CN104576321A - 一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，该电极结构的制作方法包括：在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形，或者，对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形；这样，通过在碳纳米管材料中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，从而可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。

Description

一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置。
背景技术
目前，柔性显示技术发展迅速，柔性显示装置凭借其轻薄、耐用、可弯曲等特性，已经成为显示领域的重要发展方向。
柔性显示装置中的电极，例如像素电极，需要具有良好的机械强度和柔韧性，以满足柔性显示装置的可弯曲特性。由于诸如氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxides,IZO)等透明导电氧化物材料的机械强度和柔韧性较差，因此，透明导电氧化物不适于制作柔性显示装置中的电极。现有的柔性显示装置一般采用碳材料制作电极，虽然采用碳材料可以满足柔性显示装置对机械强度和柔韧性的要求，但采用碳材料制作的电极的方阻较大，会增加柔性显示装置的功耗。
因此，如何制作具有较低方阻值的柔性电极，以适用于柔性显示中，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，用以制作具有较低方阻值的柔性电极，以适用于柔性显示中。
因此，本发明实施例提供了一种电极结构的制作方法，包括：
在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
采用改性材料对所述碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形；或者，对所述碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对所述碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成包括第一电极的图形之后，还包括：
在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
对所述保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与所述第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括：
在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理之后，在对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺之前，还包括：
在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括：
对所述保护层薄膜和所述经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极和第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形与所述第一电极的图形一一对应，且所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括：
在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括：
在衬底基板上涂布碳纳米管分散液；
对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括：
在衬底基板上涂布固化材料；
采用拉膜工艺在所述固化材料上形成碳纳米管膜层薄膜；
对形成有所述碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行固化处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括：
将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对所述衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理；
对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括：
将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对经过所述衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括：
将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min-30min；
将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括：
将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min-30min。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括：
在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液；
采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理；
对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括：
在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液；
采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括：
在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种；
在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括：
在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括：
对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺；
对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括：
对碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺。
本发明实施例还提供了一种电极结构，采用本发明实施例提供的上述方法制作。
本发明实施例还提供了一种显示基板，包括：本发明实施例提供的上述电极结构。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述显示基板。
本发明实施例提供的上述电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，该电极结构的制作方法包括：在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形，或者，对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形；这样，通过在碳纳米管材料中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，从而可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
附图说明
图1-图3分别为本发明实例一至实例三中电极结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
下面以三个具体的实例对本发明实施例提供的电极结构的制作方法的具体实施方式进行详细地说明。
实例一：本发明实施例提供的电极结构的制作方法，如图1所示，具体包括如下步骤：
S101、在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
S102、采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理；
S103、对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形。
本发明实例一提供的上述方法，通过在碳纳米管膜层薄膜中掺入改性材料可以保证构图工艺后形成的第一电极具有较低的方阻值，因此，采用本发明实例一提供的上述方法制作的第一电极可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
在具体实施时，由于第一电极的材料为掺有改性材料的碳纳米管材料，其稳定性较差，因此，在执行本发明实例一中的步骤S103，形成包括第一电极的图形之后，如图1所示，还可以包括如下步骤：
S104、在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
S105、对保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面；即第二电极可以仅覆盖对应的第一电极的上表面，或者，第二电极也可以覆盖对应的第一电极的上表面和侧面，在此不做限定；这样，第二电极可以保护第一电极，使第一电极具有良好的稳定性。
在具体实施时，在执行本发明实例一中的步骤S104，在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体可以通过以下方式实现：在形成有第一电极的图形的衬底基板上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料(PEDOT/PSS)、聚对苯撑乙烯材料(PPV)、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。具体地，用于形成保护层薄膜的高导电性材料并非局限于上述材料，在此不做限定。具体地，可以采用风刀对经过上述材料进行干燥处理，当然，也可以采用其他类似的方式对上述材料进行干燥处理，在此不做限定。
在具体实施时，本发明实例一中的步骤S101，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体可以包括如下步骤：
首先，在衬底基板上涂布碳纳米管分散液；
然后，对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理。具体地，可以采用清洗机干燥工艺对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理，当然，也可以采用其他类似的方式对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理，在此不做限定。
在具体实施时，本发明实例一中的步骤S101，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体可以包括如下步骤：
首先，在衬底基板上涂布固化材料；具体地，固化材料可以为热固化材料，或者，也可以为紫外光固化材料，在此不做限定；
然后，采用拉膜工艺在固化材料上形成碳纳米管膜层薄膜；具体地，拉膜工艺的具体过程为：将生长在晶圆上的碳纳米管切割下来，放在涂布有固化材料的衬底基板上，沿平行于衬底基板的平面拉伸该碳纳米管，形成碳纳米管膜层薄膜；
最后，对形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行固化处理。具体地，根据涂布的固化材料的类型进行相应的固化处理：在涂布的固化材料为热固化材料时，对形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行加热处理；在涂布的固化材料为紫外光固化材料时，对形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行紫外光照射处理。
在具体实施时，本发明实例一中的步骤S102，采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体可以包括如下步骤：
首先，将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
然后，从改性溶液中取出衬底基板，采用去离子水对衬底基板进行清洗；
最后，对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。具体地，可以采用风刀对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理，当然，也可以采用其他类似的方式对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实例一中，将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体可以通过以下方式实现：将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于二氧化氮(NO2)溶液、溴(Br2)溶液、硝酸(HNO3)溶液、亚硫酰氯(SOCl2)溶液、全氟化磺酸酯(Nafion)溶液和四氟四氰基醌二甲烷(TCNQF4)溶液中的一种或几种溶液中，放置5min-30min为佳。
在具体实施时，本发明实例一中的步骤S102，采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体可以包括如下步骤：
首先，在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液；
然后，采用去离子水对喷淋有改性溶液的衬底基板进行清洗；
最后，对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。具体地，可以采用风刀对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理，当然，也可以采用其他类似的方式对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理，在此不做限定。
在具体实施时，本发明实例一中，在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液，具体可以通过以下方式实现：在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋二氧化氮(NO2)溶液、溴(Br2)溶液、硝酸(HNO3)溶液、亚硫酰氯(SOCl2)溶液、全氟化磺酸酯(Nafion)溶液和四氟四氰基醌二甲烷(TCNQF4)溶液中的一种或几种。
在具体实施时，本发明实例一中的步骤S103，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体可以通过以下方式实现：对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺。当然，此处的构图工艺并非局限于采用激光烧灼工艺，还可以为诸如光刻等方式，在此不做限定。
实例二：本发明实施例提供的电极结构的制作方法，如图2所示，具体包括如下步骤：
S201、在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
S202、对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形；
S203、采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形。
本发明实例二提供的上述方法，通过在碳纳米管电极的图形中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，因此，采用本发明实例二提供的上述方法制作的第一电极可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
在具体实施时，由于第一电极的材料为掺有改性材料的碳纳米管材料，其稳定性较差，因此，在执行本发明实例二中的步骤S203，形成包括第一电极的图形之后，如图2所示，还可以包括如下步骤：
S204、在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
S205、对保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面；即第二电极可以仅覆盖对应的第一电极的上表面，或者，第二电极也可以覆盖对应的第一电极的上表面和侧面，在此不做限定；这样，第二电极可以保护第一电极，使第一电极具有良好的稳定性。
在具体实施时，本发明实例二中的步骤S201在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施与实例一中步骤S101在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明实例二中的步骤S202对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施与实例一中步骤S103对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明实例二中的步骤S203采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理的具体实施与实例一中步骤S102采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理的具体实施类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明实例二中的步骤S204在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施与实例一中步骤S104在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
实例三：本发明实施例提供的电极结构的制作方法，如图3所示，具体包括如下步骤：
S301、在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
S302、采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理；
S303、在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
S304、对保护层薄膜和经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极和第二电极的图形；其中，第二电极的图形与第一电极的图形一一对应，且第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面；即第二电极可以仅覆盖对应的第一电极的上表面，或者，第二电极也可以覆盖对应的第一电极的上表面和侧面，在此不做限定；这样，第二电极可以保护第一电极，使第一电极具有良好的稳定性。
本发明实例三提供的上述方法，通过在碳纳米管膜层薄膜中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，并且，第一电极上方的第二电极可以保护第一电极以使第一电极具有良好的稳定性，因此，采用本发明实例三提供的上述方法制作的电极不仅可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求，还可以满足柔性显示对柔性电极的长期稳定性的要求。
在具体实施时，本发明实例三中的步骤S301在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施与实例一中步骤S101在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明实例三中的步骤S302采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理的具体实施与实例一中步骤S102采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理的具体实施类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明实例三中的步骤S303在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施与实例一中的步骤S104在形成有第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜的具体实施类似，在此不做赘述。
在具体实施时，本发明实例二中的步骤S304对保护层薄膜和经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施与实例一中步骤S103对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺的具体实施类似，在此不做赘述。
通过实验测试，采用本发明实施例提供的上述方法制作的电极结构的电导率可以到达12000s/cm-90000s/cm，方阻值可以达到10Ω/□，可以满足柔性显示对电极的柔韧性和导电性的要求。
需要说明的是，采用本发明实施例提供的上述方法形成的包括第一电极的图形具体可以为一个整体的结构，例如：液晶显示面板中整层设置的公共电极的图形；或者，也可以为多个独立的结构，例如：液晶显示面板中可以独立显示的多个像素电极的图形，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板，包括本发明实施例提供的上述电极结构，该显示基板的实施可以参见上述电极结构的实施例，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的上述显示基板可以应用于高级超维场开关(Advanced Super Dimension Switch,ADS)型液晶显示面板或平面内开关(In-Plane Switch,IPS)型液晶显示面板，本发明实施例提供的上述显示基板可以为ADS型液晶显示面板或IPS型液晶显示面板中的阵列基板，本发明实施例提供的上述电极结构可以为阵列基板一侧的像素电极或公共电极。本发明实施例提供的上述显示基板也可以应用于扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示面板，本发明实施例提供的上述显示基板可以为TN型液晶显示面板中的阵列基板，本发明实施例提供的上述电极结构可以为阵列基板一侧的像素电极；或者，本发明实施例提供的上述显示基板也可以为TN型液晶显示面板中的彩膜基板，本发明实施例提供的上述电极结构可以为彩膜基板一侧的公共电极；在此不做限定。
具体地，本发明实施例提供的上述显示基板还可以应用于有机电致发光显示面板(Organic Electroluminesecent Display,OLED)，本发明实施例提供的上述电极结构可以为OLED中的阵列基板一侧的阳极或阴极，在此不做限定。
当然，本发明实施例提供的上述显示基板还可以应用于电子纸等显示装置，在此不做限定。
需要说明的是，本发明实施例提供的上述显示基板的其他部件和现有的结构大致相同，在此不作详述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置，该电极结构的制作方法包括：在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；采用改性材料对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形，或者，对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形；这样，通过在碳纳米管材料中掺入改性材料可以保证形成的第一电极具有较低的方阻值，从而可以满足柔性显示对柔性电极的导电性的要求。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种电极结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜；
采用改性材料对所述碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极的图形；或者，对所述碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括碳纳米管电极的图形，采用改性材料对所述碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，形成包括第一电极的图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成包括第一电极的图形之后，还包括：
在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
对所述保护层薄膜进行构图工艺，形成包括与所述第一电极的图形一一对应的第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括：
在形成有所述第一电极的图形的衬底基板上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理之后，在对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺之前，还包括：
在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜；
对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括：
对所述保护层薄膜和所述经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，形成包括第一电极和第二电极的图形；其中，所述第二电极的图形与所述第一电极的图形一一对应，且所述第二电极的图形至少覆盖对应的第一电极的图形的上表面。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上采用高导电性材料形成保护层薄膜，具体包括：
在经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜上涂布聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐材料、聚对苯撑乙烯材料、聚噻吩类材料、聚硅烷类材料、三苯甲烷类材料、三芳胺类材料和吡唑啉类材料中的一种或几种，并对其进行干燥处理。
6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括：
在衬底基板上涂布碳纳米管分散液；
对涂布的碳纳米管分散液进行干燥处理。
7.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成碳纳米管膜层薄膜，具体包括：
在衬底基板上涂布固化材料；
采用拉膜工艺在所述固化材料上形成碳纳米管膜层薄膜；
对形成有所述碳纳米管膜层薄膜的衬底基板进行固化处理。
8.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括：
将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对所述衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理；
对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括：
将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长；
从所述改性溶液中取出所述衬底基板，采用去离子水对经过所述衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括：
将形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min-30min；
将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于改性溶液中，放置预设时长，具体包括：
将形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种溶液中，放置5min-30min。
10.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，对碳纳米管膜层薄膜进行掺杂工艺处理，具体包括：
在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液；
采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理；
对碳纳米管电极的图形进行掺杂工艺处理，具体包括：
在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液；
采用去离子水对喷淋有所述改性溶液的衬底基板进行清洗；
对经过清洗后的衬底基板进行干燥处理。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在预设时间内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括：
在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管膜层薄膜的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种；
在预设时间内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋改性溶液，具体包括：
在5min-30min范围内，在形成有碳纳米管电极的图形的衬底基板上喷淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亚硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一种或几种。
12.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括：
对经过掺杂工艺处理的碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺；
对碳纳米管膜层薄膜进行构图工艺，具体包括：
对碳纳米管膜层薄膜进行激光烧灼工艺。
13.一种电极结构，其特征在于，采用如权利要求1-12任一项所述的方法制作。
14.一种显示基板，其特征在于，包括：如权利要求13所述的电极结构。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求14所述的显示基板。
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