KR19990006863A - 전자 성분들을 다이 본딩 하기 위한 방법 및 그를 위한 다이본딩장치 - Google Patents

전자 성분들을 다이 본딩 하기 위한 방법 및 그를 위한 다이본딩장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19990006863A
KR19990006863A KR1019980021621A KR19980021621A KR19990006863A KR 19990006863 A KR19990006863 A KR 19990006863A KR 1019980021621 A KR1019980021621 A KR 1019980021621A KR 19980021621 A KR19980021621 A KR 19980021621A KR 19990006863 A KR19990006863 A KR 19990006863A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chips
dicing tape
heating means
ring frame
die bonding
Prior art date
Application number
KR1019980021621A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100587719B1 (ko
Inventor
마사키 쓰지모토
겐지 고바야시
Original Assignee
쇼지 고메이
린테크 (주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼지 고메이, 린테크 (주) filed Critical 쇼지 고메이
Publication of KR19990006863A publication Critical patent/KR19990006863A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100587719B1 publication Critical patent/KR100587719B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49819—Disassembling with conveying of work or disassembled work part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49821—Disassembling by altering or destroying work part or connector
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49822—Disassembling by applying force

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법은: 하나 이상의 수축막층과 감압 점착층을 포함하는 다이싱 테이프(17)를 제공하는 단계와; 웨이퍼가 감압 점착층에 의해 점착되도록 웨이퍼를 다이싱 테이프상에 장착하는 단계와; 웨이퍼가 다수의 칩(16)으로 절단 분리되도록 웨이퍼를 다이싱하는 단계와; 점착 영역 및 칩과 점착층 사이의 점착 강도가 감소되고 또한 칩들이 예정된 간격으로 배열되도록, 점착되는 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프(17)를 가열 수단이 설치된 테이블상에 배열하고 가열수단(3,7)에 의해 다이싱 테이프의 수축막 형성부를 수축시키는 단계 및; 상기 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿(19)에 의해 예정 간격으로 배열된 칩들(16)을 동시에 흡인하는 단계를 포함한다. 이와같은 방법은 칩에 손상을 주는 일 없이 효과적인 다이 본딩을 실행할 수 있다.

Description

전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법 및 그를 위한 다이 본딩 장치
본 발명은 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법 및 그를 위한 다이 본딩 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 칩과 같은 소형 전자 성분들을 생산하기 위한 공정에 있어서 다이싱 테이프로부터 칩들을 탈착하고, 종래와 같은 핀 수단에 의한 푸시업을 수행할 필요없이, 칩들이 서로로부터 분리되도록 동시에 흡인하게 하는 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법 및 그를 위한 다이 본딩 장치에 관한 것이다.
도 9 및 도 10에 있어서, 예를들면 실리콘 또는 갈륨 아르세나이드로 제조된 반도체 웨이퍼(40)는 큰 직경을 갖는 디스크 형상으로 생산된다. 상기 반도체 웨이퍼(40)는 감압(pressure sensitive) 점착 시트(41)를 통해 링 프레임(42)상에 점착된다. 연속해서, 상기 반도체 웨이퍼(40)는 다이싱 톱(43)을 사용하므로써 다수의 다이스형 칩(44)으로 절단 분리된다. 이 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼는 클리닝, 건조 및 다이 본딩 단계와 같은 연속 단계로 운반된다. 이 방법에 있어서, 상기 다이싱 단계의 완료 후에 감압 점착 시트(41)는 상호 이웃하고 있는 칩(44)의 갼격이 확장되도록 특정 수단에 의해 외향으로 당겨진다.
상기 종래의 감압 점착 시트(41)는 상기 웨이퍼가 건조 단계를 통해 디스크형 칩으로 절단 분리되는 다이싱 단계로부터 칩(44)에 대한 만족스런 점착력을 갖도록 요망된다. 또한, 도 11에 도시된 바와같이, 상기 칩을 감압 점착 시트(41)로부터 픽업함에 있어서, 상기 점착력은 강압 점착제의 어떠한 잔류물도 칩(44)에 부착되지 않도록 형성될 것이 요망한다.
상술된 형태의 다양한 감압 점착 시트가 일본 특개소 60-196956호 및 60-223139호에 제안되어 있다. 또한, 최근, UV 경화형 점착제가 픽업시 점착력을 감소시키기 위해 사용되는 감압 점착 시트가 제안되었다. 그러나, 종래의 감압 점착 시트(41)는 상용시 칩 간격을 확대시키는 단계에서 칩들(44) 사이의 균일한 간격을 실현시키기가 어려우며, 따라서 각 단계에서의 공정이 무질서하게 됨에 따라 간격의 분산이 발생한다는 결점을 갖게된다. 또한, 픽업시 점참력 (수직 박리력)을 완전히 제로(영)로 하는 것은 실질적으로 불가능해지며, 픽업시 수직 박리력의 감소는 약 100 내지 300 ｇ/10㎟의 범위내에 있게된다. 따라서, 픽업이 수행되는 다이 본딩 단계에서, 상기 감압 점착 시트는(41) 푸시-업 니들(45)을 사용하여 그의 이면으로부터 강제로 들어올려져야 한다. 따라서, 칩(44)의 파손이나 또는 예를들면 푸시-업 니들(45)에 부착되는 감압 점착제가 칩(44)의 이면으로 이동하는 것과 같은 손실이 발생한다.
또한, 상기 UV 경화형 점착제가 사용된 감압 점착 시트로는 여전히 모든 칩(44)이 푸시-업 니들(45)을 사용할 필요없이 박리될 수 있도록 하는 단계에 도달할 수 없다. 본 출원인은 점착 영역 및 칩과 시트 사이의 점착력이, UV 경화형 점착제가 사용되는 감압 점착 시트 대신, 가열에 의해 수축될 수 있는 수축막을 사용하므로써 감소될 수 있는 기술을 제안하였다.
본 발명은 상술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 관점에서 제안되었다. 본 발명의 목적은 종래의 확장 방법과는 근본적으로 다른 기구에 의해 칩 간격을 확장할 수 있는 수축막을 사용하여 제조되는 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 그를 위한 다이 본딩 장치를 제공하는 것이다.
상술된 목적을 도달하기 위하여, 본 발명의 한 형태에 있어서, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다:
적어도 하나의 수축막의 층 및 감압 점착층을 포함하는 다이싱 테이프를 제공하는 단계;
웨이퍼가 감압 점착층에 의해 점착되도록 웨이퍼를 다이싱 테이프상에 장착하는 단계;
웨이퍼가 다수의 칩으로 절단 분리되도록 웨이퍼를 다이싱하는 단계;
점착 영역 및 칩과 점착층 사이의 점착 강도가 감소되고 또한 칩들이 예정된 간격으로 배열되도록, 점착되는 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프를 가열 수단이 설치된 테이블상에 배열하고, 상기 가열수단에 의해 다이싱 테이프의 수축막 형성부를 수축시키는 단계 및;
상기 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 예정 간격으로 배열된 칩들을 동시에 흡인하는 단계.
상기와 같은 방법은, 외향으로의 인장을 포함하는 종래의 확장 단계를 수행할 필요없이, 대체로 균일한 간격으로 다수의 칩들을 정렬할 수 있게 한다.
상기 방법에 있어서, 수축 단계에 있어서 하나 이상의 수축막 층, 다수의 칩들이 점착되지 않는 다이싱 테이프의 주변 영역만이 제 1 수축부를 형성하기 위한 제 1 단계로서 가열된다. 다음에, 상기 칩들이 점착되는 다이싱 테이프의 내부 영역은 제 2 수축부를 형성하기 위한 제 2 단계로서 가열되며, 상기 제 2 수축부는 서로 이웃하는 다수의 칩들이 예정된 간격으로 배열되도록 수행된 단계를 형성하며, 상기 제 2 수축부는 칩들이 서로 분리되도록 칩들 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리된 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는 단계를 형성한다.
상기와 같은 동작에 의해, 종래와 같은 확장은 방지되며 다이싱 테이프의 이완은 예방될 수 있다.
상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 전체 하부면상에 또는 다이싱 테이프의 하부면상에 부분적으로 배열될 수 있다. 후자의 부분적 배열의 경우, 가열 수단은 적합하게도 흡입 콜릿과 동시에 수평 방향을 따라 이동할 수 있다. 또한, 상기 가열 수단은 수직 방향으로 이동되도록 배열될 수 있다.
또한, 점착된 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프는 적합하게도 테이블상의 링 프레임을 통해 배열되며, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 하부면상에 배열되며, 상기 칩들은 가열 수단에 의해 가열되며, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 하부면으로부터 제거되며, 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리된 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행된다.
상기와 같은 동작에 의해, 위에 장착된 칩을 갖는 다이싱 테이프가 테이블 위로 용이하게 운반될 수 있을 뿐만아니라, 상기 칩은 동시에 흡인되고 서로로부터 분리될 수 있다. 또한, 적합하게도 위에 점착되는 다수의 칩들을 갖는 상기 다이싱 테이프는 링 프레임 위에 점착되며, 상기 링 프레임은 예정 거리로 적어도 2개의 위치결정 노치와 함께 제공되며, 상기 노치에 대응하는 핀은 예정 거리로 테이블상에 돌출적으로 제공되며, 상기 링 프레임의 노치는 링 프레임이 테이블상에 위치하도록 핀에 조립된다. 결과적으로, 상기 테이블상에 위치한 칩은 촉진된다.
본 발명의 다른 형태에 있어서는 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치가 제공되어 있으며, 다음을 특징으로 하고 있다:
다수의 다이스 칩들은 하나 이상의 수축막 층 및 감압 점착층으로 구성된 다이싱 테이프상에 점착되며, 상기 다이싱 테이프는 링 프레임에 점착되며, 상기 링 프레임은 가열 수단과 함께 설치된 테이블상에 배열되며, 흡입 콜릿은 링 프레임 위에 배열되며, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 예정된 간격으로 배열된 다수의 다이스 칩은 다이싱 테이프가 가열 수단에 의해 가열된 후 차례로 흡인 및 분리된다.
상기 장치에 있어서, 상기 링 프레임은 적합하게도 예정된 거리로 2개 이상의 노치와 함께 제공되며, 2개 이상의 위치결정 핀은 예정된 거리로 가열 수단과 함께 설치된 테이블상에 돌출적으로 배열되며, 상기 핀 및 링의 노치는 링 프레임이 테이블상의 적절한 위치에 배열된 형태를 갖도록 함께 조립되도록 적응된다. 상기 적합한 위치에 배열된 형태는 진공 흡인 패드, 자석등에 의해 고정된다.
상기 장치는 푸시-업 니들을 사용하지 않고도 칩들을 용이하게 픽업할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제 1 형태를 도시하는 단면도.
도 2 는 도 1 의 다이 본딩 장치의 부분 평면도.
도 3 은 도 1 의 다이 본딩 장치의 부분 사시도.
도 4 는 본 발명에 사용된 다이싱 테이프의 부분 확대 단면도.
도 5 는 반도체 웨이퍼의 다이싱을 도시하는 개략 단면도.
도 6 은 위에 점착되는 반도체 웨이퍼 칩을 갖는 다이싱 테이프의 열적 수축을 도시하는 개략 단면도.
도 7 은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제 2 형태를 도시하는 단면도.
도 8 은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제 3 형태를 도시하는 단면도.
도 9 는 다이싱된 종래의 반도체 웨이퍼 상태를 도시하는 사시도.
도 10 은 다이싱되는 종래의 반도체 웨이퍼 상태를 도시하는 단면도.
도 11 은 픽업되는 종래의 반도체 웨이퍼 상태를 설명하는 개략도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
3,7: 가열 수단 16: 칩
17: 다이싱 테이프 19: 흡입 콜릿
본 발명에 따른 전자 성분을 다이 본딩하기 위한 방법 및 상기 방법에서 사용된 본 발명의 다이 본딩 장치의 형태(작업 예)가 첨부된 도면을 참고로 설명된다.
도 1 에 있어서, 도면 부호 1 은 본 발명 전반에 걸쳐 다이 본딩 장치를 나타낸다. 상기 다이 본딩 장치(1)는 장착 테이블을 구성하는 링형 고정 테이블(2)을 포함한다. 제 1 가열 수단을 구성하는 링형 주변 히터 테이블(3)은 고정 테이블(2)의 내부 원형면 측부에 의해 배열되며 고정 테이블(2)에 고착된다.
상기 하부 엣지 주변 측부의 2 포인트에서 고정 테이블(2)은 하향 연장 가이드 부재(4)와 조립된다. 상기 가이드 부재(4)는 베이스 또는 플로(A)에 고정된 프레임(5)상에 배열된 가이드 레일(6)상에서 수직 미끄럼운동 하도록 형성된다. 따라서, 상기와 같은 구조로 인해, 상기 가이드 부재(4)는 고정 테이블(2)이 주변 히터 테이블(3)을 따라 수직 이동할 수 있도록 구동 모터 또는 실린더 기구(도시되지 않음)의 기능으로 인해 가이드 레일(6)상을 수직 미끄럼운동한다.
상기와 같은 구성에 있어서, 상기 가이드 부재(4)는 고정 테이블(2)의 하부 엣지의 주변 측부의 2 포인트에 제공된다. 그러나, 경사없이 고정 테이블(2)의 수직 운동을 확고히 하기위해, 고정 테이블(2)의 하부 엣지의 적어도 3 포인트가 가이드 부재(4)와 조립되는 것이 적합하다. 가이드 레일(6)상의 가이드 부재(4)를 미끄럼운동시키기 위한 기구는 특별히 한정되지 않으며, 또한 예를들면, 가이드 부재(4)에 배열된 볼 부시를 포함하는 종래의 수단이 채용될 수 있다.
주변 히터 테이블(3)의 내부 원형면 측부에 의해, 수직으로 이동할 수 있고 제 2 히터 수단을 구성하는 디스크형 내부 히터 테이블(7)은 주변 히터 테이블(3)의 내부 원주면 측부에 의해 제공된 공동(4')에 배열된다. 즉, 볼 부시(10)는 내부 히터 테이블(7)의 하부 엣지 주변 측부의 적어도 2 포인트에 부착된다. 베이스 또는 플로(A)에 부착된 샤프트(11)는 샤프트가 수직으로 미끄럼운동할 수 있는 방식으로 볼 부시(10)에 삽입된다. 베이스 또는 플로(A)에 고정된 실린더 기구(8)의 피스톤(9) 상단부는 내부 히터 테이블(7)의 하부 엣지 중앙에 부착된다. 따라서, 상기 내부 히터 테이블(7)은 실린더 기구(8)를 작동시키므로써 수직으로 이동될 수 있다.
주변 히터 테이블(3) 및 내부 히터 테이블(7)의 가열 수단은 특별히 한정되지 않으며, 예를들어 테이블에 배열된 외장 히터 또는 고무 히터와 같은 일반적인 가열 수단이 채용될 수 있다. 폴리에테르 에테르 케톤과 같은 단열 물질(3a,7a)은 열을 배제하기 위해 내부 히터 테이블(7)과 주변 히터 테이블(3)의 하부면에 점착된다.
한편, 2개의 위치결정 핀(12,12)은 예정된 거리로 고정 테이블(2)의 상부면(2a)상에 돌출적으로 배열되며, 대체로 링형상의 링 프레임(13)은 예정된 위치에 형성된 위치결정 노치(14',14')를 갖는다. 따라서, 그와같은 구조는, 고정 테이블(2)의 상부면(2a)상에 링 프레임(13)을 장착함에 있어, 링 프레임(13)의 위치결정 노치(14',14')와 고정 테이블(2)의 위치결정 핀(12,12)이 함께 조립되므로써 예정된 위치에서의 위치결정이 실행될 수 있게 한다. 따라서, 상기 구조체는 진공 흡입 패드, 자석등에 의해 고정된다.
상기 링 프레임(13)은 다이싱 테이프(17)의 감압 점착층(22)에 의해 다이싱 테이프(17) 주변에 점착되며, 디스크형 웨이퍼(14)는 다이싱 테이프(17)의 감압 점착층(22)에 의해 원형 다이싱 테이프(17)의 중앙에 점착된다. 상기 웨이퍼(14)는 상술된 웨이퍼 다이싱 단계에서 절삭이 수행되는 다수의 개별 디스크형 칩(16)의 형상을 취한다. 따라서, 위에 점착되는 다수의 칩(16)을 갖는 다이싱 테이프(17)는 링 프레임(13)에 점착된다.
상기 실시예에 있어서, 그와같은 구조는, 그 위에 점착되는 다수의 칩(16)을 갖는 다이싱 테이프(17)가 고정 테이블(2)의 상부면(2a)의 예정된 위치상에 점착되는 링 프레임(13)의 장착에 있어서, 상기 주변 히터 테이블(3)은, 내부 히터 테이블(7)이 칩(16)이 점착되는 다이싱 테이프(17)의 부위(18b) 아래 배열되는 동안 어떠한 칩(16)도 점착되지 않는, 다이싱 테이프(17)의 부위(18a) 아래에 배열되는 효과를 갖는다.
또한, 수직 및 수평 양 방향으로 운동할 수 있는 흡입 콜릿(19)은 다이싱 테이프(17)의 칩(16)을 흡인 및 분리시키기 위해 내부 히터 테이블(7) 위에 배열된다. 상기 다이싱 테이프(17)상에 장착된 칩(16)은 흡인되고, 진공 펌프(도시되지 않음) 기능에 의해 칩과 칩이 분리된다. 상기 흡입 콜릿의 내부에는 테이퍼(19a)가 제공되며, 그 결과 상기 흡입 콜릿은 오직 칩(16)의 주변 측부와 접촉하며 칩(16)의 손상을 방지하기 위하여 칩(16)의 주면과는 접촉하지 않는다. 또한, 상기 흡입 콜릿(19)은 특별히 한정되지 않으며, 예를들어 패드를 갖는 흡입 콜릿이 사용될 수 있다.
한편, 상기 장치에서 사용된 다이싱 테이프(17)에 대하여, 도 4 에 도시된 바와같이, 수축막(21), 상기 수축막(21)의 상부면상에 겹쳐진 감압 점착층(22) 및 점착층(23)을 통해 수축막(21)의 하부면으로 점착되는 비 수축막(24)을 포함하는 다이싱 테이프(17)로 제조되므로써 적합하게 사용된다. 비록, 상기 다이싱 테이프(17)가 비 수축막(24)이 사용되지 않은 수축막의 단일 층으로 구성되었다 할지라도, 그것은 적합하게도 다수의 층으로 구성된 플라스틱 막 기판으로 될 수 있다. 즉, 그것은 단일 수축막 또는 적어도 2 가지 형상의 수축막의 조합으로 될 수 있으며, 또는 수축막과 비 수축막의 조합으로 될 수도 있다.
상기 감압 점착층(22)은 특별히 제한되지 않으며, 예를들어 고무, 아크릴, 실리콘, 폴리비닐 에테르, 방사선 경화제 또는 가열 발포형 감압 점착제로 제조될 수 있다. 자외선 경화 감압 점착제에 의한 제조품도 적합하게 사용된다. 30 내지 80%의 열적 추축률을 갖는 자외선 침투성 폴리에틸렌 테레프탈레이트막은 특히 적합하게도 수축막(21)으로 사용된다.
수축막(21)과 비 수축막(24)을 결합할 수 있는 일반 목적의 점착제가 점착층(23)으로 사용된다. 예를들면, 상기와 같은 점착제로서 아크릴, 고무, 실리콘등의 감압 점착제와 폴리에테르, 폴리아미드, 에틸렌 공중합체, 에폭시, 우레탄등의 열가소성 또는 열경화성 점착제가 포함된다. 물론, 아크릴 감압 점착제가 특히 적합하다.
비록, 비 수축막(24)은 특별히 한정되지 않으며, 양호한 물 및 열 저항성을 갖는 물질로 구성될 수도 있다. 그의 예로서는 폴리에틸렌막, 폴리프로필렌막, 폴리부탄막 및 폴리메틸팬틴막, 폴리비닐 클로라이드막, 폴리에틸렌 테레프탈레이트막, 폴리부틸렌 테레프탈레이트막, 폴리부타딘막, 폴리우레탄막 및 에틸렌/비닐 아세테이트막과 같은 폴리올레핀막을 포함한다. 또한, 중합체 구조 유니트와 상기 막들 및 일반 목적의 중합체막을 포함하는 박판 제품으로서 합성물을 갖는 카복실 그룹을 포함하는 중합체막으로 제조될 수 있다. 특히, 적합한 물질로서 자외선 침투성 폴리에틸렌 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 있다. 링 프레임(13)과 함께 다이싱된 후 다이싱 테이프(17)는 로봇 아암에 의해 보유된 후, 상기 링 프레임(13)은 고정 테이블(2)의 위치결정 핀(12',12')과 링 프레임(13)의 예정 위치에 제공된 위치결정 노치(14',14')를 함께 조립하므로써 고정 테이블(2)의 상부면(2a)상에 장착된다. 상기 작업과 동시에, 내부 히터 테이블(7)은 실린더 기구(8)에 의해 상부 레벨 위치로 이동된다.
다음에, 어떠한 칩(16)도 점착되지 않는 다이싱 테이프(17)의 부위(18a)만이 80 내지 150℃로 가열되며, 주변 히터 테이블(3)을 작동하므로써 수축된다. 그 이유는 상기 모든 부위에 대한 동시 가열이 다이싱 테이프의 예기치않은 이완을 발생시키고 칩(16)의 간격을 불균일하게 하기 때문이다. 결과적으로, 흡입 콜릿(19)에 의한 흡인이 어렵게 된다.
계속해서, 칩(16)이 점착되는 다이싱 테이프(17)의 부위(18b)만이 수축막(21)을 수축시키도록 내부 히터 테이블(7)을 작동하므로써 80 내지 150℃로 가열된다.
상기 수축막(21)의 수축은 그 위에 겹쳐진 감압 점착층(22)의 변형에 의해 수행되며, 그 결과 칩(16)과 감압 점착층(22) 사이의 점착 영역은 감소된다(도 6 참조). 결과적으로, 칩(16)과 감압 점착층(22) 사이의 점착력(수직 박리력)은 감소되며, 그 결과 상기 칩(16)은 종래의 푸시-업 니들을 사용할 필요없이 흡입 콜릿(19)에 의해서만 용이하게 픽업될 수 있다.
상기 감압 점착층(22)이 자외선 경화 감압 점착제로 제조될 때, 적합하게도 감압 점착층(22)은 상술된 수축 전이나 또는 수축 후에 자외선으로 조사된다. 따라서, 상기 감압 점착층은 점착력이 감소되도록 경화된다. 상기 감압 점착제의 경화는 칩(16)의 픽업을 용이하게 할 뿐만아니라 칩(16)의 손상을 방지시키도록 수직 박리력을 훨씬 감소시킨다.
상기 수축막(21)이 내부 히터 테이블(7)에 의한 가열에 의해 수축된 후, 상기 내부 히터 테이블(7)은 실린더 기구(8)에 의해 하부 위치로 하강한다. 이것은 모든 칩들이 이송될 때 까지, 내부 히터 테이블(7)상의 다이싱 테이프(17)의 위치결정은 다이싱 테이프(17)가 잔류열에 의해 이완되는 손상을 입게되며, 또한 칩(16)의 성능에 치명적인 저하를 초래하게 될 수 있기 때문이다.
다음에, 상기 칩(16)은 개별적으로 흡인되며, 센서등에 의해 칩(16)의 위치를 검출한 후, 수평으로 흡입 콜릿(19)을 이동시키고, 그의 위치결정을 실행하고 또한 상기 흡입 콜릿(19)을 하강시키므로써 이송된다. 그순간, 종래의 푸시업 니들의 사용이 필요치 않으며, 그 결과 칩(16)의 손상과 칩(16)의 하부면에 대한 감압 점착제의 점착을 피할 수 있게 된다. 흡입 콜릿(19)에 의한 흡인에 있어서, 가이드 부재(4)는 적합하게도 구동 모터나 또는 실린더 기구의 기능에 의해 가이드 레일(6)상에 수직 미끄럼운동 되며, 따라서 고정 테이블(2)은 주변 히터 테이블(3)과 함께 수직 이동하며, 그결과 흡입 콜릿에 의한 흡인이 용이하게 된다.
상기 실시예에 있어서, 상기 주변 히터 테이블(3)은 고정 테이블(2)에 고착된다. 상기 고정 테이블(2)은 적합하게도 주변 히터 테이블(3)로부터 분리되어 수직으로 이동하도록 구성되며, 주변 히터 테이블(3)에 의한 가열 후에, 상기 고정 테이블(2)은 상승하고, 따라서 상기 주변 히터 테이블(3) 다이싱 테이프(17)로부터 벗어난다. 이는 상기 다이싱 테이프(17)의 이완을 방지한다는 관점에서 적합하다.
또한, 상기 칩(16)들은 카메라등과 같은 센서에 의해 칩(16)의 위치를 검출한 후, 상기 흡입 콜릿(19)을 수평으로 이동시켜 그의 위치결정을 수행하고 흡입 콜릿(19)을 저하시키므로써 개별적으로 흡인된다. 그러나, 상기 흡인은 수평 또는 수직 양 방향으로 고정 테이블(2)을 이동시키므로써 수행될 수 있으며, 한편 상기 흡인 콜릿(19)은 정지된다.
도 7 은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제 2 형상의 단면도이다.
이러한 형상의 다이 본딩 장치의 구성은, 주변 히터 테이블(3)이 생략되고 오직 내부 히터 테이블(7)만이 채용되며 또한 상기 고정 테이블(2)이 내부 히터 테이블(7) 주변으로 연장하는 것을 제외하고는, 기본적으로는 제 1 형상의 다이 본딩 장치의 것과 동일하다. 유사한 구조의 부호에 대하여는 동일한 참고 부호를 병기하였으며, 그에 대한 상세한 설명은 생략했다.
본 실시예에 있어서도 마찬가지로, 비록 도시되지 않았으나, 그 하부 엣지의 주변 측부상의 2 포인트에 있는 고정 테이블(2)은, 가이드 레일(6)상을 수직으로 미끄럼운동 하도록 형성되는, 하향 연장하는 가이드 부재(4)와 함께 조립되며, 그 결과 상기 고정 테입블(2)은 수직으로 이동될 수 있다. 또한, 본 실시예에 있어서도 마찬가지로, 상기 실린더 기구(8)의 피스톤(9)의 상단부는 내부 히터 테이블(7)의 하부 엣지 중앙에 부착되며, 그 결과 상기 내부 히터 테이블(7)은 실린더 기구(8)를 작동하므로써 수직 이동될 수 있다.
이와같은 다이 본딩 장치의 형상에 있어서, 다이싱 테이프(17)는 가열되고 일단 내부 히터 테이블(7)에 의해 수축된다. 따라서, 상기 장치는 수축 후 칩 배열의 균일성에 대해 제 1 형상의 다이 본딩 장치보다 약간의 열악성을 갖는다. 그러나, 이러한 형상의 다이 본딩 장치도 또한 사용된다.
상기 양 제 1 및 제 2 실시예에 있어서, 상기 내부 히터 테이블(7)은 완전히 가열된다. 그러나, 상기 내부 히터 테이블(7)은 다이싱 테이프(17)가 부분적으로 가열되고 수축되도록 그의 선택 부위에서 가열될 수 있다. 여기서, 상기 칩(16)은 다이싱 테이프(17)로부터 부분적으로 제거될 수 있으며, 흡입 콜릿(19)에 의해 흡인된다.
도 8 은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 제 3 형상의 단면도이다.
이러한 형상의 다이 본딩 장치에 있어서, 주변 히터 테이블(3)이 생략되고 오직 고정 테이블(2)만이 채용되었다. 또한 내부 히터 테이블(7)은 대체로 각각의 칩(16)과 동일한 크기를 갖는 소형 히터 테이블(7')로 구성된다. 상기 소형 히터 테이블(7')은 수직 및 수평 양쪽으로 이동될 수 있다. 따라서, 상기 흡입 콜릿(19)은, 소형 히터 테이블(7')에 의해 가열 및 수축되는 박리될 칩(16)의 위치 바로 위로, 소형 히터 테이블(7')과 동시에 이동된다. 그 후, 용이하게 박리될 칩(16)은 개별적으로 흡입 콜릿(19)에 의해 흡인될 수 있다.
따라서, 다이싱 테이프(17)가 완전히 수축되는 제 1 실시예와 비교하여, 무질서한 배열에 근거한 칩 흡인 에러는 감소될 수 있다. 상기 다이싱 테이프(17)가 가열되고 부분적으로 수축되므로, 칩(16)의 박리는 용이하게 되고 연속된 칩(16)의 흡인은 흡입 콜릿(19)에 의해 동시에 한번 수행될 수 있다.
다른 구조는 기본적으로 제 1 실시예와 동일한 기능을 갖는다. 동일한 구조의 부호는 동일한 참고 부호로 병기되며, 그 설명은 생략했다. 본 실시예에 있어서, 히터 테이블(7')은 각각의 칩(16)과 대체로 동일한 크기를 갖는다. 히터 테이블(7')의 크기가 2개 이상의 칩의 크기와 일치하지 않으며, 상기 히터 테이블은 칩(16)의 박리가 용이하게 되도록 일단 다수의 칩(16)에 대응하는 다이싱 테이프(17)의 일부를 수축시키도록 가열된다는 사실이 자연히 가능해진다.
본 발명에 따른 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법 및 다이 본딩 장치에 있어서, 하나 이상의 수축막층 및 감압 점착층을 포함하는 다이싱 테이프가 사용되며, 웨이퍼는 상기 다이싱 테이프에 점착된다. 상기 웨이퍼는 다수의 칩 안으로 절단 분리되도록 다이싱된다. 상기 다이싱 테이프는 가열 수단이 설치된 테이블상에 장착되고 점착 영역 및 칩과 점착층 사이의 점착 강도가 감소되도록 상기 가열수단에 의해 수축된다. 다음에 예정 간격으로 배열된 칩들은 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 흡인된다. 이러한 구성에 의해, 다음과 같은 독특하고 특징적인 기능 및 효과가 수행될 수 있다.
(1) 종래의 팽창 방식과는 근본적으로 다른 기구에 의해, 칩 간격이 균일하게 팽창 (배열)될 수 있을 뿐만아니라 칩과 점착되는 영역 및 점착력이 감소될 수 있다. 따라서, 개별 칩들은 흡인될 수 있고 또한 장애 없이 서로로부터 분리될 수 있으며, 또한, 오염이나 질의 저하를 초래할 수 있는 칩 하부면에 대한 감압 점착제의 점착이나 또는 픽-업에서의 칩의 손상이 방지되어 효과적인 다이 본딩을 수행할 수 있다.
(2) 종래와 같은 푸시-업 니들의 사용이 필요하지 않으며, 개별 칩들은 오직 흡입 콜릿만을 사용하여 서로로부터 흡인 및 분리될 수 있다. 따라서, 푸시-업 니들의 사용으로 인한 칩들의 손상이 방지되어 장치의 신뢰성이 강화된다. 또한, 푸시-업 니들의 대체나 수리등이 필요치 않게 되어 작업 효율이 혁신적으로 강화된다.
(3) 종래 기술과는 달리 어떠한 푸시-업 니들도 사용되지 않으며, 그 결과 테이블이나 다른 지지체가 상기 다이싱 테이프하에 배열될 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 직경이 증가될 때 다이싱 테이프의 이완이 방지되며, 균일한 칩 간격이 지속될 수 있다.
(4) 어떠한 칩도 점착되지 않는 다이싱 테이프 부위가 먼저 가열되고 수축된 다음에 칩이 점착되는 다이싱 테이프 부위가 수축되는 본 실시예에 있어서, 팽창 단계에 있어서 다이싱 테이프의 이완이 방지될 수 있고 상기 칩들은 균일한 간격으로 배열될 수 있다. 결과적으로, 상기 칩들은 흡입 콜릿에 의해 정확하게 개별적으로 픽업될 수 있다.

Claims (21)

  1. 적어도 하나의 수축막층 및 감압 점착층을 포함하는 다이싱 테이프를 제공하는 단계와;
    웨이퍼가 감압 점착층에 의해 점착되도록 웨이퍼를 다이싱 테이프상에 장착하는 단계와;
    웨이퍼가 다수의 칩으로 절단 분리되도록 웨이퍼를 다이싱하는 단계와;
    점착 영역 및 칩과 점착층 사이의 점착 강도가 감소되고 또한 칩들이 예정된 간격으로 배열되도록, 점착되는 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프를 가열 수단이 설치된 테이블상에 배열하고, 상기 가열수단에 의해 다이싱 테이프의 수축막 형성부를 수축시키는 단계 및;
    상기 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 예정 간격으로 배열된 칩들을 동시에 흡인하는 단계를 포함하는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 수축막층을 수축하는 단계에 있어서, 다수의 칩들이 점착되지 않는 다이싱 테이프의 주변 영역만이 제 1 수축부를 형성하기 위한 제 1 단계로서 가열되며, 다음에,
    상기 칩들이 점착되는 다이싱 테이프의 내부 영역은 제 2 수축부를 형성하기 위한 제 2 단계로서 가열되고,
    상기 제 2 수축부는 서로 이웃하는 다수의 칩들이 예정된 간격으로 배열되도록 수행되는 단계를 형성하며,
    상기 제 2 수축부는 칩들이 서로 분리되도록 칩들 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리되는 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는 단계를 형성하는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 전체 하부면상에 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 가열 수단은 수평 방향을 따라 이동되도록 다이싱 테이프의 하부면상에 배열되며, 상기 가열 수단은 소 영역을 선별적으로 가열하기 위해 흡입 콜릿과 동시에 수평 방향을 따라 이동할 수 있는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 가열 수단은 수직 방향으로 이동 가능하도록 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 가열 수단은 수직 방향으로 이동 가능하도록 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 위에 점착되는 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프는 테이블상의 링 프레임을 통해 배열되며, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 하부면상에 배열되며, 상기 칩들은 가열 수단에 의해 가열되며, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 하부면으로부터 제거되며, 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리되는 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 위에 점착되는 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프는 테이블상의 링 프레임을 통해 배열되며, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 하부면상에 배열되며, 상기 칩들은 가열 수단에 의해 가열되며, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 하부면으로부터 제거되며, 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리되는 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 위에 점착되는 다수의 칩을 갖는 다이싱 테이프는 링 프레임 위에 점착되며, 상기 링 프레임은 예정 간격으로 적어도 2개의 위치결정 노치와 함께 제공되며, 상기 노치에 대응하는 핀은 예정 간격으로 테이블상에 돌출적으로 제공되며, 상기 링 프레임의 노치는 링 프레임이 테이블상에 위치하도록 핀에 조립되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 방법.
  10. 다수의 다이싱된 칩들은 하나 이상의 수축막층 및 감압 점착층으로 구성된 다이싱 테이프상에 점착되며,
    상기 다이싱 테이프는 링 프레임에 점착되며,
    상기 링 프레임은 가열 수단과 함께 설치된 테이블상에 배열되며,
    흡입 콜릿은 링 프레임 위에 배열되고, 수직 방향으로 이동할 수 있으며,
    예정된 간격으로 배열된 다수의 다이싱된 칩들은 다이싱 테이프가 가열 수단에 의해 가열된 후 차례로 흡인 및 분리되는 것을 특징으로 하는 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 링 프레임은 예정된 간격으로 2개 이상의 노치와 함께 제공되며, 2개 이상의 위치결정 핀은 예정된 간격으로 가열 수단과 함께 설치된 테이블상에 돌출적으로 배열되며, 상기 핀 및 링 프레임의 노치는 링 프레임이 테이블상의 적절한 위치에 배열된 형태를 갖도록 함께 조립되도록 적응되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 가열 수단은,
    상기 다수의 칩들이 적어도 하나의 수축막층을 수축하는 단계에 있어서 제 1 단계로서 점착되지 않는 다이싱 테이프의 주변 영역만을 가열할 수 있는 제 1 가열 수단 및;
    상기 칩들이 제 2 단계로서 점착되는 다이싱 테이프의 내부 영역을 가열할 수 있는 제 2 가열 단계를 포함하는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 전체 하부면상에 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 가열 수단은 다이싱 테이프의 전체 하부면상에 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 상기 가열 수단은 수평 방향을 따라 이동되도록 다이싱 테이프의 하부면상에 배열되며, 상기 가열 수단은 소 영역을 선별적으로 가열하기 위해 흡입 콜릿과 동시에 수평 방향을 따라 이동할 수 있는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  16. 제 11 항, 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 가열 수단은 수직 방향으로 이동 가능하도록 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 가열 수단은 수직 방향으로 이동 가능하도록 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 가열 수단은 수직 방향으로 이동 가능하도록 배열되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  19. 제 10항, 제 11 항, 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 위에 점착되는 다수의 칩을 가지며 테이블상의 링 프레임을 통해 배열되는 다이싱 테이프를 부가로 포함하며, 상기 칩들을 가열 수단에 의해 가열하고, 상기 가열 수단을 다이싱 테이프의 하부면으로부터 제거하도록, 상기 가열 수단을 갖는 테이블은 다이싱 테이프 아래에 배열되며, 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리되는 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  20. 제 12 항에 있어서, 위에 점착되는 다수의 칩을 가지며 테이블상의 링 프레임을 통해 배열되는 다이싱 테이프를 부가로 포함하며, 상기 칩들을 가열 수단에 의해 가열하고, 상기 가열 수단을 다이싱 테이프의 하부면으로부터 제거하도록, 상기 가열 수단을 갖는 테이블은 다이싱 테이프 아래에 배열되며, 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리되는 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
  21. 제 13 항에 있어서, 위에 점착되는 다수의 칩을 가지며 테이블상의 링 프레임을 통해 배열되는 다이싱 테이프를 부가로 포함하며, 상기 칩들을 가열 수단에 의해 가열하고, 상기 가열 수단을 다이싱 테이프의 하부면으로부터 제거하도록, 상기 가열 수단을 갖는 테이블은 다이싱 테이프 아래에 배열되며, 칩들이 서로로부터 분리되도록 칩 위에 배열된 흡입 콜릿에 의해 동시에 절단 분리되는 다수의 칩들을 흡인하므로써 수행되는, 전자 성분들을 다이 본딩하기 위한 장치.
KR1019980021621A 1997-06-12 1998-06-11 전자부품들을다이본딩하기위한방법및그를위한다이본딩장치 KR100587719B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15511797A JP3955659B2 (ja) 1997-06-12 1997-06-12 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP97-155117 1997-06-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990006863A true KR19990006863A (ko) 1999-01-25
KR100587719B1 KR100587719B1 (ko) 2006-10-31

Family

ID=15598958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980021621A KR100587719B1 (ko) 1997-06-12 1998-06-11 전자부품들을다이본딩하기위한방법및그를위한다이본딩장치

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6176966B1 (ko)
EP (1) EP0884766B1 (ko)
JP (1) JP3955659B2 (ko)
KR (1) KR100587719B1 (ko)
CN (1) CN1146032C (ko)
DE (1) DE69836398T2 (ko)
MY (1) MY120043A (ko)
SG (1) SG71802A1 (ko)
TW (1) TW521313B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100681838B1 (ko) * 1999-06-17 2007-02-12 린텍 가부시키가이샤 양면점착시트에 고정된 물품의 박리방법 및 박리장치
KR101314398B1 (ko) * 2011-09-23 2013-10-04 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
KR101414086B1 (ko) * 2011-12-14 2014-07-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 익스팬드 장치 및 부품의 제조방법

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377033B1 (ko) * 1996-10-29 2003-03-26 트러시 테크날러지스 엘엘시 Ｉｃ 및 그 제조방법
US6448153B2 (en) 1996-10-29 2002-09-10 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6882030B2 (en) 1996-10-29 2005-04-19 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuit structures with a conductor formed in a through hole in a semiconductor substrate and protruding from a surface of the substrate
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
DE69914418T2 (de) * 1998-08-10 2004-12-02 Lintec Corp. Dicing tape und Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
US7105226B2 (en) * 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
JP3661444B2 (ja) * 1998-10-28 2005-06-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置、半導体ウエハ、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法
JP2001060565A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Lintec Corp 光照射装置及びこれを用いたピックアップ装置
JP4137310B2 (ja) * 1999-09-06 2008-08-20 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
WO2001056063A2 (en) * 2000-01-26 2001-08-02 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
JP4392732B2 (ja) * 2000-02-07 2010-01-06 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP3641217B2 (ja) * 2000-03-31 2005-04-20 Ｔｄｋ株式会社 チップ状電子部品における端部電極形成方法及び装置
EP1156521A3 (en) * 2000-04-24 2007-05-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Low cost electroless plating process for single chips and wafer parts and products obtained thereof
US6383833B1 (en) * 2000-05-23 2002-05-07 Silverbrook Research Pty Ltd. Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape
IL153026A0 (en) * 2000-05-24 2003-06-24 Silverbrook Res Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one uv curable tape
KR100773170B1 (ko) * 2000-09-12 2007-11-02 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 반도체 칩을 장착하는 방법 및 장치
JP2002164414A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shinkawa Ltd 半導体ペレット処理方法及び装置
US6572944B1 (en) * 2001-01-16 2003-06-03 Amkor Technology, Inc. Structure for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape
US6610167B1 (en) 2001-01-16 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Method for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
JP4482243B2 (ja) * 2001-03-13 2010-06-16 株式会社新川 ダイのピックアップ方法及びピックアップ装置
JP2002322436A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4647830B2 (ja) * 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
JP4647831B2 (ja) * 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
US20030042615A1 (en) 2001-08-30 2003-03-06 Tongbi Jiang Stacked microelectronic devices and methods of fabricating same
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
JP3745260B2 (ja) * 2001-10-02 2006-02-15 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US6896760B1 (en) * 2002-01-16 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Fabrication of stacked microelectronic devices
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
JP3978345B2 (ja) * 2002-02-06 2007-09-19 日本碍子株式会社 切断加工部品保持構造の形成方法および切断加工部品の製造方法
US6800018B2 (en) * 2002-02-12 2004-10-05 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Cutting device for separating individual laminated chip assemblies from a strip thereof, method of separation and a method of making the cutting device
JP2004083633A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び研磨テープ用接着テープ
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2004146727A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの搬送方法
EP1575081A1 (en) * 2002-10-28 2005-09-14 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Expansion method and device
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4716668B2 (ja) * 2004-04-21 2011-07-06 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
US7015064B1 (en) 2004-04-23 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Marking wafers using pigmentation in a mounting tape
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
JP4704017B2 (ja) 2004-12-09 2011-06-15 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4616719B2 (ja) 2005-07-20 2011-01-19 富士通株式会社 Ｉｃチップ実装方法
JP4750492B2 (ja) * 2005-07-20 2011-08-17 富士通株式会社 Ｉｃチップ実装方法
TW200717519A (en) * 2005-10-28 2007-05-01 Univ Nat Chiao Tung Asynchronous first-in-first-out cell
JP4769560B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
KR20070120319A (ko) * 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 한 쌍의 이젝터들을 구비하는 반도체 칩의 탈착 장치 및이를 이용한 반도체 칩의 탈착 방법
JP4376250B2 (ja) 2006-06-21 2009-12-02 テイコクテーピングシステム株式会社 多層構造体の形成方法
US20070297885A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Jean Michel Processe Product designed to be used with handling system
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
KR100817254B1 (ko) * 2007-03-27 2008-03-27 한국뉴매틱(주) 내장 진공펌프를 갖는 레벨 보정기
US20110198024A1 (en) * 2007-04-05 2011-08-18 Avery Dennison Corporation Systems and Processes for Applying Heat Transfer Labels
US8282754B2 (en) 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
CN101679818A (zh) * 2007-04-05 2010-03-24 艾利丹尼森公司 压敏收缩标签
WO2008152701A1 (ja) * 2007-06-13 2008-12-18 Fujitsu Limited キャリアテープから電子部品を取り出す方法
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
DE102008018536B4 (de) 2008-04-12 2020-08-13 Erich Thallner Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger
JP2008258639A (ja) * 2008-05-02 2008-10-23 Nitto Denko Corp 半導体ウエハー切断片のピックアップ回収方法
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
JP2010186971A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5412214B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-12 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびその装置
CN102148178A (zh) * 2009-12-16 2011-08-10 第一毛织株式会社 电路小片粘性膜、卷筒、安装设备和电子产品
EP2752368A1 (en) 2010-01-28 2014-07-09 Avery Dennison Corporation Label applicator belt system
JP5123357B2 (ja) * 2010-06-17 2013-01-23 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ ダイボンダ及びピックアップ装置
JP2012182313A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法
WO2012161069A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 オリンパス株式会社 基板シートの製造方法
US9196535B2 (en) * 2013-06-18 2015-11-24 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer
JP2015065367A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社テセック 剥離装置およびピックアップシステム
CN103676282A (zh) * 2013-12-23 2014-03-26 合肥京东方光电科技有限公司 触摸屏和显示屏分离装置及分离方法
CN105324022A (zh) * 2015-09-21 2016-02-10 厦门三安光电有限公司 一种芯粒抓取装置及其抓取方法
JP6582975B2 (ja) * 2015-12-28 2019-10-02 富士通株式会社 半導体実装装置、半導体実装装置のヘッド及び積層チップの製造方法
TWI567011B (zh) * 2016-06-15 2017-01-21 All Ring Tech Co Ltd Method and device for conveying the components of the bonding process
KR102523850B1 (ko) * 2016-07-11 2023-04-21 주식회사 미코세라믹스 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 칩 분리 장치
CN107072045A (zh) * 2016-11-30 2017-08-18 合肥瑞硕科技有限公司 一种电路板专用吸取装置
KR102617347B1 (ko) * 2018-10-04 2023-12-26 삼성전자주식회사 다이 이젝터 및 상기 다이 이젝터를 포함하는 다이 공급 장치
TWI784622B (zh) * 2020-08-12 2022-11-21 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59171137A (ja) * 1984-01-30 1984-09-27 Hitachi Ltd ペレット取り外し方法
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
US5714029A (en) 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JP2521459B2 (ja) * 1987-02-23 1996-08-07 日東電工株式会社 半導体チツプの製造方法
JPH01220454A (ja) * 1988-02-27 1989-09-04 Nitto Denko Corp フレームアライメント装置
US4921564A (en) * 1988-05-23 1990-05-01 Semiconductor Equipment Corp. Method and apparatus for removing circuit chips from wafer handling tape
JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JP2866453B2 (ja) * 1990-07-04 1999-03-08 ローム株式会社 エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法
JP3073239B2 (ja) * 1990-12-28 2000-08-07 リンテック株式会社 ウェハ貼着用粘着シート
SG52223A1 (en) * 1992-01-08 1998-09-28 Murata Manufacturing Co Component supply method
JP2994510B2 (ja) 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
EP0571649A1 (en) 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
US5466325A (en) 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
JP3438369B2 (ja) * 1995-01-17 2003-08-18 ソニー株式会社 部材の製造方法
JP3496347B2 (ja) * 1995-07-13 2004-02-09 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
JPH0964148A (ja) * 1995-08-18 1997-03-07 Shinkawa Ltd ウェーハリングの供給・返送装置
JPH0963966A (ja) * 1995-08-24 1997-03-07 Toshiba Microelectron Corp 気相成長装置
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100681838B1 (ko) * 1999-06-17 2007-02-12 린텍 가부시키가이샤 양면점착시트에 고정된 물품의 박리방법 및 박리장치
KR101314398B1 (ko) * 2011-09-23 2013-10-04 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
KR101414086B1 (ko) * 2011-12-14 2014-07-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 익스팬드 장치 및 부품의 제조방법
US9101085B2 (en) 2011-12-14 2015-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Expanding device and method for manufacturing components

Also Published As

Publication number Publication date
SG71802A1 (en) 2000-04-18
EP0884766B1 (en) 2006-11-15
US6176966B1 (en) 2001-01-23
DE69836398T2 (de) 2007-03-15
TW521313B (en) 2003-02-21
MY120043A (en) 2005-08-30
EP0884766A3 (en) 2000-09-20
DE69836398D1 (de) 2006-12-28
CN1146032C (zh) 2004-04-14
CN1206329A (zh) 1999-01-27
JP3955659B2 (ja) 2007-08-08
JPH113875A (ja) 1999-01-06
KR100587719B1 (ko) 2006-10-31
EP0884766A2 (en) 1998-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100587719B1 (ko) 전자부품들을다이본딩하기위한방법및그를위한다이본딩장치
US7465142B2 (en) Method and apparatus for picking up a semiconductor chip, method and apparatus for removing a semiconductor chip from a dicing tape, and a method of forming a perforated dicing tape
KR100852655B1 (ko) 반도체 기판용 지그 및 그를 이용한 반도체 장치의 제조방법
US7300818B2 (en) Method of and mechanism for peeling adhesive tape bonded to segmented semiconductor wafer
JP5253996B2 (ja) ワーク分割方法およびテープ拡張装置
KR101685709B1 (ko) 점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치
US7708855B2 (en) Method for processing a semiconductor wafer
WO1997008745A1 (fr) Procede et appareil de decollage de la bande de protection adhesive d'une tranche de semi-conducteurs
JP2001007179A (ja) 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
KR20050059996A (ko) 보호테이프의 접착방법 및 그것을 사용한 장치 및보호테이프의 박리방법 및 그것을 사용한 장치
JP2009158879A (ja) 基板への接着シートの貼付け装置
KR20130090827A (ko) 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치
JP2004349435A (ja) 基板へのダイシング・ダイボンドテープの貼り付け装置
JP2002280330A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
EP1610359A2 (en) Bonding apparatus, bonding method, and method for manufacturing semiconductor device
JPH07283174A (ja) ダイシング装置
JP3618080B2 (ja) ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
KR20190118967A (ko) 점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치
JP5646395B2 (ja) ウェーハ保持ジグ
JP2002353296A (ja) ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
JP2004311980A (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JPH05286568A (ja) ウエハ吸着装置とこれを用いた半導体装置製造方法
TW200952091A (en) Method of picking-up device having adhesive film mounted thereon
JP2003324080A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH08255772A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130524

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180518

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term