KR20160017785A - 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수의 신호라인이 배열된 기판, 기판 상에 형성되고, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터 및 트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극에 연결된 제1전극에 대응되도록 형성된 제2전극을 포함하되, 다수의 신호라인, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극 및 제2전극 중 적어도 하나는, 접착력을 갖는 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

플렉서블 표시장치 및 그 제조방법{FLEXIBLE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기전계발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.
최근에는 기존의 유연성(Flexibility)이 없는 유리기판을 대신하여 플라스틱 등과 같이 유연성이 있는 재료를 사용하여 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있는 플렉서블 기판을 이용한 플렉서블(flexible) 표시장치 또는 폴딩(folding) 표시장치가 급부상하고 있다.
이러한 플렉서블 표시장치의 경우, 외력에 의해 휘어지고 접히는 현상이 지속적으로 발생하기 때문에, 배선 등의 금속패턴의 접착력, 전기전도도, 표면의 균일도(uniformity), 내구성, 신뢰성 등이 저하되는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은 배선 등의 도전체의 접착력, 전기전도도, 표면의 균일도, 내구성, 신뢰성을 향상시키고, 제조원가를 절감시키는 표시장치를 제공함에 있다.
전술한 과제를 해결하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 다수의 신호라인이 배열된 기판과, 이 기판 상에 형성되고, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터와, 이 트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극에 연결된 제1전극에 대응되도록 형성된 제2전극 등을 포함하는 플렉서블 표시장치를 제공할 수 있다.
이러한 플렉서블 표시장치에서, 기판 상에 형성되는 다수의 신호라인, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극 및 제2전극 등 중 적어도 하나는, 접착력을 갖는 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체로 구현될 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은, 기판 또는 이 기판상에 위치하는 절연막 상에 접착력을 갖는 고분자물질을 형성하는 단계와, 고분자물질 상에 다수의 금속 나노와이어를 도포하는 단계와, 다수의 금속 나노와이어를 서로 교차 연결하여 금속 나노와이어 구조체를 형성하면서 고분자물질에 삽입시켜, 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체를 형성하는 단계 등을 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 발명은, 기판과, 이 기판 상에 위치하며, 접착력을 갖는 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체를 포함하는 플렉서블 표시장치를 제공할 수 있다.
여기서 도전체는 기판 상에 형성된 트랜지스터의 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극과, 상기 기판 상에 형성된 신호 라인과 및 공통 전극 중 적어도 하나일 수 있고, 고분자물질은 상기 기판과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명은 배선 등의 도전체의 접착력, 전기전도도, 표면의 균일도, 내구성, 신뢰성이 향상시키고, 제조원가를 절감시키는 효과가 있다.
도 1은 실시예들에 따른 플렉서블 표시장치에 형성된 도전체의 일부를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 일실시예에 따른 플렉서블 유기발광표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 플렉서블 유기발광표시장치의 A-A'를 절개한 단면도이다.
도 4는 도 2의 플렉서블 유기발광표시장치의 B-B'를 절개한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치에 형성된 도전체를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 6은 또다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 금속 나노와이어 구조체를 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 7a는 또다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치에 관하여 저항과 벤딩 사이클의 관계를 나타낸 그래프이고, 도 7b는 도 7a의 그래프를 나타낸 표이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 1은 실시예들에 따른 플렉서블 표시장치에 형성된 도전체의 일부를 나타내는 개략적인 단면도와 평면도이다.
도 1은 도전체(180)의 일부를 x 방향으로의 단면도와 y 방향으로의 평면도로 나타낸 도면이고, 도 1을 참조하면, 도전체(180)는 접착력을 갖는 고분자물질(182)에 금속 나노와이어 구조체(184)가 삽입되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기서 금속 나노와이어 구조체(184)는 다수의 금속 나노와이어가 서로 교차하여 연결된 것이다. 또한 금속 나노와이어 구조체(184)는 은 나노와이어 구조체일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
금속 나노와이어는 일반적으로 전도성 나노 크기의 구조들을 의미하며, 이들 중 적어도 하나의 치수(즉, 폭 또는 직경)는 500 ㎚ 미만, 예를 들어 100 ㎚ 또는 50 ㎚ 미만일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
나노구조들은 임의의 도전성 재료로 생성될 수 있다. 예를 들어, 금속 나노와이어는 원소 금속(예를 들어, 전이 금속들) 또는 금속 화합물(예를 들어, 금속 산화물)을 포함하는 금속성 재료로 생성될 수 있다. 금속성 재료는 또한 2가지 이상의 유형의 금속을 포함하는 바이메탈 재료 또는 금속 합금일 수 있다. 적합한 금속들은 은, 금, 구리, 니켈, 도금 은, 백금 및 팔라듐을 포함하지만, 이들로 제한되지는 않는다. 본 설명이 주로 은 나노와이어를 설명하더라도, 임의의 물질이 사용될 수 있음에 유의해야 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 금속 나노와이어 구조체(184)는 고분자물질(182)에 삽입되어 있다. 또한 금속 나노와이어 구조체(184)는 다수의 금속 나노와이어가 적어도 한 지점에서 다른 금속 나노와이어와 전기적으로 연결되어 있다.
이에 따라 도전체(180)가 플렉서블 표시장치에 포함되었을 경우, 지속되는 구부림이나 접힘(folding)에 대항하는 능력인 피로파괴 신뢰성을 확보할 수 있다. 금속 나노와이어 구조체(484)의 교차 연결 구조로 인하여, 지속적인 구부러짐과 접힘의 상황에서 크랙(crack)의 발생비율을 감소시키고, 우수한 내구성과 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한 금속 나노와이어 구조체(184)와 고분자물질(182)의 결합 구조 또는 상호작용으로 인해, 금속 나노와이어 구조체(184)의 표면 균일도(uniformity)가 향상되어, 표면 평탄화를 위한 평탄화층이 적층되지 않아도 되는 장점이 있다. 이에 따라 전체적인 표시장치(200)의 패널의 두께를 줄일 수 있다.
금속 나노와이어 구조체(184)가 은 나노와이어 구조체인 경우, 은(Ag)의 높은 전기 전도도로 인하여, 높은 전도성을 확보할 수 있다. 또한 다수의 은 나노와이어가 연결(junction)되어 구부림이나 접힘의 과정 중 어느 부분의 나노와이어가 끊어지더라도 전도도의 손실이 최소화될 수 있다.
금속 나노와이어 구조체(184)는 비선형이고 일정한 규칙이 없는 형태를 가질 수 있다. 이는 금속 나노와이어의 접합 과정에서 불규칙적으로 나노와이어들 간에 결합이 이루어지기 때문이다. 이에 대해서는 후술한다.
한편, 고분자물질(182)은 접착력을 갖는 플라스틱 계열, 예를 들어 폴리이미드 계열의 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ODA(4,4'-oxydianiline), BDSA(4,4'-diaminodiphenyl-2,2'-disulfonic acid), HFBAPP(2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane), AHHFP(2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane) 중 적어도 하나 이상의 화합물과, BTDA(3,3'-4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride), TMA(trimellitic anhydride), ODPA(4,4'-oxydiphthalic anhydride) 중 적어도 하나 이상의 화합물이 반응하여 형성된 폴리이미드 계열의 화합물일 수 있으며, 수소결합을 통해 접착력을 향상시킬 수 있는 친수성(hydrophilic) 작용기를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
폴리이미드 계열의 고분자물질(182)은 접착력을 갖고, 내열성이 강해서 열이 가해지는 공정 중에 변형되거나 변질되지 않으며, 표시장치에 유연한 성질인 플렉서블리티(flexiblity)를 제공하는 효과가 있다.
한편 고분자물질(182)은 고분자물질(182)의 하부층인 기판(미도시) 또는 절연막(미도시) 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 이 경우 기판 또는 절연막과의 접착력이 향상될 수 있다. 이에 따라 플렉서블 표시장치의 내구성과 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
플렉서블 표시장치에 적용되는 도전체(180)의 경우에 있어서, 고분자물질(182)은 굽힘 또는 접힘에 대응하기 위해, 경도가 낮은 물질이어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바를 간략하게 다시 설명하면, 플렉서블 표시장치의 플렉서블리티(Flexibility)를 제공하기 위하여, 플렉서블 표시장치 내 도전체(180)를 접착력을 갖는 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 형태로 구현한다.
기판(미도시) 상에 형성된 트랜지스터의 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극과, 기판 상에 형성된 신호 라인과, 공통 전극(예: LCD의 공통전압 전극, OLED의 캐소드 전극) 등 중 하나를 전술한 바와 같은 도전체(180)로 형성할 수 있다.
또한, 플렉서블 표시장치에서, 표시패널에 애드온(Add-on) 타입으로 터치스크린패널(TSP: Touch Screen Panel)이 접착되어 있거나, 표시패널에 터치스크린 패널이 온 셀 또는 인 셀 타입으로 내장되어 있는 경우, 터치스크린 패널 또는 터치스크린 패널을 내장하는 표시패널에 가로 또는 세로 방향으로 길게 형성되거나 블록(Block) 등으로 크게 형성될 수 있는 터치 전극도, 플렉서블 표시장치의 플렉서블리티(Flexibility)를 위하여, 전술한 바와 같은 구조의 도전체(180)로 형성해줄 수 있을 것이다.
이뿐만 아니라, 전술한 바와 같은 구조의 도전체(180)는, 플렉서블리티(Flexibility)를 높이기 위하여, 플렉서블 표시장치 내 도전성을 갖는 그 어떠한 패턴에도 적용될 수 있을 것이다.
이하에서는, 도 1과 관련하여 설명한 도전체를 포함하는 플렉서블 유기발광표시장치에 대하여 설명한다. 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 본 발명의 실시예들은 유기발광표시장치 뿐만 아니라 플렉서블 액정표시장치 등 다른 플렉서블 표시장치에도 적용될 수 있음에 유의하여야 한다.
도 2는 일실시예에 따른 플렉서블 유기발광표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2를 참조하면, 유기발광표시장치(200)는 다수의 신호라인(210, 212, 214, 216, 218)이 배열된 기판(미도시), 기판(미도시) 상에 형성되고, 게이트전극(214', 216, 228), 소스전극(210', 212', 226) 및 드레인전극(222, 225)을 포함하는 트랜지스터(T21, T22, T23); 및 트랜지스터(T21, T22, T23)의 소스전극(210', 212', 226) 또는 드레인전극(222, 225)에 연결된 제1전극(230)에 대응되도록 형성된 제2전극(미도시)을 포함할 수 있다.
플렉서블 유기발광표시장치(200)는 상부발광(top emission) 방식에 의할 수도 있고, 하부발광(bottom emission) 방식에 의할 수 있다.
구체적으로, 기판(미도시)은 발광영역(Emission Area, EA) 및 회로영역(Circuit Area, CA)으로 이루어진 다수의 화소영역(Pixel Area, PA)으로 이루어진다.
화소영역(PA)은, 다수가 존재하고, 여기서 회로영역(CA)은 3개의 트랜지스터들(T21, T22, T23)과 제1라인 내지 제5라인(210, 212, 214, 216, 218), 스토리지 캐패시터(Cstg) 등을 포함한다. 한편, 화소영역(PA)의 발광영역(EA)은 제1라인(210) 및 제2라인(212), 화소전극(230), 발광영역(EA)의 가장자리 영역과 중첩하는 뱅크(미도시)를 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(T21)는 스위칭 트랜지스터일 수 있고, 제1소스전극(210'), 제1드레인전극(222), 제1반도체층(211) 및 제1게이트(214')를 포함하고, 제1트랜지스터(T21)의 일단은 스토리지 캐패시터(Cstg)에 연결되며, 타단은 제1라인(210)에 연결된다.
한편, 제2트랜지스터(T22)는 구동 트랜지스터일 수 있고, 제2소스전극(212'), 제2드레인전극(225) 및 제2게이트(228)을 포함하고, 일단은 제2라인(212)에 연결되며, 타단은 제1트랜지스터(T21)에 연결된다.
제3트랜지스터(T23)는 센싱 트랜지스터일 수 있고, 제3소스전극(226), 제3드레인전극(225) 및 제3게이트(216)을 포함하고, 여기서 제3드레인전극(225)은 제2트랜지스터(T22)와 화소전극(230) 사이의 노드에 연결되며, 제3소스전극(226)은 제5라인(218)에 연결된다.
제1라인(210)은 데이터 라인일 수 있고, 제2라인(212)은 고전압전원 공급용 전압라인(VDD 라인)일 수 있다. 한편, 제3라인(214)은 제1스캔라인, 제4라인(216)은 제2스캔라인이며, 제5라인(218)은 기준전압라인일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
유기발광표시장치(200)는 제1라인(210)과 제3라인(220)의 교차로 정의된 발광영역(EA)에서 화소전극(260)과 공통전극(미도시) 및 1층 이상의 유기층(미도시)을 포함하고 있으면서, 기판(미도시) 상에 형성된 제1트랜지스터(T21)로부터 공급되는 전류에 따라 발광한다.
여기서 다수의 신호라인(210, 212, 214, 216, 218), 게이트전극(214', 216, 228), 소스전극(210', 212', 226), 드레인전극(222, 225) 및 제2전극(236) 중 적어도 하나는, 접착력을 갖는 고분자물질(182)에 금속 나노와이어 구조체(184)가 삽입되어 있는 도전체(180)일 수 있다. 다만 제2전극(236)의 경우, 플렉서블 유기발광표시장치(200)가 하부발광 방식에 의하는 경우에 도전체(180)로 이루어질 수 있다. 하부발광 방식의 경우, 발광된 광이 제2전극(236)에서 반사되어 제1전극(230) 방향으로 방출된다.
금속 나노와이어 구조체(184)는 다수의 금속 나노와이어가 서로 교차하여 연결된 형태일 수 있다. 또한 금속 나노와이어 구조체(184)는 은 나노와이어 구조체일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
플렉서블 유기발광표시장치(200)에 있어서, 금속 나노와이어 구조체(184)와 고분자물질(182)은 일체로서 도전체(180)를 구성한다. 고분자물질(182)은 접착력이 강한 플라스틱 계열의 물질일 수 있고, 예를 들면, 폴리이미드일 수 있다.
이러한 도전체(180)는 접착력이 강하고, 표면이 균일하여 별도의 평탄화층을 형성하지 않아도 되는 효과가 발생한다.
금속 나노와이어 구조체(184)는 서로 하나 이상의 부분에서 교차되어 전기적으로 연결(juction)되어 있고, 금속 나노와이어 구조체(184)와 고분자물질(182)은 일체로서 강하게 결합되어 있다. 따라서 플렉서블 표시장치(200)가 지속적으로 접히거나 굽혀지는 경우에 있어서, 도전체(180)는 내구성, 신뢰성을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
한편, 도전체(180)는 감광성물질을 포함할 수 있고, 감광성 물질은, 예를 들어, 포토 아크릴(photo acryl) 계열의 물질일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 이러한 감광성 물질은 도전체(180)를 패터닝하는 경우, 공정 수를 감소시켜 제조 원가를 절감시키는 공정상의 이점을 가져온다. 이에 대해서는 도 5a 내지 도 5e와 관련하여 설명한다.
도 3은 도 2의 플렉서블 유기발광표시장치(200)의 A-A'를 절개한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 유기발광표시장치(200)는 기판(202) 상에 형성된 제1라인(210) 및 제2라인(212), 제1라인(210) 및 제2라인(212) 상에 형성된 제1절연막(229)을 포함하고, 또한 제1절연막(229) 상에 형성된 제1전극(230)과, 제1전극(230)의 가장자리를 따라 형성된 뱅크(232), 뱅크(232)에 의해 노출된 제1전극(230) 상에 형성되는 유기층(234) 및 유기층(234)과 뱅크(232)를 덮도록 형성된 제2전극(236)을 포함할 수 있다. 제2전극(236) 상에는 유기층(234)을 수분과 산소로부터 보호하기 위한 보호층(238)이 형성될 수 있다.
여기서 제1라인(210), 제2라인(212) 및 제2전극(236) 중 적어도 하나는 전술한 도전체(180)일 수 있다. 각각의 금속 나노와이어 구조체(184)는 은 나노와이어 구조체일 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 각각 다른 금속이 포함될 수도 있다. 금속 나노와이어 구조체(184)는 접착력을 갖는 고분자물질(182)에 삽입되어 강하게 결합되고, 또한 고분자물질(182)에 의해 하부층들인 기판(202), 유기층(234), 뱅크(232)와도 강하게 결합될 수 있다.
이때, 신호라인들(210, 212)의 고분자물질(182)은 기판(202)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 다시 말해서, 제1라인(210) 및 제2라인(212)은 기판(20)과 동일한 물질로 이루어짐으로써, 접착력이 향상될 수 있다.
구체적으로 플렉서블 유기발광표시장치(200)의 기판(202)은 플라스틱 계열, 예를 들어 폴리이미드 계열의 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ODA(4,4'-oxydianiline), BDSA(4,4'-diaminodiphenyl-2,2'-disulfonic acid), HFBAPP(2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane), AHHFP(2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane) 중 적어도 하나 이상의 화합물과, BTDA(3,3'-4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride), TMA(trimellitic anhydride), ODPA(4,4'-oxydiphthalic anhydride) 중 적어도 하나 이상의 화합물이 반응하여 형성된 폴리이미드 계열의 화합물일 수 있으며, 수소결합을 통해 접착력을 향상시킬 수 있는 친수성(hydrophilic) 작용기를 가질 수 있다.
이 경우 제1라인(210) 및 제2라인(212) 또한 기판(202)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 이에 따라 기판(202)과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 이는 동일 한 고분자 물질로 이루어지는 경우, 작용기 간의 추가적인 추가결합이나 수소결합 등을 통해, 강한 결합이 가능하기 때문이다.
이에 더하여, 플렉서블 유기발광표시장치(200)의 기판(202) 및 고분자물질(182)은 접힘 또는 굽힘에 대비하여 낮은 경도를 가지는 물질이어야 한다.
한편, 플렉서블 유기발광표시장치(200)가 하부발광(bottom emission) 방식을 취하는 경우, 제2전극(236)은 전술한 도전체(180)로 형성될 수 있다. 여기서 하부발광 방식은, 유기층(234)에서 발광된 빛이 제2전극(236)에서 반사되어 제1전극(230) 방향의 외부로 방출되는 방식을 의미한다.
도 4는 도 2의 플렉서블 유기발광표시장치의 B-B'를 절개한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 플렉서블 유기발광표시장치(200)는 기판(202) 상에 형성된 제1트랜지스터(T21)와 제1트랜지스터(T21) 상에 형성된 제1절연막(229), 제1절연막(229) 상에 순차적으로 형성된 제1전극(230), 뱅크(232), 제2전극(236) 및 보호층(238)을 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(T21)는 제1반도체층(211), 게이트절연막(213), 제1게이트전극(214'), 제1소스전극(210'), 제1드레인전극(222), 제2절연막(227)을 포함할 수 있다.
여기서 제1트랜지스터(T21)는 제1반도체층(211)이 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 등의 산화물 반도체로 이루어진 산화물 트랜지스터일 수 있으나, 실시예들은 이에 제한되지 않고, LTPS(Low Temperature PolySilicon) 반도체로 이루어진 트랜지스터 또는 비정질(Amorphous Silicon) 반도체로 이루어진 트랜지스터일 수 있다.
또한 제1트랜지스터(T21)는 제1게이트전극(214')이 제1반도체층(211) 상에 위치하는 탑 게이트(top gate) 방식으로 도시되었으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고 바텀 게이트(bottom gate) 방식에 의할 수도 있다.
한편, 게이트절연막(213)과 제2절연막(227)은, 유기막이거나 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기막일 수 있다.
이때, 기판(202) 상에 위치하는 절연막(213, 227) 상에 형성된 제1게이트전극(214'), 제1소스전극(210') 및 제1드레인전극(222) 중 적어도 하나는, 도전체(180)로 이루어질 수 있고, 제1게이트전극(214'), 제1소스전극(210') 및 제1드레인전극(222)의 고분자물질(182)은 절연막(213, 227)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드 계열의 물질로 이루어질 수 있다. 이는 전술한 바와 같이, 작용기 간의 추가적 결합이나 수소 결합 등을 통해 접착력을 향상시키는 효과를 발생시킬 수 있다.
이는 도전체(180)와 절연막(213, 227)과의 접착력을 증대시키는 효과가 있다. 뿐만 아니라, 고분자물질(182)에 금속 나노와이어 구조체(184)가 삽입되어 단단히 결합되어 있기 때문에, 전기전도도나 표면의 균일도(uniformity), 접힘과 굽힘에 따른 피로파괴에 대한 신뢰성, 내구성 등을 향상시키는 효과를 발생시킨다.
이상에서는 도전체(180)의 구조와, 도전체(180)가 적용된 표시장치(200)에 대하여 설명하였고, 이하에서는 도전체(180)를 포함하는 플렉서블 표시장치(200)의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치에 형성된 도전체를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 도면들이다. 이 도면들은 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 본 명세서의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 다양한 방법이나 공정으로 제조될 수 있다.
도 5a 내지 도 5e를 참조하면, 플렉서블 표시장치(200)의 제조방법은 기판 또는 기판상에 위치하는 절연막(570) 상에 접착력을 갖는 고분자물질(582)을 형성하는 단계, 고분자물질(582) 상에 다수의 금속 나노와이어(583)를 도포하는 단계 및 다수의 금속 나노와이어(583)를 서로 교차 연결하여 금속 나노와이어 구조체(584)를 형성하면서 고분자물질(582)에 삽입시켜, 고분자물질(582)에 금속 나노와이어 구조체(584)가 삽입되어 있는 도전체(580)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 금속 나노와이어 구조체(584)는, 예를 들어, 은 나노와이어 구조체일 수 있다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 기판 또는 절연막(이하 '기저층'이라 한다, 570) 상에 고분자물질(582)과 다수의 금속 나노와이어(583)을 순차적으로 형성하는 단계가 수행된다.
여기서 기저층(570)은 플렉서블 표시장치(200)의 하부 기판일 수 있고, 절연막(570)은 기판 상에 형성되는 절연막이거나, 트랜지스터의 게이트 상에 형성되는 게이트 절연막일 수 있다.
접착력을 갖는 고분자물질(582)은 기저층(570)과의 접착력 또는 금속 나노와이어 구조체(584)와의 접착력을 향상시킬 수 있는 물질일 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드 계열의 고분자를 포함할 수 있다. 또한 이러한 폴리이미드 계열의 고분자는 수소 결합을 통해 접착성을 향상시키는 친수성(hydrophilic) 작용기를 가질 수 있다. 이 경우, 고분자물질(582)과 기저층(570)이 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 고분자물질(582)은 감광성 물질을 포함할 수 있고, 감광성 물질은, 예를 들어, 포토 아크릴(photo acryl) 계열의 물질일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
금속 나노와이어(583)는 기저층(570) 상에 코팅 또는 증착되기 전후에 부식 방지제로써 전처리될 수 있다. 예를 들어, 금속 나노와이어(583)는 배리어-형성 부식 방지제, 예를 들면 BTA 및 디티오티아디아졸(dithiothiadiazole)로써 미리 코팅될 수 있다. 나아가, 금속 나노와이어(484a)는 녹슬음 방지 용액(antitarnish solution)으로써 처리될 수 있다.
금속 나노와이어(583)는 첨가제들(additives) 및 교결제들(binders)에 의해 점착력(viscosity), 부식성, 접착력, 및 분산력이 조절될 수 있다. 적절한 첨가제들 및 교결제들은, 예를 들어, 카르복시 메틸 셀룰로오스(carboxy methyl cellulose, CMC), 2-히드록시 에틸 셀룰로오스(2-hydroxy ethyl cellulose, HEC), 히드록시 프로필 메틸 셀룰로오스(hydroxy propyl methyl cellulose, HPMC), 메틸 셀룰로오스(methyl cellulose, MC), 폴리 비닐 알콜(poly vinyl alcohol, PVA), 트리프로필렌 글리콜(tripropylene glycol, TPG), 및 잔탄 검(xanthan gum;XG), 및 에톡시레이트들(ethoxylates), 알콕시레이트(alkoxylate), 산화 에틸렌(ethylene oxide), 산화 프로필렌(propylene oxide) 및 그들의 공중합체들일 수 있다.
금속 나노와이어(583)의 도포 방식은 스핀 코팅(spin coating), 노즐 코팅(nozzle coating), 슬릿 코팅(slit coating), 프린팅(printing) 등의 방식일 수 있으며, 증착 방식은 화학적 기상증착 방식이나 물리적 기상증착 방식에 의할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 금속 나노와이어(583)에 플라즈마 처리를 수행하여, 고분자물질(582)에 삽입되면서 금속 나노와이어 구조체(584)가 삽입되어 있는 도전체(580)를 형성하는 단계가 도 5b와 도 5c에 도시된다.
도전체(580)를 형성하는 단계는 가압 처리(pressurization), 플라즈마 처리(plasma treatment), 광 소결 방식의 웰딩 처리, 가열 방식의 웰딩 처리 중 하나에 의할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
여기서 플라즈마 처리 방식은 열 플라즈마, 다양한 가스 하에서 압력이 제거된 상태에서 발생하는 글로우 방전형태인 콜드(cold) 플라즈마, 하이브리드 플라즈마 방식 중 어느 하나일 수 있고, 예를 들어, 산소 가스의 조건에서 이루어지는 콜드 플라즈마 처리일 수 있다.
광 소결 방식은 20 ms의 매우 짧은 시간에 순간적으로 1500 ℃ 정도의 높은 빛 에너지를 전달하는 것이 가능하다. 또한 투명한 가시광선의 빛을 이용하기 때문에, 투명 기판에는 전혀 손상을 주지 않아서, 금속 나노 와이어(583)의 상층과 하부의 기저층(570)에 영향을 미치지 않을 수 있다.
한편, 가열 방식은, 전기에 의한 가열 방식으로서, 일정 전압이 인가되었을 때, 줄 히팅(Joule Heating)에 의해 의해 열이 발생하고, 발생된 열로 인해 금속 나노와이어(583)가 접합되는 방식으로써, 발생된 열량은 전류의 제곱에 비례하고, 저항의 크기에 비례한다.
플렉서블 디스플레이(Flexible Display) 또는 폴딩 디스플레이(Folding Display) 등의 표시장치에 있어서, 표시장치가 지속적으로 휘거나 접힐 수 있다. 이에 따라 금속 나노와이어 구조체(584)가 끊어질 수 있으나, 전기에 의한 가열 방식에 의해 다시 연결될 수 있다. 다시 말해서, 가열 방식에 의한 접합은 표시장치에 전압이 인가되어 구동되는 중에 발생하는 열에 의해, 금속 나노와이어 구조체(584) 중 끊어진 부분이 다시 접합될 수 있는 효과를 갖는다.
한편, 금속 나노와이어(583)는 전술한 플라즈마 처리 또는 가열 처리 등에 의해 접합이 되면서, 동시에 고분자물질(582)에 삽입될 수 있다. 다시 말해서, 금속 나노와이어 구조체(584)가 형성되면서 동시에 삽입되어 도전체(580)가 형성된다.
이후, 형성된 도전체(580)를 패터닝 하는 단계가 도 5d 및 도 5e에 도시되어 있다.
플렉서블 표시장치(200)의 제조방법은, 고분자물질(582)을 형성하는 단계에서, 고분자 물질(582)에 감광성 물질(585)을 혼합시켜 형성하고, 고분자 물질(582)과 감광성 물질(585)이 혼합되어 형성된 경우, 도전체(580)를 형성하는 단계 이후에, 마스크(590)를 사용하여 노광(exposure) 처리 및 현상(development) 처리를 하여 도전체(580)를 패터닝(patterning)하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
구체적으로, 고분자물질(582)은 감광성물질(585)와 혼합되어 기저층(570) 상에 형성될 수 있다. 여기서, 감광성물질(585)은 특정 파장의 빛을 받아 현상액에서의 용해도가 변하는 특성을 이용해 후속 현상 처리 과정 중 노광된 부분 또는 그렇지 않은 부분이 선택적으로 제거될 수 있는 물질을 말한다. 예를 들어 감광성 물질은 포토 아크릴 계열의 물질일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 5d에 따른 노광 공정은 노광되지 않은 부분이 현상액에 의해 제거되는 네거티브(negative) 방식만을 도시하였으나, 실시예들은 이에 제한되지 않고 노광된부분이 제거되는 포지티브(positive) 방식에 의할 수도 있다.
도 5d를 참조하면, 투과부(590b)와 차광부(590a)를 구비한 노광 마스크(590)를 사용하여, 광을 조사하는 단계가 수행된다. 도시되지는 않았지만, 노광 단계 이후에는 PEB(post exposure bake) 과정이 수행될 수 있다.
이어서, 수용성 알칼리 용액, 예를 들어, 수산화칼륨(KOH)와 TMAH(TetraMethyl-Ammonium-Hydroxide) 수용액으로 이루어진 현상액에 현상(development) 과정을 거쳐, 도 2a의 제1라인 내지 제5라인(210, 212, 214, 216, 218), 제1게이트전극 내지 제3게이트전극(214', 216, 228), 제1소스전극 내지 제3소스전극(210', 226, 212'), 제1드레인전극 내지 제3드레인전극(222, 225) 등의 도전체(580)가 패터닝 될 수 있다.
이러한 패터닝 방식은, 감광성물질(585)이 고분자물질(582)에 혼합되어 기저층(570) 상에 도포되기 때문에, 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 현상 공정 후 남아 있는 포토레지스트층을 스트립(strip)하는 공정이 제거되어, 공정이 단순화되고, 수율이 향상되며, 제조원가가 절감되는 효과가 발생할 수 있다.
도 6은 또다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 금속 나노와이어 구조체를 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 평면도들이다.
금속 나노와이어 구조체(584)는 분리되어 있던 다수의 금속 나노와이어(583)가 서로 접합되어 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 가압 처리(pressurization), 플라즈마 처리(plasma treatment), 광 소결 방식의 웰딩 처리, 가열 방식의 웰딩 처리 중 하나에 의할 수 있다. 또한 금속 나노와이어 구조체(584)는 은 나노와이어 구조체일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한 금속 나노와이어 구조체(584)는 다수의 금속 나노와이어(583)가 무작위적으로 결합한 형태를 갖는다. 금속 나노와이어(583)의 적어도 한 지점에서 다른 나노와이어(583)와 연결되고, 한 나노와이어(583)가 여러 개의 다른 나노와이어(583)와 연결될 수도 있다.
따라서 플렉서블 표시장치(200)에 있어서, 금속 나노와이어 구조체(584)는 금속의 전기전도성을 바탕으로 배선이나 전극으로 사용될 수 있다. 또한 지속적으로 휘어지거나 접히는 경우에 있어서, 무작위적인 결합 형태에 의해 강한 결합력을 확보할 수 있다. 이에 더하여, 금속 나노와이어 구조체(584)의 일부가 끊어지더라도 전기전도도를 유지할 수 있는 효과가 있다.
도 7a는 또다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치에 관하여 저항과 벤딩 사이클의 관계를 나타낸 그래프이고, 도 7b는 도 7a의 그래프를 나타낸 표이다.
도 7a와 도 7b를 참조하면, 곡률반경(R) 4.5, 외력에 대한 변형률인 스트레인(strain)을 1.5%로 하여 벤딩(bending) 테스트를 한 결과를 볼 수 있다. 여기서 저항은 선 저항(line resistance)을 의미하고, 초기 저항값은 4.0Ω이고, 50000 사이클(cycle)로 벤딩했을 때의 저항값은 4.1Ω, 100000 사이클의 경우 4.1Ω, 200000 사이클의 경우 4.2Ω인 것을 볼 수 있다. 이러한 저항값의 증가율은 200000번의 벤딩에 걸쳐 5%에 불과하다.
전술한 스트레인(
Figure pat00001
, 단위는 %)은 하기 수학식 1에 의해 설정된 값이다. 곡률반경(R)은 벤딩 되었을 때의 곡률 반지름이고, d1은 플렉서블 표시장치(200)의 기판(202)의 두께이며, d2는 기판(202) 상에 형성된 도전체(180, 580)의 두께를 의미한다.
[수학식 1]
Figure pat00002

테스트 결과를 통해, 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 표시장치는 지속적으로 휘어지고, 접히는 환경에 대한 신뢰성이 구비된 것을 알 수 있다.
다시 말해서, 다수의 금속 나노와이어(583)가 서로 교차하여 형성된 금속 나노와이어 구조체(184, 584)는 무작위적으로 다수의 접합 지점을 갖기 때문에, 금속 나노와이어 구조체(184, 584)는 강한 결합력과 안정성을 확보할 수 있다.
따라서 일부의 금속 나노와이어 구조체(184, 584)가 끊어지거나 결함이 발생하더라도, 다수의 연결로 인해 플렉서블 표시장치(200)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다. 또한 플렉서블 표시장치(200)에 전압이 인가되는 경우, 줄 히팅(Joule Heating)에 의해 끊어진 금속 나노와이어 구조체(184, 584)가 다시 접합될 수 있는 효과가 있다.
이에 더하여, 고분자물질(182, 582)에 금속 나노와이어 구조체(184, 584)가 삽입되어 도전체(180, 580)를 형성하기 때문에, 금속 나노와이어 구조체(184, 584)와 고분자물질(182, 582) 간의 강한 결합을 유지할 수 있다. 이에 따라 플렉서블 표시장치(200)에서 피로파괴에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다.
요컨대, 금속 나노와이어 구조체(184, 584) 자체가 피로파괴에 대한 신뢰성 또는 안정성을 가지고 있고, 도전체(180, 580)는 금속 나노와이어 구조체(184, 584)가 고분자물질(182, 582)에 삽입되어 일체로서 형성되기 때문에, 200000 번의 벤딩 테스트가 진행되는 동안 단 5% 만큼의 저항 증가율을 보일 수 있는 것이다.
이상에서 기재한 실시예들이 적용되는 플렉서블 표시장치(200)의 효과에 대해서 정리하면, 우선, 금속 나노와이어 구조체(184, 584)와 고분자물질(182, 582) 간의 접착력이 향상되고, 고분자물질(182, 582)과 하부층인 기판 또는 절연막(570)과의 접착력 또한 향상될 수 있다.
또한 도전체(180, 580)는 금속 나노와이어 구조체(184, 584)가 고분자물질(182, 582) 내부에 삽입되는 구조를 갖기 때문에, 강한 결합력과 함께, 면 저항(sheet resistance)을 감소시킬 수 있게 된다. 다시 말해서, 일반적으로 은 나노 와이어를 이용한 신호라인 또는 전극의 경우 높은 면저항이 문제되는데, 실시예들에 따른 도전체(180, 580)는 1Ω/□ 이하의 낮은 면저항, 예를 들어 0.4Ω/□ 내지 0.6Ω/□의 값을 가질 수 있다.
뿐만 아니라, 도전체(180, 580)의 구조로 인하여, 두께를 줄일 수 있어, 플렉서블 표시장치(200)의 패널 두께를 감소시킬 수 있는 효과도 가질 수 있다.
한편, 도전체(180, 580)를 포함하는 플렉서블 표시장치(200)는 금속 나노와이어 구조체(184, 584), 예를 들어 은 나노와이어 구조체의 높은 전기전도도로 인하여, 높은 전기전도성을 확보할 수 있다.
일반적으로 은 나노 와이어를 이용한 신호라인 또는 전극의 경우, 불균일한 표면이 문제가 될 수 있다. 즉, 나노 와이어로 인해 표면이 균일하지 못하기 때문에, 표면의 상태에 따라 플렉서블 표시장치(200)의 전기적 특성이 변하거나, 결함 등이 발생될 수 있다.
하지만, 실시예들에 따른 도전체(180, 580)는 도전성 물질인 금속 나노와이어 구조체(184, 584)가 고분자물질(182, 582)에 삽입되어 있기 때문에, 표면의 균일도(uniformity)를 향상시킬 수 있고, 이에 따라 표면을 평탄화시키기 위한 층을 따로 형성하지 않아도 되는 장점을 갖는다.
마지막으로, 도전체(180, 580)는 감광성물질(585)을 포함할 수 있고, 이에 따라, 마스크를 사용한 노광 과정과 현상액을 이용한 현상 처리 과정만으로 패터닝(patternin)될 수 있다. 따라서 포토레지스트를 도포하는 공정, 현상 처리 이후의 식각 공정 및 포토레지스트를 스트립(strip)하는 공정을 생략할 수 있어, 공정의 수를 감소시켜, 제조 원가를 절감시키고, 수율을 향상시키는 효과가 있다.
이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
180: 도전체 182: 고분자물질
184: 금속 나노와이어 구조체

Claims (13)

  1. 다수의 신호라인이 배열된 기판;
    상기 기판 상에 형성되고, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터의 상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결된 제1전극에 대응되도록 형성된 제2전극을 포함하되,
    상기 다수의 신호라인, 상기 게이트전극, 상기 소스전극, 상기 드레인전극 및 상기 제2전극 중 적어도 하나는,
    접착력을 갖는 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어 구조체는 다수의 금속 나노와이어가 서로 교차하여 연결된 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노와이어 구조체는 은 나노와이어 구조체인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 신호라인은 상기 기판 상에 형성되고,
    상기 다수의 신호라인의 고분자물질은 상기 기판과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극은 상기 기판 상에 위치하는 절연막 상에 형성되고,
    상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극의 고분자물질은 상기 절연막과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 고분자물질은 폴리이미드 계열의 물질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 도전체는 감광성물질을 더 포함하되, 상기 감광성물질은 포토 아크릴(photo acryl) 계열의 물질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  8. 기판 또는 상기 기판상에 위치하는 절연막 상에 접착력을 갖는 고분자물질을 형성하는 단계;
    상기 고분자물질 상에 다수의 금속 나노와이어를 도포하는 단계; 및
    상기 다수의 금속 나노와이어를 서로 교차 연결하여 금속 나노와이어 구조체를 형성하면서 상기 고분자물질에 삽입시켜, 상기 고분자물질에 상기 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체를 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 도전체를 형성하는 단계는,
    가압 처리(pressurization), 플라즈마 처리(plasma treatment), 광 소결 방식의 웰딩 처리, 가열 방식의 웰딩 처리 중 하나에 의하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 고분자물질을 형성하는 단계에서, 상기 고분자 물질에 감광성 물질을 혼합시켜 형성하고,
    상기 고분자 물질과 상기 감광성 물질이 혼합되어 형성된 경우,
    상기 도전체를 형성하는 단계 이후에,
    마스크를 사용하여 노광(exposure) 처리 및 현상(development) 처리를 하여 상기 도전체를 패터닝하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  11. 기판; 및
    상기 기판 상에 위치하며, 접착력을 갖는 고분자물질에 금속 나노와이어 구조체가 삽입되어 있는 도전체를 포함하는 플렉서블 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 도전체는,
    상기 기판 상에 형성된 트랜지스터의 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극과, 상기 기판 상에 형성된 신호 라인과 및 공통 전극 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 고분자물질은 상기 기판과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
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JP2014258820A JP6271409B2 (ja) 2014-08-05 2014-12-22 フレキシブル表示装置及びその製造方法
CN201410814897.1A CN105321956B (zh) 2014-08-05 2014-12-23 柔性显示装置及其制造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030608A (ko) * 2018-06-30 2020-03-20 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 연결선 구조, 표시 기판 및 그 제조 방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9468989B2 (en) * 2015-02-26 2016-10-18 Northrop Grumman Systems Corporation High-conductivity bonding of metal nanowire arrays
US10332446B2 (en) * 2015-12-03 2019-06-25 Innolux Corporation Driving circuit of active-matrix organic light-emitting diode with hybrid transistors
CN105742369A (zh) * 2016-03-25 2016-07-06 电子科技大学 一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法
CN106496557A (zh) * 2016-11-02 2017-03-15 沈阳化工大学 一种高透明耐高温含氟聚酰亚胺树脂的制备方法
CN106543438A (zh) * 2016-11-07 2017-03-29 沈阳化工大学 一种含氯含氟聚酰胺酰亚胺树脂的制备方法
US10825839B2 (en) * 2016-12-02 2020-11-03 Innolux Corporation Touch display device
CN108899280B (zh) * 2018-06-30 2021-01-29 广州国显科技有限公司 显示屏及其制造方法
CN109032438B (zh) * 2018-06-30 2022-12-02 广州国显科技有限公司 触控面板及其制造方法
CN109727704B (zh) * 2019-02-21 2021-05-04 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种银纳米线薄膜及其焊接方法
WO2020179034A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 シャープ株式会社 表示装置、表示装置の製造方法
US20220140057A1 (en) * 2019-03-06 2022-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
KR102415935B1 (ko) * 2020-02-27 2022-06-30 아주대학교산학협력단 폴더블 전극 구조체 및 이를 포함하는 폴더블 전자소자
US11551986B2 (en) * 2020-04-02 2023-01-10 Texas Instruments Incorporated Shape memory polymer for use in semiconductor device fabrication
CN114764991A (zh) * 2021-01-12 2022-07-19 群创光电股份有限公司 显示面板和窗户
US20220388382A1 (en) * 2021-06-08 2022-12-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Peel resistant vehicle window weather strip

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013480A (ja) * 2004-05-28 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置
KR20090112626A (ko) * 2006-10-12 2009-10-28 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 기반의 투명 도전체 및 그의 응용
KR20100108984A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 주식회사 코오롱 투명전극 및 전도성 적층체
JP2012209232A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Fujifilm Corp 導電性パターニング材料及びタッチパネル

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
WO2007114645A1 (en) 2006-04-04 2007-10-11 Topnanosis, Inc. Conductive composite material and method for manufacturing the same
WO2008147431A2 (en) 2006-10-12 2008-12-04 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
US8018568B2 (en) * 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
JP2009251274A (ja) 2008-04-07 2009-10-29 Kuraray Co Ltd 液晶セルおよび液晶ディスプレイ装置
US9334406B2 (en) * 2009-02-25 2016-05-10 Lg Chem, Ltd. Composition for primer coating, optical film comprising the same, and polarizing plate comprising the same
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010250109A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9112166B2 (en) * 2010-07-30 2015-08-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity Conductive films
JP5782920B2 (ja) 2011-08-26 2015-09-24 日本電気株式会社 表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP2013073828A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Fujifilm Corp 導電性組成物、その製造方法、導電性部材、並びに、タッチパネル及び太陽電池
CN104508758B (zh) * 2012-03-01 2018-08-07 雷蒙特亚特特拉维夫大学有限公司 导电纳米线膜
JP2013195969A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Fujitsu Ltd 表示素子
JP5865851B2 (ja) * 2012-03-23 2016-02-17 富士フイルム株式会社 導電性部材の製造方法、導電性部材、それを用いたタッチパネル
JP2014013820A (ja) 2012-07-04 2014-01-23 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電パターン形成基板
JP5987668B2 (ja) 2012-12-06 2016-09-07 日立化成株式会社 表示装置およびその製造方法
US9318230B2 (en) * 2013-05-31 2016-04-19 Basf Corporation Nanostructure dispersions and transparent conductors
KR102175285B1 (ko) * 2013-08-14 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법
KR101577900B1 (ko) * 2014-06-24 2015-12-29 동국대학교 산학협력단 국부적 에칭공정을 이용한 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013480A (ja) * 2004-05-28 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置
KR20090112626A (ko) * 2006-10-12 2009-10-28 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 기반의 투명 도전체 및 그의 응용
KR20100108984A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 주식회사 코오롱 투명전극 및 전도성 적층체
JP2012209232A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Fujifilm Corp 導電性パターニング材料及びタッチパネル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030608A (ko) * 2018-06-30 2020-03-20 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 연결선 구조, 표시 기판 및 그 제조 방법

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