CN115773471A - 原子层沉积设备及其方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例涉及一种原子层沉积设备及其方法。该原子层沉积设备包含：沉积腔室，其经配置以容纳待沉积的半导体晶片；气体控制组件，其经由第一输出端口将第一源供应到沉积腔室；以及第二源控制组件，其连接到沉积腔室以将第二源供应到沉积腔室。与现有技术相比，本申请提供的一种原子层沉积设备及其方法，不仅减少了腔室内的气压波动过大且不稳定的问题，同时还可以有效去除阀体组件的死区、确保其良好的应答性以及较大的流量值。

Description

原子层沉积设备及其方法

技术领域

本发明大体上涉及半导体领域，且更特定来说，涉及一种原子层沉积设备及其方法。

背景技术

半导体领域中，通常使用沉积设备在半导体器件上实现所需薄膜层的生长。沉积设备可包括：原子层沉积设备、等离子体增强原子层沉积设备以及等离子体增强化学气相沉积设备等。

原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是通过腔体内交替引入气相反应物，通过交替的表面饱和反应，进行自限制薄膜沉积生长的技术。原子层沉积具有结合强度高、膜层均匀性好、成分均匀性好等优点，现已被广泛应用到微电子系统、存储器介电层、光学薄膜等诸多领域。

等离子体增强原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围，提高了薄膜沉积速率，降低了沉积温度，因此可广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。因此，等离子体增强原子层沉积是原子层沉积的一种良好的补充。

在使用沉积设备在半导体器件上实现所需薄膜层的生长的工艺过程中，通常需要精确控制相关的工艺参数。在众多的工艺参数中，腔室内的气压是常用的工艺参数之一。然而，目前的原子层沉积设备及其方法在操作过程中可能会导致腔室内的气压波动过大且不稳定，这可能会对薄膜层的生长产生不利影响。因此，需要对现有技术的原子层沉积设备及其方法进行改进，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本申请的目的之一在于提供一种原子层沉积设备及其方法，其解决了现有技术的原子层沉积设备及其方法中存在的腔室气压波动过大且不稳定的问题。

根据本申请的一个实施例，本申请提供了一种阀体组件，其具有第一输入端口、第二输入端口、第一输出端口以及第二输出端口，其中所述阀体组件包括：第一管路，其从第一输入端口分别通向第一输出端口和第二输出端口；第二管路，其从第二输入端口分别通向第一输出端口和第二输出端口；第一阀体构件，其设置于第一管路上；以及第二阀体构件，其设置于第二管路上。

根据本申请的另一实施例，本申请提供了一种用于操作阀体组件的方法，其包括：持续从第一输入端口通入原料并同时持续从第二输入端口通入吹扫气体；以及控制阀体组件使其在第一工作模式以及紧接第一工作模式的第二工作模式中操作；其中：在第一工作模式中，控制第一阀体构件和第二阀体构件使得第一输出端口与第一输入端口连通以接收原料；且在第二工作模式中，控制第一阀体构件和第二阀体构件使得第一输出端口与第二输入端口连通以接收吹扫气体。

根据本申请的又一实施例，本申请提供了一种气体控制组件，其包括：主体；以及第一阀体组件，其设置于主体的一侧，且具有第一输入端口、第二输入端口、第一输出端口以及第二输出端口。其中第一阀体组件包括：第一管路，其从第一输入端口分别通向第一输出端口和第二输出端口；第二管路，其从第二输入端口分别通向第一输出端口和第二输出端口；第一阀体构件，其设置于第一管路上；以及第二阀体构件，其设置于第二管路上。

根据本申请的又一实施例，本申请提供了一种原子层沉积设备，其包括：沉积腔室，其经配置以容纳待沉积的半导体晶片；气体控制组件，其经由第一输出端口将第一源供应到沉积腔室；以及第二源控制组件，其连接到沉积腔室以将第二源供应到沉积腔室。

根据本申请的又一实施例，本申请提供了一种原子层沉积方法，其使用原子层沉积设备进行原子层沉积，所述方法包括：控制气体控制组件以经由第一输出端口将第一源供应到沉积腔室；以及控制第二源控制组件以将第二源供应到沉积腔室。

与现有技术相比，本申请提供的一种原子层沉积设备及其方法，其通过对沉积设备的结构进行改进，提供了一种包括阀体组件的气体控制组件。通过上述改进，本申请提供的一种原子层沉积设备及其方法，不仅解决了腔室内的气压波动过大且不稳定的问题，同时还可以有效去除阀体组件的死区、确保其良好的应答性以及较大的流量值。

附图说明

在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请的实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可以根据这些附图中的例示来获得其他实施例的附图。

图1为本申请实施例提供的一种阀体组件的结构原理图。

图2A-2B为本申请实施例提供的在两种不同工作模式下的阀体组件的示意图。

图3为本申请实施例提供的一种气体控制组件的结构框图。

图4为本申请实施例提供的一种原子层沉积设备的结构示意图。

具体实施方式

为更好的理解本申请的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。

以下详细地讨论本申请的各种实施方式。尽管讨论了具体的实施，但是应当理解，这些实施方式仅用于示出的目的。相关领域中的技术人员将认识到，在不偏离本申请的精神和保护范围的情况下，可以使用其他部件和配置。

图1为本申请实施例提供的一种用于原子层沉积的阀体组件的结构原理图。如图1所示，阀体组件100具有第一输入端口A、第二输入端口B、第一输出端口C以及第二输出端口D。第一输入端口A可用于接收前驱体；第二输入端口B可用于接收吹扫气体；第一输出端口C可用于连接到沉积腔室；且第二输出端口D可经配置为排气端口。从第一输入端口A分别通向第一输出端口C和第二输出端口D，由此可形成第一管路(未示出)。第一管路包括从第一输入端口A通向第一输出端口C的第一支路AC以及从第一输入端口A通向第二输出端口D的第二支路AD。从第二输入端口B分别通向第一输出端口C和第二输出端口D，由此可形成第二管路(未示出)。第二管路包括从第二输入端口B通向第一输出端口C的第三支路BC以及从第二输入端口B通向第二输出端口D的第四支路BD。第二支路AD跨接在第三支路BC上。

参见图1，阀体组件100可包括第一阀体构件102、第二阀体构件104以及阀门106。第一阀体构件102可设置于第一管路上。第二阀体构件104设置于第二管路上。第一阀体构件102包括阀门108以及阀门110。阀门108设置于第一支路AC上，且阀门110设置于第二支路AD上。第二阀体构件104包括阀门112以及阀门114。阀门112设置于第四支路BD上，且阀门114设置于第三支路BC上。阀门108的输入端与阀门110的输入端共同连接到第一输入端口A，阀门108的输出端连接到第一输出端口C，且阀门110的输出端连接到第二输出端口D。阀门112的输入端与阀门114的输入端共同连接到第二输入端口B，且阀门112的输出端连接到第二输出端口D。通过将阀体组件100中的各个阀门挨近后安装，可有效去除由于阀体组件100中的管路通道过长而可能导致的死区的问题。

在本申请的一些实施例中，第一阀体构件102和第二阀体构件104都不属于集合阀。具体而言，在本申请中实施例中，第一阀体构件102和第二阀体构件104都是由通常的阀组装而成，从而确保大的Cv值。

在本申请的另一些实施例中，第一阀体构件102可构成三通阀。在本申请的另一些实施例中，第二阀体构件104可构成三通阀。在本申请的其他一些实施例中，第一阀体构件102和第二阀体构件104都可构成三通阀。通过使用多个单独的阀门来构成三通阀，相比于直接使用单个集合阀(例如三通阀)，本申请实施例提供的第一阀体构件102以及第二阀体构件104可实现大流量。此外，应当理解，虽然本申请附图1中示出了仅包括两个阀门(即：阀门108以及阀门110)的第一阀体构件102以及仅包括两个阀门(即：阀门112以及阀门114)的第二阀体构件104来分别构成三通阀，然而在本申请的其他实施例中还可以根据实际需要设置其他数量的阀门来构成其他类型的第一阀体构件102以及第二阀体构件104，在此不做具体限定。

阀门106设置于第三支路BC上。阀门106的输入端连接到阀门114的输出端；阀门106的输出端连接到阀门108的输出端以及第一输出端口C。通过设置阀门106，可解决由于从阀门114的输出端到第一输出端口C的管路过长而导致的阀门108的输出端内的气体流入到从阀门114的输出端到第一输出端口C的管路内而引起的死区的相关问题。通过设置阀门106，可有效防止气体流入从阀门114的输出端到第一输出端口C的管路内，并囤积于其中。在本申请的其他一些实施例中，也可以调整各个阀门以及管路的长度，从而减小从阀门114的输出端到第一输出端口C的管路的长度。因此，在本申请的其他一些实施例中，也可以不设置阀门106。

图2A-2B为本申请实施例提供的在两种不同工作模式下的阀体组件的示意图。当使用阀体组件100进行操作时，其可以工作在第一工作模式和第二工作模式这两种不同工作模式下，且第二工作模式紧接第一工作模式执行。

首先，持续从第一输入端口A通入原料并同时持续从第二输入端口B通入吹扫气体。在本申请一具体实施例中，原料包括前驱体。

如图2A所示，在第一工作模式中，阀门108以及阀门112打开；阀门106、阀门110以及阀门114关闭。在这种模式下，第二支路AD以及第三支路BC关闭。因此，来自第一输入端口A的原料可直接通向第一输出端口C，从而进入沉积腔室；而来自第二输入端口B的吹扫气体则直接通向第二输出端口D，从而排出阀体组件100之外。如图2B所示，在第二工作模式中，阀门108以及阀门112关闭；阀门106、阀门110以及阀门114打开。在这种模式下，第一支路AC以及第四支路BD关闭。因此，来自第一输入端口A的前驱体经由第二支路AD通向第二输出端口D，进而被排出阀体组件100之外；而来自第二输入端口B的吹扫气体则经由第三支路BC通向第一输出端口C，进而进入沉积腔室。

由于在整个工作过程中来自第一输入端口A的原料始终通向第一输入端口A且吹扫气体始终通向第二输入端口B，因此无论在第一工作模式中还是在第二工作模式中，始终有原料或吹扫气体经由第一输出端口C而供应到沉积腔室，这保证了沉积腔室内的气压稳定。

在本申请的一些其他实施例中，为了进一步保证沉积腔室内的气压稳定，第一输入端口A的输入流量可与第二输入端口B的气体输入流量相同。

图3为本申请实施例提供的一种气体控制组件的结构框图。如图3所示，气体控制组件200包括主体202、阀体组件204A、阀体组件204B、电磁阀单元206以及隔热构件208。

主体202包括加热构件210以及用于检测温度的构件212。在本申请的一个实施例中，加热构件210为加热棒。在本申请的另一个实施例中，用于检测温度的构件212为温度传感器。通过设置加热构件210和用于检测温度的构件212，其可用于提供温度梯度，以防止液态源、气态源或固态源(气体)在阀体组件204A或204B中的某一处聚集冷凝。

阀体组件204A和阀体组件204B分别设置于主体202的两侧。阀体组件204A和阀体组件204B的结构与图1所示的阀体组件100的结构相同，在此不再赘述。类似于图1所示的阀体组件100，阀体组件204A可具有用于接收前驱体的输入端口A1、用于接收吹扫气体的输入端口B1、连接到沉积腔室的输出端口C1以及经配置为排气端口的输出端口D1；且阀体组件204B可具有用于接收前驱体的输入端口A2、用于接收吹扫气体的输入端口B2、连接到沉积腔室的输出端口C2以及经配置为排气端口的输出端口D2。输入端口A1可与输入端口A2连接以一同接收前驱体，输入端口B1可与输入端口B2连接以一同接收吹扫气体，输出端口D1可与输出端口D2连接。阀体组件204A的输出端口C1可连接到沉积腔室，而阀体组件204B的输出端口C2可连接到不同的沉积腔室，如此可实现将气体控制组件200用于双腔体，从而提高了控制器件的集成度。此外，在本申请的其他一些实施例中，也可将阀体组件204A的输出端口C1和阀体组件204B的输出端口C2连接到同一个腔室，从而实现将气体控制组件200用于单腔体。另外，应当理解，虽然附图3示出了具有两个阀体组件204A和204B的气体控制组件200，但是在本申请的其他一些实施例中，也可仅在主体202上设置一个阀体组件204A或204B，从而实现将气体控制组件200用于单腔体。

电磁阀单元206设置于主体202上并连接到阀体组件204A和204B。具体而言，电磁阀单元206可连接到阀体组件204A和204B中的各个阀门以控制这些阀门的打开或者关闭。本申请实施例通过将电磁阀单元206挨近阀体组件204A和/或阀体组件204B后安装，可提高阀体组件204A和/或阀体组件204B中的各个阀门的应答性并缩短了电磁阀单元206与阀体组件204A和/或阀体组件204B之间的用于驱动阀体组件204A和/或阀体组件204B的空气配管(未示出)，从而也进一步保证了沉积腔室内的气压稳定。在本申请的一些实施例中，各个阀门的应答时间均为毫秒级。例如，在本申请一实施例中，各个阀门的控制开关的应答时间为5ms。

隔热构件208设置于电磁阀单元206和主体202之间，以将电磁阀单元206与阀体组件204A和204B和主体202进行热隔离。在本申请的一个实施例中，隔热构件208为隔热板。

图4为本申请实施例提供的一种原子层沉积设备的结构示意图。如图4所示，原子层沉积设备300包括沉积腔室302、以阀体组件304体现的气体控制组件200、气体供应组件306以及喷淋构件308。

沉积腔室302用于容纳待沉积的半导体晶片(未示出)。

在图4中，为了便于说明，气体控制组件以阀体组件304的形式示出。阀体组件304具有与图1、图2A-2B或图3所示的阀体组件相同的结构。阀体组件304经由第一输出端口C将第一源供应到沉积腔室302。在本申请的一些实施例中，第一源可包括前驱体或吹扫气体。

第二源控制组件306经由管路310连接到沉积腔室302，以将第二源供应到沉积腔室302。在本申请的一些实施例中，第二源包括工艺气体，例如氧气等。在本申请的其他一些实施例中，第二源也可为其他气体。虽然图4中并未具体示出第二源控制组件306的结构，然而应当理解，第二源控制组件306可为现有技术中的任何可供应气体的组件结构。此外，如图4所示，阀门312设置于第二源控制组件306通向管路310的通道上，其可对待进入沉积腔室302的第二源进行控制。在本申请的一些实施例中，在原子层沉积的过程中，阀门312常开，使得第二源常通到沉积腔室302中。在这种情况下，可通过对包含阀体组件304的气体控制组件进行时序控制，即可实现原子层沉积。

虽然图4示出了常通的第二源控制组件306，然而在本申请的其他一些实施例中，也可以使用与根据本申请实施例所述的气体控制组件200的结构相同的另一个气体控制组件(未示出)来替代第二源控制组件306。在这种情况下，原子层沉积设备300可同时包括两个气体控制组件，来分别向沉积腔室302供应第一源以及第二源。通过对这两个气体控制组件进行时序控制，同样可实现原子层沉积。

喷淋构件308设置于沉积腔室302和阀体组件304之间。喷淋构件308可用于接收来自管路310的第一源以及第二源，并将其输送到沉积腔室302中。

如图4所示，原子层沉积设备300还包括抽气管路314、阀门316以及自动气压控制组件318。抽气管路314的一端连接到沉积腔室302，另一端连接到抽气组件(未示出)以将沉积腔室302抽真空。阀门316用于控制抽气管路314的通断。在本申请的一个实施例中，阀门316为截止阀。自动气压控制组件318设置于抽气管路314上以调节沉积腔室302内的压力。自动气压控制组件318可将沉积腔室302内的气压控制在所要的压力下。因而，通过设置自动气压控制组件318，可进一步保证沉积腔室302内的气压稳定。在图4中，自动气压控制组件318体现为可调节阀门。然而，在本申请的其他一些实施例中，自动气压控制组件318也可为其他可对沉积腔室302内的气压进行控制的组件。

在本申请的一些实施例中，原子层沉积设备300还包括等离子体发生装置(未示出)，其可用于将第二源激发为等离子体。

如图4所示，原子层沉积设备300还可包括阀门320。阀门320的输入端E接收吹扫气体，输出端连接到沉积腔室302。阀门320可对沉积腔室302与喷淋构件308之间的夹缝进行吹扫，以防止第一源和/或第二源堆积在该夹缝中，从而可去除沉积腔室302中的死区。

当使用本申请实施例提供的原子层沉积设备300进行原子层沉积的过程中，来自第二源控制组件306的第二源始终经由管路310被供应到沉积腔室302中，前驱体始终被通向阀体组件304的第一输入端口A且吹扫气体始终被通向阀体组件304的第二输入端口B。首先，在第一工作模式中，阀体组件304经控制以将来自第一输入端口A的前驱体经由第一输出端口C供应到沉积腔室302中，从而在沉积腔室302内的半导体晶片上形成单层；此时，来自第二输入端口B的吹扫气体经由第二输出端口D直接排出到外部；接着，在紧接第一工作模式的第二工作模式中，阀体组件304经控制以将来自第二输入端口B的吹扫气体经由第一输出端口C供应到沉积腔室302中，从而去除没有形成单层的前驱体；此时，来自第一输入端口A的前驱体经由第二输出端口D排出到外部；随后，保持向沉积腔室302的上述吹扫气体的供应，将沉积腔室302中的第二源经由等离子体发生装置激发为等离子体，以使其与半导体晶片上的单层反应，从而形成化合物单层；最后，关闭等离子体发生装置，使用第二源和吹扫气体对沉积腔室302进行清扫。如此，实现了薄膜沉积生长的单次循环。可执行多次上述循环，以在半导体晶片上生长出想要厚度的薄膜。在本申请的一些实施例中，上述方法还包括调节所述沉积腔室内的压力以及将所述沉积腔室抽真空。

本申请实施例通过将阀体组件中的阀门挨近后安装，解决了阀体组件中的死区的问题；以及通过电磁阀单元的使用，缩短了驱动用的空气配管的长度，也确保了阀体组件中的各个阀门的良好应答性，也进一步实现了阀体组件中各个阀门的高速切换。因此，相比于现有技术，本申请实施例提供的原子层沉积设备以及方法，其通过对沉积设备的结构进行改进，不仅解决了沉积腔室内的气压波动过大且不稳定的问题，还同时提供了一种集成度高的原子层沉积设备。

需要说明的是，在本说明书通篇中对“本申请一实施例”或类似术语的参考意指连同其它实施例一起描述的特定特征、结构或特性包含于至少一个实施例中且可未必呈现在所有实施例中。因此，短语“本申请一实施例”或类似术语在本说明书通篇中的各处的相应出现未必指同一实施例。此外，可以任何适合方式来组合任何特定实施例的所述特定特征、结构或特性与一或多个其它实施例。

本发明的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为本专利申请权利要求书所涵盖。

Claims (45)

1.一种阀体组件，其具有第一输入端口、第二输入端口、第一输出端口以及第二输出端口，其中所述阀体组件包括：

第一管路，其从所述第一输入端口分别通向所述第一输出端口和所述第二输出端口；

第二管路，其从所述第二输入端口分别通向所述第一输出端口和所述第二输出端口；

第一阀体构件，其设置于所述第一管路上；以及

第二阀体构件，其设置于所述第二管路上。

2.根据权利要求1所述的阀体组件，其中：

所述第一管路包括从所述第一输入端口通向所述第一输出端口的第一支路以及从所述第一输入端口通向所述第二输出端口的第二支路；且

所述第二管路包括从所述第二输入端口通向所述第一输出端口的第三支路以及从所述第二输入端口通向所述第二输出端口的第四支路。

3.根据权利要求2所述的阀体组件，其中所述第二支路跨接在所述第三支路上。

4.根据权利要求3所述的阀体组件，其中所述第一阀体构件和所述第二阀体构件都不属于集合阀。

5.根据权利要求4所述的阀体组件，其中：

所述第一阀体构件包括设置于所述第一支路上的第一阀门以及设置于所述第二支路上的第二阀门；以及

所述第二阀体构件包括设置于所述第三支路上的第三阀门以及设置于所述第四支路上的第四阀门。

6.根据权利要求5所述的阀体组件，其中所述第一阀门、所述第二阀门、所述第三阀门以及所述第四阀门经配置以挨近后安装，以去除所述阀体组件中的死区。

7.根据权利要求5所述的阀体组件，其中：

所述第一阀门的输入端与所述第二阀门的输入端共同连接到所述第一输入端口；且

所述第三阀门的输入端与所述第四阀门的输入端共同连接到所述第二输入端口。

8.根据权利要求7所述的阀体组件，其进一步包括第五阀门，其设置于所述第三支路上且具有：

输入端，其连接到所述第四阀门的输出端；以及

输出端，其连接到所述第一阀门的输出端。

9.根据权利要求5所述的阀体组件，其中所述第一阀体构件以及所述第二阀体构件中的至少一者构成三通阀。

10.根据权利要求1所述的阀体组件，其中所述第一输入端口用于接收前驱体、所述第二输入端口用于接收吹扫气体、所述第一输出端口连接到沉积腔室、且所述第二输出端口经配置为排气端口。

11.一种用于操作根据权利要求8所述阀体组件的方法，其包括：

持续从所述第一输入端口通入原料并同时持续从所述第二输入端口通入吹扫气体；以及

控制所述阀体组件使其在第一工作模式以及紧接所述第一工作模式的第二工作模式中操作；

其中：在所述第一工作模式中，控制所述第一阀体构件和所述第二阀体构件使得所述第一输出端口与所述第一输入端口连通以接收所述原料；且在所述第二工作模式中，控制所述第一阀体构件和所述第二阀体构件使得所述第一输出端口与所述第二输入端口连通以接收所述吹扫气体。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

在所述第一工作模式中，控制所述第一阀体构件和所述第二阀体构件使得所述第二输出端口与所述第二输入端口连通以接收所述吹扫气体；以及

在所述第二工作模式中，控制所述第一阀体构件和所述第二阀体构件使得所述第二输出端口与所述第一输入端口连通以接收所述原料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

在所述第一工作模式中，所述第一阀门和所述第三阀门打开，且所述第二阀门、所述第四阀门以及所述第五阀门关闭；且

在所述第二工作模式中，所述第一阀门和所述第三阀门关闭，且所述第二阀门、所述第四阀门以及所述第五阀门打开。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一输入端口的输入流量与所述第二输入端口的输入流量相同。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述原料包括前驱体。

16.一种气体控制组件，其包括：

主体；以及

第一阀体组件，其设置于所述主体的一侧，且具有第一输入端口、第二输入端口、第一输出端口以及第二输出端口，其中所述第一阀体组件包括：

第一管路，其从所述第一输入端口分别通向所述第一输出端口和所述第二输出端口；

第二管路，其从所述第二输入端口分别通向所述第一输出端口和所述第二输出端口；

第一阀体构件，其设置于所述第一管路上；以及

第二阀体构件，其设置于所述第二管路上。

17.根据权利要求16所述的气体控制组件，其中：

所述第一管路包括从所述第一输入端口通向所述第一输出端口的第一支路以及从所述第一输入端口通向所述第二输出端口的第二支路；且

所述第二管路包括从所述第二输入端口通向所述第一输出端口的第三支路以及从所述第二输入端口通向所述第二输出端口的第四支路。

18.根据权利要求17所述的气体控制组件，其中所述第二支路跨接在所述第三支路上。

19.根据权利要求18所述的气体控制组件，其中：

所述第一阀体构件包括设置于所述第一支路上的第一阀门以及设置于所述第二支路上的第二阀门；以及

所述第二阀体构件包括设置于所述第三支路上的第三阀门以及设置于所述第四支路上的第四阀门。

20.根据权利要求19所述的气体控制组件，其中：

所述第一阀门的输入端与所述第二阀门的输入端共同连接到所述第一输入端口；且

所述第三阀门的输入端与所述第四阀门的输入端共同连接到所述第二输入端口。

21.根据权利要求20所述的气体控制组件，所述第一阀体组件进一步包括第五阀门，其设置于所述第三支路上且具有：

输入端，其连接到所述第四阀门的输出端；以及

输出端，其连接到所述第一阀门的输出端。

22.根据权利要求16或19所述的气体控制组件，其中所述第一阀体构件以及所述第二阀体构件中的至少一者构成三通阀。

23.根据权利要求16所述的气体控制组件，其进一步包括电磁阀单元，其设置于所述主体上并连接到所述第一阀体组件。

24.根据权利要求23所述的气体控制组件，其中所述电磁阀单元经配置以挨近所述第一阀体组件以提高所述第一阀体组件的应答性并缩短用于驱动所述第一阀体组件的空气配管。

25.根据权利要求23所述的气体控制组件，其中所述主体具有加热构件。

26.根据权利要求25所述的气体控制组件，其进一步包括隔热构件，其设置于所述电磁阀单元和所述主体之间，以将所述电磁阀单元与所述第一阀体组件和所述主体进行热隔离。

27.根据权利要求25所述的气体控制组件，其中所述主体进一步具有用于检测温度的构件。

28.根据权利要求16所述的气体控制组件，其中所述第一输入端口用于接收前驱体、所述第二输入端口用于接收吹扫气体、所述第一输出端口连接到沉积腔室、且所述第二输出端口经配置为排气端口。

29.根据权利要求16所述的气体控制组件，其进一步包括第二阀体组件，其具有与所述第一阀体组件相同的结构且设置于与所述主体的所述一侧相对的另一侧且包括：

连接到所述第一输入端口的第三输入端口；

连接到所述第二输入端口的第四输入端口；

连接到第二沉积腔室的第三输出端口；以及

连接到所述第二输出端口的第四输出端口。

30.一种原子层沉积设备，其包括：

沉积腔室，其经配置以容纳待沉积的半导体晶片；

根据权利要求16-29中任一项所述的气体控制组件，其经由所述第一输出端口将第一源供应到所述沉积腔室；以及

第二源控制组件，其连接到所述沉积腔室以将第二源供应到所述沉积腔室。

31.根据权利要求30所述的原子层沉积设备，其中所述第二源控制组件经配置以将所述第二源常通到所述沉积腔室中。

32.根据权利要求30所述的原子层沉积设备，其中所述第二源控制组件具有与根据权利要求16-29中任一项所述的气体控制组件相同的结构。

33.根据权利要求30所述的原子层沉积设备，其进一步包括喷淋构件，其设置于所述沉积腔室和所述气体控制组件之间。

34.根据权利要求30所述的原子层沉积设备，其进一步包括抽气管路，其连接到所述沉积腔室。

35.根据权利要求34所述的原子层沉积设备，其进一步包括抽气组件，其连接到所述抽气管路以将所述沉积腔室抽真空。

36.根据权利要求34所述的原子层沉积设备，其进一步包括自动气压控制组件，其设置于所述抽气管路上以调节所述沉积腔室内的压力。

37.根据权利要求30所述的原子层沉积设备，其进一步包括等离子体发生装置，其经配置以将所述第二源激发为等离子体。

38.一种原子层沉积方法，其使用根据权利要求30至37中任一项所述的原子层沉积设备进行原子层沉积，所述方法包括：

控制所述气体控制组件以经由所述第一输出端口将所述第一源供应到所述沉积腔室；以及

控制所述第二源控制组件以将所述第二源供应到所述沉积腔室。

39.根据权利要求38所述的原子层沉积方法，其中所述第一源包括前驱体和吹扫气体，且所述方法进一步包括：

将所述前驱体供应到所述沉积腔室以在所述半导体晶片上形成单层；以及

将所述吹扫气体供应到所述沉积腔室，并继续保持所述吹扫气体的供应。

40.根据权利要求39所述的原子层沉积方法，其进一步包括：

使所述沉积腔室中的所述第二源与所述半导体晶片上的所述单层反应，从而形成化合物单层。

41.根据权利要求40所述的原子层沉积方法，其中所述第二源由所述第二源控制组件常通到所述沉积腔室中。

42.根据权利要求40所述的原子层沉积方法，其中所述第二源控制组件具有与根据权利要求16-29中任一项所述的气体控制组件相同的结构。

43.根据权利要求38所述的原子层沉积方法，其进一步包括：将所述第二源激发为等离子体。

44.根据权利要求38所述的原子层沉积方法，其进一步包括：调节所述沉积腔室内的压力。

45.根据权利要求38所述的原子层沉积方法，其进一步包括：将所述沉积腔室抽真空。

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