KR870010630A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents

반도체 집적회로장치 Download PDF

Info

Publication number
KR870010630A
KR870010630A KR870003080A KR870003080A KR870010630A KR 870010630 A KR870010630 A KR 870010630A KR 870003080 A KR870003080 A KR 870003080A KR 870003080 A KR870003080 A KR 870003080A KR 870010630 A KR870010630 A KR 870010630A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
integrated circuit
power supply
supply voltage
external power
semiconductor
Prior art date
Application number
KR870003080A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900003833B1 (ko
Inventor
요지 와타나베
도오루 후루야마
Original Assignee
와타리 스기이치로
가부시키 가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 와타리 스기이치로, 가부시키 가이샤 도시바 filed Critical 와타리 스기이치로
Publication of KR870010630A publication Critical patent/KR870010630A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900003833B1 publication Critical patent/KR900003833B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 1실시예에 따른 정전압발생기와 모드절환제어기를 포함하는 반도체 집적회로장치의 회로구성을 나타내는 블럭다이어그램,
제 2 도는 통상동작모드와 가속테스트모드에서 외부전원공급전압에 따라 반도체장치의 주회로부에 대한 내부전원전압의 변동을 나타내는 그래프,
제 3 도는 제 1 도의 반도체장치에서 모드절환제어기의 상세회로구성을 나타내는 다이어그램,

Claims (7)

  1. 반도체성기판(10)에 형성되어 제 1 의 동작모드에서 통상동작을 실행하게 됨과 더불어 제 2 의 동작모드에서 가속적테스트에 제공되는 집적회로(12)와 상기 집적회로(12)에 접속되어 외부로 부터 공급되는 직류의 전원전압 Vcc를 인가받아 그 전위레벨이 상기 외부전원전압 Vcc보다 낮게 되면서 상기 외부전원전압에 구애받지 않고 실질적으로 일정하게 조정된 직류전원전압 Vcci를 생성하는 정전압발생수단(14)을 포함하여 구성된 반도체 장치에 있어서, 상기 반도체장치에는 상기 집적회로(12)에 접속되게끔 상기 반도체성 기판(10)에 형성되어 상기 제 1 동작 모드에서 상기 조정된 직류전원전압을 상기 집적회로(12)에 내부전원전압 Vcci로서 공급해 주게 되고, 상기 제 2 의 동작모드에서는 상기 외부전원전압 Vcc가 상기 집적회로(12)에 직접 인가되게 제어해 주는 자동스위칭회로 수단(20)이 포함되어 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    자동스위칭회로수단(20)은 반도체작치에 인가되는 외부전원전압 Vcc가 미리 결정된 패턴으로 변화되게 될때 상기 외부전원전압 Vcc의 변화를 검출하여 장치의 동작모드를 제 1 모드로부터 제 2 모드로 자동적으로 절환해 주는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로창치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    자동스위칭회로수단(20)은 정전압발생수단(14)에 병렬로 접속되는 스위칭소자(22)와, 상기 스위칭소자(22)에 접속되어 외부전원전압 Vcc가 미리 결정된 패턴으로 변화되는 것을 검출할 때 상기 외부전원전압 Vcc를 집적회로(12)에 직적 인가되도록 상기 스위칭소자(22)의 전기적 상태를 변화시키기 위해 상기 스위칭소자(22)를 제어하는 제어회로수단(24)으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    제어회로수단(24)은 외부전원전압 Vcc가 반도체장치의 내부전원전압 Vcci에 대응하는 제 1 의 기준전압V 1과 제 2 의 기준전압V 2를 차례로 넘어서 증가되거나 상기 제 1 의 기준전압V 1 이하까지 감소되는 것을 검출하여 스위칭소자(22)의 전기적 상태를 변환해주므로써 정전압발생수단을 집적회로로부터 실질적으로 비접속상태로 해주게 됨과 더불어 외부전원전압 Vcc를 상기 집적회로(12)에 직접 인가해주게 되어 상기 집적회로(12)가 제 1 의 기준전압V 1보다 높은 상기 외부전원전압 Vcc를 인가받을 수 있게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    스위칭소자(22)는 집적회로(12)를 구성하는 미세화형성된 트랜지스터와 동일종류의 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    스위칭소자(22)는 게이트전극을 갖는 금속산화물 반도체전계효과트랜지스터(Q)가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    제어회로수단(24)은 제 l 및 제 2 기준 전압을 규정하여 제 1 및 제 2 의 출력전압을 생성하게 되는 전압발생수단(40,42)과,
    상기 전압발생수단(40,42)의 제 1 및 제2 의 출력전압을 인가받아 외부전원전압 Vcc의 상기 제 1 및 2제의 기준전압과의 상대적 대소관계를 검출하는 전압비교기수단(44,46)및,
    상기 전압비교기수단(44,46)과 트랜지스터의 게이트전극에 접속되는 플립플롭회로(56)가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870003080A 1986-04-01 1987-04-01 반도체 집적회로 장치 KR900003833B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP74980 1986-04-01
JP61-74980 1986-04-01
JP61074980A JP2721151B2 (ja) 1986-04-01 1986-04-01 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870010630A true KR870010630A (ko) 1987-11-30
KR900003833B1 KR900003833B1 (ko) 1990-06-02

Family

ID=13562942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870003080A KR900003833B1 (ko) 1986-04-01 1987-04-01 반도체 집적회로 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US4833341A (ko)
JP (1) JP2721151B2 (ko)
KR (1) KR900003833B1 (ko)
DE (1) DE3710865A1 (ko)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2904276B2 (ja) * 1987-02-24 1999-06-14 沖電気工業株式会社 半導体集積回路装置
JP2503504B2 (ja) * 1987-04-21 1996-06-05 日本電気株式会社 電源回路
US5402375A (en) * 1987-11-24 1995-03-28 Hitachi, Ltd Voltage converter arrangement for a semiconductor memory
JP2777136B2 (ja) * 1988-03-08 1998-07-16 株式会社東芝 半導体集積回路の誤動作防止回路
EP0333353A3 (en) * 1988-03-17 1991-10-23 Precision Monolithics Inc. Dual mode voltage reference circuit and method
JPH01238217A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Toshiba Corp 半導体集積回路の誤動作防止回路
USRE40132E1 (en) 1988-06-17 2008-03-04 Elpida Memory, Inc. Large scale integrated circuit with sense amplifier circuits for low voltage operation
US5297097A (en) * 1988-06-17 1994-03-22 Hitachi Ltd. Large scale integrated circuit for low voltage operation
KR950011803B1 (ko) * 1988-08-30 1995-10-10 금성일렉트론주식회사 테스트 모우드 기능 수행, 입력 회로
JPH02177194A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
JP2688976B2 (ja) * 1989-03-08 1997-12-10 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置
US5047663A (en) * 1989-07-28 1991-09-10 Dallas Semiconductor Corporation Low-power comparator which tolerates high-slew-rate incoming signals and deriving power from the incoming signals
WO1991002408A1 (en) * 1989-07-28 1991-02-21 Dallas Semiconductor Corporation Line-powered integrated circuit transceiver
CA2000636C (en) * 1989-10-13 1991-04-13 Gennum Corp SWITCH WITH FREQUENCY COMPENSATION, EARLY VOLTAGE COMPENSATION AND VALIDATION INDICATOR
JP2678669B2 (ja) * 1989-11-17 1997-11-17 富士通株式会社 基準電圧入力回路
JP2888898B2 (ja) * 1990-02-23 1999-05-10 株式会社日立製作所 半導体集積回路
JPH03283562A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Sony Corp 半導体集積回路装置
JPH03297154A (ja) * 1990-04-17 1991-12-27 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路
JP2544993B2 (ja) * 1990-06-05 1996-10-16 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0447591A (ja) * 1990-06-14 1992-02-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
KR930009148B1 (ko) * 1990-09-29 1993-09-23 삼성전자 주식회사 전원전압 조정회로
JP2566067B2 (ja) * 1991-04-26 1996-12-25 株式会社東芝 論理回路
KR930009490B1 (ko) * 1991-07-15 1993-10-04 금성일렉트론 주식회사 순간 테스트 모드 지정회로
KR940008286B1 (ko) * 1991-08-19 1994-09-09 삼성전자 주식회사 내부전원발생회로
FR2680586B1 (fr) * 1991-08-19 1994-03-11 Samsung Electronics Co Ltd Circuit generateur de tension d'alimentation interne programmable electriquement.
CN1075690C (zh) * 1991-11-07 2001-11-28 摩托罗拉公司 混合信号处理系统及其供电方法
JP3308572B2 (ja) * 1991-11-12 2002-07-29 富士通株式会社 半導体装置
KR950008453B1 (ko) * 1992-03-31 1995-07-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로
JPH05314769A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US5394028A (en) * 1992-06-26 1995-02-28 Motorola, Inc. Apparatus for transitioning between power supply levels
JP2918397B2 (ja) * 1992-06-26 1999-07-12 三菱電機株式会社 半導体ウエハ及びその製造方法
JP3362873B2 (ja) * 1992-08-21 2003-01-07 株式会社東芝 半導体装置
US5532618A (en) * 1992-11-30 1996-07-02 United Memories, Inc. Stress mode circuit for an integrated circuit with on-chip voltage down converter
JP3365804B2 (ja) * 1993-01-12 2003-01-14 株式会社日立製作所 通信回線駆動回路、及びインタフェース用ｌｓｉ、並びに通信端末装置
JPH06236686A (ja) * 1993-01-22 1994-08-23 Nec Corp 半導体装置
JP2925422B2 (ja) * 1993-03-12 1999-07-28 株式会社東芝 半導体集積回路
JP2838761B2 (ja) * 1993-08-11 1998-12-16 セイコープレシジョン株式会社 カメラ用制御回路
US5424673A (en) * 1994-01-28 1995-06-13 Compaq Computer Corporation LCD display precharge regulator circuit
JP3072880B2 (ja) * 1994-06-02 2000-08-07 株式会社アドバンテスト Ｉｃ試験用電圧発生回路
JP3629308B2 (ja) * 1995-08-29 2005-03-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその試験方法
US5694297A (en) * 1995-09-05 1997-12-02 Astec International Limited Integrated circuit mounting structure including a switching power supply
JPH10125742A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の良否判定方法及び半導体集積回路
DE19654504C2 (de) * 1996-12-18 2003-08-21 X Fab Semiconductor Foundries Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen integrierter Schaltkreise
US5883797A (en) * 1997-06-30 1999-03-16 Power Trends, Inc. Parallel path power supply
JP3482873B2 (ja) * 1998-05-20 2004-01-06 株式会社デンソー 負荷駆動装置
JP3500322B2 (ja) * 1999-04-09 2004-02-23 シャープ株式会社 定電流駆動装置および定電流駆動半導体集積回路
WO2000073870A1 (de) * 1999-06-02 2000-12-07 Micronas Munich Gmbh Schaltungsanordnung mit integriertem schaltkreis und spannungsregelkreis
US6675330B1 (en) * 2000-01-07 2004-01-06 National Seminconductor Corporation Testing the operation of integrated circuits by simulating a switching-mode of their power supply inputs
JP2002123501A (ja) 2000-10-17 2002-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
JP4057260B2 (ja) * 2001-08-07 2008-03-05 株式会社日立製作所 電源回路、電源システム、および電子装置
JP2003168300A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6691294B2 (en) * 2002-01-23 2004-02-10 Ati Technologies, Inc. Method and device for implementing by-pass capacitors
US20040227538A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Harris Philip M. Test apparatus for evaluating voltage regulators
US7212067B2 (en) 2003-08-01 2007-05-01 Sandisk Corporation Voltage regulator with bypass for multi-voltage storage system
US7157813B2 (en) * 2003-10-03 2007-01-02 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for mode selection for high voltage integrated circuits
US7702479B2 (en) * 2005-05-12 2010-04-20 International Business Machines Corporation On-board guard-band chamber environment emulator
JP4805698B2 (ja) * 2006-03-13 2011-11-02 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE602006005077D1 (de) * 2006-07-27 2009-03-19 Hynix Semiconductor Inc Netzspannungsverteilungssystem mit vermindertem Widerstand für Halbleiterbauelemente
EP2073262B1 (de) * 2007-12-18 2015-09-30 Micronas GmbH Halbleiterbauelement
FR3042876B1 (fr) 2015-10-27 2017-12-15 STMicroelectronics (Alps) SAS Detection de perturbations d'une alimentation
US11150295B1 (en) * 2018-10-02 2021-10-19 Marvell Asia Pte, Ltd. Relay circuit for reducing a voltage glitch during device testing

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3639779A (en) * 1971-03-15 1972-02-01 Gte Sylvania Inc Limiter circuit with enable function
JPS58171842A (ja) * 1982-03-31 1983-10-08 Matsushita Electronics Corp 集積回路装置
JPS59186330A (ja) * 1983-04-06 1984-10-23 Nippon Denso Co Ltd ハイブリツド集積回路
DE3337906A1 (de) * 1983-10-19 1985-05-09 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Verfahren zum pruefen von elektronischen digitalschaltungen
JPS60176121A (ja) * 1984-02-22 1985-09-10 Toshiba Corp 電圧降下回路
JPS61163655A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 Toshiba Corp 相補型半導体集積回路
US4782355A (en) * 1985-06-26 1988-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Power source device
JPH07113863B2 (ja) * 1985-06-29 1995-12-06 株式会社東芝 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5023476A (en) 1991-06-11
JPS62232155A (ja) 1987-10-12
DE3710865C2 (ko) 1989-03-02
DE3710865A1 (de) 1987-10-22
US4833341A (en) 1989-05-23
JP2721151B2 (ja) 1998-03-04
KR900003833B1 (ko) 1990-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870010630A (ko) 반도체 집적회로장치
JP3510652B2 (ja) ３端子スィッチングモード給電集積回路
KR930020449A (ko) 내부전원전압 발생회로
KR870003613A (ko) 발전기 전압조정회로
JPS6455857A (en) Semiconductor integrated device
KR910019056A (ko) 내부강압 전원전압을 가지는 반도체 장치에 있어서의 기판전압 발생회로
ITMI921963A1 (it) Circuito generatore di tensione interna
KR970004349A (ko) 반도체 전원 스위치용 구동 회로
KR960030231A (ko) 반도체 메모리장치의 전압 구동회로
KR900015423A (ko) 스위치 모드 전환회로
KR880013251A (ko) 모놀리틱 집적회로 소자
KR840007309A (ko) 반도체 집적회로(半導體潗積回路)
KR960032490A (ko) 완전 피드백 제어가 가능한 바이어스 전압 제어 장치
KR940004803A (ko) 반도체 장치
KR890015507A (ko) 전원전압상승검출회로
KR930017219A (ko) 보호회로를 구비하는 반도체 장치 및 전자시스템
KR100791654B1 (ko) 전류 소스 회로 및 집적 회로
JPH08280170A (ja) スイッチング電源回路
KR100205783B1 (ko) 감지 온도에 따른 전력 공급 제어 장치
EP0869419A3 (en) Fast voltage regulation without overshoot
KR20010070380A (ko) 집적 스위칭 회로의 소비 전력을 조절하기 위한 회로
JP3540872B2 (ja) 起動回路
JPH0513543A (ja) 半導体集積回路
JP3571145B2 (ja) 定電流発生器及びこれを用いた定電流発生方法
KR200141249Y1 (ko) 세탁기 리셋회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060601

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term