TWI232543B - Method of forming contact holes and electronic device formed thereby - Google Patents

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1232543 射光罩材料。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之形成接觸孔之方法，其 中熟化步驟具有熱處理步驟，在紫外線照射後，加熱光罩 · 材料到預定溫度以上。 . 1 1 ·如申請專利範圍第6項之形成接觸孔之方法，其 中光罩材料經過疏水處理。 12·如申請專利範圍第2項之形成接觸孔之方法，其 中 · 光罩材料包括無機材料， 膜形成步驟在整個基底表面上形成無機材料而形成光 罩材料膜， 布線步驟定出包括無機材料的光罩材料膜。 1 3 ·如申請專利範圍第2項之形成接觸孔之方法，其 中 光罩材料包括無機材料， Μ开彡成步驟涉及在基底上沉積或濺射光罩材料而形成 · 無機光罩材料膜， 布線步驟涉及光蝕刻光罩材料膜。 1 4 ·如申請專利範圍第1至丨3項中任一項之形成接 觸孔之方法，其中 · @ ®形成步驟具有在基底上塗布液體絕緣材料的絕 ’ _材料· Μ布步騾和固化已塗布之液體絕緣材料的絕緣材料 固化步驟。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之形成接觸孔之方法， -3- 1232543 其中 絕緣材料固化步驟涉及加熱液體絕緣材料*。 16. 如申請專利範圍第1項之形成接觸孔之方法，其 中絕緣膜含有第一和第二絕緣膜，該方法包括： 第一光罩材料形成步騾，在第一導電區上的接觸孔形 成區上提供第一光罩材料； 第一絕緣膜形成步驟，在第一光罩材料除外的整個基 底表面上形成第一絕緣膜； 第一光罩材料除去步驟，除去第一光罩材料，在第一 絕緣膜形成第一通孔； 第一光罩材料形成步驟，在形成於第一絕緣膜的第一 通孔上提供第二光罩材料； 第一絕緣膜形成步驟，在第二光罩材料除外的第一絕 緣膜整個表面上形成第二絕緣膜； 第一光罩材料除去步驟，除去第二光罩材料，在第二 絕緣膜形成與第一通孔同軸的第二通孔。 17, 如申δ靑專利範圍第1項之形成接觸孔之方法，其 中絕緣膜形成多層，該方法包括： 第一光罩材料形成步驟，在第一導電區上的接觸孔形 成區提供第一光罩材料； 弟一絕緣膜形成步驟，在第一光罩材料除外的整個基 底表面上形成第一絕緣膜； 弟一光罩材料形成步驟，在第一光罩材料上提供第二 光罩材料； 1232543 弟一*絕緣膜形成步驟’在弟一先罩材料除外的第一絕 緣膜整個表面上形成第二絕緣膜； 光罩材料除去步驟，除去第一光罩材料和第二光罩材 料’在第一絕緣膜和第二絕緣膜形成通孔。 18· —種薄膜半導體裝置的製造方法，在基底上形成 薄膜半導體裝置，包括下列步驟： 在該基底上形成含有源極和汲極區的半導體膜； 在該源極和該汲極區上的接觸插塞形成區上提供第一· 光罩材料； 在該接觸插塞形成區除外的該半導體膜上塗布液體材 料，形成閘極絕緣膜； 除去該第一'光罩材料； 提供包含開口的第二光罩材料，該開口在閘電極形成 區的該閘極絕緣膜上； 將該液體材料塗在已打開的該閘電極形成區而形成閘 電極； Φ 除去該第二光罩材料； 在該源極和該汲極區的接觸插塞形成區上及閘電極的 接觸插塞形成區提供第三光罩材料； 在該接觸插塞形成區除外的該閘電極和該閘極絕緣膜· 塗布液體材料而形成中間層絕緣膜； 除去該第三光罩材料； 在除去該第三光罩材料後，將液體材料塗在該接觸插 塞形成區而形成接觸插塞。 -5- 1232543 19.如申請專利範圍第18項之薄膜半導體裝置的製 造方法，另包括下列步驟： 在中間層絕緣膜和接觸插塞上提供第四光罩材料，其 中電極形成區打開； 將液體材料塗在已打開的電極形成區而形成電極。 20· —種薄膜半導體裝置的製造方法，在基底上形成 薄膜半導體裝置，包括下列步驟： 在該基底上形成含有源極和汲極區的半導體膜； 鲁 在該源極和該汲極區上的接觸插塞形成區上提供第一 光罩材料； 在該接觸插塞形成區除外的該半導體膜上塗布液體材 料而形成閘極絕緣膜； 除去該第一光罩材料； 提供包含開口的第二光罩材料，該開口在閘電極形成 區的該閘極絕緣膜上； 將液體材料塗在已打開的該閘電極形成區而形成閘電· 極； 除去該第二光罩材料； 在該源極和該汲極區的接觸插塞形成區上及閘電極的 接觸插塞形成區上提供第三光罩材料； · 在該接觸插塞形成區除外的該閘電極和該閘極絕緣膜 · 塗布液體材料而形成中間層絕緣膜； 除去該第三光罩材料； 在除去該弟二光罩材料後，在該中間層絕緣膜上提供 -6 - 1232543 第四光罩材料，其中電極形成區打開； 將液體材料塗在該接觸插塞形成區和已打開的電極形 成區而形成接觸插塞。 21· —種薄膜半導體裝置的製造方法，在基底上形成 薄膜半導體裝置，包括下列步驟： 在該基底上形成含有源極和汲極區的半導體膜； 在該源極和該汲極區上的接觸插塞形成區上提供第一 光罩材料； φ 將液體材料塗在該接觸插塞形成區除外的該半導體膜 而形成閘極絕緣膜； 提供包含開口的第二光罩材料，該開口在閘電極形成 區的該閘極絕緣膜上； 將液體材料塗在已打開的該閘電極形成區而形成閘電 極， 除去該第二光罩材料； 在該第一光罩材料上和閘電極的接觸插塞形成區提供 Φ 第三光罩材料； 將液體材料塗在該接觸插塞形成區除外的該閘電極和 該閘極絕緣膜而形成中間層絕緣膜； 除去該第一光罩材料和該第三光罩材料； 在除去該第一光罩材料和該第三光罩材料後，將液體 材料塗在該接觸插塞形成區而形成接觸插塞。 2 2 ·如申δΡ3專利範圍第2 i項之薄膜半導體裝置的製 造方法，另包括下列步驟： -7- 1232543 在中間層絕緣膜和接觸插塞上提供第四光罩材料，其 中電極形成區打開； 將液體材料塗在已打開的電極形成區而形成電極。 23. 一種薄膜半導體裝置的製造方法，在基底上形成 薄膜半導體裝置，包括下列步驟： 在該基底上形成含有源極和汲極區的半導體膜； 在該源極和該汲極區上的接觸插塞形成區上提供第一 光罩材料； 在該接觸插塞形成區除外的該半導體膜上塗布液體材 料而形成閘極絕緣膜； 提供包含開口的第二光罩材料，該開口在閘電極形成 區的該閘極絕緣膜上； 將液體材料塗在已打開的該閘電極形成區而形成閘電 極； 除去該第二光罩材料； 在該第一光罩材料和閘電極的接觸插塞形成區上提供 第三光罩材料； 在該接觸插塞形成區除外的該閘電極和該閘極絕緣膜 塗布液體材料而形成中間層絕緣膜； 除去該第一光罩材料和該第三光罩材料； 在除去該第一光罩材料和該第三光罩材料後，在該中 間層絕緣膜和該接觸插塞上提供第四光罩材料，其中電極 形成區打開； 將液體材料塗在該接觸插塞形成區和已打開的該電極 1232543 形成區而形成接觸插塞。 24. 一種電子裝置的製造方法，使用如申請專利範圍 第1至1 7項中任一項之形成接觸孔之方法，包括下列步 驟： 將導電材料塡入形成的接觸孔； 在充塡的導電材料上形成預定圖型的接線。 25. 一種電子裝置的製造方法，使用如申請專利範圍 第1至1 7項中任一項之形成接觸孔之方法，包括下列步 驟：在絕緣層和接觸孔上形成預定圖型的接線，同時將導 電材料塡入形成的接觸孔。 2 6· —種具有接觸孔的電子裝置，接觸孔使用如申請 專利範圍第1至1 7項中任一項之形成接觸孔之方法所形 成。 27· ~種具有薄膜半導體裝置的電子裝置，薄膜半導 體裝置使用如申請專利範圍第1 8至2 3項中任一項之薄膜 半導體裝置的製造方法所形成。
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