JP3250881B2 - 電源装置 - Google Patents

電源装置

Info

Publication number
JP3250881B2
JP3250881B2 JP21629593A JP21629593A JP3250881B2 JP 3250881 B2 JP3250881 B2 JP 3250881B2 JP 21629593 A JP21629593 A JP 21629593A JP 21629593 A JP21629593 A JP 21629593A JP 3250881 B2 JP3250881 B2 JP 3250881B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
transistor
output
gate
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP21629593A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06165485A (ja
Inventor
バラクリッシュナン バル
Original Assignee
パワー インテグレーションズ，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パワー インテグレーションズ，インコーポレイテッド filed Critical パワー インテグレーションズ，インコーポレイテッド
Publication of JPH06165485A publication Critical patent/JPH06165485A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3250881B2 publication Critical patent/JP3250881B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/36—Means for starting or stopping converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0006—Arrangements for supplying an adequate voltage to the control circuit of converters
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/901—Starting circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子式スイッチング電源
に関するものであり、更に詳細にはスイッチング電源に
使用される集積回路デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電源製造に要するコストは、特定の応用
に適した電源の型と電源を構築するために選ばれる部品
とを選択する時の最大の関心事である。集積回路（Ｉ
Ｃ）技術が進歩して複雑なスイッチングモード回路のほ
とんどの部分を単一のチップ上へ集積できるようになっ
たため、スイッチング電源はそれよりもずっと簡単な線
形電源とコスト的に競合できるようになってきた。１つ
の指標としてＩＣパッケージのピン数が少なくなればな
るほど、コストも低下するといえる。支援部品が少なく
なることや周辺回路部品のコストが下がることもまた電
源全体のコストを低下させる要因となる。
【０００３】図１は従来技術の電源１０を示しており、
それは全波整流のブリッジ整流器１２、一次巻線１６と
一対の二次巻線１８、２０とを備えた変圧器１４、スイ
ッチングモード電源チップ２２、複数個のフィルタコン
デンサ２４−２７、一対のダイオード２８と３０、およ
び高電圧、高電力の抵抗３２を含んでいる。チップ２２
を動作させる電源は、二次巻線２０、ダイオード３０、
およびコンデンサ２７によって作り出され、それをここ
ではＶｂｉａｓとしている。しかし、電源投入時にはチ
ップ２２がスイッチング動作をしていないので、一次巻
線１６は開放状態にあって二次巻線２０に電圧は誘導さ
れないであろうから、チップ２２は電源なしの状態にな
る。従ってスイッチングを開始させるために、ブリッジ
整流器１２へ抵抗３２をつないで直流高電圧の中間タッ
プを設け、電流整流のためのコンデンサ２５を備える。
このタップから抵抗３２を経由してチップ２２を起動さ
せるのにちょうど足りるような電流が供給される。残念
なことに、ラインの高電圧がチップ２２に必要とされる
低電圧へ低下する過程でかなりの量の電力が消費される
ため、抵抗３２は高電力型のものでなければならない。
この電力消費は定常的であり、Ｖbiasが利用できるよう
になった後でもそうである。この問題は入力電圧範囲が
広い（例えば、汎用的な動作電圧の交流８０−２７５ボ
ルト）場合に特に重大である。最悪の場合の設計基準を
採用すれば、抵抗３２は考え得る最低の電圧時に起動電
流を供給し得るように設計されなければならない。そう
すれば、考え得る最大の電圧時には、抵抗３２はもっと
大きい電力を消費することになる。そのような高電力型
の抵抗は付加的な空間と空気の循環とを必要とすること
もこの問題を更に複雑にしている。
【０００４】図２は電源１０と同様な従来技術の電源５
０を示しているが、この場合には抵抗３２を無くして、
チップ２２もスイッチングモード電源チップ５２で置き
換えられている。チップ５２の内部の電圧調整器が抵抗
３２を不要としており、高電圧前置調整器トランジスタ
５４、直列パストランジスタ５６、および不足電圧比較
器５８を含んでいる。抵抗６０がトランジスタ５４をオ
ン状態にバイアスし、初期の電源投入時に、トランジス
タ５４はトランジスタ５６をプルアップし、電源出力ト
ランジスタ６４をスイッチングするパルス幅変調器（Ｐ
ＷＭ）６２へ電源を供給する。一次巻線１６両端に電圧
が生じ、従って二次巻線２０に電圧が誘導されて、それ
がＶbiasを供給する。Ｖbiasが供給されることによって
比較器５８はトランジスタ５４をオフ状態に保つように
動作し、それ以降は高電圧は必要とされない。高電圧前
置調整器５４をターンオフすることは起動後の電力の節
約に有効であるが、高電圧トランジスタや追加のピン、
そして高電圧の安全のための十分な空間が必要とされる
ことから、そのような機能を組み込むことの方が高価に
つく。
【０００５】スイッチングモード電源チップの前置調整
器に使用される典型的な従来技術の高電圧トランジスタ
は通常は比較的小さいデバイスである。従って、このト
ランジスタのライン過渡現象に対する耐性は限られたも
のである。従って、このトランジスタに付随するピン
が、そのスイッチング調整器チップに関する静電的な放
電（ＥＳＤ）および安全動作領域（ＳＯＡ）の定格を制
限する因子となる。
【０００６】
【発明の概要】本発明の１つの目的は、起動時に高電圧
をタップ入力するための専用の端子ピンを必要としない
スイッチングモード電源チップを得ることである。
【０００７】要約すると、本発明の１つの実施例は、入
力の交流ライン電圧を整流するための全波整流式のブリ
ッジ整流器、一次巻線と２本の二次巻線とを備える変圧
器、そしてドリフト領域に低電圧タップを備える集積化
された高電圧の電力用ＭＯＳＦＥＴを含むスイッチング
モード電源チップを含むスイッチング電源である。この
ＭＯＳＦＥＴは変圧器の一次巻線の電力スイッチングを
制御し、初期の電源投入時に高電圧を与えられて有して
いる。この高電圧は、ＭＯＳＦＥＴのＪＦＥＴ部で電圧
降下を起こし、そのＭＯＳＦＥＴのスイッチングを制御
するチップ中のパルス幅変調器を動作させるための電力
を一時的もしくは定常的に調整器へ供給する。
【０００８】本発明の１つの特長は、高電力のバイアス
抵抗や高電圧の前置調整器を必要としない集積回路が提
供されることである。
【０００９】本発明の１つの特長は、数本のピンと外部
部品とを必要とする簡単な完全集積化電源チップを許容
する集積回路が提供されることである。
【００１０】本発明の更に別の１つの特長は、経済的な
集積回路が提供されることである。
【００１１】本発明の別の１つの特長は、高電圧降下抵
抗を使用している従来技術の電源と比較してかなりの電
力節約ができる集積回路が提供されることである。
【００１２】本発明の１つの特長は、１本だけの高電圧
ピンを備える完全集積化スイッチング電源を許容する集
積回路が提供されることであって、従って、少なくとも
２本の高電圧ピンを必要とする従来技術の構成と比べて
静電的放電および安全動作領域の問題を緩和できること
である。
【００１３】本発明のこれらおよびその他の目的と特長
は、図面に示された好適実施例に関する以下の詳細な説
明を参考にすることで当業者には明かとなるであろうこ
とは疑いない。
【００１４】
【実施例】図３は本発明の電源の実施例を示し、ここで
は一般的な参照符号７０で示している。電源７０は全波
整流のブリッジ整流器７２、一次巻線７６と一対の二次
巻線７８、８０とを備える変圧器７４、およびスイッチ
ングモード電源チップ８２を含んでいる。チップ８２中
に含まれる高電圧の電力用金属−酸化物−半導体電界効
果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）８４は、等価的に、接
合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）８６と絶縁ゲート
ＦＥＴ（ＩＧＦＥＴ）８８とを含んでいる。タップ９０
はＩＧＦＥＴ８８がオフの時に、調整器９２と抵抗９４
とに対して低電圧を供給する。
【００１５】ＭＯＳＦＥＴ８４は、エクルンド（Ｋｌａ
ｓ Ｈ．Ｅｋｌｕｎｄ）による、１９８９年３月７日付
けの米国特許第４，８１１，０７５号に述べられている
ものであることが望ましい。絶縁ゲート電界効果トラン
ジスタと両面接合ゲート電界効果トランジスタとが同一
半導体チップ上で直列につながれて高電圧ＭＯＳ電界効
果トランジスタを形成している。延長されたドレイン領
域が逆の伝導形材料の基板の上に形成される。この材料
の最上層は基板と同様に、延長されたドレイン領域と同
じマスクを使用したイオン打ち込みによって形成され
る。この最上層はドレイン延長部の中間部分のみを覆っ
ており、ドレイン延長部の両端は上部の二酸化シリコン
層へつながっている。ドレイン延長部を通る電流は基板
と最上層とによって制御される。それらは良く知られた
電界効果によってそれらの間でドレイン延長部をピンチ
オフさせる。ＭＯＳＦＥＴ８４のドリフト領域は高いラ
イン電圧をチップ８２のバイアス用に低電圧にまで電圧
降下させるために使用される。ＪＦＥＴ８６とＩＧＦＥ
Ｔ８８の間のタップ９０接続点は、ＪＦＥＴ８６のピン
チオフ作用のために典型的には１５−２０ボルトに制限
される。
【００１６】一対の抵抗９６および９８が、直列パスト
ランジスタ１０２を制御する不足電圧比較器１００に対
して電圧分割の機能を提供する。トランジスタ１０２の
出力はパルス幅変調器（ＰＷＭ）１０４への内部的な低
電圧電源である。一旦、内部低電圧電源が生すると、Ｐ
ＷＭ１０４はＩＧＦＥＴ８８をオンにもオフにも制御で
きるようになる。これにより変圧器７４が動作できるよ
うになって巻線８０に電圧が誘導される。ダイオード１
０６と一対のコンデンサ１０８、１１０が平滑化された
直流低電圧をＶbiasとして接続点１１２へ供給する。ピ
ンチオフされたＪＦＥＴ８６は電流源のように振る舞
い、バイパスコンデンサ１１０を充電する電流を供給す
る。この後はＶｂｉａｓが内部低電圧電源となって、ト
ランジスタ９２がターンオフされる。接続点１１２の電
圧が要求値に達すると、その電圧はトランジスタ９２を
制御することによって調整されるようになる。
【００１７】ＩＧＦＥＴがオフの間は、各サイクルで、
ＪＦＥＴ８６を通して内部低電圧電源の平均された電流
要求を満たすに十分な電流を供給する時間が確保され
る。もし必要であれば、チップ８２を高ライン電圧から
連続的に動作させることもできる。しかし、通常動作の
ためのチップ電源電流を高電圧ラインから供給すること
はＪＦＥＴ８６中での多量の電力損失を招き、それは変
圧器出力から取り出される低電圧Ｖｂｉａｓを使用すれ
ば回避できることである。この後者の場合には、接続点
１１２の電圧がチップ８２の動作電圧に到達した後にチ
ップ８２が駆動された時には、トランジスタ９２はター
ンオフされ、チップ８２へＶbiasを用いて電源供給がな
される。これがうまく動作するためには、コンデンサ１
１０は十分大きなものであって、Ｖbiasが上昇してしま
うまでに電圧の低下なしに電源電流を供給できるもので
なければならない。比較器１００の履歴特性は、トラン
ジスタ９２がターンオフするのとＶｂｉａｓがそれの通
常の動作レベルへ立ち上がるのとの間に存在する遷移期
間の間、コンデンサ１１０の両端間の幾分かの電圧低下
を許容する。もし、Ｖｂｉａｓがその完全な値に到達す
る前にコンデンサ１１０両端間の電圧が履歴値よりも更
に低下すれば、比較器１００がトランジスタ９２をスイ
ッチオンし、トランジスタ１０２をオフして、Ｖbiasが
利用できるようになるまで起動サイクルが繰り返され
る。
【００１８】図４はチップ８２の典型的なチップ配置を
示す。ＭＯＳＦＥＴ８４は高電圧、高電流型のものであ
るから、これを組み込むために必要とされるチップ面積
はかなりの大きさとなる。図２の従来技術の例では、高
電圧トランジスタ５４もまたかなり大きいチップ面積を
必要とするものである。従って、本発明の高電圧トラン
ジスタのようなトランジスタを排除することは、ダイの
寸法と製造コストの双方を低減することにつながる。
【００１９】本発明はここに例示した特定の実施例につ
いて説明してきたが、この開示は限定的な意図のもので
はないことを理解されたい。上記の開示を参考にして各
種の変更や修正が当業者には思いつかれるであろうこと
は疑いない。従って、本発明の特許請求の範囲はすべて
の変更や修正を本発明の範囲に含まれるものとして包含
するものと解釈されるべきである。以上の説明に関して
更に下記の項を開示する。 （１） スイッチングモード電源チップであって： スイッチングモード電源変圧器の一次巻線をオンおよび
オフ状態へスイッチングするための電力スイッチング手
段であって、第２のトランジスタのドレインへ供給され
る電圧を制限するための第１のトランジスタを含む電力
スイッチング手段、 前記第２のトランジスタの前記ドレ
インへつながれた低電圧タップ、および 電力オフの状態
から前記チップを起動させる時に、低電圧タップから前
記電力スイッチング手段の動作を開始させるのに十分な
供給電圧を発生させるための調整器手段、を含むチッ
プ。 （２） 第１項記載のチップであって、 前記電力スイッ
チング手段がＭＯＳＦＥＴデバイスを含み、前記第１の
トランジスタがアースされたゲートを有するＪＦＥＴで
あり、前記第２のトランジスタがアースされたソースを
有するＩＧＦＥＴである、チップ。 （３） 第１項記載のチップであって、 前記調整器手段
が第３のトランジスタと前記第３のトランジスタのゲー
トをプルアップするための抵抗とを含み、更に前記第３
のトランジスタのソースにおいて調整された電圧を保持
するための電圧比較器を含んでいる、チップ。 （４） 第１項記載のチップであって、 前記電力スイッ
チング手段がＭＯＳＦＥＴを含み、前記第１のトランジ
スタがアースされたゲートを有するＪＦＥＴであり、前
記第２のトランジスタがアースされたソースを有するＩ
ＧＦＥＴであって、更に 前記調整器手段が第３のトラン
ジスタと前記第３のトランジスタのゲートをプルアップ
するための抵抗とを含み、更に前記第３のトランジスタ
のソースにおいて調整された電圧を保持するための電圧
比較器を含んでいる、チップ。 （５） 内部発生式の起動バイアスを備える集積回路
（ＩＣ）であって： 前記ＩＣへつながる高電圧出力電流をオンおよびオフ状
態へスイッチングするための電力スイッチング手段であ
って、第２のトランジスタのドレインへ供給される電圧
を制限するための第１のトランジスタを含む電力スイッ
チング手段、 前記第２のトランジスタの前記ドレインへ
つながれた低電圧タップ、および 電力オフの状態から前
記チップを起動させる時に、低電圧タップから前記電力
スイッチング手段の動作を開始させるのに十分な供給電
圧を発生させるための調整器手段、を含むチップ。 （６） 電源であって： 入力交流電力から直流高電圧を生成するための全波整流
ブリッジ整流器手段、 前記全波整流ブリッジ整流器手段
からの前記直流高電圧を平滑化するためのフィルタコン
デンサ手段、 前記直流高電圧から、絶縁された直流出力
とチップバイアス電圧とを生成するための変圧器手段、
および 前記変圧器手段を通して前記直流高電圧をスイッ
チングさせて、前記絶縁された直流出力とチップバイア
ス電圧とを調整させるための集積回路チップ手段であっ
て： ゲートを前記電源のアースへつながれた接合電界効果ト
ランジスタ（Ｊ ＦＥＴ）であって、前記変圧器手段を通
して前記直流高電圧へつながれたド レインが前記直流高
電圧に等しい電圧が前記ＪＦＥＴのソースへ現れるのを
妨げるようになった接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥ
Ｔ）、 ソースを前記アースへつながれ、ドレインを前記ＪＦＥ
Ｔの前記ソース へつながれた絶縁ゲート電界効果トラン
ジスタ（ＩＧＦＥＴ）、 前記絶縁された直流出力からのサンプリングされた電圧
に応答して、前 記ＩＧＦＥＴのゲートを駆動するための
パルス幅変調器（ＰＷＭ）手段、お よび 前記ＪＦＥＴの
前記ソースにおいて利用できる電圧から前記ＰＷＭ手段
へ動作電流を供給するための第１の電圧調整器手段、 を含む集積回路チップ手段、 を含む電源。 （７） 第６項記載の電源であって、前記集積回路手段
が更に： 前記絶縁されたチップバイアス電圧から前記ＰＷＭ手段
へ動作電流を供給するための第２の電圧調整器手段、 を含んでいる電源。 （８） スイッチングモード電源チップであって： スイッチングモード電源変圧器の一次巻線をオンおよび
オフ状態へスイッチングするための電力スイッチング手
段であって、第２のトランジスタのドレインへ供給され
る電圧を制限するための第１のトランジスタを含む電力
スイッチング手段、 前記第２のトランジスタの前記ドレインへつながれた低
電圧タップ、および 低電圧タップから前記電力スイッチ
ング手段を連続的に動作させるのに十分な供給電圧を発
生させるための調整器手段、 を含むスイッチングモード電源チップ。
【図面の簡単な説明】
【図１】電源投入時のバイアスを発生するための高電圧
降下抵抗を含む従来技術の電源の模式図。
【図２】電源投入時のバイアスを発生するための高電圧
調整器トランジスタを電源チップ内に含む別の従来技術
の電源の模式図。
【図３】本発明のスイッチングモード電源の模式図。
【図４】図３の電源に使用される電源チップのチップ配
置図。
【符号の説明】
１０ 電源 １２ 全波整流ブリッジ整流器 １４ 変圧器 １６ 一次巻線 １８，２０ 二次巻線 ２２ スイッチングモード電源チップ ２４−２７ フィルタコンデンサ ２８，３０ ダイオード ３２ 高電圧、高電力抵抗 ５０ 電源 ５２ スイッチングモード電源チップ ５４ 前置調整器 ５６ 直列パストランジスタ ５８ 不足電圧比較器 ６０ 抵抗 ６２ パルス幅変調器 ６４ 電力出力トランジスタ ７０ 電源 ７２ 全波整流ブリッジ整流器 ７４ 変圧器 ７６ 一次巻線 ７８，８０ 二次巻線 ８２ スイッチングモード電源チップ ８４ ＭＯＳＦＥＴ ８６ ＪＦＥＴ ８８ ＩＧＦＥＴ ９０ タップ ９２ 調整器 ９４ 抵抗 ９６，９８ 抵抗 １００ 不足電圧比較器 １０２ 直列パストランジスタ １０４ パルス幅変調器 １０６ ダイオード １０８，１１０ コンデンサ １１２ 接続点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02M 3/28 H02M 3/335

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに直列に接続され，更にスイッチン
    グモード電源の変圧器の１次巻線に直列に接続された第
    １トランジスタと第２トランジスタであり，前記１次巻
    線からの電流をスイッチングし，前記第１トランジスタ
    のドレインに現れる電圧が前記第２トランジスタのドレ
    インにそのまま到達しないよう制限する前記第１および
    第２トランジスタと， 前記第２トランジスタの前記ドレインと前記第１トラン
    ジスタのソースとの共通接合部に接続され，前記第１ト
    ランジスタの前記ドレインに現れた電圧から低減された
    電圧を引き出すための低電圧タップと， 前記低電圧タップに接続され，前記変圧器からの出力を
    調整するために前記第１および第２トランジスタを制御
    するパルス幅変調手段に起動電力を供給するために前記
    低電圧タップから初期の電圧供給を引き起こす電圧調整
    手段であり，一旦前記出力の調整が確立されると，前記
    変圧器の２次巻線はその後，前記パルス幅変調手段に電
    源を供給し得るようになっている電圧調整手段と， を含むスイッチングモード電源チップ。
  2. 【請求項２】 前記第１トランジスタはゲートが接地さ
    れた接合型電界効果トランジスタであり，前記第２トラ
    ンジスタはソースが接地された絶縁ゲート電界効果トラ
    ンジスタである請求項１記載のチップ。
  3. 【請求項３】 前記電圧調整手段は，前記低電圧タップ
    に接続された第３トランジスタと，該第３トランジスタ
    のゲートをプルアップするために接続された抵抗と，前
    記第３トランジスタの前記ゲートに接続された出力を有
    し，前記第３トランジスタのソースに調整電圧を保持す
    る電圧比較器であり，該電圧比較器の２つの入力が基準
    電圧と前記調整電圧のサンプルに接続されており，前記
    ２つの入力により検出されることに従がい前記調整電圧
    を保持する電圧比較器とを含む請求項１記載のチップ。
  4. 【請求項４】 前記第１トランジスタはゲートが接地さ
    れた接合型電界効果トランジスタであり，前記第２トラ
    ンジスタはソースが接地された絶縁ゲート電 界効果トラ
    ンジスタであり，前記電圧調整手段は，前記低電圧タッ
    プに接続された第３トランジスタと，該第３トランジス
    タのゲートをプルアップするために接続された抵抗と，
    前記第３トランジスタの前記ゲートに接続された出力を
    有し，前記第３トランジスタのソースに調整電圧を保持
    する電圧比較器であり，該電圧比較器の２つの入力が基
    準電圧と前記調整電圧のサンプルに接続されており，前
    記２つの入力により検出されることに従がい前記調整電
    圧を保持する電圧比較器とを含む請求項１記載のチッ
    プ。
  5. 【請求項５】 交流電力入力から直流高電圧を生成する
    整流手段と， 前記整流手段からの前記直流高電圧を平滑化する，前記
    整流手段の出力に接続されたフィルタコンデンサ手段
    と， 前記整流手段と前記フィルタコンデンサ手段に接続され
    た１次巻線と，電源出力とバイアス供給出力とに接続さ
    れた少なくとも１つの２次巻線とを有し，前記直流高電
    圧から，分離された直流出力とチップバイアス電圧を生
    成する変圧器手段と， 前記分離された直流出力とチップバイアス電圧が前記２
    次巻線で整流されるように，前記変圧器手段の１次巻線
    を通して前記直流高電圧をスイッチングする前記１次巻
    線に接続された集積回路手段と， を含む電源であり，前記集積回路手段は， 前記１次巻線に直列に接続され，ゲートが前記電源の接
    地に接続された接合型電界効果トランジスタであり，前
    記変圧器手段の前記１次巻線を通して前記直流高電圧に
    接続されたドレインが前記直流高電圧に等しい電圧が前
    記接合型電界効果トランジスタのソースに現れるのを防
    止するように動作する接合型電界効果トランジスタと， 前記１次巻線と前記接合型電界効果トランジスタに直列
    に接続され，ゲートと，前記接地に接続されたソース
    と，前記接合型電界効果トランジスタの前記ソースに接
    続されたドレインとを備えた絶縁ゲート電界効果トラン
    ジスタと， 前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲートに接続さ
    れた出力を有し，前記分離された直流出力からサンプリ
    ングされた電圧に応答して前記絶縁ゲート電界効果トラ
    ンジスタを駆動するパルス幅変調手段と， 前記接合型電界効果トランジスタの前記ソースに接続さ
    れた入力と，前記パルス幅変調手段に接続された出力と
    を有し，前記接合型電界効果トランジスタの前記ソース
    における電圧から前記パルス幅変調手段に対して初期の
    動作電流を供給し，その後，動作継続のために前記パル
    ス幅変調手段に電力を供給する前記チップバイアス電圧
    を前記変圧器手段が生成するようになるまで動作電流を
    供給する第１電圧調整手段とを含む，電源。
  6. 【請求項６】 前記集積回路手段は更に，前記２次巻線
    の１つに接続された入力と，前記分離されたチップバイ
    アス電圧から起動後の動作電流を前記パルス幅変調手段
    に供給する出力とを有する第２電圧調整手段を含み，前
    記第１電圧調整手段から前記パルス幅変調手段への電力
    供給が前記第２電圧調整手段により置き換えられること
    を特徴とした請求項５記載の電源。
JP21629593A 1992-09-01 1993-08-31 電源装置 Expired - Lifetime JP3250881B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/938,703 US5285369A (en) 1992-09-01 1992-09-01 Switched mode power supply integrated circuit with start-up self-biasing
US938703 1992-09-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06165485A JPH06165485A (ja) 1994-06-10
JP3250881B2 true JP3250881B2 (ja) 2002-01-28

Family

ID=25471824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21629593A Expired - Lifetime JP3250881B2 (ja) 1992-09-01 1993-08-31 電源装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5285369A (ja)
EP (1) EP0585788B1 (ja)
JP (1) JP3250881B2 (ja)
DE (1) DE69300359T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280988A (zh) * 2011-08-25 2011-12-14 华南理工大学 带风冷型散热系统的电化学高频开关电源输出整流器

Families Citing this family (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5477175A (en) * 1993-10-25 1995-12-19 Motorola Off-line bootstrap startup circuit
US5586016A (en) * 1994-07-05 1996-12-17 Motorola, Inc. Circuit for quickly energizing electronic ballast
US5657218A (en) * 1994-09-07 1997-08-12 Deutsche Thomson Brandt Gmbh Switch mode power supply circuit
US5640317A (en) * 1995-06-15 1997-06-17 Supertax, Inc. High voltage start-up circuit and method therefor
US5602724A (en) * 1996-04-23 1997-02-11 Power Integrations, Inc. Low-cost, high-voltage, flyback power supply
DE19620034C2 (de) * 1996-05-17 1998-04-09 Siemens Ag Schaltnetzgerät
DE69802889T2 (de) * 1997-04-25 2002-08-29 Koninkl Philips Electronics Nv Schaltnetzteil mit einer verbesserten anlaufschaltung
US5862045A (en) * 1998-04-16 1999-01-19 Motorola, Inc. Switched mode power supply controller and method
KR100293979B1 (ko) * 1998-11-10 2001-09-17 김덕중 스위칭모드파워서플라이
US5999421A (en) * 1999-03-31 1999-12-07 Liu; Kwang H. Dual-channel power system with an eight-pin PWM control chip
DE19918028A1 (de) * 1999-04-21 2000-11-02 Siemens Ag Halbleiter-Bauelement
DE19926109B4 (de) 1999-06-08 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Leistungsschalter
US6462971B1 (en) * 1999-09-24 2002-10-08 Power Integrations, Inc. Method and apparatus providing a multi-function terminal for a power supply controller
US6272025B1 (en) 1999-10-01 2001-08-07 Online Power Supply, Inc. Individual for distributed non-saturated magnetic element(s) (referenced herein as NSME) power converters
DE10001394A1 (de) 2000-01-14 2001-07-26 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Anlegen einer Versorgungsspannung an eine Last
US6233161B1 (en) 2000-03-02 2001-05-15 Power Integrations, Inc. Switched mode power supply responsive to voltage across energy transfer element
US6480399B2 (en) * 2000-03-02 2002-11-12 Power Integrations, Inc. Switched mode power supply responsive to current derived from voltage across energy transfer element input
EP1275195B1 (en) 2000-04-10 2004-11-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. On chip current source
US6259618B1 (en) * 2000-05-03 2001-07-10 Analog And Power Electronics Corp. Power chip set for a switching mode power supply having a device for providing a drive signal to a control unit upon startup
DE10040453A1 (de) * 2000-08-18 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Schaltnetzgerät
DE10043485A1 (de) * 2000-09-04 2002-03-14 Infineon Technologies Ag Schaltnetzteil
KR20020074182A (ko) 2000-10-31 2002-09-28 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전압 전원 회로
DE10063084B4 (de) * 2000-12-18 2009-12-03 Siemens Ag Leistungselektronische Schaltung
DE10108131A1 (de) 2001-02-21 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltung und Schaltnetzteil
GB2377823B (en) * 2001-06-15 2005-11-23 Marconi Applied Technologies Transformer/rectifier arrangement
US7786533B2 (en) * 2001-09-07 2010-08-31 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with edge termination structure
US6635544B2 (en) * 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US6600375B1 (en) * 2001-09-12 2003-07-29 Northrop Grumman Corporation Floating source modulator for silicon carbide transistor amplifiers
US6833692B2 (en) 2002-01-17 2004-12-21 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for maintaining an approximate constant current output characteristic in a switched mode power supply
CN100397761C (zh) * 2002-07-19 2008-06-25 St微电子公司 用于开关电源的自举电路
US6952355B2 (en) * 2002-07-22 2005-10-04 Ops Power Llc Two-stage converter using low permeability magnetics
DE10240861B4 (de) * 2002-09-04 2007-08-30 Infineon Technologies Ag Mittels Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101066996B1 (ko) * 2002-10-29 2011-09-22 페어차일드코리아반도체 주식회사 펄스 폭 변조 신호 발생 장치 및 이를 포함하는 스위칭모드 파워 서플라이
US6778411B2 (en) * 2002-11-18 2004-08-17 Ballard Power Systems Corporation Start-up circuit for power converters with controller power supply connected at output side
US20040141338A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Delta Electronics, Inc. Output voltage stabilizer for switching mode power supply
US6865093B2 (en) * 2003-05-27 2005-03-08 Power Integrations, Inc. Electronic circuit control element with tap element
AT413910B (de) * 2003-08-06 2006-07-15 Siemens Ag Oesterreich Schaltnetzteil
KR100541450B1 (ko) * 2003-08-08 2006-01-10 삼성전자주식회사 전원공급장치 및 그 제어방법
US6940320B2 (en) * 2003-10-14 2005-09-06 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power control system startup method and circuit
US6943069B2 (en) * 2003-10-14 2005-09-13 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power system inhibit method and device and structure therefor
EP1676356A1 (en) * 2003-10-14 2006-07-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power converter
US7286002B1 (en) * 2003-12-05 2007-10-23 Cypress Semiconductor Corporation Circuit and method for startup of a band-gap reference circuit
US7038438B2 (en) * 2004-01-29 2006-05-02 Enpirion, Inc. Controller for a power converter and a method of controlling a switch thereof
US7230302B2 (en) 2004-01-29 2007-06-12 Enpirion, Inc. Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8253197B2 (en) * 2004-01-29 2012-08-28 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8253196B2 (en) 2004-01-29 2012-08-28 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8212317B2 (en) * 2004-01-29 2012-07-03 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US7019505B2 (en) * 2004-01-29 2006-03-28 Enpirion, Inc. Digital controller for a power converter employing selectable phases of a clock signal
US8212316B2 (en) * 2004-01-29 2012-07-03 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US7330017B2 (en) 2004-01-29 2008-02-12 Enpirion, Inc. Driver for a power converter and a method of driving a switch thereof
US8212315B2 (en) * 2004-01-29 2012-07-03 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8253195B2 (en) * 2004-01-29 2012-08-28 Enpirion, Inc. Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same
US8762238B2 (en) * 2004-06-09 2014-06-24 Syncada Llc Recurring transaction processing system and approach
US7002398B2 (en) * 2004-07-08 2006-02-21 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for controlling a circuit with a high voltage sense device
DE102005037409A1 (de) * 2004-08-09 2006-03-30 International Rectifier Corp., El Segundo Start-Up Schalter um einer Anwendungsschaltung eine Start-Up Spannung zur Verfügung zu stellen
US7214985B2 (en) * 2004-08-23 2007-05-08 Enpirion, Inc. Integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7190026B2 (en) * 2004-08-23 2007-03-13 Enpirion, Inc. Integrated circuit employable with a power converter
US7195981B2 (en) * 2004-08-23 2007-03-27 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit employable with a power converter
US7229886B2 (en) * 2004-08-23 2007-06-12 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7232733B2 (en) * 2004-08-23 2007-06-19 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7335948B2 (en) 2004-08-23 2008-02-26 Enpirion, Inc. Integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein
US7186606B2 (en) * 2004-08-23 2007-03-06 Enpirion, Inc. Method of forming an integrated circuit employable with a power converter
US7015544B2 (en) * 2004-08-23 2006-03-21 Enpirion, Inc. Intergrated circuit employable with a power converter
US7276998B2 (en) * 2004-11-10 2007-10-02 Enpirion, Inc. Encapsulated package for a magnetic device
US7256674B2 (en) * 2004-11-10 2007-08-14 Enpirion, Inc. Power module
US7426780B2 (en) * 2004-11-10 2008-09-23 Enpirion, Inc. Method of manufacturing a power module
US7462317B2 (en) * 2004-11-10 2008-12-09 Enpirion, Inc. Method of manufacturing an encapsulated package for a magnetic device
US7180395B2 (en) * 2004-11-10 2007-02-20 Enpirion, Inc. Encapsulated package for a magnetic device
KR100599787B1 (ko) 2004-11-19 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 전원 공급 장치 및 이의 ｉｃ 바이어스 전압 공급 방법
DE102005012117B4 (de) * 2005-03-16 2008-10-16 Infineon Technologies Austria Ag Transistorbauelement
KR100781359B1 (ko) 2005-03-23 2007-11-30 삼성전자주식회사 디지털 제어방식의 고전압 발생장치
US8631560B2 (en) * 2005-10-05 2014-01-21 Enpirion, Inc. Method of forming a magnetic device having a conductive clip
US7688172B2 (en) * 2005-10-05 2010-03-30 Enpirion, Inc. Magnetic device having a conductive clip
US8701272B2 (en) * 2005-10-05 2014-04-22 Enpirion, Inc. Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip
US8139362B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-20 Enpirion, Inc. Power module with a magnetic device having a conductive clip
US7521907B2 (en) 2006-03-06 2009-04-21 Enpirion, Inc. Controller for a power converter and method of operating the same
US7764098B2 (en) * 2006-06-08 2010-07-27 System General Corp. Start up circuit of power converter
US7893676B2 (en) * 2006-07-20 2011-02-22 Enpirion, Inc. Driver for switch and a method of driving the same
CN1909354B (zh) * 2006-08-07 2010-11-10 崇贸科技股份有限公司 功率转换器的启动电路
TWI307553B (en) * 2006-09-22 2009-03-11 Richtek Technology Corp Depletion mode transistor as start-up control element
US7502236B2 (en) 2006-10-04 2009-03-10 Power Integrations, Inc. Power supply controller responsive to a feedforward signal
US7518885B2 (en) 2006-10-04 2009-04-14 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for a control circuit with multiple operation modes
US7576528B2 (en) * 2006-10-04 2009-08-18 Power Integrations, Inc. Control circuit responsive to an impedance
CN101162898B (zh) * 2006-10-09 2010-05-12 立锜科技股份有限公司 具有启动控制元件的晶体管
US7948280B2 (en) * 2006-10-20 2011-05-24 Enpirion, Inc. Controller including a sawtooth generator and method of operating the same
JP5338026B2 (ja) * 2006-11-20 2013-11-13 富士電機株式会社 スイッチング電源用制御ｉｃおよびスイッチング電源装置
US7940035B2 (en) * 2007-01-19 2011-05-10 System General Corp. Control circuit having an impedance modulation controlling power converter for saving power
US7952459B2 (en) * 2007-09-10 2011-05-31 Enpirion, Inc. Micromagnetic device and method of forming the same
US7920042B2 (en) * 2007-09-10 2011-04-05 Enpirion, Inc. Micromagnetic device and method of forming the same
US8133529B2 (en) 2007-09-10 2012-03-13 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US7955868B2 (en) * 2007-09-10 2011-06-07 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US7544995B2 (en) * 2007-09-10 2009-06-09 Enpirion, Inc. Power converter employing a micromagnetic device
US8018315B2 (en) 2007-09-10 2011-09-13 Enpirion, Inc. Power converter employing a micromagnetic device
US8129815B2 (en) 2009-08-20 2012-03-06 Power Integrations, Inc High-voltage transistor device with integrated resistor
US7876080B2 (en) * 2007-12-27 2011-01-25 Enpirion, Inc. Power converter with monotonic turn-on for pre-charged output capacitor
JP2009259972A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Panasonic Corp 半導体装置、及び該半導体装置を用いたエネルギー伝達装置
US8541991B2 (en) * 2008-04-16 2013-09-24 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8686698B2 (en) 2008-04-16 2014-04-01 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US9246390B2 (en) 2008-04-16 2016-01-26 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8692532B2 (en) * 2008-04-16 2014-04-08 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8410769B2 (en) * 2008-04-16 2013-04-02 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US7679342B2 (en) * 2008-04-16 2010-03-16 Enpirion, Inc. Power converter with power switch operable in controlled current mode
US8129959B1 (en) 2008-04-22 2012-03-06 Fairchild Semiconductor Corporation Start-up circuitry and method for power converter
CA2761979A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Igo, Inc. Circuit and method for ultra-low idle power
US7952895B2 (en) * 2008-05-29 2011-05-31 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for implementing an unregulated dormant mode in a power converter
US7770039B2 (en) * 2008-05-29 2010-08-03 iGo, Inc Primary side control circuit and method for ultra-low idle power operation
US8385088B2 (en) 2010-12-06 2013-02-26 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for implementing an unregulated dormant mode with output reset in a power converter
US7995359B2 (en) 2009-02-05 2011-08-09 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for implementing an unregulated dormant mode with an event counter in a power converter
US7779278B2 (en) * 2008-05-29 2010-08-17 Igo, Inc. Primary side control circuit and method for ultra-low idle power operation
US7795760B2 (en) * 2008-07-25 2010-09-14 Igo, Inc. Load condition controlled power module
US7800252B2 (en) * 2008-06-27 2010-09-21 Igo, Inc. Load condition controlled wall plate outlet system
US7795759B2 (en) * 2008-06-27 2010-09-14 iGo, Inc Load condition controlled power strip
US8266793B2 (en) * 2008-10-02 2012-09-18 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US9054086B2 (en) * 2008-10-02 2015-06-09 Enpirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
US8339802B2 (en) * 2008-10-02 2012-12-25 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US8153473B2 (en) * 2008-10-02 2012-04-10 Empirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
US8698463B2 (en) * 2008-12-29 2014-04-15 Enpirion, Inc. Power converter with a dynamically configurable controller based on a power conversion mode
US9548714B2 (en) 2008-12-29 2017-01-17 Altera Corporation Power converter with a dynamically configurable controller and output filter
US8169801B2 (en) * 2009-05-28 2012-05-01 Monolithic Power Systems, Inc. Voltage converters with integrated low power leaker device and associated methods
US8461915B2 (en) 2009-06-03 2013-06-11 System General Corp. Start-up circuit to discharge EMI filter for power saving of power supplies
US20100309689A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 David Coulson Bootstrap Circuitry
US8115457B2 (en) 2009-07-31 2012-02-14 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for implementing a power converter input terminal voltage discharge circuit
US8207577B2 (en) * 2009-09-29 2012-06-26 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor structure with reduced gate capacitance
WO2011039664A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Rapid start-up circuit for solid state lighting system
US8634218B2 (en) * 2009-10-06 2014-01-21 Power Integrations, Inc. Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage
CN102596301B (zh) 2009-10-28 2015-09-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有感应管道的压力支持系统
US8305826B2 (en) 2010-05-07 2012-11-06 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for programming an anti-fuse element in a high-voltage integrated circuit
US7932738B1 (en) 2010-05-07 2011-04-26 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for reading a programmable anti-fuse element in a high-voltage integrated circuit
US8164125B2 (en) 2010-05-07 2012-04-24 Power Integrations, Inc. Integrated transistor and anti-fuse as programming element for a high-voltage integrated circuit
US8729811B2 (en) * 2010-07-30 2014-05-20 Cirrus Logic, Inc. Dimming multiple lighting devices by alternating energy transfer from a magnetic storage element
US8247874B2 (en) 2010-08-26 2012-08-21 Infineon Technologies Austria Ag Depletion MOS transistor and charging arrangement
US8804385B2 (en) * 2010-08-30 2014-08-12 Mosway Semiconductor Limited SMPS control IC with 4 terminals
TWI423571B (zh) * 2010-10-25 2014-01-11 Sitronix Technology Corp 切換式電源供應器之高壓啟動裝置
US8867295B2 (en) 2010-12-17 2014-10-21 Enpirion, Inc. Power converter for a memory module
JP5589827B2 (ja) * 2010-12-24 2014-09-17 サンケン電気株式会社 起動回路、スイッチング電源用ｉｃ及びスイッチング電源装置
US8569842B2 (en) 2011-01-07 2013-10-29 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices
US8455948B2 (en) 2011-01-07 2013-06-04 Infineon Technologies Austria Ag Transistor arrangement with a first transistor and with a plurality of second transistors
US8482029B2 (en) 2011-05-27 2013-07-09 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device and integrated circuit including the semiconductor device
JP5910395B2 (ja) 2011-09-16 2016-04-27 サンケン電気株式会社 ドライブ回路
WO2013090845A2 (en) * 2011-12-14 2013-06-20 Cirrus Logic, Inc. Multi-mode flyback control for a switching power converter
DE102011122197B4 (de) * 2011-12-23 2018-06-07 Albert-Ludwigs-Universität Freiburg Spannungswandler mit geringer Anlaufspannung
TW201332265A (zh) * 2012-01-19 2013-08-01 Infinno Technology Corp 可降低功率消耗之電源供應器
US8866253B2 (en) 2012-01-31 2014-10-21 Infineon Technologies Dresden Gmbh Semiconductor arrangement with active drift zone
US8704296B2 (en) 2012-02-29 2014-04-22 Fairchild Semiconductor Corporation Trench junction field-effect transistor
US9087707B2 (en) 2012-03-26 2015-07-21 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor arrangement with a power transistor and a high voltage device integrated in a common semiconductor body
TWI481170B (zh) * 2013-02-06 2015-04-11 Holtek Semiconductor Inc 高壓啟動電路及系統
JP6268404B2 (ja) 2013-06-20 2018-01-31 富士電機株式会社 半導体装置、スイッチング電源用制御ｉｃおよびスイッチング電源装置
US10020739B2 (en) 2014-03-27 2018-07-10 Altera Corporation Integrated current replicator and method of operating the same
US9673192B1 (en) 2013-11-27 2017-06-06 Altera Corporation Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same
US9536938B1 (en) 2013-11-27 2017-01-03 Altera Corporation Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same
US9400513B2 (en) 2014-06-30 2016-07-26 Infineon Technologies Austria Ag Cascode circuit
US9467061B2 (en) 2014-08-29 2016-10-11 Infineon Technologies Austria Ag System and method for driving a transistor
US9479159B2 (en) 2014-08-29 2016-10-25 Infineon Technologies Austria Ag System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor
US9559683B2 (en) 2014-08-29 2017-01-31 Infineon Technologies Austria Ag System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor
CN104362149A (zh) * 2014-09-18 2015-02-18 成都星芯微电子科技有限公司 基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺
US10103627B2 (en) 2015-02-26 2018-10-16 Altera Corporation Packaged integrated circuit including a switch-mode regulator and method of forming the same
US9509217B2 (en) 2015-04-20 2016-11-29 Altera Corporation Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same
US9793260B2 (en) 2015-08-10 2017-10-17 Infineon Technologies Austria Ag System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor
US9590507B1 (en) 2015-12-18 2017-03-07 Infineon Technologies Austria Ag Auxiliary supply for a switched-mode power supply controller using bang-bang regulation
US10490548B2 (en) 2016-04-08 2019-11-26 Power Integrations, Inc. Integrated resistor for semiconductor device
CN105955379B (zh) * 2016-06-16 2017-05-31 电子科技大学 一种可关断的高压启动电路
US9871510B1 (en) 2016-08-24 2018-01-16 Power Integrations, Inc. Clamp for a hybrid switch
US10153702B2 (en) 2017-02-07 2018-12-11 Infineon Technologies Austria Ag Switched-mode power supply controller using a single pin for both input voltage sensing and control of power supply charging
US10135357B1 (en) 2017-09-07 2018-11-20 Power Integrations, Inc. Threshold detection with tap
FR3075508A1 (fr) * 2017-12-15 2019-06-21 Exagan Dispositif de commutation autoalimente et procede de fonctionnement d'un tel dispositif
KR102107883B1 (ko) 2017-12-21 2020-05-08 매그나칩 반도체 유한회사 대기전력 소모의 제로화를 위한 고전압 스타트업 회로와 이를 포함하는 스위칭 모드 파워 서플라이
CN108233686A (zh) * 2018-03-09 2018-06-29 深圳深爱半导体股份有限公司 集成有功率开关管的电源管理集成电路及电源管理装置
US10243451B1 (en) * 2018-03-21 2019-03-26 Dialog Semiconductor (Uk) Limited System and method for powering a switching converter
CN109412400A (zh) * 2018-11-26 2019-03-01 珠海格力电器股份有限公司 反激式开关电源及其欠压保护电路
US11133740B2 (en) * 2019-12-18 2021-09-28 Cypress Semiconductor Corporation Startup regulator using voltage buffer to stabilize power supply voltage
US11418121B2 (en) 2019-12-30 2022-08-16 Power Integrations, Inc Auxiliary converter to provide operating power for a controller
US11552543B2 (en) * 2020-01-22 2023-01-10 Psemi Corporation Input voltage selecting auxiliary circuit for power converter circuit
US11258369B2 (en) 2020-02-19 2022-02-22 Power Integrations, Inc. Inductive charging circuit to provide operative power for a controller
US11979090B2 (en) 2021-08-12 2024-05-07 Power Integrations, Inc. Power converter controller with branch switch

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4318168A (en) * 1980-06-27 1982-03-02 Raytheon Company Over stress sense circuit for flyback power supply
JPS63161868A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Ricoh Co Ltd 高圧電源
JPS647654A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Canon Kk Image reader and manufacture thereof
JP2666930B2 (ja) * 1987-08-28 1997-10-22 株式会社東芝 画像形成装置
US4845605A (en) * 1988-06-27 1989-07-04 General Electric Company High-frequency DC-DC power converter with zero-voltage switching of single primary-side power device
JPH067746B2 (ja) * 1989-06-19 1994-01-26 横河電機株式会社 電圧共振型スイッチング電源
JPH03289352A (ja) * 1990-04-03 1991-12-19 Sony Corp スイッチング電源装置
US5140510A (en) * 1991-03-04 1992-08-18 Motorola, Inc. Constant frequency power converter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280988A (zh) * 2011-08-25 2011-12-14 华南理工大学 带风冷型散热系统的电化学高频开关电源输出整流器

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06165485A (ja) 1994-06-10
EP0585788A1 (en) 1994-03-09
EP0585788B1 (en) 1995-08-09
DE69300359T2 (de) 1996-04-11
DE69300359D1 (de) 1995-09-14
US5285369A (en) 1994-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3250881B2 (ja) 電源装置
US5313381A (en) Three-terminal switched mode power supply integrated circuit
US6125046A (en) Switching power supply having a high efficiency starting circuit
KR0119883B1 (ko) 스위칭 전원장치용 컨트롤러 및 이를 이용한 스위칭 전원장치
JPH07123709A (ja) 電源装置
KR20040037584A (ko) 펄스 폭 변조 신호 발생 장치 및 이를 포함하는 스위칭모드 파워 서플라이
US5909363A (en) Initial drive voltage supply control circuit for switching mode power supply
US6069805A (en) Two stage power supply start up circuit
JP2000023461A (ja) 電源回路
JP3425403B2 (ja) 半導体装置、および、この半導体装置を用いたスイッチング電源装置
US6490178B1 (en) Switching power circuit which switches voltage supplied to a primary winding of a transformer with a switching element to rectify alternating current generated in a secondary winding of the transformer
JPH10257759A (ja) スイッチング電源回路
JP2003274660A (ja) スイッチング電源回路
KR100819436B1 (ko) 역률 보상 회로
KR960001247Y1 (ko) 전원장치의 보조전원회로
KR910004080Y1 (ko) 초기 구동용 전원공급회로
KR0129031Y1 (ko) 과전류 보호회로
KR920000753Y1 (ko) 부하구동용 릴레이의 제어회로
JPH09205768A (ja) 同期整流回路
KR950008747Y1 (ko) 110/220v 자동 전압 조절회로
KR920000518Y1 (ko) 원칩사용시 직류전압을 안정화시키는 전압 안정화회로
JP3469128B2 (ja) スイッチング電源回路および電源デバイス
KR890005918Y1 (ko) 정전압 범위 확대 회로
JPS58195471A (ja) スイツチング・レギユレ−タ
JP2001045752A (ja) 電源装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116

Year of fee payment: 12