JP2989703B2 - チップ部品型発光ダイオード - Google Patents
チップ部品型発光ダイオードInfo
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- JP2989703B2 JP2989703B2 JP3290882A JP29088291A JP2989703B2 JP 2989703 B2 JP2989703 B2 JP 2989703B2 JP 3290882 A JP3290882 A JP 3290882A JP 29088291 A JP29088291 A JP 29088291A JP 2989703 B2 JP2989703 B2 JP 2989703B2
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- JP
- Japan
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- plating layer
- emitting diode
- light emitting
- component type
- silver plating
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームを有し
ない所謂チップ部品型の発光ダイオードに関する。
ない所謂チップ部品型の発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームを有しないチップ部品型
の発光ダイオードは、例えば特開平１−２８３８８３号
公報に開示されている。この形式の発光ダイオードは、
樹脂成形品により構成されて、その正面に凹部を有する
基体と、基体の正面から裏面にかけて設けられためっき
層と、めっき層を介して基体の凹部に搭載された発光ダ
イオードチップと、発光ダイオードチップを封止するべ
く、凹部内に充填された透光性の封止樹脂と有し、めっ
き層を基体の裏側まで延長して、これを当該発光ダイオ
ードの実装用端子として利用することにより、リードフ
レームを排除したことを特徴としている。そして、その
めっき層は、銀めっきあるいは金めっきにより形成され
る。
の発光ダイオードは、例えば特開平１−２８３８８３号
公報に開示されている。この形式の発光ダイオードは、
樹脂成形品により構成されて、その正面に凹部を有する
基体と、基体の正面から裏面にかけて設けられためっき
層と、めっき層を介して基体の凹部に搭載された発光ダ
イオードチップと、発光ダイオードチップを封止するべ
く、凹部内に充填された透光性の封止樹脂と有し、めっ
き層を基体の裏側まで延長して、これを当該発光ダイオ
ードの実装用端子として利用することにより、リードフ
レームを排除したことを特徴としている。そして、その
めっき層は、銀めっきあるいは金めっきにより形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなチップ部品
型の発光ダイオードにおいて、めっき層が銀めっきから
なる場合には、封止樹脂から露出した部分が、時間経過
と共に表面酸化を起こし、半田付け性を著しく低下させ
る。そのため、この部分を実装用端子として利用できな
くなるという問題がある。めっき層が金めっきからなる
場合には、このような問題は生じないが、銀めっき層に
比してコストが高く、且つ、反射効率が圧下する。
型の発光ダイオードにおいて、めっき層が銀めっきから
なる場合には、封止樹脂から露出した部分が、時間経過
と共に表面酸化を起こし、半田付け性を著しく低下させ
る。そのため、この部分を実装用端子として利用できな
くなるという問題がある。めっき層が金めっきからなる
場合には、このような問題は生じないが、銀めっき層に
比してコストが高く、且つ、反射効率が圧下する。
【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、半田付けに対する安定性が高く、しかも、低コ
ストで反射効率の高いチップ部品型発光ダイオードを提
供することを目的とする。
であり、半田付けに対する安定性が高く、しかも、低コ
ストで反射効率の高いチップ部品型発光ダイオードを提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるチップ部
品型発光ダイオードは、樹脂成形品により構成されて、
その正面に凹部を有する基体と、該基体の正面から裏面
にかけて設けられた銀めっき層と、該銀めっき層を介し
て基体の凹部に搭載された発光ダイオードチップと、該
発光ダイオードチップを封止するべく、前記凹部内に充
填された透光性の封止樹脂と、該封止樹脂から露出した
銀めっき層の上に設けられた錫または半田からなる保護
めっき層とを有したことを特徴としている。
品型発光ダイオードは、樹脂成形品により構成されて、
その正面に凹部を有する基体と、該基体の正面から裏面
にかけて設けられた銀めっき層と、該銀めっき層を介し
て基体の凹部に搭載された発光ダイオードチップと、該
発光ダイオードチップを封止するべく、前記凹部内に充
填された透光性の封止樹脂と、該封止樹脂から露出した
銀めっき層の上に設けられた錫または半田からなる保護
めっき層とを有したことを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明にかかるチップ部品型発光ダイオードで
は、そのめっき層は、発光ダイオードチップが搭載され
て封止樹脂で覆われる凹部内では、銀めっき層のみとな
るので、発光時に高い反射効率を示す。また、封止樹脂
から露出する部分では、銀めっき層の上に錫または半田
からなる保護めっき層が重ねられた構造となるので、表
面酸化が防止され、半田付けに対して高い安定性を示
す。
は、そのめっき層は、発光ダイオードチップが搭載され
て封止樹脂で覆われる凹部内では、銀めっき層のみとな
るので、発光時に高い反射効率を示す。また、封止樹脂
から露出する部分では、銀めっき層の上に錫または半田
からなる保護めっき層が重ねられた構造となるので、表
面酸化が防止され、半田付けに対して高い安定性を示
す。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明を実施したチップ部品型発光ダイオ
ードの一例についてその構造を示す正面図、図２は図１
のＡ−Ａ線矢視図、図３は図１のＢ−Ｂ線矢視図であ
る。
する。図１は本発明を実施したチップ部品型発光ダイオ
ードの一例についてその構造を示す正面図、図２は図１
のＡ−Ａ線矢視図、図３は図１のＢ−Ｂ線矢視図であ
る。
【０００８】樹脂成形品により構成された基体１０は、
正面に凹部１１を有し、相対向する側面にスルーホール
１２ａ、１２ｂを有する。凹部１１の表面には、ハッチ
ングで示した銀めっき層２０ａ、２０ｂが設けられてい
る。一方の銀めっき層２０ａは、基体１０の一方の正面
側縁部から一方のスルーホール１２ａを経て基体１０の
裏面に回り込んでおり、他方の銀めっき層２０ｂは、基
体１０の他方の正面側縁部から他方のスルーホール１２
ｂを経て基体１０の裏面に回り込んでいる。なお、スル
ーホール１２ａ、１２ｂは、多数の基体１０をマトリッ
クス状に形成した基板を、スルーホールを通る線で１個
１個に分断することで、片側開口の形状となったもので
ある。
正面に凹部１１を有し、相対向する側面にスルーホール
１２ａ、１２ｂを有する。凹部１１の表面には、ハッチ
ングで示した銀めっき層２０ａ、２０ｂが設けられてい
る。一方の銀めっき層２０ａは、基体１０の一方の正面
側縁部から一方のスルーホール１２ａを経て基体１０の
裏面に回り込んでおり、他方の銀めっき層２０ｂは、基
体１０の他方の正面側縁部から他方のスルーホール１２
ｂを経て基体１０の裏面に回り込んでいる。なお、スル
ーホール１２ａ、１２ｂは、多数の基体１０をマトリッ
クス状に形成した基板を、スルーホールを通る線で１個
１個に分断することで、片側開口の形状となったもので
ある。
【０００９】基体１０の凹部１１内においては、一方の
銀めっき層２０ａに発光ダイオードチップ３０がボンデ
ィングされると共に、これと他方の銀めっき層２０ｂと
の間にワイヤボンディングがなされ、更に、エポキシ樹
脂等からなる透光性の封止樹脂４０が充填さている。封
止樹脂４０から露出した凹部１１外の銀めっき層２０
ａ、２０ｂの上には、クロスハッチングで示した錫また
は半田からなる保護めっき層５０ａ、５０ｂがそれぞれ
被覆されている。
銀めっき層２０ａに発光ダイオードチップ３０がボンデ
ィングされると共に、これと他方の銀めっき層２０ｂと
の間にワイヤボンディングがなされ、更に、エポキシ樹
脂等からなる透光性の封止樹脂４０が充填さている。封
止樹脂４０から露出した凹部１１外の銀めっき層２０
ａ、２０ｂの上には、クロスハッチングで示した錫また
は半田からなる保護めっき層５０ａ、５０ｂがそれぞれ
被覆されている。
【００１０】製造手順としては、まず、基体１０に銀め
っき層２０ａ、２０ｂを設け、封止樹脂４０で覆われる
凹部１１内をマスキングした後、保護めっき層５０ａ、
５０ｂを設ける。次いで、発光ダイオードチップ３０の
ボンディングおよびワイヤボンディングを行い、最後に
封止樹脂４０を充填する。封止樹脂４０を充填した後に
保護めっき層５０ａ、５０ｂを設けることもできるが、
その場合は、保護めっき層５０ａ、５０ｂを設ける前に
洗浄等の前処理が必要になる。銀めっき層２０ａ、２０
ｂおよび保護めっき層５０ａ、５０ｂを続けて設けるこ
とにより、この前処理は不要となり、工程が短縮され
る。
っき層２０ａ、２０ｂを設け、封止樹脂４０で覆われる
凹部１１内をマスキングした後、保護めっき層５０ａ、
５０ｂを設ける。次いで、発光ダイオードチップ３０の
ボンディングおよびワイヤボンディングを行い、最後に
封止樹脂４０を充填する。封止樹脂４０を充填した後に
保護めっき層５０ａ、５０ｂを設けることもできるが、
その場合は、保護めっき層５０ａ、５０ｂを設ける前に
洗浄等の前処理が必要になる。銀めっき層２０ａ、２０
ｂおよび保護めっき層５０ａ、５０ｂを続けて設けるこ
とにより、この前処理は不要となり、工程が短縮され
る。
【００１１】このようなチップ部品型発光ダイオード
は、めっき層を銀めっき層２０ａ、２０ｂと、錫または
半田からなる保護めっき層５０ａ、５０ｂとで構成して
いるので、金めっき層を用いたものよりも安価となる。
また、発光ダイオード３０が搭載されて封止樹脂４０が
充填された凹部１１内のめっき層は、銀めっき層２０
ａ、２０ｂのみとなっているので、金めっき層を用いた
ものよりも発光時の反射効率が高い。封止樹脂４０から
露出した凹部１１外のめっき層は、銀めっき層２０ａ、
２０ｂに錫または半田からなる保護めっき層５０ａ、５
０ｂが被覆された構造になっているので、表面酸化が抑
えられ、実装用端子として利用される裏側部分を含め、
半田付けに対して高い安定性を示す。
は、めっき層を銀めっき層２０ａ、２０ｂと、錫または
半田からなる保護めっき層５０ａ、５０ｂとで構成して
いるので、金めっき層を用いたものよりも安価となる。
また、発光ダイオード３０が搭載されて封止樹脂４０が
充填された凹部１１内のめっき層は、銀めっき層２０
ａ、２０ｂのみとなっているので、金めっき層を用いた
ものよりも発光時の反射効率が高い。封止樹脂４０から
露出した凹部１１外のめっき層は、銀めっき層２０ａ、
２０ｂに錫または半田からなる保護めっき層５０ａ、５
０ｂが被覆された構造になっているので、表面酸化が抑
えられ、実装用端子として利用される裏側部分を含め、
半田付けに対して高い安定性を示す。
【００１２】なお、銀めっき層は、少なくとも表層が銀
めっきのものを意味し、銀／ニッケル／銅等の複層めっ
きを含む。
めっきのものを意味し、銀／ニッケル／銅等の複層めっ
きを含む。
【００１３】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明にかかるチ
ップ部品型発光ダイオードは、そのめっき層を銀めっき
層と、錫または半田からなる保護めっき層とで構成した
ので、金めっき層を用いたものよりも安価となる。ま
た、発光ダイオードが搭載されて封止樹脂が充填された
凹部内のめっき層を、銀めっき層のみとしているので、
金めっき層を用いたものよりも発光時の反射効率が高
い。封止樹脂から露出した凹部外の銀めっき層を、錫ま
たは半田からなる保護めっき層で覆ったので、その表面
酸化が抑えられ、実装用端子として利用される部分の半
田付けに対する安定性が良い。
ップ部品型発光ダイオードは、そのめっき層を銀めっき
層と、錫または半田からなる保護めっき層とで構成した
ので、金めっき層を用いたものよりも安価となる。ま
た、発光ダイオードが搭載されて封止樹脂が充填された
凹部内のめっき層を、銀めっき層のみとしているので、
金めっき層を用いたものよりも発光時の反射効率が高
い。封止樹脂から露出した凹部外の銀めっき層を、錫ま
たは半田からなる保護めっき層で覆ったので、その表面
酸化が抑えられ、実装用端子として利用される部分の半
田付けに対する安定性が良い。
【図１】本発明を実施したチップ部品型発光ダイオード
の一例についてその構造を示す正面図である。
の一例についてその構造を示す正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線矢視図である。
１０ 基体 １１ 凹部 ２０ａ、２０ｂ 銀めっき層 ３０ 発光ダイオードチップ ４０ 封止樹脂 ５０ａ、５０ｂ 保護めっき層
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂成形品により構成されて、その正面
に凹部を有する基体と、該基体の正面から裏面にかけて
設けられた銀めっき層と、該銀めっき層を介して基体の
凹部に搭載された発光ダイオードチップと、該発光ダイ
オードチップを封止するべく、前記凹部内に充填された
透光性の封止樹脂と、該封止樹脂から露出した銀めっき
層の上に設けられた錫または半田からなる保護めっき層
とを有したことを特徴とするチップ部品型発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290882A JP2989703B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | チップ部品型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290882A JP2989703B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | チップ部品型発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102531A JPH05102531A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2989703B2 true JP2989703B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=17761734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3290882A Expired - Lifetime JP2989703B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | チップ部品型発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989703B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19621124A1 (de) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
| DE10117889A1 (de) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR100877881B1 (ko) | 2007-09-06 | 2009-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| JP5550886B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-07-16 | シチズン電子株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| US20120061710A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Toscano Lenora M | Method for Treating Metal Surfaces |
| KR101469237B1 (ko) * | 2013-08-21 | 2014-12-09 | 주식회사 레다즈 | 발광다이오드 패키지 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP3290882A patent/JP2989703B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102531A (ja) | 1993-04-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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