TWI338324B - Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating - Google Patents

Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating Download PDF

Info

Publication number
TWI338324B
TWI338324B TW095142784A TW95142784A TWI338324B TW I338324 B TWI338324 B TW I338324B TW 095142784 A TW095142784 A TW 095142784A TW 95142784 A TW95142784 A TW 95142784A TW I338324 B TWI338324 B TW I338324B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
substrate
processing
deposition
deposition system
Prior art date
Application number
TW095142784A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200735185A (en
Inventor
Yicheng Li
Tadahiro Ishizaka
Kaoru Yamamoto
Atsushi Gomi
Masamichi Hara
Toshiako Fujisato
Jacques Faguet
Yasushi Mizusawa
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200735185A publication Critical patent/TW200735185A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI338324B publication Critical patent/TWI338324B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

24 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 且右沈積ΐ統及其操作方法，更具體而言，係關於 具有獨立區域以沈積及傳送材料之沈積系統。 【交叉參考之相關申請案】 心本巾賴侧㈣目專射請钱11/G9G，255、倾人備忘錄 ，號 267366US、客戶參考號 TTCA 19，錢「a ρι_ Enhanced
tomic Layer Deposition System」現公開號為 2004VVVVVVVVVV 之申凊案’特將其所有内容包含於此作為參考。本φ請案係關於 美國專利巾請鏡ll/G84,m、代理人備忘錄編號265595US、客 戶參考號 TTCA 24，名為「A Deposition System and Method」現公 開號為2004WWVVVVW之申請案，特將其所有内容包含於此 作為參考。本申請案係關於美國專利申請案號χχ/χχχ，χχχ、客 戶參考號 TTCA 27，名為「A Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System Having Reduced Contamination」現公開號為 20〇4WVVVVVVVV之申請案，特將其所有内容包含於此作為參 考。本申請案係關於美國專利申請案號χχ/χχχ，χχχ、代理人備 忘錄編號2274〇17US、客戶參考號TTCA 54，名為「Method and
System for Performing Thermal and Plasma Enhanced Vapor Deposition」現公開號為2006VVVVVVVVVV之申請案，特將其 所有内容包含於此作為參考。本申請案係關於美國專利申請案號 XX/XXX，XXX、代理人備忘錄編號2274020US、客戶參考號TTCA 55 ’ 名為「A Deposition System and Method for Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition」現公開號為 2006VVVVVVVVVV 之申 請案，特將其所有内容包含於此作為參考。本申請案係關於美國 專利申請案號ΧΧ/ΧΧΧ，ΧΧΧ、代理人備忘錄編號2274016US、客 戶參考號 TTCA 63，名為「Method and System for Sealing a First
Chamber Portion to a Second Chamber Portion of a Processing 1338324 特將其所有
System」現公開號為2006VVVVVVVVVV之φ ▲主安 内容包含於此作為參考。. 〒叫案’ 【先前技術】 侧處理綱’ #製造複合材料結構時，常使用雷漿 膜之添加與移除。例如，在半導體處理中常 = 沿著矽基板上圖型化之細線、或通孔或:觸2 f除或侧材料。或者例如，使職相沈積處理，以 上之細線、或通孔或觸制沈積材料。在 ^ 理包，化學餘沈積(CVD)，及賴之餘沈雜處 在PECVD +，利用電襞來改變或增強膜沈積機制。例如) ΐίΐίΓ允許卿献應絲低之溫度下進行，該溫度遠低於 產生相似之膜所需的溫度。此外，電聚激勵可 ϋί Μ或動力上不利熱CVD之膜形成化學反應。因此可藉著 參數，使舰奶膜的化學及物理特性在—相對廣大的範 最近，原子層沈積(ALD)及電漿增強ALD(PEALD)，不僅僅 成為前段製程(FEOL}操作中之超薄閘極膜形成的一極佳選擇，亦 為後段製程(BEOL)操作中金屬化之超薄阻障層及晶種層形成的一 =選擇。在ALD中’每次將兩或更多種之處理氣體如膜前驅物 及還原氣體交替並相繼依序地通入並同時加熱基板，以形成一單 層材料膜。在PEALD中，在通入還原氣體期間形成電漿形成 原電漿。迄今，業界已註實：ALD與PEALD處理提供了^^ 膜厚均勻度，亦對層沈積於上之圖型提供保形性，但這些處理仍 慢於其對應的CVD與PECVD。 【發明内容】 本發明之一目的係朝向於··解決線路尺寸總是在減少之半導 體處理的各種問題，在減少的線路尺寸中保形性、附著性及純度 7 1338324 將變成愈來愈重要之骑半賴裝置成品的問題。 本，明之另—目的為：減少隨後沈積或處理料層之介面 間的 >可染問題。 品 士，，之另一目的為：提供在相同系統中可與氣相沈積與樣 4^送相谷的配置。 ^發明之上述及/或其他目的之變化係由本發明之某些實施例 來徒供。 在^發明之—實施例巾，提供_種在氣相沈積系統中將材料
ίΐ至基板上的基板處理方法，包含下列步驟：將氣相沈積系統 的第-組件維持在第—溫度；將氣相沈積系統之第二組件維持在 ，於該第Γ溫度驗低溫度；_基板放置顺第-組件的處理 空間中，該第一組件係與該第二組件的傳送空間真空隔離；及 材料沈積至該基板上。 么本發明之另一實施例中，提供一種在基板上形成沈積膜的 ^積^統’其包含：第一組件’具有用以輔助材料沈積的處理空 ，，第二組件，連接至該第一組件，並具有輔助該基板傳入與傳 出該沈，系統的傳送空間；基板座臺’連接至該第二組件，並用 以支撐έ玄基板；及密封組件，用以隔離該處理空間與該傳送空間。 第-組件係轉在第—溫度，而第二組件係維持在低於 度的更低溫度。 — 【實施方式】 為促進對本發明之全盤了解以及作為解釋性而非限制性之目 的夕在下列闡述中將提出特定細節，如沈積系統之特定幾合特徵 及多種組件之詳細描述。然而應了解：在脫離此處所述之具體細 節的其他實施例中仍可施行本發明。 立八現參照附圖，在所有附圖中相同之標號代表相同或相對應之 部分。圖1Α顯示沈積系統101，使用如電漿增強原子層沈積 (PEALD)處理以於基板上沈積薄膜如阻障膜。於半導體裝置之後
8 1338324 段^程(BEGL)操作顧之喊叙外魏結構的金狀期間可 將4保形阻PI：層沈積於線路溝槽或通孔上，以將電遷移進入声間 或層内介電材料的金屬最小化、可將薄保形晶種層沈積於線^溝 槽或通孔上以對表體金屬填料提供具有良好附著性f之膜，及/或 可將薄保形崎層沈積於線路溝槽或通孔上以對金屬 提供具有良好附著性質之膜。除了上述處理之外，必須將大= 屬如銅沈積於線路溝槽或通孔内。
隨著線路尺寸縮小’ PEALD興起成為此類薄朗主要最佳選 擇。例如，由於PEALD處理對複雜、具有高深寬比的特徵部提供 *了良好的保形性’最好使用自我限制ALD處理如pEALD來施行 薄膜阻障層。為了制自我限制沈麵性’ PEALD處理涉及交替 通士不同處理氣體如膜前驅物及還原氣體，藉此在第一第驟中使 膜，驅物吸附至基板表面’接著在第二步射進行還原以形成所 欲薄膜。由於在真空室中交#通人兩種處理氣體，故以較低之沈 積速率來進行沈積。 ▲本發明人體認到：在PEALD處理中的第一(非電漿)步驟(即， 膜，驅物吸附)可受惠於小處理空間體積而增加產量及/或節省處 f氣體，但在PEALD處理中之第二步驟(電聚輔助還原)期間需要 較大的處理空間體積來維持均勻的電漿。 因此，在相關之申請案「Method and System forPerforming
Thermal and Plasma Enhanced Vapor Deposition」及「A Deposition System and Method for Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition」 中敘述了改變處理空間之尺寸以適應不同處理或步驟。 此外’本發明亦符合期望地隔離了内部用以施行PEALD處理 的處理空間與内部用以將基板傳入及傳出處理室的傳送空間。處 理空間與傳送空間的實體隔離降低了已處理之基板的污染。由於 「身又皆知CVD與ALD處理較其他沈積技術如物理氣相沈積(pVD) 「更髒」’故處理空間與傳送空間之實體隔離可更進一步地降低自 處理室至其他耦合至中央傳送系統之處理室的傳送污染。因此， 9 土發明之一態樣提供及維持處理空間與傳送空間的隔離。因此本 ^明之另—態樣躲改變處理㈣之尺寸時提供及轉 與傳送空間的隔離。 人又，CVD與ALD處理所用的材料日益複雜。例如，當沈積 ，金^膜時，使用金屬鹵化物膜前驅物$該機金制前驅物。如 匕’處理室常會被沈積系統之室壁上的前驅物殘留物或部分分解 污染°因此’使用真空緩衝室來隔離沈 H先與將處理晶圓傳送至其他處理室的a空傳m缺而， 緩衝室為總體製造處理增加了更多成本及時間。 、 減少腔室表面上之膜前驅物殘留物的一種方法為：將處理室 :^面溫度增加至無法發生前驅物累_溫度胃卜然而，本發 白:此類高溫腔室(尤其是與彈性體一起使用時)會引起來 外部的空氣與水氣，因此污染物會穿過處理= ^件。例如’將-腔室元件維持在經升高之溫度並將另 持在較低之溫麟，本發明人觀察纟1卜若㈣元件包含了 知密封結構之彈性體密封件時，來自腔室外部的處理室 處理ί=ΑΙίΓ在本發明之一實施例中沈積系統⑼包含： 如薄膜係形成於該絲上。翁f HG更包含上職
=以在與基板座臺_合時界定處理空間18G 用以界定傳送空_。選擇性地，如圖财及；；^ 連接至下(\，中間腔室組件)來將上腔室組件130 系統μΓ用以 ，沈積系統101包含：處理材料供給 用乂將第-處理簡、第二處輯料或淨化⑽通入處 1338324 理室110。此外’沈積系統101包含：第一電源150，連接至處理 室110並用以在處理室110中產生電漿；及基板溫度控制系統 160 ’連接至基板座臺120並用以升高及控制基板125之溫度。此 外，沈積系統101包含：處理體積調整系統122，連接至處理室 110與基板座臺120，並用以調整與基板125相鄰之處理空間180 的體積。例如，處理體積調整系統180可用以使基板座臺120在 處理基板125(見圖1A與1B)的第一位置與用以將基板〗25傳入與 傳出處理室110(見圖2A與2B)的第二位置之間作垂直移動。
又，沈積系統101包含：第一真空泵浦190，連接至處理空間 180,其中使用第一真空閥194來控制輸送至處理空間18〇之泵抽 速度。沈積系統101包含：第二真空泵浦丨92，連接至傳送空間 182，其中在必要時使用第二真空閥196來隔離第二真空泵浦192 與傳送空間182。 此外，沈積系統101包含：控制器170’可連接至處理室11〇、 J板座臺120、上組件13〇、下組件132、處理材料供給系統14〇、 第-電源1%、基板溫度控制系統_、處理體積調整系統122、 第一真空泵浦190、第-真空閥194、第二真空泵浦192及第一真 空閥196。 《 %汉乐一具 尺寸ί以處理綱腕基板、_酿基板或更大 ^寸之基板。事實上’熟知此項技藝者應注意： i ΐί處寸之基板、晶圓或LCDs。可將基板^置至處理 之上表面t自升/雜目示)雜_⑽板座臺 處理材料供給系統140可包含第一處理材 =料==用r替地將第-處理材料 間插入可、一_ _______ ^ 、 一處·J里材料的通入 主要 ㈣:材料 i子。例.如’膜前躲物源可為31態、液®叹氣 L10 ° t 方々於泰 乱體/原可為固態、液態或氣態，且可αϋ能 於^輪理室110。例示性之氣態膜前驅物與還原氣體係敘i 其可^在系統140更可包含淨化氣體供給系統， 之間將淨化氣體通入處入，室11〇 重氣體(即，氦、氖、畜〃 〃淨化乱體可匕3惰性氣體’如責 氫氣體）。 風、乳、亂）、或氮(及含氣氣體）、或氫(及含 力控:ί體14g可包含—或多個材料源、—或多個壓 個^夕個流量控制裝置、—或多個過遽器、—或多 種處理氣處理氣體供給系統140可將-或多 氣體分散。在此項技藝中，取所周知 地將第—與第二處理氣體材料分散至處 之^所包含以參考用之美國專利申請案號η/_，255二 用電可用以施行熱沈積處理(即’未使 層沈積(ald)處理或熱化學氣相沈 ，♦押21將。或者’沈積系、统101可用於電紫增強沈積系統，在 此處理中電漿可活化第-處理材料或第三處理材料中之任一者。 電漿增強沈積處理可包含電漿增強ALD(PEALD)整理 含電漿增強CVD(PECVD)處理。 〃 在PEALD處理中，將第一處理材料如膜前驅物及第二處理材 料如還原氣體依序且交替地通人以在基板上形成細。例如，在 S. 12 鱗，麟驅物可包含金屬峨如， 五虱化！_)或金屬有機物(如，蝴哪灿明 稱為ρΜΑΤ·，紐額外之細節可見美國專利編號6,593,484)。 在此實例中，還縣體可包錢或邮η3)、&及％，邮4、 NH(CH3)2或NzP^CH3 ’或任何其組合。 糾531„室110第一持續時間，以使膜前驅物吸 附至，板125 _路表面上。較佳的是產生單層材料吸附。之後， ΐϊ'Γΐ氣體ί化處理室11G第二持續時間。在膜前驅物吸附至 上之後’將還原氣體通入處理冑110第三持續時間，同 ΐ 將能量經由例如上組件130而耦合至還原氣 &至還原氣體加熱了還原氣體，因此引起還原氣體 以形成例如可與經吸附之Ta膜前驅物反應的經解 f i 氣:以將經吸附之Ta膜前驅物還原而形成所欲之含 a膜。y重覆此舰以產生具有足夠厚度之含了&層為止。 或緊ϊί通:自體積V1增加至v2的時間處同時 if 一ϋ 歧第4理軒倾_(即，形成 理ί淨化處理㈣成分。湘淨絲體來將處 續時間。可將通人第_處理氣體材料、通入第 =====存在時形成電*的步驟重覆任何次 ^處5門ΐ=ΐ(νι)可充分地小，俾使第一處理氣體材料通 空=以藉i?:處理氣體材料吸附在基板表面上。當處理 材料的番、法,丨、減小時，吸附至基板表面上所需之第一處理氣體 時間減少。^如因—處理m内交料—處輯料所需的 因二少t;;=r空㈣—體積減少，滯留時間減少， 如圖1中獅，處理空關〇係藉由基板座臺12G、基板座臺 1338324 使用PEALD處理來備製含纽膜時，膜前驅物可包含金屬由素(如， 五氣化钽)或金屬有機物(如，，之後 稱為TAIMATA®，至魏外之細節可見美國專利編號6,593,484)。 在此實例中’還原氣體可包含氫或氨、仏及h2，、 NH(CH3)2或N2H3CH3 ’或任何其組合。
將膜前驅物通人處理室11()第—持續時間，以使膜前驅物吸 附至基板125的裸露表面上。較佳的是產生單層材料吸附。之後， =淨化氣體淨化處理室11G第二__。顧前驅物吸附至 =扳125上之後，將還原氣體通入處理室11〇第三持續時間，同 =自第-電源150將能量經由例如上組件13〇而麵合至還原氣 二將能#耦合至還原氣體加熱了還原紐，因此引_原氣體 化及轉，㈣成例如可触魏^Ta黯驅滅應的經解 種如原子氫，以將經吸附之Ta膜前驅物還原而形成所欲之含 a、。可重覆此循環以產生具有足夠厚度之含办層為止。
，可在處理空間180自體積V1增加至V2的時間處同時 耆通人第二處理材料。可自第—電源15G將能量經由基板 敌 ^來麵合至第二處理材料。將能量搞合至第二處理材料加 二處理材料，·使第二處理材料離子化並解離(即，形成 理原經制的第_處理㈣成分。個淨化氣體來將處 二段持續時間。可將通人第—處理氣體材料、通入第 •料及在第二處理材料存在時形成電漿的步驟重覆任何次 致，以產生具有期望厚度之膜。 _二門LiL充》地小’俾使第—處理氣體材料通 办門第""處理氣體材料吸附在基板表面上。當處理 二了體積減小時’吸附至基板表面上所需之第—處理氣體 時間減。例如，隨著處理空間第一 、 因此可減少第-持續時間。㊉遐積ι滯留時間減少， 如圖1中所示，處理空間i 80係藉由基板座臺12〇、基板座臺 1338324 在另一例中’當沈積鶴(w)、氮化嫣或碳氮化鎮時，可使用 W前驅物如WF6或W(CO)6，而還原氣體可包含％、NH3、N2與 h2、N2H4、NH(CH3)2 或 N2H3CH3。 ’、 在另一例中，當沈積鉬(Mo)時，可使用Mo膜前驅物如六氟 化鉬(MoF6)，而還原氣體或電漿可包含H2。 • 在另一例中，在沈積Cu時所使用之Cu前驅物可具有含cu . 有機化合物，如Cu(TMVS)(hfac)(亦知為由位於加州92009，
Carlsbad，Palomar Oaks Way，1969 號之 Schumacher 公司之氣熊 產品及化學品部門所販售之商標名為CupraSelect®的化學品）， 鲁或無機化合物如CuC卜而還原氣體可包含Hr 〇2、n2、NH3及 中至少一者。此處所用之「A、B、C...及X中至少一者」 表達方式，係指所列之元素中之任一者，或所列元素中超過一者 之任意組合。 在氣相沈積處理的另一例中，當沈積氧化錯時，Zr前驅物 可包含Zr(N03)4或ZrCl4，而還原氣體可包含H2〇。 當沈積氧化铪時，Hf前驅物可包含Ηί(ΟΒΐ!ι)4、Hf(N03)4或 HfCU ’而還原氣體可包含HzO。在另一例中，當沈積給(Hf)時， Hf前驅物可包含HfCl4，而第二處理材料可包含H2。 在沈積鈮(Nb)時，Nb前驅物可包含五氣化鈮(NbCl5)，而還 • 原氣體可包含H2。 當沈積鋅(Zn)時，Zn前驅物可包含二氣化鋅(ZnCl2)，而還 原氣體可包含H2。 當沈積氧化矽時，Si前驅物可包含Si(OC2H5)4、SiH2Cl2, SiCl4, 或Si(N〇3)4，而還原氣體可包含h2〇或〇2。在另一例中，當沈積 氮化矽時，Si前驅物可包含siCl4或SiH2Cl2 ’而還原氣體可包含 NH3 ’或N2與Η:。在另一例中，當沈積TiN時，Ti前驅物可包含 硝酸鈦(Ti(N03))，而還原氣體可包含nh3。 在氣相沈積處理的另一例中，當沈積銘時，A1前驅物可包含 氣化鋁(Alf!6)或三甲基鋁(ai(ch3)3) ’而還原氣體可包含氏。當沈 15 1338324 ， 積氣化銘時’ A丨前驅物可包含三氣化紹或三甲基鋁，而還原氣體 可包含NH3，或N2與H2。在另一例中，當沈積氧化鋁時，膜前驅 物可包含氯化鋁或三曱基鋁，而還原氣體可包含h2〇，或〇2與 H2。 、 在氣相沈積處理的另一例中，當沈積GaN時，膜前驅物可包 • 含确酸鎵(Ga(N〇3)3)或三甲基鎵(Ga(CH3)3)，還原氣體可包含冊3。 在上述之形成各種材料層的實例中，所沈積之處理材料可包含 ' 金屬膜、氮化金屬膜、碳氮化金屬膜、氧化金屬膜或矽化金屬膜的 至少一者。例如，所沈積之處理材料可包含鈕臈、氮化鈕膜或碳氮 m 化钽膜的至少一者。或者例如，所沈積之處理材料可包含例如Ai 攀膜或Cu膜以將通孔金屬化，該通孔係用以將一金屬線連接至另一 金屬線或用以將一金屬線連接至半導體裝置之源極/汲極接觸插 塞。可使用如上所述之A1及Cu的前驅物在利用或不利爭電漿處理 的情況下形成A1或Cu膜。或者例如，所沈積之處理材料可包含氧 化知膜、氧化給膜、石夕化給膜、氧化梦膜、氮化妙膜、氮化鈦膜及/ 或GaN膜，以形成如上述之半導體裝置之金屬線或閘結構的絕緣 層。 又，可使用矽烷或二矽乙烷來作為沈積矽系或含矽膜的矽前驅 物。可使用鍺烷來作為沈積鍺系或含鍺膜的鍺前驅物。如此，所沈 # 積之處理材料可包含矽化金屬膜及/或例如所沈積之含鍺膜，以形成 半導體裝置之導電閘結構。 ' 仍參照圖1A，沈積系統101包含：電漿生成系統，用以在交替 將第一處理材料及第二處理材料通入處理室11〇的至少部分期間產 生電漿。電漿生成系統可包含：第一電源，連接至處理室11〇並用 以將能量耦合至處理室110中之第一處理材料或第二處理材料或兩 者。第一電源150可包含一射頻(RF)產生器及阻抗匹配網路(未圖 示）’其更可包含一電極(未圖示）’ RF能量係經由該電極而耦合至 處理室110中之電漿。可在基板座臺丨2〇中或上組件13〇中形成 δ亥電極，使其配置於基板座臺20之對面。可利用dc電壓來使基 16 1338324 板，臺120產生電偏壓’或在办電墨下藉由將处*量自即產 ，，(未_)經舰抗匹_路(未騎)轉輸絲滅臺％，而 使基板座臺20產生電偏壓。
可使用阻抗匹配網路，藉著使阻抗匹配網路之輸出阻抗與處 ，至（包含電極及電漿）中之輸入阻抗相匹配，而將自即產生器輸 送至電，的RF能量最佳化。例如，阻抗匹配網路藉由減少受到反 射之能量’而改善在電紫處理冑11〇中輸送至電狀处能量。匹 配網路拓撲(例如L類型、；γ類型、Τ類型等)及自動控制方法係廣 為熟知本技藝者所知。RF之通常頻率範圍可自約〇丨至約1〇〇 MHz。或者，RF之頻率範圍可自約4〇〇kHz至約6〇MHz。再進 一步之範例中例如，RF之頻率可為約13 56或2712MHz。 仍參照圖1A，沈積系統ιοί包含：基板溫度控制系統16〇， 連接至基板座臺120並用以升高及控制基板125之溫度。基板溫 度控制系統160可包含溫度控制元件，如包含再循環冷卻流之冷 卻系統，此冷卻系統自基板座臺12〇接收熱並將熱傳遞至熱交換 系統(未圖示），或於加熱時，此冷卻系統自熱交換系統傳遞熱。此 外，溫度控制元件可包含加熱/冷卻元件，如電阻式加熱元件或電 熱加熱器/冷卻器，此類元件可包含於基板座臺12〇中，亦可包含 於處理室110之腔室壁中及沈積系統101内之任何元件内。 為改善基板125及基板座臺120間之熱傳遞，基板座臺12〇 可包含機械式夾具系統或電子夾具系統(如靜電夾具系統），以將基 板125固定於基板座臺120之上表面❶再者，基板座臺12〇更可 包含基板背側氣體輪送糸統，用以將氣體通入至基板125之背側， 以改善基板125及基板座臺120間之氣隙熱傳導。當需要在升高 或降低之溫度下控制基板溫度時，可使用此類系統。例如，基板 者側氧體輸送系統可包含兩區域氣體分配系統，其中可獨立地調 整基板25之中央及邊緣間的氦氣氣隙壓力。 此外，處理室110更連接至第一真空泵浦190及第二真空果浦 192。第一真空泵浦190包含渴輪分子泵浦，而第二真空栗浦192 1338324 可包含cryogenic泵浦。
第一真空泵浦190可包含抽取速度能上至約每秒5000升(或更 大)之渦輪分子泵浦(TMP) ’而閥件194可包含用以調節腔室壓力 之閘閥。在乾式電漿蝕刻所使用之習知電漿處理裝置中，通常使 用每秒1000至3000升之TMP。此外，一用以監控腔室壓力之裝 置(未圖示)可連接至處理室110。例如，壓力量測裝置可為由MKS
Instruments 公司(Andover，MA)所販售之 628B Baratron 型絕對電容 壓力器。 如圖ΙΑ、1B、2A及2B中所示，第一真空泵浦bo可連接至
處理空間180 ’俾使其位於基板125之平面上方。然而，第一真空 泵浦190可使用處理空間180,俾使其自基板125之平面下方位^ 泵抽處理空間180，以例如降低粒子污染。為了將流通量最大化， 可設計耦合於自處理空間180泵抽之位置與至第一真空泵浦19〇 之入口間的流體。或者，為達實質上之固^橫剖面積，可設計輕 合於自處理空間180泵抽之位置與至第一真空泵浦19〇之入口 的流體。 貫施例中，第一真空系浦190係位於上腔室組件13〇上， f連接至其上表面(見圖1A)。第一真空泵浦19〇的入口 191係連 接^至少一環形體積如泵抽管道312，該管道係經由延伸部3〇4 ^接至可在基板125之平面τ方處制處理㈣π 綱哦含—或多嶋、—或多個孔口 上方在中：第一真空果浦190係位於上腔室組件130之 俾連接至第接ϋί面(見圖1a)。第一真空栗浦i9G之入口191 ^ 第一環形體積依序連接至第二獅體 連。蝴1積係藉由一或多個泵浦接口而相 州而道3!Τ此錢管道_延伸部 多個門口 ^二板25之平面下方處使用處理空間180的一或 汗 。例如，一或多個泵抽接口在第一環形體積與第二環 1338324 形體積之間可包含彼此位於.直彳呈對側的兩通孔(即，兩者差180 度）。然而，泵抽接口之數目可更多或更少，且其位置可改變。此 外例如’該一或多個開口 305可包含彼此位於直徑對側的兩通孔 (即，兩者差180度）。又，每一狹縫可在方位角方向延伸約12〇度。 然而，開口 305的數目可更多或更少，而其位置與尺寸可改變。 如上所述’吾人期望能夠調整處理空間180之體積卻又不失 去上腔室組件130與下腔室組件132間之密封。圖3、4、5及6 顯示在沈積系統1〇丨處於處理配置時，將基板座臺12〇與上腔室 組件130密封在一起(及可移動式之密封)的數個實施例。如此，系 φ 統包含阻，氣體於處理空間與傳送空間之間流動的密封元件。的 1，在一貫施例中，密封元件的一密封件隔離了處理空間的真空 環境與傳送空間的真空環境。藉由真空隔離處理空間與傳送空 間，密封件能夠將處理空間與傳送空間之間的滲漏降低至少於1〇·3 Torr-1/s，較佳為少於 i〇-4T〇IT-1/s。 —圖3係顯示在基板座臺120之凸緣302及延伸部304與上腔 室組件130間產生密封之密封件配置示意圖。如圖3甲所示密 ，件306，位於基板座臺12〇之凸緣3〇2的溝槽3〇8中。下列將 詳細敘述㈣件306。如圖3中所示，密封件3〇6接觸延伸部3〇4 ^下板310(即，密封板）。在延伸部304中設置泵抽管道312以自 • ^理空f曰1 180將氣體排空至果浦19〇。圖3中所示之配置提供了適 备的密封但並未考慮到提供不會損失密封的垂直移動。例如，在 ^件與下板31G間之接_得鬆散之前，僅能夠容忍相當約密 封件306之一半厚度的垂直移動距離。 ，某些應財’需要大於圖3中所能允許的移動距離。圖4 中顯不一種此類配置。圖4為在基板座4 12〇之凸緣3〇2及延伸 =3 (H與^腔室組件！ 3 〇間產生密封之密封件配置示意圖。如圖* 314在垂直方向上延長。在圖4之實施例中’密 封件314具有三角形之橫剖面，其頂點與下板31〇接觸。 又’在本發明之-實施例中，下板31〇 &含保護件316，保護 1338324 $ 316向凸緣302延伸以保護密封件314不受到非經意的材料沈 =不暴露至電漿物種如上述之電漿生·_。為了容納基板 ，臺120向上移動到達與錐形密封件314接觸的點將凹槽318 «又^於基板座臺120的凸緣302中。如此，圖4中所示之配置所 允許之移動會大於圖3中所示之密封配置所允許者。藉由使用保 護件316，可保護密封件314並可使密封件314不易受到材料沈積 或電漿的損害。
圖5為在基板座臺120之凸緣3〇2及延伸部3〇4與上腔室组 件130間產生选封之选封件配置示意圖。圖$中所示之密封配置 允，基板座臺120在垂直方向上的移動距離大於圖3與4中所示 之岔封配置所允許者。在本發明之一實施例中，下板WO連接至 具有接觸板322(即，密封板)的套管單元320。 在此配置中，垂直移動中之基板座臺12〇藉由密封件3〇6來 與接觸板322接觸，以形成初始密封。當基板座臺12〇更進一步 地垂直移動時，套管單元320壓縮以在不失去密封的情況下允許 更進一步的垂直移動。如圖5中所示，類似於圖4中之密封配置， ，本發明之一實施例中可設置保護件324以保護套管單元32〇不 ，非經意之材料沈積。金屬材料如不銹鋼之套管單元32〇將不易 又到電聚暴露的損害。又，如圖4中所示，可在基板座臺12〇之 凸緣302中設置凹槽326。藉由使用保護件324，套管單元320可 受到保護且不易受到材料沈積。 圖6為在基板座臺120之凸緣302及延伸部304與上腔室組 件13〇間產生密封之密封件配置示意圖。圖6中所示之密封配置 允許基板座臺120之移動距離大於圖3與4中所示之密封配置所 允許者。在本發明之一實施例中，下板310連疾至滑動單元328。 滑動單元328具有至少一長板330，此長板330在垂直方向上延伸 而與基板座臺120之凸緣302上之接收板332銜合。 在本發明之一實施例中，如圖6中所示，在長板330或接收 板332之任一者的側壁上設置密封件334以提供密封。在本發明 20 1338324 為#進夕ηρϋ 材枓沈積或電漿損害。又，密封件可 衣或較佳者為如® 6中所示之錐轉性體，其中該 形橫剖面而其頂點則位於基板座二之7 在不失去:ri的ί間之密封點處。圖6中所示之密封配置 允許基板座臺之移動距離更大於圖3與4 積或電漿S 者。長板33_封件334不受材料沈
在圖4-6中所示之密封配置中，例如可 定為在其中自第二歧材料職錢之體積^在第不一 ^去處理空間⑽與下組件132中之真空間之密封的方式下^ ί發明能夠將可產生匹配均句度之電漿赢 ΐϋ ϊ予處理幾合系統，此允許本發明在相同的系統中 理即，非電漿與電漿)’而毋需在不同處 =間傳送基板’ I!此節省了 _並降低了處理膜層間之介面 處的表面污染，導致產出膜具有較佳之材料特性。
圖7係根據本發明一實施例之處理的處理流程圖。圖7之處 ，可藉由® 1_2之處理系、統或任可其他適合的處㈣統來施行。如 在圖7中所見，處理包含將基板放置到處理系統之處理空間中的 步驟710 ’處理空間與處理系統之傳送空間真空隔離。在步驟別 中’在，理空間中之第—位置或第二位置處處理紐，並同時維 持與傳送空間的真空隔離。在步驟73〇中，在第一位置 位 置處將材料沈積至基板上。 ，7係根據本發明一實施例之處理的處理流程圖。圖7之處 理可藉由圖1-2之處理系統或任可其他適合的處理系統來施行。如 在圖7中所見，處理包含將氣相沈積系統之第一組件維持在第一 溫度的步驟710。在步驟720中，將氣相沈積系統之第二組件維持 在低於第一溫度的較低溫度。在步驟73〇中，將基板放置到第一 組件的處理空間中，此處理空間與第二組件之傳送空間真空隔 21 1338324 ，/4()中^將材料沈積至基板上。在步驟750中，將基 板移動至氣相沈積系統的傳送位置中。 在，驟7=與720中’可將第一組件維持在高於或等於i〇〇 〇c 第二崎轉在低於或等於1GG°C的溫度。在步驟 歧巾’可將第""組件維持在高於或等於5G°C溫度，但可 將第二組件維持在低於或等於邓弋的溫度。 接奸if?740中’為了沈積材料，將處理氣體成分通入氣相沈 3枓之處理。又，可自處理氣體成分形成謹以提升氣相 迷竿。
驟74〇巾，所沈積之材料可為金屬、氧化金屬、氣化金 ，、石反氮化金屬切化金屬的至少—者^如，所沈積之金屬可 為組膜、氮化組膜或碳氮化组臈的至少一者。 *亥氣相沈積系統可用於原子層沈積(ALD)處理、電漿增強 ALD處理、化學氣相沈積(CVD)處理或電聚增強c ec 理的至少一者。 ’ 在步驟740中，可藉由將頻率自〇 1至之射頻(处） 能量施加至處理空間中的處理氣體來形成電漿。在步驟74〇期間， 電極可連接至RF電源並用以將RF能量耦合至處理空間中。在本 發明之一態樣中，在形成電漿之前，増加處理空間的體積以使條 件更利於電漿均勻性。如此’在步驟74〇之前，基板座臺可移^ 至改善氣相沈積處理之電漿均勻性的位置。例如，可將基板座臺 設置在使橫跨200 mm直徑基板之電漿均勻性優於2%之位置，或 使200 mm直徑基板之電漿均勻性優於1%之位置。或者例如，可 將基板座臺設置在使橫跨300 mm直徑基板之電漿均勻性優於2% 之位置，或使300 mm直徑基板之電漿均勻性優於1%之位置。 此外，可在沈積材料後通入淨化氣體。又，在淨化氣體存在 或不存在的情況下，可將電磁電量耦合至氣相沈積系統，以自氣 相沈積系統或基板之至少一者釋出污染物。可將電裝、紫外光或 雷射形式之電磁能量耦合至氣相沈積系統中。 22 1338324 仍參照圖1，控制器170可包含微處理器、記憶體及數位輸入 輪出接口 ’該數位輸入輸出接口能夠產生控制電壓，此控制電壓 不但足以溝通和活化沈積系統101之輸入訊號，而且可監測來自 沈積系統101之輸出訊號。控制器170可與處理室110、基板座臺 120、上組件130、下腔室組件132、處理材料供給系統14〇、第一 ' 電源150、基板溫度控制器160、第一真空泵浦1%、第一真空閥 194、第二真空泵浦192、第二真空閥196及處理體積調整系統122 交換資訊。例如，一儲存於記憶體中的程式可用以根據製程處方 來活化輸入予沈積系統101之上述元件，以施行蝕刻處理或沈積 ^ 處理。 上控制器170可包含微處理器、記憶體及數位輸入輸出接口， 5玄數位輸入輸出接口能夠產生控制電壓，此控制電壓不但足以溝 通和活化沈積系統101(101’)之輸入訊號，而且可監測來自沈積系 統101(101，)之輸出訊號，以控制及監測上所討論之材料沈積處 理。例如，控制器170可包含電腦可讀媒體，此媒體包含程式指 令以執行而完成上述圖6相關的步驟。控制器170可連接至處理 室110、基板座臺120、上組件130、處理材料供給系统14〇、第 電源150、基板溫度控制160、第一^真空栗浦190、第二真空 泵浦192 ’並與上述者交換資訊。例如，一儲存於記憶體中的程式 鲁可用以根據製程處方來活化輸入予沈積系統101(101，)之上述元 件，以施行上述之非電漿或電漿增強沈積處理。 控制器170之一例為自德州奥斯汀之戴爾公司(Ddl
Corporation, Austin, Texas)所生產的 DELL PRECISION WORKSTATION 610™。然而，可使用一通用電腦系統來實施控 制器170’以施行部分或全部根據微處理器之本發明處理步驟，以 回應處理器執行記憶體中所包含之一或多個指令之一或多個程 序。可自另一電私可讀媒介，如硬碟或卸除式媒體機，將此類指 令讀取至控制器記憶體中。亦可使用多工處理之一或多個處理器 來作為控制器微處理器，以執行包含於主記憶體中之指令程序。 23 1338324 ^另外實施例中，可使用硬體電路來代替或與軟體指令一起使 。因此實施例並不限於任何特定之硬體線路及軟體組合。 ㈣控tH7!包含至少―1腦可讀媒介或記憶體，如控制器記 儲存根據本發明之教示所程式化的指令，及用以包含 聪ϋΐ格、記錄或其他實施本發明所需之資料。例如，電 腦可頃媒;,為光碟片、硬碟、軟碟、磁帶、光磁碟、 Z=EPR0M、EEPR0M、快閃 eprom)、dram、sram、 ’或任何其他之磁性媒介、光碟(例如CD_R0M)，或i 介、打孔卡、紙帶，或其他具有孔洞圖型、載體波、(敘 ^ )之物理性齡，或任何其他電腦可自其讀取之媒介。 ㈣包含儲存於任—或組合之電腦可賴介之軟體，用以 控制控制17G、用以驅動施行本發明之裝置或數 制1夠與人類使用者互動。此類軟體可包;但不‘ 刀（右處理為離散的)施行本發明之處理。 丨 伸不ίϊϊ之2碼裝置可為任何可編譯或可執行碼機構，包含 :二Γ丨 可編譯之程式、動態鏈結庫(DLLs)、爪唾 程分散，以獲得較佳效能、可#度及/或成卜J將挪本發明之製 制考電腦可讀媒體」-詞意指參與提供指令予控 j理$執仃之任何媒體。電腦可讀取媒體，可以為任 舉例來說’非揮發_體包括光學 、及，輸媒體。 g媒體機。揮發性媒體包括動態記憶體，如主記怜硬卸 ，至控制器之處理器予以執行。例 =磁巧來輸达齡該遠端電腦可將施行全部或部 b以遠端方式載人至動態記憶體中，並以網路將指至控 24 制器170。 控制器170可設置在沈積系統1〇1(1〇1’)之附近，或其可設置 在沈積系統101(101，)之遠端。例如，控制器17〇可使用直接連結、 ==路_際網路及無線連結中之至少—種來與沈積系統ι〇ι 料。控制器170可連接至例如客戶端(即，裝置製造者)之内 邛網路，或可連接至例如供應商端(即，機台製造者)之内部網路。 此外例如，控制器170可連接至網際網路。而且例如，另一台電 腦(如控制器、伺服器等)可使用控制器17〇以藉由直接連結、内部 網，或網際網路巾之至少—種來交換資料。熟知此項技藝者亦應 主忍.控制器170可藉由無線連結來與沈積系統1〇1(1〇1，)交換資 料。 ^雖然上面僅就本發明之數個例示性實施例來作詳細說明，但 熟知此項技藝者應注意：在不實質上脫離本發明之新穎教示及優 點的情況下，可對例示性實施例作修改。 【圖式簡單說明】 圖1A及1B係根據本發明一實施例之沈積系統的示意圖。 圖2A及2B係根據本發明一實施例之圖1之沈積系統示意 圖，其中在較低之樣品座臺位置下輔助樣品傳送。 圖3，根據本發明之一實施例之密封機構的示意圖。 圖4係根據本發明之一實施例之另一密封機構的示意圖。 圖5係根據本發明之一實施例之另一密封機構的示意圖。 圖6係根據本發明之一實施例之另一密封機構的示意圖。 圖7係根據本發明一實施例之處理的處理流程圖。 【主要元件符號說明】 1〇1 :沈積系統 101’ ：沈積系統 110 :處理室 1338324 120 :基板座臺 125 :基板 130 :上腔室組件 131 :中間部 132 :下腔室組件 140 :處理材料供給系統 142 :充氣室 144 :注射板 146 :孔口 150 :第一電源 160 :基板溫度控制系統 170 :控制器 180 :處理空間 182 :傳送空間 190 :第一真空泵浦 191 :入口 192 :第二真空泵浦 194 :第一真空閥 196 :第二真空閥 302 :凸緣 304 :延伸部 305 :開口 306 :密封件 308 :溝槽 310 :下板 312 :内通道 314 :密封件 316 :保護件 318 :凹槽 1338324 320 套管單元 322 接觸板 324 保護件 326 凹槽 328 滑動單元 330 長板 332 接收板 334 密封件 710 步驟 720 步驟 730 步驟 740 步驟 750 步驟

Claims (1)

1338324 99年9月17日修正替換頁 95142784 (無劃線） 十、申請專利範圍： Iff積,以在—基板上形成沈鑛，包含： 以將空==沈積之處理空間、及用 傳送該第—組件並具有傳送空間以辅助該基板 基板座臺，連接至該第二組件並職支撐該基板； 密封凡件’用以隔離該處理空間與該傳送空間；及 延伸元件’位於該外壁之内部、圍繞該 板縱向地朝該第二組件延伸，該延伸元件具有内壁及 ^包含於該延伸元件之軸壁與料壁之_祕管道，以由^ 該ίϊ氣體且不與該第二組件接觸，且該觸道 係連接至料-組件之上表面上的泵柚接口， 該第-組件之中心與該第一組件之外周之間，⑬係叹於 該第:組件係維持在第—溫度，而該第二組件係維持在 低於该第一溫度的較低溫度。 2‘如申叫專利範圍第1項之沈積系統，其中於處理期間該第 -組件係維持在高於或等於1Q(rc之該第—溫度，而該第二 係維持在低於100弋之該第二溫度。 3.如申請專利範圍第1項之沈積系統，更包含： 二冷卻劑通道，位於該第一組件及該第二組件間之接面附近之 該第一組件的主體内。 4.如申凊專利範圍第1項之沈積系統，更包含： 冷卻劑通道，位於該第一組件及該第二組件間之接面附近之 該第二組件的主體内。 28 1338324 _____ " 99年9月17日修正替換頁 95142784 (無劃線） 5.如申請專利範圍第1項之沈積系統，其中： 該第一組件包含鋁或鋁合金材料； 該第二組件包含鋁或鋁合金材料；及 該第二組件係藉由不銹鋼元件而連接至該第一組件。 —6.如申請專利範圍第1項之沈積系統，其甲該密封元件包含 密封件以真空隔離該處理空間與該傳送空間。 7. 如申請專利範圍第6項之沈積系統，其中該密封件係用以 將自該處理空間滲漏至該傳送空間之氣體降低至低於1〇·3 零 Torr-1/s。 8. 如申請專利範圍第6項之沈積系統，其中該密封件係用以 將自該處理空間滲漏至該傳送空間之氣體降低至低於l(T4Torr-l/s。 ^如申請專利範圍第1項之沈積系統，更包含： 第一壓力控制系統，連接至該第一組件並用以於處理期間排 空該處理空間； 第二壓力控制系統，連接至該第二組件並用以在該傳送空間 # 中提供較低之污染環境； 氣體注射系統，連接至該第一組件並用以在該材料沈積期間 將處理成分通入該處理空間；及 溫度控制系統’連接至該基板座臺並用以控制該基板之溫度。 10.如申請專利範圍第1項之沈積系統，其中： ' 該第一組件包含該沈積系統之上部，而該第二組件包含該沈 ' 積系統的下部；及 該基板座臺係用以在垂直方向上移動該基板。 29 1338324 u .如申請專利範圍第丨項之沈積系統，更包>7 辅助ΐί形Ξ崎能餘合至該輕空财的處理氣體成分， 99年9月17日修疋替換真 95142784 (無劃線） 以 12.如申請專利範圍第〗項之沈積系統，其中： 卯電含用以輸出自〇1至励廳頻率下之处能量的 RP 包含電極’該電極係連接至該RF電源，並用以將 处月b里耦合至該處理空間中。 丨3.如申請專利範圍第1項之沈積系統， 射擒S該延伸元件_來作為該第—組件與該第二組件間之輻 含.R如申„月專利範圍第】項之沈積系統’其中該泵抽通道包 内通道，沿該延伸元件之長度縱向地提供氣體傳導。 15.如申請專利範圍第14項之沈積系統，其中該延伸元件包 έ熱阻抗以加熱自該處理空間流至該傳送空間的流量。 於盾專利範圍第1項之沈m其巾該處理空間係用 於原子層沈積(ALD)或化學氣相沈積(CVD)之至少一者。 17.如申請專利範圍第丨項之沈積系統，更包含： 控制器，用以控制該處理空間中之處理。 。”利範圍第17項之沈積系統，其中程式化該控制 裔以執灯下列步驟： 30 1338324 99年9月17日修正替換 95142784 (無劃線）'只 度 將該沈積系統之該第一組件維持在該、、β .將該沈積系統之該第二組件維持在低於該^溫度之較低溫 將該基板放置於該處理空間中；及 將材料沈積於該基板上。 19.如申請專利範圍帛w之沉積系統，| 接觸該密封元件時’該延伸元件隔離該處理空 ί一: = 用以在一基板上形成沈積膜，包含： =讀，具有最外壁、用以輔助材料沈積之處理空間、及 用以將處理氣體通入該處理空間中的注射板； 傳送沈=該第一組件並具有傳送空間以輔助該基板 基板座臺，連接至該第二組件並用以支撐哼美板. 密封元件，用以隔離該處理空間與該傳送办g .及 泵抽g道係連接至该第一組件之上表面上的泵抽哆 口係設於該第一組件之中心與該第一組件之外周之門接 低於在第-溫度，心件係維持在 •f'一、圓式： 31 1338324
第汰頁 l
TW095142784A 2005-11-18 2006-11-20 Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating TWI338324B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/281,376 US20070116873A1 (en) 2005-11-18 2005-11-18 Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200735185A TW200735185A (en) 2007-09-16
TWI338324B true TWI338324B (en) 2011-03-01

Family

ID=38053863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095142784A TWI338324B (en) 2005-11-18 2006-11-20 Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070116873A1 (zh)
JP (1) JP5209198B2 (zh)
KR (1) KR101277036B1 (zh)
CN (1) CN101082125B (zh)
TW (1) TWI338324B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI671792B (zh) * 2016-12-19 2019-09-11 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 基板處理設備

Families Citing this family (415)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US7993457B1 (en) * 2007-01-23 2011-08-09 Novellus Systems, Inc. Deposition sub-chamber with variable flow
DE102007063363B4 (de) * 2007-05-21 2016-05-12 Centrotherm Photovoltaics Ag Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8216380B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8617347B2 (en) * 2009-08-06 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US8840725B2 (en) * 2009-11-11 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber with uniform flow and plasma distribution
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5553588B2 (ja) * 2009-12-10 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
WO2011114940A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2012127386A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Canon Anelva Corp 真空容器
US9441296B2 (en) 2011-03-04 2016-09-13 Novellus Systems, Inc. Hybrid ceramic showerhead
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9005539B2 (en) * 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
JP5951443B2 (ja) * 2011-12-09 2016-07-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6049395B2 (ja) * 2011-12-09 2016-12-21 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6039996B2 (ja) * 2011-12-09 2016-12-07 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6029452B2 (ja) * 2012-02-22 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8647485B2 (en) * 2012-03-30 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Process kit shield for plasma enhanced processing chamber
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9353439B2 (en) 2013-04-05 2016-05-31 Lam Research Corporation Cascade design showerhead for transient uniformity
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US20150155187A1 (en) * 2013-12-04 2015-06-04 Lam Research Corporation Annular baffle for pumping from above a plane of the semiconductor wafer support
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10741365B2 (en) * 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
JP6225842B2 (ja) * 2014-06-16 2017-11-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、記憶媒体
JP5800964B1 (ja) * 2014-07-22 2015-10-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
JP5800969B1 (ja) 2014-08-27 2015-10-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR101792941B1 (ko) * 2015-04-30 2017-11-02 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 화학기상증착장치 및 그 세정방법
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US10403515B2 (en) * 2015-09-24 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Loadlock integrated bevel etcher system
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10358721B2 (en) * 2015-10-22 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
JP6368732B2 (ja) * 2016-03-29 2018-08-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
CN106582914A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种用于超净台的电极探入装置
CN106582915A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种超净台自动电极探入装置
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
CN110234793B (zh) * 2017-02-08 2020-10-02 皮考逊公司 具有可移动结构的沉积或清洁装置和操作方法
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) * 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
CN111095513B (zh) 2017-08-18 2023-10-31 应用材料公司 高压高温退火腔室
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10872804B2 (en) * 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
CN117936417A (zh) 2017-11-11 2024-04-26 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送系统
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
WO2019099255A2 (en) 2017-11-17 2019-05-23 Applied Materials, Inc. Condenser system for high pressure processing system
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
WO2019173006A1 (en) 2018-03-09 2019-09-12 Applied Materials, Inc. High pressure annealing process for metal containing materials
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) * 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US20200181770A1 (en) * 2018-12-05 2020-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure including silicon nitride on titanium nitride and structure formed using the method
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
TW202101638A (zh) * 2019-03-15 2021-01-01 美商蘭姆研究公司 用於蝕刻反應器的渦輪分子泵及陰極組件
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
US11427910B2 (en) * 2020-10-20 2022-08-30 Sky Tech Inc. Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115773471A (zh) * 2022-11-24 2023-03-10 江苏微导纳米科技股份有限公司 原子层沉积设备及其方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166783A (en) * 1978-04-17 1979-09-04 Varian Associates, Inc. Deposition rate regulation by computer control of sputtering systems
US4778559A (en) * 1986-10-15 1988-10-18 Advantage Production Technology Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
US5096110A (en) * 1990-12-17 1992-03-17 Ford Motor Company Control system for vacuum brazing process
FR2682047B1 (fr) * 1991-10-07 1993-11-12 Commissariat A Energie Atomique Reacteur de traitement chimique en phase gazeuse.
US5223001A (en) * 1991-11-21 1993-06-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vacuum processing apparatus
JP2662365B2 (ja) * 1993-01-28 1997-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6182851B1 (en) * 1998-09-10 2001-02-06 Applied Materials Inc. Vacuum processing chambers and method for producing
US6183564B1 (en) 1998-11-12 2001-02-06 Tokyo Electron Limited Buffer chamber for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
DE19919326A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Leybold Systems Gmbh Kammer für eine chemische Dampfbeschichtung
KR100332423B1 (ko) * 1999-09-02 2002-04-13 황 철 주 Ｐｅｃｖｄ 장비
US6477980B1 (en) * 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
JP4422295B2 (ja) * 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
AU2002211730A1 (en) * 2000-10-16 2002-04-29 Tokyo Electron Limited Plasma reactor with reduced reaction chamber
US20020144784A1 (en) * 2001-04-06 2002-10-10 Curry Don E. Wafer processing apparatus having a chamber with an upper wall having gas supply openings formed therein which promote more even processing of a wafer
KR100422398B1 (ko) * 2001-06-29 2004-03-12 주식회사 하이닉스반도체 박막 증착 장비
US6537421B2 (en) * 2001-07-24 2003-03-25 Tokyo Electron Limited RF bias control in plasma deposition and etch systems with multiple RF power sources
EP1421606A4 (en) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS
JP2004014952A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
JP3933035B2 (ja) * 2002-11-06 2007-06-20 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブの製造装置および製造方法
TW589396B (en) * 2003-01-07 2004-06-01 Arima Optoelectronics Corp Chemical vapor deposition reactor
JP4152802B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-17 日本エー・エス・エム株式会社 薄膜形成装置
US6911093B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 Lsi Logic Corporation Lid liner for chemical vapor deposition chamber
US7422636B2 (en) * 2005-03-25 2008-09-09 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI671792B (zh) * 2016-12-19 2019-09-11 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 基板處理設備

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007177323A (ja) 2007-07-12
CN101082125A (zh) 2007-12-05
US20070116873A1 (en) 2007-05-24
KR101277036B1 (ko) 2013-06-25
CN101082125B (zh) 2013-03-06
KR20070053142A (ko) 2007-05-23
JP5209198B2 (ja) 2013-06-12
TW200735185A (en) 2007-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI338324B (en) Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
US7670432B2 (en) Exhaust system for a vacuum processing system
JP5080108B2 (ja) 処理システムのためのシーリングのデバイスおよび方法
JP5209197B2 (ja) 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法
JP5101868B2 (ja) シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステム
US7740705B2 (en) Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system
US8454749B2 (en) Method and system for sealing a first assembly to a second assembly of a processing system
US7645484B2 (en) Method of forming a metal carbide or metal carbonitride film having improved adhesion
US7897217B2 (en) Method and system for performing plasma enhanced atomic layer deposition
US7422636B2 (en) Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination
US7338901B2 (en) Method of preparing a film layer-by-layer using plasma enhanced atomic layer deposition
US7407876B2 (en) Method of plasma enhanced atomic layer deposition of TaC and TaCN films having good adhesion to copper
TW589684B (en) Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
US20080081464A1 (en) Method of integrated substrated processing using a hot filament hydrogen radical souce
US20080078325A1 (en) Processing system containing a hot filament hydrogen radical source for integrated substrate processing
CN101205605B (zh) 用于热增强和等离子体增强气相沉积的装置及操作方法
KR101281863B1 (ko) 증착 시스템
WO2008042691A2 (en) Processing system containing a hot filament hydrogen radical source for integrated substrate processing

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees