TWI422085B - 製造電子構件的方法 - Google Patents

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Description

製造電子構件的方法
本發明關於一種在一基質表面上製造一電子構件的方法，其中該電子構件垂直於基質表面看至少有二個電功能層，上下設置且至少在一面積區域F重疊，其中該至少二個電功能層在基質上直接地或間接地在一連續程序中構造化，其中該基質相對於一構造化單元移動。
在國際專利WO 2004/047144 A2發表了一種此類方法。其中提到一種有機電子構件，如一種有機場效電晶體(OFET)、具有這類構件的電路、及一種製造方法，電子構件係利用一道廉價的印刷方法形成。
德專利DE 101 26859 A1提到一種產生導電構造的方法，如此所製的主動元件如有機場效電晶體(OFET)或有機發光二極體(OLED)以及具有這類構件的電路。該導電構造，如導電路(Leiterbahn，英：lead)或電極係利用印刷技術在一薄而可撓性的塑膠膜上產生，其中所有習知印刷方法，特別是凹版印刷、凸版印刷、平版印刷、透版印刷(Durchdruck，英：through printing)(網版印刷)或墨墊印刷(Tampondruck)依說明依適用者。
在製造電子構件時使用連續程序可使它以高程序速度廉價地量產。為了達到電子構件儘量均勻的電數值及功能性，須將個別電功能層(由它們構成電子構件)先後形成並重疊依一預設的設計(Layout)定位在正確位置及正確排列。在連續程序中所選設之基質及/或構造化單元的速度越高，則對其他已存在基質上的電功能層而言，越容易在該區域時發生與電功能層的理想定位偏離的情事。
將電功能層直接形成及同時作構造化的作業宜利用一道印刷方法達成。但如不採此方式，一電功能層也可在它形成後才利用雷射或蝕刻技術構造化。在此二情形中，都與程序有關地，會使電功能層的一面積比例由於偏離而在理想位置(它由該構造所預設)以外形成。
本發明的目的在提供一種製造電子構件的方法，它即使在高程序速度時也可造成具有所要之電特性值的有功能性的電子構件。
這種目的達成之道係利用一種在一基質表面上製造一電子構件的方法達成，其中該電子構件垂直於基質表面看，至少設有二個電功能層，上下設置且至少在一面積區域F相重疊，其中該至少二個電功能層在基質上直接地或間接地在一連續程序中構造化，其中該基質相對於一構造化單元移動，其特徵在：a)該至少二個電功能層的一第一電功能層的構造化方式，使得該第一電子功能層的一第一長度度量(L1 )(平行於基質表面且沿基質的一相對於該構造化單元的相對運動方向)設計成比起該面積區域F的一長度度量(LF )〔沿相對運動方向且平行於基質的表面〕至少長5 μ m，且宜長出11 mm以上，及/或b)該至少二個電功能層的一第一功能層的構造化方式，使該第一電功能層的一第一寬度度量(B1 )〔平行於基質表面且垂直於該基質相對於該構造化單元的相對運動方向〕設計成比該面積區域F的一寬度度量(BF )〔垂直於該相對運動方向且平行於基質表面〕至少寬5 μ m，且宜更寬1mm以上。
在此，將該電功能層作電接所需的一些電線路或導電路係視為不屬於各功能層者。
如果該基質相對於該構造化單元移動，則這表示該基質本身及/或該構造單元可以移動。在此，可以只將基質移動而構造化單元不動，或者只將構造化單元移動而基質不動，或者基質與構造化單元都移動。
本發明的方法，可使得另一個電功能層(它係要在一個如此作度量設計的第一電功能層形成之後形成，且要對第一電功能層對準)用極小的功夫定位，這是因為與該另一電功能層的理想定位即使有小小的偏離，並不會影響該電構件的功能性及電特性值之故。因此，用本發明的方法形成的電子構件，在相對運動方向及/或垂直於相對運動方向之方向，如果其設計在第一電功能層的定位相對於另一電功能層有一些偏差，則這種誤差可以容許，各依第一電功能層的理想位置相對於該面積區域(F)的相對地點而定。如此程序速度可更提高，且發生瑕疵電子構件的機率減少。
在此，如果第一電功能層的縱度量沿相對運動方向設計成比該面積區域F的縱度量沿相對運動方向更長出50~500 μ m，則特別有利。這種設計在該電子功能層由於此方法所需之附加空間需求以及不能作用或只能有限地作用的構件產生的或然率之間達成一種妥協。
事實顯示，如果第一功能層相對於該面積區域(F)定位的方式使得第一電功能層的一第一面積重心以及該面積區域(F)的一面積重心(垂直於該基質的表面看)係在該構造中上下重疊，則甚有利。如此，在情形(a)中，該第一電功能層依該構造，沿著相對運動方向在前方及後方都突伸超出該面積區域(F)，因此另一電功能層的面積重心可以定在成與其依該構造的理想位置有負的偏離及正的偏離。在情形(b)中，該第一電功能層依該構造沿著垂直於相對運動的方向在兩側突伸超出該面積區域(F)。因此另一電功能層的面積重心沿垂直於相對運動方向的方向可定位成與其依該構造的理想位置有負以及正的側向偏離。
如果只有(a)的情形，則另外還可不將情形(a)與情形(b)組合，而係令其中該至少二個電功能層的一第二電功能層構造化的方式使得該第二功能層的一第二寬度度量〔平行於基質表面且垂直於該相對運動方式〕設計成比起該面積區域(F)的一寬度度量〔垂直於該相對運動方向且平行於基質的表面〕更寬至少5 μ m，且宜更寬1mm以上。
如此，同樣地可確保：當第一及第二電功能層先後形成時，該基質在基質平面中垂直於相對運動方向者，如有不同的定位，其誤差也可容許。
在此，事實顯示：如果該電功能層相對於該面積區域(F)在該構造中定位的方式，使得第二電功能層的一第二面積重心及該面積區域(F)的面積重心(垂直於基質表面者)係上下重疊，且甚有利。如此，該第二電功能層在該構造中沿相對運動方向在兩側突伸超出該面積區域(F)，因此沿相對運動方向，如果在印刷時，第二電功能層與依構造的理想位置有側向偏離，這種誤差也可容許。
事實顯示，如果使用之連續程序為一種印刷程序，如凹版印刷、凸版印刷、平版印刷、透版印刷或墨墊－印刷的程序，則甚有利。此處「透版印刷」係指網版印刷(Siebdruck)或模版印刷(Schablonendruck)。
這類印刷方法可用高程序速度進行。在此可將一電功能層直接利用印刷直接地且已呈所要的形狀形成在基質上。
此外，事實顯示，如果所用連續程序為一種雷射構造化方法或光蝕印(Photolithographie)構造化方法，則甚有利。其中，此處「光蝕印構造化方法」一般指所有用光罩(Maske)或光遮罩(Maskierung)層工作的蝕刻方法。
利用這類方法，可以將一電功能層間接地形成或成形，它係利用例如蒸鍍或濺鍍(Sputtern)在基質上形成。在此，舉例而言，蒸鍍上去的電功能層局部地利用雷射除去。當雷射相對於已在基質上成的電功能層定位時，在此一般會與理想位置有小小偏離，因此造成所形成之電功能層對該構造偏離。如果將光敏漆(感光漆)(Photolack)施到一電功能層的整個面積，利用一光罩曝光，將該漆未硬化的區域除去，作一道蝕刻程序，然後將光敏漆除去，則由於在光罩定位時與其理想位置有小小偏離，故形成之電功能層相對於該構造也會有位置偏離。
此外，舉例而言，該電功能層可以已在所要區域印上一抗蝕刻的光罩層，且該電功能層之未印刷的區域利用蝕刻除去。然後將抗蝕刻的光罩層撕離，露出留在其下方的電功能層區域(它構造化成所要形狀)。當該光罩層印刷時，一如在電功能層直接印刷之時，會與理想位置偏離，這種偏離作用直接從光罩層轉移到如此所構造化的電功能層上。
此外，事實顯示，如果使用之連續程序為一種噴墨構造方法，也甚有利，如此可達成高程序速度。在此，一電功能層可利用噴墨印刷直接地且已呈所有形狀在基質上形成。但噴墨印刷方法也可使光罩層能施覆，以將先前形成的電功能層作構造化。
在連續程序，該基質相對於構造化單元的相對速度宜選設在0.5~200米/分的範圍，且宜在10~100米/分的範圍。這點可使電子構件用低製造成本作量產。
在此，如果使用的基質為一種可撓性基質，特別是一種長拉伸的塑膠膜(它如有必要，可為多層者)，則特佳。在此，舉例而言，適合者有由聚酯、聚乙烯、聚乙烯對苯二酸酯、或聚醯胺構成之塑膠膜。
事實顯示，如果該基質厚度選設在6 μ m~200 μ m範圍(且宜在12 μ m~50 μ m範圍)則甚有利。
在一種可撓性基質的場合，如果在連續程序式，作「捲裝進出」(Rolle zu Rolle，英：roll－to－roll)方式的運送，則特別有利。在此將未鍍覆的可撓性基質捲取到一滾子上，將基質從滾子拉離，並導經一程序機器，在此作構造化，最後呈鍍覆過的基質形式捲取到另一滾子上。這點可使長的基質道能作處理，其中相對於程序機器的定位作用只需在一新的基質滾子開始處作。
事實顯示，如果該至少二個電功能層形成之層厚度在1奈米到100 μ m範圍(且宜在10奈米~300奈米區域)則甚有利。
該至少二個電功能層的橫截面經基質者可在電子構件中設成互相鄰界。因此該至少二個電功能互相直接接觸。
如不用此方式，可在該至少二個電功能層之間在橫截面中(經基質看)在電子構件中至少在面積區域(F)中至一少設一第三電功能層，此至少二個電功能層因此互相不直接接觸。
在此該至少一第三電功能層垂直於基質表面看其各邊都突伸超出該面積區域(F)，其中該至少一第三電子功能層的一第三縱度量沿平行於基質表面的方向及沿相對運動方向設計成比該面積區域(F)沿相對運動方向及平行於基質表面方向的縱度量(LF )長出至少5 μ m，且宜長出至少1mm以上，且其中該第三電功能層的一第三寬度度量沿著平行於基質表面的方向及垂直於相對運動的方向設計成比該面積區域(F)垂直於相對運動方向及平行於基質表面的方向的寬度度量寬出至少5Mm(且宜至少1mm)，則甚有利。
該第一電功能層宜設計成一個或數個(特別是有機的)電極形式。
此處，所有種類的有機、金屬有機、及無機的塑膠(它們的英文稱為「plastic」)都視為導電「有機」材料。因此，這裡並未獨斷地限於有機材料作為含碳的材料，而係也考慮到使用例如矽膠(Silikon，英：cilicone)。此外此名稱就分子大小而言亦不限制，特別是限於聚合物及/或寡聚物材料，而係也使用「小分子」。其中使用聚苯胺或聚吡咯當作導電有機材料顯得很有利。
但用於作第一電功能層之電極者還有蒸鍍或濺鍍的材料層，例如由以下至少一種材料構成者：金、銀、銅、鋁、鉑、鈦、或類似物。它們宜利用雷射或蝕刻作構造化。
如果該第二電功能層和第一電功能層直接地接觸，則事實顯示當第二電功能層設計成電絕緣層(特別是有機電絕緣層)或半導體層(特別是有機半導體層)的形式，則甚有利。其中用聚乙烯酚顯得特別有利。適用的有機半導體的例子有聚噻吩(Polythiophen)。
如果第一及第二電功能層設成互相間隔，則事實顯示，如果第二電功能層設計成一個或數個(特別是有機)電極的形式，則甚有利。在此可用之導電材料同樣為上述用於該設計成電極形式的第一電功能層之所述材料。
該電構件宜為一種場效電晶體、電容器、二極體、或 具有至少一通路的構件，特別是具有至少一有機電功能層的構件。通路係指一開口，通常垂直於基質平面，一疊功能層的不互相直接接觸的電功能層之間經由該開口造成導電連接。又，在形成通路時(例如，使用一構造化層藉蝕刻方法)會造成上述種類的偏移，其中一通路的位置從依構造的理想位置偏離的情事可利用本發明的方法抵消。
茲用圖1a~3b為例說明本發明。
圖1顯示一由PET膜構成的基質(1)的上視圖，它具有用於製造一電子構件(此處為一二極體)的三個電功能層(2)(3)(4)，它印刷在基質(1)表面。垂直於基質(1)表面看，該電功能層(2)(3)(4)係上下設置且至少在一面積區域(F)重疊。在此該電功能層(2)形成一第一電功能層。其中，在印刷時，該第一電功能層的垂直於基質(1)表面及沿基質(1)的相對運方向的一第一縱度量(L1 )(沿圖1a係用圖左邊的一箭頭表示)設計成比該面積區域(F)之沿印刷方向及平行於基質(1)表面的方向的一縱度量LF 長出約25μm。第一電功能層由導電材料(此處為銅)構成，設計成電極形式。電功能層(3)構成一第二電功能層，它利用一個由聚三烷基噻吩構成的第三電功能層(4)與第一電功能層保持間隔。第二電功能層由銀構成。第二電功能層設計的方式，使得該第二能層平行於基質(1)平面及垂直於相對運動的方向的第二寬度度量B2 設計成比該面積區域(F)的垂直於相對運動方向及平行於基質(1)表面的一寬度度量BF 寬了至少50μ m。
用於與第一及第二電功能層作導電接觸必然所需的導電供電線路或導電路在圖中未示。
圖1a及1b顯示依電子構件的印刷構造的理想情形，其中，第一電功能層相對於該面積區域(F)定位的方式，使得第一電功能層的一第一面積重心與該面積區域的一面積重心(SF )〔垂直於基質(1)者〕係互相上下重疊，且第二電功能層相對於該面積區域(F)定位的方式，使得該第二功能層的第二面積重心與該面積區域(F)的面積重心(SF )〔垂直於基質(1)者〕同樣地上下重疊。但實際上，這種理想情形由於在構造化時會產生偏離，因此並不存在。
圖1a所示之層構造對於第一層功能層沿相對運動方向的這種偏離或偏移及/或第二功能層垂直於相對運動方向的偏離或偏移(相對於依該構造之圖示理想情形)的誤差係可容許者。
圖1b顯示經圖1a的印刷過的基質的一橫截面A-A’，其中可看到基質(1)及印刷在其上的電功能層(2)(3)(4)。在此該電功能層構成第一電功能層，電功能層(2)構成第二電功能層，電功能層(4)構成第三電功能層。
圖2a顯示由PET膜構成之另一印刷的基質(1)的上視圖，該基質(1)表面上印有三個電功能層(2’)(3’)(4’)以製造一電子構件，此處為一電容器，由垂直於基質(1)表面看，該電功能層(2’)(3’)(4’)上下設置且至少在一面積區域(F)重疊。在此，該電功能層(2’)構成第一電功能層，其中第一電功能層的平行於基質(1)表面及沿基質(1)相對運動方向在基質(1)印刷時(圖2a中用圖左箭頭表示)一第一縱度量L比起該面積區域(F)，在基質(1)印刷時沿基質相對運動方向及平行於基質(1)表面的一縱度量LF 設計成更長了約1mm。第一電功能層由一導電材料(此處為銅)構成，設計成電極形式。電功能層(3’)構成另一電功能層，它被一個由電絕緣聚合物構成的一第三電功能層(4’)與第一電功能層間隔開來。另一電功能層設計成銀電極形式。
第一電功能層的設計方式，使第一電功能層之平行於基質(1)表面及垂直於相對運動方向的一第一寬度度量(B1 )設計成比該面積區域(F)垂直於印刷方向及平行於基質(1)表面方向的一寬度度量BF更寬出約600 μ m。用於將第一及其他電功能層作電接觸所需之導電的供電線路或導電路在圖中未示。
圖2a顯示依電子構件之印刷計的理想情形，在此理想情形中，第一電功能層相對於面積區域定位的方式，使第一電功能層的一第一面積重心與該面積區域(F)的一面積重心(SF )〔垂直於該基質(1)看〕係上下重疊，而第三及另外的電功能層相對於該面積區域(F)定位的方式，使其面積重心與面積區域(F)的面積重心(SF )〔垂直於基質(1)看〕同樣是上下重疊。但在實際上，由於在印刷時會發生偏離，因此這種理想情形不可能存在。圖2a中所示的構造相對於第一功能層沿相對運動方向的這種偏離或偏移以及/或第一功能層垂直於相對運動方向的偏離或偏離(相對於依該印刷設計的圖示之理想情形)的誤差可以容許。
圖2b顯示經圖2a的印刷之基質(1)的一橫截面B－B’，其中可看到該基質(1)與印刷在其上的電功能層(2’)(3’)(4’)。在此，電功能層(2’)構成第一電功能層，電功能層(3’)構成另一電功能層，電功能層(4’)構成第三電功能層。
圖3a顯示由PET膜構成之另一印刷的基質(1)，在基質(1)的表面印有二個電功能層(2)(3)，當作前級部件，以製造一電子構件〔舉例而言，此處為一有機場效電晶體(OFET)〕。垂直於基質(1)表面看，電功能層(2)(3)係上下設置且至少在一面積區域(F)(用一油印刷的線圍出界限)重疊。在此，電功能層(2)構成第一電功能層，其中，第一電功能層平行於基質(1)表面及沿基質(1)相對運動方向在基質(1)印刷時(在圖3a中用圖左的一箭頭表示)的一第一縱度量L1 設計成比該面積區域(F)沿相對運動方向及平行於基質(1)表面的方向的縱度量LF 更長了約1mm。第一電功能層由半導體材料(此處為聚烷基噻吩)構成。電功能層(3)構成另一電功能層。該另一電功能層由銀構成，且呈二個梳狀構造形式，它們要構成OFET的源極與排極。由於電功能層(3)在此處具有不規則形狀，故面積區域(F)在此情形中其界限係使得電功能層(3)的最大外度量(沿相對運動方向及垂直於該方向)係預設了面積區域(F)的周圍，雖然在如此所界定的面積區域(F)並非在各位置，該二電功能層都有重疊。此處這種面積區域(F)的界定方式係適合者，因為它在該梳狀構造印刷時係與第一功能會印到上來，以將梳狀構造完全蓋住。
第一電功能層設計成使該第一電功能層平行於基質(1)表面以及垂直於相對運動的方向的第一寬度度量(B1 )設計成比起面積區域(F)垂直於相對運動方向及平行於基質(1)的表面方向的一寬度度量BF 大約更寬了約1mm。用於使第一及其他電功能層接觸可能需要的導電供電線路或導電路在圖中未示。
圖3a顯示電子構件之印刷設計的理想情形，其中該第一電功能層相對於該面積區域(F)定位的方式，使得第一電功能區域的一第一面積重心與該面積區域(F)的一面積重心SF 〔垂直於基質(1)看〕係上下設置，且該另外電功能層相對於該面積區域(F)定位的方式，使得其面積重心與該面積區域(F)的面積重心(SF )〔垂直於基質(1)看〕同樣地上下重疊。但在實際上，由於在印刷時會發生偏離，這種理想情形並不存在。圖3a所示的層構造相對於第一功能層沿相對運動方向的這種偏離或偏移及/或第一功能層垂直於相對運動方向的偏離或偏離(相對於依印刷設計的圖示理想情形)的誤差係可容許者。
圖3b顯示經圖3a的印刷的基質(1)的一橫截面c－c’，其中可看到基質(1)及印刷在其上的電功能層(2)(3)。在此該電功能層(2)構成第一電功能層，而電功能層(3)構成另外的電功能層。
要指明一點：該圖a到3b所示者，只用於說明本發明基本構想，行家可根據整體產生許多其他可能方式。本發明的方法也可用於以連續程序形成其他構件的電功能層，而不偏離本發明的標的。
(1)．．．基質
(2)(2’)．．．第一電功能層
(3)(3’)．．．第二電功能層
(4)(4’)．．．第三電功能層
(F)．．．面積區域
(L1 )(LF )．．．縱度量
(B1 )(B2 )(BF )．．．寬度度量
(SF )．．．面積重心
圖1a係一施覆之基質的上視圖，圖1b係經圖1a的施覆的基質的一橫截面A－A’，圖2a係另一施覆的基質的上視圖，圖2b係經圖2a之施覆的基質的一橫截面B－B’，圖3a係另一施覆之基質的上視圖，圖3b係經圖3a之施覆的基質的一橫截面圖c－c’。
(1)．．．基質
(2)．．．第一電功能層
(3)．．．第二電功能層
(4)．．．第三電功能層

Claims (16)

  1. 一種在一基質(1)表面上製造一電子構件的方法，其中該電子構件垂直於基質(1)表面看至少設有二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)，上下設置且至少在一面積區域F重疊，其中該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)在基質(1)上直接地或間接地在一連續程序中構造化，其中該基質(1)相對於一構造化單元移動，其特徵在：a)該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)的一第一電功能層的構造化方式，使得該第一電子功能層的一第一長度度量(L1 )(平行於基質表面且沿基質的一相對於該構造化單元的相對運動方向)設計成比起該面積區域F的一長度度量(LF )〔沿相對運動方向且平行於基質(1)的表面〕至少長5μm，且宜長出1mm以上，及/或b)該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)的一第一電功能層的構造化方式，使該第一及第二電功能層的一第一寬度度量(B1 )及一第二寬度度量(B2 )〔平行於基質(1)表面且垂直於該基質(1)相對於該構造化單元的相對運動方向〕設計成比該面積區域F的一寬度度量(BF )〔垂直於該相對運動方向且平行於基質(1)表面〕至少寬5μm，且宜更寬1mm以上，其中該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)的層厚度設計成在一奈米~100μm範圍，且宜在10奈米~300奈米範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中：該第一電功能層的第一長度度量(L1 )(沿相對運動方 向)設計成比該面積區域F的長度度量(沿相對運動方向)長50μm~500μm。
  3. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：該第一電功能層相對於該面積區域F定位成一種構造，使得第一電功能區域的一第一面積重心與該面積區域F的一面積重心(SF )〔垂直於基質(1)看〕係重疊者。
  4. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：該第二電功能層相對於該面積層F定位在一構造中，使該第二電功能層的一第二面積重心與面積區域F的面積重心(SF )〔垂直於基質(1)看〕係上下重疊者。
  5. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：使用一種印刷程序作為連續程序，如凹版印刷、凸版印刷、平版印刷、透版印刷、或墨熱印刷程序雷射構造化程序、光刻版構造化程序或噴墨構造化程序。
  6. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：在連續程序中該基質(1)相對於該構造化單元的相對運動速度選設成0.5~200米/分範圍，且宜在10~100米/分範圍。
  7. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：所用基質(1)為一種可撓性基質，特別是一種長拉伸的塑膠膜，它可為多層者。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中：該基質(1)的厚度選設在6μm~200μm範圍，且宜在12μm~50μm範圍。
  9. 如申請專利範圍第7項之方法，其中：該可撓性基質在連續程序中以捲裝進出方式運送。
  10. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)的橫截面經基質(1)者係在電構件中設有直接互相鄰界。
  11. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：在該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)之間在經基質(1)的橫截面看，在電子構件中至少在面積區域(F)中設有至少一第三電功能層。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中：該至少一第三電功能層垂直於基質(1)表面看其各邊都突伸超出該面積區域(F)，其中該至少一第三電子功能層的一第三縱度量沿平行於基質(1)表面的方向及沿相對運動方向設計成比該面積區域(F)沿相對運動方向及平行於基質(1)表面方向的縱度量(LF )長出至少5μm，且宜長出至少1mm以上，且其中該第三電功能層的一第三寬度度量沿著平行於基質(1)表面的方向及垂直於相對運動的方向設計成比該面積區域(F)垂直於相對運動方向及平行於基質(1)表面的方向的寬度度量(BF )寬出至少5μm，且宜至少1mm。
  13. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：該第一電功能層設計成一個或數個電極的形式，特別是有機電極形式。
  14. 如申請專利範圍第10項之方法，其中：該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)的橫截面經 基質(1)看係在該電子構件中設成直接相鄰界，該第一電功能層設計成一個或數個電極的形式，特別是有機電極，且該第二功能層設計成電絕緣層或半導體層形式，特別是有機電絕緣層或有機半導體層。
  15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中：該至少二個電功能層(2)(2’)(3)(3’)(4)(4’)之間的橫截面經該基質(1)看係在電子構件中至少在該面積區域(F)中設有至少一第三電功能層，該第一電功能層設計成一個或數個電極的形式，特別是有機電極，且該第二電功能層設計成一個或數個電極的形式，特別是有機電極。
  16. 如申請專利範圍第1或第2項之方法，其中：該電子構件為一場效電晶體、一電容器、一二極體或一個含有至少一個通道的一構件，各特別具有至少一個有機電功能層。
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