JPH07142416A - 改良された界面を有する層のプラズマ化学蒸着法 - Google Patents
改良された界面を有する層のプラズマ化学蒸着法Info
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- JPH07142416A JPH07142416A JP6137629A JP13762994A JPH07142416A JP H07142416 A JPH07142416 A JP H07142416A JP 6137629 A JP6137629 A JP 6137629A JP 13762994 A JP13762994 A JP 13762994A JP H07142416 A JPH07142416 A JP H07142416A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、表面とその表面上に堆積される層
との間の界面を改善する方法に関する。 【構成】 その表面は、対象物の表面であってもよい
し、又は対象物上に堆積された層の表面であってもよ
い。その表面は、その表面に悪影響を及ぼさず、且つそ
の上に層を堆積しない不活性なガスのプラズマにさらさ
れる。それから、その表面は、堆積ガスを分解せしめ、
その表面上に層を堆積せしめる堆積ガスのプラズマにさ
らされる。
との間の界面を改善する方法に関する。 【構成】 その表面は、対象物の表面であってもよい
し、又は対象物上に堆積された層の表面であってもよ
い。その表面は、その表面に悪影響を及ぼさず、且つそ
の上に層を堆積しない不活性なガスのプラズマにさらさ
れる。それから、その表面は、堆積ガスを分解せしめ、
その表面上に層を堆積せしめる堆積ガスのプラズマにさ
らされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）によって形成された層間の界面（ｉｎｔｅｒｆａ
ｃｅ）を改善する方法に関し、特に、デバイス（ｄｅｖ
ｉｃｅ）とその上にプラズマＣＶＤによって堆積された
層との間の界面を改善するためにコーティングされたデ
バイスを処理する方法に関する。
ＶＤ）によって形成された層間の界面（ｉｎｔｅｒｆａ
ｃｅ）を改善する方法に関し、特に、デバイス（ｄｅｖ
ｉｃｅ）とその上にプラズマＣＶＤによって堆積された
層との間の界面を改善するためにコーティングされたデ
バイスを処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】プラズ
マ化学蒸着（ＣＶＤ）は、対象物（基板）（ｂｏｄｙ
（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ））上に種々の材料の層を堆積す
るために使用される方法であり、特に、ガラスや半導体
対象物のような絶縁体（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｂｏｄ
ｙ）上に形成される半導体デバイス及びそれに類いする
ものの製造の際に使用される。プラズマＣＶＤにおいて
は、対象物は、一対の間隔をおいた（ｓｐａｃｅｄ）電
極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）を含む堆積チャンバ（ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ）内に置かれる。そ
の対象物は、一般に、電極の一つとしても働くことので
きるサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）上に搭載される。
堆積ガス（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｇａｓ）の流れが、
その堆積チャンバに供給される。周波数電圧（ｒａｄｉ
ｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ （ｒｆ） ｖｏｌｔａｇｅ）
が、その電極間に印加される。それは、堆積ガス内にプ
ラズマを形成せしめるに充分なｒｆパワーを有する。そ
のプラズマは、堆積ガスを分解せしめ、対象物上に所望
の材料の層を堆積せしめる。第１の層の上に、追加の層
を堆積することができるが、それは堆積されるべき追加
の層の材料を含んだ堆積ガスの流れを、堆積チャンバ内
に供給することによりなされる。各堆積ガスはプラズマ
にさらされ（ｓｕｂｊｅｃｔｅｄ）、その結果所望の材
料の層が堆積される。
マ化学蒸着（ＣＶＤ）は、対象物（基板）（ｂｏｄｙ
（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ））上に種々の材料の層を堆積す
るために使用される方法であり、特に、ガラスや半導体
対象物のような絶縁体（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｂｏｄ
ｙ）上に形成される半導体デバイス及びそれに類いする
ものの製造の際に使用される。プラズマＣＶＤにおいて
は、対象物は、一対の間隔をおいた（ｓｐａｃｅｄ）電
極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）を含む堆積チャンバ（ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ）内に置かれる。そ
の対象物は、一般に、電極の一つとしても働くことので
きるサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）上に搭載される。
堆積ガス（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｇａｓ）の流れが、
その堆積チャンバに供給される。周波数電圧（ｒａｄｉ
ｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ （ｒｆ） ｖｏｌｔａｇｅ）
が、その電極間に印加される。それは、堆積ガス内にプ
ラズマを形成せしめるに充分なｒｆパワーを有する。そ
のプラズマは、堆積ガスを分解せしめ、対象物上に所望
の材料の層を堆積せしめる。第１の層の上に、追加の層
を堆積することができるが、それは堆積されるべき追加
の層の材料を含んだ堆積ガスの流れを、堆積チャンバ内
に供給することによりなされる。各堆積ガスはプラズマ
にさらされ（ｓｕｂｊｅｃｔｅｄ）、その結果所望の材
料の層が堆積される。
【０００３】この方法で持ち上がっている問題は、堆積
された層と対象物との間の、又は隣接した堆積層同士の
間の界面が劣悪（ｐｏｏｒ）であるという傾向があるこ
とである。そのような劣悪な界面は、堆積した層とその
層が堆積している対象物又は先の層との間の劣悪な接着
という結果を招き得る。その結果として、デバイス性能
が劣悪となる。一般的に、その劣悪な界面は、堆積され
た層が曇った外観を有すること及び／又はその中にあぶ
く（ｂｕｂｂｌｅｓ）が形成されていることにより識別
できる。その劣悪な界面は、例えば微粒子や望ましくな
い種類のガスのような、コーティングされた表面上の汚
染物（ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔｓ）、又はフィルムのバ
ルク特性（ｂｕｌｋ ｆｉｌｍ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ）と比較して界面におけるフィルムの特性が異なるこ
との結果であると信じられている。それ故、堆積された
層とそれが堆積された対象物又は層との間の界面を改善
することができ、それらの間の接着（ａｄｈｅｓｉｏ
ｎ）を改善することが望まれる。
された層と対象物との間の、又は隣接した堆積層同士の
間の界面が劣悪（ｐｏｏｒ）であるという傾向があるこ
とである。そのような劣悪な界面は、堆積した層とその
層が堆積している対象物又は先の層との間の劣悪な接着
という結果を招き得る。その結果として、デバイス性能
が劣悪となる。一般的に、その劣悪な界面は、堆積され
た層が曇った外観を有すること及び／又はその中にあぶ
く（ｂｕｂｂｌｅｓ）が形成されていることにより識別
できる。その劣悪な界面は、例えば微粒子や望ましくな
い種類のガスのような、コーティングされた表面上の汚
染物（ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔｓ）、又はフィルムのバ
ルク特性（ｂｕｌｋ ｆｉｌｍ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ）と比較して界面におけるフィルムの特性が異なるこ
との結果であると信じられている。それ故、堆積された
層とそれが堆積された対象物又は層との間の界面を改善
することができ、それらの間の接着（ａｄｈｅｓｉｏ
ｎ）を改善することが望まれる。
【０００４】
【課題を解決するための手段と作用】本発明は、ある表
面とその上にプラズマ化学蒸着によって堆積される層と
の間の界面を改善する方法に関するものであり、そのプ
ラズマ化学蒸着においては、堆積されるべき層の材料を
含んだ堆積ガスのプラズマにその表面がさらされる。プ
ラズマは、堆積ガスを化学的に反応させ、材料を対象物
上に堆積させる。堆積層と表面との間の界面を改善する
ためには、その表面に層を堆積するに先立って、その表
面は不活性な（ｉｎａｃｔｉｖｅ）ガスのプラズマにさ
らされる（ｓｕｂｊｅｃｔｅｄ）。そのガスは、その表
面に悪い影響を与えず、又その表面に材料の層を堆積し
ないものとする。その表面は、対象物のものであっても
よいし、又はその対象物に堆積されたもう一つの層のも
のであってもよい。
面とその上にプラズマ化学蒸着によって堆積される層と
の間の界面を改善する方法に関するものであり、そのプ
ラズマ化学蒸着においては、堆積されるべき層の材料を
含んだ堆積ガスのプラズマにその表面がさらされる。プ
ラズマは、堆積ガスを化学的に反応させ、材料を対象物
上に堆積させる。堆積層と表面との間の界面を改善する
ためには、その表面に層を堆積するに先立って、その表
面は不活性な（ｉｎａｃｔｉｖｅ）ガスのプラズマにさ
らされる（ｓｕｂｊｅｃｔｅｄ）。そのガスは、その表
面に悪い影響を与えず、又その表面に材料の層を堆積し
ないものとする。その表面は、対象物のものであっても
よいし、又はその対象物に堆積されたもう一つの層のも
のであってもよい。
【０００５】別の側面から見ると、本発明は、対象物の
表面に少なくとも一つの層を堆積する方法に関するもの
である。その方法は、基板対象物を堆積チャンバ内に、
且つ電極から間隔をもって配置されたサセプタ上に置く
工程を含む。不活性なガスの流れがチャンバに供給され
るが、その不活性なガスは、その対象物に悪い影響をあ
たえない、又はその上に層を堆積しない材料を有する。
電極とサセプタとの間に、電圧が、不活性なガスの中で
プラズマを発生させるに充分なｒｆパワーで、印加され
る。対象物の表面は、不活性なガスのプラズマにさらさ
れる。それから、堆積ガスの流れがチャンバに供給さ
れ、ｒｆパワーが堆積ガスに印加され、プラズマを発生
させる。そしてそれは、堆積ガスに反応し、対象物上に
層を堆積する。
表面に少なくとも一つの層を堆積する方法に関するもの
である。その方法は、基板対象物を堆積チャンバ内に、
且つ電極から間隔をもって配置されたサセプタ上に置く
工程を含む。不活性なガスの流れがチャンバに供給され
るが、その不活性なガスは、その対象物に悪い影響をあ
たえない、又はその上に層を堆積しない材料を有する。
電極とサセプタとの間に、電圧が、不活性なガスの中で
プラズマを発生させるに充分なｒｆパワーで、印加され
る。対象物の表面は、不活性なガスのプラズマにさらさ
れる。それから、堆積ガスの流れがチャンバに供給さ
れ、ｒｆパワーが堆積ガスに印加され、プラズマを発生
させる。そしてそれは、堆積ガスに反応し、対象物上に
層を堆積する。
【０００６】本発明は、以下のさらに詳細な説明と特許
請求の範囲と添付された図面から、さらによく理解でき
るであろう。
請求の範囲と添付された図面から、さらによく理解でき
るであろう。
【０００７】
【実施例】ガラス、珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ）又はその他
の半導体材料のようなものでできた対象物（基板）を、
プラズマＣＶＤによって１以上の層をもって、コーティ
ングする典型的な方法においては、その対象物は堆積チ
ャンバ内でサセプタ上に置かれる。堆積ガス又はガスの
混合物が堆積チャンバに流入し、電極とサセプタとの間
に電圧が印加される。ここで、この電極とサセプタは間
隔をおいて配置されている。その電圧は、充分なｒｆパ
ワー（ｒｆ ｐｏｗｅｒ）を堆積ガスに適用し、それは
堆積ガスの圧力において、そのガス中でプラズマを発生
する。プラズマはそのガスを反応させ、対象物の表面に
所望の層を堆積させる。典型的な実施例では、約０．１
５と０．８Ｗ／ｃｍ2 （ｗａｔｔｓ／ｃｍ2 ）の間のパ
ワーが堆積ガス中でのプラズマ形成に使用される。パワ
ーの総計は、プラズマを形成するために電圧が印加され
る電極の面積によって決まる。所望の一以上の層が基板
対象物に堆積された後に、その対象物はサセプタから持
ち上げられ、堆積チャンバから取り出される。
の半導体材料のようなものでできた対象物（基板）を、
プラズマＣＶＤによって１以上の層をもって、コーティ
ングする典型的な方法においては、その対象物は堆積チ
ャンバ内でサセプタ上に置かれる。堆積ガス又はガスの
混合物が堆積チャンバに流入し、電極とサセプタとの間
に電圧が印加される。ここで、この電極とサセプタは間
隔をおいて配置されている。その電圧は、充分なｒｆパ
ワー（ｒｆ ｐｏｗｅｒ）を堆積ガスに適用し、それは
堆積ガスの圧力において、そのガス中でプラズマを発生
する。プラズマはそのガスを反応させ、対象物の表面に
所望の層を堆積させる。典型的な実施例では、約０．１
５と０．８Ｗ／ｃｍ2 （ｗａｔｔｓ／ｃｍ2 ）の間のパ
ワーが堆積ガス中でのプラズマ形成に使用される。パワ
ーの総計は、プラズマを形成するために電圧が印加され
る電極の面積によって決まる。所望の一以上の層が基板
対象物に堆積された後に、その対象物はサセプタから持
ち上げられ、堆積チャンバから取り出される。
【０００８】本発明にしたがった方法では、上述した方
法を使って対象物上に層を堆積する前に、不活性なガス
の流れを堆積チャンバに与える。本発明の目的のために
は、不活性なガスは、対象物又はその上のコーティング
に悪い影響を及ぼさず、又追加のコーティング（一層ま
たはそれ以上の）が対象物上になされるという結果にな
らないように定められる。即ち、不活性なガスは、対象
物又はその上のコーティングと化学的に反応せず、又は
該ガスの物質を備える層を堆積しないように定められ
る。適したガスは、典型的には、水素（Ｈ2 ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2 ）及びアンモニア（ＮＨ3 ）を
含む。その不活性なガスにパワーが適用され、プラズマ
を形成せしめる。その不活性なガスに適用されるパワー
は、望ましくは、堆積ガス中でプラズマを形成するのに
使用されるものよりも少ない、即ち０．１５Ｗ／ｃｍ2
よりも少なく、望ましくは０．０３と０．１４Ｗ／ｃｍ
2 との間である。コーティングがされた対象物が不活性
なガスのプラズマにさらされる時間は、約２秒のような
短い時間であってもよいが、望ましくは５秒と１５秒の
間である。さらに長い時間も許容される。一旦、対象物
が不活性なガスのプラズマにさらされると、上述の態様
で、層が処理された対象物上に堆積される。望ましく
は、不活性なガスのプラズマは、パワーが高められ、堆
積ガスの流れが堆積チャンバ内に提供され、そのプラズ
マを堆積ガスのそれに変換する間、維持される。このよ
うにして、対象物は、不活性なガスから堆積ガスへの切
り換えの間、実質的に連続的にプラズマにさらされる。
法を使って対象物上に層を堆積する前に、不活性なガス
の流れを堆積チャンバに与える。本発明の目的のために
は、不活性なガスは、対象物又はその上のコーティング
に悪い影響を及ぼさず、又追加のコーティング（一層ま
たはそれ以上の）が対象物上になされるという結果にな
らないように定められる。即ち、不活性なガスは、対象
物又はその上のコーティングと化学的に反応せず、又は
該ガスの物質を備える層を堆積しないように定められ
る。適したガスは、典型的には、水素（Ｈ2 ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2 ）及びアンモニア（ＮＨ3 ）を
含む。その不活性なガスにパワーが適用され、プラズマ
を形成せしめる。その不活性なガスに適用されるパワー
は、望ましくは、堆積ガス中でプラズマを形成するのに
使用されるものよりも少ない、即ち０．１５Ｗ／ｃｍ2
よりも少なく、望ましくは０．０３と０．１４Ｗ／ｃｍ
2 との間である。コーティングがされた対象物が不活性
なガスのプラズマにさらされる時間は、約２秒のような
短い時間であってもよいが、望ましくは５秒と１５秒の
間である。さらに長い時間も許容される。一旦、対象物
が不活性なガスのプラズマにさらされると、上述の態様
で、層が処理された対象物上に堆積される。望ましく
は、不活性なガスのプラズマは、パワーが高められ、堆
積ガスの流れが堆積チャンバ内に提供され、そのプラズ
マを堆積ガスのそれに変換する間、維持される。このよ
うにして、対象物は、不活性なガスから堆積ガスへの切
り換えの間、実質的に連続的にプラズマにさらされる。
【０００９】層を処理された対象物上に堆積すると、そ
の層と対象物との間の界面が改善されて、その層と対象
物との間の付着が改善される、と言うことが分った。改
善された界面は、堆積された層に曇りが少なく（ｌｅｓ
ｓ ｈａｚｅ）泡（ｂｕｂｂｌｅｓ）が少ないことによ
り証明される。不活性ガスのプラズマに連続して堆積ガ
スのプラズマが続くのであるが、そのことが、表面上に
汚染物が溜まるのを防ぐ、と信じられる。その表面と
は、層と表面との間の界面を改善するためにコーティン
グされる表面である。１層又は複数の追加の層が、第１
の層の上に堆積される場合は、既に堆積していた層は、
追加の層を堆積するに先立って、不活性なガスのプラズ
マにさらされる。このことにより、追加の堆積層と先の
堆積層との間に改善された界面が提供される。上述のよ
うに、一つのガス及びパワーから別のそれらに切り換え
る間、堆積チャンバ内にプラズマを維持するのが好まし
い。不活性なガス中にプラズマを形成するためには、低
パワーを使用することが好ましい。それは、特にその表
面が別の層である場合において、コーティングされる表
面への損傷を防止するからである。
の層と対象物との間の界面が改善されて、その層と対象
物との間の付着が改善される、と言うことが分った。改
善された界面は、堆積された層に曇りが少なく（ｌｅｓ
ｓ ｈａｚｅ）泡（ｂｕｂｂｌｅｓ）が少ないことによ
り証明される。不活性ガスのプラズマに連続して堆積ガ
スのプラズマが続くのであるが、そのことが、表面上に
汚染物が溜まるのを防ぐ、と信じられる。その表面と
は、層と表面との間の界面を改善するためにコーティン
グされる表面である。１層又は複数の追加の層が、第１
の層の上に堆積される場合は、既に堆積していた層は、
追加の層を堆積するに先立って、不活性なガスのプラズ
マにさらされる。このことにより、追加の堆積層と先の
堆積層との間に改善された界面が提供される。上述のよ
うに、一つのガス及びパワーから別のそれらに切り換え
る間、堆積チャンバ内にプラズマを維持するのが好まし
い。不活性なガス中にプラズマを形成するためには、低
パワーを使用することが好ましい。それは、特にその表
面が別の層である場合において、コーティングされる表
面への損傷を防止するからである。
【００１０】ここで図面を参照すると、本発明による方
法が実行できるプラズマＣＶＤ装置１０が、線図による
断面図で示されている。装置１０は堆積チャンバ１２を
含んでいる。そのチャンバはそれを横切って上部壁１４
を有しており、その上部壁は貫通する開口部及びその開
口部内に第１の電極１６を有している。代りに、その上
部壁１４は、その内面又は外面に隣接した電極１６と固
着一体とすることができる。チャンバ１２の中には、第
１の電極１６に並行に広がる板の形態をもったサセプタ
１８がある。そのサセプタ１８は、典型的にはアルミニ
ューム製であり、酸化アルミニュームの層で覆われて
（ｃｏａｔｅｄ）いる。サセプタ１８は、接地され（ｃ
ｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ ｇｒｏｕｎｄ）、第２の電極
として働く。そのサセプタ１８は、堆積チャンバ１２の
下部壁２２を通して垂直に延長している軸２０の端部上
に搭載されている。軸２０は垂直方向に可動であり、サ
セプタ１８が第１の電極１６に向かう方向及び遠ざかる
方向に垂直に動くことができるようになっている。リフ
トオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）板２４が、サセプタ１８と
堆積チャンバ１２の下部壁２２との間で水平に、実質的
にサセプタ１８と並行に広がっている。リフトオフピン
２６は、リフトオフ板２４から上向きに垂直に突き出て
いる。リフトオフピン２６は、サセプタ１８の穴２８を
貫通して延びることができるような位置にあり、サセプ
タ１８の厚さより僅かに長い長さをもっている。リフト
オフピン２６は２本だけ示されているが、リフトオフ板
２４をぐるりと巡って間隔をもって配された、さらに多
くのリフトオフピン２６があってもよい。出口（ｏｕｔ
ｌｅｔ）管３０が、堆積チャンバ１２の側壁３２を貫通
して延びており、堆積チャンバ１２を排出する（ｅｖａ
ｃｕａｔｉｎｇ）ための手段（図示せず）に接続されて
いる。入口（ｉｎｌｅｔ）管３４も、堆積チャンバ１２
の外壁３２の別の部分を貫通して延びており、ガス切り
換えネットワーク（ｎｅｔｗｏｒｋ）（図示せず）を通
して、種々のガス源（図示せず）に接続されている。第
１の電極１６は、電源（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐｏｗ
ｅｒ ｓｏｕｒｃｅ）３６に接続されている。通常は、
対象物をロードロックドア（ｌｏａｄ−ｌｏｃｋ ｄｏ
ｏｒ）（図示せず）を通して、堆積チャンバ１２内に、
そしてサセプタ１８上に運び、又コーティングされた対
象物を堆積チャンバ１２から取り出すために、移送板
（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｐｌａｔｅ）（図示せず）が提供
される。
法が実行できるプラズマＣＶＤ装置１０が、線図による
断面図で示されている。装置１０は堆積チャンバ１２を
含んでいる。そのチャンバはそれを横切って上部壁１４
を有しており、その上部壁は貫通する開口部及びその開
口部内に第１の電極１６を有している。代りに、その上
部壁１４は、その内面又は外面に隣接した電極１６と固
着一体とすることができる。チャンバ１２の中には、第
１の電極１６に並行に広がる板の形態をもったサセプタ
１８がある。そのサセプタ１８は、典型的にはアルミニ
ューム製であり、酸化アルミニュームの層で覆われて
（ｃｏａｔｅｄ）いる。サセプタ１８は、接地され（ｃ
ｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ ｇｒｏｕｎｄ）、第２の電極
として働く。そのサセプタ１８は、堆積チャンバ１２の
下部壁２２を通して垂直に延長している軸２０の端部上
に搭載されている。軸２０は垂直方向に可動であり、サ
セプタ１８が第１の電極１６に向かう方向及び遠ざかる
方向に垂直に動くことができるようになっている。リフ
トオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）板２４が、サセプタ１８と
堆積チャンバ１２の下部壁２２との間で水平に、実質的
にサセプタ１８と並行に広がっている。リフトオフピン
２６は、リフトオフ板２４から上向きに垂直に突き出て
いる。リフトオフピン２６は、サセプタ１８の穴２８を
貫通して延びることができるような位置にあり、サセプ
タ１８の厚さより僅かに長い長さをもっている。リフト
オフピン２６は２本だけ示されているが、リフトオフ板
２４をぐるりと巡って間隔をもって配された、さらに多
くのリフトオフピン２６があってもよい。出口（ｏｕｔ
ｌｅｔ）管３０が、堆積チャンバ１２の側壁３２を貫通
して延びており、堆積チャンバ１２を排出する（ｅｖａ
ｃｕａｔｉｎｇ）ための手段（図示せず）に接続されて
いる。入口（ｉｎｌｅｔ）管３４も、堆積チャンバ１２
の外壁３２の別の部分を貫通して延びており、ガス切り
換えネットワーク（ｎｅｔｗｏｒｋ）（図示せず）を通
して、種々のガス源（図示せず）に接続されている。第
１の電極１６は、電源（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐｏｗ
ｅｒ ｓｏｕｒｃｅ）３６に接続されている。通常は、
対象物をロードロックドア（ｌｏａｄ−ｌｏｃｋ ｄｏ
ｏｒ）（図示せず）を通して、堆積チャンバ１２内に、
そしてサセプタ１８上に運び、又コーティングされた対
象物を堆積チャンバ１２から取り出すために、移送板
（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｐｌａｔｅ）（図示せず）が提供
される。
【００１１】堆積装置１０の稼働の際、対象物３８が堆
積チャンバ１２に供給され、移送板（図示せず）により
サセプタ１８の上に置かれる。その対象物３８は、サセ
プタ１８内の穴２８を越えて広がる大きさを有する。サ
セプタ１８は、軸２０を上方向に動かすことにより、
（図示されているように）リフトオフピン２６の上方に
位置づけられる。それによりリフトオフピン２６は、穴
２８を貫通しないようになり、又サセプタ１８と対象物
３８は、相対的に第１の電極１６に近付くことになる。
堆積チャンバ１２は、出口管３０を通して排出され、水
素、窒素、アルゴンあるいはアンモニアのような不活性
なガス（第１のガス）が、堆積チャンバ１２に供給され
る。堆積チャンバ１２内の圧力は、０．２と３．５トー
ル（Ｔｏｒｒ）の間に設定される。電源３６がオンにさ
れ（ｔｕｒｎｅｄ ｏｎ）、第１の電極１６とサセプタ
１８との間に、且つ不活性なガスを通して、ｒｆパワー
を供給する。そのパワーは、好ましくは、０．０３と
０．１４Ｗ／ｃｍ2 との間であり、その不活性（ｉｎｅ
ｒｔ）ガス中でプラズマを発生するに充分なものであ
る。ここで、総パワーは電極１６とサセプタ１８との間
の重なり合った面積に基づく。対象物３８は、少なくと
も２秒間好ましくは約１０秒間、その不活性なガスのプ
ラズマにさらされる。対象物３８が上述のような態様
で、不活性なガスのプラズマにさらされた後、電極１６
とサセプタ１８との間のパワーは、通常は０．１５と
０．８Ｗ／ｃｍ2 との間のレベルまで高められる。これ
により、不活性なガスのプラズマが維持される。そのあ
とで、堆積ガスが入口管３４を通して堆積チャンバ１２
に供給され、その不活性なガスと入れ替わる。堆積チャ
ンバ中の圧力は、約１．５トールに維持される。電極１
６とサセプタ１８の間のパワーは、その時堆積ガス中に
プラズマを発生するのに充分なものとなる。そのプラズ
マは、堆積ガスを分解し、対象物３８の表面に所望の材
料の層を堆積せしめる。このようにして、対象物３８
は、ガスが不活性なガスから堆積ガスに切り替えられる
間、連続的にプラズマにさらされる。
積チャンバ１２に供給され、移送板（図示せず）により
サセプタ１８の上に置かれる。その対象物３８は、サセ
プタ１８内の穴２８を越えて広がる大きさを有する。サ
セプタ１８は、軸２０を上方向に動かすことにより、
（図示されているように）リフトオフピン２６の上方に
位置づけられる。それによりリフトオフピン２６は、穴
２８を貫通しないようになり、又サセプタ１８と対象物
３８は、相対的に第１の電極１６に近付くことになる。
堆積チャンバ１２は、出口管３０を通して排出され、水
素、窒素、アルゴンあるいはアンモニアのような不活性
なガス（第１のガス）が、堆積チャンバ１２に供給され
る。堆積チャンバ１２内の圧力は、０．２と３．５トー
ル（Ｔｏｒｒ）の間に設定される。電源３６がオンにさ
れ（ｔｕｒｎｅｄ ｏｎ）、第１の電極１６とサセプタ
１８との間に、且つ不活性なガスを通して、ｒｆパワー
を供給する。そのパワーは、好ましくは、０．０３と
０．１４Ｗ／ｃｍ2 との間であり、その不活性（ｉｎｅ
ｒｔ）ガス中でプラズマを発生するに充分なものであ
る。ここで、総パワーは電極１６とサセプタ１８との間
の重なり合った面積に基づく。対象物３８は、少なくと
も２秒間好ましくは約１０秒間、その不活性なガスのプ
ラズマにさらされる。対象物３８が上述のような態様
で、不活性なガスのプラズマにさらされた後、電極１６
とサセプタ１８との間のパワーは、通常は０．１５と
０．８Ｗ／ｃｍ2 との間のレベルまで高められる。これ
により、不活性なガスのプラズマが維持される。そのあ
とで、堆積ガスが入口管３４を通して堆積チャンバ１２
に供給され、その不活性なガスと入れ替わる。堆積チャ
ンバ中の圧力は、約１．５トールに維持される。電極１
６とサセプタ１８の間のパワーは、その時堆積ガス中に
プラズマを発生するのに充分なものとなる。そのプラズ
マは、堆積ガスを分解し、対象物３８の表面に所望の材
料の層を堆積せしめる。このようにして、対象物３８
は、ガスが不活性なガスから堆積ガスに切り替えられる
間、連続的にプラズマにさらされる。
【００１２】堆積ガスの組成は、堆積されるべき材料に
よる。例えば、窒化珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉ
ｄｅ（Ｓｉ3 Ｎ4 ））を堆積するには、シラン（ｓｉｌ
ａｎｅ（ＳｉＨ4 ））、アンモニア（ＮＨ3 ）、及び窒
素（Ｎ2 ）の混合物を含む堆積ガスが使用される。非晶
質珪素（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）の層を
堆積するためには、シラン（ＳｉＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）
の混合物を含む堆積ガスが使用される。酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）を堆積するためには、シラン（ＳｉＨ4）亜酸化
窒素（ｎｉｔｒｏｕｓ ｏｘｉｄｅ（Ｎ2 Ｏ））の混合
物を含む堆積ガスが使用できる。堆積ガス混合物の中に
使用されるガスの一つは、しばしば、対象物３８の当初
の処理にも使用される不活性なガスである。そのような
場合は、当初処理の後で唯一必要なのは、不活性なガス
の流れに、所望の層の堆積を達成するために堆積ガスの
混合物を形成する、他のガスを追加することである。
よる。例えば、窒化珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉ
ｄｅ（Ｓｉ3 Ｎ4 ））を堆積するには、シラン（ｓｉｌ
ａｎｅ（ＳｉＨ4 ））、アンモニア（ＮＨ3 ）、及び窒
素（Ｎ2 ）の混合物を含む堆積ガスが使用される。非晶
質珪素（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）の層を
堆積するためには、シラン（ＳｉＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）
の混合物を含む堆積ガスが使用される。酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）を堆積するためには、シラン（ＳｉＨ4）亜酸化
窒素（ｎｉｔｒｏｕｓ ｏｘｉｄｅ（Ｎ2 Ｏ））の混合
物を含む堆積ガスが使用できる。堆積ガス混合物の中に
使用されるガスの一つは、しばしば、対象物３８の当初
の処理にも使用される不活性なガスである。そのような
場合は、当初処理の後で唯一必要なのは、不活性なガス
の流れに、所望の層の堆積を達成するために堆積ガスの
混合物を形成する、他のガスを追加することである。
【００１３】対象物３８に複数の層を堆積すべき場合
は、第１の層が堆積された後に、その第１の層はそれか
ら不活性なガスのプラズマにさらされる。これは、第１
の層を堆積する前に対象物３８を処理するための、上述
したのと同じ態様でなされる。それから、第２の層が、
第１の層に関して上で述べたのと同じ態様で、第１の層
の上に堆積される。何層であっても、続けて対象物３８
の上に堆積することができる。しかしながら、各層を堆
積する前に、先の層は不活性なガスのプラズマにさらさ
れる。あるガスからもう一つのガスに切り換える際に
は、即ち不活性なガスから堆積ガスへ、又は堆積ガスか
ら不活性なガスへ切り換える際には、プラズマを堆積チ
ャンバ内に維持するのが好ましい。対象物３８と各層の
処理は、堆積される層と対象物表面又は先に堆積された
層のいずれかとの間の界面を改善し、それらの間の付着
力を改善する。これらの改善は、くもりが少なく及び／
又は泡が少ない外観を有した層によって示される。
は、第１の層が堆積された後に、その第１の層はそれか
ら不活性なガスのプラズマにさらされる。これは、第１
の層を堆積する前に対象物３８を処理するための、上述
したのと同じ態様でなされる。それから、第２の層が、
第１の層に関して上で述べたのと同じ態様で、第１の層
の上に堆積される。何層であっても、続けて対象物３８
の上に堆積することができる。しかしながら、各層を堆
積する前に、先の層は不活性なガスのプラズマにさらさ
れる。あるガスからもう一つのガスに切り換える際に
は、即ち不活性なガスから堆積ガスへ、又は堆積ガスか
ら不活性なガスへ切り換える際には、プラズマを堆積チ
ャンバ内に維持するのが好ましい。対象物３８と各層の
処理は、堆積される層と対象物表面又は先に堆積された
層のいずれかとの間の界面を改善し、それらの間の付着
力を改善する。これらの改善は、くもりが少なく及び／
又は泡が少ない外観を有した層によって示される。
【００１４】最後の層が対象物３８の上に堆積された
後、軸２０が下方に動かされ、サセプタ１８とコーティ
ングされた対象物３８を第１の電極１６から遠ざけ、リ
フトオフ板２４に向かう方向に動かす。サセプタ１８が
リフトオフ板２４に到達すると、リフトオフピン２６
は、対象物３８の底面３８ａにぶつかるまで、穴２８を
通して伸延する。リフトオフピン２６はサセプタ１８の
厚さより長いので、リフトオフピン２６は対象物３８の
下方運動を止める。サセプタ１８がさらに下方に動く
と、対象物３８をサセプタ１８から引き離す。それか
ら、コーティングされた対象物３８は移送板（図示せ
ず）により拾い上げられ堆積チャンバ１２から取り出さ
れる。
後、軸２０が下方に動かされ、サセプタ１８とコーティ
ングされた対象物３８を第１の電極１６から遠ざけ、リ
フトオフ板２４に向かう方向に動かす。サセプタ１８が
リフトオフ板２４に到達すると、リフトオフピン２６
は、対象物３８の底面３８ａにぶつかるまで、穴２８を
通して伸延する。リフトオフピン２６はサセプタ１８の
厚さより長いので、リフトオフピン２６は対象物３８の
下方運動を止める。サセプタ１８がさらに下方に動く
と、対象物３８をサセプタ１８から引き離す。それか
ら、コーティングされた対象物３８は移送板（図示せ
ず）により拾い上げられ堆積チャンバ１２から取り出さ
れる。
【００１５】図に示された装置１０の典型的な実施例に
おいては、電極１６とサセプタ１８は各々３８×４８ｃ
ｍである。対象物３８であるガラス板は、堆積チャンバ
１２に移送され、サセプタ１８上に置かれた。サセプタ
１８は、サセプタ１８と電極１６との間の空間が９６２
ミル（ｍｉｌｓ）（２４ｍｍ）になるまで、上方に動か
された。水素ガスの流れが堆積チャンバに供給され、
０．８トールの圧力が達成された。電極１６に向けた電
源３６がオンにされ（ｔｕｒｎｅｄ ｏｎ）、３００Ｗ
のｒｆパワーが供給された。これにより、水素ガス中に
プラズマが創り出された。ガラス板は水素プラズマに１
０秒間さらされた。電極１６へのパワーは１２００Ｗま
で高められ、水素のプラズマを維持した。それから、水
素ガスの流れは、シラン、アンモニア及び窒素の混合物
を含む堆積ガスの流れに置き換えられ、１．５トールの
圧力が達成された。サセプタ１８は、電極１６から９６
２ミル （２４ｍｍ）の間隔に維持された。電極１６へ
のパワーは、堆積ガス混合物中でプラズマが得られると
いう結果になるのに充分であった。プラズマは、シラン
とアンモニアを反応させ、ガラス板の表面上に窒化珪素
の層を堆積させた。所望の厚さの窒化珪素の層が得られ
た後、堆積ガスの流れが止められ、パワーがオフにされ
（ｔｕｒｎｅｄ ｏｆｆ）、コーティングされたガラス
板が堆積チャンバ１２から取り出された。
おいては、電極１６とサセプタ１８は各々３８×４８ｃ
ｍである。対象物３８であるガラス板は、堆積チャンバ
１２に移送され、サセプタ１８上に置かれた。サセプタ
１８は、サセプタ１８と電極１６との間の空間が９６２
ミル（ｍｉｌｓ）（２４ｍｍ）になるまで、上方に動か
された。水素ガスの流れが堆積チャンバに供給され、
０．８トールの圧力が達成された。電極１６に向けた電
源３６がオンにされ（ｔｕｒｎｅｄ ｏｎ）、３００Ｗ
のｒｆパワーが供給された。これにより、水素ガス中に
プラズマが創り出された。ガラス板は水素プラズマに１
０秒間さらされた。電極１６へのパワーは１２００Ｗま
で高められ、水素のプラズマを維持した。それから、水
素ガスの流れは、シラン、アンモニア及び窒素の混合物
を含む堆積ガスの流れに置き換えられ、１．５トールの
圧力が達成された。サセプタ１８は、電極１６から９６
２ミル （２４ｍｍ）の間隔に維持された。電極１６へ
のパワーは、堆積ガス混合物中でプラズマが得られると
いう結果になるのに充分であった。プラズマは、シラン
とアンモニアを反応させ、ガラス板の表面上に窒化珪素
の層を堆積させた。所望の厚さの窒化珪素の層が得られ
た後、堆積ガスの流れが止められ、パワーがオフにされ
（ｔｕｒｎｅｄ ｏｆｆ）、コーティングされたガラス
板が堆積チャンバ１２から取り出された。
【００１６】図に示される装置１０の他の典型的な実施
例では、電極１６とサセプタ１８はやはり各々３８×４
８ｃｍである。対象物３８であるガラス板は、堆積チャ
ンバ１２に移送され、サセプタ１８上に置かれた。サセ
プタは、電極１６に向けて上方に動かされ、両者の間の
空間が９６２ミル（ｍｉｌｓ）（２４ｍｍ）になるに至
った。水素ガスの流れが堆積チャンバに供給され、０．
８トールの圧力が達成された。電源３６がオンにされ、
電極１６とサセプタとの間に２５０Ｗのパワーを得た。
その結果、水素ガス中にプラズマが形成された。ガラス
板は水素ガスのプラズマに１０秒間さらされた。
例では、電極１６とサセプタ１８はやはり各々３８×４
８ｃｍである。対象物３８であるガラス板は、堆積チャ
ンバ１２に移送され、サセプタ１８上に置かれた。サセ
プタは、電極１６に向けて上方に動かされ、両者の間の
空間が９６２ミル（ｍｉｌｓ）（２４ｍｍ）になるに至
った。水素ガスの流れが堆積チャンバに供給され、０．
８トールの圧力が達成された。電源３６がオンにされ、
電極１６とサセプタとの間に２５０Ｗのパワーを得た。
その結果、水素ガス中にプラズマが形成された。ガラス
板は水素ガスのプラズマに１０秒間さらされた。
【００１７】電極１６へのパワーは１２００Ｗまで高め
られ、水素のプラズマを維持した。それから、水素の流
れは、シラン、アンモニア及び窒素の混合物を含む堆積
ガスの流れに置き換えられた。堆積ガスの圧力は、１．
５トールに設定され、電極１６とサセプタ１８との間の
空間は、９６２ミル（２４ｍｍ）に維持された。電極１
６へのパワーは、堆積ガス中でプラズマの形成を得ると
いう結果になるのに充分であり、それは、堆積ガスを反
応させ、ガラス板の表面上に窒化珪素の層を堆積させ
た。
られ、水素のプラズマを維持した。それから、水素の流
れは、シラン、アンモニア及び窒素の混合物を含む堆積
ガスの流れに置き換えられた。堆積ガスの圧力は、１．
５トールに設定され、電極１６とサセプタ１８との間の
空間は、９６２ミル（２４ｍｍ）に維持された。電極１
６へのパワーは、堆積ガス中でプラズマの形成を得ると
いう結果になるのに充分であり、それは、堆積ガスを反
応させ、ガラス板の表面上に窒化珪素の層を堆積させ
た。
【００１８】電極１６へのパワーは、２５０Ｗまで低下
させたが、それはまだ堆積ガスのプラズマを維持するの
に充分であった。堆積ガスの流れは、水素ガスの流れに
置き換えられた、それは０．８トールの圧力に維持され
た。電極１６とサセプタ１８との間の間隔は９６２ミル
（２４ｍｍ）に維持された。電極１６へのパワーは、水
素中でプラズマを発生するのに充分であった。窒化珪素
のコーティングをされたガラス板は、水素プラズマに１
０秒間さらされた。
させたが、それはまだ堆積ガスのプラズマを維持するの
に充分であった。堆積ガスの流れは、水素ガスの流れに
置き換えられた、それは０．８トールの圧力に維持され
た。電極１６とサセプタ１８との間の間隔は９６２ミル
（２４ｍｍ）に維持された。電極１６へのパワーは、水
素中でプラズマを発生するのに充分であった。窒化珪素
のコーティングをされたガラス板は、水素プラズマに１
０秒間さらされた。
【００１９】それから、電極１６へのパワーは、２５０
−３００Ｗ（ｗａｔｔｓ）に高められ、それは水素のプ
ラズマを維持した。水素だけの流れは、シランと水素の
混合物を含む第２の堆積ガスの流れで置き換えられた。
そしてそれは、０．８トールの圧力に設定された。電極
１６とサセプタ１８との間の間隔は９６２ミル（２４ｍ
ｍ）に維持された。電極１６へのパワーは、第２の堆積
ガス中でプラズマを発生するのに充分であった。プラズ
マは、シランを反応させ、窒化珪素層の上に非晶質珪素
の層を堆積させた。第２の堆積ガスの流れが止められ、
パワー源がオフにされ、コーティングされたガラス板が
堆積チャンバ１２から取り出された。
−３００Ｗ（ｗａｔｔｓ）に高められ、それは水素のプ
ラズマを維持した。水素だけの流れは、シランと水素の
混合物を含む第２の堆積ガスの流れで置き換えられた。
そしてそれは、０．８トールの圧力に設定された。電極
１６とサセプタ１８との間の間隔は９６２ミル（２４ｍ
ｍ）に維持された。電極１６へのパワーは、第２の堆積
ガス中でプラズマを発生するのに充分であった。プラズ
マは、シランを反応させ、窒化珪素層の上に非晶質珪素
の層を堆積させた。第２の堆積ガスの流れが止められ、
パワー源がオフにされ、コーティングされたガラス板が
堆積チャンバ１２から取り出された。
【００２０】このようにして、本発明により、層がプラ
ズマＣＶＤにより堆積されるべき表面を処理し、その表
面と層との間の界面を改善する、方法が提供される。そ
の表面は、対象物の表面であって、層が直接堆積される
ものであってもよいし、又は対象物の第１の層の表面で
あって、第２の層がその第１の層の上に堆積されるもの
であってもよい。改良された界面は、対象物に悪影響を
与えることがなく、且つ本来的に対象物上に層を堆積し
ない、不活性なガスのプラズマ中で対象物を処理するこ
とによって達成される。その改善された界面は、対象物
上に堆積される層の上に形成された低減されたくもり及
び／又は泡によって実質的に示される。
ズマＣＶＤにより堆積されるべき表面を処理し、その表
面と層との間の界面を改善する、方法が提供される。そ
の表面は、対象物の表面であって、層が直接堆積される
ものであってもよいし、又は対象物の第１の層の表面で
あって、第２の層がその第１の層の上に堆積されるもの
であってもよい。改良された界面は、対象物に悪影響を
与えることがなく、且つ本来的に対象物上に層を堆積し
ない、不活性なガスのプラズマ中で対象物を処理するこ
とによって達成される。その改善された界面は、対象物
上に堆積される層の上に形成された低減されたくもり及
び／又は泡によって実質的に示される。
【００２１】本発明の特定の実施例は、本発明の一般原
理の単なる例示であるということが、認識され理解され
るべきである。種々の変形が、述べられた原理に矛盾す
ることなく作られるであろう。例えば、上に列挙された
もの以外の不活性なガスも、それらがプラズマを形成で
き、層が堆積されるべき対象物又は層に悪影響を与える
ことがなく、本来的に対象物上に層を堆積することがな
い限りは、使用してよい。さらに、上に列挙されたもの
以外の材料でできた基板対象物を使うこともできる。
理の単なる例示であるということが、認識され理解され
るべきである。種々の変形が、述べられた原理に矛盾す
ることなく作られるであろう。例えば、上に列挙された
もの以外の不活性なガスも、それらがプラズマを形成で
き、層が堆積されるべき対象物又は層に悪影響を与える
ことがなく、本来的に対象物上に層を堆積することがな
い限りは、使用してよい。さらに、上に列挙されたもの
以外の材料でできた基板対象物を使うこともできる。
【図１】本発明にしたがった方法が実行されるプラズマ
ＣＶＤ装置の線図による断面図である。この図面は必ず
しも比例尺にはなっていない。
ＣＶＤ装置の線図による断面図である。この図面は必ず
しも比例尺にはなっていない。
１０…プラズマＣＶＤ装置、１２…堆積チャンバ、１４
…上部壁、１６…電極、１８…サセプタ、２０…軸、２
２…下部壁、２４…リフトオフ板、２６…リフトオフピ
ン、３６…電源、３８…対象物。
…上部壁、１６…電極、１８…サセプタ、２０…軸、２
２…下部壁、２４…リフトオフ板、２６…リフトオフピ
ン、３６…電源、３８…対象物。
フロントページの続き (72)発明者 マーク ミカエル コルラック アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94501， アラメダ， カレッジ アヴェ ニュー 1141 (72)発明者 アンジェラ ティー． リー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94086， サニーヴェール， アカラネス ドライヴ アパート ナンバー10 407 (72)発明者 タカコ タケハラ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94541， ヘイワード， コロニー ヴュ ウ プレイス 2811 (72)発明者 グオフ ジェフ フェング アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95127， サン ノゼ， ヴェニス アヴ ェニュー 3307 (72)発明者 ロバート コノリー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95148， サン ノゼ， グレン アスコ ット ウェイ 2877 (72)発明者 カム ロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94587， ユニオン シティ， リヴィエ ラ ドライヴ 461 (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94022， ロス アルトス ヒルズ， マ リエッタ レーン 12000
Claims (18)
- 【請求項１】 表面とその上にプラズマ化学蒸着により
堆積される（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）層との間に良好な界
面を提供して前記表面と前記層との間を良好に接着（ａ
ｄｈｅｓｉｏｎ）する方法に於いて、前記表面を、第１
のガスであって該表面と化学的に反応せず且つその上に
該ガスの物質を備える層を堆積しない第１のガスのプラ
ズマにさらす（ｓｕｂｊｅｃｔｉｎｇ）工程と、 該工程の後、前記表面を、反応して該表面上に層を堆積
する堆積ガスのプラズマにさらす工程とを有し、 前記表面が前記第１のガスのプラズマから前記堆積ガス
のプラズマまで実質的に連続的にガスプラズマにさらさ
れる、方法。 - 【請求項２】 前記第１のガスが、水素、窒素、アルゴ
ン及びアンモニアから成るグループから選ばれる、請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記第１のガスの圧力が、０．２トール
と３．５トールの間である、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 前記表面が、前記第１のガスの前記プラ
ズマに、約２秒から１５秒の間の期間だけさらされる、
請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 前記第１のガスと前記堆積ガスの前記プ
ラズマが、前記ガスを通してｒｆパワーを適用すること
によって形成され、前記第１のガスに適用されるパワー
が前記堆積ガスに適用されるパワーより小さい、請求項
４記載の方法。 - 【請求項６】 前記層が前記表面に堆積された後に、前
記層を前記第１のガスのプラズマにさらす工程と、プラ
ズマ蒸着により、第１の層の上に第２の層を堆積する工
程を、追加して含む、請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記第１のガスが、水素、窒素、アルゴ
ン及びアンモニアから成るグループから選ばれる、請求
項６記載の方法。 - 【請求項８】 前記表面と前記第１の層の各々が前記第
１のガスのプラズマに、２秒から１５秒の間の期間だけ
さらされる、請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 前記第１と第２の層の各々が、前記堆積
ガスを反応せしめ、且つ層を堆積せしめる、堆積ガス中
でプラズマを形成することによって堆積される、請求項
８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記第１のガスと前記堆積ガスの各々
の前記プラズマが、それにｒｆパワーを適用することに
よって形成され、且つ前記不活性なガスに適用される前
記ｒｆパワーが、前記堆積ガスに適用されるそれよりも
小さい、請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 前記プラズマが前記第１のガスと前記
堆積ガスの各々との間で切り換えられる際に、前記ガス
プラズマが実質的に連続的に維持される、請求項６記載
の方法。 - 【請求項１２】 対象物の表面上に少なくとも一つの層
を堆積する方法であって、 前記対象物を、堆積チャンバ内に、且つ電極から間隔を
保ったサセプタ上に、置く工程と、 前記堆積チャンバに、第１のガスであって前記対象物と
化学的に反応せず、又は前記対象物上に該ガスの物質を
備える層を堆積しない第１のガスを流す工程と、 前記電極と前記サセプタを横切って、前記対象物に適用
される前記第１のガス中のプラズマを発生するに充分な
ｒｆパワーで、電圧を適用する工程と、 前記堆積チャンバに、前記対象物に堆積されるべき材料
の要素（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を含んだ堆積ガスを流入さ
せる工程と、 前記堆積ガス中にプラズマを形成するに充分なｒｆパワ
ーを前記堆積ガスに適用し、そのプラズマが前記堆積ガ
スを反応せしめ、且つ前記対象物上に層を堆積せしめる
工程とを含む、方法。 - 【請求項１３】 前記第１のガスが、水素、窒素、アル
ゴン及びアンモニアから成るグループから選ばれる、請
求項１２記載の方法。 - 【請求項１４】 前記チャンバ内の前記ガスの圧力が、
０．２トールと３．５トールとの間にある、請求項１３
記載の方法。 - 【請求項１５】 前記対象物が、前記第１のガスの前記
プラズマに、２秒から１５秒の期間だけさらされる、請
求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記第１のガスに適用される前記ｒｆ
パワーが、前記堆積ガスに適用されるものより小さい、
請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 前記層が前記対象物に堆積された後
に、前記堆積チャンバに、第１のガスであって、前記堆
積された層と化学的に反応せず、又はその上に該ガスの
物質の層を堆積せしめない、第１のガスの流れを提供す
る工程と、 前記堆積された層に適用されるプラズマを形成するため
に、前記第１のガスにｒｆパワーを適用する工程と、続
いて、 前記チャンバに第２の堆積ガスの流れを提供する工程
と、 前記第２の堆積ガス中にプラズマを形成するに充分なｒ
ｆパワーを前記第２の堆積ガスに適用し、そのプラズマ
が前記第２の堆積ガスを反応せしめ、且つ前記第１の層
の上に第２の層を堆積せしめる工程とをさらに含む、請
求項１２記載の方法。 - 【請求項１８】 前記ガスプラズマが、前記第１のガス
と前記堆積ガスとの間の切り換えの間、実質的に連続的
に維持される、請求項１７記載の方法。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990209 |