KR20010039634A - 탄소 함유층의 접착 향상 및 산화 감소 플라즈마 처리 - Google Patents

탄소 함유층의 접착 향상 및 산화 감소 플라즈마 처리 Download PDF

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Abstract

본 발명은 추가의 증착층을 필요하지 않은 탄소 함유층의 접착성 및 내산화성을 개선하는 것이다. 한 특징에서, 본 발명은 탄화실리콘과 같은 탄소 함유층의 노출면을 헬륨(He), 아르콘(Ar)과 같은 불활성 가스 플라즈마 또는 다른 불활성 가스 플라즈마 또는 산화질소(N2O) 플라즈마와 같은 산소 함유 플라즈마로 처리한다. 다른 탄소 함유 재료는 유기 폴리머 재료, 무정질 탄소, 무정질 탄화불소, 탄소 함유 산화물 및 기타 탄소 함유 재료를 포함한다. 플라즈마 처리는 적합하게 처리되어질 층의 증착과 인시튜 상태에서 이루어진다. 인시튜 증착 및 플라즈마 처리가 일어나는 프로세싱 챔버는 탄소 함유층에 대한 것과 동일 또는 유사한 선구물질을 전달하도록 형상되어 있다. 그러나, 층은 여러 선구물질로 증착될 수 있다. 본 발명은 또한 처리 플라즈마를 발생하는 프로세싱 통제변수와 처리 플라즈마를 사용하는 시스템을 제공한다. 탄소 함유 재료는 배리어 층, 에칭 스톱, ARC, 보호층 및 절연층과 같은 다양한 층에 사용될 수 있다.

Description

탄소 함유층의 접착 향상 및 산화 감소 플라즈마 처리{PLASM TREATMENT TO ENHANCE ADHESION AND TO MINIMIZE OXIDATION OF CARBON-CONTAINING LAYERS}
서브-쿼터 마이크론 멀티-레벨 금속화(Sub-quarter micron multi-level mentalization)는 초대형 집접회로(ULSI)의 다음 세대에 대한 중요한 기술중 하나이다. 멀티레벨 상호접속 피쳐의 신뢰성 있는 포맷은 ULSI의 성공과 개별 기판 및 다이상에 회로 밀도와 품질을 증가시키는 계속적인 노력에 매우 중요하다. 회로 밀도가 증가하면, 재료와 구조적 변화는 기판의 스택내에서 일어난다. 결국, 층 접착 및 내산화성과 같은 약간의 기초적인 성질은 재고려할 필요가 있다.
층들이 연속적으로 증착되면, 층사이의 접착은 구조적 일체성을 유지하고 형성되어지는 소자의 성능 요구사항과 일치하는데 중요하게 된다. 배리어 층, 에칭 스톱, 안티-반사 코팅(ARC), 보호층 및 기타 층으로서 유용한 새로운 저 k 재료를 사용할려면 일체화되어질 양호한 접착제를 제작 과정에 제공해야 한다. 예로서, ULSI용 약간의 새로운 재료는 층의 k값을 나추면서, 강도와 같은 바람직한 물리적 성질을 유지하도록, 불소와 같은 할로겐 도핑을 사용한다. 그러나, 약간의 도핑된 재료는 프로세싱중 빠져나갈 수 있다. 그러므로, 인접층들이 증착되고 최후로 어닐링되면, 층은 서로 적절히 접착되지 않고, 그 결과로 층들은 갈라진다.
추가로, 새로운 재료는 특히 산화 플라즈마에 노출된 층에 대해, 개선된 내산화성을 줄 필요가 있다. 한 예로서, 층들이 패턴화 에칭을 필요로 하면 층들은 포토레지스트 재료(통상적으로 유기 폴리머)의 층이 층상에 증착되어 에칭 패턴을 형성하는 포토리쏘그래피 프로세스를 받는다. 에칭 후, 포토레지스트 층은 포토레지스트 층을 활성 산소 플라즈마에 노출함으로써 제거되며, 이런 프로세스를 통상적으로 "애싱(ashing)"으로 언급된다. 애싱 프로세스의 정밀한 플라즈마-향상 산화 동안, 플라즈마의 충전된 입자는 기판과 충돌하여 필름 손실을 야기하고 /또는 기판의 결정 격자를 비틀게 함으로써, 기판상에 형성된 소자의 일체성을 손상한다.
부식 또는 필름 손실은 콘택츠, 바이어스, 라인 및 트렌치와 같은 소형 치수 피쳐 사이에 단락을 야기할 수 있다. 애싱으로부터의 산화는 특히 SiC와 같은 탄소 함유 재료에 영향을 주는 것으로 나타나 있으며, 그러므로, 이런 재료는 일반적으로 또한 향상된 접착성과 상승된 내산화성을 가져야 만 이익을 얻을 수 있다. 그러므로, 이런 엄격한 환경에서는 향상된 내산화성 및 내필름 손실이 소형 치수 피쳐의 회로 일체성을 유지하는데 필요하다.
그러므로, 탄소 함유 재료의 내산화성 및 접착성을 증가하는 향상된 프로세싱이 필요하다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 프로세스가 수행될 수 있는 상업적으로 이용가능한 CVD 플라즈마 프로세스 챔버의 단면도.
도 2는 특정 결합 구조를 표시하는 본 발명의 SiC의 푸리에 변환 적외선 분광기(FTIR) 챠트.
도 3은 본 발명을 이용하는 이중 물결 무늬 구조의 양호한 실시예를 도시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 도전성 재료 20a : 바이어/콘택트
20b : 라인/트렌치
60 : 기판 62 : 피쳐
64 : 배리어 층 66 : 절연층
68 : 에칭스톱 70 : 절연층
72 : ARC 75 : 배리어 층
본 발명은 추가의 증착층을 필요하지 않은 탄소 함유층의 접착성 및 내산화성을 개선하는 것이다. 한 특징에서, 본 발명은 탄화실리콘과 같은 탄소 함유층의 노출면을 헬륨(He), 아르콘(Ar)과 같은 불활성 가스 플라즈마 또는 다른 불활성 가스 플라즈마 또는 산화질소(N2O) 플라즈마와 같은 산소 함유 플라즈마로 처리한다. 다른 탄소 함유 재료는 유기 폴리머 재료, aC, aFC, SiCO:H 및 기타 탄소 함유 재료를 포함한다. 플라즈마 처리는 적합하게 처리되어질 층의 증착과 인시튜 상태에서 이루어진다. 인시튜 증착 및 플라즈마 처리가 일어나는 프로세싱 챔버는 탄소 함유층에 대한 것과 동일 또는 유사한 선구물질을 전달하도록 형상되어 있다. 그러나, 층은 여러 선구물질로 증착될 수 있다. 본 발명은 또한 처리 플라즈마를 발생하는 프로세싱 통제변수와 처리 플라즈마를 사용하는 시스템을 제공한다. 탄소 함유 재료는 배리어 층, 에칭 스톱, ARC, 보호층 및 절연층과 같은 다양한 층에 사용될 수 있다.
본 발명의 상술한 특징, 장점 및 목적은 첨부의 도면에서 도시한 실시예를 참고하면 보다 상세히 이해될 수 있을 것이다.
그러나, 첨부의 도면과 아래에 설명한 실시예는 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것이 아니며 따라서 다른 동등한 효과의 실시예들도 본 발명으로 인정되어야 한다.
본 발명은 추가의 증착층을 필요하지 않고 탄소 함유층을 불활성 가스 플라즈마 또는 산소 함유 플라즈마에 노출함으로써 탄소 함유층의 접착성 및 내산화성을 개선하는 것이다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 처리를 수행할 수 있는 미국 캘리포니아 산타 클라라소재의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 이용가능한 상표명 CENTRA DxZTMCVD 챔버와 같은, 화학 기상 증착(CVD) 챔버의 단면도이다. 본 발명은 램프 가열식 프로세스 챔버를 포함하는 여러 프로세스 챔버내에서 실행될 수 있다. 프로세스 챔버(10)는 가스 분배 매니폴드(11)를 포함하며, 가스 분배 매니폴드는 통상적으로 "샤워헤드"로 불리며, 프로세스 가스를 매니폴드내의 천공 홀(도시 생략)을 통해서 기판 지지부(12)상에 놓여있는 기판(16)으로 분산한다. 기판 지지부(12)는 저항 가열되며 지지 시스템(13)상에 장착되어 있으므로, 기판 지지부와 기판 지지부의 상부면상에 지지된 기판은 매니폴드(11)에 인접한 상부 프로세싱 위치와 하부 로딩/오프-로딩 위치 사이로 리프트 모터(14)에 의해 제어가능하게 이동될 수 있다. 처리 동안, 매니폴드(11)로부터 나온 가스는 기판 표면에 거쳐서 방사방향으로 균일하게 분배된다. 가스는 진공 펌프 시스템(32)에 의해 포트(24)를 통해서 배기된다. 제어된 플라즈마는 RF 전원(25)으로부터 분배 매니폴드(11)에 RF에너지를 가하므로써 기판에 인접해서 형성된다. 기판 지지부(12)와 챔버 벽은 통상적으로 접지되어 있다. RF 전원(25)은 싱글이든지 또는 혼합된 주파수 RF 파워를 매니폴드(11)에 공급할 수 있으므로 챔버(10)로 도입된 어떠한 가스의 분해도 향상할 수 있다. 제어기(34)는 전원, 리프트 모터, 가스 분사용 매스 제어기, 진공 펌프의 기능 및 다른 관련된 챔버 및/또는 프로세싱 기능을 제어한다. 제어기는 메모리(38), 양호한 실시예에서 하드 디스크 드라이브내에 저장된 시스템 제어 소프트웨어를 실행하고 아날로그 및 디지털 입력/출력 보드, 인터페이스 보드 및 스텝퍼 모터 제어기 보드를 포함할 수 있다. 광학 및/또는 자기 센서는 일반적으로 가동가능한 기계 어셈블리의 위치를 이동하고 결정하는데 사용된다. 이런 CVD 프로세스 챔버의 예는 본 발명의 출원인인 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드에 양도된 왕(Wang) 등의 미국 특허 제 5,000,113 호에 기술되어 있으며, 이는 여기서 참고로 사용되며, 발명의 명칭이 "열 CVD/PECVD 반응기 및 이산화 실리콘의 열 화학 증착 및 인시튜 멀티 스텝 평탄화 프로세스의 용도(Thermal CVD/PECVD Reactor and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide and in-situ Multi-step Planarized Process)"이다.
상기 CVD 시스템 설명은 주로 설명 목적으로 사용되며, 전극 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 CVD 장치, 유도 결합 RF 고밀도 플라즈마 CVD 장치 등도 사용될 수 있다. 추가로, 상술한 시스템의 변화는, 기판 지지부 디자인, 가열기 디자인, RF 전력 연결부의 위치, 전극 형태 및 다른 특성들의 변화처럼, 가능하다. 예들 들어, 기판은 저항 가열된 기판 지지부에 의해 지지되고 가열될 수 있다.
He 플라즈마를 사용한 프로세스 통제변수는 표 1에 제공되어 있고, N2O를 사용한 프로세스 통제변수는 표 2에 제공되어 있다. 이들 가스들은 대표적인 가스이며 다른 불활성 가스 또는 다른 산소 함유 가스와 같은 여러 가스들도 사용될 수 있다.
He 플라즈마
변수He(sccm) 범위100 - 40000 양호하게500 - 2500 가장 양호하게750 - 2000
압력(토르) 1 - 12 2 - 10 4 - 9
RF 전력(W) 50 - 800 100 - 500 100 - 400
RF 전력 밀도(W/in2) 0.7 - 11 1.4 - 7.2 1.4 - 5.7
온도(℃) 0 - 500 50 - 450 100 - 400
이격 거리(밀스) 200 -700 300 - 600 300 - 500
N2O 플라즈마
변수He(sccm) 범위100 - 40000 양호하게500 - 2500 가장 양호하게750 - 2000
압력(토르) 1 - 12 2 - 10 4 - 9
RF 전력(W) 50 - 800 100 - 500 100 - 400
RF 전력 밀도(W/in2) 0.7 - 11 1.4 - 7.2 1.4 - 5.7
온도(℃) 0 - 500 50 - 450 100 - 400
이격 거리(밀스) 200 -700 300 - 600 300 - 500
상기 프로세스 통제변수는 상술한 상표명 CENTRA DxZTMCVD 챔버내에, 본 발명에 따라서, SiC와 같은 탄소 함유층의 노출 표면을 He 또는 N2O 플라즈마 또는 다른 불활성 또는 산화 가스로 처리하는데 사용될 수 있다. 표 1 또는 표 2의 매개변수를 사용하여, He 또는 N2O 가스 각각은 약 100 내지 약 4000 표준 큐빅 센티메터(sccm), 가장 양호하게 약 750 내지 2000 sccm의 유량으로 챔버로 흐른다. 챔버 압력은 약 1내지 약 12 토르, 가장 양호하게 약 4 내지 약 9 토르에서 유지된다. 싱글 13.56 MHz RF 전원은 약 50 내지 약 800 와트(W), 가장 양호하게 약 100 내지 400 W를 챔버에 전달한다. 약 0.108 내지 1.705W/cm2( 0.7 내지 11 W/in2), 가장 양호하게 약 0.217 내지 약 0.88W/cm2(약 1.4 내지 5.7 W/in2)의 전력 밀도가 사용된다. RF 전원은 혼합 주파수 RF 전원일 수 있다. 기판 표면 온도는 약 0 내지 500℃, 가장 양호하게 약 100 내지 400℃로 유지된다. 기판은 가스 판으로부터 약 200 내지 약 700밀스, 가장 양호하게 약 300 내지 500 밀스 떨어져 배치되어 있다.
기판은 양호하게 약 10 내지 약 40 초로 노출된다. 대부분의 경우에, 한 처리 사이클의 마지막 20초는 접착성 증가 및/또는 산화에 대한 민감성 감소를 위해 층을 효과적으로 처리한다. 매개변수는 접착성을 개선하는데 도움을 주는 다른 챔버, 기판층 및 다른 가스에 대해서, 특히 추가의 증착층을 요하지 않고 접착성을 개선하는 이들 프로세스에 대해서 조정될 수 있다.
본 발명은 다양한 재료를 처리하는데 유익하다. 예를 들어, 이들 재료는 유기 폴리머 재료, aC, aFC, SiCO:H와 같은 주로 탄소 함유층 및 다른 탄소 함유 재료를 포함할 수 있다.
여러 용도에 우수하게 사용될 수 있는 한 재료는 1998년 10월 1일자 출원된 발명의 명칭이 "배리어 층 및 에칭 스톱으로 사용하기 위한 실리콘 카바이드 증착(A Silicon Carbide Deposition For Use As A Barrier Layer And An Etch Stop)"인 계류중인 미국 특허 출원 제 09/165,248 호와 1998년 12월 23일자 출원된 발명의 명칭이 "저 절연 상수 ARC로서 사용하기 위한 실리콘 카바이드 증착(A Silicon Carbide Deposition For Use As a Low Dielectric Constant Anti-Reflective Coating)"인 일부 연속 출원의 미국 특허 출원 제 09/219,945 호내에 기술된 저 k SiC이다. 이들 양 특허 출원은 본 발명의 출원인인, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 소유이며, 여기서 참고로 사용되고 있다. 이 특정 SiC는 배리어층, 에칭 스톱, ARC 및/또는 보호층으로 기능하고 뿐만 아니라 저 k값을 가질 수 있는 장점을 제공하고 접착성 향상 및 내산화성 증가의 이익을 얻을 수 있다.
상기 프로세스 통제변수는 7보다 작은, 적합하게 약 5이하, 가장 양호하게 약 4.2 이하의 절연 상수를 가지는 SiC 재료를 생산한다. 이런 SiC 층을 200mm 웨이퍼상에 증착하도록, 트리메틸실란(trimethylsilane)과 같은 반응성 가스 소오스는, 반응 영역으로 도입된 산소의 실질적인 소오스 없이, 상술한 상표명 CENTRA DxZTMCVD 챔버와 같은 반응 챔버로 흐르며, 상기 트리메틸실란은 약 50 내지 약 200 sccm의 양호한 유량으로 흐른다. 적합하게, 헬륨 또는 아르곤과 같은, 희가스는 또한 약 200 내지 1000 sccm의 유량으로 챔버로 흐른다. 챔버 압력은 약 6내지 약 10 토르에서 유지된다. 싱글 13.56 MHz RF 전원은 적합하게 약 400 내지 약 600 W, 전력 밀도는 양호하게 약 0.88 내지 약 1.33W/cm2(약 5.7 내지 약 8.6 W/in2)이다. 기판 표면 온도는 SiC의 증착 동안 적합하게 약 300℃ 내지 400℃로 유지되며 기판은 적합하게 가스 샤워헤드로부터 약 300 내지 약 500밀스(mils) 떨어져 배치되어 있다.
도 2는 본 발명에 따른 He 및 N2O로 처리된 SiC의 샘플의 푸리에 변환 적외선 분광기(FTIR) 분석도이며, 각 처리된 SiC층의 결합 구조를 도시하고 있다. 상부선(A)은 증착한 그 상태의 SiC층의 결합 구조를 도시한다. Si(CH3)n및 SiC 결합을 포함하는, 본 발명에 적용가능한 다른 결합 구조에 대응하는 분석의 부분도 확인되어져 있다. 선(A)상에 He 플라즈마 처리후 시편의 결합 구조가 오버레이되어 있다. 도시한 바와 같이, He 플라즈마 노출은 최소이고 조성물상에 영향을 주지 않고 시편의 결합 구조를 검출한다. 또한, 선(A)상에 O2플라즈마 노출 후 시편의 결합 구조가 오버레이되어 있다. O2플라즈마로 약 10 내지 약 30분 동안 기판을 처리하기전 기판을 He 플라즈마로 조절함으로써, 기판은 O2플라즈마 노출로부터 평가할 수 있을 정도의 효과를 나타내고 있지 않는다.
아래선(B)은 N2O 플라즈마 처리후 SiC 시편의 결합 구조를 도시한다. N2O 플라즈마 처리는 상부 선(A)에 도시한 비처리된 시편으로부터 결합 구조를 변경한다. 이 변화는 N2O 플라즈마 처리된 시편의 Si-O 결합 구조내에서 크게 나타난다. 아래선(B)에는 N2O 플라즈마에 의해 처리되어지고 그 다음, 약 10 내지 약 30분 동안 애싱과 같은 O2플라즈마 노출을 받게 한 시편의 결합 구조를 도시한다. 여기서는 N2O로 플라즈마 처리 후의 시편과 연속적인 O2플라즈마 노출 후의 시편의 결합 구조의 실질적인 차이는 나타나 있지 않다.
ESCA/XPS 및 FTIR 분석에 의해 검출하면 SiC층의 조성물에 He플라즈마가 크게 영향을 주지 못하는 결과를 확인할 수 있다. He 처리는 N2O 플라즈마 처리보다 화학 조성물에 보다 덜한 변화를 야기한다. 확실하게, 이 변화는 He 플라즈마 노출의 결과로서 Si 불포화 결합(dangling bond)에, 우선 표면층 결합 구조의 물리적 변화를 야기한다. He 플라즈마 처리에 의한 표면 변화는 약 5Å 내지 10Å 깊이 이하에서 있을 수 있다. 예들 들어, SiC의 N2O 플라즈마에 대해서, 확실하게 N2O 가스부터의 산소는 SiC 표면에서 반응하여 Si-O결합 및/또는 C-O 결합을 형성하며, 따라서, Si 불포화 결합을 감소하고 접착성 및 내산화성을 개선한다.
예 1
표 3 및 표 4는 절연층에 증착되고 He 또는 N2O 플라즈마와 같은, 처리 플라즈마에 노출된 SiC 층의 화학 조성물 변화와 결합 구조 변화에 대한 전자분광 화학 분석법/ X-선 광전자 분광법(ESCA/ XPS) 분석 리포트의 데이터를 도시한다.
일련의 SiC 층은 표 1 및 표 2에 도시한 프로세스 통제변수에 따라서 플라즈마 처리에 노출된다. He 또는 N2O 가스는 약 1500 sccm의 유량으로 챔버로 흐르고, 챔버 압력은 약 8.5 토르이고, 싱글 13.56 MHz RF 전원은 약 250W를 200mm 웨이퍼용 챔버에 전달한다. 기판 표면 온도는 약 250 내지 400℃로 유지되며 기판은 가스 판으로부터 약 400 밀스 떨어져 배치되어 있다. 기판은 양호하게 약 20 초 동안 노출된다.
샘플 C O Si N F Cl
베이스 비처리 56 8 36 -- -- 0.5
He 플라즈마 56 8 34 1 0.5 --
N2O 플라즈마표면 5 67 28 -- -- --
N2O 플라즈마벌크 35 24 36 4 -- --
비처리된 SiC 샘플은 약 56% C, 8% O, 36% Si, 및 무시할 수 있는 N, F 및 Cl 량을 포함한다. He 플라즈마에 의해 처리된 SiC 층은 비처리된 SiC 와 유사한 조성물을 포함한다. He 플라즈마는 산소, 수소 및/또는 질소를 포함하는 다른 가스의 실질적인 존재없이 사용된다. 약간의 산소, 수소 및/또는 질소가 He 가스 플라즈마내에 존재한다는 점에서, 이런 가스의 존재는 무시가능하다.
표면에서 또는 표면 가까이 에서 측정한 N2O 처리된 샘플은 SiC층의 조성물을 약 5% C, 67% O, 28% Si로 변하며, SiC층의 표면의 추가의 산화를 반영한다. N2O 플라즈마 노출에 의한 표면 조성물의 변화에 의해서, SiC층은 또한 약 3000Å의 두께를 가지는 층 단면의 벌크(bulk)를 통해서 분석된다. 분석은 약 35% C, 24% O, 36% Si 및 3% N까지의 조성물의 변화를 보여준다.
표 4는 ESCA/XPS분석 레포트의 데이터를 도시하며, 표 3의 샘플의 탄소와 관련된 탄소 함량과 화학 결합 구조를 상세히 나타낸다.
샘플 Si-C C-C, C-H C-O C=C-O
베이스 69 30 1 --
He 플라즈마 68 29 3 --
N2O 플라즈마표면 -- 78 20 2
N2O 플라즈마벌크 84 16 -- --
결과는 결합 구조가 He 플라즈마 처리로 상당히 일정하게 유지하는 것으로 나타난다. SiC 표면 조성물은 N2O 플라즈마 처리로 변경되어 보다 많은 C-C 및 C-H 결합을 포함하며, 확실하게 Si-O 및/또는 C-O결합을 형성하고 그렇지 않으면 Si 불포화 결합 또는 다른 불포화 결합을 보호한다. 표면에서의 결합 변화는 다음층에 접착성을 증가한다. 추가로, N2O는 제어된 N2O 노출에 의해 층의 얇은 부분을 산화하여, 비처리된 층과 비교해서 추가 및 더 깊은 산화에 저항하는 표면을 만든다.
예 2
표 5는 애싱 호환성 연구에서 SiC의 플라즈마 처리의 결과를 나타낸다. SiC를 가진 일련의 시편은 표 1 및 표 2에 도시한 양호한 프로세스 변수를 사용해서, 본 발명에 따른 He 또는 N2O 플라즈마로 처리된다. SiC 층의 시편은 비교 시편으로써 비처리된 상태로 남고 다른 시편은 다른 비교 시편으로써 SiC 층상에 언도핑 실리콘 산화층(USG)을 증착하고 있다.
이 예에서, He 또는 N2O 가스는 약 1500 sccm의 유량으로 챔버로 흐르고, 챔버 압력은 약 8.5 토르이고, 싱글 13.56 MHz RF 전원은 약 250W를 200mm 웨이퍼용 챔버에 전달한다. 기판 표면 온도는 약 350 내지 450℃로 유지되며 기판은 가스 판으로부터 약 400 밀스 떨어져 배치되어 있다. 기판은 약 20 초 동안 플라즈마에 노출된다. 두께 측정은 포토레지스트 층을 제거하도록 산소 플라즈마에 사용된 애싱 프로세스 전 및 후에 실시된다. 도시한 바와 같이, 결과는 He 및 N2O 플라즈마 처리가 공기 또는 애싱과 같은 다른 산화 환경에서 추가의 산화를 감소하거나 방지하는 것으로 나타난다.
샘플SiC 애싱 전 두께 Å 애싱 후 두께 Å
산화층 SiC 층 전체 산화층 SiC 층 전체
베이스 비처리된 층 40 2895 2935 191 2874 3065
He 플라즈마 0 3108 3108 60 3008 3068
N2O 플라즈마 210 2821 3031 255 2673 2928
USG 층이 증착된 베이스 242 2978 3220 256 3064 3320
비처리된 SiC와 플라즈마 처리된 SiC사이의 구별은 표 5에 도시한 약 산화층 두께의 차이를 비교함으로써 알 수 있다. 산화물로부터 층 두께의 큰 증가는, 절연 상수를 증가하거나 금속 확산을 방지하도록 배리어 층의 능력을 감소함으로써, 전체 층의 특성에 영향을 줄 수 있다. 그러므로, 산화된 층 두께의 증가를 줄이는 것이 바람직하다. 비처리된 SiC층의 산화층 두께는 애싱 전 약 40Å이고 애싱후 약 191Å이므로, 증가 분은 약 150Å이다. 이와 대조적으로, He 플라즈마로 처리된 SiC층의 산화층 두께는 애싱 전 약 0Å이고 애싱후 약 60Å이므로, 증가 분은 약 60Å이다. N2O로 처리된 SiC는 약 210Å의 초기 산화층 두께를 가지고 애싱 프로세스 후 약 225Å의 산화층 두께를 만드므로, 증가 분은 약 45Å이다. 플라즈마 처리된 SiC층과 비교해서, USG의 약 240Å는 SiC층위에 증착되고 그리고 나서 애싱 프로세스에 노출된다. 애싱 전의 두께는 약 242Å이고 애싱후는 약 256Å이므로, 증가 분은 약 14Å이다.
테스트 결과는 처리된 SiC층이 비처리된 SiC층 보다 약 300% 애싱으로부터 산화에 강한 것을 나타낸다. 결과는 또한 처리된 SiC층이 USP층이 증착된 아래의 SiC층 보다 단지 약 30Å 내지 약 45Å 산화를 야기하는 것을 나타낸다.
예 3
일련의 SiC 층은 표 2에 설명한 프로세스 통제변수에 따라서 N2O 플라즈마 처리에 노출되어 있다. 특히, 이 예에서, N2O 가스의 약 1500 sccm은 챔버로 흐르고, 챔버 압력은 약 8.5 토르이고, 약 250W의 RF 전원은 챔버에 전달되고, 기판 표면 온도는 약 350 내지 400℃로 유지되며 기판과 가스 판과의 이격거리는 약 400 밀스이다. 이 테스트에서, 기판은 USG의 5000-20000Å 두께 층, SiC의 200-1000Å 두께 층, 그 다음에 여기에 증착되고 그 다음에 질화재료의 500Å 층으로 캡핑된(capped) 다른 USG 산화층을 포함한다. SiC층은 USG층의 증착 전에 본 발명의 플라즈마로 처리된다. 테스트의 한 세트에서, SiC층을 가진 시편은 약 20초 동안 N2O 플라즈마로 처리된다. 시편의 한 세트상에, USG 재료의 7000Å층이 여기에 증착되고 다른 세트상에, USG 재료의 10000Å층이 여기에 증착되며, 각 두께는 상업적 실시예들의 통상적인 증착 두께를 나타낸다. 유사한 시편이 준비되고 여기에 유사한 USG 두께가 증착되고 SiC층이 20초 대신에 약 30초 처리된다. 각 세트는 약 1시간, 2시간, 3시간 및 4시간 어닐링 후 광학 현미경하에서 박리 실험된다. 심지어 450℃의 어닐링 온도에서, 시편은 박리를 나타내지 않고 있다.
유사한 일련의 테스트는 처리의 유사한 주기 동안 여기에 증착된 USG 층으로 유사한 SiC층상에서 이루어지지만, 표 1의 변수에 따른 He 플라즈마 처리 프로세스를 사용한다. 특히, 이 예에서, He 가스의 약 1500 sccm은 챔버로 흐르고, 챔버 압력은 약 8.5 토르이고, 약 250W의 RF 전원은 챔버에 전달되고, 기판 표면 온도는 약 350 내지 400℃로 유지되며 기판과 가스 판과의 이격거리는 약 400 밀스이다. He 플라즈마 처리는 N2O 플라즈마 처리와 유사한 결과를 초래한다.
예 4
일련의 SiC 층은 본 발명의 플라즈마 처리에 노출되고 층 접착 특성은 테스트된다. 사용된 처리 변수는 표 2의 양호한 범위내에 있다. 특히, 이 예에서, N2O 가스의 약 1500 sccm은 챔버로 흐르고, 챔버 압력은 약 8.5 토르이고, 약 250W의 RF 전원은 챔버에 전달되고, 기판 표면 온도는 약 350 내지 400℃로 유지되며 기판과 가스 판과의 이격거리는 약 400 밀스이다. 기판 층은 USG의 5000Å 두께 층, SiC의 500Å 두께 층을 포함하며, SiC 층은 약 20초 동안 플라즈마 처리에 의해 처리된다. 약 10000Å의 다른 USG 산화층은 여기에 증착되고 그 다음에 질화재료의 500Å 층으로 캡핑된다. 각 기판 스택은 박리를 야기하는 수소 및 다른 가스의 확산을 촉진하도록 450℃에서 약 30분 동안 4 내지 8사이클 동안, 전체적으로 약 2내지 4시간 어닐링된다.
그리고 나서, 층 접착성은 "스터드 풀 데스트(stud pull test)"에 의해 테스트되며, 스터드는 통상적으로 에폭시 접착제에 의해 스택에 부착되고, 그 다음에 인장 방향으로 당겨지고 스터드 또는 에폭시 접착제가 기판으로부터 떨어지거나 또는 층이 나머지 기판 층으로부터 분리될 때까지 인장력을 측정한다. 심지어 몇 사이클 동안의 450℃의 어닐링 온도에서, 시편은 스터드가 기판으로부터 분리되기전 박리하지 않는다. 20초 동안 SiC의 N2O 플라즈마 처리하면, SiC로부터 다음 층을 상승 또는 분리하는데 약 11000 psi(pounds per square inch)보다 큰 힘이 필요하며, 여기서 스터드는 층의 어떠한 박리도 없이 약 11000psi에서 에폭시로부터 느슨해진다.
테스트의 유사한 세트는 표 1의 He 플라즈마 처리 변수를 사용해서 SiC 시편에서 이루어진다. 특히, 이 예에서, He 가스의 약 1500 sccm은 챔버로 흐르고, 챔버 압력은 약 8.5 토르이고, 약 250W의 RF 전원은 챔버에 전달되고, 기판 표면 온도는 약 350 내지 400℃로 유지되며 기판과 가스 판과의 이격거리는 약 400 밀스이다. 상술한 N2O 플라즈마 처리와 같은 유사한 층 두께와 유사한 노출 시간이 He 플라즈마 처리에 사용된다.
He 플라즈마 처리하면, SiC로부터 다음 층을 상승 또는 분리하는데 약 7900 psi보다 큰 힘이 필요하며, 여기서 스터드는 층의 어떠한 박리도 없이 약 7800psi에서 에폭시로부터 느슨해진다. 상업상으로, 약 4000psi의 값이 수용가능하다. 비교에 의해, 유사한 스택은 본 발명의 처리 없이 통상적으로 약 1000psi에서 일반적으로 스터드 풀 테스트를 실패하며 박리한다. He 플라즈마는 특히 SiC 증착과 He 플라즈마 처리사이의 화학적 유사성 때문에, 양호하며 기판의 가장 상업적인 프로세싱에 대해서 충분하다.
본 발명은 물결무늬 구조를 포함하는, 다양한 구조에 사용될 수 있고 이런 구조내의 다양한 층에 사용될 수 있다. 도 3은 한 예의 물결무늬 구조의 개략도를 도시하며, 양호한 실시예는 배리어 층, 에칭 스톱, ARC 과 같은 몇 몇 층 및/또는 다른 층을 포함하며, 각 층은 본 발명의 플라즈마 처리에 노출될 수 있다. 더욱이, 구조는 적합하게 스택내의 두 이상의 다양한 층의 인시튜 증착을 포함한다. 절연층은 SiC와 동일하거나 유사한 선구물질로 증착되거나 다른 선구물질로 증착될 수 있다. 피쳐내에 증착된 구리와 같은 금속 층에 대해서, 실시예는 또한 암모니아와 같은 환원제를 포함하는 플라즈마를 적합하게 이용하여, 금속 표면상에서 일어날 수 있는 어떠한 산화물도 감소할 수 있다.
적어도 두 개의 계획은 이중 물결무늬 구조를 개발하는데 사용될 수 있으며, 여기서, 라인/트렌치는 바이어스/콘택츠와 동시에 충전된다. "카운터보어(counterbore)" 계획에서, 집적 회로는 통상적으로 배리어 층, 제 1절연 층, 에칭 스톱, 제 2절연 층, ARC 및 그 다음에 기판이 에칭되는 포토레지스트를 증착함으로써 형성된다. 도 3에서, 집적회로(10)는 하층의 기판(60)을 포함하며, 여기에 증착된 일련의 층을 포함할 수 있으며, 기판에 피쳐(62)가 형성된다. 구리와 같은, 도체가 피쳐(62)위에 증착되면, 도체는 산화할 수 있다. 다양한 층의 증착과 인시튜 상태에서, 도체상의 산화물은 암모니아와 같은, 질소 및 수소로된 환원제를 포함하는 플라즈마에 노출시켜 산화물을 감소할 수 있다. 한 실시예는 여기서 참고로 사용하고 있는 계류중인 미국 특허 출원 제 09/193,920 호에 기술되어 있으며, 여기서 약 1000 sccm의 암모니아 유량, 약 1 내지 9 토르의 챔버 압력은 이고, 200mm 웨이퍼에 대해 약 100 내지 약 1000W의 RF 전력, 약 200 내지 600 밀스의 기판과 가스판의 이격 거리를 사용해서 플라즈마 프로세스 변수를 기술한다.
SiC는 배리어층, 에칭 스톱, ARC 및/또는 보호층으로서 절연층과 인시튜 상태에서 증착될 수 있다. 각 SiC층에 대해서, 본 발명의 플라즈마 처리는 사용될 수 있다. 예를 들어, 적합하게 약 500Å 두께의 SiC 배리어층(64)은 기판 및 피쳐위에 증착된다. 적합하게, 절연층(66)은 저 k특성을 가진 산화물계 절연 재료이다. 절연층은 비도핑된 실리콘 유리(USG)로써 또한 알려진 비도핑된 이산화실리콘, 플루오르-도핑된 실리콘 유리(FSG), 또는 다른 실리콘-탄소-산소계 재료일 수 있으며, 이들 재료중 약간은 저 k 재료로 일 수 있다. 본 발명에 따른 SiC 재료의 저 k 에칭 스톱(68)은 절연층(66)상에 약 200Å 내지 1000Å, 적합하게 500Å 두께까지 인시튜 증착된다. 에칭 스톱 재료는 통상적으로 에칭되어진 절연층에 비해서 낮은 에칭 속도를 가지며 에칭 프로세스내의 약간의 유연성이 예정된 깊이에 도달하게 보장하도록 허용하는 재료이다. 약간의 특색 있는 에칭 프로세스에서, 에칭 스톱은 불필요할 수 있다. 다른 절연층(70)은 약 5,000Å 내지 10,000Å, 적합하게 약 7,000Å의 두께를 가진, 에칭 스톱(68)위에 증착되어 있다. 절연층(70)은 절연층(66)과 동일한 재료일 수 있다. 유사하게, 절연층(70)은 배리어층(64), 절연층(66) 및 에칭 스톱(68)과 인시튜 상태에서 증착될 수 있다. SiC 재료로 되고 적합하게 약 600Å 두께의 ARC(72)는 아래에 놓인 에칭 스톱 및 배리어층과 동일한 또는 유사한 화학품을 사용해서, 절연층(70)상에 증착된다. ARC 증착 후, 포토레지스트 층(도시 생략)은 ARC(72)상에 증착된다. 포토레지스터의 증착 및 노출과 에칭은 정상적으로 다른 챔버내에서 이루어져 왔다. 포토레지스트는 종래의 포토리쏘그래피를 사용해서, 바이어/콘택트(20a)용 패턴을 형성하도록 노출된다. 그리고 나서 층은 통상적으로 플루오르, 탄소 및 산소 이온을 사용하는, 종래의 애칭 프로세스를 사용해서 에칭되어 바이어/콘택트(20a)를 형성한다. 계속해서 포토레지스트 층은 제거된다. 다른 포토레지스트 층은 라인/트렌치(20b)와 같은 피쳐를 패턴화하도록 증착 및 노출되며, 에칭되어 라인/트렌치(20b)를 형성한다. 계속해서 포토레지스트 층은 제거된다. 라이너(22)는 피쳐 위에 또는 피쳐사이의 필드상에 필요하게 될 것이며, 이것은 통상적으로 Ta, TaN, Ti, TiN 및 다른 재료이다. 그리고 나서, 구리 또는 알루미늄과 같은 도전성 재료(20)는 바이어/콘택트(20a) 및 라인/트렌치(20b) 양자내에 동시에 증착된다. 도전성 재료(20)가 피쳐위에 한번 증착되면, 암모니아와 같은 환원제를 함유하는 플라즈마에 또한 노출될 수 있어 약간의 산화물을 감소한다. 다른 SiC 배리어층(75)은 도전성 재료(20)위에 증착되어 연속적인 층을 통해서 도체의 확산을 방지하는데 도움을 줄 수 있다.
이중 물결무늬 구조를 만들기 위한 다른 계획은 "self-aligning contact(SAC)"로서 알려져 있다. SAC 계획은 포토레지스터 층이 에칭 스톱위에 증착되며, 에칭 스톱이 에칭되며 포토레지스터가 제거되는 것 외에, 카운터보어 계획과 유사하다. 그 다음에, 다른 절연 층과 같은 연속 층은 패턴화된 에칭 스톱위에 증착되며, ARC는 절연층 위에 증착되고, 제 2 포토레지스터 층은 ARC위에 증착되며, 여기서 스택은 다시 에칭된다. 도 3의 실시예에서, 예를 들어, 포토레지스터 층(도시 생략)은 에칭 스톱(68)위에 통상적으로 에칭 스톱 증착과 분리된 챔버내에서 증착된다. 에칭 스톱(68)은 바이어/콘택트(20a)용 패턴을 형성하도록 에칭된다. 포토레지스터는 제거된다. 그 다음에 절연층(70)과 ARC(72)는 에칭 스톱이 증착되어진 챔버와 동일한 챔버내에서 인시튜 증착될 수 있다. 다른 포토레지스터 층은 ARC(72)상에 증착된다. 그리고 나서 포토레지스터는 라인/트렌치(20b)용 패턴을 형성하도록 노출된다. 라인/트렌치(20b)와 바이어/콘택트(20a)는 그 다음에 동시에 에칭된다. 포토레지스터 층은 연속적으로 제거된다. 도전성 재료(20)와, 필요하다면 다른 배리어 층(75)은 기판위에 증착된다.
인시튜 프로세싱은, 여러 재료 및 통제변수의 수를 감소하고, 특히 SiC가 배리어 층, 에칭 스톱, ARC 층 및 심지어 보호층 및 습기 배리어로서 사용될 수 있기 때문에 향상된다. 인시튜 프로세싱은 더욱이 절연층을 증착하는데 동일하거나 유사한 선구물질을 사용함으로써 양호한 실시예에서 향상된다. 층 증착과 챔버 클리닝 사이의 프로세싱 챔버로부터 기판을 제거할 필요성을 줄이거나 제거하며 유사하게 생산량을 개선하고, 휴지 시간을 줄이고 오염의 위험을 줄인다.
약간의 예에서, 에칭은 프로세스 상태를 조정함으로써 동일한 챔버내에서 수행될 수 있다. 그러나, 많은 경우에, 기판은 에칭 챔버로 이동될 수 있다. 이런 경우에, 프로세싱은 증착 챔버와 에칭 챔버 양자를 가지는 클루스터 툴(cluster tool) 내에서 수행될 수 있으며, 이와 같은 클루스터 툴은 본 발명의 출원인에게 양도되고 여기서 참고로 사용되고 있는 미국 특허 제 4,951,601 호에 도시되어 있다. 밀봉가능한 클루스터 툴은 클루스터 툴내의 프로세싱을 주의 조건에 불필요한 노출없이 할 수 있게 한다. 그러나, 가능하게, 양호한 장치는 보다 큰 생산을 위해서, 동일한 챔버내의 프로세싱으로 챔버사이의 이동 시간을 줄일 수 있다.
더욱이, 인시튜 프로세싱은 증착된 층과 그 전의 층사이의 전이 속도의 정확한 제어를 제공한다. 두층사이의 전이는 화학품사이의 전이와 층을 증착하는데 사용된 관련 프로세스 변수에 의해 제어된다. 본 발명의 방법은 플라즈마, 프로세스 가스 유속 및 다른 프로세싱 변수의 제어를 통해서 전이의 정확한 제어를 할 수 있다. 전이는 플라즈마를 소멸하고 그 다음에 기판을 챔버내에 두면서 절연층 및 다양한 SiC층의 증착을 함으로써 급격하게 얻을 수 있다. 또한 점증적인 전이도 예들 들어 프로세스 가스의 유속을 변경함으로써 얻을 수 있다. FSG 절연층을 증착하는 공정에서, FSG 증착에 흔히 사용되는 실리콘 테트라플루오라이드의 유속은 절연층으로부터 SiC층까지 부드러운 전이를 만들도록 헬륨 또는 아르콘 흐름을 증가시키면 감소될 수 있다. 전이부의 유연성은 다층을 인시튜 상태에서 증착할 수 있으므로 가능하게 된다. 상술한 내용은 예시적인 과정(exemplary sequence)을 언급하고 있으며 이런 과정으로 제한하고자 하는 것은 아니며, 즉, 이런 인시튜 프로세싱은 다양한 과정에 적용될 수 있다. 또한, 이들 구조는 이중 물결무늬 구조의 예이며 이에 제한되지 않고 다른 실시예도 가능하다.
도시되고 설명되어 있는 실시예는 첨부의 청구범위에 의해 제공된 것 외에는 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아니다. 더욱이, 실시예들에서, 층의 순서는 변경될 수 있으며, 그러므로, 상세한 설명 및 청구범위에서의 용어 " 상에 증착" 등은 앞의 층위에 증착된 층을 포함하지만 앞의 층에 바로 인접해 있을 필요는 없으며 스택내에서 보다 높게될 수 있다. 예들 들어, 제한 없이, 다양한 라이너 층은 절연층, 배리어 층, 에칭 스톱, 금속 층 및 다른 층에 인접해서 배치될 수 있다.
상술한 내용은 본 발명의 양호한 실시예에 관한 것이며, 추가의 본 발명의 실시예는 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 발명될 수 있으며, 본 발명의 범위는 아래의 청구 범위에 의해 결정된다.
본 발명은 추가의 증착층을 필요하지 않고 탄소 함유층을 불활성 가스 플라즈마 또는 산소 함유 플라즈마에 노출함으로써 탄소 함유층의 접착성 및 내산화성을 개선한다.

Claims (23)

  1. 기판상에 탄소 함유층을 사전 증착 처리하기 위한 방법에 있어서,
    상기 탄소 함유층을 처리 플라즈마에 노출하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 탄화실리콘을 포함하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 불활성 플라즈마를 포함하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 He 플라즈마를 포함하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 산소 함유 플라즈마를 포함하는 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 N2O 플라즈마를 포함하는 방법.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 탄소 함유층을 처리 플라즈마에 노출하는 단계는 산소, 질소 및 수소 함유 가스의 실질적인 부재 상태에서 상기 층을 노출하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 가스를 100 내지 4000 sccm 유량으로 프로세싱 챔버로 흐려보내고, 1내지 12 토르 사이의 챔버 압력을 유지하고, 0.108 내지 1.705W/cm2( 0.7 내지 11 W/in2)의 전력 밀도를 가진 챔버에 RF전력을 적용함으써 처리 플라즈마를 발생하는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 탄소 함유층을 처리 플라즈마에 노출하는 단계는 상기 탄소 함유층의 증착과 인시튜 상태에서 일어나는 방법.
  10. 기판상에 탄소 함유층을 처리하기 위한 시스템에 있어서,
    a) 상기 탄소 함유층을 처리 플라즈마에 노출하는 기판 프로세싱 챔버와,
    b) 상기 챔버에 연결된 가스 분배기와,
    c) 상기 가스 분배기에 연결된 가스의 소오스와,
    d) 상기 탄소 함유층을 노출하는 처리 플라즈마를 발생하도록 되어 있는 전원을 포함하는 시스템.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 탄화실리콘을 포함하는 시스템.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 불활성 가스를 포함하는 시스템.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 He 플라즈마를 포함하는 시스템.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 산소 함유 가스를 포함하는 시스템.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 N2O 플라즈마를 포함하는 시스템.
  16. 제 10항에 있어서, 상기 챔버는 상기 기판에 상기 탄소 함유층을, 상기 처리 플라즈마로 상기 탄소 함유층의 노출과 인시튜 상태에서 그리고 전에 증착하도록 되어 있는 시스템.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 가스를 100 내지 4000 sccm 유량으로 프로세싱 챔버로 흐려보내고, 1내지 12 토르 사이의 챔버 압력을 유지하고, 0.108 내지 1.705W/cm2( 0.7 내지 11 W/in2)의 전력 밀도를 가진 챔버에 RF전력을 적용하는 단계를 포함하는 프로세스에 의해 발생되는 시스템.
  18. 처리 플라즈마에 노출된 탄소 함유층을 포함하는 기판.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 탄화실리콘을 포함하는 시스템.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 처리 플라즈마로 상기 탄소 함유층의 노출은 상기 탄소 함유층의 증착과 인시튜 상태에서 일어나는 기판.
  21. 제 18항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 He 플라즈마를 포함하는 기판.
  22. 제 18항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 N2O 플라즈마를 포함하는 기판.
  23. 제 18항에 있어서, 상기 처리 플라즈마는 가스를 100 내지 4000 sccm 유량으로 프로세싱 챔버로 흐려보내고, 1내지 12 토르 사이의 챔버 압력을 유지하고, 0.108 내지 1.705W/cm2( 0.7 내지 11 W/in2)의 전력 밀도를 가진 챔버에 RF전력을 적용하는 단계를 포함하는 프로세스에 의해 발생되는 기판.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101044611B1 (ko) * 2004-06-25 2011-06-29 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

Families Citing this family (552)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6251770B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-26 Lam Research Corp. Dual-damascene dielectric structures and methods for making the same
EP1243035B1 (en) * 1999-12-21 2016-03-02 Flexenable Limited Forming interconnects
EP1183724A1 (en) 2000-03-13 2002-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of manufacturing a semiconductor device
US7892974B2 (en) * 2000-04-11 2011-02-22 Cree, Inc. Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits
US6794311B2 (en) * 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
TW535253B (en) * 2000-09-08 2003-06-01 Applied Materials Inc Plasma treatment of silicon carbide films
US6660646B1 (en) * 2000-09-21 2003-12-09 Northrop Grumman Corporation Method for plasma hardening photoresist in etching of semiconductor and superconductor films
JP4698813B2 (ja) * 2000-10-19 2011-06-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3643533B2 (ja) * 2000-12-27 2005-04-27 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US6489238B1 (en) 2001-08-21 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method to reduce photoresist contamination from silicon carbide films
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
KR100472031B1 (ko) * 2002-08-07 2005-03-10 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자 제조 방법
US6991959B2 (en) * 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
JP4066332B2 (ja) * 2002-10-10 2008-03-26 日本エー・エス・エム株式会社 シリコンカーバイド膜の製造方法
JP4882893B2 (ja) * 2002-10-30 2012-02-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP4338495B2 (ja) * 2002-10-30 2009-10-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 シリコンオキシカーバイド、半導体装置、および半導体装置の製造方法
US7485570B2 (en) 2002-10-30 2009-02-03 Fujitsu Limited Silicon oxycarbide, growth method of silicon oxycarbide layer, semiconductor device and manufacture method for semiconductor device
KR101106425B1 (ko) * 2002-12-13 2012-01-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 질소-비함유 유전성 반사방지 코팅부 및 하드마스크
US7592259B2 (en) * 2006-12-18 2009-09-22 Lam Research Corporation Methods and systems for barrier layer surface passivation
US7238393B2 (en) * 2003-02-13 2007-07-03 Asm Japan K.K. Method of forming silicon carbide films
US6913992B2 (en) * 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
DE10319136B4 (de) 2003-04-28 2008-06-12 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung einer Metallisierungsschicht mit einer mit Stickstoff angereicherten Barrierenschicht mit kleinem ε
US7138332B2 (en) 2003-07-09 2006-11-21 Asm Japan K.K. Method of forming silicon carbide films
US6849561B1 (en) * 2003-08-18 2005-02-01 Asm Japan K.K. Method of forming low-k films
CN100341121C (zh) * 2003-09-10 2007-10-03 台湾积体电路制造股份有限公司 介电层的改质方法与其在镶嵌式金属制程的应用
US20050059233A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-17 Ming-Tsong Wang Process for forming metal damascene structure to prevent dielectric layer peeling
US7132201B2 (en) * 2003-09-12 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Transparent amorphous carbon structure in semiconductor devices
US7129180B2 (en) * 2003-09-12 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Masking structure having multiple layers including an amorphous carbon layer
US20050062164A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for improving time dependent dielectric breakdown lifetimes
US6905909B2 (en) * 2003-10-22 2005-06-14 Lsi Logic Corporation Ultra low dielectric constant thin film
DE102004002908B4 (de) * 2004-01-20 2008-01-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements oder einer mikromechanischen Struktur
US7064078B2 (en) * 2004-01-30 2006-06-20 Applied Materials Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US20060051966A1 (en) * 2004-02-26 2006-03-09 Applied Materials, Inc. In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber
US7030041B2 (en) * 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
US7115508B2 (en) * 2004-04-02 2006-10-03 Applied-Materials, Inc. Oxide-like seasoning for dielectric low k films
US7253125B1 (en) 2004-04-16 2007-08-07 Novellus Systems, Inc. Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure
US7112541B2 (en) * 2004-05-06 2006-09-26 Applied Materials, Inc. In-situ oxide capping after CVD low k deposition
JP2005350652A (ja) * 2004-05-12 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 潤滑剤、ならびに磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法
US7253121B2 (en) * 2004-09-09 2007-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming IMD films
US20060084276A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Janet Yu Methods for surface treatment and structure formed therefrom
US9659769B1 (en) 2004-10-22 2017-05-23 Novellus Systems, Inc. Tensile dielectric films using UV curing
US7253123B2 (en) * 2005-01-10 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method for producing gate stack sidewall spacers
US8454750B1 (en) 2005-04-26 2013-06-04 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8889233B1 (en) 2005-04-26 2014-11-18 Novellus Systems, Inc. Method for reducing stress in porous dielectric films
US8980769B1 (en) 2005-04-26 2015-03-17 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US7273823B2 (en) * 2005-06-03 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Situ oxide cap layer development
JP5100032B2 (ja) * 2005-06-27 2012-12-19 ラピスセミコンダクタ株式会社 基板の表面改質方法及び半導体装置の製造方法
DE102005056262A1 (de) * 2005-11-25 2007-05-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung, Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelementes, Schichtanordnung und elektrisches Bauelement
DE602005015040D1 (de) * 2005-12-23 2009-07-30 Telecom Italia Spa Verfahren zur herstellung eines tintenstrahldruckkopfs
US20070218214A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Kuo-Chih Lai Method of improving adhesion property of dielectric layer and interconnect process
US20070231746A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Iordanoglou Dimitrios I Treating carbon containing layers in patterning stacks
US20080153311A1 (en) * 2006-06-28 2008-06-26 Deenesh Padhi Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage
US7867578B2 (en) * 2006-06-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage
US20080026579A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Kuo-Chih Lai Copper damascene process
US20100267231A1 (en) * 2006-10-30 2010-10-21 Van Schravendijk Bart Apparatus for uv damage repair of low k films prior to copper barrier deposition
US8465991B2 (en) 2006-10-30 2013-06-18 Novellus Systems, Inc. Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment
US10037905B2 (en) * 2009-11-12 2018-07-31 Novellus Systems, Inc. UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing
US7851232B2 (en) * 2006-10-30 2010-12-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing
CN101528976B (zh) * 2006-11-02 2011-04-20 旭硝子株式会社 乙烯-四氟乙烯类共聚物成形品及其制造方法
US8211510B1 (en) 2007-08-31 2012-07-03 Novellus Systems, Inc. Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films
US20090115060A1 (en) 2007-11-01 2009-05-07 Infineon Technologies Ag Integrated circuit device and method
EP2072636B1 (en) * 2007-12-21 2016-08-31 Sandvik Intellectual Property AB Method of making a coated cutting tool
US20090158999A1 (en) * 2007-12-24 2009-06-25 Qimonda Ag Manufacturing method for an integrated circuit comprising a multi-layer stack, corresponding integrated circuit and multi-layer mask
US9050623B1 (en) 2008-09-12 2015-06-09 Novellus Systems, Inc. Progressive UV cure
KR101015534B1 (ko) * 2008-10-15 2011-02-16 주식회사 동부하이텍 저유전 상수를 갖는 절연막 및 이를 이용한 에어갭 제조 방법
US20100104770A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Asm Japan K.K. Two-step formation of hydrocarbon-based polymer film
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
WO2010090788A2 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Uchicago Argonne, Llc Plasma treatment of carbon-based materials and coatings for improved friction and wear properties
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US7842622B1 (en) * 2009-05-15 2010-11-30 Asm Japan K.K. Method of forming highly conformal amorphous carbon layer
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8361906B2 (en) 2010-05-20 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Ultra high selectivity ashable hard mask film
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US9662677B2 (en) 2010-09-15 2017-05-30 Abbott Laboratories Drug-coated balloon with location-specific plasma treatment
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
CN102738062B (zh) * 2011-04-01 2014-06-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 制作半导体器件的方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9236243B2 (en) 2014-01-09 2016-01-12 Stmicroelectronics Pte Ltd Method for making semiconductor devices including reactant treatment of residual surface portion
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9847221B1 (en) 2016-09-29 2017-12-19 Lam Research Corporation Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
CN107887323B (zh) * 2016-09-30 2020-06-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 互连结构及其制造方法
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11195748B2 (en) 2017-09-27 2021-12-07 Invensas Corporation Interconnect structures and methods for forming same
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
PL3680029T3 (pl) * 2019-01-09 2023-07-24 Europlasma Nv Metoda polimeryzacji plazmowej do powlekania polimerowego substratu
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
CH716104A1 (fr) * 2019-04-18 2020-10-30 Sy&Se Sa Procédé d'amélioration de l'adhérence d'une couche sur un substrat.
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1147014A (en) * 1967-01-27 1969-04-02 Westinghouse Electric Corp Improvements in diffusion masking
US4028155A (en) * 1974-02-28 1977-06-07 Lfe Corporation Process and material for manufacturing thin film integrated circuits
JPS55158275A (en) 1979-05-28 1980-12-09 Hitachi Ltd Corrosion preventing method for al and al alloy
US4262631A (en) 1979-10-01 1981-04-21 Kubacki Ronald M Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge
US4361638A (en) * 1979-10-30 1982-11-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrophotographic element with alpha -Si and C material doped with H and F and process for producing the same
US4289798A (en) * 1980-04-14 1981-09-15 Armstrong World Industries, Inc. Method for reducing surface gloss
US4510178A (en) 1981-06-30 1985-04-09 Motorola, Inc. Thin film resistor material and method
JPS59128281A (ja) 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
US4420386A (en) 1983-04-22 1983-12-13 White Engineering Corporation Method for pure ion plating using magnetic fields
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4557943A (en) 1983-10-31 1985-12-10 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Metal-silicide deposition using plasma-enhanced chemical vapor deposition
DE3574997D1 (de) 1984-03-03 1990-02-01 Stc Plc Pulsierendes plasmaverfahren.
JPH07111957B2 (ja) 1984-03-28 1995-11-29 圭弘 浜川 半導体の製法
US4678679A (en) * 1984-06-25 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous deposition of activated process gases
US4759947A (en) 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
JPH0642482B2 (ja) * 1984-11-15 1994-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US4797527A (en) * 1985-02-06 1989-01-10 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Electrode for electric discharge machining and method for producing the same
JPS61210179A (ja) 1985-03-13 1986-09-18 Shin Etsu Chem Co Ltd ミクロト−ム用コ−ティング刃の製造方法
US4711698A (en) 1985-07-15 1987-12-08 Texas Instruments Incorporated Silicon oxide thin film etching process
JPS62158859A (ja) 1986-01-07 1987-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 前処理方法
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4872947A (en) 1986-12-19 1989-10-10 Applied Materials, Inc. CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process
US4895734A (en) * 1987-03-31 1990-01-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for forming insulating film used in thin film electroluminescent device
US5248636A (en) 1987-07-16 1993-09-28 Texas Instruments Incorporated Processing method using both a remotely generated plasma and an in-situ plasma with UV irradiation
US5121706A (en) 1987-10-16 1992-06-16 The Curators Of The University Of Missouri Apparatus for applying a composite insulative coating to a substrate
DE3800712A1 (de) * 1988-01-13 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Verfahren zur plasmaaktivierten reaktiven abscheidung von elektrisch leitendem mehrkomponentenmaterial aus einer gasphase
JPH01246116A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Natl Inst For Res In Inorg Mater 針状，繊維状，多孔質状ダイヤモンドまたはそれらの集合体の製造法
US4994410A (en) 1988-04-04 1991-02-19 Motorola, Inc. Method for device metallization by forming a contact plug and interconnect using a silicide/nitride process
JPH02114530A (ja) * 1988-10-25 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
CA2002213C (en) * 1988-11-10 1999-03-30 Iwona Turlik High performance integrated circuit chip package and method of making same
GB8827933D0 (en) * 1988-11-30 1989-01-05 Plessey Co Plc Improvements relating to soldering processes
DE3907857C1 (en) 1989-03-10 1990-05-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De Method for preparing a layer of amorphous silicon carbide
US5011706A (en) * 1989-04-12 1991-04-30 Dow Corning Corporation Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide
US5232872A (en) * 1989-05-09 1993-08-03 Fujitsu Limited Method for manufacturing semiconductor device
US5270267A (en) * 1989-05-31 1993-12-14 Mitel Corporation Curing and passivation of spin on glasses by a plasma process wherein an external polarization field is applied to the substrate
JPH03105974A (ja) * 1989-09-19 1991-05-02 Kobe Steel Ltd 多結晶ダイヤ薄膜合成によるシヨツトキー・ダイオードの製作法
US5043299B1 (en) * 1989-12-01 1997-02-25 Applied Materials Inc Process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer
US4980196A (en) 1990-02-14 1990-12-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of coating steel substrate using low temperature plasma processes and priming
EP0445319B1 (en) * 1990-03-05 1995-11-08 International Business Machines Corporation Process for fabricating silicon carbide films with a predetermined stress
EP0449117A3 (en) * 1990-03-23 1992-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic polymer and preparation and use thereof
KR100228259B1 (ko) * 1990-10-24 1999-11-01 고지마 마따오 박막의 형성방법 및 반도체장치
US5401613A (en) * 1990-12-13 1995-03-28 Brewer Science Method of manufacturing microelectronic devices having multifunctional photolithographic layers
US5232871A (en) * 1990-12-27 1993-08-03 Intel Corporation Method for forming a titanium nitride barrier layer
JP3000717B2 (ja) 1991-04-26 2000-01-17 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JPH06101462B2 (ja) * 1991-04-30 1994-12-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 過フッ化炭化水素ポリマ膜を基板に接着する方法および 基板
JPH05308107A (ja) * 1991-07-01 1993-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及びその製作方法
US5238866A (en) 1991-09-11 1993-08-24 GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating
US5472829A (en) * 1991-12-30 1995-12-05 Sony Corporation Method of forming a resist pattern by using an anti-reflective layer
JP2953349B2 (ja) * 1991-12-30 1999-09-27 ソニー株式会社 レジストパターン形成方法、反射防止膜形成方法、反射防止膜および半導体装置
US5472827A (en) * 1991-12-30 1995-12-05 Sony Corporation Method of forming a resist pattern using an anti-reflective layer
US5419783A (en) * 1992-03-26 1995-05-30 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device and manufacturing method therefor
DE69221152T2 (de) * 1992-05-15 1998-02-19 Shinetsu Quartz Prod Vertikale wärmebehandlungsvorrichtung und wärmeisolationsmaterial
DE69322907T2 (de) * 1992-07-24 1999-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetischer Aufzeichnungsträger und sein Herstellungsverfahren
JP2885616B2 (ja) * 1992-07-31 1999-04-26 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
WO1994004716A1 (en) * 1992-08-14 1994-03-03 Hughes Aircraft Company Surface preparation and deposition method for titanium nitride onto carbonaceous materials
JPH0689880A (ja) 1992-09-08 1994-03-29 Tokyo Electron Ltd エッチング装置
JPH06120152A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Nippondenso Co Ltd 水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法
JP2734915B2 (ja) * 1992-11-18 1998-04-02 株式会社デンソー 半導体のドライエッチング方法
JPH07105441B2 (ja) 1992-11-30 1995-11-13 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5409543A (en) * 1992-12-22 1995-04-25 Sandia Corporation Dry soldering with hot filament produced atomic hydrogen
KR970001883B1 (ko) 1992-12-30 1997-02-18 삼성전자 주식회사 반도체장치 및 그 제조방법
JPH0763105B2 (ja) 1993-02-12 1995-07-05 日本電気株式会社 印刷配線板の製造方法
JP3422515B2 (ja) * 1993-03-08 2003-06-30 東海カーボン株式会社 炭素質基材の耐酸化性被膜形成法
US5695568A (en) * 1993-04-05 1997-12-09 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
US5360491A (en) 1993-04-07 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy β-silicon carbide protective coating and method for fabricating same
US5627105A (en) * 1993-04-08 1997-05-06 Varian Associates, Inc. Plasma etch process and TiSix layers made using the process
JPH07142416A (ja) 1993-06-21 1995-06-02 Applied Materials Inc 改良された界面を有する層のプラズマ化学蒸着法
US5465680A (en) 1993-07-01 1995-11-14 Dow Corning Corporation Method of forming crystalline silicon carbide coatings
US5468978A (en) 1993-07-07 1995-11-21 Dowben; Peter A. Forming B1-x Cx semiconductor devices by chemical vapor deposition
FR2707673B1 (fr) 1993-07-16 1995-08-18 Trefimetaux Procédé de métallisation de substrats non-conducteurs.
KR0141659B1 (ko) * 1993-07-19 1998-07-15 가나이 쓰토무 이물제거 방법 및 장치
KR970007116B1 (ko) * 1993-08-31 1997-05-02 삼성전자 주식회사 반도체장치의 절연층 형성방법 및 그 형성장치
US5427621A (en) * 1993-10-29 1995-06-27 Applied Materials, Inc. Method for removing particulate contaminants by magnetic field spiking
JPH07202186A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US5451263A (en) 1994-02-03 1995-09-19 Harris Corporation Plasma cleaning method for improved ink brand permanency on IC packages with metallic parts
JPH10500451A (ja) 1994-05-20 1998-01-13 ヴィディア ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 工具、この工具の製法及び製造装置及びこの工具の使用
WO1995034092A1 (en) * 1994-06-03 1995-12-14 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
EP0689233B1 (en) * 1994-06-24 2008-10-15 Sumitomo Electric Industries, Limited Wafer and method of producing same
JP3326974B2 (ja) * 1994-07-28 2002-09-24 ソニー株式会社 多層配線の形成方法および半導体装置の製造方法
US5736002A (en) * 1994-08-22 1998-04-07 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Methods and equipment for anisotropic, patterned conversion of copper into selectively removable compounds and for removal of same
DE69531980T2 (de) * 1994-08-23 2004-07-29 At & T Corp. Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht
US5565084A (en) 1994-10-11 1996-10-15 Qnix Computer Co., Ltd. Electropolishing methods for etching substrate in self alignment
US5607542A (en) * 1994-11-01 1997-03-04 Applied Materials Inc. Inductively enhanced reactive ion etching
US5576071A (en) * 1994-11-08 1996-11-19 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
JPH08186085A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5818071A (en) * 1995-02-02 1998-10-06 Dow Corning Corporation Silicon carbide metal diffusion barrier layer
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
US5545592A (en) 1995-02-24 1996-08-13 Advanced Micro Devices, Inc. Nitrogen treatment for metal-silicide contact
US5458927A (en) * 1995-03-08 1995-10-17 General Motors Corporation Process for the formation of wear- and scuff-resistant carbon coatings
US5710067A (en) * 1995-06-07 1998-01-20 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon oxime film
US5623160A (en) 1995-09-14 1997-04-22 Liberkowski; Janusz B. Signal-routing or interconnect substrate, structure and apparatus
US5789776A (en) 1995-09-22 1998-08-04 Nvx Corporation Single poly memory cell and array
US5795648A (en) * 1995-10-03 1998-08-18 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method for preserving precision edges using diamond-like nanocomposite film coatings
US5877087A (en) * 1995-11-21 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
JPH09237785A (ja) 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US5652166A (en) * 1996-01-11 1997-07-29 United Microelectronics Corporation Process for fabricating dual-gate CMOS having in-situ nitrogen-doped polysilicon by rapid thermal chemical vapor deposition
JP3530667B2 (ja) * 1996-01-19 2004-05-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体およびその製造方法
US5660682A (en) * 1996-03-14 1997-08-26 Lsi Logic Corporation Plasma clean with hydrogen gas
US5741626A (en) * 1996-04-15 1998-04-21 Motorola, Inc. Method for forming a dielectric tantalum nitride layer as an anti-reflective coating (ARC)
US5821603A (en) 1996-05-29 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Method for depositing double nitride layer in semiconductor processing
US5780163A (en) 1996-06-05 1998-07-14 Dow Corning Corporation Multilayer coating for microelectronic devices
US5869396A (en) * 1996-07-15 1999-02-09 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for forming a polycide gate electrode
US5790365A (en) 1996-07-31 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
US5922418A (en) * 1996-08-15 1999-07-13 Citizen Watch Co., Ltd. Method of forming a DLC film over the inner surface of guide bush
US5801098A (en) 1996-09-03 1998-09-01 Motorola, Inc. Method of decreasing resistivity in an electrically conductive layer
US5711987A (en) * 1996-10-04 1998-01-27 Dow Corning Corporation Electronic coatings
US5730792A (en) * 1996-10-04 1998-03-24 Dow Corning Corporation Opaque ceramic coatings
US5776235A (en) * 1996-10-04 1998-07-07 Dow Corning Corporation Thick opaque ceramic coatings
US5827785A (en) 1996-10-24 1998-10-27 Applied Materials, Inc. Method for improving film stability of fluorosilicate glass films
US5800878A (en) 1996-10-24 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Reducing hydrogen concentration in pecvd amorphous silicon carbide films
US5779807A (en) * 1996-10-29 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing particulates from semiconductor substrates in plasma processing chambers
US6028012A (en) * 1996-12-04 2000-02-22 Yale University Process for forming a gate-quality insulating layer on a silicon carbide substrate
JP4142753B2 (ja) * 1996-12-26 2008-09-03 株式会社東芝 スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法
US5834371A (en) 1997-01-31 1998-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof
US5789316A (en) 1997-03-10 1998-08-04 Vanguard International Semiconductor Corporation Self-aligned method for forming a narrow via
US5817579A (en) 1997-04-09 1998-10-06 Vanguard International Semiconductor Corporation Two step plasma etch method for forming self aligned contact
FR2765398B1 (fr) * 1997-06-25 1999-07-30 Commissariat Energie Atomique Structure a composant microelectronique en materiau semi-conducteur difficile a graver et a trous metallises
US5972179A (en) * 1997-09-30 1999-10-26 Lucent Technologies Inc. Silicon IC contacts using composite TiN barrier layer
US6340435B1 (en) * 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US5840957A (en) * 1998-03-16 1998-11-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transesterification process using lanthanum compound catalyst
US6547934B2 (en) * 1998-05-18 2003-04-15 Applied Materials, Inc. Reduction of metal oxide in a dual frequency etch chamber
US6054206A (en) * 1998-06-22 2000-04-25 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films
JP3248492B2 (ja) * 1998-08-14 2002-01-21 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6635583B2 (en) * 1998-10-01 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposition for use as a low-dielectric constant anti-reflective coating
US20030089992A1 (en) * 1998-10-01 2003-05-15 Sudha Rathi Silicon carbide deposition for use as a barrier layer and an etch stop
US6974766B1 (en) * 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6355571B1 (en) * 1998-11-17 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device
US6251775B1 (en) * 1999-04-23 2001-06-26 International Business Machines Corporation Self-aligned copper silicide formation for improved adhesion/electromigration
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
DE69940114D1 (de) * 1999-08-17 2009-01-29 Applied Materials Inc Oberflächenbehandlung von kohlenstoffdotierten SiO2-Filmen zur Erhöhung der Stabilität während der O2-Veraschung
EP1077274A1 (en) * 1999-08-17 2001-02-21 Applied Materials, Inc. Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-k dielectric using tri methylsilane-ozone based processes
US6875687B1 (en) * 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6399489B1 (en) * 1999-11-01 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Barrier layer deposition using HDP-CVD
US6403464B1 (en) * 1999-11-03 2002-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to reduce the moisture content in an organic low dielectric constant material
US6373076B1 (en) * 1999-12-07 2002-04-16 Philips Electronics North America Corporation Passivated silicon carbide devices with low leakage current and method of fabricating
US6576546B2 (en) * 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
US6676800B1 (en) * 2000-03-15 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Particle contamination cleaning from substrates using plasmas, reactive gases, and mechanical agitation
US6794311B2 (en) * 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
US6764958B1 (en) * 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6365527B1 (en) * 2000-10-06 2002-04-02 United Microelectronics Corp. Method for depositing silicon carbide in semiconductor devices
US6335274B1 (en) * 2000-11-17 2002-01-01 Macronix International Co., Ltd. Method for forming a high-RI oxide film to reduce fluorine diffusion in HDP FSG process
US6528432B1 (en) * 2000-12-05 2003-03-04 Advanced Micro Devices, Inc. H2-or H2/N2-plasma treatment to prevent organic ILD degradation
US6407013B1 (en) * 2001-01-16 2002-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Soft plasma oxidizing plasma method for forming carbon doped silicon containing dielectric layer with enhanced adhesive properties
US6514850B2 (en) * 2001-01-31 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Interface with dielectric layer and method of making
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6709721B2 (en) * 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
US6777171B2 (en) * 2001-04-20 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Fluorine-containing layers for damascene structures
US6506692B2 (en) * 2001-05-30 2003-01-14 Intel Corporation Method of making a semiconductor device using a silicon carbide hard mask
US6930056B1 (en) * 2001-06-19 2005-08-16 Lsi Logic Corporation Plasma treatment of low dielectric constant dielectric material to form structures useful in formation of metal interconnects and/or filled vias for integrated circuit structure
US6759327B2 (en) * 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US6528423B1 (en) * 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
US7091137B2 (en) * 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US6838393B2 (en) * 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US6890850B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US7749563B2 (en) * 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
JP4066332B2 (ja) * 2002-10-10 2008-03-26 日本エー・エス・エム株式会社 シリコンカーバイド膜の製造方法
US6991959B2 (en) * 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
US6797643B2 (en) * 2002-10-23 2004-09-28 Applied Materials Inc. Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power
US6939800B1 (en) * 2002-12-16 2005-09-06 Lsi Logic Corporation Dielectric barrier films for use as copper barrier layers in semiconductor trench and via structures
US7132369B2 (en) * 2002-12-31 2006-11-07 Applied Materials, Inc. Method of forming a low-K dual damascene interconnect structure
US6790788B2 (en) * 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
US20040166692A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Loboda Mark Jon Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
DE10319136B4 (de) * 2003-04-28 2008-06-12 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung einer Metallisierungsschicht mit einer mit Stickstoff angereicherten Barrierenschicht mit kleinem ε
US6849561B1 (en) * 2003-08-18 2005-02-01 Asm Japan K.K. Method of forming low-k films
US7067437B2 (en) * 2003-09-12 2006-06-27 International Business Machines Corporation Structures with improved interfacial strength of SiCOH dielectrics and method for preparing the same
US6905909B2 (en) * 2003-10-22 2005-06-14 Lsi Logic Corporation Ultra low dielectric constant thin film
US7144828B2 (en) * 2004-01-30 2006-12-05 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. He treatment to improve low-k adhesion property
US7052932B2 (en) * 2004-02-24 2006-05-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Oxygen doped SiC for Cu barrier and etch stop layer in dual damascene fabrication
US7030041B2 (en) * 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101044611B1 (ko) * 2004-06-25 2011-06-29 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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