CN102227826B - 显示装置用照明装置和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置用照明装置等，所述显示装置用照明装置是包括基板和配置于基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的装置，所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，作为所述荧光体，使用由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料。

Description

显示装置用照明装置和显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置用照明装置和显示装置，特别是涉及色再现性高的显示装置用照明装置和显示装置。 
本申请基于在2008年11月28日在日本提出申请的专利申请2008-305317号要求优先权，将其内容援引于本申请中。 
背景技术
近年来，为了液晶显示装置的进一步的性能提高，对透射型液晶显示面板中所使用的背光源(显示装置用照明装置)要求进一步的高辉度化和高的色再现性。因此，作为上述背光源，以往，组合了荧光显示管和导光板的背光源是主流，但近年来，开始使用采用了LED装置的背光源。作为采用了上述LED装置的背光源，有例如将多个白色LED装置排列在基板上的背光源。 
作为上述白色LED装置，公知：组合了蓝色发光二极管元件(蓝色LED芯片)和蓝色吸收黄色发光荧光体的白色发光二极管装置(BY型白色LED装置)、组合了蓝色LED芯片和蓝色吸收绿色发光荧光体以及蓝色吸收红色发光荧光体的白色发光二极管装置(RGB型白色LED装置)，在上述背光源等中被实用化。 
作为上述BY型白色LED装置，例如专利文献1中曾公开了采用蓝色发光二极管元件和蓝色吸收黄色发光荧光体的组合的白色发光二极管装置。另外，专利文献2中也曾对于同样的构成的发光二极管装置加以公开。进一步地，专利文献3中也曾对于同样的构成的发光二极管装置，作为使用了波长变换浇铸材料的发光元件加以公开。 
作为上述RGB型白色LED装置，例如专利文献4中曾公开了具备发 出紫外光或近紫外光的半导体发光元件、和成膜于元件的表面的荧光体的带有荧光体的发光二极管。在该构成中，可根据在元件的表面成膜的荧光体的种类，使该带有荧光体的发光二极管装置(LED装置)的发光色为蓝、绿或红色。另外，专利文献5中曾公开了一种点阵型的显示装置，其具备：包含III族氮化物半导体的发光层；和接受从该发光层发出的发光波长峰波长为380nm的紫外光，分别发出红色、绿色和蓝色的三原色的光的3种荧光体层。 
另外，专利文献1～5中记载的LED装置，可以通过例如专利文献6、专利文献7等记载的公知的方法制造。 
在这些发光二极管中，作为蓝色吸收黄色发光荧光体，被特别经常使用的荧光体是由通式(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12:Ce3+表示的、用铈激活的钇-铝-石榴石(YAG)系氧化物荧光体。 
上述BY型白色LED装置，红色成分不足，成为苍白的发光，存在显色性可看到偏差这样的问题。另外，也具有也存在下述问题的荧光体：随着使上述蓝色LED芯片形成为高辉度，发热量增大，一部分发生分解从而变得不显示发光，使上述白色LED芯片的发光辉度降低。进一步地，在YAG荧光体等中，高温下的转换效率差，所以在成为高温的环境下有时也发生发光强度急速降低这样的问题。 
作为蓝色吸收黄色发光荧光体，除了上述钇-铝-石榴石(YAG)系氧化物荧光体以外，还已知硫化物系荧光体。例如，专利文献8中曾公开了使用发出390～420nm的波长的光的半导体发光元件、和由从该半导体发光元件发出的光激励的荧光体，并发出白色的光的半导体发光元件。作为采用390～420nm的波长的光激励而发光的荧光体，使用了各种的氧化物、硫化物的荧光体。但是，上述硫化物系荧光体在化学稳定性上存在难点，有时不能确保作为白色LED装置所需要的寿命特性。 
作为蓝色吸收黄色发光荧光体，除了上述荧光体以外，还已知硅酸盐荧光体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体等。但是，这些荧光体也通过暴露在真空紫外线、紫外线、电子束、蓝色光等的具有高的能量的激励源下而 导致荧光体的发光辉度降低。 
另一方面，曾报告了塞隆(sialon)荧光体等的氮氧化物荧光体即使暴露在上述激励源下辉度降低也较少的情况。例如，专利文献9中曾公开了含有Ca的塞隆荧光体。在此，该塞隆荧光体，首先以规定的摩尔比混合了氮化硅(Si3N4)、氮化铝(AlN)、碳酸钙(CaCO3)和氧化铕(Eu2O3)后，在1气压(0.1MPa)的氮中在1700℃的温度保持1小时，通过热压法进行煅烧(烧成)而加以制造。通过该方法得到的固溶了Eu离子的α型塞隆荧光体，是利用450～500nm的蓝色光激励而发出550～600nm的黄色光的蓝色吸收黄色发光荧光体。 
另外，专利文献10涉及别的塞隆荧光体，对于具有β-Si3N4结构的β型塞隆荧光体进行了公开。该β型塞隆荧光体，是通过用近紫外～蓝色光激励而发出500～600nm的绿色～橙色的光的蓝色吸收黄色发光荧光体。 
进一步地，专利文献11曾公开了包含JEM相的氮氧化物荧光体。该氮氧化物荧光体是用近紫外～蓝色光激励而发出在460～510nm的范围具有发光波长峰的光的蓝色吸收绿色发光荧光体。 
现有技术文献 
专利文献1：日本专利第2900928号公报 
专利文献2：日本专利第2927279号公报 
专利文献3：日本专利第3364229号公报 
专利文献4：日本特开平10-12925号公报 
专利文献5：日本特开平9-153664号公报 
专利文献6：日本特开平5-152609号公报 
专利文献7：日本特开平7-99345号公报 
专利文献8：日本特开2002-171000号公报 
专利文献9：日本特开2002-363554号公报 
专利文献10：日本特开2005-255895号公报 
专利文献11：日本特开2006-232868号公报 
发明内容
本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的在于提供高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
本发明者们为了解决上述课题而反复专心研究的结果发现：下述的荧光体，其发光光谱的半峰宽较窄，显示发光峰波长为520nm附近的绿色发光，适合作为上述RGB型白色LED装置的蓝色吸收绿色发光荧光体，所述荧光体具有由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料，在此，M(0)是选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd和Lu中的1种以上的元素，M(1)是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的1种以上的激活剂，M(2)是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf和Zr中的1种以上的元素，M(3)是选自Be、B、Al、Ga、In、Tl和Zn中的1种以上的元素，O为氧元素，N为氮元素，且调整M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、O和N的原子比以使得满足：x、y和z分别为33≤x≤51、8≤y≤12和36≤z≤56，a和b为3≤a+b≤7、并且0.001≤b≤1.2，m和n在me＝a+b时为0.8·me≤m≤1.2·me且0≤n≤7，并且v为v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)(在此，v(0)为M(0)离子的价数，v(1)为M(1)离子的价数)的全部。 
对于该见解进一步推进研究的结果，终于完成了显示以下的构成的本发明。即： 
(1)一种显示装置用照明装置，是包括基板和配置于上述基板上的多个白色发光装置(白色发光器件)的、作为液晶显示面板的背光源使用的显示装置用照明装置，其特征在于：上述白色发光装置具有光源和采用上述光源激励而发光的荧光体，作为上述荧光体，使用由通式M(0)aM(1) bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料，其中，M(0)是选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd和Lu中的1种以上的元素，M(1)是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的1种以上的激活剂，M(2)是选自Si、Ge、Sn、 Ti、Hf和Zr中的1种以上的元素，M(3)是选自Be、B、Al、Ga、In、Tl和Zn中的1种以上的元素，O为氧元素，N为氮元素，x、y和z是分别满足33≤x≤51、8≤y≤12和36≤z≤56的数值，a和b是满足3≤a+b≤7、并且0.001≤b≤1.2的数值，m和n在me＝a+b时是满足0.8·me≤m≤1.2·me、并且0≤n≤7的数值，并且，在将v(0)记为M(0)离子的价数、将v(1)记为M(1)离子的价数时，v是满足v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)的数值。 
(2)根据(1)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光材料的M(1)为Eu，并且b为满足0.005≤b≤0.3的数值。 
(3)根据(1)或(2)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光材料的M(1)为Eu，并且b为满足0.01≤b≤0.2的数值。 
(4)根据(1)～(3)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光材料的x、y和z分别为x＝42、y＝10和z＝46。 
(5)根据(1)～(4)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光材料的M(0)为选自Ca、Sr和Ba中的1种以上的元素。 
(6)根据(1)～(5)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光材料的M(2)为Si，并且M(3)为Al。 
(7)根据(1)～(6)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光材料的n为满足n≤me的数值。 
(8)根据(1)～(7)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，作为上述荧光体，使用上述荧光材料的含有率为80体积％以上、其余部分为选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质的荧光体。 
(9)根据(1)～(8)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体是平均粒径为0.1μm以上50μm以下的粉体。 
(10)根据(9)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体的平均纵横比为20以下。 
(11)根据(1)～(10)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体含有5～300ppm的氟。 
(12)根据(1)～(11)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体含有10～3000ppm的硼。 
(13)根据(1)～(12)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，在上述荧光体的至少一部分表面形成有透明膜，在将上述透明膜的折射率设为nk时，上述透明膜的厚度为(10～180)/nk(单位：纳米)。 
(14)根据(13)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述透明膜的折射率nk为1.2以上2.5以下。 
(15)根据(14)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述透明膜的折射率nk为1.5以上2.0以下。 
(16)根据(1)～(15)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，作为上述荧光体，除了使用上述荧光材料以外还使用了红色发光荧光材料。 
(17)根据(16)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述红色发光荧光材料为CaAlSiN3:Eu。 
(18)根据(1)～(17)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述光源是发光峰波长为330～500nm的蓝色发光LED芯片。 
(19)根据(18)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述LED芯片的发光峰波长为420～470nm。 
(20)根据(1)～(19)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，来自上述LED芯片的蓝色发光、来自被上述蓝色发光激励的上述荧光材料的绿色发光和来自被上述蓝色发光激励的上述红色发光荧光材料的红色发光被混色，从上述白色发光装置得到白色发光。 
(21)根据(1)～(20)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述白色发光装置为炮弹型白色LED装置或表面安装型白色LED装置。 
(22)根据(21)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述炮 弹型白色LED装置或上述表面安装型白色LED装置具有使上述LED芯片的发光向正面方向反射的反射面。 
(23)根据(21)或(22)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述表面安装型白色LED装置具有以包围上述LED芯片的方式配置的壁面构件，上述壁面构件形成有上述反射面。 
(24)根据(21)～(23)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述表面安装型白色LED装置是将上述LED芯片直接安装于配线基板上的板上芯片型装置。 
(25)根据(21)～(24)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述配线基板和/或上述壁面构件包含树脂制构件和/或陶瓷制构件。 
(26)根据(25)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述树脂制构件由热固化性树脂材料形成。 
(27)根据(1)～(26)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述白色发光装置具有上述LED芯片和包围上述LED芯片而形成的树脂，在上述树脂中分散有上述荧光体。 
(28)根据(27)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体以在上述LED芯片的附近成为高密度的方式分散于上述树脂中，在此，所谓LED芯片的「附近」，通常是指处于距LED芯片的表面0μm～1000μm、优选0μm～500μm的距离；所谓「高密度」意指为相对地高的密度，在本说明书中，只要存在于上述附近的上述荧光体的密度比在其以外存在的上述荧光体的密度高即可，在上述LED芯片的附近部分中也可容许100％的密度。 
(29)根据(27)或(28)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述树脂包含以覆盖上述LED芯片的方式形成的第一树脂和以覆盖上述第一树脂的方式形成的第二树脂，上述荧光体分散于上述第一树脂中。 
(30)根据(1)～(26)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体以覆盖上述LED芯片的至少一面的方式直接附着。 
(31)根据(30)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体被形成为层状。 
(32)根据(30)或(31)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述荧光体的厚度为1μm～100μm。 
(33)根据(27)～(32)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述树脂在至少一部分的区域中含有硅树脂(silicone resin)。 
(34)根据(33)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述树脂在至少一部分的区域中含有甲基硅树脂(methyl silicone resin)。 
(35)根据(33)或(34)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述树脂在至少一部分的区域中含有苯基硅树脂(phenyl silicone resin)。 
(36)根据(1)～(35)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，上述LED芯片的一边大于350μm，在此，只要上述LED芯片的一边的大小大于350μm，并获得本发明的效果就没有特别的限定，但通常优选为小于5mm。 
(37)根据(1)～(36)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，是配置多个上述LED芯片而成的。 
(38)根据(1)～(37)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，投入每1件上述白色发光装置0.2W以上的电力来使用，在此，只要对每1件上述白色发光装置投入的电力为0.2W以上，并获得本发明的效果就没有特别的限定，但通常优选为5W以下。 
(39)根据(1)～(38)的任一项所述的显示装置用照明装置，其特征在于，按每1件上述白色发光装置的每1个上述LED芯片的平面面积密度计，投入1.5×104W/m2以上的电力来使用，在此，只要对每1件上述白色发光装置投入的电力按每1个上述LED芯片的平面面积密度计为1.5×104W/m2以上，并获得本发明的效果就没有特别的限定，但通常优选为1×106W/m2以下，更优选为2×105W/m2以下。 
(40)根据(39)所述的显示装置用照明装置，其特征在于，按每1件上述白色发光装置的每1个上述LED芯片的平面面积密度计，投入5× 104W/m2以上的电力来使用，在此，只要对每1件上述白色发光装置投入的电力按每1个上述LED芯片的平面面积密度计为5×104W/m2以上，并获得本发明的效果就没有特别的限定，但通常优选为2×105W/m2以下。 
(41)一种显示装置，其特征在于，具备：(1)～(40)的任一项所述的显示装置用照明装置和透射型液晶显示面板。 
根据上述的构成，可以提供高辉度和高寿命，且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
本发明的显示装置用照明装置，是作为透射型液晶显示面板的背光源使用的显示装置用照明装置，上述显示装置用照明装置包括：矩形的基板和配置于上述基板上的多个发光装置，上述发光装置具有光源和由上述光源激励而发光的荧光体，作为上述荧光体，使用由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料，在上述通式中，M(0)是选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd和Lu中的1种以上的元素，M(1)是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的1种以上的激活剂，M(2)是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf和Zr中的1种以上的元素，M(3)是选自Be、B、Al、Ga、In、Tl和Zn中的1种以上的元素，O为氧元素，N为氮元素，并且为调整M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、O和N的原子比以使得满足：x、y和z分别为33≤x≤51、8≤y≤12、和36≤z≤56，a和b为3≤a+b≤7、并且0.001≤b≤1.2，m和n在me＝a+b时为0.8·me≤m≤1.2·me、并且0≤n≤7，并且v为v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)(在此，v(0)为M(0)离子的价数，v(1)为M(1)离子的价数)的全部的构成，所以可使上述荧光体成为发光峰波长为520nm附近的蓝色吸收绿色发光荧光体，使绿色发光的色度坐标为最适合于显示器的坐标，可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
附图说明
图1是作为本发明的第一实施方式的显示装置用照明装置和显示装置 的剖面图。 
图2是作为本发明的第一实施方式的显示装置用照明装置的俯视图。 
图3是作为本发明的第一实施方式的显示装置用照明装置中使用的白色发光装置的剖面图。 
图4是作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置和显示装置的剖面图。 
图5是作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置的俯视图。 
图6是作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置中使用的白色发光装置的剖面图。 
图7是作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置中使用的白色发光装置的剖面图。 
图8是作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置中使用的白色发光装置的剖面图。 
图9是作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置中使用的白色发光装置的剖面图。 
图10是表示本发明的实施例1的荧光体的发光和激励光谱的图。 
图11是表示本发明的实施例7的荧光体的发光和激励光谱的图。 
图12是表示本发明的实施例1的荧光体的粉末X射线衍射图的图。 
图13是表示本发明的实施例7的荧光体的粉末X射线衍射图的图。 
图14是表示本发明的实施例24的荧光体的发光和激励光谱的图。 
图15是表示本发明的实施例27的荧光体的发光和激励光谱的图。 
图16是表示本发明的实施例24的荧光体的粉末X射线衍射图的图。 
图17是表示本发明的实施例27的荧光体的粉末X射线衍射图的图。 
具体实施方式
以下，对于用于实施本发明的方式进行说明。 
(第一实施方式) 
图1是说明作为本发明的实施方式的显示装置的一例的剖面模式图。 
如图1所示，作为本发明的实施方式的显示装置201，具有透射型液晶显示面板211、滤色片212、和作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221从而概略构成。 
<透射型液晶显示面板211> 
透射型液晶显示面板211为下述构成：液晶层、透明电极层和取向膜等层叠而成，并且，在俯视时具有被排列成格子状的多个像素部，独立地控制各像素部而控制上述液晶层的液晶的取向(省略图示)。另外，作为透射型液晶显示面板211，可以使用公知的透射型液晶显示面板。对于详细的构成省略说明。 
<滤色片212> 
滤色片212是多个红、绿、蓝(RGB)三原色的滤色部被排列成格子状而成的透光性薄膜，各滤色部以对应于透射型液晶显示面板211的像素部的方式被形成(省略图示)。另外，滤色片212也可以使用公知的滤色片。对于详细的构成省略说明。 
另外，滤色片212，在图1中配置于透射型液晶显示面板211与显示装置用照明装置221之间，但不限于此，例如，也可以配置在透射型液晶显示面板211的正面方向f的面上。 
<显示装置用照明装置221> 
如图1所示，作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，在基板214的正面方向f的面214a上配置有多个白色发光装置200。 
作为白色发光装置200，使用了炮弹型白色LED装置(炮弹型白色发光二极管灯)1。炮弹型白色LED装置1通过引线2、3连接到基板214。 
在图1中省略，但在基板214的正面侧的面214a上和/或内部形成有配线，上述配线与引线2、3连接，并且与被安装于基板214的电信号控制部连接。由此，形成为下述构成：操作上述电信号控制部，可以进行炮弹型白色LED装置1的发光的开关和发光辉度的控制等。 
形成为下述构成：从炮弹型白色LED装置1向正面方向f射出的光，如图1的箭头I所示，通过滤色片212和透射型液晶显示面板211，向正 面方向f射出。 
图2是表示显示装置用照明装置的一例的俯视模式图。 
如图2所示，作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，在俯视时，多个白色发光装置200在大致矩形的基板214上配置成格子状。 
白色发光装置200的数量和配置，只要以在来自显示装置用照明装置221的光通过滤色片212和透射型液晶显示面板211向正面方向f射出时，在透射型液晶显示面板211的显示面211a内成为均匀的强度的光的方式配置即可，并不限于图2所示的数量和配置。 
图3是图1所示的白色发光装置200(炮弹型白色LED装置1)的放大剖面图。 
如图3所示，炮弹型白色LED装置1具备第一引线2和第二引线3，在第一引线2的前端部2b具有凹部2a，在该凹部2a中内置有作为光源40的发光二极管元件(LED芯片)4。 
LED芯片4为上下电极型，下部电极4a通过导电性膏与凹部2a的底面电连接，上部电极4b通过接合线(细金线)5与第二引线3电连接。 
另外，第一引线2的凹部2a，其剖面形状为倒梯形形状，具有朝向正面方向f的底面和侧壁面。该凹部2a的底面和侧壁面被设为使LED芯片4的光反射而向正面方向f射出的反射面(reflector surfaces)。 
<光源> 
作为光源40，使用了发光二极管元件(LED芯片)4。通过使用LED芯片4作为光源40，可以缩小装置尺寸，可以抑制消耗电力。另外，LED芯片4可以廉价且大量地得到，所以可以抑制显示装置用照明装置221和显示装置201的制造成本。 
作为LED芯片4，更优选其发光峰波长为330～500nm的蓝色发光的芯片，进一步优选其发光峰波长为420～470nm的芯片。由此，可以高效地激励荧光体，同时形成适合于白色发光装置200的蓝色发光。 
从提高发光效率的方面来看，LED芯片4优选使用氮化镓系化合物半导体，例如，使用MOCVD法、HVPE法等形成。作为氮化镓系化合物半 导体的结构，可以为具有MIS结、PIN结、pn结等的同质结构、异质结构或者双异质结构。LED芯片4的发光层优选使用包含InαAlβGa1-α-βN(但是，0≤α、0≤β、α+β≤1)的氮化镓系化合物半导体，优选为具有量子效应的单量子阱结构或多量子阱结构。另外，通过控制上述氮化物系化合物半导体的材料组成和/或其混晶度等，可以控制来自上述发光层的发射峰波长。 
<树脂> 
透明的第一树脂6以包围配置在凹部2a中的LED芯片4的方式被填充到凹部2a中。另外，在第一树脂6中分散有荧光体7。 
在包围凹部2a的第一树脂6的同时，包围第一引线2的前端部2b和第二引线3的前端部3b而形成了透明的第二树脂8。另外，第二树脂8的形状，整体为大致圆柱形，其前端部为成为透镜形状的曲面的炮弹型。通过第一树脂6和第二树脂8，LED芯片4被完全封装。 
第一树脂6和第二树脂8的材质，优选选定由紫外线光引起的劣化尽量少的材料，优选含有硅树脂，更优选含有甲基硅树脂或苯基硅树脂。硅树脂对于短波长的光具有抗性，所以适合于封装短波长的发光的LED芯片4。进一步地，通过树脂为具有柔软性的甲基硅树脂，可以避免接合线的断裂。另一方面，也可以是具有刚性的苯基硅树脂。在该情况下，防止湿气等贯通于LED芯片4，在高湿等的严酷环境下使用时很适合。另外，也可以含有聚碳酸酯树脂、环氧树脂等的其他的树脂或玻璃等的透明材料。 
第一树脂6和第二树脂8，既可以使用相同的树脂，也可以使用不同的树脂，从制造的容易度和粘结性的良好度等来看，优选使用相同的树脂。 
另外，荧光体7与其他的荧光体相比由温度引起的特性的变化少，所以通过将荧光体7配置在LED芯片4的附近，即使受到从LED芯片4产生的热、荧光体7的温度上升，发光特性的变化也小。 
<树脂的折射率> 
作为光源40的LED芯片4的发光材料，使用氮化镓系化合物半导体的情况下，上述氮化镓系化合物半导体具有2.4～2.5左右的非常高的折射 率，所以作为覆盖LED芯片4的第一树脂6，优选为具有高于1.2的折射率的树脂。另一方面，覆盖第一树脂6的第二树脂8，优选为折射率低于第一树脂6的树脂。由此，可以提高来自LED芯片4的光的取出效率。 
<荧光体> 
荧光体7，含有由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料。在此，O为氧元素，N为氮元素。作为荧光体7，通过含有上述荧光材料，可以提高发光强度。另外，对于上述通式的各组成，以下详细地说明。 
<M(0)元素> 
M(0)优选使用选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd和Lu中的1种以上的元素，更优选使用选自Ca、Sr和Ba中的一种以上的元素，进一步优选使用Sr。 
通过使用选自Ca、Sr和Ba中的一种以上的元素作为M(0)元素，可得到充分高的发光强度。另外，通过使用Sr作为M(0)元素，可得到更高的发光辉度。 
另外，如果用Ca置换Sr的一部分，可以使发光色转移到长波长侧，如果用Ba置换，可以使发光色转移到短波长侧。 
<M(1)元素> 
M(1)元素，优选使用选自作为激活剂的Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的1种以上的元素，更优选使用选自Ce、Eu和Yb中的一种以上的元素，进一步优选使用Eu。 
通过使用选自作为激活剂的Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的1种以上的元素作为M(1)元素，可以使上述荧光材料的发光峰波长为480～540nm，使发光色成为蓝绿色～绿色。由此，可以接近于用于在显示装置用照明装置(背光源)中使用的白色发光的绿色发光的理想色度坐标。 
通过使用Eu作为M(1)元素，可以使上述荧光材料的发光峰波长为495～525nm，使发光色成为蓝绿色～绿色。由此，可以使荧光体7的绿色发 光的色度坐标的位置接近于作为绿色发光更理想的色度坐标。 
上述通式的M(1)元素的成分比b的值的优选范围为0.001≤b≤1.2。如果b的值小于0.001，则进行发光的原子数过少，因此不能得到充分的发光强度，另外，如果超过1.2，则因为浓度消光，发光强度降低，任一种情况都不优选。 
b的值更优选为0.005≤b≤0.3，进一步优选为0.01≤b≤0.2。若为该范围，就可以得到充分高的发光强度。另外，由此，可以将荧光体7的发射峰波长限制在520nm附近，使荧光体7的绿色发光的色度坐标的位置接近于作为绿色发光进一步理想的色度坐标。 
另外，可以将荧光体7的发光光谱的半峰宽变窄，使荧光体7的绿色发光的色度坐标的位置在色度图上配置于更靠外侧。通过构成白色发光的RGB所构成的三原色的发光的色度坐标分别在色度图上配置于更靠外侧，上述三原色的色度坐标形成的三角形的色彩再现区域的面积更大。通过使用具备了具有这样的发光特性的白色发光装置200的显示装置用照明装置221，可以提高显示装置201的色再现性。 
另外，Eu(铕)在正二价时显示良好的发光。因此，在荧光体7中含有的全部铕中所占的二价和三价的比例，二价越多越好，在全部铕中所占的二价的比例优选为50％以上，更优选为80％以上。如果残留三价的铕，则会显示与二价的铕不同的波长的发光，所以造成发光色的变化而不优选。因此，在使用含有三价的Eu的化合物作为原料的情况下，必须通过煅烧过程进行还原。铕的二价和三价的比例，可以通过X射线吸收精细结构(XAFS：X-ray absorption fine structure)解析法进行分析。 
另外，M(1)元素为Yb的情况也显示绿色发光。 
<M(2)元素、M(3)元素> 
M(2)元素优选为选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf和Zr中的1种以上的元素，更优选为Si。由此，可以从荧光体7得到充分高的发光强度。 
M(3)元素优选为选自Be、B、Al、Ga、In、Tl和Zn中的1种以上的元素，更优选为Al。由此，可以从荧光体7得到充分高的发光强度。 
<x、y、z> 
x、y和z的值优选分别为33≤x≤51、8≤y≤12、和36≤z≤56，更优选为x＝42、y＝10、和z＝46。由此，可以从荧光体7得到充分高的发光强度。 
<a、b> 
a+b的值的优选范围是3≤a+b≤7。 
如果a+b的值小于3，则选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质等的其他的结晶相或非晶相的含量增大，发光强度降低，因此不优选。 
另外，如果a+b的值大于7，则选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN (32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质等的其他的结晶相或非晶相的含量增大，发光强度降低并且温度特性也降低，因此不优选。 
<m、n> 
m的值在me＝a+b时，优选为0.8·me≤m≤1.2·me。由此，可以从荧光体7得到充分高的发光强度。 
n的值为0≤n≤7，但在M(0)离子的价数记为v(0)、M(1)离子的价数记为v(1)时，优选为0≤n≤{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)的范围。 
这是由于如果n的值小于{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)，则温度特性提高，并且纵横比变小，在树脂中的分散性提高。另外，如果使n的值小于{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)，则可以使发光波长转移到长波长侧。 
另一方面，如果n的值大于{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)，则选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质等的其他的结晶相或非晶相的含量增大，可看到发光强度降低的倾向。 
另外，优选n≤me。由此，可以从荧光体7得到充分高的发光强度。 
如果荧光体7的上述荧光材料的a、b、x、y、z、m和n的值脱离上述记载范围，则发光强度降低，因此不优选。 
荧光体7也可以是上述荧光材料的含有率为80体积％以上、其余部分为选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质的荧光体。另外，其余部分的物质可以为结晶相或非晶相的任一种。由此，可以从荧光体7得到充分高的发光强度。另外，在上述荧光材料的含量少于80体积％的情况下，不能从荧光体7得到充分高的发光强度。 
<平均粒径> 
荧光体7优选其平均粒径为0.1μm以上50μm以下的范围。 
在上述平均粒径小于0.1μm的情况下，上述荧光体的表面缺陷的影响变显著，发光强度降低。相反地，在上述平均粒径大于50μm的情况下，激励光的吸收变不充分，发光强度降低。另外，荧光体7的粒度可以使用激光衍射-散射法测定。 
<平均纵横比> 
构成荧光体7的粉末的一次粒子的平均纵横比，优选为20以下。由此，除了可以使树脂中的荧光体7的分散性提高以外，还可以使荧光体7高效地吸收激励光，从荧光体7得到充分高的发光强度。 
上述平均纵横比大于20的情况下，难以将荧光体7向树脂混炼，在树脂与荧光体7之间产生空隙。这样的空隙使光散射，使白色发光装置200的发光特性恶化。另外，上述一次粒子交络，或与激励光平行地排列，上述一次粒子的激励光的吸收变不充分，或得不到充分高的发光强度。另外，上述一次粒子的形状为板状的情况，由其剖面形状求得纵横比。 
<微量添加元素> 
荧光体7优选含有5～300ppm的氟和/或10～3000ppm的硼作为微量添加元素。 
在含有5～300ppm的氟或10～3000ppm的硼的情况下，从荧光体7得 到更加良好的发光特性。该现象，对于氟在5ppm以上，对于硼在10ppm以上时变得显著，但前者超过300ppm、后者超过3000ppm的情况下得不到更高的效果。 
<透明膜> 
优选在荧光体7的至少一部分表面形成透明膜。通过形成上述透明膜，可以降低荧光体7与第一树脂6的界面的光的损耗。 
作为适合作为上述透明膜的材质，可以例示二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化镁或氟化镁等的无机物质、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚甲基苯乙烯等的树脂。 
上述透明膜的厚度，在上述透明膜的折射率设为nk时，优选为(10～180)/nk(单位：纳米)。即，上述透明膜的适当的厚度通过上述透明膜的折射率nk来规定。 
在上述透明膜的厚度比上述范围厚的情况下，上述透明膜本身吸收光，使白色发光装置200的发光强度降低。另外，在上述透明膜的厚度比上述范围薄的情况下，难以形成均匀的透明膜，导致荧光体7与第一树脂6的界面的光的损耗的降低效果不充分。 
在上述透明膜的折射率nk高的情况下，即使上述透明膜的厚度薄，也可以降低光的损耗。例如，在上述透明膜的折射率nk为2.0的情况下，上述透明膜的优选的厚度为5～90nm。 
相反地，为了在上述透明膜的折射率nk低的情况下降低光的损耗，需要增厚上述透明膜的厚度。例如，在上述透明膜的折射率nk为1.5的情况下，上述透明膜的优选的厚度为6.6～120nm。 
使用在一部分表面形成有透明膜的荧光体作为荧光体7的情况下，使荧光体7分散的第一树脂6的折射率，优选为接近于上述透明膜的折射率的折射率。由此，可以抑制上述透明膜与第一树脂6的界面的反射。 
另外，在该情况下，如果在分散了荧光体7的第一树脂6的外侧配置折射率比第一树脂6低的第二树脂8，则可以使白色发光装置200的发光强度进一步提高。 
<氧含量> 
在荧光体7中含有的氧含量相比于基于上述通式计算的值以0.4质量％以下的范围较多地含有的情况下，来自荧光体7的发光特性更加提高。 
以该0.4质量％以下的范围较多地含有的氧，是构成在荧光体7的粉末粒子的至少一部分表面形成的透明膜的氧。通过该透明膜，荧光体7的耐氧化性提高，并且能够降低与第一树脂6的折射率的差。由此，降低荧光体7与第一树脂6的界面的光的损耗。进一步地，也可以降低荧光体7中含有的上述荧光材料的粒子表面的未成对电子和/或缺陷，提高来自荧光体7的发光强度。 
<分散性> 
也可以将荧光体7的粉末粒子的表面进行偶联处理。由此，在使荧光体7分散于树脂6时，可以提高其分散性，同时可以提高树脂6与荧光体7的粘附性。 
作为偶联剂，可以使用硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝酸酯系偶联剂等。偶联处理也可以根据需要在透明膜形成后进行。 
<具有导电性的无机物质> 
在用电子束激励荧光体7的用途中使用时，通过混合具有导电性的无机物质，可以对荧光体7赋予导电性。 
作为上述具有导电性无机物质，可以举出含有选自Zn、Al、Ga、In和Sn中的1种或2种以上的元素的氧化物、氮氧化物或氮化物、或者它们的混合物。 
<无机荧光体和荧光染料> 
在荧光体7中，根据需要，可以混合发出与上述荧光材料的发光色不同的颜色的无机荧光体和/或荧光染料。由此，可以更加提高显示装置用照明装置的发光辉度，并且使发光色变化。 
作为荧光体7，优选除了使用上述荧光材料以外，还使用红色发光荧光材料。例如，作为荧光体7，优选进一步使用由CaAlSiN3:Eu形成的红色发光荧光材料。 
在使用蓝色发光的LED芯片4，并将由红色发光的CaAlSiN3:Eu形成的荧光体与上述荧光材料一起分散于荧光体7中的显示装置用照明装置中，可以使LED芯片4的蓝色发光、以上述蓝色发光作为激励光源的荧光体7的绿色发光、和以上述蓝色发光作为激励光源的红色发光的荧光体的红色发光混色，形成白色发光。另外，通过上述构成，可以提高一般发光强度低的波长区域的发光强度。除此以外，荧光体7即使暴露在高温下也不劣化，所以耐热性优异，在氧化气氛和水分环境下的长期间的稳定性也优异。 
荧光体7的制造方法，没有特别的限定，例如，可以举出下述方法，该方法具备：混炼原料制作原料混合物的工序(混炼工序)；煅烧该原料混合物的工序(煅烧工序)；将该煅烧过的原料混合物的块粉碎分级的工序(第1粉碎分级工序)；将该煅烧过的原料混合物热处理的工序(热处理工序)；和将该热处理物的块粉碎分级的工序(第2粉碎分级工序)。另外，也可以省略第1和第2粉碎分级工序。 
显示装置用照明装置221的白色发光装置200，为包含一个LED芯片4的构成，但也可以为配置多个LED芯片4的构成。由此，可以使发光辉度提高。 
显示装置用照明装置221的白色发光装置200中合有的荧光体7的耐温度发光特性良好，因此在产生大量的热的使用方法中也可以没有问题地使用白色发光装置200，可以以高辉度使用。例如，可以投入每1件0.2W以上的电力来使用。另外，由于同样的理由，LED芯片4也可以按每1件每1个的平面面积密度计投入1.5×104W/m2以上的电力来使用，也可以投入5×104W/m2以上的电力来使用。 
另外，所谓上述以高辉度投入大电力使用的情况，是例如使用比一边为350μm见方的面积大的LED芯片4的情况、包含多个LED芯片4的情况、LED芯片4为倒装芯片的情况等。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是包括基板214和配置在基板214上的多个白色发光装置200，并作为液晶显示面板211 的背光源使用的显示装置用照明装置221，是白色发光装置200具有光源40和由光源40激励而发光的荧光体7，作为荧光体7使用由通式M(0) aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料的显示装置用照明装置，由于为下述构成：在上述荧光材料中，M(0)是选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd和Lu中的1种以上的元素，M(1)是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的1种以上的激活剂，M(2)是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf和Zr中的1种以上的元素，M(3)是选自Be、B、Al、Ga、In、Tl和Zn中的1种以上的元素，O为氧元素，N为氮元素，x、y和z是分别满足33≤x≤51、8≤y≤12、和36≤z≤56的数值，a和b是满足3≤a+b≤7、并且0.001≤b≤1.2的数值，m和n是在me＝a+b时满足0.8·me≤m≤1.2·me、并且0≤n≤7的数值，并且，v为满足v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)的数值(在此，v(0)为M(0)离子的价数，v(1)为M(1)离子的价数)，荧光体7具有比以往的塞隆和氮氧化物荧光体高的发光强度，所以可以提高发光强度而得到高辉度的显示装置用照明装置。另外，荧光体7即使在暴露在激励源的情况下辉度的降低少，所以可以得到长寿命的显示装置用照明装置。进一步地，可以将荧光体7的发光峰波长设在330～500nm的范围从而接近于绿色的理想的色度坐标的值，可以形成为色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是使用上述荧光材料的M(1)元素为Eu、b的值为0.005≤b≤0.3的荧光材料的构成，所以能够使来自上述荧光材料的发光峰波长在520nm附近，使该色度坐标的值接近于绿色的理想的色度坐标的值。由此，可以使将其作为显示装置用照明装置使用的显示装置的色再现性提高。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是使用上述荧光材料的M(1)元素为Eu、b的值为0.01≤b≤0.2的荧光材料的构成，所以能够使来自上述荧光材料的发光峰波长在520nm附近，使该色度坐标的值接近于绿色的理想的色度坐标的值。由此，可以使将其作为显示装置用 照明装置使用的显示装置的色再现性提高。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述荧光材料的x、y和z分别为x＝42、y＝10、和z＝46的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述荧光材料的M(0)元素为选自Ca、Sr和Ba中的1种以上的元素的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述荧光材料的M(2)元素为Si、M(3)元素为Al的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述荧光材料的n的值为n≤me的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是作为荧光体7使用上述荧光材料的含有率为80体积％以上、其余部分为选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、SrxAl2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质的荧光材料的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是荧光体7的平均粒径为0.1μm以上50μm以下的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是荧光体7的平均纵横比为20以下的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是荧光体7含有5～300ppm的氟的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异 的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是荧光体7含有10～3000ppm的硼的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是在荧光体7的至少一部分表面形成有透明膜，在上述透明膜的折射率记为nk时上述透明膜的厚度为(10～180)/nk(单位：纳米)的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述透明膜的折射率nk为1.2以上2.5以下的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述透明膜的折射率nk为1.5以上2.0以下的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是作为上述荧光体7除了使用上述荧光材料以外，还使用红色发光荧光材料的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述红色发光荧光材料为CaAlSiN3:Eu的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是光源40为发光峰波长为330～500nm的蓝色发光LED芯片4的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是LED芯片4的发光峰波长为420～470nm的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是来自LED芯片 4的蓝色发光、来自被上述蓝色发光激励的上述荧光材料的绿色发光、和来自被上述蓝色发光激励的上述红色发光荧光材料的红色发光被混色，从上述白色发光装置200得到白色发光的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是白色发光装置200为炮弹型白色LED装置1的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。另外，该形态的装置已确立标准并被广泛使用，所以产业上的使用容易。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是炮弹型白色LED装置1具有使上述LED芯片4的发光向正面方向f反射的反射面的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是白色发光装置200具有：LED芯片4；和包围LED芯片4而形成的树脂，上述树脂中分散有荧光体7的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是荧光体7以在LED芯片4的附近成为高密度的方式被分散到上述树脂中的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。另外，通过在LED芯片4的附近配置荧光体7，可以高效地对荧光体7导入激励光。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是树脂包括：以覆盖LED芯片4的方式形成的第一树脂6；和以覆盖第一树脂6的方式形成的第二树脂8，并且荧光体7被分散到第一树脂6中的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述树脂在至少一部分的区域中含有硅树脂的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述树脂在至少一部分的区域中含有甲基硅树脂的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是上述树脂在至少一部分的区域中含有苯基硅树脂的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是LED芯片4的一边大于350μm的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是配置多个LED芯片4而成的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是投入每1件0.2W以上的电力来使用的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是LED芯片4按每1件白色发光装置1的每1个LED芯片4的平面面积密度计投入1.5×104W/m2以上的电力来使用的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置221，是LED芯片4按每1件白色发光装置1的每1个LED芯片4的平面面积密度计投入5×104W/m2以上的电力来使用的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置201，是具备显示装置用照明装置221和液晶显示面板211的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置。 
(第二实施方式) 
图4是说明作为本发明的实施方式的显示装置的另一例的剖面模式 图，图5是构成上述显示装置的显示装置用照明装置的平面模式图。 
如图4和图5所示，作为本发明的实施方式的显示装置202，使用了：采用表面安装型白色LED装置(基板安装用芯片型白色发光二极管灯)11替代炮弹型白色LED装置1来作为白色发光装置200的显示装置用照明装置222，除此以外为与第一实施方式所示的显示装置201同样的构成。另外，对于与第一实施方式所示的构件相同的构件，附带相同的标记来表示。 
如图4所示，表面安装型白色LED装置11，通过第一引线12和第二引线13安装于基板214。 
图6是作为白色发光装置200的表面安装型白色LED装置11的剖面图。 
如图6所示，表面安装型白色LED装置11，在使用了采用尼龙树脂成型的可见光反射率高的白色氧化铝陶瓷的基板19上固定有第一引线12和第二引线13，它们的端12a、端13a位于基板19的大致中央部，相反侧的端12b、端13b分别露出到外部，在向基板214安装时成为被钎焊的电极。 
第一引线12的端12a以处于基板中央部的方式被固定，在其上内置有发光二极管元件(LED芯片)4。LED芯片4的下部电极4a和第一引线12通过导电性树脂膏进行电连接，上部电极4b和第二引线13通过实施了镀银的铜制的接合线15进行电连接。 
在基板19上固定有大致长方体状的壁面构件20。在该壁面构件20的中央部形成有碗状的孔20a。孔20a是贯通孔，配置在基板19上的LED芯片4被配置成从孔20a的中央部突出。 
面向孔20a的中央的部分构成为用于将光沿正面方向f取出的反射面20b，该反射面20b的曲面形状通过考虑光的反射方向来决定。另外，壁面构件20由例如白色的硅树脂等形成即可。由此，至少构成反射面的反射面20b成为具有白色或金属光泽的可见光线反射率高的面。 
由透明树脂形成的第一树脂16以包围被配置成从孔20a的中央部突出的LED芯片4的方式形成为拱顶(dome)状。在该第一树脂16中分散有 荧光体17。 
由透明树脂形成的第二树脂18以包围被形成为拱顶状的第一树脂16的方式填充孔20a。通过第一树脂16和第二树脂18封装LED芯片4。 
第一树脂16和第二树脂18的材质，优选选定由紫外线光引起的劣化尽量少的材料，优选硅树脂，也可以为聚碳酸酯树脂、环氧树脂等其他的树脂或玻璃等的透明材料。第一树脂16和第二树脂18可以使用相同树脂，也可以使用不同的树脂，但从容易制造和良好的粘结性等来看，优选使用相同的树脂。 
在LED芯片4的附近配置荧光体17的方法，优选：如本实施方式中所示那样，首先，以包围LED芯片4的方式形成含有荧光体17的第一树脂16，其后，以包围第一树脂16的方式用第二树脂18封装。该方法可以廉价并且密封性高地进行封装。第一树脂16优选含有耐热性高的硅树脂。 
另外，壁面构件20和/或基板19，优选含有树脂制构件和/或陶瓷制构件。树脂制构件可以廉价且大量地制造所以优选。作为树脂的种类，优选耐热性高、反射率也高的树脂，优选尼龙树脂等。热固性树脂在耐热性高的同时，也能够比较廉价且大量地制造，所以优选。另外，陶瓷制构件在耐热性上非常优异，所以优选。 
另外，表面安装型白色LED装置11的基板19使用配线基板，将LED芯片4直接安装到上述配线基板上，将表面安装型白色LED装置11作为板上芯片型装置使用也可以。在该情况下，可以采取在用途上定制了的形态，可以用于充分利用了温度特性优异的本荧光体的特性的用途。 
作为本发明的第二实施方式的显示装置用照明装置222和显示装置202，除了具有与第一实施方式中所示的效果同样的效果以外，还具有以下的效果。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222，为使用表面安装型白色LED装置11作为白色发光制造200的构成，所以表面安装性优异，可以容易地得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。另外，表面安装型白色LED装置11已确立标准并被广泛使 用，所以产业上的使用容易。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222，为表面安装型白色LED装置11具有使LED芯片4的发光向正面方向f反射的反射面20b的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222，为表面安装型白色LED装置11的壁面构件20包含树脂材料和/或陶瓷制构件的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。树脂制的构件可以廉价且大量地制造所以优选。作为树脂的种类，优选耐热性高、反射率也高的树脂，优选尼龙树脂等。热固性树脂也耐热性高，并且可以比较廉价且大量地制造，所以优选。另外，陶瓷制的构件在耐热性上非常优异，所以优选。 
作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222，为表面安装型白色LED装置11的壁面构件20的上述树脂材料为热固性树脂材料的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置。 
另外，在本实施方式中，作为白色发光装置200的表面安装型白色LED装置，使用了图6所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯11，但也可以使用图7～9所示的其他的表面安装型白色LED装置(基板安装用芯片型白色发光二极管灯)115～117。 
图7是表示在作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222中使用的白色发光装置200的另一例的图，是表面安装型白色LED装置(基板安装用芯片型白色发光二极管灯)115的剖面图。使用同一面电极型的发光二极管元件(LED芯片)24替代了上下电极型的发光二极管元件(LED芯片)4，除此以外为与作为第二实施方式中所示的显示装置202中使用的白色发光装置200的表面安装型白色LED装置11同样的构成。 
图8是表示在作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222中使用的白色发光装置200的另一例的图，是表面安装型白色LED装置(基板 安装用芯片型白色发光二极管灯)116的剖面图。使用了同一面电极型的发光二极管元件(LED芯片)24，并且在孔20a整体中分散了荧光体17，除此以外为与作为在第二实施方式中所示的显示装置202中使用的白色发光装置200的表面安装型白色LED装置11同样的构成。 
表面安装型白色LED装置116，不使用第二树脂18，只是在第一树脂16中分散荧光体17，所以可以简单地制造。由此，也可以容易地制造将其作为白色发光装置200使用的显示装置用照明装置222和显示装置202。 
图9是表示在作为本发明的实施方式的显示装置用照明装置222中使用的白色发光装置200的另一例的图，是表面安装型白色LED装置(基板安装用芯片型白色发光二极管灯)117的剖面图。使用了同一面电极型的发光二极管元件(LED芯片)24，荧光体23以覆盖LED芯片24的一面的方式直接附着，形成层状的荧光体23，以覆盖LED芯片24，并且埋住壁面构件20的孔20a的方式形成树脂18，除此以外为与作为在第二实施方式中所示的显示装置202中使用的白色发光装置200的表面安装型白色LED装置11同样的构成。 
作为在LED芯片24的附近配置荧光体23的方法，可以采用下述方法：如本实施方式所示那样，使用旋涂、蒸镀法或溅射法等，从晶片的阶段在LED芯片24的至少一面呈层状并且均匀地沉积荧光体23，以覆盖LED芯片24的至少一面的方式使荧光体23直接附着。 
通过上述方法，可以将由荧光体23形成的层的厚度控制在1μm～100μm，能够透过由荧光体23形成的层，取出来自LED芯片24的光，所以很适合于进行混色而形成白色光。 
表面安装型白色LED装置117，是以覆盖LED芯片24的至少一面的方式直接附着荧光体23的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置222和显示装置202。 
另外，表面安装型白色LED装置117，是荧光体23被形成为层状的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置222和显示装置202。 
进一步地，表面安装型白色LED装置117，是荧光体23的厚度为1μm～100μm的构成，所以可以得到高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置222和显示装置202。 
实施例
以下，基于实施例具体地说明本发明。但是，本发明不仅限定于这些实施例。 
<实施例1～10> 
首先，对于在本发明的显示装置用照明装置和显示装置中使用的白色发光装置中使用的实施例1～10的荧光体的制造方法进行说明。 
作为原料粉末，使用了平均粒径0.5μm、氧含量0.93质量％、α型含有率92％的氮化硅粉末(Si3N4)、氮化铝粉末(AlN)、氮化锶粉末(Sr3N2)、氧化锶粉末(SrO)和氧化铕粉末(Eu2O3)。 
以表2所示的配合(质量比，以下，在其他的实施例中也同样)称量上述原料粉末，使得在通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n中成为表1所示的a、b、m、x、y、z和n的值，用玛瑙研磨棒和乳钵进行30分钟混合。另外，M(1)为Eu。 
表1 
    a   b   m   x   y   z   n
  实施例1   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例2   4.820   0.180   5.000   42.000   10.000   46.000   5.000
  实施例3   3.820   0.180   4.000   42.000   10.000   46.000   4.000
  实施例4   6.820   0.180   7.000   42.000   10.000   46.000   7.000
  实施例5   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   5.000
  实施例6   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   4.600
  实施例7   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例8   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   2.000
  实施例9   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   1.000
  实施例10   5.820   0.180   6.000   42.000   10.000   46.000   0.180
将得到的混合粉末加入铝制的模具中，制作体积密度约25％的成形体，填充到氮化硼(hBN)制的坩埚中。上述成形体的体积与坩埚体积的比率设为约80％。另外，粉末的称量、混合和成形的各工序全部在可以保持水分1ppm以下、氧1ppm以下的氮气氛的手套箱中进行操作。 
将填充了该混合粉末的上述氮化硼制的坩埚安置在以碳纤维成形体作为绝热材料的石墨电阻加热方式的电炉中。 
煅烧是首先通过扩散泵使煅烧气氛成为真空，以每小时500℃的速度从室温加热到1000℃，在1000℃导入纯度为99.999体积％的氮，将压力设为0.9MPa，以每小时600℃升温到1900℃，在1900℃保持2小时来进行。 
煅烧后，将该得到的煅烧体(煅烧块)粗粉碎之后，使用氮化硅烧结体制的乳钵用手粉碎，使用30μm的筛孔的筛得到平均粒径为11μm的荧光体粉末(实施例1～10)。 
接着，使用荧光分光光度计测定这些荧光体粉末(实施例1～10)的发光光谱和激励光谱。 
图10是实施例1的荧光体的发光光谱和激励光谱的测定结果。 
如图10所示，实施例1的荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，由450nm的蓝色光激励引起的发光光谱的峰波长为504nm。 
另外，峰波长的发光强度为100计数(counts)。 
图11是实施例7的荧光体的发光光谱和激励光谱的测定结果。 
如图11所示，实施例7的荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，由450nm的蓝色光激励引起的发光光谱的峰波长为504nm。 
另外，峰波长的发光强度为103计数。 
将这些荧光体粉末(实施例1～10)的发光峰的发光强度和发光波长示于表2。另外，发光强度的计数值为任意单位，根据测定装置和条件而变化(以下相同)。 
图12是实施例1的荧光体的包含主要衍射峰的粉末X射线衍射图的测定结果。图13是实施例7的荧光体的包含主要衍射峰的粉末X射线衍 射图的测定结果。在实施例2～6、实施例8～10的荧光体中，也与实施例1、7同样地，得到了由主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图。 
使这些荧光体粉末(实施例1～10)在湿度80％、温度80℃的条件下暴露了100小时，但基本没有看到辉度的降低。 
接着，对这些荧光体粉末(实施例1～10)一边根据需要照射365nm的紫外线一边进行光学显微镜观察。 
从试样的体色、粒子形状和紫外线照射时的发光色，确认了：由选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质构成的非发光相或显示与504nm附近的蓝绿不同的发光的晶体相的相对于荧光体整体的比例，以体积比计为20％以下。 
另外，对于实施例1的荧光体，育成单晶而解析晶体结构可知，具有表3和表4所示的晶体结构。另外，在表4中，M(0，1)是M(0)元素和M(1)元素无序地进入的晶格点，M(2，3)是M(2)元素和M(3)元素无序地进入的晶格点，M(O，N)是O元素和N元素无序地进入的晶格点。 
表3 
 晶系   单斜晶系
 空间群   P1211
 晶格常数(a)   14.6970(9)
 晶格常数(b)   9.036(2)
 晶格常数(c)   7.4677(7)
 表4 
  晶格点   占有率   x   y   z
  M(0，1)1   1   0.08405(5)   0.517265   -0.74677(6)
  M(0，1)2   1   0.58104(4)   -0.01664(4)   0.73684(6)
  M(0，1)3   1   0.74895(4)   0.49871(11)   -0.75193(6)
  M(2，3)1   1   0.08979(18)   0.1903(2)   -0.4430(3)
  M(2，3)2   1   0.59158(18)   0.3117(2)   0.4431(3)
  M(2，3)3   1   0.40898(16)   0.1656(2)   -0.5106(3)
  M(2，3)4   1   0.90852(18)   0.3403(2)   0.5148(2)
  M(2，3)5a   0.5   0.7776(3)   0.1668(4)   -0.5103(5)
  M(2，3)5b   0.5   0.7223(4)   0.1841(5)   0.5570(7)
  M(2，3)6a   0.5   0.2770(3)   0.3383(5)   0.5136(5)
  M(2，3)6b   0，5   0.2215(3)   0.3178(4)   0.4420(6)
  M(2，3)7   1   0.10065(17)   0.6428(2)   -0.1522(3)
  M(2，3)8   1   0.60206(18)   -0.1604(2)   0.1383(3)
  M(2，3)9   1   0.30049(19)   0.6408(2)   -0.1370(3)
  M(2，3)10   1   0.80168(14)   -0.1554(2)   0.1266(3)
  M(2，3)11   1   0.50024(15)   0.6374(2)   -0.1348(3)
  M(2，3)12   1   0.99998(17)   -0.1517(3)   0.1244(3)
  M(2，3)13   1   0.69884(16)   0.6390(2)   -0.1447(3)
  M(2，3)14   1   1.19840(18)   -0.1546(3)   0.1310(3)
  M(2，3)15   1   0.89924(18)   0.6473(2)   -0.1430(2)
  M(2，3)16   1   1.39950(17)   -0.1617(2)   0.1320(2)
  M(O，N)1   1   0.4149(7)   -0.0051(9)   -0.4099(6)
  M(O，N)2   1   0.9157(6)   0.5041(5)   0.4086(7)
  M(O，N)3   1   0.7504(7)   0.0033(10)   -0.4079(7)
  M(O，N)4   1   0.4979(6)   0.2285(7)   -0.6514(10)
  M(O，N)5   1   0.9992(4)   0.2896(6)   0.6541(8)
  M(O，N)6   1   0.6897(4)   0.2283(7)   -0.6545(9)
  M(O，N)7   1   1.1914(5)   0.2625(7)   0.6551(10)
  M(O，N)8   1   0.3109(4)   0.2058(6)   -0.6424(8)
  M(O，N)9   1   0.8099(5)   0.2957(10)   0.6427(11)
  M(O，N)10a   0.5   0.0949(11)   0.2415(14)   0.3398(16)
  M(O，N)10a   0.5   0.1159(8)   0.2543(11)   0.3489(14)
  M(O，N)11a   0.5   0.5942(12)   0.2572(17)   0.658(2)
  M(O，N)11b   0.5   0.6148(9)   0.2608(13)   0.6613(17)
  M(O，N)12a   0.5   0.8802(10)   0.2100(15)   -0.6333(18)
  M(O，N)12b   0.5   0.9034(13)   0.2001(17)   -0.6352(19)
  M(O，N)13a   0.5   0.3796(8)   0.3153(11)   0.6378(14)
  M(O，N)13b   0.5   0.3996(14)   0.300(2)   0.645(2)
  M(O，N)14   1   1.1006(4)   0.2897(5)   -0.0154(6)
  M(O，N)15   1   0.9996(5)   0.0389(6)   -0.8842(9)
  M(O，N)16   1   0.7039(5)   0.2817(6)   -0.0224(8)
  M(O，N)17   1   0.4979(5)   0.2704(6)   -0.0287(8)
  M(O，N)18   1   0.4015(5)   0.0324(5)   -0.8798(6)
  M(O，N)19   1   0.7982(4)   0.0367(5)   -0.8784(8)
  M(O，N)20   1   0.2990(5)   0.2707(6)   -0.0304(9)
  M(O，N)21   1   1.1996(4)   0.0389(6)   -0.8933(7)
  M(O，N)22   1   0.6001(5)   0.0329(4)   -0.9024(6)
  M(O，N)23   1   0.8990(4)   0.2760(5)   -0.0207(7)
 <实施例11～28> 
对于本发明的荧光体的实施例11～28进行说明。 
作为原料粉末，使用了平均粒径0.5μm、氧含量0.93质量％、α型含有率92％的氮化硅粉末、氮化铝粉末、氮化锶粉末、氧化锶粉末和氧化铕粉末。 
以表6所示的配合来称量上述原料粉末，使得在通式M(0)aM(1) bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n中成为表5所示的a、b、m、x、y、z和n的值，用玛瑙研磨棒和乳钵进行30分钟混合。另外，M(1)为Eu。 
表5 
    a   b   m   x   y   z   n
  实施例11   5.820   0.180   6,000   33.000   8.000   36.000   6.000
  实施例12   5.820   0.180   6.000   35.250   8.500   38.500   6.000
  实施例13   5.820   0.180   6.000   37.500   9.000   41.000   6.000
  实施例14   5.820   0.180   6.000   39.750   9.500   43.500   6.000
  实施例15   5.820   0.180   6.000   44.250   10.500   48.500   6.000
  实施例16   5.820   0.180   6,000   46.500   11.000   51.000   6.000
  实施例17   5.820   0.180   6.000   48.750   11.500   53.500   6.000
  实施例18   5.820   0.180   6.000   51.000   12.000   56.000   6.000
  实施例19   5.820   0.180   6.000   33.000   8.000   36.000   4.300
  实施例20   5.820   0.180   6.000   35.250   8.500   38.500   4.300
  实施例21   5.820   0.180   6.000   37.500   9.000   41.000   4.300
  实施例22   5.820   0.180   6.000   39.750   9.500   43.500   4.300
  实施例23   5.820   0.180   6.000   44.250   10.500   48.500   4.300
  实施例24   5.820   0.180   6.000   46.500   11.000   51.000   4.300
  实施例25   5.820   0.180   6.000   48.750   11.500   53.500   4.300
  实施例26   5.820   0.180   6.000   51.000   12.000   56.000   4.300
  实施例27   5.820   0.180   6.000   45.000   12.000   48.000   6.000
  实施例28   2.820   0.180   3.000   33.000   8.000   36.000   3.000
 表6 
将得到的混合粉末加入铝制的模具中，制作体积密度约26％的成形体，填充到氮化硼制的坩埚中。成形体体积与坩埚体积的比率设为约80％。另外，粉末的称量、混合和成形的各工序全部在可以保持水分1ppm以下、氧1ppm以下的氮气氛的手套箱中进行操作。 
将填充了该混合粉末的上述氮化硼制的坩埚安置在以碳纤维成形体作为绝热材料的石墨电阻加热方式的电炉中。 
煅烧是首先通过扩散泵使煅烧气氛成为真空，以每小时500℃的速度从室温加热到1000℃，在1000℃导入纯度为99.999体积％的氮，将压力设为0.9MPa，以每小时600℃升温到1900℃，在1900℃保持2小时来进行。 
煅烧后，将该得到的煅烧体粗粉碎之后，使用氮化硅烧结体制的乳钵用手粉碎，使用30μm筛孔的筛得到平均粒径12μm的荧光体粉末(实施例11～28)。 
首先，使用荧光分光光度计测定这些荧光体粉末(实施例11～28)的 发光光谱和激励光谱。 
图14是实施例24的荧光体的发光光谱和激励光谱的测定结果。如图14所示，实施例24的荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，由450nm的蓝色光激励引起的发光光谱的峰波长为505nm。另外，峰波长的发光强度为99计数。 
图15是实施例27的荧光体的发光光谱和激励光谱的测定结果。如图15所示，实施例27的荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，由450nm的蓝色光激励引起的发光光谱的峰波长为504nm。另外，峰波长的发光强度为101计数。 
各荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，通过450nm的蓝色光激励，显示出蓝绿色的发光。将荧光体粉末(实施例11～28)的发光峰的发光强度和发光波长示于表6。另外，发光强度的计数值为任意单位。 
图16是实施例24的荧光体的主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图的测定结果。图17是实施例27的荧光体的主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图的测定结果。 
另外，在荧光体粉末(实施例11～23、25、26、28)中，也得到了由与实施例1同样的主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图。 
使这些荧光体粉末(实施例11～28)在湿度80％、温度80℃的条件下暴露了100小时，基本没有看到辉度的降低。 
接着，对这些荧光体粉末(实施例11～28)一边根据需要照射365nm的紫外线一边进行光学显微镜观察。 
从试样的体色、粒子形状和紫外线照射时的发光色，确认了：由选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质构成的非发光相或显示与504nm附近的蓝绿不同的发光的晶体相的相对于荧光体整体的比例，以体积比计，为20％以下。 
<实施例29～44> 
对于本发明的荧光体的实施例29～44进行说明。 
作为原料粉末，使用了平均粒径0.5μm、氧含量0.93质量％、α型含有率92％的氮化硅粉末、氮化铝粉末、氮化锶粉末、氧化锶粉末和氧化铕粉末。 
以表8所示的配合来称量上述原料粉末，使得在通式M(0)aM(1) bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n中成为表7所示的a、b、m、x、y、z和n的值，用玛瑙研磨棒和乳钵进行30分钟混合。另外，M(1)为Eu。 
表7 
    a   b   m   x   y   z   n
  实施例29   5.940   0.060   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例30   5.880   0.120   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例31   5.760   0.240   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例32   5.700   0.300   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例33   5.550   0.450   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例34   5.400   0.600   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例35   5.100   0.900   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例36   4.800   1.200   6.000   42.000   10.000   46.000   6.000
  实施例37   5.940   0.060   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例38   5.880   0.120   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例39   5.760   0.240   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例40   5.700   0.300   6.000   42.000   10.000   46.000   4,300
  实施例41   5.550   0.450   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例42   5.400   0.600   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例43   5.100   0.900   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
  实施例44   4.800   1.200   6.000   42.000   10.000   46.000   4.300
 表8 
Figure BDA0000064036690000391
将得到的混合粉末加入铝制的模具中，制作体积密度约24％的成形体，填充到氮化硼制的坩埚中。成形体体积与坩埚体积的比率约为80％。另外，粉末的称量、混合和成形的各工序全部在可以保持水分1ppm以下、氧1ppm以下的氮气氛的手套箱中进行操作。 
将填充了该混合粉末的氮化硼制的坩埚安置在以碳纤维成形体作为绝热材料的石墨电阻加热方式的电炉中。 
煅烧是首先通过扩散泵使煅烧气氛成为真空，以每小时500℃的速度从室温加热到1000℃，在1000℃导入纯度为99.999体积％的氮，将压力设为0.9MPa，以每小时600℃升温到1900℃，在1900℃保持2小时来进行。 
煅烧后，将该得到的煅烧体粗粉碎之后，使用氮化硅烧结体制的乳钵用手粉碎，使用30μm筛孔的筛得到平均粒径12μm的荧光体粉末(实施例29～44)。 
首先，使用荧光分光光度计测定这些荧光体粉末(实施例29～44)的发光光谱和激励光谱。 
各荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，通过450nm的蓝色光激励， 显示出蓝绿色～绿色的发光。将荧光体粉末(实施例29～44)的发光峰的发光强度和发光波长示于表8。另外，发光强度的计数值为任意单位。 
另外，在荧光体粉末(实施例29～44)中，也得到了由与实施例1同样的主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图。 
使该荧光体粉末(实施例29～44)在湿度80％、温度80℃的条件下暴露100小时，基本没有看到辉度的降低。 
接着，对这些荧光体粉末(实施例29～44)一边根据需要照射365nm的紫外线一边进行光学显微镜观察。 
从试样的体色、粒子形状和紫外线照射时的发光色，确认了：由选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质构成的非发光相或显示与504nm附近的蓝绿不同的发光的晶体相的相对于荧光体整体的比例，以体积比计，为20％以下。 
<实施例45～56> 
对于本发明的荧光体的实施例45～56进行说明。 
作为原料粉末，使用了平均粒径0.5μm、氧含量0.93质量％、α型含有率92％的氮化硅粉末、氮化铝粉末、氮化锶粉末、氧化锶粉末、氧化钙粉末和氧化铕粉末。 
以表10所示的配合来称量上述原料粉末，使得在通式M(0)aM(1) bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n中成为表9所示的a、b、m、x、y、z和n的值，用玛瑙研磨棒和乳钵进行30分钟混合。另外，M(1)为Eu。 
表9 
表10 
Figure BDA0000064036690000412
将得到的混合粉末加入铝制的模具中，制作体积密度约25％的成形体，填充到氮化硼制的坩埚中。成形体体积与坩埚体积的比率约为80％。另外，粉末的称量、混合和成形的各工序全部在大气中进行操作。 
将填充了该混合粉末的氮化硼制的坩埚安置在以碳纤维成形体作为绝热材料的石墨电阻加热方式的电炉中。 
煅烧是首先通过扩散泵使煅烧气氛成为真空，以每小时500℃的速度从室温加热到1000℃，在1000℃导入纯度为99.999体积％的氮，将压力设为0.9MPa，以每小时600℃升温到1900℃，在1900℃保持2小时来进行。 
煅烧后，将该得到的煅烧体粗粉碎之后，使用氮化硅烧结体制的乳钵用手粉碎，使用30μm筛孔的筛得到平均粒径12μm的荧光体粉末(实施例45～56)。 
首先，使用荧光分光光度计测定这些荧光体粉末(实施例45～56)的发光光谱和激励光谱。 
各荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，通过450nm的蓝色光激励，显示出蓝绿色～黄色的发光。将荧光体粉末(实施例45～56)的发光峰的发光强度和发光波长示于表10。另外，发光强度的计数值为任意单位。 
另外，在荧光体粉末(实施例45～56)中，也得到了由与实施例1同样的主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图。 
使该荧光体粉末(实施例45～56)在湿度80％、温度80℃的条件下暴露100小时后，基本没有看到辉度的降低。 
接着，对这些荧光体粉末(实施例45～56)一边根据需要照射365nm的紫外线一边进行光学显微镜观察。 
从试样的体色、粒子形状和紫外线照射时的发光色，确认了：由选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质构成的非发光相或显示与504nm附近的蓝绿不同的发光的晶体相的相对于荧光体整体的比例，以体积比计，为20％以下。 
<实施例57～68> 
对于本发明的荧光体的实施例57～68进行说明。 
作为原料粉末，使用平均粒径0.5μm、氧含量0.93质量％、α型含有率92％的氮化硅粉末、氮化铝粉末、氮化锶粉末、氧化锶粉末、氧化钡粉末和氧化铕粉末。 
以表12所示的配合来称量上述原料粉末，使得在通式M(0)aM(1) bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n中成为表11所示的a、b、m、x、y、z和n的值，用玛瑙研磨棒和乳钵进行30分钟混合。另外，M(1)为Eu。 
表11 
Figure BDA0000064036690000431
表12 
将得到的混合粉末加入铝制的模具中，制作体积密度约23％的成形体，填充到氮化硼制的坩埚中。成形体体积与坩埚体积的比率约为80％。另外，粉末的称量、混合和成形的各工序全部在大气中进行操作。 
将填充了该混合粉末的氮化硼制的坩埚安置在以碳纤维成形体作为绝热材料的石墨电阻加热方式的电炉中。 
煅烧是首先通过扩散泵使煅烧气氛成为真空，以每小时500℃的速度从室温加热到1000℃，在1000℃导入纯度为99.999体积％的氮，将压力设为0.9MPa，以每小时600℃升温到1900℃，在1900℃保持2小时来进行。 
煅烧后，将该得到的煅烧体粗粉碎之后，使用氮化硅烧结体制的乳钵用手粉碎，使用30μm筛孔的筛得到平均粒径11μm的荧光体粉末(实施例57～68)。 
首先，使用荧光分光光度计测定这些荧光体粉末(实施例57～68)的发光光谱和激励光谱。 
各荧光体的激励光谱的峰波长为370nm，通过450nm的蓝色光激励，显示出蓝色～蓝绿色的发光。将荧光体粉末(实施例57～68)的发光峰的发光强度和发光波长示于表12。另外，发光强度的计数值为任意单位。 
另外，在荧光体粉末(实施例57～68)中，也得到了由与实施例1同样的主要衍射峰构成的粉末X射线衍射图。 
使该荧光体粉末(实施例57～68)在湿度80％、温度80℃的条件下暴露100小时后，基本没有看到辉度的降低。 
接着，对这些荧光体粉末(实施例57～68)一边根据需要照射365nm的紫外线一边进行光学显微镜观察。 
从试样的体色、粒子形状和紫外线照射时的发光色，确认了：由选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi(10-n)Al(18+n)OnN(32-n)(n～1)和SrSi6N8中的一种以上的物质构成的非发光相或显示与504nm附近的蓝绿不同的发光的晶体相的相对于荧光体整体的比例为体积比20％以下。 
接着，对于使用了上述荧光体的显示装置用照明装置和显示装置进行说明。 
<实施例69> 
使用上述荧光体，制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
首先，在处于第一引线上的元件内置用的凹部中，使用导电性膏接合蓝色发光二极管元件，在将第一引线和蓝色发光二极管元件的下部电极电连接的同时，固定了蓝色发光二极管元件。接着，通过接合线将蓝色发光二极管元件的上部电极和第二引线进行线接合从而电连接。 
然后，用分配器将预先制作的分散有荧光体的树脂以被覆蓝色发光二极管元件的方式适量涂布于凹部后，使其固化，形成了第一树脂。 
最后，通过流延法用第二树脂密封包含凹部的第一引线的前端部、蓝色发光二极管元件、和分散有荧光体的第一树脂的整体。 
第一树脂使用折射率1.6的环氧树脂，第二树脂使用折射率1.36的环氧树脂。 
在本实施例中，将作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到环氧树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例70> 
改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，将作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的β-塞隆荧光体以12质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到环氧树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色、绿色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例71> 
改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的Ca3Sc2Si3O12:Ce荧光体以13质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到环氧树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色、绿色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例72> 
改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，将作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的β-塞隆荧光体以13质量％的浓度、作为黄色荧光体的YAG:Ce荧光体以18质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到环氧树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体、黄色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色、绿色光、黄色光和红色光，这些光被混合而发出了接近于自然光的白色光。 
<实施例73> 
改变了使用的发光元件(LED)和荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
作为发光元件(LED)使用发光峰波长为380nm的紫外LED元件，并且使实施例1的荧光体、实施例44的荧光体、BaMgAl10O17:Eu荧光体、和作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu分散到由硅树脂形成的树脂层中，形成为罩在紫外LED元件上的结构。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为380nm的紫外光，被其激励的实施例1的荧光体、实施例44的荧光体、BaMgAl10O17:Eu荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色、绿色光、黄色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例74> 
作为第一树脂使用折射率1.51的硅树脂，作为第二树脂使用折射率1.41的硅树脂，并且改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到硅树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例75> 
作为第一树脂使用折射率1.51的硅树脂，作为第二树脂使用折射率 1.41的硅树脂，并且改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的β-塞隆荧光体以12质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到硅树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色光、绿色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例76> 
作为第一树脂使用折射率1.51的硅树脂，作为第二树脂使用折射率1.41的硅树脂，并且改变使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的Ca3Sc2Si3O12:Ce荧光体以13质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到硅树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色光、绿色光和红色光，这些光被混合而发出了白色光。 
<实施例77> 
作为第一树脂使用折射率1.51的硅树脂，作为第二树脂使用折射率 1.41的硅树脂，并且改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的β-塞隆荧光体以13质量％的浓度、作为黄色荧光体的α-塞隆荧光体以18质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到硅树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体、黄色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色光、绿色光、黄色光和红色光，这些光被混合而发出了接近于自然光的白色光。 
<实施例78> 
作为第一树脂使用折射率1.51的硅树脂，作为第二树脂使用折射率1.41的硅树脂，并且改变了使用的荧光体，除此以外与实施例69同样地制作了图3所示的炮弹型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为蓝绿色荧光体的实施例1的荧光体以15质量％的浓度、作为绿色荧光体的β-塞隆荧光体以13质量％的浓度、作为黄色荧光体的YAG:Ce荧光体以18质量％的浓度、作为红色荧光体的CaAlSiN3:Eu荧光体以26质量％的浓度混合到硅树脂中，通过分配器将其适量滴加，形成了分散有荧光体的第一树脂。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。如果对导电性端子流通电流，则LED元件发出发光峰波长为450nm的蓝色光，被其激励的实施例1的荧光体、绿色荧光体、黄色荧光体和红色荧光体分别发出蓝绿色 光、绿色光、黄色光和红色光，这些光被混合而发出了接近于自然光的白色光。 
<实施例79> 
制作了图6所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
首先，在连接了第一引线和第二引线的氧化铝陶瓷基板的大致中央部配置蓝色发光二极管，将该蓝色发光二极管的下部电极与第一引线连接，将其上部电极用接合线与第二引线连接。另外，在氧化铝陶瓷基板的发光元件侧的面上配置具有孔的壁面构件，以发光元件收纳在上述孔中的方式固定了上述壁面构件。接着，以覆盖上述蓝色发光二极管的方式形成了第一树脂(密封树脂)后，以覆盖第一树脂，并埋住上述孔的方式形成了不合荧光体的第二树脂(别的密封树脂)。 
另外，制造步骤除了在氧化铝陶瓷基板上固定第一引线、第二引线和壁面构件的制造步骤以外，与实施例69记载的制造步骤大致相同。 
在本实施例中，通过白色的硅树脂构成壁面构件，第一树脂与第二树脂使用了相同的环氧树脂。 
作为荧光体，使用实施例1的荧光体，作为绿色荧光体使用实施例44的荧光体，作为红色荧光体使用CaAlSiN3:Eu荧光体。制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。由此，如果对导电性端子流通电流，则可确认出发出白色光。 
<实施例80> 
制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
首先，在包含实施了镀银的铜制的引线框并用尼龙树脂成型了的基板和反射器构成的表面安装用的LED封装用的外壳(case)的引线框上，用树脂膏将在450nm具有发光峰的同一面电极型的蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)粘片。另外，作为蓝色发光二极管，使用350μm见方的大小 的二极管，合计安装了3个。 
接着，分别用2根接合线(细金线)连接上述蓝色发光二极管的上部侧的2个电极，将一方的接合线连接到引线框，另一方的接合线连接到别的引线框。 
接着，以覆盖发光二极管元件，并且，埋住壁面构件的孔的方式适量滴加含有荧光体的甲基硅树脂并使其固化后，从已被一体化的构件修整发光装置组件，用色调和发光强度挑选作为单个片的发光装置组件，形成为基板安装用芯片型白色发光二极管灯。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体和塞隆荧光体。白色发光装置的发光效率为100lm/W，可确认出发出色温度5500K左右的白色。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为90左右。被投入的电力为每件0.18W，电力的密度，以每1件的平面面积密度计，为2×104W/m2。 
<实施例81> 
作为发光二极管元件使用紫外LED芯片，使用在用陶瓷成型的基板上用印刷配线形成Cu的图案，并粘结了陶瓷制的反射器的表面安装用的LED封装用的外壳，并且改变了荧光体，除此以外与实施例80同样地制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体、塞隆荧光体、和CaAlSiN系的荧光体。白色发光装置的发光效率为120lm/W，可确认出发出色温度5600K左右的白色。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为98左右。被投入的电力为每件0.18W，电力的密度，以每1件的 平面面积密度计，为2×104W/m2。 
<实施例82> 
作为发光二极管元件使用在440nm具有发光峰的蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)，安装1个1mm见方的大小的大型芯片，除此以外与实施例80同样地制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体和塞隆荧光体。白色发光装置的发光效率为90lm/W，可确认出发出色温度5000K左右的白色。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为87左右。被投入的电力为每件1W，电力的密度，以每1件的平面面积密度计，为1×103W/m2。 
<实施例83> 
作为发光二极管元件使用在470nm具有发光峰的蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)，以呈拱顶状地覆盖发光二极管元件的方式形成分散有荧光体的第一树脂，并且形成了没有分散荧光体的第二树脂，除此以外与实施例80同样地制作了图7所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
另外，作为第二树脂，使用了不含荧光体的苯基硅树脂。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体和塞隆荧光体。白色发光装置的发光效率为110lm/W，可确认出发出色温度5200K左右的白色。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为93左右。被投入的电力为每件0.18W，电力的密度，以每1件的 平面面积密度计，为2×104W/m2。 
<实施例84> 
不形成第一树脂，在蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)的p侧的透明电极之上通过溅射法形成10μm的本发明的荧光体的层，并形成了没有分散荧光体的第二树脂，除此以外与实施例80同样地制作了图9所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体和塞隆荧光体。白色发光装置的发光效率为140lm/W，可确认出发出色温度4500K左右的白色。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为85左右。被投入的电力为每件0.18W，电力的密度，以每1件的平面面积密度计，为2×104W/m2。 
<实施例85> 
在已印刷配线的含玻璃的环氧基板上直接安装蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)，并对其进行树脂封装，制作了称为板上芯片(COB：Chip On Board)形式的白色发光二极管(发光装置)。 
蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)安装在铝制的基板上，将已印刷配线的含玻璃的环氧基板与之重叠进行粘结。 
安装了蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)的部分在基板上开有孔，蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)出现在表面。蓝色发光二极管(蓝色LED芯片)与配线之间用金制的线连接。从其上适量滴加含有荧光体的甲基硅树脂并使其固化。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体和塞隆荧光体。白色发光装置的发光效率为100lm/W，可确认出发出色温度5500K左右的温白色。制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的 显色性以Ra计为90左右。 
<实施例86> 
作为发光二极管元件使用在390nm具有发光峰的紫外发光二极管(紫外LED芯片)，使用在用陶瓷成型的基板上用印刷配线形成Cu的图案，并粘结了陶瓷制的反射器的表面安装用的LED封装用的外壳，并改变荧光体，除此以外与实施例80同样地制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，仅使用了实施例49的荧光体。白色发光装置的发光输出功率为18mW。使电流从100μA变化到50mA，但基本没有看到发光波长相对于电流量的变化。制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。 
<实施例87> 
作为发光二极管元件使用在390nm具有发光峰的紫外发光二极管(紫外LED芯片)，使用在用陶瓷成型的基板上用印刷配线形成Cu的图案，并粘结了陶瓷制的反射器的表面安装用的LED封装用的外壳，并改变荧光体，除此以外与实施例80同样地制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，仅使用了实施例57的荧光体。白色发光装置的发光输出功率为40mW。使电流从100μA变化到50mA，但基本没有看到发光波长相对于电流量的变化。制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。 
<实施例88> 
作为发光二极管元件使用在390nm具有发光峰的紫外发光二极管(紫外LED芯片)，使用在用陶瓷成型的基板上用印刷配线形成Cu的图案，并粘结了陶瓷制的反射器的表面安装用的LED封装用的外壳，并改变荧光体，除此以外与实施例80同样地制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，仅使用了实施例1的荧光体。白色发光装置的发光输出功率为35mW。使电流从100μA变化到50mA，但基本没有看到波长相对于电流量的变化。制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。 
<实施例89> 
改变了荧光体，除此以外与实施例80同样地处理，制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了实施例1的荧光体、塞隆荧光体和CaAlSiN荧光体。白色发光装置的发光效率为120lm/W，可确认出发出色温度5300K左右的白色。 
制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。 
另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为96左右。被投入的电力为每件0.18W，电力的密度，以每1件的平面面积密度计，为2×104W/m2。 
<实施例90> 
改变了荧光体，除此以外与实施例80同样地制作了图8所示的基板安装用芯片型白色发光二极管灯(白色发光装置)。 
在本实施例中，作为荧光体，使用了将从实施例29到实施例68的荧光体混合了的荧光体、和CaAlSiN荧光体。白色发光装置的发光效率为100lm/W，可确认出发出色温度5500K左右的白色。制作了将上述白色发光装置在基板上排列成格子状的显示装置用照明装置。另外，制作了将其作为背光源使用的显示装置。显示装置的显色性以Ra计为99左右。被投入的电力为每件0.18W，电力的密度，以每1件的平面面积密度计，为2×104W/m2。 
产业上的利用可能性 
本发明的显示装置用照明装置和显示装置，在制造和利用高辉度和长寿命、且色再现性优异的显示装置用照明装置和显示装置的产业中具有可利用性。 
附图标记说明 
1...炮弹型白色LED装置(炮弹型发光二极管灯)； 
2...引线； 
2a...凹部； 
2b...前端侧； 
3...引线； 
3b...前端侧； 
4...发光二极管元件(LED芯片)； 
4a、4b...电极； 
5...接合线； 
6...树脂； 
7...荧光体； 
8...树脂； 
11...表面安装型白色LED装置(基板安装用芯片型发光二极管灯)； 
12...引线； 
13...引线； 
15...接合线； 
16...树脂； 
17...荧光体； 
18...树脂； 
19...基板； 
20...壁面构件； 
20a...孔； 
20b...反射面； 
23...荧光体； 
24...发光二极管元件(LED芯片)； 
24a、24b...电极； 
40...光源； 
115、116、117...表面安装型白色LED装置(基板安装用芯片型发光二极管灯)； 
211...液晶显示面板； 
211a...显示面； 
212...滤色片； 
214...基板； 
214a...正面侧的面； 
200...白色发光装置； 
201、202...显示装置； 
221、222...显示装置用照明装置。 

Claims (17)

1.一种显示装置用照明装置，是包括基板和配置于所述基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的显示装置用照明装置，其特征在于，
所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，
作为所述荧光体，使用由通式M（0）aM（1）bM（2）x-（vm+n）M（3）（vm+n）-yOnNz-n表示的组成的荧光材料，所述荧光材料的发光峰波长为495～525nm，其中，M（0）是选自Ca、Sr和Ba中的1种以上的元素，M（1）是Eu的激活剂，M（2）是Si，M（3）是Al，O为氧元素，N为氮元素，
x、y和z是分别满足33≤x≤51、8≤y≤12和36≤z≤56的数值，a和b是满足3≤a+b≤7、并且0.001≤b≤1.2的数值，m和n在me＝a+b时是满足0.8·me≤m≤1.2·me、并且0<n≤7的数值，并且，在将v（0）记为M（0）离子的价数、将v（1）记为M（1）离子的价数时，v是满足v＝{a·v（0）+b·v（1）}/（a+b）的数值。
2.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述荧光材料的b为满足0.005≤b≤0.3的数值。
3.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述荧光材料的b为满足0.01≤b≤0.2的数值。
4.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述荧光材料的x、y和z分别为x＝42、y＝10和z＝46。
5.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述荧光材料的n为满足n≤me的数值。
6.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，作为所述荧光体，使用所述荧光材料的含有率为80体积%以上、其余部分为选自β-塞隆、未反应的氮化硅或氮化铝、氮氧化物玻璃、SrSiAl2N2O3、Sr2Al2Si10N14O4、SrSi（10-n）Al（18+n）OnN（32-n）（n～1）和SrSi6N8中的一种以上的物质的荧光体。
7.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，在所述荧光体的至少一部分表面形成有透明膜，在将所述透明膜的折射率设为nk时，所述透明膜的厚度为（10～180）/nk，其单位为纳米。
8.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，作为所述荧光体，除了使用所述荧光材料以外还使用了红色发光荧光材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述红色发光荧光材料为CaAlSiN3：Eu。
10.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述光源是发光峰波长为330～500nm的蓝色发光LED芯片。
11.根据权利要求10所述的显示装置用照明装置，其特征在于，作为所述荧光体，除了使用所述荧光材料以外还使用了红色发光荧光材料，
来自所述LED芯片的蓝色发光、来自由所述蓝色发光激励了的所述荧光材料的绿色发光和来自由所述蓝色发光激励了的所述红色发光荧光材料的红色发光被混色，从所述白色发光装置得到白色发光。
12.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述白色发光装置为炮弹型白色LED装置或表面安装型白色LED装置。
13.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述光源是LED芯片，所述白色发光装置具有所述LED芯片和包围所述LED芯片而形成的树脂，在所述树脂中分散有所述荧光体。
14.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述光源是LED芯片，所述荧光体以覆盖所述LED芯片的至少一面的方式直接附着。
15.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述光源是LED芯片，所述LED芯片的一边大于350μm。
16.根据权利要求1所述的显示装置用照明装置，其特征在于，所述光源是LED芯片，是配置多个所述LED芯片而成的。
17.一种显示装置，其特征在于，具备：权利要求1～16的任一项所述的显示装置用照明装置和透射型液晶显示面板。
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