TWI417616B - 顯示裝置用照明裝置及顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置用照明裝置及顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI417616B
TWI417616B TW098140091A TW98140091A TWI417616B TW I417616 B TWI417616 B TW I417616B TW 098140091 A TW098140091 A TW 098140091A TW 98140091 A TW98140091 A TW 98140091A TW I417616 B TWI417616 B TW I417616B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display device
light
phosphor
resin
emitting diode
Prior art date
Application number
TW098140091A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201030427A (en
Inventor
Hisayuki Miki
Kousuke Shioi
Naoto Hirosaki
Original Assignee
Nat Inst For Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Inst For Materials Science filed Critical Nat Inst For Materials Science
Publication of TW201030427A publication Critical patent/TW201030427A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI417616B publication Critical patent/TWI417616B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261—Milling
    • C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3865—Aluminium nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • C04B2235/3878—Alpha silicon nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3895—Non-oxides with a defined oxygen content, e.g. SiOC, TiON
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/761—Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]

Description

顯示裝置用照明裝置及顯示裝置
本發明係關於顯示裝置用照明裝置及顯示裝置，特別是關於色彩再現性(color reproducibility)高的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
本案係根據2008年11月28日在日本申請的專利申請案第2008-305317號主張優先權，其內容援用於此。
近年來，為了進一步提高液晶顯示裝置的性能，在使用於透過型液晶顯示面板之背光(顯示裝置用照明裝置)中，更進而要求高亮度化與高度色彩再現性。因此，該背光方面，過去以組合螢光顯示管與導光板之物為主流，但近年來，使用到LED裝置之物逐漸被採用。在使用到該LED裝置的背光方面，有例如將白色LED裝置配列於複數基板上之物。
該白色LED裝置方面，周知有：組合藍色發光二極體元件(藍色LED晶片)與藍色吸收黃色發光螢光體的白色發光二極體裝置(BY型白色LED裝置)；或組合藍色LED晶片、藍色吸收綠色發光螢光體、及藍色吸收紅色發光螢光體的白色發光二極體裝置(RGB型白色LED裝置)，正被實用化成為前述背光等。
該BY型白色LED裝置方面，例如在專利文獻1有揭示一種白色發光二極體裝置，其係組合藍色發光二極體元件與藍色吸收黃色發光螢光體的裝置。又，專利文獻2亦揭示有關同樣構成之發光二極體裝置。另外，在專利文獻3亦揭示一種發光元件，其係對於同樣構成的發光二極體裝置，使用波長變換鑄製(casting)材料的發光元件。
在該RGB型白色LED裝置方面，例如在專利文獻4揭示一種附螢光體的發光二極體，其具備：發出紫外光或近紫外光的半導體發光元件；成膜於元件表面的螢光體。在該構成中，因應成膜於元件表面之螢光體種類，可使該附螢光體的發光二極體裝置(LED裝置)之發光色，成為藍、綠或紅色。又，在專利文獻5揭示有一種點矩陣(dot matrix type)顯示裝置，該裝置具備：由III族氮化物半導體所構成的發光層；接受自該發光層所發出之發光波長峰值波長為380nm之紫外光，且各自發出紅色、綠色及藍色的三原色之光的三種螢光體層。
此外，專利文獻1至5記載的LED裝置可藉由例如專利文獻6、專利文獻7等所記載之周知的方法來製造。
以該等發光二極體作為藍色吸收黃色發光螢光體，特別是常用的螢光體係以通式(Y,Gd)3 (Al,Ga)5 O12 ：Ce3+ 表示，並以鈰賦活的釔‧鋁‧石榴石(garnet)(YAG)系氧化物螢光體。
該BY型白色LED裝置的紅色成分不足，成了藍白發光，會有觀察到色調校性(color rendering properties)偏差的問題。又，隨著使該藍色LED晶片成為高亮度而發熱量增大，使得一部分分解而無法顯示發光，故亦有螢光體，其問題為造成該白色LED晶片的發光亮度降低。另外又在YAG螢光體等中，因高溫下之變換效率差，亦有在高溫的環境下發光強度急速降低的問題。
在藍色吸收黃色發光螢光體方面，周知除了前述釔‧鋁‧石榴石(YAG)系氧化物螢光體以外，亦有硫化物系螢光體。例如在專利文獻8揭示有一種半導體發光元件，其係使用：發出390至420nm波長之光的半導體發光元件，與藉由來自該半導體發光元件之發光所激發的螢光體，而發出白色光者。在以390至420nm波長之光所激發並發光的螢光體方面，可使用各式各樣的氧化物或硫化物之螢光體。但是，該硫化物系螢光體有化學穩定性差的困難之處，作為白色LED裝置並無法確保必要的使用壽命特性。
在藍色吸收黃色發光螢光體方面，周知除了上述螢光體以外，尚有矽酸鹽螢光體、磷酸鹽螢光體、鋁酸鹽螢光體等。但是，該等螢光體亦因暴露於具有真空紫外線、紫外線、電子束、藍色光等高能量的激發源中，螢光體之發光亮度會降低。
一方面，已有報告表示，氮化矽螢光體等之氧氮化物螢光體即使暴露於該激發源中，亮度仍少有降低。例如，在專利文獻9揭示有一種含有鈣的氮化矽螢光體。在此，該氮化矽螢光體首先係以預定的莫耳比混合氮化矽(Si3 N4 )、氮化鋁(AlN)、碳酸鈣(CaCO3 )、及氧化銪(Eu2 O3 )後，在1氣壓(0.1MPa)之氮中，於1700℃之溫度下保持1小時，並以熱壓法燒成來製造。固體溶解(solid-solubilizing)以該方法所獲得之Eu離子的α型氮化矽螢光體，係一種藍色吸收黃色發光螢光體，其係被450至500nm之藍色光所激發而發出550至600nm之黃色光。
又，在專利文獻10係揭示一種B型氮化矽螢光體，其係關於其他的氮化矽螢光體，具有β-Si3 N4 構造。該β型氮化矽螢光體係藉由近紫外~藍色光所激發而進行500至600nm之綠色至橙色發光的藍色吸收黃色發光螢光體。
另外，專利文獻11揭示一種由JEM相所構成的氧氮化物螢光體。該氧氮化物螢光體係被近紫外~藍色光所激發，進行在460至510nm具有發光波長峰值的發光之藍色吸收綠色發光螢光體。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]　日本專利第2900928號公報
[專利文獻2]　日本專利第2927279號公報
[專利文獻3]　日本專利第3364229號公報
[專利文獻4]　日本特開平10-12925號公報
[專利文獻5]　日本特開平9-153664號公報
[專利文獻6]　日本特開平5-152609號公報
[專利文獻7]　日本特開平7-99345號公報
[專利文獻8]　日本特開2002-171000號公報
[專利文獻9]　日本特開2002-363554號公報
[專利文獻10]　日本特開2005-255895號公報
[專利文獻11]　日本特開2006-232868號公報
本發明係鑒於上述情事而完成者，其目的係提供一種高亮度、使用壽命長，且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
本發明人等為了解決上述課題經一再戮力硏究，結果首先發現具有通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 表示的組成之螢光材料，其中，M(0)為從由鋰、鈉、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鈧、釔、鑭、釓及鎦所組成之群中選出的一種以上的元素；M(1)為從由錳、鈰、鐠、釹，釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩及鐿所組成之群中選出的一種以上的活化劑；M(2)為從由矽、鍺、錫，鈦、鉿及鋯所組成之群中選出的一種以上的元素；M(3)為從由鈹、硼、鋁、鎵、銦、鉈及鋅所組成之群中選出的一種以上的元素；O為氧元素；N為氮元素；螢光體是調整為使M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、O及N之原子比滿足全部：x、y及z各自為33≦x≦51、8≦y≦12、及36≦z≦56、a及b為3≦a+b≦7、且0.001≦b≦1.2、當m及n為me=a+b時，0.8‧me≦m≦1.2‧me、且0≦n≦7，而且v係v={a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)(式中，v(0)係M(0)離子之價數，v(1)為M(1)離子之價數)，該螢光體係顯示發光光譜之半值寬度狹窄，發光峰值波長在520nm附近的綠色發光，適合作為該RGB型白色LED裝置的藍色吸收綠色發光螢光體。
基於該真知灼見另外進行硏究的結果，完成以下構成之本發明。亦即：
(1)一種顯示裝置用照明裝置，其係由基板與配置於該基板上的複數個白色發光裝置所構成，使用作為液晶顯示面板之背光的顯示裝置用照明裝置，該白色發光裝置具有光源，及藉由該光源所激發而發光之螢光體，該螢光體係使用通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 表示組成的螢光材料(其中，M(0)為從由鋰、鈉、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鈧、釔、鑭、釓及鎦所組成之群中選出的一種以上之元素；M(1)為從由錳、鈰、鐠、釹、釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩及鐿所組成之群中選出的一種以上的活化劑；M(2)為從由矽、鍺、錫、鈦、鉿及鋯所組成之群中選出的一種以上的元素；M(3)為從由鈹、硼、鋁、鎵、銦、鉈及鋅所組成之群中選出的一種以上的元素；O為氧元素；N為氮元素，x、y及z係各自滿足33≦x≦51，8≦y≦12，及36≦z≦56的數值；a及b係滿足3≦a+b≦7、且0.001≦b≦1.2的數值；m及n係當me=a+b時，滿足0.8‧me≦m≦1.2‧me且0≦n≦7的數值，而且v係在使v(0)為M(0)離子之價數，使v(1)為M(1)離子之價數時，滿足v={a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)的數值)。
(2)如第(1)項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之M(1)為銪，且b為滿足0.005≦b≦0.3的數值。
(3)如第(1)或(2)項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之M(1)為銪，且b為滿足0.01≦b≦0.2的數值。
(4)如第(1)至(3)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之x、y及z各自為x=42、y=10及z=46。
(5)如第(1)至(4)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之M(0)係從由鈣、鍶及鋇所組成之群中選出的一種以上的元素。
(6)如第1至5項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之M(2)為矽，且M(3)為鋁。
(7)如第(1)至(6)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之n為滿足n≦me的數值。
(8)如第(1)至(7)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之使用，係該螢光材料之含有率為80體積%以上，剩餘部分係從由β-氮化矽(β-sialon)、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 所組成之群中選出的一種以上的物質。
(9)如第(1)至(8)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之平均粒徑為0.1μm以上、50μm以下的粉體。
(10)如第(9)項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之平均長寬比為20以下。
(11)如第(1)至(10)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體含有氟5至300ppm。
(12)如第(1)至(11)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體含有硼10至3000ppm。
(13)如第(1)至(12)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中有透明膜形成於該螢光體之至少一部分表面，當該透明膜之折射率為nk 時，該透明膜之厚度為(10至180)/nk (單位：奈米)。
(14)如第(13)項之顯示裝置用照明裝置，其中該透明膜之折射率nk為1.2以上、2.5以下。
(15)如第(14)項之顯示裝置用照明裝置，其中該透明膜之折射率nk 為1.5以上、2.0以下。
(16)如第(1)至(15)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體係該螢光材料而且使用紅色發光螢光材料。
(17)如第(16)項之顯示裝置用照明裝置，其中該紅色發光螢光材料係CaAlSiN3 ：銪。
(18)如第(1)至(17)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光峰值波長330至500nm的藍色發光LED晶片。
(19)如第(18)項之顯示裝置用照明裝置，其中該LED晶片之發光峰值波長為420至470nm。
(20)如第(1)至(19)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其係將來自該LED晶片之藍色發光、來自藉由該藍色發光所激發之該螢光材料的綠色發光、來自藉由該藍色發光所激發之該紅色發光螢光材料的紅色發光予以混色，而自該白色發光裝置獲得白色發光。
(21)如第(1)至(20)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該白色發光裝置為殼型白色LED裝置或表面組裝型白色LED裝置。
(22)如第(21)項之顯示裝置用照明裝置，其中該殼型白色LED裝置或該表面組裝型白色LED裝置具有反射面，該反射面係將該LED晶片之發光朝向正面方向反射。
(23)如第(21)或(22)項之顯示裝置用照明裝置，其中該表面組裝型白色LED裝置具有壁面構件，其係配置為包圍該LED晶片，且在該壁面構件形成有該反射面。
(24)如第(21)至(23)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該表面組裝型白色LED裝置係將該LED晶片直接組裝於配線基板上的晶板接裝(chip on board)型裝置。
(25)如第(21)至(24)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該配線基板及/或該壁面構件，含有樹脂製構件及/或陶瓷製構件。
(26)如第(25)項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂製構件係由熱硬化性樹脂材料所組成。
(27)如第(1)至(26)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該白色發光裝置係具有該LED晶片、及包圍該LED晶片所形成之樹脂，且使該螢光體分散於該樹脂中。
(28)如第(27)項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體係分散於該樹脂中，以在該LED晶片附近成為高密度。其中，LED晶片之「附近」通常係指自LED晶片之表面至0μm至1000μm，較佳為0μm至500μm之距離。「高密度」係指相對地高密度之意，本說明書中，存在於前述附近之該螢光體的密度較佳為相較於存在於前述附近以外之該螢光體的密度更高，在該LED晶片之附近部分亦可容許100%之密度。
(29)如第(27)或(28)項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係由：形成為覆蓋該LED晶片之第一樹脂及形成為覆蓋該第一樹脂之第二樹脂所組成；該螢光體係分散於該第一樹脂中。
(30)如第(1)至(26)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體係直接附著以包覆該LED晶片之至少一面。
(31)如第(30)項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體形成為層狀。
(32)如第(30)或(31)項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之厚度為1μm至100μm。
(33)如第(27)至(32)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係在至少一部分的區域含有聚矽氧樹脂。
(34)如第(33)項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係在至少一部分區域含有甲基聚矽氧樹脂。
(35)如第(33)或(34)之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係在至少一部分區域含有苯基聚矽氧樹脂。
(36)如第(1)至(35)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該LED晶片的一邊大於350μm。其中，該LED晶片一邊之大小若大於350μm，且可發揮本發明之效果則無特別限定，通常以小於5mm為佳。
(37)如第(1)至(36)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，其中該LED晶片呈複數個配置。
(38)如第(1)至(37)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，係該白色發光裝置每一封裝體投入之電力為0.2W以上地來作使用，在此，該白色發光裝置每一封裝體投入之電力為0.2W以上，且若可發揮本發明之效果時，則無特別限定，通常宜為5W以下。
(39)如第(1)至(38)項中任一項之顯示裝置用照明裝置，係該白色發光裝置每一封裝體投入之電力就該LED晶片每一個之平面面積密度而言為1.5×104 W/m2 以上地來作使用，其中，該白色發光裝置每一封裝體所投入的電力以該LED晶片每一個之平面面積密度而言，為1.5×104 W/m2 以上，只要可發揮本發明之效果，則無特別限定，通常宜為1×106 W/m2 以下，更宜為2×105 W/m2 以下。
(40)如第(39)項之顯示裝置用照明裝置，係該白色發光裝置每一封裝體投入之電力就該LED晶片每一個之平面面積密度而言為5×104 W/m2 以上地來作使用，其中，該白色發光裝置每一封裝體投入之電力就該LED晶片每一個之平面面積密度而言為5×104 W/m2 以上，只要可發揮本發明之效果，則無特別限定，通常宜為2×105 W/m2 以下。
(41)一種顯示裝置，其具備第(1)至(40)項中任一項之顯示裝置用照明裝置及透過型液晶顯示面板。
根據上述之構成，可提供一種高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
本發明之顯示裝置用照明裝置係使用作為透過型液晶顯示面板之背光的顯示裝置用照明裝置，該顯示裝置用照明裝置係由：矩形之基板、及配置於該基板上的複數個發光裝置所組成，該發光裝置具有：光源、及藉由該光源所激發而發光之螢光體，該螢光體係使用以通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 表示組成之螢光材料，該通式中，M(0)為從由鋰、鈉、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鈧、釔、鑭、釓及鎦所組成之群中選出的一種以上之元素；M(1)為從由錳、鈰、鐠、釹、釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩及鐿所組成之群中選出的一種以上的活化劑；M(2)為從由矽、鍺、錫、鈦、鉿及鋯所組成之群中選出的一種以上的元素；M(3)為從由鈹、硼、鋁、鎵、銦、鉈及鋅所組成之群中選出的一種以上的元素；O為氧元素；N為氮元素，因係調整為使M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、O及N之原子比至可滿足全部：x、y及z各自為33≦x≦51、8≦y≦12、及36≦z≦56；a及b為3≦a+b≦7、且0.001≦b≦1.2；m及n係當me=a+b時，為0.8‧me≦m≦1.2‧me、且0≦n≦7，而且v係v={a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)(其中，v(0)為M(0)離子之價數，v(1)為M(1)離子之價數)的構成，故可使該螢光體成為發光峰值波長在520nm附近之藍色吸收綠色發光螢光體，使綠色發光之色度座標(chromaticity coordinate)成為最適於顯示器的座標，可獲得高亮度、使用壽命長，且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
有關本發明的實施方式說明如下。
(第一實施形態)
第1圖係說明為本發明實施形態的顯示裝置之一例的剖面模式圖。
如第1圖所示，為本發明實施形態的顯示裝置201，具有以下而概略構成：透過型液晶顯示面板211、濾色片212、及為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221。
<透過型液晶顯示面板211>
透過型液晶顯示面板211之構成係：由積層液晶層、透明電極層、及配向膜等而成，同時在平視時，為具有配列成格子狀的複數個像素部；獨立地控制各像素部而控制該液晶層之液晶配向(圖示省略)。此外，在透過型液晶顯示面板211方面，可使用周知之物。有關詳細構成之說明，在此省略。
<濾色片212>
濾色片212係紅、綠、藍(RGB)三原色之濾色片部排列成複數個格子狀而成的光透過性薄膜，其中各濾色片部係形成為與透過型液晶顯示面板211之像素部對應(省略圖示)。此外，濾色片212亦可使用周知之物。關於詳細構成之說明，在此省略。
又，濾色片212在第1圖中係配置於透過型液晶顯示面板211與顯示裝置用照明裝置221之間，但並不限定如此，例如亦可配置於透過型液晶顯示面板211之正面方向f之面。
<顯示裝置用照明裝置221>
如第1圖所示，本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221係在基板214之正面方向f的面214a上配置有複數個白色發光裝置200而成。
白色發光裝置200方面，係使用殼型白色LED裝置(殼型白色發光二極體燈)1。殼型白色LED裝置1係透過導線2、3與基板214連接。
在第1圖中雖予省略，但在基板214之正面側的面214a上及/或內部形成有配線，該配線與導線2、3連接，同時，與安裝於基板214的電氣信號控制部連接。藉此，可成為操作該電氣信號控制部，並進行殼型白色LED裝置1之發光開關(ON-OFF)及發光亮度之控制等的構成。
自殼型白色LED裝置1射出至正面方向f的光係構成為：如第1圖之箭頭1所示，通過濾色片212及透過型液晶顯示面板211，朝向正面方向f射出。
第2圖係表示顯示裝置用照明裝置之一例的平面模式圖。
如第2圖所示，本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，以平面視圖觀之時，在大致矩形之基板214上，格子狀配置複數個白色發光裝置200。
白色發光裝置200之數量與配置，只要配置成如下，並非一定限定於第2圖所示之數量與配置：來自顯示裝置用照明裝置221之光通過濾色片212及透過型液晶顯示面板211，朝向正面方向f射出時，透過型液晶顯示面板211之顯示面211a內呈均勻強度之光。
第3圖係第1圖所示白色發光裝置200(殼型白色LED裝置1)的放大剖面圖。
如第3圖所示，殼型白色LED裝置1具備第一導線2與第二導線3，在第一導線2之前端部2b具有凹部2a，在該凹部2a中儲放(storing)作為光源40的發光二極體元件(LED晶片)4。
LED晶片4係上下電極型，下部電極4a係藉由凹部2a之底面而與導電性糊電性連接，上部電極4b係藉由第二導線3而與接合引線(細金線)5電性連接。
此外，第一導線2之凹部2a係剖面形狀為倒梯形形狀，具有朝向正面方向f的底面與側壁面。該凹部2a之底面與側壁面係被當作使LED晶片4之光反射並朝向正面方向f射出的反射面。
＜光源＞
作為光源40，係使用發光二極體元件(LED晶片)4。藉由使用LED晶片4作為光源40，可使裝置小尺寸化，可抑制電力消耗。又，LED晶片4可便宜且大量的使用，故可抑制顯示裝置用照明裝置221及顯示裝置201之製造成本。
對於LED晶片4而言，發光峰值波長為330至500nm的藍色發光之晶片較佳，發光峰值波長為420至470nm更佳。藉此，可有效率地激發螢光體，同時可作為適合白色發光裝置200的藍色發光。
LED晶片4，從提高發光效率之觀點言之，宜為使用氮化鎵系化合物半導體，例如，使用MOCVD法或HVPE法等而形成。氮化鎵系化合物半導體之構造方面，可為具有MIS接合、PIN接合或pn接合等的同質(homo)構造、異質構造或雙異質(double hetero)構造。LED晶片4之發光層宜為使用由Inα Alβ Ga1-α -β N(其中0≦α、0≦β、α+β≦1)所構成之氮化鎵系化合物半導體，並宜為具有量子效果的單層量子井(single quantum well)構造或多層量子井(multi quantum well)構造。此外，藉由控制該氮化物系化合物半導體之材料組成或其混晶度等，即可控制來自該發光層之發光峰值波長。
＜樹脂＞
以包圍配置於凹部2a的LED晶片4的方式將透明的第一樹脂6填充於凹部2a。又，在第一樹脂6中，分散有螢光體7。
與以包圍凹部2a之第一樹脂6的方式同時，以包圍第一導線2之前端部2b及第二導線3之前端部3b的方式來形成透明第二樹脂8。此外，第二樹脂8之形狀，全體大致為圓柱形，而其前端部係被作成透鏡形狀之曲面的殼型。藉由第一樹脂6及第二樹脂8，可完全封閉LED晶片4。
第一樹脂6與第二樹脂8之材質宜為選擇因紫外線光所致之劣化儘可能少的材料，較佳為含有聚矽氧樹脂，更佳為含有甲基聚矽氧樹脂或苯基聚矽氧樹脂。聚矽氧樹脂對短波長之光具有抵抗性，故適合用於封閉短波長發光之LED晶片4。另外，因為樹脂係屬具柔軟性的甲基聚矽氧樹脂，所以可避免接合引線之斷裂。另一方面，亦可為具剛性的苯基聚矽氧樹脂。在此情形，可防止濕氣等貫穿LED晶片4，在使用於高濕等嚴苛環境之際，極為適當。此外，含有聚碳酸酯樹脂、環氧樹脂等的其他樹脂或玻璃等之透明材料亦可。
雖然第一樹脂6與第二樹脂8可使用相同樹脂也可使用不同樹脂，但就製造容易性或黏接性良好等而言，使用相同的樹脂較佳。
又，因為螢光體7相較於其他的螢光體溫度所致之特性變化少，所以即使螢光體7配置於LED晶片4附近因而收到來自LED晶片4的熱而導致螢光體7之溫度上升，也可使發光特性之變化減少。
＜樹脂之折射率＞
在使用氮化鎵系化合物半導體作為光源40的LED晶片4之發光材料之情況，由於該氮化鎵系化合物半導體具有2.4至2.5左右之非常高的折射率，故就覆蓋LED晶片4的第1樹脂6而言，具有高於1.2之折射率的樹脂較佳。一方面，覆蓋第1樹脂6的第2樹脂8，較佳為低於第1樹脂6之折射率的樹脂。藉此，可提高來自LED晶片4的光之擷取效率。
〈螢光體〉
螢光體7含有通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 表示組成之螢光材料。其中，O為氧元素、N為氮元素。由於含有該螢光材料作為螢光體7，因此可提高發光強度。此外，關於該通式之各組成詳細說明如下。
＜M(0)元素＞
M(0)元素宜為使用選自鋰、鈉、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鈧、釔、鑭、釓及鎦中的1種以上的元素，更宜為使用選自鈣、鍶及鋇中的一種以上的元素，特宜為使用鍶。
藉由使用選自鈣、鍶及鋇的一種以上作為M(0)元素，可獲得充分高的發光強度。又，藉由使用鍶作為M(0)元素，可獲得更高的發光亮度。
此外，當鍶的一部分被鈣取代時，則可使發光色偏移(shift)至長波長側，當被鋇取代，則使之偏移至短波長側。
＜M(1)元素＞
M(1)元素宜為使用選自作為活化劑的錳、鈰、鐠、釹，釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩及鐿中的1種以上的元素，更宜為使用選自鈰、銪及鐿中的一種以上的元素，特宜為使用銪。
藉由使用選自作為活化劑的錳、鈰、鐠、釹、釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩及鐿中的1種以上的元素作為M(1)元素，使該螢光材料之發光峰值波長成為480至540nm，即可使發光色成為藍綠色至綠色。藉此，即可接近用於顯示裝置用照明裝置(背光)所使用之白色發光的綠色發光之理想色度座標。
藉由使用銪作為M(1)元素，使該螢光材料之發光峰值波長成為495至525nm，即可使發光色成為藍綠色至綠色。藉此，可使螢光體7之綠色發光的色度座標位置接近綠色發光的更理想色度座標。
該通式之M(1)元素之成分比b之值，較佳的範圍為0.001≦b≦1.2。b之值若小於0.001時，由於發光的原子數過少，故無法獲得充分的發光強度，又若超過1.2時，則因濃度驟熄(concentration quenching)，故發光強度降低，任一種均不佳。
b之值更宜為0.005≦b≦0.3，特宜為0.01≦b≦0.2。只要在該範圍內，即可獲得充分高的發光強度。又，藉此，可將螢光體7之發光峰值波長限制在520nm附近左右，以使螢光體7之綠色發光之色度座標位置更接近綠色發光的理想色度座標。
又，可使螢光體7之發光光譜的半值寬度(half value width)變窄，以使螢光體7之綠色發光的色度座標位置配置於色度圖上的更外側。由構成白色發光的RGB所組成之三原色的發光的色度座標，係藉由各自在色度圖上配置於更外側，即可更形擴大形成該三原色之色度座標的三角形的色再現區域面積。藉由使用具備具有此種發光特性的白色發光裝置200的顯示裝置用照明裝置221，即可提高顯示裝置201之色彩再現性。
此外，Eu(銪)係在正二價時顯示良好的發光。因此，螢光體7所含全部銪所占二價與三價之比率，以二價越多越好，全部銪所占二價之比率宜為50%以上。更佳為80%以上。因為當三價銪殘留時會顯現出異於二價銪之波長的發光，造成發光色之變化，故不佳。因此，使用含三價銪的化合物作為原料時，銪必須在燒成過程還原。銪之二價與三價之比率，係藉由X線吸收微細構造(XAFS：X線吸收精細結構)解析法來進行分析。
又，M(1)元素為Yb時，亦顯現出綠色發光。
＜M(2)元素、M(3)元素＞
M(2)元素宜為選自矽、鍺、錫、鈦、鉿及鋯中的1種以上的元素，更宜為矽。藉此，自螢光體7可獲得充分高的發光強度。
M(3)元素宜為選自鈹、硼、鋁、鎵、銦、鉈及鋅中的1種以上的元素，更宜為鋁。藉此，可自螢光體7獲得充分高的發光強度。
＜x、y、z＞
x、y及z之值各自以33≦x≦51、8≦y≦12、及36≦z≦56為佳，以x=42、y=10、及z=46更佳。藉此，可自螢光體7獲得充分高的發光強度。
＜a、b＞
a+b值之較佳範圍為3≦a+b≦7。
a+b之值若小於3時，則由於選自β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上的物質等之其他結晶相或非晶形相之含量增大，發光強度降低，故不佳。
又，a+b之值若大於7時，則選自β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上的物質等之其他結晶相或非晶形相之含量增大，發光強度降低，同時，溫度特性亦降低，故並不佳。
＜m、n＞
m之值為me=a+b時，宜為0.8‧me≦m≦1.2‧me。藉此，可自螢光體7獲得充分高的發光強度。
n之值為0≦n≦7，但使M(0)離子之價數為v(0)、M(1)離子之價數為v(1)時，宜為在0≦n≦{a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)之範圍。
n之值若小於{a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)時，因而可提高溫度特性，同時使長寬比變小，並對樹脂的分散性提高。又，n之值若小於{a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)時，可使發光波長偏移至長波長側。
一方面，n之值若大於{a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)時，選自β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 之一種以上物質等之其他結晶相或非晶形相之含量增大，可見到發光強度降低的傾向。
又，宜為n≦me。藉此，可自螢光體7獲得充分高的發光強度。
螢光體7之該螢光材料的a、b、x、y、z、m及n之值若偏離上述記載之範圍時，則發光強度降低，故並不佳。
螢光體7的該螢光材料的含有率為80體積%以上，剩餘部分亦可為選自β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 之一種以上物質的螢光體。此外，剩餘部分之物質亦可為結晶相或非晶形相之任一種。藉此，可自螢光體7獲得充分高的發光強度。此外，該螢光材料之含量若小於80體積%時，則無法自螢光體7獲得充分高的發光強度。
＜平均粒徑＞
螢光體7的平均粒徑宜為0.1μm以上、50μm以下之範圍。
該平均粒徑若小於0.1μm時，該螢光體之表面缺陷的影響變得顯著，發光強度降低。相反的，該平均粒徑若大於50μm時，激發光之吸收變得不充分，發光強度降低。此外，螢光體7之粒度可使用雷射繞射‧散射法進行測定。
＜平均長寬比＞
構成螢光體7之粉末的初級粒子之平均長寬比宜為20以下。藉此，除了可使螢光體7對樹脂的分散性提高以外，可有效率地在螢光體7吸收激發光，可自螢光體7獲得充分高的發光強度。
該平均長寬比大於20時，難以將螢光體7捏合於樹脂，在樹脂與螢光體7之間產生空隙。此種空隙使光散射，並使白色發光裝置200之發光特性惡化。又，該初級粒子纏結(entanglement)，或與激發光平行地配列，而該初級粒子之激發光的吸收呈現不充分，而無法獲得充分高的發光強度。此外，該初級粒子之形狀為板狀時，則由其剖面形狀求得長寬比。
＜微量添加元素＞
螢光體7作為微量添加元素，宜為含有氟5至300ppm及/或硼10至3000ppm。
在含有氟5至300ppm或含有硼10至3000ppm時，可自螢光體7獲得更良好的發光特性。此現象就氟為5ppm以上、就硼為10ppm以上雖是特別顯著，但在前者超過300ppm、在後者超過3000ppm時，則無法獲得進一步的效果。
＜透明膜＞
在螢光體7之至少一部分表面宜為形成透明膜。藉由形成該透明膜，即可減低螢光體7與第一樹脂6之界面中的光損失。
作為該透明膜之合適的材質方面，可例示二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、鎂礬土(magnesia)或氟化鎂等之無機物質、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚甲基苯乙烯等之樹脂。
該透明膜之厚度，在使該透明膜之折射率為nk 時，宜為(10至180)/nk (單位：奈米)。亦即，該透明膜之適當厚度係由該透明膜之折射率nk 而規定。
該透明膜之厚度較上述範圍更厚時，該透明膜本身會吸收光，使白色發光裝置200之發光強度降低。又，該透明膜之厚度較該範圍更薄時，難以形成均勻的透明膜，在螢光體7與第一樹脂6之界面中的光損失之減低效果並不充分。
該透明膜之折射率nk 高時，即使該透明膜的厚度薄，亦可減低光損失。例如該透明膜之折射率nk 為2.0時，該透明膜之合適厚度為5至90nm。
反之，為了在該透明膜之折射率nk 低時減低光損失，則有必要使該透明膜之厚度變厚。例如該透明膜之折射率nk 為1.5時，該透明膜之合適厚度為6.6至120nm。
螢光體7係使用已形成透明膜於一部表面之物時使螢光體7分散之第一樹脂6之折射率宜為接近該透明膜之折射率者。藉此，可抑制該透明膜與第一樹脂6之界面中的反射。
此外，在此情況，當在業已分散螢光體7之第一樹脂6的外側，配置較第一樹脂6折射率更低的第二樹脂8時，即可更加提高白色發光裝置200之發光強度。
＜氧量＞
螢光體7中所含有的氧量，在包含比根據該通式而計算的值多0.4質量%以下之範圍時，來自螢光體7之發光特性可更進一步提高。
多包含該0.4質量%以下之範圍的氧，係構成形成於螢光體7之粉末粒子的至少一部分表面的透明膜。藉由該透明膜，可提高螢光體7之抗氧化性，同時可減低與第一樹脂6之折射率的差。藉此，可減低螢光體7與第一樹脂6之界面中的光損失。另外，亦可減低螢光體7所含有的該螢光材料之粒子表面的不成對電子(unpaired electron)或缺陷，可提高來自螢光體7之發光強度。
＜分散性＞
亦可將螢光體7之粉末粒子表面進行偶合(coupling)處理。藉此，當使螢光體7分散於樹脂6時，可提高其分散性，同時可提高樹脂6與螢光體7之密接性。
偶合劑方面，可使用矽烷偶合劑、鈦酸鹽系偶合劑、鋁酸鹽系偶合劑等。偶合處理亦可因應需要於透明膜形成後進行。
＜具導電性的無機物質＞
將螢光體7使用於以電子束激發的用途時，可藉由混合具導電性的無機物質即可賦予螢光體7導電性。
該具導電性的無機物質方面，可例舉含有選自鋅、鋁、鎵、銦及錫的一種或二種以上的元素之氧化物、氧氮化物、或氮化物、或該等之混合物。
＜無機螢光體或螢光染料＞
螢光體7中，可因應需要混合使異於該螢光材料之發光色之顏色發色的無機螢光體或螢光染料。藉此，可更提高顯示裝置用照明裝置之發光亮度，同時可使發光色變化。
螢光體7方面，除了該螢光材料之外，宜為使用紅色發光螢光材料。例如，作為螢光體7，進而使用由CaAlSiN3 ：銪所構成之紅色發光螢光材料為宜。
使用藍色發光之LED晶片4，在使由紅色發光之CaAlSiN3 ：銪所構成之螢光體與該螢光材料一起分散於螢光體7中的顯示裝置用照明裝置中，可將LED晶片4之藍色發光、以該藍色發光作為激發光源的螢光體7之綠色發光、及以該藍色發光作為激發光源的紅色發光螢光體之紅色發光混色而作為白色發光。此外，藉由上述構成，可使一般發光強度低之波長區域的發光強度提高。此外，螢光體7即使暴露於高溫下亦不致劣化，故耐熱性優異，在氧化氛圍及水分環境下，長期間的穩定性亦優異。
螢光體7之製造方法並無特別限定，可例舉包含：例如將原料捏合作成原料混合物的步驟(捏合步驟)、將該原料混合物燒成的步驟(燒成步驟)、將該已燒成之原料混合物的塊狀物予以粉碎、分級的步驟(第1粉碎分級步驟)、將該已燒成之原料混合物熱處理的步驟(熱處理步驟)、將該熱處理物之塊狀物粉碎、分級的步驟(第2粉碎分級步驟)的方法。此外，亦可省略第1及第2粉碎分級步驟。
顯示裝置用照明裝置221之白色發光裝置200係由一個LED晶片4所構成，不過LED晶片4亦可為複數個配置而成的構成。藉此，可提高發光亮度。
由於顯示裝置用照明裝置221之白色發光裝置200所含有的螢光體7之耐溫度發光特性良好，故即使為使白色發光裝置200大量發熱的使用方法亦可毫無問題的使用，並可高亮度地使用。例如亦可每一封裝體投入0.2W以上之電力作使用。又，因同樣之理由，LED晶片4以每一封裝體之平面面積密度而言，可投入1.5×104 W/m2 以上之電力作使用，亦可投入5×104 W/m2 以上之電力作使用。
此外，以前述高亮度投入大量電力使用時，係指例如：在使用較一邊350μm角之面積更大的LED晶片4時；含有複數個LED晶片4時；LED晶片4為晶片覆晶時等。為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221係由基板214、與配置於基板214上的複數個白色發光裝置200所構成，其係作為液晶顯示面板211之背光所使用的顯示裝置用照明裝置221，白色發光裝置200具有光源40、與被光源40激發而發光的螢光體7，螢光體7係使用以通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 表示組成的螢光材料的顯示裝置用照明裝置，該螢光材料中，M(0)係從由鋰、鈉、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鈧、釔、鑭、釓及鎦所組成之群中選出的一種以上的元素；M(1)係從由錳、鈰、鐠、釹，釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩及鐿所組成之群中選出的一種以上的活化劑；M(2)係從由矽、鍺、錫，鈦、鉿及鋯所組成之群中選出的一種以上的元素；M(3)係從由鈹、硼、鋁、鎵、銦、鉈及鋅所組成之群中選出的一種以上的元素；O為氧元素；N為氮元素；x、y及z係各自滿足33≦x≦51，8≦y≦12，及36≦z≦56的數值；a及b係滿足3≦a+b≦7、且0.001≦b≦1.2的數值；m及n係當me=a+b時，滿足0.8‧me≦m≦1.2‧me且0≦n≦7的數值，而且，v為滿足v={a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)的數值(其中，v(0)為M(0)離子之價數、v(1)為M(1)離子之價數)的構成，螢光體7因具有較以往之氮化矽或氧氮化物螢光體更高的發光強度，故可使發光強度提高，獲得高亮度的顯示裝置用照明裝置。又，螢光體7因即使暴露於激發源，亮度之降低亦少，故可獲得使用壽命長之顯示裝置用照明裝置。另外，使螢光體7之發光峰值波長在330至500nm之範圍內，可接近綠色的理想色度座標值，可成為色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係使用該螢光材料之M(1)元素為銪、b值為0.005≦b≦0.3的螢光材料之構成，故使來自該螢光材料之發光峰值波長在520nm附近，可使該色度座標之值接近綠色的理想色度座標值。藉此，可使使用該等作為顯示裝置用照明裝置的顯示裝置的色彩再現性提高。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係使用該螢光材料之M(1)元素為銪、b之值為0.01≦b≦0.2的螢光材料的構成，故在來自該螢光材料之發光峰值波長在520nm附近，可使該色度座標之值接近綠色的理想色度座標值。藉此，可使使用該等作為顯示裝置用照明裝置的顯示裝置之色彩再現性提高。
為本發明之實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係該螢光材料之x、y及z各自為x=42、y=10，及z=46之構成，可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係該螢光材料之M(0)元素為選自鈣、鍶、鋇中的1種以上的元素之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係該螢光材料之M(2)元素為矽、M(3)元素為鋁之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因該螢光材料之n值為n≦me的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因螢光體7係採用，該螢光材料之含有率為80體積%以上、剩餘部分係選自β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上的物質的螢光材料的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長，且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係螢光體7之平均粒徑為0.1μm以上、50μm以下之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係螢光體7之平均長寬比為20以下之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係螢光體7含有氟5至300ppm的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係螢光體7含有硼10至3000ppm的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係有透明膜形成於螢光體7之至少一部分表面，當該透明膜之折射率為nk 時，該透明膜之厚度為(10至180)/nk (單位：奈米)的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係該透明膜之折射率nk 為1.2以上、2.5以下的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係該透明膜之折射率nk 為1.5以上、2.0以下的構成，故可獲得高亮度、長使用壽命、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因螢光體7係使用除了該螢光材料之外，並使用紅色發光螢光材料的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因該紅色發光螢光材料係CaAlSiN3 ：銪的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因光源40係發光峰值波長330至500nm的藍色發光LED晶片4的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係LED晶片4之發光峰值波長為420至470nm的構成，故可獲得高亮度、長使用壽命、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係將：來自LED晶片4之藍色發光、來自被該藍色發光所激發之該螢光材料的綠色發光、來自被該藍色發光所激發之該紅色發光螢光材料的紅色發光混色而自白色發光裝置200獲得白色發光的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因白色發光裝置200係殼型白色LED裝置1的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。又，因該形態之裝置的規格業經確立，且已被廣泛使用，故易為產業上所使用。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因殼型白色LED裝置1具有反射面，而該反射面係使該LED晶片4之發光朝向正面方向f反射的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因白色發光裝置200具有LED晶片4、與包圍LED晶片4而形成之樹脂，且螢光體7係分散於該樹脂中的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因螢光體7係分散於該樹脂中，以在該LED晶片4附近成為高密度的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。又，藉由使螢光體7配置於LED晶片4附近，可有效率地對螢光體7導入激發光。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因樹脂係由：形成為覆蓋LED晶片4的第一樹脂6；及形成為覆蓋第一樹脂6的第二樹脂8所組成，且螢光體7係分散於第一樹脂6中的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，由於該樹脂係在至少一部分區域含有聚矽氧樹脂的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因該樹脂係在至少一部分區域含有甲基聚矽氧樹脂的構成，故可獲得高亮度、長使用壽命、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因該樹脂係在至少一部分區域含有苯基聚矽氧樹脂的構成，故可獲得高亮度、長使用壽命、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係LED晶片4之一邊大於350μm的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係LED晶片4呈複數個配置的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因係每一封裝體投入之電力為0.2W以上地來作使用之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因LED晶片4係白色發光裝置1每一封裝體投入之電力就LED晶片4每一個平面面積密度而言為1.5×104 W/m2 以上地來作使用之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置221，因LED晶片4係白色發光裝置1每一封裝體投入之電力就LED晶片4每一個平面面積密度而言為5×104 W/m2 以上地來作使用之構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置201，因係具備顯示裝置用照明裝置221與液晶顯示面板211的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置。
(第二實施形態)
第4圖係說明本發明實施形態的顯示裝置之其他一例的剖面模式圖，第5圖係構成該顯示裝置的顯示裝置用照明裝置之平面模式圖。
如第4圖及第5圖所示，為本發明實施形態的顯示裝置202，在白色發光裝置200方面，係使用顯示裝置用照明裝置222，該裝置222係使用了表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型白色發光二極體燈)11以取代殼型白色LED裝置1，除此以外，則是與第一實施形態所示之顯示裝置201有著同樣之構成。此外，就與第一實施形態所示構件相同的構件，則以相同的符號表示。
如第4圖所示，表面組裝型白色LED裝置11係藉由第一導線12、及第二導線13組裝於基板214上。
第6圖係屬白色發光裝置200表面組裝型白色LED裝置11之剖面圖。
如第6圖所示，表面組裝型白色LED裝置11，係在使用到以耐綸樹脂成型的可視光反射率高的白色氧化鋁陶瓷的基板19上固定有第一導線12、及第二導線13，該等之端12a、端13a係位於基板19之大致中央部分，相反側之端12b、端13b則各自突出於外部，在組裝於基板214時，則成為經銲錫的電極。
第一導線12之端12a被固定以成為基板中央部，於其上儲放發光二極體元件(LED晶片)4。LED晶片4之下部電極4a與第一導線12係藉由導電性樹脂糊而電性連接，上部電極4b與第二導線13係藉由實施鍍銀的銅製接合引線15而進行電性連接。
基板19上，固定有大致長方體狀之壁面構件20。在該壁面構件20之中央部分形成有木碗狀的凹洞20a。凹洞20a為貫通穴，其係配置為使配置於基板19上的LED晶片4自凹洞20a的中央部分突出。
凹洞20a之面向中央的部分係成為反射面20b，該反射面係用以擷取光於正面方向f，該反射面20b之曲面形狀係考量到光的反射方向而決定者。又，壁面構件20亦可例如以白色聚矽氧樹脂等形成。藉此，至少構成反射面的反射面20b成為白色或具金屬光澤的可視光線反射率高的面。
由透明樹脂所構成的第一樹脂16形成圓頂狀，以包圍LED晶片4，而該LED晶片4係配置為自凹洞20a之中央部突出。在該第一樹脂16中分散有螢光體17。
由透明樹脂所構成的第二樹脂18係填充於凹洞20a，以包圍形成為圓頂狀的第一樹脂16。藉由第一樹脂16及第二樹脂18而封閉LED晶片4。
第一樹脂16與第二樹脂18之材質宜為選擇因紫外線光而致劣化儘可能少的材料，宜為聚矽氧樹脂，但亦可為聚碳酸酯樹脂、環氧樹脂等之其他樹脂或玻璃等之透明材料。第一樹脂16與第二樹脂18可使用相同的樹脂，亦可使用相異的樹脂，但就製造容易性或黏接性良好等而言，以使用相同的樹脂較佳。
配置螢光體17於LED晶片4附近的方法，係如本實施形態所示，首先，以包圍LED晶片4的方式來形成含有螢光體17的第一樹脂16，其後，較佳為以封閉第二樹脂18的方式來包圍第一樹脂16。該方法廉價且可密封性高地作封閉。第一樹脂16盼為含有耐熱性高的聚矽氧樹脂。
此外，壁面構件20及/或基板19宜為含樹脂製構件及/或陶瓷製構件。樹脂製構件因廉價且可大量製造，故較佳。樹脂之種類方面，望為耐熱性高、反射率亦高者，而以耐綸樹脂等為所望。熱硬化性樹脂亦因耐熱性高，同時可比較廉價且可大量地製造故較佳。又，陶瓷製構件亦因耐熱性非常優異，故較佳。
又，亦可於表面組裝型白色LED裝置11之基板19上使用配線基板，於該配線基板上直接組裝LED晶片4，將表面組裝型白色LED裝置11作為晶板接裝型裝置使用。在此情形，可採用用途上客製化的形態，而能夠使用於可靈活利用本螢光體優異的溫度特性的用途。
為本發明第二實施形態的顯示裝置用照明裝置222及顯示裝置202，除了具有同於第一實施形態所示之效果以外，還具有以下的效果。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222因係使用表面組裝型白色LED裝置11作為白色發光裝置200之構成，故表面組裝優異，可容易地獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。又，表面組裝型白色LED裝置11的規格已經確立，且廣泛被使用，故產業上使用容易。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222，因表面組裝型白色LED裝置11係具有將LED晶片4之發光朝向正面方向f反射的反射面20b的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222，因表面組裝型白色LED裝置11之壁面構件20係含有樹脂材料及/或陶瓷製構件的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。樹脂製之構件因價廉且可大量製造，故極為合適。樹脂之種類方面，望為耐熱性高、反射率亦高者，而以耐綸樹脂等為所望。熱硬化性樹脂亦耐熱性高，同時亦比較便宜且可大量地製造，故極為合適。又，陶瓷製構件耐熱性亦非常優異，故極為合適。
為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222，因表面組裝型白色LED裝置11之壁面構件20的前述樹脂材料係屬熱硬化性樹脂材料的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
此外，在本實施形態中係使用第6圖所示基板組裝用晶片型白色發光二極體燈11作為白色發光裝置200的表面組裝型白色LED裝置，但亦可使用第7圖至第9圖所示之其他表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型白色發光二極體燈)115至117。
第7圖表示使用於為本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222的白色發光裝置200之其他一例的圖，其為表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型白色發光二極體燈)115之剖面圖。除了使用同一面電極型之發光二極體元件(LED晶片)24以取代上下電極型之發光二極體元件(LED晶片)4以外，其他則成為與表面組裝型白色LED裝置11相同之構成，該表面組裝型白色LED裝置11係使用於第二實施形態所示之顯示裝置202的白色發光裝置200。
第8圖表示使用於本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222的白色發光裝置200之另一例的圖，其為表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型白色發光二極體燈)116之剖面圖。除了係使用同一面電極型之發光二極體元件(LED晶片)24，又，係使螢光體17分散於凹洞20a全體以外，其他則與表面組裝型白色LED裝置11有相同之構成，該表面組裝型白色LED裝置11係使用於第二實施形態所示之顯示裝置202的白色發光裝置200。
表面組裝型白色LED裝置116，因不使用第二樹脂18，且僅於第一樹脂16之中使螢光體17分散，故可容易地製造。藉此，亦可容易地製造以該等作為白色發光裝置200使用的顯示裝置用照明裝置222及顯示裝置202。
第9圖表示使用於本發明實施形態的顯示裝置用照明裝置222的白色發光裝置200之另一例的圖，其為表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型白色發光二極體燈)117之剖面圖。使用同一面電極型之發光二極體元件(LED晶片)24，以覆蓋LED晶片24之一面的方式直接附著螢光體23而形成層狀之螢光體23，，並以覆蓋LED晶片24的方式、且以埋入壁面構件20之凹洞20a的方式來形成樹脂18以外，與使用於第二實施形態所示顯示裝置202的白色發光裝置200的表面組裝型白色LED裝置11有相同之構成。
在於LED晶片24附近配置螢光體23的方法，係如本實施形態所示，可採用使螢光體23直接附著的方法，該方法係使用旋轉塗佈、蒸鍍法或濺鍍法等，自晶圓階段堆積螢光體23於LED晶片24之至少一面成為層狀且均勻，並覆蓋LED晶片24之至少一面者。
藉由該方法，因為可使由螢光體23所構成層之厚度控制在1μm至100μm，且可透過由螢光體23所構成層來擷取來自LED晶片24的光，故適合作混色來作出白色光。
表面組裝型白色LED裝置117，因係螢光體23直接附著，以覆蓋LED晶片24之至少一面的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置222及顯示裝置202。
又，表面組裝型白色LED裝置117因係螢光體23形成為層狀的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置222及顯示裝置202。
另外，表面組裝型白色LED裝置117因係螢光體23之厚度為1μm至100μm的構成，故可獲得高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置222及顯示裝置202。
【實施例】
根據實施例具體說明本發明如下。但是，本發明並不限定於該等實施例。
＜實施例1至10＞
首先，說明有關本發明之顯示裝置用照明裝置及顯示裝置所使用之白色發光裝置所使用的實施例1至10之螢光體之製造方法。
原料粉末方面，係使用平均粒徑0.5μm、氧含量0.93質量%、α型含有率92%之氮化矽粉末(Si3 N4 )、氮化鋁粉末(AlN)、氮化鍶粉末(Sr3 N2 )、氧化鍶粉末(SrO)、及氧化銪粉末(Eu2 03 )。在通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 中，以表2所示配合(質量比，以下在其他實施例中亦相同)秤量上述原料粉末，以瑪瑙硏杵(pestle)與硏缽進行混合30分鐘，成為如表1所示a、b、m、x、y、z及n之值。此外，M(1)為銪。
將所得混合粉末放入鋁製的鑄模中，製作容積密度約25%之成形體，並填充至氮化硼(hBN)製的坩鍋中。該成形體之體積與坩鍋體積之比率約為80%。此外，粉末之秤量、混合及成形之各步驟全部係在可保持水分1ppm以下、氧1ppm以下氮氛圍的手套箱(glove box)中進行操作。
將填充了該混合粉末的該氮化硼製之坩鍋設置於電爐，該電爐係使碳纖維成形體作為隔熱材的石墨電阻加熱方式的電爐。
燒成之進行，首先係藉由擴散泵使燒成氛圍成為真空，以每小時500℃之速度自室溫加熱至1000℃止，在1000℃導入純度99.999體積%之氮，使壓力為0.9MPa，以每小時600℃昇溫至1900℃，在1900℃保持2小時。
燒成後，將該所得之燒成體(燒成塊)予以粗粉碎之後，使用氮化矽燒結體製之硏缽，以手粉碎，使用30μm網眼之篩，成為平均粒徑11μm之螢光體粉末(實施例1至10)。
其次，使用螢光分光光度計測定該等螢光體粉末(實施例1至10)之發光光譜及激發光譜。
第10圖為實施例1之螢光體的發光光譜及激發光譜的測定結果。
如第10圖所示，實施例1之螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，在450nm之藍色光激發所致發光光譜之峰值波長為504nm。
又，峰值波長之發光強度為100計數(count)。
第11圖為實施例7之螢光體之發光光譜及激發光譜的測定結果。
如第11圖所示，實施例7之螢光體的激發光譜之峰值波長為370nm，在450nm之藍色光激發所致發光光譜之峰值波長為504nm。
又，峰值波長之發光強度為103計數。
該等螢光體粉末(實施例1至10)之發光峰值之發光強度及發光波長係如表2所示。此外，發光強度之計數值為任意單位，因測定裝置及條件而有變化(以下相同)。
第12圖係由實施例1之螢光體的主要繞射峰值所構成粉末X線繞射圖型的測定結果。第13圖係由實施例7之螢光體的主要繞射峰值所構成粉末X線繞射圖型的測定結果。即使在實施例2至6、實施例8至10之螢光體中亦同於實施例1、7，可獲得由主要繞射峰值所構成粉末X線繞射圖型。
將該等螢光體粉末(實施例1至10)以濕度80%、溫度80℃的條件暴露100小時，但是幾乎無觀察到亮度的降低。
其次，可因應需要對該等螢光體粉末(實施例1至10)，一面照射365nm之紫外線，一面進行光學顯微鏡觀察。
由試料之顯色、粒子形狀及紫外線照射時的發光色，可確認選自由β-氮化矽(β-sialon)、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上的物質所構成的非發光相，或顯示出異於504nm附近之藍綠色發光的結晶相，相對於螢光體全體的比率為體積比20%以下。又，就實施例1之螢光體係使單結晶育成，在解析結晶構造時，可知具有表3及表4所示的結晶構造。此外，在表4中，M(0,1)係M(0)元素與M(1)元素無次序(disorder)地進入位置(site)，M(2,3)係M(2)元素與M(3)元素無次序地進入位置，M(O,N)係O元素與N元素無次序地進入位置。
＜實施例11至28＞
在此說明有關本發明之螢光體的實施例11至28。
原料粉末方面，係使用平均粒徑0.5μm、氧含量0.93質量%、α型含量92%之氮化矽粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、及氧化銪粉末。
通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 中，以表6所示配合秤量上述原料粉末，以瑪瑙硏杵與硏缽進行混合30分鐘，成為如表5所示a、b、m、x、y、z及n之值。此外，M(1)為銪。
將所得之混合粉末放入鋁製之鑄模中，製作容積密度約26%之成形體，並填充至氮化硼製之坩鍋。成形體體積與坩鍋體積之比率約80%。此外，粉末之秤量、混合及成形之各步驟全部係進行在手套箱中的操作，該手套箱可保持水分1ppm以下氧1ppm以下之氮氛圍。
將填充了該混合粉末的氮化硼製坩鍋設置於電爐中，該電爐係使碳纖維成形體作為隔熱材料的石墨電阻加熱方式之電爐。
燒成之進行，首先係藉由擴散泵使燒成氛圍成為真空，以每小時500℃之速度自室溫加熱至1000℃止，導入1000℃且純度99.999體積%之氮，使壓力為0.9MPa，以每小時600℃昇溫至1900℃止，在1900℃保持2小時。
燒成後，將該所得之燒成體予以粗粉碎之後，使用氮化矽燒結體製之硏缽，以手粉碎，使用30μm網眼之篩，成為平均粒徑12μm之螢光體粉末(實施例11至28)。
首先，使用螢光分光光度計測定該等螢光體粉末(實施例11至28)之發光光譜及激發光譜。
第14圖係實施例24之螢光體之發光光譜及激發光譜的測定結果。如第14圖所示，實施例24之螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，在450nm之藍色光激發所致發光光譜之峰值波長為505nm。又，峰值波長之發光強度為99計數。
第15圖為實施例27之螢光體之發光光譜及激發光譜的測定結果。如第15圖所示，實施例27之螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，在450nm之藍色光激發所致發光光譜之峰值波長為504nm。又，峰值波長之發光強度為101計數。
各螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，藉由450nm之藍色光激發，顯示出藍綠色之發光。螢光體粉末(實施例11至28)之發光峰值的發光強度及發光波長如表6所示。此外，發光強度的計數值為任意單位。
第16圖係由實施例24之螢光體的主要繞射峰值所構成的粉末X線繞射圖型之測定結果。第17圖係由實施例27之螢光體之主要繞射峰值所構成的粉末X線繞射圖型之測定結果。
又，在螢光體粉末(實施例11至23、25、26、28)中，亦可獲得與實施例1同樣的，由主要繞射峰值所構成的粉末X線繞射圖型。
使該等之螢光體粉末(實施例11至28)在濕度80%溫度80℃之條件下暴露100小時，則幾乎無觀察到亮度的降低。
其次，可因應需要對該等螢光體粉末(實施例11至28)，一面照射365nm之紫外線，一面進行光學顯微鏡觀察。
由試料之顯色、粒子形狀及紫外線照射時之發光色可確認，選自由β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上之物質所構成的非發光相，或顯示出異於504nm附近之藍綠色發光的結晶相，相對於螢光體全體的比率，為體積比20%以下。
＜實施例29至44＞
在此說明本發明之螢光體的實施例29至44。
原料粉末方面，係使用平均粒徑0.5μm、氧含量0.93質量%、α型含有率92%之氮化矽粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、及氧化銪粉末。通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 中，以表8所示配合，秤量上述原料粉末，以瑪瑙硏杵與硏缽進行30分鐘混合，以成為如表7所示a、b、m、x、y、z及n之值。此外，M(1)為銪。
將所得之混合粉末放入鋁製之鑄模中，製作容積密度約24%之成形體，填充至氮化硼製之坩鍋中。成形體體積與坩鍋體積之比率約為80%。此外，粉末之秤量、混合及成形的各步驟全部均在手套箱中進行操作，該手套箱可保持水分1ppm以下、氧1ppm以下之氮氛圍。
將填充了該混合粉末的氮化硼製坩鍋，設置於電爐中，該電爐係使碳纖維成形體作為隔熱材料的石墨電阻加熱方式的電爐。
燒成之進行，首先係藉由擴散泵使燒成氛圍成為真空，以每小時500℃之速度自室溫加熱至1000℃止，導入1000℃下純度99.999體積%之氮，使壓力為0.9MPa，以每小時600℃昇溫至1900℃止，在1900℃下保持2小時。
燒成後，將該所得之燒成體予以粗粉碎之後，使用氮化矽燒結體製之硏缽，以手粉碎，使用30μm網眼的篩，成為平均粒徑12μm之螢光體粉末(實施例29至44)。
首先，使用螢光分光光度計測定該等螢光體粉末(實施例29至44)的發光光譜及激發光譜。
各螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，以450nm之藍色光激發顯示出藍綠色至綠色的發光。螢光體粉末(實施例29至44)之發光峰值之發光強度及發光波長如表8所示。此外，發光強度的計數值為任意單位。
又，在螢光體粉末(實施例29至44)中，可獲得同於實施例1之由主要繞射峰值所構成的粉末X線繞射圖型。
將該螢光體粉末(實施例29至44)暴露於濕度80%溫度80℃之條件下100小時，則幾乎無觀察到亮度的降低。
其次，可因應需要對該等螢光體粉末(實施例29至44)一面照射365nm之紫外線，一面進行光學顯微鏡觀察。
由試料之顯色、粒子形狀及紫外線照射時之發光色，可確認，選自由β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上之物質所構成的非發光相，或顯示出異於504nm附近之藍綠色發光之結晶相，相對於螢光體全體的比率，為體積比20%以下。
<實施例45至56>
在此說明本發明之螢光體的實施例45至56。
原料粉末方面係使用平均粒徑0.5μm、氧含量0.93質量%、α型含量92%之氮化矽粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、氧化鈣粉末、及氧化銪粉末。通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 中，以表10所示配合秤量上述原料粉末，以瑪瑙硏杵與硏缽進行混合30分鐘，成為如表9所示a、b、m、x、y、z及n之值。此外，M(1)為銪。
將所得之混合粉末放入鋁製之鑄模中，製作容積密度約25%之成形體，並填充至氮化硼製之坩鍋中。成形體體積與坩鍋體積之比率約為80%。此外，粉末之秤量、混合及成形之各步驟全部在大氣中進行操作。
將填充該混合粉末的氮化硼製坩鍋設置於電爐中，該電爐係使碳纖維成形體作為隔熱材料的石墨電阻加熱方式之電爐。
燒成之進行，首先係藉由擴散泵使燒成氛圍成為真空，以每小時500℃之速度自室溫加熱至1000℃止，導入1000℃下純度99.999體積%之氮使壓力為0.9MPa，以每小時600℃昇溫至1900℃止，在1900℃下保持2小時。
燒成後，將該所得之燒成體予以粗粉碎之後，使用氮化矽燒結體製之硏缽，以手粉碎，使用30μm網眼之篩，成為平均粒徑12μm之螢光體粉末(實施例45至56)。
首先，使用螢光分光光度計測定該等螢光體粉末(實施例45至56)的發光光譜及激發光譜。
各螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，由450nm之藍色光激發顯示出藍綠色至黃色的發光。螢光體粉末(實施例45至56)之發光峰值的發光強度及發光波長如表10所示。此外，發光強度的計數值為任意單位。
又，在螢光體粉末(實施例45至56)中，可獲得同於實施例1之由主要繞射峰值所構成的粉末X線繞射圖型。
將該螢光體粉末(實施例45至56)暴露於濕度80%、溫度80℃之條件下100小時，則幾乎無觀察到亮度之降低。
其次，可因應需要對螢光體粉末(實施例45至56)一面照射365nm之紫外線，一面進行光學顯微鏡觀察。
由試料之顯色、粒子形狀及紫外線照射時之發光色，可確認，選自由β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 、Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上之物質所構成的非發光相，或顯示出異於504nm附近之藍綠色發光的結晶相，相對於螢光體全體的比率為體積比20%以下。
<實施例57至68>
在此說明有關本發明之螢光體的實施例57至68。
原料粉末方面係使用：平均粒徑0.5μm、氧含量0.93質量%、α型含量92%之氮化矽粉末、氮化鋁粉末、氮化鍶粉末、氧化鍶粉末、氧化鋇粉末、及氧化銪粉末。在通式M(0)a M(1)b M(2)x-(vm+n) M(3)(vm+n)-y On Nz-n 中，以表10所示配合秤量上述原料粉末，以瑪瑙硏杵與硏缽進行混合30分鐘，以成為表11所示a、b、m、x、y、z及n之值。此外，M(1)為銪。
將所得之混合粉末放入鋁製之鑄模中，製作容積密度約23%之成形體，填充至氮化硼製之坩鍋中。成形體體積與坩鍋體積之比率約為80%。此外，粉末之秤量、混合及成形之各步驟全部在大氣中進行操作。
將填充了該混合粉末的氮化硼製坩鍋設置於電爐，該電爐係使碳纖維成形體成為隔熱材料的石墨電阻加熱方式之電爐。
燒成之進行，首先係藉由擴散泵使燒成氛圍為真空，以每小時500℃之速度自室溫加熱至1000℃止，導入1000℃下純度99.999體積%之氮使壓力為0.9MPa，以每小時600℃昇溫至1900℃止，在1900℃下保持2小時。
燒成後，將該所得之燒成體予以粗粉碎之後，使用氮化矽燒結體製之硏缽，以手粉碎，使用30μm網眼之篩，成為平均粒徑11μm之螢光體粉末(實施例57至.68)。
首先，使用螢光分光光度計測定該等螢光體粉末(實施例57至68)的發光光譜及激發光譜。
各螢光體之激發光譜的峰值波長為370nm，以400nm之藍紫色光激發顯示出藍色至藍綠色的發光。螢光體粉末(實施例57至68)之發光峰值的發光強度及發光波長如表12所示。此外，發光強度的計數值為任意單位。
又，在螢光體粉末(實施例57至68)中，可獲得同於實施例1之由主要繞射峰值所構成的粉末X線繞射圖型。
將該螢光體粉末(實施例57至68)暴露於濕度80%、溫度80℃之條件下100小時，則幾乎無觀察到亮度降低。
其次，可因應需要對螢光體粉末(實施例57至68)一面照射365nm之紫外線，一面進行光學顯微鏡觀察。
由試料之顯色、粒子形狀及紫外線照射時之發光色可確認，選自由β-氮化矽、未反應之氮化矽或氮化鋁，氧氮化物玻璃、SrSiAl2 N2 O3 ，Sr2 Al2 Si10 N14 O4 、SrSi(10-n) Al(18+n) On N(32-n) (n至1)及SrSi6 N8 中之一種以上的物質所構成的非發光相，或顯示出異於504nm附近之藍綠色發光之結晶相，相對於螢光體全體的比率為體積比20%以下。
其次，說明有關使用到該螢光體的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置。
<實施例69>
使用該螢光體來製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
首先，在第一導線中的元件儲放用凹部，使用導電性糊結合(bonding)藍色發光二極體元件，將第一導線與藍色發光二極體元件之下部電極電性連接，同時將藍色發光二極體元件固定。其次，將藍色發光二極體元件之上部電極與第二導線以接合引線進行引線接合，予以電性連接。
然後，將分散了已事先製作好之螢光體的樹脂，以分配器(dispenser)適量塗佈於凹部，以使其被覆藍色發光二極體元件後，使該等硬化，形成第一樹脂。
最後，以鑄塑法將含有凹部的第一導線的前端部、藍色發光二極體元件、及業已分散螢光體的第一樹脂全體以第二樹脂封閉。
第一樹脂係使用折射率1.6的環氧樹脂，第二樹脂係使用折射率1.36的環氧樹脂。
本實施例中，係將作為藍綠色螢光體之實施例1的螢光體15質量%，及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於環氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成已分散螢光體的第一樹脂。
製作基板上格子狀配列該白色發光裝置的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體及紅色螢光體則各自發出藍綠色光及紅色光，該等之光被混合並發出白色光。
<實施例70>
除了變更使用的螢光體以外，其他則與實施例69相同，製作第3圖所示的殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體之實施例1的螢光體以15質量%，作為綠色螢光體之β-氮化矽螢光體以12質量%，及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體26質量%之濃度混合於環氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成分散了螢光體的第一樹脂。
製作在基板上格子狀配列該白色發光裝置的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1的螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色、綠色光及紅色光，該等之光被混合而發出白色光。
<實施例71>
除了變更使用的螢光體以外，其他則與實施例69相同，製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體之實施例1的螢光體以15質量%、作為綠色螢光體之Ca3 Sc2 Si3 O12 ：鈰螢光體以13質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於環氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成已分散了螢光體的第一樹脂。
製作在基板上格子狀配列該白色發光裝置的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色、綠色光及紅色光，該等之光混合發出白色光。
<實施例72>
除了變更使用的螢光體以外，其他與實施例69相同，製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體之實施例1之螢光體以15質量%、作為綠色螢光體之β-氮化矽螢光體以13質量%、作為黃色螢光體之YAG：鈰螢光體以18質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於環氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成已分散了螢光體的第一樹脂。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、綠色螢光體、黃色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色、綠色光、黃色光及紅色光，該等之光混合發出近似自然光的白色光。
<實施例73>
除了變更使用的發光元件(LED)及螢光體以外，其他與實施例69相同，製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
使用發光峰值波長380nm之紫外LED元件作為發光元件(LED)，將實施例1之螢光體、實施例44之螢光體、BaMgAl10 O17 ：銪螢光體、與作為紅色螢光體的CaAlSiN3 ：銪分散於由聚矽氧樹脂所構成的樹脂層中，成為覆蓋紫外LED元件的構造。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長380nm之紫外光，被該等激發之實施例1之螢光體、實施例44之螢光體、BaMgAl10 O17 ：銪螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色、綠色光、黃色光及紅色光，該等之光混合發出白色光。
<實施例74>
除了第一樹脂係使用折射率1.51之聚矽氧樹脂、第二樹脂係使用折射率1.41之聚矽氧樹脂，並變更使用的螢光體以外，其他與實施例69相同，製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體的實施例1之螢光體以15質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於聚矽氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成分散了螢光體的第一樹脂。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、及紅色螢光體各自發出藍綠色光及紅色光，該等之光混合發出白色光。
<實施例75>
除了第一樹脂係使用折射率1.51之聚矽氧樹脂、第二樹脂係使用折射率1.41之聚矽氧樹脂、且變更使用的螢光體以外，其他則與實施例69相同，製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體的實施例1之螢光體以15質量%、作為綠色螢光體之β-氮化矽螢光體以12質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於聚矽氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成分散了螢光體的第一樹脂。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又、製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色光、綠色光、及紅色光，該等之光混合發出白色光。
<實施例76>
除了第一樹脂係使用折射率1.51之聚矽氧樹脂、第二樹脂係使用折射率1.41之聚矽氧樹脂，並變更使用的螢光體以外，其他與實施例69相同，製作第3圖所示之殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體的實施例1之螢光體以15質量%、作為綠色螢光體之Ca3 Sc2 Si3 O12 ：鈰螢光體以13質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於聚矽氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成已分散了螢光體的第一樹脂。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色光、綠色光、及紅色光，該等之光混合發出白色光。
<實施例77>
除了第一樹脂係使用折射率1.51之聚矽氧樹脂、第二樹脂係使用折射率1.41之聚矽氧樹脂，且變更使用的螢光體以外，其他則與實施例69相同，製作第3圖所示的殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體之實施例1的螢光體以15質量%、作為綠色螢光體之β-氮化矽螢光體以13質量%、作為黃色螢光體之α-氮化矽螢光體以18質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於聚矽氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成分散了螢光體的第一樹脂。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、綠色螢光體、黃色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色光、綠色光、黃色光、及紅色光，該等之光混合發出近似自然光的白色光。
<實施例78>
除了第一樹脂係使用折射率1.51之聚矽氧樹脂、第二樹脂係使用折射率1.41之聚矽氧樹脂，且變更使用的螢光體以外，其他與實施例69相同，製作第3圖所示的殼型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，將作為藍綠色螢光體的實施例1之螢光體以15質量%、作為綠色螢光體之β-氮化矽螢光體以13質量%、作為黃色螢光體之YAG：鈰螢光體以18質量%、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體以26質量%之濃度混合於聚矽氧樹脂中，將該等以分配器適量滴下，形成分散了螢光體的第一樹脂。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。當電流流經導電性端子時，LED元件發出發光峰值波長450nm之藍色光，被該等激發之實施例1之螢光體、綠色螢光體、黃色螢光體及紅色螢光體各自發出藍綠色光、綠色光、黃色光、及紅色光，該等之光混合發出近似自然光的白色光。
<實施例79>
製作第6圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。首先，在業已連接第一導線及第二導線的氧化鋁陶瓷基板之大致中央部分配置藍色發光二極體，使該藍色發光二極體之下部電極與第一導線連接，其上部電極與第二導線以接合引線連接。又，於氧化鋁陶瓷基板之發光元件側之面，配置具有凹洞的壁面構件，固定該壁面構件以使發光元件容納於該凹洞中。其次，形成第一樹脂(封閉樹脂)，以覆蓋該藍色發光二極體後，覆蓋第一樹脂，形成不含螢光體的第二樹脂(其他封閉樹脂)，以埋入該凹洞。
此外，製造順序方面，除了將第一導線、第二導線及壁面構件固定於氧化鋁陶瓷基板的製造順序以外，其他則與實施例69記載之製造順序大致相同。
本實施例中，壁面構件係由白色聚矽氧樹脂構成，在第一樹脂與第二樹脂使用相同的環氧樹脂。
螢光體係使用實施例1之螢光體、作為綠色螢光體的實施例44之螢光體、及作為紅色螢光體之CaAlSiN3 ：銪螢光體。製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。藉此，當電流流經導電性端子時，可確認發出白色光。
<實施例80>
製作第8圖所示基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
首先，在含有實施鍍銀的銅製引導框架(lead frame)，由以耐綸樹脂成型的基板、與反射器所構成的表面組裝用LED封裝體用盒(case)的引導框架(lead frame)上，以樹脂糊將在450nm具發光峰值的同一面電極型之藍色發光二極體(藍色LED晶片)予以晶片結合(die bond)。此外，使用大小為350μm角之物作為藍色發光二極體，合計組裝3個。
其次，將該藍色發光二極體上部側的二個電極各自以2條接合引線(細金線)連接，一條接合引線連接於引導框架(lead frame)上，另一條接合引線則連接於其他的引導框架(lead frame)。
其次，將含螢光體的甲基聚矽氧樹脂適量滴下，使其覆蓋發光二極體元件且埋入壁面構件之凹洞，予以硬化後，自經一體化的構件裁切(trim)發光裝置封裝體，將成為單片(individual pieces)的發光裝置封裝體以色調，及發光強度來篩選，成為基板組裝用晶片型白色發光二極體燈。
本實施例中，螢光體方面，係使用實施例1之螢光體與氮化矽螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1001m/W，發出色溫度5500K左右之白色光。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性，Ra為90左右。投入的電力為每一封裝體0.18W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為2×104 W/m2 。
<實施例81>
使用紫外LED晶片作為發光二極體元件，在以陶瓷成型的基板上以印刷配線形成Cu所致圖型，使用業已黏接陶瓷製之反射器的表面組裝用LED封裝體用盒，且變更螢光體，除此以外，其他則與實施例80相同，製作第8圖所示基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體係使用實施例1之螢光體、氮化矽螢光體、與CaAlSiN系之螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1201m/W，並發出色溫度5600K左右之白色光。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性，Ra為98左右。投入的電力為每一封裝體0.18W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為2×104 W/m2 。
<實施例82>
發光二極體元件係使用在440nm具發光峰值的藍色發光二極體(藍色LED晶片)，且組裝一個大小為1mm角之大型晶片，除此以外，其他則與實施例80相同，製作第8圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體係使用實施例1之螢光體、與氮化矽螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為901m/W，並發出色溫度5000K左右之白色光。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性，Ra為87左右。投入的電力為每一封裝體1W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為1×103 W/m2 。
<實施例83>
除了發光二極體元件係使用在470nm具發光峰值的藍色發光二極體(藍色LED晶片)，且形成已分散了螢光體的第一樹脂，用以圓頂狀覆蓋發光二極體元件，同時，形成不分散螢光體的第二樹脂，除此以外，其他則與實施例80相同，製作第7圖所示的基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
此外，第二樹脂係使用不含螢光體的苯基聚矽氧樹脂。
本實施例中，螢光體方面，係使用實施例1之螢光體、與氮化矽螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1101m/W，並發出色溫度5200K左右之白色光。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性Ra為93左右。投入的電力為每一封裝體0.18W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為2×104 W/m2 。
<實施例84>
不形成第一樹脂，在藍色發光二極體(藍色LED晶片)之p側的透明電極上，以濺鍍法使本發明之螢光體之層進行10μm成膜，形成不使螢光體分散的第二樹脂，除此以外，其他則與實施例80相同，製作第9圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體方面，係使用實施例1之螢光體、與氮化矽螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1401m/W，且發出色溫度4500K左右之白色光。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性Ra為85左右。投入的電力為每一封裝體0.18W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為2×104 W/m2 。
<實施例85>
在經印刷配線之裝有玻璃的環氧基板上直接組裝藍色發光二極體(藍色LED晶片)，製作以樹脂封閉該等之稱為晶板接裝(COB：Chip On Board)形式的白色發光二極體(發光裝置)。
藍色發光二極體(藍色LED晶片)係組裝於鋁製基板上，對此重複黏接經印刷配線之裝有玻璃的環氧基板。
在組裝有藍色發光二極體(藍色LED晶片)的部分，於基板上開有凹洞，使藍色發光二極體(藍色LED晶片)顯露於表面。在藍色發光二極體(藍色LED晶片)與配線間以金製之線連接。自其上適量滴下含螢光體的甲基聚矽氧樹脂，使其硬化。
本實施例中，螢光體方面，係使用實施例1之螢光體、與氮化矽螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1001m/W，且發出色溫度5500K左右之溫白色光。製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性，Ra為90左右。
<實施例86>
發光二極體元件係使用在390nm具發光峰值的紫外發光二極體(紫外LED晶片)，且將Cu所致圖型以印刷配線形成於以陶瓷成型的基板上，使用業已黏接陶瓷製反射器的表面組裝用LED封裝體用盒，並變更螢光體，除此以外，其他則與實施例80相同，製作第8圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體方面，僅使用實施例49之螢光體。白色發光裝置之發光輸出為18mW。使電流由100μA變化至50mA，但幾乎無觀察到相對於電流量之發光波長的變化。製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。
<實施例87>
除了發光二極體元件係使用在390nm具發光峰值的紫外發光二極體(紫外LED晶片)，且使用表面組裝用LED封裝體用盒，該盒在以陶瓷成型的基板上以印刷配線形成Cu所致圖型，並黏接陶瓷製反射器、且變更螢光體，除此以外，其他與實施例80相同，製作第8圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體方面，僅使用實施例57之螢光體。白色發光裝置之發光輸出為40mW。使電流由100μA變化至50mA，但幾乎無觀察到相對於電流量之發光波長的變化。製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。
<實施例88>
發光二極體元件係使用在390nm具發光峰值的紫外發光二極體(紫外LED晶片)，並使用表面組裝用LED封裝體用盒，該盒係將Cu所致圖型以印刷配線形成於陶瓷成型的基板上，並黏接陶瓷製反射器，且變更螢光體，除此以外，其他則與實施例80相同，製作第8圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體係僅使用實施例1之螢光體。白色發光裝置之發光輸出為35mW。使電流由100μA變化至50mA，但幾乎無觀察到相對於電流量之波長的變化。製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。
<實施例89>
除了變更螢光體以外，其他則與實施例128相同，製作第8圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體係使用實施例1之螢光體、氮化矽螢光體、與CaAlSiN螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1201m/W，並發出色溫度5300K左右之白色光。
製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。
又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性，Ra為96左右。投入的電力為每一封裝體0.18W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為2×104W/m2 。
<實施例90>
除了變更螢光體以外，其他與實施例80相同，製作第8圖所示之基板組裝用晶片型白色發光二極體燈(白色發光裝置)。
本實施例中，螢光體係使用混合了實施例29至實施例68之螢光體之物，與CaAlSiN螢光體。可確認白色發光裝置之發光效率為1001m/W，並發出色溫度5500K左右之白色光。製作將該白色發光裝置格子狀配列於基板上的顯示裝置用照明裝置。又，製作使用該等作為背光的顯示裝置。顯示裝置之色調校性，Ra為99左右。投入的電力為每一封裝體0.18W，電力之密度以每一個封裝體之平面面積密度而言，為2×104 W/m2 。
[產業上可利用性]
本發明之顯示裝置用照明裝置及顯示裝置，在製造‧利用高亮度、使用壽命長、且色彩再現性優異的顯示裝置用照明裝置及顯示裝置的產業中具有可利用性。
1．．．殼型白色LED裝置(殼型發光二極體燈)
2．．．導線
2a．．．凹部
2b．．．前端側
3．．．導線
3b．．．前端側
4．．．發光二極體元件(LED晶片)
4a、4b．．．電極
5．．．接合引線
6．．．樹脂
7．．．螢光體
8．．．樹脂
11．．．表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型發光二極體燈)
12．．．導線
12a．．．端
12b．．．端
13．．．導線
13a．．．端
13b．．．端
15．．．接合引線
16．．．樹脂
17．．．螢光體
18．．．樹脂
19．．．基板
20．．．壁面構件
20a．．．凹洞
20b．．．反射面(反射面)
23．．．螢光體
24．．．發光二極體元件(LED晶片)
24a、24b．．．電極
40．．．光源
115、116、117．．．表面組裝型白色LED裝置(基板組裝用晶片型發光二極體燈)
200．．．白色發光裝置
201、202．．．顯示裝置
211．．．液晶顯示面板
211a．．．顯示面
212．．．濾色片
214．．．基板
214a．．．正面側之面
221、222．．．顯示裝置用照明裝置
[第1圖]　本發明第一實施形態顯示裝置用照明裝置及顯示裝置之剖面圖。
[第2圖]　本發明第一實施形態顯示裝置用照明裝置之平面圖。
[第3圖]　用於本發明第一實施形態顯示裝置用照明裝置的白色發光裝置之剖面圖。
[第4圖]　本發明第二實施形態顯示裝置用照明裝置及顯示裝置之剖面圖。
[第5圖]　本發明第二實施形態顯示裝置用照明裝置之平面圖。
[第6圖]　用於本發明第二實施形態顯示裝置用照明裝置的白色發光裝置之剖面圖。
[第7圖]　用於本發明第二實施形態顯示裝置用照明裝置的白色發光裝置之剖面圖。
[第8圖]　用於本發明第二實施形態顯示裝置用照明裝置的白色發光裝置之剖面圖。
[第9圖]　用於本發明第二實施形態顯示裝置用照明裝置的白色發光裝置之剖面圖。
[第10圖]　表示本發明實施例1之螢光體之發光及激發光譜圖。
[第11圖]　表示本發明實施例7之螢光體之發光及激發光譜圖。
[第12圖]　表示本發明實施例1之螢光體之粉末X線繞射圖表。
[第13圖]　表示本發明實施例7之螢光體之粉末X線繞射圖表。
[第14圖]　表示本發明實施例24之螢光體之發光及激發光譜圖。
[第15圖]　表示本發明實施例27之螢光體之發光及激發光譜圖。
[第16圖]　表示本發明實施例24之螢光體之粉末X線繞射圖表。
[第17圖]　表示本發明實施例27之螢光體之粉末X線繞射圖。
1．．．殼型白色LED裝置(殼型發光二極體燈)
2．．．導線
3．．．導線
200．．．白色發光裝置
201．．．顯示裝置
211．．．液晶顯示面板
211a．．．顯示面
212．．．濾色片
214．．．基板
214a．．．正面側之面
221．．．顯示裝置用照明裝置

Claims (41)

  1. 一種顯示裝置用照明裝置，其係由基板、及配置於該基板上的複數個白色發光裝置所組成，使用作為液晶顯示面板之背光，該白色發光裝置具有：光源、及藉由該光源所激發而發光且發光峰值波長為480奈米至540奈米之螢光體，該螢光體係使用以通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示組成的螢光材料，其中，M(0)為從由鈣、鍶、及鋇所組成之群中選出的一種以上的元素；M(1)為當作活化劑的銪；M(2)為矽；M(3)為鋁；O為氧元素；N為氮元素，x、y及z係各自滿足33≦x≦51，8≦y≦12，及36≦z≦56的數值；a及b係滿足3≦a+b≦7、且0.001≦b≦1.2的數值；m及n係當me=a+b時，滿足0.8‧me≦m≦1.2‧me且0<n≦7的數值，而且v係在使v(0)為M(0)離子之價數，使v(1)為M(1)離子之價數時，滿足v={a‧v(0)+b‧v(1)}/(a+b)的數值。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之b為滿足0.005≦b≦0.3的數值。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之b為滿足0.01≦b≦0.2的數值。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之x、y及z各自為x=42、y=10及z=46。
  5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光材料之n為滿足n≦me的數值。
  6. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之使用，係該螢光材料之含有率為80體積百分比以上，剩餘部分係從由β-氮化矽(β-sialon)、未反應之氮化矽或氮化鋁、氧氮化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14 O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n≒1)及SrSi6N8所組成之群中選出的一種以上的物質。
  7. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之平均粒徑為0.1微米以上、50微米以下的粉體。
  8. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之平均長寬比為20以下。
  9. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體含有氟5至300百萬分之一(ppm)。
  10. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體含有硼10至3000百萬分之一(ppm)。
  11. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中有透明膜形成於該螢光體之至少一部分表面，當該透明膜之折射率為nk時，該透明膜之厚度為(10至180)/nk(單位：奈米)。
  12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置用照明裝置，其中該透明膜之折射率nk為1.2以上、2.5以下。
  13. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置用照明裝置，其中 該透明膜之折射率nk為1.5以上、2.0以下。
  14. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體係除了該螢光材料以外，還使用紅色發光螢光材料。
  15. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置用照明裝置，其中該紅色發光螢光材料係CaAlSiN3：銪。
  16. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光峰值波長330至500奈米的藍色發光發光二極體晶片。
  17. 如申請專利範圍第16項之顯示裝置用照明裝置，其中該發光二極體晶片之發光峰值波長為420至470奈米。
  18. 如申請專利範圍第16項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體係除了該螢光材料以外，還使用紅色發光螢光材料，將來自該發光二極體晶片之藍色發光、來自藉由該藍色發光所激發之該螢光材料的綠色發光、來自藉由該藍色發光所激發之該紅色發光螢光材料的紅色發光予以混色，而自該白色發光裝置獲得白色發光。
  19. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該白色發光裝置為殼型白色發光二極體裝置或表面組裝型白色發光二極體裝置。
  20. 如申請專利範圍第19項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片， 該殼型白色發光二極體裝置或該表面組裝型白色發光二極體裝置具有反射面，該反射面係將該發光二極體晶片之發光朝向正面方向反射。
  21. 如申請專利範圍第19項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片，該表面組裝型白色發光二極體裝置具有壁面構件，該壁面構件係配置為包圍該發光二極體晶片，且在該壁面構件形成有該反射面。
  22. 如申請專利範圍第19項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片，該表面組裝型白色發光二極體裝置係將該發光二極體晶片直接組裝於配線基板上的晶板接裝(chip on board)型裝置。
  23. 如申請專利範圍第21項之顯示裝置用照明裝置，其中該壁面構件含有樹脂製構件及/或陶瓷製構件。
  24. 如申請專利範圍第23項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂製構件係由熱硬化性樹脂材料所組成。
  25. 如申請專利範圍第22項之顯示裝置用照明裝置，其中該配線基板含有樹脂製構件及/或陶瓷製構件。
  26. 如申請專利範圍第25項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂製構件係由熱硬化性樹脂材料所組成。
  27. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片， 該白色發光裝置係具有該發光二極體晶片、及包圍該發光二極體晶片所形成之樹脂，且使該螢光體分散於該樹脂中。
  28. 如申請專利範圍第27項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體係分散於該樹脂中，以在該發光二極體晶片附近成為高密度。
  29. 如申請專利範圍第27項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係由形成為覆蓋該發光二極體晶片之第一樹脂及形成為覆蓋該第一樹脂之第二樹脂所組成，該螢光體係分散於該第一樹脂中。
  30. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片，該螢光體係直接附著以包覆該發光二極體晶片之至少一面。
  31. 如申請專利範圍第30項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體形成為層狀。
  32. 如申請專利範圍第30項之顯示裝置用照明裝置，其中該螢光體之厚度為1微米至100微米。
  33. 如申請專利範圍第27項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係在至少一部分的區域含有聚矽氧樹脂。
  34. 如申請專利範圍第33項之顯示裝置用照明裝置，其中該樹脂係在至少一部分區域含有甲基聚矽氧樹脂。
  35. 如申請專利範圍第33項之顯示裝置用照明裝置，其中 該樹脂係在至少一部分區域含有苯基聚矽氧樹脂。
  36. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片，該發光二極體晶片的一邊大於350微米。
  37. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片，該發光二極體晶片呈複數配置。
  38. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該白色發光裝置每一封裝體投入0.2瓦特以上的電力來使用。
  39. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置用照明裝置，其中該光源係發光二極體晶片，該白色發光裝置每一封裝體，就該發光二極體晶片每一個之平面面積密度而言，投入1.5x104瓦特/平方公尺以上的電力來使用。
  40. 如申請專利範圍第39項之顯示裝置用照明裝置，其中該白色發光裝置每一封裝體，就該發光二極體晶片每一個之平面面積密度而言，投入5x104瓦特/平方公尺以上的電力來使用。
  41. 一種顯示裝置，其具備根據申請專利範圍第1至40項中任一項所述之顯示裝置用照明裝置及透過型液晶顯示面板。
TW098140091A 2008-11-28 2009-11-25 顯示裝置用照明裝置及顯示裝置 TWI417616B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008305317A JP5641384B2 (ja) 2008-11-28 2008-11-28 表示装置用照明装置及び表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201030427A TW201030427A (en) 2010-08-16
TWI417616B true TWI417616B (zh) 2013-12-01

Family

ID=42225483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098140091A TWI417616B (zh) 2008-11-28 2009-11-25 顯示裝置用照明裝置及顯示裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8550645B2 (zh)
EP (1) EP2372795B1 (zh)
JP (1) JP5641384B2 (zh)
KR (1) KR101356367B1 (zh)
CN (1) CN102227826B (zh)
TW (1) TWI417616B (zh)
WO (1) WO2010061597A1 (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8564731B2 (en) * 2009-12-23 2013-10-22 Lg Electronics Inc. Display device
US20120019126A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 General Electric Company Oxynitride phosphors, method of preparation, and light emitting instrument
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
JP5185421B2 (ja) 2010-09-09 2013-04-17 株式会社東芝 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5672924B2 (ja) * 2010-10-07 2015-02-18 三菱化学株式会社 高温焼成蛍光体の製造方法と蛍光体
US10158057B2 (en) 2010-10-28 2018-12-18 Corning Incorporated LED lighting devices
JP2012104542A (ja) * 2010-11-08 2012-05-31 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びそれを用いたｌｅｄパッケージ、およびその製造方法
JP2012131999A (ja) * 2010-12-02 2012-07-12 Niigata Univ 結晶性物質、並びにそれを用いた発光装置及び白色ｌｅｄ
TWI447207B (zh) * 2010-12-08 2014-08-01 Univ Nat Chiao Tung 螢光材料及使用其之發光裝置
US20120188738A1 (en) * 2011-01-25 2012-07-26 Conexant Systems, Inc. Integrated led in system-in-package module
JP5690159B2 (ja) * 2011-02-06 2015-03-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法及び発光装置
JP5787343B2 (ja) * 2011-02-06 2015-09-30 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体及び発光装置
JP5697473B2 (ja) * 2011-02-06 2015-04-08 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法及び発光装置
KR101781437B1 (ko) * 2011-04-29 2017-09-25 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
KR101786093B1 (ko) 2011-06-16 2017-10-18 엘지이노텍 주식회사 형광체, 형광체 제조방법 및 발광 소자
JP5707618B2 (ja) 2011-06-30 2015-04-30 シャープ株式会社 発光装置
US9082349B2 (en) * 2011-08-30 2015-07-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-primary display with active backlight
JP5962043B2 (ja) * 2012-02-10 2016-08-03 豊田合成株式会社 発光装置
US9030092B2 (en) 2012-02-27 2015-05-12 Kyounggi University Industry & Academia Cooperation Foundation Silicon oxynitride phosphore, production method for same, and optical element comprising same
JP6285100B2 (ja) 2012-06-13 2018-02-28 アルパッド株式会社 蛍光体および発光装置
US9202996B2 (en) 2012-11-30 2015-12-01 Corning Incorporated LED lighting devices with quantum dot glass containment plates
CN103998571B (zh) * 2012-12-14 2016-03-23 电化株式会社 荧光体、其制备方法及发光装置
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US9273851B2 (en) * 2013-01-30 2016-03-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Backlight module and liquid crystal display device
TWI464238B (zh) * 2013-03-27 2014-12-11 Chi Mei Corp 螢光體與發光裝置
CN103351863B (zh) * 2013-07-08 2015-10-28 江苏博睿光电有限公司 一种红色荧光粉及其制备方法
KR20150077076A (ko) 2013-12-27 2015-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105874620B (zh) * 2014-01-08 2019-03-29 亮锐控股有限公司 用作完整led封装的深模制反射器杯体
JP6087853B2 (ja) * 2014-02-24 2017-03-01 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
EP3663843B1 (en) 2014-12-03 2022-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device and display device using the same
JP6288061B2 (ja) * 2015-12-10 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2018001370A1 (zh) * 2016-06-30 2018-01-04 有研稀土新材料股份有限公司 镥氮基荧光粉及具有其的发光器件
CN106772769A (zh) * 2016-12-31 2017-05-31 惠科股份有限公司 背光模块及其应用的显示设备与导光板的制造方法
KR102452484B1 (ko) * 2017-08-11 2022-10-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈
JP6684412B1 (ja) * 2019-06-27 2020-04-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光装置
JP2021059686A (ja) * 2019-10-09 2021-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体およびそれを使用した半導体発光装置
CN113387567B (zh) * 2020-03-13 2022-03-18 包头稀土研究院 红色荧光玻璃及其制备方法
CN113387568B (zh) * 2020-03-13 2022-03-18 包头稀土研究院 红色荧光玻璃材料及其制备方法和用途
KR102599819B1 (ko) 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등
EP4293732A1 (en) 2022-01-20 2023-12-20 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light-emitting device, lighting device, image display device, and indicator lamp for vehicles

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093146A (ja) * 1997-10-20 1998-04-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2006063214A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
WO2006093298A1 (ja) * 2005-03-04 2006-09-08 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
TW200717876A (en) * 2005-09-22 2007-05-01 Sony Corp Light-emitting diode and method for manufacturing same, integrated light-emitting diode and method for manufacturing same, method for growing a nitride-based III-V group compound semiconductor, substrate for growing a nitide-based III-V group compound se
TW200801159A (en) * 2006-02-10 2008-01-01 Mitsubishi Chem Corp Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display, and illuminating device
TW200825155A (en) * 2006-09-15 2008-06-16 Mitsubishi Chem Corp Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH09153664A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toshiba Corp 大電流用基板
JPH1012925A (ja) 1996-06-21 1998-01-16 Susumu Sato 蛍光体付き発光ダイオード
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2000034477A (ja) 1998-05-15 2000-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルと蛍光体および蛍光体の製造方法
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4077170B2 (ja) 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2004277663A (ja) 2003-03-18 2004-10-07 National Institute For Materials Science サイアロン蛍光体とその製造方法
JP3837551B2 (ja) 2003-06-20 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
JP4165318B2 (ja) 2003-07-16 2008-10-15 宇部興産株式会社 サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2005048105A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体組成物およびそれを用いた発光装置
CN1839193B (zh) 2003-08-22 2010-05-05 独立行政法人物质·材料研究机构 氧氮化物荧光体和发光器具
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP2007113019A (ja) 2004-02-18 2007-05-10 National Institute For Materials Science 蛍光体の製造方法
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
EP1734096B1 (en) * 2004-03-22 2011-07-06 Fujikura Ltd. Light-emitting device and illuminating device
JP2005336450A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置
KR100865624B1 (ko) 2004-04-27 2008-10-27 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP4934949B2 (ja) * 2004-07-20 2012-05-23 トヨタ自動車株式会社 燃料電池および水素分離膜モジュールならびにこれらの製造方法
JP4524470B2 (ja) 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP3987515B2 (ja) 2004-08-27 2007-10-10 俊信 横尾 蛍光体、蛍光体の製造方法、及び発光ダイオード
US7476338B2 (en) * 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP5080723B2 (ja) 2005-02-22 2012-11-21 シャープ株式会社 半導体発光装置
CN101128564B (zh) 2005-02-28 2012-07-25 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
JP4364189B2 (ja) 2005-10-19 2009-11-11 電気化学工業株式会社 α型サイアロン、α型サイアロンからなる蛍光体とそれを用いた照明器具
CN101982891A (zh) * 2005-02-28 2011-03-02 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
JP4538739B2 (ja) * 2005-05-19 2010-09-08 電気化学工業株式会社 α型サイアロン蛍光体とそれを用いた照明器具
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
KR100704492B1 (ko) 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
JP2007002085A (ja) 2005-06-23 2007-01-11 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 電子線励起赤色蛍光体の製造方法
JP4932248B2 (ja) 2005-12-21 2012-05-16 Ｎｅｃライティング株式会社 黄色発光蛍光体、それを用いた白色発光素子、およびそれを用いた照明装置
JP2007231253A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Asahi Glass Co Ltd 透光封止用硬化性樹脂組成物、樹脂封止発光素子及びその製造方法
EP1997865B1 (en) * 2006-02-24 2013-11-06 National Institute for Materials Science Phosphor, method for producing same, and light-emitting device
JP2008266410A (ja) * 2007-04-18 2008-11-06 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、蛍光体含有組成物、蛍光体の製造方法、発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP4458119B2 (ja) 2007-06-11 2010-04-28 トヨタ自動車株式会社 マルチプロセッサシステム及びその制御方法
JP3139038U (ja) 2007-11-12 2008-01-31 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP5592602B2 (ja) * 2008-07-31 2014-09-17 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093146A (ja) * 1997-10-20 1998-04-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2006063214A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
WO2006093298A1 (ja) * 2005-03-04 2006-09-08 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
TW200717876A (en) * 2005-09-22 2007-05-01 Sony Corp Light-emitting diode and method for manufacturing same, integrated light-emitting diode and method for manufacturing same, method for growing a nitride-based III-V group compound semiconductor, substrate for growing a nitide-based III-V group compound se
TW200801159A (en) * 2006-02-10 2008-01-01 Mitsubishi Chem Corp Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display, and illuminating device
TW200825155A (en) * 2006-09-15 2008-06-16 Mitsubishi Chem Corp Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2372795B1 (en) 2015-01-07
KR101356367B1 (ko) 2014-01-27
KR20110084270A (ko) 2011-07-21
JP5641384B2 (ja) 2014-12-17
US8550645B2 (en) 2013-10-08
EP2372795A1 (en) 2011-10-05
EP2372795A4 (en) 2012-12-19
US20110235309A1 (en) 2011-09-29
JP2010129906A (ja) 2010-06-10
CN102227826B (zh) 2014-05-07
CN102227826A (zh) 2011-10-26
WO2010061597A1 (ja) 2010-06-03
TW201030427A (en) 2010-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI417616B (zh) 顯示裝置用照明裝置及顯示裝置
US9127203B2 (en) Fluorescent substance, light emitting device, surface light source device, display device and illuminating device
US7901592B2 (en) Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter
KR101382915B1 (ko) 형광체 및 그 제조 방법, 및 그것을 이용한 발광 장치
JP5578597B2 (ja) 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP5066786B2 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4892861B2 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JPWO2006077740A1 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4214768B2 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2008189700A (ja) 窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体及びこれらを用いた発光装置
WO2006117984A1 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4218328B2 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP5360370B2 (ja) 発光装置
JP5194395B2 (ja) 酸窒化物系蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP4215046B2 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP4215045B2 (ja) 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2021059686A (ja) 蛍光体およびそれを使用した半導体発光装置