JPS6325908Y2 - - Google Patents

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JPS6325908Y2
JPS6325908Y2 JP1982060281U JP6028182U JPS6325908Y2 JP S6325908 Y2 JPS6325908 Y2 JP S6325908Y2 JP 1982060281 U JP1982060281 U JP 1982060281U JP 6028182 U JP6028182 U JP 6028182U JP S6325908 Y2 JPS6325908 Y2 JP S6325908Y2
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switching element
voltage
circuit
resistor
wave signal
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JP1982060281U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はいわゆる安定化した直流電源を得る為
のスイツチング電源回路に関し、特に過電流保護
回路を設けた場合における誤動作を回避するよう
にしたものである。
本考案による電源回路を説明するに先立ち、第
1図について従来のこの種のスイツチング電源回
路の一例を説明するに、1a,1bは商用交流電
源に接続される端子、2は電源スイツチ、3は整
流回路、4は整流出力の平滑用コンデンサ、5は
抵抗器、6はその平滑用コンデンサであつて、こ
の抵抗器5及びコンデンサ6の接続点よりスター
タ用直流電源端子7が導出されている。8はトラ
ンス、9aは1次側コイル、9bは2次側コイル
である。この1次側コイル9aには、抵抗器10
及びコンデンサ11よりなるスナーバ回路12が
並列に接続され、コンデンサ4にはこれと並列
に、1次側コイル9a−スイツチング素子として
のトランジスタ13−抵抗器14よりなる直列回
路が接続されている。15はスイツチング素子と
してのトランジスタ13のベース・エミツタ間に
挿入された抵抗器である。
上述した2次側コイル9bにはダイオード16
を通じて平滑回路17が接続され、これより出力
端子18a,18bが導出されている。19は負
荷である。尚、この出力端子18a,18bに
は、この間に得られる直流電圧の検出回路20が
接続されている。この回路20について説明する
と、端子18a,18b間に分圧抵抗器21a,
21bが接続され、その一端が比較回路22の一
方の入力側に接続され、他方の入力側には基準電
圧源23が接続されている。
このような比較回路22の出力側には更にホト
カプラ24を構成する発光素子即ち発光ダイオー
ド25aが接続され、回路22よりの出力の大き
さにより発光ダイオード25aの発光量が変化す
るようになされている。
26は全体として、上述したスイツチング素子
13の駆動回路を示すもので、これについて説明
すると、27はクロツクパルスの発生回路であつ
て、その出力端子aより第2図Aに示すパルスP
が得られ、これがその次段の波形発生器28に供
給される。この波形発生器28の出力端子bより
は、第2図Bに示す矩形波信号Vbが得られ、こ
れがその次段の波形合成回路29に供給される。
この矩形波信号Vbはデユーテイ50%に選ばれて
いる。
更に波形発生器28の出力端子cよりは第2図
Cに示す鋸歯状波信号Vcが得られる。この信号
Vcと上述した信号Vbとは常に同期した関係が保
持される。鋸歯状波信号Vcはその次段のV−
PWM(電圧−パルス幅変換器)30に供給され
る。
この変換器30の出力端子dよりは第2図Dに
示すように、レベルE1に対応したパルス幅を有
する矩形波信号Vdが得られ、これが上述した波
形合成回路29に供給される。この波形合成回路
29は矩形波信号VbとVdとのアンド回路であつ
て、よつてその出力端子eには、第2図Eに示す
矩形波信号Veが得られ、これがその次段のドラ
イバ31によつて増力され、スイツチング素子1
3のベースに供給される。尚、この信号Veの前
縁(立ち上り時点)は、第2図Bに示す信号Vb
の立ち上り時点により決まるものであり、よつて
スイツチング素子13の導通開始時点は、常に一
定した周期を持つ。尚第2図Fは、スイツチング
素子13を通ずる電流Ifの波形を示す。
32は直流電源端子であり、これと整流回路3
の一側(Epとする)との間に、抵抗器36−ホト
カプラ24の受光素子25b−ダイオード33−
抵抗器34の直列回路が接続されている。35は
温度補償用素子(例えばサーミスタ)である。そ
してこのダイオード33と抵抗器34の接続点P
に得られる電圧E1が上述したパルス幅変換器3
0に供給され、これにより第2図Dに示す信号
Vdのパルス幅を決めるようにしている。このよ
うにして負荷19の両端電圧が一定となるように
制御系が構成されている。
37はスイツチング素子13の電流検出兼保護
回路であつて、以下これについて説明すると、ス
イツチング素子13のエミツタに得られる電流
は、抵抗器14に流れると共に抵抗器38a及び
38bにも分流し、両抵抗器の接続点Qに得られ
る電圧が差動増幅器39に供給される。39a及
び39bは、この差動増幅器39を構成する1対
のトランジスタ39cは定電流回路である。尚、
40a及び40bは夫々1対のトランジスタ39
a及び39bの前段のトランジスタであり、抵抗
器38a及び38bの接続点に得られる電圧は、
トランジスタ40aのベースに供給され、一方ト
ランジスタ40bのベースは、抵抗器41a及び
41bの分圧点により、一定値に固定されてい
る。そして差動増幅器39を構成する一方のトラ
ンジスタ39aのコレクタが、更にトランジスタ
42のベースに接続され、そのコレクタがダイオ
ード43を通じて上述したP点に接続されてお
り、トランジスタ42のエミツタは、抵抗器36
を通じて電源端子32に接続されている。
尚、トランス8には3次側コイル9cが巻装さ
れており、これにダイオード44及びコンデンサ
45が接続されて、端子46に直流電圧V2が得
られるようにされている。尚、上述した駆動回路
26における各ブロツクの電源端子27a,28
a,29a,30a,31a及び電流検出兼保護
回路37の電源端子32は、全て互いに接続さ
れ、これらが上述した電源端子7及び46に夫々
接続されるものであり、スイツチ2のオン時には
端子7よりの電圧V1によつて起動し、起動後は、
端子46よりの出力電圧V2によつて動作が継続
される。
このような従来の構成によれば出力端子18a
及び18b間の電圧に変動が生ずれば、基準電圧
源23との比較により、回路22よりの出力が変
化して受光素子25bに流れる電流が変化し、抵
抗器34の両端に生ずる電圧E1が変化し、これ
がパルス幅変換回路30に供給される。一般的に
は電圧E1が下がることによつて第2図Dに示す
矩形波信号Vdの幅が広くなりよつてスイツチン
グ素子13のベースのオン時間が長くなるよう
に、従つて2次側に得られる電圧が高くなるよう
に制御するようにしている。
一方スイツチング素子13に流れる電流は、抵
抗器38a及び38bを通じて流れているため
に、この電流の大きさに比例した電圧が抵抗器3
8bの両端に得られる。第2図Fにおいて電流If
を、Q点の電圧に変換した場合の波高値をE2
して示している。よつて今この抵抗器38a及び
38bの抵抗値を適当に選定しておくことによつ
て、この点Qにおける波高値E2が一定電圧以上
になるまでは、トランジスタ40aがオンし、ト
ランジスタ39aがオフし、トランジスタ42が
オフするようになすことができる。そして波高値
E2が一定値(第2図で示すレベルE3)以上にな
ると、トランジスタ40aがオフし、トランジス
タ39a及び42が夫々オンすることによつて、
ダイオード43及び抵抗器34を通じて電流が流
れ、電圧E1が急激に上昇して上述した変換器3
0を制御する。即ち信号Vdのパルス幅が狭くな
るように制御するので、これによりトランジスタ
13を保護することができる。
ところでこのような回路においては第2図Fよ
りも明らかなようにスイツチング素子13の導通
開始時点において、スイツチング素子13に瞬時
的に大きな電流が流れることが確認された。つま
り波形的にみるとひげ47の部分が生ずる。この
原因はトランス8及び上述したスナーバ回路12
等を有するためであるが、抵抗器14のインダク
タンス成分により、更に大きくなり、負荷19が
大となつて信号Veのパルス幅が大となると、ス
イツチング素子13に流れる実際の電流による波
高値よりも、このひげ47による波高値の方が高
くなることがしばしば生ずる。このような状態で
は、ひげ47の波高値で保護回路37が動作する
ので、ひげ47の波高値で過電流保護回路37の
動作レベルを決定するようになすことも考えられ
るが、このひげ47は温度等によりレベルが激し
く変化するために、必要な場合に保護回路が動作
せず、このためにスイツチング素子13が破壊さ
れることもある。
本考案はこのような点に鑑みてこのひげ47に
よる保護動作を一時的に回避するようにしたもの
であつて、これを第3図について説明するに、第
1図との対応部分には同一符号を付してその説明
を省略する。
即ち、本考案においては、波形発生器28に対
して更に出力端子gを設け、これより第4図Gに
示すパルスPgを得るようにしたものである。こ
のパルスPgを得る手段としては例えば第4図A
に示すパルスPと信号Vbとのアンドをとり、こ
れを反転し、且つその最初の1サイクル又は2サ
イクル程度のみのパルスをとり出すようにすれば
よい。このようにして得られた第4図Gに示すパ
ルスPgを位相反転回路50及びダイオード51
を通じて、上述した電流検出兼保護回路37にお
けるトランジスタ40bのベースに供給する。
このような構成によればこのパルスPgの期間
においてはトランジスタ40bのベース電位が上
昇しているために、トランジスタ40bはオフ状
態にあり、従つてトランジスタ39bがオン、ト
ランジスタ39aがオフ、トランジスタ42もオ
フ状態にある。従つてこのパルスPgの期間にお
いては抵抗器34の両端には、ダイオード43を
通ずる電流が供給されることがなく、よつてこの
期間、電流検出兼保護回路37による保護動作は
停止される。
よつて第2図F又は第4図Fで示す電流Ifのひ
げ47の部分による影響を何ら考慮する必要はな
く、スイツチング素子13に流れる実効的な電流
Ifの大きさに基づいて、そのレベルE2を設定すれ
ばよいのであるから、これによつてトランジスタ
13が破壊されるような危険性も回避される特徴
を有するものである。尚、上述した保護回路37
の動作停止期間は、デユーテイにして3〜8%程
度が適当である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のこの種のスイツチング電源回路
を示す接続図、第2図はこの動作を説明する波形
図、第3図は本考案によるスイツチング電源回路
の一例を示す接続図、第4図はその動作を説明す
る波形図である。 8はトランス、9aは1次側コイル、9bは2
次側コイル、13はスイツチング素子、26はそ
の駆動回路、37はスイツチング素子13の電流
検出兼保護回路である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 トランスの1次側コイルに接続されたスイツチ
    ング素子のオンオフにより直流電流を断続して、
    上記トランスの2次側コイルに接続された整流平
    滑回路により直流出力電圧を取り出すと共に、ク
    ロツクパルスに同期した鋸歯状波電圧を上記直流
    出力電圧に応じた直流電圧と比較して上記直流出
    力電圧の変化をパルス幅変換した矩形波信号と、
    基準矩形波信号とのアンド出力により上記スイツ
    チング素子のオンオフ期間を制御して、上記直流
    出力電圧を安定化するようにしたスイツチング電
    源回路において、 上記スイツチング素子の主電流路に直列接続さ
    れて上記スイツチング素子に流れる電流を検出す
    る抵抗器と、この抵抗器の端子電圧が一方の入力
    端子に供給されると共に他方の入力端子に基準電
    圧が供給される差動増幅器と、この差動増幅器の
    出力側に接続された別のスイツチング素子とを有
    し、上記抵抗器に流れる電流が所定値以上の時に
    上記別のスイツチング素子を導通させて一定直流
    電圧を上記直流出力電圧に応じた直流電圧に加算
    することにより、上記パルス幅変換した矩形波信
    号のパルス幅を正常動作時に比べて狭くする過電
    流検出兼保護回路を設け、 上記クロツクパルスと上記基準矩形波信号との
    アンド出力により上記過電流検出兼保護回路の上
    記別のスイツチング素子を非導通にすることによ
    り、上記過電流検出兼保護回路を上記スイツチン
    グ素子の導通開始の所定時間非動作状態にするよ
    うにしたことを特徴とするスイツチング電源回
    路。
JP6028182U 1982-04-23 1982-04-23 スイツチング電源回路 Granted JPS58164011U (ja)

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JP6028182U JPS58164011U (ja) 1982-04-23 1982-04-23 スイツチング電源回路

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JPS58164011U JPS58164011U (ja) 1983-11-01
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52103661A (en) * 1976-02-27 1977-08-31 Toshiba Corp Overcurrent detector circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS52103661A (en) * 1976-02-27 1977-08-31 Toshiba Corp Overcurrent detector circuit

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