CN109983154B - 用于沉积系统中的非接触式运输的载体,用于载体的运输的装置,以及用于运输载体的方法 - Google Patents

用于沉积系统中的非接触式运输的载体,用于载体的运输的装置,以及用于运输载体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109983154B
CN109983154B CN201780054189.4A CN201780054189A CN109983154B CN 109983154 B CN109983154 B CN 109983154B CN 201780054189 A CN201780054189 A CN 201780054189A CN 109983154 B CN109983154 B CN 109983154B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier
transport
sensors
transport direction
detectable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780054189.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109983154A (zh
Inventor
克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼
克莉丝汀·舍巴赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN109983154A publication Critical patent/CN109983154A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109983154B publication Critical patent/CN109983154B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本公开提供了一种用于在沉积系统中非接触式运输的载体(200)。所述载体(200)包括沿所述载体(200)的运输方向(1)设置的一个或多个第一磁体单元(210);以及可检测器件(200),所述可检测器件(200)具有几何轮廓(220),所述几何轮廓(220)布置在所述载体(200)的端部部分处并沿着所述运输方向(1)变化。

Description

用于沉积系统中的非接触式运输的载体,用于载体的运输的 装置,以及用于运输载体的方法
技术领域
本公开的实施方式涉及一种用于沉积系统中的非接触式运输的载体、一种用于载体的非接触式运输的装置,以及一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法。本公开的实施方式具体涉及一种用于保持在有机发光二极管 (OLED)器件的制造中使用的基板和/或掩模的静电吸盘(E吸盘)。
背景技术
用于基板上的层沉积的技术包括例如热蒸镀、物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。经涂覆的基板可用于若干应用和若干技术领域中。例如,经涂覆的基板可用于有机发光二极管(OLED)装置领域中。OLED可以在电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其他手持式装置和类似物的制造中用于显示信息。诸如OLED显示器的OLED装置可包括位于两个电极之间的一层或多层有机材料,所述一层或多层有机材料全部沉积在基板上。
在处理期间,可以将基板支撑在载体上,所述载体被配置为保持所述基板和任选的掩模。可以使用磁力在沉积系统(诸如真空沉积系统)内非接触式地运输载体。对于诸如有机发光器件的应用,沉积在基板上的有机层的纯度和均匀度应该高。此外,使用非接触式运输来处理和运输支撑基板和掩模的载体而不会由于基板破损导致牺牲生产量是具有挑战性的。
鉴于上述,新的、克服本领域中的至少一些问题的用于沉积系统中非接触式运输的载体、用于载体的非接触式运输的装置,以及用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法是有益的。本公开具体地旨在提供可以被在沉积系统(诸如真空沉积系统)中有效且平稳地运输的载体。
发明内容
鉴于上述,提供了一种用于沉积系统中的非接触式运输的载体,一种用于载体的非接触式运输的装置,以及一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法。本公开的其他方面、益处和特征自权利要求、描述和附图显而易见。
根据本公开的一个方面,提供了一种用于沉积系统中的非接触式运输的载体。所述载体包括沿载体的运输方向设置的一个或多个第一磁体单元,以及布置在载体的端部部分处并沿运输方向变化的几何轮廓。
根据本公开的另一方面,提供了一种用于沉积系统中的非接触式运输的载体。所述载体包括沿载体的运输方向设置的一个或多个第一磁体单元,以及在载体的端部部分处的可检测器件,其中所述可检测器件具有沿所述运输方向布置的不同材料的两个或更多个区段。
根据本公开的另一方面,提供了一种用于载体的非接触式运输的装置。所述装置包括引导结构,所述引导结构具有多个主动磁性单元;一个或多个第一传感器;以及根据本公开用于在沉积系统中非接触式运输的载体。
根据本公开的又一方面,提供了一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法。所述方法包括检测沉积系统的传感器与被在运输方向上运输的载体的端部部分处的几何轮廓之间的距离;以及当检测到的距离指示几何轮廓变化时控制沉积系统的至少一个主动磁体单元。
根据本公开的另一方面,提供了一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法。所述方法包括检测在运输方向上运输的载体的端部部分的至少一种材料特性或性质;以及当检测到的所述至少一种材料特性或性质指示材料变化时,控制沉积系统的至少一个主动磁体单元。
根据本公开的另一方面,提供了一种沉积系统。所述系统包括沉积腔室;根据本文所述的实施方式的载体;以及运输布置,所述运输布置被配置用于在沉积腔室中非接触式运输载体。
实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备并且包括用于执行每个所述方法方面的多个设备部分。这些方法方面可以通过硬件部件、由适当软件编程的计算机、通过两者的任何组合或以任何其他方式来执行。此外,根据本公开的实施方式还涉及用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于执行所述设备的每个功能的方法方面。
附图说明
因此,以可以详细地理解本公开的上述特征的方式,可以通过参考实施方式对上述简要概述的本公开进行更具体的描述。附图涉及本公开的实施方式,并在下面描述:
图1示出了载体和引导结构的示意图;
图2A示出了根据本文所述实施方式的用于在沉积系统中非接触式运输的载体的示意图;
图2B示出了根据本文所述的其他实施方式的用于在沉积系统中非接触式运输的载体的示意图;
图3示出了根据本文所述的其他实施方式的用于在沉积系统中非接触式运输的载体的示意图;
图4A和图4B示出了根据本文所述的实施方式的用于载体的非接触式运输的装置的示意图;
图5示出了根据本文所述的实施方式的基板处理系统的示意图;
图6示出了根据本文所述的其他实施方式的基板处理系统的示意图;并且
图7示出了根据本文所述的实施方式的用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的各种实施方式,所述实施方式的一个或多个示例在附图中示出。在附图的以下描述中,相同的附图标记表示相同的部件。通常,仅描述个别实施方式的差异。各示例是通过对本公开的说明提供的,并且并非意味着对本公开的限制。此外,作为一个实施方式的一部分示出或描述的特征可以在其他实施方式上使用或与其他实施方式结合使用以产生另一实施方式。描述旨在包括这样的修改和变化。
载体可以用于沉积系统(诸如真空沉积系统)中,用于在所述沉积系统的沉积腔室内保持和运输基板和/或掩模。例如,可以在基板支撑在载体上时将一个或多个材料层沉积在所述基板上。对于诸如有机发光器件的应用,在基板上沉积的有机层的高纯度和高均匀度可以是有益的。此外,在沉积系统内平稳地运输载体是有益的,例如为了减少基板破损。
根据本公开的实施方式,载体具有可检测器件,所述可检测器件具有变化特性,所述变化特性可以由一个或多个传感器检测到。在一个实施方式中,载体在载体的端部部分出具有变化的(即非恒定的)几何轮廓。在另一个实施方式中,载体具有不同材料或材料性质的区段。沉积系统的运输布置可以检测所述变化,并确定载体,特别是载体的一个或多个端部相对于所述运输布置的位置。可以基于检测到的变化和根据所述变化得出的所述载体或端部的位置,来控制被配置用于载体的非接触式运输的运输布置。例如,可以确定载体的一个或多个边缘的位置,并且可以选择性地控制运输布置的一个或多个主动磁体单元。具体地,可以控制位于载体边缘处和/或所述边缘部分接近的主动磁体单元。可以实现载体在运输方向上的平稳运输。可以减少或甚至避免由于载体的不稳定运输和/或颗粒的产生而导致的基板破损。
图1示出了运输布置的一部分和载体100的示意图,所述运输布置被配置用于在运输方向1上非接触式运输载体100,所述运输方向1可以是水平方向。
运输布置包括引导结构110,所述引导结构110可以是主动引导结构。引导结构110包括多个引导单元111,所述多个引导单元111沿着运输方向布置。每个引导单元111包括(例如,电磁)致动器,诸如主动磁体单元 112;被配置为控制所述致动器的控制器114;以及被配置为测量与载体100 的间隙的距离传感器116。引导结构110可以被配置为使用磁力以使载体 100无接触地悬浮。
当载体100接近或离开引导单元111时,可影响悬浮准确度和/或悬浮稳定性。具体地,当载体100接近或离开引导单元111时,可以产生相当大和/或类似脉冲的力,所述相当大和/或类似脉冲的力可能导致载体100突然加速或减速。所述力可取决于引导结构110的部件的几何布置和构造,特别是多个引导单元111(例如,电磁致动器和传感器)的几何布置和构造。所述力可导致载体100的不希望的和突然的移动,并且甚至可能导致载体100与引导结构110之间的意外机械接触。可能会损坏载体100、基板和/或引导结构110。此外,可能产生颗粒,这会使沉积工艺的品质劣化。
当载体100突然从距离传感器116下方消失时,可能发生在悬浮力方向上的脉冲状力或力变化,特别是在由致动器提供的磁力的方向(例如,竖直方向3)上的脉冲状力或力变化。这可以导致在距离传感器116处的信号值,所述信号值与如果载体在距离(或测量)方向(诸如竖直方向3)上执行远离距离传感器116的快速移动时的信号值相同。换句话说,距离传感器116指示间隙扩大。信号变化可以使控制器强烈地增加致动器力以使“移动中”的载体100恢复到引导结构110与载体100之间的设置距离。
此外,当载体100接近或离开引导单元111时,可以产生沿着运输方向 1的力分量。力分量甚至可以强到足以阻碍载体100的进一步运输。沿着运输方向1的力分量可以源自作用在载体的正面和/或背面(例如,前缘或后缘) 上的致动器的磁阻。这在图1中由载体100背面处的磁力线1示例性地示出。
图2A示出了根据本文所述的实施方式的用于真空系统中的非接触式运输的载体200的示意图。载体200可以避免上面参考图1描述的不希望的移动。
载体200包括磁性结构,所述磁性结构具有沿载体200的运输方向1设置的一个或多个第一磁体单元210。载体200还包括具有几何轮廓220的检测器件,所述几何轮廓220布置在载体200的端部部分处并沿着运输方向1 变化。几何轮廓220可以由真空系统的运输布置的一个或多个第一传感器 118检测,以相对于引导结构的多个引导单元111中的至少一个引导单元确定载体200的位置或载体200的端部的位置。就此而言,几何轮廓220也可以称为“传感器轨迹(sensor trail)”。
载体200被配置为穿过沉积系统的一个或多个腔室(诸如真空腔室)进行非接触式运输,特别是穿过沿着运输路径(诸如线性运输路径)的至少一个沉积区域进行非接触式运输。载体200可以被配置用于在运输方向1上进行非接触式运输,所述运输方向1可以是水平方向。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,沉积系统可包括运输布置,所述运输布置被配置用于载体200在沉积系统中的非接触式悬浮和/或非接触式输送。运输管理可以包括引导结构,所述引导结构用于提供使载体200悬浮的磁悬浮力,以及驱动结构,所述驱动结构用于在运输方向1上移动载体200。载体200的磁性结构的一个或多个第一磁体单元210 可以被配置为与引导结构磁性地相互作用。在一些实施方式中,所述一个或多个第一磁体单元210可以是被动磁体单元,诸如永磁体单元和/或铁磁部件。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,载体200的磁性结构包括一个或多个第二磁体单元(未示出),所述一个或多个第二磁体单元被配置为与用于沿运输方向1移动载体200的驱动结构磁性地相互作用。在一些实施方式中,一个或多个第二磁体单元可以是被动磁体单元,诸如铁磁体。引导结构和驱动结构可以布置在载体200的相对端部或端部部分处。同样地,一个或多个第一磁体单元210和一个或多个第二磁体单元可以布置在载体200的相对端部或端部部分处。
载体200具有端部部分,诸如第一端部部分和与所述第一端部部分相对的第二端部部分。基板可以定位于第一端部部分与第二端部部分之间。第一端部部分可以是顶部(或上部)端部部分,而第二端部部分可以是底部(或下部) 端部部分。第一端部部分和第二端部部分可以基本上平行地延伸,例如,在基本上水平的方向上延伸。几何轮廓220可以设置在第一端部部分和/或第二端部部分处。图2A的示例示例性地示出了在第一端部部分处的几何轮廓 220和一个或多个第一磁体单元210,所述第一端部部分是载体200的顶部或上部端部部分。几何轮廓220和一个或多个第一磁体单元210可面向运输布置的引导结构。一个或多个第二磁体单元可以定位于第二端部部分处,所述第二端部部分可以是载体200的底部或下部端部部分。一个或多个第二磁体单元可以面向运输布置的驱动结构。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,几何轮廓220 例如是在运输方向1上在载体200的整个长度上延伸的元件。载体200的长度可以沿着运输方向1限定,例如沿着运输方向1在载体200的第一端部 201与第二端部202之间限定。
沉积系统,尤其是运输布置,可包括具有多个引导单元111的引导结构。每个引导单元111可包括致动器112,诸如主动磁体单元;控制器 114,所述控制器114被配置为控制所述致动器112;以及第二传感器116,所述第二传感器116被配置为感测或测量所述一个或多个第一磁体单元210 与所述致动器112之间的间隙。可以在垂直于运输方向1的方向(例如竖直方向3)上测量间隙。具体地,例如当载体200位于第二传感器116处时,第二传感器116可以布置成面向一个或多个第一磁体单元210,以感测或测量所述一个或多个第一磁体单元210与致动器112之间的间隙。第二传感器 116可以是距离传感器。
控制器114可以被配置为基于由第二传感器116测量的间隙,来控制致动器112以调节由致动器112提供的磁力。具体地,控制器114可以配置为控制致动器112,使得当载体200被运输通过沉积系统时,一个或多个第一磁体单元210与致动器112之间的距离是基本上恒定的。虽然图2A示例性地示出每个引导单元111具有控制器,但是应当理解,本公开不限于此,并且控制器可以分配给两个或更多个引导单元。例如,可以为所有引导单元提供一个单独的控制器。
引导结构还可包括一个或多个第一传感器118,所述一个或多个第一传感器118被配置为检测可检测器件,例如几何轮廓220。除了一个或多个第二传感器116之外,还可以提供一个或多个第一传感器118。一个或多个第一传感器118可以是距离传感器,所述距离传感器被配置为检测相应的第一传感器与几何轮廓之间的距离,特别是在相应的第一传感器与面向所述第一传感器的几何轮廓的表面之间的距离。可以在垂直于运输方向1的方向(例如竖直方向3)上测量距离。在一些实施方式中,每个引导单元111包括相应的第一传感器以检测几何轮廓220。然而,本公开不限于此,并且第一传感器和第二传感器的功能可以由同一传感器提供。具体地,每个引导单元111 可以仅包括一个传感器,所述传感器组合第一传感器和第二传感器的功能。
可检测器件可由一个或多个第一传感器118检测。在一些实施方式中,例如当可检测器件位于相应第一传感器处(例如,下方)时,可检测器件被布置为面向一个或多个第一传感器118。根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,可检测器件和一个或多个第一磁体单元210可以布置成彼此相邻,例如在平行于运输方向1的平面(诸如基本上水平的面)中彼此相邻。例如,可检测器件可以附接到载体200的磁性结构,所述磁性结构具有一个或多个第一磁体单元210。
在一些实施方式中,相应引导单元111的第一传感器和第二传感器可以布置为彼此相邻,使得第一传感器面向可检测器件,并且第二传感器面向一个或多个第一磁体单元210或在所述一个或多个第一磁体单元210相邻的单独的传感器轨迹,如图2A右侧所示。任选地,引导单元111的致动器可以布置为与第一传感器和第二传感器相邻,使得致动器面向所述一个或多个第一磁体单元210。例如,致动器、第一传感器和第二传感器可以布置在同一平面中,诸如基本上水平的平面中。根据一些实施方式,第一传感器面向由可检测设备提供的第一传感器轨迹,并且致动器面向由一个或多个第一磁体单元210提供的致动器轨迹。第二传感器可以面对第二传感器轨迹,所述第二传感器轨迹可以由一个或多个第一磁体单元210提供或者作为与所述一个或多个第一磁体单元210相邻的单独的传感器轨迹。
几何轮廓220沿着运输方向1在载体200的第一端部201与第二端部 202之间变化。几何轮廓220可以提供在第一端部201与第二端部202之间延伸的第一传感器轨迹。在整个本公开中使用的术语“几何轮廓”是指这样的轮廓或元件,所述轮廓或元件具有在运输方向1上延伸的轮廓,并且在由运输方向1和垂直于运输方向1的至少一个方向(诸如竖直方向3)限定的平面中具有非恒定(或变化的)横截面形状。几何轮廓220当在运输方向1上被观察时,可以限定在载体200的第一端部201(例如,正面或前缘,所述正面或前缘可以在运输方向1上限定载体200的最外边界)与第二端部202(例如,背面或者后缘,所述背面或者后缘可以在与运输方向1相反的方向上限定载体200的最外边界)之间。换句话说,变化的几何轮廓不是指载体200 的第一端部201或第二端部202处的边缘,而是指在第一端部201与第二端部202之间的其他结构变化,所述其他结构变化可以由一个或多个第一传感器118检测。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,几何轮廓220 包括一个或多个形状元件。在一些实施方式中,所述一个或多个形状元件可选自包括以下项的组:凹部、间断、台阶、倾斜部,以及它们的任何组合。例如,几何轮廓220可以是沿着载体200的长度延伸并且具有一个或多个形状元件(诸如一个或多个凹部222)的元件。
在一些实施方式中,一个或多个形状元件布置在载体200的第一端部 201和/或第二端部202处。例如,至少一个第一形状元件可以布置在第一端部201处和/或至少一个第二形状元件可以布置在第二端部202处。所述至少一个第一形状元件和所述至少一个第二形状元件可以基本上相同或可以不同。在图2的示例中,所述至少一个第一形状元件和所述至少一个第二形状元件都是提供几何轮廓220的元件中的凹部。
一个或多个形状元件可以布置在载体200的端部处,使得可以确定载体 200的端部相对于引导结构所位于的位置。可以控制引导单元111的一个或多个主动磁体单元,以提供载体在运输方向上的平稳运输。具体地,可以控制位于载体的边缘处和/或所述边缘接近的致动器。例如,可以连续增大或减小由致动器提供的磁力,以提供载体200的端部在相邻致动器/磁体单元之间的平滑转移。例如,可以减少致动器的操作,以使得当载体200“离开”致动器时所述致动器基本上不对所述载体200施加力。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,引导单元111 的控制器114可在致动器112和/或第二传感器116“离开”载体200上的相应轨迹之前停用致动器112。任选地或替代地,仅在致动器112和/或第二传感器116面向载体200上的相应轨迹之后,引导单元111的控制器114可以激活致动器112。换句话说,在载体200“离开”致动器之前,致动器被停用。同样地,停用的致动器仅在致动器与载体的磁体结构重叠之后才被启动。致动器的启动和/或停用可以是逐步的、连续的或突然的。
根据一些实施方式,一个或多个形状元件中的单个形状元件可具有长度延伸部,所述长度延伸部在运输方向1上沿着几何轮廓220和/或载体200 的长度。单个形状元件的长度延伸部可以对应于几何轮廓220和/或载体200 的长度的至少1%,特别地是所述长度的至少4%,特别地是所述长度的至少8%。
载体200可以被配置为保持在基板处理(诸如真空处理)期间使用的基板和/或掩模(未示出)。在一些实施方式中,载体200可被配置为支撑基板和掩模两者。在其他实施方式中,载体200可以被配置为支撑基板或掩模。在此类情况下,载体200可以分别被称为“基板载体”和“掩模载体”。
载体200可包括提供支撑表面的支撑结构或主体205,所述支撑表面可以是基本上平坦的表面,所述支撑表面被配置用于接触例如基板的背表面。具体地,基板可以具有前表面(也称为“处理表面”),所述前表面与所述背表面相对并且在处理(诸如真空沉积工艺)期间在所述前表面上沉积层。几何轮廓220可以设置在主体205处。
在整个本公开中使用的术语“真空”可以理解为具有小于例如10mbar 的真空压力的技术真空的含义。真空腔室中的压力可以在10-5mbar与约10-8mbar之间,特别地在10- 5mbar与10-7mbar之间,以及更特别地在约10-6mbar与约10-7mbar之间。可以提供连接到真空腔室的一个或多个真空泵,诸如涡轮泵和/或低温泵,以用于在真空腔室内产生真空。
根据本公开的载体200可以是静电吸盘(E吸盘),所述静电吸盘提供用于将基板和/或掩模保持在载体200处的静电力。例如,载体200包括电极布置,所述电极布置被配置为提供作用于基板和掩模中的至少一者上的吸引力。电极布置可以嵌入主体205中,或者可以设置(例如放置)在主体205 上。根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,主体205是电介质主体,诸如电介质板。电介质主体可以由电介质材料制成,优选地是高热导率电介质材料,诸如热解氮化硼、氮化铝、氮化硅、氧化铝或等效材料,但也可以由诸如聚酰亚胺的材料制成。在一些实施方式中,电极布置包括放置在电介质板上并覆盖有薄电介质层的多个电极,诸如细金属条栅格。
电极布置,特别是多个电极,可以被配置为提供吸引力,诸如吸持力。吸引力可以是作用于在多个电极(或支撑表面)与基板和/或掩模之间的特定相对距离处的基板和/或掩模上的力。吸引力可以是由施加到多个电极布置的电压提供的静电力。
基板可以由载体200提供的吸引力朝向支撑表面(例如,在垂直于运输方向的方向上)吸引,所述载体200可以是E吸盘。吸引力可以强到足以通过摩擦力将基板保持在例如竖直位置。具体地,吸引力可以被配置为将基板固定在基本上不可移动的支撑表面上。例如,为了使用摩擦力将0.5mm的玻璃基板保持在竖直位置,可以取决于摩擦系数而使用约50N/m2至 100N/m2(Pa)的吸引压力。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,载体200被配置用于以基本上竖直的取向保持或支撑基板和/或掩模。具体地,载体可以被配置为在竖直取向上运输。如在整个本公开中所使用的,特别是当涉及基板取向时,“基本上竖直”应理解为允许从竖直方向或取向偏离±20°或更低,例如±10°或更低。可以提供这种偏差,例如因为与竖直取向具有一定偏离的基板支撑可以产生更稳定的基板位置。此外,当基板向前倾斜时,更少的颗粒到达基板表面。然而,基板取向例如在沉积工艺期间被认为是基本上竖直的,基本上竖直的被认为与水平基板取向不同,水平基板取向可以被认为是水平±20°或更低。
术语“竖直方向”或“竖直取向”被理解为区分“水平方向”或“水平取向”。也就是说,“竖直方向”或“竖直取向”涉及例如载体和基板的基本上竖直的取向,其中从精确竖直方向或竖直取向偏离几度,例如至多 10°或甚至至多15°,仍被视为是“基本上竖直的方向”或“基本上竖直的取向”。竖直方向可以基本上平行于重力。
在此所述的实施方式可以用于大面积基板上的蒸镀,例如,用于OLED 显示器制造。具体地,提供根据本文所述的实施方式的结构和方法所针对的基板是大面积基板。例如,大面积基板或载体可以是对应于约0.67m2 (0.73m×0.92m)的表面积的GEN 4.5,对应于约1.4m2(1.1m×1.3m)的表面积的GEN 5,对应于4.29m2(1.95m×2.2m)的表面积的GEN7.5,对应于约 5.7m2(2.2m×2.5m)的表面积的GEN 8.5,或者甚至对应于约8.7m2(2.85m×3.05m)的表面积的GEN 10。可以类似地实现甚至更大的代数(诸如GEN 11 和GEN 12)以及相应的表面面积。在OLED显示器制造中也可以提供GEN 代数的一半大小。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,基板厚度可为0.1至1.8mm。基板厚度可为约0.9mm或更小,诸如0.5mm。如本文所用的术语“基板”可以特别包括基本上非柔性的基板,例如晶片、透明晶体的切片(例如蓝宝石或类似物)或玻璃板。然而,本公开不限于此,并且术语“基板”还可以涵盖柔性基板,诸如卷材或箔。术语“基本上非柔性的”应理解为区别于“柔性的”。具体地,基本上非柔性的基板可以具有一定程度的柔性,例如厚度为0.9mm或更小(诸如0.5mm或更小)的玻璃板,其中与柔性基板相比,基本上非柔性的基板的柔性较小。
根据本文所述实施方式,基板可以由适合于材料沉积的任何材料制成。例如,基板可由选自由以下项组成的组的材料制成:玻璃(例如钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃和类似物)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料或任何其他材料或这些材料的组合,这些材料可以通过沉积工艺进行涂布。
图2B示出了根据本文所述的其他实施方式的用于系统(诸如真空系统) 中的非接触式运输的载体200’的示意图。图2B的载体200’类似于图2A 的载体,并且不再重复对类似或相同方面的描述。
载体200'包括位于载体200'的端部部分处的可检测器件220’,其中可检测器件220'具有沿着运输方向1布置的两个或更多个区段222'。所述两个或更多个区段222'具有不同的性质,诸如不同的磁性性质、不同的光学性质和/或不同的电气性质。在一些实施方式中,所述两个或更多个区段222'可由不同材料制成以提供不同的性质。在其他实施方式中,所述两个或更多个区段222'可以由基本上相同的材料制成,所述基本上相同的材料被配置为提供不同的性质。例如,磁性材料可以被不同地磁化,以便提供两个或更多个区段222'。可检测器件220'可以由真空系统的运输布置的一个或多个第一传感器118检测,以相对于引导结构的多个引导单元111中的至少一个引导单元确定载体200的位置或载体200的端部的位置。就此而言,可检测器件 220’也可以称为“传感器轨迹(sensor trail)”。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,可检测器件 220'在运输方向1上在载体200的整个长度上延伸。载体200’的长度可以沿着运输方向1限定,例如沿着运输方向1在载体200’的第一端部201与第二端部202之间限定。
在一些实施方式中,两个或更多个区段222'可以为不同的材料并且可以包括至少一个具有磁性材料的第一区段和至少一个具有非磁性材料的第二区段。一个或多个第一传感器118可以是被配置为检测磁性材料的霍尔传感器。例如,当一个或多个第一传感器118检测到可以位于载体200'的边缘处的磁性材料时,可以确定载体的边缘接近或离开引导单元。然而,本公开不限于磁性配置。可以使用光学和/或电气配置,前提条件是一个或多个第一传感器118可以检测两个或更多个区段之间的差异。
引导结构还可包括一个或多个第一传感器118,所述一个或多个第一传感器118被配置为检测可检测装置,例如磁体材料。除了一个或多个第二传感器116之外,还可以提供一个或多个第一传感器。一个或多个第一传感器118可以是被配置为检测源自磁性材料的磁场的霍尔传感器。在一些实施方式中,例如当可检测器件220’位于相应第一传感器处(例如,下方)时,所述可检测器件被布置为面向一个或多个第一传感器118。根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,可检测器件和一个或多个第一磁体单元210可以布置成彼此相邻,例如在平行于运输方向1的平面(诸如基本上水平的面)中彼此相邻。例如,可检测器件220’可以附接到载体200的磁性结构,所述磁性结构具有一个或多个第一磁体单元210。
可检测器件220'沿着运输方向1在载体200'的第一端部201与第二端部 202之间提供变化的光学特性(例如,亮度、颜色或条形码)、变化的材料特性如磁性性质,或变化的电气特性(例如,不同的电感和/或电阻性质)。可检测器件220’可以提供在第一端部201与第二端部202之间延伸的第一传感器轨迹。
可检测器件220'包括沿运输方向1布置的两个或更多个区段222'。所述两个或更多个区段222'可包括至少一个具有第一材料性质的第一区段和至少一个具有不同于第一材料性质的第二材料性质的第二区段。材料性质可以是光学性质、电气性质或磁性性质。所述至少一个第一区段可以布置在第一端部和/或第二端部处。例如,每个端部可以具有相应的第一区段。至少一个第二区段可以布置在两个第一区段之间。至少一个第二区段可以例如在载体的中间部分上方延伸。
根据一些实施方式,具有磁性材料的每个第一区段可具有长度延伸部,所述长度延伸部在运输方向1上沿着可检测器件220'和/或载体200'的长度。第一区段的长度延伸部可以对应于可检测器件220'和/或载体200的长度的至少1%,特别地是所述长度的至少4%,特别地是所述长度的至少 8%。
图3示出了根据本文所述的其他实施方式的用于真空系统中的非接触式运输的载体300的示意图。图3的载体3003类似于图2A和图2B中所示的载体,并且不再重复对类似或相同元件的描述。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,几何轮廓包括一个或多个形状元件。在图3的示例中,一个或多个形状元件是倾斜部 322。
在一些实施方式中,倾斜部322可以是载体300的表面,所述表面相对于运输方向1倾斜。例如,倾斜部322可以相对于水平面倾斜。在一些实施方式中,倾斜部322布置在载体200的第一端部201和/或第二端部202 处。例如,至少一个第一倾斜部可以布置在第一端部201处,和/或至少一个第二倾斜部可以布置在载体的第二端部202处。所述至少一个第一倾斜部和所述至少一个第二倾斜部可以在相反方向上倾斜。具体地,所述至少一个第一倾斜部和所述至少一个第二倾斜部可以是镜像对称的。
当载体300在运输方向1上移动时,第一传感器可以检测倾斜部322。由第一传感器检测的在第一传感器与倾斜部322之间的距离取决于运输方向 1和/或倾斜方向而增大或减小。可以控制引导单元111的一个或多个主动磁体单元,以提供载体300在运输方向上的平稳运输。具体地,可以控制位于倾斜部处的致动器。例如,由致动器提供的磁力可以基于由倾斜部提供的变化距离而连续地增大或减小,以提供载体的端部在相邻致动器/磁体单元之间的的平滑转移。具体地,在图3中,在载体300左侧上的倾斜部可以导致在第一传感器处的检测信号,所述检测信号与如果载体向上移动时的检测信号相同。控制器可以例如通过减小致动器电流来减小致动器力,使得当载体“离开”致动器时左侧上的致动器不对所述载体施加悬浮力。
在图2的示例中,所述一个或多个第一传感器和所述引导结构布置在几何轮廓的同一侧上。在其他示例中,例如如图3所示,所述一个或多个第一传感器和所述引导结构可以布置在几何轮廓的相对侧上。具体地,所述一个或多个第一传感器和所述引导结构可以被布置为在它们之间限定用于载体的磁体结构的引导空间。例如,引导结构,特别是致动器,可以位于载体300 的一个或多个第一磁体单元210上方,并且一个或多个第一传感器118可以位于载体300的一个或多个第一磁体单元210下方。
图4A和图4B示出了根据本文所述的实施方式的用于载体410的非接触式运输的装置400的示意图。可以根据本文所述的实施方式来配置载体 410。
装置400包括具有引导结构470的运输布置,所述引导结构470包括多个主动磁性单元475、用于检测几何轮廓的一个或多个第一传感器(未示出),以及根据本公开的载体410。所述一个或多个第一传感器可以被配置为检测所述一个或多个第一传感器与载体410的几何轮廓之间的距离。装置 400还可包括控制器,所述控制器被配置为基于由一个或多个第一传感器提供的检测数据而选择性地控制多个主动磁体单元475中的至少一个主动磁体单元。根据本文所述的一些实施方式,运输布置可以布置在真空系统的真空腔室中。真空腔室可以是真空沉积腔室。然而,本公开不限于真空系统,并且本文所述的载体和运输布置可以在大气环境中实施。
载体410可包括一个或多个第一磁体单元,所述一个或多个第一磁体单元被配置为与真空系统的引导结构470磁性地相互作用,以提供用于使载体 410悬浮的磁悬浮力。一个或多个第一磁体单元可以是第一被动磁性单元 450。引导结构470可以在载体410的运输方向1上延伸,所述运输方向1 可以是水平方向。引导结构470可包括多个主动磁性单元475。载体410可以是沿着引导结构470可移动的。第一被动磁性单元450(例如铁磁材料条)和引导结构470的多个主动磁性单元475可被配置用于提供用于使载体410 悬浮的第一磁悬浮力。如本文所述的用于悬浮的设备是用于提供用于使例如载体410悬浮的非接触力的设备。
根据一些实施方式,运输布置还可包括驱动结构480。驱动结构480可包括多个另外的磁体单元,诸如另外的主动磁性单元。载体410可包括一个或多个第二磁体单元,所述一个或多个第二磁体单元被配置为与驱动结构 480磁性地相互作用。具体地,所述一个或多个第二磁体单元可以是第二被动磁性单元460,例如铁磁材料条,以与驱动结构480的另外的主动磁性单元485相互作用。
图4B示出了运输布置的另一侧视图。在图4B中,示出了多个主动磁性单元475中的一个主动磁性单元。所述主动磁性单元提供与载体410的第一被动磁性单元450相互作用的磁力。例如,第一被动磁性单元450可以是铁磁材料棒。棒可以是载体410的连接到支撑结构412的部分。支撑结构 412可以由载体410的主体提供。棒或第一被动磁性单元也可以分别与用于支撑基板10的支撑结构412一体成型。几何轮廓可以附接到第一被动磁性单元450,或者可以由第一被动磁性单元450提供。载体410还可包括第二被动磁性单元460,例如另一棒。所述另一棒可以连接到载体410。所述棒或所述第二被动磁性单元也可以分别与支撑结构412一体成型。
术语“被动”磁性单元在此用于区别于“主动”磁性单元的概念。被动磁性单元可以指至少在运输布置的操作期间不受主动控制或调节的具有磁性性质的元件。例如,被动磁性单元(例如载体的所述棒或所述另一个棒)的磁性性质在载体移动通过真空腔室或真空系统期间一般不受主动控制。根据可与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式,运输布置的控制器不被配置为控制被动磁性单元。被动磁性单元可经调适用于产生磁场,例如静态磁场。被动磁性单元可以不被配置用于产生可调节的磁场。被动磁性单元可以是磁性材料,诸如铁磁材料、永磁体,或可以具有永磁性质。
根据本文描述的实施方式,多个主动磁性单元475在第一被动磁性单元 450上提供磁力,从而在载体410上提供磁力。多个主动磁性单元475使载体410悬浮。另外的主动磁性单元485可以在真空腔室内,例如沿着运输方向1驱动载体410。所述多个另外的主动磁性单元485形成驱动结构,以用于当载体410由位于所述载体410上方的多个主动磁性单元475悬浮时在运输方向1上移动所述载体410。所述另外的主动磁性单元485可以与第二被动磁性单元460相互作用以沿着运输方向1提供力。例如,第二被动磁性单元460可包括以交替极性布置的多个永磁体。所产生的第二被动磁性单元 460的磁场可以与所述多个另外的主动磁性单元485相互作用,以在载体 410悬浮时移动载体410。
为了使用多个主动磁性单元475来使载体410悬浮和/或使用多个另外的主动磁性单元485来使载体410移动,可以控制主动磁性单元以提供可调节的磁场。所述可调节的磁场可以是静态磁场或动态磁场。根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式,主动磁性单元被配置用于产生磁场,以用于提供沿竖直方向3延伸的磁悬浮力。根据可以与本文描述的其他实施方式组合的其他实施方式,主动磁性单元可以被配置用于提供沿着横向方向延伸的磁力。如本文所述的主动磁性单元可以是或包括选自由以下项组成的组的元件:电磁设备、螺线管、线圈、超导磁体,或它们的任何组合。
本文所述的实施方式涉及载体、基板和/或掩模的非接触式悬浮、运输和/或对准。本公开涉及一种载体,所述载体可包括由以下项组成的组中的一种或多种元件:正在支撑基板的载体,不具有基板的载体,基板,或由支撑件支撑的基板。在整个本公开中使用的术语“非接触”可以被理解为以下含义:例如载体和基板的重量不是由机械接触或机械力保持,而是由磁力保持。具体地,使用磁力而不是机械力将载体保持在悬浮或浮动状态。例如,在此所述的运输布置可以不具有支撑载体重量的机械设备,例如机械轨道。在一些实施方式中,在载体在真空系统中悬浮和例如移动期间,载体与装置的其余部分之间完全不存在机械接触。
根据本公开的实施方式,悬浮是指物体的状态,其中物体在没有机械接触或机械支撑的情况下漂浮。此外,移动物体是指提供驱动力,例如在与悬浮力的方向不同的方向上的力,其中所述物体从一个位置移动到另一不同的位置。例如,诸如载体的物体可以被悬浮,即由抵抗重力的力悬浮,并且可以在被悬浮时被在与平行于重力的方向不同的方向上移动。
根据本文所述的实施方式的载体的非接触悬浮和运输是有益的,因为在载体的运输或对准期间,不会由于载体与运输布置的区段(诸如机械轨道)之间的机械接触而产生颗粒。因此,本文所述的实施方式提供了沉积在基板上的层的改善的纯度和均匀度,具体地是因为当使用非接触悬浮、运输和/或对准时颗粒产生被最小化。
图5示出了根据本文所述的实施方式的基板处理系统500。可以是真空系统的系统500可以被配置用于在基板10上沉积一个或多个层,例如一个或多个有机材料层。
系统500包括沉积腔室,诸如真空腔室502;根据本文所述的实施方式的载体520,以及运输布置510,所述运输布置510被配置用于在沉积腔室中运输载体520。在一些实施方式中,系统500包括在沉积腔室中的一个或多个材料沉积源580。载体520可以被配置为在沉积工艺(诸如真空沉积工艺)期间保持基板10和任选的掩模20。系统500可以被配置用于蒸镀例如用于制造OLED装置的有机材料。在另一个示例中,系统500可以被配置用于CVD或PVD,诸如溅射沉积。
在一些实施方式中,一个或多个材料沉积源580可以是蒸镀源,特别是用于在基板上沉积一种或多种有机材料以形成OLED装置的层的蒸镀源。可以沿着运输路径(诸如线性运输路径)将用于例如在层沉积工艺期间支撑基板10的载体520运输到沉积腔室中并穿过沉积腔室,特别是穿过沉积区域。
可以将材料从一个或多个材料沉积源580沿发射方向朝向待涂覆的基板 10所位于的沉积区域发射。例如,一个或多个材料沉积源580可以提供具有多个开口和/或喷嘴的线源,所述多个开口和/或喷嘴布置在沿着所述一个或多个材料沉积源580的长度的至少一条线中。可以通过所述多个开口和/ 或喷嘴来喷射材料。
如图5所示,可以在真空腔室502附近设置另外的腔室。真空腔室502 可以通过具有阀壳体504和阀单元506的阀而与相邻的腔室分开。在将上面具有基板10的载体520如箭头所示插入真空腔室502之后,可以关闭阀单元506。真空腔室502中的气氛可以通过例如使用连接到真空腔室502的真空泵产生技术真空来单独控制。
根据一些实施方式,载体520和基板10在沉积材料的沉积期间是静态的或动态的。根据本文所述的一些实施方式,可以提供动态沉积工艺,例如用于制造OLED器件。
在一些实施方式中,系统500可包括延伸穿过真空腔室502的一个或多个运输路径。载体520可以被配置用于沿着一个或多个运输路径运输,例如经过一个或多个材料沉积源580。尽管在图5中用箭头示例性地指示了一条运输路径,但是应当理解,本公开不限于此,并且可以提供两条或更多条运输路径。例如,至少两条运输路径可以布置为基本上彼此平行,以便运输相应的载体。一个或多个材料沉积源580可以布置在所述两个运输路径之间。
图6示出了根据本文所述的其他实施方式的用于处理(诸如真空处理)基板10的系统600的示意图。
系统600包括两个或更多个处理区域和根据本公开的运输布置660,所述运输布置660被配置用于将支撑基板10和可选的掩模的载体601顺序地运输到两个或更多个处理区域。例如,运输布置660可以被配置用于沿着运输方向1运输载体601穿过两个或更多个用于基板处理的处理区域。换句话说,同一载体用于运输基板10穿过多个处理区域。具体地,在一个处理区域中的基板处理和一个后续处理区域中的基板处理之间不从载体601上取下基板10,即对于两个或更多个基板处理过程,基板停留在同一载体上。根据一些实施方式,可以根据本文所述的实施方式来配置载体601。任选地或替代地,运输布置660可以如关于例如图4A和4B所描述的那样配置。
如图6中所例示,所述两个或更多个处理区域可包括第一沉积区域608 和第二沉积区域612。任选地,可以在第一沉积区域608与第二沉积区域612之间提供转移区域610。多个区域,诸如所述两个或更多个处理区域和所述转移区域,可以设置在一个真空腔室中。或者,多个区域可以设置在彼此连接的不同真空腔室中。例如,每个真空腔室可以提供一个区域。具体地,第一真空腔室可以提供第一沉积区域608,第二真空腔室可以提供转移区域610,并且第三真空腔室可以提供第二沉积区域612。在一些实施方式中,第一真空腔室和第三真空腔室可称为“沉积腔室”。第二真空腔室可以称为“处理腔室”。可以在图6的示例中示出的区域附近设置另外的真空腔室或区域。
真空腔室或区域可以通过具有阀壳体604和阀单元605的阀与相邻区域分开。在将上面具有基板10的载体601插入某一区域(诸如第二沉积区域 612)之后,可以关闭阀单元605。区域中的气氛可以通过以下方式来单独控制:例如使用连接到所述区域的真空泵产生技术真空,和/或通过将一种或多种处理气体例如插入第一沉积区域608和/或第二沉积区域中。可以提供诸如线性运输路径的运输路径,以便将上面具有基板10的载体601运输到所述区域中、运输穿过所述区域,以及运输离开所述区域。运输路径可以至少部分地延伸穿过两个或更多个处理区域,诸如第一沉积区域608和第二沉积区域612,并且任选地穿过转移区域610。
系统600可以包括转移区域610。在一些实施方式中,可以省略转移区域610。转移区域610可以由旋转模块、中转模块或它们的组合提供。图6 示出了旋转模块和中转模块的组合。在旋转模块中,轨道布置和布置在所述轨道布置上的多个)载体可以围绕旋转轴(诸如竖直旋转轴)旋转。例如,(多个)载体可以从系统600的左侧转移到系统600的右侧,反之亦然。运输模块可以包括交叉轨道,以使得(多个)载体可以经由运输模块在不同的方向(例如,彼此垂直的方向)上转移。
在诸如第一沉积区域608和第二沉积区域612的沉积区域内,可以提供一个或多个沉积源。例如,可以在第一沉积区域608中提供第一沉积源 630。可以在第二沉积区域612中提供第二沉积源650。一个或多个沉积源可以是蒸发源,所述蒸发源被配置用于在基板10上沉积一个或多个有机层以形成用于OLED器件的有机层堆叠。
图7示出了根据本文所述的实施方式的用于在诸如真空系统的沉积系统中非接触式运输载体的方法700的流程图。方法700可以利用根据本公开的载体、装置和系统。
所述方法700包括在框710中检测沉积系统的传感器与被在运输方向上运输的载体的端部部分处的几何轮廓之间的距离;以及在框720中当检测到的距离指示几何轮廓变化时控制真空系统的至少一个主动磁体单元。在一些实施方式中,当检测到的距离指示几何轮廓变化时,所述方法可以确定例如载体的端部在真空系统中的位置。
当载体300在运输方向1上移动时,距离由于几何轮廓的变化而变化。例如,距离传感器与几何轮廓的倾斜部之间的距离取决于运输方向1和/或倾斜方向而增大或减小。在一个实施方式中,当距离传感器与几何轮廓之间的距离减小时,可以减小流过至少一个主动磁体单元的电流。此外,当距离传感器与几何轮廓之间的距离增加时,可以增加流过至少一个主动磁体单元的电流。然而,本公开不限于此,并且可以基于要减小或避免的非预期力来增大或减小电流。
在另一实施方式中,例如如果如图3的示例中所示传感器布置在几何轮廓下方,则当距离传感器与几何轮廓之间的距离增加时,可以减小流过至少一个主动磁体单元的电流。此外,当距离传感器与几何轮廓之间的距离减小时,可以增加流过至少一个主动磁体单元的电流。
根据另一方面,一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法包括检测被在运输方向上运输的载体的端部部分的至少一种材料特性或性质,以及当检测到的所述至少一种材料特性或性质指示变化(诸如材料变化和/或磁性变化、电气变化或光学变化)时控制沉积系统的至少一个主动磁体单元。至少一种材料特性或性质可以是磁性特性、光学特性或电气特性。在一些实施方式中,所述方法可以在端部接近或离开引导单元时检测布置在载体的一个或多个端部处的磁性材料。可以选择性地控制引导单元,以在相邻的引导单元之间提供载体的平滑转移。
根据本文描述的实施方式,用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法可以使用计算机程序、软件、计算机软件产品和相互关联的控制器来进行,所述相互关联的控制器可以具有与所述载体、装置和/或系统的相应部件通信的CPU、存储器、用户界面和输入输出设备。
根据本公开的实施方式,载体具有具有变化特性的可检测器件,所述可检测器件可以由一个或多个传感器检测到。在一个实施方式中,载体在载体的端部部分出具有变化的(即非恒定的)几何轮廓。在另一个实施方式中,载体具有具有不同性质的区段,诸如不同材料的区段。沉积系统的运输布置可以检测所述变化,并确定载体,特别是载体的一个或多个端部相对于所述运输布置的位置。可以基于检测到的变化和根据载体或根据所述变化得出的所述载体或端部的位置,来控制被配置用于载体的非接触式运输的运输布置。例如,可以确定载体的一个或多个边缘的位置,并且可以选择性地控制运输布置的一个或多个主动磁体单元。具体地,可以控制位于载体边缘处和/或所述边缘部分接近的主动磁体单元。可以实现载体在运输方向上的平稳运输。可以减少或甚至避免由于载体的不稳定运输和/或颗粒的产生而导致的基板破损。
虽然前述内容涉及本公开的实施方式,但是可以在不脱离本公开的基本范围的情况下设计本公开的其他和进一步的实施方式,并且本公开的范围由所附权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种用于沉积系统中的非接触式运输的载体,所述载体包括:
一个或多个第一磁体单元,所述一个或多个第一磁体单元沿所述载体的运输方向设置,以及
可检测器件,所述可检测器件具有几何轮廓,所述几何轮廓布置在所述载体的端部部分处并沿着所述运输方向变化,其中所述可检测器件可由所述沉积系统的一个或多个第一传感器检测,从而可确定所述载体的一个或多个端部的位置。
2.根据权利要求1所述的载体,其中所述可检测器件被布置为面向所述一个或多个第一传感器。
3.根据权利要求1所述的载体,其中所述可检测器件在所述运输方向上在所述载体的整个长度上延伸。
4.根据权利要求1所述的载体,其中所述几何轮廓包括一个或多个形状元件。
5.根据权利要求4所述的载体,其中所述一个或多个形状元件选自由以下项组成的组:凹部、间断、台阶、倾斜部,以及它们的任何组合。
6.根据权利要求5所述的载体,其中所述倾斜部是相对于所述运输方向倾斜的表面。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的载体,其中所述载体包括沿着所述运输方向的第一端部和第二端部,所述第二端部与所述第一端部相对,其中所述一个或多个形状元件布置在所述第一端部和/或所述第二端部处。
8.根据权利要求1所述的载体,其中所述几何轮廓包括一个或多个形状元件,所述一个或多个形状元件布置在所述载体的第一端部处和/或所述载体的与所述第一端部相对的第二端部处,从而可确定所述载体的所述第一端部和/或所述第二端部的位置。
9.一种用于沉积系统中的非接触式运输的载体,所述载体包括:
一个或多个第一磁体单元,所述一个或多个第一磁体单元沿所述载体的运输方向设置,以及
可检测器件,所述可检测器件在所述载体的端部部分处,其中所述可检测器件具有沿着所述运输方向布置的两个或更多个具有不同材料特性的区段,其中所述可检测器件可由所述沉积系统的一个或多个第一传感器检测,从而可确定所述载体的一个或多个端部的位置。
10.根据权利要求9所述的载体,其中所述可检测器件被布置为面向所述一个或多个第一传感器。
11.根据权利要求9所述的载体,其中所述可检测器件在所述运输方向上在所述载体的整个长度上延伸。
12.根据权利要求9所述的载体,其中所述两个或更多个区段包括至少一个具有第一材料性质的第一区段和至少一个具有第二材料性质的第二区段,其中所述第一材料性质和所述第二材料性质是磁性性质、电气性质或光学性质。
13.根据权利要求12所述的载体,其中所述载体包括沿着所述运输方向的第一端部和第二端部,所述第二端部与所述第一端部相对,其中所述至少一个第一区段布置在所述第一端部处。
14.一种用于载体的非接触式运输的装置,所述装置包括:
引导结构,所述引导结构具有多个主动磁性单元;
一个或多个第一传感器;
根据权利要求1或权利要求9所述的载体。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述一个或多个第一传感器被配置为检测所述一个或多个第一传感器与所述载体的所述几何轮廓之间的距离。
16.根据权利要求14所述的装置,其中所述一个或多个第一传感器是被配置为检测所述可检测器件的磁性材料的霍尔传感器。
17.如权利要求14所述的装置,其中:
所述一个或多个第一传感器和所述引导结构被布置在所述几何轮廓的相对侧上。
18.如权利要求14所述的装置,其中所述一个或多个第一传感器和所述引导结构布置在所述几何轮廓的同一侧上。
19.一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法,所述载体包括可检测器件,所述可检测器件具有几何轮廓,所述几何轮廓布置在所述载体的端部部分处并沿着运输方向变化,所述方法包括:
检测所述沉积系统的传感器与被在所述运输方向上运输的所述载体的所述端部部分处的所述几何轮廓之间的距离;以及
当所述检测到的距离指示所述几何轮廓变化时,控制所述沉积系统的至少一个主动磁体单元,
其中所述可检测器件可由所述沉积系统的一个或多个第一传感器检测,从而可确定所述载体的一个或多个端部的位置。
20.一种用于在沉积系统中非接触式运输载体的方法,所述载体包括可检测器件,所述可检测器件在所述载体的端部部分处,其中所述可检测器件具有沿着运输方向布置的两个或更多个具有不同材料特性的区段,所述方法包括:
检测被在所述运输方向上运输的所述载体的所述端部部分处的所述可检测器件的至少一种材料性质;以及
当所述检测到的至少一种材料性质指示变化时,控制所述沉积系统的至少一个主动磁体单元,
其中所述可检测器件可由所述沉积系统的一个或多个第一传感器检测,从而可确定所述载体的一个或多个端部的位置。
CN201780054189.4A 2017-10-27 2017-10-27 用于沉积系统中的非接触式运输的载体,用于载体的运输的装置,以及用于运输载体的方法 Active CN109983154B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/077641 WO2019081043A1 (en) 2017-10-27 2017-10-27 CONTACTLESS TRANSPORT MEDIUM IN DEPOSIT SYSTEM, CONTACTLESS TRANSPORT APPARATUS FOR SUPPORT AND METHOD FOR CONTACTLESS TRANSPORT OF SUPPORT IN DEPOSIT SYSTEM

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109983154A CN109983154A (zh) 2019-07-05
CN109983154B true CN109983154B (zh) 2021-11-26

Family

ID=60201561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780054189.4A Active CN109983154B (zh) 2017-10-27 2017-10-27 用于沉积系统中的非接触式运输的载体,用于载体的运输的装置,以及用于运输载体的方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2020500255A (zh)
KR (1) KR102166910B1 (zh)
CN (1) CN109983154B (zh)
TW (1) TW201932393A (zh)
WO (1) WO2019081043A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022142568A (ja) 2021-03-16 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置及び基板を搬送する方法
US20230085667A1 (en) * 2021-09-22 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate transfer systems and methods of use thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1996567A (zh) * 2006-01-06 2007-07-11 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法和计算机程序
CN203307430U (zh) * 2013-06-24 2013-11-27 芜湖真空科技有限公司 一种真空镀膜机的台车位置检测装置
CN104018130A (zh) * 2013-12-16 2014-09-03 湘潭宏大真空技术股份有限公司 一种真空镀膜生产线

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5360470A (en) * 1992-07-06 1994-11-01 Fujitsu Limited Magnetic levitating transporting apparatus with a movable magnetic unit
KR100639004B1 (ko) * 2005-01-05 2006-10-26 삼성에스디아이 주식회사 트레이의 감지 및 이송장치
KR101203890B1 (ko) * 2009-02-23 2012-11-23 디씨티 주식회사 이송 시스템
KR101386685B1 (ko) * 2012-04-20 2014-04-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102015872B1 (ko) * 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101959974B1 (ko) * 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
DE102013011873B4 (de) * 2013-07-17 2015-10-08 Mecatronix Ag Positioniervorrichtung und Verfahren zum Bewegen eines Substrats
EP2840600B1 (en) * 2013-08-22 2023-04-12 Robert Bosch GmbH Process station for a machine as well as control device and control method for controlling a movement in a process of a machine
KR20150052996A (ko) * 2013-11-07 2015-05-15 삼성디스플레이 주식회사 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
DE102014003882B4 (de) * 2014-03-19 2017-07-13 Applied Materials, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Transportvorrichtung zum Bewegen und/oder Positionieren von Objekten
WO2017032395A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for transportation of a substrate, apparatus for vacuum processing of a substrate, and method for maintenance of a magnetic levitation system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1996567A (zh) * 2006-01-06 2007-07-11 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法和计算机程序
CN203307430U (zh) * 2013-06-24 2013-11-27 芜湖真空科技有限公司 一种真空镀膜机的台车位置检测装置
CN104018130A (zh) * 2013-12-16 2014-09-03 湘潭宏大真空技术股份有限公司 一种真空镀膜生产线

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190047659A (ko) 2019-05-08
CN109983154A (zh) 2019-07-05
TW201932393A (zh) 2019-08-16
JP2020500255A (ja) 2020-01-09
WO2019081043A1 (en) 2019-05-02
KR102166910B1 (ko) 2020-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102161185B1 (ko) 기판의 진공 프로세싱을 위한 장치, 기판의 진공 프로세싱을 위한 시스템, 및 진공 챔버에서의 기판 캐리어 및 마스크 캐리어의 운송을 위한 방법
US11377310B2 (en) Magnetic levitation system, base of a magnetic levitation system, vacuum system, and method of contactlessly holding and moving a carrier in a vacuum chamber
KR20180104050A (ko) 진공 챔버에서 기판 캐리어를 운송하기 위한 장치, 기판을 진공 프로세싱하기 위한 시스템, 및 진공 챔버에서 기판 캐리어를 운송하기 위한 방법
KR102152890B1 (ko) 증착 소스의 운송을 위한 장치 및 방법
KR20190058443A (ko) 증착 시스템에서의 캐리어의 비접촉식 이송을 위한 장치, 캐리어의 비접촉식 이송을 위한 시스템, 증착 시스템에서의 비접촉식 이송을 위한 캐리어, 및 증착 시스템에서의 캐리어의 비접촉식 이송을 위한 방법
CN109983154B (zh) 用于沉积系统中的非接触式运输的载体,用于载体的运输的装置,以及用于运输载体的方法
CN109983152B (zh) 用于无接触运输载具的系统、以及用于在沉积系统中无接触运输载具的方法
KR102430391B1 (ko) 캐리어를 이송하기 위한 자기 부상 시스템, 자기 부상 시스템을 위한 캐리어, 기판을 수직으로 프로세싱하기 위한 프로세싱 시스템, 및 캐리어를 이송하는 방법
KR20180109835A (ko) 진공 시스템에서 사용하기 위한 캐리어, 진공 프로세싱을 위한 시스템, 및 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법
KR102468292B1 (ko) 제1 캐리어 및 제2 캐리어를 이송하기 위한 장치, 기판을 수직으로 프로세싱하기 위한 프로세싱 시스템, 및 이를 위한 방법들
KR102690850B1 (ko) 자기 부상 시스템 및 캐리어를 부상시키는 방법
KR102545664B1 (ko) 캐리어를 운송하기 위한 장치, 기판을 수직으로 프로세싱하기 위한 프로세싱 시스템, 및 캐리어의 운송 경로를 스위칭하는 방법
KR102697418B1 (ko) 자기 부상 시스템, 자기 부상 시스템의 베이스 및 캐리어, 및 캐리어를 부상시키는 방법
KR20220002515A (ko) 자기 부상 시스템, 자기 부상 시스템의 베이스 및 캐리어, 및 캐리어를 부상시키는 방법
KR20220106760A (ko) 자기 부상 시스템, 프로세싱 시스템, 및 캐리어를 운송하는 방법
KR20240128142A (ko) 자기 부상 시스템, 자기 부상 시스템의 베이스 및 캐리어, 및 캐리어를 부상시키는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant