JP2015514283A - 有機電子素子用基板 - Google Patents

Abstract

本出願は、有機電子素子用基板、有機電子装置、上記基板または装置の製造方法及び照明に関する。本出願の有機電子素子用基板は、例えば、水分や酸素などのような外来物質が流入されることを遮断し、耐久性が向上し、光抽出効率に優れた有機電子装置を形成することができる。また、上記基板の使用を通じて有機電子装置を密封する封止構造が上記基板に安定的に付着されることができ、電極層の摩耗や外部から印加される圧力に対する耐久性に優れた素子を具現することができる。有機電子装置外部の端子部の表面硬度が適切な水準に維持されることができる。

Description

本出願は、有機電子素子用基板、有機電子装置、上記装置または基板の製造方法及び照明に関する。

有機電子素子（ＯＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）は、電流を伝導することができる有機材料の層を１つ以上含む素子である。有機電子素子の種類には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）または有機トランジスタなどが含まれる。

代表的な有機電子素子である有機発光素子は、通常、基板、第１電極層、有機層及び第２電極層を順に含む。いわゆる下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼ばれる構造では、第１電極層が透明電極層で形成され、第２電極層が反射電極層で形成されることができる。また、いわゆる上部発光型素子（ｔｏｐ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼ばれる構造では、第１電極層が反射電極層で形成され、第２電極層が透明電極層で形成されることができる。電極層によって注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が有機層に存在する発光層で再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）され、光が生成されることができる。光は、下部発光型素子では、基板側に、上部発光型素子では、第２電極層側に放出されることができる。有機発光素子の構造において透明電極層として一般的に使用されるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、有機層及び通常的にガラスである基板の屈折率は、それぞれ略２．０、１．８及び１．５程度である。このような屈折率の関係によって、例えば、下部発光型の素子の発光層で生成された光は、有機層と第１電極層との界面または基板内で全反射（ｔｏｔａｌ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）現象などによってトラップ（ｔｒａｐ）され、非常に少量の光だけが放出される。

有機電子素子において考慮すべき重要な問題として、耐久性がある。有機層や電極などは、水分や酸素などの外来物質に非常に容易に酸化されることができ、環境的要因に対する耐久性の確保が重要である。このために、例えば、特許文献１〜４などは、外来物質の浸透を遮断することができる構造を提案している。

米国特許第６，２２６，８９０号明細書 米国特許第６，８０８，８２８号明細書 日本国特開２０００−１４５６２７号公報 日本国特開２００１−２５２５０５号公報

本出願は、有機電子素子用基板、有機電子装置、上記基板または装置の製造方法及び照明を提供する。

例示的な有機電子素子用基板は、基材層と光学機能性層及び電極層を含む。上記で光学機能性層と電極層は、基材層上に順に積層されていてもよく、したがって、光学機能性層は、基材層と電極層との間に存在することができる。図１及び図２は、基材層１０１上に光学機能性層１０３と電極層１０２が順に形成されている構造を含む例示的な基板を示す。上記で光学機能性層は、上記基材層に比べて小さい投映面積を有し、電極層は、上記光学機能性層に比べて広い投映面積を有することができる。本明細書で用語「投映面積」は、基板を上記基板表面の法線方向の上部で観察したときに認知される対象物の投映の面積、例えば、上記基材層、光学機能性層、電極層または後述する中問層の面積を意味する。したがって、例えば、光学機能性層の表面が凹凸形状に形成されているなどの理由で、実質的な表面積は、電極層に比べて広い場合にも、上記光学機能性層を上部で観察した場合に認知される面積が上記電極層を上部で観察した場合に認知される面積に比べて小さければ、上記光学機能性層は、上記電極層に比べて小さい投映面積を有するものと解釈される。

光学機能性層は、基材層に比べて投映面積が小さく、また、電極層に比べて投映面積が小さければ、多様な形態で存在することができる。例えば、光学機能性層１０３は、図１のように、基材層１０１の周縁を除いた部分にのみ形成されているか、または図２のように、基材層１０１の周縁に光学機能性層１０３が一部残存してもよい。

図３は、図１の基板を上部で観察した場合を例示的に示す図である。図３に示されたように、基板を上部で観察するときに認知される電極層の面積Ａ、すなわち電極層の投映面積Ａは、その下部にある光学機能性層の投映面積Ｂに比べて広い。電極層の投映面積Ａ及び上記光学機能性層の投映面積Ｂの比率Ａ／Ｂは、例えば、１．０４以上、１．０６以上、１．０８以上、１．１以上または１．１５以上であることができる。光学機能性層の投映面積が上記電極層の投映面積に比べて小さければ、後述する光学機能性層が外部に露出しない構造の具現が可能であるから、上記投映面積の比率Ａ／Ｂの上限は、特に制限されない。一般的な基板の製作環境を考慮すれば、上記の比率Ａ／Ｂの上限は、例えば、約２．０、約１．５、約１．４、約１．３または約１．２５であることができる。上記基板において電極層は、光学機能性層が形成されていない上記基材層の上部に形成されていてもよい。上記電極層は、上記基材層と接して形成されているか、あるいは後述する中問層などのように基材層との間に追加的な要素を含んで形成されていてもよい。このような構造によって有機電子素子の具現時に光学機能性層が外部に露出しない構造を具現することができる。

例えば、図３のように、電極層は、上部で観察したときに、光学機能性層のすべての周辺部を外れた領域を含む領域まで形成されていてもよい。この場合、例えば、図２のように、基材層上に複数の光学機能性層が存在する場合には、上記光学機能性層のうち少なくとも１つの光学機能性層、例えば、後述するように、少なくともその上部に有機層が形成される光学機能性層のすべての周辺部を外れた領域を含む領域まで電極層が形成されることができる。例えば、図２の構造で、右側と左側の周縁に存在する光学機能性層の上部にも有機層が形成されたら、図２の構造は、左側と右側に延長し、上記右側と左側の周縁に存在する光学機能性層のすべての周辺部を外れた領域まで電極層が形成されるように、構造が変更されることができる。上記のような構造で、下部に光学機能性層が形成されていない電極層に後述する封止構造を付着するか、あるいは後述するように、伝導物質層を形成するようになれば、光学機能性層が外部に露出しない構造を形成することができる。

光学機能性層の投映面積と電極層の投映面積が異なっていて、電極層が、光学機能性層が形成されていない基材層の上部にも形成される場合には、光学機能性層が形成されていない基材層上に形成されている電極層（以下、簡略に基材層上の電極層と言及することができる）と光学機能性層上に形成されている電極層（以下、簡略に光学機能性層上の電極層と言及することができる。）との境界での段差（例えば、図１で符号Ｘで表示される領域での段差）によって電極層の抵抗が増加することができる。このような抵抗の増加は、上記基板を使用して有機電子装置を具現する場合に、上記装置に印加される電圧の上昇を引き起こし、効率低下の問題が発生することができる。したがって、このような点を考慮して、上記光学機能性層上に形成された電極層と上記光学機能性層が形成されていない基材上に形成された電極層との間での抵抗は、適正範囲に調節されることが必要なことがある。例えば、上記光学機能性層上に形成された電極層と上記光学機能性層が形成されていない基材上に形成された電極層との境界と平行になるように、上記境界の両側の所定距離に平行電極を形成し、上記２つの平行電極の間で測定した単位幅当たり抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）は、８．５Ω・ｃｍ〜２０Ω・ｃｍ、８．５Ω・ｃｍ〜１５Ω・ｃｍ、８．５Ω・ｃｍ〜１３Ω・ｃｍまたは９Ω・ｃｍ〜１２Ω・ｃｍ程度であることができる。本明細書で上記用語「単位幅当たり抵抗」は、次の方式で測定した抵抗値を意味する。まず、有機電子素子用基板をカットし、試験片を製造する。例えば、図４に示されたように、試験片は、光学機能性層上に形成されている電極層１０２２と光学機能性層がない基材層上に形成されている電極層１０２１との境界を基準として横の長さＤ１＋Ｄ２（Ｄ１＝Ｄ２）が３ｍｍとなるように縦の長さＤ４が１０ｍｍ程度である平行電極４０１を形成して製造することができる。上記で平行電極は、測定されるべき電極層１０２１、１０２２に比べて面抵抗が１０倍以上低い物質で形成することができ、例えば、銀ペーストを使用して形成することができ、その横の長さＤ３は、約３ｍｍまたはそれ以上となるように形成する。次に、平行電極４０１に抵抗測定器４０２で連結した後、上記測定器４０２を通じて単位幅当たり抵抗を測定することができる。すなわち、上記単位幅当たり抵抗は、上記平行電極４０１の間で測定した抵抗を上記平行電極４０１の間の幅で分けた数値である。上記で長さ方向は、電流が流れる方向、すなわち上記平行電極の長さ方向と垂直する方向であり、幅方向は、上記平行電極と平行な方向を意味する。一方、上記段差が形成されている電極層上で上記方式で測定した単位幅当たり抵抗値Ｒ１と段差なしに平たく形成された電極層に対して同一の方式で測定した単位幅当たり抵抗値Ｒ２との差Ｒ１−Ｒ２は、例えば、１０Ω・ｃｍ以下、９Ω・ｃｍ以下、７Ω・ｃｍ以下または５Ω・ｃｍ以下程度であることができる。上記抵抗値の差Ｒ１−Ｒ２は、その数値が小さいほど、好ましいものであって、その下限は、特に限定されない。

上記基板において電極層間の抵抗を上記範囲に調節する方法は、特に制限されるものではない。１つの方法として、例えば、上記光学機能性層と電極層の厚さを調節する方法が例示されることができる。上記で電極層の厚さは、光学機能性層が形成されていない基材層上に形成される電極層の厚さを意味することができる。上記両方の厚さを適切に調節することによって、電極層間の抵抗を調節することができる。例えば、上記基板において上記光学機能性層の厚さＴ１と上記光学機能性層が形成されていない基材層の上部に形成されている電極層の厚さＴ２の比率Ｔ１／Ｔ２は、約３〜１５、約４〜１２または約５〜１０程度であることができる。上記で光学機能性層及び電極層の厚さは、それぞれの平均厚さを意味することができる。上記の比率Ｔ１／Ｔ２を上記記載した範囲内に適切に調節すれば、電極層間の抵抗の調節が可能であることができる。

上記基板において上記基材層上の電極層は、鉛筆硬度が６Ｈ以上、７Ｈ以上または８Ｈ以上であることができる。後述するように、上記基材層上の電極層は、封止構造などとともに、光学機能性層が外部に露出しない構造を形成することに使用されることができ、また、有機電子装置のような素子において外部電源などと連結されることができる。このような電極層は、持続的に摩耗されるか、または圧力に露出することができるので、電気的連結などが安定的な素子の具現のためには、高い耐久性が要求される。基材層上の電極層が上記範囲の鉛筆硬度を有すれば、持続的な摩耗や圧力の露出に対する耐久性に優れた構造の具現が可能であることができる。また、鉛筆硬度が高いほど、持続的な摩耗や圧力の露出に対する耐久性に優れた構造の具現が可能であるから、上記鉛筆硬度の上限は制限されない。通常的な例として、上記鉛筆硬度の上限は、１０Ｈまたは９Ｈ程度であることができる。上記基板において上記光学機能性層上の電極層と上記基材層上の電極層とは、互いに異なる鉛筆硬度を有することができる。例えば、上記基板において基材層上の電極層は、上記範囲の鉛筆硬度を有し、光学機能性層上の電極層は、２Ｂ〜５Ｈ、１Ｈ〜５Ｈまたは１Ｈ〜４Ｈ程度の鉛筆硬度を有することができる。本明細書で鉛筆硬度は、ＡＳＴＭ Ｄ３３６３によって５００ｇの鉛筆荷重と２５０ｍｍ／ｍｉｎの鉛筆移動速度で測定する。

上記基板は、例えば、上記光学機能性層上の電極層及び上記基材層上の電極層の両方と電気的に接続されている伝導物質層をさらに含むことができる。図５は、伝導物質をさらに含む１つの例示的な基板を示しており、伝導物質５０１が基材層上の電極層１０２１と光学機能性層上の電極層１０２２の両方と物理的な接触を通じて電気的に接続されている場合を例示的に示している。本明細書で用語「電気的接続」は、接続された対象の間で電流が流れることができるすべての接続状態を意味することができる。伝導物質を上記のように形成するようになれば、前述したように、基材層上の電極層と光学機能性層上の電極層との境界での段差による電極層の抵抗増加問題を解決することができ、これにより、前述した光学機能性層の厚さと基材層上の電極層の厚さの調節などに関わらず、さらに自由に基板の具現が可能であることができる。また、伝導物質の存在によってで光学機能性層が外部に露出しない構造をさらに効率的に具現することができる。上記伝導物質の種類は、上記電極層と電気的に接続されることができるものなら特に制限されず、例えば、多様な電子製品分野において電極の素材に使用される物質を自由に適用することができる。例えば、上記伝導物質として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）またはアルミニウム（Ａｌ）などのような金属電極素材などが使用されることができる。上記基板において上記電極層と電気的に接続された伝導物質が存在する状態で測定した上記単位幅当たり抵抗は、例えば、１Ω・ｃｍ〜８．５Ω・ｃｍ、１Ω・ｃｍ〜８．０Ω・ｃｍまたは１Ω・ｃｍ〜７．７Ω・ｃｍ程度であることができる。上記抵抗は、電極層と電気的に接続された伝導物質が存在する状態で測定されることを除いて、上記記述したものと同一の方式で測定することができる。

上記基板は、例えば、上記光学機能性層と上記電極層との間に存在する中問層をさらに含むことができる。上記中問層は、例えば、上記光学機能性層に比べて広い投映面積を有し、また、上記光学機能性層の上部及び上記光学機能性層が形成されていない基材層の上部に形成されていてもよい。図６は、上記のような形態で形成された中問層６０１をさらに含む例示的な基板を示す図である。上記のような中問層は、上記光学機能性層によって形成される光学機能性層上の電極層と基材層上の電極層との境界での段差を緩和し、電極層の抵抗増加問題を解決することができる。また、上記中問層としてバリア性、すなわち水分や湿気の透過度が低い物質を使用すれば、光学機能性層が外部に露出しない構造をさらに効率的に具現することができる。上記中問層は、例えば、上記電極層との屈折率の差の絶対値が約１以下、０．７以下、０．５以下または０．３以下の層であることができる。このように屈折率を調節すれば、例えば、電極層の上部で生成された光が上記電極層と中問層との界面などでトラップされ、光抽出効率が低下することを防止することができる。上記で中問層または電極層の屈折率は、５５０ｎｍ程度の波長の光に対して測定した屈折率であることができる。上記中問層を形成する物質は、上記のような電極層との屈折率の関係を有し、必要な場合にバリア性を有する物質であることができる。このような物質は、多様に公知されており、例えば、ＳｉＯＮ、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_３、Ｔｉ_３Ｏ_３、ＴｉＯ、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２またはＺｎＳなどが例示されることができる。上記中問層は、上記のような物質を使用して例えば、蒸着や湿式コーティングなどの方式で形成することができる。中問層の厚さは、特に制限されず、例えば、約１０ｎｍ〜１００ｎｍまたは約２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲にあり得る。上記厚さは、平均厚さを意味し、例えば、光学機能性層上に形成される中問層と基材層上に形成される中問層とは、互いに異なる厚さを有することができる。

上記基板において基材層として、特に制限されず、適切な素材が使用されることができる。例えば、下部発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）型素子に適用される場合には、透光性基材層、例えば、可視光領域の光に対する透過率が５０％以上の基材層を使用することができる。透光性基材層として、ガラス基材層または透明高分子基材層などが例示されることができる。ガラス基材層として、ソーダ石灰ガラス、バリウム／ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスまたは石英などの基材層が例示されることができ、高分子基材層として、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｔｌｅ））、ＰＥＳ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒｓｕｌｆｉｄｅ））またはＰＳ（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）などを含む基材層が例示されることができるが、これに制限されるものではない。必要に応じて、上記基材層は、駆動用ＴＦＴが存在するＴＦＴ基板であってもよい。基板が上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）型素子に適用される場合には、基材層は、必ず透光性の基材層である必要はない。必要な場合、基材層の表面などには、アルミニウムなどを使用した反射層が形成されていてもよい。例えば、前述したように、基材層上の電極層の鉛筆硬度を高い水準に維持しなければならない場合には、ガラス基材層などのように剛性を有する基材層が使用されることができる。

上記基板において電極層は、有機電子素子の製作に使用される通常的な正孔注入性または電子注入性電極層であることができる。

正孔注入性である電極層は、例えば、相対的に高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する材料を使用して形成することができ、必要な場合に、透明材料を使用して形成することができる。例えば、正孔注入性電極層は、仕事関数が約４．０ｅＶ以上の金属、合金、電気伝導性化合物または上記のうち２種以上の混合物を含むことができる。このような材料として、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムまたはインジウムがドーピングされた亜鉛オキサイド、マグネシウムインジウムオキサイド、ニッケルタングステンオキサイド、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２またはＩｎ_２Ｏ_３などの酸化物材料や、ガリウムナイトライドのような金属ナイトライド、亜鉛セレナイドなどのような金属セレナイド、亜鉛スルフィドのような金属スルフィドなどが例示されることができる。透明な正孔注入性電極層は、また、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属薄膜とＺｎＳ、ＴｉＯ_２またはＩＴＯなどのような高屈折の透明物質の積層体などを使用しても形成することができる。

正孔注入性電極層は、蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的手段などの任意の手段で形成されることができる。また、必要に応じて、形成された電極層は、公知されたフォトリソグラフィやシャドウマスクなどを使用した工程を通じてパターン化されることもできる。

電子注入性透明電極層は、例えば、相対的に小さい仕事関数を有する透明材料を使用して形成することができ、例えば、上記正孔注入性電極層の形成のために使用される素材のうち適切な素材を使用して形成することができるが、これに制限されるものではない。電子注入性電極層は、例えば、蒸着法またはスパッタリング法などを使用して形成することができ、必要な場合に、適切にパターニングされることができる。

上記のような電極層の厚さは、特に制限されるものではないが、上記言及した電極層間の抵抗などを考慮して、例えば、約９０ｎｍ〜２００ｎｍ、９０ｎｍ〜１８０ｎｍまたは約９０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さを有するように形成されることができる。

上記基板において電極層と基材層との間に位置する光学機能性層の種類は、特に制限されない。光学機能性層として、電極層と基材層との間に存在し、少なくとも１つの光学的機能を発揮することによって、有機電子装置などのような素子の機能の向上に寄与することができるどんな種類の層も使用されることができる。通常、このような光学機能性層は、外部から浸透する水分や湿気などのような物質に対する耐久性が劣化し、素子の具現後に上記水分や湿気などが素子の内部に浸透する経路を提供することができ、これにより、素子の性能に悪影響を及ぼすことができる。しかし、上記基板の構造では、光学機能性層や電極層などの投映面積と形成位置または伝導物質や中問層などの存在によって素子の具現時に上記光学機能性層が外部に露出しない構造の具現が可能であり、これにより、耐久性に優れた素子を具現することができる。

光学機能性層の１つの例として、光散乱層が例示されることができる。本出願で用語「光散乱層」は、例えば、上記層に入射する光を散乱、屈折または回折させて、上記電極層方向で入射する光が基材層、光散乱層及び電極層のうちいずれか２つの層の間の界面でトラップされることを解消するかまたは緩和することができるように形成されるすべての種類の層を意味することができる。光散乱層は、上記のような機能が現われるように具現される限り、光散乱層の具現形態は、特に制限されない。

例えば、光散乱層は、マトリックス物質及び散乱性領域を含む層であることができる。図７は、散乱性粒子で形成された散乱性領域７０２及びマトリックス物質７０１を含む例示的な光散乱層が基材層１０１に形成されている形態を示す。本明細書で用語「散乱性領域」は、例えば、マトリックス物質または後述する平坦層などのような周囲物質とは異なる屈折率を有し、また、適切なサイズを持って入射する光を散乱、屈折または回折させることができる領域を意味することができる。散乱性領域は、例えば、上記のような屈折率及びサイズを有する粒子であるか、あるいは空きの空間であることができる。例えば、周囲物質とは異なっていて、且つ周囲物質に比べて高いかまたは低い屈折率を有する粒子を使用して散乱性領域を形成することができる。散乱性粒子の屈折率は、周囲物質、例えば、上記マトリックス物質及び／または平坦層との屈折率の差が０．３を超過するか、または０．３以上であることができる。例えば、散乱性粒子は、１．０〜３．５または１．０〜３．０程度の屈折率を有することができる。用語「屈折率」は、約５５０ｎｍ波長の光に対して測定した屈折率である。散乱性粒子の屈折率は、例えば、１．０〜１．６または１．０〜１．３であることができる。他の例示で散乱性粒子の屈折率は、２．０〜３．５または２．２〜３．０程度であることができる。散乱性粒子として、例えば、平均粒径が５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以上または１，０００ｎｍ以上の粒子が例示されることができる。散乱性粒子の平均粒径は、例えば、１０，０００ｎｍ以下であることができる。散乱性領域は、また、上記のようなサイズを有する空きの空間であって、空気が充填されている空間によって形成されることもできる。

散乱性粒子または領域は、球形、楕円形、多面体または無定形のような形状を有することができるが、上記形態は、特に制限されるものではない。散乱性粒子として、例えば、ポリスチレンまたはその誘導体、アクリル樹脂またはその誘導体、シリコーン樹脂またはその誘導体、またはノボラック樹脂またはその誘導体などのような有機材料、またはシリカ、アルミナ、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムのような無機材料を含む粒子などが例示されることができる。散乱性粒子は、上記材料のうちいずれか１つの材料のみを含むか、または上記のうち２種以上の材料を含んで形成されることができる。例えば、散乱性粒子として、中空シリカ（ｈｏｌｌｏｗ ｓｉｌｉｃａ）などのような中空粒子またはコア／セル構造の粒子を使用することができる。

光散乱層は、散乱性粒子などの散乱性領域を維持するマトリックス物質をさらに含むことができる。マトリックス物質として、例えば、基材層などのような隣接する他の素材と類似の水準の屈折率を有する素材またはそれより高い屈折率を有する素材を使用して形成することができる。マトリックス物質は、例えば、ポリイミド、フルオレン環を有するカルド系樹脂（ｃａｌｄｏ ｒｅｓｉｎ）、ウレタン、エポキシド、ポリエステルまたはアクリレート系の熱または光硬化性の単量体性、オリゴマー性または高分子性有機材料や酸化ケイ素、窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）、オキシ窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）またはポリシロキサンなどの無機材料または有機・無機複合材料などを使用することができる。

マトリックス物質は、ポリシロキサン、ポリアミック酸またはポリイミドを含むことができる。上記でポリシロキサンは、例えば、縮合性シラン化合物またはシロキサンオリゴマーなどを重縮合させて形成することができ、上記を通じてケイ素と酸素の結合（Ｓｉ−Ｏ）に基盤するマトリックス物質を形成することができる。マトリックス物質の形成過程で縮合条件などを調節し、ポリシロキサンがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のみを基盤とするようにするか、あるいはアルキル基などのような有機基やアルコキシ基などのような縮合性官能基などが一部残存するようにすることも可能である。

ポリアミック酸またはポリイミドとして、例えば、６３３ｎｍの波長の光に対する屈折率が約１．５以上、約１．６以上、約１．６５以上または約１．７以上のポリアミック酸またはポリイミドを使用することができる。このような高屈折のポリアミック酸またはポリイミドは、例えば、フッ素以外のハロゲン原子、硫黄原子またはリン原子などが導入された単量体を使用して製造することができる。例えば、カルボキシル基などのように粒子と結合することができる部位が存在し、粒子の分散安定性を向上させることができるポリアミック酸を使用することができる。ポリアミック酸として、例えば、下記化学式１の繰り返し単位を含む化合物を使用することができる。

［化学式１］

化学式１で、ｎは、正の数である。

上記繰り返し単位は、任意的に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。置換基として、フッ素以外のハロゲン原子、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基またはチオフェニル基などのようなハロゲン原子、硫黄原子またはリン原子などを含む官能基が例示されることができる。

ポリアミック酸は、上記化学式１の繰り返し単位だけで形成される単独重合体であるか、または化学式１の繰り返し単位以外の他の単位を一緒に含むブロックまたはランダム共重合体であることができる。共重合体の場合に、他の繰り返し単位の種類や比率は、例えば、目的する屈折率、耐熱性や透光率などを阻害しない範囲で適切に選択されることができる。

化学式１の繰り返し単位の具体的な例として、下記化学式２の繰り返し単位を挙げることができる。

［化学式２］

化学式２で、ｎは、正の数である。

上記ポリアミック酸は、例えば、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）で測定した標準ポリスチレン換算重量平均分子量が１０，０００〜１００，０００または約１０，０００〜５０，０００程度であることができる。化学式１の繰り返し単位を有するポリアミック酸は、また、可視光線領域での光透過率が８０％以上、８５％以上または９０％以上であり、耐熱性に優れている。

光散乱層は、例えば、凹凸構造を有する層であることができる。図８は、基材層１０１上に形成された凹凸構造の光散乱層８０１を例示的に示す図である。光散乱層の凹凸構造を適切に調節する場合に、入射する光を散乱させることができる。凹凸構造を有する光散乱層は、例えば、熱または光硬化性材料を硬化させる過程で、目的する形状の凹凸構造を転写することができる金型と接触させた状態で上記材料を硬化させるか、または光散乱層を形成する材料の層をあらかじめ形成した後、エッチング工程などを通じて凹凸構造を形成して製造することができる。他の方式として、光散乱層を形成するバインダー内に適切なサイズ及び形状を有する粒子を配合する方式で形成することができる。このような場合に、上記粒子は、必ず散乱機能を有する粒子である必要はないが、散乱機能を有する粒子を使用してもよい。

光散乱層は、例えば、湿式コーティング（ｗｅｔ ｃｏａｔｉｎｇ）方式で材料をコーティングし、熱の印加または光の照射などの方式や、ゾルゲル方式で材料を硬化させる方式や、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式などのような蒸着方式またはナノインプリンチングまたはマイクロエムボシング方式などを通じて形成することができる。

光散乱層は、必要な場合、高屈折粒子をさらに含むことができる。用語「高屈折粒子」は、例えば、屈折率が１．５以上、２．０以上２．５以上、２．６以上または２．７以上の粒子を意味することができる。高屈折粒子の屈折率の上限は、例えば、目的する光散乱層の屈折率を満足させることができる範囲で選択されることができる。高屈折粒子は、例えば、上記散乱性粒子よりは小さい平均粒径を有することができる。高屈折粒子は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜９０ｎｍ、１０ｎｍ〜８０ｎｍ、１０ｎｍ〜７０ｎｍ、１０ｎｍ〜６０ｎｍ、１０ｎｍ〜５０ｎｍまたは１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度の平均粒径を有することができる。高屈折粒子として、アルミナ、アルミノシリケート、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムなどが例示されることができる。高屈折粒子として、例えば、屈折率が２．５以上の粒子であって、ルチル型酸化チタンを使用することができる。ルチル型の酸化チタンは、その他の粒子に比べて高い屈折率を有し、したがって、相対的に少ない比率でも目的する屈折率への調節が可能であることができる。上記高屈折粒子の屈折率は、５５０ｎｍ波長の光に対して測定した屈折率であることができる。

光学機能性層、例えば、上記光散乱層及び上記光散乱層の上部に形成された平坦層を含む層であることができる。平坦層は、上記光散乱層に対応する投映面積で形成されることができる。本明細書で用語「Ａに対応する投映面積を有するＢ」は、特に別途規定しない限り、基板を上部で観察する場合に認知される面積を基準としてＡの投映面積とＢの投映面積が実質的に同一の場合を意味する。上記で実質的に同一であるというのは、例えば、工程誤差などに起因して２つの領域の投映面積がわずかに差がある場合も含まれる。例えば、Ａの投映面積ＡＡと上記Ａに対応する投映面積として有するＢの投映面積ＢＡの比率ＡＡ／ＢＡが０．５〜１．５、０．７〜１．３、０．８５〜１．１５または実質的に１である場合が、上記の場合に含まれることができる。平坦層がさらに存在する場合に、上記光散乱層と平坦層が上記基材層と電極層との間に存在し、上記電極層の投映面積は、上記光散乱層及び平坦層の投映面積より広くて、上記電極層は、上記光散乱層及び平坦層が形成されていない上記基材層の面上に形成されていてもよい。但し、平坦層は、必須なものではなく、例えば、光散乱層自体が平坦に形成されたら、存在しなくてもよい。

平坦層は、例えば、光散乱層上に電極が形成されることができる表面を提供し、光散乱層との相互作用を通じてさらに優れた光抽出効率を具現することができる。平坦層は、例えば、隣接する電極層と同等な屈折率を有することができる。平坦層の屈折率は、例えば、１．７以上、１．８〜３．５または２．２〜３．０程度であることができる。平坦層が前述した凹凸構造の光散乱層の上部に形成される場合には、上記平坦層は、上記光散乱層とは異なる屈折率を有するように形成されることができる。

平坦層は、例えば、前述した高屈折粒子をマトリックス物質と混合する方法で形成することができる。マトリックス物質として、例えば、上記光散乱層の項目で記述したマトリックス物質を使用することができる。

他の例示で、平坦層は、ジルコニウム、チタンまたはセリウムなどの金属のアルコキシドまたはアシレート（ａｃｙｌａｔｅ）などの化合物をカルボキシル基またはヒドロキシ基などの極性基を有するバインダーと配合した素材を使用して形成することができる。上記アルコキシドまたはアシレートなどの化合物は、バインダーにある極性基と縮合反応し、バインダーの骨格内に上記金属を含ませて高屈折率を具現することができる。上記アルコキシドまたはアシレート化合物の例として、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタンまたはテトラエトキシチタンなどのチタンアルコキシド、チタンステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）などのチタンアシレート、チタンキレート類、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム、テトラ−ｎ−プロポキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウムまたはテトラエトキシジルコニウムなどのジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムトリブトキシステアレートなどのジルコニウムアシレート、ジルコニウムキレート類などが例示されることができる。平坦層は、また、チタンアルコキシドまたはジルコニウムアルコキシドなどの金属アルコキシド及びアルコールまたは水などの溶媒を配合してコーティング液を製造し、これを塗布した後に、適正な温度で焼成するゾルゲルコーティング方式で形成することができる。

上記のような光学機能性の厚さは、特に制限されるものではないが、上記言及した電極層間の抵抗などを考慮して、例えば、約５００ｎｍ〜１，０００ｎｍ、約５００ｎｍ〜９００ｎｍまたは約５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度の厚さを有するように形成されることができる。

本出願は、また、有機電子装置に関する。本出願の例示的な有機電子装置は、上記記述した有機電子素子用基板と；上記基板の電極層上に形成されている有機層と；上記有機層上に形成されている電極層と；を含むことができる。以下では、区別のために有機電子素子用基板上に形成されている電極層を第１電極層と呼び、上記有機層上に形成されている電極層を第２電極層と呼ぶことができる。上記基板を含む有機電子装置において第１電極層の投映面積は、上記基板の光学機能性層の投映面積より広くて、上記電極層は、上記光学機能性層が形成されていない上記基材層の面上に形成されていてもよい。

上記有機層は、少なくとも発光層を含むことができる。例えば、第１電極層を透明に具現し、第２電極層を反射性電極層とすれば、有機層の発光層で発生した光が光学機能性層を経て基材層側に放射される下部発光型素子を具現することができる。

有機電子装置において光学機能性層は、例えば、発光層の発光領域に対応するか、または発光領域より大きい投映面積を有することができる。例えば、光学機能性層の形成領域の長さＢと発光層の発光領域の長さＣの差Ｂ−Ｃは、約１０μｍ〜約２ｍｍ程度であることができる。上記で光学機能性層の形成領域の長さＢは、光学機能性層を上部で観察するときに認知される領域で任意の方向での長さであり、この場合、発光領域の長さＣは、やはり発光領域を上部で観察するときに認知される領域を基準として上記光学機能性層の形成領域の長さＢを測定するときに同一の方向で測定した長さを意味することができる。光学機能性層は、また、上記発光領域に対応する位置に形成されることができる。発光領域に対応する位置に光学機能性層が形成されているというのは、例えば、有機電子装置を上部または下部で観察する場合に発光領域と光学機能性層が実質的に互いに重なる場合を意味することができる。

１つの例示で、有機電子素子は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）であることができる。有機発光素子の場合、上記有機電子素子は、例えば、発光層を少なくとも含む有機層が正孔注入電極層と電子注入電極層との間に介在された構造を有することができる。例えば、基板に含まれる電極層が正孔注入電極層なら、第２電極層は、電子注入電極層であり、反対に、基板に含まれる電極層が電子注入電極層なら、第２電極層は、正孔注入性電極層であることができる。

電子及び正孔注入性電極層の間に存在する有機層は、少なくとも１層以上の発光層を含むことができる。有機層は、２層以上の複数の発光層を含むことができる。２層以上の発光層を含む場合には、発光層は、電荷発生特性を有する中間電極層や電荷発生層（ＣＧＬ；Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）などによって分割されている構造を有することができる。

発光層は、例えば、この分野に公知された多様な蛍光または燐光有機材料を使用して形成することができる。発光層に使用されることができる材料として、トリス（４−メチル−８−キノリノラート ）アルミニウム（III）（ｔｒｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（III））（Ａｌｇ３）、４−ＭＡｌｑ３またはＧａｑ３などのＡｌｑ系の材料、Ｃ−５４５Ｔ（Ｃ_２６Ｈ_２６Ｎ_２Ｏ_２Ｓ）、ＤＳＡ−アミン、ＴＢＳＡ、ＢＴＰ、ＰＡＰ−ＮＰＡ、スピロ−ＦＰＡ、Ｐｈ_３Ｓｉ（ＰｈＴＤＡＯＸＤ）、ＰＰＣＰ（１、２、３、４、５−ｐｅｎｔａｐｈｅｎｙｌ−１、３−ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）などのようなシクロペナジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎａｄｉｅｎｅ）誘導体、ＤＰＶＢｉ（４、４'−ｂｉｓ（２、２'−ｄｉｐｈｅｎｙｌｙｉｎｙｌ）−１、１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ジスチリルベンゼンまたはその誘導体またはＤＣＪＴＢ（４−（Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−６−（１、１、７、７、−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｊｕｌｏｌｉｄｙｌ−９−ｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）、ＤＤＰ、ＡＡＡＰ、ＮＰＡＭＬＩ；またはＦｉｒｐｉｃ、ｍ−Ｆｉｒｐｉｃ、Ｎ−Ｆｉｒｐｉｃ、ｂｏｎ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、（Ｃ_６）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｔ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｄｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｚｑ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｏ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ_２Ｉｒ（ｂｐｙ）、Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｏｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｐｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｔｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒｐｐｙ（ｆａｃ−ｔｒｉｓ［２−（４、５'−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ−Ｃ'２、Ｎ］ｉｒｉｄｉｕｍ（III））またはＢｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（２−（２'−ｂｅｎｚｏ［４、５−ａ］ｔｈｉｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ、Ｃ３'−）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｔｏｎａｔｅ））などのような燐光材料などが例示されることができるが、これに制限されるものではない。発光層は、上記材料をホスト（ｈｏｓｔ）として含み、また、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ジスチリルビフェニル（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＰＴ、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ＢＴＸ、ＡＢＴＸまたはＤＣＪＴＢなどをドーパントとして含むホスト−ドーパントシステム（Ｈｏｓｔ−Ｄｏｐａｎｔ ｓｙｓｔｅｍ）を有することができる。

発光層は、また、後述する電子収容性有機化合物または電子供与性有機化合物のうち発光特性を示す種類を適切に採用して形成することができる。

有機層は、発光層を含む限り、この分野に公知された他の多様な機能性層をさらに含む多様な構造で形成されることができる。有機層に含まれることができる層として、電子注入層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層などが例示されることができる。

電子注入層または電子輸送層は、例えば、電子収容性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｃｃｅｐｔｉｎｇ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を使用して形成することができる。上記で電子収容性有機化合物として、特別な制限なしに公知された任意の化合物が使用されることができる。このような有機化合物として、ｐ−テルフェニル（ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）またはクアテルフェニル（ｑｕａｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）などのような多環化合物またはその誘導体、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）、コロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ジフェニルアントラセン（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ナフタセン（ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）またはフェナントレン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）などのような多環炭化水素化合物またはその誘導体、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、バソフェナントロリン（ｂａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、フェナントリジン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｉｄｉｎｅ）、アクリジン（ａｃｒｉｄｉｎｅ）、キノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、キノキサリン（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ）またはフェナジン（ｐｈｅｎａｚｉｎｅ）などの複素環化合物またはその誘導体などが例示されることができる。また、フルオロセイン（ｆｌｕｏｒｏｃｅｉｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、フタロペリレン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ナフタロペリレン（ｎａｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリノン（ｐｅｒｙｎｏｎｅ）、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、アルダジン（ａｌｄａｚｉｎｅ）、ビスベンゾオキサゾリン（ｂｉｓｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｉｎｅ）、ビススチリル（ｂｉｓｓｔｙｒｙｌ）、ピラジン（ｐｙｒａｚｉｎｅ）、シクロペンタジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）、オキシン（ｏｘｉｎｅ）、アミノキノリン（ａｍｉｎｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、イミン（ｉｍｉｎｅ）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール（ｄｉａｍｉｎｏｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ピラン（ｐｙｒａｎｅ）、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎｅ）、ポリメチン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｉｎｅ）、メロシアニン（ｍｅｒｏｃｙａｎｉｎｅ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）またはルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）などやその誘導体、日本国特開１９８８−２９５６９５号、日本国特開１９９６−２２５５７号、日本国特開１９９６−８１４７２号、日本国特開１９９３−００９４７０号または日本国特開１９９３−０１７７６４号などの公報で開示する金属キレート錯体化合物、例えば、金属キレート化オキサノイド化合物であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ］、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（ｆ）−８−キノリノラト］亜鉛｛ｂｉｓ［ｂｅｎｚｏ（ｆ）−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ］ｚｉｎｃ｝、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（８−キノリノラト）インジウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｉｎｄｉｕｍ］、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウムなどの８−キノリノラトまたはその誘導体を配粒子として１つ以上有する金属錯体、日本国特開１９９３−２０２０１１号、日本国特開１９９５−１７９３９４号、日本国特開１９９５−２７８１２４号または日本国特開１９９５−２２８５７９号などの公報に開示されたオキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）化合物、日本国特開１９９５−１５７４７３号公報などに開示されたトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）化合物、日本国特開１９９４−２０３９６３号公報などに開示されたスチルベン（ｓｔｉｌｂｅｎｅ）誘導体や、ジスチリルアリレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、日本国特開１９９４−１３２０８０号または日本国特開１９９４−８８０７２号公報などに開示されたスチリル誘導体、日本国特開１９９４−１００８５７号や日本国特開１９９４−２０７１７０号公報などに開示されたジオレフィン誘導体；ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｏｘａｚｏｌｅ）化合物、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）化合物またはベンゾイミダゾール（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ）化合物などの蛍光増白剤；１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１、４−ビス（２−エチルスチリル）ベンジル、１、４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼンまたは１、４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼンなどのようなジスチリルベンゼン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）化合物；２、５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２、５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２、５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２、５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２、５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジンまたは２、５−ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジンなどのジスチリルピラジン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｐｙｒａｚｉｎｅ）化合物、１、４−フェニレンジメチリジン、４、４'−フェニレンジメチリジン、２、５−キシレンジメチリジン、２、６−ナフチレンジメチリジン、１、４−ビフェニレンジメチリジン、１、４−パラ−テレフェニレンジメチリジン、９、１０−アントラセンジイルジメチリジン（９、１０−ａｎｔｈｒａｃｅｎｅｄｉｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）または４、４'−（２、２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４、４' −（２、２−ジフェニルビニル）ビフェニルなどのようなジメチリジン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）化合物またはその誘導体、日本国特開１９９４−４９０７９号または日本国特開１９９４−２９３７７８号公報などに開示されたシラナミン（ｓｉｌａｎａｍｉｎｅ）誘導体、日本国特開１９９４−２７９３２２号または日本国特開１９９４−２７９３２３号公報などに開示された多官能スチリル化合物、日本国特開１９９４−１０７６４８号または日本国特開１９９４−０９２９４７号公報などに開示されているオキサジアゾール誘導体、日本国特開１９９４−２０６８６５号公報などに開示されたアントラセン化合物、日本国特開１９９４−１４５１４６号公報などに開示されたオキシネート（ｏｘｙｎａｔｅ）誘導体、日本国特開１９９２−９６９９０号公報などに開示されたテトラフェニルブタジエン化合物、日本国特開１９９１−２９６５９５号公報などに開示された有機三官能化合物、日本国特開１９９０−１９１６９４号公報などに開示されたクマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）誘導体、日本国特開１９９０−１９６８８５号公報などに開示されたペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、日本国特開１９９０−２５５７８９号公報などに開示されたナフタレン誘導体、日本国特開１９９０−２８９６７６号や日本国特開１９９０−８８６８９号公報などに開示されたフタロペリノン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｎｏｎｅ）誘導体または日本国特開１９９０−２５０２９２号公報などに開示されたスチリルアミン誘導体などが、低屈折層に含まれる電子収容性有機化合物として使用されることができる。また、上記で電子注入層は、例えば、ＬｉＦまたはＣｓＦなどのような材料を使用して形成することができる。

正孔阻止層は、注入された正孔が発光層を経て電子注入性電極層に進入することを防止し、素子の寿命と効率を向上させることができる層であり、必要な場合に、公知の材料を使用して発光層と電子注入性電極層との間に適切な部分に形成されることができる。

正孔注入層または正孔輸送層は、例えば、電子供与性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎａｔｉｎｇ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができる。電子供与性有機化合物として、Ｎ、Ｎ'、Ｎ'−テトラフェニル−４、４'−ジアミノフェニル、Ｎ、Ｎ'−ジフェニル−Ｎ、Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−４、４'−ジアミノビフェニル、２、２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、Ｎ、Ｎ、Ｎ'、Ｎ'−テトラ−ｐ−トリル−４、４'−ジアミノビフェニル、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ、Ｎ'−ジフェニル−Ｎ、Ｎ'−ジ（４−メトキシフェニル）−４、４'−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ、Ｎ'、Ｎ'−テトラフェニル−４、４'−ジアミノジフェニルエーテル、４、４'−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル［４、４'−ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｑｕａｄｒｉｐｈｅｎｙｌ］、４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４'−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、１、１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）シクロヘキサン、１、１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４'−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、Ｎ、Ｎ、Ｎ'、Ｎ'−テトラフェニル−４、４'−ジアミノビフェニルＮ−フェニルカルバゾール、４、４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ｐ−テルフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１、５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン、４、４'−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルフェニルアミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−テルフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（８−フルオランテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（４、４'−ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｃｏｒｏｎｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２、６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、２、６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン、２、６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン、４、４'−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ］テルフェニル、４、４'−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、４、４'−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル、２、６−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ−（２−ナフチル）アミノ］フルオレンまたは４、４'−ビス（Ｎ、Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）テルフェニル、及びビス（Ｎ−１−ナフチル）（Ｎ−２−ナフチル）アミンなどのようなアリールアミン化合物が代表的に例示されることができるが、これに制限されるものではない。

正孔注入層や正孔輸送層は、上記有機化合物を高分子中に分散させるか、または上記有機化合物から由来した高分子を使用して形成することができる。また、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体などのようにいわゆるπ−共役高分子（π−ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）などの正孔輸送性非共役高分子またはポリシランのσ共役高分子などが使用されることができる。

正孔注入層は、銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンや非金属フタロシアニン、カーボン膜及びポリアニリンなどの電気的に伝導性である高分子を使用して形成するか、または上記アリールアミン化合物を酸化剤としてルイス酸（Ｌｅｗｉｓ ａｃｉｄ）と反応させて形成することができる。

例示的に有機発光素子は、順次に形成された（１）正孔注入電極層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（２）正孔注入電極層／正孔注入層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（３）正孔注入電極層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（４）正孔注入電極層／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（５）正孔注入電極層／有機半導体層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（６）正孔注入電極層／有機半導体層／電磁場壁層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（７）正孔注入電極層／有機半導体層／有機発光層／付着改善層／電子注入電極層の形態；（８）正孔注入電極層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（９）正孔注入電極層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１０）正孔注入電極層／無機半導体層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１１）正孔注入電極層／有機半導体層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１２）正孔注入電極層／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態または（１３）正孔注入電極層／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態を有することができ、場合によっては、正孔注入電極層と電子注入電極層との間に少なくとも２個の発光層が電荷発生特性を有する中間電極層または電荷発生層（ＣＧＬ：Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）によって分割されている構造の有機層を含む形態を有することができるが、これに制限されるものではない。

この分野では、正孔または電子注入電極層と有機層、例えば、発光層、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層を形成するための多様な素材及びその形成方法が公知されており、上記有機電子装置の製造には、上記のような方式がすべて適用されることができる。

有機電子装置は、封止構造をさらに含むことができる。上記封止構造は、有機電子装置の有機層に水分や酸素などのような外来物質が流入されないようにする保護構造であることができる。封止構造は、例えば、ガラスカンまたは金属カンなどのようなカンであるか、または上記有機層の全面を覆っているフィルムであることができる。

図９は、順次形成された基材層１０１、光学機能性層１０３及び第１電極層１０２を含む基板上に形成された有機層９０１及び第２電極層９０２がガラスカンまたは金属カンなどのようなカン構造の封止構造９０３によって保護されている形態を例示的に示す。図９のように、封止構造９０３は、例えば、接着剤９０４によって基板に付着していてもよい。封止構造は、例えば、基板において下部に光学機能性層が存在しない電極層に接着されていてもよい。例えば、図９のように、封止構造９０３は、基板の端部に接着剤９０４によって付着していてもよい。このような方式で封止構造を用いた保護効果を極大化することができる。

封止構造は、例えば、有機層と第２電極層の全面を被覆しているフィルムであることができる。図１０は、有機層９０１と第２電極層９０２の全面を覆っているフィルム形態の封止構造１００１を例示的に示している。例えば、フィルム形態の封止構造１００１は、図１０のように、有機層９０１と第２電極層９０２の全面を被覆しながら、上記基材層１０１、光学機能性層１０３及び電極層１０２を含む基板と上部の第２基板１００２を互いに接着させている構造を有することができる。上記で第２基板として、例えば、ガラス基板、金属基板、高分子フィルムまたはバリア層などが例示されることができる。フィルム形態の封止構造は、例えば、エポキシ樹脂などのように熱または紫外線（ＵＶ）の照射などによって硬化する液状の材料を塗布し、硬化させて形成し、あるいは上記エポキシ樹脂などを使用してあらかじめフィルム形態で製造された接着シートなどを使用して基板と上部基板をラミネートする方式で形成することができる。

封止構造は、必要な場合、酸化カルシウム、酸化ベリリウムなどの金属酸化物、塩化カルシウムなどのような金属ハロゲン化物または五酸化リンなどのような水分吸着剤またはゲッター材などを含むことができる。水分吸着剤またはゲッター材は、例えば、フィルム形態の封止構造の内部に含まれているか、あるいはカン構造の封止構造の所定位置に存在することができる。封止構造は、また、バリアフィルムや伝導性フィルムなどをさらに含むことができる。

上記封止構造は、例えば、図９または図１０に示されたように、下部に光学機能性層が形成されていない第１電極層の上部に付着していてもよい。これにより、上記光学機能性層が外部に露出しない密封構造を具現することができる。上記密封構造は、例えば、光学機能性層の全面が上記基材層、電極層及び／または封止構造によって取り囲まれるか、または上記基材層、電極層及び／または封止構造を含んで形成される密封構造によって取り囲まれ、外部に露出しない状態を意味することができる。密封構造は、基材層、電極層及び／または封止構造だけで形成されるか、または光学機能性層が外部に露出しないように形成される限り、上記基材層、電極層及び封止構造を含み、また、他の要素、例えば、上記記述した伝導物質や中問層などを含んで形成されることができる。例えば、図９または図１０で基材層１０１と電極層１０２が当接する部分または第１電極層１０２と封止構造９０３、１００１が当接する部分またはその他の位置に他の要素が存在することができる。上記他の要素として、低透湿性の有機物質、無機物質または有機・無機複合物質や、絶縁層または補助電極などが例示されることができる。

本出願は、また、有機電子素子用基板または有機電子素子の製造方法に関する。例示的な上記方法は、基材層上に光学機能性層を形成することを含み、且つ上記光学機能性層が上記基材層に比べて小さい透明面積を有するように加工することを含むことができる。このような工程は、例えば、基材層上に形成されている光学機能性層の少なくとも一部を除去して行うことができる。光学機能性層は、上記加工を通じて、例えば、前述したように、発光領域に対応する位置にのみ存在するようにパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）されることができる。

例えば、図１１に示されたように、基材層１０１の全面に光学機能性層１０３を形成した後に、形成された光学機能性層１０３の一部を除去することができる。基材層上に光学機能性層を形成する方法は、特に制限されず、光学機能性層の態様によって通常的な方式を適用すればよい。例えば、光学機能性層は、上記記述したコーティング方式、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などのような蒸着方式またはナノインプリンティングまたはマイクロエムボシング方式などを通じて形成することができる。

また、基材層上に形成された光学機能性層の一部を除去する方式は、特に制限されず、光学機能性層の種類を考慮して適切な方式が適用されることができる。

例えば、光学機能性層を溶解させることができるエッチング液などで上記光学機能性層を処理する湿式または乾式エッチングなどに適用し、上記層を除去することができる。

他の例示で光学機能性層は、レーザー加工を通じて除去されることができる。例えば、基材層上に光学機能性層を形成した後、レーザーを照射して除去することができる。レーザーは、例えば、光学機能性層が形成された側で照射されるか、または基材層が透光性の場合には、基材層側で照射されることができる。レーザーとして、適切な出力を示し、光学機能性層を除去することができるものなら、どんな種類も使用されることができる。レーザーとして、例えば、ファイバーダイオードレーザー（ｆｉｂｅｒ ｄｉｏｄｅ ｌａｓｅｒ）、ルヒー（Ｃｒ^３＋：Ａｌ_２Ｏ_３）、ＹＡＧ（Ｎｄ^３＋：Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）、フォスフェートガラス（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ ｇｌａｓｓ）、シリケートガラス（ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）またはＹＬＦ（Ｎｄ^３＋：ＬｉＹＦ_４）などが使用されることができる。このようなレーザーは、例えば、スポットレーザー（ｓｐｏｔ ｌａｓｅｒ）またはラインビームレーザー（ｌｉｎｅ ｂｅａｍ ｌａｓｅｒ）の形態で照射されることができる。レーザーの照射条件は、適切な加工が行われることができるように調節される限り、特に制限されない。例えば、紫外線（ＵＶ）〜赤外線（ＩＲ）領域に属する波長のレーザーを約１Ｗ〜約１０Ｗ程度の出力で照射することができるが、これに制限されるものではない。

光学機能性層は、また、ウォータージェット（ｗａｔｅｒ ｊｅｔ）方式で除去されることができる。ウォータージェット方式は、所定の圧力で水を噴射し、対象を除去する方式である。例えば、約５００気圧〜２０００気圧または約８００気圧〜１３００気圧の圧力で水を噴射し、光学機能性層を除去することができる。効率的な除去のために噴射される圧力水は、研磨材をさらに含むことができる。研磨材として、除去される対象を考慮して公知の素材のうち適切な素材が適切な比率で使用されることができる。

ウォータージェット方式を適用する場合に、噴射半径や速度は、特に制限されず、除去しようとする部位やパターンなどを考慮して選択されることができる。例えば、ウォータージェット過程で噴射幅が約１ｍｍ〜約１０ｍｍまたは約２ｍｍ〜約５ｍｍ程度となるように調節することができる。これを通じて、精密に光学機能性層を除去することができる。また、ウォータージェットを用いたエッチングの速度は、例えば、約３００ｍｍ／ｍｉｎ〜約２０００ｍｍ／ｍｉｎまたは約５００ｍｍ／ｍｉｎ〜約１２００ｍｍ／ｍｉｎ程度であることができ、これを通じて、適切な工程効率を確保しながら、効率的な除去が可能である。

他の方式として、フォトリソグラフィ方式で光学機能性層の一部を除去するか、またはオフセット印刷（ｏｆｆ−ｓｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、その他パターン印刷方式などではじめから基材層に比べて投映面積が小さい光学機能性層を形成する方式が考慮されることができる。

光学機能性層の加工形態は、特に制限されず、目的によって変更されることができる。例えば、上記加工は、投映面積が基材層に比べて小さい光学機能性層の位置が後続して形成される発光層の発光領域に対応し、その投映面積は、発光層または発光層によって形成される発光領域に対応するか、またはそれより大きくなるように行われることができる。その他、必要な場合、多様なパターンで光学機能性層が加工されることができる。また、前述した封止構造との接合のために、接着剤が塗布される領域や素子の端子領域に該当する部位に存在する光学機能性層または光学機能性層と平坦層の積層構造が除去されることができる。

上記製造方法は、光学機能性層の加工後に電極層を形成することをさらに含むことができる。この場合、電極層は、上記記述した投映面積を有し、上記言及した位置に存在することができるように形成されることができる。基材層とともに加工された上記光学機能性層を密封することができる密封構造を形成するように形成されることができる。電極層を形成する方式は、特に制限されず、公知の蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的方式などの任意の方式で形成することができる。

上記製造方法は、上記記述した中問層を形成する段階をさらに含むことができる。例えば、中問層は、次のような方式で形成することができる。例えば、中問層は、光学機能性層を基材層に比べて小さい投映面積を有するように加工した後、上記中問層を形成する物質、例えば、上記電極層との屈折率の差の絶対値が約１以下、０．７以下、０．５以下または０．３以下である物質であって、例えば、上記ＳｉＯＮなどのような物質の層を形成した後、上記電極層を形成する方式で形成することができる。このような場合に、中問層を形成する物質の層は、使用される素材によって通常の蒸着方式などを適用して形成することができ、前述したように、光学機能性層に比べて広い投映面積を有し、光学機能性層の上部及び光学機能性層が形成されていない基材層の上部の両方に形成することができる。他の例示で、中問層は、次の方式で形成することができる。すなわち、中問層を含む有機電子素子用基板は、基材層上に光学機能性層を形成し、形成された光学機能性層に上記のような方式で中問層を形成した後、上記光学機能性層及び形成された中問層を一緒に除去し、上記光学機能性層と中問層の投映面積が上記基材層の投映面積より小さいようにした後に、さらに基材層と光学機能性層の上部に形成されている残存する中問層の上部に中問層をさらに形成する方式で形成することができる。その後に、中問層の上部に前述した方式で電極層を形成し、基板を製造することができる。

有機電子素子の製造方法は、上記のように、電極層を形成した後、発光層を含む有機層と第２電極層を形成し、さらに封止構造を形成することを含むことができる。この場合、有機層、第２電極層及び封止構造は、公知された方式で形成することができる。

本出願は、また、上記記述した有機電子装置、例えば、有機発光装置の用途に関する。上記有機発光装置は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライト、照明、各種センサー、プリンター、コピー機などの光源、車両用計器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどに効果的に適用されることができる。１つの例示で、本出願は、上記有機発光素子を含む照明装置に関する。上記照明装置またはその他の用途に上記有機発光素子が適用される場合に、上記装置などを構成する他の部品やその装置の構成方法は、特に制限されず、上記有機発光素子が使用される限り、当該分野に公知されている任意の材料や方式がすべて採用されることができる。

本出願の有機電子素子用基板は、例えば、水分や酸素などのような外来物質が流入されることを遮断し、耐久性が向上し、光抽出効率に優れた有機電子装置を形成することができる。また、上記基板の使用を通じて有機電子装置を密封する封止構造が上記基板に安定的に付着されることができ、電極層の摩耗や外部から印加される圧力に対する耐久性に優れた素子を具現することができる。有機電子装置外部の端子部の表面硬度が適切な水準に維持されることができる。

例示的な基板を示す模式図である。 例示的な基板を示す模式図である。 例示的な基板を示す模式図である。 電極層間の抵抗を測定する方式を説明するための図である。 例示的な基板の模式図である。 例示的な基板の模式図である。 光学機能性層の例示を示す図である。 光学機能性層の例示を示す図である。 例示的な有機電子装置を示す図である。 例示的な有機電子装置を示す図である。 例示的な基板の製造過程を示す図である。 実施例２で光学機能性層と平坦層を除去する過程を示す写真である。 実施例２で光学機能性層と平坦層を除去する過程を示す写真である。 実施例の有機発光素子の耐久性を評価した写真である。 実施例の有機発光素子の耐久性を評価した写真である。 比較例の有機発光素子の耐久性を評価した写真である。

以下、本出願による実施例及び本出願によらない比較例を通じて本出願をさらに具体的に説明するが、本出願の範囲が下記提示された実施例によって制限されるものではない。

実施例１
縮合性シランとしてテトラメトキシシランを含むゾルゲルコーティング液内に平均粒径が約２００ｎｍの散乱性粒子（酸化チタン粒子）を配合し、充分に分散させて、光散乱層用コーティング液を製造した。上記コーティング液をガラス基板にコーティングし、２００℃で約３０分間ゾルゲル反応を進行させて、厚さが約３００ｎｍ程度の光散乱層を形成した。その後、同一にテトラメトキシシランを含むゾルゲルコーティング液に、平均粒径が約１０ｎｍであり、屈折率が約２．５程度である高屈折酸化チタン粒子を配合した高屈折コーティング液を光散乱層の上部にコーティングした後に、同一にゾルゲル反応を進行し、屈折率が約１．８程度であり、厚さが約３００ｎｍ程度である平坦層を形成した。その後、形成された層にレーザーを照射し、残存する光散乱層と平坦層の位置が引き続いて形成される有機層の発光領域に対応することができるように上記光散乱層と平坦層の一部を除去した。除去後に公知のスパッタリング方式でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含む正孔注入性電極層を、上記電極層が上記ガラス基板の全面に約１００ｎｍ程度の厚さで形成した。次いで、伝導物質としてモリブデン、アルミニウム及びモリブデンがそれぞれ５０ｎｍ、５００ｎｍ及び５０ｎｍの厚さに順に蒸着された層を上記平坦層上に形成された電極層と上記ガラス基板上に直接形成された電極層との境界に上記両電極層と物質的に接触するように蒸着し、伝導物質を形成し、図５のような構造の基板を製造した。続いて公知の素材及び方式を使用して正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び電子注入性電極層を形成した。その後、ガラスカンを使用して図９のような封止構造を有する有機発光装置を製作した。

実施例２
光散乱層と平坦層の除去をウォータージェット方式で行ったことを除いて、実施例１と同一に有機発光装置を製造した。ウォータージェットは、１回ノズル移動時にエッチングされる幅が約３ｍｍ程度となるように１，０００気圧の圧力水を噴射して行った。具体的には、図１２に示されたように、まず、一方向に光散乱層と平坦層を除去した後、さらに図１３に示されたように、上記方向とは垂直する方向に光散乱層と平坦層を除去し、基板の中心部に横の長さが約５ｃｍであり、縦の長さが約５ｃｍである四角形状の光散乱層と平坦層が残存するようにパターニングを行った。次いで、実施例１と同一の方式で電極層、有機層及び電極層を形成し、ガラスカンを付着し、有機電子装置を製造した。上記で有機層の発光層による発光領域は、基板の中心部に、横の長さが約４ｃｍであり、縦の長さが約４ｃｍである四角形状に形成されるように形成した。

比較例１
実施例１と同一に有機発光装置を製造し、且つガラス基板の全面に形成された光散乱層と平坦層を除去することなく、そのままＩＴＯ電極層を形成し、有機層、第２電極層及び封止構造を順次形成し、有機発光装置を製造した。

試験例１．電極層間の抵抗の測定
電極層間の抵抗は、図４に示されたような試験片を通じて測定した。まず、実施例１のような方式で製造された有機電子素子用基板をカットし、６個の試験片を製造した（実験群Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６）。試験片は、光学機能性層上の電極層１０２２と基材層上の電極層１０２１との境界（図４で電極層１０２１、１０２２）を分割する点線）を基準として銀ペーストで２つの平行電極４０１を形成し、且つ上記平行電極４０１間の間隔Ｄ１＋Ｄ２（Ｄ１＝Ｄ２）が３ｍｍであり、上記平行電極の長さＤ４が１０ｍｍであり、上記平行電極４０１の幅が約３ｍｍとなるように形成して製造した。実施例１の基板で製造した実験群の場合には、上記光学機能性層上の電極層１０２２と基材層上の電極層１０２１との境界（図４で電極層１０２１、１０２２を分割する点線）上に、横の長さが約１．４ｍｍであり、縦の長さＤ４が約１０ｍｍである伝導物質が形成されている。次いで、平行電極４０１を抵抗測定器４０２（製造社：Ｈｅｗｌｅｔｔ、商品名：９７３Ａ）で連結した後、上記測定器４０２を通じて抵抗を測定した。対照群１として、実施例１と同一の方式で製造され、且つ光散乱層と平坦層を形成せず、直接ガラス基板の全面にＩＴＯ電極層を形成した基板を使用し、対照群２として、実験群と同一に製造され、且つ上記伝導物質が形成されていない基板を使用して、実験群と同一の方式で抵抗を測定した。

上記のような方式で測定された抵抗は、下記表１に示された通りである。

上記結果から、実験群の場合、電極層間の境界の段差にもかかわらず、対照群に比べて優れた抵抗特性を示すことを確認することができる。

試験例２．発光状態の測定
実施例及び比較例の有機発光装置の初期発光状態を観察した後、各装置を８５℃で５００時間放置し、さらに発光状態を測定し、耐久性を評価した。図１４及び図１５は、それぞれ実施例１及び２に対して上記方式で耐久性を評価した場合を示す図である。特に図１５（ａ）は、実施例２の装置の初期発光状態を示す図であり、図１５（ｂ）は、同一装置を８５℃で５００時間放置した後の発光状態を示す図である。図１６は、比較例１の初期発光状態（図１６（ａ））と８５℃で５００時間放置した後の発光状態（図１６（ｂ））を示す図である。図面から、比較例１の場合、５００時間が経過した時点で多くのむらが観察され、輝度の均一度が大きく劣化することを確認することができる。

１０１ 基材層
１０２、１０２１、１０２２ 電極層
１０３ 光学機能性層
Ｘ 光学機能性層間の電極層と基材層上の電極層との境界領域
Ｗ 光学機能性層の側壁
Ａ 電極層の投映面積
Ｂ 光学機能性層の投映面積
４０１ 平行電極
４０２ 抵抗測定器
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４ 抵抗測定のための試験片または銀ペーストのサイズ
５０１ 伝導物質
６０１ 中問層
７０１ マトリックス物質
７０２ 散乱性領域
８０１ 光散乱層
９０１ 有機層
９０２ 第２電極層
９０３、１００１ 封止構造
９０４ 接着剤
１００２ 第２基板

Claims (19)

1. 基材層と；上記基材層上に形成されており、上記基材層に比べて小さい投映面積を有する光学機能性層と；上記光学機能性層に比べて広い投映面積を有し、上記光学機能性層の上部及び上記光学機能性層が形成されていない基材層の上部の両方に形成されている電極層と；上記光学機能性層の上部に形成された電極層及び上記光学機能性層が形成されていない基材層の上部に形成されている電極層の両方に電気的に接続されている伝導物質と；を含む基板。
2. 上記電極層の投映面積Ａと上記光学機能性層の投映面積Ｂの比率Ａ／Ｂが１．０４以上である、請求項１に記載の基板。
3. 上記光学機能性層は、上記基材層、上記電極層及び上記伝導物質によって密封されている、請求項１または２に記載の基板。
4. 上記基材層は、透光性である、請求項１から３の何れか１項に記載の基板。
5. 上記伝導物質は、銀、銅、ニッケル、モリブデン及びアルミニウムよりなる群から選択された１つ以上を含む、請求項１から４の何れか１項に記載の基板。
6. 上記電極層は、正孔注入性電極層または電子注入性電極層である、請求項１から５の何れか１項に記載の基板。
7. 上記光学機能性層は、光散乱層である、請求項１から６の何れか１項に記載の基板。
8. 上記光散乱層は、マトリックス物質及び上記マトリックス物質とは屈折率が異なる散乱性粒子を含む、請求項７に記載の基板。
9. 上記マトリックス物質は、ポリシロキサン、ポリアミック酸またはポリイミドを含む、請求項８に記載の基板。
10. 上記散乱性粒子の屈折率が１．０〜３．５である、請求項８または９に記載の基板。
11. 上記光散乱層は、凹凸構造を有する層である、請求項７から１０の何れか１項に記載の基板。
12. 上記光学機能性層は、光散乱層及び上記光散乱層の上部に形成されている平坦層を含む、請求項１から６の何れか１項に記載の基板。
13. 上記平坦層は、屈折率が１．７以上である、請求項１２に記載の基板。
14. 請求項１から１３の何れか１項に記載の基板と；上記基板の電極層上に形成されており、発光層を含む有機層と；上記有機層上に形成されている第２電極層と；を含む有機電子装置。
15. 上記基板の上記光学機能性層の形成領域の長さＢと発光層の発光領域の長さＣの差Ｂ−Ｃは、１０μｍ〜２ｍｍである、請求項１４に記載の有機電子装置。
16. 上記有機層と上記第２電極層を保護する封止構造をさらに含み、上記封止構造は、下部に光学機能性層が形成されていない基板の電極層の上部に付着されている、請求項１４または１５に記載の有機電子装置。
17. 上記封止構造は、ガラスカンまたは金属カンであるか、または有機層と第２電極層の全面を覆っているフィルムである、請求項１６に記載の有機電子装置。
18. 基材層上に光学機能性層を形成することを含み、且つ上記光学機能性層が上記基材層に比べて小さい投映面積を有するように上記光学機能性層を形成し、上記光学機能性層に比べて広い投映面積を有する電極層を上記光学機能性層の上部及び上記光学機能性層が形成されていない基材層の上部の両方に形成し、上記光学機能性層の上部に形成された電極層及び上記光学機能性層が形成されていない基材層の上部に形成されている電極層の両方に電気的に接続されるように伝導物質を形成することを含む有機電子素子用基板の製造方法。
19. 請求項１４から１７の何れか１項に記載の有機電子装置を含む照明。

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