JP2000034477A - プラズマディスプレイパネルと蛍光体および蛍光体の製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルと蛍光体および蛍光体の製造方法

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JP2000034477A
JP2000034477A JP12923899A JP12923899A JP2000034477A JP 2000034477 A JP2000034477 A JP 2000034477A JP 12923899 A JP12923899 A JP 12923899A JP 12923899 A JP12923899 A JP 12923899A JP 2000034477 A JP2000034477 A JP 2000034477A
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phosphor
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temperature
annealing
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Kanako Miyashita
加奈子 宮下
Hiroyuki Kado
博行 加道
Mitsuhiro Otani
光弘 大谷
Masaki Aoki
正樹 青木
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 セル構成がハイビジョン並に細かいPDPに
用いても良好なパネル輝度を得ることが可能な優れた発
光輝度を持つ蛍光体とその製造方法、ならびに当該蛍光
体を用いたPDPを提供する。 【解決手段】 合成して得た蛍光体をアニール処理し、
蛍光体粒子の表面における結晶中の欠陥準位を補修す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光体とその製造
方法、および当該蛍光体を用いたプラズマディスプレイ
パネルに関する。
【0002】
【従来の技術】蛍光体を用いてカラー表示するディスプ
レイデバイスでは、一般に赤色(R)、緑色(G)、青
色(B)の3色にそれぞれ蛍光発光する各蛍光体をディ
スプレイ面にマトリクス状またはストライプ状に塗布
し、特定の位置の蛍光体に電子線または紫外線を照射し
て所望の表示を行うようになっている。
【0003】このようなディスプレイデバイスで用いら
れる蛍光体は、例えば以下の方法で製造される。すなわ
ち青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)は、まず、
炭酸バリウム(BaCO3)、炭酸マグネシウム(Mg
CO3)、酸化アルミニウム(α−Al23)をBa、
Mg、Alの原子比で1対1対10になるように配合す
る。次にこの混合物に対して所定量の酸化ユーロピウム
(Eu23)を添加する。そして、適量のフラックス
(AlF2、BaCl2)と共にボールミルで混合し、1
400℃〜1650℃で所定時間(例えば、0.5時
間)、還元雰囲気(H2、N2中)で焼成する。
【0004】赤色蛍光体(Y23:Eu)は、水酸化イ
ットリウムY2(OH)3とホウ酸(H 3BO3)とをY、B
の原子比が1対1になるように配合する。次に、この混
合物に対して所定量の酸化ユーロピウム(Eu23)を
添加し、適量のフラックスと共にボールミルで混合し、
空気中1200℃〜1450℃で所定時間(例えば1時
間)焼成する。
【0005】緑色蛍光体(Zn2SiO4:Mn)は、酸
化亜鉛(ZnO)、酸化ケイ素(Si02)をZn、Si
の原子比が2対1になるように配合する。次に、この混
合物に所定量の酸化マンガン(Mn23)を添加し、ボ
ールミルで混合後、空気中1200℃〜1350℃で所
定時間(例えば0.5時間)焼成する。こうして作製し
た各蛍光体を粉砕し、分級(ふるい分け)する。これに
より所定の粒径分布を有する蛍光体粒子が得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上のように作製され
る蛍光体を用いるディスプレイデバイスとしては、従来
よりCRTが広く使用されているが、近年ではハイビジ
ョンをはじめとする高品位、大画面のディスプレイデバ
イスへの期待が高りつつある中で、プラズマディスプレ
イパネル(以下「PDP」と称す)が注目されている。
【0007】PDPは、2枚のガラス板を対向させ、そ
の間に複数の隔壁(リブ)をストライプ状に形成し、隔
壁間にRGB各色ごとに蛍光体を塗布して気密接着し、
隔壁とガラス板の間の放電空間に封入した放電ガスの発
生する紫外線(UV)により放電して蛍光発光させるも
のである。このような構造を有するPDPは大画面の実
現が比較的容易であり、すでに50インチクラスの製品
が開発されている。
【0008】ところでPDPは、放電空間で発生する紫
外線の強度が放電空間の大きさに比例する性質がある。
近年より期待されているフルスペックの42インチハイ
ビジョンテレビでは画素数が1920×1125、セル
ピッチが0.15mm×0.48mmで1セル面積が
0.072mm2の細かさになるが、このスペックのP
DPを従来のセル構成で作製すると、上記性質より紫外
線の強度が下がり、蛍光体の蛍光発光も弱くなって、パ
ネル発光効率が0.15〜0.17lm/W程度と、N
TSC方式のPDPに比べて1/7〜1/8程度に低下
してしまうのが予想される。以上のことから、PDPで
ハイビジョンのような微細セルを作製するにあたって
は、従来のPDPよりも輝度を大幅に向上させなければ
ならない。
【0009】以上のことから現在では、特にPDPに使
用する蛍光体において、PDPのセル構成がハイビジョ
ン並に細かくなっても、一定のパネル輝度を維持するこ
とが可能な蛍光体を得ることは難しいとされている。本
発明はこのような課題に鑑みて為されたものであって、
その目的は、セル構成がハイビジョン並に細かいPDP
であっても、良好なパネル輝度を得ることが可能な優れ
た発光輝度の蛍光体とその製造方法、ならびに当該蛍光
体を用いたPDPを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は蛍光体の製造方法として、蛍光体を合成し
て得る合成ステップと、当該合成ステップ後に蛍光体を
加熱してアニール処理するアニール処理ステップとを経
るものとした。このとき、蛍光体材料の種類によって
は、上記アニール処理を還元雰囲気中で行うものとし
た。
【0011】また、合成ステップとアニール処理ステッ
プの間に、蛍光体を所定の平均粒径を有する蛍光体粒子
の形状に加工する粒子化ステップを経るものとした。こ
のように本発明の蛍光体の製造方法では、合成して得ら
れた蛍光体にアニール処理(焼きなまし処理)を行うこ
とで蛍光体の表面における結晶中に存在する欠陥準位を
補修する。これにより蛍光体の量子効率が向上し、安定
した発光強度が得られる。
【0012】また、アニール処理は蛍光体の製造工程に
おいて少なくとも最終工程で行えばよいので、合成ステ
ップ後の蛍光体を粉砕工程に通して小粒子化しても、最
終的に結晶性と発光強度に優れる蛍光体粒子を得ること
ができる。したがって、本発明の蛍光体をPDPの蛍光
体層に使用すれば、微細セル構造のPDPであっても従
来より高いパネル輝度を得ることが可能となる。これは
特に、最大粒径(または平均粒径)が3μm程度、より
好ましくは1.5μm程度の比較的細かい蛍光体粒子を
使用する場合に有効である。
【0013】なお、アニール処理ステップにかかる加熱
温度(または加熱時間)を合成ステップより低温度(ま
たは短時間)にすることにより、蛍光体粒子の凝結を防
ぎ、所望の粒径の蛍光体を得ることが出来る。また、製
造する蛍光体を球状粒子からなるものとすれば、蛍光体
層の充填率を他の形状の蛍光体粒子よりも高められるの
で、さらにその分パネル輝度を向上させられる効果が期
待できる。ここでいう「球状」とは、例えば粒子の径比
(長軸径/短軸径)が0.9以上1.0以下として定義さ
れるものである。
【0014】なお、蛍光体は一般に結晶成長させて合成
することにより、合成直後は粗い蛍光体粒子として得ら
れる。これ以降の文中では特に断りのない限り「蛍光
体」といえば「蛍光体粒子」を指すものとする。
【0015】
【発明の実施の形態】(実施の形態1) <蛍光体の製造方法>以下、本実施の形態1の蛍光体の
製造方法を説明する。前述したように、ハイビジョン並
の微細セル構造を持つPDPで良好なパネル輝度を得る
ためには、蛍光体層に用いる蛍光体粒子の量子効率を高
める必要がある。これには蛍光体粒子の表面の結晶性を
上げる(結晶中の欠陥準位をなくす)ことが有効であ
る。本実施の形態はこの点を考慮して、合成した蛍光体
粒子をアニール処理工程に通すことを特徴とするもので
ある。
【0016】本実施の形態では、蛍光体の材料として一
般的にPDPなどの蛍光体層に使用されている次の組成
を用いる。なお、これ以降の実施の形態についても同様
の組成の蛍光体に基づいて説明するが、当然ながら本発
明はこれらの組成に限定するものではない。 青色蛍光体: BaMgAl1017:Eu 緑色蛍光体: Zn2SiO4:Mn 赤色蛍光体: Y23:Eu ここで図1は、本実施の形態1の蛍光体の製造工程のフ
ロー図である。次に、当図1に従って各製造工程を説明
する。
【0017】1─a.蛍光体合成工程 青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)は、炭酸バリ
ウム(BaCO3)、炭酸マグネシウム(MgCO3)、
酸化アルミニウム(α−Al23)をBa、Mg、Al
の原子比が1:1:10になるように混合する。次に、
この混合物に所定量の酸化ユーロピウム(Eu23)を
添加し、適量のフラックス(媒溶剤、AlF2)と共に
ボールミルで混合する。そして1300℃〜1800℃
で所定時間(例えば0.5時間)、還元雰囲気(H2
2中)で加熱する。
【0018】赤色蛍光体(Y23:Eu)は、水酸化イ
ットリウムY2(OH)3とホウ酸(H 3BO3)をYとBの
原子比が1:1になるように配合する。次に、この混合
物に所定量の酸化ユーロピウム(Eu23)を添加し、
適量のフラックスと共にボールミルで混合する。そして
空気中1200℃〜1700℃で所定時間(例えば1時
間)加熱する。
【0019】緑色蛍光体(Zn2SiO4:Mn)は、酸
化亜鉛(ZnO)、酸化ケイ素(SiO2)をZn、Si
の原子比が2:1になるように配合する。次に、この混
合物に所定量の酸化マンガン(Mn23)を添加し、ボ
ールミルで混合する。そして空気中1000℃〜150
0℃で所定時間(例えば0.5時間)加熱する。 1─b.解砕工程 上記1─aの工程により、各蛍光体は、設定した加熱温
度および加熱時間により平均粒径が3μm程度の粒度分
布を持つ蛍光体粒子群として得られる。これらの合成後
の蛍光体粒子は軽度に凝結しているため、これを結晶性
が損なわれない程度に乳鉢や超音波発生器でほぐす(解
砕する)。
【0020】1─c.アニール処理工程 次に、上記ほぐした各蛍光体について前記蛍光体合成工
程1─aと同様の温度条件、時間条件、および還元雰囲
気中で再度加熱する。これにより、蛍光体粒子の表面に
存在していた結晶中の欠陥準位が補修される。(ここ
で、実際の蛍光体粒子の表面の状態はTEM等で確認で
きる。) なお蛍光体の合成工程としては上記した1─aの方法に
限らず、例えば公知のゾル−ゲル法などによる合成工程
であってもよい。
【0021】また、一旦ほぐされた蛍光体粒子がアニー
ル処理工程で再凝結することは少ないが、より確実に再
凝結を防ぐためにアニール処理工程の温度を蛍光体合成
工程より低くしてもよい。同様に、アニール処理工程に
かかる時間を短縮してやるなどの工夫を行ってもよい。
さらに、BaMgAl1017:Eu、Zn2SiO4:M
n、BaAl1219:Mn等は、付活剤Euを2価のイ
オンにするために還元雰囲気中で加熱する必要がある
が、このイオン化は蛍光体の製造過程で最終的に行えば
よいので、アニール処理工程を還元雰囲気下で行えば、
これ以外の加熱処理時を大気下で行ってもよい。
【0022】<上記蛍光体を用いたPDP>次に、上記
方法により製造した蛍光体を用いたPDPの構成につい
て説明する。図2は、当該PDPの主要構成を示す部分
的な断面斜視図である。図中、z方向がPDPの厚み方
向、xy平面がPDP面に平行な平面に相当する。当図
に示すように、本PDPは交流面放電型PDPであっ
て、互いに主面を対向させて配設されたフロントパネル
10およびバックパネル20から構成される。
【0023】フロントパネル10の基板となるフロント
パネルガラス11には、その片面に一対の表示電極1
2、13(X電極12、Y電極13)がx方向に沿って
構成され、一対の表示電極12、13との間で面放電を
行うようになっている。表示電極12、13を配設した
フロントパネルガラス21には、当該ガラス11の面全
体にわたって誘電体層14がコートされ、さらに誘電体
層14には保護層15がコートされている。
【0024】バックパネル20の基板となるバックパネ
ルガラス21には、その片面に複数のアドレス電極23
がy方向を長手方向として一定間隔でストライプ状に並
設され、このアドレス電極23を内包するようにバック
パネルガラス21の全面にわたって誘電体膜22がコー
トされている。誘電体膜22上には、隣接するアドレス
電極23の間隙に合わせて隔壁24が配設され、そして
隣接する隔壁24の側壁とその間の誘電体膜22の面上
には、平均粒径が約3μmの蛍光体粒子からなる赤色
(R)、緑色(G)、青色(B)の何れかに対応する蛍
光体層25〜27が形成されている。前記蛍光体粒子は
本発明の特徴として、粒子表面の結晶性が従来より向上
されている。
【0025】フロントパネル10とバックパネル20
は、アドレス電極23と表示電極12、13の互いの長
手方向が直交するように対向させつつ、両パネル10、
20の外周縁部にて接着し封止されている。そして前記
両パネル10、20の間にXeを含む放電ガス(封入ガ
ス)が所定の圧力(従来は通常300〜500Torr
程度)で封入され、隣接する隔壁24間が放電空間28
となり、隣り合う一対の表示電極12、13と1本のア
ドレス電極23が放電空間28を挟んで交叉する領域
が、画像表示にかかるセル(不図示)となる。PDP駆
動時には各セルにおいて、アドレス電極23と表示電極
12、13のいずれかの間で放電が開始され、一対の表
示電極12、13同士でのグロー放電によって短波長の
紫外線(Xe共鳴線、波長約147nm)が発生し、蛍
光体層25〜27が発光して画像表示がなされる。
【0026】ここにおいて、本PDPの主な特徴は蛍光
体層25〜27にある。すなわち蛍光体層25〜27を
構成する蛍光体粒子の表面における結晶中の欠陥準位が
上記のようにアニール処理によって補修されることによ
り、蛍光体層25〜27の発光効率が従来より高く改善
されている。以上の構成を有する本PDPによれば、平
均粒径が約3μmの蛍光体粒子からなる蛍光体層25〜
27が、放電空間28で発生した紫外線を受けて蛍光発
光する。この蛍光発光は、粒子表面の結晶性が従来より
向上した蛍光体粒子によって、効率よくフロントパネル
10側から取り出される。したがってパネル輝度が向上
し、良好な表示性能が得られることとなる。
【0027】このようなPDPは以下の各製造工程によ
り製造したものである。 1.フロントパネル10の作製 フロントパネル10は、フロントパネルガラス11上に
表示電極12、13を形成し、その上を誘電体層14で
覆い、更に誘電体層14の表面に保護層15を形成する
ことによって作製する。
【0028】本実施の形態では、表示電極12、13は
銀電極であって、銀電極用のペーストをスクリーン印刷
した後に焼成する方法で形成する。また、誘電体層14
の組成は、酸化鉛(PbO)70wt%、酸化ホウ素
(B23)15wt%、酸化ケイ素(SiO2)15w
t%であって、スクリーン印刷法と焼成によって、約2
0μmの膜厚に形成する。次に上記の誘電体層14上に
CVD法(化学蒸着法)にて1.0μmの酸化マグネシ
ウム(MgO)の保護層15を形成する。
【0029】2.バックパネル20の作製 バックパネルガラス21上に銀電極用のペーストをスク
リーン印刷し、その後焼成する方法によってアドレス電
極23を形成する。その上にスクリーン印刷法と焼成に
よってTiO2粒子と誘電体ガラスからなる誘電体膜2
2と、同じくスクリーン印刷をくり返し行なった後焼成
することにより得られたガラス製の隔壁24を所定のピ
ッチで作成する。
【0030】これらの隔壁24に挟まれた各空間内に、
前述した赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体を含む蛍
光体インクのいずれかを塗布することによって蛍光体層
25〜27を形成する。蛍光体インクの塗布法には、例
えばメニスカス法と称される極細ノズルからメニスカス
(表面張力による架橋)を形成しながら蛍光体インクを
吐出する方法がある。この方法は蛍光体インクを目的の
領域に均一に塗布するのに好都合である。メニスカス法
の一例を以下に説明する。
【0031】蛍光体インクは、蛍光体とバインダー(エ
チルセルロース)および有機溶剤(α-ターピネオー
ル)を45:2:53の重量比で混合したものを用い
る。この蛍光体インクをタンク(不図示)に入れ、当該
タンクに連結したノズル(先端径80μm)の先端を隔
壁24の間隔に合わせる。そしてこのノズルを、誘電体
膜22から約100μmの距離を保ちつつ、隔壁24の
長手方向に沿って、速度50mm/sで走査しながら圧
力0.5kgf/cm2で蛍光体インクを吐出することに
より、ノズルと隔壁24との間、もしくはノズルと誘電
体膜22の表面との間に蛍光体インクのメニスカスを形
成しながら塗布する。
【0032】なお蛍光体の塗布方法として、従来の印刷
法や、感光性樹脂を用いたフォトフィルム法やフォトペ
ースト法を行っても同様の効果が得られた。蛍光体イン
クの塗布後、最大温度520℃で2時間プロファイルの
焼成を行うことによって蛍光体層25〜27が形成され
る。なお、ここでPDPを、従来のNTSC仕様として
作製してもよいが、40インチクラスのハイビジョンテ
レビのサイズに合わせるためには、隔壁の高さを0.1
〜0.15mm、隔壁ピッチを0.15〜0.3mmと
する必要がある。また蛍光体層25〜27の厚みを5〜
50μmとする必要がある。
【0033】3.パネルの張り合わせによるPDPの作
製 次に、フロントパネル10の表示電極12、13とバッ
クパネル20のアドレス電極23が直交するように、フ
ロントパネル10とバックパネル20とを封着用ガラス
を用いて張り合せる。そして隔壁24で仕切られた放電
空間28内を高真空に排気した後、所定の組成の放電ガ
スを所定の圧力で封入してPDPを完成する。
【0034】なお本PDPでは、放電ガスにおけるXe
の含有量を5体積%とし、封入圧力を500〜800T
orrの範囲に設定した。 (実施の形態2)PDPの構成は上記実施の形態1とほ
ぼ同様であり、ここでは本実施の形態2に特徴的な蛍光
体とその製造方法について主に説明する。また、蛍光体
と製造方法についても重複する箇所を割愛する。
【0035】PDPで良好なパネル輝度を得るために
は、蛍光体層の可視光発光効率を高め、発光した光を有
効に取り出す必要がある。このためには一旦得られた蛍
光体粒子の粒径をさらに小さくすることによって充填率
を高めることが有効であるが、粒径を小さくするために
蛍光体を粉砕しただけでは蛍光体粒子の表面の結晶性が
失われて十分な蛍光発光が得られなくなる。本実施の形
態2はこの点に留意して、蛍光体粒子を粉砕した後にア
ニール処理を加え、その結晶性を維持することによっ
て、小粒子でありながら結晶性のよい蛍光体粒子を作製
するものである。
【0036】<蛍光体材料および蛍光体の製造方法>図
3は、本実施の形態2の蛍光体の製造工程を示すフロー
図である。次に当図3に従って各工程を説明する。 2─a.蛍光体合成工程 まず、青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)、赤色
蛍光体(Y23:Eu)、緑色蛍光体(Zn2SiO4
Mn)をそれぞれ実施の形態1と同様の方法で合成し、
平均粒径が5μm程度の粒径分布を有する蛍光体粒子を
得る。なお、本実施の形態でもゾル−ゲル法などによっ
て蛍光体を合成してよい。
【0037】2─b.粉砕工程 合成した各蛍光体をボールミルを用いて粉砕し、蛍光体
粒子をさらに3μm程度の平均粒径になるまで小粒子化
する。 2─c.分級工程 上記粉砕後、まだ残っている大きい蛍光体粒子を除くた
め、ふるいにかけて分級(最大粒径3μm)を行う。
【0038】2─d.アニール処理工程 分級後の各蛍光体を再度、前記条件と同様の温度で焼成
する。焼成雰囲気は、青色蛍光体および緑色蛍光体は還
元雰囲気で行い、赤色蛍光体は空気中で行う。 2─e.解砕工程 アニール処理後、蛍光体を再度ボールミルで細かく砕
く。ただし、この工程は蛍光体粒子間の凝結をほぐすた
めの解砕工程であり、蛍光体粒子表面の結晶性を失わな
い程度に軽く行う。
【0039】2─f.分級工程 蛍光体粒子をほぐした後、再度ふるいにかけて分級を行
い、最大粒径が3μm以下の蛍光体粒子を得る。ここ
で、2─bにおける工程はボールミルに限らず、クラッ
シャ等を用いてもよい。さらに2─eの解砕工程には超
音波発生器を用いてもよい。
【0040】また蛍光体材料としては、上記材料以外に
もBaAl1219:Mnや(YxGd1-x)BO3:Eu
などPDPに一般的に用いられているものを適宜用いて
よい。 <上記蛍光体を用いたPDP>上記製造方法で作製した
本実施の形態2の蛍光体を用いたPDPは、前記実施の
形態1の蛍光体による効果に加え、蛍光体層中の蛍光体
粒子の最大粒径が3μm以下の小粒子であるため、蛍光
体層の充填率がより向上している。このため蛍光発光の
発光効率がさらに高まり、パネル輝度が上昇する。した
がってPDPのセル構成をハイビジョン並の微細構造に
しても、良好なパネル輝度を得ることが可能となる。
【0041】(実験1)実施の形態1のアニール処理工
程による効果を確認するために、一例として青色蛍光体
BaMgAl1017:Euを用い、アニール処理工程前
後での発光強度を測定して比較する実験を行った。まず
蛍光体(BaMgAl1017:Eu)を蛍光体合成工程
1─aで合成し(1500℃で30min)、これをほ
ぐして平均粒径が5μm程度の蛍光体を得た。この時点
で、比較例1として蛍光体の発光強度を測定した。なお
測定にあたっては(ミノルタ製)を用い、蛍光体を深さ
1mmのホルダーに充填し、波長146nmのKr(ク
リプトン)エキシマランプを照射して行った。
【0042】続いて、作製した蛍光体をアニール処理工
程1─bに通し(1300℃で20min)、これをほ
ぐして発光強度を実施の形態1の測定値として測定し
た。得られた比較例1および実施の形態1の測定値を比
較すると、実施の形態1の蛍光体は、従来のものより5
%ほど輝度が向上するという結果が得られた。このよう
な輝度の向上は、アニール処理によって蛍光体粒子の表
面の結晶性が改善し、量子効率が向上したのが理由であ
ると考えられる。
【0043】なお、同様の結果は緑色蛍光体(Zn2
iO4:Mn)や赤色蛍光体(Y23:Eu)でも得ら
れた。 (実験2)実施の形態2の蛍光体粉砕工程およびアニー
ル処理工程による効果と、蛍光体粒子の形状による効果
を調べるため、上記実験1と同様に一例として青色蛍光
体BaMgAl1017:Euを用い、蛍光体の発光輝度
の比較を行った。
【0044】まず青色蛍光体(BaMgAl1017:E
u)を蛍光体合成工程2─aで合成し(1500℃で3
0min)、平均粒径が5μm程度の蛍光体を得た。さ
らに、蛍光体粉砕工程2─bで平均粒径0.5、1、
2、3、4μmの粒度分布を有する各蛍光体粒子を得
た。この時点で、各蛍光体粒子を比較例2としてその発
光輝度を測定した。
【0045】続いて、作製した各蛍光体をアニール処理
工程2─dに通し(1300℃で20min)、解砕工
程2─eを経て分級を行い、最終的に0.5、1、2、
3、4、5μmの最大粒径を有する各蛍光体粒子を得
た。そして、これらの各蛍光体粒子の発光輝度を実施の
形態2の測定値として測定した。ところで、青色蛍光体
(BaMgAl1017:Eu)は一般的な製造方法から
は六角板状粒子として得られるものであるが、これを下
記の製造方法(特開昭62−201989号公報や特開
平7−268319号公報に記載されている製造方法)
によって、球状(すなわち粒子の長軸径/短軸径の値が
0.9以上1.0以下として定義される球状)粒子の形状
に作製し、これに本発明のアニール処理工程を施して実
施の形態2として発光輝度を測定した。そして、上記球
状粒子と六角板状粒子の粒子形状の差による本発明の効
果を調べた。
【0046】以下に青色蛍光体(BaMgAl1017
Eu)の球状粒子の製造方法を説明する。 <青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)球状粒子の
製造方法> 3─a.蛍光体材料混合工程 まず炭酸バリウム(BaCO3)、炭酸マグネシウム
(MgCO3)、酸化アルミニウム(α−Al23)を
Ba、Mg、Alの原子比が1:1:10になるように
混合した。次に、この混合物に所定量の酸化ユーロピウ
ム(Eu23)を添加し、適量のフラックス(媒溶剤、
AlF2)と共にボールミルで混合する。
【0047】3─b.プラズマ蒸発乾固工程 プラズマ発生装置(タファー社製モデル56プラズマト
ーチ)を用い、キャリアガス:N2(3kg/cm2)、
蛍光体吐出量(100g/min)、プラズマ発生出力
200kWの条件に設定しつつ、上記混合物を円筒型の
反応管内で自由落下させながらプラズマ蒸発乾固させ
る。そして落下後に得られる蛍光体粒子を分級し、最大
粒径が2、3、4、5μmの各蛍光体粒子ごとに分け
た。そして、これらの蛍光体について発光強度を測定し
た。
【0048】図4は実験2で測定した結果を蛍光体粒子
の発光輝度と粒子の最大粒径の関係に基づいてまとめた
グラフである。図中、■が六角板状粒子(実施の形態
2)、○が球状粒子(実施の形態2)、●が六角板状粒
子(比較例2)の各蛍光体をそれぞれ表している。相対
発光強度の各値は六角板状粒子(比較例2)の最大粒径
が5μmのものを100として相対評価している。
【0049】当図から明らかなように、一般に粒径が小
さくなるにつれて発光輝度が低下する。小さい粒径の蛍
光体粒子ほど強く粉砕加工されているので、蛍光体粒子
の表面に結晶の欠陥準位は粉砕加工の度合いに比例して
生じやすくなると考えられる。しかしながら実施の形態
では、六角板状粒子と球状粒子の両方において比較例よ
り20%以上ほども優れた相対発光強度を示す結果が得
られた。
【0050】このように、蛍光体にアニール処理を行う
か否かによって相対発光強度に差が生じるようになる。
つまり実施の形態のデータから、粉砕工程で蛍光体粒子
の表面の結晶に欠陥準位が生じても、アニール処理で良
好に補修される効果が明らかである。本発明の効果は、
図4に見られるとおり蛍光体粒子の形状には関係なく得
られることが分かったが、その効果が比較的顕著なのは
蛍光体粒子の最大粒径が3μm以下の範囲である。より
好ましくは図4から、1.5μm以下の値に最大粒径を
設定するとさらに優れた効果が得られるのが明らかであ
る。このように蛍光体粒子の最大粒径を非常に小さくす
ることで、ハイビジョンなどの微細なセルの蛍光体層と
して用いた場合にパネル輝度が向上するといった効果が
期待できる。
【0051】なお、このような実験結果は、緑色蛍光体
(Zn2SiO4:Mn)や赤色蛍光体(Y23:Eu)
でも同様に得られた。 (実験3)次に、実施の形態2とその比較例で作製した
蛍光体を蛍光体層に用い、実施の形態1で述べたPDP
の作製方法に基づいてPDPを作製した。そして各PD
Pのパネル輝度を測定して比較し、測定結果を図5にま
とめた。蛍光体としては、青色蛍光体にBaMgAl10
17:Eu、緑色蛍光体にZn2SiO4:Mn、赤色蛍
光体にY23:Euをそれぞれ用いた。実施の形態の蛍
光体は六角板状粒子は2─a〜2─dの各工程にしたが
って作製し、球状粒子は3─aおよび3─bの各工程に
したがって作製した。
【0052】なお各PDPは、蛍光体層の膜厚を20μ
m、放電ガス圧を500Torrにそれぞれ設定した。
また測定にあたっては、各PDPを放電維持電圧が15
0V、周波数が30kHzの放電条件で稼働させて行っ
た。さらに測定時には各PDPを白バランスが取れるよ
うに設定し、全面白色点灯とした。図5は実験3で測定
した結果をPDPのパネル輝度と蛍光体粒子の最大粒径
の関係に基づいてまとめたグラフである。図中、■が六
角板状粒子(実施の形態2)、○が球状粒子(実施の形
態2)、●が六角板状粒子(比較例2)の各蛍光体を用
いたPDPをそれぞれ表している。
【0053】一般に蛍光体層は、蛍光体粒子の小粒子化
に伴って蛍光体粒子の充填率が改善されるので反射率が
向上し、発光した可視光を有効にパネル前面に取り出す
ことが可能となる。このことから図5では、蛍光体粒子
の最大粒径が5μmから3μm程度の範囲では、蛍光体
層の反射率の向上によりパネル輝度が向上している。し
かし、さらに蛍光体粒子が小粒子化すると比較例では発
光強度の低下がみられ、パネル輝度が低下するようにな
る。当図では、蛍光体粒子の最大粒径が3μm以下にな
ると、比較例のPDPのパネル輝度が顕著に低下する傾
向がみられる。これは、実験2の結果と同様に、蛍光体
粒子が小粒子になるほど蛍光体粒子の表面の結晶性が悪
くなり、量子効率が低下するのが原因と考えられる。
【0054】一方、実施の形態2では蛍光体の製造工程
でアニール処理を行ったことにより蛍光体粒子の表面の
結晶性が改善されており、さらに蛍光体粒子の最大粒径
を1.5μm程度まで小粒子化することによっても良好
な発光輝度を維持する。このため実施の形態2の蛍光体
粒子で最大粒径が約1.5μm以下のものをPDPの蛍
光体層に使用する場合には、蛍光体層の充填率の向上と
相まって、パネル輝度が良好に上昇する。このとき、例
えば青色蛍光体においては、球状粒子が六角板状粒子よ
りも蛍光体層としたときに充填率が高くなるので、当図
のように球状粒子の蛍光体粒子を用いた実施の形態のP
DPの輝度が最も優れたパネル輝度の値を示す結果とな
った。
【0055】なお、実験2および3では、各蛍光体粒子
を最大粒径に基づく粒度分布で定義して使用したが、最
大粒径ではなく平均粒径で定義しても一定の効果が望め
る。この場合でも3μm以下の平均粒径の場合に上記し
た効果が得られ、その効果は1.5μm以下に平均粒径
を設定した場合に顕著に得られることが分かっている。
【0056】また上記実験1〜3では、一旦合成した蛍
光体を粉砕して小粒子化した直後のものを比較例に用い
たが、例えば合成工程における加熱温度を調整する(具
体的には温度を下げる)ことにより直接小さい蛍光体粒
子を形成し、これを比較例とした場合においても、粒子
表面の結晶性が実施の形態よりも未成熟なため、本発明
の効果に比肩するまでには至らないことが分かってい
る。
【0057】なお、実施の形態2等で、アニール処理工
程の前後に分級工程をそれぞれ行う例を示したが、本発
明はこれに限定せず、どちらか一方を行うだけにしても
よい。
【0058】
【発明の効果】以上のように本発明は、蛍光体の製造方
法として、蛍光体を合成して得る合成ステップと、当該
合成ステップ後に蛍光体を加熱してアニール処理するア
ニール処理ステップとを経るので、蛍光体粒子を小粒子
化しても良好に発光強度を維持することが可能である。
また、この製造方法で作製した蛍光体を用いれば、蛍光
体層における蛍光体粒子の充填率を向上させるとともに
反射特性を改善することが可能となり、ハイビジョン並
の微細セル構成を有するPDPであっても、優れた輝度
および発光効率のPDPが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1の蛍光体の製造工程のフロー図で
ある。
【図2】本発明の一適用例である交流面放電型PDPの
構成を示す部分断面斜視図である。
【図3】実施の形態2の蛍光体の製造工程のフロー図で
ある。
【図4】蛍光体粒子径と発光強度の関係を示すグラフで
ある。
【図5】蛍光体粒子径とPDPのパネル輝度の関係を示
すグラフである。
【符号の説明】
10 フロントパネル 11 フロントパネルガラス 12、13 表示電極 14 誘電体保護層(MgO) 15 保護層 20 バックパネル 21 バックパネルガラス 22 誘電体膜 23 アドレス電極 24 隔壁 25〜27 蛍光体層 28 放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/64 CPM C09K 11/64 CPM 11/78 CPB 11/78 CPB (72)発明者 大谷 光弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 青木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 蛍光体を合成して得る合成ステップと、
    当該合成ステップ後に蛍光体を加熱してアニール処理す
    るアニール処理ステップとを経ることを特徴とする蛍光
    体の製造方法。
  2. 【請求項2】 合成ステップ後に蛍光体をほぐす解砕ス
    テップを経ることを特徴とする請求項1に記載の蛍光体
    の製造方法。
  3. 【請求項3】 合成ステップとアニール処理ステップの
    間に、蛍光体を所定の平均粒径を有する蛍光体粒子の形
    状に加工する粒子化ステップを経ることを特徴とする請
    求項1に記載の蛍光体の製造方法。
  4. 【請求項4】 解砕ステップまたは粒子化ステップのい
    ずれかにおいて、平均粒径が3μm以下の蛍光体粒子を
    得ることを特徴とする請求項2または3に記載の蛍光体
    の製造方法。
  5. 【請求項5】 解砕ステップまたは粒子化ステップのい
    ずれかにおいて、平均粒径が1.5μm以下の蛍光体粒
    子を得ることを特徴とする請求項2または3に記載の蛍
    光体の製造方法。
  6. 【請求項6】 アニール処理ステップの前後の少なくと
    もいずれかに、粒子化ステップを経て得られた蛍光体粒
    子を所定の最大粒径の値に基づいて分級する分級ステッ
    プを経ることを特徴とする請求項3に記載の蛍光体の製
    造方法。
  7. 【請求項7】 分級ステップにおいて、最大粒径が3μ
    m以下の蛍光体粒子を得ることを特徴とする請求項6に
    記載の蛍光体の製造方法。
  8. 【請求項8】 分級ステップにおいて、最大粒径が1.
    5μm以下の蛍光体粒子を得ることを特徴とする請求項
    7に記載の蛍光体の製造方法。
  9. 【請求項9】 アニール処理ステップの後で、かつ分級
    ステップの前に、蛍光体粒子をほぐす解砕ステップを経
    ることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の蛍
    光体の製造方法。
  10. 【請求項10】 合成ステップで、複数の材料からなる
    混合物を加熱して蛍光体を合成し、アニール処理ステッ
    プで、合成ステップの加熱温度よりも低い温度で蛍光体
    をアニール処理することを特徴とする請求項1〜9のい
    ずれかに記載の蛍光体の製造方法。
  11. 【請求項11】 アニール処理ステップにおける加熱時
    間が、合成ステップにおける加熱時間よりも短いことを
    特徴とする請求項10に記載の蛍光体の製造方法。
  12. 【請求項12】 合成ステップで合成する蛍光体の組成
    がBaMgAl1017:Euであり、アニール処理ステ
    ップを還元雰囲気下で1000〜1600℃の温度範囲
    から選択した温度に設定して行うことを特徴とする請求
    項10または11に記載の蛍光体の製造方法。
  13. 【請求項13】 合成ステップを1300〜1800℃
    温度範囲から選択した温度に設定して行うことを特徴と
    する請求項12に記載の蛍光体の製造方法。
  14. 【請求項14】 合成ステップで合成する蛍光体の組成
    がZn2SiO4:Mnであり、アニール処理ステップを
    還元雰囲気下で900〜1300℃の温度範囲から選択
    した温度に設定して行うことを特徴とする請求項10ま
    たは11に記載の蛍光体の製造方法。
  15. 【請求項15】 合成ステップを1000〜1500℃
    の温度範囲から選択した温度に設定して行うことを特徴
    とする請求項14に記載の蛍光体の製造方法。
  16. 【請求項16】 合成ステップで合成する蛍光体の組成
    がBaAl1219:Mnであり、還元雰囲気下でアニー
    ル処理ステップを1000〜1600℃の温度範囲から
    選択した温度に設定して行うことを特徴とする請求項1
    0または11に記載の蛍光体の製造方法。
  17. 【請求項17】 合成ステップを1300〜1800℃
    の温度範囲から選択した温度に設定して行うことを特徴
    とする請求項16に記載の蛍光体の製造方法。
  18. 【請求項18】 合成ステップで合成する蛍光体の組成
    がY23:Euあるいは(YxGd1-x)BO3:Euで
    あり、大気雰囲気下でアニール処理ステップを800〜
    1600℃の温度範囲から選択した温度に設定して行う
    ことを特徴とする請求項10または11に記載の蛍光体
    の製造方法。
  19. 【請求項19】 合成ステップを1200〜1700℃
    の温度範囲から選択した温度に設定して行うことを特徴
    とする請求項18に記載の蛍光体の製造方法。
  20. 【請求項20】 請求項1〜19のいずれかに記載の蛍
    光体の製造方法により作製したことを特徴とする蛍光
    体。
  21. 【請求項21】 一対の平行に配されたプレートの間
    に、電極および複数色の蛍光体層が配設され、放電ガス
    が封入された放電空間が形成されたプラズマディスプレ
    イパネルであって、前記蛍光体層が請求項20に記載の
    蛍光体で構成されていることを特徴とするプラズマディ
    スプレイパネル。
  22. 【請求項22】 前記蛍光体層を構成する蛍光体粒子が
    球状粒子であることを特徴とする請求項21に記載のプ
    ラズマディスプレイパネル。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009031495A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Showa Denko K.K. 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
WO2011055665A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体の製造方法
TWI399422B (zh) * 2005-07-01 2013-06-21 Nat Inst For Materials Science 螢光體、其製造方法及照明器具
US8550645B2 (en) 2008-11-28 2013-10-08 Showa Denko K.K. Illumination device for display device, and display device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399422B (zh) * 2005-07-01 2013-06-21 Nat Inst For Materials Science 螢光體、其製造方法及照明器具
US9677000B2 (en) 2005-07-01 2017-06-13 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
US8883039B2 (en) 2005-07-01 2014-11-11 National Institute For Materials Science Fluorophor and method for production thereof and illuminator
KR101216923B1 (ko) * 2007-09-03 2012-12-28 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체 및 그 제조 방법, 및 그것을 이용한 발광 장치
US8398892B2 (en) 2007-09-03 2013-03-19 Showa Denko K.K. Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same
TWI391472B (zh) * 2007-09-03 2013-04-01 Showa Denko Kk 螢光體及其製法與使用它之發光裝置
WO2009031495A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Showa Denko K.K. 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
US8608980B2 (en) 2007-09-03 2013-12-17 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same
US8550645B2 (en) 2008-11-28 2013-10-08 Showa Denko K.K. Illumination device for display device, and display device
US8709282B2 (en) 2009-11-05 2014-04-29 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Process for producing β-sialon fluorescent material
CN102575158A (zh) * 2009-11-05 2012-07-11 电气化学工业株式会社 β型赛隆荧光体的制造方法
CN102575158B (zh) * 2009-11-05 2014-11-12 电气化学工业株式会社 β型赛隆荧光体的制造方法
KR101740756B1 (ko) 2009-11-05 2017-05-26 덴카 주식회사 β형 사이알론 형광체의 제조방법
WO2011055665A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体の製造方法

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