JPH08124840A - 液状樹脂の成膜方法 - Google Patents
液状樹脂の成膜方法Info
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- JPH08124840A JPH08124840A JP27982894A JP27982894A JPH08124840A JP H08124840 A JPH08124840 A JP H08124840A JP 27982894 A JP27982894 A JP 27982894A JP 27982894 A JP27982894 A JP 27982894A JP H08124840 A JPH08124840 A JP H08124840A
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- resin
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子製造工程におけるウエハ・プロセス
などの成膜プロセスにおいて、エッチングを用いること
なく、また感光基導入というマスプロ的な改造を行うこ
となしに、液状樹脂を用いて基板上に直接樹脂膜パター
ンを形成することのできる液状樹脂の成膜方法を提供す
る。 【構成】液状樹脂をマイクロ・カプセル化して、液状樹
脂のマイクロ・カプセルを生成し、基板面において、液
状樹脂による樹脂膜を形成したい領域を親水性面とする
とともに、液状樹脂による樹脂膜を形成したくない領域
を疎水性面とし、親水性面と疎水性面とに領域分割され
た基板面上に、液状樹脂のマイクロ・カプセルを被覆し
て、液状樹脂のマイクロ・カプセルを基板面上の親水性
面に選択的に付着させ、親水性面に液状樹脂のマイクロ
・カプセルを付着させた基板を熱処理し、液状樹脂のマ
イクロ・カプセルをリフローして樹脂膜として形成す
る。
などの成膜プロセスにおいて、エッチングを用いること
なく、また感光基導入というマスプロ的な改造を行うこ
となしに、液状樹脂を用いて基板上に直接樹脂膜パター
ンを形成することのできる液状樹脂の成膜方法を提供す
る。 【構成】液状樹脂をマイクロ・カプセル化して、液状樹
脂のマイクロ・カプセルを生成し、基板面において、液
状樹脂による樹脂膜を形成したい領域を親水性面とする
とともに、液状樹脂による樹脂膜を形成したくない領域
を疎水性面とし、親水性面と疎水性面とに領域分割され
た基板面上に、液状樹脂のマイクロ・カプセルを被覆し
て、液状樹脂のマイクロ・カプセルを基板面上の親水性
面に選択的に付着させ、親水性面に液状樹脂のマイクロ
・カプセルを付着させた基板を熱処理し、液状樹脂のマ
イクロ・カプセルをリフローして樹脂膜として形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液状樹脂の成膜方法に
関し、さらに詳細には、半導体素子製造工程における成
膜プロセスなどにおいて、液状樹脂を用いてウエハ上に
樹脂膜パターンを形成する際に用いて好適な液状樹脂の
成膜方法に関する。
関し、さらに詳細には、半導体素子製造工程における成
膜プロセスなどにおいて、液状樹脂を用いてウエハ上に
樹脂膜パターンを形成する際に用いて好適な液状樹脂の
成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子製造工程におけるウエ
ハ・プロセスなどにおいて、液状樹脂を用いてウエハ上
に樹脂膜パターンを形成する際には、ウエハ上に液状樹
脂を均一に塗布して樹脂膜を形成した後に、エッチング
によりパターン形成を行っていた。
ハ・プロセスなどにおいて、液状樹脂を用いてウエハ上
に樹脂膜パターンを形成する際には、ウエハ上に液状樹
脂を均一に塗布して樹脂膜を形成した後に、エッチング
によりパターン形成を行っていた。
【０００３】ところで、上記したエッチングとしては、
従来より湿式の化学的エッチングとドライ式のアッシン
グによるエッチングとが知られている。
従来より湿式の化学的エッチングとドライ式のアッシン
グによるエッチングとが知られている。
【０００４】図６（ａ）乃至図６（ｅ）は、従来のエッ
チングによる樹脂膜パターンの形成方法を示すものであ
り、まず基板１００上に（図６（ａ））、液状樹脂を用
いてスピンコートにより、基板１００の表面全面にわた
って均一な膜厚の樹脂膜１０２を形成する（図６
（ｂ））。次に、所望の樹脂膜パターンを形成するため
に、樹脂膜１０２上にエッチング・マスク用のフォト・
レジスト１０４を形成する（図６（ｃ））。こうして形
成されたフォト・レジスト１０４をマスクにして、上記
した湿式またはドライ式のエッチングを行って、フォト
・レジスト１０４によってマスクされていない樹脂膜１
０２を除去し、パターン形成を行う（図６（ｄ））。そ
して、最後にフォト・レジスト１０４を除去し、樹脂膜
１０２による樹脂膜パターンが基板１００上に形成され
ることになる（図６（ｅ））。
チングによる樹脂膜パターンの形成方法を示すものであ
り、まず基板１００上に（図６（ａ））、液状樹脂を用
いてスピンコートにより、基板１００の表面全面にわた
って均一な膜厚の樹脂膜１０２を形成する（図６
（ｂ））。次に、所望の樹脂膜パターンを形成するため
に、樹脂膜１０２上にエッチング・マスク用のフォト・
レジスト１０４を形成する（図６（ｃ））。こうして形
成されたフォト・レジスト１０４をマスクにして、上記
した湿式またはドライ式のエッチングを行って、フォト
・レジスト１０４によってマスクされていない樹脂膜１
０２を除去し、パターン形成を行う（図６（ｄ））。そ
して、最後にフォト・レジスト１０４を除去し、樹脂膜
１０２による樹脂膜パターンが基板１００上に形成され
ることになる（図６（ｅ））。
【０００５】また、ポリイミドのような一部に大量に用
いられるものにおいては、感光基を導入して、フォト・
レジストと同様な工程でパターン形成することができる
が、それ以外の樹脂では無理である。
いられるものにおいては、感光基を導入して、フォト・
レジストと同様な工程でパターン形成することができる
が、それ以外の樹脂では無理である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たエッチングの中の湿式のエッチングにおいては、エキ
ポシなどのように選択的なエッチング剤の無いもの、ポ
リイミドのようにエッチング剤が毒性であるものなどに
関して、それ専用のプロセスを組まなくてはならないた
め、半導体素子製造工程におけるウエハ・プロセスへの
導入が難しいという問題点があった。
たエッチングの中の湿式のエッチングにおいては、エキ
ポシなどのように選択的なエッチング剤の無いもの、ポ
リイミドのようにエッチング剤が毒性であるものなどに
関して、それ専用のプロセスを組まなくてはならないた
め、半導体素子製造工程におけるウエハ・プロセスへの
導入が難しいという問題点があった。
【０００７】一方、ドライ式のエッチングにおいては、
エッチング・マスクと樹脂膜とのエッチング選択比が取
りにくいため、高度な精度を要求される半導体素子製造
工程におけるウエハ・プロセスへの導入が難しいという
問題点があった。
エッチング・マスクと樹脂膜とのエッチング選択比が取
りにくいため、高度な精度を要求される半導体素子製造
工程におけるウエハ・プロセスへの導入が難しいという
問題点があった。
【０００８】また、ポリイミドのような一部に大量に用
いられるものにおいては、感光基を導入して、フォトレ
ジストと同様な工程でパターン形成することができる
が、そのためには半導体素子製造工程などの製造プロセ
スをマスプロ的に改造しなければならないので、半導体
素子製造工程におけるウエハ・プロセスへの導入が難し
いという問題点があった。
いられるものにおいては、感光基を導入して、フォトレ
ジストと同様な工程でパターン形成することができる
が、そのためには半導体素子製造工程などの製造プロセ
スをマスプロ的に改造しなければならないので、半導体
素子製造工程におけるウエハ・プロセスへの導入が難し
いという問題点があった。
【０００９】本発明は、従来の技術の有するこのような
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、半導体素子製造工程におけるウエハ・プ
ロセスなどの成膜プロセスにおいて、エッチングを用い
ることなく、また感光基導入というマスプロ的な改造を
行うことなしに、液状樹脂を用いて基板上に直接樹脂膜
パターンを形成することのできる液状樹脂の成膜方法を
提供しようとするものである。
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、半導体素子製造工程におけるウエハ・プ
ロセスなどの成膜プロセスにおいて、エッチングを用い
ることなく、また感光基導入というマスプロ的な改造を
行うことなしに、液状樹脂を用いて基板上に直接樹脂膜
パターンを形成することのできる液状樹脂の成膜方法を
提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における液状樹脂の成膜方法は、液状樹脂を
マイクロ・カプセル化すると、マイクロ・カプセル表面
が親水性面となることに着目してなされたものである。
即ち、液状樹脂を基板に塗布する前にマイクロ・カプセ
ル化し、基板面上における疎水性と親水性との差を利用
し、樹脂膜パターンを形成するようにしたものである。
に、本発明における液状樹脂の成膜方法は、液状樹脂を
マイクロ・カプセル化すると、マイクロ・カプセル表面
が親水性面となることに着目してなされたものである。
即ち、液状樹脂を基板に塗布する前にマイクロ・カプセ
ル化し、基板面上における疎水性と親水性との差を利用
し、樹脂膜パターンを形成するようにしたものである。
【００１１】即ち、本発明による液状樹脂の成膜方法
は、液状樹脂をマイクロ・カプセル化して、液状樹脂の
マイクロ・カプセルを生成し、基板面において、上記液
状樹脂による樹脂膜を形成したい領域を親水性面とする
とともに、上記液状樹脂による樹脂膜を形成したくない
領域を疎水性面とし、上記親水性面と上記疎水性面とに
領域分割された上記基板面上に、上記液状樹脂のマイク
ロ・カプセルを被覆して、上記液状樹脂のマイクロ・カ
プセルを上記基板面上の上記親水性面に選択的に付着さ
せ、上記親水性面に上記液状樹脂のマイクロ・カプセル
を付着させた上記基板を熱処理し、上記液状樹脂のマイ
クロ・カプセルをリフローして樹脂膜として形成するよ
うにしたものである。
は、液状樹脂をマイクロ・カプセル化して、液状樹脂の
マイクロ・カプセルを生成し、基板面において、上記液
状樹脂による樹脂膜を形成したい領域を親水性面とする
とともに、上記液状樹脂による樹脂膜を形成したくない
領域を疎水性面とし、上記親水性面と上記疎水性面とに
領域分割された上記基板面上に、上記液状樹脂のマイク
ロ・カプセルを被覆して、上記液状樹脂のマイクロ・カ
プセルを上記基板面上の上記親水性面に選択的に付着さ
せ、上記親水性面に上記液状樹脂のマイクロ・カプセル
を付着させた上記基板を熱処理し、上記液状樹脂のマイ
クロ・カプセルをリフローして樹脂膜として形成するよ
うにしたものである。
【００１２】
【作用】液状樹脂をマイクロ・カプセル化すると、マイ
クロ・カプセル表面が親水性面となる。従って、基板表
面を親水性面と疎水性面とに領域分割しておくと、基板
表面の親水性面にのみに液状樹脂のマイクロ・カプセル
が付着するので、これをリフローすることにより基板上
に樹脂膜を形成することができる。
クロ・カプセル表面が親水性面となる。従って、基板表
面を親水性面と疎水性面とに領域分割しておくと、基板
表面の親水性面にのみに液状樹脂のマイクロ・カプセル
が付着するので、これをリフローすることにより基板上
に樹脂膜を形成することができる。
【００１３】従って、液状樹脂でマイクロ・カプセル化
することができるものであるならば、樹脂の種類に依存
することなく全て同一の工程で樹脂膜パターンを形成す
ることができるため、半導体素子製造工程におけるウエ
ハ・プロセスなどの成膜プロセスへの導入が容易であ
る。
することができるものであるならば、樹脂の種類に依存
することなく全て同一の工程で樹脂膜パターンを形成す
ることができるため、半導体素子製造工程におけるウエ
ハ・プロセスなどの成膜プロセスへの導入が容易であ
る。
【００１４】
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明による液状樹
脂の成膜方法の一実施例を詳細に説明するものとする。
脂の成膜方法の一実施例を詳細に説明するものとする。
【００１５】図１には、本発明の一実施例による液状樹
脂の成膜方法を用いた樹脂膜パターンの形成工程が示さ
れている。
脂の成膜方法を用いた樹脂膜パターンの形成工程が示さ
れている。
【００１６】容器１０に収容された液状樹脂１２は疎水
性であり（図１（ａ））、従来のようにそのままの状態
でウエハに塗布しても、ウエハ面全体を覆うのみであ
る。
性であり（図１（ａ））、従来のようにそのままの状態
でウエハに塗布しても、ウエハ面全体を覆うのみであ
る。
【００１７】そこで、液状樹脂をマイクロ・カプセル化
して、マイクロ・カプセル化された液状樹脂１４を形成
すると（図１（ｂ））、マイクロ・カプセルの表面は親
水性面となる。なお、マイクロ・カプセルの大きさは、
マイクロ・カプセル化された液状樹脂１４を用いて形成
される樹脂膜パターンの要求精度に応じて、適宜設定し
てよいものであり、例えば、直径５μｍ程度とすればよ
い。
して、マイクロ・カプセル化された液状樹脂１４を形成
すると（図１（ｂ））、マイクロ・カプセルの表面は親
水性面となる。なお、マイクロ・カプセルの大きさは、
マイクロ・カプセル化された液状樹脂１４を用いて形成
される樹脂膜パターンの要求精度に応じて、適宜設定し
てよいものであり、例えば、直径５μｍ程度とすればよ
い。
【００１８】また、ウエハ１６の表面において、樹脂膜
パターンを形成したい部分を親水性面とし、樹脂膜パタ
ーンを形成したくない部分を疎水性面とするための処理
を行う。
パターンを形成したい部分を親水性面とし、樹脂膜パタ
ーンを形成したくない部分を疎水性面とするための処理
を行う。
【００１９】即ち、まず、ウエハ１６の表面にＳｉＯな
どの親水性薄膜１８を付け、親水性のマイクロ・カプセ
ル化された液状樹脂１４が付着しやすいようにする（図
１（ｃ））。
どの親水性薄膜１８を付け、親水性のマイクロ・カプセ
ル化された液状樹脂１４が付着しやすいようにする（図
１（ｃ））。
【００２０】次に、ウエハ１６の表面に形成された親水
性薄膜１８上のにおいて、樹脂膜パターンを形成したく
ない部分に、疎水性のポジ・レジスト２０をパターニン
グ形成する（図１（ｄ））。
性薄膜１８上のにおいて、樹脂膜パターンを形成したく
ない部分に、疎水性のポジ・レジスト２０をパターニン
グ形成する（図１（ｄ））。
【００２１】上記のようにして、ウエハ１６の表面に親
水性面（樹脂膜パターンを形成したい部分であり、親水
性薄膜１８が表面にさらされている部分である。）と疎
水性面（樹脂膜パターンを形成したくない部分であり、
疎水性のポジ・レジスト２０が表面にさらされている部
分である。）とをパターン化して形成した後に、ウエハ
１６の表面にマイクロ・カプセル化された液状樹脂１４
を含む溶液を塗布する。そうすると、上記したように、
マイクロ・カプセルの表面は親水性なので、マイクロ・
カプセル化された液状樹脂１４は、ウエハ１６の表面に
形成された親水性薄膜１８上に選択的に付着し、疎水性
のポジ・レジスト２０上にはほとんど付着しない（図１
（ｅ））。
水性面（樹脂膜パターンを形成したい部分であり、親水
性薄膜１８が表面にさらされている部分である。）と疎
水性面（樹脂膜パターンを形成したくない部分であり、
疎水性のポジ・レジスト２０が表面にさらされている部
分である。）とをパターン化して形成した後に、ウエハ
１６の表面にマイクロ・カプセル化された液状樹脂１４
を含む溶液を塗布する。そうすると、上記したように、
マイクロ・カプセルの表面は親水性なので、マイクロ・
カプセル化された液状樹脂１４は、ウエハ１６の表面に
形成された親水性薄膜１８上に選択的に付着し、疎水性
のポジ・レジスト２０上にはほとんど付着しない（図１
（ｅ））。
【００２２】それから、図１（ｅ）に示す状態のウエハ
１６を１００゜Ｃ〜１２０゜Ｃ程度の温度でベークし
て、ポジ・レジスト２０を除去すると、ウエハ１６の表
面に形成された親水性薄膜１８上に選択的に付着したマ
イクロ・カプセル化された液状樹脂１４以外のマイクロ
・カプセル化された液状樹脂１４は、ポジ・レジスト２
０とともに除去される（図１（ｆ））。
１６を１００゜Ｃ〜１２０゜Ｃ程度の温度でベークし
て、ポジ・レジスト２０を除去すると、ウエハ１６の表
面に形成された親水性薄膜１８上に選択的に付着したマ
イクロ・カプセル化された液状樹脂１４以外のマイクロ
・カプセル化された液状樹脂１４は、ポジ・レジスト２
０とともに除去される（図１（ｆ））。
【００２３】その後に、２５０゜Ｃ〜４００゜Ｃ程度の
温度で、樹脂に必要なキュアを行うと、マイクロ・カプ
セル化された液状樹脂１４は、一次的にリフローして樹
脂膜２２となり、最終的にはパターニングされた樹脂膜
２２を形成することができる（図１（ｇ））。
温度で、樹脂に必要なキュアを行うと、マイクロ・カプ
セル化された液状樹脂１４は、一次的にリフローして樹
脂膜２２となり、最終的にはパターニングされた樹脂膜
２２を形成することができる（図１（ｇ））。
【００２４】図２には、上記した工程により、ウエハ１
６上にポリイミドによる層間絶縁膜２４を形成した状態
を示しており、従来のエッチングを用いる方法や感光基
導入による方法によるのと同様なパターン形成を行うこ
とができる。なお、符号２６は、コプレナー配線であ
る。
６上にポリイミドによる層間絶縁膜２４を形成した状態
を示しており、従来のエッチングを用いる方法や感光基
導入による方法によるのと同様なパターン形成を行うこ
とができる。なお、符号２６は、コプレナー配線であ
る。
【００２５】図３には、上記した工程を用いて、チップ
２８上にエポキシによりバイア・ホール３０を含んだパ
ターン形成による樹脂膜３２を形成し、コプレナー配線
２６を形成した多層配線構造の例を示している。なお、
チップ２８は、誘電率などの選択により、別の樹脂でも
よい。
２８上にエポキシによりバイア・ホール３０を含んだパ
ターン形成による樹脂膜３２を形成し、コプレナー配線
２６を形成した多層配線構造の例を示している。なお、
チップ２８は、誘電率などの選択により、別の樹脂でも
よい。
【００２６】図４は、２液性の液状樹脂を用いた接着剤
層形成構造に関する例を示している。即ち、別々にマイ
クロ・カプセル化した主剤３４と硬化剤３６とを、マイ
クロ・カプセルが壊れないように混ぜ合わせ、マイクロ
・カプセル化された２液性の液状樹脂３８を形成する
（図４（ａ））。それから、上記した工程を用いて、チ
ップ２８上にパターニングされた２液性の液状樹脂より
なる樹脂膜４０を形成する。その後に、キャリア４２の
表面と２液性の液状樹脂よりなる樹脂膜４０とが接する
ようにして、チップ２８をキャリア４２に押し付けるこ
とにより、２液性の液状樹脂よりなる樹脂膜４０を構成
する主剤３４と硬化剤３６とが混合して接着される。
層形成構造に関する例を示している。即ち、別々にマイ
クロ・カプセル化した主剤３４と硬化剤３６とを、マイ
クロ・カプセルが壊れないように混ぜ合わせ、マイクロ
・カプセル化された２液性の液状樹脂３８を形成する
（図４（ａ））。それから、上記した工程を用いて、チ
ップ２８上にパターニングされた２液性の液状樹脂より
なる樹脂膜４０を形成する。その後に、キャリア４２の
表面と２液性の液状樹脂よりなる樹脂膜４０とが接する
ようにして、チップ２８をキャリア４２に押し付けるこ
とにより、２液性の液状樹脂よりなる樹脂膜４０を構成
する主剤３４と硬化剤３６とが混合して接着される。
【００２７】図５は、上記した工程を用いて、チップ２
８の裏面に発泡性樹脂をパターン形成し、それを発泡さ
せてチップ２８上に保護層４４を形成した例を示してい
る。このように、発泡樹脂を利用した保護層４４を形成
しておくと、実装時においてチップ２８の裏面の耐ハン
ドリング性を向上することができる。
８の裏面に発泡性樹脂をパターン形成し、それを発泡さ
せてチップ２８上に保護層４４を形成した例を示してい
る。このように、発泡樹脂を利用した保護層４４を形成
しておくと、実装時においてチップ２８の裏面の耐ハン
ドリング性を向上することができる。
【００２８】上記のように本発明による工程を用いるこ
とにより、マイクロ・カプセル化された液状樹脂のマイ
クロ・カプセルの直径程度まで成膜の精度を上げること
ができるので、液状樹脂による樹脂膜を微細なパターン
により形成することができるようになり、しかもマイク
ロ・カプセル化することのできる液状樹脂であるなら
ば、どのような種類の液状樹脂でも同一の工程でパター
ン形成することができるので、各種プロセスへの導入が
容易であり、しかもウエハやチップなどの基板上に種々
の誘電率の樹脂膜を形成したり、種々の接着剤層を形成
したり、種々の発泡性樹脂を形成したりすることができ
るので、新しい機能を基板表面に付加することができる
ようになる。
とにより、マイクロ・カプセル化された液状樹脂のマイ
クロ・カプセルの直径程度まで成膜の精度を上げること
ができるので、液状樹脂による樹脂膜を微細なパターン
により形成することができるようになり、しかもマイク
ロ・カプセル化することのできる液状樹脂であるなら
ば、どのような種類の液状樹脂でも同一の工程でパター
ン形成することができるので、各種プロセスへの導入が
容易であり、しかもウエハやチップなどの基板上に種々
の誘電率の樹脂膜を形成したり、種々の接着剤層を形成
したり、種々の発泡性樹脂を形成したりすることができ
るので、新しい機能を基板表面に付加することができる
ようになる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３０】液状樹脂をマイクロ・カプセル化して、液
状樹脂のマイクロ・カプセルを生成し、基板面におい
て、液状樹脂による樹脂膜を形成したい領域を親水性面
とするとともに、液状樹脂による樹脂膜を形成したくな
い領域を疎水性面とし、親水性面と疎水性面とに領域分
割された基板面上に、液状樹脂のマイクロ・カプセルを
被覆して、液状樹脂のマイクロ・カプセルを基板面上の
親水性面に選択的に付着させ、親水性面に液状樹脂のマ
イクロ・カプセルを付着させた基板を熱処理し、液状樹
脂のマイクロ・カプセルをリフローして樹脂膜として形
成するようにしたたものであり、液状樹脂をマイクロ・
カプセル化すると、マイクロ・カプセル表面が親水性面
となるので、基板表面を親水性面と疎水性面とに領域分
割しておくと、基板表面の親水性面にのみに液状樹脂の
マイクロ・カプセルが付着するので、これをリフローす
ることにより樹脂膜を形成することができる。
状樹脂のマイクロ・カプセルを生成し、基板面におい
て、液状樹脂による樹脂膜を形成したい領域を親水性面
とするとともに、液状樹脂による樹脂膜を形成したくな
い領域を疎水性面とし、親水性面と疎水性面とに領域分
割された基板面上に、液状樹脂のマイクロ・カプセルを
被覆して、液状樹脂のマイクロ・カプセルを基板面上の
親水性面に選択的に付着させ、親水性面に液状樹脂のマ
イクロ・カプセルを付着させた基板を熱処理し、液状樹
脂のマイクロ・カプセルをリフローして樹脂膜として形
成するようにしたたものであり、液状樹脂をマイクロ・
カプセル化すると、マイクロ・カプセル表面が親水性面
となるので、基板表面を親水性面と疎水性面とに領域分
割しておくと、基板表面の親水性面にのみに液状樹脂の
マイクロ・カプセルが付着するので、これをリフローす
ることにより樹脂膜を形成することができる。
【００３１】即ち、本発明によれば、半導体素子製造工
程におけるウエハ・プロセスなどの成膜プロセスにおい
て、エッチングを用いることなく、また感光基導入とい
うマスプロ的な改造を行うことなしに、液状樹脂を用い
て基板上に直接樹脂膜パターンを形成することのできる
ものであり、しかも、液状樹脂でマイクロ・カプセル化
することができるものであるならば、樹脂の種類に依存
することなく全て同一の工程で樹脂膜パターンを形成す
ることができるため、半導体素子製造工程におけるウエ
ハ・プロセスなどの成膜プロセスへの導入を容易に行う
ことができる。
程におけるウエハ・プロセスなどの成膜プロセスにおい
て、エッチングを用いることなく、また感光基導入とい
うマスプロ的な改造を行うことなしに、液状樹脂を用い
て基板上に直接樹脂膜パターンを形成することのできる
ものであり、しかも、液状樹脂でマイクロ・カプセル化
することができるものであるならば、樹脂の種類に依存
することなく全て同一の工程で樹脂膜パターンを形成す
ることができるため、半導体素子製造工程におけるウエ
ハ・プロセスなどの成膜プロセスへの導入を容易に行う
ことができる。
【図１】本発明の一実施例による液状樹脂の成膜方法を
用いた樹脂膜パターンの形成工程を示す説明図である。
用いた樹脂膜パターンの形成工程を示す説明図である。
【図２】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いてウエ
ハ上に層間絶縁膜を形成した状態を示す概略断面説明図
である。
ハ上に層間絶縁膜を形成した状態を示す概略断面説明図
である。
【図３】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いてチッ
プ上に多層配線構造を形成した状態を示す概略斜視図で
ある。
プ上に多層配線構造を形成した状態を示す概略斜視図で
ある。
【図４】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いて２液
性の液状樹脂を用いた接着剤層形成に関する説明図であ
り、（ａ）はマイクロ・カプセル化された２液性の液状
樹脂の製造方法を示す説明図であり、（ｂ）チップ上に
２液性の液状樹脂をパターン形成した状態を示す概略斜
視図であり、（ｃ）はキャリアにチップを接着した状態
を示す概略斜視図である。
性の液状樹脂を用いた接着剤層形成に関する説明図であ
り、（ａ）はマイクロ・カプセル化された２液性の液状
樹脂の製造方法を示す説明図であり、（ｂ）チップ上に
２液性の液状樹脂をパターン形成した状態を示す概略斜
視図であり、（ｃ）はキャリアにチップを接着した状態
を示す概略斜視図である。
【図５】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いてチッ
プの裏面に発泡性樹脂をパターン形成し、それを発泡さ
せてチップ上に保護層を形成した状態を示す概略斜視図
である。
プの裏面に発泡性樹脂をパターン形成し、それを発泡さ
せてチップ上に保護層を形成した状態を示す概略斜視図
である。
１０ 容器 １２ 液状樹脂 １４ マイクロ・カプセル化された液状樹脂 １６ ウエハ １８ 親水性薄膜 ２０ ポジ・レジスト ２２ 樹脂膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による液状樹脂の成膜方法を
用いた樹脂膜パターンの形成工程を示す説明図である。
用いた樹脂膜パターンの形成工程を示す説明図である。
【図２】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いてウエ
ハ上に層間絶縁膜を形成した状態を示す概略断面説明図
である。
ハ上に層間絶縁膜を形成した状態を示す概略断面説明図
である。
【図３】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いてチッ
プ上に多層配線構造を形成した状態を示す概略斜視図で
ある。
プ上に多層配線構造を形成した状態を示す概略斜視図で
ある。
【図４】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いて２液
性の液状樹脂を用いた接着剤層形成に関する説明図であ
り、（ａ）はマイクロ・カプセル化された２液性の液状
樹脂の製造方法を示す説明図であり、（ｂ）チップ上に
２液性の液状樹脂をパターン形成した状態を示す概略斜
視図であり、（ｃ）はキャリアにチップを接着した状態
を示す概略斜視図である。
性の液状樹脂を用いた接着剤層形成に関する説明図であ
り、（ａ）はマイクロ・カプセル化された２液性の液状
樹脂の製造方法を示す説明図であり、（ｂ）チップ上に
２液性の液状樹脂をパターン形成した状態を示す概略斜
視図であり、（ｃ）はキャリアにチップを接着した状態
を示す概略斜視図である。
【図５】本発明による液状樹脂の成膜方法を用いてチッ
プの裏面に発泡性樹脂をパターン形成し、それを発泡さ
せてチップ上に保護層を形成した状態を示す概略斜視図
である。
プの裏面に発泡性樹脂をパターン形成し、それを発泡さ
せてチップ上に保護層を形成した状態を示す概略斜視図
である。
【図６】従来のエッチングによる樹脂膜パターンの形成
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【符号の説明】 １０ 容器 １２ 液状樹脂 １４ マイクロ・カプセル化された液状樹脂 １６ ウエハ １８ 親水性薄膜 ２０ ポジ・レジスト ２２ 樹脂膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 21/768
Claims (5)
- 【請求項１】 液状樹脂をマイクロ・カプセル化して、
液状樹脂のマイクロ・カプセルを生成し、 基板面において、前記液状樹脂による樹脂膜を形成した
い領域を親水性面とするとともに、前記液状樹脂による
樹脂膜を形成したくない領域を疎水性面とし、 前記親水性面と前記疎水性面とに領域分割された前記基
板面上に、前記液状樹脂のマイクロ・カプセルを被覆し
て、前記液状樹脂のマイクロ・カプセルを前記基板面上
の前記親水性面に選択的に付着させ、 前記親水性面に前記液状樹脂のマイクロ・カプセルを付
着させた前記基板を熱処理し、前記液状樹脂のマイクロ
・カプセルをリフローして樹脂膜として形成することを
特徴とする液状樹脂の成膜方法。 - 【請求項２】 前記液状樹脂はポリイミドであり、前記
ポリイミドをマイクロ・カプセル化して、前記ポリイミ
ドのマイクロ・カプセルを生成し、前記基板上にポリイ
ミド膜を選択的に形成する請求項１記載の液状樹脂の成
膜方法。 - 【請求項３】 前記液状樹脂はエポキシであり、前記エ
ポキシをマイクロ・カプセル化して、前記エポキシのマ
イクロ・カプセルを生成し、前記基板上にエポキシ膜を
選択的に形成する請求項１記載の液状樹脂の成膜方法。 - 【請求項４】 前記液状樹脂は発泡性樹脂であり、前記
発泡性樹脂をマイクロ・カプセル化して、前記発泡性樹
脂のマイクロ・カプセルを生成し、前記基板上に発泡性
樹脂膜を選択的に形成する請求項１記載の液状樹脂の成
膜方法。 - 【請求項５】 前記液状樹脂は主剤と硬化剤とよりなる
２液性の液状樹脂であり、前記主剤と前記硬化剤とを別
々にマイクロ・カプセル化して、前記主剤のマイクロ・
カプセルと前記硬化剤のマイクロ・カプセルとを生成
し、前記基板面上に、前記主剤のマイクロ・カプセルと
前記硬化剤のマイクロ・カプセルとを混ぜ合わせたもの
を被覆して、前記基板上に２液性の液状樹脂よりなる樹
脂膜を選択的に形成する請求項１記載の液状樹脂の成膜
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27982894A JPH08124840A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 液状樹脂の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27982894A JPH08124840A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 液状樹脂の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124840A true JPH08124840A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17616492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27982894A Pending JPH08124840A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 液状樹脂の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124840A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382022B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2003-04-26 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 방법 |
| US7179733B2 (en) | 2003-03-17 | 2007-02-20 | Seiko Epson Corporation | Method of forming contact holes and electronic device formed thereby |
| JP2008117964A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | リフロー方法、パターン形成方法およびｔｆｔの製造方法 |
| KR101106003B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티층 제조방법 |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP27982894A patent/JPH08124840A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382022B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2003-04-26 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 방법 |
| US7179733B2 (en) | 2003-03-17 | 2007-02-20 | Seiko Epson Corporation | Method of forming contact holes and electronic device formed thereby |
| CN100380626C (zh) * | 2003-03-17 | 2008-04-09 | 精工爱普生株式会社 | 接触孔形成方法、薄膜半导体装置的制法、电子器件及其制法 |
| KR101106003B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티층 제조방법 |
| JP2008117964A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | リフロー方法、パターン形成方法およびｔｆｔの製造方法 |
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