TWI525799B - 薄膜積體電路，積體電路標籤，包含薄膜積體電路之容器，薄膜積體電路裝置之製造方法，該容器之製造方法，以及製造具有該容器之產品的方法 - Google Patents

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Description

薄膜積體電路，積體電路標籤，包含薄膜積體電路之容器，薄膜積體電路裝置之製造方法，該容器之製造方法，以及製造具有該容器之產品的方法
本發明相關於一種具有記憶體，微處理器(又稱中央處理器，CPU)等，且安裝有如紙張厚薄並有撓性的薄膜積體電路的薄膜積體電路裝置。本發明並且相關於將該薄膜積體電路裝置利用於標籤的積體電路標籤(又稱積體電路標籤，英文名稱為smart tag或IC Tag)；包含該薄膜積體電路的產品容器；以及上述的製造方法。而且，本發明相關於管理如上所述的產品的方法。
近幾年，每個人攜帶卡的數量不斷增加。卡中儲存所有資訊，儲存的資訊根據需要被更新，其結果是儲存的信息量只增不減。
像這樣的信息量增加在多種領域中成為不可缺少的環節。例如隨著人們要求食品領域和製造領域加強產品安全性和管理體制的呼聲越來越高，有關產品的信息量必然增大。然而目前的產品資訊僅有主要依靠條碼(bar code)的十幾行數位提供的製造國家，生產廠家，產品號碼等資訊的水平，信息量極少。另外，當利用條碼時，需要一個一個地手工操作，在讀取資訊上花費大量時間。
針對於此，有人提出了一種利用網路的產品管理方法，即在連接於網路的各個經銷商的端點輸入產品的識別字(identifier)，藉由伺服器(server)，有關該產品的 資訊被反饋給經銷商。產品的識別字由二維條碼或文字串等構成，在經銷商的端點被輸入以後被饋送到伺服器。另外，產品包含和該產品相關的程式，資料，或可卸式儲存個人資訊的記錄媒體，該記錄媒體包含IC(積體電路)卡，智慧卡，壓縮快閃記憶體卡(compact flash card)等卡(參考專利文件1)。
其他的方法，比如給陳列在零售商店的每個食品分配固定的ID(標記)號碼，消費者進入互聯網可以看到該食品的原材料，生產者，流通途徑等。作為有關RFID(射頻識別，Radio Frequency Identification，又稱無線積體電路標籤，即Wireless IC Tag，下文中簡稱為RFID)系統的通用的例子是利用處理讀取/寫入器讀取的資訊的軟體以及伺服器等，提供查詢所需的產品資訊，以謀求提高生產和物流的效率。
專利文件1 專利公開2002-230141公報
非專利文件1 日經電子學 日經BP公司2002.11.18發行P.67-76
像這樣隨著信息量的增加，用條碼管理已使能夠提供的信息量達到界限。另外，用條碼管理不光是可提供的信息量小，而且由於手工操作在讀取上花費的時間多，其效率差。並且，讀取條碼的操作需要介入人手，這樣，就不可避免一些人為的讀取錯誤。
特別是，從上述文件可以看出，消費者不僅僅有進入互聯網的勞力花費，而且首先需要擁有個人電腦等一系列 硬體。並且，使用於RFID的由矽片製成的積體電路因其厚度厚，如果搭載到容納產品的容器上，勢必使容器的表面出現凸凹不平，這樣就會對產品的設計性產生負面影響。
本發明提供一種薄膜積體電路裝置，該裝置具有和習知矽片不同的極薄的能夠儲存大量資訊的IC(積體電路)以及薄膜積體電路。特別是，本發明提供搭載到商店的產品上利用薄膜積體電路的標籤(積體電路標籤)，不影響其設計性的產品的容器，以及這些的製造方法。而且，本發明還提供搭載有積體電路標籤的產品的管理方法。
針對上述問題，本發明的特徵是將如紙張厚薄的薄積體電路(薄膜積體電路)搭載到薄膜積體電路裝置(比如積體電路標籤)。本發明的薄膜積體電路還有一個特徵是它和習知的用矽片形成的積體電路不同，具有作為啟動區(比如如果是薄膜電晶體，則指通道形成區域)的半導體膜。
利用磁性進行記錄的類型可以記錄的資料僅有幾十位元組(byte)，相對於此，上述IC通常可以記錄5KB，或更多，該IC是以確保極大的容納量被衆所周知的。所以，該IC可以在所有的領域提供比條碼多的資訊。例如，當該薄膜積體電路被搭載到個人所有的卡上的薄膜積體電路裝置時，因可以儲存大量資訊，推進了資訊管理的 效率。另外，使用了薄膜積體電路，就沒有必要攜帶多張卡，只有一張卡就足以。還用，藉由在薄膜積體電路中搭載可以改寫的記憶體，可以提供根據需要改寫資訊的薄膜積體電路裝置。
而且，上述薄膜積體電路不必像磁卡那樣擔心資料被讀取，另外，上述薄膜積體電路還有儲存的資料很難被篡改的優勢。這也就是說，薄膜積體電路可以確保儲存資訊的安全性。特別是個人攜帶的卡，尤其需要確保安全性以及高可靠性。另外，還可以進一步搭載用來報警的IC以獲得防偷，防盜的效果。
另外，本發明還有一個特徵是提供利用了不影響其產品設計性的極薄的薄膜積體電路的標籤(積體電路標籤)，以及搭載該積體電路標籤的產品的容器。
作為具體的積體電路標籤，如圖6A所示，在以瓶子或卡等為典型的產品10上黏貼的標籤11內面黏接(附著)薄膜積體電路12，以形成積體電路標籤15。本發明的薄膜積體電路因為是用500nm左右的半導體膜形成，所以跟用矽片形成的IC(積體電路)相比，具有厚度極其薄的特徵。其結果是，即使將由本發明的半導體膜構成的薄膜積體電路作為標籤搭載到產品上，也不會影響到產品的設計性。
圖6B是沿圖6A的a-a’線切割的橫截面圖，圖6B具體表示出在標籤後面安置本發明的薄膜積體電路，並用黏合劑14黏貼、固定到產品上的薄膜積體電路裝置，具體 為積體電路標籤。注意，當標籤11本身帶有黏接性時，就不需要黏合劑14。圖6C是沿圖6A的a-a’線切割的橫截面圖，具體表示出在將本發明的薄膜積體電路夾持於標籤中間的狀態下，黏貼、固定到產品上的薄膜積體電路裝置，具體為積體電路標籤。這種情況下的標籤11在和薄膜積體電路接觸的面上帶有黏接性，並且在和產品接觸的面上也帶有黏接性。另外，當標籤本身沒有黏接性時，可以使用黏合劑。另外，還可以將薄膜積體電路直接轉移到產品上，然後在其上黏貼標籤，以完成積體電路標籤。
也就是說，本發明提供具有厚度極薄的薄膜積體電路的薄膜積體電路裝置(具體是積體電路標籤)，以及搭載薄膜積體電路裝置的產品，至於固定薄膜積體電路的方法，所有的固定方法都在考慮範圍內。
借助這樣的積體電路標籤，可以提高包含進貨管理，庫存管理，工作流程的把握以及交貨日程的把握等產品管理或銷售途徑等貨物流通管理的效率。而且，可以管理產品的原材料，原產地，每個生產(製造)製程的檢查結果以及貨物流藉由程的歷史等大量資訊，並向消費者提供該資訊。
上述本發明的薄膜積體電路因其厚度極薄，即使搭載到卡或容器等產品上也不影響其產品設計性，並且，該薄膜積體電路可以儲存比條碼或磁性大得多的資訊。另外，本發明的薄膜積體電路可以適當地作為接觸式IC，或非接觸式IC被使用。
下文中將用圖說明本發明的實施例模式。在用於說明本實施例模式的所有的圖中，相同部分或有相同函數的部分使用相同的符號，並省略重複的相關說明。
實施例模式1
本實施例模式將說明本發明的薄膜積體電路的製造方法，該方法利用剝離以及轉移的技術。
首先，如圖1A所示，在第一基底10上形成金屬膜11。注意，第一基底只要有能夠承受後面的剝離製程的剛性，任何基底比如玻璃基底，石英基底，陶瓷基底，矽基底，金屬基底或不銹鋼基底都可以被應用。金屬膜可以使用由選自W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料製成的單層，或者上述單層的疊層。金屬膜可以藉由比如利用金屬靶的濺射法形成。形成的金屬膜的厚度是10nm-200nm，較佳50nm-75nm。
上述金屬被氮化的膜(例如，氮化鎢或氮化鉬)用來代替金屬膜也無妨。上述金屬的合金(例如W和Mo的合金：WXMo1-X)膜也可以用來代替金屬膜。這種情況下，合金膜是在形成膜的室內使用類似第一金屬(W)以及第二金屬(Mo)等多個靶，或以第一金屬(W)以及第二金屬(Mo)的合金作為靶的濺射法而形成。而且，可以給金 屬膜摻雜氮元素或氧元素。作為摻雜的方法，比如可以給金屬膜離子注入氮元素或氧元素，或使膜的形成室內處於氮元素或氧元素的氣體環境，然後藉由濺射法形成金屬膜，這種情況下的靶可以使用氮化金屬。
使用濺射法形成金屬膜時，基底的周邊部分的膜的厚度有不均勻的情況。針對於此，最好用幹式蝕刻清除周邊部分的膜。在進行蝕刻時，為了不使第一基底被蝕刻，在第一基底10和金屬膜11之間形成厚100nm左右的氮氧化矽(SiON或SiNO)膜等含氮的絕緣膜。
像這樣，藉由確定金屬膜的形成方法，可以控制剝離製程，提供處理產量(process margin)。也就是說，例如，在使用金屬合金的情形中，藉由控制合金中的各個金屬的成分比，可以控制剝離製程。具體地，可以控制剝離的加熱溫度，以及是否要加熱。
隨後，在金屬膜11上形成待剝離層12。該待剝離層具有含矽的氧化膜和半導體膜，在非接觸式IC的情形中還可以配備天線。另外，為了防止來自金屬膜和基底的雜質或灰塵的侵入，最好在待剝離層12，尤其在比半導體膜還下面的面上提供含氮的氮化矽(SiN)膜，氮氧化矽(SiON或SiNO)膜等絕緣膜以作為底層膜。
含矽的氧化膜借助濺射法，CVD法用氧化矽，氧氮化矽等形成。注意，含矽的氧化膜的厚度最好不少於金屬膜的2倍左右。本實施例模式中使用利用矽靶的濺射法，形成厚150nm-200nm的氧化矽膜。
在形成含矽的氧化膜時，在金屬膜上形成含該金屬的氧化物(金屬氧化物)13。另外，藉由含有硫酸，鹽酸或硝酸的水溶液，硫酸，鹽酸或硝酸和過氧化氫水混合的水溶液，或臭氧水的處理而在金屬膜表面形成的薄金屬氧化物可以作為金屬氧化物被利用。還可以使用其他的方法，包含在氧氣體環境中的等離子處理，或在含氧氣體環境中照射紫外線以形成臭氧從而進行氧化處理，或者，用淨化爐(clean oven)加熱200-350℃左右以形成金屬氧化物。
形成的金屬氧化物的膜的厚度為0.1nm-1μm，最好是0.1nm-100nm，更較佳0.1nm-5nm。
注意，提供在半導體膜和金屬膜之間的含有矽的氧化膜和底層膜等都表示為絕緣膜。換句話說，金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，以及半導體膜層疊在一起的狀態，也就是說只要是絕緣膜的一方的面上提供有半導體膜，另一方的面上提供有金屬氧化膜和金屬膜的結構就可以。
另外，對半導體膜實施預定的製造製程，以形成例如，薄膜電晶體(TFT)，有機TFT，薄膜二極體等的半導體元件。上述半導體元件構成薄膜積體電路的CPU或記憶體等。然後，為了保護半導體元件，最好在半導體元件上提供類金剛石碳(DLC)或氮化碳(CN)等含碳的保護膜，或者氮化矽(SiN)或氮氧化矽(SiNO或SiON)等含氮的保護膜。另外，可以將含碳的保護膜和含氮的保護膜層疊起來。
根據上述步驟形成待剝離層12後，具體是在形成金屬氧化物後執行加熱處理，以晶化金屬氧化物。例如，使用W(鎢)作為金屬膜時，如用400℃或更高的溫度加熱，WO2或WO3的金屬氧化物即變為結晶狀態。另外，如在形成待剝離層12具有的半導體膜後再進行加熱，還可以擴散半導體膜中的氫元素。由於該氫元素，金屬氧化物的化合價有可能出現變化，這樣的加熱處理可以根據選擇的金屬膜決定加熱溫度以及是否實施加熱處理。換句話說，為了使剝離容易實施，根據需要，晶化金屬氧化物以備用。
而且，還可以將加熱處理的製程和半導體元件的製造製程兼用，以減少製程步驟。例如，可以利用形成晶質半導體膜時的加熱爐或鐳射照射來進行加熱處理。
然後，如圖1B所示，用第一黏合劑15將待剝離層12黏貼到第二基底14上。注意，第二基底14最好使用比第一基底10剛性強的基底。第一黏合劑15採用能夠被剝離下來的黏合劑，比如借助紫外線進行剝離的紫外線剝離類型，借助熱進行剝離的熱剝離類型，或者借助水進行剝離的水溶性黏合劑，另外還可以使用雙面膠帶。
隨後，用物理手段剝離提供有金屬膜11的第一基底10(圖1C)。雖然由於所示圖是模式圖，沒有表示出來，但在被晶化的金屬氧化物的層內，或金屬氧化物的兩面的邊界(介面)，也就是從金屬氧化物和金屬膜之間的介面或金屬氧化物和待剝離層之間的介面進行剝離。這 樣，待剝離層12就可以從第一基底10上被剝離下來。
這種情況下為了使剝離能夠容易地被實施，最好切割基底的一部分，並在切割面的剝離介面，也就是金屬膜和金屬氧化物之間的介面附近用切割器等切出一個傷口。
接著，如圖1D所示，用第二黏合劑16將被剝離的待剝離層12黏貼到轉錄體(transcriptional body)的第三基底(例如標籤)17。第二黏合劑16採用紫外線固化樹脂，具體可以採用環氧樹脂基的黏合劑或樹脂添加劑(resin additive)等黏合劑，或者還可以使用雙面膠帶。另外，如果第三基底本身帶有黏接性，則不需要第二黏合劑。
第三基底的材料可以採用有撓性的基底(以下稱為薄膜基底)，例如，紙張或聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚烯丙基化合物或聚醚碸等塑膠基底。另外，也可以實施鍍膜(coating)製程，以減少薄膜基底表面的凸凹不均勻，提高其剛性，耐性及穩定性。
然後，去除第一黏合劑15，並剝離第二基底14(圖1E)。具體剝離第一黏合劑的方法是照射紫外線，或進行加熱，或用水洗。
另外，第一黏合劑的清除和第二黏合劑的固化可以在同一工序中完成。例如，在第一黏合劑和第二黏合劑分別使用熱剝離型樹脂和熱固化型樹脂，或紫外線剝離型樹脂和紫外線固化型樹脂的情形中，僅需執行一次加熱或紫外線照射，就可以達到清除和固化的目的。注意，執行者可 以根據第三基底的透射性來選擇黏合劑。
藉由以上步驟完成了本發明的薄膜積體電路。之後，將該薄膜積體電路黏貼到卡，容器或標籤等產品上以完成薄膜積體電路裝置，也就是完成搭載有薄膜積體電路的產品。當然，也可以形成如在標籤中間夾持薄膜積體電路那樣的積體電路標籤，然後搭載(黏貼，附著)到產品上。注意，產品的表面可以像瓶子側面那樣是曲面。
另外，金屬氧化物13有可能全部從薄膜積體電路中被除去，也有可能一部分或者大部分在待剝離層下面散存(殘存)。但金屬氧化物殘存時，可以實施蝕刻以清除。而且，將含矽的氧化膜同時清除掉也無妨。
其次，將用圖2A-2C說明另一個例子，該例使用不同於圖1的薄膜積體電路裝置製造方法，將待剝離層轉移到產品的表面從而形成積體電路標籤。
在圖2A中剝離第一基底，借助第二黏合劑16在卡或容器等產品18的表面上轉移待剝離層12。
接著，如圖2B所示，剝離第二基底14。具體剝離方法可以參照圖1。
然後，如圖2C所示，黏貼覆蓋被剝離層的標籤17以完成搭載有積體電路標籤的產品。具有黏接面的標籤17覆蓋並固定薄膜積體電路。這種情形中，最好在IC和標籤之間提供氮氧化矽(SiNo或SiON)等含氮的絕緣膜，或DLC(類金剛石碳)或CN(氮化碳)等含碳的絕緣膜。另外，還可以將含氮的絕緣膜和含碳的絕緣膜層疊起 來。而且，較佳進一步提供覆蓋產品整體的保護膜。
另外，當在大面積基底上多個取面以獲得多個薄膜積體電路，批量生產時應用上述方法，可以進一步實現薄膜積體電路，也就是薄膜積體電路裝置的低成本化。
注意，本發明的薄膜積體電路除了上述藉由轉移或剝離而形成的方法以外，還可以藉由鐳射照射從第一基底上剝離待剝離層，或者蝕刻去除第一基底後將待剝離層轉移到第三基底。
上述本發明的薄膜積體電路使用膜厚度為250-750nm，較佳500nm或更薄的半導體膜形成，跟用於RFID(射頻識別)的用矽片製成的膜厚度為50μm左右的IC(積體電路)相比，其厚度極薄。例如，當薄膜積體電路由作為啟動元件的半導體膜，閘絕緣膜，閘電極以及層間絕緣膜，一個層的佈線，保護膜等構成時，可以形成如1500-3000nm這樣極薄的薄膜積體電路。其結果是，即使黏貼本發明的薄膜積體電路到卡或容器等產品上也不會損傷產品的設計性。
另外，本發明沒有必要像用矽片製造積體電路那樣實施造成裂縫以及研磨痕迹原因的背面研磨，並且，薄膜積體電路厚度的不均勻是由於在形成構成薄膜積體電路的各個膜時的膜厚度不均勻而導致，這個不均勻至多也不過幾百nm左右，跟背面研磨處理導致的幾-幾十μm的不均勻相比，本發明可以特別抑制該不均勻性。
實施例模式2
本實施例模式將說明薄膜積體電路的結構以及非接觸式IC的原理。非接觸式薄膜積體電路在容器的形狀比如是曲面等時，作為能夠以免接觸的形式讀取的積體電路標籤被採用。
首先，圖5是表示非接觸式薄膜積體電路原理的方塊圖。非接觸式積體電路50包含CPU 51，記憶體52，I/O埠53，以及協同處理器54。藉由路徑(path)55進行資訊交換。而且，IC(積體電路)還包含RF(射頻)介面56，非接觸介面57。作為讀取手段的讀取器/寫入器60包含非接觸介面61和介面電路62，IC靠近讀取器/寫入器60後，各個非接觸介面之間藉由通信或電波進行資訊傳遞、交換。接著，藉由讀取器/寫入器的介面電路實現和主電腦的資訊傳遞、交換。當然，主電腦擁有讀取器/寫入器的裝置也無妨。
記憶體使用PROM，EPROM或EEPROM。當使用PROM，EPROM時，除了在發行卡時以外不能寫入，然而EEPROM卻能夠重寫。這些記憶體可以根據不同用途適當進行選擇。
非接觸式IC的特徵在於其電力供應是藉由被卷成環形狀的天線的電磁感應作用(電磁感應方式)，相互感應作用(電磁耦合方式)或靜電的感應作用(靜電耦合方式)來完成。藉由控制該天線的圈卷數量可以選擇收信頻率的高度。
圖3是表示非接觸式薄膜積體電路具體結構的俯視圖。非接觸式薄膜積體電路包含天線31，電流電路32，以及上述包含CPU 33和記憶體34的積體電路部分35。天線藉由電流電路和IC連接在一起。電流電路32比如可以是包含二極體和電容的結構，並具有將天線收到的交流頻率轉換為直流的函數。
下文將參照沿圖3中的a-a’線切割的橫截面圖的圖4A-4C具體說明積體電路標籤製造方法。圖4A-4C表示出如圖6C那樣在標籤中間夾持薄膜積體電路的情況。
圖4A表示一種結構，其中在第一標籤40上中間夾黏合劑41提供有金屬氧化物42、含矽的氧化膜43、包含含氮的絕緣膜的底層膜44、有雜質區域的半導體膜、中間夾閘絕緣膜的閘電極、覆蓋閘電極的第一層間絕緣膜46、第二層絕緣膜47、和雜質區連接的佈線、和佈線在相同層的天線49、覆蓋佈線和天線的保護膜49、中間夾保護膜的第二標籤50。另外，接觸式薄膜積體電路可以是不設置天線的結構。
半導體膜，雜質區域，閘電極等可以使用衆所周知的方法製造，比如底層膜是SiNO和SiON的疊層結構；佈線是選自鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、或矽(Si)中的金屬膜的單層或疊層結構(例如Ti/Al-Si/Ti)；閘電極是選自鉭(Ta)，鎢(W)，鈦(Ti)，鉬(Mo)，鋁(Al)，銅(Cu)中的元素的單層或疊層(比如W/TaN)結構，半導體膜是含矽或矽鍺的材料，第 一層間絕緣膜是含氮的絕緣膜(鈍化膜)，第二層間絕緣膜用無機材料或有機材料形成即可。
保護膜使用有平整性的有機樹脂膜以提高黏接性。而且，為了進一步防止雜質進入半導體膜，可以形成氮化矽(SiN)膜或氮氧化矽(SiNO或SiON)膜等含氮的絕緣膜，或者DLC，CN等含碳的絕緣膜，以及層疊這些膜而形成的絕緣膜。
也就是說，圖4A所示結構的特徵是天線和佈線在同一個層形成。天線的製造條件可以適當地選擇，例如，天線可以使用佈線材料和佈線同時進行蝕刻以形成預定形狀，或者藉由噴墨法或印刷法使用導電糊膏(具體是導電銀糊)以形成，或者在第二層間絕緣膜中形成凹的部分並在其中注入天線材料，藉由反復蝕刻形成圖案以形成。
圖4B和4A不同，表示將天線51和閘電極形成在同一個層的例子。也就是說，天線可以用閘材料和閘電極同時進行蝕刻以形成預定形狀，或者藉由噴墨法或印刷法使用導電糊膏(具體是導電銀糊)以形成，或者在第一層間絕緣膜或閘絕緣膜中形成凹的部分並在其中注入天線材料以形成。注意，接觸式IC可以是不設置天線的結構。
圖4C表示出和圖4A和圖4B不同的，天線和IC部分分別形成的例子。將有CPU或記憶體的IC轉移到預定的位置上，並藉由噴墨法或印刷法用導電糊膏(具體是導電銀糊)形成天線52。然後形成覆蓋導電糊膏的保護膜49。當然，使用和保護膜49不同的保護膜也無妨。這種 情況時，可以適當地排列天線和積體電路。注意，接觸式IC可以是不設置天線的結構。
另外，在圖4中，當將薄膜積體電路轉移到標籤後用黏合劑固定在卡或容器等產品時，標籤50就成為產品。當將薄膜積體電路直接轉移到產品上時，標籤40就成為產品。
而且，圖10表示一種薄膜積體電路的結構例。當搭載薄膜積體電路到彎曲的面時，也就是當施加應力到薄膜積體電路使其變形時，該結構防止對薄膜電晶體等半導體元件的應力破壞。另外，圖10A-10C是搭載在容器或卡等產品100的薄膜積體電路，表示為CPU 33和記憶體34周邊。另外，該積體電路適用於具有表示在圖4A-4C中的任何一個結構的非接觸式薄膜積體電路或接觸式薄膜積體電路。
首先，如圖10A所示，完成直到形成薄膜電晶體的第一層間絕緣膜的步驟。之後，在半導體膜上放置遮罩，在沒有提供半導體膜的區域中執行蝕刻以清除第一層間絕緣膜，閘絕緣膜和底層膜，並形成開口(opening)部分。蝕刻可以採用能夠獲取預定的選擇比率的方法，比如採用幹式蝕刻。
其次，形成覆蓋開口部分的第二層間絕緣膜47，該第二層間絕緣膜47包含比無機材料彈性高的聚酰亞胺等有機材料。這樣，直到半導體膜的周圍(邊界，邊緣)都成為被第二層間絕緣膜包圍的狀態。其結果，變形時的應力 集中在包含有機材料的第二層間絕緣膜，因為主要是第二層間絕緣膜變形，所以落在薄膜電晶體的應力被減少。另外，當產生變形時，因為承受應力負擔最多的地方(邊緣，角落)不是半導體膜的邊緣，而是底層膜的邊緣，這樣就可以抑制產生在半導體膜的邊緣或介面的應力集中。
也就是說，本結構只要使承受應力負擔最多的地方在半導體膜邊緣以外的部分，並形成開口部分就可以，並不局限於底層膜的邊緣。例如，提供層疊的第一及第二底層膜時，可以形成一直到第一底層膜的開口部分，以緩和對半導體膜的應力。像這樣在每個薄膜電晶體中形成開口部分並分開，以提供多個分散應力的地方，所以彎曲面即使是急彎曲線，也就是曲率半徑小時，也可以搭載薄膜積體電路而不會損傷半導體元件。
另外，佈線用富有展性，延性的金屬材料形成，最好其膜的厚度厚，以承受變形的應力。
注意，雖然圖10A說明了開口部分形成在每個薄膜電晶體的例子，但是也可以在每個電路塊，也就是每個CPU或記憶體中形成開口部分並分開。分開每個電路塊跟分開每個薄膜電晶體相比，前者開口部分的製造製程容易，且薄膜電晶體之間不提供開口部分，因此相鄰的薄膜電晶體之間的距離變小集成度得到提高。
接下來將描述分開每個電路塊，迴圈層疊多個層間絕緣膜和佈線的例子。例如，如圖10B所示，在多個第二層間絕緣膜47(a)和47(b)之間層疊將源、汲極和源線 或漏線連接起來的佈線。這種情況下，第二層間絕緣膜47(a)和47(b)最好使用有機材料，至少最上層的第二層間絕緣膜47(b)使用有機材料，且開口部分填充有機材料。當最上層的第二層間絕緣膜47(b)使用有機材料時，因可以在對薄膜電晶體實施加熱處理結束後形成，所以該第二層間絕緣膜47(b)可以選用耐熱性低的丙烯酸等，這樣有機材料的選擇範圍就被擴大。
然後將說明具有分開每個電路塊，層疊薄膜電晶體結構的薄膜積體電路。藉由圖1或圖2所示的，在薄膜電晶體已形成的狀態下進行剝離及轉移的方法就可以製成疊層結構。由於本發明的薄膜積體電路的膜極薄，所以即使是疊層結構也無妨。
在例如圖10C所示的疊層結構的薄膜積體電路的情形中，各個薄膜電晶體中的第二層間絕緣膜47全部都用彈性高的有機材料形成。在例如圖10B所示的結構中，各個薄膜電晶體中的第二層間絕緣膜使用有機材料，並且將薄膜電晶體連接起來的佈線層的層間絕緣膜也使用有機材料。
如圖10所示那樣形成開口部分，並在開口部分提供緩和應力的包含高彈性有機材料的第二層間絕緣膜。
根據上述步驟，本發明的非接觸式薄膜積體電路可以被製成和讀卡器/寫入器之間的距離為~2m的遠端型，~70cm的近程型，~10cm的接近型，幾cm的密接型。另外如考慮製造現場的操作，較佳接近型或密接型。
遠端型的頻率通常使用微波，近程型及接近型的頻率使用13.56MHz，密接型的頻率使用4.91MHz，然而提高頻率縮短波長可以減少天線的圈卷數量。
另外，和接觸式薄膜積體電路相比，非接觸式薄膜積體電路不和讀取器/寫入器接觸，以免接觸的形式執行電源供應及資訊通信，所以不破損，耐久性高，且沒有因靜電導致錯誤的擔憂。而且，讀取器/寫入器自身的構造也不會變得複雜，只需將薄膜積體電路靠近讀取器/寫入器就可以完成讀取，所以非接觸式薄膜積體電路有操作簡單的特點。
根據以上步驟形成的非接觸式或接觸式薄膜積體電路因其厚度極薄，所以即使搭載到卡或容器等產品上也不會對產品的設計性產生負面影響。而且，在非接觸式薄膜積體電路的情形中，可以將天線和IC形成為一體，這樣直接將非接觸式薄膜積體電路轉移到有曲面的產品上就變得容易。
實施例模式3
本實施例模式中將說明讀取搭載積體電路標籤產品的資訊的方法。注意，本實施例模式將說明非接觸式積體電路標籤的情形。
將搭載有積體電路標籤72的產品靠近如圖7A所示的讀取器/寫入器的主體70上的感應部分71。接著在顯示部分上顯示出產品的原材料，原產地，每個生產(製造)製 程的檢查結果以及流藉由程的歷史等，並且還顯示有關產品的產品闡述等資訊。當然不一定必須在讀取器/寫入器上提供顯示器，顯示器也可以單另提供。這樣的讀取器/寫入器可以提供在陳列產品的貨架上。
另外，如圖7B所示，個人所有的便攜資訊端點，比如在行動電話主體80上搭載讀取函數，將搭載有積體電路標籤82的產品靠近提供在主體的一部分上的感應器81上，並在顯示部分83顯示資訊。這樣做同樣可以顯示產品的資訊。當然不一定必須要在作為讀取器/寫入器的便攜資訊端點上提供顯示器，顯示器也可以另外提供。
另外，如圖7C所示，將搭載有積體電路標籤92的產品靠近個人所有的可便攜讀取器90上的感應器91，在顯示部分93上顯示資訊。這樣同樣也可以顯示關於產品的資訊。當然不一定必須要在讀取器/寫入器提供顯示器，顯示器也可以另外提供。
本實施例模式雖然說明了非接觸式的讀取器/寫入器，但即使是接觸式，只要在顯示部分顯示資訊就可以。另外，也可以在搭載有非接觸式或接觸式薄膜積體電路的產品自身上提供顯示部分，並顯示資訊。
像這樣，跟藉由RFID(射頻識別)等提供的資訊相比，藉由薄膜積體電路，消費者可以自由獲取關於產品的大量豐富的資訊。當然，藉由薄膜積體電路，可以迅速準確地進行產品管理。
實施例模式4
本實施例模式將說明搭載積體電路標籤的產品的管理方法及資訊或產品的流程。注意，本實施例模式將說明非接觸式積體電路標籤的情形。
如圖8所示，由製造者在產品發貨前或由銷售者在陳列產品前給主電腦輸入產品管理必要的資訊。例如，將捆包有搭載著積體電路標籤204的多個產品200的紙箱，利用如帶式運輸機那樣的運輸手段201，穿過讀取器/寫入器203，以向電腦輸入關於產品的資訊。這種情形中，讀取器/寫入器也可以直接連接到電腦上。當然，藉由讀取器/寫入器的資訊輸入，可以不是以紙箱為單位，而是以一個一個的產品為單位。
儲存在薄膜積體電路中的大量關於產品的資訊可以立即輸入給電腦202。並且電腦具備處理產品資訊函數的軟體。當然，也可以用硬體進行資訊處理。其結果，跟習知的用條碼一個一個地讀取的操作相比，積體電路標籤在資訊處理上花費的時間，勞力以及失誤減少，產品管理的負擔也減輕。
另外，圖9表示出生產(製造)者，銷售者，以及消費者之間的資訊或產品的流程。生產(製造)者向銷售者或消費者提供搭載有薄膜積體電路的產品。銷售者可以向生產(製造)者提供消費者的付款時的價格資訊，賣出產品的個數，購買時間等銷售資訊。另一方面，消費者可以向生產(製造)者提供個人資訊等購買資訊。例如，藉由 搭載有薄膜積體電路的信用卡或個人的讀取器等可以向銷售者或生產(製造)者經網路提供購買資訊。
另外，藉由薄膜積體電路，銷售者可以向消費者提供產品資訊，並從消費者獲得購買資訊。這樣的銷售資訊或購買資訊是非常寶貴的資訊，將會對今後的推銷戰略發揮作用。
作為提供各種資訊的方式，有一個方法是：銷售者或消費者用讀取器從薄膜積體電路讀取的資訊，藉由電腦或網路，公開給生產(製造)者，銷售者或消費者。
借助薄膜積體電路可以向需要者提供如以上所述那樣的各種各樣的資訊。本發明的薄膜積體電路在產品交易或產品管理上也是有用的。
使用本發明的厚度極薄的薄膜積體電路，可以在短時間內簡便地執行資訊交換或資訊管理。而且，可以向需要者提供各種各樣的資訊。並且，即使在將積體電路標籤搭載到產品容器的情形中，也因其極薄的厚度而不會對產品的設計性產生負面影響。
另外，本發明沒有必要像用矽片製造搭載到RFID(射頻識別)的積體電路那樣，實施造成裂縫以及研磨痕迹原因的背面研磨，並且，薄膜積體電路厚度的不均勻是由於在形成構成薄膜積體電路的各個膜時的膜厚度不均勻而導致，這個不均勻至多也不過幾百nm左右，跟背面研磨處理導致的幾-幾十μm的不均勻相比，本發明可以特別抑制該不均勻性。
10‧‧‧第一基底
11‧‧‧金屬膜
12‧‧‧剝離層
13‧‧‧金屬氧化物
14‧‧‧第二基底
15‧‧‧第一黏合劑
16‧‧‧第二黏合劑
17‧‧‧標籤
18‧‧‧產品
32‧‧‧電流電路
33‧‧‧CPU
34‧‧‧記憶體
40‧‧‧標籤
41‧‧‧黏合劑
42‧‧‧金屬氧化物
43‧‧‧氧化膜
44‧‧‧底層膜
46‧‧‧第一層間絕緣膜
47‧‧‧第二層間絕緣膜
49‧‧‧保護膜
50‧‧‧標籤
51‧‧‧CPU
52‧‧‧記憶體
53‧‧‧I/O埠
54‧‧‧協同處理器
55‧‧‧路徑
56‧‧‧射頻介面
57‧‧‧非接觸介面
60‧‧‧讀取器/寫入器
61‧‧‧非接觸介面
62‧‧‧介面電路
70‧‧‧讀取器/寫入器的主體
72‧‧‧積體電路標籤
80‧‧‧行動電話主體
82‧‧‧積體電路標籤
90‧‧‧可便攜讀取器
92‧‧‧積體電路標籤
100‧‧‧產品
200‧‧‧產品
201‧‧‧運輸手段
202‧‧‧電腦
203‧‧‧讀取器/寫入器
204‧‧‧積體電路標籤
圖1A-1E是表示本發明的薄膜積體電路的製造方法的視圖；圖2A-2C是表示本發明的薄膜積體電路的製造方法的視圖；圖3是表示本發明的薄膜積體電路詳細情況的視圖；圖4A-4C是表示本發明的薄膜積體電路詳細情況的視圖；圖5是說明本發明的非接觸式薄膜積體電路原理的視圖；圖6A-6C是表示搭載著本發明的薄膜積體電路的產品的視圖；圖7A-7C是表示本發明的非接觸式薄膜積體電路的讀取器/寫入器的視圖；圖8是表示讀取搭載著本發明的積體電路標籤的產品的視圖；圖9是說明生產(製造)者，銷售者，消費者之間關係的視圖；圖10A-10C是表示本發明的薄膜積體電路的製造方法的視圖。
10‧‧‧第一基底
11‧‧‧金屬膜
12‧‧‧剝離層
15‧‧‧第一黏合劑

Claims (23)

  1. 一種資訊管理系統，包含：在具有撓性的基板上的撓性積體電路，該撓性積體電路包含：該基板上的金屬氧化物；該金屬氧化物上的第一絕緣膜；該第一絕緣膜上的閘極電極和包含雜質區的半導體膜；該閘極電極和該半導體膜上的第二絕緣膜；以及該第二絕緣膜上的天線和佈線；以及感應器部分，其組構以無線地接收從該撓性積體電路來的資訊，其中該佈線直接連接該雜質區，以及其中該天線和該佈線與該第二絕緣膜接觸。
  2. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中具有撓性之該基板係為塑膠基板。
  3. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中該電晶體包括包含矽的半導體膜。
  4. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中該撓性積體電路之薄膜厚度的不均勻至多為幾百奈米(nm)。
  5. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中該撓性積體電路之厚度為1500奈米(nm)至3000奈米(nm)。
  6. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中非接觸式讀取器/寫入器包含該感應器部分。
  7. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中具有讀取功能之行動電話包含該感應器部分。
  8. 根據申請專利範圍第1項的資訊管理系統，其中該撓性積體電路包含金屬氧化物，以及其中該金屬氧化物包含WO2或WO3。
  9. 一種資訊管理系統，包含：在具有撓性的基板上的撓性積體電路，該撓性積體電路包含：該基板上的金屬氧化物；該金屬氧化物上的第一絕緣膜；該第一絕緣膜上的閘極電極和包含雜質區的半導體膜；該閘極電極和該半導體膜上的第二絕緣膜；以及該第二絕緣膜上的天線和佈線，以及感應器部分，其組構以無線地接收從該撓性積體電路來的資訊，其中該佈線直接連接該雜質區，其中該天線和該佈線與該第二絕緣膜接觸，以及其中該金屬氧化物是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Ru、Rh、Pd、Os、Ir中選出的元素的氧化物。
  10. 根據申請專利範圍第9項的資訊管理系統，其中具有撓性之該基板係塑膠基板。
  11. 根據申請專利範圍第10項的資訊管理系統，其中該撓性積體電路之厚度為1500奈米(nm)至3000奈米(nm)。
  12. 根據申請專利範圍第9項的資訊管理系統，其中非接觸式讀取器/寫入器包含該感應器部分。
  13. 根據申請專利範圍第9項的資訊管理系統，其中該金屬氧化物包含WO2或WO3。
  14. 一種商品管理方法，包含：將該商品靠近感應器部分，該感應器部分用以無線地接收來自撓性積體電路的資訊，該商品安裝有該撓性積體電路；以及將由該感應器部分所獲得的該資訊提供至消費者或銷售者，其中該撓性積體電路包含：金屬氧化物；該金屬氧化物上的第一絕緣膜；該第一絕緣膜上的閘極電極和包含雜質區的半導體膜；該閘極電極和該半導體膜上的第二絕緣膜；以及該第二絕緣膜上的天線和佈線，其中該佈線直接連接該雜質區，以及其中該天線和該佈線與該第二絕緣膜接觸。
  15. 根據申請專利範圍第14項的商品管理方法，其中該資訊顯示在連接至該感應器部分的顯示區。
  16. 根據申請專利範圍第14項的商品管理方法，其中該感應器部分安裝在個人數位助理中。
  17. 一種商品管理方法，包含： 將該商品靠近感應器部分，該感應器部分用以無線地接收來自撓性積體電路的資訊；以及將由該感應器部分所獲得的該資訊經由網路提供至製造商或銷售者，其中該撓性積體電路包含：金屬氧化物；該金屬氧化物上的第一絕緣膜；該第一絕緣膜上的閘極電極和包含雜質區的半導體膜；該閘極電極和該半導體膜上的第二絕緣膜；以及該第二絕緣膜上的天線和佈線，其中該佈線直接連接該雜質區，以及其中該天線和該佈線與該第二絕緣膜接觸。
  18. 根據申請專利範圍第17項的商品管理方法，其中該感應器部分安裝在個人數位助理中。
  19. 根據申請專利範圍第17項的商品管理方法，其中非接觸式讀取器/寫入器包含該感應器部分。
  20. 根據申請專利範圍第14或17項的商品管理方法，其中具有讀取功能之行動電話包含該感應器部分。
  21. 根據申請專利範圍第14或17項的商品管理方法，其中非接觸式讀取器/寫入器包含該感應器部分。
  22. 根據申請專利範圍第14或17項的商品管理方法，其中該撓性積體電路之厚度為1500奈米(nm)至3000奈米(nm)。
  23. 一種資訊管理系統，包含：撓性積體電路；感應器部分，其組構以無線地接收從該撓性積體電路 來的資訊；其中該撓性積體電路包含天線及包括雜質區之電晶體，該天線及該電晶體在具有撓性之基板上，以及其中該天線及直接連接至該雜質區之佈線係在相同層上且接觸該相同層。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
US7768405B2 (en) * 2003-12-12 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7130234B2 (en) * 2003-12-12 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN1697187B (zh) 2003-12-19 2011-05-04 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法
US7405665B2 (en) * 2003-12-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RFID tag and label-like object
US7566010B2 (en) * 2003-12-26 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof
US7508305B2 (en) * 2003-12-26 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Packing material, tag, certificate, paper money, and securities
US7699232B2 (en) * 2004-02-06 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7630233B2 (en) * 2004-04-02 2009-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
US8237569B2 (en) 2004-04-09 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Product management system
CN101599456B (zh) * 2004-06-24 2011-03-09 株式会社半导体能源研究所 制造薄膜集成电路的方法
KR100626008B1 (ko) * 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판표시장치
US8426293B2 (en) * 2004-07-09 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC chip and its manufacturing method
KR101254277B1 (ko) * 2004-07-30 2013-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 라미네이팅 시스템, ｉｃ 시트, ｉｃ 시트 두루마리, 및ｉｃ 칩의 제조방법
US20150287660A1 (en) 2007-01-05 2015-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, ic sheet, scroll of ic sheet, and method for manufacturing ic chip
US9953259B2 (en) 2004-10-08 2018-04-24 Thin Film Electronics, Asa RF and/or RF identification tag/device having an integrated interposer, and methods for making and using the same
EP1812893A4 (en) * 2004-10-18 2008-12-10 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND CONTROL METHOD THEREFOR
US8178958B2 (en) * 2004-10-19 2012-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having antenna and method for manufacturing thereof
WO2006043611A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101219749B1 (ko) * 2004-10-22 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101150994B1 (ko) * 2004-11-11 2012-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
CN100541803C (zh) * 2004-11-11 2009-09-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101187400B1 (ko) * 2004-11-26 2012-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
WO2006062143A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
EP1829102A4 (en) * 2004-12-24 2014-08-13 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
WO2006078065A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI472037B (zh) * 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US8749063B2 (en) * 2005-01-28 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4884784B2 (ja) * 2005-01-28 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び半導体装置
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US8232555B2 (en) * 2005-01-31 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing thereof
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101943667B (zh) * 2005-02-10 2013-06-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
EP1696368B1 (en) * 2005-02-28 2011-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US20060202269A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and electronic appliance having the same
US8783577B2 (en) * 2005-03-15 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device having the same
WO2006103997A1 (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN100546035C (zh) * 2005-03-25 2009-09-30 株式会社半导体能源研究所 存储元件和半导体装置
CN101151544B (zh) 2005-03-28 2011-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、其制造方法、及其测量方法
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 記憶裝置和其製造方法
US7926726B2 (en) 2005-03-28 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Survey method and survey system
TWI395321B (zh) * 2005-03-31 2013-05-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其驅動方法
WO2006118294A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7700984B2 (en) 2005-05-20 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device including memory cell
US7566971B2 (en) * 2005-05-27 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7688272B2 (en) * 2005-05-30 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2006129742A1 (en) 2005-05-30 2006-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7868320B2 (en) * 2005-05-31 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7605056B2 (en) 2005-05-31 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force
US7456104B2 (en) * 2005-05-31 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2006129817A1 (en) * 2005-05-31 2006-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of antenna
US7651932B2 (en) 2005-05-31 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing antenna and method for manufacturing semiconductor device
US7972910B2 (en) * 2005-06-03 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of integrated circuit device including thin film transistor
US7719103B2 (en) * 2005-06-30 2010-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
US7510950B2 (en) * 2005-06-30 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7465596B2 (en) * 2005-06-30 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7727859B2 (en) * 2005-06-30 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7820495B2 (en) * 2005-06-30 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2007004296A1 (ja) * 2005-07-06 2007-01-11 Fujitsu Limited 誘電体多層膜を含んだ光学素子およびその製造方法
US7687327B2 (en) 2005-07-08 2010-03-30 Kovio, Inc, Methods for manufacturing RFID tags and structures formed therefrom
CN101233531B (zh) * 2005-07-29 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2007020805A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
DE102005041221A1 (de) * 2005-08-31 2007-03-01 Krones Ag Herstellung von Etiketten mit RFID-Transpondern
EP1952312B1 (en) * 2005-10-14 2012-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and communication system using the semiconductor device
JP5089033B2 (ja) 2005-11-04 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7684781B2 (en) * 2005-11-25 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device
KR101346241B1 (ko) * 2005-11-29 2013-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 안테나 및 그의 제작방법, 안테나를 가지는 반도체장치 및그의 제작방법, 및 무선통신 시스템
KR101319468B1 (ko) * 2005-12-02 2013-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US20070126556A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Kovio, Inc. Printed radio frequency identification (RFID) tag using tags-talk-first (TTF) protocol
US8047889B2 (en) * 2005-12-22 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Block set and managing method thereof
TWI411964B (zh) * 2006-02-10 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
JP4640221B2 (ja) 2006-03-10 2011-03-02 セイコーエプソン株式会社 インクカートリッジ及びプリンタ
CN102222765B (zh) * 2006-03-10 2012-12-12 株式会社半导体能源研究所 存储元件以及半导体器件
JP4661643B2 (ja) * 2006-03-13 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、インクカートリッジ及び電子機器
CN101038981B (zh) * 2006-03-16 2012-09-05 陈永顺 可以导电天线的制造方法及其装置
US7923719B2 (en) * 2006-04-28 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device wherein wiring contact is made through an opening in an organic compound layer
EP1850378A3 (en) * 2006-04-28 2013-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semicondutor device
JP5204959B2 (ja) 2006-06-26 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5127183B2 (ja) * 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
SG175569A1 (en) * 2006-10-04 2011-11-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4766437B2 (ja) * 2006-10-11 2011-09-07 コヴィオ インコーポレイテッド マルチモードタグとマルチモードタグの作製方法および使用方法
US7782651B2 (en) 2006-10-24 2010-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including storage device and method for driving the same
KR101416876B1 (ko) * 2006-11-17 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
EP1956523B1 (en) * 2007-02-02 2013-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless identification system, semiconductor device, and communication device
US7994607B2 (en) * 2007-02-02 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8009050B2 (en) * 2007-02-02 2011-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless system, semiconductor device, and communication device
JP5525694B2 (ja) 2007-03-14 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US7875881B2 (en) * 2007-04-03 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR20120081231A (ko) 2008-05-16 2012-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 및 조명장치
CN101345330A (zh) * 2008-08-25 2009-01-14 合隆科技(杭州)有限公司 射频天线及其制作方法
KR101596537B1 (ko) 2008-11-25 2016-02-22 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 인쇄형 안테나, 안테나 인쇄 방법, 및 인쇄형 안테나를 포함하는 디바이스
JP4821871B2 (ja) * 2009-03-19 2011-11-24 ソニー株式会社 電子デバイスの製造方法および表示装置の製造方法
JP4812889B1 (ja) * 2010-06-09 2011-11-09 三智商事株式会社 無線ｉｃタグのデータ処理・投入装置
KR101845480B1 (ko) 2010-06-25 2018-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US20120040128A1 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Feinics Amatech Nominee Limited Transferring antenna structures to rfid components
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2667777B1 (en) 2011-01-28 2016-08-10 Nestec S.A. Apparatuses for diagnosing swallowing dysfunction
US11074025B2 (en) 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN103971590B (zh) * 2013-02-01 2017-02-22 比亚迪股份有限公司 一种防伪商标及其制造方法
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
US9209513B2 (en) * 2013-06-07 2015-12-08 Apple Inc. Antenna window and antenna pattern for electronic devices and methods of manufacturing the same
TWI732735B (zh) 2013-12-03 2021-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離裝置以及疊層體製造裝置
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2016038411A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Michael Traut Tamper-proof restaurant cash register system
CN104292236A (zh) * 2014-09-15 2015-01-21 浙江大学 三维多孔g-C3N4材料的制备方法
CN104209136A (zh) * 2014-09-15 2014-12-17 浙江大学 TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法
US10236123B2 (en) 2015-07-19 2019-03-19 Vq Research, Inc. Methods and systems to minimize delamination of multilayer ceramic capacitors
US10242803B2 (en) 2015-07-19 2019-03-26 Vq Research, Inc. Methods and systems for geometric optimization of multilayer ceramic capacitors
US10128047B2 (en) 2015-07-19 2018-11-13 Vq Research, Inc. Methods and systems for increasing surface area of multilayer ceramic capacitors
US10332684B2 (en) 2015-07-19 2019-06-25 Vq Research, Inc. Methods and systems for material cladding of multilayer ceramic capacitors
US10431508B2 (en) 2015-07-19 2019-10-01 Vq Research, Inc. Methods and systems to improve printed electrical components and for integration in circuits
CN108963419A (zh) * 2017-05-26 2018-12-07 上海翔港包装科技股份有限公司 Rfid天线的制作方法
US10453872B1 (en) * 2018-05-03 2019-10-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologiy Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof
CN108878354B (zh) * 2018-06-29 2021-03-05 武汉华星光电技术有限公司 一种cmos薄膜晶体管及ltps阵列基板的制作方法
US11476643B2 (en) * 2018-11-08 2022-10-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Internal combustion engine component and method of manufacturing internal combustion engine component

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61206304A (ja) 1985-03-11 1986-09-12 Hitachi Ltd トランジスタ集積回路
US6753253B1 (en) * 1986-06-18 2004-06-22 Hitachi, Ltd. Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams
US4900695A (en) * 1986-12-17 1990-02-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same
EP0295065A3 (en) * 1987-06-10 1991-07-03 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, method of making same or cutting method for same, and cutting system using energy beam for same
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
US5618739A (en) * 1990-11-15 1997-04-08 Seiko Instruments Inc. Method of making light valve device using semiconductive composite substrate
JPH0521465A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6979840B1 (en) * 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
JP2781706B2 (ja) 1991-09-25 1998-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5985741A (en) * 1993-02-15 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3662263B2 (ja) * 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5643804A (en) * 1993-05-21 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body
JP3155886B2 (ja) * 1994-06-20 2001-04-16 キヤノン株式会社 表示装置及びその製造法
JPH08167630A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
JPH09270515A (ja) 1996-04-01 1997-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US5822856A (en) * 1996-06-28 1998-10-20 International Business Machines Corporation Manufacturing circuit board assemblies having filled vias
JP4619461B2 (ja) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
JP3809681B2 (ja) 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
CN1495523A (zh) * 1996-08-27 2004-05-12 ������������ʽ���� 转移方法和有源矩阵基板的制造方法
JP4619462B2 (ja) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
US6127199A (en) * 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US6331722B1 (en) * 1997-01-18 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hybrid circuit and electronic device using same
US5998838A (en) * 1997-03-03 1999-12-07 Nec Corporation Thin film transistor
JPH10256576A (ja) 1997-03-06 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池シート
US5976974A (en) * 1997-04-22 1999-11-02 W. L. Gore & Associates, Inc. Method of forming redundant signal traces and corresponding electronic components
JPH1126733A (ja) * 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JPH11134460A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Toppan Forms Co Ltd 非接触式ｉｃラベル
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
JP2001510670A (ja) * 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
JPH11243209A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US6313481B1 (en) * 1998-08-06 2001-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
JP4463377B2 (ja) * 1999-04-30 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3447619B2 (ja) * 1999-06-25 2003-09-16 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板の製造方法、中間転写基板
CN1141668C (zh) 1999-07-27 2004-03-10 深圳市华阳微电子有限公司 非接触式电子防伪识别标签
JP3804349B2 (ja) 1999-08-06 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置
US6436520B1 (en) * 1999-09-01 2002-08-20 Toda Kogyo Corporation Magnetic display device
US6312795B1 (en) * 1999-09-01 2001-11-06 Toda Kogyo Corporation Magnetic sheet
US6509217B1 (en) * 1999-10-22 2003-01-21 Damoder Reddy Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same
JP2001127302A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Hitachi Ltd 半導体薄膜基板、半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置
US6136702A (en) * 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
JP2001166301A (ja) 1999-12-06 2001-06-22 Seiko Epson Corp バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
JP3319455B2 (ja) 1999-12-15 2002-09-03 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP4748859B2 (ja) * 2000-01-17 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7060153B2 (en) * 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2001217443A (ja) 2000-02-04 2001-08-10 Sony Corp 半導体素子およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法ならびに半導体素子を用いた光学素子
JP4884592B2 (ja) 2000-03-15 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法
JP2001284622A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法
JP2001319891A (ja) * 2000-05-10 2001-11-16 Nec Corp 薄膜処理方法及び薄膜処理装置
JP2001326190A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Nec Corp 薄膜処理方法及び薄膜処理装置
US6729922B2 (en) * 2000-06-05 2004-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device
TW501282B (en) * 2000-06-07 2002-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing semiconductor device
ATE229675T1 (de) * 2000-07-11 2002-12-15 Ident Gmbh X Sicherheitsetikett/sicherheitsanhänger mit darin integriertem rfid-transponder
US6720577B2 (en) * 2000-09-06 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2002087844A (ja) 2000-09-14 2002-03-27 Sony Corp 表示パネルの製造方法
JP2002118074A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR100382955B1 (ko) * 2000-10-10 2003-05-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2002133385A (ja) 2000-10-20 2002-05-10 Dainippon Printing Co Ltd 非接触、接触両用型ｉｃモジュール及びｉｃカード
JP2002164512A (ja) 2000-11-28 2002-06-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3974749B2 (ja) 2000-12-15 2007-09-12 シャープ株式会社 機能素子の転写方法
KR100710282B1 (ko) * 2000-12-29 2007-04-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조방법
JP4255639B2 (ja) * 2001-01-18 2009-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002230141A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Optrom Inc 商品管理方法とそのシステム
JP3612280B2 (ja) * 2001-02-22 2005-01-19 株式会社日立製作所 薄膜形成法とその薄膜及びそれを用いた平面表示装置
SG142160A1 (en) * 2001-03-19 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6850080B2 (en) * 2001-03-19 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Inspection method and inspection apparatus
JP2002278473A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Sony Corp 表示パネルの製造方法
JP3560563B2 (ja) * 2001-05-08 2004-09-02 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2002340989A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 測定方法、検査方法及び検査装置
JP2002353235A (ja) 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置およびその製造方法
JP4058919B2 (ja) 2001-07-03 2008-03-12 日立化成工業株式会社 非接触式ｉｃラベル、非接触式ｉｃカード、非接触式ｉｃラベルまたは非接触式ｉｃカード用ｉｃモジュール
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4027740B2 (ja) * 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4524561B2 (ja) * 2001-07-24 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 転写方法
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
JP2003044808A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Kyodo Printing Co Ltd 表示付き非接触ｉｃカードの製造方法、および表示付き非接触ｉｃカード
JP4673513B2 (ja) * 2001-08-01 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4439766B2 (ja) * 2001-08-02 2010-03-24 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
TW554398B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
JP3909583B2 (ja) * 2001-08-27 2007-04-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6885032B2 (en) * 2001-11-21 2005-04-26 Visible Tech-Knowledgy, Inc. Display assembly having flexible transistors on a flexible substrate
US7482620B2 (en) * 2001-11-30 2009-01-27 Acreo Ab Electrochemical device
US6770904B2 (en) * 2002-01-11 2004-08-03 Xerox Corporation Polythiophenes and electronic devices generated therefrom
US6621099B2 (en) * 2002-01-11 2003-09-16 Xerox Corporation Polythiophenes and devices thereof
US6777529B2 (en) * 2002-01-11 2004-08-17 Xerox Corporation Polythiophenes and devices thereof
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
JP2003243631A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 薄膜磁性体記憶装置ならびにそれを用いた無線チップ、流通管理システムおよび製造工程管理システム
JP4136482B2 (ja) * 2002-06-20 2008-08-20 キヤノン株式会社 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
US6878643B2 (en) * 2002-12-18 2005-04-12 The Regents Of The University Of California Electronic unit integrated into a flexible polymer body
US7088145B2 (en) * 2002-12-23 2006-08-08 3M Innovative Properties Company AC powered logic circuitry
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
US7042052B2 (en) * 2003-02-10 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Transistor constructions and electronic devices
JP4243121B2 (ja) * 2003-03-19 2009-03-25 株式会社 液晶先端技術開発センター 相補型半導体装置およびその製造方法

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