成本發明之製程中所獲得的技術資訊。因此，其可能包含不構成此國家中此技術領域之通常知識者已熟知的資訊之先前技術。
本發明之實施例的態樣係針對一種適合用於大基板之大量生產且致使高畫質圖案化的有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法以及使用該方法製造之有機發光顯示裝置。
根據本發明的實施例，係提供一種有機層沉積設備，包含含有固定基板並配置以沿著基板移動的傳輸單元、在第一方向上移動基板所固定於其上之傳輸單元的第一輸送單元、以及在沉積已經完成之後在相反於第一方向之方向上移動已經與基板分離之傳輸單元的第二輸送單元；以及沉積單元，其包含維持在真空狀態之腔室以及在固定於傳輸單元上之基板上沉積有機層之至少一有機層沉積組件。傳輸單元包含含有非接觸式電源供應器（CPS）模組的載體(carrier)以及固定地耦接載體以固定基板的靜電吸盤。傳輸單元係配置以在第一輸送單元與第二輸送單元之間循環移動，以及當被第一輸送單元傳輸時，固定在傳輸單元上之基板係與有機層沉積組件相分隔一設定距離。
充電軌道可在第二輸送單元中對應於CPS模組之位置上形成，致使當載體在第二輸送單元中輸送時，在充電軌道與CPS模組之間形成磁場且電源係以非接觸方式供應至CPS模組。
第一輸送單元可包含彼此平行形成的一成對之導軌以及耦接導軌的複數個引導塊。
充電軌道可可形成在導軌中對應於CPS模組之部分上，致使當載體在第一輸送單元中輸送時，在充電軌道與CPS模組之間形成磁場且電源以非接觸方式供應至CPS模組。
用於吸附基板的鐵吸盤(iron chuck)可進一步形成在靜電吸盤之一側上，而該基板可接觸鐵吸盤。
第一輸送單元與第二輸送單元可配置以通過沉積單元。
第一輸送單元與第二輸送單元可分别地彼此平行配置在上方與下方。
有機層沉積設備可進一步包含﹕用於固定基板在傳輸單元上的裝載單元；以及用於將通過沉積單元時已經完成沉積的基板與傳輸單元分離的卸載單元。
第一輸送單元可配置以依序地將傳輸單元輸送進裝載單元、沉積單元以及卸載單元。
第二輸送單元可配置以依序地將傳輸單元輸送進卸載單元、沉積單元以及裝載單元。
有機層沉積組件可包含﹕用於釋出沉積材料的沉積源；位在沉積源之一側且含有複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元；以及面向沉積源噴嘴單元且含有沿著一方向上配置的複數個圖案化隙縫的圖案化縫片，其中沉積源可配置以釋出沉積材料以通過圖案化縫片而以一特定圖樣沉積在基板上。
有機層沉積組件之圖案化縫片在第一方向以及垂直第一方向之第二方向中的至少任何一方向上可形成小於基板。
磁軌可位在載體之一表面上，每一第一輸送單元與第二輸送單元可包含複數個線圈，其中磁軌與複數個線圈係結合一起以組成用於產生移動傳輸單元的驅動力量之操作單元。
第一輸送單元可包含複數個導引構件，每一導引構件含有一容置凹槽，其中個別之容置凹槽可配置以容置傳輸單元之兩側以導引傳輸單元在第一方向上移動；以及一磁懸浮軸承(magnetically suspended bearing)，係配置以將傳輸單元在容置凹槽中懸浮，藉此以非接觸容置凹槽之方式移動傳輸單元。
磁懸浮軸承可包含配置在載體之兩側表面上的複數個側磁懸浮軸承、以及配置在載體上方的複數個上磁懸浮軸承。
根據本發明的另一實施例，提供一種使用在基板上形成有機層的有機層沉積設備以製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含﹕使用安裝以通過腔室之第一輸送單元，將基板固定於其上的一傳輸單元輸送進腔室，其中傳輸單元包含含有非接觸式電源供應器（CPS）模組的載體、以及固定地耦接載體以固定基板的靜電吸盤；當基板在腔室中的有機層沉積組件與基板相分隔一設定或預設距離而相對於有機層沉積組件移動時，將從有機層沉積組件釋出的沉積材料沉積在基板上以形成有機層；以及藉由使用安裝以通過腔室的第二輸送單元，將與基板分離的傳輸單元輸送進裝載單元，其中當傳輸單元在第一輸送單元輸送傳輸單元中、在有機層之形成中、及/或在第二輸送單元輸送傳輸單元中進行輸送時，靜電吸盤係藉由CPS模組充電。
在由CPS模組充電靜電吸盤時，充電軌道可形成在第二輸送單元中對應於CPS模組之位置上，致使當載體在第二輸送單元中輸送時，充電軌道與CPS模組之間形成磁場，進而以非接觸方式供應電源給CPS模組。
第一輸送單元可包含彼此平行形成的成對之導軌以及耦接導軌的複數個引導塊(guide block)。
充電軌道可形成在複數個導軌中對應於CPS模組位置上，致使當載體在第一輸送單元中輸送時，充電軌道與CPS模組之間形成磁場，進而以非接觸方式供應電源給CPS模組。
靜電吸盤可進一步包含形成在靜電吸盤之一側以吸附基板的鐵吸盤，而基板可接觸鐵吸盤。
該方法可進一步包含﹕在由第一輸送單元輸送傳輸單元之前，將基板固定在一裝載單元中的傳輸單元上；以及在由第二輸送單元輸送傳輸單元之前，在卸載單元中將沉積已於其上完成的基板與傳輸單元分離。
傳輸單元可在第一輸送單元與第二輸送單元之間循環性地移動。
第一輸送單元與第二輸送單元可分别地彼此平行配置在上方與下方。
有機層沉積組件可包含﹕用於釋出沉積材料的沉積源；安置在沉積源之一側且含有複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元；以及面向沉積源噴嘴單元且含有沿著垂直第一方向的第二方向上配置的複數個圖案化隙縫的圖案化縫片，其中從沉積源釋出的沉積材料可通過圖案化縫片而以特定圖樣沉積在基板上。
有機層沉積組件之圖案化縫片在第一方向以及垂直第一方向之第二方向中的至少任何一方向上可形成小於基板。
根據本發明的另一實施例，提供一種有機發光顯示裝置，其包含﹕基板；至少一薄膜電晶體，其在基板上且含有半導體主動層、與半導體主動層絕緣的閘極電極、以及源極電極與汲極電極，每一源極電極與汲極電極係接觸半導體主動層；在薄膜電晶體上的複數個像素電極；在複數個像素電極上的複數個有機層；以及在複數個有機層上的對向電極，其中在較遠離沉積區域之中心的基板上複數個有機層的至少一有機層之斜邊長度係大於較靠近沉積區域之中心形成的其他有機層之斜邊長度，以及其中在基板上複數個有機層中的至少一有機層係為使用該有機層沉積設備形成的線性圖案化有機層。
基板可具有40英寸或大於40英寸之尺寸。
複數個有機層可包含至少一發光層。
複數個有機層可具有非一致的厚度。
在較遠離沉積區域之中心而形成的每一有機層中，較遠離沉積區域之中心的斜邊可大於其他斜邊。
在沉積區域中的複數個有機層中，離沉積區域之中心越遠的有機層，該有機層之二側形成越窄的重疊區域。
安置在沉積區域之中心的有機層之複數個斜邊可有大致上相同的長度。
在沉積區域中的複數個有機層可以沉積區域之中心對稱地配置。
1．．．有機層沉積設備
100．．．沉積單元
100-1．．．第一有機層沉積組件
100-2．．．第二有機層沉積組件
100-11．．．第十一有機層沉積組件
101．．．腔室
102．．．腳座
103．．．下殼體
104．．．上殼體
104-1．．．容置部
110．．．沉積源
111．．．坩堝
112．．．加熱器
115．．．沉積材料
120．．．沉積源噴嘴單元
121．．．沉積源噴嘴
130．．．圖案化縫片
131、131a、131b、131c、131d、131e．．．圖案化隙縫
135．．．框架
140．．．防護構件
150．．．第一階臺
160．．．第二階臺
170．．．相機
180．．．感測器
190．．．沉積源更換單元
2．．．基板
200．．．裝載單元
212．．．第一架體
214．．．傳輸室
218．．．第一翻轉室
219．．．緩衝室
31．．．絕緣層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間絕緣層
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
300．．．卸載單元
322．．．第二架體
324．．．退頂室
328．．．第二翻轉室
40．．．薄膜電晶體
41．．．半導體主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極電極/汲極電極
400．．．輸送單元
410．．．第一輸送單元
411．．．線圈
412、412’．．．導引構件
412a．．．第一容置部
412b．．．第二容置部
412c．．．連接部
412d．．．容置凹槽
412e．．．導軌凸部
413．．．上磁懸浮軸承
414．．．側磁懸浮軸承
415、416．．．間隙感測器
420．．．第二輸送單元
421．．．線圈
422．．．滾筒導軌
423．．．充電軌道
430．．．傳輸單元
431．．．載體
431a．．．主體部
431b．．．LMS磁鐵
431c．．．CPS模組
431d．．．電源供應單元
431e、431e’．．．導軌凹槽
432．．．靜電吸盤
433．．．薄膜
434．．．鐵吸盤
50．．．電容
500．．．圖案化縫片更換單元
60．．．有機發光二極體
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．有機層
A．．．箭頭方向
A3．．．吸引力
R1、R2．．．排斥力
G．．．重力
X、Y、Z．．．方向
11、12、13、14．．．間隔
S．．．沉積空間
C．．．中心線
SR1、SR2、SR3、SR4、SR5．．．右側陰影
SL1、SL2、SL3、SL4、SL5．．．左側陰影
P1、P2、P3、P4、P5．．．有機層
θb、θc、θd、θe．．．臨界入射角
藉由參考附圖詳細描述例示性實施例本發明的上述內容與其他特性以及優點將變成更清楚明顯，其中﹕
第1圖係為繪示根據本發明的實施例之有機層沉積設備之結構的示意平面圖；
第2圖係為根據本發明的實施例之第1圖之有機層沉積設備之沉積單元的示意側視圖；
第3圖係為根據本發明的實施例之第1圖之有機層沉積設備之沉積單元的示意透視圖；
第4圖係為根據本發明的實施例之第3圖之沉積單元的示意剖面圖；
第5圖係為第3圖所示之沉積單元之傳輸單元之載體之詳細透視圖；
第6圖係為第3圖所示之沉積單元之第一輸送單元的詳細剖面圖；
第7圖係為根據本發明的另一實施例之第1圖之沉積單元之示意透視圖；
第8圖係為第7圖之沉積單元的示意剖面圖；
第9圖係為繪示根據本發明的實施例之第3圖之含有沉積單元的有機層沉積設備之圖案化縫片中圖案化隙縫係配置在相等間隔之結構的圖式；
第10圖係為繪示根據本發明的實施例之第9圖之使用圖案化縫片以形成在基板上的有機層之圖式；以及
第11圖係為根據本發明的實施例之使用有機層沉積設備所製造的主動矩陣型有機發光顯示裝置的剖面圖。
現在將詳細參考本發明的複數個實施例，而其範例係繪示在附圖中，其中說明書中相似之參考符號係參考相似之元件。為了說明本發明的態樣，以下係藉由參閱圖式以描述實施例。當表述如「至少一個(at least one of)」前綴於元件列表時，係修飾整個元件列表而非修飾列表中之個別元素。
第1圖係為繪示根據本發明的實施例之有機層沉積設備1之結構的示意平面圖。第2圖係為根據本發明的實施例之第1圖之有機層沉積設備1之沉積單元100的示意側視圖。
請參閱第1圖與第2圖，有機層沉積設備1包含沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300、以及輸送單元400。
裝載單元200可包含第一架體212、傳輸室214、第一翻轉室218、以及緩衝室219。
複數個基板2(參閱第6圖)，其上尚未施加沉積材料，係在第一架體212上向上堆疊。包含在傳輸室214中的傳輸自控機器係從第一架體212中拿起複數個基板2中的其中一個，將其安置在藉由第一輸送單元410傳輸的傳輸單元430上，並將上面安置有基板2的傳輸單元430移動進第一翻轉室218。
第一翻轉室218係安置鄰近傳輸室214。第一翻轉室218包含第一翻轉自控機器，其係翻轉傳輸單元430然後將其裝載上沉積單元100之第一輸送單元410。
請參閱第1圖，傳輸室214之傳輸自控機器係放置其中一基板2在傳輸單元430之上表面上，以及上面安置有基板2的傳輸單元430係被傳輸進第一翻轉室218。第一翻轉室218之第一翻轉自控機器(first inversion robot)係翻轉第一翻轉室218，致使基板2被翻轉倒掛在沉積單元100中。
卸載單元300係用以與上述裝載單元200相反的方式進行操作。特別的是，在第二翻轉室328中的第二翻轉自控機器係翻轉已傳輸經過沉積單元100的傳輸單元430，且基板2係安置在傳輸單元430上，然後將上面安置有基板2的傳輸單元430移動進退頂室(ejection chamber) 324。然後，退頂自控機器(ejection robot)係將其上面安置有基板2的傳輸單元430從退頂室324取出，並將基板2與傳輸單元430分離，然後裝載基板2在第二架體322上。與基板2分離的傳輸單元430係經由第二輸送單元420回到裝載單元200。
然而，本發明不限於上述範例。例如，當安置基板2在傳輸單元430上時，基板2可固定到傳輸單元430之底表面上，而然後移動進沉積單元100。在此實施例中，例如，第一翻轉室218之第一翻轉自控機器以及第二翻轉室328之第二翻轉自控機器可省略不用。
沉積單元100可包含用於沉積的至少一腔室。在一實施例中，如第1圖與第2圖所繪示，沉積單元100包含腔室101，複數個有機層沉積組件(100-1)(100-2)…(100-n)安置在腔室101中。請參閱第1圖，十一個有機層沉積組件，即第一有機層沉積組件(100-1)、第二有機層沉積組件(100-2)、…以及第十一有機層沉積組件(100-11)，係安置在腔室101中，但是有機層沉積組件之數量可隨著所需沉積材料以及沉積條件而變化。腔室101在沉積製程期間係維持在真空狀態。
在這方面，十一個有機層沉積組件中之一些有機層沉積組件可用於沉積以形成共同層，而其他有機層沉積組件可用於沉積以形成圖樣層。在此實施例中，用於沉積以形成共同層的有機層沉積組件可不包含圖案化縫片130(參見第3圖)。
在第1圖繪示之實施例中，有基板2固定其上的傳輸單元430可藉由第一輸送單元410而至少被移動到沉積單元100或可依序地移動到裝載單元200、沉積單元100以及卸載單元300，而且在卸載單元300中與基板2分離的傳輸單元430可藉由第二輸送單元420被移動回裝載單元200。
當通過沉積單元100時，第一輸送單元410係通過腔室101，而第二輸送單元420係輸送與基板2相分離的傳輸單元430。
在本實施例中，有機層沉積設備1之配置以致於第一輸送單元410與第二輸送單元420分别地安置在上方與下方，致使通過第一輸送單元410且其上已完成沉積的傳輸單元430在卸載單元300中與基板2分離，而傳輸單元430係經由在第一輸送單元410下方形成的第二輸送單元420退回到裝載單元200，藉此有機層沉積設備1可具有改進的空間利用效率。
在實施例中，第1圖之沉積單元100可進一步包含安置在每一有機層沉積組件之一側的沉積源更換單元190。雖然在圖式中未特別地繪示，沉積源更換單元190可形成能更從每一有機層沉積組件拉出至外部的卡匣型(cassette-type)。如此，第一有機層沉積組件100-1之沉積源110(參見第3圖)可容易地替換。
第1圖係繪示有機層沉積設備1，在其中兩組含有裝載單元200、沉積單元100、卸載單元300，以及輸送單元400的結構係平行配置。亦即，可見到的是二個有機層沉積設備1係分别地配置在有機層沉積設備1之一側與另一側(在第1圖中的上方與下方)。在此實施例中，圖案化縫片更換單元500可安置在二個有機層沉積設備1之間。亦即，相比於每一有機層沉積設備1包含一圖案化縫片更換單元500，由於此結構構造，二個有機層沉積設備1係共用圖案化縫片更換單元500，其可導致改進的空間利用效率。
第3圖係為根據本發明的實施例之第1圖之有機層沉積設備1之沉積單元100的示意透視圖。第4圖係為根據本發明的實施例之第3圖之沉積單元100 的示意剖面圖。第5圖係為根據本發明的實施例之第3圖之沉積單元100之傳輸單元400之載體431之透視圖。第6圖係為根據本發明的實施例之第3圖之沉積單元100之第一輸送單元410與傳輸單元430之剖面圖。
首先，參閱第3圖與第4圖，有機層沉積設備1之沉積單元100包含至少一有機層沉積組件，例如，第一有機層沉積組件100-1與輸送單元400。
下文中，將描述沉積單元100之全部結構。
腔室101可形成為中空板箱型且容置第一有機層沉積組件100-1與輸送單元400。在另一叙述方式，腳座102係形成藉此固定沉積單元100在地面上，下殼體103係安置在腳座102上，以及上殼體104係安置在下殼體103上。腔室101係容置下殼體103與上殼體104。在這方面，下殼體103之連接部係與腔室101密封致使腔室101之内部完全地與外部隔離。由於下殼體103與上殼體104安置在固定於地面上的腳座102上的結構，即使腔室101重複地縮脹(contracted and expanded)，下殼體103與上殼體104仍可維持在固定位置。如此，下殼體103與上殼體104可作為沉積單元100中的參考框架。
上殼體104包含第一有機層沉積組件100-1以及輸送單元400之第一輸送單元410，而下殼體103包含輸送單元400之第二輸送單元420。傳輸單元430係周期性地在第一輸送單元410與第二輸送單元420之間移動，沉積製程係連續執行。
下文中，係詳細描述第一有機層沉積組件100-1之構成部分。
第一有機層沉積組件100-1包含沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫片130、防護構件140、第一階臺150、第二階臺160、相機170以及感測器180。在這方面，在第3圖與第4圖繪示的所有元件可配置在維持於適當之真空狀態的腔室101。需要此結構以達成沉積材料之線性(linearity)。
特別的是，為了將從沉積源110釋出並穿透沉積源噴嘴單元120與圖案化縫片130的沉積材料115在基板2上沉積成所需圖樣，其較理想的是將腔室（圖中未顯示）維持在與用於FMM之沉積方法相同的真空狀態。此外，圖案化縫片130之溫度應該足夠低於沉積源11之溫度(約100°C或更低)，因為當圖案化縫片130之溫度足夠低時，圖案化縫片130之熱膨脹可最小化。
待沉積沉積材料115於其上的基板2係配置在腔室101。基板2可為平面顯示裝置之基板。例如，用於製造複數個平面顯示器的大基板，例如母體玻璃，可用作基板2。
根據實施例，沉積製程執行時，基板2可相對於第一有機層沉積組件100-1移動。
在使用FMM的傳統沉積方法，FMM的尺寸必須與基板的尺寸相同。如此，當基板的尺寸增加時，FMM亦必須是大尺寸。由於這些問題，其難以製造FMM以及延伸FMM以對齊FMM與精確圖樣。
為了解決這些問題，在根據本實施例之第一有機層沉積組件100-1中，第一有機層沉積組件100-1與基板2可相對於彼此移動而執行沉積。換句話說，當面對第一有機層沉積組件100-1的基板2係在y軸方向上移動時，沉積便可連續地執行。亦即，沉積係以掃描方式執行，而基板2係在第3圖中繪示之箭頭方向移動。雖然當執行沉積時在腔室（圖中未顯示）中基板2係繪示於Y軸方向移動，但本發明不因此受限制。例如，沉積執行時，第一有機層沉積組件100-1可在Y軸方向上移動而基板2係維持在固定位置上。
如此，在第一有機層沉積組件100-1中，圖案化縫片130可遠小於用於傳統沉積方法的FMM。換句話說，在第一有機層沉積組件100-1中，當基板2在Y軸方向上移動時，沉積可連續地執行，即，以掃描方式執行。如此，圖案化縫片130在X軸方向與在Y軸方向上的至少一長度可遠小於基板2之長度。因為圖案化縫片130可形成遠小於用於傳統沉積方法的FMM，所以容易製造圖案化縫片130。亦即，小圖案化縫片130係比用於傳統沉積方法之FMM更有利於製造流程，此流程包含精確伸長(precise elongation)之後的蝕刻、焊接、傳輸、以及清洗流程。此外，此係更有利於製造相對大的顯示裝置。
如上所述，當第一有機層沉積組件100-1與基板2彼此相對移動時，為了執行沉積，第一有機層沉積組件100-1與基板2可彼此相分隔一特定距離。以下係更詳細描述。
含有且加熱沉積材料115的沉積源110係安置在對面於(面向)基板2所安置於腔室之側的側上。當包含於沉積源110中的沉積材料115汽化時，沉積係在基板2上執行。
沉積源110包含填充沉積材料115的坩堝(crucible)111以及加熱坩堝111的加熱器112，藉此將沉積材料115朝向填充沉積材料115之坩堝111的一側汽化，特別的是，朝向沉積源管口單元120。
沉積源噴嘴單元120係安置在沉積源110之一側上，特別的是，在沉積源110面向基板2之側上。在此，在根據本實施例之有機層沉積組件中，用於沉積共同層的沉積噴嘴以及用於沉積圖樣層的沉積噴嘴可彼此不相同。亦即，複數個沉積源噴嘴121可在用於形成圖樣層之沉積源噴嘴單元120中沿著Y軸方向上形成，其中Y軸方向係為基板2之掃描方向。因此，沉積源噴嘴121係配置致使在X軸方向上僅存在一個沉積源噴嘴121，從而減少陰影發生。另一選擇，複數個沉積源噴嘴121可在用於形成共同層之沉積源噴嘴單元120中沿著X軸方向安置，如此，可改進共同層之厚度一致性。
圖案化縫片130係進一步安置在沉積源110與基板2之間。圖案化縫片130可進一步包含具有與視窗框(window frame)相似形狀的框架135(參見第9圖)。圖案化縫片130包含配置在X軸方向上之複數個圖案化隙縫131。已經在沉積源110中汽化的沉積材料115係穿透沉積源噴嘴單元120與圖案化縫片130，然後沉積到基板2上。在這方面，圖案化縫片130可使用與形成FMM，特別的是條紋型遮罩，相同之方法來形成，例如蝕刻。在這方面，圖案化隙縫131之總數量可大於沉積源噴嘴121之總數量。
在此，沉積源110(以及相結合的沉積源噴嘴單元120)與圖案化縫片130可彼此相分隔一特定距離。
如上所述，當第一有機層沉積組件100-1相對於基板2移動時，便執行沉積。為了讓第一有機層沉積組件100-1相對於基板2移動，圖案化縫片130係安置與基板2相分隔一特定距離。
在使用FMM之傳統沉積方法中，為了防止在基板上形成陰影(shadow)，FMM係精密接觸基板以執行沉積。然而，當FMM形成與基板精密接觸，由於基板與FMM之間的接觸造成的缺陷可能會發生。此外，因為其難以將遮罩相對於基板移動，遮罩與基板必須形成相同尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增加，遮罩必須變大。然而，大型遮罩係難以形成。
為了解決這些問題，在根據本實施例之第一有機層沉積組件100-1中，圖案化縫片130係與待沉積沉積材料於其上的基板2相分隔一特定距離形成。
根據本實施例，當小於基板形成的遮罩相對於基板移動時便可執行沉積，如此其係容易製造遮罩。此外，更可避免由於基板與遮罩之間的接觸而造成的缺陷。此外，因為在沉積製程期間遮罩不必精密接觸基板，所以可改進製造速度。
下文中，將描述上殼體104之每一元件之特別設置。
沉積源110與沉積源噴嘴單元120係安置在上殼體104之底部上。複數個容置部104-1係分别地形成在沉積源110與沉積源噴嘴單元120之兩側上而有突出形狀。第一階臺150、第二階臺160以及圖案化縫片130係依此順序，依序地形成在容置部104-1上。
在這方面，第一階臺150係形成以在X軸方向與Y軸方向上移動致使第一階臺150在X軸與Y軸方向上對準圖案化縫片130。亦即，第一階臺150包含複數個致動器(actuators)，致使第一階臺150在X軸與Y軸方向上相對於上殼體104移動。
第二階臺160係形成以在Z軸方向上移動，藉此在Z軸方向上對準圖案化縫片130。亦即，第二階臺160包含複數個致動器，且形成以在Z軸方向上相對於第一階臺150移動。
圖案化縫片130係安置在第二階臺160上。圖案化縫片130係安置在第一階臺150與第二階臺160上，藉此在X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向上移動，如此，可執行在基板2與圖案化縫片130之間的對準，特別的是即時對準。
上殼體104、第一階臺150以及第二階臺160可引導沉積材料115之流動路徑，以致於透過沉積源噴嘴121釋出的沉積材料115不會分散到流動路徑外部。亦即，沉積材料115之流動路徑係被上殼體104、第一階臺150以及第二階臺160密封，如此，沉積材料115在X軸與Y軸方向上的移動可從而同時或同步地被引導。
為了防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上，防護構件140可進一步安置在圖案化縫片130與沉積源110之間。雖然不特別地繪示，防護構件140可包含二個相鄰近的平板。因為防護構件140係遮蔽基板2之非薄膜形成區，所以不需使用額外結構，便可容易地防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上。
下文中，將更詳細描述用於輸送作為沉積標的之基板2的輸送單元400。請參閱第3圖至第6圖，輸送單元400包含第一輸送單元410、第二輸送單元420以及傳輸單元430。
第一輸送單元410係以同線方式(in-line manner)輸送傳輸單元430，其含有載體431與附著載體431的靜電吸盤432，而基板2係附著至傳輸單元430致使有機層可藉由第一有機層沉積組件100-1形成在基板2上。第一輸送單元410包含線圈411、導引構件412、上磁懸浮軸承(upper magnetically suspended bearings)413、側磁懸浮軸承(side magnetically suspended bearings)414以及間隙感測器415與416。
當傳輸單元430通過沉積單元100而已完成一個沉積周期之後，第二輸送單元420係將在卸載單元300中已經與基板2分隔的傳輸單元430送回至裝載單元200。第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
傳輸單元430包含沿著第一輸送單元410與第二輸送單元420輸送的載體431、以及結合在載體431表面上的靜電吸盤432，而基板2係附著至靜電吸盤432。而且，傳輸單元430可進一步包含形成在靜電吸盤432之表面上的薄膜433、以及形成在薄膜433之一側上的鐵吸盤434。
下文中，將更詳細描述輸送單元400之每一元件。
現在將詳細描述傳輸單元430之載體431。
請參閱第5圖，載體431包含主體部431a、線性馬達系統(linear motor system，LMS)磁鐵431b、非接觸式電源供應器（CPS）模組431c、電源供應單元431d以及導軌凹槽431e(參見第3圖與第4圖)。
主體部431a係構成載體431之基底部且可用磁性材料形成，例如鐵。在這方面，由於主體部431a與個別的上磁懸浮軸承413與側磁懸浮軸承414之間的排斥力，載體431可維持與導引構件412相分隔一特定距離，其將於以下描述。
導軌凹槽431e可分别地形成在主體部431a之兩側，而每一導軌凹槽431e可容置導引構件412之導軌凸部412e（參見第6圖）。
LMS磁鐵431b可沿著主體部431a之中心線在主體部431a之進行方向形成。LMS磁鐵431b與線圈411可彼此結合組成線性馬達，其係在下方更詳細描述，而載體431可藉由線性馬達在箭頭A方向上輸送。
CPS模組431c與電源供應單元431d可分别地形成在主體部431a中的LMS磁鐵431b之兩側上。電源供應單元431d包含電池（例如，可充電電池），其係提供電源致使靜電吸盤432能夠吸住(chuck)基板2並維持操作。CPS模組431c係為可充電電源供應單元431d的無線充電模組。特別的是，形成在第二輸送單元420中的充電軌道423，其在下方描述，係連接至變流器（圖中未顯示），如此，當載體431傳輸進第二輸送單元420，磁場係形成在充電軌道423與CPS模組431c之間藉此供給電源給CPS模組431c。供應至CPS模組431c的電源係用於對電源供應單元431d充電。
如上所述，電源供應單元431d可使用CPS模組431c與充電軌道423在真空室中無線充電，所以可避免當使用傳統線性運動（LM）系統時因粒子發生產生的良率衰減。而且，可減少由於有害火花發生造成的破壞沉積設備之可能性。而且，可藉此減少維護費用、改進生產量以及增加使用壽命。
同時，靜電吸盤432包含以陶瓷形成的主體以及隱藏在主體中的電極(被施加電源)，且當電極被施加高電壓時，基板2係附著至主體之表面。
而且，薄膜433係形成在靜電吸盤432之一側上，而鐵吸盤434可進一步形成在薄膜433之一側上。在此，鐵吸盤434係作用為吸附板，其由於施加至靜電吸盤432的高電壓而吸附附著至靜電吸盤432的基板2，藉此穩定地固定基板2。
接著，將於下面段落更詳細描述傳輸單元430之操作。
主體部431a之LMS磁鐵431b與線圈411可彼此結合以組成一操作單元。在這方面，操作單元可為線性馬達。相比於傳統滑動導軌系統，線性馬達具有小摩擦係數、微小位置錯誤、以及非常高程度的位置確定。如上所述，線性馬達可包含線圈411與LMS磁鐵431b。LMS磁鐵431b係線性安置在載體431上，而複數個線圈411可安置在腔室101之内側上而間隔一特定距離面對LMS磁鐵431b。因為LMS磁鐵431b係代替線圈411而安置在載體431上，所以載體431不須電源供應亦可進行操作。在這方面，線圈411可形成在氣氛（ATM）箱中。LMS磁鐵431b係附著至載體431致使載體431可在真空室101內前進。
接著，將在下方更詳細描述第一輸送單元410與傳輸單元430。
請參閱第4圖與第6圖，第一輸送單元410係輸送固定基板2之靜電吸盤432以及輸送載體431，其係輸送靜電吸盤432。在這方面，第一輸送單元410包含線圈411、導引構件412、上磁懸浮軸承413、側磁懸浮軸承414以及間隙感測器415與416。
線圈411與導引構件412係形成於上殼體104内部。線圈411係形成在上殼體104之上方部分中，而導引構件412係分别地形成在上殼體104之兩內側上。
導引構件412係導引載體431在一方向上移動。在這方面，導引構件412係形成以通過沉積單元100。
特別的是，導引構件412係容置載體431之兩側以導引載體431沿著第3圖繪示之箭頭A方向上移動。在這方面，導引構件412可包含安置在載體431下方的第一容置部412a、安置在載體431上方的第二容置部412b、以及連接第一容置部412a與第二容置部412b的連接部412c。藉由第一容置部412a、第二容置部412b以及連接部412c係形成容置凹槽412d。載體431之兩側係分别地容置在容置凹槽412d中，而載體431係沿著容置凹槽412d移動。
複數個側磁懸浮軸承414中的每一側磁懸浮軸承414係安置在導引構件412之連接部412c中，藉此分别地對應於載體431之兩側。側磁懸浮軸承414係造成載體431與導引構件412之間的距離，致使載體431在非接觸導引構件412之下沿著導引構件412移動。亦即，發生在左側上側磁懸浮軸承414以及磁性材料的載體431之間的排斥力R1，以及發生在右側上側磁懸浮軸承414以及磁性材料的載體431之間的排斥力R2，係維持平衡，如此載體431與導引構件412之複數個個別部分之間有一固定距離。
每一上磁懸浮軸承413可係安置在第二容置部412b中，藉此位在載體431上方。上磁懸浮軸承413係致使載體431能在不接觸第一容置部412a與第二容置部412b且其之間維持固定距離之情況下，沿著導引構件412移動。亦即，在上磁懸浮軸承413與磁性材料的載體431之間發生吸引力A3，而重力G係維持平衡，如此，載體431與導引構件412之個別部分412a與412b之間有一固定距離。
每一導引構件412可進一步包含間隙感測器415。間隙感測器415可測量載體431與導引構件412之間的距離。而且，間隙感測器416可安置在側磁懸浮軸承414之一側。間隙感測器416可測量載體431之側表面與側磁懸浮軸承414之間的距離。
上磁懸浮軸承413與側磁懸浮軸承414的磁力可根據間隙感測器415與146所測量之數值而隨之變化，如此，載體431與個別導引構件412之間的距離可即時調整。亦即，可使用上磁懸浮軸承413與側磁懸浮軸承414以及間隙感測器415與416回授控制載體431之精確傳輸。
下文中，更詳細描述第二輸送單元420與傳輸單元430。
請參閱至第4圖，第二輸送單元420將已經在卸載單元300中與基板2分離的靜電吸盤432、以及乘載靜電吸盤432的載體431送回至裝載單元200。在這方面，第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
特別的是，線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423可位於下殼體103内部。線圈421與充電軌道423可安置在下殼體103之頂部內表面上，而滾筒導軌422可安置在下殼體103之兩內側上。在此，線圈421可係安置在ATM箱中，如同第一輸送單元410之線圈411。
與第一輸送單元410相似，第二輸送單元420可包含線圈421。而且，載體431之主體部431a之LMS磁鐵431b與線圈421係彼此結合以組成一操作單元。在這方面，操作單元可為線性馬達。載體431可藉由線性馬達沿著相反於第3圖繪示之箭頭A方向的方向上移動。
滾筒導軌422係導引載體431在一方向上移動。在這方面，滾筒導軌422係形成以通過沉積單元100。
第二輸送單元420係用於送回已經與基板2分離的載體431之流程，而不用於沉積有機材料在基板2上之流程，如此，其位置準確性不須如第一輸送單元410所要求的。因此，磁懸浮係施加至需要高位置準確性的第一輸送單元410，從而取得位置準確性，而傳統滾筒方法係施加至需要相對低之位置準確性的第二輸送單元420，從而減少製造成本以及簡化有機層沉積設備之結構。雖然在第4圖未繪示，磁懸浮亦可施加至第二輸送單元420，如同第一輸送單元410。
根據本實施例之有機層沉積設備1之第一有機層沉積組件100-1可進一步包含用於對準流程的相機170以及感測器180。相機170可即時對準形成在圖案化縫片130之框架135中的第一對準標誌（圖中未顯示）以及形成在基板2上的第二對準標誌。此外，感測器180可為共焦感測器（confocal sensor）。如上所述，因為基板2與圖案化縫片130之間的距離可使用相機170與感測器180即時測量，所以基板2可即時對準圖案化縫片130，藉此可顯著地改進圖樣之位置準確性。
下文中，將於下面段落描述根據本發明的另一實施例之沉積單元100。
第7圖係為第1圖之沉積單元100之示意透視圖，以及第8圖係為第7圖之沉積單元100的示意剖面圖。
請參閱第7圖與第8圖，根據本實施例之第一輸送單元410之導軌412'以及傳輸單元430之載體431係不同於先前的實施例之元件，其將於下方詳細描述。
第一輸送單元410係以同線方式輸送傳輸單元430，其含有載體431與附著載體431的靜電吸盤432，而基板2係附著至傳輸單元430致使有機層可藉由第一有機層沉積組件100-1形成在基板2上。第一輸送單元410包含線圈411、導軌412'、上磁懸浮軸承413、側磁懸浮軸承414以及間隙感測器415與416。
當傳輸單元430通過沉積單元100而已完成一個沉積周期之後，第二輸送單元420係將在卸載單元300中已經與基板2分隔的傳輸單元430送回至裝載單元200。第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
傳輸單元430包含沿著第一輸送單元410與第二輸送單元420輸送的載體431、以及結合在載體431表面上的靜電吸盤432，而基板2係附著至靜電吸盤432。而且，傳輸單元430可進一步包含形成在靜電吸盤432之表面上的薄膜433、以及形成在薄膜433之該側上的鐵吸盤434。
在此，第一輸送單元410之導軌412'係形成作為導軌，而傳輸單元430之載體431包含耦接導軌412'的引導塊431e。
特別的是，在本實施例中，當基板所固定之靜電吸盤在腔室中線性移動時沉積係執行。在此情形中，如果靜電吸盤藉由傳統滾筒或輸送帶輸送，則基板之位置準確性會衰減，以及如果使用第3圖與第4圖所示之磁懸浮方法，會增加沉積設備之製造成本。如此，在本實施例中，為了精確地輸送基板並容易製造沉積設備，而使用含有導軌以及引導塊的線性運動系統。
特別的是，上殼體104之内表面係形成平坦，而成對的導軌412'係形成在上殼體104之內表面上。而且，引導塊431e'係插入導軌412'中藉此沿著導軌412'往復移動。
雖然未顯示在第7圖與第8圖中，充電軌道可進一步形成在導軌412'中。亦即，在CPS模組431c安置在主體部431a之複數個相對面邊緣的至少一個上，亦即在導軌412'所形成之區域上，的狀態下，充電軌道（圖中未顯示）可形成在導軌412'中。然後，當載體431係在第一輸送單元410中輸送，磁場係形成在充電軌道（圖中未顯示）與CPS模組431c之間藉此在非接觸方式下供給電源給CPS模組431c。亦即，當傳輸單元430在第一輸送單元410中輸送時，電源供應單元431d可充電。
下文中，更詳細描述使用上述之有機層沉積設備1所形成的有機層結構。
第9圖係為繪示根據本發明的實施例之有機層沉積設備1之在圖案化縫片130中圖案化隙縫131相等間隔配置的結構之圖式。第10圖係為繪示根據本發明的實施例之第9圖之使用圖案化縫片130在基板2上形成的有機層之圖式。
第9圖與第10圖係繪示圖案化縫片130，在其中圖案化隙縫131係相等間隔配置。亦即，在第9圖中，圖案化隙縫131係滿足下列的條件﹕l1=l2=l3=l4。
在此實施例中，沿著沉積空間S之中心線C釋出的沉積材料之入射角係大致上垂直基板2。如此，使用穿透圖案化狹縫131a之沉積材料形成的有機層P1具有最小尺寸的陰影，而右側陰影SR1與左側陰影SL1係彼此對稱形成。
然而，穿透離沉積空間S之中心線C更遠的圖案化隙縫之沉積材料的臨界入射角θ係逐漸增加，如此，穿透最外側圖案化狹縫131e的沉積材料之臨界入射角θ係為大約55°。因此，沉積材料係相對於圖案化狹縫131e傾斜入射，而使用穿透圖案化狹縫131e之沉積材料形成的有機層P5具有最大的陰影。特別的是，左側陰影SL5係大於右側陰影SR5。
亦即，當沉積材料之臨界入射角θ增加，陰影的尺寸亦增加。特別的是，在遠離沉積空間S之中心線C的位置上的陰影尺寸係增加。此外，沉積空間S之中心線C與個別圖案化隙縫之間的距離增加時，沉積材料之臨界入射角θ增加。如此，使用穿透遠離沉積空間S之中心線C安置的圖案化隙縫的沉積材料形成的有機層有較大的陰影尺寸。特別的是，在個別有機層之兩側上的陰影尺寸，在遠離沉積空間S之中心線C的位置上的陰影尺寸係大於其他位置上的陰影尺寸。
亦即，參閱第10圖，形成在沉積空間S之中心線C左側上的有機層具有左斜邊大於右斜邊的結構，而形成在沉積空間S之中心線C右側上的有機層具有右斜邊大於左斜邊的結構。
而且，在形成在沉積空間S之中心線C左側上的有機層中，左斜邊之長度係往左側增加。形成在沉積空間S之中心線C右側上的有機層中，右斜邊之長度係往左側增加。因此，形成在沉積空間S中的有機層可依沉積空間S之中心線C而彼此對稱形成。
現在將更詳細描述此結構。
穿透圖案化狹縫131b的沉積材料係在臨界入射角θb穿透圖案化狹縫131b，而使用已穿透圖案化狹縫131b之沉積材料形成的有機層P2具有SL2尺寸之左側陰影。同樣地，穿透圖案化狹縫131c的沉積材料係在臨界入射角θc穿透圖案化狹縫131c，而使用已穿透圖案化狹縫131c之沉積材料形成的有機層P3具有SL3尺寸之左側陰影。同樣地，穿透圖案化狹縫131d的沉積材料係在臨界入射角θd穿透圖案化狹縫131d，而使用已穿透圖案化狹縫131d之沉積材料形成的有機層P4具有SL4尺寸之左側陰影。同樣地，穿透圖案化狹縫131e的沉積材料係在臨界入射角θe穿透圖案化狹縫131e，而使用已穿透圖案化狹縫131e之沉積材料形成的有機層P5具有SL5尺寸之左側陰影。
在這方面，臨界入射角度係滿足下列條件﹕θb < θc < θd < θe，如此，有機層之陰影尺寸亦滿足下列條件﹕SL1 < SL2 < SL3 < SL4 < SL5。
第11圖係為根據本發明的實施例之使用有機層沉積設備 1所製造的主動矩陣型有機發光顯示裝置的剖面圖。
請參閱第11圖，根據本實施例之主動矩陣有機發光顯示裝置係形成在基板2上。基板2可用透明材料形成，例如玻璃、塑膠或金屬。絕緣層31，例如緩衝層，係形成在基板2之全部表面上。
薄膜電晶體（TFT）40、電容50、以及有機發光二極體（OLED）60係安置在絕緣層31上，如第11圖所繪示。
半導體主動層41係形成設定圖樣或預設圖樣在絕緣層31之上表面上。閘極絕緣層32係形成以覆蓋半導體主動層41。半導體主動層41可包含p型或n型半導體材料。
薄膜電晶體40之閘極電極係形成在閘極絕緣層32對應於半導體主動層41之區域中。層間絕緣層33係形成以覆蓋閘極電極42。層間絕緣層33與閘極絕緣層32係藉由例如乾蝕刻，進行蝕刻以形成暴露部分半導體主動層41的接觸孔。
源極電極/汲極電極43係形成在層間絕緣層33上以透過接觸孔接觸半導體主動層41。鈍化層34係形成以覆蓋源極電極/汲極電極43，而且係被蝕刻以暴露源極電極/汲極電極43之其中一個的部分。絕緣層（圖中未顯示）可進一步形成在鈍化層34上藉此平坦化鈍化層34。
此外，有機發光二極體60係根據電流發出紅色光、綠色光或藍色光來顯示設定或預設影像資訊。有機發光二極體60包含作用為像素電極且安置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61係電性連接至薄膜電晶體40之被暴露的源極電極/汲極電極43。
像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口係形成在像素定義層35中，而含有發光層（EML）的有機層63係形成在開口所定義之區域中。作用為對向電極的第二電極62係形成在有機層63上。
定義個別像素之像素定義層35係以有機材料形成。像素定義層35亦平坦化基板2中形成第一電極61之區域表面，而特別的是，平坦化鈍化層34之表面。
第一電極61與第二電極62係彼此相分隔，且分别地施加相反極性的電壓至有機層63以促使發光。
含有EML的有機層63可用低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。當使用低分子量有機材料時，有機層可有含有電洞注入層（HIL）、電洞傳輸層（HTL）、EML、電子傳輸層（ETL）及/或電子注入層（EIL）的單層結構或多層結構。可用的有機材料之範例，其非為限制，可包含銅酞菁（copper phthalocyanine，CuPc）、N,N'-雙（萘-1-基）-N,N'-二苯基-聯苯胺（N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine，NPB)、以及三-8-羥基喹啉鋁（tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3）。
含有EML的有機層63可使用第1圖至第8圖所繪示之有機層沉積設備1來形成。亦即，有機層沉積設備，其包含有釋出沉積材料的沉積源、安置在沉積源之一側且包含形成其中的複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元、以及面對沉積源噴嘴單元且包含形成其中之複數個圖案化隙縫的圖案化縫片，係與待沉積沉積材料於其上的基板相分隔一設定或預設距離。此外，有機層沉積設備1與基板2彼此相對移動時，從有機層沉積設備1（參見第1圖）釋出的沉積材料係沉積在基板2（參見第1圖）上。
有機層63形成之後，第二電極62可用與形成有機層63相同的沉積方法來形成。
第一電極61可作用為陽極，而第二電極62可作用為陰極。另一選擇，第一電極61可作用為陰極，而第二電極62可作用為陽極。第一電極61可圖案化以對應於個別像素區，而第二電極62可形成以覆蓋所有像素。
第一電極61可形成為透明電極或反射電極。此透明電極可用氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）或氧化銦（In2O3）形成。可用銀（Ag）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）或其化合物形成反射層，並在反射層上形成一層氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅或氧化銦，藉此形成此反射電極。可用例如濺射，形成一層，然後以例如光刻（photolithography），對該層進行圖案化，以形成第一電極61。
第二電極62亦可形成為透明電極或反射電極。當第二電極62形成為透明電極時，第二電極62係用作陰極。在此，可在有機層63之表面上沉積具有低功函數的金屬，例如鋰（Li）、鈣（Ca）、氟化鋰/鈣（LiF/Ca）、氟化鋰/鋁（LiF/Al）、鋁（Al）、銀（Ag）、鎂（Mg）或其化合物，並用氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化銦或其他相似材料形成輔助電極層或匯流電極線，以形成此透明電極。當第二電極62係形成為反射電極時，可在有機層63之全部表面上沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂或其化合物，以形成反射層。第二電極62可使用與形成上述有機層63相同之沉積方法來形成。
根據上述本發明之實施例之有機層沉積設備可應用以形成有機薄膜電晶體之有機層或無機層，而且以各種材料形成複數層。
如上所述，一個或更多個本發明之實施例係提供適合用於大基板大量生產且致能高畫質圖案化的有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法以及使用該方法製造之有機發光顯示裝置。
本發明已參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，此技術領域中的通常知識者將理解的是在未脫離下列的申請專利範圍，與其等效範圍所定義之精神與範籌下形式與細節上的各種改變皆為可行。
1．．．有機層沉積設備
100．．．沉積單元
100-1．．．第一有機層沉積組件
100-2．．．第二有機層沉積組件
100-11．．．第十一有機層沉積組件
101．．．腔室
190．．．沉積源更換單元
200．．．裝載單元
212．．．第一架體
214．．．傳輸室
218．．．第一翻轉室
219．．．緩衝室
300．．．卸載單元
322．．．第二架體
324．．．退頂室
328．．．第二翻轉室
430．．．傳輸單元
500．．．圖案化縫片更換單元

Claims (33)

  1. 一種有機層沉積設備，包含﹕
    一輸送單元，包含用於固定一基板並配置沿著該基板移動的一傳輸單元、用於在一第一方向上移動有該基板固定在上方的該傳輸單元的一第一輸送單元、以及用於在相反於該第一方向的一方向上移動之與已完成沉積之該基板分離的該傳輸單元的一第二輸送單元；以及
    一沉積單元，包含維持在一真空狀態的一腔室以及用於在固定於該傳輸單元上之該基板上沉積一有機層的至少一有機層沉積組件，該傳輸單元包含﹕
    一載體，係包含一非接觸式電源供應器（CPS）模組；以及
    一靜電吸盤，固定地耦接該載體以固定該基板，該傳輸單元係配置以在該第一輸送單元與該第二輸送單元之間循環，以及
    當被該第一輸送單元傳輸時，固定在該傳輸單元上之該基板係與該有機層沉積組件相分隔一設定距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中一充電軌道係在該第二輸送單元中對應於該CPS模組之位置上，致使當該載體在該第二輸送單元中輸送時，在該充電軌道與該CPS模組之間係形成一磁場且一電源以非接觸方式供應至該CPS模組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中該第一輸送單元包含彼此平行形成的一成對之導軌以及耦接該對導軌的複數個引導塊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機層沉積設備，其中一充電軌道係位在該對導軌中對應於該CPS模組之部分上，致使當該載體在該第一輸送單元中輸送時，在該充電軌道與該CPS模組之間形成一磁場且一電源以非接觸方式供應至該CPS模組。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中用於吸附該基板的一鐵吸盤係進一步形成在該靜電吸盤之一側上，而該鐵吸盤係配置以接觸該基板。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係配置以通過該沉積單元。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係分别地彼此平行配置在上方與下方。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，進一步包含﹕
    一裝載單元，用於固定該基板在該傳輸單元上；以及
    一卸載單元，用於將通過該沉積單元時已經完成沉積的該基板與該傳輸單元分離。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機層沉積設備，其中該第一輸送單元係配置以依序地將該傳輸單元輸送進該裝載單元、該沉積單元以及該卸載單元。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之有機層沉積設備，其中該第二輸送單元係配置以依序地將該傳輸單元輸送進該卸載單元、該沉積單元以及該裝載單元。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中該有機層沉積組件包含﹕
    一沉積源，係用於釋出一沉積材料；
    一沉積源噴嘴單元，係位在該沉積源之一側，且包含複數個沉積源噴嘴；以及
    一圖案化縫片，係面向該沉積源噴嘴單元且包含沿著一方向上配置的複數個圖案化隙縫，其中該沉積源係配置以釋出該沉積材料以通過該圖案化縫片而以一特定圖樣沉積在該基板上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機層沉積設備，其中該有機層沉積組件之該圖案化縫片在該第一方向與垂直該第一方向之一第二方向中的至少任何一方向上係形成小於該基板。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中一磁軌係位在該載體之一表面上，每一該第一輸送單元與該第二輸送單元係包含複數個線圈，其中該磁軌與該複數個線圈係結合一起以組成用於產生移動該傳輸單元的驅動力量之一操作單元。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機層沉積設備，其中該第一輸送單元包含複數個導引構件，每一該導引構件包含一容置凹槽，其中個別之該容置凹槽係配置以容置該傳輸單元之兩側，以導引該傳輸單元在該第一方向上移動；以及
    一磁懸浮軸承，係配置以將該傳輸單元在該容置凹槽中懸浮，藉此以不接觸該容置凹槽之方式移動該傳輸單元。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機層沉積設備，其中該磁懸浮軸承包含配置在該載體之兩側表面上的複數個側磁懸浮軸承以及配置在該載體上方的複數個上磁懸浮軸承。
  16. 一種使用在基板上形成有機層的一有機層沉積設備製造一有機發光顯示裝置的方法，該方法包含﹕
    使用安裝以通過一腔室之一第一輸送單元，將一基板固定於其上的一傳輸單元輸送進該腔室，其中該傳輸單元包含一載體，該載體包含﹕
    一非接觸式電源供應器（CPS）模組；以及
    一靜電吸盤，固定地耦接該載體以固定該基板，當該基板以該腔室中的一有機層沉積組件與該基板相分隔一設定距離而相對於該有機層沉積組件移動時，藉由將從該有機層沉積組件釋出的一沉積材料沉積在該基板上以形成一有機層；以及
    藉由使用安裝以通過該腔室的一第二輸送單元，將與該基板分離的該傳輸單元輸送進一裝載單元，其中當在該第一輸送單元對該傳輸單元之輸送、該有機層之形成、及/或該第二輸送單元對該傳輸單元之輸送中輸送該傳輸單元時，該靜電吸盤藉由該CPS模組充電。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中在該靜電吸盤藉由該CPS模組進行充電中，一充電軌道係形成在該第二輸送單元中對應於該CPS模組之位置上，致使當該載體在該第二輸送單元中輸送時，該充電軌道與該CPS模組之間形成一磁場，進而以不接觸之方式供應電源給該CPS模組。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一輸送單元包含彼此平行形成的一成對之導軌、以及耦接該對導軌的複數個引導塊。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中一充電軌道係形成在該對導軌中對應於該CPS模組位置上，致使當該載體在該第一輸送單元中輸送時，該充電軌道與該CPS模組之間形成一磁場，進而以不接觸之方式供應電源給該CPS模組。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該靜電吸盤進一步包含形成在該靜電吸盤之一側以吸附該基板的一鐵吸盤，而該基板接觸該鐵吸盤。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之方法，進一步包含﹕
    在藉由該第一輸送單元輸送該傳輸單元之前，將該基板固定在一裝載單元中的該傳輸單元上；以及
    在藉由該第二輸送單元輸送該傳輸單元之前，在一卸載單元中將沉積已於其上完成的該基板與該傳輸單元分離。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該傳輸單元係在該第一輸送單元與該第二輸送單元之間循環性地移動。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係分别地彼此平行配置在上方與下方。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該有機層沉積組件包含﹕
    一沉積源，係用於釋出一沉積材料；
    一沉積源噴嘴單元，係位在該沉積源之一側，且包含複數個沉積源噴嘴；以及
    一圖案化縫片，係面向該沉積源噴嘴單元且包含沿著垂直於一第一方向的一第二方向上配置的複數個圖案化隙縫，其中從該沉積源釋出的該沉積材料係穿透該圖案化縫片而以一特定圖樣沉積在該基板上。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該有機層沉積組件之該圖案化縫片在該第一方向與該第二方向中的至少任何一方向上係形成小於該基板。
  26. 一種有機發光顯示裝置，包含﹕
    一基板；
    至少一薄膜電晶體，係在該基板上且包含一半導體主動層、與該半導體主動層絕緣的一閘極電極、以及一源極電極與一汲極電極，每一該源極電極與該汲極電極係接觸該半導體主動層；
    複數個像素電極，位在該薄膜電晶體上；複數個有機層，位在該複數個像素電極上；以及
    一對向電極，位在該複數個有機層上，其中在較遠離一沉積區域之中心的該基板上該複數個有機層中的至少之一的斜邊長度係大於在較靠近該沉積區域之中心形成的那些其他有機層之斜邊長度，以及
    其中在該基板上該複數個有機層中的至少之一係為使用申請專利範圍第1項之該有機層沉積設備形成的一線性圖案化有機層。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該基板具有40英寸或大於40英寸之尺寸。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個有機層包含至少一發光層。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個有機層具有非一致的厚度。
  30. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中在較遠離該沉積區域之中心而形成的每一該複數個有機層中，較遠離該沉積區域之中心的斜邊係大於其他斜邊。
  31. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中在該沉積區域中的該複數個有機層中離中心越遠者，離該沉積區域之中心越遠的該複數個有機層中之一者，其二側形成越窄的一重疊區域。
  32. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中安置在該沉積區域之中心的一有機層之斜邊有大致上相同的長度。
  33. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中在該沉積區域中的該複數個有機層係以該沉積區域之中心對稱地配置。
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