TW201403808A - 製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種製造有機發光顯示裝置的方法以及使用此方法製造的有機發光顯示裝置。製造有機發光顯示裝置的方法包含在基板上連續地沉積線型圖樣之有機層；在有機層上沉積第二電極；以及在第二電極上形成鈍化層以覆蓋第二電極。

Description

製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年7月10日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0075143號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明之實施例的態樣係有關於一種製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置。
相比於其他顯示裝置，有機發光顯示裝置有較廣的觀看角度、較佳的對比特性以及較快之反應速度，所以已受注意作為下一世代的顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含彼此相對面配置的第一電極與第二電極，以及設置在.第一電極與第二電極之間且含有發光層的中間層。電極與中間層可使用各種方法形成，其中一種是獨立沉積方法。當有機發光顯示裝置使用沉積方法製造時，具有與有機層待形成之圖樣相同的圖樣的精細金屬光罩（FMM）係設置接近接觸基板，有機層與其他相似物係形成基板上，而有機層材料係沉積在FMM上以形成具有所需圖樣的有機層。
然而，使用FMM的沉積方法在製造使用大母體玻璃的大型有機發光顯示裝置時會出現困難。例如，當使用大型遮罩時，遮罩可能會由於自我重力而彎曲，從而扭曲圖樣。此缺點係不利於近來朝向高畫質圖樣的趨勢。
而且，對準基板與FMM使彼此精密接觸、在其上執行沉積、以及將FMM與基板分隔之製程係耗費時間，導致冗長的製造時間與低生產效率。
揭露於此背景部分之資訊可為本發明之發明人於完成本發明前所已知或者可包含於完成本發明之過程中所獲得的技術資訊。因此，其可能包含不構成此國家中此技術領域中通常知識者已熟知的資訊之先前技術。
根據本發明的態樣，製造有機發光顯示裝置的方法係適合用於大基板之大量生產以及致使能高畫質圖樣化，以及可使用該方法製造有機發光顯示裝置。
根據本發明的實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置的方法包含﹕在基板上連續地沉積線型圖樣之有機層；在有機層上沉積第二電極；以及在第二電極上形成鈍化層以覆蓋第二電極。
第二電極在有機層上的沉積可包含針對複數個面板中的每一面板在有機層上沉積第二電極，而且鈍化層在第二電極上之形成可包含在第二電極上形成鈍化層以覆蓋第二電極。
第二電極在有機層上的沉積可包含在有機層上連續地沉積線型圖樣之第二電極，而且鈍化層在第二電極上之形成可包含在第二電極上連續地形成線型圖樣之鈍化層以覆蓋第二電極。
鈍化層可選自三8羥基喹啉鋁(Alq3)、苯基咔唑（phenylcarbazole）系化合物、以及芴（fluorene）系化合物所組成的群組中的包含一種或更多種材料。
在基板上的線型圖樣之有機層的連續沉積可包含﹕提供一薄膜沉積設備，其包含含有沉積材料的沉積源、配置在沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元，以及配置面對沉積源噴嘴單元的圖樣化縫片，在圖樣化縫片中係有複數個圖樣化隙縫形成，以致於薄膜沉積設備係與基板相分隔；在沉積期間，將薄膜沉積設備或基板中的至少一個相對於彼此移動；從沉積源噴灑沉積材料以通過圖樣化縫片而沉積且在基板上形成圖樣。
圖樣化縫片在第一方向或垂直第一方向的第二方向中的至少一方向上可小於基板。
沉積源噴嘴可配置在第一方向上沉積噴嘴單元中，圖樣化隙縫可配置在第一方向上圖樣化縫片中，以及薄膜沉積設備可進一步包含配置在第一方向上沉積源噴嘴單元與圖樣化縫片之間的屏蔽板組件，屏蔽板組件係包含將沉積源噴嘴單元與圖樣化縫片之間的空間劃分成複數個沉積空間的複數個屏蔽板。
複數個屏蔽板中每一屏蔽板可在大致上垂直第一方向之第二方向上延伸。
屏蔽板組件可包含含有複數個第一屏蔽板的第一屏蔽板組件，以及含有複數個第二屏蔽板的第二屏蔽板組件。
每一第一屏蔽板與每一第二屏蔽板可形成在大致上垂直第一方向的第二方向上，並且可將沉積源噴嘴單元與圖樣化縫片之間的空間劃分成複數個沉積空間。
沉積源噴嘴可配置在第一方向上沉積噴嘴單元中，而圖樣化隙縫可配置在垂直第一方向之第二方向上圖樣化縫片中。
沉積源、沉積源噴嘴單元以及圖樣化縫片可藉由連接構件彼此耦接而彼此一體形成。
連接構件可引導沉積材料之流動路徑。
連接構件可形成以密封沉積源、沉積源噴嘴單元與圖樣化縫片之間的空間以與外部絕緣。
在基板上線型圖樣之有機層之連續沉積可包含﹕提供薄膜沉積設備，其包含﹕輸送單元，其含有固定基板且隨著基板移動的傳輸單元、在第一方向上移動與基板固定之傳輸單元的第一輸送單元，以及當沉積已經完成則在相反於第一方向的方向上移動與基板分離的傳輸單元的第二輸送單元；固定基板至傳輸單元的裝載單元；沉積單元，其包含在真空狀態的腔室、以及將有機層沉積在與傳輸單元相固定之基板上的至少一有機層沉積組件，傳輸單元係傳輸來自裝載單元；以及卸載單元，其將通過沉積單元且沉積已經完成的基板與傳輸單元分離，致使薄膜沉積設備與基板彼此相分隔；在沉積期間，將薄膜沉積設備或基板中的至少一個相對於彼此移動；；以及從沉積源噴灑沉積材料以通過圖樣化縫片沉積且在基板上形成圖樣。
傳輸單元可在第一輸送單元與第二輸送單元之間循環移動，以及當固定至傳輸單元的基板被第一輸送單元移動時，基板可與有機層沉積組件彼此隔開一距離。
第一輸送單元與第二輸送單元可通過沉積單元。
第一輸送單元與第二輸送單元可垂直地平行配置。
第一輸送單元可依序地將傳輸單元移動進裝載單元、沉積單元以及卸載單元。
第二輸送單元可依序地將傳輸單元移動進卸載單元、沉積單元以及裝載單元。
在鈍化層之形成之後，此方法可進一步包含移除複數個面板中鄰近面板之間的有機層。
鄰近面板之間的有機層之移除可包含使用含有氧氣（O2）之電漿以化學蝕刻移除有機層。
根據本發明的實施例，一種使用上述方法製造有機發光顯示裝置。
根據本發明的另一實施例之有機發光顯示裝置，包含﹕基板；複數個薄膜電晶體，其形成在基板上且每一薄膜電晶體包含一半導體主動層、與半導體主動層絕緣的閘極電極以及接觸半導體主動層的源極電極與汲極電極；複數個第一電極，其形成在複數個薄膜電晶體中每一薄膜電晶體上以電性連接至薄膜電晶體；形成在複數個第一電極上的複數個有機層；形成在該複數個有機層上的第二電極；以及形成在第二電極上以覆蓋第二電極的鈍化層，其中在較遠離沉積區域之中心的基板上形成的複數個有機層的至少一有機層之斜邊長度係大於較靠近之中心形成的其他有機層之斜邊長度，其中在基板上形成的複數個有機層中的至少一有機層係為使用申請專利範圍第1項之薄膜沉積設備所形成的線性圖樣化有機層。
鈍化層可包含選自三8羥基喹啉鋁(Alq3)、苯基咔唑（phenylcarbazole）系化合物、以及芴（fluorene）系化合物所組成的群組中的至少一種材料。
基板可具有等於或大於40英寸之尺寸。
複數個有機層可包含至少一發光層。
複數個有機層可具有非均勻的厚度。
在較遠離沉積區域之中心而形成的每一有機層中，較遠離沉積區域之中心的斜邊長度斜邊可大於其他斜邊長度。
在設置於沉積區域的複數個有機層中，當與沉積區域之中心之距離增加時，在第一方向上延伸的二側之一相重疊區域可形成更窄。
設置在沉積區域之中心的有機層之複數個斜邊可有大致上相同的長度。
設置在沉積區域中的複數個有機層可依沉積區域之中心對稱地配置。
1．．．有機層沉積設備
100．．．沉積單元
100-1．．．第一有機層沉積組件
100-2．．．第二有機層沉積組件
100-11．．．第十一有機層沉積組件
101．．．腔室
102．．．腳座
103．．．下殼體
104．．．上殼體
104-1．．．容置部
110．．．沉積源
111．．．坩堝
112．．．加熱器
115．．．沉積材料
120．．．沉積源噴嘴單元
121．．．沉積源噴嘴
130．．．圖樣化縫片
131、131a、131b、131c、131d、131e．．．圖樣化隙縫
140．．．防護構件
150．．．第一階臺
160．．．第二階臺
170．．．相機
180．．．感測器
190．．．沉積源更換單元
2、3．．．積板
200．．．裝載單元
212．．．第一架體
214．．．傳輸室
218．．．第一翻轉室
219．．．緩衝室
31．．．絕緣層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間絕緣層
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
300．．．卸載單元
322．．．第二架體
324．．．退頂室
328．．．第二翻轉室
40．．．薄膜電晶體
41．．．半導體主動層
42．．．閘極電極
43．．．緣極電極/汲極電極
400．．．輸送單元
410．．．第一輸送單元
411．．．線圈
412．．．導引構件
412a．．．第一容置部
412b．．．第二容置部
412c．．．連接部
412e．．．導軌凸部
413．．．上磁懸浮軸承
414．．．側磁懸浮軸承
415、416．．．間隙感測器
420．．．第二輸送單元
421．．．線圈
422．．．滾筒導軌
423．．．充電軌道
430．．．傳輸單元
431．．．載體
431a．．．主體部
431b．．．LMS磁鐵
431c．．．CPS模組
431d．．．電源供應單元
431．．．導軌凹槽
432．．．靜電吸盤
50．．．電容
500．．．圖樣化縫片更換單元
60．．．有機發光二極體
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．有機層
64．．．鈍化層
65．．．封裝基板
700、800、900．．．有機層沉積組件
710、810、910．．．沉積源
711、811、911．．．坩堝
712、812、912．．．加熱器
715、815、915．．．沉積材料
720、820、920．．．沉積源噴嘴單元
721、821、921．．．沉積源噴嘴
730、830．．．屏蔽板組件
731、831．．．屏蔽板
732、832．．．屏蔽板框架
750、850、950．．．圖樣化縫片
751、851、951．．．圖樣化隙縫
755、855、955．．．框架
840．．．第二屏蔽板組件
841．．．第二屏蔽板
842．．．第二屏蔽板框架
935．．．連接構件
A．．．箭頭方向
R1、R2、R3．．．排斥力
DS．．．沉積空間
G．．．重力
X、Y、Z．．．方向
11、12、13、14．．．間隔
S．．．沉積空間
C．．．中心線
SR1、SR2、SR3、SR4、SR5．．．右側陰影
SL1、SL2、SL3、SL4、SL5．．．左側陰影
P1、P2、P3、P4、P5．．．有機層
θb、θc、θd、θe．．．臨界入射角
CR．．．電路區
藉由參考附圖，進一步詳細描述一些例示性實施例，使本發明的上述內容與其他特性將變成更清楚明顯，其中﹕
第1圖係為根據本發明的實施例之薄膜沉積設備之示意頂視圖；
第2圖係為根據本發明的實施例之第1圖之薄膜沉積設備之沉積單元的示意側視圖；
第3圖係為根據本發明的實施例之第1圖之薄膜沉積設備之沉積單元的透視圖；
第4圖係為根據本發明的實施例之第3圖之沉積單元的剖面圖；
第5圖係為根據本發明的實施例之第3圖之沉積單元之第一輸送單元與傳輸單元之剖面圖；
第6圖係為根據本發明的實施例之有機層沉積組件之的透視圖；
第7圖係為第6圖之有機層沉積組件的側剖面圖；
第8圖係為第6圖之有機層沉積組件的前剖面圖；
第9圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的透視圖；
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的透視圖；
第11圖係為之根據本發明的實施例之有機層沉積組件之圖樣化縫片之示意頂視圖；
第12圖係為繪示根據本發明的實施例之第11圖之使用圖樣化縫片以形成在基板上的有機層之示意剖面圖；
第13圖係為根據本發明的實施例之使用薄膜沉積設備製造有機發光顯示裝置的剖面圖；以及
第14圖至第16圖係用於說明根據本發明的實施例之製造有機發光顯示裝置之方法的示意圖。
下文中，將參考附圖以進一步詳細說明本發明之一些例示性實施例；然而，本發明之實施例可體現成不同形式而不應受限於以上描述與繪製的例示性實施例而解釋。相反地，提供此些實施例是為了以範例之方式讓本發明更為理解且充分傳遞本發明之範疇予本技術領域具有通常知識者。熟悉此領域之技術者將理解，所描述之實施例可在完全未脫離本發明的精神或範疇下被以各種方式修改。當表述如「至少一個(at least one of)」前綴於元件列表時，係修飾整個元件列表而非修飾列表中之個別元素。
第1圖係為根據本發明的實施例之薄膜沉積設備之示意頂視圖。第2圖係為根據本發明的實施例之第1圖之薄膜沉積設備之沉積單元的示意側視圖。
請參閱第1圖與第2圖，根據本發明的實施例之薄膜沉積設備1包含沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300、以及輸送單元400。
裝載單元200可包含第一架體212、傳輸室214、第一翻轉室218、以及緩衝室219。
複數個基板2(如第3圖所示)，其上尚未施加沉積材料，係堆疊在第一架體212（圖中未顯示）上。包含在傳輸室214中的傳輸自控機器係從第一架體212中拿起複數個基板2中的其中一個，將其設置在藉由輸送單元400之第一輸送單元410傳輸的傳輸單元430上，並將上面設置有基板2的傳輸單元430移動進第一翻轉室218。
第一翻轉室218係設置鄰近傳輸室214。第一翻轉室218包含第一翻轉自控機器，其係翻轉傳輸單元430然後將其裝載於輸送單元400之第一輸送單元410上。
傳輸室214之傳輸自控機器係放置複數個基板2之其中一個在傳輸單元430之上表面上，然後上面設置有基板2的傳輸單元430係被傳輸進第一翻轉室218。第一翻轉室218之第一翻轉自控機器係翻轉傳輸單元430以致於基板2在沉積單元100中被翻轉倒掛。
卸載單元300，在一實施例中，係配置以與上述裝載單元200相反的方式進行操作。特別的是，在一實施例中，在第二翻轉室328中的第二翻轉自控機器係翻轉已通過沉積單元100的傳輸單元430，且基板2係設置在傳輸單元430上，然後將上面設置有基板2的傳輸單元430移動進退頂室324。然後，退頂自控機器將其上面設置有基板2的傳輸單元430從退頂室324取出，並將基板2與傳輸單元430分離，然後將基板2裝載在第二架體322上。與基板2分離的傳輸單元430係經由第二輸送單元420回到裝載單元200。
然而，本發明不限於上述實施例。例如，在另一實施例，當設置基板2在傳輸單元430上時，基板2可固定到傳輸單元430之底表面上，而然後移動進沉積單元100。在此實施例中，例如，第一翻轉室218之第一翻轉自控機器以及第二翻轉室328之第二翻轉自控機器可省略不用。
沉積單元100可包含至少一用於沉積的腔室。在一實施例中，如第1圖與第2圖所繪示，沉積單元100包含腔室101，複數個有機層沉積組件100-1、100-2，…、100-n係設置在腔室101中。請參閱第1圖，十一個有機層沉積組件，即第一有機層沉積組件100-1、第二有機層沉積組件100-2、…以及第十一有機層沉積組件100-11係設置在腔室101中。然而，在其他實施例，有機層沉積組件之數量可改變，例如根據所需的沉積材料及/或沉積條件而改變。在一實施例中，腔室101在沉積製程期間係維持在真空。
在第1圖繪示之實施例中，有基板2固定其上的傳輸單元430可藉由第一輸送單元410而至少被移動到沉積單元100或可依序地移動到裝載單元200、沉積單元100以及卸載單元300，而且在卸載單元300中與基板2分離的傳輸單元430可藉由第二輸送單元420被移動回裝載單元200。
在一實施例中，當通過沉積單元100時，第一輸送單元410係通過腔室101，而第二輸送單元420係輸送與基板2相分離的傳輸單元430。
在一實施例中，如第2圖所示，配置薄膜沉積設備1以致於第一輸送單元410與第二輸送單元420分別地設置在有機層沉積組件100-1、100-2、…以及100-n的上方與下方，以致於通過第一輸送單元410且其上沉積已經完成的傳輸單元430在卸載單元300中與基板2分離，而傳輸單元430係經由形成在第一輸送單元410下方的第二輸送單元420退回到裝載單元200，藉此薄膜沉積設備1可具有改進的空間利用效率。
在實施例中，沉積單元100可進一步包含設置在每一有機層沉積組件100-1、100-2、…以及100-n之一側的沉積源更換單元190。雖然在圖式中未特別地繪示，沉積源更換單元190可形成能從每一有機層沉積組件100-1、100-2、…以及100-n拉出至外部的卡匣型(cassette-type)。如此，可容易地替換第一有機層沉積組件100-1之沉積源110(參見第3圖)。
第3圖係為根據本發明的實施例之薄膜沉積設備1之沉積單元100 的透視圖。第4圖係為根據本發明的實施例之沉積單元100 的剖面圖。第5圖係為根據本發明的實施例之沉積單元100之第一輸送單元410與傳輸單元430之剖面圖。
請參閱第3圖與第4圖，薄膜沉積設備1之沉積單元100係包含至少一有機層沉積組件100-1以及輸送單元400。
以下係進一步描述沉積單元100之全部結構。
腔室101可形成為中空板箱型且容置至少一有機層沉積組件100-1與輸送單元400。在一實施例中，腳座102係形成藉此將沉積單元100固定在地面上，而下殼體103係設置在腳座102上，以及上殼體104係設置在下殼體103上。腔室101係容置下殼體103與上殼體104。在一實施例中，下殼體103之連接部係與腔室101係密封以致於腔室101之內部完全地與外部絕緣。由於下殼體103與上殼體104設置在固定於地面上的腳座102上的結構，即使腔室101重複地縮回與擴展，下殼體103與上殼體104可維持在固定位置。如此，下殼體103與上殼體104可作為沉積單元100中的參考框架。
在一實施例中，上殼體104係包含有機層沉積組件100-1以及輸送單元400之第一輸送單元410，而下殼體103包含輸送單元400之第二輸送單元420。當傳輸單元430週期性地在第一輸送單元410與第二輸送單元420之間移動，則沉積製程係連續地執行。
以下將詳細描述有機層沉積組件100-1之構件。
第一有機層沉積組件100-1包含沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖樣化縫片130、防護構件140、第一階臺150、第二階臺160、相機170以及感測器180。在一實施例中，在第3圖與第4圖繪示的所有元件可配置在維持於適當真空狀態的腔室101以達成沉積材料之線性。
在一實施例中，為了將從沉積源110釋出並穿透沉積源噴嘴單元120與圖樣化縫片130的沉積材料115在基板2上沉積成所需圖樣，其較理想的是將腔室101維持在與用於精細金屬光罩(FMM）之沉積方法相同的真空狀態。此外，較理想的是，圖樣化縫片130之溫度係足夠低於沉積源11之溫度(約100°C或更低)，因為當圖樣化縫片130之溫度足夠低時，圖樣化縫片130因溫度而產生的熱膨脹可最小化或減少。
待沉積沉積材料115於其上的基板2係配置在腔室101。基板2可為平面顯示裝置之基板。例如，用於製造複數個平面顯示裝置之尺寸等於或大於40英寸的大基板，例如母體玻璃，可用作基板2。
根據本發明之實施例，當基板2或有機層沉積組件100-1的至少一個相對於彼此移動時，可執行沉積製程。在一實施例中，當基板2相對於有機層沉積組件100-1移動時，可執行沉積製程。
在使用FMM的傳統沉積方法中，FMM的尺寸必須與基板的尺寸相同。如此，當基板的尺寸增加時，FMM亦必須是大尺寸。由於這些問題，其難以製造FMM以及延伸FMM以將FMM與精確圖樣對齊。
在根據本發明的實施例之有機層沉積組件100-1中，當有機層沉積組件100-1或基板2的至少一個相對於彼此移動時，可執行沉積。換句話說，當面對有機層沉積組件100-1的基板2係在一方向上(例如，Y軸方向）上移動時，可連續地執行沉積。亦即，沉積係以掃描方式執行，而基板2係在第3圖中繪示之箭頭方向"A"上移動。雖然當執行沉積時，在腔室101中基板2係繪示於Y軸方向移動，但本發明不因此受限制。例如，在一實施例中，執行沉積時，有機層沉積組件100-1可在一方向（例如，Y軸方向）上移動而基板2係維持在固定位置上。
如此，在有機層沉積組件100-1中，圖樣化縫片130可遠小於用於傳統沉積方法的FMM。換句話說，在有機層沉積組件100-1中，當基板2在Y軸方向上移動時，沉積可連續地執行，即以掃描方式執行。如此，圖樣化縫片130在x軸方向與在Y軸方向上的至少一長度可遠小於基板2之長度。因為圖樣化縫片130可形成遠小於用於傳統沉積方法的FMM，所以容易製造圖樣化縫片130。因此，小圖樣化縫片130係比用於傳統沉積方法之FMM更有利於一些或所有製造流程，其包含精確伸長(precise elongation)之後的蝕刻、焊接、傳輸，以及清洗流程。此外，此係更有利於製造相對大的顯示裝置。
如上所述，為了當有機層沉積組件100-1或基板2相對於彼此移動時可執行沉積，有機層沉積組件100-1與基板2係彼此相分隔一特定距離。以下係更詳細地描述。
含有且加熱沉積材料115的沉積源110係設置在對面於基板2所設置於腔室 101之側的側上。當包含於沉積源110中的沉積材料115汽化時，在基板2上執行沉積。
在一實施例中，沉積源110包含填充沉積材料115的坩堝111、以及加熱坩堝111以朝向坩堝111之一側，特別是朝向沉積源噴嘴單元120，汽化填充在坩堝111內之沉積材料115的加熱器112。
在一實施例中，沉積源噴嘴單元120係設置在沉積源110面向基板2之側上。在這方面，在執行用於形成共同層與圖樣層的沉積中。根據本實施例之每一有機層沉積組件可包含不同沉積噴嘴。雖然未顯示，複數個沉積源噴嘴121可在一方向上（例如Y軸方向），其係基板2之掃描方向，形成在用於形成圖樣層之沉積噴嘴單元120上。在一實施例中，沉積源噴嘴121係形成以致於在一方向上（例如X軸方向）僅一個沉積源噴嘴121存在，以致於可大幅地減少陰影發生。在一實施例中，複數個沉積源噴嘴121可在X軸方向上形成在用於形成共同層之沉積噴嘴單元120上。因此，可改進共同層之厚度均勻性。
在一實施例中，圖樣化縫片130可設置在沉積源110與基板2之間。圖樣化縫片130可包含具有與視窗框（window frame）相似形狀的框架。圖樣化縫片130包含配置在方向上（例如X軸方向上）的複數個圖樣化隙縫131。已經在沉積源110中汽化的沉積材料115係穿透沉積源噴嘴單元120與圖樣化縫片130，然後沉積到基板2上。圖樣化縫片130可使用與形成FMM，特別的是條紋型遮罩，相同的方法來形成。在一實施例中，圖樣化隙縫131之總數量可大於該沉積源噴嘴121之總數量。
在一實施例中，沉積源110(以及相結合的沉積源噴嘴單元120)與圖樣化縫片130可彼此相分隔一特定距離。
如上所述，當有機層沉積組件100-1相對於基板2移動時，沉積係執行。為了讓有機層沉積組件100-1相對於基板2移動，圖樣化縫片130係設置與基板2相分隔一特定距離。
在使用FMM之傳統沉積方法中，為了防止在基板上形成陰影，FMM係精密接觸基板以執行沉積。然而，當FMM形成與基板精密接觸，由於基板與FMM之間的接觸造成的缺陷可能會發生。此外，因為其難以將遮罩相對於基板移動，遮罩與基板必須形成相同尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增加，遮罩必須變大。然而，大型遮罩係難以形成。
在根據本發明的實施例之有機層沉積組件100-1中，圖樣化縫片130係形成與待沉積沉積材料於其上的基板2相分隔一特定距離。
根據本發明之實施例，當小於基板形成的遮罩相對於基板移動時便可執行沉積，如此其係容易製造遮罩。此外，可防止或大致上防止由於基板與遮罩之間的接觸而造成的缺陷。此外，因為在沉積製程期間遮罩不必精密接觸基板，所以可改進製造速度。
以下係根據本發明的實施例進一步描述上殼體104之每一元件之配置。
沉積源110與沉積源噴嘴單元120係設置在上殼體104之底部上。複數個容置部104-1係分別地形成在沉積源110與沉積源噴嘴單元120之兩側上而有突出形狀。在一實施例中，第一階臺150、第二階臺160以及圖樣化縫片130係依序地配置在容置部104-1上。
在一實施例中，第一階臺150係形成以在X軸方向與Y軸方向上移動，致使第一階臺150在X軸與Y軸方向上對準圖樣化縫片130。亦即，第一階臺150包含複數個致動器，以致於第一階臺150在X軸與Y軸方向上相對於上殼體104移動。
第二階臺160係形成以在Z軸方向上移動，藉此在Z軸方向上對準圖樣化縫片130。亦即，第二階臺160包含複數個致動器，且形成以在Z軸方向上相對於第一階臺150移動。
圖樣化縫片130係設置在第一階臺150與第二階臺160上，藉此在X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向上移動，如此，可執行在基板2與圖樣化縫片130之間的對準，特別的是即時對準。
上殼體104、第一階臺150以及第二階臺160可引導沉積材料115之流動路徑，以致於透過沉積源噴嘴121釋出的沉積材料115不會分散到流動路徑外部。亦即，沉積材料115之流動路徑可被上殼體104、第一階臺150以及第二階臺160密封，如此，沉積材料115在X軸與Y軸方向上的移動可從而同步地被引導。
為了防止或大致上防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上，防護構件140可設置在圖樣化縫片130與沉積源110之間。雖然未顯示，防護構件140可包含二個相鄰近的平板。基板2之非薄膜形成區係被防護構件140遮蔽，如此，不須使用獨立的結構便能防止或大致上防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上。
以下係更詳細地描述輸送待沉積沉積材料115於其上之基板2的輸送單元400。請參閱第3圖至第4圖，輸送單元400包含第一輸送單元410、第二輸送單元420以及傳輸單元430。
第一輸送單元410係以同線方式輸送傳輸單元430，其含有載體431與附著載體431的靜電吸盤432，而基板2係附著至傳輸單元430以致於有機層可藉由第一有機層沉積組件100-1形成在基板2上。第一輸送單元410，在一實施例中，係包含線圈411、導引構件412、上磁懸浮軸承413、側磁懸浮軸承414以及間隙感測器415與416 （如第5圖所示）。
當傳輸單元430通過沉積單元100而已完成一個沉積週期之後，第二輸送單元420係將在卸載單元300中已經與基板2分隔的傳輸單元430送回裝載單元200。在一實施例中，第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
傳輸單元430包含沿著第一輸送單元410與第二輸送單元420輸送的載體431、以及結合在載體431表面上的靜電吸盤432，而基板2係附著至靜電吸盤432。
以下將詳細描述輸送單元400之構件。
請參閱第5圖，現在將更詳細地描述傳輸單元430之載體431。
在一實施例中，載體431包含主體部431a、磁軌431b、非接觸式電源供應器（CPS）模組431c、電源供應單元431d以及導軌凹槽431e。
主體部431a係構成載體431之基底部且可用磁性材料形成，例如鐵。在一實施例中，由於主體部431a與個別的上磁懸浮軸承413與側磁懸浮軸承414之間的排斥力，載體431可維持與導引構件412相分隔一特定距離，其將於以下描述。
導軌凹槽431e可分別地形成在主體部431a之兩側，而每一導軌凹槽431e可容置導引構件412之導軌凸部412e。
磁軌431b可沿著主體部431a之中線在主體部431a之進行方向上形成。磁軌431b與線圈411可彼此結合組成線性馬達，其係下方描述，而載體431可藉由線性馬達在箭頭"A"方向上輸送。
CPS模組431c與電源供應單元431d可分別地形成在主體部431a中的磁軌431b之兩側上。電源供應單元431d可為電池，其係提供電源以致於靜電吸盤432吸住基板2並維持操作。CPS模組431c可為能對電源供應單元431d充電的無線充電模組。在一實施例中，形成在第二輸送單元420中的充電軌道423，其在下方描述，係連接至變流器（inverter）（圖中未顯示），如此，當載體431傳輸進第二輸送單元420，磁場係形成在充電軌道423與CPS模組431c之間藉此供給電源給CPS模組431c。供應至CPS模組431c的電源係用於對電源供應單元431d充電。
靜電吸盤432可包含嵌入以陶瓷形成之主體的電極，其中電極係供應電源。當高電壓施加至電極時，基板2係附著在靜電吸盤432之主體之表面上。
以下將更詳細描述傳輸單元430之操作。
主體部431a之磁軌431b與線圈411可彼此結合以組成一操作單元。操作單元可為線性馬達。相比於傳統滑動導軌系統，線性馬達具有小摩擦係數、微小位置錯誤、以及非常高程度的位置確定。如上所述，線性馬達可包含線圈411與磁軌431b。磁軌431b係線性設置在載體431上，而複數個線圈411可設置在腔室101之內側上而間隔一特定距離面對磁軌431b。因為磁軌431b係代替線圈411而設置在載體431上，所以載體431不須電源供應亦可進行操作。在這方面，線圈411可形成在氣（ATM）箱中，而載體431磁軌431b所附著的載體431可在維持真空的腔室101中移動。
以下將更詳細地描述第一輸送單元410與傳輸單元430。
請參閱第4圖與第5圖，第一輸送單元410係輸送固定於基板2之靜電吸盤432以及輸送用於輸送靜電吸盤432的載體431。在一實施例中，第一輸送單元410包含線圈411、導引構件412、上磁懸浮軸承413、側磁懸浮軸承414以及間隙感測器415與416。
線圈411與導引構件412係形成於上殼體104內部。線圈411係形成在上殼體104之上方部分中，而導引構件421係分別地形成在上殼體104之兩內側上。
導引構件412係導引載體431在一方向上移動。導引構件412係形成以通過沉積單元100。
複數個側磁懸浮軸承414中的每一側磁懸浮軸承414係設置在導引構件412之連接部412c中，藉此分別地對應於載體431之兩側。側磁懸浮軸承414係造成載體431與導引構件412之間的距離，以致於載體431在非接觸導引構件412之情形下沿著導引構件412移動。亦即，發生在第5圖中左側上的側磁懸浮軸承414以及磁性材料的載體431間的排斥力R1，以及發生在第5圖中右側上的側磁懸浮軸承414以及磁性材料的載體431之間的排斥力R2，係維持平衡，如此載體431 與個別導引構件412之間有一固定或大致上固定的距離。
每一上磁懸浮軸承413可係設置在導引構件412之第二容置部412b中，藉此以位在載體431上方。上磁懸浮軸承413係致使載體431能在不接觸導引構件412之第二容置部412b 與第一容置部412a且其之間維持固定或大致上固定距離之情況下，沿著導引構件412移動。亦即，在上磁懸浮軸承413與磁性材料的載體431間發生排斥力R3，而重力G係維持平衡，如此，載體431與個別導引構件412之間有一固定或大致上固定的距離。
每一導引構件412可進一步包含間隙感測器415。間隙感測器415可測量載體431與導引構件412之間的距離。間隙感測器416可設置在側磁懸浮軸承414之一側。間隙感測器416可測量載體431之側表面與側磁懸浮軸承414之間的距離。
上磁懸浮軸承413與側磁懸浮軸承414的磁力可根據間隙感測器415與416所測量之數值而隨之變化，如此，載體431與個別導引構件412之間的距離可即時調整。亦即，可使用上磁懸浮軸承413與側磁懸浮軸承414以及間隙感測器415與416回授控制載體431之精確傳輸。
以下將更詳細地描述第二輸送單元420與傳輸單元430。
請參閱回第4圖，第二輸送單元420係將已經在卸載單元300中與基板2分離的靜電吸盤432、以及乘載靜電吸盤432的載體431送回至裝載單元200。在一實施例中，第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
在一實施例中，線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423可位於下殼體103內部。線圈421與充電軌道423可設置在下殼體103之頂部內表面上，而滾筒導軌422可設置在下殼體103之兩內側上。該線圈421可係設置在ATM箱中，如同第一輸送單元410之線圈411。
與第一輸送單元410相似，第二輸送單元410亦可包含線圈421，而載體431之主體部431a之磁軌431b與線圈421係彼此結合以組成一操作單元。在這方面，操作單元可為線性馬達。載體431可藉由線性馬達沿著相反於第3圖繪示之箭頭"A"方向的方向上移動。
滾筒導軌422係導引載體431在一方向上移動。在一實施例中，滾筒導軌422係形成以通過沉積單元100。
第二輸送單元420係用於送回已經與基板2分離的載體431之流程，而不用於在基板2上沉積有機材料之流程，如此，其位置準確性可低於第一輸送單元410所要求的。因此，磁懸浮係施加至第一輸送單元410，從而取得高位置準確性，而傳統滾筒方法可施加至需要相對低位置準確性的第二輸送單元420，從而減少製造成本以及簡化有機層沉積設備之結構。雖然在第4圖未繪示，磁懸浮亦可施加至第二輸送單元420，如同第一輸送單元410。
根據本發明的實施例之有機層沉積設備1之薄膜沉積組件100-1可進一步包含用於對準流程的相機170以及感測器180。相機170可即時對準形成在圖樣化縫片130之框架中的第一對準標誌（圖中未顯示）以及形成在基板2上的第二對準標誌（圖中未顯示）。感測器180可為共焦感測器。因為基板2與圖樣化縫片130之間的距離可使用相機170與感測器180即時測量，所以基板2可即時對準圖樣化縫片130，藉此可顯著地改進圖樣之位置準確性。
可使用薄膜沉積設備1形成薄膜，例如有機發光顯示裝置之有機層，將參考第14圖更詳細地說明薄膜。
第6圖係為根據本發明的實施例之有機層沉積組件之的透視圖。第7圖係為第6圖之有機層沉積組件的側剖面圖。第8圖係為第6圖之有機層沉積組件的前剖面圖。
請參閱第6圖至第8圖，根據本發明的實施例之有機層沉積組件700包含沉積源710、沉積源噴嘴單元720、屏蔽板組件730、以及圖樣化縫片750。
沉積源710包含填充沉積材料715的坩堝711、以及加熱坩堝711且朝向沉積源噴嘴單元720氣化填充在坩堝711中之沉積材料715的加熱器712。沉積源噴嘴單元720係設置在沉積源710之一側，而複數個噴嘴721係在一方向上（例如，X軸方向）形成在沉積源噴嘴單元720中。
屏蔽板組件730係設置在沉積源噴嘴單元720之一側。屏蔽板組件730包含複數個屏蔽板731、以及設置在屏蔽板731外部的屏蔽板框架732。複數個屏蔽板731可在X軸方向上平行設置。複數個屏蔽板731可以相等間隔形成。而且，每一屏蔽板731可在第6圖所示之Y-Z平面上延伸，且可具有矩形形狀。複數個屏蔽板731係將沉積源噴嘴單元720與圖樣化縫片750之間的空間劃分成複數個沉積空間S（參見第8圖）。亦即，在有機層沉積組件700中，根據噴灑沉積材料715的複數個沉積源噴嘴721，藉由複數個屏蔽板731將空間劃分成複數個沉積空間S。因此，因為在沉積源710、沉積源噴嘴單元720、以及圖樣化縫片750之間的空間被複數個屏蔽板731劃分成複數個沉積空間S，所以從沉積源噴嘴721釋出的沉積材料715不會與從其他沉積源噴嘴721釋出的沉積材料715相混合，而通過圖樣化狹縫751沉積在基板2上。亦即，複數個屏蔽板731係引導沉積材料715之流動路徑，致使從每一沉積源噴嘴721釋出的沉積材料715係在Z軸方向上直線移動而沒有散射。
因此，因為複數個屏蔽板731係提供沉積材料715之線性，所以可顯著地減少形成在基板2上的陰影尺寸。因此，有機層沉積組件700與基板2可彼此相分隔一特定距離。
圖樣化縫片750係進一步提供在沉積源710與基板2之間。圖樣化縫片750係進一步包含具有與視窗框相似形狀的框架755，而複數個圖樣化隙縫751係在一方向（例如，X軸方向）上形成在圖樣化縫片750中。在沉積源710中汽化的沉積材料715係穿透沉積源噴嘴單元720以及圖樣化縫片750，而沉積到基板2上。
第9圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的透視圖。
請參閱第9圖，根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件800包含沉積源 810、沉積源噴嘴單元820、第一屏蔽板組件830、第二屏蔽板組件840以及圖樣化縫片850。含有填充沉積材料815的坩堝811、以及加熱坩堝811且氣化填充在坩堝中之沉積材料815的加熱器812的沉積源810；沉積源噴嘴單元820；含有複數個第一屏蔽板831與屏蔽板框架832的第一屏蔽板組件830；以及含有框架855的圖樣化縫片850，以上元件可與上述有機層沉積組件700之元件相同或相似，如此將不提供其詳細說明。有機層沉積組件800與上述的有機層沉積組件700不同之處在於第二屏蔽板組件840係設置在第一屏蔽板組件830之一側上。
在一實施例中，第二屏蔽板組件840包含複數個第二屏蔽板841、以及設置於第二屏蔽板841外部的第二屏蔽板框架842。第二屏蔽板841可在X軸方向上平行設置。在一實施例中，第二屏蔽板841可以相等間隔形成。而且，每一第二屏蔽板841可形成在第9圖所示之Y-Z平面上，例如垂直於X軸方向。
以此方式設置的複數個第一屏蔽板831與第二屏蔽板841係劃分在沉積源噴嘴單元820與圖樣化縫片850之間的空間。亦即，由於第一屏蔽板831與第二屏蔽板841，係根據噴灑沉積材料815的沉積源噴嘴821而將空間劃分成複數個沉積空間。
複數個第二屏蔽板841可設置分別地以一對一對應方式對應於複數個第一屏蔽板831。在一實施例中，第二屏蔽板841與第一屏蔽板831可彼此平行對齊。亦即，彼此相對應的複數個第一屏蔽板831與複數個第二屏蔽板841可設置在相同平面上。雖然在第9圖中X軸方向上的第一屏蔽板831之長度與第二屏蔽板841之寬度呈現相同，但本發明不因此受限制。亦即，需要精確地對準圖樣化縫片850之圖樣化狹縫851的第二屏蔽板841可形成相對地薄，而不需要精確地對準的第一屏蔽板831可為相對地厚，從而促進製造流程。
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件的透視圖。
請參閱第10圖，根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件900包含沉積源910、沉積源噴嘴單元920、以及圖樣化縫片950。
沉積源910包含填充沉積材料915的坩堝911、以及加熱坩堝911且朝向沉積源噴嘴單元920氣化填充在坩堝911中之沉積材料915的加熱器912。沉積源噴嘴單元920係設置在沉積源910之一側，而複數個沉積源噴嘴921係在一方向上（例如，Y軸方向）形成於沉積源噴嘴單元920中。圖樣化縫片950與框架955係進一步提供在沉積源910與基板2之間，而複數個圖樣化隙縫951與間隔物係在X軸方向上形成在圖樣化縫片950內以及上方。沉積源910、沉積源噴嘴單元920以及圖樣化縫片950係藉由連接構件935而彼此耦接。
沉積源噴嘴單元920之複數個沉積源噴嘴921之配置係不同於先前描述之實施例，以下係進一步提供其說明。
沉積源噴嘴單元920係設置在沉積源910之一側上，其係，沉積源910面向基板2之側上。複數個沉積源噴嘴921係在Y軸方向上，其係基板2之掃描方向上，形成在沉積源噴嘴單元920中。在一實施例中，複數個沉積源噴嘴921可以相等間隔形成。在沉積源910中汽化的沉積材料915係穿透沉積源噴嘴單元920而沉積到基板2上。其結果是，沉積源噴嘴921係形成有機層沉積組件900中於基板2之掃描方向上。在此情形中，當沉積源噴嘴921提供在X軸方向上，複數個沉積源噴嘴921與複數個圖樣化隙縫951之間的距離不同，會出現由從遠離圖樣化狹縫951之沉積源噴嘴921噴灑的沉積材料915所造成的陰影。因此，因為僅一個沉積源噴嘴921形成而存在X軸方向上，可大幅地減少陰影。而且，甚至當有個別沉積源噴嘴之間有通量差異時，因為複數個沉積源噴嘴921存在於掃描方向上，所以通量差異可被抵銷而沉積均勻性可維持不變。
現在將更詳細地說明在薄膜沉積設備上形成的有機層之結構。
第11圖係為根據本發明的實施例之有機層沉積組件之圖樣化縫片之示意頂視圖。第12圖係為繪示根據本發明的實施例之第11圖之使用圖樣化縫片在基板上形成的有機層之示意剖面圖。
第11圖與第12圖係繪示圖樣化隙縫131係相等間隔配置的圖樣化縫片130。亦即，在一實施例中，圖樣化隙縫131係滿足下列的條件﹕l1=l2=l3=l4。
如第12圖所示，在一實施例中，沿著沉積空間DS之中線C釋出的沉積材料之入射角係大致上垂直基板2。如此，使用穿透圖樣化狹縫131a之沉積材料形成的有機層P1具有最小尺寸的陰影，而右側陰影SR1與左側陰影SL1係彼此對稱形成。
然而，當離中線C的距離增加時，穿透離沉積空間DS之中線C更遠的圖樣化隙縫之沉積材料的入射角係逐漸增加，以及，在一實施例中，穿透最外側圖樣化狹縫131e的沉積材料之入射角θe係為大約55°。因此，沉積材料係相對於圖樣化狹縫131e傾斜入射，而使用穿透圖樣化狹縫131e之沉積材料形成的有機層P5具有最大的陰影。特別的是，左側陰影SR5係大於右側陰影SR5。
亦即，當沉積材料之入射角增加，陰影的尺寸亦增加。特別的是，在遠離沉積空間DS之中線C的位置上的陰影尺寸係增加。此外，沉積空間DS之中線C與個別圖樣化隙縫之間的距離增加時，沉積材料之入射角增加。如此，使用穿透遠離沉積空間DS之中線C設置的圖樣化隙縫的沉積材料形成的有機層有較大的陰影尺寸。特別的是，針對個別有機層之兩側上的陰影尺寸，在遠離沉積空間DS之中線C的一側上的陰影尺寸係大於較靠近C之一側上的陰影尺寸。
亦即，參閱第12圖，形成在沉積空間DS之中線C左側上的有機層具有左斜邊長於右斜邊的結構，而形成在沉積空間DS之中線C右側上的有機層具有右斜邊長於左斜邊的結構。
此外，在形成在於沉積空間DS之中線C左側上的有機層中，左斜邊之長度係往左側增加。在形成於沉積空間DS之中線C右側上的有機層中，右斜邊之長度係往左側增加。因此，形成在沉積空間DS中的有機層可依沉積空間DS之中線C而彼此對稱形成。
現在將詳細地描述此結構。
穿透圖樣化狹縫131b的沉積材料係在入射角θb穿透圖樣化狹縫131b，而使用已穿透圖樣化狹縫131b之沉積材料形成的有機層P2具有SL2左側陰影。同樣地，穿透圖樣化狹縫131c的沉積材料係在入射角θc穿透圖樣化狹縫131c，而使用已穿透圖樣化狹縫131c之沉積材料形成的有機層P3具有SL3左側陰影。同樣地，穿透圖樣化狹縫131d的沉積材料係在入射角θd穿透圖樣化狹縫131d，而使用已穿透圖樣化狹縫131d之沉積材料形成的有機層P4具有SL4左側陰影。同樣地，穿透圖樣化狹縫131e的沉積材料係在入射角θe穿透圖樣化狹縫131e，而使用已穿透圖樣化狹縫131e之沉積材料形成的有機層P5具有SL5左側陰影。
在這方面，入射角度係滿足下列條件﹕θb<θc<θd<θe，如此，有機層之陰影尺寸亦滿足下列條件﹕SL1 < SL2 < SL3 < SL4 < SL5。
第13圖係為根據本發明的實施例之使用薄膜沉積設備，例如上述的薄膜沉積設備1，製造有機發光顯示裝置的剖面圖。
請參閱第13圖，根據本發明的實施例之有機發光顯示裝置 (例如，主動矩陣型有機發光顯示裝置）係形成在基板2上。基板2可用透明材料形成，例如玻璃、塑膠或金屬。絕緣層31，例如緩衝層，可形成在基板2之全部表面上。
在一實施例中，薄膜電晶體（TFT）40、電容50、以及有機發光二極體（OLED）60係設置在絕緣層31上，如第13圖所繪示。
半導體主動層41可在絕緣層31之上表面上形成預設圖樣。閘極絕緣層32可形成以覆蓋半導體主動層41。半導體主動層41可包含p型或n型半導體材料。
在一實施例中，薄膜電晶體40之閘極電極42係形成在閘極絕緣層32對應於半導體主動層41之區域中。層間絕緣層33可形成以覆蓋閘極電極42。層間絕緣層33與閘極絕緣層32可被蝕刻，例如藉由乾蝕刻，以形成暴露部分半導體主動層41的接觸孔。
在一實施例中，源極電極/汲極電極43係形成在層間絕緣層33上以透過接觸孔接觸半導體主動層41。在一實施例中，鈍化層34係形成以覆蓋源極電極/汲極電極43，而且係被蝕刻以暴露源極電極/汲極電極43之其中一個的一部分。絕緣層（圖中未顯示）可進一步形成在鈍化層34上藉此平坦化鈍化層34。
有機發光二極體60係根據電流發出紅色光、綠色光或藍色光來可顯示預設影像資訊。有機發光二極體60包含且設置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61係電性連接至薄膜電晶體40之被暴露的源極電極/汲極電極43。
像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口係形成在像素定義層35中，而含有發光層（EML）的有機層63係形成在被開口所定義之區域中。第二電極62係形成在有機層63上。
定義個別像素之像素定義層35係以有機材料形成。像素定義層35亦平坦化基板2中形成第一電極61之區域表面，特別的是，平坦化鈍化層34之表面。
第一電極61與第二電極62係彼此相分隔，且分別地施加相反極性的電壓至有機層63以促使發光。
含有EML的有機層63可用低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。當使用低分子量有機材料時，有機層可有含有電洞注入層（HIL）、電洞傳輸層（HTL）、EML、電子傳輸層（ETL）或電子注入層（EIL）的單層結構或多層結構。可用的有機材料之範例，其非為限制，包含銅酞菁（copper phthalocyanine，CuPc）、N,N'-雙（萘-1-基）-N,N'-二苯基-聯苯胺（N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine，NPB)以及三-8-羥基喹啉鋁（tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3）。
含有EML的有機層63可使用第1圖至第11圖所繪示之薄膜沉積設備1來形成。亦即，有機層沉積設備包含釋出沉積材料的沉積源、設置在沉積源之一側且包含形成於其中之複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元、以及面對沉積源噴嘴單元且包含形成其中之複數個圖樣化隙縫的圖樣化縫片。此有機層沉積設備係設置與待沉積沉積材料於其上的基板相分隔一預設距離。此外，當薄膜沉積設備1與基板2彼此相對移動時，從薄膜沉積設備1（參見第1圖）釋出的沉積材料係沉積在基板2上。
有機層63形成之後，第二電極62可用與形成有機層63相同的沉積方法來形成。
第一電極61可作用為陽極，而第二電極62可作用為陰極。另一選擇，第一電極61可作用為陰極，而第二電極62可作用為陽極。第一電極61可圖樣化以對應於個別像素區，而第二電極62可形成以覆蓋所有像素。
第一電極61可形成為透明電極或反射電極。此透明電極可用氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）或氧化銦（In2O3）形成。可用銀（Ag）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）或其化合物形成反射層，並在反射層上形成一層氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅或氧化銦，藉此形成此反射電極。可先形成一層，例如藉由濺射，然後對該層進行圖樣化，例如藉由光刻（photolithography），以形成第一電極61。
第二電極62亦可形成為透明電極或反射電極。在一實施例中，第二電極62係形成為透明電極且係用作陰極。可在有機層63之表面上沉積具有低功函數的金屬，例如鋰（Li）、鈣（Ca）、氟化鋰/鈣（LiF/Ca）、氟化鋰/鋁（LiF/Al）、鋁（Al）、銀（Ag）、鎂（Mg）或其化合物，並用氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化銦或其他相似材料形成輔助電極層或匯流電極線，以形成此透明電極。在一實施例中，第二電極62係形成為反射電極時，可在有機層63之全部表面上沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂或其化合物，以形成反射層。第二電極62可用與形成上述有機層63相同之沉積方法來形成。
在一實施例中，鈍化層64係進一步形成在第二電極62上。鈍化層64係形成在第二電極62上且用以保護第二電極62，並且當移除像素區以外之部分的有機層時鈍化層64係作為遮罩，其將參考第14圖詳細說明。
最後，封裝基板65可形成在有機發光二極體60上，且密封有機發光二極體60以隔離外部。
根據上述本發明之實施例之有機層沉積設備可應用以形成有機薄膜電晶體之有機層或無機層，而且以各種材料形成複數層。
以下係描述使用薄膜沉積設備1製造有機發光顯示裝置的方法。
第14圖至第16圖係用於說明根據本發明的實施例之製造有機發光顯示裝置之方法的示意圖。
在一實施例中，薄膜電晶體40（參見第13圖）、電容50（參見第13圖）、第一電極61（參見第13圖）、以及像素定義層35（參見第13圖）係依序地形成在基板2上。
接著，如第14圖所示，使用薄膜沉積設備1在基板2之第一電極61（參見第13圖）以及像素定義層35（參見第13圖）上形成有機層63。
如上所述，薄膜沉積設備1包含具有遠小於傳統FMM之尺寸的圖樣化縫片。為了使用圖樣化縫片在基板2上沉積有機層，薄膜沉積設備1或基板2中的至少一個相對於另一個係做相對移動，以執行沉積。在一實施例中，藉由在掃描方式之方向上移動基板2以執行沉積，而當如第14圖所示地完成沉積後，有機層63係在基板2上連續地形成一線型。亦即，線型圖樣之有機層63係連續地沉積在複數個面板（參見第15圖與第16圖）平行設置的基板2上。
然而，當有機發光顯示裝置變大時，複數個面板，其係有機發光顯示裝置，可形成在母體玻璃上。每一面板包含發光的像素區以及設置於像素區外部的電路區。當之後產品測試與製造時，電路區可用作一端部。當有機層係形成在電路區上時，電路區可不作用為電極。因此，電路區必須是有機材料不會形成於其上的非薄膜形成區。然而，如上所述，因為沉積係藉由將基板2以掃描方式相對於薄膜沉積設備移動而執行，其不容易防止有機材料沉積在基板2之電路區上。
此外，因為使用大型封裝基板65（參見第13圖），在第二電極62與封裝基板65之間的接觸區域增加，如此第二電極62與以及第二電極62下方的有機層63可能受損壞而可能會增加像素缺陷之風險。隨著從面板之外圍部朝向面板之中間部此問題可能會變得嚴重，且當基板2在蝕刻期間或傳輸期間滑動時，該問題會變成更嚴重。
為瞭解決這些問題，雖然已經嘗試使用獨立設備來覆蓋非薄膜形成區，例如遮板(shutter)或罩板(blinder)，但是因為當獨立設備增加，則設備中的空間利用效率會隨之減少且製造成本會增加。雖然已經嘗試使用預先形成之第二電極作為遮罩來除去形成在非薄膜形成區上的有機層，但是當移除形成在非薄膜形成區上的有機層時，第二電極會受損壞而無法執行作為一電極。
根據本發明的實施例，在製造第14圖至第16圖之有機發光顯示裝置的方法中，鈍化層64係形成在第二電極62上（參見第13圖）且防止或大致上防止封裝基板65與第二電極62彼此直接碰觸。此外，鈍化層64不僅可於有機材料被時移除保護第二電極62，而且亦可用作為移除形成在非薄膜形成區上之有機層的遮罩。
在一實施例中，如第15圖所示，第二電極62與鈍化層64係依序地形成在有機層63上。鈍化層64可用含有金屬配體（metal ligand），例如8-羥基奎林鋁（Alq3），的有機金屬（organo-metallic）化合物來形成，且鈍化層64之厚度可等於或大於1000A。
另一選擇，鈍化層64可用苯基哢唑（phenylcarbazole）系聚合物，例如HT01，來形成。亦即，可使用化學公式1所表示之具有至少二種苯基哢唑為基礎的衍生物作為側鏈的分子。
[化學公式1]

其中X為經取代或未經取代之C1-C30伸烷基、經取代或未經取代之C2-C30 烯基、經取代或未經取代之C6-C30伸芳基、經取代或未經取代之C2-C30伸雜芳基或經取代或未經取代之C2-C30雜環；R1、R2與R3 各獨立地為單取代基或多取代基且各為氫原子、經取代或未經取代之具1-30個碳原子之烷基、經取代或未經取代之具1-30個碳原子之烷氧基、經取代或未經取代之具6-30個碳原子之芳基、經取代或未經取代之具6-30個碳原子之芳氧基、經取代或未經取代之具2-30個碳原子之雜環或經取代或未經取代之具6-30個碳原子之多個稠環、羥基、氰基或經取代或未經取代之氨基，其中來自R1、R2與R3 間的相鄰之基團可結合以形成飽和或不飽和碳鍊；而Ar可為經取代或未經取代之C6-C30 芳基或經取代或未經取代之C2-C30 雜芳基。
另一選擇，鈍化層64可用芴（fluorene）系聚合物，例如HT211，來形成。亦即，可使用化學公式2所表示之含有至少一種氟衍生物以及至少一哢唑（carbazole）的衍生物的化合物。
[化學公式2]


其中Z係選自以下其中一個:

Ar係獨立地為經取代或未經取代之芳基或以下表示的團基；

X係表示氮（N）、硼（B）或磷（P）；Y表示一獨立單鍵，或係經取代或未經取代之C1-C30伸烷基、經取代或未經取代之C6-C30伸芳基、或經取代或未經取代之C4-C30雜環；R1、R2與R3係各為獨立的氫、經取代或未經取代之C1-C30烷基、經取代或未經取代之C6-C30芳基、經取代或未經取代之C4-C30雜環、或經取代或未經取代之C6-C30多個稠環，其中R1、R2與R3的相鄰之基團係耦接以形成飽和或不飽和碳鍊；而R'與R"各為選自獨立氫、羥基、經取代或未經取代之C1-C30烷基以及經取代或未經取代之C6-C30芳基所組成的群組。
因為有鈍化層64，封裝基板65與第二電極62可避免或大致上避免彼此直接碰觸，從而改進產品可靠性。
第二電極62與鈍化層64可形成（參見第15圖）以對應於平行設置在基板2上之複數個面板3中的每一面板3之像素區，而且可能不形成在電路區CR上，其係非薄膜形成區。在此情形中，為了覆蓋全部第二電極62，鈍化層64可形成略大於第二電極62。因此，像素區，其係薄膜形成區，係被第二電極62與鈍化層64覆蓋，然而電路區CR，其係非薄膜形成區，可暴露於外部。
在此狀態中，當執行電漿蝕刻時，如第16圖所示，形成在每一面板3之電路區CR上的有機層63係被完全地移除。為了除去電路區CR中的有機層63，可利用使用含有氧氣（O2）之電漿的化學蝕刻。此電漿蝕刻係為習知技術，故在此將不提供其詳細說明。
另一選擇，雖然未顯示，當薄膜沉積設備1與基板2彼此相對移動時，可沉積第二電極62與鈍化層64。在一實施例中，藉由在掃描方式的方向上移動基板2以執行沉積，而沉積完成後，第二電極62與鈍化層64可在基板2上連續地形成為一線型。在此情形中，形成在每一面板3之電路區CR上的有機層63、第二電極62以及鈍化層64必須被移除。
根據本發明的實施例，不需要用於移除非薄膜形成區中之有機層的額外遮罩，所以當使用第二電極作為遮罩來移除非薄膜形成區時，第二電極可可避免或大致上避免被氧化，較低的有機層可避免或大致上避免受損壞，而且可避免或大致上避免在蝕刻期間用於移除有機材料的氧氣滲透到有機發光顯示裝置。
根據本發明的態樣，製造有機發光顯示裝置的方法係適合用於大基板之大量生產以及致使能高畫質圖樣化，以及可使用該方法製造有機發光顯示裝置。
本發明已參考其一些例示性實施例而特別地顯示及描述，此技術領域中的通常知識者將理解的是在未脫離下列的申請專利範圍與其等效範圍所定義之精神與範籌下形式與細節上的各種改變皆為可行。
2．．．基板
430．．．傳輸單元
700．．．有機層沉積組件
710．．．沉積源
711．．．坩堝
712．．．加熱器
715．．．沉積材料
720．．．沉積源噴嘴單元
721．．．沉積源噴嘴
730．．．屏蔽板組件
731．．．屏蔽板
732．．．屏蔽板框架
750．．．圖樣化縫片
751．．．圖樣化隙縫
755．．．框架
X、Y、Z．．．方向
A．．．箭頭方向

Claims (34)

  1. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含﹕
    在一基板上連續地沉積線型圖樣的一有機層；
    在該有機層上沉積一第二電極；以及
    在該第二電極上形成一鈍化層以覆蓋該第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二電極在該有機層上的沉積包含針對複數個面板中的每一面板在該有機層上沉積該第二電極，以及其中在該第二電極上形成該鈍化層包含在該第二電極上形成該鈍化層以覆蓋該第二電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該有機層上沉積該第二電極包含在該有機層上連續地沉積線型圖樣之該第二電極，以及其中在該第二電極上形成該鈍化層包含在該第二電極上連續地形成線型圖樣之該鈍化層以覆蓋該第二電極。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該鈍化層包含選自由三(8羥基喹啉)鋁(Alq3)、苯基咔唑（phenylcarbazole）系化合物、以及芴（fluorene）系化合物所組成的群組中的一種或多種材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中一無機層係更形成於該鈍化層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該基板上連續沉積線型圖樣之該有機層包含﹕
    提供一薄膜沉積設備，該薄膜沉積設備包含含有一沉積材料的一沉積源、配置在該沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴的一沉積源噴嘴單元、以及配置面對該沉積源噴嘴單元的一圖樣化縫片，在該圖樣化縫片中係具有複數個圖樣化隙縫形成，以致於該薄膜沉積設備與該基板相分隔；
    在該沉積期間，將該薄膜沉積設備或該基板的至少其中之一相對於彼此移動；從該沉積源噴灑該沉積材料以通過該圖樣化縫片而沉積且在該基板上形成圖樣。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該圖樣化縫片在一第一方向或垂直該第一方向的一第二方向中的至少一方向上係小於該基板。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該沉積源噴嘴係配置在一第一方向上之該沉積噴嘴單元中，其中該圖樣化隙縫係配置在該第一方向上之該圖樣化縫片中，以及其中該薄膜沉積設備進一步包含配置在該第一方向上之該沉積源噴嘴單元與該圖樣化縫片之間的一屏蔽板組件，該屏蔽板組件係包含將該沉積源噴嘴單元與該圖樣化縫片之間的空間劃分成複數個沉積空間的複數個屏蔽板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中每一該複數個屏蔽板係在實質上垂直該第一方向之一第二方向上延伸。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該屏蔽板組件包含含有複數個第一屏蔽板的一第一屏蔽板組件、以及含有複數個第二屏蔽板的一第二屏蔽板組件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中每一該第一屏蔽板與每一該第二屏蔽板係形成在實質上垂直該第一方向的一第二方向上，並將該沉積源噴嘴單元與該圖樣化縫片之間的空間劃分成該複數個沉積空間。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該沉積源噴嘴係配置在一第一方向上之該沉積源噴嘴單元，以及其中該圖樣化隙縫係配置在垂直該第一方向之一第二方向上之該圖樣化縫片中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該沉積源、該沉積源噴嘴單元以及該圖樣化縫片藉由一連接構件彼此耦接而彼此一體形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該連接構件引導該沉積材料之一流動路徑。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該連接構件係形成以密封該沉積源、該沉積源噴嘴單元與該圖樣化縫片之間的空間與該外部隔離。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中在該基板上連續沉積線型圖樣之該有機層包含﹕
    提供該薄膜沉積設備，該薄膜沉積設備含有﹕
    一輸送單元，係包含固定該基板且沿著該基板移動的一傳輸單元、在該第一方向上移動與該基板固定之該傳輸單元的一第一輸送單元、以及當沉積完成時在相反於該第一方向的一方向上移動與該基板分離的該傳輸單元的一第二輸送單元；
    一裝載單元，係固定該基板至該傳輸單元；
    一沉積單元，係包含在真空狀態的一腔室、以及將該有機層沉積在與來自該裝載單元傳輸之該傳輸單元相固定之該基板上的至少一有機層沉積組件；及
    一卸載單元，係將通過該沉積單元且該沉積已經完成的該基板與該傳輸單元分離，致使該薄膜沉積設備與該基板彼此相分隔；
    在該沉積期間，將該薄膜沉積設備或該基板中的至少其中之一相對於彼此移動；以及
    從該沉積源噴灑該沉積材料以通過該圖樣化縫片而沉積且在該基板上形成圖樣。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該傳輸單元係在該第一輸送單元與該第二輸送單元循環移動，以及當固定至該傳輸單元的該基板被該第一輸送單元移動時，該基板係與該有機層沉積組件彼此隔開一距離。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係通過該沉積單元。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係垂直地平行配置。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一輸送單元係依序地將該傳輸單元移動進該裝載單元、該沉積單元以及該卸載單元。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第二輸送單元係依序地將該傳輸單元移動進該卸載單元、該沉積單元以及該裝載單元。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在形成該鈍化層之後，該方法進一步包含移除複數個面板中相鄰近面板之間的該有機層。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中移除該鄰近面板之間的該有機層係包含使用含有氧氣（O2）之電漿以化學蝕刻移除該有機層。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，進一步包含，在移除該有機層之前，在該鈍化層上設置一電漿屏蔽板。
  25. 一種使用如申請專利範圍第1項所述之方法製造的有機發光顯示裝置。
  26. 一種有機發光顯示裝置，包含﹕
    一基板；
    複數個薄膜電晶體，係形成在該基板上且每一該複數個薄膜電晶體包含一半導體主動層、與該半導體主動層絕緣的一閘極電極、及接觸該半導體主動層的一源極電極與一汲極電極；
    複數個第一電極，係形成在每一該複數個薄膜電晶體上以電性連接至該複數個薄膜電晶體；
    複數個有機層，係形成在該複數個第一電極上；
    一第二電極，係形成在該複數個有機層上；以及
    一鈍化層，係形成在該第二電極上以覆蓋該第二電極，其中在較遠離一沉積區域之一中心的該基板上形成的該複數個有機層的至少其中之一之一斜邊長度係大於較靠近之該中心形成的該其他有機層之一斜邊長度，以及其中在該基板上形成的該複數個有機層的該至少其中之一係為使用如申請專利範圍第1項所述之該薄膜沉積設備所形成的一線性圖樣有機層。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該鈍化層係包含選自由三(8羥基喹啉鋁) (Alq3)、苯基咔唑（phenylcarbazole）系化合物、以及芴（fluorene）系化合物所組成的群組中的至少一種材料。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該基板具有等於或大於40英寸之尺寸。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個有機層包含至少一發光層。
  30. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個有機層有非均勻厚度。
  31. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中在較遠離該沉積區域之該中心而形成的每一該複數個有機層中，較遠離該沉積區域之該中心的該斜邊長度斜邊係大於該其他斜邊長度。
  32. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中在設置在該沉積區域的該複數個有機層中，當與該沉積區域之該中心之距離增加時，在該第一方向上延伸的二側之一相重疊區域係形成為更窄。
  33. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中設置在該沉積區域之該中心的該複數個有機層之複數個斜邊具有實質上相同的長度。
  34. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光顯示裝置，其中設置在該沉積區域中的該複數個有機層係以該沉積區域之該中心對稱地配置。
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