KR20080032124A - 전자 컴포넌트 제조 방법 - Google Patents

전자 컴포넌트 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080032124A
KR20080032124A KR1020087002127A KR20087002127A KR20080032124A KR 20080032124 A KR20080032124 A KR 20080032124A KR 1020087002127 A KR1020087002127 A KR 1020087002127A KR 20087002127 A KR20087002127 A KR 20087002127A KR 20080032124 A KR20080032124 A KR 20080032124A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
functional layer
electrically functional
parallel
electronic component
Prior art date
Application number
KR1020087002127A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101325754B1 (ko
Inventor
알렉산더 크노블로크
안드레아스 울만
발터 픽스
메를린 벨커
Original Assignee
폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게 filed Critical 폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게
Publication of KR20080032124A publication Critical patent/KR20080032124A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101325754B1 publication Critical patent/KR101325754B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은, 전자 컴포넌트가 기판의 표면에 직각으로 보아서 상하로 배치되어서 표면 영역(F) 이상에서 중첩하는 2개 이상의 전기 기능 층들을 가지고, 기판 상의 2개 이상의 전기 기능 층들은 연속 공정을 사용하여 직접적으로 또는 간접적으로 구조화되고, 2개 이상의 전기 기능 층들 중 제1 전기 기능 층은 기판의 표면에 평행하고 기판의 상대적 이동 방향인 제1 전기 기능 층의 제1 길이/폭 치수가 상대적 이동 방향이고 기판의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이/폭 치수보다 5㎛ 이상 더 길도록/더 넓도록, 바람직하게는 1㎜ 초과하여 더 길도록/더 넓도록 구조화되는, 기판의 표면 상에 전자 컴포넌트를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자 컴포넌트, 전자 기능 층, 기판, 표면 영역, 기판

Description

전자 컴포넌트 제조 방법{Method for producing an electronic component}
본 발명은, 전자 컴포넌트(electronic component)가 기판의 표면에 직각으로 보아서 상하로 배치되어 표면 영역(F) 이상에서 중첩하는 2개 이상의 전기 기능 층들(electrical functional layers)을 가지고, 기판 상의 2개 이상의 전기 기능 층들은 연속 공정을 사용하여 직접적으로 또는 간접적으로 구조화되고, 기판은 구조화 유닛(structuring unit)에 관하여 이동되는, 기판의 표면 상에 전자 컴포넌트를 제조하는 방법에 관한 것이다.
그러한 방법 하나가 WO 2004/047144 A2에서 공지되어 있다. 유기 전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistor: OFET)와 같은 유기 전자 컴포넌트(organic electronic component), 이것들과 같은 소자들을 구비한 회로들 및 제조 방법이 기술되어 있다. 전자 컴포넌트는 저가 인쇄공정(printing process)을 사용하여 형성된다.
DE 10126859 A1은 도전성 구조물들, 유기 전계효과 트랜지스터들(organic field-effect transistors: OFETs) 또는 유기 발광 다이오드들(organic light- emitting diodes: OLEDs)과 같은 방법으로 제조된 능동소자들(active components)과 더불어, 이것들과 같은 소자들을 구비한 회로들을 제조하는 방법을 기술하고 있다. 배선들 및 전극들과 같은 도전성 구조물이 인쇄기술들에 의하여 얇은 연성 플라스틱필름(plastic film) 상에 제조되고, 모든 공지된 인쇄공정들, 특히 인타그리오(intaglio), 릴리프(relief), 리소그래피(lithography), 스크린 인쇄(screen printing) 또는 탐포 인쇄(tampo printing)가 적합한 것으로서 열거된다.
전자 컴포넌트들의 제조를 위하여 연속 공정들을 사용하면, 그것들을 저가에 고 공정속도(process rates)로 대량생산하는 것을 가능케 한다. 가능한 한 균일한 전기적 값들과 전자 컴포넌트의 기능을 성취하기 위하여, 전자 컴포넌트가 구조화되는 각각의 전기 기능 층들은, 연속적으로 그리고 미리 정해진 레이아웃(layout)에 따라 공정에서 정확한 위치, 방향 및 상하 배치 상태로 형성되어야 한다. 연속 공정에서 기판 및/또는 조직화 유닛의 선택된 속도가 높아질수록, 기판 상에 이미 제공된 다른 전기 기능 층들에 관하여 전기 기능 층들의 이상적인 배치영역에서 불일치들이 발생할 가능성이 높아진다.
전기 기능 층의 직접 형성(direct formation) 및 동시 구조화(simultaneous structuring)는, 바람직하게도 인쇄공정에 의해 성취된다. 그러나, 그대신에 전기 기능 층은 또한 그것의 형성 이후에만 레이저 또는 식각 기술에 의해 구조화될 수 있다. 두 경우에서, 전기 기능 층의 영역의 일부분은 공정 때문에 레이아웃에 의해 미리 정해진 바와 같은 이상적인 위치에 형성되지 않는다.
본 발명의 목적은, 고 공정속도에서조차도 임의의 전기적 특성 값을 가진 기능성 전자 컴포넌트가 되는 전자 컴포넌트를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
전자 컴포넌트는 기판의 표면에 직각으로 보아서 상하로 배치되어서 표면 영역(F) 이상에서 중첩하는 2개 이상의 전자 기능 층들을 가지고, 기판 상의 2개 이상의 전자 기능 층들은 연속 공정을 사용하여 직접적으로 또는 간접적으로 구조화되고, 기판은 구조화 유닛에 관하여 이동되는, 기판의 표면 상에 전자 컴포넌트를 제조하는 방법의 경우, a)2개 이상의 전기 기능 층들 중 제1 전기 기능 층은, 기판의 표면에 평행하고 구조화 유닛에 관하여 기판의 상대적 이동 방향인 제1 전기 기능 층의 제1 길이 치수(L1)가, 상대적 이동 방향이고 기판의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 5㎛ 이상 더 길고, 바람직하게는 1㎜ 초과하여 더 길도록 구조화되고, 및/또는 b)2개 이상의 전기 기능 층들 중 제1 전기 기능 층은, 기판의 표면에 평행하고 기판의 상대적 이동 방향에 직각인 제1 전기 기능 층의 제1 폭 치수(B1)가, 상대적 이동 방향에 직각이고 기판의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 구조화 유닛에 관하여 5㎛ 이상 더 넓고, 바람직하게는, 1㎜ 초과하여 더 넓도록 구조화되는 점에서 목적이 성취된다.
전기 기능 층들과 전기적 접촉하는데 필요한 전기 선들 또는 배선들은 이 경우에 각각의 기능 층에 결합되지 않은 것으로 간주된다.
기판이 구조화 유닛에 관하여 이동되면, 이것은 기판 자체 및/또는 구조화 유닛이 이동될 수 있음을 의미한다. 이 경우에, 공정 동안에 구조화 유닛이 고정 상태를 유지한 채 단지 기판만이 이동되거나, 기판이 고정 상태를 유지한 채 구조화 유닛이 이동하거나, 기판과 구조화 유닛이 모두 이동할 수 있다..
본 발명에 따른 방법은, 후속의 전기 기능 층의 이상적인 배치와 사소한 불일치도 전자 컴포넌트의 기능과 전기적 특성 값들에 영향을 미치지 못하기 때문에, 이 방법으로 설계된 제1 전기 기능 층의 형성 후에 형성하고, 제1 전기 기능 층에 관하여 정합하고자 하는 후속의 전기 기능 층을 매우 적은 노력으로 배치하는 것을 가능케 한다. 따라서 본 발명에 따른 방법을 사용하여 형성된 전자 컴포넌트는, 표면 영역(F)에 관하여 제1 전기 기능 층의 이상적인 위치의 배치에 따라 후속의 전기 기능 층에 관하여 제1 전기 기능 층의 배치에서 레이아웃과 불일치를 (상대적 이동 방향 및/또는 상대적 이동 방향의 직각으로) 허용한다. 이것은, 공정 속도(process rate)가 더 증가하고, 불량 전자 컴포넌트들의 발생 확률이 감소하는 것을 허용한다.
이 경우에, 상대적 이동 방향의 제1 전기 기능 층의 제1 길이 치수가 상대적 이동 방향의 표면 영역(F)의 길이 치수보다 50 내지 500㎛ 더 긴 것이 매우 바람직하다. 이 설계는 전기 기능 층들을 위하여 방법이 필요로 하는 추가적인 공간과, 작동하지 않거나 제한적인 정도까지만 작동하는 컴포넌트를 구현하는 확률 사이의 타협안을 나타낸다.
제1 전기 기능 층의 제1 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심이 기판의 표면에 직각으로 보아서 레이아웃에서 상하로 배치되도록, 제1 전기 기능 층이 표면 영역(F)에 관하여 배치하는 것을 알았다. 따라서 레이아웃에 따라 a)경우에, 후속의 전기 기능 층의 영역 중심을, 그것의 이상적인 위치로부터 음(negative) 및 양(positive)의 차이 모두를 갖는 상대적 이동 방향으로 레이아웃에 따라 배치할 수 있도록, 제1 전기 기능 층은 전방과 후방 모두에서 상대적 이동 방향으로 표면 영역(F) 위에 돌출한다. b)경우에, 레이아웃에 따른 제1 전기 기능 층은, 후속의 전기 기능 층의 영역 중심이 레이아웃에 따라 그것의 이상적인 위치로부터 음 및 양 수평 불일치 모두를 갖는 상대적 이동 방향에 직각으로 배치될 수 있도록, 두 측면들에서 상대적 이동 방향에 직각으로 표면 영역(F) 위에 돌출한다.
단지 a)경우만이 발생한다면, 기판의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제2 전기 기능 층의 제2 폭 치수가 상대적 이동 방향에 직각이고 기판의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수보다 5㎛ 이상 더 넓고, 바람직하게는 1㎜ 초과하여 더 넓도록, 2개 이상의 전기 기능 층들 중 제2 전기 기능 층이 구조화되도록 이것 대신에 a)경우와 b)경우를 결합하는 것이 또한 가능하다. 이것은, 마찬가지로, 상대적 이동 방향에 직각으로 보아서 기판의 평면 상에서 기판을 상이하게 배치하는 것을, 제1, 제2 전기 기능 층들이 연속적으로 형성될 때, 크게 허용할 수 있는 것을 보장한다.
이 경우에, 제2 전기 기능 층의 제2 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심이 기판의 표면에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록, 제2 전기 기능 층이 레이아웃의 표면 영역(F)에 관하여 배치되는 것을 알았다. 따라서 레이아웃의 제2 전기 기능 층은, 상대적 이동 방향으로 인쇄하는 동안에 발생할 수 있는 레이아웃에 따른 이상적인 위치와 제2 전기 기능 층의 수평적 차이를 허용할 수 있도록 양 측면 상의 상대적 이동 방향으로 표면 영역(F) 위에 돌출한다.
인타그리오, 릴리프, 리소그래픽, 스크린 또는 탐포 인쇄공정들과 같은 인쇄공정은, 연속 공정으로서 사용되어도 좋음을 알았다. “스크린 인쇄”용어는, 이 경우에 템플리트(template) 인쇄를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상기과 같은 인쇄 방법들은 고 공정속도로 성취될 수 있다. 이 경우에, 전기 기능 층은 이 단계에서 인쇄에 의해 기판 상에 직접적으로 그리고 임의의 형태로 형성될 수 있다.
레이저 구조화 방법 또는 포토리소그래픽 구조화 방법은 연속 공정으로서 사용할 수 있다. 이 경우의 ‘포토리소그래픽 구조화 방법’용어는, 마스크들(masks) 또는 마스킹(masking) 층들을 사용하는 모든 식각 방법들을 의미하는데 일반적으로 사용된다.
이것들과 같은 방법들은, 예를 들어 기상증착(vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering)에 의해 기판 상에 형성되었던 전기 기능 층의 간접적인 형태 및 형상을 허용한다. 이 경우에, 예를 들어 기상증착된 전기 기능 층은 레이저에 의해 적소에서 제거된다. 기판 상에 이미 형성된 전기 기능 층에 관하여 레이저의 위치 배치 동안에, 이상적인 위치로부터의 작은 불일치들이 통상적으로 발생하여서 형성된 전기 기능 층과 레이아웃 사이의 불일치를 초래한다.
전기 기능 층의 전체 영역 상에 포토레지스트(photo resist)를 도포하고, 그것을 마스크를 통하여 노광하고, 경화되지 않았던 레지스트의 영역들을 제거하고, 식각 공정을 실행하고, 이어 포토레지스트를 제거하면, 마스크의 위치와 그것의 이상적인 위치의 작은 불일치들이 형성되는 전기 기능 층과 레이아웃 사이의 위치 불일치들을 초래한다.
더욱이 전기 기능 층은, 인쇄되지 않았던 전기 기능 층의 영역들이 식각에 의해 제거되면서, 예를 들어 내식각성(etching-resistant) 마스크 층으로 임의의 영역들에 실제적으로 인쇄될 수 있다. 내식각성 마스크 층은 그 다음에 용해되고, 임의의 형상으로 구조화되고 그 아래에 잔존하는 전기 기능 층의 영역들이 노출된다. 전기 기능 층이 직접적으로 인쇄되는 상태에서, 이상적인 위치로부터의 불일치들은 마찬가지로, 마스크 층의 인쇄 동안에 발생한다. 이 불일치들은, 마스크 층으로부터 이러한 방법으로 구조화된 전기 기능 층에 직접 전달된다.
더욱이 잉크젯(ink-jet) 구조화 공정은, 고 공정속도들이 가능하면서 연속공정으로서 사용될 수 있음을 알았다. 이 경우에, 전기 기능 층은, 이 단계에서 잉크젯 인쇄에 의해 직접적으로 그리고 임의의 형태로 기판 상에 형성되어도 좋다. 하지만 잉크젯 공정은 또한, 앞서 형성된 전기 기능 층을 이 방법으로 구조화하기 위하여 마스크 층을 응용하는 것을 가능케 한다.
연속공정 동안에 구조화 유닛에 관하여 기판의 상대적인 속도는 바람직하게는, 0.5~200m/min 범위, 바람직하게는 10 내지 100m/min 범위로 선택된다. 이것은, 저 제조원가로 전자 컴포넌트들의 대량 생산을 허용한다.
이 경우에, 연성 기판, 특히 1층 초과의 층들을 가질 수 있는 인장성(elongated) 플라스틱필름을 기판으로서 사용하는 것이 매우 바람직하다. 예로서, 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene-terephthalate) 또는 폴리이미드(polyimide)로 이루어지는 플라스틱필름은, 이 목적에 적합하다.
기판의 두께는, 6㎛ 내지 200㎛ 범위, 바람직하게는 12㎛ 내지 50㎛ 범위로 선택될 수 있다.
연성 기판의 경우에, 연속공정 동안에 롤러에서부터 롤러로의 이송이 실시될 때 매우 유리하다. 이 경우에, 미코팅된 플레서블 기판을 임의의 롤러에 감고, 기판을 롤러에서 떼어내고, 그것을 구조화하는 공정 동안에 공정 설비를 통과하여, 코팅된 기판으로서 후속의 롤러에 최종적으로 감겨진다. 이것은 긴 기판 스트립들(strips)의 공정처리를 허용하고, 그 경우에 새로운 기판 롤러의 시동 때에 공정 설비에 관한 배치 공정을 단지 1회만 실시할 필요가 있다.
2개 이상의 전기 기능 층들은 각각 1㎚ 내지 100㎛ 범위, 바람직하게는 10㎚ 내지 300㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
2개 이상의 전기 기능 층들은 기판의 단면에서 보아서 전자 컴포넌트에서 서로 직접적으로 인접하여 배치되어도 좋다. 그러므로 2개 이상의 전기 기능 층들은 서로 직접적으로 접촉한다.
한편, 2개 이상의 제3 전기 기능 층은, 기판의 단면에서 보아서 2개 이상의 전기 기능 층들 사이의 전자 컴포넌트에서 표면 영역(F) 이상에서 배치되어도 좋다. 그러므로 2개 이상의 전기 기능 층들은 서로 직접적인 접촉을 하지 않는다.
이 경우에, 1개 이상의 제3 전기 기능 층은, 기판의 표면에 직각으로 보아서 모든 면에서 표면 영역(F) 위에 돌출하여도 좋고, 기판의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향인 1개 이상의 제3 전기 기능 층의 제3 길이 치수는 상대적 이동 방향이고 기판의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수보다 5㎛ 이상 더 길고, 바람직하게는 1㎜를 초과하여 더 길고, 기판의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제3 전기 기능 층의 제3 폭 치수는 상대적 이동 방향에 직각이고 기판의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수보다 5㎛ 이상 더 넓고, 바람직하게는 1㎜를 초과하여 더 넓다.
제1 전기 기능 층은 바람직하게는, 1개 이상의 유기 전극들의 형태이다. 이 경우, 모든 종류의 유기, 금속유기(metallo-organic) 및 무기 플라스틱들을, 도전성“유기”물질들로서 간주하여도 좋다. 따라서 이것을 교조적인 의미로 탄소를 함유한 물질인 유기 물질에 한정하려는 의도가 없고, 실제로 이것은 또한, 예를 들어 실리콘의 사용을 포함하고자 하는 것이다. 더욱이 용어는, 분자 크기의 조건으로 특히 폴리머 및/또는 올리고머(oligomer) 물질들에 한정하지 않으며, “소형 분자들”을 사용하는 것 또한 모든 경우들에서 가능하다.
폴리아니린(polyaniline) 또는 폴리피롤(polypyrrole)은 그 중에서도, 전기 도전성 유기 물질들로서 입증되었다.
하지만 기상증착된(vapor-deposited) 또는 스퍼터된(sputered) 금속 층들은 또한, 예를 들어 금, 은, 구리, 알루미늄, 백금, 티타늄 등의 물질들 중 1개 이상으로 구성된, 제1 전기 기능 층을 위한 전극 층으로서 적합하다. 이것들은 그 다음에 레이저 또는 식각에 의해 바람직하게 구조화된다.
제2 전기 기능 층이 제1 전기 기능 층과 직접 접촉을 하면, 제2 전기 기능 층이 전기 특히 유기 절연층, 또는 반도체 층 특히 유기 반도체 층의 형태이어도 좋음을 알았다. 그 중에서도, 폴리비닐페놀(polyvinyl phenol)은 유기 절연 물질로서 입증되었다. 예로서, 폴리티오펜(polythiophene)은 유기 반도체 물질로서 사용하기에 적합하다.
제1, 2 전기 기능 층들이 서로 거리를 두고 배치되면, 제2 전기 기능 층이 1개 이상의 유기 전극들의 형태이어도 좋다는 것을 확인하였다. 이 경우에, 전극 형태인 제1 전기 기능 층을 위한 앞서 상기한 물질들은 마찬가지로 전기 전도성 물질들로서 사용될 수가 있다.
전계효과 트랜지스터, 커패시터, 다이오드, 또는 1개 이상의 유기 전기 기능 층을 가진 각 경우에서 1개 이상의 비아(via)를 구비한 컴포넌트는, 바람직하게는 전자 컴포넌트로서 형성된다.‘비아’용어는, 기능 층 스택(stack)에서 서로 직접 접촉을 하지 않는 전기 기능 층들 사이의 전기적 연결을 이루고, 기판 면에 통상적으로 수직인 개구부를 의미한다. 예를 들어, 식각 공정에 의해 또는 구조화 층을 사용하여 비아들을 형성하는 공정은 또한, 상기한 타입의 오프셋을 가져오고, 그 경우에, 레이아웃에 따른 이상적인 위치와 비아 위치의 불일치가 본 발명에 따른 방법에 의하여 보상될 수 있다.
도 1a 내지 도 3b는 본 발명을 예로서 설명하고자 하는 것이다.
도 1a는 코팅된 기판의 평면도를 나타낸다.
도 1b는 도 1a에 도시된 코팅된 기판을 A-A'선을 따라 절단한 단면도를 나타낸다.
도 2a는 다른 코팅된 기판의 평면도를 나타낸다.
도 2b는 도 2a 에 도시된 코팅된 기판을 B-B'선을 따라 절단한 단면도를 나타낸다.
도 3a는 다른 코팅된 기판의 평면도를 나타낸다.
도 3b는 도 3a에 도시된 코팅된 기판을 C-C'선을 따라 절단한 단면도를 나타낸다.
도 1a는 전자 컴포넌트를, 이 경우에는 다이오드를 기판(1)의 표면 상에 제조하기 위하여 3개의 전기 기능 층들(2), (3), (4)이 인쇄된 피이티 필름(PET film)으로 구성된 기판(1)의 평면도이다. 기판(1)의 표면에 대해 직각으로 보면, 전기 기능 층들(2), (3), (4)이 상하로 배치되고, 표면 영역(F) 이상에서 중첩하고 있다. 이 경우의 전기 기능 층(2)은, 기판(1)의 표면에 평행하고 기판(1)의 상대적 이동 방향인 제1 전기 기능 층의 제1 길이(L1)가 (도 1a의 좌측부 상의 화살표로 도시된) 인쇄공정 동안에 인쇄방향이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 약 25㎛ 더 길도록 형성되는 제1 전기 기능 층을 형성한다. 제1 전기 기능 층은 전극으로서, 전기 도전성 물질로 이 경우에는 구리로 구성된다. 전기 기능 층(3)은, 폴리-3-알킬티오펜(poly-3-alkylthiophene)으로 구성된 제3 전기 기능 층(4)에 의해 제1 전기 기능 층과 분리된 제2 전기 기능 층을 형성한다. 제2 전기 기능 층은 은(silver)으로 형성된다. 제2 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제2 전기 기능 층의 제2 폭 치수(B2)가 상대적 이동 방향에 직각이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 약 50㎛ 이상 더 넓도록 형성되었다. 제1, 2 전기 기능 층들과 전기적 접촉을 하기 위하여, 당연히 필요로 하는 전기 도전성 공급선들 또는 배선들은 도시되지 않았다.
도 1a는 전자 컴포넌트를 위한 인쇄 레이아웃에 따른 이상적인 상태를 나타내고, 제1 전기 기능 층은 제1 전기 기능 층의 제1 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록 표면 영역(F)에 관하여 위치하고, 제2 전기 기능 층은 제2 전기 기능 층의 제2 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 마찬가지로, 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록 표면 영역(F)에 관하여 위치한다. 하지만 실제로, 구조화 공정 동안에 발생하는 불일치들 때문에 이것은 사실이 아니다.
도 1a에 도시된 층 구조는, 상대적 이동 방향에서 제1 전기적 기능 층의 불일치 또는 오프셋과 같은 불일치 또는 오프셋(offset), 및/또는 레이아웃에 따라서 도시된 이상적인 경우에 상대적 이동 방향의 직각에서 제2 전기적 기능 층의 불일 치 또는 오프셋에 대해 관대하다.
도 1b는 도 1에 도시된 인쇄된 기판을 A-A'선을 따라 절단한 단면도를 나타내고, 기판(1)과 기판 상에 인쇄된 전기 기능 층들(2),(3),(4)이 도시될 수 있다. 이 경우, 전기 기능 층(2)이 제1 전기 기능 층을 형성하고, 전기 기능 층(3)이 제2 전기 기능 층을 형성하고, 전기 기능 층(4)이 제3 전기 기능 층을 형성한다.
도 2a는 전자 컴포넌트를, 이 경우에 커패시터를 기판(1)의 표면 상에 형성하기 위하여, 3개의 전기 기능 층들(2'), (3'), (4')이 인쇄된 PET 필름으로 구성된 다른 인쇄된 기판(1)의 평면도를 나타낸다. 기판(1)의 표면에 대하여 직각으로 보면, 전기 기능 층들(2'), (3'), (4')이 상하로 배치되고, 표면 영역(F) 이상에서 중첩한다. 이 경우의 전기 기능 층(2')은, 기판(1)의 표면에 평행하고 기판(1)의 상대적 이동 방향인 제1 전기 기능 층의 제1 길이(L1)가, (도 2a의 좌측부 상의 화살표로 도시된) 기판(1)의 인쇄 동안에 상대적 이동 방향이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 약 1㎜ 더 길도록 형성되는 제1 전기 기능 층을 형성한다. 제1 전기 기능 층은, 전극으로서 전기 도전성 물질로, 이 경우에 구리로 구성된다. 전기 기능 층(3')은, 전기 절연성 폴리머(polymer)로 구성된 제3 전기 기능 층(4')에 의해 제1 기능 층과 분리되는 제2 전기 기능 층을 형성한다. 제2 전기 기능 층은 은 전극의 형태이다.
제1 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제1 전기 기능 층의 제1 폭 치수(B1)가, 인쇄방향에 직각이고 기판(1)의 표면에 평 행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 약 600㎛ 더 넓도록 형성되었다. 제1 전기 기능 층 및 제2 전기 기능 층과 전기적 접촉을 하는데 필요한 전기 도전성 공급선들 또는 배선들은 도시되지 않았다.
도 2a는, 전자 컴포넌트의 인쇄 레이아웃을 위한 이상적인 상태를 나타내고, 제1 전기 기능 층은 제1 전기 기능 층의 제1 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록, 표면 영역(F)에 관하여 위치하고, 제2 전기 기능 층뿐만 아니라 제3 전기 기능 층은 그것들의 각각의 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 마찬가지로, 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록, 표면 영역(F)에 관하여 배치한다. 그러나 실제로, 이것은 인쇄공정 동안에 발생하는 불일치 때문에 사실이 아니다. 도 2a에 도시된 층 구조는, 상대적 이동 방향에서 제1 전기 기능 층의 불일치 또는 오프셋과 같은 불일치 또는 오프셋, 및/또는 인쇄 레이아웃에 따라 도시된 이상적인 경우에 관하여 상대적 이동 방향에 직각에서 제1 전기 기능 층의 불일치 또는 오프셋에 관대하다.
도 2b는 도 2a에 도시된 인쇄된 기판(1)을 B-B'선을 따라 절단한 단면도를 나타내고, 기판(1)과 기판 상에 인쇄된 전기 기능 층들(2'),(3'),(4')이 도시될 수 있다. 이 경우에, 전기 기능 층(2')이 제1 전기 기능 층을 형성하고, 전기 기능 층(3')이 제2 전기 기능 층을 형성하고, 전기 기능 층(4')이 제3 전기 기능 층을 형성한다.
도 3a는 기판(1)의 표면 상에 전자 컴포넌트, 이 경우에 예로서 유기 전계효 과 트랜지스터(OFET)를 제조하는 초기 단계로서 2개의 전기 기능 층들(2), (3)이 인쇄된 PET필름으로 구성된 다른 인쇄된 기판(1)의 평면도를 나타낸다. 기판(1)의 표면에 직각으로 보면, 전기 기능 층들(2), (3)이 상하로 배치되고, 굵게 인쇄된 선으로 한정된 표면 영역(F) 이상에서 중첩한다. 이 경우의 전기 기능 층(2)은, 기판(1)의 표면에 평행하고 기판(1)의 상대적 이동 방향인 제1 전기 기능 층의 제1 길이(L1)가, (도 3a의 좌측부 상의 화살표로 도시된) 기판(1)의 인쇄공정 동안에 상대적 이동 방향이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 약 1㎜더 길도록 형성되는 제1 전기 기능 층을 형성한다. 제1 전기 기능 층은 반도전성 물질, 이 경우에 폴리알킬티오펜(polyalkylthiophene)으로 형성된다. 전기 기능 층(3)은 제2 전기 기능 층을 형성한다. 제2 전기 기능 층은 은으로 형성되고, OFET의 소스(source) 전극과 드레인(drain) 전극을 형성하고자 하는 2개의 콤(comb) 구조물의 형태로 구성된다. 이 경우의 전기 기능 층(3)이 불규칙한 형상을 가지므로, 비록 이 방법으로 정의된 표면 영역(F) 내에 어떠한 지점에서든지 2개의 전기 기능 층들 사이에 중첩이 없더라도, 전기 기능 층(3)의, 상대적 이동 방향이고 그것에 직각하는, 최대 외부 치수가 표면 영역(F)의 넓이를 미리 결정하도록 표면 영역(F)이 이 경우에 정의된다. 콤 구조물을 제1 전기 기능 층으로 인쇄하는 동안의 목적이 콤 구조물을 완전히 덮는 것이기 때문에, 표면 영역(F)의 이러한 정의가 이 경우에서 유리하다.
제1 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제1 전기 기능 층의 제1 폭 치수(B1)가 상대적 이동 방향에 직각이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 약 1㎜ 더 넓도록 형성되었다. 제1, 제2 전기 기능 층과 전기적 접촉을 하는데 필요할 수 있는 전기 도전성 공급 선들 또는 배선들은 도시되지 않았다.
도 3a는 전자 컴포넌트를 위한 인쇄 레이아웃에 따른 이상적인 경우를 나타내고, 제1 전기 기능 층은 제1 전기 기능 층의 제1 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록 표면 영역(F)에 관하여 배치되고, 제2 전기 기능 층은 그것의 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 마찬가지로, 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록 표면 영역(F)에 관하여 배치된다. 하지만 실제로, 이것은 인쇄공정 동안에 발생하는 불일치 때문에 사실이 아니다. 도 3에 도시된 층 구조는, 상대적 이동 방향에서 제1 전자 기능 층의 그러한 불일치 또는 오프셋, 및/또는 인쇄 레이아웃에 따른 도시된 이상적인 경우에 관하여 상대적 이동 방향에 직각인 제1 기능 층의 불일치 또는 오프셋에 관용적이다.
도 3b는 도 3a에 도시된 인쇄된 기판(1)을 C-C'을 따라 절단한 단면도를 나타내고, 기판(1)과 기판 상에 인쇄된 전기 기능 층들(2), (3)이 도시될 수 있다. 이 경우에, 전기 기능 층(2)이 제1 전기 기능 층을 형성하고, 전기 기능 층(3)이 제2 전기 기능 층을 형성한다.
도 1a 내지 도 3b는 단지 예로서만 본 발명의 근본적인 사상을 설명하는 것 이고, 전체 문맥으로부터 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 요지로부터 벗어나지 않고 연속공정에서 다른 전기 컴포넌트들의 전기 기능 층들을 형성하는데 본 발명에 따른 방법을 사용 가능케 하는 많은 추가 옵션들(options)이 있다는 것을 알아야 한다.

Claims (18)

  1. 전자 컴포넌트는 기판(1)의 표면에 직각으로 보아서 상하로 배치되고 표면 영역(F) 이상에서 중첩하는 2개 이상의 전자 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4')을 가지고, 기판(1) 상의 2개 이상의 전자 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4')은 연속 공정을 사용하여 직접적으로 또는 간접적으로 구조화되고, 기판(1)은 구조화 유닛에 관하여 이동되는, 기판(1)의 표면 상에 전자 컴포넌트를 제조하는 방법에 있어서,
    a)2개 이상의 전기 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4') 중 제1 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 평행하고 구조화 유닛에 관하여 기판(1)의 상대적 이동 방향인 제1 전기 기능 층의 제1 길이 치수(L1)가, 상대적 이동 방향이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 5㎛ 이상 더 길고, 바람직하게는, 1㎜ 초과하여 더 길도록 구조화되고,
    및/또는
    b)2개 이상의 전기 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4') 중 제1 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 평행하고 기판(1)의 상대적 이동 방향에 직각인 제1 전기 기능 층의 제1 폭 치수(B1)가, 상대적 이동 방향에 직각이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 구조화 유닛에 관하여 5㎛ 이상 더 넓고, 바람직하게는 1㎜ 초과하여 더 넓도록 구조화되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상대적 이동 방향의 제1 전기 기능 층의 제1 길이 치수(L1)는, 상대적 이동 방향의 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 50 내지 500㎛ 더 긴 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 전기 기능 층은, 제1 전기 기능 층의 제1 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록, 표면 영역(F)에 관하여 레이아웃 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    a)의 경우, 2개 이상의 전기 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4') 중 제2 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제2 전기 기능 층의 제2 폭 치수(B2)가 상대적 이동 방향에 직각이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 5㎛ 이상 더 넓고, 바람직하게는, 1㎜ 초과하여 더 넓도록 구조화되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    제2 전기 기능 층은, 제2 전기 기능 층의 제2 영역 중심과 표면 영역(F)의 영역 중심(SF)이 기판(1)에 직각으로 보아서 상하로 배치되도록, 표면 영역(F)에 관하여 레이아웃 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    인타그리오, 릴리프, 리소그래픽, 스크린 또는 탐포 인쇄공정, 레이저 구조화 방법, 포토리소그래픽 구조화 방법 또는 잉크젯 구조화 방법들과 같은 인쇄공정은, 연속공정으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    연속 공정 동안에 구조화 유닛에 관하여 기판(1)의 상대적인 속도는, 0.5 내지 200m/min 범위, 바람직하게는 10 내지 100m/min 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    연성 기판, 특히 1층 보다 더 많은 층을 가질 수 있는 인장성 플라스틱필름은, 기판(1)으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    기판(1)의 두께는, 6㎛ 내지 200㎛ 범위, 바람직하게는 12㎛ 내지 50㎛ 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    연성 기판은 연속 공정 동안에 롤러에서 롤러로 이송되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    2개 이상의 전기 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4')은, 각각 1㎚ 내지 100㎛ 범위, 바람직하게는 10㎚ 내지 300㎚ 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    2개 이상의 전기 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4')은, 기판(1)의 단면에서 보아서 전자 컴포넌트 내에서 서로 직접 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    1개 이상의 제3 전기 기능 층은, 기판(1)을 절단하여 보아서 2개 이상의 전기 기능 층들(2, 2', 3, 3', 4, 4') 사이의 전자 컴포넌트의 표면 영역(F) 이상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    1개 이상의 제3 전기 기능 층은, 기판(1)의 표면에 직각으로 보아서 모든 면에서 표면 영역(F) 위에 돌출하고, 기판(1)의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향인 1개 이상의 제3 전기 기능 층의 제3 길이 치수는, 상대적 이동 방향이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 길이 치수(LF)보다 5㎛ 이상 더 길고, 바람직하게는 1㎜ 초과하여 더 길고, 기판(1)의 표면에 평행하고 상대적 이동 방향에 직각인 제3 전기 기능 층의 제3 폭 치수는, 상대적 이동 방향에 직각이고 기판(1)의 표면에 평행하는 표면 영역(F)의 폭 치수(BF)보다 5㎛ 이상 더 넓고, 바람직하게는 1㎜ 초과하여 더 넓은 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 전자 기능 층은, 1개 이상의 유기 전극들의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  16. 제12항 또는 제15항에 있어서,
    제2 전자 기능 층은, 전기 특히 유기 절연층, 또는 반도체 층 특히 유기 반도체 층의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  17. 제13항 또는 제15항에 있어서,
    제2 전자 기능 층은, 1개 이상의 유기 전극들의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
  18. 제1항 내지 제17항에 있어서,
    전계효과 트랜지스터, 커패시터, 다이오드, 또는 1개 이상의 유기 전기 기능 층을 가진 각 경우에 1개 이상의 비아(via)를 포함한 컴포넌트는, 전자 컴포넌트로서 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 컴포넌트 제조 방법.
KR1020087002127A 2005-07-29 2006-07-27 전자 컴포넌트 제조 방법 KR101325754B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005035589A DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2005-07-29 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005035589.7 2005-07-29
PCT/EP2006/007441 WO2007014694A1 (de) 2005-07-29 2006-07-27 Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080032124A true KR20080032124A (ko) 2008-04-14
KR101325754B1 KR101325754B1 (ko) 2013-11-04

Family

ID=37433672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087002127A KR101325754B1 (ko) 2005-07-29 2006-07-27 전자 컴포넌트 제조 방법

Country Status (13)

Country Link
US (1) US7846838B2 (ko)
EP (1) EP1911108B1 (ko)
JP (1) JP2009503829A (ko)
KR (1) KR101325754B1 (ko)
CN (1) CN101233626B (ko)
AT (1) ATE529904T1 (ko)
AU (1) AU2006275070A1 (ko)
CA (1) CA2615285A1 (ko)
DE (1) DE102005035589A1 (ko)
ES (1) ES2375937T3 (ko)
MX (1) MX2008000756A (ko)
TW (1) TWI422085B (ko)
WO (1) WO2007014694A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE102006047388A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
US7723153B2 (en) * 2007-12-26 2010-05-25 Organicid, Inc. Printed organic logic circuits using an organic semiconductor as a resistive load device
US7704786B2 (en) * 2007-12-26 2010-04-27 Organicid Inc. Printed organic logic circuits using a floating gate transistor as a load device
CN109087902B (zh) * 2018-08-15 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种走线结构及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (253)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
DE2102735B2 (de) 1971-01-21 1979-05-10 Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
AU488652B2 (en) 1973-09-26 1976-04-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Improvements in or relating to security tokens
JPS543594B2 (ko) 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
JPS5641938U (ko) 1979-09-10 1981-04-17
US4340057A (en) 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
US4472627A (en) 1982-09-30 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury Authenticating and anti-counterfeiting device for currency
EP0108650A3 (en) 1982-11-09 1986-02-12 Zytrex Corporation Programmable mos transistor
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
JPS6265472A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Toshiba Corp Mis型半導体素子
US4726659A (en) 1986-02-24 1988-02-23 Rca Corporation Display device having different alignment layers
DE3768112D1 (de) 1986-03-03 1991-04-04 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsdetektor.
DE3751376T2 (de) 1986-10-13 1995-11-16 Canon Kk Schaltungselement.
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
DE68912426T2 (de) 1988-06-21 1994-05-11 Gec Avery Ltd Herstellung von tragbaren elektronischen Karten.
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
FR2644920B1 (fr) 1989-03-21 1993-09-24 France Etat Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
EP0418504B1 (en) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
DE3942663A1 (de) 1989-12-22 1991-06-27 Gao Ges Automation Org Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US5202677A (en) 1991-01-31 1993-04-13 Crystal Images, Inc. Display apparatus using thermochromic material
DE4103675C2 (de) 1991-02-07 1993-10-21 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (en) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Video game computer provided with an optical disc drive
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
EP0511807A1 (en) 1991-04-27 1992-11-04 Gec Avery Limited Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
JPH0770470B2 (ja) 1991-10-30 1995-07-31 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照射装置
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
FR2696043B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Commissariat Energie Atomique Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication.
EP0603939B1 (en) 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
EP0615256B1 (en) 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
DE4312766C2 (de) 1993-04-20 1997-02-27 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
AU7563294A (en) 1993-08-24 1995-03-21 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
US6028649A (en) 1994-04-21 2000-02-22 Reveo, Inc. Image display systems having direct and projection viewing modes
WO1995031833A2 (en) 1994-05-16 1995-11-23 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with an organic semiconductor material
IL110318A (en) 1994-05-23 1998-12-27 Al Coat Ltd Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5528222A (en) 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
DE19506907A1 (de) 1995-02-28 1996-09-05 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH08328031A (ja) 1995-06-02 1996-12-13 Sharp Corp フルカラー液晶表示装置およびその製造方法
JPH0933645A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd トランスポンダの電源回路
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5707894A (en) 1995-10-27 1998-01-13 United Microelectronics Corporation Bonding pad structure and method thereof
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US6469683B1 (en) 1996-01-17 2002-10-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Liquid crystal optical device
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19610284A1 (de) 1996-03-15 1997-08-07 Siemens Ag Antennenspule
JP2000512428A (ja) 1996-06-12 2000-09-19 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 有機多色表示器製造のための薄膜パターン化
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
DE19648937A1 (de) 1996-11-26 1997-05-15 Meonic Sys Eng Gmbh Elektronisches Etikett
US6259506B1 (en) 1997-02-18 2001-07-10 Spectra Science Corporation Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US5841325A (en) 1997-05-12 1998-11-24 Hewlett-Packard Company Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JP4509228B2 (ja) 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
WO1999013441A2 (en) 1997-09-11 1999-03-18 Precision Dynamics Corporation Radio frequency identification tag on flexible substrate
EP1296280A1 (en) 1997-09-11 2003-03-26 Precision Dynamics Corporation Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
WO1999030432A1 (en) 1997-12-05 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
AU739848B2 (en) 1998-01-28 2001-10-18 Thin Film Electronics Asa A method for generation of electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions and methods for erasure of the same structures
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
US6369793B1 (en) 1998-03-30 2002-04-09 David C. Zimman Printed display and battery
JP4664501B2 (ja) 1998-04-10 2011-04-06 イー インク コーポレイション 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6107920A (en) 1998-06-09 2000-08-22 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having an article integrated antenna
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
US6528816B1 (en) 1998-06-19 2003-03-04 Thomas Jackson Integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6330464B1 (en) 1998-08-26 2001-12-11 Sensors For Medicine & Science Optical-based sensing devices
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP0996176B8 (en) 1998-10-13 2005-10-19 Sony Deutschland GmbH Method of fabricating an active matrix light-emitting display device
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
DE60035078T2 (de) 1999-01-15 2008-01-31 3M Innovative Properties Co., St. Paul Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
AU5646800A (en) 1999-03-02 2000-09-21 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
TW508975B (en) 1999-03-29 2002-11-01 Seiko Epson Corp Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor
EP1113502B1 (en) 1999-03-30 2007-09-19 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing thin-film transistor
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6387736B1 (en) 1999-04-26 2002-05-14 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for bonding layers in a semiconductor device
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19919448A1 (de) 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
US6736985B1 (en) 1999-05-05 2004-05-18 Agere Systems Inc. High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
JP4136185B2 (ja) 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69913745T2 (de) 1999-05-17 2004-10-07 Goodyear Tire & Rubber Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
ATE344535T1 (de) 1999-07-06 2006-11-15 Elmos Semiconductor Ag Cmos kompatibler soi-prozess
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP4595143B2 (ja) 1999-09-06 2010-12-08 双葉電子工業株式会社 有機elデバイスとその製造方法
EP1085320A1 (en) 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6888096B1 (en) 1999-09-28 2005-05-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser drilling method and laser drilling device
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
WO2001027998A1 (en) 1999-10-11 2001-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
AU2015901A (en) 1999-12-21 2001-07-03 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
BR0016661B1 (pt) 1999-12-21 2013-11-26 Métodos para formação de um dispositivo eletrônico, dispositivo eletrônico e dispositivo de exibição
US7002451B2 (en) 2000-01-11 2006-02-21 Freeman Jeffrey R Package location system
JP2002162652A (ja) 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
KR100767204B1 (ko) 2000-03-28 2007-10-17 다이어베티스 다이어그노스틱스, 인크. 일회용 전기화학적 센서의 연속 제조 방법
AU2001259187A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-07 Add-Vision, Inc. Screen printing light-emitting polymer patterned devices
AU2001264879A1 (en) 2000-05-24 2001-12-03 Schott Donnelly Llc Electrochromic devices
US6535057B2 (en) 2000-05-29 2003-03-18 Stmicroelectronics Ltd. Programmable glitch filter
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
CN1211695C (zh) 2000-06-06 2005-07-20 皇家菲利浦电子有限公司 液晶显示器及其制造方法
DE10032260B4 (de) 2000-07-03 2004-04-29 Texas Instruments Deutschland Gmbh Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6483473B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Marconi Communications Inc. Wireless communication device and method
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
EP1310004A2 (de) 2000-08-18 2003-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US6699728B2 (en) 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
DE10044842A1 (de) 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
US6859093B1 (en) 2000-11-28 2005-02-22 Precision Dynamics Corporation Rectifying charge storage device with bi-stable states
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
EP1215725A3 (de) 2000-12-18 2005-03-23 cubit electronics Gmbh Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bauteile und kontaktloser Transponder
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US6767807B2 (en) 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
JP2002289355A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
DE10120686A1 (de) 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung
US6781868B2 (en) 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US7244669B2 (en) 2001-05-23 2007-07-17 Plastic Logic Limited Patterning of devices
DE10126859A1 (de) 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003017248A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Sony Corp 電界発光素子
DE20111825U1 (de) 2001-07-20 2002-01-17 Lammering Thomas Printmedium
JP4219807B2 (ja) * 2001-08-09 2009-02-04 旭化成株式会社 有機半導体素子
DE10141440A1 (de) 2001-08-23 2003-03-13 Daimler Chrysler Ag Tripodegelenk
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6679036B2 (en) 2001-10-15 2004-01-20 Shunchi Crankshaft Co., Ltd. Drive gear shaft structure of a self-moving type mower
DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE10153656A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht
DE10160732A1 (de) 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
DE10163267A1 (de) 2001-12-21 2003-07-03 Giesecke & Devrient Gmbh Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts
DE10209400A1 (de) 2002-03-04 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung
US6596569B1 (en) 2002-03-15 2003-07-22 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US7204425B2 (en) 2002-03-18 2007-04-17 Precision Dynamics Corporation Enhanced identification appliance
DE10212640B4 (de) 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
KR100874638B1 (ko) * 2002-06-01 2008-12-17 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로루미네센스 표시소자의 제조장치 및 방법
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
DE10229168A1 (de) 2002-06-28 2004-01-29 Infineon Technologies Ag Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht
EP1383179A2 (en) 2002-07-17 2004-01-21 Pioneer Corporation Organic semiconductor device
AT502890B1 (de) 2002-10-15 2011-04-15 Atomic Austria Gmbh Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
EP1559148A2 (de) 2002-11-05 2005-08-03 Siemens Aktiengesellschaft ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU
US7442954B2 (en) 2002-11-19 2008-10-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component
EP1563554B1 (de) 2002-11-19 2012-01-04 PolyIC GmbH & Co. KG Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
TWI233771B (en) * 2002-12-13 2005-06-01 Victor Company Of Japan Flexible rigid printed circuit board and method of fabricating the board
US7088145B2 (en) 2002-12-23 2006-08-08 3M Innovative Properties Company AC powered logic circuitry
EP1434281A3 (en) 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
DE10302149A1 (de) 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
JP2004335492A (ja) * 2003-03-07 2004-11-25 Junji Kido 有機電子材料の塗布装置およびそれを使用した有機電子素子の製造方法
US8665247B2 (en) 2003-05-30 2014-03-04 Global Oled Technology Llc Flexible display
US6950157B2 (en) 2003-06-05 2005-09-27 Eastman Kodak Company Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer
FI20030919A (fi) * 2003-06-19 2004-12-20 Avantone Oy Menetelmä ja laitteisto elektronisen ohutkalvokomponentin valmistamiseksi sekä elektroninen ohutkalvokomponentti
DE10330063A1 (de) 2003-07-03 2005-02-03 Siemens Ag Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz
DE10330064B3 (de) 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
US20050023972A1 (en) * 2003-07-29 2005-02-03 Lewandowski Mark A. Method for printing electroluminescent lamps
DE10335336B4 (de) 2003-08-01 2011-06-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene
DE10338277A1 (de) 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
ATE361532T1 (de) * 2003-09-02 2007-05-15 Plastic Logic Ltd Herstellung elektronischer bauelemente
DE10340641A1 (de) 2003-09-03 2005-04-07 Siemens Ag Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren
US7102155B2 (en) * 2003-09-04 2006-09-05 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
JP4400327B2 (ja) 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
US7122828B2 (en) 2003-09-24 2006-10-17 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same
JP4415653B2 (ja) * 2003-11-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US7358530B2 (en) 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry

Also Published As

Publication number Publication date
EP1911108A1 (de) 2008-04-16
ATE529904T1 (de) 2011-11-15
DE102005035589A1 (de) 2007-02-01
EP1911108B1 (de) 2011-10-19
CA2615285A1 (en) 2007-02-08
KR101325754B1 (ko) 2013-11-04
AU2006275070A1 (en) 2007-02-08
US7846838B2 (en) 2010-12-07
JP2009503829A (ja) 2009-01-29
TWI422085B (zh) 2014-01-01
WO2007014694A1 (de) 2007-02-08
TW200717891A (en) 2007-05-01
CN101233626A (zh) 2008-07-30
ES2375937T3 (es) 2012-03-07
US20080200030A1 (en) 2008-08-21
DE102005035589A8 (de) 2007-07-26
CN101233626B (zh) 2010-07-28
MX2008000756A (es) 2008-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1834358B1 (en) Method of manufacturing an electronic device array
USRE45885E1 (en) Laser ablation of electronic devices
JP5114406B2 (ja) 高性能の有機デバイス製造用レーザアブレーション法
EP1922775B1 (en) Laser ablation of electronic devices
EP1815541B1 (en) Self-aligned process to manufacture organic transistors
US8217432B2 (en) Field effect transistor and electric circuit
US8062984B2 (en) Laser ablation of electronic devices
EP2533103B1 (en) Method of manufacturing interconnection member and electronic device, interconnection member, multilayered interconnections, electronic device, electronic device array and display device using the method
KR101325754B1 (ko) 전자 컴포넌트 제조 방법
US7632705B2 (en) Method of high precision printing for manufacturing organic thin film transistor
US8153512B2 (en) Patterning techniques
WO2016170770A1 (ja) 薄膜トランジスタアレイ形成基板、画像表示装置用基板および薄膜トランジスタアレイ形成基板の製造方法
US20150129850A1 (en) Distortion tolerant processing
EP1727219B1 (en) Organic thin film transistor and method for producing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161027

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171017

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190813

Year of fee payment: 7