ES2375937T3 - Procedimiento para la fabricación de un componente electrónico. - Google Patents
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Abstract
Procedimiento para la fabricación de un componente electrónico sobre una superficie de un sustrato (1), configurándose el componente electrónico, visto en perpendicular a la superficie del sustrato (1), con al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F, estructurándose las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') sobre el sustrato (1) directa o indirectamente en un proceso continuo, moviéndose el sustrato (1) relativamente respecto a una unidad de estructuración, usándose como sustrato (1) un sustrato flexible con un espesor en el intervalo de 6 µm a 200 µm, que se transporta de rodillo a rodillo durante el proceso continuo, a) estructurándose una primera capa funcional eléctrica de las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') de modo que una primera dimensión de longitud (L1) de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato (1) y en la dirección de movimiento relativo del sustrato (1) relativamente respecto a la unidad de estructuración se configura más larga en al menos 5 µm que una dimensión de longitud (LF) de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato (1), configurándose la primera capa funcional eléctrica como uno o varios electrodos y b) estructurándose una primera capa funcional eléctrica de las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') de modo que una primera dimensión de anchura (B1) de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato (1) y en perpendicular a una dirección de movimiento relativo del sustrato (1) relativamente respecto a la unidad de estructuración se configura más ancha en al menos 5 µm que una dimensión de anchura (BF) de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato (1).
Description
Procedimiento para la fabricación de un componente electrónico
La invención se refiere a un procedimiento para la fabricación de un componente electrónico sobre una superficie de un sustrato, configurándose el componente electrónico, visto en perpendicular a la superficie del sustrato, con al menos dos capas funcionales eléctricas dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F, estructurándose las al menos dos capas funcionales eléctricas sobre el sustrato directa o indirectamente en un proceso continuo y moviéndose el sustrato relativamente respecto a una unidad de estructuración.
Un procedimiento de este tipo se conoce del documento WO 2004/047144 A2. Se describe un componente electrónico orgánico, como un transistor orgánico de efecto de campo (OFET), circuitos con este tipo de componentes y un procedimiento de fabricación. La formación del componente electrónico se lleva a cabo mediante un procedimiento económico de impresión.
El documento DE 101 26 859 A1 describe un procedimiento para la producción de estructuras conductoras, componentes activos fabricados con éstas, como transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs) o diodos luminosos orgánicos (OLEDs), así como circuitos con este tipo de componentes. Las estructuras conductoras, como los circuitos impresos o los electrodos, se producen mediante la técnica de impresión sobre una película de plástico fina y flexible, mencionándose como adecuados todos los procedimientos conocidos de impresión, en especial el huecograbado, la impresión en relieve, la impresión planográfica, la impresión por penetración (serigrafía) o la impresión tampográfica.
El artículo "Inkjet printing of polymer thin film transistors" PREPARATION AND CHARACTERIZATION, ELSEVIER SEQUOIA, NL, tomo 438-439, páginas 279-287, ISSN: 0040-6090, describe asimismo la fabricación de transistores de película fina mediante la técnica de impresión por inyección. Los electrodos de fuente (source), drenador (drain) y puerta (gate) se imprimen mediante el uso de un polímero conductor. El semiconductor y el dieléctrico de puerta se aplican mediante la técnica de spin-coating. Como semiconductor se usa un polímero conjugado. Para superar el límite de resolución de la técnica de impresión por inyección, el polímero conductor se imprime aquí sobre un sustrato elaborado previamente.
La aplicación de procesos continuos en la fabricación de componentes electrónicos posibilita su producción económica en masa con altas velocidades de proceso. A fin de obtener valores eléctricos lo más uniformes posibles y la funcionalidad de un componente electrónico, las capas funcionales eléctricas individuales, con las que se construye el componente electrónico, se han de formar sucesivamente y colocar una sobre otra en una posición y una disposición correctas según un layout predefinido. Mientras mayor sea la velocidad seleccionada del sustrato y/o de la unidad de estructuración en el proceso continuo, más probable será la aparición en la zona de desviaciones del posicionamiento ideal de la capas funcionales eléctricas respecto a otras capas funcionales eléctricas ya existentes sobre el sustrato.
Una formación directa y una estructuración simultánea de la capa funcional eléctrica se llevan a cabo preferentemente mediante un procedimiento de impresión. Sin embargo, una capa funcional eléctrica se puede estructurar alternativamente también mediante láser o la técnica de aguafuerte sólo después de su formación. En ambos casos, una parte de la superficie de la capa funcional eléctrica se configura en dependencia del proceso fuera de la posición ideal predefinida por el layout.
Por consiguiente, es objetivo de la invención poner a disposición un procedimiento para la fabricación de un componente electrónico que también a altas velocidades de proceso proporcione un componente electrónico funcional con los parámetros eléctricos deseados.
El objetivo se consigue mediante un procedimiento según la reivindicación 1.
Las posibles líneas o pistas eléctricas necesarias para crear el contacto eléctrico entre las capas funcionales eléctricas se consideran aquí como no pertenecientes a la respectiva capa funcional.
Si el sustrato se mueve relativamente respecto a la unidad de estructuración, se entiende por esto que el propio sustrato y/o la unidad de estructuración se pueden mover. A este respecto, sólo se puede mover el sustrato y la unidad de estructuración puede ser inmóvil, o la unidad de estructuración puede ser móvil y el sustrato, inmóvil, o tanto el sustrato como la unidad de estructuración pueden ser móviles.
El procedimiento según la invención permite posicionar con un costo extremadamente pequeño otra capa funcional eléctrica que se ha de formar después de la formación de una primera capa funcional eléctrica dimensionada de este modo y orientar respecto a la primera capa funcional eléctrica, ya que una ligera desviación respecto al posicionamiento ideal de la otra capa funcional eléctrica no influye en la funcionalidad ni en los parámetros eléctricos del componente electrónico. Por tanto, un componente electrónico formado mediante el procedimiento según la invención tolera en dirección del movimiento relativo y/o en perpendicular a la dirección de movimiento relativo una desviación del layout en el posicionamiento de la primera capa funcional eléctrica respecto a otra capa funcional eléctrica, dependiendo de la posición ideal de la primera capa funcional eléctrica respecto a la zona de superficie F. De este modo se puede seguir aumentando la velocidad del proceso y reducir la probabilidad de producción de componentes electrónicos defectuosos.
A este respecto se prefiere especialmente que la primera dimensión de longitud de la primera capa funcional eléctrica se configure en la dirección de movimiento relativo más larga en 50 a 500 µm que la dimensión de longitud de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo. Este diseño representa un compromiso entre la necesidad del espacio adicional, requerido por el procedimiento, para las capas funcionales eléctricas y la probabilidad de la obtención de un componente que no funcione o funcione sólo de manera limitada.
Ha resultado eficaz que la primera capa funcional eléctrica se posicione respecto a la zona de superficie F de modo que un primer centro de gravedad de superficie de la primera capa funcional eléctrica y un centro de gravedad de superficie de la zona de superficie F queden situados uno sobre otro en el layout, visto en perpendicular a la superficie del sustrato. La primera capa funcional eléctrica sobresale tanto por delante como por detrás, según layout, de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo, de modo que un centro de gravedad de superficie de otra capa funcional eléctrica se puede posicionar en la dirección de movimiento relativo tanto con una desviación negativa como positiva de su posición ideal según layout. La primera capa funcional eléctrica sobresale según layout de la zona de superficie F en perpendicular a la dirección de movimiento relativo por ambos lados, de modo que un centro de gravedad de superficie de otra capa funcional eléctrica se puede posicionar en perpendicular a la dirección de movimiento relativo tanto con una desviación lateral negativa como positiva de su posición ideal según layout.
Ha resultado eficaz que como proceso continuo se use un proceso de impresión, como un procedimiento de huecograbado, impresión en relieve, impresión planográfica, impresión por penetración o impresión tampográfica. Por impresión por penetración se entiende aquí la serigrafía o impresión con plantilla.
Los procedimientos de impresión de este tipo se pueden realizar con altas velocidades de proceso. A este respecto, una capa funcional eléctrica se puede formar de manera directa mediante impresión sobre el sustrato directamente y con la forma ya deseada.
Ha resultado eficaz además usar como proceso continuo un procedimiento de estructuración por láser o un procedimiento de estructuración por fotolitografía, entendiéndose en general aquí por el término procedimiento de estructuración por fotolitografía todos los procedimientos de aguafuerte que funcionan con máscaras o capas de enmascaramiento.
Con este tipo de procedimientos es posible la configuración o conformación indirecta de una capa funcional eléctrica que ha sido formada sobre el sustrato, por ejemplo, mediante metalización por evaporación o metalización por bombardeo iónico. A este respecto, por ejemplo, una capa funcional eléctrica metalizada por evaporación se elimina por zonas con láser. Cuando se posiciona el láser respecto a la capa funcional eléctrica ya formada sobre el sustrato, se originan usualmente pequeñas desviaciones en relación con la posición ideal, por lo que se produce una desviación de la capa funcional eléctrica formada respecto al layout.
Si se aplica una fotolaca sobre toda la superficie de una capa funcional eléctrica, se ilumina mediante una máscara, se eliminan las zonas no endurecidas de la laca, se realiza un proceso de aguafuerte y se elimina a continuación la fotolaca, para la capa funcional eléctrica formada se originan también desviaciones de posición respecto al layout debido a pequeñas desviaciones de la posición ideal de la máscara durante su posicionamiento.
Asimismo, la capa funcional eléctrica ya se puede imprimir en las zonas deseadas, por ejemplo, con una capa de máscara resistente al aguafuerte, y las zonas no impresas de la capa funcional eléctrica se pueden eliminar mediante aguafuerte. A continuación se separa la capa de máscara resistente al aguafuerte y quedan al descubierto las zonas de la capa funcional eléctrica situadas debajo y estructuradas con la forma deseada. Al imprimirse la capa de máscara se originan asimismo desviaciones de la posición ideal, como en la impresión directa de una capafuncional eléctrica. Éstas se transfieren de la capa de máscara directamente a la capa funcional eléctrica estructurada con esto.
Ha resultado eficaz además que como proceso continuo se use un procedimiento de estructuración por chorro de tinta, siendo posibles aquí altas velocidades de proceso. A este respecto, una capa funcional eléctrica se puede formar directamente y con la forma ya deseada sobre el sustrato mediante impresión por chorro de tinta. Sin embargo, el procedimiento por chorro de tinta posibilita también la aplicación de una capa de máscara para estructurar así una capa funcional eléctrica formada previamente.
Con preferencia se selecciona una velocidad relativa del sustrato respecto a la unidad de estructuración en el proceso continuo en el intervalo de 0,5 a 200 m/min, preferentemente en el intervalo de 10 a 100 m/min. Esto posibilita una producción en masa de componentes electrónicos con bajos costos de fabricación.
Se prefiere especialmente que como sustrato se use un sustrato flexible, en especial una película alargada de plástico que es, dado el caso, multicapa. A este respecto son adecuadas, por ejemplo, las películas de plástico hechas de poliéster, polietileno, tereftalato de polietileno o polyimida.
Ha resultado eficaz que se seleccione un espesor del sustrato en el intervalo de 6 µm a 200 µm, preferentemente en el intervalo de 12 µm a 50 µm.
En caso de un sustrato flexible es especialmente ventajoso que durante el proceso continuo se lleve a cabo un transporte de rodillo a rodillo. A este respecto, el sustrato flexible no revestido se enrolla en un rodillo, el sustrato se extrae del rodillo, se guía a través de una máquina de proceso, se estructura aquí y por último se enrolla como sustrato revestido en otro rodillo. Esto posibilita el procesamiento de bandas largas de sustrato, teniéndose que realizar sólo una vez el posicionamiento respecto a la máquina de proceso al inicio de un nuevo rodillo de sustrato.
Ha resultado eficaz que las al menos dos capas funcionales eléctricas se configuren con un espesor de capa respectivamente en el intervalo de 1 nm a 100 µm, con preferencia en el intervalo de 10 nm a 300 nm.
Las al menos dos capas funcionales eléctricas se pueden disponer en el componente electrónico de manera que colinden directamente una con otra, visto en corte transversal a través del sustrato. Las al menos dos capas funcionales eléctricas se encuentran, por tanto, en contacto directo entre sí.
Alternativamente, entre las al menos dos capas funcionales eléctricas se puede disponer en el componente electrónico al menos una tercera capa funcional eléctrica al menos en la zona de superficie F, visto en corte transversal a través del sustrato. Las al menos dos capas funcionales eléctricas se encuentran, por tanto, en contacto directo entre sí.
A este respecto ha resultado eficaz que la al menos una tercera capa funcional eléctrica sobresalga por todos los lados de la zona de superficie F, visto en perpendicular a la superficie del sustrato, configurándose una tercera dimensión de longitud de la al menos una tercera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato y en la dirección de movimiento relativo más larga en al menos 5 µm, con preferencia más larga en más de 1 mm, que la dimensión de longitud de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato y configurándose una tercera dimensión de anchura de la tercera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato y en perpendicular a la dirección de movimiento relativo más ancha en al menos 5 µm, con preferencia más ancha en más de 1 mm, que una dimensión de anchura de la zona de superficie F en perpendicular a la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato.
La primera capa funcional eléctrica se configura como uno o varios electrodos especialmente orgánicos.
Como materiales "orgánicos" conductores se considera aquí todo tipo de plásticos orgánicos, metalorgánicos e inorgánicos que se denominan en inglés "plastics". Por consiguiente, no está prevista una limitación en el sentido dogmático al material orgánico como material con contenido de carbono, sino que más bien se ha pensado además en el uso, por ejemplo, de siliconas. Asimismo, el término no debe estar sujeto a ninguna limitación respecto al tamaño molecular, en especial a materiales polímeros y/u oligómeros, sino que es posible también el uso de "small molecules". Como materiales orgánicos conductores de electricidad han resultado eficaces, entre otros, la polianilina
o el polipirrol.
Sin embargo, como capas de electrodos para la primera capa funcional eléctrica son adecuadas también capas de metal metalizadas por evaporación o metalizadas por bombardeo iónico, por ejemplo, hechas de al menos uno de los materiales oro, plata, cobre, aluminio, platino, titanio o similar. Estos se estructuran preferentemente por láser o aguafuerte.
Si la segunda capa funcional eléctrica se encuentra en contacto directo con la primera capa funcional eléctrica, resulta eficaz que la segunda capa funcional eléctrica se configure como capa de aislamiento eléctrico especialmente orgánica o como capa semiconductora especialmente orgánica. Como material orgánico de aislamiento ha resultado eficaz, entre otros, el polivinilfenol. Como material semiconductor orgánico es adecuado, por ejemplo, el politiofeno.
Si la primera y la segunda capa funcional eléctrica se disponen separadas una de otra, resulta eficaz que la segunda capa funciona eléctrica se configure como uno o varios electrodos especialmente orgánicos. Como materiales conductores de electricidad se pueden usar aquí asimismo los materiales ya mencionados arriba para la primera capa funcional eléctrica configurada como electrodo.
Como componente electrónico se configura preferentemente un transistor de efecto de campo, un condensador, un diodo o un componente con al menos una vía, en especial con al menos una capa funcional eléctrica orgánica en cada caso. Por una vía se entiende un orificio, usualmente en perpendicular al plano de sustrato, mediante el que se crea una unión entre las capas funcionales eléctricas de una pila de capas funcionales que no están en contacto de manera directa entre sí. Al configurarse también las vías, por ejemplo, mediante un procedimiento de aguafuerte con el uso de una capa de estructuración se pueden producir desplazamientos del tipo descrito arriba, pudiéndose compensar una desviación de la posición de una vía respecto a la posición ideal según layout mediante el procedimiento según la invención.
Las figuras 1a a 3b deben explicar a modo de ejemplo la invención. Muestran:
Figura 1a una vista en planta de un sustrato revestido (que no forma parte de la invención);
Figura 1b un corte transversal A-A' a través del sustrato revestido según la figura 1a;
Figura 2a una vista en planta de otro sustrato revestido;
Figura 2b un corte transversal B-B' a través del sustrato revestido según la figura 2a;
Figura 3a una vista en planta de otro sustrato revestido; y
Figura 3b un corte transversal C-C' a través del sustrato revestido según la figura 3a.
La figura 1a (que no forma parte de la invención) muestra una vista en planta de un sustrato 1, hecho de una película de PET, que se imprimió con tres capas funcionales eléctricas 2, 3, 4 para la fabricación de un componente electrónico, en este caso un diodo, sobre la superficie del sustrato 1. Visto en perpendicular a la superficie del sustrato 1, las capas funcionales eléctricas 2, 3, 4 están dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F. La capa funcional eléctrica 2 configura aquí una primera capa funcional eléctrica, configurándose una primera dimensión de longitud L1 de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato 1 y en la dirección de movimiento relativo del sustrato 1 durante la impresión (identificado en la figura 1a con una flecha a la izquierda de la imagen) más larga en 25 µm aproximadamente que una dimensión de longitud LF de la zona de superficie F en dirección de impresión y en paralelo a la superficie del sustrato 1. La primera capa funcional eléctrica está configurada como electrodo a partir de un material conductor de electricidad, en este caso cobre. La capa funcional eléctrica 3 forma una segunda capa funcional eléctrica que está separada de la primera capa funcional mediante una tercera capa funcional eléctrica 4 hecha de polialquiltiofeno. La segunda capa funcional eléctrica está hecha de plata. La segunda capa funcional eléctrica se ha configurado de modo que una segunda dimensión de anchura B2 de la segunda capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato 1 y en perpendicular a la dirección de movimiento relativo está configurada más ancha en al menos 50 µm aproximadamente que una dimensión de anchura BF de la zona de superficie F en perpendicular a la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato 1. No se representaron las líneas de alimentación o pistas conductoras de electricidad que son necesarias naturalmente para crear el contacto eléctrico entre las primeras y las segundas capas funcionales.
La figura 1a muestra el caso ideal según el layout de impresión del componente electrónico, en el que la primera capa funcional eléctrica está posicionada respecto a la zona de superficie F de modo que un primer centro de gravedad de superficie de la primera capa funcional eléctrica y un centro de gravedad de superficie SF de la zona de superficie F quedan situados uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato 1, y la segunda capa funcional está posicionada respecto a la zona de superficie F de modo que un segundo centro de gravedad de superficie de la segunda capa funcional eléctrica y el centro de gravedad de superficie SF de la zona de superficie F quedan situados asimismo uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato 1. Sin embargo, éste no es el caso en la práctica por las desviaciones producidas durante la estructuración.
La construcción por capas mostrada en la figura 1a es tolerante en relación con este tipo de desviación o desplazamiento de la primera capa funcional en la dirección de movimiento relativo y/o una desviación o un desplazamiento de la segunda capa funcional en perpendicular a la dirección de movimiento relativo respecto al caso ideal representado según el layout.
La figura 1b muestra un corte transversal A-A' a través del sustrato impreso de la figura 1a, pudiéndose observar aquí el sustrato 1 y las capas funcionales eléctricas 2, 3, 4 impresas sobre éste. A este respecto, la capa funcional eléctrica 2 forma la primera capa funcional eléctrica, la capa funcional eléctrica 3 forma la segunda capa funcional electrónica y la capa funcional eléctrica 4 forma una tercera capa funcional eléctrica.
La figura 2a muestra una vista en planta de otro sustrato impreso 1, hecho de una película de PET, que está impreso con tres capas funcionales eléctricas 2', 3', 4' para la fabricación de un componente electrónico, en este caso un condensador, sobre la superficie del sustrato 1. Visto en perpendicular a la superficie del sustrato 1, las capas funcionales eléctricas 2', 3', 4' están dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F. La capa funcional eléctrica 2' configura aquí una primera capa funcional eléctrica, configurándose una primera dimensión de longitud L1 de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato 1 y en la dirección de movimiento relativo del sustrato 1 durante la impresión del sustrato 1 (identificado en la figura 2a con una flecha a la izquierda de la imagen) más larga en 1 mm aproximadamente que una dimensión de longitud LF de la zona de superficie F en la dirección del movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato 1. La primera capa funcional eléctrica está configurada como electrodo a partir de un material conductor de electricidad, en este caso cobre. La capa funcional eléctrica 3' forma otra capa funcional eléctrica que está separada de la primera capa funcional mediante una tercera capa funcional eléctrica 4' hecha de polímero aislante de electricidad. La otra capa funcional eléctrica está configurada como electrodo de plata.
La primera capa funcional eléctrica se ha configurado de modo que una primera dimensión de anchura B1 de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato 1 y en perpendicular a la dirección de movimiento relativo está configurada 600 µm más ancha aproximadamente que una dimensión de anchura BF de la zona de superficie F en perpendicular a la dirección de impresión y en paralelo a la superficie del sustrato 1. No se representaron las líneas de alimentación o pistas conductoras de electricidad que son necesarias para crear el contacto eléctrico entre la primera y la otras capa funcional eléctrica.
La figura 2a muestra el caso ideal según el layout de impresión del componente electrónico, en el que la primera capa funcional eléctrica está posicionada respecto a la zona de superficie F de modo que un primer centro de gravedad de superficie de la primera capa funcional eléctrica y un centro de gravedad de superficie SF de la zona de superficie F quedan situados uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato 1, y la tercera así como la otra capa funcional eléctrica están posicionadas respecto a la zona de superficie F de modo que su respectivo centro de gravedad de superficie y el centro de gravedad de superficie SF de la zona de superficie F quedan situados asimismo uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato 1. Sin embargo, éste no es el caso en la práctica por las desviaciones producidas durante la impresión. La construcción por capas mostrada en la figura 2a es tolerante en relación con este tipo de desviación o desplazamiento de la primera capa funcional en la dirección de movimiento relativo y/o una desviación o un desplazamiento de la primera capa funcional en perpendicular a la dirección de movimiento relativo respecto al caso ideal representado según el layout de impresión.
La figura 2b muestra un corte transversal B-B' a través del sustrato impreso 1 de la figura 2a, pudiéndose observar aquí el sustrato 1 y las capas funcionales eléctricas 2', 3', 4' impresas sobre éste. A este respecto, la capa funcional eléctrica 2' forma la primera capa funcional eléctrica, la capa funcional eléctrica 3' forma la otra capa funcional eléctrica y la capa funcional eléctrica 4' forma la tercera capa funcional.
La figura 3a muestra una vista en planta de otro sustrato impreso 1, hecho de una película de PET, que está impreso con dos capas funcionales eléctricas 2, 3 como estado previo para la fabricación de un componente electrónico, en este caso, por ejemplo, un transistor orgánico de efecto de campo (OFET), sobre la superficie del sustrato 1. Visto en perpendicular a la superficie del sustrato 1, las capas funcionales eléctricas 2, 3 están dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F (delimitada por una línea impresa en negrita). La capa funcional eléctrica 2 configura aquí una primera capa funcional eléctrica, configurándose una primera dimensión de longitud L1 de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato 1 y en la dirección de movimiento relativo del sustrato 1 durante la impresión del sustrato 1 (identificado en la figura 3a con una flecha a la izquierda de la imagen) más larga en 1 mm aproximadamente que una dimensión de longitud LF de la zona de superficie F en la dirección del movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato 1. La primera capa funcional eléctrica está configurada a partir de un material semiconductor, en este caso polialquiltiofeno. La capa funcional eléctrica 3 forma otra capa funcional eléctrica. La otra capa funcional eléctrica está hecha de plata y diseñada en forma de dos estructuras de peine que deben formar los electrodos de fuente y drenador del OFET. Después de que la capa funcional eléctrica 3 tenga aquí una forma irregular, la zona de superficie F se define en este caso de modo que las dimensiones externas máximas (en la dirección de movimiento relativo y en perpendicular a ésta) de la capa funcional eléctrica 3 predefinen el contorno de la zona de superficie F, aunque dentro de la zona de superficie F, definida de esta manera, no existe en cada punto un solapamiento de las dos capas funcionales eléctricas. Esta definición de la zona de superficie F es conveniente aquí, porque al imprimirse la estructura de peine con la primera capa funcional se trata de cubrir completamente la estructura de peine.
La primera capa funcional eléctrica se ha configurado de modo que una primera dimensión de anchura B1 de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato 1 y en perpendicular a la dirección de movimiento relativo está configurada 1 mm más ancha aproximadamente que una dimensión de anchura BF de la zona de superficie F en perpendicular a la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato
1. No se representaron las líneas de alimentación o pistas conductoras de electricidad que son necesarias, dado el caso, para crear el contacto eléctrico entre la primera y las demás capas funcionales eléctricas.
La figura 3a muestra el caso ideal según el layout de impresión del componente electrónico, en el que la primera capa funcional eléctrica está posicionada respecto a la zona de superficie F de modo que un primer centro de gravedad de superficie de la primera capa funcional eléctrica y un centro de gravedad de superficie SF de la zona de superficie F quedan situados uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato 1, y la otra capa funcional eléctrica está posicionada respecto a la zona de superficie F de modo que su respectivo centro de gravedad de superficie y el centro de gravedad de superficie SF de la zona de superficie F quedan situados asimismo uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato 1. Sin embargo, éste no será el caso en la práctica por las desviaciones producidas durante la impresión. La construcción por capas mostrada en la figura 3a es tolerante en relación con este tipo de desviación
o desplazamiento de la primera capa funcional en la dirección de movimiento relativo y/o una desviación o un desplazamiento de la primera capa funcional en perpendicular a la dirección de movimiento relativo respecto al caso ideal representado según el layout de impresión.
La figura 3b muestra un corte transversal C-C' a través del sustrato impreso 1 de la figura 3a, pudiéndose observar aquí el sustrato 1 y las capas funcionales eléctricas 2, 3 impresas sobre éste. A este respecto, la capa funcional eléctrica 2 forma la primera capa funcional eléctrica y la capa funcional eléctrica 3 forma otra capa funcional eléctrica.
Se ha de señalar que las representaciones de las figuras 2a a 3b explican sólo a modo de ejemplo la idea fundamental de la invención y que del contexto general se derivan para el técnico muchas otras posibilidades de usar también el procedimiento para la formación de capas funcionales eléctricas de otros componentes eléctricos en procesos continuos, sin abandonar aquí el objeto de la invención.
Claims (15)
- REIVINDICACIONES
- 1.
- Procedimiento para la fabricación de un componente electrónico sobre una superficie de un sustrato (1), configurándose el componente electrónico, visto en perpendicular a la superficie del sustrato (1), con al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F, estructurándose las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') sobre el sustrato (1) directa o indirectamente en un proceso continuo, moviéndose el sustrato (1) relativamente respecto a una unidad de estructuración, usándose como sustrato (1) un sustrato flexible con un espesor en el intervalo de 6 µm a 200 µm, que se transporta de rodillo a rodillo durante el proceso continuo,
a) estructurándose una primera capa funcional eléctrica de las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') de modo que una primera dimensión de longitud (L1) de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato (1) y en la dirección de movimiento relativo del sustrato (1) relativamente respecto a la unidad de estructuración se configura más larga en al menos 5 µm que una dimensión de longitud (LF) de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato (1), configurándose la primera capa funcional eléctrica como uno o varios electrodos y b) estructurándose una primera capa funcional eléctrica de las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') de modo que una primera dimensión de anchura (B1) de la primera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato (1) y en perpendicular a una dirección de movimiento relativo del sustrato (1) relativamente respecto a la unidad de estructuración se configura más ancha en al menos 5 µm que una dimensión de anchura (BF) de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato (1). -
- 2.
- Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado porque la primera dimensión de longitud (L1) de la primera capa funcional eléctrica en la dirección de movimiento relativo se configura más larga en 50 a 500 µm que la dimensión de longitud (LF) de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo.
-
- 3.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 ó 2, caracterizado porque la primera capa funcional eléctrica se posiciona respecto a la zona de superficie F en un layout de modo que un primer centro de gravedad de superficie de la primera capa funcional eléctrica y un centro de gravedad de superficie (SF) de la zona de superficie F quedan situados uno sobre otro, visto en perpendicular al sustrato (1).
-
- 4.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque como proceso continuo se usa un proceso de impresión, como un procedimiento de huecograbado, de impresión en relieve, de impresión planográfica, de impresión por penetración o de impresión tampográfica, un procedimiento de estructuración por láser o un procedimiento de estructuración por fotolitografía.
-
- 5.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque se selecciona una velocidad relativa del sustrato (1) respecto a la unidad de estructuración en el proceso continuo en el intervalo de 0,5 a 200 m/min.
-
- 6.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizado porque como sustrato (1) se usa una película alargada de plástico.
-
- 7.
- Procedimiento según la reivindicación 6, caracterizado porque se selecciona un espesor del sustrato (1) en el intervalo de 12 µm a 50 µm.
-
- 8.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') se configuran con un espesor de capa en cada caso en el intervalo de 1 nm a 100 µm.
-
- 9.
- Procedimiento según la reivindicación 8, caracterizado porque las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') se configuran con un espesor de capa en cada caso en el intervalo de 10 nm a 300 µm.
-
- 10.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4'), visto en corte transversal a través del sustrato (1), se disponen en el componente electrónico de manera que colindan directamente una con otra.
-
- 11.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque entre las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4'), visto en corte transversal a través del sustrato (1), se dispone en el componente electrónico al menos una tercera capa funcional eléctrica al menos en la zona de superficie F.
-
- 12.
- Procedimiento según la reivindicación 11, caracterizado porque la al menos una tercera capa funcional eléctrica sobresale por todos los lados de la zona de superficie F, visto en perpendicular a la superficie del sustrato (1), configurándose una tercera dimensión de longitud de la al menos una tercera capa funcional eléctrica en
paralelo a la superficie del sustrato (1) y en la dirección de movimiento relativo más larga en al menos 5 µm que la dimensión de longitud (LF) de la zona de superficie F en la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato (1) y configurándose una tercera dimensión de anchura de la tercera capa funcional eléctrica en paralelo a la superficie del sustrato (1) y en perpendicular a la dirección de movimiento relativo más ancha en al5 menos 5 µm que una dimensión de anchura (BF) de la zona de superficie F en perpendicular a la dirección de movimiento relativo y en paralelo a la superficie del sustrato (1). - 13. Procedimiento según la reivindicación 10, caracterizado porque la segunda capa funcional eléctrica seconfigura como capa de aislamiento eléctrico o capa semiconductora. 10
-
- 14.
- Procedimiento según la reivindicación 11, caracterizado porque la segunda capa funcional eléctrica se configura como uno o varios electrodos.
-
- 15.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 14, caracterizado porque como componente electrónico
15 se configura un transistor de efecto de campo, un condensador, un diodo o un componente que contiene al menos una vía, en cada caso con al menos una capa funcional eléctrica orgánica.
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---|---|---|---|---|
DE102005044306A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
DE102006047388A1 (de) * | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung |
US7723153B2 (en) * | 2007-12-26 | 2010-05-25 | Organicid, Inc. | Printed organic logic circuits using an organic semiconductor as a resistive load device |
US7704786B2 (en) * | 2007-12-26 | 2010-04-27 | Organicid Inc. | Printed organic logic circuits using a floating gate transistor as a load device |
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Family Cites Families (253)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB723598A (en) | 1951-09-07 | 1955-02-09 | Philips Nv | Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics |
US3512052A (en) | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
DE2102735B2 (de) | 1971-01-21 | 1979-05-10 | Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart | Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern |
US3769096A (en) | 1971-03-12 | 1973-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Pyroelectric devices |
AU488652B2 (en) | 1973-09-26 | 1976-04-01 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Improvements in or relating to security tokens |
JPS543594B2 (es) | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
DE2407110C3 (de) | 1974-02-14 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz |
JPS54101176A (en) | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
US4442019A (en) | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
US4246298A (en) | 1979-03-14 | 1981-01-20 | American Can Company | Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application |
JPS5641938U (es) | 1979-09-10 | 1981-04-17 | ||
US4340057A (en) | 1980-12-24 | 1982-07-20 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Radiation induced graft polymerization |
US4472627A (en) | 1982-09-30 | 1984-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury | Authenticating and anti-counterfeiting device for currency |
EP0108650A3 (en) | 1982-11-09 | 1986-02-12 | Zytrex Corporation | Programmable mos transistor |
DE3321071A1 (de) | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Basf Ag | Druckschalter |
DE3338597A1 (de) | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
US4554229A (en) | 1984-04-06 | 1985-11-19 | At&T Technologies, Inc. | Multilayer hybrid integrated circuit |
JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Toshiba Corp | Mis型半導体素子 |
US4726659A (en) | 1986-02-24 | 1988-02-23 | Rca Corporation | Display device having different alignment layers |
DE3768112D1 (de) | 1986-03-03 | 1991-04-04 | Toshiba Kawasaki Kk | Strahlungsdetektor. |
DE3751376T2 (de) | 1986-10-13 | 1995-11-16 | Canon Kk | Schaltungselement. |
GB2215307B (en) | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
DE68912426T2 (de) | 1988-06-21 | 1994-05-11 | Gec Avery Ltd | Herstellung von tragbaren elektronischen Karten. |
US5364735A (en) | 1988-07-01 | 1994-11-15 | Sony Corporation | Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same |
US4937119A (en) | 1988-12-15 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Textured organic optical data storage media and methods of preparation |
US5892244A (en) | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
FR2644920B1 (fr) | 1989-03-21 | 1993-09-24 | France Etat | Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent |
US6331356B1 (en) | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
EP0418504B1 (en) | 1989-07-25 | 1995-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method |
FI84862C (fi) | 1989-08-11 | 1992-01-27 | Vaisala Oy | Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
DE3942663A1 (de) | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Gao Ges Automation Org | Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement |
US5206525A (en) | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
FI91573C (sv) | 1990-01-04 | 1994-07-11 | Neste Oy | Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar |
JP2969184B2 (ja) | 1990-04-09 | 1999-11-02 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタメモリ |
FR2664430B1 (fr) | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
US5202677A (en) | 1991-01-31 | 1993-04-13 | Crystal Images, Inc. | Display apparatus using thermochromic material |
DE4103675C2 (de) | 1991-02-07 | 1993-10-21 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen |
FR2673041A1 (fr) | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
EP0501456A3 (en) | 1991-02-26 | 1992-09-09 | Sony Corporation | Video game computer provided with an optical disc drive |
US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
EP0511807A1 (en) | 1991-04-27 | 1992-11-04 | Gec Avery Limited | Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time |
JP3224829B2 (ja) | 1991-08-15 | 2001-11-05 | 株式会社東芝 | 有機電界効果型素子 |
JPH0580530A (ja) | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5173835A (en) | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
JPH0770470B2 (ja) | 1991-10-30 | 1995-07-31 | フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | 照射装置 |
JP2709223B2 (ja) | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
FR2696043B1 (fr) | 1992-09-18 | 1994-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication. |
EP0603939B1 (en) | 1992-12-21 | 1999-06-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer |
DE4243832A1 (de) | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Daimler Benz Ag | Tastsensoranordnung |
JP3457348B2 (ja) | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
FR2701117B1 (fr) | 1993-02-04 | 1995-03-10 | Asulab Sa | Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose. |
EP0615256B1 (en) | 1993-03-09 | 1998-09-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern |
US5567550A (en) | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
DE4312766C2 (de) | 1993-04-20 | 1997-02-27 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung |
JPH0722669A (ja) | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 可塑性機能素子 |
AU7563294A (en) | 1993-08-24 | 1995-03-21 | Metrika Laboratories, Inc. | Novel disposable electronic assay device |
JP3460863B2 (ja) | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2710413B1 (fr) | 1993-09-21 | 1995-11-03 | Asulab Sa | Dispositif de mesure pour capteurs amovibles. |
US5556706A (en) | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
IL111151A (en) | 1994-10-03 | 1998-09-24 | News Datacom Ltd | Secure access systems |
US6028649A (en) | 1994-04-21 | 2000-02-22 | Reveo, Inc. | Image display systems having direct and projection viewing modes |
WO1995031833A2 (en) | 1994-05-16 | 1995-11-23 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with an organic semiconductor material |
IL110318A (en) | 1994-05-23 | 1998-12-27 | Al Coat Ltd | Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices |
US5684884A (en) | 1994-05-31 | 1997-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same |
JP3246189B2 (ja) | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5528222A (en) | 1994-09-09 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency circuit and memory in thin flexible package |
US5574291A (en) | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
US5630986A (en) | 1995-01-13 | 1997-05-20 | Bayer Corporation | Dispensing instrument for fluid monitoring sensors |
DE19506907A1 (de) | 1995-02-28 | 1996-09-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom |
JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH08328031A (ja) | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Sharp Corp | フルカラー液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH0933645A (ja) | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | トランスポンダの電源回路 |
US5652645A (en) | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
US5707894A (en) | 1995-10-27 | 1998-01-13 | United Microelectronics Corporation | Bonding pad structure and method thereof |
US5625199A (en) | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
US6469683B1 (en) | 1996-01-17 | 2002-10-22 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Liquid crystal optical device |
US6326640B1 (en) | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
GB2310493B (en) | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
JP3080579B2 (ja) | 1996-03-06 | 2000-08-28 | 富士機工電子株式会社 | エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法 |
DE19610284A1 (de) | 1996-03-15 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Antennenspule |
JP2000512428A (ja) | 1996-06-12 | 2000-09-19 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | 有機多色表示器製造のための薄膜パターン化 |
DE19629656A1 (de) | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Boehringer Mannheim Gmbh | Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
DE19648937A1 (de) | 1996-11-26 | 1997-05-15 | Meonic Sys Eng Gmbh | Elektronisches Etikett |
US6259506B1 (en) | 1997-02-18 | 2001-07-10 | Spectra Science Corporation | Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials |
US6344662B1 (en) | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
US5946551A (en) | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
US5841325A (en) | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Hewlett-Packard Company | Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator |
KR100248392B1 (ko) | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
JP4509228B2 (ja) | 1997-08-22 | 2010-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
WO1999013441A2 (en) | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Precision Dynamics Corporation | Radio frequency identification tag on flexible substrate |
EP1296280A1 (en) | 1997-09-11 | 2003-03-26 | Precision Dynamics Corporation | Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials |
US6251513B1 (en) | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
JPH11142810A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
US5997817A (en) | 1997-12-05 | 1999-12-07 | Roche Diagnostics Corporation | Electrochemical biosensor test strip |
WO1999030432A1 (en) | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
US5998805A (en) | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
US6083104A (en) | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
AU739848B2 (en) | 1998-01-28 | 2001-10-18 | Thin Film Electronics Asa | A method for generation of electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions and methods for erasure of the same structures |
US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6045977A (en) | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
DE19816860A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-11-18 | Deutsche Telekom Ag | Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte |
US6033202A (en) | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
US6369793B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-04-09 | David C. Zimman | Printed display and battery |
JP4664501B2 (ja) | 1998-04-10 | 2011-04-06 | イー インク コーポレイション | 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ |
GB9808061D0 (en) | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
US6107920A (en) | 1998-06-09 | 2000-08-22 | Motorola, Inc. | Radio frequency identification tag having an article integrated antenna |
US5967048A (en) | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
KR100282393B1 (ko) | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
US6528816B1 (en) | 1998-06-19 | 2003-03-04 | Thomas Jackson | Integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production |
DE19836174C2 (de) | 1998-08-10 | 2000-10-12 | Illig Maschinenbau Adolf | Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung |
US6215130B1 (en) | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US6330464B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-12-11 | Sensors For Medicine & Science | Optical-based sensing devices |
JP4493741B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP0996176B8 (en) | 1998-10-13 | 2005-10-19 | Sony Deutschland GmbH | Method of fabricating an active matrix light-emitting display device |
DE19851703A1 (de) | 1998-10-30 | 2000-05-04 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen |
US6384804B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-05-07 | Lucent Techonologies Inc. | Display comprising organic smart pixels |
US6506438B2 (en) | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
US6321571B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
DE60035078T2 (de) | 1999-01-15 | 2008-01-31 | 3M Innovative Properties Co., St. Paul | Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme |
GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
AU5646800A (en) | 1999-03-02 | 2000-09-21 | Helix Biopharma Corporation | Card-based biosensor device |
US6180956B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US6207472B1 (en) | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
TW508975B (en) | 1999-03-29 | 2002-11-01 | Seiko Epson Corp | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
EP1113502B1 (en) | 1999-03-30 | 2007-09-19 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin-film transistor |
US6498114B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
US6072716A (en) | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
US6387736B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-05-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for bonding layers in a semiconductor device |
FR2793089B3 (fr) | 1999-04-28 | 2001-06-08 | Rene Liger | Transpondeur a antenne integree |
DE19919448A1 (de) | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Miele & Cie | Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation |
US6736985B1 (en) | 1999-05-05 | 2004-05-18 | Agere Systems Inc. | High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing |
DE19921024C2 (de) | 1999-05-06 | 2001-03-08 | Wolfgang Eichelmann | Videospielanlage |
US6383664B2 (en) | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
JP4136185B2 (ja) | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
EP1052594A1 (de) | 1999-05-14 | 2000-11-15 | Sokymat S.A. | Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE69913745T2 (de) | 1999-05-17 | 2004-10-07 | Goodyear Tire & Rubber | Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder |
TW556357B (en) | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
ATE344535T1 (de) | 1999-07-06 | 2006-11-15 | Elmos Semiconductor Ag | Cmos kompatibler soi-prozess |
US6366017B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
JP2001085272A (ja) | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
DE19933757A1 (de) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Giesecke & Devrient Gmbh | Chipkarte mit integrierter Batterie |
DE19935527A1 (de) | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Giesecke & Devrient Gmbh | Aktive Folie für Chipkarten mit Display |
DE19937262A1 (de) | 1999-08-06 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Anordnung mit Transistor-Funktion |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
JP4595143B2 (ja) | 1999-09-06 | 2010-12-08 | 双葉電子工業株式会社 | 有機elデバイスとその製造方法 |
EP1085320A1 (en) | 1999-09-13 | 2001-03-21 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials |
US6517995B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
US6888096B1 (en) | 1999-09-28 | 2005-05-03 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Laser drilling method and laser drilling device |
US6340822B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
WO2001027998A1 (en) | 1999-10-11 | 2001-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit |
US6335539B1 (en) | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6284562B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
JP2001147659A (ja) | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置 |
EP1103916A1 (de) | 1999-11-24 | 2001-05-30 | Infineon Technologies AG | Chipkarte |
US6136702A (en) | 1999-11-29 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US6621098B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-09-16 | The Penn State Research Foundation | Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material |
US6197663B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors |
AU2015901A (en) | 1999-12-21 | 2001-07-03 | Plastic Logic Limited | Inkjet-fabricated integrated circuits |
BR0016661B1 (pt) | 1999-12-21 | 2013-11-26 | Métodos para formação de um dispositivo eletrônico, dispositivo eletrônico e dispositivo de exibição | |
US7002451B2 (en) | 2000-01-11 | 2006-02-21 | Freeman Jeffrey R | Package location system |
JP2002162652A (ja) | 2000-01-31 | 2002-06-07 | Fujitsu Ltd | シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル |
US6706159B2 (en) | 2000-03-02 | 2004-03-16 | Diabetes Diagnostics | Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus |
TW497120B (en) | 2000-03-06 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP3614747B2 (ja) | 2000-03-07 | 2005-01-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 |
DE10012204A1 (de) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Siemens Ag | Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut |
EP1134694A1 (de) | 2000-03-16 | 2001-09-19 | Infineon Technologies AG | Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung |
JP2001267578A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
KR100767204B1 (ko) | 2000-03-28 | 2007-10-17 | 다이어베티스 다이어그노스틱스, 인크. | 일회용 전기화학적 센서의 연속 제조 방법 |
AU2001259187A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-07 | Add-Vision, Inc. | Screen printing light-emitting polymer patterned devices |
AU2001264879A1 (en) | 2000-05-24 | 2001-12-03 | Schott Donnelly Llc | Electrochromic devices |
US6535057B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-03-18 | Stmicroelectronics Ltd. | Programmable glitch filter |
US6329226B1 (en) | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
CN1211695C (zh) | 2000-06-06 | 2005-07-20 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
DE10032260B4 (de) | 2000-07-03 | 2004-04-29 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie |
DE10033112C2 (de) | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
US6483473B1 (en) | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Marconi Communications Inc. | Wireless communication device and method |
DE10120687A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
US7875975B2 (en) | 2000-08-18 | 2011-01-25 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag |
EP1310004A2 (de) | 2000-08-18 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen |
JP2002068324A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Nippon Sanso Corp | 断熱容器 |
DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
US6699728B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Patterning of electrodes in oled devices |
DE10044842A1 (de) | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters |
DE10045192A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers |
DE10047171A1 (de) | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu |
KR20020036916A (ko) | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
DE10058559A1 (de) | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Interactiva Biotechnologie Gmb | System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter |
US6859093B1 (en) | 2000-11-28 | 2005-02-22 | Precision Dynamics Corporation | Rectifying charge storage device with bi-stable states |
KR100390522B1 (ko) | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
EP1215725A3 (de) | 2000-12-18 | 2005-03-23 | cubit electronics Gmbh | Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bauteile und kontaktloser Transponder |
GB2371910A (en) | 2001-01-31 | 2002-08-07 | Seiko Epson Corp | Display devices |
DE10105914C1 (de) | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
US6767807B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-07-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for producing organic thin film device and transfer material used therein |
JP2002289355A (ja) | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置 |
DE10117663B4 (de) | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
DE10120686A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung |
US6781868B2 (en) | 2001-05-07 | 2004-08-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Molecular memory device |
US20020170897A1 (en) | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
US7244669B2 (en) | 2001-05-23 | 2007-07-17 | Plastic Logic Limited | Patterning of devices |
DE10126859A1 (de) | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
DE10126860C2 (de) | 2001-06-01 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen |
US6870180B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
JP2003017248A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子 |
DE20111825U1 (de) | 2001-07-20 | 2002-01-17 | Lammering Thomas | Printmedium |
JP4219807B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2009-02-04 | 旭化成株式会社 | 有機半導体素子 |
DE10141440A1 (de) | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Daimler Chrysler Ag | Tripodegelenk |
JP2003089259A (ja) | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
US7351660B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
US6679036B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-01-20 | Shunchi Crankshaft Co., Ltd. | Drive gear shaft structure of a self-moving type mower |
DE10151440C1 (de) | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
DE10153656A1 (de) | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht |
DE10160732A1 (de) | 2001-12-11 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu |
DE10163267A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts |
DE10209400A1 (de) | 2002-03-04 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung |
US6596569B1 (en) | 2002-03-15 | 2003-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US7204425B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-04-17 | Precision Dynamics Corporation | Enhanced identification appliance |
DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2004-02-05 | Siemens Ag | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
DE10219905B4 (de) | 2002-05-03 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements |
EP1367659B1 (en) * | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
KR100874638B1 (ko) * | 2002-06-01 | 2008-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로루미네센스 표시소자의 제조장치 및 방법 |
US6812509B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
DE10229168A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht |
EP1383179A2 (en) | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device |
AT502890B1 (de) | 2002-10-15 | 2011-04-15 | Atomic Austria Gmbh | Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination |
US6870183B2 (en) | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
EP1559148A2 (de) | 2002-11-05 | 2005-08-03 | Siemens Aktiengesellschaft | ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU |
US7442954B2 (en) | 2002-11-19 | 2008-10-28 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component |
EP1563554B1 (de) | 2002-11-19 | 2012-01-04 | PolyIC GmbH & Co. KG | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten |
TWI233771B (en) * | 2002-12-13 | 2005-06-01 | Victor Company Of Japan | Flexible rigid printed circuit board and method of fabricating the board |
US7088145B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | AC powered logic circuitry |
EP1434281A3 (en) | 2002-12-26 | 2007-10-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit |
DE10302149A1 (de) | 2003-01-21 | 2005-08-25 | Siemens Ag | Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik |
JP2004335492A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-11-25 | Junji Kido | 有機電子材料の塗布装置およびそれを使用した有機電子素子の製造方法 |
US8665247B2 (en) | 2003-05-30 | 2014-03-04 | Global Oled Technology Llc | Flexible display |
US6950157B2 (en) | 2003-06-05 | 2005-09-27 | Eastman Kodak Company | Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer |
FI20030919A (fi) * | 2003-06-19 | 2004-12-20 | Avantone Oy | Menetelmä ja laitteisto elektronisen ohutkalvokomponentin valmistamiseksi sekä elektroninen ohutkalvokomponentti |
DE10330063A1 (de) | 2003-07-03 | 2005-02-03 | Siemens Ag | Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz |
DE10330064B3 (de) | 2003-07-03 | 2004-12-09 | Siemens Ag | Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen |
US20050023972A1 (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Lewandowski Mark A. | Method for printing electroluminescent lamps |
DE10335336B4 (de) | 2003-08-01 | 2011-06-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene |
DE10338277A1 (de) | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Siemens Ag | Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität |
ATE361532T1 (de) * | 2003-09-02 | 2007-05-15 | Plastic Logic Ltd | Herstellung elektronischer bauelemente |
DE10340641A1 (de) | 2003-09-03 | 2005-04-07 | Siemens Ag | Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren |
US7102155B2 (en) * | 2003-09-04 | 2006-09-05 | Hitachi, Ltd. | Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production |
JP4400327B2 (ja) | 2003-09-11 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | タイル状素子用配線形成方法 |
US7122828B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-10-17 | Lucent Technologies, Inc. | Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same |
JP4415653B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2010-02-17 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US7358530B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Thin-film transistor array with ring geometry |
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