TW550775B - Conductor-frame and casing for a radiation-emitting component, radiation-emitting component and its manufacturing method - Google Patents

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Georg Bogner
Herbert Brunner
Michael Hiegler
Gunter Waitl
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Description

550775 五、發明說明（1) 本發明涉及申請專利範圍第1項前言之導線架，第 1 4項前言之外罩，第23項前言之發出輻射之組件及第 3 3項前言之發出輻射之組件之製造方法。 發出輻射之半導體組件用之導線架由DE19636454 中已爲人所知。此處所述之半導體組件具有一種外罩 基體（其具有埋入於其中之導線架）以及發出輻射之半 導體本體（其安裝在導線架上）。導線架及外罩基體同 時作爲所產生之輻射用之反射器。 此外，導線架之由外罩基體所突出之部份區域構成外 部電性連接條且須形成外罩，使此組件適合用於表面安 裝。特別是在高功率之半導體組件中，爲了使所產生之 熱損耗可良好地排出，則反射器之一部份可由外罩基體 中伸出而成爲熱終端。 在光學功率較高以及功率損耗亦較大之組件中，需要 有一種更有效之排熱方式。 本發明之目的是在發出輻射之組件中使排熱效果改 良，特別是允許組件中可產生較高之光學功率。本發明 之另一目的是提供該組件之製造方法。 此目的藉由申請專利範圍第1項之導線架，第1 4項 之外罩，第2 3項之發出輻射之組件或第3 3項之方法來 達成。本發明有利之其它形式描述在申請專利範圍各 肘屬項中。 本發明之設計方式是：形成一發出輻射之組件（較佳 550775 五、發明說明（2) 是發光二極體）用之導線架，其包含至少一晶片安裝區， 至少一接線連接區及至少一外部電性連接條，其例如用 來使此組件之電性終端安裝在電路板上；設有一種承載 件，其具有接線連接區及電性連接條且此承載件中牢固 著一種與其餘之導線架相隔開而製成之熱終端件，其上 配置著晶片安裝區。在一種具有此種導線架之組件中 使操作中所產生之熱損耗主要經由熱終端件而排出。 熱終端件較佳是導電性地與承載件相連且同時用作此 晶片之電性終端。 與其餘之導線架相隔開而製成之熱終端件所具有之 優點是：就較大之熱損耗量之吸收及排除而言其最佳化 已較單件式之導線架改良很多。因此，在此種熱終端件 中厚度，導熱性，熱膨脹係數及熱終端面可被最佳化而 廣泛地與導線架上之其餘需求無關。在熱終端件中特 別是可有利地達成一種高的熱容量，使熱終端件形成一 種有效之散熱件。大的熱終端面使熱接面電阻變小，因 此使對環境之熱導及排熱都可獲改良。 在本發明之較佳形式中，承載件具有一種插入口，其 外形像夾子或小圏，其中牢固著熱終端件。熱終端件插 入導線架之插入口中且周邊是與導線架相連。 熱終端件因此可夾在承載件中及/或與其鉚接或壓 接。本發明中較佳是在熱終端件及承載件之間形成一 種壓接區，其特徵爲高的機械強度及良好之導電性。此 -4 - 550775 五、号务明說明（3) 種壓接區例如可以下述方式形成：承載件及熱終端件互 相定位，例如，藉由終端件插入該承載件之插入口中，然 後使熱終端件變形，使熱終端件在機械上固定地座落在 承載件中。可使用一種鎚子形或圖章形式之工具來達 成變形作用。 須形成該終端件，使其可依據鉚釘之形式而與承載件 相連。情況需要時該終端件之各別條片或支柱之變形 亦須足夠大以便在終端件及承載件之間形成足夠強度 之壓接。 本發明中可在終端件及承載件之間形成其它之連 接。例如，此種連接可由焊接或熔接來達成。此外，終 端件可與承載件相黏合。 有利的是形成半導體組件用之機械式穩定之支架，其 在技術上可以較少之費用來製成。 熱終端件較佳是具有一種反射井。在這樣所形成之 組件中，熱終端件可改良輻射上之效益及改良此組件之 輻射束。在本發明之其它形式中，較佳是使用一種金屬 式熱終端件，此乃因金屬面由於有較小之吸收損耗及較 佳對準性（情況需要時是鏡面式）之反射而可良好地用 作反射面。 爲了提高機械穩定性，特別是在以下仍將詳述之外罩 或組件中須測定該熱終端件之反射并之高度，使此高度 未超過晶片安裝區上所配置之晶片之高度之二倍。 550775 五、發明說明（4) 金屬（特別是銅，鋁或其所形成之合金）由於較高之導 熱性而適合用作熱終端件用之材料。其它較佳之材料 是銦，鐵，鎳及鎢以及鎳-鐵-合金及銅-鎢-合金，其熱膨脹 係數良好地與半導體材料（例如，GaAs，GaN)及以這些材 料爲主之系統之熱膨脹係數相匹配。陶瓷及半導體（例 如，砂）亦適合用作熱終端件之材料。熱終端件亦可以 多層方式構成，例如，以金屬-陶瓷-複合系統構成。 熱終端件之晶片安裝面較佳是設有一種調質區 (V e r gtitung)，其在晶片安裝時可改良表面特性（連結 性）。此種調質區例如可包含銀層或金層。使焊接連接 條或接線連接區設有一種使焊接特性或連結特性改良 所用之表面調質區（例如，Au-，Ag-，Sn或Ζιι層），則這樣 亦是有利的。 承載件較佳是含有銅或軟鐵且例如可由適當之箔沖 製而成。本發明中有利的是承載件不作排熱用且因此 對電流供應之功能及其以下仍將詳述之成型物質之彎 曲特性及黏合而言均可被最佳化。 這例如包含：承載件須以一種厚度構成，使其可由捲 筒之承載帶而製成，可輕易地沖製且彎曲成型。這些加 工特性允許一*種自動化之製造過程且使各單一組件可 密集地配置（SP，節距（pitch)較小）在承載帶上。 承載帶此處所需之較小之厚度通常會使晶片不易達 成足夠之冷谷卩。特別是由於機械穩定性之原因而會使 55〇775 五、發明說明（5) 熱終端件之橫切面受到限制。此種缺點 藉由牢固之熱終端件而去除。 本發明中導線架較佳是由外罩基體所 發出輻射之組件所用之外罩。導線架較 該外罩基體所用之成型物質（例如，噴鍍 鍍壓製物質）中。這樣允許以噴鍍澆注 以成本有利之方式來製成此外罩。該成 以環氧樹脂或丙烯酸樹脂爲主之塑料所 適用於此一目的之每一種其它之材料所 熱，則有利之方式是埋置此熱終端件，使 蕈基體突出或形成該外罩表面之一部份 使熱排出。 外罩基體中較佳是形成一種輻射發出 口且熱終端件須埋入外罩基體中，使晶片 _射發出視窗中。例如，晶片安裝區可死 If見窗之界面。 此種外罩形式特別適用於可表面安裝 外罩基體之面對輻射發出視窗之側面形 虞面。已埋入之熱終端件較佳是延伸至 由安置面亦可使熱損耗排出至冷卻體或 板）上。須形成此熱終端件，使其表面之-成該安置面或該安置面之一部份，則這榡 爲了提高輻射效益，則輻射發出視窗π 丨在本發明中可 f圍繞以形成一 佳是埋在形成 澆注物質或噴 δ或噴鍍壓製法 型物質例如由 構成，但亦可由 構成。爲了排 其一部份由外 ，因此可由外部 視窗形式之凹 〃安裝區配置在 3成此輻射發出 之組件，其中此 成此組件之安 此安置面，使經 PCB(印届IJ電路 -部份同時形 :是有利的。 ί以錐形方式形 550775 五、發明說明（6) 成在外罩基體中，使該視窗之側壁形成一種反射器。藉 由此種反射器，則可使由晶片安裝區上之輻射源所發出 之至側面上之輻射成份轉向至主發射方向。這樣可使 輻射效益提高而形成一種較佳之輻射束。 在反射器中，有利的是形成一種造型（其中該熱終端 件形成此反射器之第一部份），由輻射發出視窗之側壁 所形成之反射器之第二部份則鄰接於第一部份。反射 器之總高度較佳是小於固定在晶片安裝區上之晶片之 高度之4倍。這樣可確保一種高的機械穩定性且可使 溫度改變所產生之應力（就像焊接過程中所產生者一樣） 限制於一可容許之値。 在本發明中，利用本發明之導線架及外罩另形成一發 出輻射之組件（其排熱效果較佳）。此種組件具有一發 出輻射之晶片（較佳是半導體晶片），此晶片配置在熱終 端件之晶片安裝區上。 晶片之至少一部份較佳是以澆注物質來封裝。對外 罩特別有利之實施形式是使晶片配置在輻射發出視窗 中，該輻射發出視窗中完全或只一部份以澆注物質塡 入。等別是反應樹脂（例如，環氧樹脂，丙烯酸樹脂或矽 樹脂或這些樹脂之混合物）適合作爲澆注用。可廣泛地 添加一些發光物質至此澆注物質中，這些發光物質可使 晶片所產生之輻射轉換成另一種波長。此種實施形式 待別適合用於發出混合彩色或白色光之組件中。 550775 五、發明說明（7) 爲了使外罩，晶片及繞注物質之間之熱應力保持很小 且特別是爲了使澆注覆蓋層不會脫層（d e 1 a m丨n a t i 0 n )，則 有利之方式是須選取該澆注體積V，使晶片之高度H滿 足 V ^ q · Η 之關係。q是一種校準因數，其値小於1 0腦2且較佳是 7 mm 2 0 在本發明有利之其它形式中，導線架劃分成第一及第 二電性終端件，其中熱終端件牢固在第一電性終端件中 且接線連接區形成在第二電性終端件上。一種接線由 晶片之接觸面延伸至接線連接區以達成供電作用。 製造本發明之組件所用之方法以製備一種承載件開 始，其首先由一種帶或一種箔沖製而成。 在下一步驟中，已製成之熱終端件牢固在承載件之開 口中。此晶片隨後安裝在熱終端件上，這例如以導電性 之黏合劑來進行黏合或藉由焊接來達成。這樣所形成 之導線架然後以適當之外罩成型物質來封裝以形成該 外罩，這例如以噴鍍澆注法或噴鍍壓製法來達成。 在噴鍍之前使晶片安裝在導線架上時所具有之優點 是：此時亦可使用一種高溫方法（例如，焊接法）。已噴鍍 之外罩組件在此種溫度中會受損。若這樣並無關緊要， 則此方法之各步驟當然亦可用在其它之程序中。 在噴鍍之前使晶片安裝在導線架上，則特別是在溫度 550775 五、發明說明（8 ) 超過260 °C時可藉由硬焊法來施加此晶片。因此可在 晶片及導線架之間形成特別小之熱阻。同時可在晶片 及熱終端件之間形成一種很耐溫之連接，特別是在至 2 6 0 °C之典型之溫度中在焊接此組件時不會使晶片分 開。 本發明之其它特徵，優點及適用性以下將依據圖式中 第 1至5圖之5個實施例來說明。圖式簡單說明： 第1 a，1 b圖本發明之導線架之實施例之俯視圖或切 面圖。 • 第2圖本發明之外罩之第一實施例之切面透視圖。 第3圖本發明之外罩之第二實施例之透視圖。 第4圖本發明之組件之第一實施例之透視圖。 第5圖本發明之組件之第二實施例之橫切面。 第1 a，1 b圖中所示之導線架2包含一分成二個電性 終端件1 2a，1 2b之承載件及一種熱終端件4。電性終端 件 12a，12b分別結束於焊接連接條3a，3b中。 電性終端件1 2 a具有一種小圈形式之開口。熱終端 件4牢固在/J、圈開口中。熱終端件4因此可準確地嵌 入電性終端件1 2 a之小圈開口中且隨後依據鉚釘之形 式而與電性終端件1 2 a相壓接。在熱終端件4及電性 端終件1 2a之間例如藉由鉚接，焊接或熔接所形成之其 它形式之周邊側之連接同樣是可能的。 熱終端件4是轉動對稱的且具有凸出區1 9，其可使 -10- 550775 五、發明說明（9) 導線架2穩定地固定在外罩中。此外，熱終端件4中形 成一種反射并16形式之中央凹入區，其底面上設有一 種晶片安裝區1 1以容納一種發出輻射之晶片。凹入區 之側面用作反射面。 電性終端件1 2a之小圈環具有一種空白區} 3，其是 與第二電性終端件1 2b之舌片形之接線連接區！ 〇相重 疊。接線連接區1 0在高度上配置成與該反射井之發出 輻射之邊緣相偏移。這樣在晶片安裝時可在晶片及接 線連接區1 0之間形成較短之接線連接而不需在熱終端 件中在反射并之邊緣上形成一種空白區。 弟2 0疋本發明之外罩之縱切面之透視圖。外罩具 有一由塑料成型物質所構成之基體1,其例如可藉由噴 鍍澆注法或噴鍍壓製法而製成。成型物質例如由以環 氧樹脂或丙烯酸樹脂爲主之塑料所構成，但亦可由適用 於此目的之其它材料所構成。 基體1中埋入一與第1圖相對應之導線架2,其包含： 二個電性終端件12a，12b，一個牢固於其中之熱終端件 4以及多個焊接連接條，其中各焊接連接條由外罩基體 中突出。在晶片連接區1 1之側面上以廣泛地成牛坦之 方式形成熱終端件4而不需上述之反射井。 熱終端件4因此須配置在外罩基體1之內部，使熱終 端件4之底面6形成此基體安置面7之一部份。熱終 端件設有一些配置於周邊側之凸出區1 9以便可在機械 -11- 550775 五、發明說明（1〇) 上穩定地固定在外罩基體中。 在安置面7之對面於外罩基體中形成一種凹口 8而 成爲輻射發出視窗，此凹口 8延伸至熱終端件4上之晶 片安裝區11,使固定於晶片安裝區Η上之發出輻射之 晶片位於輻射發出視窗8之內部。輻射發出視窗8之 側面9成傾斜狀且在操作時作爲晶片所產生之輻射用 之反射器。 第3圖是本發明之外罩之另一實施例之安置面上之 透視圖。就像前述之實施例一樣，熱終端件4之底面6 由外罩基體突出。熱終端件4之底面6因此稍微由基 體1突出，使得在安裝狀態時在熱終端件4及相對應之 承載件（例如，電路板或冷卻體）之間可確保一種可靠之 安置及一種較佳之熱傳送。 與先前之實施例不同之處是，外罩基體1具有一由熱 終端件4延伸至外罩基體1之側面之側面槽20。若外 罩安裝在承載件上，則此槽20在安裝狀態時可控制外 罩及承載件之間之連接。因此，特別是可測試該承載件 及熱終端件之間之焊接。 第4圖是本發明發出輻射之組件之實施例之透視 圖。 就像先前之實施例一樣，導線架2及牢固之熱終端件 4廣泛地埋置於外罩基體1中，因此只有焊接連接條 3 a，3b在側面由外罩基體1中突出。熱終端件4以未顯 -12- 550775 五、發明說明（11 ) 示之方式形成該外罩基體之安置面7之一部份且因此 可由外部達成熱接觸。 發出輻射之晶片5 (例如，發光二極體）固定在熱終端 件 4之晶片安裝區1 1上。晶片5較佳是半導體晶片， 例$口，LED晶片或雷射晶片，其藉由硬焊而焊接在熱終 端件4上。另一^方式是晶片可以黏合劑（其具有足夠大 之導熱性且較佳是亦具有導電性）而黏合在晶片安裝區 1 1 上。 特別是以 GaAs，GaP 及 GaN(例如，GaAlAs，InGaAs， InGaAlAs，InGaAlP，GaN，GaAlN，InGaN 及 InGaAIN)爲 主之半導體材料適合用作有效之輻射源。 此組件之外殻對應於第2或3圖中所示之外殼，但不 同處是該熱終端件4具有一種圍繞晶片5之反射井1 6, 其反射面無縫隙地轉換成輻射發出視窗8之側面9,因 此形成一種總反射器，其由熱終端件4所形成之部份區域 及輻射發出視窗8之側面所形成之部份區域所組成。 此外，輻射發出視窗8在此組件之縱向中擴展且在導 線架2之未與熱終端件電性相連之電性終端件1 2 b上 包含一種接線連接區1 〇。接線1 7由接線連接區1 〇延 伸至一施加在晶片5上之接觸面。 接線連接區1 〇在高度上對熱終端件之反射井1 6之 發射側之邊緣成偏移而配置者。這樣可在晶片5及接 線連接區1 〇之間形成一種短而機械穩定之接線，此乃 -13- 550775 五、發明說明（12) 因接線連接區1 0幾乎可延伸至晶片5。此外，這樣所形 成之接線弧之高度可保持很小且可使短路（其例如可在 以澆注物質覆蓋該晶片時由於接線側向折疊至熱終端 件而發生）之危險性減小。 第5圖是本發明之阻件另一實施例之橫切面。此切 面外形對應於第4圖中所示之線A-A所切割者。 如第3圖之實施例所示者，熱終端件在中央下降至晶 片5用之安裝側，因此形成該晶片5所產生之輻射用之 反射井16,其上連接該輻射發出視窗8之反射側壁9。 與先前之實施例不同之處是：這樣所形成之總反射器 1 5在部份反射器9,1 6之間之接面位置上具有一種彎曲 處。藉由此種造型，則總反射器1 5可較佳地近似於一 種旋轉拋物體而可達成有利之發射特性。由晶片以一 種較陡峭之角度發射至該井之底面之光強裂地轉向至 此組件之主發射方向2 7中。 爲了保護此晶片，則輻射發出視窗8中須以澆注物質 1 4 (例如，反應性樹脂，其可爲環氧樹脂或丙烯酸樹脂）塡 入。爲了使所產生之輻射成束，則澆注物質1 4依據透 鏡之形式而形成，其具有輕微成拱形之表面1 8。 爲了使澆注物質14,外罩基體1及導線架2達成機 械上穩定之連接，則選取熱終端件之反射井1 6之高度 A使小於晶片5之高度Η之二倍時是有利的。由熱端 件4及外罩基體1所形成之總反射器1 5之高度Β應小 -14- 550775 五、發明說明（13) 於晶片5之高度Η之4倍。最後，有 該輻射發出視窗8,使澆注物質之體If 係式： V ^ q · Η ，其中q大約是7腿2。由於滿足此 穩定性提高，此組件之可負載性及壽ί 這樣對該熱終端件4藉由凸出區1 9 1中同樣有幫助。 爲了製成此種組件，則對此導線架 —種開口於承載件（其例如由承載帶ί 後熱終端件4插入該承載件之開口中 行壓接。 在下一步驟中，使發出輻射之晶片 4上，這例如以焊接或黏合來完成。爲 體 1，則由承載件及熱終端件4所形成 預安裝之晶片5須以成型物質來封裝 繞此晶片5所用之區域且可節省該接 例如可以噴鍍澆注法或噴鍍壓接法來 接線1 7由接線連接區1 〇延伸至晶片 另一方式是可在承載件及熱終端件 先使這樣所形成之導線架2由成型物 便晶片5固定在晶片連接區1 1上而无 以黏合法來達成。 利之方式是須形成 I V滿足以下之關 !關係，則可使機械 命因此亦可提高。 而固定在外罩基體 2而言首先須提供 中製而成）中。然 1且以承載件來進 5施加在熱終端件 丨了形成該外罩基 :之導線架2及已 ，其中可節省該圍 線連接區1 0。這 達成。最後，一種 5之接觸面。 ‘ 4已連接之後首 質所封裝且然後 杉成接觸，這例如 -15- 550775 五、發明說明（14) 本發明依據上述之實施例來詳述，這當然不表示本發 明只限制於該實施例中。本發明之導線架及外罩亦可 適用於其它組件（其需要有效之排熱或在其它半導體基 體中用作晶片）中。 上述之方法包含：製備一種導線架，在導線架以一種 成型物質封裝之前施加晶片（較佳是以黏合方式），其中 晶片之周圍空出，此種方法中亦可使用另一種不具備熱 終端件之外罩且仍屬本發明之範圍。 上述方法之優點是：晶片之固定可被最佳化而與成型 物質之特性無關。焊接過程例如可在較大之溫度範圍 中進行。較佳是使用一種熔化溫度大於260 °C之焊劑 (例如，硬焊齊α )，其可在晶片及導線架之間形成一種熱阻 很小之連接。此外，在焊接相對應之組件於電路板上時， 晶片發生脫離之危險性較小。 符號說明 2 · ·.導線架 4 · ·.熱終端件 5 ·…晶片 3a，3b...焊接連接條 6…·底面 8 ···凹口，輻射發出視窗 9…側面 1 〇 ...接線連接區 -16- 550775 五、發明說明（15) 1 1 ...晶片安裝區 1 2 a，b...電性終端件 1 3 ...空白區 1 4 ...澆注物質 1 5 ...總反射器 1 6 ...反射井 1 7 ...接線 1 8 ...表面 1 9 ...凸出區 -17-

Claims (1)

  1. 550775
    六、申請專利範圍 第9 1 106478號「發出輻射之組件，其製造方法及其所用之 導線架和外罩」專利案 …… （92年5月修正） 六、申請專利範_ = 1. 一種發出輻射之組件用之導線架（2),此組件較佳是一 種發光二極體組件，其包含：至少一晶片安裝區（11)，至 少一接線連接區（1 0 )及至少一外部電性連接條（3 a，3b )， 其特徵爲：設有一承載件，其具有接線連接區（1 Ο )及連 接條（3a，3b )且承載件中牢固一種各別製成之熱終端件 (4)，此熱終端件具有晶片安裝區（11)。 2. 如申請專利範圍第1項之導線架（2 )，其中承載件具有 一種夾子或小圈，其中牢固著該熱終端件（4 )。 3·如申請專利範圍第1或2項之導線架（2 )，其中在熱終 端件（4 )及承載件之間形成一種壓接，鉚接，焊接或熔接 〇 4·如申請專利範圍第1項之導線架（2 )，其中該熱終端件 (4)具有一種反射井（16)，其包含一晶片安裝區（11)。 5·如申請專利範圍第4項之導線架（2)，其中接線連接區 (10)由晶片安裝區（11 )觀看時較晶片安裝區（1 1 )還高 〇 6·如申請專利範圍第5項之導線架（2 )，其中接線連接區 (10)由晶片安裝區（11)觀看時配置在反射井（16)之邊 緣上方。 550775 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第4 , 5或6項之導線架（2 ),其中反射 井（1 6)之高度未超過一安裝在晶片安裝區（11)上之晶 片（5)之高度（Η )之二倍。 8. 如申請專利範圍第1項之導線架（2 ),其中熱終端件（4 ) 含有 Cu，A1，Mo ,Fe，Ni 或 W。 9. 如申請專利範圍第1或4項之導線架（2 )，其中晶片安 裝區（1 1 )設有一種表面調質區以改良晶片之安裝。 10. 如申請專利範圍第9項之導線架（2 )，其中晶片安裝用 之表面調質區包含一種Ag層或Au層。 11. 如申請專利範圍第1 項之導線架（2 )，其中導線架（2 ) 含有Cu或Fe。 12. 如申請專利範圍第1項之導線架（2 )，其中該外部之電 性連接條（3 a , 3b )具有表面調質區以改良組件之安裝特 性。 13. 如申請專利範圍第1 2項之導線架（2 )，其中表面調質區 包含Ag-，Au_，Sn-或Zn層以改良此組件之安裝特性。 14. 一種發出輻射之組件用之外罩，此組件較佳是發光二極 體，其特徵爲其包含一導線架（2 )，其具有至少一晶片 安裝區（1 1 );至少一接線連接區（1 〇 )及至少一外部電 性連接條（3 a，3b )，其中設有一承載件，其具有接線連 接區（1 0 )及連接條（3 a，3 b )且承載件中牢固一種各別製 成之熱終端件（4 )，此熱終端件具有晶片安裝區（1 1 )。 15. 如申請專利範圍第1 4項之外罩，其中該外罩（1 )具有 550775 六、申請專利範圍 外罩基體（1 ),其由成型物質所形成且其中須埋置該導 線架（2 ),使電性連接條（3 a，3 b ),由外罩基體伸出，且該 熱終端件（4 )之熱終端面可由外部達成熱接觸。 16.如申請專利範圍第1 4或1 5項之外罩，其中該外罩基體 (1 )具有一輻射發出視窗（8 )且熱終端件（4 )須埋置在外 罩基體中，使晶片安裝區（1 1 )配置在輻射發出視窗（8 ) 中。 17·如申請專利範圍第1 6項之外罩，其中輻射發出視窗（8 ) 之側壁（9 )形成各反射面。 18·如申請專利範圍第1 7項之外罩，其中熱終端件（4 )具有 一種反射井（1 6 )，其形成該反射器（1 5 )之第一部份，此 第一部份轉換成反射器（1 5 )之由輻射發出視窗（8 )之側 壁（9)所形成之第二部份。 如申請專利範圍第！ 8項之外罩，其中反射器（1 5 )之總 高度（B)未超過一安裝在晶片安裝區（11)上之晶片（5) 之咼度（H)之4倍。 20·如申請專利範圍第1 8項之外罩，其中反射井（1 6 )之反 射壁及輻射發出視窗（8 )之反射面對該組件之主發射方 向（27)形成不同之角度。 21·如申請專利範圍第20項之外罩，其中由反射井（1 6 )之 反射壁與主發射方向（27)所形成之角度大於由輻射發 出視窗之反射面與主發射方向（27)所形成之角度。 22·如申請專利範圍第1 4 或1 5項之外罩，其中此外罩可 550775 六、申請專利範圍 表面安裝。 23. —種發出輻射之組件，其包含一發出輻射之晶片（5 ),其 特徵爲其 包含一導線架（2 )，其具有至少一晶片安裝 區（11 );至少一接線連接區（1 〇 )及至少一外部電性連 接條（3 a，3 b ),其中設有一承載件，其具有接線連接區 (10)及連接條（3 a，3b )且承載件中牢固一種各別製成之 熱終端件（4)，此熱終端件具有晶片安裝區（11)。 24. —種發出輻射之組件，其包含一發出輻射之晶片（5 )，其 特徵爲其包含一外罩，該外罩之導線架具有：至少一 晶片安裝區（11 );至少一導線架（2 )，其具有至少一晶 片安裝區（1 1 );至少一接線連接區（1 0 )及至少一外部 電性連接條（3a，3b)，其中設有一承載件，其具有接線 連接區（1 0 )及連接條（3 a , 3b )且承載件中牢固一種各 別製成之熱終端件（4 )，此熱終端件具有晶片安裝區 ⑴）。 25·如申請專利範圍第23項之發出輻射之組件，其中晶片 (5)是半導體晶片。 26如申請專利範圍第23或25項之發出輻射之組件，其 中晶片（5 )至少一部份以可透過輻射之物質（1 4 )，特別 是塑膠物質，例如，澆注樹脂或壓製物質，來封裝。 27.如申請專利範圍第2 6項之發出輻射之組件，其中塑膠 物質含有環氧樹脂，丙烯酸樹脂，矽樹脂或這些樹脂之 混合物。 550775 六、申請專利範圍 28.如申請專利範圍第26項之發出輻射之組件，其中可透過 輻射之物質（1 4 )之體積（V )滿足 V ^ q · Η ，其中Η是晶片（5 )之高度且q是校準因數，其値小於 1 0臟2且較佳是7 mm 2。 29·如申請專利範圍第23或25項之發出輻射之組件，其中 晶片（5 )固定在熱終端件（4 )之晶片安裝區（1 1 )上。 30.如申請專利範圍第29項之發出輻射之組件，其中晶片 (5 )焊接或黏合在晶片安裝區（1 1 )上。 31•如申請專利範圍第30項之發出輻射之組件，其中晶片 (5)藉由硬焊劑而固定在晶片安裝區（11)上。 32如申請專利範圍第31項之發出輻射之組件，其中硬焊劑 之熔化溫度大於260°C。 33.如申請專利範圍第23項之發出輻射之組件，其中晶片 (5 )藉由接線（1 7 )而導電性地與接線連接區（1 0 )相連。 34—種半導體組件之製造方法，此組件是申請專利範圍第 23至33項中任一項所述者，本方法之特徵爲： -製備一種承載件， -使熱終端件（4)(其具有晶片安裝區（11))牢固在承 載件中， -於晶片安裝區（11 )上施加一發出輻射之晶片（5 )， -使承載件（2 )及熱終端件（4 )埋置於外罩成型物質 中。 550775 六、申請專利範圍 35如申請專利範圍第34項之製造方法，其中熱終端件（4 ) 藉由鉚接，壓接或焊接而與承載件相連。 3S如申請專利範圍第34或35項之製造方法，其中在使熱 終端件（4 )及承載件埋置於外罩成型物質中之前此晶片 (5)施加至晶片安裝區（11)上。 37如申請專利範圍第34項之製造方法，其中晶片焊接至 晶片安裝區（11)上，焊接溫度大於26(TC。 38·如申請專利範圍第37項之製造方法，其中晶片（5 )藉由 硬焊劑而固定在晶片安裝區（11 )上。 39.如申請專利範圍第34或35項之製造方法，其中該承載 件（2)及熱終端件（4)埋置於外罩成型物質中晏藉由噴 鍍澆注法或噴鍍壓製法來達成。 550775 1/3
    第lb圖
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