TW201347998A - 用於有機電子裝置之基板 - Google Patents

用於有機電子裝置之基板 Download PDF

Info

Publication number
TW201347998A
TW201347998A TW102110612A TW102110612A TW201347998A TW 201347998 A TW201347998 A TW 201347998A TW 102110612 A TW102110612 A TW 102110612A TW 102110612 A TW102110612 A TW 102110612A TW 201347998 A TW201347998 A TW 201347998A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
substrate
electrode layer
optical functional
electrode
Prior art date
Application number
TW102110612A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI561390B (en
Inventor
Young-Eun Kim
Jong-Seok Kim
Young-Kyun Moon
Jin-Ha Hwang
Yeon-Keun Lee
Sang-Jun Park
Yong-Nam Kim
Original Assignee
Lg Chemical Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lg Chemical Ltd filed Critical Lg Chemical Ltd
Publication of TW201347998A publication Critical patent/TW201347998A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI561390B publication Critical patent/TWI561390B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
    • G02B5/0221—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures the surface having an irregular structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
    • G02B5/0226—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures having particles on the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/113—Deposition methods from solutions or suspensions by sol-gel processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本發明係提供一種用於有機電子裝置(OED)之基板、有機電子系統、基板或系統之製造方法、及照明裝置。該用於OED之基板可透過防止如濕氣或氧之外部材料之滲透而改善其耐久性，從而可形成一具有優異光萃取效率之有機電子系統。此外，由於該基板可穩定地貼附於密封該有機電子系統之封裝結構，因此，針對電極層磨損或外部環境施加的壓力上，該裝置可具有優異的耐久性。該有機電子系統之外部終端之表面硬度可保持在一適當的程度。

Description

用於有機電子裝置之基板
本發明係關於一種用於有機電子裝置(organic electronic device，OED)之基板、一有機電子系統、製造該系統或基板之方法、以及一照明裝置。
OED係包含至少一層電流可流過之有機材料之裝置。OED之種類可包括一有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、有機太陽能電池、有機光電導體(organic photo conductor，OPC)、及有機電晶體(organic transistor)。
一般而言，一代表性OED依序包含一基板、一第一電極層、一有機層及一第二電極層。於習知稱為底部發射裝置之結構中，該第一電極層可為一透明電極層，且該第二電極層可為一反射電極層。此外，於習知稱為頂部發射裝置之結構中，該第一電極層可形成作為一反射電極層，且該第二電極層可形成作為一透明電極層。由該些電極層注入之電子與電洞可於有機層中之發光層結合，從而產生光線。該光線可發射至底部發射裝置中的基板，或 於頂部發射裝置中的第二電極層。於OLED的結構中，一般作為透明電極層之銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、有機層、及一般以玻璃形成之基板，分別具有約2.0、1.8及1.5之折射率。在這樣的折射率關係中，例如，由於全內反射現象，該產生於底部發射裝置中的發光層中的光線係陷於該有機層及該第一電極層間之介面或該基板中，並且只有發射極少量的光線。
OED的另一重要因子為耐久性。既然在如濕氣或氧之外部材料的影響下，該有機層或電子非常容易被氧化，確保對應環境因素之耐久性是重要的。為此，例如，專利文件1至4建議能夠預防外部材料滲透之結構。
先前技術文件 專利文件
(專利文件1)美國專利第6,226,890號
(專利文件2)美國專利第6,808,828號
(專利文件3)日本專利第2000-145627號
(專利文件3)日本專利第2001-252505號
本發明提供一種用於OED之基板、一OED、製備該基板或該OED之方法、及光學裝置。
本發明之一態樣係提供用於OED之基板，包括：一基底層；一光學功能層；以及一電極層。於此，該光學功能層及該電極層可依序堆疊於該基底層上，從而該 光學功能層可設置於該基底層及該電極層之間。圖1及圖2顯示包括一結構之示例型基板，其中，一光學功能層103及一電極層102依序形成於一基板101上。於此，該光學功能層可具有小於該基底層之投影面積，且該電極層可具有大於該光學功能層之投影面積。於此使用之「投影面積」一詞可意指沿著平行於基板之一面之法線方向觀察該基板時，可確認如基底層、光學功能層、電極層或下述之中間層之目標物之投影。因此，舉例而言，假如該光學功能層之表面為不平坦且具有大的粗糙度，該光學功能層之真實表面積可大於該電極層。然而，在此情況中，假如由上述確認之光學功能層之面積小於上述確認之電極層之面積，其能確保該光學功能層具有小於該電極層之投影面積。
只要各類光學功能層之投影面積小於該基底層及該電極層，即可使用。舉例而言，如圖1所示，該光學功能層103可形成於該基底層101，除了該基底層101之邊緣以外，或者如圖2所示，可部分形成在該基底層101之邊緣。
圖3顯示圖1基板上視圖。於圖3中，一從上辨識之電極層之面積(A)，即，該電極層之投影面積(A)大於設置於其下之光學功能層之投影面積(B)。該電極層之投影面積(A)及該光學功能層之投影面積(B)之比值(A/B)可為，例如，1.04、1.06、1.08、1.1、或1.15以上。當該光學功能層之投影面積小於該電極層之投影面積時，不暴露於外部環境的光學功能層將可形成下述結構，因此該投影面積之比 值(A/B)之上限不特別限制。在考量製造基板之一般環境下，該比值(A/B)之上限可為，例如，約2.0、1.5、1.4、1.3、或1.25。於該基板中，該電極層也可形成於其上，不形成該光學功能層之該基底層上，或者可於該電極層及該基底層間，形成中間層等附加層。據此，可於形成OED的過程中獲得光學功能層不暴露於外部環境中的結構。
舉例而言，如圖3所示，一電極層可形成於一區域中，該區域包括從上觀察時，全部該光學功能層周邊區域以外的區域。在此情況下，如圖2所示，當複數個光學功能層設置於該基底層上時，該電極層可形成於該包含至少一光學功能層之全部周邊區域以外的區域之區域，如，至少一光學功能層，其上將形成於後述之有機層。舉例而言，於圖2之結構中，當有機層也形成於設置在其右邊及左邊邊緣之光學功能層頂部時，透過延伸至左邊及右邊邊緣，可改變該圖2之結構以形成該電極層至該位於該右邊及左邊邊緣之光學功能層之全部周邊區域以外的區域。於上述結構中，可透過貼附於後描述之封裝結構至該下方不形成光學功能層之電極層，或形成一將於後描述之導電材料層，形成一光學功能層不暴露於外部環境之結構。
當光學功能層之投影面積不同於電極層之投影面積，且電極層形成於不形成光學功能層之基底層頂部時，由於在形成於不形成光學功能層上之電極層(以下簡稱為該形成於基底層上之電極層)及該形成於形成光學功能層上之電極層(以下簡稱為該形成於光學功能層上之電極層) 間之邊界的階差(如圖1中參考標示為X所表示的區域的階差)，可能增加該電極層之電阻。這樣的電阻增加可能導致當該OED施用於該基板時，施加於該裝置之電壓的增加，造成效率降低。據此，在考量上述問題下，可能需要控制該形成於光學功能層上的電極層及該形成於不形成光學功能層之基板上之電極層之間的電阻。舉例而言，從該邊界的兩側至平行形成於光學功能層上之電極層與形成於不形成光學功能層之基底層上的電極層間的邊界，可於預定距離上形成平行電極；兩平行電極間測得之電阻可為8.5至20Ω．cm、8.5至15Ω．cm、8.5至13Ω．cm、或9至12Ω．cm。使用於此之「電阻」係指透過以下方法測得之電阻值。首先，藉由裁切用於OED之基板以準備一樣品。舉例而言，如圖4所示，基於該形成於光學功能層上的電極層1022及該形成於無光學功能層之基板上的電極層1021間的邊界，可透過形成具有約10毫米之垂直長度(D4)之平行電極準備該樣品，以具有3毫米之水平長度(D1+D2，D1=D2)。於此，可以具有表面電阻低於該電極層1021及1022所測得之值10倍之材料形成該平行電極，舉例而言，使用一銀膏以具有約3毫米以上之水平長度(D3)。接著，連接一電組測量器402至該平行電阻401之後，使用該電阻測量器402可測得一單位寬度之電阻。意即，該電阻為藉由將該平行電極401間測得之電阻除以該平行電極401間之寬度所獲得之值。於此，長度方向係為一電流方向，意即，垂直該平行電極長度方向之方向，寬度方向係指平行於該平行電極之方向。 同時，透過上述方法測得對應具有階差之電極層之單位寬度電阻值(R1)及透過相同方法測得對應不具有階差之電極層之單位寬度電阻值(R2)之差(R1-R2)可為，例如，約10、9、、或5Ω．cm或以下。較佳為降低電阻值中的差(R1-R2)，且並不特別限制其下限。
控制基板中該些電極層間的電阻於上述範圍之方法並不特別受限，在此例舉控制光學功能層及電極層厚度之方法加以說明。於此，電極層之厚度係指形成於無光學功能層之基底層上之電極之厚度。當兩電極層之厚度適當控制時，可控制該些電極層間之電阻。舉例而言，基板上的光學功能層之厚度(T1)及形成於無光學功能層之基底層之頂部之電極層之厚度(T2)，兩者間的比值(T1/T2)可約為3至15，4至12或5至10。於此，該光學功能層及該電極層之厚度可分別意指為其平均厚度。藉由適當地控制該比值(T1/T2)於上述範圍內，可使該些電極層間的電阻獲得控制。
於該基板中，基板上的電極層可具有6H、7H、或8H以上的鉛筆硬度。如後所描述，可使用該基底層上的電極層與一封裝結構，以形成光學功能層不暴露於外部環境之結構，或於一如有機電子系統之裝置中，該電極層連接至一外部電源。由於像這樣的電極層是持續磨損或暴露於壓力中，需要高的耐久性以實現具有穩定電子連接的裝置。當該基底層上的電極層具有上述範圍內的鉛筆硬度時，則可能實現相應持續磨損或暴露於壓力之具有優異耐久性 的結構。此外，由於在相應持續性磨損上、或在鉛筆硬度增加情況下而暴露於壓力之結構具有優異的耐久性，因此鉛筆硬度之上限不受限制。一般而言，舉例來說，該鉛筆硬度之上限可為10H或9H。於基板中，在光學功能層上的電極及在基底層上的電極可具有彼此相互不同的鉛筆硬度。例如，於基板中，在基底層上的電極層可具有於該範圍之鉛筆硬度，在光學功能層上的電極層可具有2B至5H、1H至5H或1H至4H之鉛筆硬度。使用於此之「鉛筆硬度」一詞係依據ASTM D3363之規範以500g之鉛筆重量且以250mm/min枝鉛筆移動速度測得。
舉例而言，該基板可更包括一導電材料，其電性連接該光學功能層及該基底層上的兩電極層。圖5顯示一示例型更包括導電材料之基板，其中，一導電材料501係透過物理性接觸電性連接至一基底層上的電極層1021及一光學功能層上的電極層1022。使用於此之「電性連接」一詞可意指為所有的連接，從而一電流流經被連接的兩目標物。當如上述形成該導電材料，如前所述可預防因基底層上的電極層及光學功能層上的電極層之間邊界的階差所致之電極層電阻的增加；從而可更自由地實現該基板而無該光學功能層及該電極層在上述厚度的控制。該導電材料可為任何一種能夠電性連接電極層的材料，但不特別限制。關於該導電材料，可自由地應用一材料，其係於各種電子產品領域中所使用之電極材料。舉例而言，該導電材料可為一金屬電極材料，如：銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、 或鋁(Al)。於該基板中，在設置電性連接該電極層之導電材料的情況下，所測得之單位寬度電阻可為，例如，約1至8.5Ω．cm、1至8.0Ω．cm或1至7.7Ω．cm。除了是在包含電性連接該電極層之導電材料的情況下測得該值之外，該電阻可透過如上所述之相同方法測得。
舉例而言，該基板可更包括設置於光學功能層及電極層間的一中間層。舉例而言，中間層可具有大於光學功能層之投影面積，且可形成於光學功能層之頂部或無光學功能層之基底層之頂部。圖6為包括形成於前述類型中的中間層601之示例型基板。該由光學功能層形成的中間層可減少於光學功能層上的電極層及基底層上的電極層之間邊界的階差；因此可預防該電極層電阻的增加。此外，當將具有屏障特性(意即，低濕氣或蒸氣滲透率)的材料用來作為一中間層時，可更有效地形成該光學功能層不暴露於外部環境之結構。舉例而言，該中間層為一種膜層，其折射率差絕對值(中間層與該電極層間)約為1、0.7、0.5或0.3以下。當如上述般控制該折射率時，例如，透過補捉產生於該電極層頂部在該電極層及中間層之間界面的光，可預防光萃取效率的劣化。於此，該中間層或該電極層之折射率可為一相對於具有約550nm波長光線所測得之折射率。用於形成該中間層之材料可為一具有與該電極層有如上述折射率關係之材料，且可依需要而具有一屏障特性。各種材料係為已知，可例如包括氮氧化矽(SiON)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化矽(SiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、三氧化二鉭(Ta2O3)、 三氧化三鈦(Ti3O3)、氧化鈦(TiO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈮(Nb2O3)、氧化鈰(CeO2)及硫化鋅(ZnS)。透過如沉積或濕式塗佈，可使用上述材料形成該中間層。該中間層的厚度可例如為約10奈米至100奈米或20奈米至80奈米。該厚度可意指為平均厚度，但不特別限於，且舉例而言，形成於光學材料層上的中間層與形成於基底層上的中間層可具有不同的厚度。
於該基板中，可使用合適的材料作為該基底層，且無特別限制。舉例而言，於底部發射裝置中，可使用一透明基底層，或一具有相對於可見光區域50%以上透光度之基底層。該透明基底層可為一玻璃基底層或一透明聚合物基底層。關於該玻璃基底層，可使用一包含鹼石灰玻璃、含鋇/鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、硼矽酸鋇玻璃、或石英之基底層；關於該聚合物基底層，可使用一包含聚亞醯胺(polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、丙烯酸樹脂、聚(對苯二甲酸乙二酯)(poly(ethylene terephthalate)，PET)、聚(醚硫醚)(poly(ether sulfide)，PES)、或聚碸(polysulfone，PS)之基底層，但本發明不限於此。如有所需，該基底層可為具有驅動薄膜電晶體之薄膜電晶體基板。當將基板應用至一頂部發射裝置時，該基底層可不須為一透明基底層。當有需要的時候，使用鋁之反射層可形成於該基底層之表面。舉例而言，如前所述，當該基底層上的電極層之鉛筆硬度需保持在如前述之高程度時，可 使用具有強度之基底層，如玻璃基底層。
於該基板中，該電極層可為習知用於製造OED之電洞注入或電子注入電極層。
該電洞注入電極層可利用具有如相對高功函數之材料而形成，且當有需要的時候，可使用一透明材料。舉例而言該電洞注入電極層可包括一金屬、一合金、一具有約4.0eV以上功函數之電子導電化合物、或至少兩種其之混合物。這樣的材料可為一金屬，如：金、碘化銅(CuI)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、鋁或銦摻雜鋅氧化物、鎂銦氧化物(magnesium indium oxide)、鎳鎢氧化物(nickel tungsten oxide)；氧化材料，如ZnO,SnO2或In2O3；金屬氮化物，如氮化鎵(gallium nitride)；金屬硒化物(metal selenide)，如硒化鋅(zinc selenide)；或金屬硫化物，如硫化鋅(zinc sulfide)。也可使用如金(Au)、銀(Ag)、或銅(Cu)之金屬薄膜與如ZnS、TiO2或ITO之高折射率材料之堆疊結構形成一透明電洞注入電極層。
該電洞注入電極層可透過任意的方式形成，如沉積、濺鍍、化學沉積、或電化學沉積方式。此外，如有所需，所形成的電極層可透過習知黃光蝕刻法或使用陰影光罩之製程圖案化。
該透明電子注入電極層可使用具有相對低功函數的透明材料形成，且例如可使用適合用以形成該電洞注入電極層之材料，但本發明並不僅限於此。該電子注入 電極層可使用如沉積或濺鍍而形成，且當有需要的時候，可被適當地圖案化。
在考量上述電極層間的電阻下，該電極層的厚度可約為90奈米至200奈米、90奈米至180奈米、或90奈米至150奈米，但不特別限制。
於該基板中，設置於電極層及基底層間的光學功能層的種類並不特別受限。關於光學功能層，可使用設置於電極層及基底層間並呈現至少一種光學功能以貢獻增強如OED之裝置之功能的層。一般而言，這樣的光學功能層可能提供濕氣或蒸氣滲入裝置的路徑，於實施該裝置之後，由於相對於從外部環境滲透如濕氣或蒸氣的材料之低耐久性，其可能在裝置的性能上有不好的影響。然而，在該基板的結構中，由於光學功能層或電極層的投影面積及位置或該導電材料或該中間層的存在，於該裝置之實施中，可實現該光學功能層不暴露於外部環境之結構，從而可實現具有優異耐久性之裝置。
關於光學功能層之例子，可使用一光散射層。「光散射層」一詞可意指，例如：任何種類的層，其形成以預防或減少在基底層、光散射層及電極層之兩層間之介面，透過散射、折射或繞射入射光於該些層上，於電極層方向中之入射光補捉。只要可實施該光散射層以呈現上述功能，光散射層的實施類型並無特別限制。
舉例而言，該光散射層可包括一介質材料及一散射區域。圖7顯示形成於一基底層101上之光散射層，該 散射層係包含一散射區域702，且該散射區域係包含散射粒子及介質材料701。在此，「散射區域」一詞可例如指一種透過具有不同折射率之介質材料或周邊材料(如：一平坦化層及一適當的尺寸)，而將入射光進行散射、折射或漫射之一區域。該散射區域可為，例如，具有前述折射率及尺寸之顆粒，或空缺空間。舉例而言，可使用具有不同於且較高或較低於周邊材料折射率之顆粒形成該散射區域。該散射顆粒的折射率可與周邊材料之折射率有一差值，例如，與該介質材料及/或該平坦化層有高於0.3或0.3以上之差。舉例而言，該散射顆粒可具有1.0至3.5或1.0至3.0之折射率。「折射率」一詞係指相對於具有約550nm波長之光線所測得之折射率。該散射顆粒之折射率可為，例如，1.0至1.6或1.0至1.3。於另一例中，該散射顆粒之折射率可為約2.0至3.5或2.2至3.0。該散射顆粒可具有如50奈米、100奈米、500奈米、或1,000奈米以上之平均粒徑。該散射顆粒的平均粒徑可為，例如，10,000奈米以下。此外，該散射區域可為由充滿空氣之空間作為一具有相同尺寸的中空空間所形成。
該散射顆粒或區域可形成為圓形、卵形、多邊形或不規則形，但其形狀並不特別受限。該散射顆粒顆包括，例如：一有機材料，如聚苯乙烯(polystyrene)或其衍生物、丙烯酸樹脂(acryl resin)或其衍生物、矽樹脂(silicon resin)或其衍生物、或酚醛樹脂(novolac resin)或其衍生物；或一無機材料，如二氧化矽(silica)、氧化鋁(alumina)、二氧化鈦 (titanium oxide)、或氧化鋯(zirconium oxide)。該散射顆粒可包括任一種前述材料或其至少兩種。舉例而言，作為該散射顆粒，該顆粒可形成為可形成如中空二氧化矽或核/殼型顆粒之中空顆粒。
該光散射層可更包括一維持散射區域之散射顆粒的介質材料。例如，可使用具有與其他鄰近材料(如基底層)相似折射率之材料或一具有高於鄰近材料折射率之材料形成該介質材料。該介質材料可為，例如：一熱或光可硬化之單體的(monomeric)、寡聚體的(oligomeric)、或聚合物的(polymeric)包含聚亞醯胺之有機材料；具有芴環(fluorene ring)、氨基甲酸乙酯(urethane)、環氧化物(epoxide)、聚酯，或丙烯酸酯樹脂之卡爾樹脂(caldo resin)；一無機材料，如氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、或聚矽氧烷(polysiloxane)；或一有機/無稽結合材料。
該介質材料可包括聚矽氧烷(polysiloxane)、聚醯胺酸(polyamic acid)、聚亞醯胺(polyimide)。於此，可透過聚縮合形成該聚矽氧烷，例如，基於矽與氧之間的鍵結(S-O)，一可縮合之矽烷化合物或矽氧烷寡聚體、及黏結劑可形成一介質。於該黏結劑形成的過程中，透過控制該介質材料之形成過程之縮合條件，可形成基於矽與氧之間的鍵結(S-O)之該黏結劑介質，或者可保留有些有機官能基，如烷基或可縮合官能基，如烷氧基。
該聚醯胺酸或聚亞醯胺可具有相對於633nm 波長光線之折射率，例如，約1.5以上、1.6以上、1.65以上、或1.7以上。舉例而言，可引入氟以外鹵素原子、硫原子或磷原子至一單體，可使用該單體準備一高折射率之聚醯胺酸或聚亞醯胺。例如，可使用具有部分能夠鍵結顆粒(如羧基)以增強顆粒分散穩定性之聚醯胺酸。舉例而言，該聚醯胺酸可為一包含如式1之重複單原之化合物。
於式1中，n為一正數(positive number)。
該重複單原可選擇性地被至少一取代基取代。關於該取代基，可使用氟以外的鹵素原子或一含鹵素原子、硫原子或磷原子之官能基，如苯基(phenyl)、芐基(benzyl)、萘基(naphthyl)或噻吩基(thiophenyl)。
該聚醯胺酸可為一僅使用式1重複單元形成之同元聚合物(homopolymer)，或一包含其他單元及式1重複單元之嵌段或隨機共聚物。於共聚物中，其他重複單元之種類或比例可適當地選擇於範圍內，例如，不抑制所欲折射率、熱阻性或透光度。
關於式1重複單元之具體例子，可使用化學式2之重複單元。
於式2中，n為一正數。
該聚醯胺酸可具有約10,000至100,000或10,000至50,000之重量平均分子量。該重量平均分子量為透過凝膠滲透層析儀(gel permeation chromatography，GPC))測得標準聚苯乙烯所轉換而得。該具有式1重複單元之聚醯胺酸也可具有於80、85、或90%以上之可見光區域的透光度，且具有優異的熱阻。
該光散射層可例如為具有不平坦結構之層。圖8為形成於基底層101上不平坦光散射層801之示意圖。當適當地控制該光散射層之不平坦結構，可散射入射光。舉例而言，可透過塗佈一熱或光可硬化材料並於硬化該材料的硬化過程中接觸一能夠轉印該不平坦結構所欲形狀之模具，或執行蝕刻，以形成該具有不平坦結構之光散射層。再者，可透過混摻具有適當尺寸及形狀的顆粒於用以形成該光散射層之黏結劑中，而形成該光散射層。在此情況下，該顆粒並不需具有散射功能，但也可使用具有散射功能之顆粒。
舉例而言，可透過藉由濕式塗佈法塗佈一材料，並執行熱施加或光照射，藉由溶膠凝膠法、如化學氣相沉 積(chemical vapor deposition，CVD)或物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、奈米壓印法(nano imprinting)或微壓花法(microembossing)硬化該材料，以形成光散射層。
當有需要的時候，該光散射層可更包括高折射率之顆粒。「高折射率顆粒」一詞可意指為具有如1.5、2.0、2.5、2.6、或2.7以上之折射率的顆粒。該高折射率顆粒之折射率上限可選於能夠滿足該光散射層所欲折射率之範圍內。該高折射綠顆粒可具有，例如，小於該散射顆平均粒徑之平均粒徑。該高折射率顆粒可具有如1奈米至100奈米、10奈米至90奈米、10奈米至80奈米、10奈米至70奈米、10奈米至60奈米、10奈米至50奈米、或10奈米至45奈米之平均粒徑。作為該高折射率顆粒，可使用氧化鋁alumina、矽鋁酸鹽(alumino silicate)、氧化鈦(titanium oxide)、或氧化鋯(zirconium oxide)。關於該高折射率顆粒，例如，作為具有2.5以上折射率之顆粒，可使用金紅石型氧化鈦(rutile-type titanium oxide)。因此，在一相對少量，當該高折射率顆粒包含於用以形成平坦化層之材料中。該高折射率顆粒之折射率可以具有550nm波長之光線測得。
該光學功能層可為，例如，一包括光散射層及形成於該光散射層頂部之平坦化層之層。該平坦化層可形成以具有一對應該光散射層之投影面積。除非另有所定義，使用於此之「具有對應A之投影面積之B」係指當從上觀察一基板時，基於被辨識之面積，A之投影面積與B之投影面積實質上相同。於此，「實質上相同」也包括，例如， 因製程誤差之兩區域間在投影面積中的微小差異。舉例而言，「實質上相同」也可包括相對於A之投影面積，A之投影面積(AA)及B之投影面積(BA)間的比率(AA/BA)為0.5至1.5、0.7至1.3、0.85至1.15、或實質上為1。當更包括該平坦化層時，該光散射層及該平坦化層可設置於該基底層及該電極層之間，該電極層之投影面積可大於該光散射層及該平坦化層之投影面積，且該電極層也可形成於該基底層之一表面，其上並不形成該光散射層及該平坦化層。然而，該平坦化層並非必要。舉例而言，假如該光散射層是平坦的，則可不包含該平坦化層。
舉例而言，該平坦化層可提供於該光散射層之一表面，其上將形成一電極，並且透過與該光散射層之交互作用，呈現更優異的光萃取效率。該平坦化層可例如具有與相鄰之電極層有相同的折射率。該平坦化層可具有一折射率，例如，1.7以上、1.8至3.5或2.2至3.0。當該平坦化層形成於上述具有不平坦結構之光散射層之頂部時，可形成該平坦化層以具有與該光散射層不同之折射率。
舉例而言，可透過混合上述高折射率顆粒及介質材料之方法形成該平坦化層。該介質材料可為，例如，描述於光散射層類別之一。
於另一實施例中，可透過混摻如烷氧化物或金屬(如鋯、鈦或鈰)之醯化物之化合物與具有極性官能基(如羧基或烴基)之黏結劑準備一材料，並可使用該材料形成該平坦化層。如烷氧化物或醯化物之化合物可與黏結劑之極 性官能基縮合，並提供金屬給該黏結劑之主鏈，從而實現高折射率。該烷氧化物或丙烯酸酯之化合物之例子可包括：烷氧基鈦，如四正丁氧基鈦(tetra-n-butoxy titanium)、四異丙氧基鈦(tetraisopropoxy titanium)、四正丙氧基鈦(tetra-n-propoxy titanium)、或四乙氧基鈦(tetraethoxy titanium)；醯化鈦，如硬脂酸鈦(titanium stearate)；鈦螯合物(titanium chelate)；烷氧基鋯，如四正丁氧基鋯(tetra-n-butoxy zirconium)、四正丙氧基鋯(tetra-n-propoxy zirconium)、四異丙氧基鋯(tetraisopropoxy zirconium)、四乙氧基鋯(tetraethoxy zirconium)；醯化鋯，如三丁氧基硬脂酸鋯(zirconium tributoxystearate)；或鋯螯合物(zirconium chelate)。該平坦化層也可透過溶膠凝膠塗佈法而形成。該塗佈法包括透過混摻一金屬烷氧化物(如烷氧基鈦或烷氧基鋯)與一溶劑(如醇類或水)準備一溶液、塗佈該溶液、及在適當溫度下塑化該塗佈溶液。
在考量上述電極層之間電阻下，該光學功能層的厚度可約為500nm至1,000nm、500nm至900nm、或500nm至800nm，但不特別以此為限。
本發明之另一態樣係提供一有機電子系統。本發明示例型有機電子系統可包括上述用於OED之基板、形成於該基板電極層上之有機層、及形成於該有機層上之電極層。以下，為了區分，形成於用於OED之基板上之電極可稱為第一電極層；形成於該有機層上之電極層可稱為第二電極層。於包括該基板之OED中，該第一電極層之投影 面積大於該基板之光學功能層之投影面積，且該電極層可形成於該基底層之一表面上，其中，該表面上並不形成該光學功能層。
該有機層可包括至少一發光層。舉例而言，當使用透明電極層作為第一電極層且使用反射電極層作為第二電極層，可實現一底部發射裝置輻射由該有機層之發光層產生之光線穿過該光學功能層至該基底層。
於該有機電子系統中，該光學功能層可具有，例如，相當於該發光層發光區域之投影面積或是大於該發光區域之投影面積。舉例而言，一光學功能層形成於其中之區域之長度(B)及該發光層之發光區域之長度(C)，兩者間之差可約為10微米至20微米。於此，該光學功能層形成於其中之區域之長度(B)係為一從上方任意方向觀察該光學功能層時所確認之區域之長度，且在此情況下，該發光區域之長度(C)可意指一長度，其係為基於從上方任意方向觀察該光學功能層時所確認之區域，在與光學功能層形成於其中之區域之長度(B)相同方向上，所測得之長度。該光學功能層也可形成於對應該發光區域之位置。「光學功能層也可形成於對應該發光區域之位置」可表示，例如，當由上及下觀察該OED時，該發光區域及該光學功能層實質上重疊。
於一實施例中，該OED可為一OLED。當該OED為一OLED時，該OED之結構可例如包括一包含至少一發光層之有機層，該發光層可插置於電洞注入電極層及 電子注入電極層間。舉例而言，當該第一電極層為一電洞注入電極層時，該第二電極層為一電子注入電極層；反之，當該第一電極層為一電子注入電極層時，該第二電極層為一電洞注入電極層。
該位於電子及電洞注入電極層之間的有機層可包括至少一發光層。該有機層可包括至少兩層發光層。當包括至少兩層發光層時，可藉由一具有電荷生成特性之中間電極層或一電荷產生層(charge generating layer，CGL)分隔該些發光層。
舉例而言，可使用本領域習知各種螢光(fluorescent)或磷光(phosphorescent)有機材料形成該發光層。能夠使用於該發光層之材料的例子可為，但不限於：一螢光材料，如Alq系材料(例如：三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III)，Alg3)、4-MAlq3、或Gaq3)；一環戊二烯(cyclopentadiene)衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-amine、TBSA、BTP、PAP-NPA、spiro-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、1,2,3,4,5-五苯基-1,3-環戊二烯(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene，PPCP)；4,4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)-1,1'-聯苯(4,4’-bis(2,2’-diphenylvinyl)-1,1’-biphenyl，DPVBi)、二苯乙烯基苯(distyryl benzene)或其衍生物；或者4-(二氰基亞甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基-9-烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran，DCJTB)、DDP、AAAP、或NPAMLI； 一磷發光材料(phosphorescent material)，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、三[2-(4,5'-二氟苯基)吡-C’2,N)銥(III)(fac-tris[2-(4,5’-difluorophenyl)pyridine-C’2,N]iridium(III)，FIrppy)、或雙(2-(2'-苯並咪唑並[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3']銥(乙醯丙酮)(bis(2-(2’-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’)iridium(acetylactonate，Btp2Ir(acac))。該發光層可包括作為主發光體之材料及包含主體摻雜劑系統，其包括作為摻雜劑之苝(perylene)、二苯乙烯基聯苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)、BTX、ABTX、或DCJTB。
該發光層也可透過採用一適合的類型而形成，該類型選自一呈現後述發射特性之接受電子之有機化合物及提供電子之有機化合物。
只要包含該發光層，該有機層可形成於各種更包括各種本領域習知之功能性層之結構中。能夠包含於該有機層之層可為一電子注入層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電洞傳輸層或電洞注入層。
舉例而言，可使用一接受電子之有機化合物形成該電子注入層或電子傳輸層。於此，關於該接受電子之化合物，可使用習知可選擇的化合物而無任何具體限制。關於此類有機化合物，可使用：多環化合物(polycyclic compound)，如對三聯苯(p-terphenyl)、四聯苯(quaterphenyl)或其衍生物；多環烴化合物(polycyclic hydrocarbon compound)，如萘(naphthalene)、稠四苯(tetracene)、芘(pyrene)、蔻(coronene)、苯并菲(chrysene)、蔥(anthracene)、二苯蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)、或菲(phenanthrene)或其衍生物；或雜環化合物(heterocyclic compound)，如啡啉(phenanthroline)、菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinolone)、奎喏林(quinoxaline)、或吩嗪(phenazine)或其衍生物。此外，熒光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、紫環酮(perynone)、酞菁紫環酮(phthaloperynone)、萘紫環酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、惡二唑(oxadiazole)、醛連氮(aldazine)、二苯並(bisbenzoxazoline)、聯苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、環戊二烯(cyclopentadiene)、喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亞胺(imine)、二苯乙烯(diphenylethylene)、乙烯基蒽(vinylanthracene)、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)、或其衍生物；於日本專利公開號第1988-295695、1996-22557、1996-81472、1993-009470、或1993-017764號揭露之金屬螯合複合物化合物，如具有至少一金屬螯合吲哚化合物(metal chelated oxinoid compound) 之金屬螯合物，例如：8-羥基喹啉化合物(8-quinolatos)，包括三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum)、雙(8-羥基喹啉)鎂(bis(8-quinolinolato)magnesium)、雙[苯並(f)-8-羥基喹啉]鋅(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、三(8-羥基喹啉)銦(tris(8-quinolinolato)indium)、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁(tris(5-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、8-羥基喹啉鋰(8-quinolinolatolithium)、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵(tris(5-chloro-8-quinolinolato)gallium)、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣(bis(5-chloro-8-quinolinolato)calcium)、及其衍生物作為一協調物(coordinator)；於日本專利公開號第1993-202011、1995-179394、1995-278124或1995-228579號揭露之惡二唑(oxadiazole)化合物；於日本專利公開號第1995-157473號揭露之三嗪(triazine)化合物；於日本專利公開號第1994-203963號揭露之芪類(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亞芳(distyrylarylene)衍生物；於日本專利公開號第1994-132080或1994-88072揭露之苯乙烯基(styryl)衍生物；於日本專利公開號第1994-100857或1994-207170揭露之二烯烴(diolefin)衍生物；螢光增亮劑，如苯並噁唑(benzooxazole)化合物、苯並噻唑(benzothiazole)化合物、或苯並咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基亞芳化合物，如1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(2-methylstyryl)benzene)、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(3-methylstyryl)benzene)、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(4-methylstyryl)benzene)、 二苯乙烯基苯(distyrylbenzene)、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)芐基(1,4-bis(2-ethylstyryl)benzyl)、1,4-雙(3-乙基苯乙烯基)苯(1,4-bis(3-ethylstyryl)benzene)、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯(1,4-bis(2-methylstyryl)-2-methylbenzene)、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯(1,4-bis(2-methylstyryl)-2-ethylbenzene)；二苯乙烯基吡嗪(distyrylpyrazine)化合物，如2,5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-methylstyryl)pyrazine)、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-ethylstyryl)pyrazine)、2,5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis[2-(1-naphthyl)vinyl]pyrazine)、2,5-雙(4-甲氧基苯基)吡嗪(2,5-bis[2-(4-biphenyl)vinyl]pyrazine)、2,5-雙[2-(4-聯苯基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis(4-methoxystyryl)pyrazine)、或2,5-雙[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis[2-(1-pyrenyl)vinyl]pyrazine)；二亞甲基(dimethylidene)衍生物，如1,4-亞苯基二亞甲基(1,4-phenylenedimethylidene)、4,4'-亞苯基二亞甲基(4,4’-phenylenedimethylidene)、2,5-二甲苯二亞甲基(2,5-xylene dimethylidene)、2,6-亞萘基二亞甲基(2,6-naphthylenedimethylidene)、1,4-亞聯苯基二亞甲基(1,4-biphenylenedimethylidene)、1,4-對-四苯基二亞甲基(1,4-para-terephenylene dimethylidene)、9,10-蒽二基二甲基烷(9,10-anthracenediyldimethylidine)、或4,4'-(2,2-二-鈦-丁基苯基)聯苯(4,4’-(2,2-di-ti-butylphenylvinyl)biphenyl)、或4,4'-(2,2-二苯基乙烯基)聯苯基(4,4’-(2,2-diphenylvinyl)biphenyl)，或其衍生物；於日本專 利公開號第1994-49079或1994-293778揭露之矽烷胺(silanamine)衍生物；於日本專利公開號第1994-092947號揭露之多功能基之苯乙烯化合物；如日本專利公開號第1994-206865號揭露之蒽(anthracene)化合物；於日本專利公開號第1994-145146號揭露之喹啉(oxinate)衍生物；於日本專利公開號第1992-96990號揭露之四苯基丁二烯(tetraphenyl butadiene)化合物；如日本專利公開號第1991-296595號公開之有機三官能基化合物；於日本專利公開號第1990-191694號揭露之香豆素(coumarin)衍生物；於日本專利公開號第1990-196885號揭露之苝(perylene)衍生物；於日本專利公開號第1990-255789號揭露之萘(naphthalene)衍生物；如日本專利公開號第1990-289676或1990-88689號揭露之酞菁紫環酮(phthaloperynone)衍生物；或如日本專利公開號第1990-250292號揭露之苯乙烯基胺(styryl amine)衍生物考使用作為一包含於低反射層中的電子接受有機化合物。此外，於此，可使用如LiF CsF作為醫材料形成該電子注入層。
該電洞阻擋層可為一種能透過防止注入的電洞穿過發光層至電子注入電極層的方式，提高裝置使用壽命及效率之層，且當有需要的時候，可使用習知材料形成於該發光層及該電子注入層間之適當部位。
舉例而言，電洞注入層或電洞傳輸層可包括一提供電子之有機化合物。關於該提供電子之有機化合物，可使用N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基苯基 (N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminophenyl)、N，N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二氨基聯苯(N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-4,4’-diaminobiphenyl)、2,2-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷(2,2-bis(4-di-p-tollylaminophenyl)propane)、N,N,N',N'四-對-甲苯基-4,4'-二氨基聯苯(N,N,N’,N’-tetra-p-tollyl-4,4’-diaminobiphenyl)、雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷(bis(4-di-p-tollylaminophenyl)phenylmethane)、N，N'-二苯基-N,N'-二(4-甲氧基苯基)-4,4'-二氨基聯苯(N,N’-diphenyl-N,N’-di(4-methoxyphenyl)-4,4’-diaminobiphenyl)、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基二苯醚(N,N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminodiphenylether)、4,4'-雙(二苯基氨基)四苯基(4,4’-bis(diphenylamino)quadriphenyl)、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯(4-N,N-diphenylamino-(2-diphenylvinyl)benzene)、3-甲氧基-4'-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯(3-methoxy-4’-N,N-diphenylaminostyrylbenzene)、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)環己烷(1,1-bis(4-di-p-triaminophenyl)cyclohexane)、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)-4-苯基環己烷(1,1-bis(4-di-p-triaminophenyl)-4-phenylcyclohexane)、雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷 (bis(4-dimethylamino-2-methylphenyl)phenylmethane)、N,N,N-三(對-甲苯基)胺(N,N,N-tri(p-tollyl)amine)、4-(二-對-甲苯基氨基)-4'-[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(4-(di-p-tollylamino)-4’-[4-(di-p-tollylamino)styryl]stilbene)、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二氨基聯苯(N-苯基咔唑N,N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminobiphenyl N-phenylcarbazole)、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)、4,4“-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對-三聯苯(4,4”-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]p-terphenyl)、4,4'-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(3-acenaphthenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘(1,5-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]naphthalene)、4,4'-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯苯苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(9-anthryl)-N-phenylamino]biphenylphenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]對三聯苯(4,4’-bis[N-(1-anthryl)-N-phenylamino]-p-terphenyl)、4,4'-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-phenanthryl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(8-fluoranthenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'- 雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-pyrenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-perylenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4'-雙[N-(1-暈苯基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2,6-雙(二-對-甲苯基氨基)萘(2,6-bis(di-p-tollylamino)naphthalene)、2,6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘(2,6-bis[di-(1-naphthyl)amino]naphthalene)、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘(2,6-bis[N-(1-naphthyl)-N-(2-naphthyl)amino]naphthalene)、4,4'-雙[N,N-二(2-萘基)氨基]三聯苯(4,4’-bis[N,N-di(2-naphthyl)amino]terphenyl)、4,4'-雙{N-苯基-N-〔4-(1-萘基)苯基]氨基}聯苯(4,4’-bis{N-phenyl-N-[4-(1-naphthyl)phenyl]amino}biphenyl)、4,4'-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯苯(4,4’-bis[N-phenyl-N-(2-pyrenyl)amino]biphenyl)、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)氨基]氟(2,6-bis[N,N-di-(2-naphthyl)amino]fluorine)、或4,4'-雙(N,N-二-對-甲苯基氨基)三聯苯(4,4’-bis(N,N-di-p-tollylamino)terphenyl)、或芳胺類化合物，如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺(bis(N-1-naphthyl)(N-2-naphthyl)amine)，但本發明並不僅限於此。
電洞注入層或電洞傳輸層可透過分散該有機化合物於一聚合物或使用一由該有機化合物衍生之聚合物而形成。此外，可使用一π-共軛聚合物，如聚對苯乙炔(polyparaphenylenevinylene)及其衍生物、一電洞傳輸無共軛聚合物，如聚(N-乙烯基咔唑)(poly(N-vinylcarbazole))、或一矽烷之σ-共軛聚合物。
該電洞注入層可使用一電性導電聚合物形成，舉例而言：金屬酞菁(metal phthalocyanine)，如銅酞菁(copper phthalocyanine)；非金屬酞菁(non-metal phthalocyanine)；碳層；或聚苯胺(polyaniline)，或該電洞注入層可藉由使用一芳胺化合物作為氧化劑與路易士酸反應而形成。
舉例而言，OLED可形成以下類型：(1)電洞注入電極層/有機發光層/電子注入電極層；(2)電洞注入電極層/電洞注入層/有機發光層/電子注入電極層；(3)電洞注入電極層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層；(4)電洞注入電極層/電洞注入層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層；(5)電洞注入電極層/有機半導體層/有機發光層/電子注入電極層；(6)電洞注入電極層/有機半導體層/電子阻擋層/有機發光層/電子注入電極層；(7)電洞注入電極層/有機半導體層/有機發光層/黏著促進層/電子注入電極層；(8)電洞注入電極層/電洞注入層/電洞傳輸層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層；(9)電洞注入電極層/絕緣層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；(10)電洞注入電極層/無機半導體層/絕緣層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層； (11)電洞注入電極層/有機半導體層/絕緣層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；(12)電洞注入電極層/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/有機發光層/絕緣層/電子注入電極層；或(13)電洞注入電極層/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/有機發光層/電子注入層/電子注入電極層，其中，上述各類型依序形成。在某些情況中，該OLED可具有一具有一結構中具有至少兩層發光層之有機層，該有機層係借於一電洞注入電極層及電子注入電極層之間，該些發光層係由具有電荷生成特性之中間電極層或CGL分隔，但本發明並不以此為限。
用以形成電洞或電子注入電極層及有機層，如發光層、電子注入或傳輸層、或電洞注入或傳輸層之材料以及其之形成方法為本領域習知；並且上述所有方法可應用於製造該OED。
該OED更可包括一封裝結構。該封裝結構可為一保護結構，其用以預防外部材料(如濕氣或氧)流入該OED之有機層。舉例而言，該封裝結構可為：一容器，如玻璃容器或金屬容器；或一覆蓋該有機層整個表面之膜。
圖9顯示以一具有容器結構(如玻璃容器或金屬容器)之封裝結構903保護形成於含有依序形成基底層101、光學功能層103及第一電極層102之基板上的有機層901及第二電極層902。如圖9所示，該封裝結構903可藉由黏著劑904貼附於該基板上。舉例而言，該封裝結構可貼附於該電極層，於該電極層下方，光學功能層不設置於 該基板。舉例而言，如圖9所示之該封裝結構903可藉由該黏著劑904貼附於該基板之一端。
舉例而言，該封裝結構可為塗佈於該有機層及該第二電極層整個表面之膜。圖10顯示一封裝結構1001，其形成為一覆蓋有機層901及第二電極層902整個表面之膜類型。舉例而言，如圖10所示，該膜類型封裝結構1001可具有一塗佈於該有機層901及該第二電極層902整個表面之結構，其中，一含有基底層101、一光學功能層103及一電極層102之基板係貼附於一設置於其上之第二基板1002。於此，舉例而言，該第二基板1002可為一玻璃基板、一金屬基板、一聚合物膜或一阻擋層。舉例而言，該膜類型封裝結構可透過塗佈一藉由熱或UV照射硬化之液體材料(如環氧樹脂)，並硬化該塗佈材料而形成，或藉由堆疊該基板及使用黏著片之上方基板，該黏著片為先前於膜類型中使用環氧樹脂所製造。
如有所需，該封裝結構可包括一水吸收劑或一吸氧劑(getter)，例如：金屬氧化物，如氧化鈣(calcium oxide)或氧化鈹(beryllium oxide)；金屬鹵化物，如氯化鈣(calcium chloride)或五氧化二磷(phosphorus pentoxide)。舉例而言，該水吸收劑或吸氧劑可包含於一膜類型封裝結構，或設置於一容器類型封裝結構之預定位置。該封裝結構可更包括一阻擋膜或導電膜。
舉例而言，如圖9或10所示，該封裝結構可貼附於下方不形成光學功能層之第一電極層之頂部。因此， 可實現光學功能層不暴露於外部環境之密封結構。舉例而言，該密封結構可意指該光學功能層整個表面被基底層、電極層、及/或封裝結構所包圍，或藉由所形成之密封結構以包括該基底層、該電極層、及/或該封裝結構，從而防止光學功能層暴露於外部環境。只要光學功能層不暴露於外部環境，該密封結構可只包括該基底層、該電極層、及/或該封裝結構，或也可包括其他組成，例如，一導電材料或與基底層、電極層及封裝結構之中間層。舉例而言，於圖9或圖10中，其他組成可設置於該基底層101接觸該電極層102或該第一電極層102接觸該封裝結構903或1001之部分或其他位置。關於該組成，可使用一有機材料、無機材料、或具有低濕氣滲透性之有機/無機結合材料、或一絕緣層或一輔助電極。
本發明之又一態樣係提供一種用於OED或OLED之基板之製造方法。該示例型方法可包括形成一光學功能層於一基底層上，且於此，該光學功能層係進行處理以具有小於該基底層之投影面積。舉例而言，可藉由移除至少一部份形成於基底層上之光學功能層，以執行這樣的處理。透過上述處理，可圖案化該光學功能層以僅設置於於如上所述之對應發光區域之位置。
舉例而言，如圖11所示，可移除形成於一基底層101整個表面上之光學功能層103之一部分。於該基底層上形成該光學功能層之方法並不特別限制，因此可應用依據該光學功能層態樣之習知方法。舉例而言，透過上述 塗佈方法、如化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)或物理氣相沉積法(physical vapor deposition，PVD)之沉積方法、奈米壓印法(nano imprinting)或微滾花法(microembossing)，可形成該光學功能層。
移除形成於該基底層上的光學功能層之一部分之方法並不特別限制，且在考量該光學功能層之種類下，可應用適當的方法。
舉例而言，可藉由應用濕式或乾式蝕刻移除該光學功能層，其中，該光學功能層係以能夠溶解該光學功能層之蝕刻溶液處理。
於另一實施例中，可藉由雷射處理移除該光學功能層。舉例而言，於該光學功能層形成於該基底層上後，可藉由照射雷射而移除。該雷射可照射於形成該光學功能層之一側，或當該基底層為透明時，照射於該基底層。可使用任何具有適當輸出且能夠移除該光學功能層之雷射種類。舉例而言，該雷射可為：光纖二極體雷射(fiber diode laser)；固態雷射，例如紅寶石(ruby)(如：Cr3+：Al2O3)或YAG(Nd3-：Y3A15O12)；氣體雷射，例如磷酸鹽玻璃(phosphate glass)、矽酸鹽玻璃(silicate glass)、二氧化碳雷射(CO2 laser)、或準分子雷射(excimer laser)；液態雷射(liquid laser)；半導體雷射(semiconductor laser)；或YLF(Nd3+：LiYF4)。這樣的雷射可以點雷射或線束雷射的形式照射。只要能受控制以執行適當的處理，照射雷射的條件並不特別限制。舉例而言，可照射以約1W至約10W輸出之具有於UV或IR範圍 之波長之雷射，但本發明並不以此為限。
該光學功能層也可藉由水刀法(water jet)移除。該水刀法係為一藉由在預定壓力下噴射水以移除一目標物之方法。舉例而言，可藉由在約500atm至2000atm或800atm至1300atmm的壓力下噴射水，以移除該光學功能層。為了有效的移除，上述所所噴射之加壓水可更包括一磨料。在考量被移除的目標物下，作為該磨料，一合適的習知材料可使用在適當的比率。
當應用水刀法時，在考量移除的部分或圖案下，可選擇噴射的直徑或速度而無特別限制。舉例而言，在水刀法製程過程中，噴射寬度可控制於約1mm至10mm或2mm至5mm。此外，舉例而言，透過水刀蝕刻的速度可為約300mm/min至約2000mm/min或約500mm/min至約1200mm/min，從而確保合適的製程效率並執行有效的去除。
作為另一方法，可透過光刻法(photolithography)去除部分的該光學功能層；或透過平板印刷(off-set printing)或其他可考慮的圖案印刷法之一形成該光學功能層，以從一開始便具有小於該基底層之投影面積。
依據一目的，可改變該光學功能層之處理類型而無特別限制。舉例而言，可以這樣執行該處理：具有小於該基底層之投影面積之光學功能層之位置對應之後形成之發光層之發光區域，且該投影面積對應或大於該發光層之投影面積或該發光層形成之發光區域。反之，如有所需該光學功能層可處理為各種圖案。此外，可移除該光學功 能層，其係設置於對應施用黏著劑以貼附於該封裝結構或該裝置終端區域之部分，或光學功能層及平坦化層之堆疊結構。
該方法可更包括於處理該光學功能層之後形成一電極層。在此情況下，該電極層可具有上述投影區域，且可形成於上述位置。可形成一用以密封隨著基底層處理之該光學功能層之密封結構。可透過任意習知方法執行形成該電極層之方法，例如習知之沉積(deposition)、濺鍍(sputtering)、CVD或電化學法，但並不特別以此限制。
該方法可更包括形成上述中間層。舉例而言，可透過下列方法形成該中間層。舉例而言，於處理該光學功能層以具有小於該基底層之投影面積後，可透過形成一材料層而形成該中間層，該材料係用以形成該中間層，例如，一與電極層之折射率差之絕對值為約1、0.7、0.5或0.3以下之材料，如SiON，並且形成該電極層。在此情況下，依據所使用之材料，可透過習知沉積方法形成該用於形成該中間層之材料層。如上所述，該材料可具有大於該光學功能層之投影面積，且可形成於該光學功能層頂部及其上不形成光學功能層之基底層頂部。於另一實施例中，可透過下列方法形成該中間層。意即，可透過形成該光學功能層於該基底層上，透過上述方法形成該中間層於該光學功能層上，移除所形成的中間層及該光學功能層從而該光學功能層及該中間層之投影面積小於該基底層之投影面積，並且額外形成該中間層於該殘留之中間層頂部，該殘留之 中間層形成於該基底層及該光學功能層頂部，形成用於OED之包含中間層之基板。之後，透過上述方法形成該電極層於該中間層頂部，從而完成該基板。
該OED之製造方法可包括於形成該電極層之後，形成一含有發光層之有機層及第二電極層，並再形成一封裝結構。在此情況下，該有機層、該第二電極層及該封裝結構可透過習知方法形成。
本發明之再一態樣係提供一有機電子系統之用途，例如，有機發光系統。該有機發光系統可有效地應用於一液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)之背光源、採光(lightings)、偵測器(sensors)、印表機(printers)、影印機之光源、汽車儀表之光源、信號光、指示燈、顯示裝置、用於平面發光裝置之光源、顯示器、裝飾或其他種類的光源。於一實施例中，本發明係關於一包含OLED之光源裝置。當該OLED應用於該光源裝置或用於其他用途時，組成該裝置之元件及組成該裝置之方法並不特別限制，但只要是用於OLED，該相關技術領域中習知之所有選擇性材料或方法皆可實施。
101‧‧‧基板層
102,1021,1022‧‧‧電極層
103‧‧‧光學功能層
X‧‧‧光學功能層之電極層與基板層之電極 層之間的邊界區域
W‧‧‧光學功能層之側壁
A‧‧‧電極層之投影面積
B‧‧‧光學功能層之投影面積
401‧‧‧銀膠
402‧‧‧電阻測量儀
D1,D2,D3,D4‧‧‧用於電阻測量或銀膠尺寸之樣本
501‧‧‧導電材料
601‧‧‧中間層
701‧‧‧介質材料
702‧‧‧散射區域
801‧‧‧光散射層
901‧‧‧有機層
902‧‧‧第二電極層
903,1001‧‧‧封裝結構
904‧‧‧黏著劑
1002‧‧‧第二基板
本發明用於OED之基板可透過防止如濕氣或氧之外部材料之滲透而改善其耐久性，從而可形成具有優異光萃取效率之OED。此外，由於該基板可穩定地貼附於一密封OED之封裝結構，相對於電極的磨損或由外部環境 施加的壓力，該裝置可具有優異的耐久性。此外，該OED之外部末端之表面硬度可保持在一適當的程度。
圖1至圖3係顯示基板示例型實施例之示意圖。
圖4係解釋測量電極層間電阻之方法。
圖5及圖6係顯示基板示例型實施例之示意圖。
圖7及圖8係顯示光學功能層示例型實施例之示意圖。
圖9及圖10係OEDs示例型實施例之示意圖。
圖11係顯示一製造基板之製程之示例型實施例之示意圖。
圖12及圖13係顯示依據實施例2移除光學功能層及平坦化層之處理。
圖14及圖15係為顯示依據實施例之OLED耐久性評估。
圖16係為顯示依據比較例之OLED耐久性評估。
以下，將詳細描述本發明示例型實施例。然而，本發明並不限於以下揭露之實施例。
雖然名詞第一、第二等可被用以描述各種元件，該些元件並不受限於該些名詞。這些名詞僅用於分辨元件彼此。舉例而言，第一元件可表示為第二元件，且類似地，第二元件可表示為第一元件，而不悖離示例型實施例之範疇。名詞「及/或」包括一個或以上相關列舉項目之任何及全部之組合。
應當理解的是，當一元件被指為「連接」或「耦合」至另一元件，其可為直接連接或耦合至另一元件或可設置中間元件。反之，當一元件被指為「直接連接」或「直接耦合」至另一元件，則無設置中間元件。
使用於此的術語僅係為了描述具體實施例之目的，且並不意在限制示例型實施例。除非說明書另有清楚指示，單一形式「一」、「一個」、及「該」意在同時包含複數形式。應當更了解的是，當術語「包含」、「包括」、「含有」及/或「含」使用於此時，指定所述的特徵、整數、步驟、操作、元件、元件和/或其存在，但不排除存在或添加一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、元件和/或其群組。
參考附圖，以下將更詳細描述本發明示例型實施例。為了幫助了解本發明，相同符號在整個圖式描述中指相同元件，且相同元件之描述將不再重複。
實施例1
一用於光散射層之塗佈溶液係透過混摻並充分分散具有約200nm平均粒徑之散射顆粒(二氧化鈦顆粒)於一含有作為縮合矽烷(condensable silane)之四甲氧基矽烷(tetramethoxy silane)之溶膠凝膠塗佈溶液而準備。一光散射層係透過塗佈該塗佈溶液於一玻璃表面，並於200℃進行一溶膠凝膠反應30分鐘，形成具有約300nm之厚度。之後，一具有約1.8之折射率及約300nm厚度之平坦層係透過塗佈一高折射塗佈溶液於該光散射層頂部，在如上述之相同條 件下形成，該高折射塗佈溶液係透過混摻具有約10nm平均粒徑與約2.5折射率之高折射二氧化鈦顆粒於該含有四甲氧基矽烷之溶膠凝膠塗佈溶液。接著，透過照射一雷射至所形成之層以去除部分光散射層及平坦層，從而依序形成對應一有機層發光區域之殘留的光散射層及平坦層。在去除之後，一包含ITO之電洞注入電極層係透過習知濺鍍法形成約100nm之厚度於該玻璃基板之整個表面。依據ASTM 3363，以500g之鉛筆重量及250mm/min之鉛筆移動速度測量對應該平坦化層頂部上的ITO電洞注入電極層之一部分之鉛筆硬度約為4H；以相同方式測量對應形成於該玻璃基板上且不形成於該平坦化層頂部上之電極層之鉛筆硬度約為8H。此外，一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層、一電子注入層及一電子注入電極層係使用習知材料及方法形成。之後，如圖9所示，使用一玻璃容器製造一具有封裝結構之OLED。
實施例2
除了透過水刀法執行光散射層及平坦層之去除之外，如實施例1所述之製造一有機發光系統。透過噴射1,000atm之壓力加壓水以蝕刻每個噴嘴轉移約3mm之蝕刻寬度執行該水刀法。具體而言，如圖12所示，該光散射層及該平坦層係先於一方向中去除，然後如圖13所示，再於垂直前述方向之方向上去除，從而進行圖案化這樣的光散射層及平坦層，其係於該基板之中央殘留具有水平長度約5cm即垂直長度約5cm之正方形。接著，係透過如實施 例1所述之相同方法形成一電極層，從而製備一基板。以如實施例1所述之相同方法測量對應該平坦化層頂部上的ITO電洞注入電極層之一部分之鉛筆硬度約為4H；以相同方式測量對應形成於該玻璃基板上且不形成於該平坦化層頂部上之電極層之鉛筆硬度約為8H。接著，透過如實施例1所述之相同方法形成一有機層及一電極層於該基板之電極層上，並貼附一玻璃容器，從而製備一OED。於此，於該基板之中央，一有機層之發光層之發光區域係形成具有水平長度4cm及垂直長度約4cm之正方形。
比較例1
除了形成一ITO電極而無光散射層及平坦化層之去除外，係以如實施例1所述相同方法製造一有機發光系統，該光散射層及該平坦化層係形成於一玻璃基板之整個表面。以如實施例1所述之相同方法測量對應該平坦化層頂部上的ITO電洞注入電極層之一部分之鉛筆硬度約為4H。一有機層、一第二電極層及一封裝結構係以如實施例1所述相同方法依序形成該基板之電極層上，從而完成該有機發光系統。
試驗例1：發光狀態之測量
透過觀察依據實施例或比較例之OLED之初始發光狀態，於85℃下保持該OLED500小時並再度測量發光狀態，以評估其耐久性。圖14及圖15分別對應實施例1及2，顯示於上述方法中之耐久性評估之影像圖。具體而言，圖15(A)係為顯示實施例2之OLED之初始發光狀態之影像 圖；圖15(B)係為顯示實施例2之OLED於85℃下保持500小時後之發光狀態之影像圖。圖16係為比較例1之初始發光狀態(圖16(A))及該OLED於85℃下保持500小時後之發光狀態(圖16(B))。於該些圖式，由於在500小時後於比較例1中有許多點，其可確認在發光均勻性顯著的降低。
101‧‧‧基板層
102‧‧‧電極層
103‧‧‧光學功能層
901‧‧‧有機層
902‧‧‧第二電極層
903‧‧‧封裝結構
904‧‧‧黏著劑

Claims (20)

  1. 一種用於有機電子裝置之基板，包括：一基底層；一光學功能層，其係形成於該基底層上，且具有一小於該基底層之投影面積；以及一電極層，其具有一大於該光學功能層之投影面積，且係形成於該光學功能層以及未形成有該光學功能層之基底層上；其中，形成於未形成有該光學功能層之該基底層上之該電極層，其鉛筆硬度為6H以上，其中，該鉛筆硬度係依據ASTM D3363之規範，以500g之鉛筆重量及250mm/min之鉛筆移動速度而測量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，形成於未形成有該光學功能層之該基底層上之該電極層，其鉛筆硬度為2B至5H，其中，該鉛筆硬度係依據ASTM D3363之規範，以500g之鉛筆重量及250mm/min之鉛筆移動速度而測量。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該電極層之投影面積(A)相對應於該光學功能層之投影面積(B)之比率(A/B)係為1.04以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該光學功能層係藉由該基底層、該電極層、及一導電材料而封裝。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該基底層係透明的。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該基底層係為一玻璃基底層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該電極層係為一電洞注入電極層或一電子注入電極層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該光學功能層係為一光散射層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板，其中，該光散射層係包括一介質材料及一散射粒子，該散射粒子具有與該介質材料不同之折射率。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板，其中，該介質材料係包括聚矽氧烷(polysiloxane)、聚醯胺酸(poly(amic acid))、或聚亞醯胺(polyimide)。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之基板，其中，該散射粒子具有1.0至3.5之折射率。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之基板，其中，該光散射層係為一具有不平坦結構之層。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中，該光學功能層係包括一光散射層及一平坦化層，該平坦化層係形成於該光散射層上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之基板，其中，該平坦化層具有1.7以上之折射率。
  15. 一種有機電子系統，包括：一如申請專利範圍第1項所述之基板； 一有機層，其包括一發光層，該有機層係形成於該基板之該電極層上；以及一第二電極層，係形成於該有機層上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之有機電子系統，其中，形成有該光學功能層之該基板之區域的長度(B)及該發光層之發光區域之長度(C)之間的差(B-C)係介於10μm至2mm。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之有機電子系統，更包括用以保護該有機層及該第二電極層之一封裝結構，該封裝結構係貼附於該基板之該電極層之頂面，並該封裝結構下方不形成該光學功能層。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機電子系統，其中，該封裝結構係為一玻璃容器或一金屬容器。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之有機電子系統，其中，該封裝結構係為一薄膜，其覆蓋於該有機層及該第二電極層之整個表面。
  20. 一種照明裝置，其係包括如申請專利範圍第14項所述之有機電子系統。
TW102110612A 2012-03-23 2013-03-25 Substrate for organic electronic device TWI561390B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120030249 2012-03-23
KR20120084215A KR20130108027A (ko) 2012-03-23 2012-07-31 유기전자소자용 기판의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201347998A true TW201347998A (zh) 2013-12-01
TWI561390B TWI561390B (en) 2016-12-11

Family

ID=49631199

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102110612A TWI561390B (en) 2012-03-23 2013-03-25 Substrate for organic electronic device
TW102110609A TWI610479B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 用於有機電子裝置之基板
TW102110611A TWI610480B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 用於有機電子裝置之基板
TW102110509A TWI624097B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 製備用於有機電子裝置之基板之方法
TW102110610A TWI611610B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 用於有機電子裝置之基板

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102110609A TWI610479B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 用於有機電子裝置之基板
TW102110611A TWI610480B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 用於有機電子裝置之基板
TW102110509A TWI624097B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 製備用於有機電子裝置之基板之方法
TW102110610A TWI611610B (zh) 2012-03-23 2013-03-25 用於有機電子裝置之基板

Country Status (7)

Country Link
US (5) US9530979B2 (zh)
EP (5) EP2830111B1 (zh)
JP (5) JP6429767B2 (zh)
KR (9) KR20130108027A (zh)
CN (5) CN104205406B (zh)
TW (5) TWI561390B (zh)
WO (5) WO2013141673A1 (zh)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825674B1 (en) 2014-05-23 2017-11-21 Energous Corporation Enhanced transmitter that selects configurations of antenna elements for performing wireless power transmission and receiving functions
US10965164B2 (en) 2012-07-06 2021-03-30 Energous Corporation Systems and methods of wirelessly delivering power to a receiver device
US10312715B2 (en) 2015-09-16 2019-06-04 Energous Corporation Systems and methods for wireless power charging
US11502551B2 (en) 2012-07-06 2022-11-15 Energous Corporation Wirelessly charging multiple wireless-power receivers using different subsets of an antenna array to focus energy at different locations
US10992185B2 (en) 2012-07-06 2021-04-27 Energous Corporation Systems and methods of using electromagnetic waves to wirelessly deliver power to game controllers
US10992187B2 (en) 2012-07-06 2021-04-27 Energous Corporation System and methods of using electromagnetic waves to wirelessly deliver power to electronic devices
JP6053363B2 (ja) 2012-07-18 2016-12-27 三菱日立パワーシステムズ株式会社 触媒構造
JP6241797B2 (ja) * 2012-07-31 2017-12-06 エルジー・ケム・リミテッド 有機電子素子用基板
US9691995B2 (en) 2013-12-04 2017-06-27 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing substrate for organic electronic device
KR102117395B1 (ko) * 2013-12-16 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6257428B2 (ja) 2014-04-15 2018-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法
KR101791299B1 (ko) * 2014-09-29 2017-10-27 주식회사 엘지화학 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자
KR101579457B1 (ko) * 2014-12-22 2015-12-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN104576321A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置
KR101582175B1 (ko) * 2015-03-17 2016-01-05 에이피시스템 주식회사 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법
US11710321B2 (en) 2015-09-16 2023-07-25 Energous Corporation Systems and methods of object detection in wireless power charging systems
US10063108B1 (en) 2015-11-02 2018-08-28 Energous Corporation Stamped three-dimensional antenna
CN106775038A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 深圳莱宝高科技股份有限公司 一种触控面板及其制作方法
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管
US11863001B2 (en) 2015-12-24 2024-01-02 Energous Corporation Near-field antenna for wireless power transmission with antenna elements that follow meandering patterns
US10079515B2 (en) 2016-12-12 2018-09-18 Energous Corporation Near-field RF charging pad with multi-band antenna element with adaptive loading to efficiently charge an electronic device at any position on the pad
JP6754826B2 (ja) * 2016-03-03 2020-09-16 パイオニア株式会社 発光装置
JP2018041565A (ja) * 2016-09-05 2018-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10923954B2 (en) 2016-11-03 2021-02-16 Energous Corporation Wireless power receiver with a synchronous rectifier
JP6691273B2 (ja) 2016-12-12 2020-04-28 エナージャス コーポレイション 配送される無線電力を最大化するために近接場充電パッドのアンテナ区域を選択的に活性化する方法
JP7093725B2 (ja) * 2016-12-16 2022-06-30 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10439442B2 (en) 2017-01-24 2019-10-08 Energous Corporation Microstrip antennas for wireless power transmitters
US11011942B2 (en) 2017-03-30 2021-05-18 Energous Corporation Flat antennas having two or more resonant frequencies for use in wireless power transmission systems
TWI622195B (zh) * 2017-05-11 2018-04-21 Luminescence Technology Corporation 水平串聯有機光電元件結構與製程方法
US11462949B2 (en) 2017-05-16 2022-10-04 Wireless electrical Grid LAN, WiGL Inc Wireless charging method and system
US10848853B2 (en) 2017-06-23 2020-11-24 Energous Corporation Systems, methods, and devices for utilizing a wire of a sound-producing device as an antenna for receipt of wirelessly delivered power
KR20190007942A (ko) * 2017-07-14 2019-01-23 코닝 인코포레이티드 다층 구조물 패터닝 방법
CN111033377B (zh) * 2017-08-18 2023-10-13 株式会社Lg化学 基板
US11342798B2 (en) 2017-10-30 2022-05-24 Energous Corporation Systems and methods for managing coexistence of wireless-power signals and data signals operating in a same frequency band
US10615647B2 (en) 2018-02-02 2020-04-07 Energous Corporation Systems and methods for detecting wireless power receivers and other objects at a near-field charging pad
KR102649066B1 (ko) * 2018-11-06 2024-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11437735B2 (en) 2018-11-14 2022-09-06 Energous Corporation Systems for receiving electromagnetic energy using antennas that are minimally affected by the presence of the human body
US11539243B2 (en) 2019-01-28 2022-12-27 Energous Corporation Systems and methods for miniaturized antenna for wireless power transmissions
JP2022519749A (ja) 2019-02-06 2022-03-24 エナージャス コーポレイション アンテナアレイ内の個々のアンテナに使用するための最適位相を推定するシステム及び方法
US11327205B2 (en) * 2019-07-29 2022-05-10 Viavi Solutions Inc. Encapsulated diffuser
WO2021055900A1 (en) 2019-09-20 2021-03-25 Energous Corporation Classifying and detecting foreign objects using a power amplifier controller integrated circuit in wireless power transmission systems
WO2021055898A1 (en) 2019-09-20 2021-03-25 Energous Corporation Systems and methods for machine learning based foreign object detection for wireless power transmission
US11381118B2 (en) 2019-09-20 2022-07-05 Energous Corporation Systems and methods for machine learning based foreign object detection for wireless power transmission
US11411441B2 (en) 2019-09-20 2022-08-09 Energous Corporation Systems and methods of protecting wireless power receivers using multiple rectifiers and establishing in-band communications using multiple rectifiers
WO2021119483A1 (en) 2019-12-13 2021-06-17 Energous Corporation Charging pad with guiding contours to align an electronic device on the charging pad and efficiently transfer near-field radio-frequency energy to the electronic device
US10985617B1 (en) 2019-12-31 2021-04-20 Energous Corporation System for wirelessly transmitting energy at a near-field distance without using beam-forming control
US11799324B2 (en) 2020-04-13 2023-10-24 Energous Corporation Wireless-power transmitting device for creating a uniform near-field charging area
CN113288873A (zh) * 2021-05-13 2021-08-24 浙江工业大学 一种喜树碱类似物固体分散体及其制备方法和应用
US11916398B2 (en) 2021-12-29 2024-02-27 Energous Corporation Small form-factor devices with integrated and modular harvesting receivers, and shelving-mounted wireless-power transmitters for use therewith
CN115128716B (zh) * 2022-05-25 2024-01-02 广东瑞捷新材料股份有限公司 一种新型发泡扩散板结构

Family Cites Families (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0514477Y2 (zh) * 1986-01-30 1993-04-16
JPH067444B2 (ja) * 1986-01-31 1994-01-26 松本製薬工業株式会社 オルガノインジウムゾルを含む透明導電膜形成用組成物
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2879080B2 (ja) 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2997021B2 (ja) 1990-08-10 2000-01-11 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891784B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891783B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
US5656098A (en) * 1992-03-03 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic conversion device and method for producing same
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JP3228301B2 (ja) 1992-09-07 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3163589B2 (ja) 1992-09-21 2001-05-08 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JP3287421B2 (ja) 1992-10-19 2002-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH07181302A (ja) * 1993-03-17 1995-07-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 反射防止オーバーコート膜形成用コーティング液
JP3214674B2 (ja) 1993-03-26 2001-10-02 出光興産株式会社 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3211994B2 (ja) 1993-03-26 2001-09-25 出光興産株式会社 ４官能スチリル化合物およびその製造法
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JP2976773B2 (ja) * 1993-09-28 1999-11-10 凸版印刷株式会社 反射型液晶表示装置用観察者側電極板
JP3230366B2 (ja) * 1994-03-04 2001-11-19 三菱マテリアル株式会社 導電膜形成用組成物
US5504133A (en) * 1993-10-05 1996-04-02 Mitsubishi Materials Corporation Composition for forming conductive films
EP0652400B1 (en) * 1993-11-05 2000-09-20 Vari-Lite, Inc. Light pattern generator (gobo) and laser ablation method and apparatus for making it
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JP3539995B2 (ja) 1993-12-21 2004-07-07 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3300827B2 (ja) 1993-12-21 2002-07-08 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3496080B2 (ja) 1993-12-24 2004-02-09 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
JP2738506B2 (ja) 1994-09-16 1998-04-08 イリソ電子工業株式会社 サージ吸収素子及びこれを用いたコネクタ及び回路装置
US6064355A (en) 1994-05-24 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for playback with a virtual reality system
JP2779900B2 (ja) 1994-07-07 1998-07-23 アルパイン株式会社 音響機器
EP0700917B1 (en) 1994-09-12 2002-05-08 Motorola, Inc. Light emitting devices comprising organometallic complexes
JPH08122557A (ja) 1994-10-20 1996-05-17 Hitachi Cable Ltd 光波長合分波器
US5907382A (en) * 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
EP0740184A3 (en) * 1995-04-28 1998-07-29 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus
CN1146060C (zh) * 1996-06-19 2004-04-14 松下电器产业株式会社 光电子材料、使用该材料的器件
JPH10172762A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置
JP3304287B2 (ja) * 1997-06-30 2002-07-22 出光興産株式会社 有機ｅｌ多色発光表示装置
JPH1138404A (ja) * 1997-07-16 1999-02-12 Ricoh Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルター基板
KR100236008B1 (ko) * 1997-11-03 1999-12-15 구자홍 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US6353250B1 (en) * 1997-11-07 2002-03-05 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof
JP3394443B2 (ja) * 1998-04-15 2003-04-07 株式会社神戸製鋼所 紫外線レーザ素子及びその製造方法
US6139283A (en) 1998-11-10 2000-10-31 Visteon Global Technologies, Inc. Variable capacity swash plate type compressor
JP3888413B2 (ja) * 2000-01-14 2007-03-07 富士ゼロックス株式会社 表示素子、書き込み方法および書き込み装置
JP2001252505A (ja) 2000-03-14 2001-09-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 脱水装置におけるマットフォーメーションプレートとドラム型フィルターとの間隔調整機構
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
US6674494B2 (en) * 2000-12-28 2004-01-06 Optrex Corporation Liquid crystal optical element and test method for its boundary layer
JP2003007453A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 N S G Glass Components:Kk 有機ｅｌ素子
US6808828B2 (en) 2001-08-23 2004-10-26 Tohoku Pioneer Corporation Organic electroluminescent display panel
EP2420539A1 (en) * 2001-10-25 2012-02-22 Panasonic Electric Works Co., Ltd Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and surface light emitting body
US6750608B2 (en) * 2001-11-09 2004-06-15 Konica Corporation Organic electroluminescence element and display
JP2003249366A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置およびその製造方法
JP2003282264A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 有機エレクトロルミネッセンス光源および液晶表示装置
JP2004022438A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 表示装置
JP2004134099A (ja) * 2002-10-08 2004-04-30 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
US6818328B2 (en) * 2003-02-20 2004-11-16 Fuji Electric Co., Ltd. Color conversion filter substrate, color conversion type multicolor organic EL display having the color conversion filter substrate, and methods of manufacturing these
JP3984183B2 (ja) * 2003-03-20 2007-10-03 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
US7229703B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
JP2004349064A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP4220305B2 (ja) * 2003-05-22 2009-02-04 三星エスディアイ株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
CA2528091A1 (en) * 2003-06-05 2004-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Electrode for discharge surface treatment, manufacturing method and evaluation method for electrode for discharge surface treatment, discharge surface treatment apparatus, and discharge surface treatment method
JP2005108678A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Optrex Corp 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
KR20050042715A (ko) * 2003-11-04 2005-05-10 삼성전자주식회사 전극 구조체, 이를 구비하는 반도체 발광 소자 및 그제조방법
JP2005274741A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Shinshu Univ 透明電極基板
EP1744600A4 (en) * 2004-04-21 2009-01-14 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY INSTALLATION
JP4363365B2 (ja) * 2004-07-20 2009-11-11 株式会社デンソー カラー有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2006100042A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
US7695805B2 (en) * 2004-11-30 2010-04-13 Tdk Corporation Transparent conductor
JP2006164808A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Hitachi Ltd 発光素子，照明装置及びこれを有する表示装置
KR100692851B1 (ko) * 2004-12-16 2007-03-13 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치 및 방법
JP2006331694A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 有機発光素子及び有機発光素子用基板
JP2007052952A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007073405A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
US7466075B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
US7564063B2 (en) * 2006-03-23 2009-07-21 Eastman Kodak Company Composite electrode for light-emitting device
US7417370B2 (en) * 2006-03-23 2008-08-26 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
JP2007280718A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用カラーフィルタ
JP2007287486A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機ｅｌ素子
US20080001538A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Cok Ronald S Led device having improved light output
JP2007027140A (ja) * 2006-09-28 2007-02-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ発光装置
JP5149512B2 (ja) * 2007-02-02 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 液状硬化性組成物、コーテイング方法、無機質基板および半導体装置
KR20080075359A (ko) * 2007-02-12 2008-08-18 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디스플레이
FR2913146B1 (fr) * 2007-02-23 2009-05-01 Saint Gobain Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP5536977B2 (ja) * 2007-03-30 2014-07-02 パナソニック株式会社 面発光体
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
US7911133B2 (en) * 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7982396B2 (en) * 2007-06-04 2011-07-19 Global Oled Technology Llc Light-emitting device with light-scattering particles and method of making the same
JP2009004275A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Panasonic Electric Works Co Ltd 面発光体及び面発光体の製造方法
KR100927212B1 (ko) * 2007-07-24 2009-11-16 한국과학기술연구원 속빈 구 형태의 금속산화물 나노입자를 포함하는 염료감응태양전지용 광전극 및 이의 제조방법
JP5195755B2 (ja) * 2007-07-27 2013-05-15 旭硝子株式会社 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法
JP5054464B2 (ja) * 2007-08-27 2012-10-24 パナソニック株式会社 有機ｅｌ発光素子
KR20100063729A (ko) * 2007-08-27 2010-06-11 파나소닉 전공 주식회사 유기 이엘 소자
TW200919728A (en) * 2007-10-19 2009-05-01 Iner Aec Executive Yuan Multi-layer thin film electrode structure and method of forming same
US8076838B2 (en) * 2007-10-31 2011-12-13 Seiko Epson Corporation Light emitting device
JPWO2009060916A1 (ja) * 2007-11-09 2011-03-24 旭硝子株式会社 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法
JP2009170127A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
KR101574210B1 (ko) * 2008-09-25 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
JP2010118509A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Panasonic Corp 発光素子
JP5321010B2 (ja) * 2008-11-25 2013-10-23 住友大阪セメント株式会社 有機ｅｌ素子
KR101029299B1 (ko) * 2008-12-30 2011-04-18 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
CN102308407B (zh) * 2009-02-05 2015-04-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机电致发光器件
JP2010198735A (ja) * 2009-02-20 2010-09-09 Fujifilm Corp 光学部材及び該光学部材を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2010205650A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
TW201101478A (en) * 2009-03-25 2011-01-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same
JP2010238606A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明。
JP2011023409A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Panasonic Corp 固体撮像装置
KR101094298B1 (ko) * 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011048937A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機ｅｌ発光素子
CN102317862B (zh) * 2009-08-28 2013-08-14 株式会社Lg化学 可低温固化的光敏树脂组合物和用该组合物制备的干膜
KR20110054841A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101318374B1 (ko) * 2009-12-03 2013-10-16 한국전자통신연구원 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP5543796B2 (ja) * 2010-02-08 2014-07-09 パナソニック株式会社 発光装置
JP4959007B2 (ja) * 2010-02-12 2012-06-20 キヤノン株式会社 光学素子用の遮光膜、遮光塗料および光学素子
GB2479120A (en) * 2010-03-26 2011-10-05 Cambridge Display Tech Ltd Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode
JP5742838B2 (ja) * 2010-04-08 2015-07-01 旭硝子株式会社 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法
US8538224B2 (en) * 2010-04-22 2013-09-17 3M Innovative Properties Company OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures
WO2011152275A1 (ja) * 2010-06-02 2011-12-08 株式会社 きもと 有機ｅｌ用散乱フィルムおよびそれを用いた有機ｅｌ発光装置
JP5593901B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-24 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
CN102440073B (zh) * 2010-08-10 2014-10-08 松下电器产业株式会社 有机发光元件、有机发光装置、有机显示面板、有机显示装置以及有机发光元件的制造方法
KR20120024358A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
KR20120031635A (ko) * 2010-09-27 2012-04-04 공주대학교 산학협력단 실리콘 전구체와의 기상중합을 이용한 기계적 물성이 우수한 유-무기 하이브리드 전도성 박막 제조방법
CN102420282B (zh) * 2010-09-27 2014-07-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2012099458A (ja) * 2010-10-05 2012-05-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ照明装置およびその製造方法
KR20120044675A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 한국전자통신연구원 광 추출층을 구비하는 유기발광 소자들 및 그 제조방법들
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5698993B2 (ja) * 2011-01-27 2015-04-08 富士フイルム株式会社 光拡散層形成材料、及び光取り出し部材、並びに有機電界発光装置及びその製造方法
KR101922603B1 (ko) * 2011-03-04 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
KR20120112004A (ko) * 2011-03-31 2012-10-11 모저 베어 인디아 엘티디 전기 그리드선을 고정하기 위한 래커층 패터닝 방법
EP2618638A4 (en) * 2011-04-22 2013-08-14 Panasonic Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO2012157405A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 三洋電機株式会社 光電変換装置
US20120305966A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP5785808B2 (ja) * 2011-07-20 2015-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
KR101871803B1 (ko) * 2011-09-06 2018-06-29 한국전자통신연구원 유기발광다이오드 및 그의 제조방법
TWI466352B (zh) * 2011-09-30 2014-12-21 Au Optronics Corp 有機電激發光元件陣列及有機電激發光元件
EP2766939B1 (en) * 2011-10-13 2019-04-24 Cambrios Film Solutions Corporation Oled with electrode incorporating metal nanowires
CN103918111B (zh) * 2011-11-07 2018-01-02 电化株式会社 电极用粘结剂组合物
KR101289844B1 (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자
KR20130084848A (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법
KR20130100629A (ko) * 2012-03-02 2013-09-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201403903A (zh) 2014-01-16
EP2830114B1 (en) 2018-12-19
EP2830119A1 (en) 2015-01-28
TW201403902A (zh) 2014-01-16
US9530979B2 (en) 2016-12-27
JP2015517178A (ja) 2015-06-18
CN104205406B (zh) 2019-04-12
CN104321898B (zh) 2018-07-24
EP2830116B1 (en) 2017-05-10
KR101499380B1 (ko) 2015-03-05
JP2015515720A (ja) 2015-05-28
US9698366B2 (en) 2017-07-04
WO2013141679A1 (ko) 2013-09-26
EP2830113A1 (en) 2015-01-28
JP6100359B2 (ja) 2017-03-22
CN104321899A (zh) 2015-01-28
US20140374734A1 (en) 2014-12-25
JP5973053B2 (ja) 2016-08-23
TWI610479B (zh) 2018-01-01
KR101478479B1 (ko) 2014-12-31
US20150001525A1 (en) 2015-01-01
KR20130108213A (ko) 2013-10-02
CN104205406A (zh) 2014-12-10
TW201405910A (zh) 2014-02-01
TW201349617A (zh) 2013-12-01
CN104205400B (zh) 2017-07-21
TWI561390B (en) 2016-12-11
EP2830114A4 (en) 2015-12-30
EP2830111A1 (en) 2015-01-28
TWI624097B (zh) 2018-05-11
CN104205401A (zh) 2014-12-10
TWI610480B (zh) 2018-01-01
CN104205401B (zh) 2017-12-22
CN104321899B (zh) 2018-05-29
US9716242B2 (en) 2017-07-25
EP2830113A4 (en) 2015-12-30
WO2013141678A1 (ko) 2013-09-26
KR20140023410A (ko) 2014-02-26
KR101478478B1 (ko) 2014-12-31
US20150104891A1 (en) 2015-04-16
KR20140024445A (ko) 2014-02-28
US9666828B2 (en) 2017-05-30
CN104205400A (zh) 2014-12-10
KR20130108209A (ko) 2013-10-02
EP2830116A4 (en) 2015-12-30
US20140374735A1 (en) 2014-12-25
EP2830119A4 (en) 2015-12-30
KR101370254B1 (ko) 2014-03-06
EP2830111B1 (en) 2018-10-10
EP2830116A1 (en) 2015-01-28
KR20130108212A (ko) 2013-10-02
KR101364040B1 (ko) 2014-02-19
KR101391062B1 (ko) 2014-04-30
KR20130108211A (ko) 2013-10-02
EP2830114A1 (en) 2015-01-28
KR20140024446A (ko) 2014-02-28
JP2015518234A (ja) 2015-06-25
CN104321898A (zh) 2015-01-28
US20140374731A1 (en) 2014-12-25
TWI611610B (zh) 2018-01-11
JP6140800B2 (ja) 2017-05-31
EP2830113B1 (en) 2018-05-09
KR20130108027A (ko) 2013-10-02
JP6429767B2 (ja) 2018-11-28
EP2830111A4 (en) 2015-12-30
KR20130108210A (ko) 2013-10-02
WO2013141676A1 (ko) 2013-09-26
US9349981B2 (en) 2016-05-24
KR101388295B1 (ko) 2014-04-22
WO2013141673A1 (ko) 2013-09-26
KR101391058B1 (ko) 2014-04-30
WO2013141677A1 (ko) 2013-09-26
JP2015514283A (ja) 2015-05-18
JP5981018B2 (ja) 2016-08-31
JP2015517179A (ja) 2015-06-18
EP2830119B1 (en) 2017-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI610480B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TWI548716B (zh) 用於有機電子裝置之基板
KR101427536B1 (ko) 유기전자소자용 기판
TWI551446B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TWI526508B (zh) 用於有機電子裝置之基板
TW201424075A (zh) 用於有機電子裝置之基板
KR20130135142A (ko) 유기전자장치