TW201703224A - 防止觸電的裝置以及包含該裝置的電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供防止觸電的裝置以及包含所述裝置的電子裝置。防止觸電的裝置包含堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊，且ESD保護部分安置於絕緣薄片的至少一部分上以防止ESD電壓。ESD保護部分包含至少一個ESD保護層，ESD保護層包括多孔絕緣材料。

Description

防止觸電的裝置以及包含該裝置的電子裝置
本發明是有關於用於防止觸電（electric shock）的裝置，且更特定言之，是有關於能夠防止觸電電壓經由諸如智慧型電話的可充電電子裝置（chargeable electronic device）傳輸至使用者的防止觸電的裝置。
行動通信終端機（mobile communication terminal）的主要用途已自語音通信改變為資料通信服務，且接著演進至智慧型生活便利服務。又，隨著智慧型電話（smartphone）多功能化，正使用各種頻帶。意即，已採用在一個智慧型電話中使用諸如無線LAN、藍芽以及GPS的不同頻帶的多個功能。又，隨著電子裝置高度整合，在有限空間中的內部電路密度增大。因此，必然可能會出現內部電路之間的雜訊干擾。正使用用於抑制攜帶型電子裝置的各種頻率的雜訊以及內部電路之間的雜訊的多種電路保護裝置。舉例而言，正使用分別移除彼此不同的頻帶的雜訊的聚光器（condenser）、晶片磁珠（chip bead）、共同模式濾波器（common mode filter），及類似者。
近年來，隨著對智慧型電話的精緻影像以及耐久性愈加看重，使用金屬材料的終端機供應正在增多。意即，邊界是使用金屬製造或除前影像顯示部分以外的其餘殼是使用金屬製造的智慧型電話的供應正在增多。
然而，因為未建置過電流保護電路（overcurrent protection circuit），或藉由使用非正品充電器或使用低品質元件的有缺陷充電器執行充電，可能會出現衝擊電流（shock current）。衝擊電流可傳輸至智慧型電話的接地端子，且接著再次自接地端子傳輸至金屬殼。因此，接觸金屬殼的使用者可能會受到電擊。結果，在藉由使用非正品充電器對使用金屬殼的智慧型電話充電的同時使用智慧型電話時，可能會發生觸電事故。 （先前技術文件） 韓國專利註冊第10876206號
本發明提供一種防止觸電的裝置，所述防止觸電的裝置提供於諸如智慧型電話的電子裝置中以防止使用者由於自充電器輸入的衝擊電流而受到電擊。
本發明亦提供一種防止觸電的裝置，其中不會由於靜電放電（ESD，electrostatic discharge）而出現介電質擊穿（dielectric breakdown）。
根據例示性實施例，一種防止觸電的裝置包含：堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；以及ESD保護部分，安置於所述絕緣薄片的至少一部分上以阻斷ESD電壓，其中所述ESD保護部分包含至少一個ESD保護層，ESD保護層包含多孔絕緣材料。
所述裝置可更包含配備有多個內部電極的電容器部分，所述多個內部電極經安置而使得在所述堆疊式本體中，所述絕緣薄片位於所述多個內部電極之間，且所述ESD保護部分可平行地安置於所述電容器部分與內部電路之間。
所述堆疊式本體可具有在一個方向上的為0.3 mm至1.1 mm的長度，在垂直於所述一個方向的另一方向上的為0.15 mm至0.55 mm的寬度，以及為0.15 mm至0.55 mm的厚度。
所述長度、所述寬度以及所述厚度可分別為0.55 mm至0.65 mm、0.25 mm至0.35 mm以及0.25 mm至0.35 mm。
所述長度、所述寬度以及所述厚度可分別為0.35 mm至0.45 mm、0.15 mm至0.25 mm以及0.15 mm至0.25 mm。
所述絕緣薄片中的每一者可具有為10至20,000的介電常數以及為5 μm至300 μm的厚度。
所述內部電極中的每一者可具有對應於薄片面積的25%至85%的面積。
可至少提供兩個或大於兩個ESD保護層。
可在同一平面上提供至少兩個以上的ESD保護層或在至少兩個以上的平面上提供至少兩個以上的ESD保護層。
所述ESD保護部分可更包含連接至所述至少一個ESD保護層的至少兩個以上的放電電極。
所述至少兩個以上的放電電極可在所述絕緣薄片的堆疊方向上彼此隔開預定距離。
所述ESD保護層可藉由將所述多孔絕緣材料填充至通孔的至少一個區中而形成，所述通孔具有為100 μm至500 μm的直徑以及為10 μm至50 μm的厚度，通孔形成於至少一個絕緣薄片中。
可在一個方向上提供在同一薄片上彼此隔開預定距離的至少兩個以上的放電電極，且在垂直於所述一個方向的另一方向上提供至少兩個以上的放電電極，且所述ESD保護層可安置於在所述一個方向上彼此隔開的所述放電電極之間。
所述放電電極的中間具有所述ESD保護層、自一側向另一側彎曲或傾斜且面向彼此的至少一個區域可比的其他區域更接近於彼此。
所述ESD保護層可包含空隙。
所述ESD保護層可包含絕緣材料、導電材料、空隙以及所述導電材料與所述絕緣材料的混合材料中的至少一者。
所述ESD保護層可藉由重複所述絕緣材料、所述導電材料、所述空隙以及所述導電材料與所述絕緣材料的所述混合材料中的至少兩者或大於兩者至少一次而形成。
所述絕緣材料可具有為1 nm至5 μm的孔徑以及為30%至80%的孔隙率。
所述導電材料可包含La、Ni、Co、Cu、Zn、Ru、Ag、Pd、Pt、W、Fe以及Bi中的至少一者。
所述電容器部分的所述內部電極中的至少一者可具有移除了至少一個區的形狀。
所述防止觸電的裝置可安置於金屬殼與內部電路之間以阻斷觸電電壓且將所述ESD電壓旁通至接地端子。
電容可在2 pF至150 pF的範圍內。
根據另一例示性實施例，一種電子裝置包含防止觸電的裝置，所述防止觸電的裝置安置於金屬殼與內部電路之間以阻斷觸電電壓且旁通ESD電壓，其中所述防止觸電的裝置包括：堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；電容器部分，包含安置於所述堆疊式本體中的多個內部電極；ESD保護部分，包含安置於所述絕緣薄片的至少一部分上的至少兩個以上的放電電極以及至少一個ESD保護層；以及外部電極，安置於所述堆疊式本體外部的至少兩個側表面中的每一者上且連接至所述電容器部分與所述ESD保護部分。
所述電容器部分可在電子裝置外部與內部電路之間傳輸通信信號。
在下文中，將參看隨附圖式詳細地描述特定實施例。然而，可以不同形式體現本發明，且不應將本發明解釋為限於本文中所闡述的實施例。實際上，提供此等實施例以使得本發明將為透徹且完整的，且將向所屬領域中具通常知識者充分傳達本發明的範疇。
圖1為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的透視圖，圖2為沿圖1的線A-A'截取的橫截面圖，且圖3為防止觸電的裝置的等效電路圖。
參考圖1至圖3，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體1000，其中多個絕緣薄片100（101至111）堆疊；至少一個電容器部分2000以及電容器部分4000，提供於堆疊式本體1000中且包含多個內部電極200（201至208）；以及ESD保護部分3000，包含至少一個放電電極310（311以及312）以及ESD保護層320。舉例而言，第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000可安置於堆疊式本體1000中，且ESD保護層3000可安置於第一電容器部分2000與第二電容器部分4000之間。意即，第一電容器部分2000、ESD保護部分3000以及第二電容器部分4000堆疊在堆疊式本體1000中以實現防止觸電的裝置。又，所述防止觸電的裝置可更包含分別安置於堆疊式本體1000的面向彼此的兩個側表面上且連接至第一電容器部分2000及第二電容器部分4000以及ESD保護部分3000的外部電極5000（5100以及5200）。或者，所述防止觸電的裝置可包含至少一個電容器部分以及至少一個ESD保護部分。意即，一個電容器部分可安置於ESD保護部分3000下方或上方，且至少一個電容器部分可安置於彼此隔開的至少兩個ESD保護部分3000上方以及下方。所述防止觸電的裝置可安置於電子裝置的內部電路（例如，PCB）與金屬殼之間以阻斷觸電電壓，將ESD電壓旁通至接地端子，且因為不會因ESD出現電擊穿而持續地阻斷觸電電壓。
堆疊式本體1000可藉由堆疊多個絕緣薄片100（101至111）而加以製造。堆疊式本體1000可具有大致六面體形狀，其具有在一個方向（例如，X方向）及垂直於所述一個方向的另一方向（例如，Y方向）上的預定長度以及在垂直方向（例如，Z方向）上的預定高度。意即，在外部電極5000的形成方向定義為X方向時，水平地垂直於X方向的方向可定義為Y方向，且X方向的垂直方向可定義為Z方向。此處，相對於在Y方向上的長度，在X方向上的長度可大於在Y方向上的長度以及在Z方向上的長度中的每一者。在Y方向上的長度可等於或不同於在Z方向上的長度。在Y方向與Z方向上的長度彼此不同時，在Y方向上的長度可大於或小於在Z方向上的長度。舉例而言，在X方向、Y方向與Z方向上的長度的比率可為2至5:1:0.5至1。意即，在X方向上的長度可為在Y方向上的長度的2倍至5倍，且在Z方向上的長度可為在在Y方向上的長度的0.5倍至1倍。然而，在X、Y以及Z方向上的長度可僅為實例。舉例而言，在X、Y以及Z方向上的長度可根據連接至防止觸電的裝置的電子裝置的內部結構以及防止觸電的裝置的形狀而以不同方式變化。又，至少一個電容器部分2000及4000以及至少一個ESD保護部分3000可提供於堆疊式本體1000中。舉例而言，第一電容器部分2000、ESD保護部分3000以及第二電容器部分4000可安置於薄片100的堆疊方向，即Z方向上。多個絕緣薄片100中的每一者可具有預定介電常數，例如10至20,000的介電常數，較佳地，200至3,000的介電常數。絕緣薄片100中的每一者可由含有諸如MLCC、BaTiO3 、BaCO3 、TiO2 、Nd2 O3 、Bi2 O3 、Zn0以及Al2 O3 的介電材料粉末中的至少一者的材料形成。又，多個絕緣薄片100可具有相同厚度，或至少一個絕緣薄片100可具有大於或小於其他絕緣薄片100的厚度的厚度。意即，ESD保護部分3000的絕緣薄片可具有不同於第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000中的每一者的絕緣薄片的厚度的厚度。又，安置於ESD保護部分3000與第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000之間的絕緣薄片中的每一者可具有不同於其他絕緣薄片中的每一者的厚度的厚度。舉例而言，安置於ESD保護部分3000與第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000之間的絕緣薄片中的每一者，即第五絕緣薄片105以及第七絕緣薄片107中的每一者，可具有小於或等於ESD保護部分3000的絕緣薄片的厚度的厚度（即，第六絕緣薄片106）或具有小於或等於安置於第一電容器部分2000與第二電容器部分4000的內部電極之間的絕緣薄片102至104以及108至110中的每一者的厚度的厚度。意即，ESD保護部分3000與第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000中的每一者之間的空間可小於或等於第一電容器部分2000與第二電容器部分4000的內部電極之間的空間，或可小於或等於ESD保護部分3000的厚度。或者，第一電容器部分2000與第二電容器部分4000的絕緣薄片102至104以及108至110可具有相同厚度，或一個絕緣薄片可具有小於或大於其他絕緣薄片的厚度的厚度。絕緣薄片100中的每一者可具有在施加ESD時絕緣薄片不會破裂的厚度，即，為5 μm至約300 μm的厚度。又，堆疊式本體1000可更包含下部蓋層（未圖示）以及上部蓋層（未圖示），其分別安置於第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000中的每一者的上部部分與下部部分上。或者，第一絕緣薄片101可充當下部蓋層，且第十一絕緣薄片111可充當上部蓋層。下部蓋層以及上部蓋層可藉由將多個鐵氧體薄片堆疊在彼此之上而製備且具有相同厚度。此處，非磁性薄片，例如由玻璃材料形成的薄片，可進一步安置於由鐵氧體薄片構成的下部蓋層以及上部蓋層的最外部分（即，所述蓋層的下部部分以及上部部分的表面）上。又，下部蓋層以及上部蓋層中的每一者可具有大於其中的絕緣薄片（即，第二絕緣薄片102至第十絕緣薄片110）中的每一者的厚度的厚度。因此，在第一絕緣薄片101以及第十一絕緣薄片111分別充當下部蓋層與上部蓋層時，第一絕緣薄片101以及第十一絕緣薄片111中的每一者可具有大於第二絕緣薄片102至第十絕緣薄片110中的每一者的厚度的厚度。
第一電容器部分2000可安置於ESD保護部分3000下方，且包含至少兩個內部電極以及在所述至少兩個內部電極之間的至少兩個絕緣薄片。舉例而言，第一電容器部分2000可包含第一絕緣薄片101至第四絕緣薄片104以及分別安置於第一絕緣薄片101至第四絕緣薄片104上的第一內部電極201至第四內部電極204。舉例而言，第一內部電極201至第四內部電極204中的每一者可具有為1 μm至10 μm的厚度。此處，第一內部電極201至第四內部電極204可具有連接至外部電極5000（5100以及5200）（在X方向上面向彼此）的一側以及彼此隔開的另一側。第一內部電極201與第三內部電極203分別具有在第一絕緣薄片101與第三絕緣薄片103上的預定區域。又，第一內部電極201以及第三內部電極203中的每一者使一側連接至第一外部電極5100，且使另一側與第二外部電極5200隔開。第二內部電極202與第四內部電極204可分別具有在第二絕緣薄片102與第四絕緣薄片104上的預定區域。又，第二內部電極202以及第四內部電極204中的每一者可使一側連接至第二外部電極5200，且使另一側與第一外部電極5100隔開。意即，第一內部電極201至第四內部電極204可交替地連接至外部電極5000中的一者，以允許第一內部電極201至第四內部電極204的預定區域分別與第二絕緣薄片101至第四絕緣薄片104重疊，其中第二絕緣薄片101至第四絕緣薄片104處於其間。此處，第一內部電極201至第四內部電極204中的每一者的面積具有對應於第一絕緣薄片101至第四絕緣薄片104中的每一者的面積的10%至85%的面積。又，第一內部電極201至第四內部電極204中的每一者的面積與其總面積的10%至85%可重疊。第一內部電極201至第四內部電極204中的每一者可具有各種形狀，諸如具有預定寬度以及距離的正方形形狀、矩形形狀、預定圖案形狀以及螺旋形形狀。第一電容器部分2000在第一內部電極201至第四內部電極204之間具有電容。可根據第一內部電極201至第四內部電極204中的每一者的重疊面積以及絕緣薄片101至104中的每一者的厚度來調整所述電容。除了第一內部電極201至第四內部電極204之外，第一電容器部分2000可更包含至少一個內部電極以及至少一個絕緣薄片，所述至少一個內部電極安置於所述至少一個絕緣薄片上。又，第一電容器部分2000可包含兩個內部電極。儘管作為一實例而描述包含四個內部電極的第一電容器部分2000，但可提供至少兩個內部電極，即多個內部電極。
ESD保護部分3000可包含垂直地彼此隔開的至少兩個放電電極310（311以及312）以及安置於至少兩個放電電極310之間的至少一個ESD保護層320。舉例而言，ESD保護部分3000可包含第五絕緣薄片105以及第六絕緣薄片106、分別安置於第五絕緣薄片105與第六絕緣薄片106上的第一放電電極311與第二放電電極312，以及穿過第六絕緣薄片106的ESD保護層。此處，ESD保護層320可使至少一部分連接至第一放電電極311以及第二放電電極312。第一放電電極311以及第二放電電極312可具有與電容器部分2000以及4000的內部電極200中的每一者相同的厚度。舉例而言，第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者可具有為1 μm至10 μm的厚度。然而，第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者可具有小於電容器部分2000以及4000中的每一者的內部電極200的厚度的厚度。第一放電電極311可連接至第一外部電極5100且安置於第五絕緣薄片105上，且使一端連接至ESD保護層320。第二放電電極312連接至第二外部電極5200、安置於第六絕緣薄片106上，且使一端連接至ESD保護層320。此處，第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的接觸ESD保護層320的面積可等於或小於ESD保護層320的面積。又，第一放電電極311以及第二放電電極312可與ESD保護層320完全重疊，以使得第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的一端不超出ESD保護層320。意即，第一放電電極311以及第二放電電極312的邊緣可垂直地匹配ESD保護層320的邊緣以形成垂直組件。或者，第一放電電極311以及第二放電電極312可與ESD保護層320的一部分重疊。舉例而言，第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者可與ESD保護層320的水平面積的10%至100%重疊。意即，第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的末端可經形成而不超出ESD保護層320。第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的與ESD保護層320接觸的面積可大於第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的不接觸ESD保護層320的面積。ESD保護層320可連接至第六絕緣薄片106的預定區域。舉例而言，ESD保護層320可安置於中心部分處且連接至第一放電電極311以及第二放電電極312。此處，ESD保護層320的至少一部分可與第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者重疊。意即，ESD保護層320的水平面積的10%至100%可與第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者重疊。ESD保護層320可在預定區域（例如，第六絕緣薄片106的中心部分）中具有具預定大小的通孔。接著，可經由印刷製程塗覆或填充通孔的至少一部分。舉例而言，ESD保護層330可具有為100 μm至500 μm的直徑以及為10 μm至50 μm的厚度。此處，在ESD保護層320的厚度較薄時，放電開始電壓可能會減小。ESD保護層320可由導電材料以及絕緣材料形成。此處，絕緣材料可為具有多個孔的多孔絕緣材料。舉例而言，導電陶瓷與絕緣陶瓷的混合材料可印刷在第六絕緣薄片106上以形成ESD保護層320。ESD保護層320可安置於至少一個絕緣薄片100上。意即，ESD保護層320可安置於垂直地堆疊在彼此之上的至少一個絕緣薄片100（例如，兩個絕緣薄片100）上。此處，放電電極可彼此隔開地安置於絕緣薄片100上且連接至ESD保護層320。稍後將更詳細地描述ESD保護層320的結構以及材料。
第二電容器部分4000可安置於ESD保護部分3000上方，且包含至少兩個內部電極以及在所述至少兩個內部電極之間的至少兩個絕緣薄片。舉例而言，第二電容器部分2000可包含第七絕緣薄片107至第十絕緣薄片110以及分別安置於第七絕緣薄片107至第十絕緣薄片110上的第五內部電極205至第八內部電極208。此處，第五內部電極205至第八內部電極208可具有連接至外部電極5000（5100以及5200）（在X方向上面向彼此）的一側以及彼此隔開的另一側。第五內部電極201以及第七內部電極205中的每一者在第七絕緣薄片107以及第九絕緣薄片109中的每一者上具有預定面積。又，第五內部電極205以及第七內部電極207中的每一者使一側連接至第一外部電極5100，且使另一側與第二外部電極5200隔開。第六內部電極206與第八內部電極208可分別在第八絕緣薄片108與第十絕緣薄片110上具有預定面積。又，第二內部電極202以及第四內部電極204中的每一者可使一側連接至第二外部電極5200，且使另一側與第一外部電極5100隔開。意即，第五內部電極205至第八內部電極208可交替地連接至外部電極5000中的一者以允許第五內部電極205至第八內部電極208的預定面積分別與第八絕緣薄片108至第十絕緣薄片110重疊，其中第八絕緣薄片108至第十絕緣薄片110處於其間。此處，第五內部電極205至第八內部電極208中的每一者具有對應於第七絕緣薄片107至第十絕緣薄片110中的每一者的面積的10%至85%的面積。又，第五內部電極205至第八內部電極208中的每一者的面積與其總面積的10%至85%可重疊。舉例而言，第五內部電極205至第八內部電極208中的每一者可具有為1 μm至10 μm的厚度。第五內部電極205至第八內部電極208中的每一者可具有各種形狀，諸如具有預定寬度以及距離的正方形形狀、矩形形狀、預定圖案形狀以及螺旋形形狀。第二電容器部分4000在第五內部電極205至第八內部電極208之間具有電容。可根據第五內部電極205至第八內部電極208中的每一者的重疊面積以及絕緣薄片108至110中的每一者的厚度來調整所述電容。除了第三內部電極203至第四內部電極204之外，第二電容器部分4000可更包含至少一個內部電極以及至少一個絕緣薄片，所述至少一個內部電極安置於所述至少一個絕緣薄片上。又，第二電容器部分4000可包含兩個內部電極。儘管作為一實例而描述包含四個內部電極的第二電容器部分4000，但可提供至少兩個內部電極，即多個內部電極。
第一電容器部分2000的內部電極201至204中的每一者與第二電容器部分4000的內部電極205至208中的每一者可具有相同形狀以及面積，且亦具有相同重疊面積。又，第一電容器部分2000的絕緣薄片101至104中的每一者與第二電容器部分4000的絕緣薄片107至110中的每一者可具有相同厚度。此處，在第一絕緣薄片101充當下部蓋層時，第一絕緣薄片101可具有大於其餘絕緣薄片中的每一者的厚度的厚度。因此，第一電容器部分2000與第二電容器部分4000可具有相同電容。然而，第一電容器部分2000與第二電容器部分4000可具有彼此不同的電容。在此情況下，內部電極的面積中的至少一者、內部電極的重疊面積以及絕緣薄片的厚度可彼此不同。又，電容器部分2000以及4000的內部電極201至208中的每一者可具有大於ESD保護部分3000的放電電極310中的每一者的長度的長度以及大於放電電極310中的每一者的面積的面積。
外部電極5000（5100以及5200）安置於堆疊式本體1000的面向彼此的兩個側表面上，且連接至第一部分2000及第二電容器部分4000以及ESD保護部分3000的內部電極。外部電極5000中的每一者可提供為至少一個層。外部電極5000可由諸如Ag的金屬層形成，且至少一個鍍層可安置於金屬層上。舉例而言，外部電極5000可藉由堆疊銅層、Ni鍍層以及Sn或Sn/Ag鍍層而形成。又，外部電極5000可藉由混合（例如）使用0.5%至20%的Bi2 O3 或SiO2 作為主要成分的多組分玻璃粉與金屬粉末而形成。此處，玻璃粉與金屬粉末的混合物可製備成膏體形式，且塗覆至堆疊式本體1000的兩個表面。如上文所描述，因為玻璃粉含於外部電極5000中，因此可改良外部電極5000與堆疊式本體1000之間的黏著力，且可改良內部電極200與外部電極5000之間的接觸反應。又，在塗覆含有玻璃的導電膏之後，至少一個鍍層可安置於導電膏上以形成外部電極5000。意即，可提供含有玻璃的金屬層，且至少一個鍍層可安置於所述金屬層上以形成外部電極5000。舉例而言，在外部電極5000中，在形成含有玻璃粉以及Ag與Cu中的至少一者的層之後，可執行電鍍或無電極鍍敷以連續地形成Ni鍍層以及Sn鍍層。此處，Sn鍍層可具有等於或大於Ni鍍層的厚度的厚度。或者，可藉由僅使用至少一個鍍層來形成外部電極5000。意即，可在不塗覆膏體的情況下執行鍍敷過程至少一次以形成至少一個鍍層，由此形成外部電極5000。外部電極5000可具有為2 μm至100 μm的厚度。此處，Ni鍍層可具有為1 μm至10 μm的厚度，且Sn或Sn/Ag鍍層可具有為2 μm至10 μm的厚度。
又，在形成外部電極5000之前，氧化物粉末可分配在堆疊式本體的表面上。此處，可在形成外部電極5000的一部分之前經由印刷製程而分配或在執行鍍敷過程之前分配氧化物粉末。意即，在經由鍍敷過程形成外部電極5000時，可在鍍敷過程之前將氧化物粉末分配在堆疊式本體的表面上。因為氧化物粉末是在鍍敷過程之前分配，因此堆疊式本體的表面上的電阻可均一，且因此，可均一地執行鍍敷過程。意即，堆疊式本體的表面的至少一區域上的電阻可能不同於堆疊式本體的表面的其他區域上的電阻。舉例而言，在執行鍍敷過程時，較之於具有相對高電阻的區域，鍍敷過程可能在具有相對低電阻的區域上執行地更好，從而引起鍍層生長中的不均一性。因此，為解決上述限制，必須均一地維持堆疊式本體的表面電阻。為此，氧化物粉末可分配在堆疊式本體的表面上。此處，氧化物粉末可分配在堆疊式本體的整個表面上，且提供為層的形式。或者，氧化物粉末可部分地分配在堆疊式本體的表面上。此處，氧化物粉末可以層的形式分配在至少一個區域上，且部分地分配在至少一個區域上。舉例而言，氧化物粉末可分配在堆疊式本體的整個表面上，且接著經連接以形成具有預定厚度的氧化物層。此處，因為氧化物層形成於堆疊式本體的表面上，因此堆疊式本體的表面可不曝露。又，氧化物粉末可以島狀物形式分配在堆疊式本體的表面。意即，氧化物粉末可以島狀物形式彼此隔開地安置於堆疊式本體的表面上。因此，堆疊式本體的表面的至少一部分可能曝露。又，氧化物粉末可以層形式形成於至少一個區域上，且以島狀物形式分配在堆疊式本體的表面的至少一部分上。意即，至少兩個氧化物粉末可彼此連接以在至少一個區域上形成層且在至少一個區域上形成島狀物形狀。因此，堆疊式本體的表面的至少一部分可由氧化物粉末曝露。以島狀物形式分配在堆疊表面的表面的至少一部分上的氧化物粉末的總面積可為（例如）堆疊式本體的表面的總面積的10%至80%。此處，至少一種金屬氧化物可用作氧化物粉末用於實現堆疊式本體的均一表面電阻。舉例而言，包含Bi2 O3 、BO2 、B2 O3 、ZnO、Co3 O4 、SiO2 、Al2 O3 以及MnO的至少一種材料可用作氧化物粉末。
此處，ESD保護部分3000與電容器部分2000以及4000中的每一者之間的距離可小於或等於電容器部分2000以及4000內的兩個內部電極之間的距離。意即，安置於ESD保護部分3000與電容器部分2000以及4000中的每一者之間的第五絕緣薄片105以及第七絕緣薄片107中的每一者可具有小於或等於安置於電容器部分2000以及4000內的內部電極200之間的絕緣薄片102至104以及107至110中的每一者的厚度的厚度。又，ESD保護部分3000與電容器部分2000以及4000中的每一者之間的距離可小於或等於ESD保護部分3000的兩個放電電極310之間的距離。意即，安置於ESD保護部分3000與電容器部分2000以及4000中的每一者之間的第五絕緣薄片105以及第七絕緣薄片107中的每一者可具有小於或等於安置有ESD保護層320的第六絕緣薄片106的厚度的厚度。結果，安置於ESD保護部分3000與電容器部分2000以及4000中的每一者之間的第五絕緣薄片105以及第七絕緣薄片107中的每一者可具有小於或等於安置於電容器部分2000以及4000內的內部電極200之間的絕緣薄片102至104以及107至110中的每一者的厚度的厚度，或具有小於或等於ESD保護部分3000的兩個放電電極310之間的距離B的厚度。意即，若ESD保護部分3000與電容器部分2000以及4000之間的距離為A1以及A2，電容器部分2000以及4000內的兩個內部電極之間的距離為C1以及C2，且ESD保護部分3000的兩個放電電極300之間的距離為B，則可滿足以下由A1=A2≤C1=C2或A1=A2≤B表達的式子。或者，距離A1可不同於距離A2，且距離C1可不同於距離C2。最下部絕緣薄片以及最上部絕緣薄片（即，第一絕緣薄片101以及第十一絕緣薄片111）中的每一者可具有大於10 μm的厚度，且對應於堆疊式本體1000的厚度的50%或小於50%。此處，在第一絕緣薄片101與第十一絕緣薄片111分別具有厚度D1與D2時，可滿足以下由B≤D1=D2表達的式子，其中厚度D1可不同於厚度D2。
儘管根據例示性實施例提供在堆疊式本體1000內包含一個ESD保護層320的ESD保護部分3000，但可提供兩個或大於兩個EDS保護層320，即多個ESD保護層，且ESD保護部分3000可提供多個。舉例而言，至少兩個ESD保護層320可垂直地安置，且放電電極可進一步安置於所述ESD保護層320之間以使得可藉由至少一個電容器部分以及至少兩個ESD保護部分構成一個防止觸電的裝置。又，電容器部分2000及4000的內部電極200以及ESD保護部分3000的放電電極310及ESD保護層320可在Y方向上提供至少兩個以上。因此，可在一個堆疊式本體1000內提供彼此平行的多個防止觸電的裝置。
圖4（a）至圖4（c）以及圖5（a）至圖5（c）為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的ESD保護層320的橫截面圖以及橫截面相片。
如圖4（a）以及圖5（a）中所說明，可藉由混合導電材料與絕緣材料而形成ESD保護層320。意即，混合了導電材料與絕緣材料的ESD保護材料可塗覆至或填充至形成於至少一個薄片100中的通孔的至少一部分中，以形成ESD保護層320。舉例而言，可藉由使用混合了導電陶瓷與絕緣陶瓷的ESD保護材料來形成ESD保護層320。在此情況下，可藉由以例如10:90至90:10的混合比率混合導電陶瓷與絕緣陶瓷而形成ESD保護層320。絕緣陶瓷的混合比率愈大，放電開始電壓愈大。又，導電陶瓷的混合比率愈大，放電開始電壓愈小。因此，可調整導電陶瓷與絕緣陶瓷的混合比率以獲得預定放電開始電壓。此處，多個孔（未圖示）可形成於ESD保護層320中。意即，因為ESD保護層320使用多孔絕緣材料，因此可形成多個孔。因為形成了孔，因此可更容易地將ESD電壓旁通至接地端子。
又，ESD保護層300可具有堆疊了導電層與絕緣層的預定堆疊結構。意即，導電層與絕緣層可堆疊至少一次以便彼此分隔，由此形成ESD保護層300。舉例而言，ESD保護層320可具有堆疊了導電層與絕緣層的兩層結構或堆疊了導電層、絕緣層以及導電層的三層結構。又，導電層321以及絕緣層322可堆疊若干次以形成至少三層結構。舉例而言，如圖4（b）中所說明，可形成具有堆疊了第一導電層321a、絕緣層322以及第二導電層321b的三層結構的ESD保護層300。圖5（b）說明在安置於絕緣薄片之間的內部電極之間具有三層結構的ESD保護層的相片。在導電層與絕緣層堆疊若干次時，導電層可安置在最上部層以及最下部層處。此處，多個孔（未圖示）可形成於導電層321以及絕緣層322中的每一者的至少一部分中。舉例而言，因為安置於導電層321之間的絕緣層322具有多孔結構，因此多個孔可形成於絕緣層322中。
又，空隙可進一步形成於ESD保護層320的預定區域中。舉例而言，空隙可經形成於混合了導電材料與絕緣材料的層之間或形成於導電層與絕緣層之間。意即，可堆疊混合了導電層與絕緣材料的第一混合層、空隙以及第二混合層，或可堆疊導電層、空隙以及絕緣層。舉例而言，如圖4（c）中所說明，第一導電層321a、第一絕緣層322a、空隙323、第二絕緣層322b以及第二導電層321b可經堆疊以形成ESD保護層320。意即，絕緣層322可安置於導電層321之間，且空隙323可形成於絕緣層322之間。圖5（c）說明具有上述堆疊結構的ESD保護層320的橫截面的相片。或者，導電層、絕緣層以及空隙可重複堆疊以形成ESD保護層320。在堆疊導電層321、絕緣層322以及空隙323時，導電層321、絕緣層322與空隙323可具有相同寬度，或導電層321、絕緣層322以及空隙323中的至少一者可具有小於其他組件的寬度的寬度。舉例而言，空隙323可具有小於導電層321以及絕緣層322中的每一者的寬度的寬度。又，導電層321可具有與絕緣層322相同的寬度，或具有大於或小於絕緣層322的寬度的寬度。在填充聚合物材料之後可執行燃燒過程，且接著，可移除聚合物材料以形成空隙323。舉例而言，含有導電陶瓷的第一聚合物材料、含有絕緣陶瓷的第二聚合物材料以及不含導電陶瓷或絕緣陶瓷的第三聚合物材料可填充至介層孔中，且接著，執行燃燒過程以移除聚合物材料，由此形成導電層、絕緣層以及空隙。空隙323可經形成而不與其他層分離。舉例而言，絕緣層322可安置於導電層321a與321b之間，且多個空隙323垂直地或水平地連接至絕緣層322的內部以形成空隙323。意即，空隙323可提供為絕緣層322內的多個孔。或者，空隙323可藉由多個孔形成於導電層321中。
又，在ESD保護層320中，含有多孔絕緣材料以及導電材料的ESD保護材料可塗覆至孔洞的一部分，但不塗覆至其他部分，以形成空隙。或者，在ESD保護層320中，ESD保護材料形成於通孔中，且空隙可形成於兩個放電電極311與312之間。
用於ESD保護層320的導電層321可具有預定電阻以允許電流流動。舉例而言，導電層321可為具有若干Ω至數百MΩ電阻的電阻器。在過量引入諸如ESD的電壓時，導電層321可降低能量位準以防止防止觸電的裝置因過電壓而在結構上斷裂。意即，導電層321可充當將電能轉化為熱能的散熱片。可藉由使用導電陶瓷而形成導電層321。導電陶瓷可使用含有La、Ni、Co、Cu、Zn、Ru、Ag、Pd、Pt、W、Fe以及Bi中的至少一者的混合物。又，導電層321可具有為1 μm至50 μm的厚度。意即，在導電層321提供為多個層時，導電層321的厚度的總和可為1 μm至50 μm。
又，用於ESD保護層320的絕緣層322可由放電誘發材料形成以充當具有多孔結構的電障壁。絕緣層322可由絕緣陶瓷形成，且具有為約50至約50,000的介電常數的鐵電材料可用作絕緣陶瓷。舉例而言，絕緣陶瓷可藉由使用含有諸如MLCC、BaTiO3 、BaCO3 、TiO2 、Nd、Bi、Zn以及Al2 O3 的介電材料粉末中的至少一者的混合物形成。絕緣層322可具有多孔結構，其中各自具有約1 nm至約5 μm的大小的多個孔經形成以具有30%至80%的孔隙率。此處，所述孔之間的最短距離可為約1 nm至約5 μm。意即，儘管絕緣層322是由電流不會流過的電絕緣材料形成，但因為形成了孔，因此電流可流過所述孔。此處，在孔的大小增大或孔隙率增大時，放電開始電壓可能會減小。另一方面，在孔的大小減小或孔隙率減小時，放電開始電壓可能會增大。然而，若孔的大小超過5 μm，或孔隙率超過80%，則可能難以維持ESD保護層320的配置。因此，為維持ESD保護層320的配置，可調整放電開始電壓以調整孔的大小以及絕緣層322的孔隙率。在ESD保護層320是由絕緣材料與導電材料的混合材料形成時，絕緣材料可使用具有細孔以及小孔隙率的絕緣陶瓷。又，絕緣層322可由於細孔而具有小於絕緣薄片100的電阻的電阻，且可經由所述細孔執行部分放電。意即，細孔形成於絕緣層322中，且因此，經由所述細孔執行部分放電。絕緣層322可具有為1 μm至50 μm的厚度。意即，在絕緣層322提供為多個層時，絕緣層322的厚度的總和可為1 μm至50 μm。
如上文所描述，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可安置於如圖3中所說明的電子裝置的金屬殼10與內部電路20之間。意即，外部電極5000中的一者可連接至電子裝置的金屬殼10，且另一者可連接至接地端子。此處，接地端子可安置於內部電路20中。舉例而言，第一外部電極5100可連接至電子裝置的金屬殼10，且第二外部電極5200可連接至接地端子。因此，自內部電路20的接地端子傳輸至金屬殼的觸電電壓可被阻斷，且經由金屬殼10自外部施加至內部電路20的ESD電壓可旁通至接地端子。意即，在所述防止觸電的裝置中，電流在額定電壓以及觸電電壓下不在外部電極5000之間流動，但在ESD電壓下流過ESD保護部分3000以允許將ESD電壓旁通至接地端子。在所述防止觸電的裝置中，放電開始電壓可能大於額定電壓且小於ESD電壓。舉例而言，在所述防止觸電的裝置中，額定電壓可為100 V至240 V，且觸電電壓可等於或大於電路的操作電壓，且由外部靜電產生的ESD電壓可大於觸電電壓。又，通信信號可藉由電容器部分2000以及4000而在外部與內部電路20之間傳輸。意即，來自外部的通信信號，即RF信號，可藉由電容器部分2000以及4000傳輸至內部電路20，且來自內部電路20的通信信號可藉由電容器部分2000以及4000傳輸至外部。在金屬殼10用作天線而不提供單獨天線的情況下，可藉由使用電容器部分2000以及4000將通信信號傳輸至外部且自外部接收通信信號。結果，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可阻斷自內部電路的接地端子施加的觸電電壓，且將自外部施加的ESD電壓旁通至接地端子以在外部與電子裝置之間傳輸通信信號。
又，在根據例示性實施例的防止觸電的裝置中，各自具有高電阻特性的多個絕緣薄片可堆疊以形成電容器部分。因此，在藉由有缺陷的充電器將310 V的觸電電壓自內部電路引入至金屬殼時，可維持絕緣電阻狀態以防止漏電流流動。又，在將ESD電壓自金屬殼引入至內部電路中時，ESD保護部分可旁通所述ESD電壓以維持高絕緣電阻狀態而不損壞裝置。意即，ESD保護部分3000可包含ESD保護層300，所述ESD保護層包含：導電層310，其降低能量位準以將電能轉化為熱能；以及絕緣層320，其具有多孔結構以允許電流流過細孔以旁通自外部施加的ESD電壓，由此保護電路。因此，ESD保護部分3000可安置於包含金屬殼的電子裝置中，以持續防止在有缺陷的充電器中產生的觸電經由電子裝置的金屬殼傳輸至使用者而無介電質擊穿。通用多層電容電路（MLCC， multi layer capacitance circuit）可保護觸電電壓，但對ESD作用不大。因此，在重複施加ESD時，電花可能會因電充電造成的洩漏點而出現，以損壞裝置。然而，因為包含導電層以及絕緣層的ESD保護層安置於根據例示性實施例的電容器部分之間，因此ESD電壓可經由ESD保護層旁通，以使得電容器部分不會斷裂。
根據例示性實施例，ESD保護材料填充至或塗覆至形成於絕緣薄片106中的通孔，以形成ESD保護層320。然而，ESD保護層320可安置於絕緣薄片的預定區域上，且放電電極310可經安置以接觸ESD保護層320。意即，如在根據另一例示性實施例的圖6的橫截面圖中所說明，兩個放電電極311與312可在絕緣薄片106上水平地彼此隔開，且ESD保護層320可安置於兩個放電電極311與312之間。此處，因為第一電容器部分2000及第二電容器部分4000以及外部電極5000中的每一者具有與根據例示性實施例者相同的配置，因此將省略其詳細描述，且亦可省略對ESD保護部分3000的重複描述。
ESD保護部分3000可包含彼此水平地間隔開的至少兩個放電電極311以及312以及安置在至少兩個放電電極311以及312之間的至少一個ESD保護層320。意即，兩個放電電極311以及312可在兩個放電電極311以及312彼此間隔開的方向上安置於預定區域（例如薄片的中心部分）上，意即在X方向上。又，至少兩個放電電極（未圖示）可進一步在彼此垂直的方向上安置。因此，至少一個放電電極可在與安置外部電極5000的方向垂直的方向上安置，且至少一個放電電極可經安置成面朝彼此，彼此間隔開預定距離。舉例而言，如圖6中所說明，ESD保護部分3000可包含第六絕緣薄片106、第六絕緣薄片106上彼此間隔開的第一放電電極311以及第二放電電極312以及安置於第六絕緣薄片106上的ESD保護層320。此處，ESD保護層320可具有連接至第一放電電極311以及第二放電電極312的至少一部分。第一放電電極311可連接至外部電極5100，且安置於第六絕緣薄片106上，且具有連接至ESD保護層320的端部。第二放電電極312連接至外部電極5200，且與第六絕緣薄片106上的第一放電電極311間隔開，且具有連接至ESD保護層320的端部。或者，至少一個放電電極可進一步在與放電電極與第一放電電極311以及第二放電電極322間隔開且安置外部電極5000的方向垂直的方向上安置。ESD保護層320可安置於預定區域上（例如第六絕緣薄片106的中心部分），且連接至第一放電電極311以及第二放電電極312。此處，ESD保護層320可與第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者部分重疊。ESD保護層320可安置於在第一放電電極311以及第二放電電極312之間曝露的第六絕緣薄片106上，且連接至第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的側表面。然而，在所述情況下，因為ESD保護層320在不與第一放電電極311以及第二放電電極312間隔開的情況下不會接觸第一放電電極311以及第二放電電極312，所以ESD保護層320可經安置成與第一放電電極311以及第二放電電極312重疊。又，ESD保護層300可具有與第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者相同的厚度，或具有比第一放電電極311以及第二放電電極312中的每一者的厚度大的厚度。舉例而言，ESD保護層320可具有100 μm至500 μm的直徑以及10 μm至50 μm的厚度。
圖7（a）至圖7（d）為說明根據又一例示性實施例的ESD保護部分3000的經修改實例的示意性平面圖。
如圖7（a）中所說明，ESD保護層320可安置在彼此間隔開的兩個第一放電電極311以及第二放電電極312之間。ESD保護層320可藉由將導電材料與絕緣材料混合而形成。
舉例而言，如圖7（b）中所說明，第一導電層321a、絕緣層322以及第二導電層321b可水平地安置以形成具有三層結構的ESD保護層320。意即，第一導電層321a以及第二導電層321b可分別經安置成接觸第一放電電極311以及第二放電電極312，且絕緣層322可經安置成連接於第一導電層321a以及第二導電層321b之間。然而，ESD保護層320可藉由在水平方向上使用導電層321以及絕緣層322至少一次而形成。舉例而言，ESD保護層320可藉由使用導電層321以及絕緣層322而具有兩層結構。或者，導電層321、絕緣層322以及導電層321可交替地安置以形成三層結構。又，導電層321以及絕緣層322可交替地安置若干次以形成至少三層結構。此處，可至少在絕緣層322中形成多個孔。或者，可在導電層321中形成多個孔。
又，如圖7（c）中所說明，ESD保護層320可包含位於第一放電電極311以及第二放電電極312之間的第一導電層321a、第一絕緣層322a、空隙323、第二絕緣層322b以及第二導電層321b。意即，第一導電層321a以及第二導電層321b可分別經安置成接觸第一放電電極301以及第二放電電極302，第一絕緣層322a以及第二絕緣層322b可安置在第一導電層321a以及第二導電層321b之間，且空隙323可形成於第一絕緣層322a以及第二絕緣層322b之間。或者，導電層、絕緣層以及空隙可重複安置若干次以形成ESD保護層320。在水平地安置導電層321、絕緣層322以及空隙323時，導電層321、絕緣層322以及空隙323可具有相同寬度，或導電層321、絕緣層322以及空隙323中的至少一者可具有比其他組件的寬度小的寬度。舉例而言，空隙323可具有比導電層321以及絕緣層322中的每一者的寬度小的寬度。又，導電層321可具有與絕緣層322相同的寬度，或具有比絕緣層322的寬度大或小的寬度。在經由印刷過程形成絕緣層322時，可藉由形成絕緣層322而形成空隙323，以使得空隙323與絕緣層322間隔開預定距離。導電層321、絕緣層322以及空隙323中的每一者可具有對應於第一放電電極311以及第二放電電極312之間的寬度的30%至50%的寬度。意即，在水平地安置導電層321、絕緣層322以及空隙323中的至少一者時，導電層321、絕緣層322以及空隙323的寬度之和可為第一放電電極311以及第二放電電極312之間的寬度的30%至50%。空隙323可在絕緣層322之間一體成型。意即，空隙323可形成於絕緣層322中。或者，絕緣層322內的多個孔可在水平或垂直方向上彼此連接以形成空隙323。
或者，可藉由僅使用空隙323來形成ESD保護層320。意即，如圖7（d）中所說明，第一放電電極311以及第二放電電極312可彼此間隔開預定距離，且空隙323可形成於第一放電電極311以及第二放電電極312之間。因此，空隙323可充當ESD保護層320。在藉由僅使用空隙323來形成ESD保護層320時，ESD保護層320可具有比藉由使用導電層321、絕緣層322或其混合物而形成的ESD保護層320的寬度小的寬度。
又，在根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置中，可提供ESD保護部分3000的至少三個放電電極以在其間形成至少兩個ESD保護。下文將參考圖8（a）至圖8（c）的示意性平面圖來描述根據又一例示性實施例的ESD保護部分3000的經修改實例。
如圖8（a）中所說明，在一個方向上彼此間隔開的至少三個放電電極311、312以及313可安置於相同平面上，且ESD保護部分3000可安置在彼此鄰接的放電電極之間。意即，第一放電電極311、第二放電電極312以及第三放電電極313可在一個方向上彼此間隔開預定距離，第一ESD保護層320a可安置在第一放電電極311以及第三放電電極313之間，且第二ESD保護層320b可安置在第三放電電極313以及第二放電電極312之間。此處，第一ESD保護層320a以及第二ESD保護層320b可由相同材料形成或由彼此不同的材料形成。舉例而言，第一ESD保護層320a以及第二ESD保護層320b中的每一者可提供為由絕緣材料以及導電材料的混合材料形成的層。或者，第一ESD保護層320a以及第二ESD保護層320b中的每一者可提供為導電層或絕緣層。又，第一ESD保護層320a以及第二ESD保護層320b中的一者可提供為導電層，且另一層可提供為絕緣層。
如圖8（b）中所說明，在一個方向上彼此間隔開的至少四個放電電極311、312、313以及314可安置於相同平面上，且ESD保護部分320可安置在彼此鄰接的放電電極之間。意即，四個放電電極311、312、313以及314可在一個方向上彼此間隔開預定距離，第一ESD保護層320a可安置在第一放電電極311以及第三放電電極313之間，第二ESD保護層320b可安置在第三放電電極313以及第四放電電極314之間，且第三ESD保護層320c可安置在第四放電電極314以及第二放電電極312之間。此處，第一ESD保護層320a、第二ESD保護層320b至第三ESD保護層320c可由相同材料形成。舉例而言，第一ESD保護層320a、第二ESD保護層320b至第三ESD保護層320c中的每一者可提供為由絕緣材料以及導電材料的混合材料形成的層。或者，第一ESD保護層320a、第二ESD保護層320b至第三ESD保護層320c中的每一者可提供為導電層或絕緣層。又，第一ESD保護層320a、第二ESD保護層320b至第三ESD保護層320c中的至少一者可由不同材料形成。又，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c中的每一者可提供為導電層，且第二ESD保護層320b可提供為絕緣層。或者，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c中的每一者可提供為絕緣層，且第二ESD保護層320b可提供為導電層。
或者，ESD保護層320中的至少一者可提供為空隙323。意即，如圖8（c）中所說明，四個放電電極311、312、313以及314可在一個方向上彼此間隔開預定距離，第一ESD保護層320a可安置在第一放電電極311以及第三放電電極313之間，空隙323可在第三放電電極313以及第四放電電極314之間形成作為第二ESD保護層320b，且第三ESD保護層320c可安置在第四放電電極314以及第二放電電極312之間。此處，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c可由相同材料形成。舉例而言，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c中的每一者可提供為由絕緣材料以及導電材料的混合材料形成的層。或者，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c中的每一者可提供為導電層或絕緣層。此處，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c可由彼此不同的材料形成。舉例而言，第一ESD保護層320a以及第三ESD保護層320c中的一者可提供為導電層，且另一層可提供為絕緣層。
又，在根據例示性實施例的防止觸電的裝置中，ESD保護部分3000的放電電極的形狀可不同地變形。舉例而言，如圖9（a）中所說明，放電電極311以及放電電極312的面朝彼此的端部中的每一者可具有尖形形狀。或者，如圖9（b）中所說明，放電電極311以及放電電極312的面朝彼此的端部中的每一者可具有圓形形狀。意即，放電電極311以及放電電極312的面朝彼此的至少一個區域之間的距離可小於放電電極311以及放電電極312的其他區域之間的距離。因為彼此間隔開的兩個放電電極311以及312的端部中的每一者為尖形或圓形，所以兩個放電電極311以及312之間的距離可彼此接近，且因此也可能出現兩個放電電極311以及312之間的放電。
又，兩個放電電極311以及312可在維持其間的距離的同時具有各種形狀。舉例而言，如圖9（c）中所說明，一個放電電極311具有自一側至另一側的預定傾斜，且另一放電電極312具有在相反方向上的預定傾斜，意即自另一側至一側。又，放電電極311以及放電電極312可在維持其間的距離的同時具有至少一個不均勻結構。舉例而言，如圖9（d）中所說明，一個放電電極311的端部具有凹面形狀，且另一放電電極312的端部具有凸面形狀，以使得凸面部分插入至凹面部分中。如上文所描述，因為兩個內部電極在維持其間的距離的同時具有各種形狀，所以兩個內部電極之間的面積可增加以改良ESD容限。
因為諸如智慧型電話的電子裝置具有多功能性且小型化，所以防止觸電的裝置的大小亦可減小。舉例而言，根據例示性實施例的防止觸電的裝置具有在一個方向（意即X方向）上0.3 mm至1.1 mm的長度L、在垂直於一個方向的另一方向（意即Y方向）上0.15 mm至0.55 mm的寬度W，以及在Z方向上0.15 mm至0.55 mm的厚度。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為0.9 mm至1.1 mm、0.45 mm至0.55 mm以及0.45 mm至0.55 mm；0.55 mm至0.65 mm、0.25 mm至0.35 mm以及0.25 mm至0.35 mm；或0.35 mm至0.45 mm、0.15 mm至0.25 mm以及0.15 mm至0.25 mm。意即，防止觸電的裝置可具有2至3:1至2:1至2的長度:寬度:厚度的比率。較佳地，長度×寬度×厚度可為1.0 mm×0.5 mm×0.5 mm、0.6 mm×0.3 mm×0.3 mm以及0.4 mm×0.2 mm×0.2 mm。意即，防止觸電的裝置可具有2:1:1的長度:寬度:厚度的比率。裝置的尺寸可基於典型SMT裝置的標準。此處，舉例而言，根據裝置的大小，ESD保護層320可具有50 μm至500 μm的寬度以及5 μm至50 μm的厚度。舉例而言，在具有1.0 mm×0.5 mm×0.5 mm、0.6 mm×0.3 mm×0.3 mm以及0.4 mm×0.2 mm×0.2 mm的長度×寬度×厚度的裝置中，ESD保護層320可具有50 μm至450 μm的寬度以及5 μm至50 μm的厚度。
特別地，防止觸電的裝置的長度×寬度×厚度可減小至1.0 mm×0.5 mm×0.5 mm（下文中為第一觸電防止裝置）、0.6 mm×0.3 mm×0.3 mm（下文中為第二觸電防止裝置）以及0.4 mm×0.2 mm×0.2 mm（下文中為第三觸電防止裝置）的長度×寬度×厚度。意即，多個矩形薄片（其中的每一者具有1.0 mm的長度以及0.5 mm的寬度）可經堆疊以製造具有0.5 mm的厚度的第一觸電防止裝置。又，多個矩形薄片（其中的每一者具有0.6 mm的長度以及0.3 mm的寬度）可經堆疊以製造具有0.3 mm的厚度的第二觸電防止裝置。又，多個矩形薄片（其中的每一者可具有0.4 mm的長度以及0.2 mm的寬度）可經堆疊以製造具有0.2 mm的厚度的第三觸電防止裝置。此處，防止觸電的裝置的電容器部分2000以及電容器部分4000的薄片可具有15 μm至300 μm（較佳地，15 μm至250 μm）的厚度。
防止觸電的裝置的尺寸可因其大小的減小而減小，從而減小內部電極的面積。內部電極的面積可維持在截面積基準內，意即在薄片面積的25%至85%的範圍內。然而，即使防止觸電的裝置的大小減小，必須將防止觸電的裝置的電容維持在2 ㎊至150 ㎊。意即，具有相對較大大小的第一觸電防止裝置以及第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置（其中的每一者具有相對較小大小）必須具有相同電容。為了實現第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置具有與第一觸電防止裝置相同的電容，意即為了減小介電質的厚度或薄片具有較高介電常數，必須使用高k材料。可通過以下等式1計算電容。 [等式1] 電容=空氣介電常數×材料的介電常數×內部電極的總重疊面積/內部電極之間的介電質厚度
在用於實現相同電容而不管大小的另一方法中，介電質的堆疊厚度可減小。然而，防止觸電的裝置可具有關於ESD電壓的破壞容限。對此，因為需要介電質的最小厚度，所以可限制介電質以減小介電質的堆疊厚度以便維持電容。因此，為了實現在預定厚度或更多厚度處相同的電容，必須選擇高k材料。若使用高k材料，則必須最小化內部電極的面積，且介電質的厚度必須厚。然而，因為不可能藉由限制最小印刷面積與防止觸電的裝置的厚度的標準而增加介電質的厚度，所以難以使用過高k材料。
因此，在第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置（其中的每一者具有相對較小大小）中，內部電極之間的介電質具有15 μm至300 μm的厚度，內部電極中的每一者具有對應於裝置的大小（意即，0.6 mm×0.3 mm或0.4 mm×0.2 mm）內的截面積的25%至85%的面積，外邊限（意即，自內部電極的邊緣至介電質的邊緣的距離）為25 μm至100 μm，且介電質在第二觸電防止裝置中具有200至3000的介電常數，且在第三觸電防止裝置中具有600至3000的介電常數。在內部電極具有25%或更少的面積時，網板印刷可具有低解析度，且因此可擴寬電容的分佈。在內部電極具有85%或更多的面積時，印刷面積可能太寬，且因此可能出現諸如內部電極的表面突起的堆疊缺陷以及諸如分層的分離缺陷，從而降低裝置的可靠性。
在內部電極之間的薄片（意即介電質）的厚度很厚時，電容可降低，且受限空間中的堆疊數目可受到限制。因此，可能難以實現適合於防止觸電的裝置的電容。另一方面，內部電極之間的介電質（意即薄片）的厚度可減小以增加電容。又，薄片可多重堆疊以增加電容。然而，防止觸電的裝置可滿足比ICE61000-4-2第4級還嚴格的標準，ICE61000-4-2第4級為關於ESD可靠性的規章標準。此處，若基於測試參考，介電質具有15 μm或更小的厚度，則在重複施加ESD電壓時，介電質的絕緣電阻可失效而不管ESD保護部分是否存在。介電質的絕緣電阻失效的原因在於在自引入ESD電壓的時間點至防止觸電的裝置的反應時間的空白期，ESD電壓未被旁通至ESD保護部分，且在1 ns至30 ns的時間內將500 V或更大的電壓施加至電性層，且因此，介電質的電阻性質不被容忍且失效。
若晶片大小減小，則設計空間可減小。因此，需要防止觸電的裝置的在窄空間中具有高ESD電阻的內表面。然而，在防止觸電的裝置的大小減小時，絕緣薄片可歸因於空間不足而更薄。因此，絕緣薄片自身的電阻性質可下降以防止絕緣薄片的絕緣電阻不連續，即使是在施加具有低位準的ESD的情況下。為了解決上文描述的限制，具有各種形狀的浮動型結構可用以改良相同空間內的ESD電阻性質（在與一般繫緊型結構相比較時）。意即，因為電容器部分的內部電極的形狀變形以使絕緣薄片的厚度在內部電極之間的一個區中增加兩倍或大於兩倍，所以可維持ESD電阻性質。因此，可進一步改良與防止觸電的裝置的ESD保護部分的設計相關聯的ESD電阻性質。結果，在歸因於ESD保護部分的重複ESD電壓的功能退化，ESD未被旁通至ESD保護部分時，電容器部分可能損壞，導致絕緣擊穿。又，儘管ESD保護部分的功能並未退化，但在引入ESD電壓時，在直至防止觸電的裝置的ESD保護部分的反應時間為止的1 ns至30 ns的空白期，在電容器部分中可暫時出現ESD電壓負載，導致絕緣擊穿。然而，電容器部分可提供為浮動型以增加電容器層的ESD電阻性質，藉此防止出現絕緣電阻失效以導致短路的現象。
將參考圖10至圖13描述根據各種例示性實施例的浮動型電容器部分。
參考圖10至圖13，根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含堆疊式本體1000，其中堆疊多個絕緣薄片100（101至113）。堆疊式本體1000中可提供第一電容器部分2000、ESD保護部分3000以及第二電容器部分4000。又，防止觸電的裝置可更包含安置於堆疊式本體1000的面朝彼此的兩個側表面上的外部電極5000（5100以及5200）以將第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000連接至ESD保護部分3000。第一電容器部分2000可包含多個內部電極201至205，且第二電容器部分4000可包含多個內部電極208至212。意即，第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000中的每一者可包含相同數目個內部電極，例如五個內部電極。又，提供ESD保護部分3000，其包含第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000之間的放電電極311以及312；以及安置在放電電極311以及312之間的ESD保護層320。此處，第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000中的每一者可包含至少一個內部電極，所述內部電極具有移除至少一個區的形狀。
如圖10中所說明，第一電容器部分2000的內部電極201可具有中心部分移除了預定寬度的形狀，且在第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000之間對稱地安置有ESD保護部分3000的第二電容器部分4000的內部電極210亦可具有移除在與內部電極201相同的位置處的預定區的形狀。因為移除內部電極201以及210中的每一者的預定區，所以分別鄰近於內部電極201以及210的內部電極202以及209之間的重疊面積可減小。此處，通過移除預定區而劃分成兩個部分的內部電極201以及210可分別連接至第一外部電極5100以及第二外部電極5200。如上文所描述，因為內部電極201以及210中的每一者具有移除預定區的形狀，所以內部電極201以及210與鄰近於內部電極201以及210的內部電極202以及209之間的絕緣薄片102以及112中的每一者可能更厚。意即，因為兩個絕緣薄片101以及102安置在內部電極202以及201的經移除部分之間，所以絕緣薄片100的厚度可增加。因此，因為絕緣薄片100在電容器部分2000以及4000的內部電極200之間的一個區中增加至少兩倍，所以可維持ESD電阻性質。
又，在圖11中說明，可移除第一電容器部分2000的內部電極201、203以及205的中心部分的預定區，且可移除在第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000之間對稱地安置有ESD保護部分3000的第二電容器部分4000的內部電極206、208以及210的中心部分的預定區。此處，內部電極202、204、207以及209可不接觸外部電極5000以與內部電極201、203、205、206、208之間的內部電極201、203、205、206、208以及210中的每一者的至少一部分重疊。意即，內部電極202、204、207以及209可安置於絕緣薄片100的中心部分上以與內部電極201、203、205、206、208以及210重疊，所述內部電極201、203、205、206、208以及210並未安置在絕緣薄片100的中心部分處。
又，在第一電容器部分2000以及第二電容器部分4000的內部電極中的每一者中，可移除與中心區間隔開預定距離的區以及中心區。舉例而言，如圖12中所說明，可移除第一電容器2000的內部電極201、203以及205的中心區，且安置在內部電極201、203以及205之間的內部電極202以及204的經移除部分可安置在兩側，所述兩側與中心區間隔開預定距離。又，在第二電容器部分4000中，可移除與第一電容器部分2000（其間有ESD保護部分3000）的內部電極201、203以及205對稱安置的內部電極206、208以及210的中心區。又，安置在內部電極206、208以及210之間的內部電極207以及209的移除區可形成於與第一電容器部分2000的內部電極202以及204相同的位置處。
又，如圖13中所說明，至少兩個移除區可形成於第一電容器部分2000的內部電極201、203以及205的中心區處，且安置在內部電極201、203以及205之間的內部電極202以及204的移除區可形成於其兩側處，其中的每一者與中心區中的每一者間隔開預定距離。又，在第二電容器部分4000中，至少兩個移除區可形成於與第一電容器部分2000（其間有ESD保護部分3000）的內部電極201、203以及205對稱安置的內部電極206、208以及210的中心區處。又，安置在內部電極206、208以及210之間的內部電極207以及209的移除區可形成於與第一電容器部分2000的內部電極202以及204相同的位置處。
或者，在第一放電電極311以及第二放電電極312可水平地安置以接觸ESD保護層320（如圖14至17中所說明）時，可在浮動型中提供電容器部分2000以及4000的至少一個內部電極。此處，因為參考圖14至圖17的描述與參考圖10至圖13的描述相同，所以將省略其重複描述。
根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含ESD保護部分3000的至少一個ESD保護層320。意即，如圖2以及圖6中所說明，一個ESD保護層300可在X方向上安置。如圖18至圖21中所說明，至少兩個ESD保護層320可在X方向上安置。此處，多個ESD保護層320可在Y方向上安置。舉例而言，如圖18中所說明，兩個ESD保護層320a以及320b可安置於相同平面上。如圖19中所說明，三個ESD保護層320a、320b以及320c可安置於相同平面上。ESD保護層320a、320b以及320c中至少兩個可經由內部電極彼此連接。又，如圖20中所說明，四個ESD保護層320a、320b、320c以及320d可垂直地劃分成兩個ESD保護層的兩個群組。如圖21中所說明，六個ESD保護層320a、320b、320c、320d、320e以及320f可垂直地劃分成兩個ESD保護層的三個群組。在彼此垂直地間隔開的ESD保護層320中，上部ESD保護層可彼此連接，且下部ESD保護層可彼此連接。在提供多個ESD保護層320時，ESD保護層320可具有相同結構或彼此不同的結構。
如上文所描述，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含在一個堆疊式本體內的至少一個電容器部分2000以及電容器部分4000以及至少一個ESD保護部分3000。舉例而言，可提供一個電容器部分以及至少兩個ESD保護部分。此處，電容器部分可安置在內部電路與金屬殼之間，且ESD保護部分可安置在電容器部分與接地端子之間。對此，第一外部電極5100以及第二外部電極5200安置於堆疊式本體的面朝彼此的兩個側表面上，且第三以及第四外部電極（未圖示）可安置於面朝彼此的兩個側表面上，第一外部電極5100以及第二外部電極5200並未安置於所述兩個側表面上。第一外部電極5100以及第二外部電極5200中的每一者可安置在電子裝置的金屬殼與內部電路之間，且第三以及第四外部電極中的每一者可連接至接地端子。意即，第一外部電極5100以及第二外部電極5200可分別安置於電子裝置的金屬殼與內部電路之間的兩個區中，且第三以及第四外部電極可連接至接地端子。
又，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含水平地安置於堆疊式本體1000中的多個電容器部分2000以及4000以及多個ESD保護部分3000。意即，垂直地堆疊的至少一個電容器部分2000以及4000以及ESD保護部分3000可水平地佈置成至少兩個列，且連接至水平地佈置的至少兩個外部電極5000。因此，防止觸電的多個裝置（其中的每一者包含多個電容器部分以及ESD保護部分）可彼此平行地安置。因此，可在一個堆疊式本體1000中提供防止觸電的至少兩個裝置。此處，舉例而言，多個第一外部電極5100可連接至電子裝置的金屬殼的多個區域，且多個第二外部電極5200可連接至電子裝置的接地端子。在多個電容器部分中，至少一個內部電極可具有不同長度。意即，水平地安置以分別構成彼此不同的電容器部分的多個內部電極的至少一個內部電極可具有比其他內部電極的長度小的長度。又，除了內部電極的長度之外，還可調整內部電極的重疊面積以及內部電極的堆疊數目中的至少一者以調整電容。因此，多個電容器部分中的至少一者可具有不同電容。意即，一個堆疊式本體內的至少一個電容器部分可實現具有彼此不同的電容的多個電容器部分。
將如下描述依據根據例示性實施例的防止觸電的裝置的各種實驗例的結果。
表1說明根據ESD保護層的結構的特性，且圖22為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。意即，圖22說明根據ESD保護層的厚度、導電層A以及絕緣層B的厚度、絕緣層的孔徑以及孔隙率以及ESD保護層的結構的放電開始電壓。 [表1]
在實驗例1中，具有25 μm的厚度的ESD保護層藉由僅使用導電層（導電陶瓷）形成。在實驗例2中，具有10 μm的厚度的ESD保護層藉由僅使用絕緣層（絕緣陶瓷）形成。在實驗例3中，具有25 μm的厚度的ESD保護層藉由僅使用絕緣層形成。又，在實驗例4中，導電層以及絕緣層經堆疊以形成具有25 μm的厚度的ESD保護層。在實驗例5中，導電層、絕緣層以及導電層經堆疊以形成具有25 μm的厚度的ESD保護層。在實驗例5中，導電層以及絕緣層分別具有8 μm以及5 μm的厚度。又，在實驗例6中，導電層、絕緣層、氣隙、絕緣層以及導電層經堆疊以形成具有25 μm的厚度的ESD保護層。此處，導電層、絕緣層以及空隙分別具有8 μm、2 μm以及3 μm的厚度。在實驗例2至6中，絕緣層具有1 nm至5 μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40%的孔隙率。意即，具有1 nm至5 μm的各種大小的孔形成於絕緣層中。
如表1中所示，進行關於實驗例1的多個實驗，其中藉由僅使用導電層形成ESD保護層。此處，放電開始電壓為大約2 kV至大約4 kV，且100%發生短路。意即，在實驗例1中，多個樣本的放電開始電壓經分配至2 kV至4 kV的電壓。所有樣本絕緣失效，導致漏電流。又，在實驗例2（其中藉由僅使用絕緣層執行具有10 μm的厚度的ESD保護層）中，放電開始電壓為大約11 kV至大約13 kV，且短路發生率大約為0.8%。然而，在實驗例3至6（其中導電層以及絕緣層或空隙經堆疊以形成ESD保護層）中，將放電開始電壓調整為3 kV至19 kV的電壓，不會發生短路。意即，實驗例4至6中的放電開始電壓小於實驗例2中的放電開始電壓，但歸因於結構差別而不會發生絕緣擊穿。圖22中說明根據實驗例的放電開始電壓。
如表1中所示，可提供絕緣層以降低歸因於絕緣擊穿而發生短路的可能性。又，可提供導電層以減小絕緣層的厚度，且改良放電開始電壓。又，在減小絕緣層厚度的同時添加空隙時，放電開始電壓可下降以降低發生短路的可能性。
表2說明根據絕緣層的厚度以及孔隙率的變化的特性，且圖23為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。將孔隙率設定為40%以及1%或更小，且若孔隙率為40%，則孔徑為1 nm至5 μm，且若孔隙率為1%或更小，則孔徑為0。意即，在孔形成於絕緣層中時的特性以及在孔並未形成於絕緣層中時的特性可相比較且在表2中展示。 [表2]
在實驗例7以及實驗例8中，絕緣層具有10 μm的厚度以及40%以及1%或更小的孔隙率。又，在實驗例9以及實驗例10中，絕緣層具有25 μm的厚度以及40%以及1%或更小的孔隙率。又，在實驗例11中，絕緣層具有25 μm的厚度以及40%的孔隙率。如實驗例7以及實驗例8中所示，ESD保護層具有10 μm的厚度。因此，在絕緣層具有10 μm的厚度時，絕緣層的孔隙率減小以增大放電開始電壓以及發生短路的可能性。又，如實驗例9以及實驗例10中所示，ESD保護層具有25 μm的厚度。因此，在絕緣層具有25 μm的厚度時，絕緣層的孔隙率減小以增大放電開始電壓。然而，因為絕緣層的厚度增加，所以不會發生短路。如實驗例11中所示，在絕緣層具有25 μm的厚度且孔隙率增加至80%時，放電開始電壓大約為21.1 kV。圖23中說明根據表2的放電開始電壓。
表3說明根據絕緣層的孔徑的特性，且圖24為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。意即，在ESD保護層具有25 μm的厚度且因此絕緣層具有25 μm的厚度時，表達根據絕緣層的孔徑的放電開始電壓。 [表3]
在實驗例12中，絕緣層具有1 nm至5 μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40%的孔隙率。又，在實驗例13中，絕緣層具有5 nm至10 μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40%至60%的孔隙率。又，在實驗例14中，絕緣層具有孔徑0，且因此，絕緣層具有1%或更小的孔隙率。如表3以及圖24中所示，在實驗例12的情況下，放電開始電壓為大約17 kV至大約19 kV，且因此具有大約18.3 kV的均值。在實驗例13的情況下，放電開始電壓為大約18 kV至大約20.5 kV，且因此具有大約19.7 kV的均值。意即，隨著孔徑的增加，放電開始電壓也增加。又，在實驗例14的情況下，放電開始電壓為大約24 kV至大約28 kV，且因此具有大約25.9 kV的均值。意即，如實驗例14中所示，在藉由使用其中未形成孔的絕緣層形成ESD保護層時，獲得高放電開始電壓。然而，在此情況下，不會發生短路。
表4說明根據ESD保護層的厚度的特性，且圖25為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。意即，在將ESD保護層的厚度調整為10 μm、25 μm以及50 μm的厚度且因此將絕緣層的厚度調整為10 μm、25 μm以及50 μm的厚度時，表達根據ESD保護層的厚度的放電開始電壓。此處，絕緣層具有1 nm至5 μm的孔徑以及40%的孔隙率。 [表4]
在實驗例15中，ESD保護層具有10 μm的厚度，且因此絕緣層具有10 μm的厚度。在實驗例16中，ESD保護層具有25 μm的厚度，且因此絕緣層具有25 μm的厚度。在實驗例17中，ESD保護層具有50 μm的厚度，且因此絕緣層具有50 μm的厚度。如表4以及圖8中所示，在實驗例15的情況下，放電開始電壓為大約11 kV至大約13 kV（均值12.4 kV）。在實驗例16的情況下，放電開始電壓為大約17 kV至大約19 kV（均值18.3 kV）。在實驗例17的情況下，放電開始電壓為大約25 kV至大約27 kV（均值26.2 kV）。如實驗例15至實驗例17中所示，在ESD保護的厚度增加且因此絕緣層的厚度增加時，放電開始電壓增加。然而，在其中ESD保護層具有厚度10 μm的實驗例15的情況下，短路發生率大約為0.9%。
表5說明根據電容器部分的內部電極的重疊面積的短路的發生率。此處，電容器部分的十個內部電極彼此重疊，絕緣薄片具有25 μm的厚度，且所施加的ESD電壓為10 kV。 [表5]
在實驗例18中，內部電極的總重疊面積為1.2 mm2 。在實驗例19中，內部電極的總重疊面積為1.0 mm2 。在實驗例20中，內部電極的總重疊面積為0.8 mm2 。在實驗例中，在施加10 kV的ESD電壓時，如表5中所示，均值短路發生次數隨著總重疊面積的減小而減小。然而，每一單位重疊面積ESD通過次數的均值隨著重疊面積的減小而增加。因此，即使內部電極的重疊面積減小，每一單元重疊面積的ESD通過次數也可增加。因此，即使晶片大小減小，仍可維持ESD電阻性質。
表6以及表7說明根據介電層的厚度的測試結果，其取決於薄片的介電常數以及ESD電壓的重複施加。表6說明在具有介電常數75的介電質具有5 μm至30 μm的厚度且重複施加10 kV的ESD電壓時的測試結果，且表8說明在具有介電常數2900的介電質具有5 μm至30 μm的厚度且重複施加10 kV的ESD電壓時的測試結果。 [表6]
如表6中所示，若將10 kV的ESD電壓施加至具有介電常數75的介電質，則在5 μm的厚度下施加ESD電壓10次時，發生兩次失敗，且在10 μm的厚度下施加ESD電壓40次時，發生三次失敗。又，在15 μm的厚度下施加ESD電壓80次時，發生兩次失敗，且在20 μm的厚度下施加ESD電壓120次時，發生一次失敗。因此，在施加10 kV的ESD電壓80次時，可在15 μm的厚度下獲得所要電容以及ESD性質。 [表7]
如表7中所示，若將10 kV的ESD電壓施加至具有介電常數2900的介電質，則在5 μm的厚度下施加ESD電壓10次時，發生三次失敗，且在10 μm的厚度下施加ESD電壓40次時，發生一次失敗。又，在15 μm的厚度下施加ESD電壓80次時，發生四次失敗，且在20 μm的厚度下施加ESD電壓120次時，發生三次失敗。因此，在施加10 kV的ESD電壓80次時，可在15 μm的厚度下獲得所要電容以及ESD性質。
根據例示性實施例的防止觸電的裝置可安置在電子裝置的金屬殼與內部電路之間，以阻斷自內部電路的接地端子傳輸的觸電電壓。因此，可防止有缺陷的充電器中產生的觸電電壓自電子裝置內的接地端子經由金屬殼傳輸至使用者。又，防止觸電的裝置可包含ESD保護部分，且ESD保護部分可具有多孔結構以允許電流流動穿過細孔。因此，引入的ESD可旁通至接地端子以維持裝置的絕緣狀態。因此，可連續地阻斷觸電電壓，且自外部施加的ESD電壓可旁通至接地端子。
又，電容器部分的絕緣薄片（意即介電質）可具有10至20,000的介電常數以及5 μm至300 μm的厚度。因此，即使裝置的大小減小，仍可將電容維持原狀。
又，使電容器部分的內部電極變形成浮動型以使內部電極之間的至少一個區中的絕緣薄片的厚度增加兩倍或更多倍。因此，儘管晶片大小減小，但可防止絕緣薄片的絕緣電阻擊穿，從而維持高電壓電阻性質。
然而，可以不同形式體現本發明，且不應將本發明解釋為限於本文中所闡述的實施例。實際上，提供此等實施例以使得本發明將為透徹且完整的，且將向所屬領域中具通常知識者充分傳達本發明的範疇。此外，本發明僅由申請專利範圍的範疇界定。
10‧‧‧金屬殼
20‧‧‧內部電路
200、201、202、203、204、205、206、207、208、209、210‧‧‧內部電極
100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111、112‧‧‧絕緣薄片
310、311、312、313、314‧‧‧放電電極
320、320a、320b、320c、320d、320e、320f‧‧‧ESD保護層
321、321a、321b‧‧‧導電層
322、322a、322b‧‧‧絕緣層
323‧‧‧空隙
1000‧‧‧堆疊式本體
2000、4000‧‧‧電容器部分
3000‧‧‧ESD保護部分
5000、5100、5200‧‧‧外部電極
自結合隨附圖式進行的以下描述可更詳細地理解例示性實施例，其中： 圖1為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的透視圖。 圖2為沿圖1的線A-A'截取的橫截面圖。 圖3為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的等效電路圖。 圖4（a）至圖4（c）以及圖5（a）至圖5（c）為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的EDS保護層的橫截面圖以及橫截面相片。 圖6為根據另一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。 圖7（a）至圖7（d）、圖8（a）至圖8（c）以圖9（a）至圖9（d）為說明根據另一例示性實施例的防止觸電的裝置的經修改實例的示意圖。 圖10至圖13為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。 圖14至圖17為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。 圖18至圖21為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。 圖22至圖25為根據根據例示性實施例的ESD保護層的各種實驗例的放電開始電壓的視圖。
100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111‧‧‧絕緣薄片
200、201、202、203、204、205、206、207、208‧‧‧內部電極
310、311、312‧‧‧放電電極
320‧‧‧ESD保護層
1000‧‧‧堆疊式本體
2000‧‧‧電容器部分
3000‧‧‧ESD保護部分
4000‧‧‧電容器部分
5000、5100、5200‧‧‧外部電極

Claims (24)

  1. 一種防止觸電的裝置，所述裝置包括： 堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；以及 ESD保護部分，安置於所述絕緣薄片的至少一部分上以阻斷ESD電壓， 其中所述ESD保護部分包括至少一個ESD保護層，所述ESD保護層包括多孔絕緣材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防止觸電的裝置，更包括配備有多個內部電極的電容器部分，所述多個內部電極經安置而使得在所述堆疊式本體中，所述絕緣薄片位於所述多個內部電極之間，且 所述ESD保護部分平行地安置於所述電容器部分與內部電路之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的防止觸電的裝置，其中所述堆疊式本體具有在一個方向上的為0.3 mm至1.1 mm的長度，在垂直於所述一個方向的另一方向上的為0.15 mm至0.55 mm的寬度，以及為0.15 mm至0.55 mm的厚度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的防止觸電的裝置，其中所述長度、所述寬度以及所述厚度分別為0.55 mm至0.65 mm、0.25 mm至0.35 mm以及0.25 mm至0.35 mm。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的防止觸電的裝置，其中所述長度、所述寬度以及所述厚度分別為0.35 mm至0.45 mm、0.15 mm至0.25 mm以及0.15 mm至0.25 mm。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的防止觸電的裝置，其中所述絕緣薄片中的每一者具有為10至20,000的介電常數以及為5 μm至300 μm的厚度。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的防止觸電的裝置，其中所述內部電極中的每一者具有對應於所述薄片面積的25%至85%的面積。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的防止觸電的裝置，其中至少提供兩個以上的ESD保護層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的防止觸電的裝置，其中在同一平面上提供至少兩個以上的所述ESD保護層或在至少兩個以上的平面上提供至少兩個以上的所述ESD保護層。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的防止觸電的裝置，其中所述ESD保護部分更包括連接至所述至少一個ESD保護層的至少兩個以上的放電電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的防止觸電的裝置，其中所述至少兩個以上的放電電極在所述絕緣薄片的堆疊方向上彼此隔開預定距離。
  12. 如申請專利範圍第2項所述的防止觸電的裝置，其中所述ESD保護層是藉由將所述多孔絕緣材料填充至通孔的至少一個區中而形成，所述通孔具有為100 μm至500 μm的直徑以及為10 μm至50 μm的厚度，所述通孔形成於至少一個所述絕緣薄片中。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的防止觸電的裝置，其中在一個方向上提供在同一所述薄片上彼此隔開預定距離的至少兩個以上的所述放電電極，且在垂直於所述一個方向的另一方向上提供至少兩個以上的所述兩個放電電極，且 所述ESD保護層安置於在所述一個方向上彼此隔開的所述放電電極之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的防止觸電的裝置，其中所述放電電極的中間具有所述ESD保護層、自一側向另一側彎曲或傾斜且面向彼此的至少一個區域比其他區域更接近於彼此。
  15. 如申請專利範圍第2項所述的防止觸電的裝置，其中所述ESD保護層包括空隙。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的防止觸電的裝置，其中所述ESD保護層包括絕緣材料、導電材料、空隙以及所述導電材料與所述絕緣材料的混合材料中的至少一者。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的防止觸電的裝置，其中所述ESD保護層是藉由重複所述絕緣材料、所述導電材料、所述空隙以及所述導電材料與所述絕緣材料的所述混合材料中的至少兩者或大於兩者至少一次而形成。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的防止觸電的裝置，其中所述絕緣材料具有為1 nm至5 μm的孔徑以及為30%至80%的孔隙率。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的防止觸電的裝置，其中所述導電材料包括La、Ni、Co、Cu、Zn、Ru、Ag、Pd、Pt、W、Fe以及Bi中的至少一者。
  20. 如申請專利範圍第2項所述的防止觸電的裝置，其中所述電容器部分的所述內部電極中的至少一者具有移除了至少一個區的形狀。
  21. 如申請專利範圍第1項至第20項中任一項所述的防止觸電的裝置，其中所述防止觸電的裝置安置於金屬殼與內部電路之間以阻斷觸電電壓且將所述ESD電壓旁通至接地端子。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的防止觸電的裝置，其中電容在2 pF至150 pF的範圍內。
  23. 一種包括防止觸電的裝置的電子裝置，所述防止觸電的裝置安置於金屬殼與內部電路之間以阻斷觸電電壓且旁通ESD電壓， 其中所述防止觸電的裝置包括： 堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊； 電容器部分，包括安置於所述堆疊式本體中的多個內部電極； ESD保護部分，包括安置於所述絕緣薄片的至少一部分上的至少兩個以上的放電電極以及至少一個ESD保護層；以及 外部電極，安置於所述堆疊式本體外部的至少兩個側表面中的每一者上且連接至所述電容器部分與所述ESD保護部分。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的包括防止觸電的裝置的電子裝置，其中所述電容器部分在電子裝置外部與內部電路之間傳輸通信信號。
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