TW201002795A - Polishing agent for synthetic quartz glass substrate - Google Patents

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201002795 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種主要半導體相關電子材料、 印相關材料或顯示器相關材料所使用之合成石英玻 、特別是最尖端用途之半導體相關電子材料用途、 相關材料用途之合成石英玻璃基板所使用之石英玻 用硏磨劑。 【先前技術】 就合成石英玻璃基板之品質而言，可列舉基板 陷大小及缺陷密度、平坦度、表面粗糙度、材質之 安定性、表面之化學安定性等。其中，與基板上之 關的品質，係伴隨著1C高精細化的趨勢或顯示器 大型化正日益變得嚴格。 合成石英玻璃基板之缺陷品質亦逐年被改良， 如作爲半導體用基板而言，一直以來使用實質上 0.3 μπι以下大小的凹缺陷之基板。此爲在不會有由 造成衛生上問題之照度下的目視檢査或特開昭63 _ 號公報（專利文獻1)或特開昭63-208746號公報 文獻2)所記載之以自動缺陷檢査裝置進行之缺陷 中，特別是〇 . 5 μιη以下大小之缺陷偵測機率低的緣 關係到基板之品質提升對策之遲緩。 在如此的背景之下，近年來高靈敏度之缺陷檢 被開發出來，而發展出使用同裝置之爲了抑制表面 奈米壓 璃基板 或液晶 璃基板 上之缺 光化學 缺陷有 面板之 而就例 存在約 集光燈 200043 (專利 檢査之 故，而 査裝置 微細缺 -5- 201002795 陷的硏究。根據特開昭64-40267號公報（專利文獻3 )， 記載著藉由對玻璃基板上以膠狀二氧化矽硏磨而精密地鏡 面化之方法，而若以上述之高靈敏度缺陷檢査裝置對表面 缺陷進行分析，則確認了微細的凹凸缺陷之存在，得知對 於作爲微小缺陷抑制方法而言並不充分。根據特開2 0 0 2 -3 0274號公報（專利文獻4 )，作爲鋁碟片及玻璃製硬碟 用之硏磨劑列舉了膠狀二氧化矽。記載著較適合之Si02 濃度範圍爲1〜30質量％，而在實施例進行了 Si02濃度爲 1 0質量％或1 4質量％之硏磨劑之硏磨。 但是，在該等濃度範圍硏磨合成石英玻璃基板之情況 下，大量發生了 〇. 5 μιη以下大小之缺陷。相同地，即使在 記載了膠狀二氧化矽硏磨劑作爲矽晶圓用硏磨劑的特許第 2987171號公報（專利文獻5)或特開2〇〇1-3036號公報 (專利文獻6)之中，由於實質地稀釋膠狀二氧化矽硏磨 劑而在S i Ο 2濃度爲1 0質量％以下使用，因此並不適合作 爲光罩用玻璃基板之硏磨劑。 另外，根據特開2 0 0 4 - 9 8 2 7 8號公報（專利文獻7 ) ’ 記載著藉著在中性附近使用高純度之膠狀二氧化矽’可使 凸狀之微小缺陷消失，然而如此的中性區域之膠狀二氧化 矽，即使爲金屬等雜質相當低的高純度品，隨著重複地硏 磨會發生膠體化，或者增黏，或硏磨用硏磨粒之粒度分布 變位，安定地使用事實上爲不可能的。 因此，對於如此進行之方法之情況而言’將硏磨劑循 環、重覆使用爲困難的，必然變成只利用—次，而有經濟 -6- 201002795 、環境方面不適合的重大問題點。 另一方面，例如液晶用基板之情況下，伴隨液晶面板 大型化’所使用之光罩用合成石英玻璃基板亦逐漸大型化 ，而期望能更進一步抑制缺陷。 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明係鑑於上述事情而完成者，目的爲提供一種合 成石英玻璃基板用硏磨劑，係抑制缺陷之生成，可使半導 體元件或顯示器面板之製造等中之產率提升。 〔用於解決課題之方法〕 本發明人等爲了達成上述目的專心檢討之結果，發現 含有膠狀二氧化矽等膠體溶液、與聚羧酸系聚合物、酸性 胺基酸、酚類或糖胺聚多糖之硏磨劑，對於前述課題之解 決爲有效的，以至於完成本發明。 亦即，本發明提供以下之合成石英玻璃基板用硏磨劑 0 (1) 一種合成石英玻璃基板用硏磨劑，其特徵爲含有膠 體溶液、與選自聚羧酸系聚合物、酸性胺基酸、酚類及糖 胺聚多糖所構成之群中任一物質，而該膠體濃度爲20〜50 質量％。 (2 )如（1 )記載之合成石英玻璃基板用硏磨劑，其中前 述膠體溶液係膠狀二氧化矽分散液。 201002795 (3) 如（1)或（2)記載之合成石英玻璃基板用硏磨劑 ’其中前述聚羧酸系聚合物係聚丙烯酸聚合物。 (4) 如（1)或（2)記載之合成石英玻璃基板用硏磨劑 ，其中前述酸性胺基酸係天門冬胺酸或麩胺酸。 (5) 如（1)或（2)記載之合成石英玻璃基板用硏磨劑 ，其中前述酚類係兒茶酚、間苯二酚、氫醌之任一者。 (6 )如（1 )或（2 )記載之合成石英玻璃基板用硏磨劑 ’其中前述糖胺聚多糖係玻尿酸。 (7)如（1)至（6)之任一者所記載之合成石英玻璃基 板用硏磨劑，其中pH爲9〜10.5。 (8 )如（7 )記載之合成石英玻璃基板用硏磨劑，其係藉 由選自鹼金屬氫氧化物、鹼土類金屬氫氧化物、鹼性鹽類 、胺類、氨1種或2種以上調整pH。 (9)如（1)至（8)之任一者所記載之合成石英玻璃基 板用硏磨劑’其中合成石英玻璃基板係光罩用合成石英基 板。 〔發明之效果〕 依據本發明，於1C等製造爲重要的光微影法之中， 所使用之光罩用合成石英玻璃基板等合成石英玻璃之製造 之中’以合成石英玻璃基板表面之高靈敏度缺陷檢査裝置 偵測到的缺陷之生成受到抑制，在半導體元件製造等之中 ’可期待產率之提升’且關係到半導體工業之更進一步高 精細化。 -8 - 201002795 另外，對於具有在顯示器相關材料所使用具有厚度之 端面之光罩用合成石英玻璃基板而言，可抑制在硏磨中之 缺陷發生，而使產率提升。 【實施方式】 本發明之合成石英玻璃基板用硏磨劑，係含有膠體溶 液、與選自聚羧酸系聚合物、酸性胺基酸、酚類及糖胺聚 多糖1種或2種以上之成分。 此處，在本發明所使用之膠體溶液，係以含有粒徑細 之膠體粒子者爲佳，初級粒徑以5〜500nm爲佳，較佳爲 10〜200nm、特別以20〜1 50nm爲佳。粒徑若過小則有膠 體粒子容易附著於基板表面因此洗淨性變差之情況，若過 大則有硏磨過的基板之表面粗糙度變差、不適合作爲最終 精密硏磨用之硏磨劑之情況。另外，此粒徑係藉由動態光 散射法所測定之値。 另外，就膠體溶液之濃度而言，爲20〜50質量％，宜 爲35〜45質量％。濃度未滿20質量％時，於玻璃表面產 生微小瑕疵，若超過5 0質量％，則硏磨劑變得不安定、增 黏而變得不能硏磨。 再者，可列舉粒徑分布爲單分散以至多分散者、或具 有複數之粒徑峰者等。 就膠體粒子之種類而言，可列舉膠狀二氧化矽、膠狀 二氧化铈、膠狀氧化銷等，而膠狀二氧化矽爲特佳。 就粒子之形狀而言，可列舉以球形、繭型、連結型等 -9- 201002795 各式各樣的形式之膠體狀分散之膠狀二氧化矽，而在其中 特別以球形之膠狀二氧化矽爲佳。 膠狀二氧化矽有各式各樣之製法’例如有由水玻璃造 粒者、或將烷氧矽烷等有機矽酸鹽化合物等水解者等，分 散媒之P Η爲保存安定性之觀點看來’通常鹼性爲多，而 中性或酸性亦爲可能。其中尤其以ΡΗ爲3〜5之範圍或 pH爲8〜11之範圍爲佳。更佳爲pH爲9〜10.5之範圍。 pH在中性附近硏磨劑容易不安定化，若鹼過強則有硏磨 過的玻璃發生表面粗糙之情況。 再者，硏磨用硏磨粒二氧化矽通常分散於水而使用， 而亦可爲分散在甲醇、異丙醇、乙二醇 '甲基乙基酮、甲 苯、二甲苯等有機溶劑或該等混合物者。再者，該等有機 溶劑或其混合物之中水溶性者以任意之比例與水混合亦可 〇 另外，就膠狀二氧化矽之分散液而言，可使用市售品 ，可使用例如FUJIMI INCORPORATED股份有限公司製 COMPOL-50,COMPOL-80,COMPOL-120,COMPOL-EXIII 、 日產化學工業股份有限公司製ST-XL、ST-YL、ST-ZL、 Dupon 製 SYTON、NITTA HAAS 股份有限公司製 NALCO series、扶桑化學工業股份有限公司製GP series等。 藉著使用以上之淤漿（硏磨劑）硏磨玻璃基板時，於 硏磨劑中添加選自聚羧酸系聚合物、酸性胺基酸、酚類、 糖胺聚多糖1種或2種以上’可抑制在高靈敏度缺陷檢査 裝置偵測到的缺陷數。 -10- 201002795 本發明人等對於缺陷生成機構，係如以下所述般假設 而進行硏究。 亦即，硏磨劑中之硏磨用硏磨粒由硏磨作用產生之結 果，發生硏磨粒表面間縮合，或者在由被硏磨表面除去之 玻璃部分與硏磨粒之間發生縮合，產生成爲缺陷原因之活 性的粒子，此認爲是由於硏磨作用，縮合附著於表面或端 面或去角面上，於表面上產生瑕疵，而有硏磨劑中之硏磨 用硏磨粒之安定性爲重要的認知。 另外，顯示器用所使用之大型之光罩用合成石英玻璃 基板之端面或去角面與基板表裏面相比，並未完成鏡面化 處理，隨著基板之厚度增加，於硏磨中硏磨淤漿固著乾固 之傾向變強。 通常，基板之硏磨係採用同時於兩面或每次單面硏磨 之方法，而大型合成石英玻璃基板之硏磨時間爲至少數十 分鐘以上，依照情況有需要十數小時之情況。被硏磨之面 經常與硏磨劑接觸，而成爲濕的狀態，而例如在兩面硏磨 之情況中的端面與去角面，在單面硏磨之情況中的端面與 去角面與背面成爲並未被硏磨之面，硏磨劑之附著與乾燥 長時間斷續地持續。然後，被硏磨之表背面，由於長時間 之硏磨劑之附著，還未被硏磨之面硏磨劑之附著與乾燥斷 續地發生，而成爲難以掉落之固著物。此固著物在硏磨後 之洗淨步驟之中，並未完全被除去，脫落而成爲表面缺陷 之原因，或於洗淨中由端面流入表面而成爲乾污（流污） 。如此的情形，通常數十分鐘長至1小時程度，硏磨時間 -11 - 201002795 短，對於在硏磨步驟中常時與硏磨劑接觸呈濕狀態之先前 技術的半導體用基板而言並未成爲問題，而爲起因於大型 合成石英玻璃基板硏磨之特殊性之現象。此外，對於並未 被硏磨之面而言，認爲縮合或乾燥固著後之除去性之提升 亦爲重要的。 例如上述之特開2004-9 8 27 8號公報所記載般，使用 中性區域之高純度膠狀二氧化矽進行硏磨之方法，係與安 定區域之pH 1 0程度之鹼性膠狀二氧化矽相比，粒子表面 之z e t a電位低，因此粒子間之電氣的排斥力變弱，或許可 抑制化學反應的粒子之玻璃表面上附著，然而確認了硏磨 用硏磨粒彼此藉著硏磨之機械作用縮合，會有立刻膠體化 或者增黏之現象，實際上無法使用。即使抑制硏磨壓力， 極力抑制不安定度，而由硏磨定盤造成之剪應力之作用往 粒度分布高移動，成爲表面上之瑕疵之原因。 此情況中，藉由在硏磨劑中添加聚羧酸系聚合物，引 發保護膠體作用，或者於高分子溶膠凝膠之網狀構造之中 包含硏磨粒，可阻止硏磨劑中之硏磨用硏磨粒相互之接近 、縮合，另外可阻止硏磨用硏磨粒彼此縮合，於生成之粒 子縮合附著於被硏磨玻璃基板表面上，或者碰撞而發生瑕 庇。 就聚羧酸系聚合物之種類而言，聚丙烯酸聚合物、聚 馬來酸聚合物、聚苯二甲酸聚合物爲佳。聚羧酸系聚合物 之濃度係以相對於膠體溶液之固體成分特別是二氧化矽之 質量爲0.001〜1.0質量％，尤其以0.01〜0.5質量％爲佳。 -12- 201002795 濃度若過低則有抑制瑕庇方面無法得到充分的效果 ，若過高則有由於高分子聚合物之黏度高，硏磨劑 給至硏磨機變爲困難之情形。另外，就聚羧酸系聚 重量平均分子量而言，係以1 〇〇〇〜1億、特別以 1 000萬爲佳。分子量若過小則有抑制瑕庇方面無法 分的效果之情形，若過大則黏度變高，因此有硏磨 供給至硏磨機變爲困難之情形。 另外，重量平均分子量係使用凝膠滲透層析（ 之由聚苯乙烯換算而得到之測定値。 另外，就聚羧酸系聚合物以外之水溶性高分子 可例示纖維素衍生物、聚乙烯基醇、聚乙烯基吡咯 聚丙烯醯胺等，而雖然該等水溶性高分子對粒子之 著或瑕庇之發生可期待一定的效果，然而在對聚羧 合物中，負電荷之羧基離子彼此互相排斥助長網狀 ，因此容易包含硏磨用硏磨粒，另外，亦與帶負電 硏磨體之玻璃基板表面排斥，因此效果特別高。 就網狀容易包含之硏磨用硏磨粒而言，係以電 帶有電荷之膠體粒子爲佳。就網狀容易包含之硏磨 粒之尺寸而言，爲 5〜5 00nm、更佳爲10〜200nm 以20〜150nm爲佳。 另外，藉著於硏磨劑中添加酸性胺基酸，可提 二氧化矽硏磨劑之電氣的安定性。在胺基酸之中， 電點小的酸性胺基酸，係在pH値大的鹼性溶液中 表面電荷變大，可阻止硏磨劑中之硏磨用硏磨粒相 之情形 安定供 合物之 1萬〜 得到充 劑安定 GPC ) 而言， 烷酮、 縮合附 酸系聚 之擴展 荷之被 氣性地 用硏磨 ，特別 高膠狀 尤其等 ，負的 互之接 -13- 201002795 近、縮合，另外，可阻止硏磨用硏磨粒彼此縮合，生成之 粒子縮合附著於被硏磨玻璃基板表面上，或者碰撞而發生 瑕庇。 就酸性胺基酸之種類而言，係以天門冬胺酸或麩胺酸 爲佳。酸性胺基酸之濃度係以相對於膠體溶液之固體成分 特別是二氧化矽之質量爲0.0 5〜1 0.0質量％，特別以0.5 〜3.0質量％爲佳。濃度若過低則有抑制瑕疵方面無法得 到充分的效果之情形，若過高則硏磨劑之離子濃度變高， 膠體變爲容易鹽析，反而有不安定化之情況。 另外，就酸性胺基酸以外之胺基酸而言，可例示天門 冬醯胺、絲胺酸、蘇胺酸、離胺酸等，而雖然該等胺基酸 ，對粒子之縮合附著或瑕疵之發生可期待一定的效果，然 而在酸性胺基酸中，由於在鹼性溶液之中帶大的負電荷， 容易與帶負電荷之硏磨劑粒子或被硏磨體之玻璃基板表面 排斥，因此效果特別高。 再者，於硏磨劑中添加酚類亦爲有效。已知在水溶液 中，酚類解離爲質子，以酚鹽之形式存在，帶負電之酚鹽 可提高膠狀二氧化矽硏磨劑之電氣的安定性。亦即，可阻 止硏磨劑中之硏磨用硏磨粒相互之接近、縮合，另外，可 阻止硏磨用硏磨粒彼此縮合，生成之粒子縮合附著於被硏 磨玻璃基板表面上，或者碰撞而發生瑕疵。 就酚類之種類而言，係以酚、甲酚、二甲苯酚、萘酚 、兒茶酚、間苯二酚、氫醌、五倍子酚、間苯三酚（ phloroglucinol)及該等鹽類爲佳。特別是水溶劑對硏磨劑 -14- 201002795 之溶解性或、電荷之觀點看來，兒茶酚、間苯二酚、氫醌 爲佳。酚類之濃度係以相對於膠體溶液之固體成分特別是 二氧化矽之質量爲0.05〜10.0質量％，尤其以0.5〜3.0質 量％爲佳。濃度若過低則有抑制瑕庇方面無法得到充分的 效果之情形，若過高則酚類不會完全溶解。 另外，就與酚類類似之化合物而言，可例示甲醇或乙 醇等醇，而由於醇爲酸度低，因此在溶液中不會電解，不 會發揮如酚類所具有的電氣的安定性。 另外，藉著在硏磨劑中添加糖胺聚多糖，藉由此種帶 強負電之物性提高膠狀二氧化矽硏磨劑之電氣的安定性' 或者於高分子溶膠凝膠之網狀構造之中包含硏磨粒，藉此 可阻止硏磨劑中之硏磨用硏磨粒相互之接近、縮合，另外 還可阻止硏磨用硏磨粒彼此縮合，所生成之粒子縮合附著 於被硏磨玻璃基板表面上，或者碰撞而發生瑕疵。 就糖胺聚多糖之種類而言，係以玻尿酸、硫酸乙醯肝 素、硫酸軟骨素、硫酸角質素及該等鹽類爲佳。糖胺聚多 糖之濃度，係以相對於膠體溶液之固體成分特別是二氧化 矽之質量而言爲0.001〜質量％’尤其以0·01〜0.5質 量％爲佳。濃度若過低則有抑制瑕疵方面無法得到充分的 效果之情形，若過高則有由於糖胺聚多糖之黏度高，硏磨 劑安定供給至硏磨機變爲困難之情形。 就糖胺聚多糖之重量平均分子量而言’係以重量平均 分子量1 0 00〜1億、特別以1萬〜1 000萬爲佳。分子量若 過小則有抑制瑕疵方面無法得到充分的效果之情形，若過 -15- 201002795 大則有由於黏度變高，因此硏磨劑安定供給至硏磨 困難之情形。 另外，重量平均分子量爲使用凝膠滲透層析（ 之由聚苯乙烯換算而得到之測定値。 另外，就糖胺聚多糖以外之水溶性高分子而言 示纖維素衍生物、聚乙烯基醇、聚乙烯基吡咯烷酮 烯醯胺等，而雖然該等水溶性高分子，對粒子之縮 或瑕庇之發生可期待一定的效果，然而在糖胺聚多 帶負電荷之羧基或硫酸基互相排斥，助長網狀之擴 此容易包含硏磨用硏磨粒，另外，亦與帶負電荷之 體之玻璃基板表面排斥，因此效果特別高。進一步 糖胺聚多糖之強力保水作用，亦可期待硏磨終了後 磨機取出玻璃基板時，防止在基板表面上之硏磨劑 或固著之效果。 另外，以上例示之添加物以外，亦可加入ρ Η 、緩衝劑、防銹劑等其他添加物。特別是爲了抑制 陷，硏磨劑之pH調整爲重要的，爲了使ρΗ在9〜 範圍而添加pH調整劑爲希望的。 就pH調整劑而言’可使用鹼金屬之氫氧化物 類金屬之氫氧化物、鹼性鹽類、胺類、氨。舉例而 列舉氫氧化鉀 '氫氧化鈉、氫氧化鈣、硼酸鈉、單 、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺等。例示之添加物 使用或組合複數使用皆可。其中尤其以二乙醇胺或 胺爲佳。 機變爲 GPC ) ，可例 、聚丙 合附著 糖中， 展，因 被硏磨 ，藉由 ，由硏 之乾燥 調整劑 微小缺 10.5 之 、驗土 言，可 乙醇胺 係單獨 三乙醇 -16- 201002795 pH調整劑係以添加使硏磨劑之pH成爲9〜10.5之範 圍之量爲佳。硏磨中之硏磨劑之pH不由此範圍脫離重要 的，因此p Η調整劑係以先添加其他的添加物，然後最後 加入者爲佳。於硏磨中硏磨劑之pH變動之情況下，亦可 適時地添加pH調整劑以成爲pH9〜10.5之方式作調整。 鹼金屬之氫氧化物般解離常數大的強鹼之情況下，在該 pH域即使少量之添加量之差pH亦會大幅變動，因此調整 爲困難。由此點看來，就pH調整劑而言，係以中程度之 鹼之二乙醇胺或三乙醇胺爲佳。pH在中性附近，膠狀二 氧化矽容易不安定化，連續地硏磨時發生不適合之現象。 pH若過高則有在硏磨之石英玻璃發生表面粗糙之情形。 就pH調整劑以外之添加物而言，亦可使用羧酸與其 鹽類。具體而言，鏈狀構造之羧酸之中分子量100以上者 或芳香族羧酸爲佳。可列舉例如甲基丙烯酸、琥珀酸、馬 來酸、富馬酸、酒石酸、蘋果酸、己二酸、檸檬酸、安息 香酸、安息香酸甲酯、安息香酸第三丁酯、水楊酸、苯二 甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、苯乙酸與該等鹽類。例 示之添加物係單獨使用或組合複數使用皆可。該等分子係 水溶性並且蓬鬆，因此藉著添加硏磨劑’會有分子配位成 膠體粒子，而使膠體狀態安定化的效果。 本發明之硏磨對象之合成石英玻璃基板，係進行將合 成石英玻璃鑄錠成型、退火、切片加工、硏光、粗硏磨加 工而可得到。然後，在決定最終的表面品質之精密硏磨步 驟之中，使用本發明之合成石英玻璃基板用硏磨劑進行硏 -17- 201002795 磨。 另外，就使用本發明所關連之硏磨劑之硏磨方法而言 ，批次式之兩面硏磨爲一般的，而單面硏磨、板片式硏磨 亦可。 使用本發明之硏磨劑而硏磨之合成石英玻璃基板可使 用於半導體相關電子材料或液晶，尤其是可適合使用作爲 光罩用。 例如半導體用基板之情況下，152mmxl52mm且厚度 爲6.35 mm程度。另外，在奈米壓印用基板之情況中’奈 米壓印技術適合少量多品種生產之特性上’基板尺寸亦設 想成各式各樣之大小，而可列舉例如與半導體用基板相同 ，152mmxl52mm 且厚度爲 6.35mm 程度者，或 65mm><65mm且厚度爲 6.35mm程度者，此外還有直徑 150mm且厚度0.5〜1.0mm之晶圓基板。 另一方面，液晶相關材料之情況’在330mmx450mm 之情況下厚度爲5mm、在800mm><920mm之情況下厚度爲 8mm或l〇mm、在1220mm><1400mm之情況下厚度爲13mm 、在1600〜1800mmxl700〜1900mm之情況下厚度爲16〜 20mm 〇 〔實施例〕 以下，揭示實施例與比較例對本發明作具體地說明， 而本發明並非受到下述之實施例所限制者。另外，在下述 例之中，粒徑係藉由動態光散射法所測定之値。 -18- 201002795 〔實施例1〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6 $ 吋）硏光之後，藉由兩面拋光裝置進行粗硏磨及最終精密、 硏磨。使用軟質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於Si〇2 濃度爲40質量％之膠狀二氧化矽水分散液（FUJIMI INCORPORATED股份有限公司製，初級粒徑78nm)加入 聚丙稀酸鈉（重量平均分子量25萬〜70萬：和光純藥工 業股份有限公司製）〇·5質量％，進一步藉著添加二乙醇 胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲l〇〇gf’而切削裕度 係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕疵而硏磨充分之量（ 約1 μιη以上）。 硏磨終了後，洗淨、乾燥之後使用雷射共焦光學系高 靈敏度缺陷檢査裝置（LASERTEC公司製）進行缺陷檢査 之結果，大小爲0.15 μηι以上之缺陷數爲平均4.0個。 〔實施例2〕 除了將實施例1之聚丙烯酸鈉改變爲聚馬來酸鈉（重 量平均分子量1〇〇〇:東亞合成股份有限公司製）以外’係 以與實施例1相同之方式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平 均7.1個。 〔實施例3〕 除了將實施例1之聚丙烯酸鈉改變爲丙烯酸7馬來酸 -19- 201002795 共聚物（重量平均分子量6萬：日本觸媒股份有限公司製 )以外，係以與實施例1相同之方式進行缺陷檢査’結果 缺陷數爲平均4.4個。 〔實施例4〕 除了將實施例1之聚丙烯酸鈉改變爲聚丙烯酸鈉（重 量平均分子量2萬〜70萬：和光純藥工業股份有限公司製 )0.5質量％與安息香酸0.5質量％以外，係以與實施例1 相同之方式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平均3.2個。 〔實施例5〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而作爲硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水 解而製造之原本pH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二 氧化矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒 徑104nm)添加聚丙烯酸鈉（重量平均分子量25萬〜70 萬：和光純藥工業股份有限公司製）0 · 5質量％者（藉著 加入聚丙烯酸鈉將硏磨劑之pH成爲7.6)。硏磨荷重爲 1 00 gf，而切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕 庇而硏磨充分之量（約Ιμιη以上）。 與實施例1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷數 爲平均4.3個。 -20- 201002795 〔實施例6〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而作爲硏磨劑係使用於使烷氧砂院水 解而製造之原本pH7、Si 〇2濃度40質量％之高純度膠狀二 氧化矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒 徑104 nm)添加聚丙烯酸鈉（重量平均分子量25萬〜70 萬：和光純藥工業股份有限公司製）0.5質量％，進一步 藉著添加二乙醇胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲 100gf，而切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕 庇而硏磨充分之量（約Ιμιη以上）。 與實施例1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷數 爲平均2.3個。 〔實施例7〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用，於使院氧砂烷水解 而製造之原本pH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧 化矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 104nm)添加聚丙烯酸鈉（重量平均分子量25萬〜70萬 :和光純藥工業股份有限公司製）0.5質量％，進一步藉 著添加二乙醇胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲i〇〇gf ，而切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏 -21 - 201002795 磨充分之量（約Ιμιη以上）。硏磨係在硏磨布表面變粗糙 變得無法使用之前連續地進行。 與實施例1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷數 爲於硏磨初期硏磨之基板爲平均3.3個，於硏磨末期硏磨 之基板爲平均3 . 5個。 〔實施例8〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（ 1 220mmxl400mmxl3mm t)硏光，藉由單面硏磨機進行粗 硏磨之後，藉由兩面拋光裝置進行最終精密硏磨。此時之 基板端面之表面粗糙度（Ra)爲0.2μιη。 使用軟質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用，於使烷 氧矽烷水解而製造之原本pH7、Si〇2濃度40質量％之高純 度膠狀二氧化矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製 ，初級粒徑104 nm)添加聚丙烯酸鈉（重量平均分子量25 萬〜70萬：和光純藥工業股份有限公司製）0.5質量％、 進一步藉著添加二乙醇胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重 爲7 0. Ogf，而切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之 瑕庇而硏磨充分之量（約3 μηι以上）4小時。 硏磨終了後，洗淨、乾燥之後，藉由光散射式缺陷檢 査裝置（LASERTEC公司製）進行缺陷檢査，結果由端面 之流污並沒有發生，而大小爲〇.3μηι以上之缺陷數爲平均 〇_5 個 /1 00cm2 ° -22- 201002795 〔實施例9〕 除了將實施例8之聚丙烯酸鈉改變 量平均分子量1000:東亞合成股份有限 以與實施例8相同之方式進行缺陷檢査 污並沒有發生，而大小爲0 · 3 μπι以上之 個/100cm2 。 爲聚馬來酸鈉（重 公司製）以外，係 ，結果由端面之流 缺陷數爲平均0.8 〔實施例1 0〕 除了將實施例8之聚丙烯酸鈉改| 共聚物（重量平均分子量6萬：日本觸 )以外，係以與實施例8相同之方式進 由_面之流污並沒有發生 '而大小爲0. 爲平均0.7個/1 00cm2。 I爲丙烯酸/馬來酸 媒股份有限公司製 行缺陷檢査，結果 3μιη以上之缺陷數 〔實施例1 1〕 除了將實施例8之聚丙烯酸鈉改變 量平均分子量2萬〜70萬：和光純藥工 )0.5質量％與安息香酸0.5質量％以外 相同之方式進行缺陷檢査，結果由端面 ，而大小爲0.3 μπι以上之缺陷數爲平均 爲聚丙烯酸鈉（重 業股份有限公司製 ，係以與實施例8 之流污並沒有發生 0.4 個 /1 〇〇cm2。 〔實施例1 2〕 將經過切片之二氧化矽合成石5 1600mmxl700mmxl8mm t )硏光，進行 :玻璃基板原料（ 粗硏磨之後，導入 -23- 201002795 最終精密硏磨。使用軟質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使 用於使烷氧矽烷水解而製造之原本pH7、Si02濃度40質 量％之高純度膠狀二氧化矽水分散液（扶桑化學工業股份 有限公司製，初級粒徑1 04nm )添加聚丙烯酸鈉（重量平 均分子量25萬〜70萬：和光純藥工業股份有限公司製） 0.5質量％者（藉著加入聚丙烯酸鈉將硏磨劑之pH成爲 7.6 )。硏磨荷重爲70.0gf，而切削裕度係爲了去除在粗 硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量（約3μιη以上）。 與實施例8相同之方式進行缺陷檢査，結果由端面之 流污並沒有發生，而大小爲0.3 μπι以上之缺陷數爲平均 0.5 個 /1 00cm2。 〔實施例1 3〕 除了作爲硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而製造之原 本pH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化矽水分散 液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑1 〇4nm )添 加聚丙烯酸鈉（重量平均分子量25萬〜70萬：和光純藥 工業股份有限公司製）0.5質量％，進一步藉著添加二乙 醇胺將pH調整成10.0者，硏磨荷重爲7〇.〇gf，而切削裕 度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量 (約3 μιη以上）以外，以與實施例丨2相同之方式進行。 與實施例8相同之方式進行缺陷檢査，結果由端面之 流污並沒有發生，而大小爲0 · 3 μπι以上之缺陷數爲平均 0.5 個 /1 00cm2。 -24- 201002795 〔實施例1 4〕 作爲硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而製造之原本 pH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化矽水分散液 (扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑1 04nm )添加 聚丙烯酸鈉（重量平均分子量25萬〜70萬：和光純藥工 業股份有限公司製）0.5質量％，進一步藉著添加二乙醇 胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲70.Ogf，而切削裕度 係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量（ 約3 μπι以上）。硏磨係在硏磨布表面變粗糙變得無法使用 之前連續進行，除此之外，係與實施例1 2相同。 與實施例1相同之方式進行缺陷檢査，結果由端面之 流污並沒有發生，缺陷數爲於硏磨初期硏磨之基板爲平均 〇·5個/100cm2，於硏磨末期硏磨之基板爲平均 1.2個 /100cm2。 〔比較例1〕 在實施例1之中，以在最終硏磨所使用之硏磨劑不添 加聚丙烯酸鈉之方式進行硏磨以外，全部以與實施例1相 同條件進行。其結果’以相同之方式使用雷射共焦光學系 高靈敏度缺陷檢査裝置進行缺陷檢査’結果缺陷數爲平均 52個。 〔比較例2〕 -25- 201002795 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6 # 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使# 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係以於使烷氧矽烷水解而胃 造之pH7、Si〇2濃度40質量％之高純度膠狀二氧化矽水分 散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑1 04nm ) 不添加聚丙烯酸鈉之狀態使用。硏磨荷重爲l〇〇gf，而切 削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕疵而硏磨充分 之量（約Ιμιη以上）。 其結果，開始硏磨在第4批硏磨劑會有些增黏而變爲 硏磨困難，在第6批事實上變得不能硏磨。 與實施例1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷數 爲於硏磨初期硏磨之基板爲平均10.9個，於硏磨末期（ 第6批）硏磨之基板爲平均265個。 〔比較例3〕 除了在實施例8之中，以於最終硏磨所使用之硏磨劑 不添加聚丙烯酸鈉之方式進行硏磨以外，全部以與實施例 8相同條件進行。其結果，藉由光散射式缺陷檢査裝置（ LASERTEC公司製）進行缺陷檢査，結果由端面之流痕發 生，而大小爲0.3 μπι以上之缺陷數爲平均50個/100cm2 ° 〔比較例4〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（ 1 220mmxl 400mmxl3mm 〇硏光，進行粗硏磨之後’導入 -26- 201002795 最終精密硏磨。使用軟質之麂皮製硏磨布 於使烷氧矽烷水解而製造之PH7 ' si〇2濃 純度膠狀二氧化矽水分散液（扶桑化學工 製，初級粒徑1 〇4nm )不添加聚丙烯酸鈉 磨荷重爲70.0 gf，而切削裕度係爲了去除 產生之瑕庇而硏磨充分之量（約3μιη以上 其結果，開始硏磨在第1批硏磨劑會 磨困難，在第2批事實上變得不能硏磨。 另外，與實施例8相同之方式進行缺 端面之流污發生，而大小爲〇·3μιη以上 84 個 /1 00cm2 ° 〔實施例1 5〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於Si 量％之膠狀二氧化矽水分散液（FUJIMI 股份有限公司製，初級粒徑7 8 nm )加入 光純藥工業股份有限公司製）1 . 〇質量％ 加二乙醇胺將pH調整成1〇.〇者。硏磨荷 切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生 分之量（約Ιμιη以上）。 硏磨結束後’洗淨、乾燥之後使用雷 靈敏度缺陷檢査裝置（LASERTEC公司製 ，而硏磨劑係以 度40質量％之高 業股份有限公司 之狀態使用。硏 在粗硏磨步驟所 )° 有些增黏變爲硏 陷檢査，結果由 之缺陷數爲平均 基板原料（6英 密硏磨。使用軟 〇2濃度爲40質 INCORPORATED 天門冬胺酸（和 ’進一步藉著添 f重爲1 OOgf，而 之瑕庇而硏磨充 射共焦光學系高 )進行缺陷檢査 -27- 201002795 ，結果缺陷數爲平均4.7個。 〔實施例1 6〕 除了將實施例1 5之天門冬胺酸改變爲麩胺酸（和光 純藥工業股份有限公司製）以外，係以與實施例1 5相同 之方式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平均4.8個。 〔實施例1 7〕 除了將實施例1 5之天門冬胺酸改變爲天門冬胺酸1.0 質量％與安息香酸〇 . 5質量％以外，係以與實施例1 5相同 之方式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平均2.2個。 〔實施例1 8〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後’導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本pH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 104nm )添加天門冬胺酸1 _〇質量％者（藉著加入天門冬胺 酸將硏磨劑之pH成爲4.7)。硏磨荷重爲l〇〇gf，而切削 裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之 量（約Ιμιη以上）。 與實施例15相同之方式進行缺陷檢査之結果’缺陷 數爲平均7.8個。 -28- 201002795 〔實施例1 9〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本PH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 1 0 4nm )添加天門冬胺酸1 ·〇質量％，進一步藉著添加二乙 醇胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲lOOgf，而切削裕 度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕疵而硏磨充分之量 (約1 μ m以上）。 與實施例1 5相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲平均2.9個。 〔實施例20〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本pH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 104nm )添加天門冬胺酸1.0質量％，進一步藉著添加二乙 醇胺將pH調整成1〇.〇者。硏磨荷重爲〇gf，而切削裕 度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量 (約1 μηι以上）加以硏磨。硏磨係在硏磨布表面變粗糙變 -29- 201002795 得無法使用之前連續地進行。 與實施例15相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲於硏磨初期硏磨之基板爲平均1.9個、於硏磨末期硏 磨之基板爲平均6.7個。 〔實施例2 1〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，並使用於Si02濃度爲40質量％之膠 狀二氧化矽水分散液（FUJIMI INCORPORATED股份有限 公司製，初級.粒徑78ηιη )加入兒茶酚（和光純藥工業股 份有限公司製）1.0質量％，進一步藉著添加二乙醇胺將 pH調整成10.0者作爲硏磨劑。硏磨荷重爲100gf，而切 削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分 之量（約1 μιη以上）加以硏磨。 硏磨終了後，洗淨、乾燥之後使用雷射共焦光學系高 靈敏度缺陷檢査裝置（LASERTEC公司製）進行缺陷檢査 ，結果缺陷數爲平均5」個。 〔實施例2 2〕 除了將實施例2 1之兒茶酚改變爲間苯二酚（和光純 藥工業股份有限公司製）以外，以與實施例2 1相同之方 式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平均5.8個。 -30- 201002795 〔實施例2 3〕 除了將實施例21之兒茶酚改變爲兒茶酚1_〇質量％與 安息香酸〇 · 5質量％以外’以與實施例2 1相同之方式進行 缺陷檢査，結果缺陷數爲平均3 · 4個。 〔實施例24〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本pH7、Si02濃度4〇質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 104nm)添加兒茶酚1.0質量％者（藉著加入兒茶酚硏磨劑 之pH成爲5.9)。硏磨荷重爲100gf，而切削裕度係爲了 去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量（約1 μηι 以上）。 與實施例21相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲平均7.3個。 〔實施例25〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本Ρ Η 7、S i Ο 2濃度4 0質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製’初級粒徑 -31 - 201002795 104nm)添加兒茶酚1.0質量％，進一步藉著添加二乙醇胺 將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲l〇〇gf，而切削裕度係 爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量（約 1 μ m以上）。 與實施例2 1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲平均2.0個。 〔實施例2 6〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本PH7、Si02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 1 04nm )添加兒茶酚1.0質量％，進一步藉著添加二乙醇胺 將pH調整成1 〇_〇者。硏磨荷重爲100gf，而切削裕度係 爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量（約 1 μιη以上）。硏磨係在硏磨布表面變粗糙變得無法使用之 前連續地進行。 與實施例2 1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲於硏磨初期硏磨之基板爲平均2.6個，於硏磨末期硏 磨之基板爲平均5.2個。 〔實施例27〕 將經過切片之二氧化砂合成石英玻璃基板原料（6英 -32- 201002795 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終釋 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於S 量％之膠狀二氧化矽水分散液（FUJIMI 股份有限公司製，初級粒徑78nm )加入 純藥工業股份有限公司製）0.025質量％ 加二乙醇胺將pH調整成10.0者。硏磨7 切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生 分之量（約Ιμιη以上）。 硏磨終了後，洗淨、乾燥之後，使用 高靈敏度缺陷檢査裝置（LASERTEC公頁 檢査之結果，缺陷數爲平均4.5個。 〔實施例2 8〕 除了將實施例2 7之玻尿酸鈉改變爲 光純藥工業股份有限公司製）以外，係以 同之方式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平 〔實施例2 9〕 除了將實施例27之玻尿酸鈉改變j 質量％與安息香酸0.5質量％以外，以與 方式進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平均3 〔實施例3 0〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻习 密硏磨。使用軟 i〇2濃度爲40質 INCORPORATED 玻尿酸鈉（和光 ，進一步藉著添 疗重爲100gf，而 之瑕庇而硏磨充 雷射共焦光學系 製），進行缺陷 硫酸軟骨素（和 與實施例27相 均4.8個。 4玻尿酸鈉0.025 t施例27相同之 0個。 基板原料（6英 -33- 201002795 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，並使用於使烷氧矽烷水解而製造之原 本pH7、SiCh濃度40質量％之高純度膠狀二氧化矽水分散 液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑1 04nm )添 加玻尿酸鈉〇 · 〇 2 5質量％者作爲硏磨劑（藉著加入玻尿酸 鈉硏磨劑之pH成爲7.3)。硏磨荷重爲l〇〇gf，而切削裕 度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量 (約Ιμιη以上）加以硏磨。 與實施例2 7相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲平均4.3個。 〔實施例3 1〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本pH7、Si 02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 104nm )添加玻尿酸鈉0.025質量％，進一步藉著添加二乙 醇胺將pH調整成10.0者。硏磨荷重爲100gf，而切削裕 度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量 (約1 μ m以上）。 與實施例27相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲平均2.9個。 -34- 201002795 〔實施例3 2〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 时）硏光’進行粗硏磨之後’導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，而硏磨劑係使用於使烷氧矽烷水解而 製造之原本pH7、Si 02濃度40質量％之高純度膠狀二氧化 矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製，初級粒徑 104nm)添加玻尿酸鈉0.025質量％，進一步藉著添加二乙 醇胺將pH調整成1〇.〇者。硏磨荷重爲100gf，而切削裕 度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕庇而硏磨充分之量 (約1 μ m以上）。硏磨係在硏磨布表面變粗糖變得無法使 用之前連續地進行。 與實施例2 7相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷 數爲於硏磨初期硏磨之基板爲平均2.6個，於硏磨末期硏 磨之基板爲平均4.7個。 〔比較例5〕 除了在實施例1之中，於最終硏磨所使用之硏磨劑不 添加其他添加劑之狀態進行硏磨以外，全部以與實施例1 相同條件進行。其結果，相同之方式使用雷射共焦光學系 高靈敏度缺陷檢査裝置進行缺陷檢査，結果缺陷數爲平均 52個。 〔比較例6〕 將經過切片之二氧化矽合成石英玻璃基板原料（6英 -35- 201002795 吋）硏光，進行粗硏磨之後，導入最終精密硏磨。使用軟 質之麂皮製硏磨布，並以不添加其他添加劑之方式使用於 使烷氧矽烷水解而製造之pH7、Si02濃度40質量％之高純 度膠狀二氧化矽水分散液（扶桑化學工業股份有限公司製 ，初級粒徑l〇4nm)作爲硏磨劑。硏磨荷重爲100gf，而 切削裕度係爲了去除在粗硏磨步驟所產生之瑕疵而硏磨充 分之量（約1 μ m以上）。 其結果，開始硏磨在第4批硏磨劑會有些增黏變爲硏 磨困難，在第6批事實上變得不能硏磨。 與實施例1相同之方式進行缺陷檢査之結果，缺陷數 於硏磨初期硏磨之基板爲平均10.9個，於硏磨末期（第6 批）硏磨之基板爲平均265個。 -36-

Claims (1)

1. 201002795 七、申請專利範圍： 1' 一種合成石英玻璃基板用硏磨劑，其特徵爲含有 膠體彳谷液、與選自聚羧酸系聚合物、酸性胺基酸、酚類及 糖胺聚多糖所構成之群中任一物質，而該膠體濃度爲20〜 5 0質量％。 2. 如申請專利範圍第丨項之合成石英玻璃基板用硏 磨劑’其中該膠體溶液係膠狀二氧化砂分散液。 3. 如申請專利範圍第1或2項之合成石英玻璃基板 用硏磨劑，其中該聚羧酸系聚合物係聚丙烯酸聚合物。 4·如申請專利範圍第1或2項之合成石英玻璃基板 用硏磨劑’其中該酸性胺基酸係天門冬胺酸或麩胺酸。 5·如申請專利範圍第1或2項之合成石英玻璃基板 用硏磨劑’其中該酚類係兒茶酚、間苯二酚、氫醌之任一 者。 6.如申請專利範圍第1或2項之合成石英玻璃基板 用硏磨劑’其中該糖胺聚多糖係玻尿酸。 7 ·如申請專利範圍第1或2項之合成石英玻璃基板 用硏磨劑，其中pH爲9〜10.5。 8. 如申請專利範圍第7項之合成石英玻璃基板用硏 磨劑，其係藉由選自鹼金屬氫氧化物、驗土類金屬氫氧化 物、鹼性鹽類、胺類、氨之1種或2種以上調整PH。 9. 如申請專利範圍第1或2項之合成石英玻璃基板 用硏磨劑，其中合成石英玻璃基板係光罩用合成石英基板 -37- 201002795 無 • · 明 說 。單 無簡 :號 為符 圖件 表元 代之 定圖 :指表 圖案代 表本本 代> > 定一二 指 s.-/ ' 四 201002795 五 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無