KR101808795B1 - 적층체 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수의 절연 시트가 적층된 적층체와, 적층체 내부에 상기 절연 시트를 사이에 두고 복수의 내부 전극이 마련된 캐패시터부와, 캐패시터부 사이에 마련되며 ESD 전압을 보호하는 ESD 보호부를 포함하고, ESD 보호부는 다공성의 절연 물질을 포함하는 ESD 보호층을 포함하는 감전 방지 소자가 제시된다.

Description

적층체 소자{Laminated device}
본 발명은 적층체 소자에 관한 것으로, 특히 스마트 폰 등의 충전 가능한 전자기기를 통해 사용자에게 쇼크 전류가 전달되는 것을 방지할 수 있는 감전 방지 소자에 관한 것이다.
이동통신 단말기의 이용은 과거 음성통화 중심에서 테이터 통신 서비스를 거쳐 스마트폰 기반의 생활편의 서비스로 진화되어 왔다. 또한, 스마트폰 등의 다기능화에 따라 다양한 주파수 대역이 사용되고 있다. 즉, 하나의 스마트폰 내에서 무선 LAN(wireless LAN), 블루투스(bluetooth), GPS 등 다른 주파수 대역을 이용하는 복수의 기능을 채용하게 되었다. 또한, 전자 기기의 고집적화에 따라 한정된 공간에서의 내부 회로 밀도가 높아지게 되고, 그에 따라 내부 회로 사이에 노이즈 간섭이 필연적으로 발생하게 된다. 휴대용 전자 기기의 다양한 주파수의 노이즈를 억제하고, 내부 회로 사이의 노이즈를 억제하기 위해 복수의 회로 보호 소자가 이용되고 있다. 예를 들어, 각각 서로 다른 주파수 대역의 노이즈를 제거하는 콘덴서, 칩 비드, 공통 모드 필터(common mode filter) 등이 이용되고 있다.
한편, 최근들어 스마트폰의 고급스런 이미지와 내구성이 강조되면서 금속 소재를 이용한 단말기의 보급이 증가하고 있다. 즉, 테두리를 금속으로 제작하거나, 전면의 화면 표시부를 제외한 나머지 케이스를 금속으로 제작한 스마트폰의 보급이 증가하고 있다.
그런데, 금속 케이스를 이용한 스마트폰에 비정품 충전기를 이용한 충전 중 스마트폰을 이용하면 감전 사고가 발생할 수 있다. 즉, 과전류 보호 회로가 내장되지 않거나 저품질의 소자를 사용한 비정품 충전기 또는 불량 충전기를 이용하여 충전함으로써 쇼크 전류(Shock Current)가 발생되고, 이러한 쇼크 전류는 스마트폰의 그라운드 단자로 도전되고, 다시 금속 케이스로 도전되어 금속 케이스에 접촉된 사용자가 감전될 수 있다.
한국등록특허 제10-0876206호
본 발명은 스마트폰 등의 전자기기 내에 마련되어 충전기로부터 입력되는 쇼크 전류에 의한 사용자의 감전을 방지할 수 있는 적층체 소자를 제공한다.
본 발명은 ESD(ElectroStatic Discharge)에 의해 절연 파괴되지 않는 적층체 소자를 제공한다.
본 발명은 소자 사이즈가 감소하더라도 정전용량을 유지할 수 있는 적층체 소자를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따른 적층체 소자는 복수의 절연 시트가 적층된 적층체; 상기 적층체 내부에 상기 절연 시트를 사이에 두고 복수의 내부 전극이 마련된 캐패시터부; 및 상기 절연 시트의 적어도 일부에 형성되어 ESD 전압을 방지하는 ESD 보호부를 포함하고, 상기 ESD 보호부는 다공성의 절연 물질을 포함하는 ESD 보호층을 포함한다.
상기 적층체는 일 방향으로의 길이가 0.3㎜ 내지 1.1㎜이고, 이와 직교하는 타 방향으로의 너비가 0.15㎜ 내지 0.55㎜이며, 두께가 0.15㎜ 내지 0.55㎜일 수 있다.
상기 감전 방지 소자는 상기 길이, 너비 및 두께가 각각 0.55㎜ 내지 0.65㎜, 0.25㎜ 내지 0.35㎜ 및 0.25㎜ 내지 0.35㎜일 수 있다.
상기 감전 방지 소자는 상기 길이, 너비 및 두께가 각각 0.35㎜ 내지 0.45㎜, 0.15㎜ 내지 0.25㎜ 및 0.15㎜ 내지 0.25㎜일 수 있다.
상기 절연 시트는 유전율이 20 내지 3000일 수 있다.
상기 절연 시트는 두께가 15㎛ 내지 300㎛일 수 있다.
상기 감전 방지 소자는 상기 내부 전극이 상기 시트 단면적의 25% 내지 85%의 면적으로 형성된다.
감전 방지 소자는 정전용량이 2㎊ 내지 150㎊일 수 있다.
상기 ESD 보호층은 적어도 하나의 절연 시트에 형성된 50㎛ 내지 450㎛의 지름과 5㎛ 내지 50㎛ 두께의 관통홀의 적어도 일 영역에 상기 다공성의 절연 물질이 매립되어 형성된다.
상기 ESD 보호층은 전도성 물질 및 에어갭의 적어도 하나를 더 포함한다.
상기 ESD 보호층은 상기 전도성 물질과 상기 절연성 물질이 혼합되어 형성된다.
상기 ESD 보호층은 상기 절연성 물질과 상기 전도성 물질이 적어도 1회 적층되어 형성된다.
상기 ESD 보호층은 상기 전도성 물질, 절연성 물질 및 에어 갭이 적어도 1회 반복 적층된다.
상기 절연성 물질은 1㎚ 내지 5㎛의 공극이 30% 내지 80%의 공극률로 형성되며, 상기 전도성 물질은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Ag, Pd, Pt, W, Fe, Bi 중의 하나 이상을 포함한다.
상기 캐패시터부의 내부 전극은 적어도 하나가 적어도 일 영역이 제거된 형상으로 형성되고, 상기 ESD 보호층은 적어도 둘 이상 마련된다.
감전 방지 소자는 메탈 케이스를 포함하는 전자기기의 내부에 마련되어 상기 메탈 케이스를 통해 사용자에게 전달되는 감전 전압을 차단한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 적층체 소자로서의 감전 방지 소자는 캐패시터부 사이에 ESD 보호부를 구비하고, ESD 보호부가 에너지 레벨을 낮춰 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 도전층과 다공성 구조로 이루어져 미세 공극을 통해 전류를 흐르게 하는 절연층을 포함함으로써 유입되는 ESD를 바이패스시켜 소자의 절연 상태를 유지할 수 있다. 따라서, ESD에 의해 감전 방지 소자의 절연이 파괴되지 않고, 그에 따라 불량 충전기에서 발생된 감전 전압이 전자기기의 메탈 케이스를 통해 사용자에게 전달되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 캐패시터부의 내부 전극을 플로팅 타입(floating type)으로 변형함으로써 내부 전극 사이의 적어도 일 영역에서 절연 시트의 두께를 2배 이상 증가시킬 수 있고, 그에 따라 칩 사이즈가 작아지더라도 절연 시트의 절연 저항 파괴를 방지할 수 있어 고전압 내압 특성을 유지할 수 있다. 그리고, ESD 보호부를 적어도 둘 이상 복수로 마련함으로써 방전 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
한편, 캐패시터부의 시트, 즉 유전체의 유전율을 200 내지 3000으로 하고 유전체의 두께를 15㎛ 내지 300㎛로 함으로써 소자의 사이즈가 감소하더라도 정전용량을 그대로 유지할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 감전 감지 소자의 단면도 및 사시도.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 감전 방지 소자의 ESD 보호층의 단면도 및 단면 사진.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 ESD 보호층의 다양한 실험 예들에 따른 방전 개시 전압을 도시한 도면.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시 예들에 따른 감전 방지 소자의 단면도.
도 13 내지 도 16은 본 발명의 또다른 실시 예들에 따른 감전 방지 소자의 단면도.
도 17은 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 감전 방지 소자의 ESD 보호층의 배치 형상을 도시한 평면 개략도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 적층체 소자로서의 감전 방지 소자의 단면도이고, 도 2는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 감전 방지 소자는 복수의 절연 시트(100)가 적층된 적층체(1000)로 이루어지며, 적층체(1000) 내에 제 1 캐패시터부(2000), ESD 보호부(3000) 및 제 2 캐패시터부(4000)가 마련될 수 있다. 즉, 적층체(1000) 내부에 제 1 캐패시터부(2000), ESD 보호부(3000) 및 제 2 캐패시터부(4000)가 적층되어 감전 방지 소자가 구현될 수 있다. 또한, 적층체(1000)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)와 ESD 보호부(3000)와 연결되는 외부 전극(5100, 5200; 5000)을 더 포함할 수 있다. 물론, 감전 방지 소자는 적어도 하나의 캐패시터부와 적어도 하나의 ESD 보호부를 포함할 수 있다. 즉, ESD 보호부(3000)의 하측 또는 상측의 어느 하나에 캐패시터부가 마련될 수 있고, 서로 이격된 둘 이상의 ESD 보호부(3000)의 상측 및 하측에 적어도 하나의 캐패시터부가 마련될 수도 있다. 또한, 감전 방지 소자는 일 방향, 즉 X 방향으로의 길이(L)가 0.3㎜∼1.1㎜이고, 이와 직교하는 타 방향, 즉 Y 방향으로의 너비(W)가 0.15㎜∼0.55㎜이며, 즉 Z 방향으로의 두께가 0.15㎜∼0.55㎜일 수 있다. 예를 들어, 감전 방지 소자는 길이, 너비 및 두께가 각각 0.9㎜∼1.1㎜, 0.45㎜∼0.55㎜ 및 0.45㎜∼0.55㎜일 수 있고, 0.55㎜∼0.65㎜, 0.25㎜∼0.35㎜ 및 0.25㎜∼0.35㎜일 수 있으며, 0.35㎜∼0.45㎜, 0.15㎜∼0.25㎜ 및 0.15㎜∼0.25㎜일 수 있다. 즉, 감전 방지 소자는 길이:너비:두께의 비율이 2∼3:1∼2:1∼2로 구성될 수 있다. 바람직하게는 길이×너비×두께가 1.0㎜×0.5㎜×0.5㎜, 0.6㎜×0.3㎜×0.3㎜ 및 0.4㎜×0.2㎜×0.2㎜일 수 있다. 즉, 감전 방지 소자는 길이:너비:두께의 비율이 2:1:1로 구성될 수 있다. 이러한 소자의 디멘젼(dimension)은 전형적인 SMT용 소자 규격을 따른다.
이러한 감전 방지 소자는 전자기기 내부의 PCB와 메탈 케이스 사이에 마련되어 감전 전압을 차단하며, ESD에 의해 절연이 파괴되지 않아 감전 전압을 지속적으로 차단할 수 있다.
적층체(1000)는 복수의 절연 시트(101 내지 111; 100)가 적층되어 형성되며, 적층체(1000) 내부에 적어도 하나의 캐패시터부와, ESD 보호부(3000)가 마련될 수 있다. 예를 들어, 제 1 캐패시터부(2000), ESD 보호부(3000) 및 제 2 캐패시터부(4000)가 마련될 수 있다. 복수의 절연 시트(100)은 소정의 유전율, 예를 들어 10∼20000의 유전율을 갖는 유전체 시트일 수 있다. 또한, 복수의 절연 시트(100)는 모두 동일 두께로 형성될 수 있고, 적어도 어느 하나가 다른 것들에 비해 두껍거나 얇게 형성될 수 있다. 즉, ESD 보호부(3000)를 이루는 절연 시트는 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)를 이루는 절연 시트와 다른 두께로 형성될 수 있고, ESD 보호부(3000)와 제 1 및 제 2 캐패시터(2000, 4000) 사이에 형성된 절연 시트(100)가 다른 시트들과 다른 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, ESD 보호부(3000)를 이루는 절연 시트가 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)를 이루는 절연 시트보다 두껍게 형성될 수 있고, ESD 보호부(3000)와 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000) 사이의 절연 시트가 다른 절연 시트들에 비해 두껍게 형성될 수 있다. 물론, 제 1 및 제 2 캐패시터(2000, 4000)를 이루는 절연 시트는 동일 두께로 형성될 수 있고, 제 1 캐패시터(2000)를 이루는 절연 시트들의 두께가 제 2 캐패시터(4000)를 이루는 절연 시트들의 두께보다 얇거나 두꺼울 수 있다. 한편, 제 1 및 제 2 캐패시터(2000, 4000)를 이루는 절연 시트는 ESD 인가 시 파괴되지 않는 두께, 예를 들어 15㎛∼300㎛의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 적층체(1000)는 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)의 하부 및 상부에 각각 마련된 하부 커버층(미도시) 및 상부 커버층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 하부 및 상부 커버층은 자성체 시트가 복수 적층되어 마련될 수 있으며, 동일 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 자성체 시트로 이루어진 하부 및 상부 커버층의 최외곽, 즉 하부 및 상부 표면에 비자성 시트, 예를 들어 유리질의 시트가 더 형성될 수 있다.
제 1 캐패시터부(2000)는 제 1 내지 제 4 절연 시트(101 내지 104)와, 제 1 내지 제 4 절연 시트(101 내지 104) 상에 각각 형성된 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)를 포함할 수 있다. 제 1 내부 전극(201)은 제 1 절연 시트(101) 상에 소정 면적으로 형성되며, 일측이 제 1 외부 전극(5100)과 연결되고 타측이 제 2 외부 전극(5200)과 이격되도록 형성된다. 제 2 내부 전극(202)는 제 2 절연 시트(102) 상에 소정 면적으로 형성되며 일측이 제 2 외부 전극(5200)과 연결되고 타측이 제 1 외부 전극(5100)과 이격되도록 형성된다. 즉, 제 1 내부 전극(201)과 그 상측의 제 2 내부 전극(202)은 외부 전극(5000)의 어느 하나와 연결되며 제 2 절연 시트(202)를 사이에 두고 소정 영역 중첩되도록 형성된다. 또한, 제 3 내부 전극(203)은 제 1 내부 전극(201)과 동일 형상으로 형성되어 제 1 외부 전극(5100)과 연결되도록 형성되고, 제 4 내부 전극(204)는 제 2 내부 전극(202)과 동일 형상으로 형성되어 제 2 외부 전극(5200)과 연결되도록 형성된다. 이때, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)은 제 1 내지 제 4 절연 시트(101 내지 104) 각각의 면적 대비 10% 내지 85%의 면적으로 각각 형성된다. 또한, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)은 이들 전극 각각의 면적 대비 10% 내지 85%의 면적으로 중첩되도록 형성된다. 한편, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)은 예를 들어 정사각형, 직사각형, 소정의 패턴 형상, 소정 폭 및 간격을 갖는 스파이럴 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 제 1 캐패시터부(2000)는 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204) 사이에 캐패시턴스가 각각 형성되며, 캐패시턴스는 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)의 중첩 면적, 절연 시트들(202 내지 204)의 두께 등에 따라 조절될 수 있다.
ESD 보호부(3000)는 제 5 및 제 6 절연 시트(105, 106)과, 제 5 및 제 6 절연 시트(105, 106) 상에 각각 형성된 제 5 및 제 6 내부 전극(205, 206)과, 제 6 절연 시트(106)를 관통하여 형성된 관통홀 내에 형성된 ESD 보호층(300)을 포함할 수 있다. 여기서, ESD 보호층(300)은 제 5 및 제 6 내부 전극(205, 206)과 연결되도록 형성될 수 있다. 제 5 내부 전극(205)은 제 1 외부 전극(5100)과 연결되어 제 5 절연 시트(105) 상에 형성되며 말단부가 ESD 보호층(300)과 연결되도록 형성된다. 여기서, 제 5 내부 전극(205)의 ESD 보호층(300)과 접촉되는 영역은 ESD 보호층(300)과 동일 크기 또는 이보다 크게 형성될 수 있고, 그에 따라 다른 영역에 비해 크게 형성될 수 있다. 제 6 내부 전극(206)은 제 2 외부 전극(5200)과 연결되어 제 6 절연 시트(106) 상에 형성되며 말단부가 ESD 보호층(300)과 연결되도록 형성된다. ESD 보호층(300)은 제 6 절연 시트(106)의 소정 영역, 예를 들어 중심부에 소정 크기의 관통홀을 형성하고 후막 인쇄 공정을 이용하여 관통홀을 매립하도록 형성될 수 있다. ESD 보호층(300)은 소자의 사이즈에 따라 예를 들어 50㎛∼500㎛의 폭과 5㎛∼50㎛의 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 길이×너비×두께가 1.0㎜×0.5㎜×0.5㎜, 0.6㎜×0.3㎜×0.3㎜ 및 0.4㎜×0.2㎜×0.2㎜인 소자에서 ESD 보호층(300)은 50㎛∼450㎛의 폭과 5㎛∼50㎛의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 제 6 절연 시트(106)는 5㎛∼50㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이때, ESD 보호층(300)의 두께가 얇을수록 방전 개시 전압이 낮아진다. ESD 보호층(300)은 도전성 물질과 절연성 물질을 충진시켜 형성할 수 있다. 예를 들어, 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 충진시켜 ESD 보호층(300)을 형성할 수 있다. 한편, ESD 보호층(300)은 적어도 하나의 절연 시트(100) 상에 형성될 수도 있다. 즉, 하나의 절연 시트(100) 상에 ESD 보호층(300)이 형성되고, 그 절연 시트(100) 상에 내부 전극이 형성되어 ESD 보호층(300)과 연결될 수 있다. ESD 보호층(300)에 대한 보다 자세한 설명은 후술하도록 하겠다.
제 2 캐패시터부(4000)는 제 7 내지 제 11 절연 시트(107 내지 111)와, 제 7 내지 제 10 절연 시트(107 내지 110) 상에 각각 형성된 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210)를 포함할 수 있다. 제 7 내부 전극(207)은 제 7 절연 시트(107) 상에 소정 면적으로 형성되며, 일측이 제 1 외부 전극(5100)과 연결되고 타측이 제 2 외부 전극(5200)과 이격되도록 형성된다. 제 8 내부 전극(208)는 제 8 절연 시트(108) 상에 소정 면적으로 형성되며 일측이 제 2 외부 전극(5200)과 연결되고 타측이 제 1 외부 전극(5100)과 이격되도록 형성된다. 또한, 제 9 내부 전극(209)은 제 7 내부 전극(207)과 동일 형상으로 형성되어 제 1 외부 전극(5100)과 연결되도록 형성되고, 제 10 내부 전극(210)은 제 8 내부 전극(208)과 동일 형상으로 형성되어 제 2 외부 전극(5200)과 연결되도록 형성된다. 즉, 제 7 내부 전극(207)과 그 상측의 제 8 내부 전극(208)은 외부 전극(5000)의 어느 하나와 각각 연결되고 제 8 절연 시트(208)를 사이에 두고 소정 영역 중첩되도록 형성되며, 제 9 내부 전극(209)과 그 상측의 제 10 내부 전극(210)은 외부 전극(5000)의 어느 하나와 각각 연결되고 제 10 절연 시트(210)를 사이에 두고 소정 영역 중첩되도록 형성된다. 이때, 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210)은 제 7 내지 제 10 절연 시트(107 내지 110) 각각의 면적 대비 10% 내지 85%의 면적으로 각각 형성된다. 또한, 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210)은 이들 전극 각각의 면적 대비 10% 내지 85%의 면적으로 중첩되도록 형성된다. 한편, 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210)은 예를 들어 정사각형, 직사각형, 소정의 패턴 형상, 소정 폭 및 간격을 갖는 스파이럴 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 제 2 캐패시터부(4000)는 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210) 사이에 캐패시턴스가 각각 형성되며, 캐패시턴스는 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210)의 중첩 면적, 절연 시트들(208 내지 210)의 두께 등에 따라 조절될 수 있다.
한편, 제 1 캐패시터부(2000)의 제 1 내지 제 4 내부 전극(210 내지 204)와 제 2 캐패시터부(4000)의 제 7 내지 제 10 내부 전극(207 내지 210)은 동일 형상 및 동일 면적으로 형성될 수 있고, 중첩 면적 또한 동일할 수 있다. 또한, 제 1 캐패시커부(2000)의 제 2 내지 제 4 절연 시트(102 내지 104)와 제 2 캐패시터부(4000)의 제 8 내지 제 10 절연 시트(108 내지 110)은 동일 두께를 가질 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)는 캐패시턴스가 동일할 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)는 캐패시턴스가 다를 수 있으며, 이 경우 내부 전극의 면적, 내부 전극의 중첩 면적, 절연 시트의 두께가 서로다를 수 있다.
외부 전극(5100, 5200; 5000)는 적층체(1000)의 서로 대향되는 두 측면에 마련되어 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)와 ESD 보호부(3000)의 내부 전극과 연결된다. 이러한 외부 전극(5000)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 외부 전극(5000)은 Ag 등의 금속층으로 형성될 수 있고, 금속층 상에 적어도 하나의 도금층이 형성될 수도 있다. 예를 들어, 외부 전극(5000)은 구리층, Ni 도금층 및 Sn 도금층이 적층 형성될 수도 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시 예의 감전 방지 소자의 ESD 보호층(300)의 단면 개략도 및 단면 사진이다.
도 3(a) 및 도 4(a)에 도시된 바와 같이, ESD 보호층(300)은 도전성 물질과 절연성 물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 예를 들어, ESD 보호층(300)은 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 혼합하여 형성할 수 있다. 이 경우 ESD 보호층(300)은 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 예를 들어 10:90 내지 90:10의 혼합 비율로 혼합하여 형성할 수 있다. 절연성 세라믹의 혼합 비율이 증가할수록 방전 개시 전압이 높아지고, 도전성 세라믹의 혼합 비율이 증가할수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있다. 따라서, 소정의 방전 개시 전압을 얻을 수 있도록 도전성 세라믹과 절연성 세라믹의 혼합 비율을 조절할 수 있다.
또한, ESD 보호층(300)은 도전층과 절연층을 적층하여 소정의 적층 구조로 형성할 수 있다. 즉, ESD 보호층(300)은 도전층과 절연층을 적어도 1회 적층하여 도전층과 절연층이 구분되어 형성할 수 있다. 예를 들어, ESD 보호층(300)은 도전층과 절연층이 적층되어 2층 구조로 형성될 수 있고, 도전층, 절연층 및 도전층이 적층되어 3층 구조로 형성될 수 있다. 또한, 도전층(310)과 절연층(320)이 복수회 반복 적층되어 3층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도 3(b)에 도시된 바와 같이 제 1 도전층(310a), 절연층(320) 및 제 2 도전층(310b)이 적층된 3층 구조의 ESD 보호층(300)이 형성될 수 있다. 도 4(b)는 절연 시트 사이의 내부 전극 사이에 3층 구조의 ESD 보호층이 형성된 사진이다. 한편, 도전층과 절연층을 복수회 적층하는 경우 최상층 및 최하층은 도전층이 위치할 수 있다.
또한, ESD 보호층(300)은 소정 영역에 에어 갭이 더 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도전성 물질과 절연성 물질이 혼합된 층의 사이에 에어 갭이 형성될 수 있고, 도전층과 절연층 사이에 에어 갭이 형성될 수도 있다. 즉, 도전성 물질과 절연성 물질의 제 1 혼합층, 에어 갭 및 제 2 혼합층이 적층 형성될 수 있고, 도전층, 에어 갭 및 절연층이 적층 형성될 수도 있다. 예를 들어, ESD 보호층(300)은 도 3(c)에 도시된 바와 같이 제 1 도전층(310a), 제 1 절연층(320a), 에어 갭(330), 제 2 절연층(320b) 및 제 2 도전층(310b)이 적층되어 형성될 수 있다. 즉, 도전층(310) 사이에 절연층(320)이 형성되고, 절연층(320) 사이에 에어 갭(330)이 형성될 수 있다. 도 4(c)에는 이러한 적층 구조를 갖는 ESD 보호층(300)의 단면 사진이다. 물론, 도전층, 절연층, 에어 갭이 반복 적층되어 ESD 보호층(300)이 형성될 수도 있다. 한편, 도전층(310), 절연층(320) 및 에어 갭(330)이 적층되는 경우 이들 모두의 두께가 모두 동일할 수 있고, 적어도 어느 하나의 두께가 다른 것들에 비해 얇을 수 있다. 예를 들어, 에어 갭(330)이 도전층(310) 및 절연층(320)보다 얇을 수 있다. 또한, 도전층(310)은 절연층(320)과 동일 두께로 형성될 수 있고, 절연층(320)보다 두껍거나 얇게 형성될 수도 있다. 한편, 에어 갭(330)은 고분자 물질을 충진한 후 소성 공정을 실시하여 고분자 물질을 제거함으로써 형성할 수 있다. 예를 들어, 도전성 세라믹이 포함된 제 1 고분자 물질, 절연성 세라믹이 포함된 제 2 고분자 물질, 그리고 도전성 세라믹 또는 절연성 세라믹 등이 포함되지 않은 제 3 고분자 물질을 비아홀 내에 충진한 후 소성 공정을 실시하여 고분자 물질을 제거함으로써 도전층, 절연층 및 에어 갭이 형성될 수 있다.
한편, ESD 보호층(300)에 이용되는 도전층(310)은 소정의 저항을 갖고 전류를 흐르게 할 수 있다. 예를 들어, 도전층(310)은 수Ω 내지 수백㏁을 갖는 저항체일 수 있다. 이러한 도전층(310)은 ESD 등이 과전압이 유입될 경우 에너지 레벨을 낮춰 과전압에 의한 감전 방지 소자의 구조적인 파괴가 일어나지 않도록 한다. 즉, 도전층(310)은 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 히트 싱크(heat sink)의 역할을 한다. 이러한 도전층(310)은 도전성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있으며, 도전성 세라믹은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Ag, Pd, Pt, W, Fe, Bi 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용할 수 있다. 또한, 도전층(310)은 1㎛∼50㎛의 두께로 형성할 수 있다. 즉, 도전층(310)이 복수의 층으로 형성될 경우 전체 두께의 합이 1㎛∼50㎛로 형성될 수 있다.
또한, ESD 보호층(300)에 이용되는 절연층(320)은 방전 유도 물질로 이루어질 수 있고, 다공성 구조를 가진 전기 장벽으로 기능할 수 있다. 이러한 절연층(320)은 절연성 세라믹으로 형성될 수 있고, 절연성 세라믹은 50∼50000 정도의 유전율을 갖는 강유전체 물질이 이용될 수 있다. 예를 들어, 절연성 세라믹은 MLCC 등의 유전체 재료 분말, BaTiO3, BaCO3, TiO2, Nd, Bi, Zn, Al2O3 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 절연층(320)은 1㎚∼5㎛ 정도 크기의 공극이 복수 형성되어 30%∼80%의 공극률로 형성된 다공성 구조로 형성될 수 있다. 즉, 절연층(320)은 전류가 흐르지 못하는 전기 절연성 물질로 형성되지만, 공극이 형성되므로 공극을 통해 전류가 흐를 수 있다. 이때, 공극의 크기가 커지거나 공극률이 커질수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있고, 이와 반대로 공극의 크기가 작아지거나 공극률이 낮아지면 방전 개시 전압이 높아질 수 있다. 그러나, 공극의 크기가 5㎛를 초과하거나 공극률이 80%를 초과하면 ESD 보호층(300)의 형상 유지가 어려울 수 있다. 따라서, ESD 보호층(300)의 형상을 유지하면서 방전 개시 전압을 조절하도록 절연층(320)의 공극 크기 및 공극률을 조절할 수 있다. 한편, ESD 보호층(300)이 절연 물질과 도전 물질의 혼합 물질로 형성되는 경우 절연 물질은 미세 공극 및 공극률을 갖는 절연성 세라믹을 이용할 수 있다. 또한, 절연층(320)은 미세 공극에 의해 절연 시트(100)의 저항보다 낮은 저항을 갖고, 미세 공극을 통해 부분 방전이 이루어질 수 있다. 즉, 절연층(320)은 미세 공극이 형성되어 미세 공극을 통해 부분 방전이 이루어진다. 이러한 절연층(320)은 1㎛∼50㎛의 두께로 형성할 수 있다. 즉, 절연층(320)이 복수의 층으로 형성될 경우 전체 두께의 합이 1㎛∼50㎛로 형성될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시 예에 따른 감전 방지 소자는 내압 특성이 높은 절연 시트를 복수 적층하여 캐패시터부를 형성함으로써 불량 충전기에 의한 내부 회로에서 메탈 케이스로의 예를 들어 310V의 감전 전압이 유입될 때 누설 전류가 흐르지 않도록 절연 저항 상태를 유지할 수 있고, ESD 보호부 역시 메탈 케이스에서 내부 회로로의 ESD 전압 유입 시 ESD 전압을 바이패스시켜 소자의 파손없이 높은 절연 저항 상태를 유지할 수 있다. 즉, ESD 보호부(3000)는 에너지 레벨을 낮춰 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 도전층(310)과 다공성 구조로 이루어져 미세 공극을 통해 전류를 흐르게 하는 절연층(320)으로 이루어진 ESD 보호층(300)을 포함함으로써 외부로부터 유입되는 ESD 전압을 패스시켜 회로를 보호할 수 있다. 따라서, ESD 전압에 의해서도 절연 파괴되지 않고, 그에 따라 메탈 케이스를 구비하는 전자기기 내에 마련되어 불량 충전기에서 발생된 감전 전압이 전자기기의 메탈 케이스를 통해 사용자에게 전달되는 것을 지속적으로 방지할 수 있다. 한편, 일반적인 MLCC(Multi Layer Capacitance Circuit)는 감전 전압은 보호하지만 ESD에는 취약한 소자로 이는 반복적인 ESD 인가 시 전하 차징(Charging)에 의한 누설 포인트(Leak point)로 스파크(Spark)가 발생하여 소자 파손 현상이 발생될 수 있다. 그러나, 본 발명은 캐패시터부 사이에 도전층과 절연층을 포함하는 ESD 보호층이 형성됨으로써 ESD 전압을 ESD 보호층을 통해 패스시킴으로써 캐패시터부가 파괴되지 않는다.
한편, 스마트 폰 등의 전자기기의 다기능화 및 소형화에 따라 그에 적용되는 감전 방지 소자의 사이즈 또한 축소될 수 있다. 예를 들어, 감전 방지 소자는 일 방향으로의 길이가 0.3㎜∼1.1㎜이고, 이와 직교하는 타 방향으로의 너비가 0.15㎜∼0.55㎜이며, 두께가 0.15㎜∼0.55㎜일 수 있다. 구체적으로, 감전 방지 소자는 길이×너비×두께가 1.0㎜×0.5㎜×0.5㎜(이하, 제 1 감전 방지 소자)에서 0.6㎜×0.3㎜×0.3㎜(이하, 제 2 감전 방지 소자) 및 0.4㎜×0.2㎜×0.2㎜(이하, 제 3 감전 방지 소자)로 줄어들 수 있다. 즉, 길이가 1.0㎜이고 너비가 0.5㎜인 직사각형의 시트가 복수 적층되어 0.5㎜ 두께의 제 1 감전 방지 소자가 제작될 수 있고, 길이가 0.6㎜이고 너비가 0.3㎜인 직사각형의 시트가 복수 적층되어 0.3㎜ 두께의 제 2 감전 방지 소자가 제작될 수 있으며, 길이가 0.4㎜이고 너비가 0.2㎜인 직사각형의 시트가 복수 적층되어 0.2㎜ 두께의 제 3 감전 방지 소자가 제작될 수 있다. 이때, 감전 방지 소자의 캐패시터부(2000, 4000)의 시트들은 15㎛∼300㎛, 바람직하게는 15㎛∼250㎛의 두께를 가질 수 있다.
감전 방지 소자의 사이즈 감소에 의한 디멘젼(dimension)이 감소하면서 내부 전극의 면적이 동시에 감소하게 된다. 내부 전극의 면적은 소자의 단면적 기준, 즉 시트 면적의 25%∼85% 사이에서 유지될 수 있다. 그런데, 감전 방지 소자의 사이즈가 감소하더라도 감전 방지 소자의 정전용량은 2㎊ 내지 150㎊를 유지해야 한다. 즉, 사이즈가 큰 제 1 감전 방지 소자와 사이즈가 작은 제 2 및 제 3 감전 방지 소자도 동일한 정전용량을 가져야 한다. 제 2 및 제 3 감전 방지 소자에서 제 1 감전 방지 소자와 동일한 정전용량을 구현하기 위해서는 복수의 시트들, 즉 유전체들의 두께를 감소시키거나 시트들이 더 높은 유전율을 갖도록 고유전율 재료를 이용해야 한다. 정전용량은 다음의 식 1에 의해 산출될 수 있다.
[식 1]
정전용량=공기 유전율×소재의 유전율×내부 전극의 중첩 총면적/내부 전극 사이의 유전체의 두께
사이즈에 관계없이 동일 정전용량을 구현하는 또다른 방법은 유전체의 적층 두께를 감소시키는 것이다. 그런데, 감전 방지 소자는 ESD 전압에 대한 파괴 내성을 가져야 하고, 이를 위해서는 유전체의 최소한의 두께가 필요하므로 유전체의 적층 두께를 감소시켜 정전용량을 유지하는데 한계가 있다. 따라서, 일정 두께 이상에서 동일한 정전용량을 구현하려면 높은 유전율을 갖는 재료를 선택해야 한다. 그런데, 높은 유전율의 재료를 이용하면 내부 전극의 면적을 최소화하거나 유전체 두께를 두껍게 해야 한다. 그러나, 이는 최소 인쇄 면적 한계 및 감전 방지 소자 사이즈의 두께 규격에 의해서 유전체 두께를 두껍게 할 수 없어 너무 높은 유전율 재료 역시 이용하기 어렵다.
따라서, 본 발명은 사이즈가 작은 제 2 및 제 3 감전 방지 소자에서 내부 전극 사이의 유전체 두께를 15㎛∼300㎛로 하고, 내부 전극의 면적은 소자 사이즈 내(즉 0.6㎜×0.3㎜ 또는 0.4㎜×0.2㎜)에서 단면적 기준 25%∼85%로 하며, 외곽 마진(즉 내부 전극의 가장자리에서 유전체의 가장자리 까지의 거리)을 25㎛∼100㎛로 하고, 유전체의 유전율은 제 2 감전 방지 소자에서 200 내지 3000, 제 3 감전 방지 소자에서 600 내지 3000으로 한다. 내부 전극의 면적이 25% 이하에서는 스크린 프린팅의 해상도가 낮아져 정전용량의 산포가 넓어지며, 85% 이상에서는 인쇄 면적이 너무 넓어 내부 전극의 표면 돌출 등 적층 불량 및 디라미네이션(delamination) 등의 갈라짐 불량이 다수 발생될 수 있어 소자의 신뢰성에 상당한 영향을 줄 수 있다.
한편, 내부 전극 사이의 시트들, 즉 유전체의 두께가 두꺼우면 정전용량이 낮아지고 한정된 공간에서 적층 수의 한계가 있기 때문에 정전용량을 높이지 못하고, 그에 따라 감전 방지 소자에 부합되는 정전용량을 구현할 수 없다. 반대로, 내부 전극 사이의 유전체, 즉 시트들의 두께를 낮춰 정전용량을 증가시키고 다중 적층하여 정전용량을 상승시킬 수 있다. 그러나, 감전 방지 소자의 신뢰성 특성 상 ESD에 대한 규제 규격인 ICE61000-4-2 Level 4보다 가혹한 기준을 만족해야 하고, 이때의 테스트 기준에 유전체의 두께가 15㎛ 이하에서는 ESD 전압의 반복 인가 시 ESD 보호부가 존재함에도 불구하고 유전체의 절연 저항이 파괴된다. 유전체의 절연 저항이 파괴되는 원인은 ESD 전압 유입 시점부터 감전 방지 소자의 반응 시간까지의 공백기에 ESD 보호부로 바이패스되지 않고 캐패시터층의 유전체층에 500V 이상의 전압이 1ns 내지 30ns동안 인가될 수 있어 유전체의 내압 특성이 이에 버티지 못하면 절연 저항이 파괴될 수 있다.
상기 본 발명의 일 실시 예에 따른 감전 방지 소자의 다양한 실험 예에 따른 결과를 설명하면 다음과 같다.
[표 1]은 ESD 보호층의 구조에 따른 특성을 나타낸 표이고, 도 5는 이에 따른 방전 개시 전압을 도시한 도면이다. 즉, ESD 보호층의 두께, 도전층(A)과 절연층(B)의 두께, 절연층의 공극 크기 및 공극률, ESD 보호층의 구조에 따른 방전 개시 전압을 표시하였다.
실험예 ESD 보호층
두께(㎛)		 도전층
두께(㎛)		 절연층
두께(㎛)		 절연층
공극 크기		 절연층
공극률		 에어갭
두께
(㎛)		 방전개시전압
(kV)		 short
발생률
1 25 25 0 - - - 2~4 100%
2 10 0 10 1㎚~5㎛ 40% - 12.4
(11~13)		 0.8%
3 25 0 25 1㎚~5㎛ 40% - 18.3
(17~19)		 0%
4 25 15 10 1㎚~5㎛ 40% - 7.2
(6~9)		 0%
5 25 8 5 1㎚~5㎛ 40% - 5.6
(4~6)		 0%
6 25 8 2 1㎚~5㎛ 40% 3 5.1
(3~5.5)		 0%
실험 예 1은 도전층(도전성 세라믹)만으로 25㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성하였고, 실험 예 2는 절연층(절연성 세라믹)만으로 10㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성하였으며, 실험 예 3은 절연층만으로 25㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성하였다. 또한, 실험 예 4는 도전층과 절연층을 적층하여 25㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성하였고, 실험 예 5는 도전층, 절연층 및 도전층을 적층하여 25㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성하였다. 여기서, 실험 예 5는 도전층과 절연층을 각각 8㎛ 및 5㎛의 두께로 형성하였다. 그리고, 실험 예 6은 도전층, 절연층, 에어 겝, 절연층 및 도전층을 적층하여 25㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성하였고, 이때 도전층, 절연층 및 에어 갭을 각각 8㎛, 2㎛ 및 3㎛로 하였다. 한편, 실험 예 2 내지 6은 절연층의 공극 크기를 1㎚∼5㎛로 하였고, 공극률을 40%로 하였다. 즉, 절연층 내에 1㎚∼5㎛의 크기를 갖는 다양한 크기의 공극을 형성하였다.
[표 1]에 나타낸 바와 같이 도전층만으로 ESD 보호층을 형성한 실험 예 1에 대해 다수의 실험을 실시하였고 이때의 방전 개시 전압이 2∼4kV 정도이고 100% 쇼트가 발생되었다. 즉, 실험 예 1에 따른 다수의 시료의 방전 개시 전압이 2∼4kV로 분포되고, 이러한 시료들 모두가 절연 파괴되어 누설 전류가 발생되었다. 또한, 절연층만으로 10㎛ 두께의 ESD 보호층을 형성한 실험 예 2는 방전 개시 전압이 11∼13kV 정도이고 0.8% 정도의 쇼트가 발생되었다. 그러나, 도전층과 절연층, 또한 에어 갭을 적층하여 ESD 보호층을 형성한 실험 예 3 내지 6은 방전 개시 전압이 3kV부터 19kV로 조절할 수 있고, 쇼트가 발생되지 않았다. 즉, 실험 예 4 내지 6은 실험 예 2에 비해 방전 개시 전압이 낮지만 구조적인 차이에 의해 절연 파괴가 발생되지 않는다. 이러한 실험 예에 따른 방전 개시 전압을 도 5에 도시하였다.
[표 1]에서 알 수 있는 바와 같이, 절연층을 형성함으로써 절연 파괴에 의한 쇼트 발생 확률을 개선할 수 있고, 도전층을 형성함으로써 절연층의 두께를 낮출 수 있어 방전 개시 전압을 개선할 수 있다. 또한, 절연층의 두께를 줄이면서 에어 갭을 추가하면 방전 개시 전압을 낮추면서 쇼트 발생 확률을 개선할 수 있다.
[표 2]는 절연층의 두께와 공극률 변화에 따른 특성을 나타낸 표이고, 도 6은 이에 따른 방전 개시 전압을 도시한 도면이다. 공극률은 40%와 1% 이하로 설정하였고, 공극 크기는 공극률이 40%인 경우 1㎚∼5㎛이고 공극률이 1% 이하인 경우 0으로 하였다. 즉, 절연층에 공극이 형성된 경우와 형성되지 않은 경우의 특성을 비교하여 [표 2]에 나타내었다.
실험예 ESD 보호층
두께(㎛)		 도전성 세라믹
두께(㎛)		 절연성 세라믹
두께(㎛)		 절연성
세라믹
공극 사이즈		 절연성 세라믹
공극률		 에어갭
두께
(㎛)
 방전개시전압
(kV)		 short
발생률
7 10 0 10 1㎚~5㎛ 40% - 12.4
(11~13)		 0.9%
8 10 0 10 0 ~1% - 20.3
(18~22)		 3.5%
9 25 0 25 1㎚~5㎛ 40% - 18.3
(17~19)		 0%
10 25 0 25 0 ~1% - 25.9
(24~28)		 0%
11 25 0 25 1㎚~5㎛ 80% - 21.1
(19~22)		 0%
실험 예 7 및 8은 절연층의 두께를 10㎛로 하였고, 공극률을 각각 40% 및 1% 이하로 하였다. 또한, 실험 예 9 및 10은 절연층의 두께를 25㎛로 하였고, 공극률을 각각 40% 및 1% 이하로 하였다. 그리고, 실험 예 11은 절연성층의 두께를 25㎛로 하였고, 공극률을 40%로 하였다. 실험 예 7 및 8에서 볼 수 있는 바와 같이, ESD 보호층의 두께가 10㎛이고 그에 따라 절연층의 두께가 10㎛의 경우 절연층의 공극률 감소에 따라 방전 개시 전압이 상승하고 쇼트 발생 확률이 증가하게 된다. 또한, 실험 예 9 및 10에서 볼 수 있는 바와 같이, ESD 보호층의 두께가 25㎛이고 그에 따라 절연층의 두께가 25㎛의 경우 절연층의 공극률 감소에 따라 방전 개시 전압이 상승한다. 그러나, 절연층의 두께가 증가함으로써 쇼트는 발생되지 않는다. 한편, 실험 예 11에서 볼 수 있는 바와 같이, 절연층의 두께가 25㎛이고 공극률이 80%로 증가하게 되면 방전 개시 전압이 평균 21.1kV 정도를 나타낸다. 이러한 [표 2]에 따른 방전 개시 전압을 도 7에 도시하였다.
[표 3]은 절연층의 공극 크기에 따른 특성을 나타낸 표이고, 도 7은 이에 따른 방전 개시 전압을 도시한 도면이다. 즉, ESD 보호층의 두께를 25㎛로 하고 그에 따른 절연층의 두께를 25㎛로 하여 절연층의 공극 크기 변화에 따른 방전 개시 전압을 표시하였다.
실험예 ESD 보호층
두께(㎛)		 도전성 세라믹
두께(㎛)		 절연성 세라믹
두께(㎛)		 절연성
세라믹
공극 사이즈		 절연성 세라믹
공극률		 에어갭
두께
(㎛)
 방전개시전압
(kV)		 short
발생률
12 25 0 25 1㎚~5㎛ 40% - 18.3
(17~19)		 0%
13 25 0 25 5㎚~10㎛ 40~60% - 19.7
(18~20.5)		 0%
14 25 0 25 0 ~1% - 25.9
(24~28)		 0%
실험 예 12는 절연층의 공극 크기를 1㎚∼5㎛로 하였고, 그에 따른 공극률을 40%로 하였다. 또한, 실험 예 13은 절연층의 공극 크기를 5㎚∼10㎛로 하였고, 그에 따른 공극률을 40%∼60%로 하였다. 그리고, 실험 예 14는 절연층의 공극 크기를 0으로 하였고, 그에 따른 공극률을 1%로 이하로 하였다. [표 3] 및 도 7에 도시된 바와 같이 실험 예 12의 경우 방전 개시 전압이 17∼19kV 정도이고 평균 18.3kV 정도이며, 실험 예 13의 경우 방전 개시 전압이 18∼20.5kV 정도이고 평균 19.7kV 정도이다. 즉, 공극 크기가 증가함에 따라 방전 개시 전압이 증가한다. 또한, 실험 예 14의 경우 방전 개시 전압이 24∼28kV 정도이고 평균 25.9kV 정도이다. 즉, 실험 예 14에서 볼 수 있는 바와 같이 공극이 없는 절연층을 이용하여 ESD 보호층을 형성할 경우 높은 방전 개시 전압을 얻을 수 있다. 그러나, 이 경우에도 쇼트가 발생되지는 않는다.
[표 4]는 ESD 보호층의 두께에 따른 특성을 나타낸 표이고, 도 8은 이때의 방전 개시 전압을 도시한 도면이다. 즉, ESD 보호층의 두께를 10㎛, 25㎛ 및 50㎛로 조절하고 그에 따른 절연층의 두께를 10㎛, 25㎛ 및 50㎛로 조절하여 ESD 보호층의 두께에 따른 방전 개시 전압을 표시하였다. 또한, 이때의 절연층의 공극 크기는 1㎚∼5㎛로 하였고 공극률이 40%로 하였다.
실험예 ESD 보호층
두께(㎛)		 도전성 세라믹
두께(㎛)		 절연성 세라믹
두께(㎛)		 절연성
세라믹
공극 사이즈		 절연성 세라믹
공극률		 에어갭
두께
(㎛)
 방전개시전압
(kV)		 short
발생률
15 10 0 10 1㎚~5㎛ 40% - 12.4
(11~13)		 0.9% short 발생
16 25 0 25 1㎚~5㎛ 40% - 18.3
(17~19)		 0%
17 50 0 50 1㎚~5㎛ 40% - 26.2
(25~27)		 0%
실험 예 15는 ESD 보호층의 두께 및 그에 따른 절연층의 두께를 10㎛로 하였고, 실험 예 16은 ESD 보호층 및 그에 따른 절연층의 두께를 25㎛로 하였으며, 실험 예 17은 ESD 보호층의 두께 및 그에 따른 절연층의 두께를 50㎛로 하였다. [표 4] 및 도 8에 도시된 바와 같이 실험 예 15의 경우 방전 개시 전압이 11∼13kV 정도(평균 12.4kV)이고, 실험 예 16의 경우 방전 개시 전압이 17∼19kV 정도(평균 18.3kV)이며, 실험 예 17의 경우 방전 개시 전압이 25∼27kV 정도(평균 26.2kV)이다. 실험 예 15 내지 17에 나타낸 바와 같이, ESD 보호층의 두께가 증가하고 그에 따라 절연층의 두께가 증가하면 방전 개시 전압이 증가하게 된다. 그런데, ESD 보호층이 10㎛인 실험 예 15의 경우 0.9% 정도로 쇼트가 발생할 수 있다.
한편, 칩 사이즈가 작아지면서 설계 가능한 공간이 적어지게 된다. 따라서, 좁은 공간에서도 높은 ESD 내압 특성을 갖는 감전 방지 소자의 내부 구조가 필요하다. 그런데, 감전 방지 소자의 사이즈가 작아지게 되면 공간 부족으로 인하여 절연 시트의 두께가 얇아질 수 밖에 없고, 이는 절연 시트 자체의 내압 특성이 저하되어 낮은 레벨의 ESD를 인가하여도 쉽게 절연 시트의 절연 저항이 파괴되는 현상이 발생된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 복수 형상의 플로팅 타입(floating type) 구조를 이용하여 일반적인 적층 타입보다 동일 공간 내에서 ESD 내압 특성을 개선할 수 있다. 즉, 캐패시터부의 내부 전극의 형상을 변형하여 내부 전극 사이의 일 영역에서 절연 시트의 두께가 2배 이상 증가되기 때문에 ESD 내압 특성이 유지될 수 있다. 이는 감전 방지 소자가 갖는 ESD 보호부의 설계와 맞물려 보다 높은 ESD 내성 개선 효과를 보인다. 결국, ESD 보호부의 반복적인 ESD 전압에 의한 기능 저하로 인하여 ESD가 ESD 보호부의 ESD 보호층으로 패스되지 않을 경우 캐패시터부가 데미지를 입어 절연 파괴가 발생될 수 있고, ESD 보호부의 기능 저하가 없더라고 ESD 전압 유입 시 감전 방지 소자의 ESD 보호부의 반응 시간까지의 1ns 내지 30ns 공백 시간에 캐패시터부에 ESD 전압 부하가 잠시 동안 발생되어 절연 파괴가 발생될 수 있다. 그러나, 캐패시터부를 플로팅 타입으로 형성함으로써 캐패시터층의 ESD 내압 특성을 높혀 절연 저항이 파괴되어 쇼트가 발생되는 현상을 개선할 수 있다.
이러한 캐패시터부를 플로팅 타입으로 형성하는 본 발명의 다양한 실시 예를 도 9 내지 도 12를 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예들에 따른 감전 방지 소자는 복수의 절연 시트(101 내지 113; 100)가 적층된 적층체(1000)로 이루어지며, 적층체(1000) 내에 제 1 캐패시터부(2000), ESD 보호부(3000) 및 제 2 캐패시터부(4000)가 마련될 수 있다. 또한, 적층체(1000)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)와 ESD 보호부(3000)와 연결되는 외부 전극(5100, 5200; 5000)을 더 포함할 수 있다. 제 1 캐패시터부(2000)는 복수의 내부 전극(201 내지 205)을 구비하며, 제 2 캐패시터부(4000) 또한 복수의 내부 전극(208 내지 212)을 포함할 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)는 동일한 수, 예를 들어 5개의 내부 전극을 각각 구비할 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000) 사이에 내부 전극(206 및 207)과 이들 사이에 마련된 ESD 보호층(300)을 포함하는 ESD 보호부(3000)가 마련된다. 여기서, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)는 적어도 하나의 내부 전극이 적어도 일 영역이 제거된 형상으로 형성될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극(201)이 예를 들어 중앙부가 소정 폭으로 제거된 형상으로 형성되고, ESD 보호부(3000)를 사이에 두고 이와 대칭적 위치에 마련된 제 2 캐패시터부(4000)의 내부 전극(212) 또한 내부 전극(201)과 동일한 위치에 소정 영역이 제거된 형상으로 형성될 수 있다. 내부 전극(201, 212)이 소정 영역이 제거되어 형성되므로 그와 인접한 내부 전극(202, 211)과의 중첩 면적이 작아지게 된다. 이때, 소정 영역이 제거되어 두 영역으로 나뉜 내부 전극(201, 212)은 두 영역이 각각 제 1 및 제 2 외부 전극(5100, 5200)과 연결될 수 있다. 이렇게 내부 전극(201, 212)의 소정 영역이 제거된 형상으로 형성됨으로써 내부 전극(201, 212)와 인접한 내부 전극(202, 211) 사이에 절연 시트(100)이 두껍게 형성된다. 즉, 내부 전극(202)과 내부 전극(201)의 제거된 부분 사이에 두개의 절연 시트(101, 102)가 마련되므로 절연 시트(100)의 두께가 증가하게 된다. 따라서, 캐패시터부(2000, 4000)의 내부 전극(200) 사이의 일 영역에서 절연 시트(100)의 두께가 적어도 2배 증가되기 때문에 ESD 내압 특성이 유지될 수 있다.
또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(201, 203, 205)의 예를 들어 중앙부의 소정 영역이 제거되고, 이와 ESD 보호부(3000)를 사이에 두고 대칭적으로 위치되는 제 2 캐패시터부(4000)의 내부 전극들(208, 210, 212)의 예를 들어 중앙부의 소정 영역이 제거될 수 있다. 이때, 내부 전극들(202, 204, 209, 211)은 외부 전극(5000)에 접촉되지 않고 내부 전극들(201, 203, 205, 208, 210, 212) 사이에서 이들의 적어도 일부와 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극들(202, 204, 209, 211)은 절연 시트(100)의 중앙부에 형성되어 절연 시트(100)의 중앙부에는 형성되지 않은 내부 전극들((201, 203, 205, 208, 210, 212)과 중첩되도록 형성될 수 있다.
한편, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000, 4000)의 내부 전극은 중앙 영역 뿐만 아니라 이로부터 소정 간격 이격된 영역이 제거될 수도 있다. 예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(201, 203, 205)의 중앙 영역이 제거되고, 이들 사이에 위치한 내부 전극들(202, 204)은 중앙 영역에서 소정 간격 이격된 양측에 제거부가 형성될 수 있다. 또한, 제 2 캐패시터부(4000)는 ESD 보호부(3000)를 사이에 두고 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(201, 203, 205)과 대칭되는 위치의 내부 전극들(208, 210, 212)의 중앙 영역이 제거되고, 이들 사이에 위치한 내부 전극들(209, 211)은 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(202, 204)과 동일 위치에 제거 영역이 형성될 수 있다.
또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(201, 203, 205)의 중앙 영역에 둘 이상의 제거 영역이 형성되고, 이들 사이에 위치한 내부 전극들(202, 204)은 중앙 영역에서 소정 간격 이격된 양측에 제거 영역이 형성될 수 있다. 또한, 제 2 캐패시터부(4000)는 ESD 보호부(3000)를 사이에 두고 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(201, 203, 205)과 대칭되는 위치의 내부 전극들(208, 210, 212)의 중앙 영역에 둘 이상의 제거 영역이 형성되고, 이들 사이에 위치한 내부 전극들(209, 211)은 제 1 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(202, 204)과 동일 위치에 제거 영역이 형성될 수 있다.
[표 5]는 캐패시터부의 내부 전극의 중첩 면적에 따른 쇼트 발생을 나타낸 표이다. 이때, 캐패시터부는 10개의 내부 전극이 중첩되도록 하였으며, 절연 시트의 두께는 25㎛로 하였고, ESD 전압은 10kV를 인가하였다.
실험예 절연 시트
두께(㎛)		 캐패시터부
적층 수		 내부전극
중첩면적		 ESD 레벨 ESD 반복인가
short 발생시점(평균)		 ESD pass/단위 중첩면적(평균)
18 25 10 1.2㎜2

10kV

 362.00회 301.67회/㎜2
19 25 10 1.0㎜2 313.48회 313.48회/㎜2
20 25 10 0.8㎜2 267.62회 334.53회/㎜2
21 25 10 0.8㎜2 275.04회 343.85회/㎜2
22 25 10 0.8㎜2 299.04회 373.80회/㎜2
실험 예 18은 내부 전극의 총 중첩 면적을 1.2㎜2로 하였고, 실험 예 19는 내부 전극의 총 중첩 면적을 1.0㎜2로 하였으며, 실험 예 20 내지 22는 내부 전극의 총 중첩 면적을 각각 0.8㎜2로 하였다. 이러한 실험 예들에 10kV의 ESD를 인가하였을 때 표 5에 나타낸 바와 같이 평균 쇼트 발생 시점은 총 중첩 면적이 감소할수록 감소하였다. 그러나, 단위 중첩 면적당 ESD 패스 회수의 평균을 보면 중첩 면적이 작을수록 증가하였다. 따라서, 내부 전극의 중첩 면적이 줄어들어도 단위 중첩 면적 당 ESD 패스 회수를 증가시킬 수 있고, 그에 따라 작은 칩 사이즈가 줄어들어도 ESD 내압 특성을 유지할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예들에 따른 감전 방지 소자는 ESD 보호부(3000)의 ESD 보호층(300)을 적어도 하나 이상 형성할 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이 ESD 보호층(300)을 하나 형성할 수도 있고, 도 13 내지 도 16에 도시된 바와 같이 ESD 보호층(300)을 둘 이상 복수로 형성할 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이 동일 평면 상에 두개의 ESD 보호층(300a, 300b)을 형성할 수도 있고, 도 14에 도시된 바와 같이 동일 평면 상에 세개의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c)을 형성할 수도 있다. 적어도 두개 이상의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c)는 내부 전극에 의해 연결될 수 있다. 또한, 도 15에 도시된 바와 같이 네개의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c, 300d)가 두개씩 상하로 나뉘어 형성될 수도 있고, 도 16에 도시된 바와 같이 여섯개의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c, 300d, 300e, 300f)가 세개씩 상하로 나뉘어 형성될 수 있다. 상하 이격되어 형성된 ESD 보호층들(300)은 상측 ESD 보호층들이 서로 연결되고 하측 ESD 보호층들이 서로 연결될 수 있다. 이렇게 복수의 ESD 보호층(300)이 형성되는 경우에도 각 ESD 보호층(300)은 동일 구조로 형성될 수 있고, 서로 다른 구조로 형성될 수 있다. 즉, 도 2 내지 도 4를 이용하여 설명된 ESD 보호층(300)의 구조를 적어도 한번 이용하여 복수의 ESD 보호층(300)을 형성할 수 있다. 한편, 복수의 ESD 보호층(300)은 평면 상에서 도 17에 도시된 바와 같이 배치할 수 있다. 즉, 도 17(a)에 도시된 바와 같이 단축 방향, 즉 외부 전극과 직교하는 방향으로 두개의 ESD 보호층(300a, 300b)을 형성할 수 있고, 도 17(b)에 도시된 바와 같이 장축 방향, 즉 외부 전극의 형성 방향으로 두개의 ESD 보호층(300a, 300b)을 형성하거나 도 17(c)에 도시된 바와 같이 세개의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c)을 형성할 수도 있다. 또한, 도 17(d)에 도시된 바와 같이 네개의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c, 300d)을 장축 방향 및 단축 방향으로 배치할 수 있고, 도 17(e)에 도시된 바와 같이 여섯개의 ESD 보호층(300a, 300b, 300c, 300d, 300e, 300f)을 장축 방향 및 단축 방향으로 배치할 수 있다. 이때, 복수의 ESD 보호층(300)은 서로 동일 평면 상에 형성될 수도 있고, 다른 평면 상에 위치할 수도 있다. 예를 들어, 도 17(e)의 ESD 보호층들(300a, 300c, 300e)가 일 평면 상에 위치할 수 있고, ESD 보호층들(300b, 300d, 300f)가 일 평면 상측의 타 평면 상에 위치할 수 있다. 또한, 이러한 복수의 ESD 보호층(300)은 도 9 내지 도 12를 이용하여 설명한 플로팅 타입의 내부 전극을 이용하는 경우에도 적용될 수 있다.
[표 6] 및 [표 7]은 시트들의 유전율에 따른 유전층의 두께와 ESD 전압 반복 인가에 따른 테스트 결과를 나타내었다. [표 6]은 유전율이 75인 유전체를 5㎛ 내지 30㎛의 두께로 형성하고 10kV의 ESD 전압을 반복 인가했을 경우의 테스트 결과이고, [표 7]은 유전율이 2900인 유전체를 5㎛ 내지 30㎛의 두께로 형성하고 10kV의 ESD 전압을 반복 인가했을 경우의 테스트 결과이다.
10회 20회 40회 60회 80회 100회 120회 150회 결과
5㎛ 2/10 fail
10㎛ ok ok 3/10 fail
15㎛ ok ok ok ok 2/10 fail
20㎛ ok ok ok ok ok ok 1/10 pass
25㎛ ok ok ok ok ok ok ok ok pass
30㎛ ok ok ok ok ok ok ok ok pass
[표 6]에 나타낸 바와 같이, 75인 유전율을 갖는 유전체에 10kV의 ESD 전압을 인가하면, 5㎛의 두께에서 ESD 전압을 1O회 인가했을 때 2개의 페일(fail)이 발생되었고, 10㎛의 두께에서 ESD 전압을 4O회 인가했을 때 3개의 페일(fail)이 발생되었다. 또한, 15㎛의 두께에서 ESD 전압을 8O회 인가했을 때 2개의 페일(fail)이 발생되었고, 20㎛의 두께에서 ESD 전압을 12O회 인가했을 때 1개의 페일(fail)이 발생되었다. 따라서, 10kV의 ESD 전압을 80회 인가했을 때 적어도 15㎛ 이상에서 원하는 정전용량과 ESD 특성을 얻을 수 있다.
10회 20회 40회 60회 80회 100회 120회 150회 결과
5㎛ 3/10 fail
10㎛ ok ok 1/10 fail
15㎛ ok ok ok ok 4/10 fail
20㎛ ok ok ok ok ok ok 3/10 pass
25㎛ ok ok ok ok ok ok ok ok pass
30㎛ ok ok ok ok ok ok ok ok pass
[표 7]에 나타낸 바와 같이, 2900인 유전율을 갖는 유전체에 10kV의 ESD 전압을 인가하면, 5㎛의 두께에서 ESD 전압을 1O회 인가했을 때 3개의 페일(fail)이 발생되었고, 10㎛의 두께에서 ESD 전압을 4O회 인가했을 때 1개의 페일(fail)이 발생되었다. 또한, 15㎛의 두께에서 ESD 전압을 8O회 인가했을 때 4개의 페일(fail)이 발생되었고, 20㎛의 두께에서 ESD 전압을 12O회 인가했을 때 3개의 페일(fail)이 발생되었다. 따라서, 10kV의 ESD 전압을 80회 인가했을 때 적어도 15㎛ 이상에서 원하는 정전용량과 ESD 특성을 얻을 수 있다.
본 발명은 상기에서 서술된 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
1000 : 적층체 2000 : 제 1 캐패시터부
3000 : ESD 보호부 4000 : 제 2 캐패시터부
5000 : 외부 전극 100 : 절연 시트
200 : 내부 전극 300 : ESD 보호층

Claims (16)

  1. 복수의 절연 시트가 적층된 적층체;
    상기 적층체 내부에 상기 절연 시트를 사이에 두고 복수의 내부 전극이 마련된 캐패시터부; 및
    상기 절연 시트의 적어도 일부에 형성되어 ESD 전압을 방지하는 ESD 보호부를 포함하고,
    상기 ESD 보호부는 복수의 공극을 갖는 다공성의 절연성 물질을 포함하고,
    상기 ESD 보호부를 이루는 일 절연 시트의 두께는 상기 캐패시터부를 이루는 일 절연 시트의 두께와 다르며,
    상기 다공성의 절연성 물질은 상기 복수의 공극을 통해 전류를 흐르게 하여 ESD 전압을 통과시키며,
    상기 공극의 크기 및 공극률에 따라 방전 개시 전압이 조절되는 적층체 소자.
  2. 청구항 1에 있어서, 일 방향으로의 길이가 0.3㎜ 내지 1.1㎜이고, 이와 직교하는 타 방향으로의 너비가 0.15㎜ 내지 0.55㎜이며, 두께가 0.15㎜ 내지 0.55㎜인 적층체 소자.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 길이, 너비 및 두께가 각각 0.55㎜ 내지 0.65㎜, 0.25㎜ 내지 0.35㎜ 및 0.25㎜ 내지 0.35㎜인 적층체 소자.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 길이, 너비 및 두께가 각각 0.35㎜ 내지 0.45㎜, 0.15㎜ 내지 0.25㎜ 및 0.15㎜ 내지 0.25㎜인 적층체 소자.
  5. 청구항 2에 있어서, 상기 절연 시트는 유전율이 20 내지 3000인 적층체 소자.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 절연 시트는 두께가 15㎛ 내지 300㎛인 적층체 소자.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 내부 전극은 상기 절연 시트 면적의 25% 내지 85%의 면적으로 형성된 적층체 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 정전용량이 2㎊ 내지 150㎊인 적층체 소자.
  9. 청구항 2에 있어서, 상기 ESD 보호부는 적어도 하나의 절연 시트에 형성된 50㎛ 내지 450㎛의 지름과 5㎛ 내지 50㎛ 두께의 관통홀의 적어도 일 영역에 상기 다공성의 절연성 물질이 매립되어 형성된 적층체 소자.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 ESD 보호부는 전도성 물질 및 에어갭의 적어도 하나를 더 포함하는 적층체 소자.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 ESD 보호부는 상기 전도성 물질과 상기 다공성의 절연성 물질이 혼합되어 형성된 적층체 소자.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 ESD 보호부는 상기 다공성의 절연성 물질과 상기 전도성 물질이 적어도 1회 적층되어 형성된 적층체 소자.
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 ESD 보호부는 상기 전도성 물질, 다공성의 절연성 물질 및 에어 갭이 적어도 1회 적층된 적층체 소자.
  14. 청구항 10에 있어서, 상기 다공성의 절연성 물질은 1㎚ 내지 5㎛의 공극이 30% 내지 80%의 공극률로 형성되며,
    상기 전도성 물질은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Ag, Pd, Pt, W, Fe, Bi 중의 하나 이상을 포함하는 적층체 소자.
  15. 청구항 2에 있어서, 상기 캐패시터부의 상기 내부 전극은 적어도 하나가 적어도 일 영역이 제거된 형상으로 형성되고,
    상기 ESD 보호부는 적어도 둘 이상 마련되는 적층체 소자.
  16. 청구항 1 내지 청구항 15중 어느 한 항에 있어서, 메탈 케이스를 포함하는 전자기기의 내부에 마련되어 상기 메탈 케이스를 통해 사용자에게 전달되는 감전 전압을 차단하는 적층체 소자.
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KR1020160055627A KR101808798B1 (ko) 2015-05-07 2016-05-04 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR1020160055640A KR101808799B1 (ko) 2015-05-07 2016-05-04 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR1020170166830A KR20170140135A (ko) 2015-05-07 2017-12-06 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기

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CN (7) CN107112102B (ko)
TW (8) TWI624027B (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101771824B1 (ko) * 2015-12-30 2017-08-25 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR101828991B1 (ko) * 2016-12-06 2018-03-29 주식회사 모다이노칩 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
US10504655B2 (en) * 2016-12-22 2019-12-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Composite electronic component and board having the same
US11443898B2 (en) * 2017-04-10 2022-09-13 Presidio Components. Inc. Multilayer broadband ceramic capacitor with internal air gap capacitance
KR102416213B1 (ko) * 2017-05-30 2022-07-05 삼성전자주식회사 감전 방지 방법 및 이를 구현한 전자 장치
KR102527062B1 (ko) * 2017-09-21 2023-05-02 다이요 유덴 가부시키가이샤 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
KR102333452B1 (ko) * 2017-09-28 2021-12-03 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102053355B1 (ko) 2017-09-29 2019-12-06 주식회사 모다이노칩 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR102516764B1 (ko) * 2017-12-08 2023-03-31 삼성전기주식회사 복합 전자 부품
KR102501186B1 (ko) * 2018-04-03 2023-02-20 엘에스일렉트릭(주) 무효전력보상장치, 방전시스템 및 방전시스템의 방전 동작 방법
JP7089402B2 (ja) 2018-05-18 2022-06-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP7145652B2 (ja) * 2018-06-01 2022-10-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR102053356B1 (ko) * 2018-06-08 2019-12-06 주식회사 모다이노칩 복합 소자의 제조 방법, 이에 의해 제조된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
JP7446705B2 (ja) * 2018-06-12 2024-03-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR102185054B1 (ko) * 2018-10-19 2020-12-01 삼성전기주식회사 전자 부품
KR102163418B1 (ko) * 2018-11-02 2020-10-08 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
US11393635B2 (en) * 2018-11-19 2022-07-19 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability
US11178800B2 (en) * 2018-11-19 2021-11-16 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability
KR101949442B1 (ko) 2018-12-18 2019-02-18 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
JP2020167236A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 株式会社村田製作所 ３端子型積層セラミックコンデンサおよび３端子型積層セラミックコンデンサの製造方法
KR20200117843A (ko) 2019-04-05 2020-10-14 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
WO2020204416A1 (ko) * 2019-04-05 2020-10-08 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
TWI781418B (zh) * 2019-07-19 2022-10-21 美商凱門特電子股份有限公司 具有低電容及改良耐用性的陶瓷過電壓保護裝置及其製造方法
KR102227327B1 (ko) 2020-02-10 2021-03-12 주식회사 모다이노칩 복합 소자
CN111430906B (zh) * 2020-03-31 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种防雷击装置及其制作方法、防雷击天线
KR102594641B1 (ko) * 2020-12-09 2023-10-26 삼화콘덴서공업주식회사 Eos 강화형 적층 세라믹 콘덴서
KR102562247B1 (ko) * 2021-01-04 2023-08-01 삼화콘덴서공업주식회사 내충격성이 향상되는 적층 세라믹 콘덴서
US11715706B2 (en) * 2021-07-22 2023-08-01 Nanya Technology Corporation Semiconductor chip, semiconductor device and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof
TWI806771B (zh) * 2022-09-16 2023-06-21 英業達股份有限公司 抗靜電型電子裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100813195B1 (ko) * 2006-04-20 2008-03-13 주식회사 이노칩테크놀로지 정전기 보호 소자
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
KR101439398B1 (ko) * 2010-02-04 2014-09-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Ｅｓｄ 보호장치의 제조방법 및 ｅｓｄ 보호장치
WO2014156803A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護装置
JP2015069824A (ja) * 2013-09-28 2015-04-13 新日鉄住金化学株式会社 積層体、色素増感太陽電池用アノード電極および色素増感太陽電池ならびに積層体の製造方法

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53122744A (en) * 1977-04-01 1978-10-26 Kyoto Ceramic Spark discharge gap unit
JPH06251981A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Mitsubishi Materials Corp 放電ギャップ付き積層チップコンデンサ
JPH1074659A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Rohm Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
TW394961B (en) * 1997-03-20 2000-06-21 Ceratech Corp Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof
TW414898B (en) * 1997-10-06 2000-12-11 Tdk Corp Electronic device and its production
US7151298B1 (en) * 1999-12-20 2006-12-19 Advanced Micro Devices, Inc. Electrostatic discharge protection network having distributed components
JP3460683B2 (ja) * 2000-07-21 2003-10-27 株式会社村田製作所 チップ型電子部品及びその製造方法
JP2002216540A (ja) * 2000-11-15 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極ペースト及びそれを用いた電子部品の製造方法
JP2003022930A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2003257781A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Murata Mfg Co Ltd 放電機能付き積層セラミックコンデンサ
CN100527372C (zh) * 2002-12-24 2009-08-12 株式会社电装 半导体传感器及其生成方法
KR101108958B1 (ko) * 2003-02-25 2012-01-31 쿄세라 코포레이션 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법
JP4561629B2 (ja) * 2003-02-27 2010-10-13 Ｔｄｋ株式会社 薄膜積層コンデンサ
JP4254359B2 (ja) * 2003-06-11 2009-04-15 株式会社村田製作所 チップ型セラミック電子部品の製造方法
TW200625591A (en) * 2005-01-13 2006-07-16 Jumbotek Advanced Technologies Inc A structure of the monolithic chip electrostatic discharge protective device
JP2006332601A (ja) * 2005-04-27 2006-12-07 Kyocera Corp 積層電子部品
DE112007000130B4 (de) * 2006-01-13 2016-06-09 Murata Mfg. Co., Ltd. Mehrschichtkondensator
KR100803434B1 (ko) * 2006-02-10 2008-02-13 엘에스전선 주식회사 전지캡에 장착 가능한 보호 소자 및 이를 구비한 이차 전지
JP2008084909A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Nec Tokin Corp 積層型圧電トランスおよびその製造方法
KR20080032443A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US7814263B2 (en) * 2006-10-26 2010-10-12 Sandisk Il Ltd. Erase history-based flash writing method
KR100848194B1 (ko) * 2006-12-19 2008-07-24 주식회사 아모텍 칩형 서지 흡수기
KR100920614B1 (ko) * 2007-02-05 2009-10-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
KR100876206B1 (ko) 2007-04-11 2008-12-31 주식회사 이노칩테크놀로지 회로 보호 소자 및 그 제조 방법
JP2010524384A (ja) * 2007-04-11 2010-07-15 イノチップ テクノロジー シーオー エルティディー 回路保護素子及びその製造方法
DE102007020783A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-06 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
DE102007031510A1 (de) * 2007-07-06 2009-01-08 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
TWM336534U (en) * 2008-01-25 2008-07-11 Inpaq Technology Co Ltd Chip-type ceramic components having overcurrent protection and ESD protection
JP4434314B2 (ja) * 2008-02-05 2010-03-17 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス
JP4475338B2 (ja) * 2008-02-14 2010-06-09 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ
WO2009136535A1 (ja) * 2008-05-08 2009-11-12 株式会社 村田製作所 Ｅｓｄ保護機能内蔵基板
US8056199B2 (en) * 2008-10-21 2011-11-15 Tdk Corporation Methods of producing multilayer capacitor
WO2010061550A1 (ja) * 2008-11-26 2010-06-03 株式会社 村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法
DE102009007316A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-05 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
TWI448208B (zh) * 2009-02-17 2014-08-01 Pegatron Corp 靜電防護元件及電子裝置
KR101066456B1 (ko) * 2009-03-09 2011-09-23 주식회사 이노칩테크놀로지 회로 보호 소자
US8400254B2 (en) * 2009-04-23 2013-03-19 Panasonic Corporation Surge absorbing element
JP2011119568A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Panasonic Corp 過電圧保護部品およびその製造方法
KR101082079B1 (ko) * 2009-12-09 2011-11-10 조인셋 주식회사 정전방전 보호 기능을 갖는 이엠아이 엘씨 필터
DE102010007443A1 (de) * 2010-02-10 2011-08-11 Epcos Ag, 81669 Keramisches Vielschichtbauelement
TWI422285B (zh) * 2010-03-17 2014-01-01 Simplo Technology Co Ltd 具靜電放電防護之電池模組
US8258012B2 (en) * 2010-05-14 2012-09-04 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming discontinuous ESD protection layers between semiconductor die
DE102010036270B4 (de) * 2010-09-03 2018-10-11 Epcos Ag Keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements
KR101403163B1 (ko) * 2010-09-30 2014-06-03 티디케이가부시기가이샤 정전기 대책 소자
JP2012079923A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Panasonic Corp 過電圧保護部品およびこれを用いた複合電子部品
JP2012114351A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Tdk Corp 静電気対策素子
WO2012090730A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護装置及びその製造方法
CN103329369B (zh) * 2011-02-02 2015-09-02 昭和电工株式会社 放电间隙填充用组合物和静电放电保护体
US20120275195A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Lorenzo Cividino Low Noise, Highly Isolated Power Supply
US8724284B2 (en) * 2011-05-25 2014-05-13 Tdk Corporation Electrostatic protection component
CN103608881B (zh) * 2011-06-22 2017-02-15 株式会社村田制作所 陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法
US8885324B2 (en) * 2011-07-08 2014-11-11 Kemet Electronics Corporation Overvoltage protection component
US8947852B2 (en) * 2011-07-07 2015-02-03 Kemet Electronics Corporation Integrated EMI filter and surge protection component
US9142353B2 (en) * 2011-07-08 2015-09-22 Kemet Electronics Corporation Discharge capacitor
JP5671149B2 (ja) * 2011-09-28 2015-02-18 釜屋電機株式会社 静電気保護部品の製造方法
JP2013101911A (ja) * 2011-10-14 2013-05-23 Tdk Corp 静電気対策素子
JP5838927B2 (ja) * 2011-10-14 2016-01-06 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP2013182755A (ja) * 2012-03-01 2013-09-12 Tdk Corp 静電気保護素子
KR20130117397A (ko) * 2012-04-17 2013-10-28 주식회사 이노칩테크놀로지 회로 보호 소자
JP5924559B2 (ja) * 2012-05-02 2016-05-25 株式会社村田製作所 電子部品
AU2013255091B2 (en) * 2012-05-04 2015-04-02 Nano-Nouvelle Pty Ltd Battery electrode materials
TWI441202B (zh) * 2012-05-30 2014-06-11 Sfi Electronics Technology Inc 一種低電容層積型晶片變阻器及其所使用的過電壓保護層
WO2014109272A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device charging method
JP6044418B2 (ja) * 2013-03-27 2016-12-14 三菱マテリアル株式会社 サージアブソーバ及びその製造方法
JP6136507B2 (ja) * 2013-04-16 2017-05-31 Tdk株式会社 積層コンデンサアレイ
KR102057914B1 (ko) * 2013-05-09 2019-12-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR101474152B1 (ko) * 2013-07-17 2014-12-23 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
JP2015023247A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 Tdk株式会社 複合電子部品
JP6398349B2 (ja) * 2013-08-23 2018-10-03 Tdk株式会社 積層型セラミック電子部品
KR20150135909A (ko) * 2014-05-26 2015-12-04 삼성전기주식회사 복합 전자부품, 제조방법, 그 실장 기판 및 포장체
JP2015043423A (ja) * 2014-08-13 2015-03-05 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR101585619B1 (ko) * 2014-11-20 2016-01-15 주식회사 아모텍 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100813195B1 (ko) * 2006-04-20 2008-03-13 주식회사 이노칩테크놀로지 정전기 보호 소자
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
KR101439398B1 (ko) * 2010-02-04 2014-09-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Ｅｓｄ 보호장치의 제조방법 및 ｅｓｄ 보호장치
WO2014156803A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護装置
JP2015069824A (ja) * 2013-09-28 2015-04-13 新日鉄住金化学株式会社 積層体、色素増感太陽電池用アノード電極および色素増感太陽電池ならびに積層体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160131879A (ko) 2016-11-16
US20180124904A1 (en) 2018-05-03
TWI672789B (zh) 2019-09-21
TW201707518A (zh) 2017-02-16
KR20160131949A (ko) 2016-11-16
TWI685941B (zh) 2020-02-21
KR20160131951A (ko) 2016-11-16
KR20160131880A (ko) 2016-11-16
KR101808798B1 (ko) 2017-12-13
CN107112129A (zh) 2017-08-29
KR20170140135A (ko) 2017-12-20
TW201703224A (zh) 2017-01-16
TWI619408B (zh) 2018-03-21
US20180124905A1 (en) 2018-05-03
CN107112131A (zh) 2017-08-29
JP2018522395A (ja) 2018-08-09
CN107112134A (zh) 2017-08-29
KR101818171B1 (ko) 2018-01-12
KR101871448B1 (ko) 2018-06-26
CN107112133B (zh) 2019-07-23
KR101763874B1 (ko) 2017-08-01
KR101781574B1 (ko) 2017-09-27
CN107112102B (zh) 2019-12-24
CN107112130A (zh) 2017-08-29
KR20160131844A (ko) 2016-11-16
CN107112135A (zh) 2017-08-29
TW201711326A (zh) 2017-03-16
EP3293744A4 (en) 2019-01-02
CN107112133A (zh) 2017-08-29
US20180139826A1 (en) 2018-05-17
TW201733073A (zh) 2017-09-16
TWI608682B (zh) 2017-12-11
US20180139827A1 (en) 2018-05-17
KR101808794B1 (ko) 2018-01-18
TW201705435A (zh) 2017-02-01
KR20160131948A (ko) 2016-11-16
CN107112134B (zh) 2019-12-24
TWI595627B (zh) 2017-08-11
KR101808799B1 (ko) 2018-01-18
CN107112129B (zh) 2019-07-23
TW201701447A (zh) 2017-01-01
KR20160131852A (ko) 2016-11-16
EP3293744A1 (en) 2018-03-14
TWI599014B (zh) 2017-09-11
CN107112130B (zh) 2019-12-24
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KR20160131950A (ko) 2016-11-16
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