JP4573162B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の透明導電膜の製造過程を示す模式図、図2は化学気相成長法(CVD法)で形成された非単結晶シリコン系薄膜の表面から膜厚方向の水素密度分布図、および図3はCVD法で形成された非単結晶シリコン系薄膜上にスパッタリング法で形成した透明導電膜のシート抵抗(Ω/□)および該透明導電膜を透明電極に適用した太陽電池の変換効率(%)の非単結晶シリコン系薄膜の表面処理(エッチング)膜厚(Å)依存性を表す。
実施例2において、ボロンドープa−SiC:H薄膜のプラズマエッチングによる表面処理を省略した以外は、実施例2と同様にして、透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜のシート抵抗を表2中に示す。
102 非単結晶シリコン系薄膜
102a 非単結晶シリコン系薄膜の水素密度が低い層
102b 非単結晶シリコン系薄膜の水素密度が高い表面層
103 透明導電膜
Claims (3)
- 基板上に非単結晶シリコン系薄膜を水素化シリコン系のガスを原料として気相成長法により形成し、得られた非単結晶シリコン系薄膜を大気に曝すことなしに該薄膜上に透明導電膜をスパッタリング法により形成する方法であって、前記透明導電膜の形成に先立って、前記非単結晶シリコン系薄膜を表面処理し、前記非単結晶シリコン系薄膜の表面からの膜厚が少なくとも5Åの表面層の水素密度を低減させることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
- 前記非単結晶シリコン系薄膜の表面処理が、水素を供給することのない処理ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
- 前記非単結晶シリコン系薄膜のプラズマ処理が、希ガス、酸素、二酸化炭素およびそれらの混合ガスよりなる群から選択される水素を供給することのない処理ガスを用い、前記非単結晶シリコン系薄膜の製膜室内で行われることを特徴とする請求項2に記載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004270198A JP4573162B2 (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004270198A JP4573162B2 (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006083436A JP2006083436A (ja) | 2006-03-30 |
JP4573162B2 true JP4573162B2 (ja) | 2010-11-04 |
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ID=36162187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004270198A Expired - Fee Related JP4573162B2 (ja) | 2004-09-16 | 2004-09-16 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4573162B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2004
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JP2006083436A (ja) | 2006-03-30 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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