JP4668613B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
必要によって、本発明の詳細な実施態様を本明細書中に開示する。しかしながら、開示の実施態様は、種々の形態において実施され得る本発明の単なる例示であることが理解されるべきである。したがって、本明細書中に開示される特定の構造および機能的詳細は限定として解釈されるべきでなく、単に特許請求の範囲の基礎として、および、実質的に任意の適切に詳細な構造における本発明の種々の使用を当業者に説明するための、代表的な基礎として解釈されるべきである。さらに、本明細書中で用いられる語句は限定を意図するものではなく、本発明の理解可能な説明を提供することを意図するものである。
半導体デバイス構造を支持する他の基板としての使用に、特に適切である。配向ポリマー膜の分子レベルの表面構造は、その上に支持されている有機半導体デバイス構造(例えば、チャネル112)を特別に配向する傾向にあり、有機半導体内部での配列の増大と、電気的な性能の改良を導く。
されるように、有機半導体チャネル308の材料を考慮して選択される。ショットキー接合316を形成するためには、有機半導体チャネル308の物理的特性に関して、ゲート電極312と有機半導体チャネル308との間にショットキー接合316を作り出すために充分である仕事関数を特徴とする、ゲート電極材料を用いることが好適である。ショットキー接合316を提供することによって、図2に示される第1の代替の実施態様で用いられるような誘電体材料の必要が排除される。ゲート電極312は金属である必要はないが、しかしながら、有機半導体チャネル308に対するショットキー接続を形成するために代替で用いられる金属には、アルミニウム、マグネシウム、チタン、タンタル、マンガン、および亜鉛が含まれる。好適には、ソースおよびドレイン電極310,314の材料は、有機半導体チャネル308に対するオーミック接続を形成するように、有機半導体チャネル308の材料の特性を考慮して選択される。ソースおよびドレイン電極310,314は金属である必要はないが、しかしながら、有機半導体チャネル308に対するオーミック接続を形成するために代替で用いられる金属には、銅、金、銀、ニッケル、白金、およびタングステンが含まれる。
基板は、追加のデバイスを提供すること、および導体線を相互接続することのうち、少なくとも一方のために用いられる。
は非機能的フィーチャを有する。
亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、鉄(Fe)、または水素(H2)である。
上に形成される。ステップ806では、誘電体パッチ214が形成される。誘電体パッチ214は、好適には、有機半導体チャネル216の上方に形成される。代替では、誘電体パッチ214はゲート電極210の上方に形成される。ステップ810では、第1および第2の基板204,206は、ゲート電極210が有機半導体チャネル216上方の誘電体パッチ214と整合するように、位置を整合される。ステップ812では、ソースおよびドレイン電極208,212が有機半導体チャネル216と接続するように、第1および第2の基板が一体に積層される。
Claims (5)
- 電界効果トランジスタにおいて、
第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
ゲート電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたソース電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたドレイン電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、前記ゲート電極に近接し、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続する、有機半導体と、
前記ソース電極と前記有機半導体との間、および、前記ドレイン電極と前記有機半導体との間に設けられた接続強化材料とを有し、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に対向する第1の面と、
第2の面とを有し、
前記ゲート電極は前記第1の基板の前記第2の面の上にあり、
前記第1の基板は、ポリマー膜、紙、およびクロスからなる群から選択され、
前記第2の基板は、ポリマー膜、紙、およびクロスからなる群から選択される、電界効果トランジスタ。 - 請求項1に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記ゲート電極が近接する第3の基板をさらに有する電界効果トランジスタ。 - 請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記第1の基板、前記第2の基板、および前記第3の基板は、一体に積層される電界効果トランジスタ。 - 電界効果トランジスタにおいて、
第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
ゲート電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたソース電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたドレイン電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、前記ゲート電極に近接し、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続する、有機半導体とを有し、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に対向する第1の面と、
第2の面とを有し、
前記ゲート電極は前記第1の基板の前記第2の面の上にあり、
前記ソース電極と前記有機半導体との間、および、前記ドレイン電極と前記有機半導体との間に設けられた接続強化材料をさらに有し、
前記接続強化材料は、クロム、クロムの非鉄合金、亜鉛、亜鉛合金、チタン、チタン合金、スズ、およびスズ合金からなる群から選択される、電界効果トランジスタ。 - 電界効果トランジスタにおいて、
第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
ゲート電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたソース電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたドレイン電極と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、前記ゲート電極に近接し、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極と電気的に接続する、有機半導体とを有し、
前記第1の基板は、
前記第2の基板に対向する第1の面と、
第2の面とを有し、
前記ゲート電極は前記第1の基板の前記第2の面の上にあり、
前記ソース電極と前記有機半導体との間、および、前記ドレイン電極と前記有機半導体との間に設けられた接続強化材料をさらに有し、
前記有機半導体はポリチオフェン族化合物を含有し、
前記接続強化材料はオクタデシルトリクロロシランを含有する、電界効果トランジスタ。
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---|---|---|---|---|
US6784017B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
US6905908B2 (en) * | 2002-12-26 | 2005-06-14 | Motorola, Inc. | Method of fabricating organic field effect transistors |
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US20040266054A1 (en) * | 2003-06-30 | 2004-12-30 | Brazis Paul W. | OFET channel fabrication |
JP2005079549A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
KR100549227B1 (ko) * | 2003-09-06 | 2006-02-03 | 한국전자통신연구원 | 유기분자 소자의 제작 방법 |
US7767998B2 (en) * | 2003-12-04 | 2010-08-03 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | OFETs with active channels formed of densified layers |
KR101002332B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2010-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
GB0407739D0 (en) * | 2004-04-05 | 2004-05-12 | Univ Cambridge Tech | Dual-gate transistors |
US7372070B2 (en) * | 2004-05-12 | 2008-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic field effect transistor and method of manufacturing the same |
WO2005122233A1 (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Yamanashi University | ショットキーゲート有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US7045814B2 (en) * | 2004-06-24 | 2006-05-16 | Lucent Technologies Inc. | OFET structures with both n- and p-type channels |
US7244626B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-17 | Motorola, Inc. | Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method |
JP2006073794A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
KR100659061B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
US20060113569A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-06-01 | Akinwande Akintunde I | Control of threshold voltage in organic field effect transistors |
JP4792781B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-12 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US20060131616A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Devaney Douglas E | Copperless flexible circuit |
DE102005022000B8 (de) * | 2005-05-09 | 2010-08-12 | O-Flexx Technologies Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten aus zwei mehrlagigen Ausgangsstrukturen und deren Verwendung |
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KR100647695B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 구비한평판표시장치 |
GB2445487B (en) * | 2005-08-31 | 2011-11-02 | Sumitomo Chemical Co | Transistor, method for manufacturing same, and semiconductor device comprising such transistor |
US20070090869A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Motorola, Inc. | Combined power source and printed transistor circuit apparatus and method |
US20070090459A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Motorola, Inc. | Multiple gate printed transistor method and apparatus |
JP4887848B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-02-29 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、電気光学装置および電子機器 |
GB2437112B (en) * | 2006-04-11 | 2011-04-13 | Nicholas Jim Stone | A method of making an electrical device |
TWI316760B (en) * | 2006-05-03 | 2009-11-01 | Ind Tech Res Inst | Circuit structure with doubl-gate organic thin film transistors and application thereof |
CN101022152B (zh) * | 2007-03-20 | 2011-03-09 | 广州新视界光电科技有限公司 | 聚合物电解质薄膜晶体管 |
KR101501699B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP5170627B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-03-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機半導体装置の作製方法及び有機半導体装置 |
JP5396709B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2014-01-22 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
PT103998B (pt) * | 2008-03-20 | 2011-03-10 | Univ Nova De Lisboa | Dispositivos electrónicos e optoelectrónicos de efeito de campo compreendendo camadas de fibras naturais, sintéticas ou mistas e respectivo processo de fabrico |
CN102378794A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-03-14 | Dic株式会社 | 有机半导体墨组合物和使用其的有机半导体图案形成方法 |
JP6649765B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2020-02-19 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2021132050A (ja) * | 2018-04-27 | 2021-09-09 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体装置及び有機半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04211175A (ja) * | 1990-01-04 | 1992-08-03 | Neste Oy | 電子および電子光学部品と回路の製造方法 |
JPH05110069A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2001230421A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Lucent Technol Inc | 集積回路デバイスの製造方法 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
JP2002515641A (ja) * | 1998-01-28 | 2002-05-28 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法 |
JP2005506704A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5796121A (en) * | 1997-03-25 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Thin film transistors fabricated on plastic substrates |
JP4664501B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2011-04-06 | イー インク コーポレイション | 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ |
JP2002215065A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-07-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04211175A (ja) * | 1990-01-04 | 1992-08-03 | Neste Oy | 電子および電子光学部品と回路の製造方法 |
JPH05110069A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2002515641A (ja) * | 1998-01-28 | 2002-05-28 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法 |
JP2001230421A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Lucent Technol Inc | 集積回路デバイスの製造方法 |
JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
JP2005506704A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-03-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
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