TW201405910A - 製備用於有機電子裝置之基板之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種製備用於有機電子裝置(OED)之基板之方法及一OED。根據製備用於形成OED(例如，OLED)之基板之方法及OED，透過避免濕氣或空氣滲透進入該裝置中，可提供用於形成具有優異的光萃取效率並改善可靠性之裝置之基板、或使用其之裝置。

Description

製備用於有機電子裝置之基板之方法
本發明係關於一種製備用於有機電子裝置(OED)之基板或OED之方法、及一種OED。
OED為經由在一電極層與一有機材料之間的電子交換而顯示各種功能的裝置，其包括一有機發光二極體(OLED)、一有機太陽能電池、一有機光導體(OPC)及一有機電晶體。
OLED為代表性的OED，通常地包括依序堆疊的一基板、一第一電極層、包含一發光層的一有機層、及一第二電極層。
在稱為一底部發光裝置之結構中，該第一電極層可為一透明電極層，且該第二電極層可為一反射電極層。此外，在稱為頂部發光裝置之結構中，該第一電極層可形成作為一反射電極層，且該第二電極層可形成作為一透明電極層。
藉由該兩電極層分別注入電子與電洞，並在發 光層中將注入的電子及電洞重組而導致光的產生。在底部發光裝置中，光可發射至基板，或在頂部發光裝置中，光可發射至該第二電極層。
在OLED結構中，一般使用作為該透明電極層之銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、該有機層及一般以玻璃形成之基板，分別具有約2.0、1.8及1.5之折射率。在這樣的折射率關係中，例如，由於全內反射現象，於底部發光裝置中的發光層中產生的光線係陷於該有機層及該第一電極層間之介面或該基板中，並且只有發射極少量的光線。
為了解決此問題，使用能夠散射或擴散光至一預定部分之結構，例如，已知在OLED的一基板及一電極層之間。然而，該結構可提供從外部環境將濕氣或氧滲透之路徑，而變成大幅降低該二極體可靠性的原因。
本案提供一種製造用於OED的基板、或OED之方法及一OED。
本案的一態樣係提供一種製造用於OED的基板之方法，其包括處理形成在一基底層上的一光學功能層。該光學功能層可藉由，例如，雷射來處理。可藉由雷射來處理該光學功能層以具有比該基底層小的投射面積。在此使用的「投射面積」可意指當從沿著平行該基板表面之法線之一方向從上方觀察該基板時，可辨識如基底層、光學 功能層、或電極層之目標物之投影面積。因此，舉例而言，假如該光學功能層之表面為不平坦且具有大的粗糙度，該光學功能層之真實表面積可大於該電極層。然而，在此情況中，假如由上述確認之光學功能層之面積小於上述確認之電極層之面積，其能確保該光學功能層具有小於該電極層之投影面積。藉由雷射可移除該光學功能層的至少一部份，使該光學功能層具有比該基底層小的投射面積。在一實施例中，該光學功能層可實質地形成在該基底層的全部表面上。可圖案化形成在該基底層上的該光學功能層，例如，藉由上述的處理。
舉例而言，可使用雷射來進行該處理。當使用雷射來進行該處理時，該已處理的光學功能層的切斷部分沒有高起，因此可維持之後所形成的該電極層的表面阻力至一適合的程度。此外，當提供在高度變化減至最小的表面時，可解決例如該裝置的短點或不適當的電性連結。
用於形成該光學功能層的該基底層的種類並沒有特別地限制，因此，可使用一適當已知的材料。例如，當製造一底部發光OLED時，例如，可使用具有50%以上的針對可見光區光線之穿透度之基底層作為透明基底層。可使用一玻璃基底層、或一透明聚合物基底層作為該透明基底層。作為該玻璃基底層，可使用包含鈉鈣玻璃(soda lime glass)、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽玻璃、鋇高硼矽玻璃或石英之基底層，且作為該聚合物基底層，可使用包含聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、丙烯酸樹脂、聚(對苯二甲酸 乙二酯)(poly(ethylene terephthalate)，PET)、聚(醚硫醚)(poly(ether sulfide)，PES)、或聚碸(polysulfone，PS)之基底層，但本發明並不僅限於此。此外，視需要，該基底層可為一具有驅動薄膜電晶體(TFT)之薄膜電晶體基板。此外，例如，當製造頂部發光裝置時，該基底層可不須為一透明基底層，且視需要可使用具有反射層之反射基底層，其中鋁製之反射層係形成於該基底層之表面。
該光學功能層係形成在該基底層的頂部，例如，該基底層的頂部之全表面。該光學功能層的一實施例可為一光散射層。在此使用的「光散射層」一詞可指所形成的任何種類的層，使得在之後所描述的於該電極層一方向入射的光，藉由於該層中散射、折射或擴散，光線不會或較少被捕捉在兩該基底層、該光散射層及電極層之間的介面。一具體化型式的該光散射層沒有特別地限制，只要其具體地具有上述功能即可。
舉例而言，該散射層可包含散射顆粒。圖1顯示包含散射顆粒1021的一散射層102形成在基底層101上。參考圖1，該散射層102可包含該散射顆粒1021及一黏著劑1022。
「散射層」一詞可指，例如能夠散射入射光的顆粒，其因為具有與用於形成之後所描述的該散射層或平面化層的黏著劑不同的折射率及適當的大小。此顆粒可具有1.0至3.5的折射率，較佳為約1.0至2.0、1.2至1.8、2.1至3.5或2.2至3.0，及約50至20,000nm或100至5,000nm的平均 直徑。該散射顆粒可具有球型、橢圓型、多角型或不規則型，但其形狀不限於此。該散射顆粒可包含，例如，一有機材料，如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸樹脂或其衍生物、矽烷樹脂或其衍生物、或酚醛清漆樹脂(novolac resin)或其衍生物、或如二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、或氧化鋯之無機材料。該散射顆粒視需要可包含任一種材料、或其至少兩種，或可形成核/殼型顆粒或中空型顆粒。
該散射層可更包含維持散射顆粒的一黏著劑。作為黏著劑，可使用例如，作為能夠維持該散射顆粒的材料，其它相鄰材料，例如，具有與該基底層相同折射率的材料。
該黏著劑可為，例如，在本發明所屬技術領域中已知的各種有機黏著劑、無機黏著劑及有機/無機黏著劑中之一種。視需要，該黏著劑層可具有約1.4以上、或約1.45以上的折射率。該黏著劑的折射率之上限，可考慮待混合顆粒的折射率選自一適當的範圍。在考慮該裝置的生命週期時，可使用具有優異的熱阻及耐化學性的無機或有機/無機黏著劑，但視需要亦可使用有機黏著劑。該黏著劑層可，例如，熱或光可硬化單體的、寡聚合體的或包含聚醯亞胺之聚合的有機材料、具有芴環的硝滷水(caldo)樹脂、胺基甲酸酯、環氧化合物、聚酯或丙烯酸酯、如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或聚矽氧烷的無機材料、或有機/無機結合材料。
舉例而言，作為黏著劑，可使用聚矽氧烷(polysiloxane)、聚醯胺酸(polyamic acid)、或聚亞醯胺(polyimide)。，可透過聚縮合一可縮合之矽烷化合物或矽氧 烷寡聚體以製備該聚矽氧烷，及黏結劑基於矽與氧之間的鍵結(S-O)可形成一基質。於該黏結劑形成的過程中，透過控制聚縮合條件等，可形成僅基於矽氧烷鍵(S-O)之聚矽氧烷的該黏結劑基質，或者保留部分有機官能基(如烷基)或可縮合官能基(如烷氧基)之基質。
該聚醯胺酸或聚亞醯胺可具有相對於633nm波長光線之折射率，例如，約1.5以上、1.6以上、1.65以上、或1.7以上。舉例而言，可引入氟以外鹵素原子、硫原子或磷原子至一單體，可使用該單體製備一高折射率之聚醯胺酸或聚亞醯胺。例如，可使用具有部分能夠結合顆粒(如羧基)以增強顆粒分散穩定性之聚醯胺酸。舉例而言，該聚醯胺酸可為一包含如式1之重複單元之化合物。
於式1中，n為一正數。
該重複單元可選擇性地被至少一取代基取代。作為該取代基，可使用氟以外的鹵素原子或一含鹵素原子、硫原子或磷原子之官能基，如苯基(phenyl)、芐基(benzyl)、萘基(naphthyl)或噻吩基(thiophenyl)。
該聚醯胺酸可為一僅使用式1重複單元形成之同元聚合物(homopolymer)，或一包含其他單元及式1重複 單元之共聚物。於共聚物中，其他重複單元之種類或比例可適當地選擇於範圍內，例如，不抑制所欲折射率、熱阻性或透光度。
作為式1重複單元之具體例子，可使用化學式2之重複單元。
於式2中，n為一正數。
該聚醯胺酸可具有約10,000至100,000或10,000至50,000之重量平均分子量。該重量平均分子量為透過凝膠滲透層析儀(gel permeation chromatography，GPC))測得標準聚苯乙烯所轉換而得。該具有式1重複單元之聚醯胺酸也可具有於80、85、或90%以上之可見光區域的透光度，且具有優異的熱阻。
此外，該光散射層可為，例如，一具有不平坦結構之層。圖2顯示形成於基底層101上之具不平坦結構之光散射層201。當適當地控制該光散射層之不平坦結構，可散射入射光。
舉例而言，可透過塗佈一熱或光可硬化材料，並於硬化該材料的硬化過程中接觸一能夠轉印該不平坦結構所欲形狀之模具，或進行蝕刻，以形成該具有不平坦結 構之散射層。或者，可透過混摻具有適當尺寸及形狀的顆粒於用以形成該光散射層之黏結劑中而形成該光散射層。在此情況下，該顆粒並不需具有散射功能，但也可使用具有散射功能之顆粒。
舉例而言，可透過藉由濕式塗佈法塗佈一材料，並執行熱施加或光照射，藉由溶膠凝膠法、如化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、奈米壓印法(nano imprinting)或微壓花法(microembossing)硬化該材料，以形成該光散射層。
視需要，該光學功能層可包含該散射層及形成在該散射層的頂部之平面化層。然而，當該散射層已具有一平坦的表面時，不一定需要該平面化層。當形成該平面化層時，亦藉由雷射來處理該平面化層，因此可移除其至少一部分。
在此使用的「平面化層」一詞可指能夠提供可形成OED於一平面上的的層。例如，該平面化層可提供具有1μm以下或0.5μm的最大高度粗糙度。該最大高度粗糙度可指在通過粗糙曲線的最高點之直線與通過其最低點的直線間的距離，並平行於切斷的粗糙曲線之中心線，該最大高度粗糙度可為在該平坦表面上針對具有100μm2面積之光學區域所測量之值。
該平面化層可包含，例如，一黏著劑及一顆粒。例如，使用藉由混合具有高折射率的顆粒製備之組成物來形成該平面化層，使得該平面化層的折射率可以黏著劑來增加。 如上所述，該平面化層可提供一表面，其上形成包含一電極層的OED。此外，之後將描述在某些條件下，該平面化層透過與該光散射層之交互作用，可具有優異的光萃取效率。例如，該平面化層可具有與一相鄰電極層相同的折射率，其可為例如約1.8至3.5或2.2至3.0。除非另有定義，在此使用的「折射率」一詞可為在真空狀態對於具有400至450nm波長之光線的折射率。
作為形成平面化層的黏著劑，可使用已知的材料而沒有特別的限制。該黏著劑可為，例如，在發明所屬技術領域中已知各種有機黏著劑層、無機黏著劑層、及有機/無機黏著劑層中之一者。視需要，可使用具有折射率約1.4或1.45以上的黏著劑。作為形成平面化層的黏著劑，例如，從上述用於形成散射層所使用的黏著劑中選擇一合適的種類。
該平面化層可包含一高折射顆粒及該黏著劑。「高折射率顆粒」一詞可意指為具有如1.5、2.0、2.5、2.6、或2.7以上之折射率的顆粒。該高折射率顆粒之折射率上限可依共同混合的黏著劑之折射率而選於能夠滿足該光散射層之上述折射率範圍內。該高折射率顆粒可具有，例如，小於該散射顆粒之平均粒徑。該高折射率顆粒可具有如1奈米至100奈米、10奈米至90奈米、10奈米至80奈米、10奈米至70奈米、10奈米至60奈米、10奈米至50奈米、或10奈米至45奈米之平均粒徑。作為該高折射率顆粒，可使用氧化鋁(alumina)、矽鋁酸鹽(alumino silicate)、氧化鈦 (titanium oxide)、或氧化鋯(zirconium oxide)。作為該高折射率顆粒，例如，作為具有2.5以上折射率之顆粒，可使用金紅石型氧化鈦(rutile-type titanium oxide)。該金紅石型氧化鈦具有比其它顆粒更高的折射率。因此，當在該高折射率包含在用於形成平面化層的材料中為相當小的含量時，可包含具有高折射率的平面化層。
在平面化層中該高折射率顆粒的比例沒有特別地限制，並可控制在能夠確保該平面化層的上述折射率之範圍內。例如，當具有折射率為2.5以上的顆粒，例如使用金紅石型氧化鈦作為高折射率顆粒，以100重量份的該黏著劑層為基準，該高折射率顆粒於該平面化層中可包含300、250或200重量份以下之比率。該高折射率顆粒比率的下限可為，例如，40、60、80或100重量份以上。除非另有定義，在此使用的該「重量份」單位指在成分之間的重量比率。當藉由維持如上述的該黏著劑與該顆粒之間的比例以形成OED時，例如，藉由增加外部量子效率、避免氣體或濕氣從外部環境滲透、並降低除氣作用，可提供具有優異性能與可靠性的裝置。
於另一實施例中，可透過混摻如烷氧化物或金屬(如鋯、鈦或鈰)之醯化物之化合物與具有極性官能基(如羧基或烴基)之黏結劑製備一材料，並可使用該材料形成該平坦化層。如烷氧化物或醯化物之化合物可與黏結劑之極性官能基縮合，並提供金屬給該黏結劑之主鏈，從而實現高折射率。該烷氧化物或丙烯酸酯之化合物之例子可包括： 烷氧基鈦，如四正丁氧基鈦(tetra-n-butoxy titanium)、四異丙氧基鈦(tetraisopropoxy titanium)、四正丙氧基鈦(tetra-n-propoxy titanium)、或四乙氧基鈦(tetraethoxy titanium)；醯化鈦，如硬脂酸鈦(titanium stearate)；鈦螯合物(titanium chelate)；烷氧基鋯，如四正丁氧基鋯(tetra-n-butoxy zirconium)、四正丙氧基鋯(tetra-n-propoxy zirconium)、四異丙氧基鋯(tetraisopropoxy zirconium)、四乙氧基鋯(tetraethoxy zirconium)；醯化鋯，如三丁氧基硬脂酸鋯(zirconium tributoxystearate)；或鋯螯合物(zirconium chelate)。該平坦化層也可透過溶膠凝膠塗佈法而形成。該塗佈法包括透過混摻一金屬烷氧化物(如烷氧基鈦或烷氧基鋯)與一溶劑(如醇類或水)準備一塗佈溶液、塗佈該溶液、及在適當溫度下塑化該塗佈溶液。
該平面化層的厚度沒有特別地限制，且可視需要控制在適當的範圍。
將該光學功能層形成在該基板層上，接著藉由雷射進行處理，因此移除其至少一部分。例如，如圖3所示，藉由照射雷射(圖3的箭頭)至形成在該基底層101的全表面上的光學功能層301，可移除該光學功能層的至少一部分。圖3示意地顯示將雷射照射至該光學功能層或堆疊結構301，但本發明不限於此。例如，當該基底層101為一透明基底層時，可照射該雷射至該基底層101。此外，在移除之後維持該光學功能層的形狀係亦顯示在圖3中，但本發明不限於此。例如，如圖5所示，在進行處理之後，該光學功能層301亦 可維持在該基底層101的邊緣。
使用在上述控制的雷射種類沒有特別的限制。例如，可使用具有適當的功率之雷射種類，並能夠適當地移除該光學功能層及平面化層的堆疊結構。
舉例而言，該雷射可為：光纖二極體雷射(fiber diode laser)；固態雷射，例如紅寶石(ruby)(如：Cr3+：Al2O3)或YAG(Nd3+：Y3A15O12)；氣體雷射，例如磷酸鹽玻璃(phosphate glass)、矽酸鹽玻璃(silicate glass)、二氧化碳雷射(CO2 laser)、或準分子雷射(excimer laser)；液態雷射(liquid laser)；半導體雷射(semiconductor laser)；或YLF(Nd3+：LiYF4)。此雷射可以點雷射或線束雷射的形式照射。當視需要用於有效照射時，雷射照射設備可配置為包含一聚焦頭(focusing head)11、一光學濾光片及一雷射源。
照射雷射的條件沒有特別地限制，只要控制該雷射以進行適當的處理。例如，可照射具有約200至400nm或700至1500nm的波長之雷射以約1至150或10至300W的功率，但本發明不限於此。
使用雷射處理該光學功能層的形式沒有特別地限制，並可根據目的而改變。例如，當從上方觀察時，藉由移除該光學功能層的一部分以進行該處理，使得所維持的光學功能層的範圍可與之後所形成的有機層的發光層重疊。除此之外，視需要，該光學功能層可處理為各種圖案。此外，可移除存在對應於塗佈一黏著劑層而與經由雷射處理形成之封裝層(encapsulating layer)接觸的一區域、或裝置製造完成後 對應於在該封裝區域中形成在外部基板上之終端區域之該光學功能層。
在上述控制期間，可更包含在經由雷射處理之光學功能層上形成電極層，以移除用於OED的該基板。在此條件下，可形成電極層，其具有比已處理的光學功能層大的投射面積。此外，可將該電極層形成在該已處理的光學功能層、與其上未形成該光學功能層的該基底層的兩頂部上。
圖4至6顯示在電極層形成之後該基板層的形式。如圖4至6所示，若該光學功能層具有比該基底層與電極層小的投射面積，可以各種形式來處理該光學功能層。例如，如圖4所示，僅可在除了該基底101的邊緣之外的部份形成該光學功能層301，或如圖5所示，該光學功能層301的一部份可保留在該基底層101的邊緣。
圖6顯示當從上方觀察圖4的基板時。如圖6所示，一面積(A)，即，當從上方觀察該基板時，確認該電極層401的一投射面積(A)比位於下方的該光學功能層301的投射面積(B)大。電極層的投射面積(A)與光學功能層的投射面積比率(A/B)可為，例如，1.04、1.06、1.08、1.1或1.15以上。當該光學功能層的投射面積比該電極層小時，之後所描述的光學功能層的結構未曝露於外部環境，因此，該投射面積的比率(A/B)的上限沒有特別地限制。在考慮製造基板的一般環境，該比率(A/B)的上限可為，例如，約2.0、1.5、1.4、1.3或1.25。在該基板，該電極層亦可形成在其上未形成有該光學功能層的該基底層的頂部。可形成與該基底層接觸的該電 極層，或可藉由在電極層與該基底層之間包含一額外的成分而形成該電極層。根據此基板，在OED的具體實施例中，可包含該光學功能層未暴露至外部環境之結構。
舉例而言，如圖6所示，當由上方觀察時，該電極層401可形成在包含超出該光學功能層的所有圓周區域之區域。在此情況下，如圖5所示，當複數的光學功能層存在於該基底層上時，在包含超出至少一該光學功能層所有圓周區域的區域可形成該電極層，例如，之後將描述該光學功能層上至少有一有機層形成。例如，在圖5的結構中，當有機層形成在存在於其右及左邊的該光學功能層的頂部時，可改變圖5的結構以形成該電極層，該電極層藉由延伸至左或右側直到超出存在於右及左邊緣的該光學功能層之所有圓周區域之區域。在上述結構中，藉由如後所述的一種黏附封裝結構至下方未形成有該光學功能層的電極層的方法，可形成在光學功能層未暴露於外部環境的結構。因此，可避免外部濕氣與氧氣經由該光學層而滲透，可穩定地確認在封裝層或電極與該基板之間的黏著強度，且可優異地維持該裝置邊緣之表面硬度。
作為該電極層，例如，可形成傳統用於製造OED(如OLED)的電洞注入或電子注入電極層。
該電洞注入電極層可以一具有如相對高功函數之材料形成之，且當有需要的時候，使用一透明材料。舉例而言該電洞注入電極層可包括一金屬、一合金、一具有約4.0eV以上功函數之電子導電化合物、或至少兩種其 之混合物。這樣的材料可為一金屬，如：金、碘化銅(CuI)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、鋁或銦摻雜鋅氧化物、鎂銦氧化物(magnesium indium oxide)、鎳鎢氧化物(nickel tungsten oxide)；氧化材料，如ZnO、SnO2或In2O3；金屬氮化物，如氮化鎵(gallium nitride)；金屬硒化物(metal selenide)，如硒化鋅(zinc selenide)；或金屬硫化物，如硫化鋅(zinc sulfide)。也可使用如金(Au)、銀(Ag)、或銅(Cu)之金屬薄膜與如ZnS、TiO2或ITO之高折射率透明材料之堆疊結構形成一透明電洞注入電極層。
該電洞注入電極層可透過任意的方式形成，如沉積、濺鍍、化學沉積、或電化學沉積方式。此外，視需要，所形成的電極層可透過習知光刻法或使用陰影光罩之製程圖案化。該電洞注入層之厚度可根據光度或表面阻力而改變，且一般在500nm或10至200nm的範圍。
例如，可使用具有一相當低的公函數的透明材料形成一透明電子注入電子層，或例如，可使用用於形成該電子注入電子層的一適當的材料而形成，但本發明不限於此。使用例如沉積或濺鍍亦可形成該電子注入電極層，視需要可適當地圖案化。該電子注入電極層可視需要而形成具有適當的厚度。
本發明的另一態樣係提供一種製造OED的方法，例如OLED。
說明性的方法可包含依序在製造的基板上形成 包含一發光層的一有機層及一第二電極層，例如，形成在該光學功能層或上述電極層的頂部。視需要，即，當未事先於該基板上形成該電極層時，在該有機層形成之前，第一電極層可進一步形成在該基板上。在此情況下，如上所述，該第一電極層可形成為具有比上述該光學功能層更大的投影面積。
形成在該基板上的該有機層的種類沒有特別地限制。在本技術領域中，已知用於形成OLED的各種功能性材料及其製備方法。
該有機層可包含至少一發光層。該有機層可包括複數層，即，至少兩層發光層。當包括至少兩層發光層時，可藉由一具有電荷生成特性之中間電極層或一電荷產生層(charge generating layer，CGL)之結構來分隔該些發光層，但本發明不限於此。
舉例而言，可使用本領域習知各種螢光(fluorescent)或磷光(phosphorescent)有機材料形成該發光層。能夠使用於該發光層之材料的例子可為，但不限於：一螢光材料，如Alq系材料(例如：三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III)，Alg3)、4-MAlq3、或Gaq3)；一環戊二烯(cyclopentadiene)衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-amine、TBSA、BTP、PAP-NPA、spiro-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、1,2,3,4,5-五苯基-1,3-環戊二烯(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene，PPCP)；4,4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)-1,1'-聯苯 (4,4’-bis(2,2’-diphenylvinyl)-1,1’-biphenyl，DPVBi)、二苯乙烯基苯(distyryl benzene)或其衍生物；或者4-(二氰基亞甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7，-四甲基-9-烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran，DCJTB)、DDP、AAAP、或NPAMLI；一磷發光材料(phosphorescent material)，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、三[2-(4,5'-二氟苯基)吡-C’2,N)銥(III)(fac-tris[2-(4,5’-difluorophenyl)pyridine-C’2,N]iridium(III)，FIrppy)、或雙(2-(2'-苯并咪唑並[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3']銥(乙醯丙酮)(bis(2-(2’-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’)iridium(acetylactonate，Btp2Ir(acac))。該發光層可包括作為主發光體之材料及包含主體摻雜劑系統，其包括作為摻雜劑之苝(perylene)、二苯乙烯基聯苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)、BTX、ABTX、或DCJTB。
該發光層也可透過採用一適當地使用任一呈現發射特性之接受電子有機化合物及供給電子有機化合物，如後述。
只要包含該發光層，該有機層可形成於各種更包括各種本領域習知之功能性層之多種結構中。能夠包含於該有機層之層可為一電子注入層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電洞傳輸層或電洞注入層。
舉例而言，可使用一接受電子有機化合物形成該電子注入層或電子傳輸層。於此，作為該接受電子化合物，可使用習知可選擇的化合物而無特別地限制。作為此有機化合物，可使用：多環化合物(polycyclic compound)，如對三聯苯(p-terphenyl)、四聯苯(quaterphenyl)或其衍生物；多環烴化合物(polycyclic hydrocarbon compound)，如萘(naphthalene)、稠四苯(tetracene)、芘(pyrene)、蔻(coronene)、苯并菲(chrysene)、蔥(anthracene)、二苯蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)、或菲(phenanthrene)或其衍生物；或雜環化合物(heterocyclic compound)，如啡啉(phenanthroline)、菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinolone)、奎喏林(quinoxaline)、或吩嗪(phenazine)或其衍生物。此外，熒光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、紫環酮(perynone)、酞菁紫環酮(phthaloperynone)、萘紫環酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛連氮(aldazine)、二苯并(bisbenzoxazoline)、聯苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、環戊二烯(cyclopentadiene)、喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亞胺(imine)、二苯乙烯(diphenylethylene)、乙烯基蒽(vinylanthracene)、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮 (quinacridone)、紅熒烯(rubrene)、或其衍生物；於日本專利公開號第1988-295695號、日本專利公開號第1996-22557號、日本專利公開號第1996-81472號、日本專利公開號第1993-009470號、或日本專利公開號第1993-017764號揭露之金屬螯合複合物化合物，如具有至少一金屬螯合吲哚化合物(metal chelated oxinoid compound)之金屬螯合物，例如：8-羥基喹啉化合物(8-quinolatos)，包括三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum)、雙(8-羥基喹啉)鎂(bis(8-quinolinolato)magnesium)、雙[苯并(f)-8-羥基喹啉]鋅(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、三(8-羥基喹啉)銦(tris(8-quinolinolato)indium)、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁(tris(5-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、8-羥基喹啉鋰(8-quinolinolatolithium)、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵(tris(5-chloro-8-quinolinolato)gallium)、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣(bis(5-chloro-8-quinolinolato)calcium)、及其衍生物作為一協調物(coordinator)；於日本專利公開號第1993-202011號、日本專利公開號第1995-179394號、日本專利公開號第1995-278124號或日本專利公開號第1995-228579號揭露之噁二唑(oxadiazole)化合物；於日本專利公開號第1995-157473號揭露之三嗪(triazine)化合物；於日本專利公開號第1994-203963號揭露之芪類(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亞芳(distyrylarylene)衍生物；於日本專利公開號第1994-132080號或日本專利公開號第1994-88072號揭露之苯 乙烯基(styryl)衍生物；於日本專利公開號第1994-100857號或日本專利公開號第1994-207170號揭露之二烯烴(diolefin)衍生物；螢光增亮劑，如苯并噁唑(benzooxazole)化合物、苯并噻唑(benzothiazole)化合物、或苯并咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基亞芳化合物，如1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(2-methylstyryl)benzene)、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(3-methylstyryl)benzene)、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(4-methylstyryl)benzene)、二苯乙烯基苯(distyrylbenzene)、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)芐基(1,4-bis(2-ethylstyryl)benzyl)、1,4-雙(3-乙基苯乙烯基)苯(1,4-bis(3-ethylstyryl)benzene)、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯(1,4-bis(2-methylstyryl)-2-methylbenzene)、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯(1,4-bis(2-methylstyryl)-2-ethylbenzene)；二苯乙烯基吡嗪(distyrylpyrazine)化合物，如2,5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-methylstyryl)pyrazine)、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-ethylstyryl)pyrazine)、2,5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis[2-(1-naphthyl)vinyl]pyrazine)、2,5-雙(4-甲氧基苯基)吡嗪(2,5-bis[2-(4-biphenyl)vinyl]pyrazine)、2,5-雙[2-(4-聯苯基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis(4-methoxystyryl)pyrazine)、或2,5-雙[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis[2-(1-pyrenyl)vinyl]pyrazine)；二亞甲基(dimethylidene)衍生物，如1,4-亞苯基二亞甲基(1,4-phenylenedimethylidene)、4,4'-亞苯基二亞甲基(4,4’-phenylenedimethylidene)、2,5-二 甲苯二亞甲基(2,5-xylene dimethylidene)、2,6-亞萘基二亞甲基(2,6-naphthylenedimethylidene)、1,4-亞聯苯基二亞甲基(1,4-biphenylenedimethylidene)、1,4-對-四苯基二亞甲基(1,4-para-terephenylene dimethylidene)、9,10-蒽二基二甲基烷(9,10-anthracenediyldimethylidine)、或4,4'-(2,2-二-鈦-丁基苯基)聯苯(4,4’-(2,2-di-ti-butylphenylvinyl)biphenyl)、或4,4'-(2,2-二苯基乙烯基)聯苯基(4,4’-(2,2-diphenylvinyl)biphenyl)，或其衍生物；於日本專利公開號第1994-49079號或日本專利公開號第1994-293778號揭露之矽烷胺(silanamine)衍生物；於日本專利公開號第1994-279322號或日本專利公開號第1994-279323號揭露之多功能基之苯乙烯化合物；如日本專利公開號第1994-107648號或日本專利公開號第1994-092947號揭露之噁二唑(oxadiazole)化合物；如日本專利公開號第1994-206865號揭露之蒽(anthracene)化合物；於日本專利公開號第1994-145146號揭露之喹啉(oxinate)衍生物；於日本專利公開號第1992-96990號揭露之四苯基丁二烯(tetraphenyl butadiene)化合物；如日本專利公開號第1991-296595號公開之有機三官能基化合物；於日本專利公開號第1990-191694號揭露之香豆素(coumarin)衍生物；於日本專利公開號第1990-196885號揭露之苝(perylene)衍生物；於日本專利公開號第1990-255789號揭露之萘(naphthalene)衍生物；如日本專利公開號第1990-289676或1990-88689號揭露之酞菁紫環酮(phthaloperynone)衍生物；或如日本專利公開號第 1990-250292號揭露之苯乙烯基胺(styryl amine)衍生物可使用作為一包含於低反射層中的接受電子有機化合物。此外，於此，可使用如LiF或CsF作為醫材料形成該電子注入層。
該電洞阻擋層可為一能夠透過防止注入的電洞從電洞注入電極穿過發光層至電子注入電極的方式，提高裝置使用壽命及效率之層，且當有需要的時候，可使用習知材料形成於該發光層及該電子注入層間之適當部位。
舉例而言，該電洞注入層或電洞傳輸層可包括一電子贈與有機化合物。作為該電子贈與有機化合物，可使用N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基苯基(N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminophenyl)、N，N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二氨基聯苯(N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-4,4’-diaminobiphenyl)、2,2-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷(2,2-bis(4-di-p-tollylaminophenyl)propane)、N,N,N',N'四-對-甲苯基-4,4'-二氨基聯苯(N,N,N’,N’-tetra-p-tollyl-4,4’-diaminobiphenyl)、雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷(bis(4-di-p-tollylaminophenyl)phenylmethane)、N，N'-二苯基-N,N'-二(4-甲氧基苯基)-4,4'-二氨基聯苯(N,N’-diphenyl-N,N’-di(4-methoxyphenyl)-4,4’-diaminobiphenyl)、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基二苯醚(N,N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminodiphenylether)、4,4'-雙(二苯基氨基)四苯基 (4,4’-bis(diphenylamino)quadriphenyl)、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯(4-N,N-diphenylamino-(2-diphenylvinyl)benzene)、3-甲氧基-4'-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯(3-methoxy-4’-N,N-diphenylaminostyrylbenzene)、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)環己烷(1,1-bis(4-di-p-triaminophenyl)cyclohexane)、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)-4-苯基環己烷(1,1-bis(4-di-p-triaminophenyl)-4-phenylcyclohexane)、雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷(bis(4-dimethylamino-2-methylphenyl)phenylmethane)、N,N,N-三(對-甲苯基)胺(N,N,N-tri(p-tollyl)amine)、4-(二-對-甲苯基氨基)-4'-[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(4-(di-p-tollylamino)-4’-[4-(di-p-tollylamino)styryl]stilbene)、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基聯苯(N-苯基咔唑N,N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminobiphenyl N-phenylcarbazole)、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)、4,4“-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對-三聯苯(4,4”-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]p-terphenyl)、4,4'-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(3-acenaphthenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、1,5- 雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘(1,5-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]naphthalene)、4,4'-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯苯苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(9-anthryl)-N-phenylamino]biphenylphenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]對三聯苯(4,4’-bis[N-(1-anthryl)-N-phenylamino]-p-terphenyl)、4,4'-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-phenanthryl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(8-fluoranthenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-pyrenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-perylenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(1-暈苯基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2,6-雙(二-對-甲苯基氨基)萘(2,6-bis(di-p-tollylamino)naphthalene)、2,6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘(2,6-bis[di-(1-naphthyl)amino]naphthalene)、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘(2,6-bis[N-(1-naphthyl)-N-(2-naphthyl)amino]naphthalene)、4,4'-雙[N,N-二(2-萘基)氨基]三聯苯(4,4’-bis[N,N-di(2-naphthyl)amino]terphenyl)、4,4'-雙{N-苯基-N-〔4-(1-萘基)苯基]氨基}聯苯 (4,4’-bis{N-phenyl-N-[4-(1-naphthyl)phenyl]amino}biphenyl)、4,4'-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯苯(4,4’-bis[N-phenyl-N-(2-pyrenyl)amino]biphenyl)、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)氨基]氟(2,6-bis[N,N-di-(2-naphthyl)amino]fluorine)、或4,4'-雙(N,N-二-對-甲苯基氨基)三聯苯(4,4’-bis(N,N-di-p-tollylamino)terphenyl)、或芳胺類化合物，如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺(bis(N-1-naphthyl)(N-2-naphthyl)amine)，但本發明並不僅限於此。
該電洞注入層或電洞傳輸層可透過分散該有機化合物於一聚合物中、或使用一由該有機化合物衍生之聚合物而形成。此外，可使用一π-共軛聚合物，如聚對苯乙炔(polyparaphenylenevinylene)及其衍生物、一電洞傳輸無共軛聚合物，如聚(N-乙烯基咔唑)(poly(N-vinylcarbazole))、或一矽烷之σ-共軛聚合物。
該電洞注入層可使用一電性導電聚合物形成，舉例而言：金屬酞菁(metal phthalocyanine)，如銅酞菁(copper phthalocyanine)；非金屬酞菁(non-metal phthalocyanine)；碳層；或聚苯胺(polyaniline)，或該電洞注入層可藉由使用一芳胺化合物作為氧化劑與路易士酸反應而形成。
用以形成上述有機層之各種材料，例如，該發光層、該電子注入層或傳輸層、或電洞注入層或傳輸層，及在本技術領域中已知用於形成它的方法，以及可使用上述的 方法以製造OED。
在形成該有機層之後，可形成一第二電極層。當該第一電極層為可注入電洞時，例如，該第二電極層可為可注入電子的，且當第一電極層為可注入電子時，該第二電極層可為可注入電洞的。形成第二電極層的方法可為在本技術領域中傳統已知的方法，沒有特別地限制。
在形成該第二電極層之後，可形成封裝結構。該封裝結構可為用於避免外部材料(如濕氣或氧氣)流入至OED的該有機層的保護結構。該封裝結構可，例如，一罐(如玻璃罐或金屬罐)或一薄膜，其覆蓋該有機層的全部表面。
圖7顯示在該有機層701及該第二電極層702連續地形成在包含該基底層101、該光學功能層301及第一電極層401之基板上之後，形成罐結構(如玻璃罐或金屬罐)之封裝結構703。如圖7所示，例如，藉由黏接劑704可黏接該封裝結構703。舉例而言，該封裝結構可黏接至在下方未存在有該光學功能層301的該電極層401。舉例而言，如圖7所示，藉由該黏接劑704可將該封裝結構703黏接至該基板的一端。根據此方法，經由該封裝結構可最大化保護的效果。
舉例而言，該封裝結構可為塗佈該有機層與該第二電極層之全部表面的一薄膜。圖8顯示形成在覆蓋該有機層701與該電極層702之全部表面上的薄膜形式之封裝結構801。舉例而言，如圖8所示，該薄膜型封裝結構801可具有塗佈該有機層701及該第二電極層702之全部表面之結 構，且包含該基底層101、該光學功能層301及電極層401之該基板黏接至上方之第二基板802。在此，該第二基板可為，例如，玻璃基板、金屬基板、聚合物薄膜或阻障層。舉例而言，藉由塗佈由熱或紫外線照射而硬化的液體材料(例如，環氧樹脂)、接著硬化該塗佈的材料；或使用黏著片堆疊該基板及上方基板，以形成該薄膜型封裝結構，其中該黏著片為先前使用環氧樹脂所製造之膜類型黏著片。
視需要，該封裝結構可包括一水吸收劑或一吸氧劑(getter)，例如：金屬氧化物，如氧化鈣(calcium oxide)或氧化鈹(beryllium oxide)；金屬鹵化物，如氯化鈣(calcium chloride)或五氧化二磷(phosphorus pentoxide)。舉例而言，該水吸收劑或吸氧劑可包含於一膜類型封裝結構，或設置於一容器類型封裝結構之預定位置。該封裝結構可更包括一阻隔膜或導電膜。
舉例而言，如圖7或8所示，該封裝結構可黏接於該下方不形成有光學功能層之第一電極層之頂部。因此，可實現一密封結構，其中，該光學功能層不暴露於外部環境中。舉例而言，該密封結構可意指該光學功能層整個表面被基底層、電極層、及/或封裝結構所包圍；或該光學功能層藉由包括該基底層、該電極層、及/或該封裝結構所形成之密封結構環繞，從而預防該光學功能層暴露於外部環境。只要該光學功能層不暴露於外部環境中，該密封結構可只包括該基底層、該電極層、及/或該封裝結構，或也可包括其他組成，例如，一導電材料或具有基底層、電 極層及封裝結構之中間層。舉例而言，於圖7或圖8中，其他組成可存在於該基底層101接觸該電極層401或該第一電極層401接觸該封裝結構701或801之部分或其他位置。作為該組成，可使用一有機材料、無機材料、或具有低濕氣滲透性之有機/無機結合材料、或一絕緣層或一輔助電極。
根據用於形成OED(如OLED)之基板之製備方法及OED，透過避免濕氣或空氣滲透至該裝置中，可提供用於形成具有優異的光萃取效率並改善可靠性之裝置之基板、或使用其之裝置。
101‧‧‧基底層
102、201、301‧‧‧光學功能層
1021‧‧‧散射顆粒
1022‧‧‧黏著劑
401‧‧‧第一電極層
701‧‧‧有機層
702‧‧‧第二電極層
703、801‧‧‧封裝結構
704‧‧‧黏接劑
802‧‧‧第二基板
圖1及2顯示該光學功能層的說明性具體實施例之示意圖。
圖3顯示製備用於有機電子裝置之基板之方法的說明性具體實施例之示意圖。
圖4至6顯示電極層形成在光學功能層上的結構的說明性具體實施例之示意圖。
圖7至8係具有封裝結構之OED的說明性具體實施例之示意圖。
圖9至10係顯示根據實施例1將光學功能層與與平面化層圖案化之照片。
圖11係顯示根據比較例1的發光狀態之照片。
圖12係顯示根據實施例1的發光狀態之照片。
之後，將詳細說明本發明的說明性實施例。然而，本發明不限於下述所揭示的具體實施例。
實施例1
藉由充分地分散具有約200nm的平均直徑的TiO2顆粒於矽氧烷黏著劑(Si(OCH3)4)溶液中來製備一塗佈溶液。藉由塗佈已製備的塗佈溶液於一玻璃基板上以形成一散射層。之後，藉由塗佈矽氧烷黏著劑(在乾燥之後的折射率：1.8)來形成平面化層，其中具有約10nm的平均直徑之高折射填料(二氧化鈦)，將矽氧烷黏著劑分散在該散射層上。接著，藉由照射雷射，圖案化該平面化層與該散射層以具有約3mm的圖案寬度，並移除塗佈在該區域中除了發光層之外的光萃取層。具體而言，如圖9所示，使用雷射在水平方向上將該光學功能層與該平面化層圖案化，並在垂直方向上再一次圖案化，產生如圖10所示的形式所處理的層。在圖9及10中，白色部份為在該玻璃基板上形成該光學功能層與該平面化層之區域，且黑色部份為將該光學功能層與該平面化層移除之區域。經由一傳統的方法，藉由在該圖案化基底層之全部表面形成ITO透明電極，連續地堆疊包含發光層的有機層、及金屬電極，以形成如圖5所示的具有圖案化的光學功能層(散射層與平面化層)的基板。之後，黏接封裝結構(玻璃罐)，而產生如圖7所示的具體的裝置。
比較例1
除了不進行雷射處理之外，如實施例1所述來製備OLED。
實驗例1
拍攝實施例1或比較例1所製備的OED之發光狀態。接著，在500小時之後，在85℃烘箱中再次拍攝該二極體的外觀。圖11顯示(a)在較早的階段及(b)500小時之後的比較例1，藉由觀察OED的外觀所獲得的結果。圖12顯示(a)在較早階段及(b)在500小時之後之實施例1，藉由觀察OED的外觀所獲得的結果。參考圖11，根據比較例1在500小時之後，通常可觀察到相對較暗的發光區域增加，並大服降低發光均勻度。相反地，根據實施例1，如圖12所示，可確認即使在500小時之後，較暗的發光區域較少並維持發光均勻度。
101‧‧‧基底層
102‧‧‧光學功能層
1021‧‧‧散射顆粒
1022‧‧‧黏著劑

Claims (15)

  1. 一種製備用於有機電子裝置之基板之方法，包括：以一雷射來處理在一基底層上之一光學功能層，使得該光學功能層具有比該基底層小的投射面積。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該光學功能層為一散射層。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該散射層係為一包含一散射顆粒的層。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該散射層係為一包含一不平坦結構之層。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，藉由濕塗佈、溶膠-凝膠、沉積、或微壓紋方法，在該基底層上形成該光學功能層。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該光學功能層包含一散射層及在該散射層上形成一平面化層。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，藉由向該光學功能層或該基底層照射雷射來進行該處理。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，藉由照射一點雷射或一線束雷射(line beam laser)來進行該處理。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，更包含在已處理的光學功能層上形成一電極層，其具有比該光學功能層更大的投射面積。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，形成該電極層以具有該電極層之一投射面積(A)與該光學功能層的一投射面積(B)的比值(A/B)為1.04以上。
  11. 一種製備有機電子裝置之方法，包括：在如申請專利範圍第1項所形成的該基板之光學功能層上，連續地形成包括一放射層以及一第二電極層之一有機層。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，更包括：在該基板上形成該有機層之前，形成具有比該光學功能層更大的投射面積之一第一電極層。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中，形成該第一電極層以具有該第一電極層的一投射面積(A)與該光學功能的投射面積(B)的比值(A/B)為1.04以上。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，更包含在形成該第二電極層之後形成一封裝結構。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該封裝結構形成在該基底層上與未形成該光學功能層的該第一電極層下方接觸。
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