TWI583806B

TWI583806B - 藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置之方法

Info

Publication number: TWI583806B
Application number: TW102142381A
Authority: TW
Inventors: 藏允豪; 洪鍾元; 金相洙
Original assignee: 三星顯示器有限公司
Priority date: 2013-06-17
Filing date: 2013-11-21
Publication date: 2017-05-21
Also published as: US20140370633A1; KR102107104B1; KR20140146448A; CN104241318B; DE102013223214A1; TW201500565A; CN104241318A; JP2015001024A; US8962360B2

Description

藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置之方法

相關申請案之交互參照

【0001】

本申請案係主張2013年6月17日提申於韓國智慧財產局之韓國專利申請號 10-2013-0069188的優先權及效益，其整體內容係併於此作為參考。

【0002】

根據本發明實施例之態樣係關於一種有機層沉積設備及藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置之方法。

【0003】

有機發光顯示裝置比其他顯示裝置具有更廣的視角，更佳的對比性，及更快的響應速度，且因此作為下一代顯示裝置受到矚目。

【0004】

有機發光顯示裝置包含插入面對彼此的第一電極及第二電極之間的中間層(包含發射層)。電極及中間層可使用各種方法形成，其中之一係為獨立沉積方法(independent deposition method)。當有機發光顯示裝置係藉由使用沉積方法製造時，具有與待形成之有機層相同之圖樣之精細金屬遮罩(fine metal mask, FMM)被放置以緊密接觸有機層及類似物要形成於其上的基板，且有機層材料透過精細金屬遮罩沉積以形成具有所希望圖樣的有機層。

【0005】

然而，使用這樣的精細金屬遮罩的沉積方法在使用大的母玻璃製造較大的有機發光顯示裝置上存在困難。例如，當這樣的大遮罩被使用時，遮罩可能因其自身重量而彎曲，從而扭曲圖樣。這樣的缺點無益於朝高解析度圖樣之近期趨勢。

【0006】

此外，對準基板及精細金屬遮罩以緊密接觸彼此、在其上實行沉積、以及將精細金屬遮罩與基板分離的製程係為耗時的，導致長製造時間以及低製造效率。

【0007】

在此背景技術中所揭露的資訊在達成本發明前為本發明的發明者所習知或係為在達成本發明的製程中所需要的技術資訊。因此，其可包含在本發明被發明者完成的時間前未形成本國中本領域具有通常知識者已習知之先前技術或資訊之資訊。

【0008】

根據本發明實施例提供了一種易於應用於大型基板的大規模生產製程之有機層沉積設備，其中基板及有機層沉積組件可在沉積運作中精確地對準、以及藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置的方法。

【0009】

根據本發明的實施例，提供一種有機層沉積設備。有機層沉積設備包含：運送單元，其包含用於固定基板及配置以與基板一起移動之傳輸單元、用於在第一方向上移動基板固定於其上之傳輸單元之第一運送單元、及用於在相反於第一方向之方向上移動在沉積完成後與基板分離之傳輸單元之第二運送單元；加載單元，用於將基板固定於傳輸單元；沉積單元，包含配置以維持在真空狀態下之腔體、及用於沉積有機層到基板上之至少一有機層沉積組件，基板被固定於從加載單元傳輸的傳輸單元上；及測量單元，位於加載單元及沉積單元之間以在有機層被沉積於基板上之前測量基板的位置資訊；以及卸載單元，用於將其上沉積已完成的基板從傳輸單元分離，其中當傳輸單元通過沉積單元時，分離被實行，其中傳輸單元配置以在第一運送單元和第二運送單元之間循環地移動，且其中在藉由第一運送單元傳輸時，固定於傳輸單元的基板被配置以與至少一有機層沉積組件間隔隔開。

【0010】

位置資訊可包含基板相對於第一方向的歪斜角度(degree of distortion)以及從測量單元到基板的距離。

【0011】

測量單元可包含：用於測量基板相對於第一方向的歪斜角度的擷取單元；以及用於測量間隙感應器單元到基板的距離之間隙感應器單元。

【0012】

基板可包含層形成基板及主基板，其中在層形成基板被固定於傳輸單元且輸入沉積單元前，主基板可被固定於傳輸單元且輸入進入沉積單元。

【0013】

測量單元可在測量層形成基板相對於第一方向的歪斜角度及測量單元到層形成基板之距離之前被配置以測量主基板相對於第一方向之歪斜角度及測量單元到主基板之距離，且在主基板被輸入進入沉積單元之後，測量單元可配置以測量層形成基板相對於第一方向之歪斜角度及測量單元至層形成基板的距離。

【0014】

測量單元可配置以比較主基板相對於第一方向的歪斜角度及層形成基板相對於第一方向的歪斜角度，以計算層形成基板相對於主基板的歪斜差值。

【0015】

沉積單元以及層形成基板可根據層形成基板歪斜上之差值而相對於彼此來對準。

【0016】

測量單元可配置以計算測量單元至主基板之距離及測量單元至層形成基板之距離之間的差值。

【0017】

沉積單元的高度可被控制，以基於測量單元至主基板的距離及測量單元至層形成基板之距離之間的差值，而維持層形成基板以及沉積單元之間實質上均勻的間隔。

【0018】

有機層沉積組件可包含：釋出沉積材料之沉積源；位於沉積源的一側的沉積源噴嘴單元，其中至少一沉積源噴嘴形成在沉積源噴嘴單元中；及面對沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣化狹縫的圖樣化狹縫片，其中，基板可與有機層沉積組件間隔隔開，以便相對有機層沉積設備移動，且其中從沉積源釋出的沉積材料可通過圖樣化狹縫片以依圖樣沉積到基板上。

【0019】

有機層沉積組件的圖樣化狹縫片可具有在第一方向上或第二方向之其中之一上較基板小的尺寸。

【0020】

至少一沉積源噴嘴可沿第一方向形成在沉積源噴嘴單元中，其中複數個圖樣化狹縫可沿垂直於第一方向的第二方向上形成在圖樣化狹縫片中。

【0021】

在根據本發明的另一實施例中，提供一種藉由使用用於形成有機層在基板上之有機層沉積設備而製造有機發光顯示裝置之方法。方法包含：藉由使用加載單元固定基板於傳輸單元；藉由使用通過腔體之第一運送單元來輸送基板固定於其上之傳輸單元進入腔體；在有機層形成在基板上之前測量基板之位置資訊；藉由在基板相對有機層沉積組件移動時，沉積從有機層沉積組件釋出之沉積材料而形成有機層至基板上，其中在腔體中之有機層沉積組件係與基板間隔分開；藉由使用卸載單元，將其上有機層之形成已完成之基板從傳輸單元分離；以及藉由使用通過腔體之第二運送單元輸送與基板分離之傳輸單元至加載單元。

【0022】

位置資訊可包含基板相對於第一方向之歪斜角度及測量單元至基板之距離。

【0023】

基板可包含層形成基板以及主基板，其中主基板可在層形成基板輸入進入腔體之前被輸入進入腔體。

【0024】

在位置資訊之測量中，層形成基板之位置資訊可在主基板之位置資訊被測量之後被測量，且層形成基板係固定於傳輸單元並傳輸至腔體。

【0025】

有機層的形成可包含：藉由比較主基板之位置資訊及層形成基板之位置資訊而對準有機層沉積組件及層形成基板；以及當有機層沉積組件基於有機層沉積組件及層形成基板之間對準之對準資訊而相對層形成基板移動時，藉由沉積從有機層沉積組件釋出之沉積材料在基板上形成有機層。

【0026】

對準可包含：比較主基板相對於第一方向之歪斜角度及層形成基板相對於第一方向之歪斜角度，以計算層形成基板相對於主基板之歪斜之差值，及計算測量單元至主基板之距離及測量單元至層形成基板之距離；以及根據層形成基板之歪斜之變動對準有機層沉積組件及層形成基板，且控制圖樣化狹縫片之高度，從而根據測量單元至主基板之距離及測量單元至層形成基板之距離之差值，以維持層形成基板及圖樣化狹縫片之間實質上均勻之間隔。

【0027】

有機層沉積組件可包含：用於釋出沉積材料之沉積源；位於沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元；以及面對沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣化狹縫的圖樣化狹縫片，其中從沉積源釋出的沉積材料可通過圖樣化狹縫片以依圖樣沉積在基板上。

【0028】

有機層沉積組件的圖樣化狹縫片可在第一方向或垂直第一方向的第二方向的其中之一上較基板具有更小的尺寸。

1‧‧‧有機層沉積設備

2‧‧‧基板

2a‧‧‧主基板

2b‧‧‧層形成基板

10‧‧‧測量單元

11‧‧‧間隙感應器單元

12‧‧‧擷取單元

51、59‧‧‧絕緣層

52‧‧‧半導體主動層

52a‧‧‧通道區域

52b‧‧‧源極區域

52c‧‧‧汲極區域

53‧‧‧閘極絕緣層

54‧‧‧閘極電極

55‧‧‧層間絕緣層

56‧‧‧源極電極

57‧‧‧汲極電極

58‧‧‧鈍化層

60‧‧‧像素定義層

61‧‧‧第一電極

62‧‧‧有機層

63‧‧‧第二電極

100‧‧‧沉積單元

100-1、100-2、100-11、900‧‧‧有機層沉積組件

101‧‧‧腔體

102‧‧‧腳座

103‧‧‧下殼體

104‧‧‧上殼體

104-1‧‧‧容納部

110、910‧‧‧沉積源

111、911‧‧‧坩鍋

112、912‧‧‧加熱器

115、915‧‧‧沉積材料

120、920‧‧‧沉積源噴嘴單元

121、921‧‧‧沉積源噴嘴

130、130-1、130-2、130-3、950‧‧‧圖樣化狹縫片

131、951‧‧‧圖樣化狹縫

135、955‧‧‧框架

140‧‧‧遮蔽部件

150‧‧‧第一台座

160‧‧‧第二台座

170‧‧‧照相機

171‧‧‧照相機容納單元

190‧‧‧沉積源替換單元

200‧‧‧加載單元

212‧‧‧第一支架

214‧‧‧輸送腔體

218‧‧‧第一反轉腔體

219‧‧‧緩衝腔體

300‧‧‧卸載單元

322‧‧‧第二支架

324‧‧‧排出腔體

328‧‧‧第二反轉腔體

400‧‧‧運送單元

410‧‧‧第一運送單元

411、421‧‧‧線圈

412‧‧‧引導部件

420‧‧‧第二運送單元

422‧‧‧滾子導件

423‧‧‧充電軌道

430‧‧‧傳輸單元

431‧‧‧載體

431a‧‧‧主體部

431b‧‧‧線性運動系統磁鐵

431c‧‧‧非接觸式電源模組

431d‧‧‧電源供應單元

431e‧‧‧導向槽

432‧‧‧靜電卡盤

500‧‧‧圖樣化狹縫片替換單元

935‧‧‧連接部件

M1‧‧‧第一對準標記

M2‧‧‧第二對準標記

A‧‧‧箭頭

θ、θ'‧‧‧角度

【0029】

本發明上述及其他特徵與態樣將藉由參考附圖詳細描述其例示性實施例而變得更顯而易知，其中：

【0030】

第1圖係為根據本發明實施例說明有機層沉積設備的結構之平面示意圖；

【0031】

第2圖係為根據本發明實施例之第1圖的有機層沉積設備的沉積單元的示意側視圖；

【0032】

第3圖係為根據本發明實施例之第1圖中之有機層沉積設備的沉積單元的示意透視圖；

【0033】

第4圖係為根據本發明實施例之第3圖的沉積單元的示意性剖視圖；

【0034】

第5圖係根據本發明實施例示出測量單元和圖樣化狹縫片之示意圖；

【0035】

第6圖及第7圖係示出根據本發明實施例的對準主基板和圖樣化狹縫片的操作的示意圖；

【0036】

第8圖、第9圖、及第10圖係示出根據本發明實施例的層形成基板以及圖樣化狹縫片的對準的操作的示意圖；

【0037】

第11圖係示出根據本發明實施例的測量從測量單元至主基板的距離的操作示意圖；

【0038】

第12圖係示出根據本發明實施例測量從測量單元至層形成基板的距離的操作示意圖；

【0039】

第13圖、第14圖、第15圖及第16圖係示出根據本發明實施例的層形成基板及圖樣化狹縫片之間的間隔對準的操作示意圖；

【0040】

第17圖係示出根據本發明另一實施例的有機層沉積組件的示意圖；以及

【0041】

第18圖是根據本發明實施例使用有機層沉積設備製造的主動陣列(active matrix, AM)型有機發光顯示裝置之剖視圖。

【0042】

現將詳細參考本發明之本實施例，其範例係繪示於附圖中，其中通篇中類似的參考符號代表類似的元件。實施例在以下敘述以藉由參考圖式解釋本發明之態樣。措辭諸如「至少之一」當置於所列元件前，係修飾整體所列元件而非修飾所列之個別元件。

【0043】

第1圖係為根據本發明實施例說明有機層沉積設備1的示意圖。第2圖係為根據本發明實施例之第1圖的有機層沉積設備1的沉積單元100的示意側視圖。

【0044】

參考第1圖及第2圖，有機層沉積設備1包含測量單元10、沉積單元100、加載單元200、卸載單元300、以及運送單元400。

【0045】

加載單元200可包含第一支架212、輸送腔體214、第一反轉腔體(inversion chamber)218、以及緩衝腔體219。

【0046】

沉積材料未施加於其上之複數個基板2堆疊在第一支架212上。包含在輸送腔體214內的輸送機械手臂從第一支架212拾起其中之一基板2，將其放置於藉由第二運送單元420傳輸之傳輸單元430上，且移動基板2被放置於其上之傳輸單元430進入第一反轉腔體218。

【0047】

第一反轉腔體218定位相鄰輸送腔體214。第一反轉腔體218包含反轉傳輸單元430且接著加載其至沉積單元100之第一運送單元410上的第一反轉機械手臂。

【0048】

參考第1圖，輸送腔體214的輸送機械手臂放置基板2的其中之一至傳輸單元430的上表面，且基板2被放置其上的傳輸單元430被接著傳輸進入第一反轉腔體218。第一反轉腔體218的第一反轉機械手臂反轉傳輸單元430使得基板2在沉積單元100中上下顛倒。

【0049】

配置卸載單元300以與前述加載單元200相反的方式運作。特定地，在第二反轉腔體328中之第二反轉機械手臂將傳輸單元430反轉，此傳輸單元430在基板2放置在傳輸單元430時已通過沉積單元100，且接著將放置基板2之傳輸單元430移動進入排出腔體324。接著，排出機械手臂將放置基板2之傳輸單元430取出排出腔體324，將基板2從傳輸單元430分離，且接著將基板2加載在第二支架322上。與基板2分離之傳輸單元430通過第二運送單元420回到加載單元200。

【0050】

然而，本發明不限於上述範例。舉例來說，當第二基板被放置在傳輸單元430上時，第二基板可固定(或附接)在傳輸單元430之底表面上且接著移動進入沉積單元100。在這樣的實施例中，舉例來說，第一反轉腔體218的第一反轉機械手臂及第二反轉腔體328的第二反轉機械手臂可被省略，

【0051】

測量單元10可位在加載單元200及沉積單元100之間，且在基板2輸入進入沉積單元100之前測量基板2之位置資訊。亦即，測量單元10可測量其至基板2之距離及基板2相對傳輸單元430之運送方向(例如輸送方向)之歪斜角度。運送方向為第一方向。基板2及有機層沉積組件100-1至100-11基於藉由使用測量單元10所測量之基板2之位置資訊而對準。此將進一步在之後敘述。

【0052】

沉積單元100可包含用於沉積的至少一腔體。在一實施例中，如第1圖及第2圖中所示，沉積單元100包含其中複數個有機層沉積組件可定位之腔體101。參照第1圖，十一有機層沉積組件，即，第一有機層沉積組件100-1、第二有機層沉積組件100-2、至第十一有機層沉積組件100-11，係位於腔體101，但有機層沉積組件之數目可隨所期望的沉積材料和沉積條件而變化。腔體101在沉積過程期間維持真空。

【0053】

在第1圖中所示的實施例中，傳輸單元430與固定(或附接)於其上之基板2可被至少移動到沉積單元100，或可藉由第一運送單元410依序地移動到加載單元200、沉積單元100、以及卸載單元300，而在卸載單元300中與基板2分離的傳輸單元430可藉由第二運送單元420被移動返回到加載單元200。

【0054】

當通過沉積單元100時，第一運送單元410通過腔體101，且第二運送單元420運送(或輸送)與基板2分離的傳輸單元430。

【0055】

在本實施例中，配置有機層沉積設備1以使得第一運送單元410和第二運送單元420分別位於上面和下面，使得當通過第一運送單元410時其上沉積已經完成之傳輸單元430在卸載單元300中與基板2分離之後，傳輸單元430得以通過形成在第一運送單元410下面的第二運送單元420返回至加載單元200，由此有機層沉積設備1可具有改善的空間利用效率。

【0056】

在一個實施例中，第1圖的沉積單元100可進一步包含位於各有機層沉積組件的一側上的沉積源替換單元190。雖未特別在圖式中示出，沉積源替換單元190可被形成作為可從各有機層沉積組件抽出至外部之匣式(cassette-type)。因此，有機層沉積組件100-1至100-11之沉積源110(參見第3圖)可為易於替換的。

【0057】

第1圖示出其中各包含加載單元200、沉積單元100、卸載單元300、及運送單元400之二組結構平行排列之有機層沉積設備1之示意圖。也就是說，可見二有機層沉積設備1分別地排列在一側和另一側(第1圖中之上面及下面)。在這樣的實施例中，圖樣化狹縫片替換單元500可位於二有機層沉積設備1之間。即是，由於此結構之配置，二有機層沉積設備1共享圖樣化狹縫片替換單元500，相對於其中各有機層沉積設備1包含圖樣化狹縫片替換單元500之情況，從而提高了空間利用效率。

【0058】

第3圖係為根據本發明實施例之第1圖中之有機層沉積設備1的沉積單元100的示意性透視圖。第4圖係為根據本發明實施例之第3圖之沉積單元100的示意性剖視圖。

【0059】

參考第3圖和第4圖，有機層沉積設備1的沉積單元100包含至少一有機層沉積組件100-1及運送單元400。

【0060】

在下文中，將敘述沉積單元100的整體結構。

【0061】

腔體101可被形成作為中空的箱型，且容納至少一有機層沉積組件100-1及運送單元400。以另一個說明方式來說，腳座102形成以固定沉積單元100在地面上，下殼體103位於腳座102上，且上殼體104位於下殼體103之上。腔體101兼容納下殼體103及上殼體104。在這方面，下殼體103和腔體101的連接部分被密封，以使腔體101的內部完全與外界隔絕。由於其中下殼體103及上殼體104位於固定在地面上的腳座102上的結構，即使腔體101反覆地收縮和擴大，下殼體103及上殼體104可維持在固定位置。因此，下殼體103及上殼體104可以用作在沉積單元100中之參考框(reference frame)。

【0062】

上殼體104包含有機層沉積組件100-1及運送單元400的第一運送單元410，且下殼體103包含運送單元400的第二運送單元420。當傳輸單元430循環地在第一運送單元410及第二運送單元420之間移動時，沉積製程連續地實行。

【0063】

在下文中，將對有機層沉積組件100-1的構件進行詳細敘述。

【0064】

第一有機層沉積組件100-1包含沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖樣化狹縫片130、遮蔽部件140、第一台座150和第二台座160。在這方面，所有在第3圖及第4圖中所示之元件可被排列在維持在合適真空狀態下的腔體101中。此結構用來實現沉積材料的線性度。

【0065】

例如，為了將從沉積源110釋出且通過沉積源噴嘴單元120及圖樣化狹縫片130之沉積材料，以期望圖樣沉積在基板2上，期望為保持腔體(未示出)在如使用精細金屬遮罩(FMM)的沉積方法中所使用的相同真空狀態下。此外，因為當圖樣化狹縫片130的溫度足夠低時，圖樣化狹縫片130的熱膨脹減少或最小化，故圖樣化狹縫片130的溫度應充分低於沉積源110的溫度。

【0066】

沉積材料115待沉積於其上之基板2被排列在腔體101中。基板2可為用於平板顯示裝置之基板。例如，用於製造複數個平板顯示裝置之40英寸或更大之大型基板，如母玻璃，可被用於作為基板2。

【0067】

根據本實施例，沉積製程可以基板2相對有機層沉積組件100-1移動下來實行。

【0068】

在使用FMM的傳統沉積方法中，FMM的尺寸相同於基板。因此，隨著基板的尺寸增大時，FMM的尺寸也增加。由於這些問題，難以製造FMM及藉由FMM的延展以精確圖樣對準FMM。

【0069】

為了解決上述問題，在根據本實施例之有機層沉積組件100-1中，當有機層沉積組件100-1和基板2相對彼此移動時沉積可被實行。換句話說，在面對有機層沉積組件100-1的基板2沿Y軸方向移動時，沉積可持續地實行。即是，當基板2沿第3圖中所示出之箭頭A之方向移動時，沉積以掃描的方式實行。雖然當沉積被實行時，基板2被示為沿第3圖中之腔體101中之Y軸方向移動，但本發明並不限於此。例如，當有機層沉積組件100-1沿Y軸方向移動且基板2維持在固定位置上時，沉積可被實行。

【0070】

因此，在有機層沉積組件100-1中，圖樣化狹縫片130可比在傳統沉積方法中所使用的FMM小(例如，更小)。換言之，在有機層中沉積組件100-1中，沉積是連續進行的，亦即，在基板2沿Y軸方向移動下以掃描方式進行。因此，圖樣化狹縫片130在X軸方向和Y軸方向的長度的至少之一可遠小於基板2的長度。在一些實施例中，X軸方向和Y軸方向可被稱為第二方向及第一方向。因為圖樣化狹縫片130可被形成較傳統沉積方法中所使用的FMM小(例如，遠小於)，故相對較易於製造圖樣化狹縫片130。也就是說，以製程之觀點來看，小的圖樣化狹縫片130比在傳統沉積方法中使用的FMM更加適合，包含蝕刻接續精確的延展、焊接、傳輸、及清洗製程。此外，其更適合用於製造相對大的顯示裝置。

【0071】

為了在有機層沉積組件100-1和基板2如上所述相對彼此移動時進行沉積，有機層沉積組件100-1及基板2可以一定距離彼此間隔(例如，間隙)。其在下詳細描述。

【0072】

包含並加熱沉積材料115之沉積源110位於相反於(朝向)其中基板2位於腔體101之一側的一側。作為包含在沉積源110的沉積材料115蒸發，沉積在基板2上執行。

【0073】

沉積源110包含裝填沉積材料115之坩鍋111及加熱坩鍋111之加熱器112，以朝向裝填沉積材料115之坩鍋111之一側蒸發沉積材料115，特別是，朝向沉積源噴嘴單元120。

【0074】

在一個實施例中，沉積源噴嘴單元120位於沉積源110朝向基板2的一側，且一或多個沉積源噴嘴121被包含在沉積源噴嘴單元120中。在這方面，根據本實施例之有機層沉積組件，每個可以在進行用於形成共同層和圖樣層之沉積中包含不同的沉積源噴嘴121 。

【0075】

在一實施例中，圖樣化狹縫片130可位於沉積源110和基板2之間。圖樣化狹縫片130可進一步包含具有類似窗框形狀之框架135 (見例如，第5圖)。圖樣化狹縫片130包含沿X軸方向排列的複數個圖樣化狹縫131。沉積源110中已蒸發之沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖樣化狹縫片130，然後沉積到基板2上。在這方面，圖樣化狹縫片130可以使用用來形成FMM的相同方法形成，特別是，條紋型遮罩，例如，蝕刻。在這方面，圖樣化狹縫131的總數量可多於沉積源噴嘴121的總數量。

【0076】

在一個實施例中，沉積源110(及與之結合之沉積源噴嘴單元120)及圖樣化狹縫片130可以一定的距離(例如，間隙)彼此間隔。

【0077】

如上所述，在有機層沉積組件100-1相對基板2移動時進行沉積。為了使有機層沉積組件100-1相對於基板2移動，圖樣化狹縫片130與基板2以一定距離(例如，間隙)彼此間隔。

【0078】

在使用FMM的傳統沉積方法中，沉積典型地以FMM與基板緊密接觸來實行以防止在基板上形成陰影。然而，當FMM與基板緊密接觸時，由於基板和FMM之間的接觸，故可能會發生缺陷。此外，因為難以相對基板移動遮罩，遮罩及基板具有相同的尺寸。因此，隨顯示裝置的尺寸增大，遮罩變得更大。然而，難以形成大的遮罩。

【0079】

為了解決此些問題，在根據本實施例之有機層沉積組件100-1中，圖樣化狹縫片130與其上沉積材料待沉積之基板2藉由一定距離(例如，間隙)間隔形成。

【0080】

根據本實施例，當形成比基板2小的遮罩相對基板2移動時，沉積可被實行，且因此，製造遮罩為相對容易的。此外，由於基板2和遮罩之間接觸的缺陷可被防止。此外，因為不需要在沉積製程期間將基板2與遮罩緊密接觸，生產速度可提高。

【0081】

在下文中，將敘述上殼體104的各元件的特定設置。

【0082】

沉積源110及沉積源噴嘴單元120位在上殼體104的底部部分。容納部104-1分別形成在沉積源110及沉積源噴嘴單元120之兩側以具有突出形狀。第一台座150、第二台座160、及圖樣化狹縫片130依序地以此順序形成在容納部104-1上。

【0083】

在這方面，第一台座150形成以在X軸方向和Y軸方向上移動，使得第一台座150在X軸方向和Y軸方向上對準圖樣化狹縫片130。也就是說，第一台座150包含複數個致動器，使得第一台座150相對於上殼體104在X軸及Y軸方向上移動。

【0084】

第二台座160被形成以在Z軸方向上移動，從而在Z軸方向上對準圖樣化狹縫片130。也就是說，第二台座160包含複數個致動器且係形成以在Z軸方向上相對第一台座150移動。

【0085】

圖樣化狹縫片130位在第二台座160上。圖樣化狹縫片130係位在第一台座150和第二台座160上，從而在X軸、Y軸、和Z軸方向上移動，且因此，在基板2和圖樣化狹縫片130之間之對準，特別是實時對準，可被實行。

【0086】

此外，容納部104-1、第一台座150、及第二台座160可以引導沉積材料115的流動路徑，使得通過沉積源噴嘴121釋出的沉積材料115不分散至流動路徑外。也就是說，沉積材料115的流動路徑是由容納部104-1、第一台座150和第二台座160密封，且因此，沉積材料115在X軸及Y軸方向上之位移可從而同步或同時被引導。

【0087】

遮蔽部件140可位於圖樣化狹縫片130及沉積源110之間。特別是，陽極或陰極圖樣形成在基板2的邊緣部分，且係使用作為檢查產品或製造產品的終端。若有機材料施加於基板2之此區域(即，陽極或陰極圖案形成於其上之邊緣部分)，陽極或陰極便不能充分發揮其功能。因此，基板2的邊緣部分形成為有機材料或類似材料不會施加於其上之非成膜區域。如上所述，然而，在有機層沉積設備1中，在基板2相對有機層沉積設備1 移動的同時以掃描方式實行沉積，且因此，不易防止有機材料沉積在基板2的非成膜區域上。

【0088】

因此，為了防止有機材料沉積在基板2的非成膜區域上，在有機層沉積設備1中，遮蔽部件140可進一步設置在基板2的邊緣部分上。雖然未在第3圖及第4圖中特別示出，遮蔽部件140可包含二相鄰板且可設置在垂直於基板2的移動方向之方向上。

【0089】

當基板2不通過有機層沉積組件100-1時，遮蔽部件140屏蔽沉積源110，且因此，從沉積源110釋出的沉積材料115不會抵至圖樣化狹縫片130。當基板2在遮蔽部件140屏蔽沉積源110下進入有機層沉積組件100-1時，遮蔽部件140屏蔽沉積源110之前部沿基板2的位移移動，且因此，沉積材料115的流動路徑開放，且從沉積源110釋出的沉積材料115通過圖樣化狹縫片130且沉積在基板2上。另外，當基板2通過有機層沉積組件100-1時，遮蔽部件140之後部沿基板2的位移移動以屏蔽沉積源110，使得沉積材料115的流動路徑為關閉的。因此，從沉積源110釋出的沉積材料115不會抵至圖樣化狹縫片130。

【0090】

如上所述，基板2的非成膜區域是由遮蔽部件140屏蔽，且因此，無需使用另外結構而有可能或者是相對容易地防止有機材料沉積在基板2之非成膜區域上。

【0091】

在下文中，運送(例如，輸送)沉積材料115待沉積於其上的基板2的運送單元400係更詳細地描述。參照第3圖及第4圖，運送單元400包含第一運送單元410、第二運送單元420、及傳輸單元430。

【0092】

第一運送單元410以沿線方式(in-line manner)運送(或輸送)傳輸單元430，傳輸單元430係包含載體431及與其附接的靜電卡盤432、以及附接於傳輸單元430之基板2，使得有機層可藉由有機層沉積組件100-1形成在基板2上。第一運送單元410包含線圈411和引導部件412 。

【0093】

在傳輸單元430通過沉積單元100下完成一沉積週期後，第二運送單元420返回在卸載單元300中與基板2分離之傳輸單元430到加載單元200。第二運送單元420包含線圈421、滾子導件422、及充電軌道423。

【0094】

傳輸單元430包含沿第一運送單元410及第二運送單元420被運送(例如，輸送)的載體431及結合到(或附接到)載體431的表面之靜電卡盤432。基板2附接於靜電卡盤432。

【0095】

在下文中，運送單元400之各元件將進行更詳細的敘述。

【0096】

傳輸單元430的載體431現在將詳細進行說明。

【0097】

載體431包含主體部431a、線性運動系統(linear motion system, LMS)磁鐵(例如，磁軌)431b、非接觸式電源(contactless power supply, CPS )模組431c、電源供應單元431d、以及導向槽431e 。

【0098】

主體部431a構成載體431的基座部且可由磁性材料如鐵形成。在這方面，由於在主體部431a與各別上及側磁懸浮軸承(例如，磁浮軸承)(未示出)之間的磁力，載體431可被維持與引導部件412以一定距離(例如，間隙)間隔開。

【0099】

導向槽431e可分別形成在主體部431a的兩側，且各可容納引導部件412的導向凸起(未示出)。

【0100】

線性運動系統磁鐵(例如，磁軌)431b可沿主體部431a中心線依主體部431a行進之一方向形成。在下面更詳細描述之線性運動系統磁鐵431b和線圈411可相互結合以構成線性馬達，且載體431可藉由線性馬達依箭頭A方向運送(例如，輸送)。

【0101】

非接觸式電源模組431c及電源供應單元431d可分別形成在主體部431a中的線性運動系統磁鐵431b的兩側。電源供應單元431d包含提供動力的電池(例如，可充電電池)，使靜電卡盤432可以卡緊(例如，固定或保持)基板2及維持運作。該非接觸式電源模組431c係為對電源供應單元431d充電之無線充電模組。例如，在以下所描述的形成在第二運送單元420中的充電軌道423被連接到逆變器(inverter)(未示出)，且因此，當載體431被傳輸進入第二運送單元420時，磁場在充電軌道423及非接觸式電源模組431c之間形成，從而提供電源給非接觸式電源模組431c。供給非接觸式電源模組431c之電源係用於將電源供應單元431d充電。

【0102】

靜電卡盤432可包含嵌入由陶瓷製成的主體的電極，其中電極以電力供給。當合適的電壓(例如，高電壓或相對高的電壓)施加到電極上時，基板2附接於靜電卡盤432的主體的表面上。

【0103】

在下文中，將更詳細說明傳輸單元430的運作。

【0104】

主體部431a的線性運動系統磁鐵431b及線圈411可以相互結合以構成運作單元。在這方面，運作單元可以是線性馬達。線性馬達相比於傳統的滑動導軌系統具有較小的摩擦係數、小的位置誤差、及定位之高精度(例如，非常高的精度)。如上所述，線性馬達可包含線圈411和線性運動系統磁鐵431b。線性運動系統磁鐵431b線性地在載體431上排列，且複數個線圈411可位於距腔體101的內側面一定距離，從而面對線性運動系統磁鐵431b。因為線性運動系統磁鐵431b而非線圈411位於載體431，可無須向載體431供電而運作。此外，線性運動系統磁鐵431b及線圈421可以與上述類似的方式操作，且因此，省略其詳細說明。

【0105】

在這方面，線圈411可形成於在大氣環境下之氣壓(atmosphere, ATM)盒中，且線性運動系統磁鐵431b附接之載體431可在維持在真空之腔體101內移動。

【0106】

根據本實施例的有機層沉積設備1的有機層沉積組件100-1可進一步包含用於對準過程之照相機(或照相機(cameras))170。

【0107】

照相機(或照相機(cameras))170可實時對準形成在圖樣化狹縫片130的第一對準標記M1(第6圖)及形成於基板2上的第二對準標記M2 (第6圖)。在這方面，照相機(或照相機) 170在沉積期間被定位以在維持於真空的腔體101內獲得更準確視圖。為此，照相機(或照相機(cameras))170可在常壓狀態(atmospheric state)下安裝在照相機容納單元171中。

【0108】

同時，根據本發明之當前實施例的有機層沉積設備1可進一步包含測量基板2的位置資訊的測量單元10 (見第2圖)。

【0109】

測量單元10可位於加載單元200及沉積單元100之間，且在基板2被輸入進入到沉積單元100之前測量基板2的位置資訊。基板2的位置資訊係指從間隙感應器單元11到基板2之距離及基板2相對於傳輸單元430的運送方向(例如，輸送方向)的歪斜角度。其將在下文參考第5圖進一步描述。

【0110】

第5圖示意性示出了測量單元10和圖樣化狹縫片130 (例如，圖樣化狹縫片130-1、130-2、130-3等)。參照第5圖，測量單元10可包含間隙感應器單元11及擷取單元12。

【0111】

間隙感應器單元11係位於被放置在靜電卡盤432之下的基板2的下方，且可測量間隙感應器單元11至基板2下表面的距離。

【0112】

擷取單元12可放置在靜電卡盤432之下的基板2的下方，且可測量基板2相對於靜電卡盤432的運送方向(例如，輸送方向)的歪斜角度。

【0113】

當基板2沿有機層沉積組件的圖樣化狹縫片上方移動時，藉由使用測量單元10所測量的基板2的位置資訊可被分別使用來對準基板2及包含在有機層沉積組件的圖樣化狹縫片。

【0114】

第6圖及第7圖係示出根據本發明實施例的對準主基板2a和圖樣化狹縫片130的操作的示意圖。

【0115】

基板可包含層形成基板2b及主基板2a。主基板2a在層形成基板2b加載並輸入進入沉積單元100之前被加載，且主基板2a的位置資訊係藉由使用測量單元10測量。當主基板2a藉由使用加載單元200卡合於靜電卡盤432時，主基板2a可能以相對於靜電卡盤432之箭頭A之運送方向(例如，輸送方向)以逆時針方向歪斜(distort)角度θ。測量單元10在主基板2a輸入進入沉積單元100前測量主基板2a的歪斜角度，也就是說，在主基板2a被運送到圖樣化狹縫片130的上方之前(例如，到上方位置)。

【0116】

接著，如第7圖所示，圖樣化狹縫片130以主基板2a的歪斜角度θ逆時針輸送(如第6圖所示)以與主基板2a對準，主基板2a的歪斜角度θ係藉由使用測量單元10測量。主基板2a及圖樣化狹縫片130之間的對準可基於對準資訊而決定，對準資訊係藉由檢查形成在主基板2a上的第二對準標記M2以及形成在圖樣化狹縫片130上的第一對準標記M1是否對應於(例如，對準於)彼此。形成在主基板2a上的第二對準標記M2以及形成在圖樣化狹縫片130上的第一對準標記M1可藉由使用第4圖的照相機(例如，照相機(cameras))170觀察。

【0117】

第8圖、第9圖、及第10圖係示出根據本發明實施例的層形成基板2b以及圖樣化狹縫片130的對準的操作的示意圖。

【0118】

在主基板2a被輸入進入沉積單元100後，層形成基板2b被加載，且層形成基板2b的位置資訊可藉由使用測量單元10在層形成基板2b被輸入進入沉積單元100之前測量。

【0119】

如第8圖所示，層形成基板2b可能相對於靜電卡盤432的箭頭A的運送方向(例如，輸送方向)依逆時針方向以角度θ'卡合於靜電卡盤432。測量單元10可測量層形成基板2b的歪斜角度。在層形成基板2b被輸入前，測量單元10比較主基板2a的歪斜角度θ以及層形成基板2b的歪斜角度θ'，且計算其間差值。

【0120】

圖樣化狹縫片130以層形成基板2b與主基板2a之間的差值(θ'-θ)以逆時針方向(或順時針方向)移動，從而使層形成基板2b及圖樣化狹縫片130對準。當層形成基板2b沿圖樣化狹縫片130的上方移動時，可以進一步進行對準，如第9圖及第10圖中所示。

【0121】

層形成基板2b及圖樣化狹縫片130之間的對準可基於對準資訊而決定，對準資訊係藉由檢查形成在層形成基板2b上的第二對準標記M2以及形成在圖樣化狹縫片130上的第一對準標記M1是否對應於(例如，對準於)彼此。形成在層形成基板2b上的第二對準標記M2以及形成在圖樣化狹縫片130上的第一對準標記M1可藉由使用第4圖的照相機(或照相機(cameras))170來觀察。

【0122】

第11圖係示出根據本發明實施例的測量從測量單元10至主基板2a的距離的操作之示意圖。

【0123】

在層形成基板2b被加載且輸入進入沉積單元100之前，主基板2a被加載到傳輸單元430，且如上所述，藉由使用測量單元10測量主基板2a的歪斜角度，且測量此測量單元10及主基板2a之間的距離。

【0124】

接著，當主基板2a沿圖樣化狹縫片的上方移動時，各圖樣化狹縫片和主基板2a之間的間隔被測量。

【0125】

第12圖係示出根據本發明實施例測量從測量單元10至層形成基板2b的距離的操作之示意圖。

【0126】

在主基板2a被輸入到沉積單元100之後，層形成基板2b被加載，且如上所述，在層形成基板2b被輸入進入沉積單元100之前，藉由使用測量單元10來測量層形成基板2b的歪斜角度，且另外，測量單元10至層形成基板2b的距離如第12圖中所示來測量。

【0127】

測量單元10將測量單元10至主基板2a的距離以及測量單元10至層形成基板2b的距離進行比較，且計算距離上的差值。

【0128】

圖樣化狹縫片被對準，使得圖樣化狹縫片和層形成基板2b之間的間隔基於相對於主基板2a及層形成基板2b之距離上的差值而均勻地維持(或實質上均勻地維持)。

【0129】

層形成基板2b及圖樣化狹縫片130之間的對準將參照以下第13圖、第14圖、第15圖、及第16圖進行詳細說明。

【0130】

第13圖至第16圖係示出根據本發明實施例的層形成基板2b及圖樣化狹縫片130之間的間隔之對準的操作示意圖。

【0131】

如第13圖中所示，在層形成基板2b被運送到圖樣化狹縫片130上之前，測量單元10至主基板2a的距離以及測量單元10至層形成基板2b的距離的差值被計算，且圖樣化狹縫片130的位移量係基於差值而決定。

【0132】

如第14圖中所示，當層形成基板2b進入(例如，進入上方空間)圖樣化狹縫片130時，圖樣化狹縫片130根據上述位移量輸送，使得層形成基板2b及圖樣化狹縫片130之間的間隔均勻地(或實質上均勻地)維持。

【0133】

接著，如第15圖及第16圖中所示。當層形成基板2b沿圖樣化狹縫片130的上方移動時，圖樣化狹縫片130也可被移動且圖樣化狹縫片130的高度可被控制，使得層形成基板2b及圖樣化狹縫片130之間的間隔被均勻地(或實質上均勻地)維持。

【0134】

第17圖係示出根據本發明另一實施例的有機層沉積組件900的示意性透視圖。

【0135】

參考第17圖，有機層沉積組件900包含沉積源910、沉積源噴嘴單元920、及圖樣化狹縫片950。

【0136】

沉積源910包含以沉積材料915填充的坩鍋911以及加熱坩鍋911從而朝向沉積源噴嘴單元920的一側蒸發坩堝911中填充之沉積材料915之加熱器912。沉積源噴嘴單元920可設置在沉積源910的一側，且一或多個沉積源噴嘴921係沿Y軸方向包含在沉積源噴嘴單元920中。雖然只有一個沉積源噴嘴921示出於第17圖中，但本發明並不限於此。圖樣化狹縫片950和框架955係進一步包含在沉積源910和基板2之間，且複數個圖樣化狹縫951沿X軸方向形成在圖樣化狹縫片950中。另外，沉積源910及沉積源噴嘴單元920及圖樣化狹縫片950藉由使用連接部件935彼此耦合。

【0137】

包含在沉積源噴嘴單元920中的複數個沉積源噴嘴921的排列與上述實施例中的不同，且因此將在下面詳細描述。

【0138】

沉積源噴嘴單元920設置在沉積源910的一側，即是，在沉積源910朝向基板2的一側。另外，沉積源噴嘴921係形成在沉積源噴嘴單元920中。在沉積源910中蒸發的沉積材料915通過沉積源噴嘴單元920以行進到待沉積之基板2。若複數個沉積源噴嘴921沿X軸方向被包含，則各沉積源噴嘴921及圖樣化狹縫951之間的距離可能不一，且陰影可能由從沉積源噴嘴921相對離圖樣化狹縫951較遠的其中之一所釋出的沉積材料915產生。因此，如本發明的當前實施例中，只有一個沉積源噴嘴921形成在X軸方向上，以減少(例如，顯著減少)陰影的產生。

【0139】

第18圖是根據本發明實施例使用有機層沉積設備1所製造的主動陣列(active matrix, AM)型有機發光顯示裝置之剖視圖。

【0140】

參考第18圖，根據當前實施例之主動陣列(active matrix, AM)型有機發光顯示裝置形成在基板2上。基板2可由透明材料，例如玻璃，塑料，或金屬形成。絕緣層51，如緩衝層，係形成在基板2的整個表面上。

【0141】

薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)以及有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED)被設置在絕緣層51上，如第18圖中所示。

【0142】

半導體主動層52以設定或預定圖樣形成在絕緣層51的上表面上。閘極絕緣層53係形成以覆蓋半導體主動層52。半導體主動層52可包含p型或n型半導體材料。

【0143】

薄膜電晶體的閘極電極54形成在閘極絕緣層53對應於半導體主動層52的通道區域52a的區域上。層間絕緣層55形成以覆蓋閘極電極54。層間絕緣層55和閘極絕緣層53由，例如，乾式蝕刻進行蝕刻，以形成接觸孔暴露半導體主動層52的一部分。

【0144】

源極電極56以及汲極電極57形成在層間絕緣層55上以分別通過相對應的接觸孔接觸半導體主動層52的源極區域52b以及汲極區域52c。鈍化層58形成以覆蓋源極電極56和汲極電極57，且被蝕刻以暴露源極電極56及汲極電極57之其中之一的一部分。絕緣層59可進一步形成在鈍化層58上，從而平坦化鈍化層58。

【0145】

此外，有機發光二極體藉由根據電流發出紅色、綠色、或藍色光來顯示設定或預定的圖像資訊。有機發光二極體包含位於鈍化層58(及當有絕緣層59形成時的絕緣層59)上的第一電極61。第一電極61電性地連接到薄膜電晶體暴露的汲極電極57。

【0146】

像素定義層60形成以覆蓋第一電極61。開口形成在像素定義層60中，且包含發射層(emission layer, EML)的有機層62形成在由開口定義的區域中。第二電極63形成在有機層62上。

【0147】

定義個別像素之像素定義層60可由有機材料形成。像素定義層60也將基板2之第一電極61形成於其中的區域之表面平坦化，且特別地，係指絕緣層59的表面。

【0148】

第一電極61和第二電極63彼此絕緣，且分別施予相反極性的電壓到有機層62以致使發光。

【0149】

包含發射層之有機層62可由低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。當使用低分子量有機材料時，有機層62可具有包含電洞注入層(hole injection layer, HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer, HTL)、發射層、電子傳輸層(electron transport layer, ETL)、及/或電子注入層(electron injection layer, EIL)之單層或多層結構。可用的有機材料的非限制性實例可包含銅酞菁(copper phthalocyanine, CuPc )，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)、以及三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq₃ )。

【0150】

包含發射層的有機層62可以使用第1圖中所示的有機層沉積設備1來形成。換言之，包含釋出沉積材料之沉積源、位於在沉積源的一側且包含形成於其中的複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元、及面對沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣化狹縫形成在其中的圖樣化狹縫片之有機層沉積設備係由設定或預定距離與沉積材料待沉積於其上之基板間隔設置。另外，在有機層沉積設備1與基板2相對彼此移動下，從有機層沉積設備1中釋出的沉積材料(參照第1圖)沉積在基板2上(參照第1圖)。

【0151】

在有機EML (即，有機發射層)形成後，第二電極63可由用於形成有機層62的相同沉積方法形成。

【0152】

第一電極61可以用作陽極，且第二電極63可以用作陰極。或者，第一電極61可以用作陰極，且第二電極63可以用作陽極。第一電極61可圖樣化以對應於個別像素區域，且第二電極63可形成以覆蓋所有的像素。

【0153】

第一電極61可以形成作為透明電極或反射電極。這樣的透明電極可以由氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、或氧化銦(indium oxide, In₂ O₃ )形成。這樣的反射電極可藉由形成銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物之反射層，並在反射層上形成ITO、IZO、ZnO或In₂ O₃ 的層而形成。第一電極61可藉著由例如濺鍍法(sputtering)來形成一層，然後藉由例如黃光微影技術(photolithography)圖樣化此層而形成。

【0154】

第二電極63也可以形成為透明電極或反射電極。在一實施例中，當第二電極63形成為透明電極時，第二電極63可以使用作為陰極。為此，這樣的透明電極可藉由沉積具有低功函數的金屬，如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LIF /Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、或其之化合物在有機層62的表面上，且由ITO、IZO、ZnO、In₂ O_3、或類似物形成輔助電極層或匯流電極線(bus electrode line)於其上來形成。當第二電極63形成作為反射電極時，反射層可藉由沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、或其化合物在有機層62的整個表面上形成。第二電極63可使用與用來形成上述有機層62相同的沉積方法來形成。

【0155】

根據上述本發明的實施例之有機層沉積設備可應用以形成有機薄膜電晶體的有機層或無機層，並由各種材料形成層。

【0156】

如上所述，本發明的一或多個實施例提供了一種適合用於大型基板的大規模生產以及能夠高解析度圖樣化的有機層沉積設備，及藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置的方法。

【0157】

儘管已示出和描述本發明少數實施例，本技術領域具有通常知識者將了解的是，可對本實施例進行變動而不偏離本發明的原理及精神，本發明的範疇係由申請專利範圍及其等效物所定義。

國內寄存資訊【請依寄存機構、日期、號碼順序註記】

無

國外寄存資訊【請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記】

無

2‧‧‧基板

10‧‧‧測量單元

11‧‧‧間隙感應器單元

12‧‧‧擷取單元

130-1、130-2、130-3‧‧‧圖樣化狹縫片

135‧‧‧框架

432‧‧‧靜電卡盤

A‧‧‧箭頭

Claims

【第1項】

一種藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置之方法，其中該有機層沉積設備被使用用於形成一有機層在一基板上，該方法包含：
藉由使用一加載單元固定該基板於一傳輸單元；
藉由使用通過一腔體之一第一運送單元輸送該基板固定於其上之該傳輸單元進入該腔體；
在該有機層形成在該基板上之前測量該基板之一位置資訊；
藉由在該基板相對一有機層沉積組件移動時，沉積從該有機層沉積組件釋出之一沉積材料而形成該有機層至該基板上，其中在該腔體中之該有機層沉積組件係與該基板間隔分開；
藉由使用一卸載單元，將其上完成該有機層之形成之該基板從該傳輸單元分離；以及
藉由使用通過該腔體之一第二運送單元輸送與該基板分離之該傳輸單元至該加載單元。
【第2項】

如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該位置資訊包含該基板相對於一第一方向之歪斜角度及一測量單元至該基板之距離。
【第3項】

如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板包含一層形成基板以及一主基板，
其中該主基板在該層形成基板被輸入進入該腔體之前被輸入進入該腔體。
【第4項】

如申請專利範圍第3項所述之方法，其中在該位置資訊之測量中，該層形成基板之該位置資訊在該主基板之該位置資訊被測量之後被測量，且該層形成基板被固定於該傳輸單元並傳輸至該腔體。
【第5項】

如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該有機層之形成包含：
藉由比較該主基板之該位置資訊及該層形成基板之該位置資訊，而對準該有機層沉積組件及該層形成基板；以及
當該有機層沉積組件基於該有機層沉積組件及該層形成基板之間之對準之一對準資訊，而相對該層形成基板移動時，藉由沉積從該有機層沉積組件釋出之該沉積材料而在該基板上形成該有機層。
【第6項】

如申請專利範圍第5項所述之方法，其中對準包含：
比較該主基板相對於一第一方向之歪斜角度及該層形成基板相對於該第一方向之歪斜角度，以計算該層形成基板相對於該主基板歪斜之差值，及計算一測量單元至該主基板之距離及該測量單元至該層形成基板之距離；以及
根據該層形成基板歪斜之變動而對準該有機層沉積組件及該層形成基板，且控制一圖樣化狹縫片之高度，從而根據該測量單元至該主基板之距離及該測量單元至該層形成基板之距離之差值，來維持該層形成基板及該圖樣化狹縫片之間實質上均勻之間隔。
【第7項】

如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該有機層沉積組件係包含：
一沉積源，係用於釋出該沉積材料；
一沉積源噴嘴單元，係位在該沉積源之一側，且包含複數個沉積源噴嘴；以及
一圖樣化狹縫片，係面對該沉積源噴嘴單元，且包含複數個圖樣化狹縫，
其中從該沉積源釋出之該沉積材料通過該圖樣化狹縫片以依一圖樣沉積在該基板上。
【第8項】

如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該有機層沉積組件之該圖樣化狹縫片在一第一方向或垂直於該第一方向之一第二方向之其中之一上具有較該基板小之尺寸。