JP4668613B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4668613B2 JP4668613B2 JP2004519712A JP2004519712A JP4668613B2 JP 4668613 B2 JP4668613 B2 JP 4668613B2 JP 2004519712 A JP2004519712 A JP 2004519712A JP 2004519712 A JP2004519712 A JP 2004519712A JP 4668613 B2 JP4668613 B2 JP 4668613B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic semiconductor
- field effect
- gate electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
Description
必要によって、本発明の詳細な実施態様を本明細書中に開示する。しかしながら、開示の実施態様は、種々の形態において実施され得る本発明の単なる例示であることが理解されるべきである。したがって、本明細書中に開示される特定の構造および機能的詳細は限定として解釈されるべきでなく、単に特許請求の範囲の基礎として、および、実質的に任意の適切に詳細な構造における本発明の種々の使用を当業者に説明するための、代表的な基礎として解釈されるべきである。さらに、本明細書中で用いられる語句は限定を意図するものではなく、本発明の理解可能な説明を提供することを意図するものである。
半導体デバイス構造を支持する他の基板としての使用に、特に適切である。配向ポリマー膜の分子レベルの表面構造は、その上に支持されている有機半導体デバイス構造(例えば、チャネル112)を特別に配向する傾向にあり、有機半導体内部での配列の増大と、電気的な性能の改良を導く。
されるように、有機半導体チャネル308の材料を考慮して選択される。ショットキー接合316を形成するためには、有機半導体チャネル308の物理的特性に関して、ゲート電極312と有機半導体チャネル308との間にショットキー接合316を作り出すために充分である仕事関数を特徴とする、ゲート電極材料を用いることが好適である。ショットキー接合316を提供することによって、図2に示される第1の代替の実施態様で用いられるような誘電体材料の必要が排除される。ゲート電極312は金属である必要はないが、しかしながら、有機半導体チャネル308に対するショットキー接続を形成するために代替で用いられる金属には、アルミニウム、マグネシウム、チタン、タンタル、マンガン、および亜鉛が含まれる。好適には、ソースおよびドレイン電極310,314の材料は、有機半導体チャネル308に対するオーミック接続を形成するように、有機半導体チャネル308の材料の特性を考慮して選択される。ソースおよびドレイン電極310,314は金属である必要はないが、しかしながら、有機半導体チャネル308に対するオーミック接続を形成するために代替で用いられる金属には、銅、金、銀、ニッケル、白金、およびタングステンが含まれる。
基板は、追加のデバイスを提供すること、および導体線を相互接続することのうち、少なくとも一方のために用いられる。
は非機能的フィーチャを有する。
亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、鉄(Fe)、または水素(H2)である。
上に形成される。ステップ806では、誘電体パッチ214が形成される。誘電体パッチ214は、好適には、有機半導体チャネル216の上方に形成される。代替では、誘電体パッチ214はゲート電極210の上方に形成される。ステップ810では、第1および第2の基板204,206は、ゲート電極210が有機半導体チャネル216上方の誘電体パッチ214と整合するように、位置を整合される。ステップ812では、ソースおよびドレイン電極208,212が有機半導体チャネル216と接続するように、第1および第2の基板が一体に積層される。
Claims (5)
- 電界効果トランジスタにおいて、
第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
ゲート電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたソース電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたドレイン電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、前記ゲート電極に近接し、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続する、有機半導体と、
前記ソース電極と前記有機半導体との間、および、前記ドレイン電極と前記有機半導体との間に設けられた接続強化材料とを有し、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に対向する第1の面と、
第2の面とを有し、
前記ゲート電極は前記第1の基板の前記第2の面の上にあり、
前記第1の基板は、ポリマー膜、紙、およびクロスからなる群から選択され、
前記第2の基板は、ポリマー膜、紙、およびクロスからなる群から選択される、電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記ゲート電極が近接する第3の基板をさらに有する電界効果トランジスタ。 - 請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記第1の基板、前記第2の基板、および前記第3の基板は、一体に積層される電界効果トランジスタ。 - 電界効果トランジスタにおいて、
第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
ゲート電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたソース電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたドレイン電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、前記ゲート電極に近接し、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続する、有機半導体とを有し、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に対向する第1の面と、
第2の面とを有し、
前記ゲート電極は前記第1の基板の前記第2の面の上にあり、
前記ソース電極と前記有機半導体との間、および、前記ドレイン電極と前記有機半導体との間に設けられた接続強化材料をさらに有し、
前記接続強化材料は、クロム、クロムの非鉄合金、亜鉛、亜鉛合金、チタン、チタン合金、スズ、およびスズ合金からなる群から選択される、電界効果トランジスタ。 - 電界効果トランジスタにおいて、
第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
ゲート電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたソース電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたドレイン電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、前記ゲート電極に近接し、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続する、有機半導体とを有し、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に対向する第1の面と、
第2の面とを有し、
前記ゲート電極は前記第1の基板の前記第2の面の上にあり、
前記ソース電極と前記有機半導体との間、および、前記ドレイン電極と前記有機半導体との間に設けられた接続強化材料をさらに有し、
前記有機半導体はポリチオフェン族化合物を含有し、
前記接続強化材料はオクタデシルトリクロロシランを含有する、電界効果トランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/187,737 US6661024B1 (en) | 2002-07-02 | 2002-07-02 | Integrated circuit including field effect transistor and method of manufacture |
PCT/US2003/020650 WO2004006633A2 (en) | 2002-07-02 | 2003-06-03 | Integrated circuit including field effect transistor and method of manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005532690A JP2005532690A (ja) | 2005-10-27 |
JP4668613B2 true JP4668613B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=29711413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004519712A Expired - Fee Related JP4668613B2 (ja) | 2002-07-02 | 2003-06-03 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6661024B1 (ja) |
EP (1) | EP1540734A4 (ja) |
JP (1) | JP4668613B2 (ja) |
CN (1) | CN100359700C (ja) |
AU (1) | AU2003248770A1 (ja) |
WO (1) | WO2004006633A2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784017B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
US6905908B2 (en) * | 2002-12-26 | 2005-06-14 | Motorola, Inc. | Method of fabricating organic field effect transistors |
JP2004304009A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Canon Inc | 有機薄膜トランジスタ |
US20040266054A1 (en) * | 2003-06-30 | 2004-12-30 | Brazis Paul W. | OFET channel fabrication |
JP2005079549A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
KR100549227B1 (ko) * | 2003-09-06 | 2006-02-03 | 한국전자통신연구원 | 유기분자 소자의 제작 방법 |
US7767998B2 (en) * | 2003-12-04 | 2010-08-03 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | OFETs with active channels formed of densified layers |
KR101002332B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2010-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
GB0407739D0 (en) * | 2004-04-05 | 2004-05-12 | Univ Cambridge Tech | Dual-gate transistors |
US7372070B2 (en) * | 2004-05-12 | 2008-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic field effect transistor and method of manufacturing the same |
US20070241325A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-10-18 | Yamanashi University | Schottky Gate Organic Field Effect Transistor and Fabrication Method of the Same |
US7045814B2 (en) * | 2004-06-24 | 2006-05-16 | Lucent Technologies Inc. | OFET structures with both n- and p-type channels |
US7244626B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method |
JP2006073794A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
KR100659061B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
WO2006052625A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Control of threshold voltage in organic field effect transistors |
JP4792781B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-12 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US20060131616A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Devaney Douglas E | Copperless flexible circuit |
DE102005022000B8 (de) * | 2005-05-09 | 2010-08-12 | O-Flexx Technologies Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten aus zwei mehrlagigen Ausgangsstrukturen und deren Verwendung |
JP2008544477A (ja) * | 2005-05-09 | 2008-12-04 | ナノ イープリント リミテッド | 電子デバイス |
KR100647695B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 구비한평판표시장치 |
KR20080047542A (ko) * | 2005-08-31 | 2008-05-29 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 트랜지스터 및 그 제조 방법, 그리고 이 트랜지스터를 갖는반도체 장치 |
US20070090869A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Motorola, Inc. | Combined power source and printed transistor circuit apparatus and method |
US20070090459A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Motorola, Inc. | Multiple gate printed transistor method and apparatus |
JP4887848B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-02-29 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、電気光学装置および電子機器 |
GB2437112B (en) * | 2006-04-11 | 2011-04-13 | Nicholas Jim Stone | A method of making an electrical device |
TWI316760B (en) * | 2006-05-03 | 2009-11-01 | Ind Tech Res Inst | Circuit structure with doubl-gate organic thin film transistors and application thereof |
CN101022152B (zh) * | 2007-03-20 | 2011-03-09 | 广州新视界光电科技有限公司 | 聚合物电解质薄膜晶体管 |
KR101501699B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP5170627B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-03-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機半導体装置の作製方法及び有機半導体装置 |
JP5396709B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2014-01-22 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
PT103998B (pt) * | 2008-03-20 | 2011-03-10 | Univ Nova De Lisboa | Dispositivos electrónicos e optoelectrónicos de efeito de campo compreendendo camadas de fibras naturais, sintéticas ou mistas e respectivo processo de fabrico |
CN102378794A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-03-14 | Dic株式会社 | 有机半导体墨组合物和使用其的有机半导体图案形成方法 |
JP6649765B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2020-02-19 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2021132050A (ja) * | 2018-04-27 | 2021-09-09 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体装置及び有機半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04211175A (ja) * | 1990-01-04 | 1992-08-03 | Neste Oy | 電子および電子光学部品と回路の製造方法 |
JPH05110069A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2001230421A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Lucent Technol Inc | 集積回路デバイスの製造方法 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
JP2002515641A (ja) * | 1998-01-28 | 2002-05-28 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法 |
JP2005506704A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5796121A (en) * | 1997-03-25 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Thin film transistors fabricated on plastic substrates |
DE69918308T2 (de) * | 1998-04-10 | 2004-10-21 | E Ink Corp | Elektronische anzeige basierend auf organischen feldeffekt-transistoren |
JP2002215065A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-07-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
-
2002
- 2002-07-02 US US10/187,737 patent/US6661024B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-03 AU AU2003248770A patent/AU2003248770A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-03 EP EP03763068A patent/EP1540734A4/en not_active Withdrawn
- 2003-06-03 WO PCT/US2003/020650 patent/WO2004006633A2/en active Application Filing
- 2003-06-03 JP JP2004519712A patent/JP4668613B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-03 CN CNB038155397A patent/CN100359700C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04211175A (ja) * | 1990-01-04 | 1992-08-03 | Neste Oy | 電子および電子光学部品と回路の製造方法 |
JPH05110069A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2002515641A (ja) * | 1998-01-28 | 2002-05-28 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法 |
JP2001230421A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Lucent Technol Inc | 集積回路デバイスの製造方法 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
JP2005506704A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1666346A (zh) | 2005-09-07 |
EP1540734A4 (en) | 2010-10-27 |
AU2003248770A1 (en) | 2004-01-23 |
AU2003248770A8 (en) | 2004-01-23 |
CN100359700C (zh) | 2008-01-02 |
WO2004006633A2 (en) | 2004-01-15 |
EP1540734A2 (en) | 2005-06-15 |
US6661024B1 (en) | 2003-12-09 |
JP2005532690A (ja) | 2005-10-27 |
WO2004006633A3 (en) | 2004-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4668613B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US8350255B2 (en) | Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor | |
US6569706B2 (en) | Fabrication of organic light emitting diode using selective printing of conducting polymer layers | |
Blanchet et al. | Printing techniques for plastic electronics | |
JP2005277238A (ja) | 薄膜トランジスタおよびそれを用いた半導体装置 | |
KR20070014579A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
KR20110084368A (ko) | 플렉시블 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2009200315A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN101971348B (zh) | 半导体器件和显示装置 | |
TW202018789A (zh) | 元件製造方法 | |
CN102034930A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
US7632705B2 (en) | Method of high precision printing for manufacturing organic thin film transistor | |
JP5655421B2 (ja) | 半導体装置、表示装置、および電子機器 | |
US8013327B2 (en) | Electronic device | |
US20180026213A1 (en) | Field Effect Transistor and Method for Production Thereof | |
JP6043295B2 (ja) | 電子デバイス | |
US6603141B2 (en) | Organic semiconductor and method | |
TWI422085B (zh) | 製造電子構件的方法 | |
JP2012038924A (ja) | 半導体装置、表示装置、および電子機器 | |
EP2433320B1 (en) | Method of manufacturing electronic devices | |
WO2016170770A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ形成基板、画像表示装置用基板および薄膜トランジスタアレイ形成基板の製造方法 | |
US20030141524A1 (en) | Organic semiconductor device and method | |
JP2005166894A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法および製造装置 | |
WO2014147992A1 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
JP2012059757A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090218 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |