JP3510652B2 - 3端子スィッチングモード給電集積回路 - Google Patents
3端子スィッチングモード給電集積回路Info
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Description
り、特に最少数のピン出力を備えたスィッチング給電装
置で使用される集積回路素子に関する。
使用される給電装置の型式とそれらを構築する際に選択
される部品の中から選ぶ際の最も重要な関心事である。
スィッチング給電装置は、より簡単なリニア給電装置に
比較してコスト的に対抗できるものとなってきたが、こ
れは集積回路(IC)技術が進歩し、複雑なスィッチモ
ード回路の大部分が単一チップ上に集積できるようにな
ったからである。大ざっぱに言えば、ICパッケージ上
の必要なピン数が少なければ少ないほどコストは安くな
る。スィッチング給電装置ICのコスト削減の最終目標
は3端子パッケージである。ひとつのピンは電源スィッ
チング用、ひとつのピンは接地用そしてひとつのピンは
フィードバック用である。従来型給電ICは通常8つも
の多くのピンを必要とし、従ってパッケージのオプショ
ンをより高価な型式に限定していた。
れは全波ブリッジ整流器12、フィルタキャパシタ1
4、一次巻線18と一対の二次巻線20および22とを
具備した変成器16、直流出力を供給するダイオード2
4とキャパシタ26、電圧Vbi asを供給するダイオード
28とキャパシタ30、補償誤差増幅器32、光絶縁器
34、4ピンスィッチングモード給電チップ36および
チップ36の近くに配置されているVbias平滑キャパシ
タ38とを含む。Vbiasはチップ36を動作させるため
の電力を供給する。しかしながら、始動時にはチップ3
6には電力が供給されていない、何故ならば一次巻線1
8は開放状態で二次巻線22にはチップ36がスィッチ
ングをしていないので電圧が誘導されていない。この様
なスィッチングを開始させるために、高電圧が高電圧M
OSFET40と一次巻線18の終端との接合部から取
り出されている。このタップはチップ36を始動させる
のに十分な電流を供給できる。チップ36内の電圧調整
器は高電圧前置電圧調整器トランジスタ42、パストラ
ンジスタ44および低電圧比較器46とを含む。始動開
始中、キャパシタ38にかかる電圧(Vs)が零または
ほぼ零に近いとき、抵抗器48はトランジスタ42を導
通させるようにバイアスをかけ、キャパシタ38充電用
の電流を流す。電圧Vsが予め定められた閾値を越える
と、比較器46はトランジスタ44を導通し、トランジ
スタ42を遮断する。比較器46はヒステリシスを含
み、トランジスタ42および44は電圧Vsが第一閾値
よりも低い第二閾値以下に落ちない限り再切り替えされ
ない。電圧Vsとトランジスタ44が導通であることに
より、電力がパルス幅変調器(PWM)50に供給され
る。この結果、通常のスィッチング動作が開始できるよ
うになり、トランジスタ40は一次巻線18を流れる電
流をチョップする。従って変成器16は動作を始め、電
圧(Vbias)が二次巻線22、ダイオード28およびキ
ャパシタ30で生成される。キャパシタ38の両端から
供給されるVbiasにより、比較器46はトランジスタ4
2を遮断状態に維持し、さらなる高電圧電力はもはや必
要とされない。直流出力に比例するフィードバック信号
が増幅器32と光絶縁器34とを経由してPWM50に
戻される。従ってチップ36は最少4つのピン、すなわ
ち、OUT,FB,VSおよびGNDを必要とする。
ため、例えば工業規格TO−220,DPAK,TO−
5およびその等価品の様な低コスト3端子パッケージの
使用を妨げている。従って3端子スィッチングモード給
電チップは工業分野で必要とされている。
ィッチングモード給電チップを提供することである。
フィードバック制御信号とチップを動作させるためのバ
イアス供給電圧との合成信号を受信するための信号端子
を具備した3端子スィッチングモード給電チップであ
る。フィードバック抽出回路がチップ内でフィードバッ
ク信号を供給電圧から分離するために用意されており、
これは分流電圧調整器を通る過剰電流を検出する事で行
われる。
部品とを備えた簡単な完全集積給電チップを可能とす
る、集積回路が提供されることである。
路が提供されることである。
チップ上の前置電圧調整器に必要であった高電圧トラン
ジスタ領域を取り除いた集積回路が提供されることであ
る。
電圧ピンおよび接地ピンのみを備えた完全集積スィッチ
ング給電を可能とする集積回路を提供することである。
に特長は、本技術分野に精通の当業者がいくつかの図面
に示された提出された実施例の以下の詳細説明を読んだ
後に明かとなることは、疑いもないことである。
し、全体として参照番号60で示されている。給電装置
60は全波ブリッジ整流器62、フィルタキャパシタ6
4、一次巻線68と一対の二次巻線70と72を具備し
た変成器66、直流出力を供給するダイオード74とキ
ャパシタ76、電圧Vbiasを供給するダイオード78と
キャパシタ80、補償誤差増幅器82、光絶縁器84、
3ピンスィッチングモード給電チップ86そしてチップ
86の近くに配置されているVbias平滑キャパシタ88
とを含む。Vbiasが直流出力フィードバックと動作電力
の合成信号(FB/VS)を与えるために、光絶縁器8
4を通して供給される。電力始動時、V biasは零であ
り、チップ86には電力が供給されていない、何故なら
ば一次巻線68は開放状態であり、チップ86がスィッ
チングを行っていないので二次巻線72の中に電圧が誘
導されていないためである。この様なスィッチングを開
始させるために、低電圧が高電圧MOSFET92の内
部接合部から取り出される。MOSFET92が非導通
の時、一次巻線68のスィッチングされる終端部に高電
圧が存在する。従ってチップ86はただ3本のピン、O
UT,GNDそしてFB/VSのみを必要とし、廉価な
プラスティックTO−220工業規格型式パッケージの
中に装着可能である。
4,811,075号、1989年3月7日発行、カル
ス エイチ.エクランドに付与、に記述されているもの
と同等である。絶縁ゲート、電界効果トランジスタと両
側接合ゲート電界効果トランジスタが同一の半導体チッ
プ上に直列に接続され高電圧MOSトランジスタを形成
している。拡張ドレイン領域が反対側の導電性物質基板
表面に形成されている。物質の最上層は、基板と同様
に、拡張ドレイン領域と同じマスクウィンドウを通して
イオン注入で形成されている。最上層は拡張ドレインの
中間部分のみを覆い、その端部は上部の二酸化シリコン
層と接している。拡張ドレインを通って流れる電流は基
板と最上層とで制御されており、これらの間で拡張ドレ
イン領域は電界効果でなじみのやり方でピンチオフされ
る。主電力用MOSFET92は電源電圧をチップ86
バイアス用の低電圧に降下させるために使用されてい
る。
b)と内部低電圧供給電流(Is)を結合したものを単
一ピン上に受信する。供給電流はCMOS版のチップ8
6ではおよそ1ミリアンペアである。供給電流はまた光
絶縁器84の出力用バイアス電流としても作用する。光
絶縁器84は最適に動作するためには通常バイアス電流
として0.5から0.2ミリアンペアを必要とする。従
来技術に於ける給電装置では、光絶縁器バアイス電流は
スィッチングモード給電チップで必要とされる電流以外
に余分に必要とされる。フィードバック信号二次巻線7
0は光絶縁器84の出力トランジスタを流れる電流を変
調する。フィードバック変調は制御器90によって直流
供給電流から抽出される。
熱運転停止装置94、機能ブロック96、発振器(OS
C)98、比較器(COMP)100それにパルス幅変
調器(PWM)102とを含む3端子電圧調整チップ8
6を示している。抽出されたフィードバック信号(Vf
b)はブロック96からの出力でCOMP100に供給
される。MOSFET92は等価な接地されたゲートを
具備した高電圧JFET104と低電圧MOSFET1
06とを含む。タップ108はJFET104とMOS
FET106の接合部から電力を供給する。
ィードバック抽出器108、Vs電圧調整器兼スィッチ
ング雑音フィルタ110、低電圧検知器112、および
高電圧始動電圧調整器114とを含む。電圧調整器兼フ
ィルタ110は、バンド幅基準電圧(Vbg)と電圧V
sの、抵抗器群116,118および120の比率で決
定される分圧とを比較し、電圧調整を行う。誤差増幅器
は三つのトランジスタ組122,124および126、
一対のトランジスタ128と130、それに132とを
含む。誤差増幅器の出力は分流トランジスタ134を駆
動する。十分な電流がFB/VSに入力されている限
り、電圧Vsは調整状態にあり余分な電流はトランジス
タ134を通して接地に分流される。この余剰電流は写
し取られて、トランジスタ136および抵抗器138に
よって抽出フィードバック電圧(Vfb)に変換され
る。電力増加中、高電圧始動電圧調整器114およびキ
ャパシタ88(図2)はチップ86を始動するための動
作電流並びに電圧を供給する。一度給電装置60が動作
状態になると、二次巻線72とVbias電圧が上昇し始め
る。直流出力電圧(図2)が予め定められた電圧調整レ
ベルに達した時、誤差増幅器82が光絶縁器84内のL
EDを点灯する。これは続いて光絶縁器84の出力を駆
動し、チップ86への供給電流の導通を開始する。電流
は増加を続け、トランジスタ134を通って流れる余剰
電流が十分な値となって、VfbがOSC98(図3の
Cosc)からの鋸歯状波の動作範囲(1−2ボルト)
に入るまで継続し、こりVfbはCOMP100の反転
入力に供給される。この手順は給電装置60内の電圧調
整を開始させる。Vfbが正常動作電圧を越えると、最
大オンパルス幅が出力スィッチMOSFET92に送ら
れ、その結果始動時に最大電力出力が得られる。Vfb
が動作電圧範囲内またはそれ以下の時には、MOSFE
T92に送られるパルス幅は最少または零である。フィ
ードバックループは自動的にパルス幅が動作範囲に維持
されるように調整し、二次巻線70の出力電圧の電圧調
整が行えるようにしている。
SFET92からのVs節内の漂遊スィッチング電流
が、Vfb出力を汚染することを防止しなければならな
い。低域フィルタが電圧調整器兼フィルタ110内に含
まれており、トランジスタ124に結合されたミラーキ
ャパシタ140を使用している。カットオフ周波数はお
よそ5KHzであり、これは高いスィッチング周波数雑
音(例えば、100KHzから500KHz)がトラン
ジスタ134のゲートを変調することを効果的に濾波す
るのに十分低い値である。しかしながらこのカットオフ
値は電圧調整ループの主極(例えば0.1Hzから10
0Hz)に比較して十分高く、閉ループサーボ制御安定
性には影響を与えない。
1KHzから10KHz)内の給電電流周波数は、給電
ループ内の不安定さに影響を与え得る。例えば、チップ
86の供給電流消費がMOSFET92に供給されるパ
ルス幅で変化すると、直列に並んだ信号がVfbに現
れ、これは結果として内部の正または負のフィードバッ
クを引き起こし得る。供給電流はパルス幅とは無関係で
あるべきであって、なぜならばMOSFET92のゲー
トの様な節は、パルス幅とは関係なく各周期毎に一回、
充電と放電を行うためである。正味の直流電流は零であ
る。零に近いパルス幅の場合は例外であって、なぜなら
ばゲートは次に放電する前に完全に充電されないからで
ある。これは零負荷近辺でのジッタを引き起こすことが
あるが、これは種々の方法で対処可能である。例えばゲ
ート駆動段の入力に接続された抵抗器はMOSFET9
2が非導通状態での電流を消費し、これはパルス幅が減
少すると増加するので問題を帳消しにする。
れるチップ領域が広大であることを示している。JFE
T104は空間の最大部分を占めている。
記述してきたが、理解されるように開示内容は制限とし
て解釈されるものではない。当業者が開示内容を一読し
た後種々の代替案並びに修正を行い得ることは疑いもな
い。従って添付の特許請求の範囲が、全ての代替案並び
に修正が本発明の精神および範囲内に落ちるように解釈
されるものと意図している。
図式図であり、3端子スィッチングモード給電チップを
含む。
のブロック図。
の一部である、フィードバック抽出器、Vs電圧調整器
とスィッチング雑音フィルタ、低電圧検出器、そして高
電圧始動電圧調整器の図式図。
のチップマップ図であり、高電圧MOSFETの比較寸
法を示す図。
Claims (10)
- 【請求項1】 3端子スイッチングモード給電チップで
あって、 第1電気接続端子は、変成器の1次巻線が接続されるも
のであり、当該1次巻線の他端は直流電源に接続される
ものであり、 第2電気接続端子は前記直流電源のアースに接続されて
おり、 第3電気接続端子は、フィードバック電流源が接続され
るものであって、該フィードバック電流源とは、前記変
成器の2次巻線の出力端と前記直流電源の接地電位に接
続された前記2次巻線の他端とで生成され、かつフィー
ドバック信号(Ifb)と内部低電流(Is)とが同一
出力ピン上に重畳された電流源として構成され、前記内
部抵電流とは運転開始後から運転中にかけて本チップの
動作を保障するのに十分な電流源とされるものであり、 当該給電チップは結合タイプ電界効果型トランジスタ
(JFET)と、金属酸化物半導体電界効果トランジス
タ(MOSFET)と制御手段とから構成され、 前記結合タイプ電界効果型トランジスタ(JFET)
は、ドレイン電極が前記第1電気接続端子に接続され、
ゲート電極は前記第2電気接続端子に接続され、ソース
電極は制御手段に接続され、電源動作開始時に外制御手
段用電源となるバイアス電圧を制御手段へ供給し、その
バイアス電圧は前記第1電気接続端子に現れる電圧より
も低い電圧であり、 前記金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSF
ET)はドレイン電極が前記JFETのソース電極に接
続されてMOSFETとJFETとが直列接続され、ゲ
ート電極は制御手段からの出力が入力され、 制御手段は第3電気接続端子から入力された前記重畳信
号を分離し、参照電圧との比較を行い、出力電圧が低電
圧となるように前記MOSFETのゲートへスイッチン
グ信号を出力するものである、 ことを特徴とする3端子スイッチングモード給電チッ
プ。 - 【請求項2】 外部3端子半導体チップであって、 内部接地電位に関してパルス幅変調された出力を提供す
る第1電気接続端子と、 前記内部接地電位と外部接地電位とを接続する第2電気
接続端子と、 バイアス電源と前記パルス幅変調出力である直流出力に
応答するフィードバック電流と重畳する第3電気接続端
子と、前記第3電気接続端子に接続された入力と、前記第1電
気接続端子に接続された出力とを備え、前記第3電気接
続端子で受容される前記フィードバック電流にしたがっ
て、出力トランジスタのオン・オフ・ディユーティーサ
イクルを制御する制御器であって、前記チップを含む回
路の出力を調整する制御器とを備え、 前記制御器は、重畳されたフィードバック信号および内
部低電圧供給電流を前記第3電気接続端子から受容し、
前記チップの起動期間経過後であって運転期間中に前記
低電圧供給電流で動作電力を制御器に提供し、前記出力トランジスタは当該チップに包含されるもので
あって、当該出力トランジスタは、 第1トランジスタは、ドレイン電極が変圧器の1次巻線
に接続され、ゲート電極が第2電気接続端子に接続され
及び当該第1トランジスタの前記ドレイン電極に現れる
電圧よりも実質的に減少したバイアス電圧を提供するソ
ース電極とを有する第1トランジスタと、 第2トランジスタは、前記第1トランジスタのソース電
極に接続されて第2トランジスタと前記第1トランジス
タとを直列接続するドレイン電極と、前記直列接続され
た第1及び第2トランジスタとの双方を流れるスイッチ
ング電流を制御するゲート電極と、及び前記第2電気接
続端子に接続されたソース電極とを有する第2トランジ
スタと、 を含むことを特徴とするチップ。 - 【請求項3】 3端子スイッチングモード給電チップで
あって、 第1電気接続端子は、変成器の1次巻線が接続されるも
のであり、当該1次巻線の他端は直流電源に接続される
ものであり、 第2電気接続端子は前記直流電源のアースに接続されて
おり、 第3電気接続端子は、フィードバック電流源が接続され
るものであって、該フィードバック電流源とは、前記変
成器の2次巻線の出力端と前記直流電源の接地電位に接
続された前記2次巻線の他端とで生成され、 制御器であって前記第3電気接続端子に接続された入力
と、前記第1及び第2電気接続端子との間に接続された
出力トランジスタのオン・オフ・ディユーティーサイク
ルを前記第3電気接続端子から入力されるフィードバッ
ク電流にしたがって制御するよう接続された出力とを備
え、前記変成器から出力される電圧は調整され、前記チ
ップの動作中に前記制御器には前記2次巻線から出力さ
れて直流出力フィードバックと動作電力の合成信号を構
成するのに用いられるバイアス電圧供給電流が供給され
てなり、 前記制御器は前記第3電気接続端子に接続されて重畳さ
れた低電圧供給電流と内部低電圧供給電流とを受容し、
当該低電圧供給電流は前記チップのスタートアップ後の
動作中に動作電流を供給する、 ことを特徴とするチップ。 - 【請求項4】 請求項3に記載のチップであって、前記
出力トランジスタは、 第1トランジスタは、ドレイン電極が前記第1電気接続
端子に接続され、ゲート電極が前記第2電気接続端子に
接続され、及びソース電極が前記第1電気接続端子に現
れる電圧よりも低いバイアス電圧を制御器に与える第1
のトランジスタと、 第2トランジスタは、前記第1トランジスタの前記ソー
ス電極に接続されたドレイン電極であって第2トランジ
スタと前記第1トランジスタとを直列接続するドレイン
電極と、 直列接続された前記第1および第2トランジスタの双方
を流れるスイッチング電流を制御するゲート電極と、お
よび前記第2の電気接続端子に接続されたソース電極を
ゆうする第2トランジスタと、 を有することを特徴とするチップ。 - 【請求項5】 請求項4に記載のチップであって、 前記第1トランジスタは結合タイプ電界効果型トランジ
スタ(JFET)であり、 前記第2トランジスタは金属酸化物半導体電界効果型ト
ランジスタ(MOSFET)であり、 前記制御器はパルス幅変換器からなる、 ことを特徴とするチップ。 - 【請求項6】 請求項3に記載のチップであって、 前記制御器はさらに前記内部低電圧供給で電流より前記
フィードバック信号を抽出するフィードバック抽出器
と、前記内部低電圧供給電流から前記フィードバック電
流を分離し、前記制御器を用いて安定させるVs調整器
とスイッチングノイズフィルタとを備えたことを特徴と
するチップ。 - 【請求項7】 請求項6に記載のチップであって、 前記制御器はさらに、前記出力トランジスタに接続され
て、前記チップのスタートアップ中に前記制御器の残り
の部分に制御された電圧供給源を提供する高電圧スター
トアップ・レギュレータを含むことを特徴とするチッ
プ。 - 【請求項8】 請求項6に記載のチップにおいて、 前記制御器と前記フィードバック抽出器は、前記第3電
気接続端子に充分な供給電流の流入があり前記電圧Vs
が調整され、過剰な電流を接地電位にシャントし、さら
に当該シャントされた過剰電流をミラー操作及び変換し
て抽出されたフィードバック電圧を生成しているか否か
をモニターするように適合されたことを特徴とするチッ
プ。 - 【請求項9】 電源に含まれる3端子スイッチングモー
ド給電チップであって、当該チップは、 第1電気接続端子は、変成器の1次巻線が接続されるも
のであり、当該1次巻線の他端は直流電源に接続される
ものであり、 第2電気接続端子は前記直流電源のアースに接続されて
おり、 第3電気接続端子は、フィードバック電流源が接続され
るものであって、該フィードバック電流源とは、前記変
成器の2次巻線の出力端と前記直流電源のアースに接続
された前記2次巻線の他端とで生成されるものであり、 制御器であって、前記第3電気接続端子に接続された入
力と、第3電気接続端子で受容されるフィードバック電
流にしたがって、前記第1および第2電気接続端子との
間に接続された出力トランジスタのオン・オフデューテ
ィーサイクルを制御して前記変成器によって電圧出力を
調整し、当該電圧調整手段に前記チップの動作中にバイ
アス電圧電源供給電流を供給する前記制御器の出力とを
備え、 前記制御器は前記第3電気接続端子に接続されて重畳さ
れたフィードバック信号とバイアス電圧供給電流を受容
し、前記低電圧供給電流は前記チップのスタートアップ
後の動作時に前記制御器に動作電力を供給する前記チッ
プと、 さらに前記電源は、変成器であって1次巻線と2次巻線
を有し、当該1次巻線は前記チップの第1電気接続端子
と、前記1次巻線の他端に接続されて直流電源を受容す
る変成器と、 前記変成器の2次巻線の出力を変換して調整されたDC
出力電圧とするDC出力手段と、および 前記変成器の2次巻線に誘導された電圧をバイアス電圧
に変換し、前記第3電気接続接点に接続して前記チップ
を動作させるバイアス手段と、 を備えたことを特徴とする電源。 - 【請求項10】 請求項9に記載の給電チップであっ
て、 当該電源は出力トランジスタを備え、当該出力トランジ
スタは、 前記第1電気接続端子に接続されたドレイン電極と、前
記第2電気接続端子に接続されたゲート電極と、および
前記第1電気接続端子に現れる電圧よりも低いバイアス
電圧を供給するソース電極とを備えた第1トランジスタ
と、および 前記第1トランジスタのソース電極に接続されて第2お
よび第1のトランジスタを直列接続するドレイン電極
と、当該直列接続された第1および第2の双方を流通す
るスイッチング電流を制御するゲート電極と、および前
記第2電気接続端子に接続されたソース電極とを備えた
第2トランジスタと、 を有することを特徴とする給電チップ。
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