KR20090039690A - 가요성 집적 회로 및 시스템 - Google Patents

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유미코 오노
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은 초박막 집적 회로 및 상기 박막 집적 회로 장치를 포함하는 박막 집적 회로 장치를 제공한다. 따라서, 제품의 디자인은 집적 회로가 두껍고 제품 용기의 표면상에 불규칙성을 형성하는 실리콘 웨이퍼로 형성되면 손상될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 종래 실리콘 웨이퍼로 형성된 집적 회로와 달리 능동 영역(예를들어 박막 트랜지스터의 채널 영역) 같은 반도체막을 포함한다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 카드 또는 용기같은 제품에 박막 집적 회로가 장착될때조차 디자인이 손상되지 않도록 충분히 얇다.
Figure 112009012953373-PAT00001
초박막 집적 회로, 박막 집적 회로 장치, IC 라벨, 박막 집적 회로 접착 용기, 용기를 포함하는 제품의 관리 방법

Description

가요성 집적 회로 및 시스템{The flexible integrated circuit and system}
본 발명은 메모리 및 마이크로프로세서(중앙 처리 유닛(CPU))를 갖는 종이처럼 얇고 가요성의 박막 집적 회로가 장착된 박막 집적 회로 장치, 하나의 라벨을 위한 박막 집적 회로 장치를 사용하는 집적 회로(IC) 라벨, 박막 집적 회로를 포함하는 제품 용기, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 제품의 관리 방법에 관한 것이다.
최근에, 사람이 소유하는 카드의 수는 증가하는 중이다. 모든 종류의 정보는 카드에 기록되고 필요시 갱신된다. 기록된 정보의 양은 점차적으로 증가하고 있다.
상기 정보량의 증가는 다양한 분야에서 필수적이다. 예를들어, 제품 안정성 및 관리 구조에서 개선이 요구되는 바와같은 음식 산업 및 제조 산업에서, 제품 정보의 양은 상응하게 증가된다. 그러나, 현재 제품 정보는 10개의 컬럼상의 도면을 포함하는 바코드를 사용함으로써 주로 제공된 제조국, 제조자, 제품 번호와 같이 매우 작다. 게다가, 바코드가 사용될 때, 주로 각각의 제품을 판독하기 위한 시간을 요구한다.
상기를 고려하여, 네트워크를 사용하여 제품을 관린하는 방법의 예가 고안된다. 이 방법을 사용하여, 제품상 정보는 각각의 상점에서 네트워크 단말기로 제품의 식별자를 입력함으로써 서버를 통하여 저장하도록 전달된다. 제품의 식별자는 2차원 바코드 또는 문자열들을 사용하여 도시되고 그것들이 상점의 단말기에 입력된후 서버로 보내진다. 제품은 제품상 프로그램 및 데이타, 또는 개인 정보를 홀딩하는 분리가능한 저장 매체를 갖는다. IC 카드, 스마트 카드 및 컴팩트 플래시 메모리 같은 카드는 저장 매체(참조 1 : 일본 특허 공개 2002-230141)의 예로서 주어진다.
대안으로서, 유일한 식별 번호가 소매점에서 팔려진 각각의 음식에 할당되고, 소비자는 음식들, 제품들 및 인터넷을 액세스함에 의한 유통 채널에 대한 자료를 브라우즈할 수 있다. 이 경우, 요구된 제품 정보는 판독기/기록기에 의해 판독된 정보를 처리하기 위한 서버 또는 소프트웨어를 사용함으로써 질문에 응답하여 제공되어, 생산성 및 유통 효율을 개선시킨다. 따라서, RFID IC 태그에 관한 시스템의 다양성이 확장된다(참조 1: 2002년 11월 18일 Nikkei Electronics, Nikkei Business Publications, pp. 67-76).
정보 관리가 정보의 상기 증가와 조화하여 바코드를 사용함으로써 수행되면, 제공될수있는 정보의 양은 제한된다. 정보의 부족외에 판독을 위한 시간을 소비하는 것은 비효율적이다. 게다가, 바코드 판독의 수동 동작으로 인한 판독 에러는 피할 수 없다.
특히 상기 참조와 관련하여, 소비자가 인터넷에 액세스하기 위한 시간을 소 비하는 문제와 자신의 개인 컴퓨터를 가져야 하는 문제점이 있다. 게다가, RFID IC 태그에 인가된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 집적 회로가 두껍기 때문에, 불규칙성이 용기의 표면 상에 형성되고, 태그가 제품 용기상에 장착될 때 디자인은 손상된다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 실리콘 웨이퍼(박막 집적 회로)보다 얇고 많은 정보를 저장할 수 있는 집적 회로(IC) 및 박막 집적 회로를 갖는 박막 집적 회로 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 라벨(IC 라벨)을 박막 집적 회로에 장착하고 디자인이 손상되지 않는 제품 용기, 및 라벨과 용기 제조 방법을 제공하는 것에 관한 것이다. 본 발명의 다른 목적은 IC 라벨이 로딩된 제품의 관리 방법을 제공하는 것이다.
상기에서, 본 발명은 종이와 같이 얇은 집적 회로(IC)(박막 집적 회로)가 장착된 박막 집적 회로 장치(예를들어, IC 라벨)을 제공한다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 종래 실리콘 웨이로부터 형성된 집적 회로(IC)와 달리 능동 영역(예를들어, 채널 영역으로서 박막 트랜지스터) 같은 반도체막을 포함한다.
상기 IC는 일반적으로 5 킬로바이트 이상의 데이타를 저장하지만 자기적으로 저장될 수 있는 데이타는 여러 타스의 바이트들 정도이고; IC는 보다 많은 용량만큼 저장할 수 있다. 그러므로, 큰 정보량은 바코드와 비교하여 모든 영역에 제공될 수 있다. 예를들어, 박막 집적 회로가 카드에 탑재되는 박막 집적 회로 장치를 사용하는 경우, 정보 관리 효율성은 다량의 정보가 저장되기 때문에 개선될 수 있다. 박막 집적 회로를 사용함으로써, 복수의 카드는 더 이상 사용될 필요가 없고 단일 카드에 의해 대체될것이다. 게다가, 필요할때 정보를 다시 기입할 수 있는 박막 집적 회로 장치는 기록가능한 메모리를 갖는 박막 집적 회로를 장착함으로써 제공될 수 있다.
게다가, 대부분의 카드들은 개선된 보안성 및 높은 신뢰성을 가지도록 요구된다. 박막 집적 회로는 데이타가 다른 자기장을 판독할 수 없고 저장된 데이타는 변조되기 어렵다는 장점을 갖는다. 다른 말로, 저장된 정보의 보안성은 보장될 수 있다. 게다가, 경고는 IC를 탑재함으로써 훔치거나 도둑질을 방지하기 위하여 발생될 수 있다.
본 발명은 제품 디자인을 손상시키지 않는 초박막 집적 회로를 사용하는 라벨(IC 라벨), 및 상기 IC 라벨이 각각 장착된 제품 용기를 제공한다.
특정 IC 라벨에 대해, 도 6a에 도시된 바와 같이, IC 라벨(15)은 박막 집적 회로(12)를 바닥 또는 카드에 의해 특정화된 제품(10)에 고정된 라벨(11) 후면에 고정(부착) 및 장착됨으로써 형성된다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 대략 500 nm의 두께로 반도체막으로부터 형성되기 때문에 실리콘 웨이퍼로부터 형성된 IC와 비교하여 훨씬 얇다. 그러므로, 제품의 디자인은 본 발명에 따른 반도체막을 포함하는 박막 집적 회로가 제품 레벨에 사용될 때조차 손상되지 않는다.
도 6b는 라인 a-a'를 따라 얻어진 도 6a의 제품(10) 단면이다. 여기에는 접착제(14)로 제품에 부착 및 고정되고 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 라벨의 후면상에 배치된 박막 집적 회로 장치, 특히 IC 라벨이 도시된다. 라벨(11)이 부착될때, 접착제(14)는 필요하지 않다. 여기에는 제품에 접착되고 고정되며 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 라벨 사이에 샌드위치(홀딩)되는 상태에 있는 박막 집적 회로 장치, 특히 IC 라벨이 도시된다. 라벨(11)은 박막 집적 회로와 접촉하는 접착면 및 제품과 접촉하는 다른 접착면을 각각 갖는다. 라벨들이 접착되지 않을때, 접착제는 사용될 수 있다. IC 라벨은 박막 집적 회로를 제품에 직접적으로 전달함으로써 및 그 위에 라벨을 붙임으로써 완성될 수 있다.
따라서, 본 발명은 초박막 집적 회로 및 그것과 함께 장착된 제품을 갖는 박막 집적 회로 장치(특히, IC 라벨)를 제공한다. 다양한 방법은 박막 집적 회로를 고정하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 IC 라벨은 공급 관리, 재고 관리, 작업 스케쥴 통제법, 또는 유통 스케쥴 통제법 같은 상품 관리, 또는 판매 채널 관리 같은 유통 관리 효율성 개선을 인에이블한다. 게다가, 재료, 발단 장소, 각각의 제품 처리의 검사 결과, 또는 유통 처리 기록 같은 제품상 다량의 정보는 관리되고 소비자에게 제공된다.
상기된 바와 같은 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 매우 얇기 때문에, 비록 카드 및 용기 같은 제품에 장착되더라도 디자인은 손상되지 않는다. 게다가, 보다 많은 양의 정보가 바코드 및 마그네티슘과 비교하여 저장될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 접촉형 IC 또는 비접촉형 IC에 임의적으로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 매우 얇은 두께를 갖는 박막 집적 회로는 정보 교환 또는 정보 관리를 매우 쉽고 빠르게 수행할 수 있게 한다. 다양한 정보는 필요시 누군가에게 제공될 수 있다. 게다가, 박막 집적 회로는 충분히 얇고 디자인은 IC 라벨이 제품 용기에 통합될 때조차 손상되지 않는다.
RFID IC 태그에 탑재된 실리콘 웨이퍼로 형성된 IC와는 달리, 크랙 또는 그라인딩 마크를 유발하는 후면 그라인딩은 필요하지 않다. 게다가, 박막 집적 회로의 막 두께 균일성은 IC를 형성하는 각각의 막의 박막 형성중에 생성된 비균일성에 따른다. 그러므로, 박막 집적 회로의 막 두께 비균일성은 웨이퍼 후면 그라인딩 동안 생성된 몇 다스의 ㎛ 의 비균일성보다 훨씬 작은 약 몇백 나노미터 정도로 감소될 수 있다.
이후, 본 발명의 예시적인 모드는 첨부 도면에 따라 기술될 것이다. 상기 실시예 모드를 설명하기 위한 모든 도면에서, 동일 참조 번호는 동일한 기능을 갖는 동일 부분에 부여되고, 그것의 설명은 추가로 반복되지 않을것이다.
(실시예 모드 1)
이 실시예 모드에서, 박막화 및 변형 기술을 사용하는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법은 기술될것이다.
첫째, 금속막(11)은 도 1a에 도시된 바와같이 제 1 기판(10)상에 형성된다. 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판, 금속 기판, 또는 스테인레스 기판 같은 다음 적층 처리를 견디기 위한 견고성을 갖는 임의의 기판은 제 1 기판에 사용될 수 있다. W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os 및 Ir의 단일층 또는 상기 성분으로 구성된 그룹으로 선택된 원소의 적층물; 주로 상기 원소를 포함하는 합금 재료 또는 화합물 재료는 금속막에 사용될 수 있다. 예를들어, 금속막은 금속 타켓을 사용하는 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다. 금속막의 막 두 께가 10nm 내지 200nm, 바람직하게 50nm 내지 75nm일수있다.
금속막 대신, 상기 재료가 질화된(예를들어, 텅스텐 질화물막 또는 몰리브듐 질화물막) 막은 사용될 수 있다. 선택적으로, 금속의 금속 합금(예를들어, W 및 Mo :WxMo1 -x)은 금속막에 사용될 수 있다. 상기 경우, 스퍼터링은 제 1 금속(W) 및 제 2 금속(Mo), 또는 제 1 금속(W) 및 제 2 금속(Mo)의 합금 타켓 같은 금속 형성 챔버에 배치되는 복수의 타켓을 사용함으로써 수행될 수 있다. 질소 및 산소는 금속막에 부가될 수 있다. 예를들어, 질소 또는 산소를 금속막에 이온 주입하는 것은 수행될 수 있고, 또는 금속막은 그 내부가 질소 또는 산소 분위기인 막 형성 챔버에서 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
금속막이 스퍼터링에 의해 형성될 때, 기판 주변의 막 두께는 때때로 평탄하지 않게 된다. 그러므로, 막의 주변부를 건식 에칭에 의해 제거하는 것이 바람직하다. 상기 경우, 실리콘 산화질화물(SiON 또는 SiNO)막 같은 절연막은 제 1 기판(10) 및 금속막(11) 사이에 대략 100nm로 형성될 수 있어서, 제 1 기판은 에칭되지 않는다.
상기와 같은 금속막을 형성하는 방법을 사용함으로써, 박막화 처리는 제어될수있고, 처리 범위는 넓어진다. 따라서, 예를 들어 금속 합금이 사용될 때 박막화 처리는 합금에서 각각의 금속의 구성 비를 제어함으로써 제어될 수 있다. 특히, 박막화 열처리 온도 및 열처리의 사용 또는 배제는 제어될 수 있다.
박막화 층(12)은 금속막(11)상에 형성된다. 박막화 층은 실리콘 함유 산화 물막 및 반도체막을 갖는다. 안테나는 비접촉 IC가 형성될 때 제공될 수 있다. 실리콘 질화물(SiN)막 또는 실리콘 산화질화물(SiON 또는 SiNO)막 같은 질소 함유 절여막은 박막화층(12)보다 낮은 층, 특히 반도체막보다 낮은 층 내에 베이스막으로서 제공되어 불순물 또는 먼지가 금속막 또는 기판에 침투하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
실리콘 산화물, 실리콘 산화질화물, 또는 그와 동종의 물질은 스퍼터링 또는 CVD에 의해 실리콘 함유 산화물막으로서 형성될 수 있다. 실리콘 함유 산화물막의 두께는 바람직하게 금속막의 두께의 두배이다는 것이 주의된다. 이 실시예 모드에서, 실리콘 산화물막은 실리콘 타켓을 사용하여 스퍼터링에 의해 150nm 내지 200nm의 막두께로 형성된다.
실리콘 함유 산화물막이 형성될때, 금속을 포함하는 산화물(금속 산화물)(13)는 금속막상에 형성된다. 금속 산화물막은 황산, 염산 또는 질산을 갖는 수용액; 황산, 염산 또는 질산 및 과산화 수소물이 혼합된 수용액; 또는 오존액 처리에 의해 금속막의 표면상에 형성되는 얇은 금속 산화물 형태로 형성될 수 있다. 다른 대안으로서, 산화는 산소 분위기에서 플라즈마 처리에 의해 또는 산소 함유 분위기에서 자외선으로 오존을 생성함으로써, 또는 대략 200 내지 350℃에서 열처리에 의해 수행될 수 있고 클린 오븐이 수행될 수 있어서 금속 산화물막을 형성한다.
금속 산화물은 0.1nm 내지 1㎛, 바람직하게 0.1nm 내지 100nm, 보다 바람직하게 0.1nm 내지 5nm의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
실리콘 함유 산화물막 및 반도체막 및 금속막 사이에 제공된 베이스막은 전부 절연막으로서 불린다는 것이 주의된다. 따라서, 금속막, 금속 산화물, 절연막, 및 반도체막이 순차적으로 적층된 구조는 사용될 수 있다. 즉, 반도체막이 절연막의 한측면 및 절연막의 다른 측면상에 제공된 구조에는 금속 산화물이 제공되고 금속막은 사용될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT), 유기 TFT, 박막 다이오드 등 같은 반도체 원소들은 반도체막상에 소정 제조 공정을 인가함으로써 형성된다. 상기 반도체 원소들은 박막 집적 회로의 CPU 또는 메모리를 형성한다. 반도체 원소들 상에 DLC(diamond like carbon)막 또는 카본 질화물(CN)막 같은 카본 함유 보호막, 또는 실리콘 질화물(SiN)막 또는 실리콘 산화질화물(SiNO 또는 SiON)막 같은 질소 함유 보호막을 제공하는 것은 바람직하다. 카본 함유 보호막 및 질소 함유 보호막은 교대로 적층될 수 있다.
상기된 바와 같은 박막화층을 형성한후; 특히, 금속 산화물이 형성된후, 열처리는 금속 산화물을 결정하기 위하여 수행된다. 예를들어, W(텅스텐)이 금속막에 사용될 때, WO2 또는 WO3의 금속 산화물은 적어도 400℃에서 열처리됨으로써 결정화된다. 게다가, 만약 열처리가 박막화층(12)의 반도체막을 형성한 후 수행되면, 반도체막의 수소는 확산될 수 있다. 수소는 금속 산화물의 밸런스 변화를 유발할수있다. 열처리가 필요하면, 그 온도는 금속막의 선택된 금속에 따라 결정될 수 있다. 만약 필요하다면, 금속 산화물은 결정화되어 박막화를 쉽게 수행한다.
게다가, 반도체 소자를 제조하는 공정에서 열처리는 상기 단계의 열처리와 동시에 수행될 수 있어서, 단계 수를 감소시킨다. 예를 들어, 열처리는 결정 반도체막이 열 오븐 또는 레이저 방사선을 사용하여 형성되는 동안 수행될 수 있다.
그후, 박막화층(12) 및 제 2 기판(14)은 도 1b에 도시된 바와 같이 제 1 접착제(15)로 함께 접착된다. 제 2 기판(14)에 대해 제 1 기판(10)의 견고성보다 높은 견고성을 갖는 기판을 사용하는 것은 바람직하다. 예를 들어, 자외선에 의해 제거되는 자외선 박리형(UV peelable) 같은 박리형 접착제, 열에 의해 제거되는 열 박리형 형태, 물에 의해 제거되는 수용성 접착재; 또는 두가지 형태 테이프는 바람직하게 제 1 접착제(15)에 사용될 수 있다.
금속막(11)이 제공된 제 1 기판(10)은 물리적 수단(도 1c)을 사용함으로써 분리된다. 상기 분리는 도면이 프레임 포맷을 도시하기 때문에 도시되지 않더라도 결정화된 금속 산화물 층 또는 경계(인터페이스), 금속 산화물의 양쪽 표면, 즉 금속 산화물 층 및 금속막 사이 인터페이스 또는 금속 산화물 및 박막화층 사이 인터페이스에서 발생한다. 따라서, 박막화층(12)은 제 1 기판(10)으로부터 분리될 수 있다.
기판의 일부를 코팅하고 커팅 표면상 박막화 인터페이스, 즉 금속막 및 금속 산화물막 사이 인터페이스 근처를 커터 등을 사용하여 스크래치하여 박막화를 쉽게 수행하는 것이 바람직하다.
도 1d에 도시된 바와같이, 분리된 박막화층(12)은 제 2 접착제(16)를 사용하여 전달 몸체일 제 3 기판(예를들어, 라벨)에 접착된다. 자외선 경화형 수지, 특 히 에폭시 수지 접착 같은 접착, 또는 수지 접착제; 양면 테이프; 등은 제 2 접착제(16)에 사용될 수 있다. 제 3 기판 표면이 접착될때, 제 2 접착제는 필요하지 않다.
가용성 또는 얇은 막두께(기판이 이후 막 기판이라 한다)를 갖는 기판, 예를들어 폴리에틸렌 네레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 또는 폴리에테르술폰 같은 플라스틱 기판은 제 3 기판에 사용될 수 있다. 막 기판의 표면상 불규칙성은 코팅에 의해 감소되거나; 또는 그것의 견고성, 경도 또는 안정성은 사전에 증가될 수 있다.
그후, 제 1 접착제(15)는 제거되고 제 2 기판(14)은 분리된다(도 1e). 특히, 자외선, 열처리 또는 물 세척은 제 1 접착제를 벗겨내기 위해 수행된다.
제 1 접착제의 제거 및 제 2 접착제의 경화는 하나의 단계로 수행될 수 있다. 예를들어, 제 1 및 제 2 접착제가 각각 열적 박리형 수지 및 열경화형 수지, 또는 자외선 박리형 수지 및 자외선 경화형 수지를 사용할 때, 제거 및 경화는 열 또는 자외선의 하나의 단계로 수행될 수 있다. 접착제는 제 3 기판 등의 투명성을 고려하여 조작자에 의해 대략적으로 선택될 수 있다.
상기된 바와 같이, 본 발명의 박막 및 박막 집적 회로는 완성된다. 이후, 박막 집적 회로는 카드, 용기 또는 라벨 같은 제품에 접착되고, 따라서 박막 집적 회로, 즉 박막 집적 회로가 장착된 제품을 얻는다. 말할 것도 없이, 박막 집적 회로가 라벨들 사이에 유지되는 IC 라벨은 형성되고 제품에 접착(부착, 고정)된다. 제품의 표면은 바닥측 처럼 곡선을 형성한다.
금속 산화물(13)는 박막 집적 회로에서 완전히 제거되거나, 금속 산화물(13)의 일부 또는 대부분은 박막화층의 하부 표면상에서 산란(남겨짐)된다. 우연히, 금속 산화물 남아있을 때, 그것은 에칭등에 의해 제거될 수 있다. 게다가, 실리콘 함유 산화물막은 제거될 수 있다.
다음, 박막 집적 회로 장치의 제조 방법의 일례는 도 1a 내지 1d와 다르고, 여기서 IC 라벨은 박막화층을 제품에 전달함으로써 형성되고 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명될 것이다.
도 2a에서, 제 1 기판은 분리되고, 박막화 층(12)은 카드 또는 용기 같은 제품(18)의 표면에 제 2 접착제(16)를 사용하여 전달된다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(14)은 분리된다. 박막화 방법은 도 1a 내지 1e에 도시된다.
도 2c에 도시된 바와 같이, IC 라벨이 장착된 제품은 박막화층을 커버하기 위하여 라벨(17)을 접착함으로써 완성된다. 라벨(17)은 접착 표면을 가지며 박막 집적 회로를 커버 및 고정한다. 실리콘 산화질화물(SiNO 또는 SiON)막 같은 질소 함유 절연막, DLC막, 또는 카본 질화물(CN)막 같은 카본 함유 절연막은 바람직하게 IC 및 라벨 사이에 형성될 수 있다. 게다가, 질소 함유 절연막 및 카본 함유 절연막은 교대로 적층될 수 있다. 바람직하게, 보호막은 전체 제품을 커버하기 위하여 바람직하게 제공된다.
상기 방법을 사용하여, 복수의 박막 집적 회로가 하나의 큰 기판으로 형성된다. 결과적으로, 박막 집적 회로 장치는 저비용으로 제조될 수 있다.
상기된 박막화 및 전달과 달리, 본 발명의 박막 집적 회로의 제조 방법은 레이저 방사선에 의해 제 1 기판으로부터 박막화 층을 분리하는 단계, 또는 제 1 기판을 에칭하는 단계 및 그것을 제 3 기판에 전달하는 단계를 사용할수있다.
본 발명에 따른 상기 집적 회로는 매우 얇게 형성되는데, 그 이유는 그것이 250nm 내지 750nm, 바람직하게 500nm를 갖는 얇은 반도체막으로 형성되기 때문이고, 반면 IC는 50㎛의 막 두께를 갖는 실리콘 웨이퍼로 형성되고, RFID IC 태그에 사용된다. 예를 들어, 박막 집적 회로가 능동 원소일 반도체막을 포함할 때, 1500nm 내지 3000nm로서 매우 얇은 게이트 절연막, 게이트 전극, 중간층 절연막, 단층 배선 및 보호막은 형성될 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 박막 집적 회로는 디자인을 손상시키지 않고 카드 또는 용기 같은 제품에 접착될 수 있다.
본 발명에 따른 박막 집적 회로는 실리콘 웨이퍼로부터 형성된 IC와 달리 크랙 또는 그라인딩 마크를 유발한 후면 그라인딩을 요구하지 않는다. 박막 집적 회로의 막 두께의 비균일성은 반도체막 등의 막 형성중에 발생된 비균일성에 따른다. 그러므로, 박막 집적 회로의 막 두께의 비균일성은 물 이용 후면 그라인딩 동안 생성된 비균일성보다 상당히 적은 약 몇백 나노미터 정도로 감소될 수 있다.
(실시예 모드 2)
이 실시예 모드에서, 박막 집적 회로의 구조 및 비접촉 박막 집적 회로 원리는 설명될 것이다. 비접촉 박막 집적 회로는 접촉없이 판독될 수 있는 IC 라벨에 인가된다.
첫째, 비접촉 박막 집적 회로의 원리는 도 5의 블록도에 도시된다. 비접촉 박막 집적 회로(50)는 CPU(51), 메모리(52), I/O 포트(53) 및 코프로세서(54)를 가지며 경로(55)를 통해 데이타를 교환한다. 게다가, IC는 RFID(무선) 인터페이스(56) 및 비접촉 인터페이스(57)를 갖는다. 판독 수단으로서 사용하는 판독기/기록기(60)는 비접촉 인터페이스(61) 및 인터페이스 회로(62)를 갖는다. IC는 판독기/기록기에 홀딩되고, 정보의 전송 또는 정보 교환은 비접촉 인터페이스들 사이에서 무선파를 통해 수행된다. 호스트 컴퓨터와의 정보 전송 또는 정보 교환은 판독기/기록기의 인터페이스 회로에 의해 수행된다. 호스트 컴퓨터는 판독/기록 수단을 선택적으로 가질수있다.
PROM, EPROM 또는 EEPROM은 메모리에 사용될 수 있다. PROM 및 EPROM은 카드가 발행될 때를 제외하고 기록될 수 없다. 한편, EEPOM은 재기록가능하다. 메모리는 이용시 선택될 수 있다.
비접촉 IC의 특성은 전력이 코일 안테나, 상호 유도(전자기 결합), 또는 정전기 유도(정전기 결합)의 전자기 유도(전자기 유도)에 의해 공급된다. 수신하기 위한 주파수 레벨은 안테나의 턴수를 제어함으로써 선택될 수 있다.
도 3은 안테나(31), 전류 회로(32), CPU(33) 및 메모리(34) 등을 포함하는 집적 회로 영역(35)을 갖는 특정 비접촉 박막 집적 회로의 평면도이다. 안테나는 전류 회로를 통해 IC에 접속된다. 전류 회로(32)는 예를들어 다이오드 및 캐패시터를 포함하는 구조를 가지며, 안테나가 수신하는 교류(AC) 사이클을 직류(DC)로 전환하기 위한 기능을 갖는다.
다음, IC 라벨의 특정 제조 방법은 도 3의 라인 a-a'을 따라 얻어진 단면을 도시하는 도 4a 내지 4c를 참조하여 설명된다. 도 4a 내지 4c에서, 박막 집적 회로는 도 6c에서 처럼 라벨들 사이에 샌드위치된다.
도 4a는 제 1 라벨(40)상 접착부(41)상에 금속 산화물(42), 실리콘 함유 산화물막(43), 질소 함유 절연막, 불순물 영역을 갖는 반도체막, 게이트 절연막상 게이트 전극, 게이트 전극을 커버하는 제 1 중간층 절연막(46)제 2 중간층 절연막(47), 불순물 영역에 접속된 배선, 배선과 동일 층의 안테나(49), 배선 및 안테나를 커버하는 보호층(49) 및 보호막상 제 2 라벨(50)을 포함하는 베이스막(44)이 제공된 구조를 도시한다. 안테나없이 유사한 구조는 접촉형 박막 집적 회로에 사용될 수 있다.
반도체막, 불순물 영역, 게이트 전극등은 공지된 기술을 사용함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 베이스막은 SiNO 및 SiON의 층진 구조를 가지며; 배선은 단일 층 또는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W) 및 실리콘(Si)로부터 선택된 금속을 함유하는 금속막의 층진 구조(예를들어, Ti/Al-Si/Ti)를 가지며; 게이트 전극은 단일 층 또는 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로부터 선택된 원소를 포함하는 층진 구조(예를들어, W/TaN)을 갖는다. 게다가 반도체막은 실리콘 또는 실리콘 게르마늄을 포함하는 재료로 형성될 수 있고; 제 1 중간층 절연막은 질소를 포함하는 절연막(패시베이션막)으로 형성될 수 있고; 제 2 중간층 절연막은 무기 재료 또는 유기 재료로 형성될 수 있다.
부드러운 표면을 갖는 유기 수지막은 접착성을 개선하기 위하여 보호막에 사 용된다. 게다가, 실리콘 질화물(SiN)막 또는 실리콘 산화질화물(SiON 또는 SiNO)막 같은 질소 함유 절연막; 또는 DLC 또는 CN 같은 카본 함유 절연막, 또는 절연막의 적층은 불순물로부터 반도체막을 보호하기 위하여 형성될 수 있다.
따라서, 도 4a에 도시된 구조의 특성은 안테나가 배선과 동일층에 형성되는 것이다. 안테나의 제조 조건은 적당하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 안테나는 도전 페이스트(특히, 은 페이스트)를 사용하는 잉크젯 또는 인쇄 방법에 의해, 또는 에칭백에 의한 제 2 중간층 절연막 및 패터닝에 형성된 함몰부 상에 안테나 재료를 부어서 배선의 형성과 동시에 배선 재료를 사용한 소정 패턴 에칭에 의해 형성된다.
도 4b는 도 4a의 경우와 달리 게이트 전극과 동일층에 안테나(51)을 형성하는 실시예를 도시한다. 안테나는 배선의 형성과 동시에 게이트 재료를 사용하여 소정 패턴을 에칭함으로써 형성되고, 도전 페이스(특히, 은 페이스트)를 사용하여 잉크젯 또는 인쇄 방법에 의해 또는 제 1 중간층 절연막 또는 게이트 절연막에 형성된 함몰부에 안테나 재료를 부음으로써 형성된다. 안테나없이 유사한 구조는 접촉형 박막 집적 회로에 사용될 수 있다.
도 4c는 도 4a 및 4b와 달리 안테나 및 IC 영역 각각을 형성하는 다른 실시예를 도시한다. CPU 및 메모리를 갖는 IC는 소정 위치로 전달되고, 안테나(52)는 도전 페이스트(특히, 은 페이스트)를 사용한 잉크젯 또는 인쇄 방법에 의해 형성된다. 도전 페이스트는 보호막(49)에 의해 커버된다. 보호막(49)과 다른 보호막은 선택적으로 사용된다. 그때, 안테나 및 집적 회로 영역은 적당하게 배치된다. 안 테나를 가지지 않은 유사한 구조는 접촉형 박막 집적 회로에 사용될 수 있다.
도 4a 내지 4c에 대하여, 박막 집적 회로가 전달되는 라벨이 접착제에 의해 카드 또는 용기 같은 제품에 접착될때, 라벨(50)은 제품에 의해 대체될 것이다. 게다가, 박막 집적 회로가 직접적으로 제품에 전달될때, 라벨(40)은 제품에 의해 대체될 것이다.
또한, 도 10a 내지 10c에서, 박막 집적 회로가 곡선 표면에 접착되는 경우의 구조 예가 있다. 즉, 상기 구조는 박막 집적 회로가 스트레스에 의해 변형될 때 발생하는 박막 트랜지스터 같은 반도체 원소의 스트레스 크랙킹을 방지한다. 도 10a 내지 10c는 용기 또는 카드 같은 제품(100)에 접착되는 박막 집적 회로의 CPU(33) 및 메모리(34)를 포함하는 영역을 도시한다. 도 10a 내지 10c에 도시된 구조는 도 4a 내지 4c의 박막 집적 회로의 어느것에나 인가될 수 있고 그 각각은 접촉형 또는 비접촉형이다.
첫째, 박막 트랜지스터의 제 1 중간층 절연막의 형성 단계는 도 10a에 도시된 바와 같이 수행된다. 그 다음, 마스크는 반도체막상에 증착되고; 제 1 중간층 절연막, 게이트 절연막 및 베이스막은 반도체막이 제공되지 않은 영역에서 에칭되고, 개구부를 형성한다. 상기 에칭은 주어진 선택 비율에 적당한 방식으로 수행된다. 예를 들어, 건식 에칭은 인가될 수 있다.
다음, 무기 재료와 비교하여 높은 탄성을 갖는 폴리이미드 같은 유기 재료를 포함하는 제 2 중간층 절연막(47)은 개구부를 커버하기 위하여 형성된다. 따라서, 그것의 주변(에지)를 포함하는 반도체막은 제 2 중간층 절연막으로 감싸진다. 결 과적으로, 변형 동안 발생하는 스트레스는 유기 재료를 갖는 제 2 중간층 절연막상에 집중되고, 제 2 중간층 절연막은 일차적으로 변형되고; 그러므로, 박막 트랜지스터상 스트레스는 감소된다. 게다가, 변형이 발생할 때, 스트레스는 대부분 반도체막의 에지 대신 베이스막의 에지에 인가되고; 따라서, 반도체막의 에지 또는 인터페이스에서 스트레스 농도는 감소될 수 있다.
따라서, 개구부는 바람직하게 형성되어 대부분의 스트레스 받은 부분은 반도체막 에지와 다르고, 상기 부분은 베이스막 에지로 제한되지 않는다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 베이스 막의 적층부가 제공될 때, 반도체상 스트레스는 제 1 베이스막에 도달하는 개구부를 형성함으로써 경감될 수 있다. 따라서, 각각의 박막 트랜지스터는 개구부를 형성함으로써 분리되고, 스트레스는 분산될 수 있다. 그러므로, 박막 집적 회로는 표면의 곡선이 날카로울때, 즉 표면이 작은 곡률을 가질 때조차 반도체 원소를 손상시키지 않고 장착될 수 있다.
배선은 높은 연성(ductility) 및 가단성(malleability)을 갖는 금속 재료를 포함하도록 형성되고, 보다 바람직하게 막 두께는 보다 얇아져서 변형으로 인한 스트레스를 견딘다.
개구부는 도 10a의 각각의 박막 트랜지스터들 사이에 형성된다. 그러나, 절연은 각각의 회로 블록들 사이, 즉 각각의 CPU들 또는 메모리들 사이에 개구부를 형성함으로써 수행될 수 있다. 각각의 회로 불록이 절연될 때, 각각의 박막 트랜지스터가 절연되는 경우와 비교하여 개구부를 형성하기 쉽다. 게다가, 개구부가 박막 트랜지스터들 사이에 제공되지 않기 때문에, 서로 인접한 박막 트랜지스터들 사이 거리는 보다 작고, 집적도는 개선될 수 있다.
다음, 각각의 회로 블록들이 절연되는 상태에서 적층부의 복수의 중간층 절연막 및 배선을 형성하는 예가 도시된다. 예를 들어, 복수의 제 2 중간층 절연막(47a 및 47b)는 적층되고소스 전극 및 소스 와이어를 접속하기 위한 배선, 및 드레인 전극 및 드레인 와이어는 적층부에 형성된다. 상기 경우, 제 2 중간층 절연막(47a 및 47b), 상부상 적어도 제 2 중간층 절연막(47b)에 유기 재료를 사용하여, 유기 재료로 개구부를 채우는 것은 바람직하다. 유기 재료가 상부상 제 2 중간층 절연막상에만 사용될 때, 유기 재료를 갖는 제 2 중간층 절연막은 박막 트랜지스터상 열처리가 완료된후 형성될 수 있다. 따라서, 오히려 아크릴 같은 낮은 열저항 재료는 사용될 수 있고, 유기 재료의 옵션은 증가될 수 있다.
다음, 각각의 회로 블록들이 절연되고 박막 트랜지스터들이 적층되는 구조를 갖는 박막 집적 회로는 도시될것이다. 층진 구조는 박막 트랜지스터들이 도 1a 내지 1e 또는 도 2a 내지 2c에 도시된 방법에 따라 형성되는 상태에서 박막화 및 전달을 수행함으로써 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 그것들이 극히 얇은 막 두께를 가지기 때문에 적층될 수 있다.
예를들어, 도 10c에 도시된 것과 같은 층진 구조를 갖는 막 집적 회로의 경우, 모든 박막 트랜지스터에서 모든 제 2 중간층 절연막(47)은 높은 탄성 유기 재료를 포함하도록 각각 형성된다. 예를 들어, 도 10b에 도시된 구조에서, 유기 재료는 제 2 중간층에 사용될수있고, 각각의 박막 트랜지스터 절연막, 및 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 배선층의 중간층 절연막은 유기 재료로 형성된다.
도 10a 내지 10c에 도시된 바와같이, 개구부는 형성되고, 스트레스를 수신하는 높은 탄성 유기 재료를 포함하는 제 2 중간층 절연막은 바람직하게 개구부에 형성된다.
본 발명에 따른 비접촉형 박막 집적 회로는 원격 형태, 근접 형태, 인접 형태, 또는 옆쪽 형태중 하나이고, 그 각각은 판독기/기록기로부터 2m 또는 그 이하, 70cm 또는 그 이하, 10cm 또는 그 이하 또는 몇 cm 또는 그 이하의 거리를 갖는다. 제조 사이트의 동작 시, 인접 형태 또는 근접 형태는 바람직하다.
주파수에 대하여, 원격 형태에 대해 마이크로파, 근접 및 인접 형태에 대해 13.56MHz 및 또는 옆쪽 형태에 대해 4.91MHz는 일반적으로 사용된다. 안테나의 턴수는 주파수 증가에 의해 최소화되고 파장은 짧아진다.
비접촉형 전력 공급 및 데이타 전송은 접촉형 박막 집적 회로와 비교하여 비접촉형 박막 집적 회로의 판독기/기록기와 접촉하지 않고 수행된다. 그러므로, 비접촉형 박막 집적 회로는 높은 내구성을 구비하고, 정전기로 인한 직접적인 손상 및 에러는 방지될 수 있다. 게다가, 판독기/기록기 그 자체는 구조상 복잡하지 않고, 박막 집적 회로는 그것이 단지 판독기/기록기에 홀딩될 필요만을 가지기 때문에 조절하기 쉬운 장점을 갖는다.
상기된 바와같이 형성된 비접촉 또는 접촉 박막 집적 회로가 매우 얇기 때문에, 디자인은 비록 그것이 카드 또는 용기 같은 제품상에 장착될지라도 손상되지 않는다. 게다가, 비접촉형 박막 집적 회로의 경우, IC 및 안테나는 하나의 유니트로서 형성될 수 있고, 곡선 표면을 갖는 제품에 쉽게 전달될 수 있다.
(실시예 모드 3)
이 실시예 모드에서, IC 라벨이 장착된 제품에 대한 정보를 판독하기 위한 방법이 설명될 것이다. 특히, IC 라벨이 비접촉형인 경우가 설명될 것이다.
IC 라벨(72)이 장착된 제품은 도 7a에 도시된 판독기/기록기 몸체(70)의 감지 영역(71)에 홀딩된다. 재료 외에, 제조중, 각각의 제조(생산) 공저의 검사 결과, 분배 처리 기록 등; 제품의 사양 같은 제품 정보가 디스플레이 영역에 디스플레이된다. 디스플레이 영역은 판독기/기록기에 제공될 필요가 없고, 각각 형성될 수 있다. 상기 판독기/기록기는 디스플레이 랙(display rack)에 제공될 수 있다.
도 7b에 도시된 바와같이, 예를들어, 셀방식 전화(80) 같은 휴대 정보 단말은 그 내부에 판독 기능을 구비하고; IC 라벨(82)을 포함하는 제품은 메인 몸체에 탑재된 감지 영역(81)에 홀딩된다. 그 다음, 정보는 디스플레이 영역(83)에 디스플레이된다. 제품 정보는 또한 디스플레이된다. 디스플레이 영역은 판독기/기록기로서 사용하는 휴대 정보 단말에 구비될 필요 없고, 각각 형성될 수 있다.
도 7c에 도시된 것외에, IC 라벨(92)이 장착된 제품은 휴대용 판독기(90)의 감지 영역(91)에 홀딩된다. 그 다음 정보는 디스플레이 영역(93)에 디스플레이된다. 제품 정보는 또한 디스플레이된다. 디스플레이 영역은 판독기/기록기에 제공될 필요 없고, 각각 형성될 수 있다.
비접촉형의 판독기/기록기는 상기에서 설명되었다. 접촉형에 대해, 정보는 유사한 방식으로 디스플레이 영역에 디스플레이될 수 있다. 게다가, 디스플레이 영역은 비접촉형 또는 접촉형 박막 집적 회로를 구비한 제품에 제공될 수 있다.
따라서, 소비자는 RFID IC 태그에 의해 제공된 정보와 비교하여 자유롭게 제품의 풍부한 정보를 얻을 수 있다. 제품 관리는 박막 집적 회로를 사용하여 정확하고 빠르게 수행될 수 있다.
(실시예 모드 4)
이 실시예 모드에서, IC 라벨을 갖는 제품의 관리 방법 및 정보 및 제품의 흐름은 설명될 것이다. 특히, IC 라벨이 비접촉 방식인 경우가 설명될 것이다.
도 8에 도시된 바와같이, 제조자에 의해 제품 선적전 또는 판매자에 의한 제품 디스플레이전, 제품 관리에 필요한 정보는 호스트 컴퓨터에 입력된다. 예를 들어, 그 각각이 IC 라벨(204)을 갖는 복수의 제품(200)이 패키지된 카드보드 박스는 벨트 컨베이어 같은 전송 수단(201)을 사용함으로써 판독기/기록기(203)로 지나가고, 제품 정보는 컴퓨터에 입력된다. 이 경우, 판독기/기록기는 직접적으로 컴퓨터에 접속된다. 판독기/기록기를 사용하는 입력은 각각의 카드보드 박스 대신 각각의 제품에 대해 수행될 수 있다.
박막 집적 회로에 저장된 제품상 많은양의 데이타는 컴퓨터(202)에 즉각적으로 입력된다. 컴퓨터는 제품상 데이타 처리 기능을 갖는 소프트웨어를 구비한다. 데이타 처리는 하드웨어로 수행될 수 있다. 결과적으로, 에러, 작업 및 데이타 처리 시간은 감소될 수 있고 제품 관리 부담은 가벼울 수 있다.
제조자(생산자), 판매자 및 고객 사이의 정보 및 제품 흐름은 도 9에 도시된다. 제조자(생산자)는 판매자 또는 고객에게 박막 집적 회로가 장착된 제품을 제공한다. 판매자는 제조자(생산자)에게 예를들어 가격 정보, 판매 제품수, 또는 구 매 시간을 제공한다. 한편, 고객은 개인용 정보 같은 구매 정보를 제공할 수 있다. 예를 들어, 구매 정보는 각각이 소유하는 박막 집적 회로 또는 판독기를 구비한 신용 카드에 의해 네트워크를 통해 제조자(생산자)에게 제공될 수 있다.
또한, 판매자는 제품 정보를 소비자에게 제공할 수 있고, 소비자는 박막 집적 회로에 의해 구매 정보를 판매자에게 제공할 수 있다. 상기 판매 정보, 구매 정보 등은 값어치 있고 미래 판매 전략에서 유용할 것이다.
판매자 또는 고객에 의해 소유된 판독기로 판독한 박막 집적 회로상 정보를 제조자(생산자), 판매자 또는 소비자에게 컴퓨터 또는 네트워크를 통해 개시하는 방법은 다양한 정보를 제공하기 위한 방식으로 주어질 수 있다.
따라서, 다양한 정보는 필요시 누군가에게 제공될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 상업 트레이딩 또는 제품 관리에 바람직하다.
도 1a 내지 1e는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법을 도시한다.
도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법을 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 상세도이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 상세도이다.
도 5는 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 원리를 도시한다.
도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 장착된 제품을 도시한다.
도 7a 내지 7c는 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 판독기/기록기들을 도시한다.
도 8은 본 발명에 따른 IC 라벨이 장착된 제품을 판독하는 상태를 도신한다.
*도 9는 제작자, 판매자 및 소비자 사이의 관계를 도시한다.
도 10a 내지 10c는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법을 도시한다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 제품 11 : 라벨
12 : 집적 회로 13 : 금속 함유 산화물
14 : 접착제 15 : IC 라벨
16 : 제 2 접착제 17 : 라벨

Claims (15)

  1. 데이터 전송을 무선으로 수행할 수 있는 가요성 집적 회로에 있어서,
    기판 위에 배치되고, 박막 트랜지스터들을 포함하는 집적 회로를 포함하고,
    상기 기판은 가요성을 갖는, 가요성 집적 회로.
  2. 데이터 전송을 무선으로 수행할 수 있는 가요성 집적 회로에 있어서,
    접착제를 사이에 개재하여 기판에 부착되고, 박막 트랜지스터들을 포함하는 집적 회로를 포함하고,
    상기 기판은 가요성을 갖는, 가요성 집적 회로.
  3. 데이터 전송을 무선으로 수행할 수 있는 가요성 집적 회로에 있어서,
    기판 위에 배치되고, 박막 트랜지스터들을 포함하는 집적 회로; 및
    상기 기판 위에 형성된 안테나를 포함하고,
    상기 기판은 가요성을 갖는, 가요성 집적 회로.
  4. 데이터 전송을 무선으로 수행할 수 있는 가요성 집적 회로에 있어서,
    접착제를 사이에 개재하여 기판에 부착되고, 박막 트랜지스터들을 포함하는 집적 회로; 및
    상기 기판 위에 형성된 안테나를 포함하고,
    상기 기판은 가요성을 갖는, 가요성 집적 회로.
  5. 데이터 전송을 무선으로 수행할 수 있는 가요성 집적 회로에 있어서,
    기판 위에 배치된 메모리를 포함하고, 박막 트랜지스터들을 포함하는 집적 회로를 포함하고,
    상기 기판은 가요성을 갖는, 가요성 집적 회로.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 플라스틱 기판인, 가요성 집적 회로.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터들 각각은 실리콘을 포함하는 반도체 막을 포함하는, 가요성 집적 회로.
  8. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 집적 회로에 전기적으로 접속된 안테나를 더 포함하는, 가요성 집적 회로.
  9. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 집적 회로에 전기적으로 접속된 배선을 더 포함하고, 상기 배선 및 상 기 안테나는 동일한 표면 위에 형성되는, 가요성 집적 회로.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 메모리는 재기록가능한 메모리인, 가요성 집적 회로.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 집적 회로는 접착제를 사이에 개재하여 상기 기판에 부착된, 가요성 집적 회로.
  12. 시스템에 있어서,
    판독 기능을 갖는 셀룰러 폰; 및
    데이터 전송을 무선으로 수행할 수 있는 가요성 집적 회로로서, 기판 위에 배치된 메모리를 포함하고, 박막 트랜지스터들을 포함하는 집적 회로를 포함하고, 상기 기판은 가요성을 갖는, 상기 가요성 집적 회로를 포함하고,
    상기 셀룰러 폰은 상기 가요성 집적 회로로부터 정보를 무선으로 수신할 수 있는, 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판은 플라스틱 기판인, 시스템.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터들 각각은 실리콘을 포함하는 반도체 막을 포함하는, 시스템.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 집적 회로에 전기적으로 접속된 안테나를 더 포함하는, 시스템.
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